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特開2024-73402インク組成物及びその製造方法とこれから製造される複合体及び電子素子並びに表示装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024073402
(43)【公開日】2024-05-29
(54)【発明の名称】インク組成物及びその製造方法とこれから製造される複合体及び電子素子並びに表示装置
(51)【国際特許分類】
C09D 11/101 20140101AFI20240522BHJP
C09K 11/02 20060101ALI20240522BHJP
H05B 33/14 20060101ALI20240522BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20240522BHJP
H10K 50/11 20230101ALI20240522BHJP
H10K 50/115 20230101ALI20240522BHJP
H10K 85/10 20230101ALI20240522BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240522BHJP
H10K 59/38 20230101ALI20240522BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240522BHJP
H10K 71/40 20230101ALI20240522BHJP
H01L 33/50 20100101ALI20240522BHJP
G02F 1/1335 20060101ALI20240522BHJP
G02F 1/13357 20060101ALI20240522BHJP
C09K 11/08 20060101ALN20240522BHJP
C09K 11/62 20060101ALN20240522BHJP
【ＦＩ】
C09D11/101
C09K11/02 Z
H05B33/14 Z
H10K50/10
H10K50/11
H10K50/115
H10K85/10
H10K59/10
H10K59/38
H10K59/122
H10K71/40
H01L33/50
G02F1/1335 505
G02F1/13357
C09K11/08 G ZNM
C09K11/62
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023196018
(22)【出願日】2023-11-17
(31)【優先権主張番号】10-2022-0154923
(32)【優先日】2022-11-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】390019839
【氏名又は名称】三星電子株式会社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ－ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】文 得 圭
(72)【発明者】
【氏名】朴 相 鉉
(72)【発明者】
【氏名】元 鍾 勳
(72)【発明者】
【氏名】金 泰 坤
【テーマコード（参考）】
2H291
2H391
3K107
4H001
4J039
5F142
【Ｆターム（参考）】
2H291FA06X
2H291FA14X
2H291FA83X
2H291FA85Z
2H391AA13
2H391EA02
2H391EA05
2H391EA11
3K107AA01
3K107AA05
3K107BB01
3K107BB02
3K107BB08
3K107CC22
3K107CC45
3K107DD53
3K107DD54
3K107DD55
3K107DD57
3K107DD60
3K107DD70
3K107DD89
3K107EE24
3K107EE61
3K107FF00
3K107FF12
3K107FF14
3K107FF17
3K107GG28
4H001CA01
4H001CC13
4H001XA16
4H001XA30
4H001XA32
4H001XA47
4H001XA49
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4H001XB32
4H001XB62
4J039AD21
4J039BA13
4J039BA18
4J039BA31
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4J039BA39
4J039BC20
4J039BE01
4J039BE22
4J039BE27
4J039CA07
4J039EA05
4J039EA27
4J039EA28
4J039FA02
4J039GA34
5F142BA32
5F142CB23
5F142CD02
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5F142DA64
5F142DA73
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5F142DB20
5F142DB24
5F142FA26
5F142GA02
5F142GA14
(57)【要約】
【課題】向上した物性を示すインク組成物及びその製造方法とこれから製造される複合体及び電子素子並びに表示装置を提供する。
【解決手段】本発明のインク組成物は、半導体ナノ粒子及び重合性モノマーを有し、半導体ナノ粒子は、銀（ｓｉｌｖｅｒ）、１３族金属、及びカルコゲン元素を含む１１－１３－１６族化合物、並びに亜鉛を含み、１３族金属は、インジウム及びガリウムを含み、カルコゲン元素は、硫黄を含み、インク組成物は、第１有機リガンドを更に含み、第１有機リガンドは、Ｒ１－ＣＯＯ－Ａで表される化合物又は残基を含み、ここでＲ１は第１有機基であり、Ａは水素又は前記半導体ナノ粒子の表面に結合される部分である。
【選択図】図１ａ
【解決手段】本発明のインク組成物は、半導体ナノ粒子及び重合性モノマーを有し、半導体ナノ粒子は、銀（ｓｉｌｖｅｒ）、１３族金属、及びカルコゲン元素を含む１１－１３－１６族化合物、並びに亜鉛を含み、１３族金属は、インジウム及びガリウムを含み、カルコゲン元素は、硫黄を含み、インク組成物は、第１有機リガンドを更に含み、第１有機リガンドは、Ｒ１－ＣＯＯ－Ａで表される化合物又は残基を含み、ここでＲ１は第１有機基であり、Ａは水素又は前記半導体ナノ粒子の表面に結合される部分である。
【選択図】図１ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体ナノ粒子及び重合性モノマーを有するインク組成物であって、
前記半導体ナノ粒子は、銀（ｓｉｌｖｅｒ）、１３族金属、及びカルコゲン元素を含む１１－１３－１６族化合物、並びに亜鉛を含み、
前記１３族金属は、インジウム及びガリウムを含み、
前記カルコゲン元素は、硫黄を含み、
前記インク組成物は、第１有機リガンドを更に含み、
前記第１有機リガンドは、Ｒ１－ＣＯＯ－Ａで表される化合物又は残基を含み、ここでＲ１は第１有機基であり、Ａは水素又は前記半導体ナノ粒子の表面に結合される部分であることを特徴とするインク組成物。
前記半導体ナノ粒子は、銀（ｓｉｌｖｅｒ）、１３族金属、及びカルコゲン元素を含む１１－１３－１６族化合物、並びに亜鉛を含み、
前記１３族金属は、インジウム及びガリウムを含み、
前記カルコゲン元素は、硫黄を含み、
前記インク組成物は、第１有機リガンドを更に含み、
前記第１有機リガンドは、Ｒ１－ＣＯＯ－Ａで表される化合物又は残基を含み、ここでＲ１は第１有機基であり、Ａは水素又は前記半導体ナノ粒子の表面に結合される部分であることを特徴とするインク組成物。
【請求項2】
前記半導体ナノ粒子は、第２有機リガンドを更に含み、
第２有機リガンドは、Ｒ２Ｓ－Ａで表される化合物又は残基を含み、ここでＲ２は第２有機基であり、Ａは水素又は前記半導体ナノ粒子の表面に結合される部分であり、
選択により、前記第２有機基は、置換又は非置換のＣ１－５００炭化水素基であり、主鎖（ｂａｃｋｂｏｎｅ）に－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＮＨＣＯ－、又はこれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
第２有機リガンドは、Ｒ２Ｓ－Ａで表される化合物又は残基を含み、ここでＲ２は第２有機基であり、Ａは水素又は前記半導体ナノ粒子の表面に結合される部分であり、
選択により、前記第２有機基は、置換又は非置換のＣ１－５００炭化水素基であり、主鎖（ｂａｃｋｂｏｎｅ）に－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＮＨＣＯ－、又はこれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
【請求項3】
前記半導体ナノ粒子は、１１－１３－１６族化合物を含む半導体ナノ結晶、及び前記半導体ナノ結晶の表面上に前記亜鉛を含み、
前記ガリウムは、前記半導体ナノ結晶の表面に露出し、
前記第１有機リガンドは、前記半導体ナノ結晶の表面に連結されることを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
前記ガリウムは、前記半導体ナノ結晶の表面に露出し、
前記第１有機リガンドは、前記半導体ナノ結晶の表面に連結されることを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
【請求項4】
前記半導体ナノ粒子は、
硫黄に対する亜鉛のモル比が０．０１～０．８であり、
下記式２により表される電荷均衡値（ｃｈａｒｇｅ ｂａｌａｎｃｅ ｖａｌｕｅ）が０．８以上１．５以下であることを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
ｃｈａｒｇｅ ｂａｌａｎｃｅ ｖａｌｕｅ＝｛［Ａｇ］＋３ｘ（［Ｉｎ］＋［Ｇａ］）＋２ｘ［Ｚｎ］｝／２ｘ［Ｓ］） ・・・式２
（ここで［Ａｇ］、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、［Ｚｎ］、及び［Ｓ］は、それぞれ前記半導体ナノ粒子内の銀、インジウム、ガリウム、亜鉛、及び硫黄のモル含有量である。）
硫黄に対する亜鉛のモル比が０．０１～０．８であり、
下記式２により表される電荷均衡値（ｃｈａｒｇｅ ｂａｌａｎｃｅ ｖａｌｕｅ）が０．８以上１．５以下であることを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
ｃｈａｒｇｅ ｂａｌａｎｃｅ ｖａｌｕｅ＝｛［Ａｇ］＋３ｘ（［Ｉｎ］＋［Ｇａ］）＋２ｘ［Ｚｎ］｝／２ｘ［Ｓ］） ・・・式２
（ここで［Ａｇ］、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、［Ｚｎ］、及び［Ｓ］は、それぞれ前記半導体ナノ粒子内の銀、インジウム、ガリウム、亜鉛、及び硫黄のモル含有量である。）
【請求項5】
前記半導体ナノ粒子で、
銀（Ａｇ）に対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／Ａｇ）は、０．３以上５以下であるか、
ガリウムに対する亜鉛のモル比（Ｚｎ／Ｇａ）は、０．４以上１．５以下であるか、又は
ガリウム、インジウム、及び銀の総和に対する亜鉛のモル比は、０．０５以上２以下であることを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
銀（Ａｇ）に対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／Ａｇ）は、０．３以上５以下であるか、
ガリウムに対する亜鉛のモル比（Ｚｎ／Ｇａ）は、０．４以上１．５以下であるか、又は
ガリウム、インジウム、及び銀の総和に対する亜鉛のモル比は、０．０５以上２以下であることを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
【請求項6】
前記第１有機基は、置換又は非置換のＣ３－１５炭化水素基を含み、
選択により、前記Ｃ３－１５炭化水素基は、その主鎖（ｂａｃｋｂｏｎｅ）に－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＳＯ－、－Ｓ－、－ＮＨＣＯ－、又はこれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
選択により、前記Ｃ３－１５炭化水素基は、その主鎖（ｂａｃｋｂｏｎｅ）に－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＳＯ－、－Ｓ－、－ＮＨＣＯ－、又はこれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
【請求項7】
前記第１有機基は、（メタ）アクリレート残基を含むことを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
【請求項8】
前記インク組成物で、前記半導体ナノ粒子の含有量は、組成物の総重量を基準に１５重量％以上５０重量％以下であることを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
【請求項9】
前記第１有機リガンドは、下記化学式２－１で表されるカルボン酸化合物又は下記化学式２－３で表されるカルボキシレート残基を含み、
前記インク組成物は、重合により半導体ナノ粒子－ポリマーの複合体を形成するように構成され、
前記インク組成物は、下記式３により定義される量子効率の維持率が５０％以上であることを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
量子効率の維持率（％）＝［重合後の半導体ナノ粒子含有複合体の量子効率／インク組成物内での半導体ナノ粒子の量子効率］×１００ ・・・式３
（ここで、Ｒは、同一であるか又は異なり、それぞれ独立して水素又はＣ１～Ｃ１０アルキル基であり、
Ｌは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０炭化水素基、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせであり、
Ａは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０炭化水素基、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせであり、
＊は半導体ナノ粒子に結合される部分である。）
前記インク組成物は、重合により半導体ナノ粒子－ポリマーの複合体を形成するように構成され、
前記インク組成物は、下記式３により定義される量子効率の維持率が５０％以上であることを特徴とする請求項１に記載のインク組成物。
量子効率の維持率（％）＝［重合後の半導体ナノ粒子含有複合体の量子効率／インク組成物内での半導体ナノ粒子の量子効率］×１００ ・・・式３
【化2-1】
【化2-3】
Ｌは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０炭化水素基、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせであり、
Ａは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０炭化水素基、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせであり、
＊は半導体ナノ粒子に結合される部分である。）
【請求項10】
請求項１に記載のインク組成物の製造方法であって、
前記方法は、前記第１有機リガンドと共に前記半導体ナノ粒子を前記重合性モノマーと混合する段階と、
前記第１有機リガンドを含む前記半導体ナノ粒子を準備する段階と、を有し、
前記第１有機リガンドを含む前記半導体ナノ粒子を準備する段階は、１１－１３－１６族化合物を含む半導体ナノ結晶粒子を有機溶媒内で前記第１有機リガンド及び亜鉛塩化合物と混合して前記第１有機リガンドを含む前記半導体ナノ粒子を得る段階を含むことを特徴とする方法。
前記方法は、前記第１有機リガンドと共に前記半導体ナノ粒子を前記重合性モノマーと混合する段階と、
前記第１有機リガンドを含む前記半導体ナノ粒子を準備する段階と、を有し、
前記第１有機リガンドを含む前記半導体ナノ粒子を準備する段階は、１１－１３－１６族化合物を含む半導体ナノ結晶粒子を有機溶媒内で前記第１有機リガンド及び亜鉛塩化合物と混合して前記第１有機リガンドを含む前記半導体ナノ粒子を得る段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項11】
前記１１－１３－１６族化合物を含む半導体ナノ結晶粒子は、亜鉛塩処理された半導体ナノ粒子を含み、
前記亜鉛塩処理された半導体ナノ粒子は、前記１１－１３－１６族化合物を含む半導体ナノ結晶粒子と第１亜鉛塩化合物とを、前記第１有機リガンドの不存在下で、第１有機溶媒内で接触させて得られることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
前記亜鉛塩処理された半導体ナノ粒子は、前記１１－１３－１６族化合物を含む半導体ナノ結晶粒子と第１亜鉛塩化合物とを、前記第１有機リガンドの不存在下で、第１有機溶媒内で接触させて得られることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
前記第１亜鉛塩化合物は、Ｃ８～Ｃ５０の亜鉛脂肪酸エステル化合物を含み、
前記半導体ナノ結晶粒子と前記第１亜鉛塩化合物とを接触させることは、第１温度で行われ、
前記第１温度は、２０℃以上１００℃以下であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
前記半導体ナノ結晶粒子と前記第１亜鉛塩化合物とを接触させることは、第１温度で行われ、
前記第１温度は、２０℃以上１００℃以下であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
前記第１有機リガンドは、下記化学式２－１で表されるカルボン酸化合物又は下記化学式２－３で表されるカルボキシレート残基を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
（ここで、Ｒは、同一であるか又は異なり、それぞれ独立して水素又はＣ１～Ｃ１０アルキル基であり、
Ｌは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０炭化水素基、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせであり、
Ａは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０炭化水素基、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせであり、
＊は半導体ナノ粒子に結合される部分である。）
【化2-1】
【化2-3】
Ｌは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０炭化水素基、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせであり、
Ａは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０炭化水素基、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせであり、
＊は半導体ナノ粒子に結合される部分である。）
【請求項14】
前記亜鉛塩化合物は、亜鉛ハライドを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項15】
半導体ナノ粒子－ポリマーの複合体であって、
請求項１に記載のインク組成物から製造されることを特徴とする複合体。
請求項１に記載のインク組成物から製造されることを特徴とする複合体。
【請求項16】
重合性モノマーの重合生成物、半導体ナノ粒子、及び第１有機リガンドを含む半導体ナノ粒子－ポリマーの複合体であって、
前記半導体ナノ粒子は、銀、１３族金属、及び１６族元素を含む１１－１３－１６族化合物、並びに亜鉛を含み、
前記１３族金属は、インジウム及びガリウムを含み、
前記１６族元素は、硫黄を含み、
前記第１有機リガンドは、Ｒ１－ＣＯＯ－Ａで表される化合物又は残基を含み、
ここでＲ１は第１有機基であり、Ａは水素又は前記半導体ナノ粒子の表面に結合される部分であることを特徴とする複合体。
前記半導体ナノ粒子は、銀、１３族金属、及び１６族元素を含む１１－１３－１６族化合物、並びに亜鉛を含み、
前記１３族金属は、インジウム及びガリウムを含み、
前記１６族元素は、硫黄を含み、
前記第１有機リガンドは、Ｒ１－ＣＯＯ－Ａで表される化合物又は残基を含み、
ここでＲ１は第１有機基であり、Ａは水素又は前記半導体ナノ粒子の表面に結合される部分であることを特徴とする複合体。
【請求項17】
色変換区域を含む色変換層及び選択により前記色変換層の各区域を定義する隔壁を含む素子であって、
前記色変換区域は、第１画素に対応する第１区域を含み、
前記第１区域は、請求項１６に記載の複合体を含むことを特徴とする素子。
前記色変換区域は、第１画素に対応する第１区域を含み、
前記第１区域は、請求項１６に記載の複合体を含むことを特徴とする素子。
【請求項18】
光源及び請求項１６に記載の複合体を含む表示装置であって、
前記光源は、前記複合体に入射光を提供するように構成されることを特徴とする表示装置。
前記光源は、前記複合体に入射光を提供するように構成されることを特徴とする表示装置。
【請求項19】
前記光源は、有機発光ダイオード、マイクロＬＥＤ、ミニＬＥＤ、ナノロッドを含むＬＥＤ、又はこれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
【請求項20】
前記表示装置は、携帯端末装置、モニター、ノートパソコン、テレビ、電光板、カメラ、又は車両用電装部品であることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、インク組成物及びその製造方法とこれから製造される複合体及び電子素子並びに表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体ナノ粒子は、物質の固有特性として知られている物理的特性（ギャップエネルギーバンド、融点など）の面でバルク物質とは異なる様相を示す。例えば、半導体ナノ粒子（複数）は、エネルギー励起（例えば、光照射又は電圧印加）により光を放出するように構成される。このような発光性ナノ粒子は、多様な素子（例えば、電子素子）で応用の可能性が発見される。環境的観点で向上した発光物性が実現されて、カドミウムなどの有害重金属を含まない発光性ナノ粒子の開発が望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】韓国公開特許第２０２２－００１７３５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、向上した物性を示す半導体ナノ粒子含有インク組成物及びその製造方法とこれから製造される（半導体ナノ粒子－ポリマー）複合体及び電子素子並びに表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるインク組成物は、半導体ナノ粒子及び重合性モノマーを有し、前記半導体ナノ粒子は、銀（ｓｉｌｖｅｒ）、１３族金属、及びカルコゲン元素を含む１１－１３－１６族化合物、並びに亜鉛を含み、前記１３族金属は、インジウム及びガリウムを含み、前記カルコゲン元素は、硫黄を含み、前記インク組成物は、第１有機リガンドを更に含み、前記第１有機リガンドは、Ｒ１－ＣＯＯＡで表される化合物を含み、ここでＲ１は第１有機基であり、Ａは水素又は半導体ナノ粒子の表面に結合される部分である。
【0006】
前記半導体ナノ粒子は、例えばインク組成物内で、或いはこれから製造された複合体で６５％以上、６７％以上、又は７０％以上～１００％の量子効率を示すように構成される。
前記半導体ナノ粒子は、その表面に結合された前記第１有機リガンドを含む。
前記インク組成物又は前記半導体ナノ粒子は、前記第１リガンドとは異なる第２有機リガンドを更に含む。前記第２有機リガンドは、Ｒ２Ｓ－Ａで表される化合物を含み、ここでＲ２は第２有機基であり、Ａは水素又は半導体ナノ粒子の表面に結合される部分である。
前記１３族金属は、インジウム及びガリウムを含む。
前記半導体ナノ粒子の表面は、ガリウム及び亜鉛を含む。
前記半導体ナノ粒子は、下記式１により表される電荷均衡値（ｃｈａｒｇｅ ｂａｌａｎｃｅ ｖａｌｕｅ、総陽イオン／総陰イオン）が０．８以上、１．８以下又は１．５以下である。
ｃｈａｒｇｅ ｂａｌａｎｃｅ ｖａｌｕｅ＝｛［Ａｇ］＋３ｘ（［１３族金属］）＋２［Ｚｎ］｝／２ｘ［ＣＨＡ］） ・・・式１
ここで［Ａｇ］、［１３族金属］、［Ｚｎ］、及び［ＣＨＡ］は、それぞれ前記ナノ粒子内の銀、１３族金属、亜鉛、及びカルコゲン元素のモル含有量である。
前記電荷均衡値は、０．９以上又は１以上である。前記電荷均衡値は、１．３以下、１．２以下、又は１．１以下である。
前記１３族金属は、インジウム、ガリウム、アルミニウム、又はこれらの組み合わせを含む。前記１３族金属は、インジウム及びガリウムを含む。前記カルコゲン元素は、硫黄、セレニウム、又はこれらの組み合わせを含む。前記ナノ粒子で、前記カルコゲン元素は、硫黄を含み、選択によりセレニウムを更に含むか又は含まない。
前記半導体ナノ粒子で、カルコゲン元素（例えば、硫黄）に対する亜鉛のモル比は、０．８以下、０．３以下、０．２５以下、又は０．１９以下である。前記半導体ナノ粒子で、カルコゲン元素（例えば、硫黄）に対する亜鉛のモル比は、０．０１以上又は０．０５以上である。
前記半導体ナノ粒子で、銀（Ａｇ）に対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／Ａｇ）は、０．３以上又は０．５以上、及び５以下、３．５以下、又は２以下である。
前記半導体ナノ粒子で、銀、インジウム、及びガリウムの総和に対する硫黄のモル比（Ｓ／（Ａｇ＋Ｉｎ＋Ｇａ））は、１．３以上又は１．３５以上、及び２以下である。
前記半導体ナノ粒子で、銀に対するインジウムとガリウムとの総和のモル比（（Ｉｎ＋Ｇａ）／Ａｇ）は、１．５以上又は１．８以上、及び７．０以下又は３．５以下である。
前記半導体ナノ粒子で、インジウムとガリウムとの総和に対するガリウムのモル比［Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）］は、０．９９以下又は０．８以下である。インジウムとガリウムとの総和に対するガリウムのモル比は、０．６５以上又は０．７以上である。
前記ナノ粒子で、硫黄に対するガリウムのモル比（Ｇａ／Ｓ）は、０．５以下又は０．４１以下である。硫黄に対するガリウムのモル比（Ｇａ／Ｓ）は、０．１以上、０．３以上、又は０．３５以上である。
前記半導体ナノ粒子は、リチウムを含まない。前記ナノ粒子は、ナトリウムを含まない。前記ナノ粒子は、アルカリ金属を含まない。前記ナノ粒子は、銅を含まないか又は更に含む。
前記半導体ナノ粒子は、第１光を放出するように構成される。前記半導体ナノ粒子又は前記第１光は、半値幅が５ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。前記ナノ粒子は、５０％以上の量子収率を示す。
前記半導体ナノ粒子又は前記第１光は発光ピーク波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲に存在する。前記第１光は緑色光である。前記発光ピーク波長は、５０５ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲である。
前記半導体ナノ粒子は６０％以上の（絶対）量子収率を示す。前記量子収率は、６２％以上、６５％以上、又は７０％以上である。前記量子収率は８０％～１００％である。
前記半値幅は、４５ｎｍ以下、４０ｎｍ以下、又は３５ｎｍ以下である。前記半値幅は、５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、１５ｎｍ以上、又は２５ｎｍ以上である。
前記半導体ナノ粒子は、その表面に結合された前記第１有機リガンドを含む。
前記インク組成物又は前記半導体ナノ粒子は、前記第１リガンドとは異なる第２有機リガンドを更に含む。前記第２有機リガンドは、Ｒ２Ｓ－Ａで表される化合物を含み、ここでＲ２は第２有機基であり、Ａは水素又は半導体ナノ粒子の表面に結合される部分である。
前記１３族金属は、インジウム及びガリウムを含む。
前記半導体ナノ粒子の表面は、ガリウム及び亜鉛を含む。
前記半導体ナノ粒子は、下記式１により表される電荷均衡値（ｃｈａｒｇｅ ｂａｌａｎｃｅ ｖａｌｕｅ、総陽イオン／総陰イオン）が０．８以上、１．８以下又は１．５以下である。
ｃｈａｒｇｅ ｂａｌａｎｃｅ ｖａｌｕｅ＝｛［Ａｇ］＋３ｘ（［１３族金属］）＋２［Ｚｎ］｝／２ｘ［ＣＨＡ］） ・・・式１
ここで［Ａｇ］、［１３族金属］、［Ｚｎ］、及び［ＣＨＡ］は、それぞれ前記ナノ粒子内の銀、１３族金属、亜鉛、及びカルコゲン元素のモル含有量である。
前記電荷均衡値は、０．９以上又は１以上である。前記電荷均衡値は、１．３以下、１．２以下、又は１．１以下である。
前記１３族金属は、インジウム、ガリウム、アルミニウム、又はこれらの組み合わせを含む。前記１３族金属は、インジウム及びガリウムを含む。前記カルコゲン元素は、硫黄、セレニウム、又はこれらの組み合わせを含む。前記ナノ粒子で、前記カルコゲン元素は、硫黄を含み、選択によりセレニウムを更に含むか又は含まない。
前記半導体ナノ粒子で、カルコゲン元素（例えば、硫黄）に対する亜鉛のモル比は、０．８以下、０．３以下、０．２５以下、又は０．１９以下である。前記半導体ナノ粒子で、カルコゲン元素（例えば、硫黄）に対する亜鉛のモル比は、０．０１以上又は０．０５以上である。
前記半導体ナノ粒子で、銀（Ａｇ）に対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／Ａｇ）は、０．３以上又は０．５以上、及び５以下、３．５以下、又は２以下である。
前記半導体ナノ粒子で、銀、インジウム、及びガリウムの総和に対する硫黄のモル比（Ｓ／（Ａｇ＋Ｉｎ＋Ｇａ））は、１．３以上又は１．３５以上、及び２以下である。
前記半導体ナノ粒子で、銀に対するインジウムとガリウムとの総和のモル比（（Ｉｎ＋Ｇａ）／Ａｇ）は、１．５以上又は１．８以上、及び７．０以下又は３．５以下である。
前記半導体ナノ粒子で、インジウムとガリウムとの総和に対するガリウムのモル比［Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）］は、０．９９以下又は０．８以下である。インジウムとガリウムとの総和に対するガリウムのモル比は、０．６５以上又は０．７以上である。
前記ナノ粒子で、硫黄に対するガリウムのモル比（Ｇａ／Ｓ）は、０．５以下又は０．４１以下である。硫黄に対するガリウムのモル比（Ｇａ／Ｓ）は、０．１以上、０．３以上、又は０．３５以上である。
前記半導体ナノ粒子は、リチウムを含まない。前記ナノ粒子は、ナトリウムを含まない。前記ナノ粒子は、アルカリ金属を含まない。前記ナノ粒子は、銅を含まないか又は更に含む。
前記半導体ナノ粒子は、第１光を放出するように構成される。前記半導体ナノ粒子又は前記第１光は、半値幅が５ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。前記ナノ粒子は、５０％以上の量子収率を示す。
前記半導体ナノ粒子又は前記第１光は発光ピーク波長が５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲に存在する。前記第１光は緑色光である。前記発光ピーク波長は、５０５ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲である。
前記半導体ナノ粒子は６０％以上の（絶対）量子収率を示す。前記量子収率は、６２％以上、６５％以上、又は７０％以上である。前記量子収率は８０％～１００％である。
前記半値幅は、４５ｎｍ以下、４０ｎｍ以下、又は３５ｎｍ以下である。前記半値幅は、５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、１５ｎｍ以上、又は２５ｎｍ以上である。
【0007】
前記第１有機基は、置換又は非置換のＣ１－５００、Ｃ２－３００、Ｃ３－１００、Ｃ４－５０、又はＣ５－１０の炭化水素基であり、選択により（例えば、主鎖（ｂａｃｋｂｏｎｅ）で）一つ以上のメチレンが－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＮＨＣＯ－、又はこれらの組み合わせに代替される。
前記第２有機基は、置換又は非置換のＣ１－５００、Ｃ２－３００、Ｃ３－１００、Ｃ４－５０、又はＣ５－１０炭化水素基であり、選択により（例えば、主鎖（ｂａｃｋｂｏｎｅ）で）一つ以上のメチレンが－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＮＨＣＯ－、又はこれらの組み合わせを含む。
前記第１有機基は、炭素－炭素二重結を含有する残基を含む。前記炭素－炭素二重結を含有する残基は、（メタ）アクリレート基を含む。前記第２有機基は、アルコキシカルボニル残基を含む。
前記第２有機リガンドは、ピペリジン残基を含まない。
前記第２有機リガンドは、アミン基を含むか又は含まない。
前記半導体ナノ粒子は、前記第２有機リガンドを含まない。一実施形態の半導体ナノ粒子は前記第２有機リガンドを含み、第２有機リガンドと第１有機リガンドとの間のモル比（第２有機リガンド：第１有機リガンド）は、１：１～１：１００、１：２～１：５０、又はこれらの組み合わせである。
前記第１有機リガンドは、前記第２有機リガンドよりも過量で存在する。
前記半導体ナノ粒子は、塩素を更に含む。
前記第１有機リガンドは、Ｃ３～Ｃ５００（例えばＣ４－Ｃ１００、Ｃ４－Ｃ５０、Ｃ５－Ｃ１２）カルボキシアルキル（メタ）アクリレートを含む。前記第１有機リガンドは、分子量が１０ｇ／ｍｏｌ以上、５０ｇ／ｍｏｌ以上、又は１２０ｇ／ｍｏｌ以上、及び８００ｇ／ｍｏｌ以下、５００ｇ／ｍｏｌ以下、４００ｇ／ｍｏｌ以下、３００ｇ／ｍｏｌ以下、又は２５０ｇ／ｍｏｌ以下の小分子化合物（例えば、非高分子型化合物）を含む。
前記第２有機リガンドは、チオール基を含むＣ３～Ｃ５００（例えばＣ４－Ｃ１００、Ｃ４－Ｃ５０、Ｃ５－Ｃ１２）カルボン酸アルキルエステルを含む。
前記インク組成物で、前記半導体ナノ粒子の含有量は、組成物の総重量を基準に１５重量％以上又は２０重量％以上である。前記インク組成物で、前記半導体ナノ粒子の含有量は、組成物の総重量を基準に５０重量％以下である。
前記第２有機基は、置換又は非置換のＣ１－５００、Ｃ２－３００、Ｃ３－１００、Ｃ４－５０、又はＣ５－１０炭化水素基であり、選択により（例えば、主鎖（ｂａｃｋｂｏｎｅ）で）一つ以上のメチレンが－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＮＨＣＯ－、又はこれらの組み合わせを含む。
前記第１有機基は、炭素－炭素二重結を含有する残基を含む。前記炭素－炭素二重結を含有する残基は、（メタ）アクリレート基を含む。前記第２有機基は、アルコキシカルボニル残基を含む。
前記第２有機リガンドは、ピペリジン残基を含まない。
前記第２有機リガンドは、アミン基を含むか又は含まない。
前記半導体ナノ粒子は、前記第２有機リガンドを含まない。一実施形態の半導体ナノ粒子は前記第２有機リガンドを含み、第２有機リガンドと第１有機リガンドとの間のモル比（第２有機リガンド：第１有機リガンド）は、１：１～１：１００、１：２～１：５０、又はこれらの組み合わせである。
前記第１有機リガンドは、前記第２有機リガンドよりも過量で存在する。
前記半導体ナノ粒子は、塩素を更に含む。
前記第１有機リガンドは、Ｃ３～Ｃ５００（例えばＣ４－Ｃ１００、Ｃ４－Ｃ５０、Ｃ５－Ｃ１２）カルボキシアルキル（メタ）アクリレートを含む。前記第１有機リガンドは、分子量が１０ｇ／ｍｏｌ以上、５０ｇ／ｍｏｌ以上、又は１２０ｇ／ｍｏｌ以上、及び８００ｇ／ｍｏｌ以下、５００ｇ／ｍｏｌ以下、４００ｇ／ｍｏｌ以下、３００ｇ／ｍｏｌ以下、又は２５０ｇ／ｍｏｌ以下の小分子化合物（例えば、非高分子型化合物）を含む。
前記第２有機リガンドは、チオール基を含むＣ３～Ｃ５００（例えばＣ４－Ｃ１００、Ｃ４－Ｃ５０、Ｃ５－Ｃ１２）カルボン酸アルキルエステルを含む。
前記インク組成物で、前記半導体ナノ粒子の含有量は、組成物の総重量を基準に１５重量％以上又は２０重量％以上である。前記インク組成物で、前記半導体ナノ粒子の含有量は、組成物の総重量を基準に５０重量％以下である。
【0008】
前記インク組成物で、前記モノマーは、下記化学式１で表される化合物を含む。
前記化学式１で、Ｘは、炭素－炭素二重結合を有するＣ２～Ｃ３０の有機基であり、
Ｌ２は、単一結合、炭素原子、置換又は非置換のＣ２～Ｃ５０のアルキレン基、置換又は非置換のＣ１～Ｃ５０のアルケニレン基、置換又は非置換のＣ３～Ｃ５０（例えば、Ｃ６－Ｃ３０）のシクロアルキレン基、置換又は非置換のＣ３～Ｃ５０（例えば、Ｃ６－Ｃ３０）のシクロアルケニレン基、置換又は非置換のＣ６～Ｃ５０のアリーレン基、置換又は非置換のＣ３～Ｃ３０のヘテロアリーレン基、オキシアルキレン単位を１個以上有する基［（Ｒ－Ｏ）ｎ、ここでＲは置換又は非置換のメチレン、エチレン、イソプロピレン、ブチレンなどのＣ１～Ｃ１０のアルキレンであり、ｎは、１以上、３以上、５以上、又は１０以上、及び５００以下、３００以下、１００以下、５０以下、又は１５以下］、スルホニル（－Ｓ（＝Ｏ）２－）、カルボニル（－Ｃ（＝Ｏ）－）、エーテル（－Ｏ－）、スルフィド（－Ｓ－）、スルホキシド（－Ｓ（＝Ｏ）－）、エステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）、アミド（－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、イミン（－ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、又はこれらの組み合わせであり、
Ｙは、単一結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０のアルキレン基、置換又は非置換のＣ２～Ｃ３０のアルケニレン基、スルホニル（－Ｓ（＝Ｏ）２－）、カルボニル（－Ｃ（＝Ｏ）－）、エーテル（－Ｏ－）、スルフィド（－Ｓ－）、スルホキシド（－Ｓ（＝Ｏ）－）、エステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）、アミド（－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、イミン（－ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、又はこれらの組み合わせであり、
ｎは１以上の整数であり、
ｋは１以上の整数であり、
ｎとｋとの合計は、２以上（例えば、３以上、又は４以上、及び１０以下又は５以下）の整数である。
ｎはＹの原子価数により決定される。ｋはＬの原子価数により決定される。
Ｘは、ビニル基、（メタ）アクリレート基、又はこれらの組み合わせを含む。
【化1】
Ｌ２は、単一結合、炭素原子、置換又は非置換のＣ２～Ｃ５０のアルキレン基、置換又は非置換のＣ１～Ｃ５０のアルケニレン基、置換又は非置換のＣ３～Ｃ５０（例えば、Ｃ６－Ｃ３０）のシクロアルキレン基、置換又は非置換のＣ３～Ｃ５０（例えば、Ｃ６－Ｃ３０）のシクロアルケニレン基、置換又は非置換のＣ６～Ｃ５０のアリーレン基、置換又は非置換のＣ３～Ｃ３０のヘテロアリーレン基、オキシアルキレン単位を１個以上有する基［（Ｒ－Ｏ）ｎ、ここでＲは置換又は非置換のメチレン、エチレン、イソプロピレン、ブチレンなどのＣ１～Ｃ１０のアルキレンであり、ｎは、１以上、３以上、５以上、又は１０以上、及び５００以下、３００以下、１００以下、５０以下、又は１５以下］、スルホニル（－Ｓ（＝Ｏ）２－）、カルボニル（－Ｃ（＝Ｏ）－）、エーテル（－Ｏ－）、スルフィド（－Ｓ－）、スルホキシド（－Ｓ（＝Ｏ）－）、エステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）、アミド（－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、イミン（－ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、又はこれらの組み合わせであり、
Ｙは、単一結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０のアルキレン基、置換又は非置換のＣ２～Ｃ３０のアルケニレン基、スルホニル（－Ｓ（＝Ｏ）２－）、カルボニル（－Ｃ（＝Ｏ）－）、エーテル（－Ｏ－）、スルフィド（－Ｓ－）、スルホキシド（－Ｓ（＝Ｏ）－）、エステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）、アミド（－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、イミン（－ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、又はこれらの組み合わせであり、
ｎは１以上の整数であり、
ｋは１以上の整数であり、
ｎとｋとの合計は、２以上（例えば、３以上、又は４以上、及び１０以下又は５以下）の整数である。
ｎはＹの原子価数により決定される。ｋはＬの原子価数により決定される。
Ｘは、ビニル基、（メタ）アクリレート基、又はこれらの組み合わせを含む。
【0009】
前記モノマーは、ポリエチレングリコールメタクリレート、ポリプロピレングリコールメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート、置換又は非置換のアルキル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡエポキシアクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ノボラックエポキシ（メタ）アクリレート、エチルグリコールモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、トリス（メタ）アクリロイルオキシエチルホスフェート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジアクリロイルオキシアルカン、又はこれらの組み合わせを含む。
【0010】
一実施形態で、前記モノマーは光重合性単量体を含む。前記モノマーは、置換又は非置換のジ（メタ）アクリレート化合物、置換又は非置換のトリ（メタ）アクリレート化合物、置換又は非置換のテトラ（メタ）アクリレート化合物、置換又は非置換のペンタ（メタ）アクリレート化合物、置換又は非置換のヘキサ（メタ）アクリレート化合物、又はこれらの組み合わせを含む。
前記インク組成物は、開始剤、金属酸化物（ナノ）粒子、又はこれらの組み合わせを更に含む。
前記開始剤の含有量は、組成物の総重量を基準に０．５重量％以上１０重量％以下である。
前記金属酸化物粒子の含有量は、組成物の総重量を基準に０．５重量％以上３０重量％以下である。
前記インク組成物は、（例えば、厚さ１５マイクロメーター以下、又は厚さ１０マイクロメーター以下の）フィルムの形態で重合されて複合体又はそのパターンを形成するように構成される。
前記インク組成物は、重合により半導体ナノ粒子－ポリマーの複合体を形成するように構成され、前記半導体ナノ粒子－ポリマーの複合体において半導体ナノ粒子の量子収率は６０％以上である。
前記インク組成物は、重合により複合体を形成するように構成され、下記式３により定義される前記量子効率の維持率は５０％以上である。
量子効率の維持率（％）＝［重合後の半導体ナノ粒子含有複合体の量子効率／（例えば、インク組成物内での）半導体ナノ粒子の量子効率］×１００ ・・・式３
前記複合体は、下記式４により定義される青色光吸収率が８５％以上、８８％以上、又は９０％以上である。
青色光吸収率（％）＝［（Ｂ－Ｂ’）／Ｂ］×１００ ・・・式４
Ｂ：青色光の光量
Ｂ’：前記複合体を通過した青色光の光量
前記複合体の青色光吸収率は、例えば７μｍのフィルムで測定することができる。
前記青色光吸収率は、９９．５％以下、９９％以下、９８％以下、又は９７％以下である。
前記インク組成物は、開始剤、金属酸化物（ナノ）粒子、又はこれらの組み合わせを更に含む。
前記開始剤の含有量は、組成物の総重量を基準に０．５重量％以上１０重量％以下である。
前記金属酸化物粒子の含有量は、組成物の総重量を基準に０．５重量％以上３０重量％以下である。
前記インク組成物は、（例えば、厚さ１５マイクロメーター以下、又は厚さ１０マイクロメーター以下の）フィルムの形態で重合されて複合体又はそのパターンを形成するように構成される。
前記インク組成物は、重合により半導体ナノ粒子－ポリマーの複合体を形成するように構成され、前記半導体ナノ粒子－ポリマーの複合体において半導体ナノ粒子の量子収率は６０％以上である。
前記インク組成物は、重合により複合体を形成するように構成され、下記式３により定義される前記量子効率の維持率は５０％以上である。
量子効率の維持率（％）＝［重合後の半導体ナノ粒子含有複合体の量子効率／（例えば、インク組成物内での）半導体ナノ粒子の量子効率］×１００ ・・・式３
前記複合体は、下記式４により定義される青色光吸収率が８５％以上、８８％以上、又は９０％以上である。
青色光吸収率（％）＝［（Ｂ－Ｂ’）／Ｂ］×１００ ・・・式４
Ｂ：青色光の光量
Ｂ’：前記複合体を通過した青色光の光量
前記複合体の青色光吸収率は、例えば７μｍのフィルムで測定することができる。
前記青色光吸収率は、９９．５％以下、９９％以下、９８％以下、又は９７％以下である。
【0011】
前記インク組成物の製造方法は、前記第１有機リガンドと共に（例えば、含む、又は隣接する）前記半導体ナノ粒子を前記重合性モノマーと混合する段階と、前記第１有機リガンドを含む前記半導体ナノ粒子を準備する段階と、を有し、前記第１有機リガンドを含む前記半導体ナノ粒子を準備する段階は、１１－１３－１６族化合物を含む半導体ナノ結晶粒子を有機溶媒内で前記第１有機リガンド及び亜鉛塩化合物（例えば、亜鉛ハライド）と混合（ａｄｍｉｘｉｎｇ）して前記第１有機リガンドを含む前記半導体ナノ粒子を得る段階を含む。
【0012】
前記第１有機リガンドは、前記半導体ナノ粒子の表面に結合される。
前記１１－１３－１６族化合物を含む半導体ナノ結晶粒子は、亜鉛塩処理されたナノ結晶粒子を含み、前記亜鉛塩処理されたナノ結晶粒子は、１１－１３－１６族化合物を含むナノ結晶粒子と第１亜鉛塩化合物とを（例えば、第１有機リガンドの不存在下で）第１有機溶媒内で、第１温度で接触させて得られる。
前記方法は、前記亜鉛塩処理されたナノ結晶粒子を前記有機溶媒内に分散させた分散液を準備する段階を更に含む。
前記混合（ａｄｍｉｘｉｎｇ）する段階中に、前記半導体ナノ粒子の表面でリガンド交換反応が起きる。
前記方法は、前記混合（ａｄｍｉｘｉｎｇ）する段階で、前記第２有機リガンドを付加する段階を更に含む。前記リガンド交換反応は、前記第２有機リガンド化合物の存在下で行われる。
前記第１温度は、２０℃以上、１００℃以下、６０℃以下、又は５０℃以下である。
前記混合又は前記リガンド交換反応は、１００分以上５日以下で行われる。
前記混合又は前記リガンド交換反応は、２０℃以上、及び１００℃以下、８０℃以下、６０℃以下、５０℃以下、又は４０℃以下で行われる。
前記亜鉛塩化合物は、亜鉛脂肪酸エステル化合物、亜鉛ハライド、又はこれらの組み合わせを含む。
前記１１－１３－１６族化合物を含む半導体ナノ結晶粒子は、亜鉛塩処理されたナノ結晶粒子を含み、前記亜鉛塩処理されたナノ結晶粒子は、１１－１３－１６族化合物を含むナノ結晶粒子と第１亜鉛塩化合物とを（例えば、第１有機リガンドの不存在下で）第１有機溶媒内で、第１温度で接触させて得られる。
前記方法は、前記亜鉛塩処理されたナノ結晶粒子を前記有機溶媒内に分散させた分散液を準備する段階を更に含む。
前記混合（ａｄｍｉｘｉｎｇ）する段階中に、前記半導体ナノ粒子の表面でリガンド交換反応が起きる。
前記方法は、前記混合（ａｄｍｉｘｉｎｇ）する段階で、前記第２有機リガンドを付加する段階を更に含む。前記リガンド交換反応は、前記第２有機リガンド化合物の存在下で行われる。
前記第１温度は、２０℃以上、１００℃以下、６０℃以下、又は５０℃以下である。
前記混合又は前記リガンド交換反応は、１００分以上５日以下で行われる。
前記混合又は前記リガンド交換反応は、２０℃以上、及び１００℃以下、８０℃以下、６０℃以下、５０℃以下、又は４０℃以下で行われる。
前記亜鉛塩化合物は、亜鉛脂肪酸エステル化合物、亜鉛ハライド、又はこれらの組み合わせを含む。
【0013】
他の実施形態は、前記インク組成物から製造される半導体ナノ粒子－ポリマーの複合体に関するものである。
一実施形態で、前記半導体ナノ粒子－ポリマーの複合体は、重合性モノマーの重合生成物、半導体ナノ粒子、及び第１有機リガンドを含み、前記半導体ナノ粒子は、亜鉛、及び１１－１３－１６族化合物を含み、前記１１－１３－１６族化合物は、銀、１３族金属、及び１６族元素を含み、前記１３族金属はインジウム及びガリウムを含み、前記１６族元素は硫黄を含み、前記第１有機リガンドはＲ１－ＣＯＯ－Ａで表される化合物又は残基を含む。Ｒ１及びＡの定義は、本明細書に記載した通りである。
一実施形態で、前記複合体は、マトリックス及び前記マトリックス内に分散された前記ナノ粒子（例えば、複数の前記ナノ粒子）を含む。前記マトリックスは、上述したモノマーの重合生成物を含む。前記（ポリマー）マトリックス又は前記重合生成物は、架橋されたポリマーを含む。前記複合体は、金属酸化物微粒子（例えば、ナノ粒子）を更に含む。前記複合体は、パターン化されたフィルムの形態を有する。前記複合体は、第１光を放出する前記ナノ粒子及び前記第１光とは異なる第２光を放出するナノ粒子が混合されたシートである。前記複合体で前記ナノ粒子の含有量は、複合体の総重量を基準に１重量％～５０重量％、１０重量％～３０重量％、又は１５重量％～２０重量％、又はこれらの組み合わせである。
前記複合体の青色光吸収率は、７０％以上、８０％以上、８５％以上、又は９０％以上である。前記複合体の青色光吸収率は、７０％～１００％、８０％～９８％、９５％～９９％、９６％～９８％、又はこれらの組み合わせである。前記複合体は、青色光吸収率が８５％以上である。
前記複合体又は前記複合体に含まれる半導体ナノ粒子は、発光効率又は量子効率（ＱＹ）が５０％以上、５５％以上、５８％以上、６０％以上、６３％以上、６５％以上、６８％以上、６９％以上、７０％以上、又は７５％以上である。
一実施形態で、前記半導体ナノ粒子－ポリマーの複合体は、重合性モノマーの重合生成物、半導体ナノ粒子、及び第１有機リガンドを含み、前記半導体ナノ粒子は、亜鉛、及び１１－１３－１６族化合物を含み、前記１１－１３－１６族化合物は、銀、１３族金属、及び１６族元素を含み、前記１３族金属はインジウム及びガリウムを含み、前記１６族元素は硫黄を含み、前記第１有機リガンドはＲ１－ＣＯＯ－Ａで表される化合物又は残基を含む。Ｒ１及びＡの定義は、本明細書に記載した通りである。
一実施形態で、前記複合体は、マトリックス及び前記マトリックス内に分散された前記ナノ粒子（例えば、複数の前記ナノ粒子）を含む。前記マトリックスは、上述したモノマーの重合生成物を含む。前記（ポリマー）マトリックス又は前記重合生成物は、架橋されたポリマーを含む。前記複合体は、金属酸化物微粒子（例えば、ナノ粒子）を更に含む。前記複合体は、パターン化されたフィルムの形態を有する。前記複合体は、第１光を放出する前記ナノ粒子及び前記第１光とは異なる第２光を放出するナノ粒子が混合されたシートである。前記複合体で前記ナノ粒子の含有量は、複合体の総重量を基準に１重量％～５０重量％、１０重量％～３０重量％、又は１５重量％～２０重量％、又はこれらの組み合わせである。
前記複合体の青色光吸収率は、７０％以上、８０％以上、８５％以上、又は９０％以上である。前記複合体の青色光吸収率は、７０％～１００％、８０％～９８％、９５％～９９％、９６％～９８％、又はこれらの組み合わせである。前記複合体は、青色光吸収率が８５％以上である。
前記複合体又は前記複合体に含まれる半導体ナノ粒子は、発光効率又は量子効率（ＱＹ）が５０％以上、５５％以上、５８％以上、６０％以上、６３％以上、６５％以上、６８％以上、６９％以上、７０％以上、又は７５％以上である。
【0014】
一実施形態は、上述したナノ粒子を含む色変換区域を含む色変換層（例えば、色変換構造物）を提供する。一実施形態で、色変換パネルは、色変換区域を含む色変換層（例えば、色変換構造物）及び選択により前記色変換層の各区域を定義する隔壁を含む。前記色変換区域は第１画素に対応する第１区域を含み、前記第１区域は第１光を放出するように構成される第１複合体を含み、前記第１複合体はマトリックス及び前記マトリックス内に分散された半導体ナノ粒子を含む。
【0015】
他の実施形態は、光源及び前記複合体を含む表示装置（或いは表示パネル）に関するものである。一実施形態で、前記表示パネルは、発光パネル（又は光源）、及び前記色変換パネル、そして選択により前記発光パネルと前記色変換パネルとの間に位置する透光層を含む。
前記発光パネル（又は光源）は前記色変換パネルに励起光を提供するように構成される。前記励起光は青色光及び選択により緑色光を含む。前記青色光は４４０ｎｍ～４６０ｎｍ又は４５０ｎｍ～４５５ｎｍの範囲にあるピーク波長を有する。
前記光源は、有機発光ダイオード、マイクロＬＥＤ、ミニＬＥＤ、ナノロッド含むＬＥＤ、又はこれらの組み合わせを含む。
前記発光パネル（又は光源）は前記色変換パネルに励起光を提供するように構成される。前記励起光は青色光及び選択により緑色光を含む。前記青色光は４４０ｎｍ～４６０ｎｍ又は４５０ｎｍ～４５５ｎｍの範囲にあるピーク波長を有する。
前記光源は、有機発光ダイオード、マイクロＬＥＤ、ミニＬＥＤ、ナノロッド含むＬＥＤ、又はこれらの組み合わせを含む。
【0016】
一実施形態で、電子装置（或いは表示装置）は前記色変換パネル又は前記表示パネルを含む。
【0017】
一実施形態で、前記表示装置は、携帯端末装置、モニター、ノートパソコン、テレビ、電光板、カメラ、又は車両用電装部品を含む。
【発明の効果】
【0018】
本発明によるインク組成物は、インクジェット方式で向上した物性（吸収率などの光学的物性）を示すナノ粒子－複合体又はそのパターンを提供することができる。また、本発明によるインク組成物は、向上した安定性（工程安定性や化学安定性など）を示す。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1a】一実施形態による色変換パネルを模式的に示した断面図である。
【図1b】一実施形態による電子素子（表示装置）の断面図である。
【図2】一実施形態によるインク組成物を利用した（インクジェット印刷方式の）パターン形成工程を模式的に示した図である。
【図3a】一実施形態による色変換パネルを含む表示パネルの一例を示す斜視図である。
【図3b】他の実施形態による表示素子の分解図である。
【図5b】発光素子の例を示す断面図である。
【図5c】発光素子の例を示す断面図である。
【図5d】発光素子の例を示す断面図である。
【図5e】発光素子の例を示す断面図である。
【図7】一実施形態による表示素子（例えば、液晶表示素子）を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【0021】
しかし、具現される形態は、以下で開示する実施形態に限定されるものではない。他の定義がなければ本明細書で使用する全ての用語（技術及び科学的用語を含む）は、当該技術分野で通常の知識を有する者に共通的に理解される意味で使用される。また一般に使用される辞書に定義されている用語は、明白に特に定義されない限り、理想的又は過度に解釈されない。明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」という場合、これは特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素を更に含み得ることを意味する。
【0022】
図面において、複数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体に亘って類似の部分については同一の図面符号を付した。
【0023】
層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるという場合、これは他の部分の「直上」にある場合だけではなく、その中間に更に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の「直上」にあるという場合には中間に更に他の部分がないことを意味する。
【0024】
また、単数形は、文句で特に言及しない限り、複数形も含む。
【0025】
ここでカドミウム（又はその他の毒性重金属）を含まないという記載は、カドミウム（又は当該重金属）の濃度が１００ｐｐｍ（ｂｙ ｗｅｉｇｈｔ）以下、５０ｐｐｍ以下、１０ｐｐｍ以下、１ｐｐｍ以下、０．１ｐｐｍ以下、０．０１ｐｐｍ以下、又は略０であるものを称する。本実施形態で、実質的にカドミウム（又は当該重金属）が存在しないか、もし存在する場合にも、与えられた検出手段の検出限界以下の量又は不純物水準で存在し得る。
【0026】
以下で別途の定義がない限り、「置換」とは、化合物中の水素がＣ１～Ｃ３０のアルキル基、Ｃ２～Ｃ３０のアルケニル基、Ｃ２～Ｃ３０のアルキニル基、Ｃ６～Ｃ３０のアリール基、Ｃ７～Ｃ３０のアルキルアリール基、Ｃ１～Ｃ３０のアルコキシ基、Ｃ１～Ｃ３０のヘテロアルキル基、Ｃ３～Ｃ３０のヘテロアルキルアリール基、Ｃ３～Ｃ３０のシクロアルキル基、Ｃ３～Ｃ１５のシクロアルケニル基、Ｃ６～Ｃ３０のシクロアルキニル基、Ｃ２～Ｃ３０のヘテロシクロアルキル基、ハロゲン（－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、又は－Ｉ）、ヒドロキシ基（－ＯＨ）、ニトロ基（－ＮＯ２）、シアノ基（－ＣＮ）、アミノ基（－ＮＲＲ’、ここでＲ及びＲ’は互いに独立的に水素又はＣ１～Ｃ６アルキル基である）、アジド基（－Ｎ３）、アミジノ基（－Ｃ（＝ＮＨ）ＮＨ２）、ヒドラジノ基（－ＮＨＮＨ２）、ヒドラゾノ基（＝Ｎ（ＮＨ２））、アルデヒド基（－Ｃ（＝Ｏ）Ｈ）、カルバモイル基（ｃａｒｂａｍｏｙｌ ｇｒｏｕｐ、－Ｃ（Ｏ）ＮＨ２）、チオール基（－ＳＨ）、エステル基（－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ、ここでＲはＣ１～Ｃ６アルキル基又はＣ６～Ｃ１２アリール基である）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）又はその塩（－Ｃ（＝Ｏ）ＯＭ、ここでＭは有機又は無機陽イオンである）、スルホン酸基（－ＳＯ３Ｈ）又はその塩（－ＳＯ３Ｍ、ここでＭは有機又は無機陽イオンである）、リン酸基（－ＰＯ３Ｈ２）又はその塩（－ＰＯ３ＭＨ又は－ＰＯ３Ｍ２、ここでＭは有機又は無機陽イオンである）、及びこれらの組み合わせから選択される置換基で置換されたことを意味する。
【0027】
また以下で別途の定義がない限り、「ヘテロ」とは、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、及びＰから選択されるヘテロ原子を１～３個含むことを意味する。
【0028】
また「脂肪族炭化水素基」は、Ｃ１～Ｃ３０の直鎖又は分枝鎖アルキル基、Ｃ２～Ｃ３０の直鎖又は分枝鎖アルケニル基、又はＣ２～Ｃ３０の直鎖又は分枝鎖アルキニル基を意味し、
「芳香族有機基」は、Ｃ６～Ｃ３０のアリール基又はＣ２～Ｃ３０のヘテロアリール基を意味し、
本明細書で、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート及び／又はメタクリレートを含んで称するものである。
「芳香族有機基」は、Ｃ６～Ｃ３０のアリール基又はＣ２～Ｃ３０のヘテロアリール基を意味し、
本明細書で、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート及び／又はメタクリレートを含んで称するものである。
【0029】
本明細書で、「族（Ｇｒｏｕｐ）」は、元素周期表の族をいう。
【0030】
ここでナノ構造体（ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）は、ナノ規模の寸法を有する少なくとも一つの領域又は特性寸法を有する構造体をいう。一実施形態で、ナノ構造体の寸法は約３００ｎｍ未満、約２５０ｎｍ未満、約１５０ｎｍ未満、約１００ｎｍ未満、約５０ｎｍ未満、又は約３０ｎｍ未満である。このような構造体は任意の形状を有する。ナノ構造体は、ナノワイヤー、ナノロッド、ナノチューブ、２以上のポッドを有するマルチポッドタイプ形状、ナノドット（又は量子ドット）などの任意の形状を有し、特に制限されない。ナノ構造体は、例えば実質的に結晶質、実質的に単結晶質、多結晶質、非晶質、又はこれらの組み合わせである。
【0031】
ここで量子ドットとは、量子閉じ込め（ｑｕａｎｔｕｍ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）又はエキシトン閉じ込め（ｅｘｃｉｔｏｎ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）を示す（例えば、半導体基盤の）ナノ結晶をいい、発光性（例えば、エネルギー励起により光を放出する）ナノ構造体の一種である。
【0032】
ここで「分散液（ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ）」は、分散相（ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ ｐｈａｓｅ）が固体（ｓｏｌｉｄ）であり、連続媒質（ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｍｅｄｉｕｍ）が液体又は分散相とは異なる固体を含む分散を含む。一実施形態のインク組成物は、分散液の形態である。一実施形態で、「分散液」は、分散相が１ｎｍ以上、例えば２ｎｍ以上、３ｎｍ以上、４ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、又は１００ｎｍ以上、及び数マイクロメーター（μｍ）以下（例えば５μｍ以下、４μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、９００ｎｍ以下、８００ｎｍ以下、７００ｎｍ以下、６００ｎｍ以下、又は５００ｎｍ以下）の寸法（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）を有するコロイド型分散である。
【0033】
ここで寸法（大きさ、厚さなど）は、個別単体（ｓｉｎｇｌｅ ｅｎｔｉｔｙ）に対する値であるか、又は複数個の粒子のための平均である。ここで平均とは中央値（ｍｅｄｉａｎ）又は平均値（ｍｅａｎ）である。一実施形態で、平均は平均値（ｍｅａｎ）である。
【0034】
ここで発光ピーク波長とは、与えられた光の発光スペクトルがその最大値に達する波長をいう。
【0035】
ここで量子効率は、（例えば、日立又は浜松ホトニクス社などから）商業的に入手可能な装置を使用し、例えばそれぞれの装置製造会社から提供されたマニュアルを参考にして簡単且つ再現性があるように決定される。量子効率（又は量子収率）は、溶液状態又は（複合体内で）固体状態で測定される。一実施形態で、量子効率（又は量子収率）は、ナノ構造体又はこれらの集団により、吸収された光子（ｐｈｏｔｏｎ）に対する放出された光子の比率である。一実施形態で、量子効率は任意の方法で測定される。例えば、蛍光量子収率、又は効率のためには絶対法及び相対法の２種類の方法がある。本明細書で、絶対法により測定される量子効率を絶対量子効率という。
【0036】
絶対法では、積分球を通じて全てのサンプルの蛍光を検出して量子効率を得る。相対法では、標準染料（標準試料）の蛍光強度を未知のサンプルの蛍光強度と比較して未知のサンプルの量子効率を計算する。Ｃｏｕｍａｒｉｎ １５３、Ｃｏｕｍａｒｉｎ ５４５、Ｒｈｏｄａｍｉｎｅ １０１ ｉｎｎｅｒ ｓａｌｔ、Ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ ａｎｄ Ｒｈｏｄａｍｉｎｅ ６ＧなどがこれらのＰＬ波長により標準染料として使用されるが、これに制限されない。
【0037】
半値幅及び最大ＰＬピーク波長は、例えば蛍光スペクトロフォトメーターなどのようなスペクトロフォトメーターにより得られる光発光スペクトルにより測定される。
【0038】
ここで「第１吸収ピーク波長」は、ＵＶ－Ｖｉｓ吸収スペクトルで最も低いエネルギー領域で現れる一番目の主ピークの波長をいう。
【0039】
半導体ナノ粒子は、多様な電子素子内に含まれる。半導体ナノ粒子の電気及び／又は光学的物性は、これらの物性（例えば、組成、大きさ、及び／又は形状）により変わる。例えば、半導体ナノ粒子は半導体ナノ結晶粒子である。半導体ナノ粒子（例えば、量子ドット）は、単位体積当たりの表面積が広く、量子閉じ込め効果を示し、同一組成のバルク材料とは異なる物性を示す。例えば、半導体ナノ粒子は、励起源（ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ ｓｏｕｒｃｅ）からエネルギー（例えば、光又は電圧）を提供され、エネルギー励起状態になって、そのバンドギャップエネルギーに相応するエネルギーを放出する。
【0040】
半導体ナノ粒子は色変換パネル（例えば、自発光カラーフィルター）でも使用される。例えば、量子ドット基盤の色変換パネル又は発光型カラーフィルターを含む表示素子では、発光材料である量子ドットを含有する層が素子の前方に配置され、光源から提供された青色光（励起光）が量子ドット層により緑色光又は赤色光に変換される。色変換パネルは、色変換層又は構造物を含む素子或いは電子素子である。
【0041】
このような色変換パネルを含む表示素子で、半導体ナノ粒子の物性（例えば、光学的物性及び安定性など）は素子の表示品質に直接的な影響を与える。例えば、素子の前方に配置される色変換パネルに含まれる発光材料は、発光効率だけでなく、励起光に対して向上した水準の吸収率を有するように要求される。カラーフィルターなどのパターン化された単膜への応用時、励起光吸収率の減少は、表示素子でのブルーリーケージ（ｂｌｕｅ ｌｅａｋａｇｅ）の直接的原因になり、色再現率（例えば、ＤＣＩ一致率）にも否定的影響を与え、ブルーリーケージ（ｂｌｕｅ ｌｅａｋａｇｅ）を防止するために吸収型カラーフィルターの使用は発光効率の追加的減少をもたらす。ナノ粒子の低下した吸収率はこれを含む素子で減少した輝度につながる。
【0042】
素子に応用可能な物性（光学的物性及び／又は安定性）を示すナノ粒子のうちの多数がカドミウム基盤の化合物（例えば、カドミウムカルコゲン化物）を含む。カドミウムは、深刻な環境／健康上の問題を提起し、規制対象元素のうちの一つである。そこで、カドミウムのない（ｃａｄｍｉｕｍ－ｆｒｅｅ）環境に優しいナノ粒子のために、ＩＩＩ－Ｖ族化合物に基づいたナノ結晶に対する深みのある研究が行われてきたが、ＩＩＩ－Ｖ族化合物（例えば、インジウムフォスファイド）に基づいた非カドミウムナノ粒子よりも増加した入射光吸収率及び狭くなった半値幅を示す新規組成のナノ粒子の開発が必要であるのが実情である。
【0043】
色変換パネル（例えば、自発光カラーフィルター）は量子ドットなどを含む組成物を利用したフォトリソグラフィ方法又はインクジェット印刷（ｉｎｋｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）方法により製造される。フォトリソグラフィ方法又はインクジェット印刷方法は再現性があるように精巧なカラーフィルターを提供する。フォトリソグラフィ法は、各（サブ）画素に対してコーティング、露光、現像、及び硬化が必要であり、これは製造時間及び費用に影響を与える。インクジェット印刷方法はインクジェットヘッド（ｉｎｋｊｅｔ ｈｅａｄ）を通じて吐出された液状インクが所定位置に堆積して所望するパターンでナノ粒子－複合体を製造する。インクジェット印刷方法では、赤色、緑色、及び青色などの異なる色を示す画素を同時に提供することができるため、製造工程、時間、及び費用の面で有利である。そこで、新規組成のナノ粒子に対して強化された工程安定性を有し、向上した発光物性を示す複合体を製造することができるインク組成物の開発が望ましい。
【0044】
本実施形態によるインク組成物は、向上した光変換効率を示す半導体ナノ粒子－ポリマーの複合体又はそのパターンを、向上した収率で、そして増加した工程安定性で提供される。
【0045】
本実施形態で、インク組成物は、半導体ナノ粒子及び重合性モノマーを含む。半導体ナノ粒子は、銀（ｓｉｌｖｅｒ）、１３族金属、及びカルコゲン元素を含む１１－１３－１６族化合物、並びに亜鉛を含む。インク組成物又は半導体ナノ粒子は、第１有機リガンドを含む。第１有機リガンドは、Ｒ１－ＣＯＯ－Ａで表される化合物を含み、ここでＲ１は第１有機基であり、Ａは水素又は半導体ナノ粒子表面に接触（例えば、表面に結合）される部分である。インク組成物又は半導体ナノ粒子は、第２有機リガンドを更に含む。第２有機リガンドは、Ｒ２Ｓ－Ａで表される化合物を含み、ここでＲ２は第２有機基であり、＊は水素又は半導体ナノ粒子の表面に接触（例えば、表面に結合）される部分である。
【0046】
本実施形態の半導体ナノ粒子は、カドミウムを含まない。本実施形態の半導体ナノ粒子は、水銀、鉛、又はこれらの組み合わせを含まない。
【0047】
本実施形態の半導体ナノ粒子は、第１光を放出するように構成される。本実施形態の半導体ナノ粒子は、所望する範囲の波長の光を放出しながらも向上した光学的物性（例えば、狭い半値幅、増加した量子収率、及び青色光吸収率）を達成する。本実施形態の半導体ナノ粒子は、例えば色変換パネル又は色転換シートなどの多様な色変換（或いは波長下向き転換）材料として活用され、発光粒子重量当たり増加した吸収率を示すため、これを含むパネル又はシートなどの素子は減少した費用で製造することができ、向上した光変換（ｐｈｏｔｏｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ）を提供することができる。
【0048】
一実施形態の半導体ナノ粒子で、１３族金属は、インジウム、ガリウム、アルミニウム、又はこれらの組み合わせを含む。１３族金属は、インジウム及びガリウムを含む。カルコゲン元素は、硫黄、セレニウム、又はこれらの組み合わせを含む。カルコゲン元素は、硫黄を含む。
【0049】
半導体ナノ粒子は、表面にガリウム及び亜鉛を含む。
【0050】
半導体ナノ粒子は、下記式１により表される電荷均衡値（ｃｈａｒｇｅ ｂａｌａｎｃｅ ｖａｌｕｅ）が０．８以上１．５以下である。
【0051】
ｃｈａｒｇｅ ｂａｌａｎｃｅ ｖａｌｕｅ＝｛［Ａｇ］＋３ｘ（［１３族金属］）＋２ｘ［Ｚｎ］｝／２ｘ［ＣＨＡ］） ・・・式１
【0052】
ここで、［Ａｇ］、［１３族金属］、［Ｚｎ］、及び［ＣＨＡ］は、それぞれ半導体ナノ粒子内の銀、１３族金属（例えば、インジウム、ガリウム、又はこれらの組み合わせ）、及びカルコゲン元素（例えば、硫黄、セレニウム、又はこれらの組み合わせ）のモル含有量である。
【0053】
１３族金属は、インジウム及びガリウムを含む。カルコゲン元素は、硫黄を含む。一実施形態で、電荷均衡値は、下記式２で表される。
【0054】
ｃｈａｒｇｅ ｂａｌａｎｃｅ ｖａｌｕｅ＝｛［Ａｇ］＋３ｘ（［Ｉｎ］＋［Ｇａ］）＋２ｘ［Ｚｎ］｝／２ｘ［Ｓ］） ・・・式２
【0055】
ここで［Ａｇ］、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、［Ｚｎ］、及び［Ｓ］は、それぞれ半導体ナノ粒子内の銀、インジウム、ガリウム、亜鉛、及び硫黄のモル含有量である。
【0056】
一実施形態で、半導体ナノ粒子は、銅を更に含むか又は含まない。
【0057】
電荷均衡値は、１．８以下、１．５以下、１．４５以下、１．４以下、１．３５以下、１．３３以下、１．３１以下、１．３以下、１．２９以下、１．２８以下、１．２７以下、１．２６以下、１．２５以下、１．２４以下、１．２３以下、１．２２以下、１．２１以下、１．２以下、１．１５以下、１．１以下、又は１．０５以下である。
【0058】
電荷均衡値は、０．８１以上、０．８５以上、０．９以上、０．９５以上、０．９７以上、０．９９以上、１以上、１．０１以上、１．０２以上、１．０３以上、１．０４以上、１．０５以上、１．０６以上、１．０７以上、１．０８以上、１．０９以上、１．１以上、１．１１以上、１．１２以上、１．１３以上、１．１４以上、１．１５以上、１．１６以上、１．１７以上、１．１８以上、１．１９以上、１．２以上、１．２１以上、１．２２以上、１．２３以上、１．２４以上、又は１．２５以上である。
【0059】
一実施形態の半導体ナノ粒子で、銀、インジウム、及びガリウムの総和に対する硫黄のモル比（Ｓ／（Ａｇ＋Ｉｎ＋Ｇａ））は、０．６５以上、０．６８以上、０．７以上、０．７５以上、０．８以上、０．８５以上、０．９以上、０．９５以上、１以上、１．１以上、１．２以上、１．３以上、１．３５以上、１．３６以上、１．３８以上、１．４以上、又ｈ１．４５以上である。半導体ナノ粒子で、銀、インジウム、及びガリウムの総和に対する硫黄のモル比（Ｓ／（Ａｇ＋Ｉｎ＋Ｇａ））は、３以下、２．５以下、２以下、１．９以下、１．８８以下、１．６以下、１．５５以下、１．５以下、１．４５以下、１．４以下、１．３５以下、１．３３以下、１．３以下、１．２５以下、１．２以下、１．１７以下、１．１５以下、１．０９以下、１．０５以下、又は１．０２以下である。
【0060】
一実施形態の半導体ナノ粒子で、銀に対するインジウムとガリウムとの総和のモル比（（Ｉｎ＋Ｇａ）／Ａｇ）は、１．３以上、１．４以上、１．５以上、１．６５以上、１．７以上、１．７５以上、１．８以上、１．８５以上、１．９以上、１．９５以上、１．９９以上、２以上、２．１以上、２．２以上、２．３以上、又は２．３５以上である。銀に対するインジウムとガリウムとの総和のモル比（（Ｉｎ＋Ｇａ）／Ａｇ）は、７以下、６．５以下、６．３以下、６以下、５．９以下、５．７以下、５．６６以下、５．５以下、５．３以下、５．１以下、４．５以下、４以下、３．５以下、３．２以下、３以下、２．８以下、２．６以下、又は２．４以下である。
【0061】
一実施形態の半導体ナノ粒子で、インジウムとガリウムとの総和に対するガリウムのモル比は、０．５以上、０．５５以上、０．６以上、０．６５以上、０．７以上、０．７５以上、０．８以上、又は０．８５以上である。インジウムとガリウムとの総和に対するガリウムのモル比は、０．９９以下、０．９８以下、０．９７以下、０．９６以下、０．９５以下、０．９４以下、０．９３以下、０．９２以下、０．９１以下、０．９以下、又は０．８３以下である。
【0062】
一実施形態の半導体ナノ粒子で、硫黄に対するガリウムのモル比（Ｇａ／Ｓ）は、０．１以上、０．１５以上、０．２以上、０．２５以上、０．３以上、０．３１以上、０．３２以上、０．３３以上、０．３４以上、０．３５以上、０．３８以上、０．４以上、０．４７以上、０．５以上、０．５３以上、０．５５以上、０．５６以上、０．５８以上、０．６以上、又は０．６２以上である。硫黄に対するガリウムのモル比（Ｇａ／Ｓ）は、１以下、０．９以下、０．８以下、０．６以下、０．５５以下、０．４５以下、０．４２以下、０．４１以下、又は０．４以下である。
【0063】
一実施形態の半導体ナノ粒子で、硫黄に対する銀のモル比（Ａｇ／Ｓ）は、０．０３以上、０．０５以上、０．０６以上、０．０７以上、０．０８以上、０．０９以上、０．１以上、０．１５以上、０．２以上、０．２５以上、０．３以上、０．３５以上、０．４以上、又は０．４５以上である。硫黄に対する銀のモル比（Ａｇ／Ｓ）は、１以下、０．６以下、０．５以下、０．４以下、０．３８以下、０．３６以下、０．３５以下、０．３以下、０．２５以下、０．２４以下、又は０．２３以下である。
【0064】
一実施形態の半導体ナノ粒子で、硫黄に対するインジウムのモル比（Ｉｎ／Ｓ）は、０．０１以上、０．０５以上、０．０８以上、０．０９以上、又は０．１以上である。硫黄に対するインジウムのモル比（Ｉｎ／Ｓ）は、０．５以下、０．４以下、０．３以下、０．２５以下、０．１５以下、０．１４以下、０．１３以下、又は０．１２以下である。
【0065】
一実施形態の半導体ナノ粒子で、インジウムに対する銀（Ａｇ／Ｉｎ）のモル比は、１．５以上、１．７以上、１．８以上、１．８８以上、又は２以上である。インジウムに対する銀（Ａｇ／Ｉｎ）のモル比は、３．５以下、３以下、２．９４以下、２以下、１．８８以下、又は１．８以下である。
【0066】
一実施形態の半導体ナノ粒子で、インジウムに対する亜鉛のモル比は、０．１以上、０．３以上、０．５以上、０．７以上、０．７５以上、０．７８以上、０．９以上、１以上、１．２以上、１．４以上、１．６以上、１．７以上、又は１．７２以上である。一実施形態の半導体ナノ粒子で、インジウムに対する亜鉛のモル比は、３以下、２．５以下、２以下、１．９以下、１．８５以下、１．７以下、１．７５以下、又は１．７２以下である。
【0067】
一実施形態で、半導体ナノ粒子は、リチウムを含まない。半導体ナノ粒子は、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属を含まない。
【0068】
半導体ナノ粒子で、インジウムの含有量は半径方向に（例えば、中心から外郭に行くほど）変化する（例えば、減少する）濃度勾配を有する。一実施形態で、表面に隣接する部分（例えば、シェル層又は最外郭層）のインジウム含有量は粒子の内側部分でのインジウム含有量よりも小さい。一実施形態で、表面に隣接する部分（例えば、シェル層又は最外郭層）はインジウムを含まない。一実施形態で、半導体ナノ粒子において、ガリウムは半導体ナノ結晶の表面に、或いは表面に露出し、亜鉛が半導体ナノ結晶の表面にあり、有機リガンドは半導体ナノ結晶の表面に隣接するか又はこれに接触する。
【0069】
一実施形態で、半導体ナノ粒子は、第１半導体ナノ結晶（又はこれを含むコア）及び（例えば、第１半導体ナノ結晶上に配置されるか又は第１半導体ナノ結晶を囲む）第２半導体ナノ結晶（又はこれを含むシェル）を含む。ナノ粒子はコアシェル構造を有する。第１半導体ナノ結晶は第２半導体ナノ結晶とは異なる組成を有する。半導体ナノ粒子又はシェルは、例えば最外郭層として亜鉛カルコゲン化物を含む（例えば、第３半導体ナノ結晶を含む）無機物層を更に含む。亜鉛カルコゲン化物は、亜鉛、並びにセレニウム、硫黄、又はこれらの組み合わせを含む。亜鉛カルコゲン化物は、ＺｎＳｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳ、又はこれらの組み合わせを含む。
【0070】
第１半導体ナノ結晶又はコアの大きさ（例えば、平均大きさ）は、０．５ｎｍ以上、１ｎｍ以上、１．５ｎｍ以上、１．７ｎｍ以上、１．９ｎｍ以上、２ｎｍ以上、２．１ｎｍ以上、２．３ｎｍ以上、２．５ｎｍ以上、２．７ｎｍ以上、２．９ｎｍ以上、３ｎｍ以上、３．１ｎｍ以上、３．３ｎｍ以上、３．５ｎｍ以上、３．７ｎｍ以上、又は３．９ｎｍ以上である。第１半導体ナノ結晶又はコアの大きさは、５ｎｍ以下、４．５ｎｍ以下、４ｎｍ以下、３．５ｎｍ以下、３ｎｍ以下、２．５ｎｍ以下、２ｎｍ以下、又は１．５ｎｍ以下である。
【0071】
第２半導体ナノ結晶又はシェルの厚さ若しくは平均厚さ（以下、厚さという）は、０．１ｎｍ以上、０．３ｎｍ以上、０．５ｎｍ以上、０．７ｎｍ以上、１ｎｍ以上、１．５ｎｍ以上、１．７ｎｍ以上、１．９ｎｍ以上、２ｎｍ以上、２．１ｎｍ以上、２．３ｎｍ以上、２．５ｎｍ以上、２．７ｎｍ以上、２．９ｎｍ以上、３ｎｍ以上、３．１ｎｍ以上、３．３ｎｍ以上、３．５ｎｍ以上、３．７ｎｍ以上、又は３．９ｎｍ以上である。第２半導体ナノ結晶又はシェルの厚さは、５ｎｍ以下、４．５ｎｍ以下、４ｎｍ以下、３．５ｎｍ以下、３ｎｍ以下、２．５ｎｍ以下、２ｎｍ以下、又は１．５ｎｍ以下である。
【0072】
一実施形態で、無機層の厚さは適切に選択される。無機層の厚さは、５ｎｍ以下、４ｎｍ以下、３．５ｎｍ以下、３ｎｍ以下、２．５ｎｍ以下、２ｎｍ以下、１．５ｎｍ以下、１ｎｍ以下、又は０．８ｎｍ以下である。無機層の厚さは、０．１ｎｍ以上、０．３ｎｍ以上、０．５ｎｍ以上、又は０．７ｎｍ以上である。無機層の厚さは、０．１ｎｍ～５ｎｍ、０．３ｎｍ～４ｎｍ、０．５ｎｍ～３．５ｎｍ、０．７ｎｍ～３ｎｍ、０．９ｎｍ～２．５ｎｍ、１ｎｍ～２ｎｍ、１．５ｎｍ～１．７ｎｍ、又はこれらの組み合わせの範囲である。
【0073】
第１半導体ナノ結晶は、銀、１３族金属（例えば、インジウム、ガリウム、又はこれらの組み合わせ）、及びカルコゲン元素（例えば、硫黄、選択によりセレニウム）を含む。第１半導体ナノ結晶は、銀（Ａｇ）、インジウム、ガリウム、及び硫黄を含む１１－１３－１６族化合物基盤の四元合金半導体物質を含む。半導体ナノ粒子又は第１半導体ナノ結晶は、銀インジウムガリウムスルフィド、例えばＡｇ（ＩｎｘＧａ１－ｘ）Ｓ２（ｘは０超過１以下）を含む。第１半導体ナノ結晶で各成分間のモル比率は最終のナノ粒子が所望する組成及び光学的物性を示すように調節すされる。
【0074】
第２半導体ナノ結晶は、１３族金属（インジウム、ガリウム、又はこれらの組み合わせ）、及びカルコゲン元素（硫黄、選択によりセレニウム）を含む。第２半導体ナノ結晶は、銀（Ａｇ）を更に含む。第２半導体ナノ結晶は、銀、ガリウム、及び硫黄を含む。第２半導体ナノ結晶は、銀、ガリウム、及び硫黄を含む三元合金半導体物質を含む。第２半導体ナノ結晶は第１半導体ナノ結晶とは異なる組成を有する。第２半導体ナノ結晶は、１３－１６族化合物、１１－１３－１６族化合物、又はこれらの組み合わせを含む。１３－１６族化合物は、ガリウムスルフィド、ガリウムセレニド、インジウムスルフィド、インジウムセレニド、インジウムガリウムスルフィド、インジウムガリウムセレニド、インジウムガリウムセレニドスルフィド、又はこれらの組み合わせを含む。第２半導体ナノ結晶のバンドギャップエネルギーは第１半導体ナノ結晶とは異なる。第２半導体ナノ結晶は第１半導体ナノ結晶の少なくとも一部を被覆（ｃｏｖｅｒ）する。第２半導体ナノ結晶のバンドギャップエネルギーは第１半導体ナノ結晶のバンドギャップエネルギーよりも大きい。第２半導体ナノ結晶のバンドギャップエネルギーは第１半導体ナノ結晶のバンドギャップエネルギーよりも小さい。第２半導体ナノ結晶で、各成分間のモル比率は最終のナノ粒子が所望する組成及び光学的物性を示すように調節される。
【0075】
第２半導体ナノ結晶のバンドギャップエネルギーは第３半導体ナノ結晶のバンドギャップエネルギーよりも小さい。第２半導体ナノ結晶は第１半導体ナノ結晶と無基層との間に配置される。
【0076】
第２半導体ナノ結晶又は第１半導体ナノ結晶は、例えば適切な分析手段（例えば、Ｘ線回折分析、Ｈｉｇｈｔ ａｎｇｌｅ ａｎｎｕｌａｒ ｄａｒｋ ｆｉｅｌｄ（ＨＡＡＤＦ）－ｓｃａｎｎｉｎｇ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（ＳＴＥＭ）分析などの電子顕微鏡分析）で確認すると、結晶性を示す。一実施形態で、第１半導体ナノ結晶又は第２半導体ナノ結晶は、例えば適切な分析手段で確認すると、非晶質である。
【0077】
一実施形態で、半導体ナノ粒子の大きさ又は平均大きさ（以下、粒子の大きさ）は、１ｎｍ以上、１．５ｎｍ以上、２ｎｍ以上、２．５ｎｍ以上、３ｎｍ以上、３．５ｎｍ以上、４ｎｍ以上、４．５ｎｍ以上、５ｎｍ以上、５．５ｎｍ以上、６ｎｍ以上、６．５ｎｍ以上、７ｎｍ以上、７．５ｎｍ以上、８ｎｍ以上、８．５ｎｍ以上、９ｎｍ以上、９．５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、又は１０．５ｎｍ以上である。半導体ナノ粒子の大きさは、５０ｎｍ以下、４８ｎｍ以下、４６ｎｍ以下、４４ｎｍ以下、４２ｎｍ以下、４０ｎｍ以下、３５ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１８ｎｍ以下、１６ｎｍ以下、１４ｎｍ以下、１２ｎｍ以下、１１ｎｍ以下、１０ｎｍ以下、８ｎｍ以下、６ｎｍ以下、又は４ｎｍ以下である。本明細書で、粒子の大きさは、粒子直径である。（ナノ粒子又は第１半導体ナノ結晶が球形でない場合）粒子の大きさは、透過電子顕微鏡分析により確認される二次元の面積を円に転換して計算される直径である。大きさはナノ粒子の組成及び発光波長から計算される値である。
【0078】
一実施形態の半導体ナノ粒子は、向上した物性を示しながら所望する光（例えば、第１光）を放出するように構成される。第１光は緑色光である。或いは第１光は赤色光である。
【0079】
第１光の最大発光ピーク波長が５００ｎｍ以上、５０５ｎｍ以上、５１０ｎｍ以上、５１５ｎｍ以上、５２０ｎｍ以上、５２５ｎｍ以上、５３０ｎｍ以上、５３５ｎｍ以上、５４０ｎｍ以上、５４５ｎｍ以上、５５０ｎｍ以上、５５５ｎｍ以上、５６０ｎｍ以上、５６５ｎｍ以上、５７０ｎｍ以上、５７５ｎｍ以上、５８０ｎｍ以上、５８５ｎｍ以上、５９０ｎｍ以上、又は６００ｎｍ以上である。第１光の最大発光ピーク波長は、６５０ｎｍ以下、６２０ｎｍ以下、６００ｎｍ以下、５９５ｎｍ以下、５９０ｎｍ以下、５８０ｎｍ以下、５７５ｎｍ以下、５７０ｎｍ以下、５６５ｎｍ以下、５６０ｎｍ以下、５５５ｎｍ以下、５５０ｎｍ以下、５４５ｎｍ以下、５４０ｎｍ以下、５３５ｎｍ以下、５３０ｎｍ以下、５２５ｎｍ以下、５２０ｎｍ以下、又は５１５ｎｍ以下である。
【0080】
第１光又は半導体ナノ粒子は、半値幅が５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、１５ｎｍ以上、２０ｎｍ以上、２５ｎｍ以上、又は３０ｎｍ以上である。半値幅は、７０ｎｍ以下、６５ｎｍ以下、６０ｎｍ以下、５５ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、４５ｎｍ以下、４０ｎｍ以下、３８ｎｍ以下、３６ｎｍ以下、３５ｎｍ以下、３４ｎｍ以下、３３ｎｍ以下、３２ｎｍ以下、３１ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２９ｎｍ以下、２８ｎｍ以下、２７ｎｍ以下、２６ｎｍ以下、又は２５ｎｍ以下である。
【0081】
ナノ粒子は５０％以上の量子収率を示す。量子収率は絶対量子収率である。量子収率は、５５％以上、６０％以上、６５％以上、７０％以上、７５％以上、８０％以上、８５％以上、９０％以上、又は９５％以上である。量子収率は、１００％以下、９９．５％以下、９９％以下、９８％以下、又は９７％以下である。
【0082】
第１光はバンド端発光を含む。
【0083】
一実施形態による半導体ナノ粒子の製造方法は、銀、１３族金属、及びカルコゲン元素を含む第１半導体ナノ結晶を得る段階と、有機溶媒内に第１前駆体及び有機リガンドを含む反応媒質を準備する段階と、反応媒質を所定の温度で加熱する段階と、反応媒質に第１半導体ナノ結晶及び第２前駆体を付加して反応混合物を得る段階と、反応媒質を反応温度で加熱し、第１反応時間の間に反応させて半導体ナノ粒子を形成する段階と、を有し、第１前駆体及び第２前駆体のうちの一つは、ガリウム前駆体であり、残りの一つは、硫黄前駆体であり、所定の温度は、１２０℃以上（１８０℃以上）２８０℃以下であり、反応温度は、１８０℃以上（１９０℃以上、又は２４０℃以上）３８０℃以下である。
【0084】
第１時間は、ナノ粒子の電荷バランス値が得られるように制御される。所定の温度は反応温度とは異なる（低いか又は高い）。反応温度は所定の温度よりも高い。
【0085】
一実施形態で、第１前駆体はガリウム前駆体であり、第２前駆体は硫黄前駆体である。一実施形態で、第１前駆体は硫黄前駆体であり、第２前駆体はガリウム前駆体であり、このような実施形態はガリウム前駆体の酸化抑制に追加的に有利になる。
【0086】
一実施形態の方法は、有機溶媒内に有機リガンド及び亜鉛前駆体を含む追加の反応媒質を準備する段階と、追加の反応媒質を反応温度で加熱しながら、形成されたナノ粒子及びカルコゲン前駆体を付加して追加反応させてナノ粒子の表面に亜鉛カルコゲン化物を含む外層を提供する段階と、を更に含む。カルコゲン前駆体は、硫黄前駆体、セレニウム前駆体、又はこれらの組み合わせを含む。追加反応のための温度は反応温度について記載する事項を参照する。
【0087】
第１半導体ナノ結晶に関する内容は本明細書に記載した通りである。第１半導体ナノ結晶は、銀（Ａｇ）、インジウム、ガリウム、及び硫黄を含む。第１半導体ナノ結晶の製造方法は、特に制限されず、適切に選択される。一実施形態で、第１半導体ナノ結晶は、組成により必要な前駆体、例えば銀前駆体、インジウム前駆体、ガリウム前駆体、及び硫黄前駆体を、有機リガンド及び有機溶媒を含む溶液中で所定の反応温度（例えば、２０℃～３００℃、８０℃～２９５℃、１２０℃～２９０℃、又は２００℃～２８０℃）で反応させ、分離されて得られる。分離及び回収については後述する方式を参照する。
【0088】
第１半導体ナノ結晶の準備で、各前駆体間のモル比は所望する第１半導体ナノ結晶の組成が得られるように調節される。一実施形態で、インジウム１モルに対する銀（Ａｇ）前駆体の含有量は、０．１モル以上、０．３モル以上、０．５モル以上、０．７モル以上、１モル以上、１．５モル以上、２モル以上、又は２．５モル以上である。一実施形態で、インジウム１モルに対する銀前駆体の含有量は、１０モル以下、８モル以下、６モル以下、４モル以下、２モル以下、１．２モル以下、１モル以下、又は０．５モル以下である。
【0089】
一実施形態で、インジウム１モルに対するガリウム前駆体の含有量は、０．５モル以上、１モル以上、１．５モル以上、２モル以上、又は２．５モル以上である。一実施形態で、銀１モルに対するガリウム前駆体の含有量は、１５モル以下、１２モル以下、１０モル以下、８モル以下、５モル以下、又は３モル以下である。
【0090】
一実施形態で、インジウム１モルに対する硫黄前駆体の含有量は、０．５モル以上、１モル以上、１．５モル以上、２モル以上、２．５モル以上、３モル以上、３．５モル以上、４モル以上、又は４．５モル以上である。一実施形態で、インジウム１モルに対する硫黄前駆体の含有量は、２０モル以下、１５モル以下、１０モル以下、８モル以下、６モル以下、４モル以下、又は２モル以下である。
【0091】
所定の温度と反応温度との差は、１０℃以上、２０℃以上、３０℃以上、４０℃以上、５０℃以上、６０℃以上、７０℃以上、８０℃以上、９０℃以上、又は１００℃以上である。所定の温度と反応温度との差は、２００℃以下、１９０℃以下、１８０℃以下、１７０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、１４０℃以下、１３０℃以下、１２０℃以下、１１０℃以下、１００℃以下、９０℃以下、８０℃以下、７０℃以下、６０℃以下、５０℃以下、４０℃以下、３０℃以下、又は２０℃以下である。
【0092】
所定の温度は、１２０℃以上、２００℃以上、２１０℃以上、２２０℃以上、２３０℃以上、２４０℃以上、又は２５０℃以上である。所定の温度は、２８０℃以下、２７５℃以下、２７０℃以下、２６５℃以下、２６０℃以下、２５５℃以下、２５０℃以下、２４０℃以下、２３０℃以下、２２０℃以下、２１０℃以下、２００℃以下、１９０℃以下、１８０℃以下、１７０℃以下、１６０℃以下、又は１５０℃以下である。
【0093】
反応温度は、１８０℃以上、２４５℃以上、２５０℃以上、２５５℃以上、２６０℃以上、２６５℃以上、２７０℃以上、２７５℃以上、２８０℃以上、２８５℃以上、２９０℃以上、２９５℃以上、３００℃以上、３０５℃以上、３１０℃以上、３１５℃以上、３２０℃以上、３３０℃以上、３３５℃以上、３４０℃以上、又は３４５℃以上である。反応温度は、３８０℃以下、３７５℃以下、３７０℃以下、３６５℃以下、３６０℃以下、３５５℃以下、３５０℃以下、３４０℃以下、３３０℃以下、３２０℃以下、３１０℃以下、３００℃以下、２９０℃以下、２８０℃以下、２７０℃以下、２６０℃以下、又は２５０℃以下である。
【0094】
第１時間は、ナノ粒子の電荷バランス値が得られるように制御される。特定の理論により拘束しようとするものではないが、本発明者らが確認したことによると、上述した反応で所定の温度及び反応温度と第１時間とを調節することによりナノ粒子の形成時に、副反応生成物（例えばガリウム酸化物）が発生することが効果的に抑制され、そのためにナノ粒子が上述した電荷バランス値（そして選択により本明細書に記載した各成分間のモル比）を示し、本明細書に記載したような物性が達成されると考えられる。
【0095】
一実施形態で、第１時間は、１分～２４０分、５分～２００分、１０分～３時間、２０分～１５０分、３０分～１００分、又はこれらの組み合わせの範囲である。第１時間は、前駆体の種類、反応温度、最終粒子での所望する組成などを勘案して選択される。一実施形態で、反応温度は、比較的に高い温度範囲内（例えば、２８０℃以上、２８５℃～３４０℃、又は２９０℃～３３０℃）であり、第１時間は、１分以上、５分以上、１０分以上、１５分以上、２０分以上、又は２５分以上、及び２時間以下、９０分以下、８０分以下、７０分以下、６０分以下、５０分以下、４５分以下、４０分以下、３５分以下、３０分以下、２５分以下、２０分以下、１５分以下、又は１２分以下である。一実施形態で、反応温度は、比較的低い温度範囲内（例えば、２９０℃未満、２８０℃以下、２７０℃以下、２６０℃以下、２５０℃以下、２４０℃以下、２３０℃以下、２２０℃以下、又は２１０℃以下）であり、第１反応時間は、３０分以上、３５分以上、４０分以上、４５分以上、５０分以上、５５分以上、６０分以上、６５分以上、７０分以上、７５分以上、又は８０分以上である。
【0096】
銀前駆体の種類は、特に制限されず、適切に選択される。銀前駆体は、銀粉末、アルキル化銀化合物、銀アルコキシド、銀カルボキシレート、銀アセチルアセトネート、銀ニトレート、銀スルフェート、銀ハロゲン化物、銀シアニド、銀ヒドロキシド、銀酸化物、銀ペルオキシド、銀カーボネート、又はこれらの組み合わせを含む。銀前駆体は、銀ニトレート、銀アセテート、銀アセチルアセトネート、銀クロリド、銀ブロミド、ヨウ化銀、又はこれらの組み合わせを含む。
【0097】
インジウム前駆体の種類は、特に制限されず、適切に選択される。インジウム前駆体は、インジウム粉末、アルキル化インジウム化合物、インジウムアルコキシド、インジウムカルボキシレート、インジウムニトレート、インジウムパーコレート、インジウムスルフェート、インジウムアセチルアセトネート、インジウムハロゲン化物、インジウムシアン化物、インジウムヒドロキシド、インジウムオキシド、インジウムペルオキシド、インジウムカーボネート、インジウムアセテート、又はこれらの組み合わせである。インジウム前駆体は、インジウムオリエート、インジウムミリステートなどのインジウムカルボキシレート、インジウムアセテート、インジウムヒドロキシド、インジウムクロリド、インジウムブロミド、又はヨウ化インジウムを含む。
【0098】
ガリウム前駆体の種類は、特に制限されず、適切に選択される。ガリウム前駆体は、ガリウム粉末、アルキル化ガリウム化合物、ガリウムアルコキシド、ガリウムカルボキシレート、ガリウムニトレート、ガリウムパーコレート、ガリウムスルフェート、ガリウムアセチルアセトネート、ガリウムハロゲン化物、ガリウムシアン化物、ガリウムヒドロキシド、ガリウム酸化物、ガリウムペルオキシド、ガリウムカーボネート、ガリウムクロリド、ガリウムブロミド、ヨウ化ガリウム、又はこれらの組み合わせである。ガリウム前駆体は、ガリウムクロリド、ヨウ化ガリウム、ガリウムブロミド、ガリウムアセテート、ガリウムアセチルアセトネート、ガリウムオリエート、ガリウムパルミテート、ガリウムステアレート、ガリウムミリステート、ガリウムヒドロキシド、又はこれらの組み合わせを含む。
【0099】
硫黄前駆体の種類は、特に制限されず、適切に選択される。硫黄前駆体は、硫黄の有機溶媒分散液又は反応生成物（例えば、硫黄－オレイルアミン（Ｓ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）、硫黄－ドデシルアミン（Ｓ－ｄｏｄｅｃｙｌａｍｉｎｅ）、硫黄－オクタデセン（Ｓ－ＯＤＥ）、トリオクチルホスフィン－スルフィド（Ｓ－ＴＯＰ）、トリブチルホスフィン－スルフィド（Ｓ－ＴＢＰ）、トリフェニルホスフィン－スルフィド（Ｓ－ＴＰＰ）、硫黄－トリオクチルアミン（Ｓ－ＴＯＡ）、トリメチルシリルアルキルスルフィド、ビス（トリメチルシリル）スルフィド、メルカプトプロピルシラン、硫化アンモニウム、硫化ナトリウム、Ｃ１－３０チオール化合物（例えば、α－ｔｏｌｕｅｎｅｔｈｉｏｌ、オクタンチオール、ドデカンチオール、オクタデセンチオールなど）、イソチオシアネート化合物（例えば、シクロヘキシルイソチオシアネート（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ ｉｓｏｔｈｉｏｃｙａｎａｔｅ））、アルキレントリチオカーボネート（例えば、エチレントリチオカーボネート（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｒｉｔｈｉｏｃａｒｂｏｎａｔｅ））、アリルメルカプタン（ａｌｌｙｌ ｍｅｒｃａｐｔａｎ）、チオ尿素化合物（例えば、チオ尿素、ジアルキルチオ尿素、フェニルチオ尿素）、又はこれらの組み合わせを含む。
【0100】
存在する場合、セレニウム前駆体は、トリオクチルホスフィンセレニド（Ｓｅ－ＴＯＰ）、トリブチルホスフィンセレニド（Ｓｅ－ＴＢＰ）、トリフェニルホスフィンセレニド（Ｓｅ－ＴＰＰ）、又はこれらの組み合わせを含む。
【0101】
亜鉛前駆体の種類は、特に制限されず、適切に選択される。例えば、亜鉛前駆体は、Ｚｎ金属粉末、アルキル化Ｚｎ化合物、Ｚｎアルコキシド、Ｚｎカルボキシレート、Ｚｎニトレート、Ｚｎパーコレート、Ｚｎスルフェート、Ｚｎアセチルアセトネート、Ｚｎハロゲン化物、Ｚｎシアン化物、Ｚｎヒドロキシド、Ｚｎオキシド、Ｚｎペルオキシド、又はこれらの組み合わせである。亜鉛前駆体は、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、亜鉛アセテート、亜鉛アセチルアセトネート、ヨウ化亜鉛、亜鉛ブロミド、亜鉛クロリド、亜鉛フルオリド、亜鉛カーボネート、亜鉛シアニド、亜鉛ニトレート、亜鉛オキシド、亜鉛ペルオキシド、亜鉛パークロレート、亜鉛スルフェート、などである。
【0102】
有機リガンドは、ＲＣＯＯＨ、ＲＮＨ２、Ｒ２ＮＨ、Ｒ３Ｎ、ＲＳＨ、ＲＨ２ＰＯ、Ｒ２ＨＰＯ、Ｒ３ＰＯ、ＲＨ２Ｐ、Ｒ２ＨＰ、Ｒ３Ｐ、ＲＯＨ、ＲＣＯＯＲ’、ＲＰＯ（ＯＨ）２、ＲＨＰＯＯＨ、Ｒ２ＰＯＯＨ（ここでＲ、Ｒ’は、それぞれ独立して置換又は非置換のＣ１～Ｃ４０（又はＣ３～Ｃ２４）の脂肪族炭化水素（例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基）、置換又は非置換のＣ６～Ｃ４０（又はＣ６～Ｃ２４）の芳香族炭化水素（例えば、Ｃ６～Ｃ２０のアリール基））、又はこれらの組み合わせを含む。有機リガンドは製造されたナノ粒子の表面に結合される。有機リガンドは、メタンチオール、エタンチオール、プロパンチオール、ブタンチオール、ペンタンチオール、ヘキサンチオール、ヘプタンチオール、オクタンチオール、ノナンチオール、デカンチオール、ドデカンチオール、ヘキサデカンチオール、オクタデカンチオール、ベンジルチオール；メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン；メタン酸、エタン酸、プロパン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ドデカン酸、ヘキサデカン酸、オクタデカン酸、オレイン酸、安息香酸；置換又は非置換メチルホスフィン（例えば、トリメチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィンなど）、置換又は非置換エチルホスフィン（例えば、トリエチルホスフィン、エチルジフェニルホスフィンなど）、置換又は非置換プロピルホスフィン、置換又は非置換ブチルホスフィン、置換又は非置換ペンチルホスフィン、置換又は非置換オクチルホスフィン（例えば、トリオクチルホスフィン（ＴＯＰ））などのホスフィン；置換又は非置換メチルホスフィンオキシド（例えば、トリメチルホスフィンオキシド、メチルジフェニルホスフィンオキシドなど）、置換又は非置換エチルホスフィンオキシド（例えば、トリエチルホスフィンオキシド、エチルジフェニルホスフィンオキシドなど）、置換又は非置換プロピルホスフィンオキシド、置換又は非置換ブチルホスフィンオキシド、置換又は非置換オクチルホスフィンオキシド（例えば、トリオクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ））などのホスフィンオキシド；ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン化合物、又はそのオキシド化合物；ホスホン酸（ｐｈｏｓｐｈｏｎｉｃ ａｃｉｄ）、ヘキシルホスフィン酸、オクチルホスフィン酸、ドデカンホスフィン酸、テトラデカンホスフィン酸、ヘキサデカンホスフィン酸、オクタデカンホスフィン酸などＣ５～Ｃ２０のアルキルホスフィン酸、又はＣ５～Ｃ２０のアルキルホスホン酸（ｐｈｏｓｐｈｏｎｉｃ ａｃｉｄ）；などが挙げられるが、これに制限されるものではない。有機リガンドは、単独で又は２種以上の混合物として使用される。
【0103】
有機溶媒は、アミン溶媒、ピリジンなどの窒素含有ヘテロ環化合物；ヘキサデカン、オクタデカン、オクタデセン、スクアレン（ｓｑｕａｌａｎｅ）などのＣ６～Ｃ４０の脂肪族炭化水素（例えば、アルカン、アルケン、アルキンなど）；フェニルドデカン、フェニルテトラデカン、フェニルヘキサデカンなどＣ６～Ｃ３０の芳香族炭化水素；トリオクチルホスフィンなどのＣ６～Ｃ２２のアルキル基で置換されたホスフィン；トリオクチルホスフィンオキシドなどのＣ６～Ｃ２２のアルキル基で置換されたホスフィンオキシド；フェニルエーテル、ベンジルエーテルなどＣ１２～Ｃ２２の芳香族エーテル、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される。アミン溶媒は、Ｃ１－５０、Ｃ２－４５、Ｃ３－４０、Ｃ４－３５、Ｃ５－３０、Ｃ６－２５、Ｃ７－２０、Ｃ８－１５、又はＣ６－２２の脂肪族炭化水素基（アルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基）を１個以上（例えば、２個又は３個）有する化合物である。一実施形態で、アミン溶媒は、ヘキサデシルアミン、オレイルアミンなどのＣ６－２２の第１級アミン；ジオクチルアミンなどのＣ６－２２の第２級アミン；トリオクチルアミンなどのＣ６－２２の第３級アミン；又はこれらの組み合わせを含む。
【0104】
反応媒質内で有機リガンド及び各前駆体の含有量は、溶媒の種類、有機リガンド及び各前駆体の種類、所望する粒子の大きさ及び組成などを勘案して適切に選択される。各前駆体の間のモル比は、最終のナノ粒子での所望するモル比、各前駆体の間の反応性などを勘案して適切に選択される。各前駆体の付加方式は、特に制限されず、１回以上、２回以上～１０回以下で分割注入される。それぞれの前駆体は同時に又は順次に行われる。反応は、不活性気体雰囲気、空気中、又は真空状態で行われるが、これに制限されない。反応終了後、最終の反応液に非溶媒（ｎｏｎｓｏｌｖｅｎｔ）を付加すると（例えば、有機リガンドが配位された）ナノ粒子が分離（例えば、沈澱）される。非溶媒は、反応に使用された溶媒と混ざるが、ナノ結晶を分散させない極性溶媒である。非溶媒は、反応に使用した溶媒により決定され、例えばアセトン、エタノール、ブタノール、イソプロパノール、エタンジオール、水、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジエチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、羅列された溶媒と類似の溶解度パラメータ（ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ ｐａｒａｍｅｔｅｒ）を有する溶媒、又はこれらの組み合わせを含む。分離は、遠心分離、沈澱、クロマトグラフィー、又は蒸留が利用される。分離されたナノ結晶は、必要に応じて洗浄溶媒に付加して洗浄される。洗浄溶媒は、特に制限されず、有機溶媒又はリガンドと類似の溶解度パラメータを有する溶媒が使用される。非溶媒又は洗浄溶媒は、アルコール；ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどアルカン溶媒；クロロホルム；トルエン、ベンゼンなどの芳香族溶媒；又はこれらの組み合わせが挙げられるが、これに制限されない。
【0105】
ナノ粒子は、分散溶媒に分散される。ナノ粒子は、有機溶媒分散液を形成する。有機溶媒分散液は、水及び／又は水と混和可能な有機溶媒を含まない。分散溶媒は、適切に選択される。分散溶媒は上述した有機溶媒を含む。分散溶媒は、置換又は非置換のＣ１～Ｃ４０脂肪族炭化水素、置換又は非置換のＣ６～Ｃ４０芳香族炭化水素、又はこれらの組み合わせを含む。
【0106】
ナノ粒子の形状は、特に限定されず、例えば球形、多面体、ピラミッド形、マルチポッド、立方体（ｃｕｂｉｃ）形、ナノチューブ、ナノワイヤー、ナノ繊維、ナノシート、又はこれらの組み合わせを含むが、これに制限されない。
【0107】
一実施形態で、インク組成物又は半導体ナノ粒子は、第１有機リガンド及び選択により第２有機リガンドを含む。第１有機リガンド及び第２有機リガンドは半導体ナノ粒子の表面に結合される。一実施形態で、第１有機リガンド又は第２有機リガンドは半導体ナノ粒子の表面に接触又は隣接する。
【0108】
上述した半導体ナノ粒子は、本明細書に記載したような発光物性を示すが、本発明者らが確認したことによると、インクジェット用インク組成物を形成するための成分（例えば、重合性モノマー）と混合された場合、或いは複合体で製造された場合、発光物性が顕著に減少することがある。マイクロＬＥＤなどの光源を含むディスプレイ装置（例えば、ＴＶ、Ｗａｔｃｈ、ＶＲ、ＡＲ）などでは増加した光変換率（例えば、発光効率）が望ましい。驚くべきことに、本発明者らは、上述した半導体ナノ粒子の複合体内での発光物性は、本明細書に記載した通り半導体ナノ粒子と共にリガンドを導入することにより顕著に向上することを確認した。
【0109】
本実施形態で、インク組成物は、本明細書に記載した半導体ナノ粒子と共に本明細書に記載したリガンド又はこれらの組み合わせ（第１有機リガンド及び選択により第２有機リガンド）を含む。リガンドは、半導体ナノ粒子の表面に結合される。本実施形態のインク組成物は向上した安定性でパターンが製造され、これにより製造された複合体は所望する発光物性を示す。
【0110】
第１有機リガンドは、Ｒ１－ＣＯＯ－Ａで表され、ここでＲ１は第１有機基であり、Ａは水素又は半導体ナノ粒子表面に結合される部分である。第１有機リガンドは、１種以上、例えば２種以上を含む。第１有機基は、置換又は非置換のＣ１－５００、Ｃ２－３００、Ｃ３－１００、Ｃ４－５０、又はＣ５－１０炭化水素基であり、選択により主鎖（ｂａｃｋｂｏｎｅ）に－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＮＨＣＯ－、又はこれらの組み合わせを含む。
【0111】
第１有機リガンドは、Ｒ１－ＣＯＯＨで表されるカルボン酸化合物又はこれに由来する残基（例えば、カルボキシレート）を含む。第１有機基は、炭素－炭素二重結を含有する残基を含む。炭素－炭素二重結を含有する残基は、（メタ）アクリレート基を含む。第１有機基又は第１有機リガンドは、ピペリジン残基、アミン残基（例えば、－ＮＲ－、ここでＲは水素又はＣ１－Ｃ１０炭化水素基）、アミド残基、又はこれらの組み合わせを含むか又は含まない。
【0112】
第１有機基又はＲ１は、Ｅ１－Ｌ－＊で表される残基であり、ここでＥ１は、水素、置換又は非置換のＣ１～Ｃ１０アルキル基、置換又は非置換のＣ２～Ｃ１０アルケニル基、（メタ）アクリレート基、又はこれらの組み合わせであり、Ｌは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ５０の炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、又はアルキニレン基）、［Ｒ３－Ｏ］ｎ（Ｒ３は、エチレン、イソプロピレン、又はこれらの組み合わせであり、ｎは１～１４０）、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、－ＮＨＣＯ－、又はこれらの組み合わせを含む残基であり、＊は隣接する原子（例えば、カルボニル炭素）に連結される部位である。Ｌは、置換又は非置換のＣ１～Ｃ５０のアルキレン基、［Ｒ３－Ｏ］ｎ（Ｒ３は、エチレン、イソプロピレン、又はこれらの組み合わせであり、ｎは１～１４０、２～１０、３～７、又は４～６）、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、－ＮＨＣＯ－、又はこれらの組み合わせからなる群より少なくとも２つが結合して形成される残基である。
【0113】
第１有機リガンドは、下記化学式２－１及び化学式２－２で表されるカルボン酸化合物又はこれに由来する基（例えば、下記化学式２－３で表される残基又は下記化学式２－４で表される残基）を含む。
【0114】
【化2-1】
【化2-2】
【化2-3】
【化2-4】
【0115】
Ｒは、同一であるか又は異なり、それぞれ独立して水素又はＣ１～Ｃ１０アルキル（例えば、メチル）であり、
Ｅは水素又はＣ１～Ｃ１０又はＣ６～Ｃ８の（脂肪族又は芳香族）炭化水素基（例えば、メチルなどのアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基）であり、
Ｌは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ５０炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、又はアルキニレン基）［Ｒ３－Ｏ］ｎ（Ｒ３は、エチレン、イソプロピレン、又はこれらの組み合わせであり、ｎは１～１４０、２～１０、３～７、又は４～６）、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせ（例えば、上述の基のうちの少なくとも２つが互いに連結されて形成される残基）であり、
Ａは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ５０炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、又はアルキニレン基）、［Ｒ３－Ｏ］ｎ（Ｒ３は、エチレン、イソプロピレン、又はこれらの組み合わせであり、ｎは１～１４０）、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせ（例えば、上述の基のうちの少なくとも２つが互いに連結されて形成される残基）であり、
＊は半導体ナノ粒子に結合又は連結される部分である。
Ｅは水素又はＣ１～Ｃ１０又はＣ６～Ｃ８の（脂肪族又は芳香族）炭化水素基（例えば、メチルなどのアルキル基、アルケニル基、又はアルキニル基）であり、
Ｌは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ５０炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、又はアルキニレン基）［Ｒ３－Ｏ］ｎ（Ｒ３は、エチレン、イソプロピレン、又はこれらの組み合わせであり、ｎは１～１４０、２～１０、３～７、又は４～６）、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせ（例えば、上述の基のうちの少なくとも２つが互いに連結されて形成される残基）であり、
Ａは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ５０炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、又はアルキニレン基）、［Ｒ３－Ｏ］ｎ（Ｒ３は、エチレン、イソプロピレン、又はこれらの組み合わせであり、ｎは１～１４０）、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせ（例えば、上述の基のうちの少なくとも２つが互いに連結されて形成される残基）であり、
＊は半導体ナノ粒子に結合又は連結される部分である。
【0116】
化合物でＣＯＯＨがＣＯＯ（カルボキシレート）に転換されて半導体ナノ粒子の表面に結合される。
【0117】
Ｌ又はＡで、アルキレン基で一つ以上のメチレンは、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせ（例えば、上述の基のうちの少なくとも２つが互いに連結されて形成される残基）により代替される。
【0118】
第１有機リガンドは、下記の化学式Ｒ１～Ｒ３で表される化合物、下記化学式４で表される化合物、又はこれに由来する残基（例えば、カルボキシレート残基）を含む。
【0119】
【化R1】
【化R2】
【化R3】
【化4】
【0120】
（ここでｎ１は、１～１００、３～８０、５～７０、７～６０、９～５０、１０～４５、又は１５～３５の整数であり、ｎ２は、１～２０、２～１５、又は３～１０の整数である。）
【0121】
インク組成物又は半導体ナノ粒子は、第１有機リガンドとは異なる第２有機リガンドを更に含む。第２有機リガンドは、半導体ナノ粒子の表面に結合される。第２有機リガンドは、Ｒ２Ｓ－Ａで表される化合物を含み、ここでＲ２は第２有機基であり、Ａは水素又は半導体ナノ粒子の表面に結合される部分である。
【0122】
驚くべきことに、本発明者らは、第１有機リガンド及び選択により第２有機リガンドを本明細書に記載した通り半導体ナノ粒子の表面に（共に）含むことにより、工程中に発生する半導体ナノ粒子の物性（例えば、発光効率）の低下を顕著に抑制できることを確認した。
【0123】
一実施形態で、有機リガンドは、半導体ナノ粒子の表面に結合され、半導体ナノ粒子を非溶媒又は溶媒内で所定の時間（例えば、３０分～３時間、１時間～２時間、又はこれらの組み合わせの時間の間）攪拌後にも有機リガンドがナノ粒子から分離されないことがある。特定の理論により拘束しようとするものではないが、第１有機リガンドのカルボキシル基及び第２有機リガンドのチオール基は、カルボキシレート又はチオレートの形態で半導体ナノ粒子表面に存在する金属（例えば、ガリウム、亜鉛、又はこれらの組み合わせ）と結合して表面をパッシベーションすると考えられる。
【0124】
第２有機基は、置換又は非置換のＣ１－５００、Ｃ２－３００、Ｃ３－１００、Ｃ４－５０、又はＣ５－１０の炭化水素基（アルキレン、アルケニレン、又はアルキニレン）であり、選択により主鎖（ｂａｃｋｂｏｎｅ）で一つ以上のメチレンは、－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、ＳＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせにより代替される。
【0125】
第２有機リガンドは、Ｒ２－ＳＨで表されるチオール化合物又はこれに由来する基（チオレート基）を含む。第２有機基は、アルコキシカルボニル残基を更に含む。第２有機リガンド又は第２有機基は、ピペリジン残基、アミン基（－ＮＲ－、ここでＲは水素又はＣ１－１０炭化水素基、例えばアルキル基）、アミド基、又はこれらの組み合わせを含むか又は含まない。
【0126】
第２有機基又はＲ２は、Ｅ２－Ｌ－＊で表される残基を含み、ここでＥ２は、水素、置換又は非置換のＣ１～Ｃ１０アルキル基、置換又は非置換のＣ１～Ｃ１０アルコキシ（例えば、メトキシ）基、又はこれらの組み合わせであり、Ｌは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ５０の炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基）、［Ｒ３－Ｏ］ｎ（Ｒ３は、エチレン、イソプロピレン、又はこれらの組み合わせであり、ｎは１～１４０）、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせを含む残基であり、＊は隣接する原子（例えば、硫黄）に連結される部位である。Ｌは、置換又は非置換のＣ１～Ｃ５０の炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基）、［Ｒ３－Ｏ］ｎ（Ｒ３は、エチレン、イソプロピレン、又はこれらの組み合わせであり、ｎは１～１４０）、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、及びＮＨＣＯのうちの２つ以上が結合して形成される残基である。
【0127】
第２有機リガンドは下記化学式３で表される化合物を含む。
【0128】
［化学式３］
Ｅ２－Ｍ－Ａ－ＳＨ
Ｅ２－Ｍ－Ａ－ＳＨ
【0129】
Ｅ２は、水素、置換又は非置換のＣ１～Ｃ１０アルキル（例えば、メチル）基、又は置換又は非置換のＣ１～Ｃ１０アルコキシ（例えば、メトキシ）基、
Ｍは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、又はアルキニレン基）、［Ｒ３－Ｏ］ｎ（Ｒ３は、エチレン、プロピレン、イソプロピレン、又はこれらの組み合わせであり、ｎは１～１４０）、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせ（例えば、上述の基のうちの少なくとも２つが互いに連結されて形成される残基）であり、
Ａは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基）、［Ｒ３－Ｏ］ｎ（Ｒ３は、エチレン、プロピレン、イソプロピレン、又はこれらの組み合わせであり、ｎは１～１４０）、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせ（例えば、上述の基のうちの少なくとも２つが互いに連結されて形成される残基）である。
Ｍは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、又はアルキニレン基）、［Ｒ３－Ｏ］ｎ（Ｒ３は、エチレン、プロピレン、イソプロピレン、又はこれらの組み合わせであり、ｎは１～１４０）、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせ（例えば、上述の基のうちの少なくとも２つが互いに連結されて形成される残基）であり、
Ａは、直接結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基）、［Ｒ３－Ｏ］ｎ（Ｒ３は、エチレン、プロピレン、イソプロピレン、又はこれらの組み合わせであり、ｎは１～１４０）、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせ（例えば、上述の基のうちの少なくとも２つが互いに連結されて形成される残基）である。
【0130】
一実施形態の化合物で、上記化学式３のＳＨはＳ－（チオレート）に転換されて半導体ナノ粒子の表面に結合される。
【0131】
Ｍ又はＡで、アルキレン基で一つ以上のメチレンは、ＣＯ、Ｏ、ＳＯ、ＣＯＯ、Ｓ、ＮＨＣＯ、又はこれらの組み合わせにより代替される。
【0132】
第２有機リガンドは下記化学式３－１で表される化合物又はこれに由来する残基を含む。
【0133】
【化3-1】
【0134】
Ｒは置換又は非置換のＣ１～Ｃ１０アルキル（例えば、メチル）基であり、
Ｍ、Ａは、上記で定義された通りである。第１有機リガンド及び第２有機リガンドは知られている合成法によって容易に合成されるか、或いは商業的に入手可能である。
Ｍ、Ａは、上記で定義された通りである。第１有機リガンド及び第２有機リガンドは知られている合成法によって容易に合成されるか、或いは商業的に入手可能である。
【0135】
一実施形態で、半導体ナノ粒子は、アミン化合物（例えば、オレイルアミンなどの脂肪族アルキル基を１個有する第１級アミン）などの合成過程内で使用された有機リガンド化合物由来のネイティブリガンド（ｎａｔｉｖｅ ｌｉｇａｎｄ）を更に有する。ネイティブリガンドのための有機リガンド化合物の例示は本明細書に記述した通りである。
【0136】
本発明者らが確認したことによると、ネイティブリガンドのみを有する半導体ナノ粒子がインク組成物内に含まれる場合、インク組成物内の半導体ナノ粒子の分散性が保証され難い。特定の理論により拘束しようとするものではないが、インクジェットインク用組成物内に含まれる（本明細書に記載した）モノマーは半導体ナノ粒子のネイティブリガンドとの相溶性がよくなく、そのために十分な分散性を提供し難いと考えられる。本実施形態によるインク組成物は、第１有機リガンド及び選択により第２有機リガンドを表面に含む半導体ナノ粒子を使用することにより、ナノ粒子がインクジェットインク用組成物の液状ビヒクル（例えば、モノマー又は存在する場合には溶媒）内によく分散される。
【0137】
第２有機リガンドは、存在するか又は存在しない。
【0138】
第１有機リガンドと第２有機リガンドとの間のモル比は、１：０～１００、１：０．０５～８０、１：０．１～５０、１：０．１５～４０、１：０．２～３０、１：０．３～２５、１：０．５～２０、１：０．７～１５、１：０．８～１０、１：０．９～８、１：１～５、又はこれらの組み合わせの範囲である。
【0139】
第２有機リガンドが存在する場合、第２有機リガンド（チオール系リガンド）と第１有機リガンド（カルボン酸リガンド）との間のモル比（第２有機リガンド：第１有機リガンド）は、１：０．１～１０００、１：０．５～１００、１：０．７～５０、１：０．８～４０、１：１～３０、１：２～２０、１：２．５～１０、１：３～８、１：４～６、又はこれらの組み合わせの範囲である。第２有機リガンドと第１有機リガンドとの間のモル比（第２リガンド：第１リガンド）は、１：０．６以上、１：１．１以上、１：１．２以上、１：１．５以上、１：１．８以上、又は１：２以上、及び１：１０以下、１：９以下、１：８以下、１：７以下、１：６以下、１：５以下、１：４以下、１：３以下、１：２以下、又は１：１以下である。
【0140】
第１有機リガンド及び選択により第２有機リガンドを（例えば、表面に）含む半導体ナノ粒子は本明細書に記載した方法により得られる。上記方法はリガンド交換反応を伴う。リガンドは半導体ナノ粒子の表面に結合される。従って、一実施形態で、インク組成物の製造方法は、第１有機リガンド及び選択により第２有機リガンドと共に（例えば、これを含有する）半導体ナノ粒子をモノマーと混合する段階と、第１有機リガンド及び選択により第２有機リガンドを含有する半導体ナノ粒子を準備する段階と、を有し、第１有機リガンド及び選択により第２有機リガンドを含有する半導体ナノ粒子を準備する段階は、１１－１３－１６族化合物を含む半導体ナノ結晶粒子を有機溶媒内で第１有機リガンド化合物（及び選択により第２有機リガンド）及び亜鉛塩化合物（例えば、亜鉛ハライド又は第２亜鉛塩化合物）と混合（ａｄｍｉｘｉｎｇ）して第１有機リガンドを含有する（例えば、第１有機リガンドで表面処理された）半導体ナノ粒子を得る段階を含む。第１有機リガンド（及び選択により第２有機リガンド）は半導体ナノ粒子の表面に結合される。
【0141】
１１－１３－１６族化合物を含む半導体ナノ結晶粒子は、亜鉛塩処理されたナノ結晶粒子を含み、亜鉛塩処理されたナノ結晶粒子は、１１－１３－１６族化合物を含むナノ結晶粒子と第１亜鉛塩化合物とを、（例えば、第１有機リガンドの不存在下で）第１有機溶媒内で、第１温度で接触させて得られる。
【0142】
上記方法は、亜鉛塩処理されたナノ結晶粒子を有機溶媒内に分散させた分散液を準備する段階を含む。混合中に（第１有機リガンド及び選択により第２有機リガンドで）リガンド交換反応が半導体ナノ粒子の表面で起きる。上記方法は、混合で第２有機リガンドを例えば分散液に付加する段階を更に含む。リガンド交換反応は第２有機リガンドの存在下で行われる。半導体ナノ粒子は、表面に結合された第１有機リガンド及び選択により第２有機リガンドを含む。
【0143】
ナノ結晶粒子は、第１半導体ナノ結晶を含み、第２半導体ナノ結晶、亜鉛カルコゲン化物を含む無機物層、又はこれらの組み合わせを更に含む。第１半導体ナノ結晶及び第２半導体ナノ結晶、無機物層又は最外郭層に対する内容及びナノ結晶粒子の製造に関する詳細な内容は本明細書に記述したものを参照する。
【0144】
本発明者らが確認したことによると、ネイティブリガンドを含むナノ結晶粒子の場合、第１有機リガンド及び／又は第２有機リガンドを使用したリガンド交換反応が容易に行われないことがある。本実施形態の方法では、リガンド交換反応が亜鉛塩化合物の使用を伴う。一実施形態で、リガンド交換反応は亜鉛塩化合物の存在下で行われ、第１有機リガンド及び選択により第２有機リガンドが所望する比率で結合された半導体ナノ粒子が得られる。一実施形態のリガンド交換反応では、ネイティブリガンドを含むナノ結晶粒子を本明細書に記載したような亜鉛塩処理をしてから（例えば、追加の亜鉛塩化合物の存在下で）リガンド交換反応を進行する。
【0145】
第１有機リガンド及び第２有機リガンドに関する詳細内容は本明細書に記載した通りである。
【0146】
第１有機溶媒は、有機リガンド化合物及びネイティブリガンド、そして亜鉛塩化合物の種類を勘案して適切に選択される。第１有機溶媒は、オクタン、ヘキサン、ヘプタンなどのＣ６～Ｃ４０の脂肪族炭化水素（例えば、アルカン、アルケン、アルキン）溶媒；トルエン、キシレン、などのＣ６～Ｃ３０の芳香族炭化水素溶媒；又はこれらの組み合わせである。
【0147】
（第１又は第２）亜鉛塩化合物は、Ｃ８～Ｃ５０の亜鉛脂肪酸エステル化合物（例えば、亜鉛オリエート、亜鉛ステアレート、亜鉛ミリステートなど）、亜鉛ハライド（例えば、亜鉛クロリド、亜鉛ブロミド、ヨウ化亜鉛、亜鉛フルオリドなど）、又はこれらの組み合わせを含む。第１亜鉛塩化合物と第２亜鉛塩化合物とは、同一であるか又は異なる。第１亜鉛塩化合物はＣ８～Ｃ５０の亜鉛脂肪酸エステル化合物であり、第２亜鉛塩化合物は亜鉛ハライドであるか、或いはその反対である。
【0148】
第１温度は、２０℃以上、３０℃以上、４０℃以上、４５℃以上、又は５０℃以上である。第１温度は、１５０℃以下、１００℃以下、８０℃以下、６０℃以下、５５℃以下、又は４５℃以下である。
【0149】
混合（ａｄｍｉｘｉｎｇ）（又はリガンド交換反応）の温度は、２０℃以上、３０℃以上、４０℃以上、４５℃以上、又は５０℃以上である。混合（又はリガンド交換反応）温度は、１５０℃以下、１００℃以下、８０℃以下、６０℃以下、５５℃以下、又は４５℃以下である。
【0150】
混合（或いはリガンド交換反応）は、５０分以上、１時間以上、９０分以上、１００分以上、２時間以上、３時間以上、及び５日以下、４日以下、３日以下、２日以下、１日以下、又は１２時間以下の時間の間に行われる。
【0151】
第１亜鉛塩化合物及び第２亜鉛塩化合物の使用量は、化合物の種類及びリガンド化合物の種類、所望する置換度などを勘案して適切に選択される。第１亜鉛塩化合物の使用量は、半導体ナノ粒子１モルに対して１０モル以上、１００モル以上、５００モル以上、１０００モル以上、５０００モル以上、１万モル以上、１万５千モル以上、又は２万モル以上、及び２０万モル以下、１５万モル以下、１０万モル以下、５万モル以下、３万モル以下、２万モル以下、１万モル以下、５０００モル以下、１０００モル以下、５００モル以下、又は１００モル以下である。第２亜鉛塩化合物の使用量は、使用される有機リガンド化合物（例えば、第１有機リガンド化合物及び第２有機リガンド化合物の総合）１モル当たり０．０１モル以上、０．０５モル以上、０．１モル以上、又は０．３モル以上、及び１モル以下、０．５モル以下、又は０．１モル以下の範囲で使用される。
【0152】
リガンド交換された半導体ナノ粒子は、インク組成物のための液体ビヒクル（例えば、本明細書に記載したモノマー）内によく分散される。
【0153】
上記方法で、第１有機リガンドの使用量は、ナノ結晶粒子の含有量（１モル）を基準に１０モル以上、５０モル以上、１００モル以上、３００モル以上、５００モル以上、６００モル以上、７００モル以上、１０００モル以上、１５００モル以上、２０００モル以上、２５００モル以上、３０００モル以上、３５００モル以上、４０００モル以上、４５００モル以上、５０００モル以上、５５００モル以上、６０００モル以上、６５００モル以上、７０００モル以上、７５００モル以上、８０００モル以上、８５００モル以上、９０００モル以上、１００００モル以上、１２０００モル以上、１５０００モル以上、１７０００モル以上、１９０００モル以上、又は１９５００モル以上、及び４００００モル以下、３００００モル以下、又は２００００モル以下である。
【0154】
上記方法で、第２有機リガンド化合物の使用量は、ナノ結晶粒子の含有量（１モル）を基準に、０モル以上、１０モル以上、５０モル以上、１００モル以上、３００モル以上、５００モル以上、６００モル以上、７００モル以上、１０００モル以上、１５００モル以上、２０００モル以上、２５００モル以上、３０００モル以上、３５００モル以上、４０００モル以上、４５００モル以上、５０００モル以上、５５００モル以上、６０００モル以上、６５００モル以上、７０００モル以上、７５００モル以上、８０００モル以上、８５００モル以上、９０００モル以上、１００００モル以上、１２０００モル以上、１５０００モル以上、１７０００モル以上、１９０００モル以上、又は１９５００モル以上、及び４００００モル以下、３００００モル以下、又は２００００モル以下である。
【0155】
一実施形態で、リガンド交換された半導体ナノ粒子は、クルード（ｃｒｕｄｅ）半導体ナノ粒子に比べて増加した有機物の含有量を示す。一実施形態の半導体ナノ粒子で有機物の含有量は、半導体ナノ粒子の総重量を基準に１５重量％以上、２０重量％以上、２５重量％以上、２９重量％以上、３０重量％以上、３３重量％以上、又は３５重量％以上、及び６０重量％以下、５５重量％以下、４５重量％以下、４０重量％以下、３８重量％以下、又は３６重量％以下である。
【0156】
インク組成物内の半導体ナノ粒子で、カルコゲン元素（例えば、硫黄）に対する亜鉛のモル比（例えば、亜鉛／硫黄）は、０．８以下、０．３以下、又は０．２５以下である。半導体ナノ粒子で、カルコゲン元素（例えば、硫黄）に対する亜鉛のモル比（例えば、亜鉛／硫黄）は、０．０１以上、０．０５以上、又は０．１以上である。
【0157】
インク組成物内の半導体ナノ粒子で、銀（Ａｇ）に対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／Ａｇ）は、０．３以上、０．３５以上、０．４以上、０．４５以上、０．５以上、０．５５以上、０．６以上、０．６５以上、０．７以上、０．７５以上、０．８以上、０．８５以上、０．９以上、０．９５以上、１以上、１．２以上、１．４以上、１．６以上、１．７以上、１．９以上、２以上、２．５以上、３以上、３．５以上、又は４以上である。インク組成物内の半導体ナノ粒子で、銀（Ａｇ）に対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／Ａｇ）は、５以下、４．７以下、４．４以下、４．１以下、３．９以下、３．７以下、３．５以下、３以下、２．７以下、２．６以下、又は２．３以下である。
【0158】
インク組成物内の半導体ナノ粒子で、インジウムに対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／Ｉｎ）は、０．１以上、０．３以上、０．５以上、０．７以上、０．９以上、１．１以上、１．３以上、１．５以上、１．７以上、１．９以上、２．１以上、２．３以上、２．５以上、２．７以上、２．９以上、又は３以上である。インク組成物内の半導体ナノ粒子で、インジウム（Ｉｎ）に対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／Ｉｎ）は、１０以下、８以下、６以下、５以下、４．５以下、４以下、３．５以下、２以下、又は１．６以下である。
【0159】
インク組成物内の半導体ナノ粒子で、ガリウムに対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／Ｇａ）は、０．１以上、０．２以上、０．３以上、０．３５以上、０．４以上、０．４５以上、又は０．５以上である。インク組成物内の半導体ナノ粒子で、ガリウムに対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／Ｇａ）は、３以下、２．５以下、２以下、１．９以下、１．７以下、１．５以下、１．４以下、１．２以下、１．１以下、０．９以下、０．８以下、０．７以下、０．６以下、又は０．４９以下である。
【0160】
インク組成物内の半導体ナノ粒子で、ガリウム、インジウム、及び銀（Ａｇ）の総合に対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／（Ｇａ＋Ｉｎ＋Ａｇ））は、０．０５以上、０．１以上、０．２以上、０．２５以上、０．３以上、０．３５以上、又は０．４以上である。インク組成物内の半導体ナノ粒子で、ガリウム、インジウム、及び銀（Ａｇ）の総合に対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／（Ｇａ＋Ｉｎ＋Ａｇ））は、２以下、１．７以下、１．４以下、１．１以下、０．９以下、０．７以下、０．５以下、又は０．４５以下である。
【0161】
インク組成物内の半導体ナノ粒子で、ガリウム及びインジウムの総合に対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／（Ｇａ＋Ｉｎ））は、０．０５以上、０．１以上、０．２以上、０．２５以上、０．３以上、０．３５以上、又は０．４以上である。インク組成物内の半導体ナノ粒子で、ガリウム及びインジウムの総合に対する亜鉛（Ｚｎ）のモル比（Ｚｎ／（Ｇａ＋Ｉｎ））は、２以下、１．７以下、１．４以下、１．１以下、０．９以下、０．７以下、０．５以下、又は０．４５以下である。
【0162】
組成物（又は複合体）内で半導体ナノ粒子の含有量は、（例えば、カラーフィルターなど）所望する最終用途などを勘案して適切に調節される。一実施形態で、組成物（又は複合体）でのナノ粒子の含有量は、組成物又は複合体の固形分（以下、固形分とは、組成物の固形分又は複合体の固形分である）を基準に１重量％以上、例えば２重量％以上、３重量％以上、４重量％以上、５重量％以上、６重量％以上、７重量％以上、８重量％以上、９重量％以上、１０重量％以上、１５重量％以上、２０重量％以上、２５重量％以上、３０重量％以上、３５重量％以上、又は４０重量％以上である。半導体ナノ粒子の含有量は、固形分を基準に７０重量％以下、例えば６５重量％以下、６０重量％以下、５５重量％以下、又は５０重量％以下である。組成物内の総固形分含有量に対する成分の重量百分率は後述する複合体内での成分の含有量を代表する。
【0163】
一実施形態のインク組成物で、重合性モノマーは、炭素－炭素二重結合を一つ以上（例えば、２個以上又は３個以上、及び１０個以下）含む化合物を含む。モノマーは、絶縁性ポリマーのための前駆体である。モノマーは、光又は熱により重合される。
【0164】
インク組成物で、モノマーは、下記化学式１で表される化合物を含む。
【0165】
【化1】
【0166】
上記化学式１で、Ｘは炭素－炭素二重結合を有するＣ２～Ｃ３０の有機基であり、
Ｌは、単一結合、炭素原子、置換又は非置換のＣ１～Ｃ５０のアルキレン基、置換又は非置換のＣ３～Ｃ５０（例えば、Ｃ６－Ｃ３０）のシクロアルキレン基、置換又は非置換のＣ３～Ｃ５０（例えば、Ｃ６－Ｃ３０）のシクロアルケニレン基、置換又は非置換のＣ６～Ｃ５０のアリーレン基、置換又は非置換のＣ３～Ｃ３０のヘテロアリーレン基、オキシアルキレン単位を１個以上有する基［（Ｒ－Ｏ）ｎ、ここでＲは、置換又は非置換のエチレン、イソプロピレン、ブチレンなどのアルキレンであり、ｎは１以上５００以下］、スルホニル（－Ｓ（＝Ｏ）２－）、カルボニル（－Ｃ（＝Ｏ）－）、エーテル（－Ｏ－）、スルフィド（－Ｓ－）、スルホキシド（－Ｓ（＝Ｏ）－）、エステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）、アミド（－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、イミン（－ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、又はこれらの組み合わせであり、
Ｙは、単一結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０のアルキレン基、置換又は非置換のＣ２～Ｃ３０のアルケニレン基、スルホニル（－Ｓ（＝Ｏ）２－）、カルボニル（－Ｃ（＝Ｏ）－）、エーテル（－Ｏ－）、スルフィド（－Ｓ－）、スルホキシド（－Ｓ（＝Ｏ）－）、エステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）、アミド（－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、イミン（－ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、又はこれらの組み合わせであり、
ｎは１以上の整数であり、
ｋは１以上の整数であり、
ｎとｋとの合計は２以上（例えば、３以上又は４以上、及び１０以下又は５以下）の整数である。
Ｌは、単一結合、炭素原子、置換又は非置換のＣ１～Ｃ５０のアルキレン基、置換又は非置換のＣ３～Ｃ５０（例えば、Ｃ６－Ｃ３０）のシクロアルキレン基、置換又は非置換のＣ３～Ｃ５０（例えば、Ｃ６－Ｃ３０）のシクロアルケニレン基、置換又は非置換のＣ６～Ｃ５０のアリーレン基、置換又は非置換のＣ３～Ｃ３０のヘテロアリーレン基、オキシアルキレン単位を１個以上有する基［（Ｒ－Ｏ）ｎ、ここでＲは、置換又は非置換のエチレン、イソプロピレン、ブチレンなどのアルキレンであり、ｎは１以上５００以下］、スルホニル（－Ｓ（＝Ｏ）２－）、カルボニル（－Ｃ（＝Ｏ）－）、エーテル（－Ｏ－）、スルフィド（－Ｓ－）、スルホキシド（－Ｓ（＝Ｏ）－）、エステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）、アミド（－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、イミン（－ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、又はこれらの組み合わせであり、
Ｙは、単一結合、置換又は非置換のＣ１～Ｃ３０のアルキレン基、置換又は非置換のＣ２～Ｃ３０のアルケニレン基、スルホニル（－Ｓ（＝Ｏ）２－）、カルボニル（－Ｃ（＝Ｏ）－）、エーテル（－Ｏ－）、スルフィド（－Ｓ－）、スルホキシド（－Ｓ（＝Ｏ）－）、エステル（－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－）、アミド（－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、イミン（－ＮＲ－）（ここでＲは水素又はＣ１～Ｃ１０の直鎖又は分枝鎖アルキル基である）、又はこれらの組み合わせであり、
ｎは１以上の整数であり、
ｋは１以上の整数であり、
ｎとｋとの合計は２以上（例えば、３以上又は４以上、及び１０以下又は５以下）の整数である。
【0167】
ｎはＹの原子価数により決定される。ｋはＬの原子価数により決定される。
【0168】
Ｘは、ビニル基、（メタ）アクリレート基、又はこれらの組み合わせを含む。
【0169】
モノマーは、ポリエチレングリコールメタクリレート、ポリプロピレングリコールメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート、置換又は非置換のアルキル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡエポキシアクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ノボラックエポキシ（メタ）アクリレート、エチルグリコールモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、トリス（メタ）アクリロイルオキシエチルホスフェート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジアクリロイルオキシアルカン、又はこれらの組み合わせを含む。
【0170】
モノマーは、置換又は非置換のジ（メタ）アクリレート化合物、置換又は非置換のトリ（メタ）アクリレート化合物、置換又は非置換のテトラ（メタ）アクリレート化合物、置換又は非置換のペンタ（メタ）アクリレート化合物、置換又は非置換のヘキサ（メタ）アクリレート化合物、又はこれらの組み合わせを含む。
【0171】
重合性モノマーの含有量は、組成物の総重量を基準に０．５重量％以上、例えば１重量％以上、２重量％以上、３重量％以上、５重量％以上、１０重量％以上、２０重量％以上、３０重量％以上、又は４０重量％以上である。重合性モノマーの含有量は、組成物の総重量を基準に９９％以下、９０％以下、８０％以下、７０％以下、６０重量％以下、５０重量％以下、４５重量％以下、２８重量％以下、２５重量％以下、２３重量％以下、２０重量％以下、１８重量％以下、１７重量％以下、１６重量％以下、又は１５重量％以下である。
【0172】
インク組成物は、開始剤、金属酸化物粒子、又はこれらの組み合わせを更に含む。
【0173】
組成物に含まれる（光）開始剤は、上述したモノマーの（光）重合のためのものである。開始剤は、温和な条件下で（例えば、熱又は光により）ラジカル化学種を生成してラジカル反応（例えば、モノマーのラジカル重合）を促進する化合物である。開始剤は、熱開始剤又は光開始剤である。開始剤は、特に制限されず、適切に選択される。
【0174】
熱開始剤は、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルペルオキシドなどを含むが、これに制限されない。光開始剤は、トリアジン系化合物、アセトフェノン化合物、ベンゾフェノン化合物、チオキサントン化合物、ベンゾイン化合物、オキシムエステル化合物、アミノケトン化合物、ホスフィン又はホスフィンオキシド化合物、カーバゾール系化合物、ジケトン類化合物、スルホニウムボレート系化合物、ジアゾ系化合物、非イミダゾール系化合物、又はこれらの組み合わせを含むが、これに制限されない。開始剤は、Ｉｇａｃｕｒｅ ７５４、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（Ｈｙｄｒｏｘｙｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ ｐｈｅｎｙｌ ｋｅｔｏｎｅ）（Ｉｒｇａｃｕｒｅ １８４、ＣＡＳ ９４７－１９－３）、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド（２，４，６－Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｏｙｌ ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ ｏｘｉｄｅ）（Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＴＰＯ、ＣＡＳ ７５９８０－６０－８）、オキシフェニル－酢酸２［２－オキソ－２－フェニル－アセトキシ－エトキシ］－エチルエステル、又はこれらの組み合わせを含む。
【0175】
インク組成物で、開始剤の含有量は使用された重合性モノマーの種類及び含有量を考慮して適切に調節される。一実施形態で、開始剤の含有量は、組成物の総重量（又は固形分の総重量）を基準に０．０１重量％以上、例えば１重量％以上、及び１０重量％以下、例えば９重量％以下、８重量％以下、７重量％以下、６重量％以下、又は５重量％以下であるが、これに制限されない。
【0176】
組成物で、金属酸化物微粒子は、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＢａＴｉＯ３、Ｂａ２ＴｉＯ４、ＺｎＯ、又はこれらの組み合わせを含む。組成物（又は複合体）内で金属酸化物の含有量は、総固形分を基準に１重量％以上、２重量％以上、３重量％以上、５重量％以上、又は１０重量％以上、及び５０重量％以下、４０重量％以下、３０重量％以下、２５重量％以下、２０重量％以下、１５重量％以下、１０重量％以下、７重量％以下、５重量％以下、又は３重量％以下である。
【0177】
金属酸化物粒子の直径は、特に制限されず、適切に選択される。金属酸化物粒子の直径は、１００ｎｍ以上、例えば１５０ｎｍ以上、又は２００ｎｍ以上、及び１０００ｎｍ以下、又は８００ｎｍ以下である。
【0178】
本実施形態によるインク組成物は重合（例えば、光重合）によりナノ粒子－複合体又はそのパターンを提供する。従って、本実施形態は、マトリックス及びマトリックス内に分散された上述した複数のナノ粒子を含む複合体を提供する。本実施形態の複数のナノ粒子又はこれらを含む複合体は、増加した水準の青色光吸収率（例えば、向上した励起光吸収率）と共に向上した光学的物性（例えば、増加した発光効率及び狭くなった半値幅）を有して所望する波長の光（例えば、第１光）を放出することができる。複合体はシート形態を有する。複合体はパターン化されたフィルムの形態である。一実施形態で、半導体ナノ粒子－ポリマーの複合体は、重合性モノマーの重合生成物（ポリマー）及び半導体ナノ粒子並びに第１有機リガンドを含む。一実施形態で、半導体ナノ粒子は重合生成物内にコロイド状に分散される。半導体ナノ粒子及び第１有機リガンドは、本明細書に記載した通りである。
【0179】
（ポリマー）マトリックスは、重合性モノマーの重合生成物を含む。マトリックスは、線状ポリマー、架橋されたポリマー、又はこれらの組み合わせを含む。架橋されたポリマーは、チオレン樹脂、架橋されたポリ（メタ）アクリレート、架橋されたポリウレタン、架橋されたエポキシ樹脂、架橋されたビニルポリマー、架橋されたシリコン樹脂、又はこれらの組み合わせを含む。一実施形態で、架橋されたポリマーは、上述した重合性モノマー及び選択により多重チオール化合物の重合生成物である。
【0180】
線状ポリマーは、炭素－炭素不飽和結合（例えば、炭素－炭素二重結合）に由来する繰り返し単位を含む。繰り返し単位はカルボン酸基を含む。線状ポリマーはエチレン繰り返し単位を含む。カルボン酸基含有繰り返し単位は、カルボン酸基及び炭素－炭素二重結合を含むモノマーに由来する単位、ジアンハイドライド残基を有するモノマーに由来する単位、又はこれらの組み合わせを含む。線状ポリマーはアルカリ可溶性バインダーポリマー又は樹脂である。一実施形態のインク組成物はアルカリ可溶性バインダーポリマー又は樹脂を含まない。
【0181】
一実施形態によるナノ粒子－ポリマーの複合体で、マトリックスの含有量は、複合体の総重量を基準に１０％以上、２０％以上、３０％以上、４０％以上、５０％以上、又は６０％以上である。マトリックスの含有量は、複合体の総重量を基準に９５％以下、９０％以下、８０％以下、７０％以下、６０％以下、又は５０％以下である。
【0182】
複合体は、例えば所定の厚さを有し、所定の含有量のナノ粒子を含む。インク組成物又はこれから製造される複合体は、厚さ１０マイクロメーターのフィルムの形態を含む。複合体はフィルム又はパターンの形態を有し、複合体の厚さは、例えば３０μｍ以下の厚さ、例えば２５μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下、１０μｍ以下、８μｍ以下、又は７μｍ以下、及び２μｍ超、例えば３μｍ以上、３．５μｍ以上、４μｍ以上、５μｍ以上、６μｍ以上、７μｍ以上、８μｍ以上、９μｍ以上、又は１０μｍ以上である。
【0183】
インク組成物又はこれから製造された複合体は、増加した入射光（例えば、青色光）吸収率を示す。複合体の入射光吸収率は、７０％以上、７３％以上、７５％以上、７７％以上、８０％以上、８３％以上、８５％以上、８７％以上、９０％以上、９３％以上、９５％以上、９７％以上、又は９９％以上である。複合体の青色光吸収率は、７０％～１００％、８０％～９８％、９５％～９９％、９６％～９８％、９０～９４％、又はこれらの組み合わせである。
【0184】
入射光吸収率（％）＝［（Ｂ－Ｂ’）／Ｂ］×１００ ・・・式８
Ｂ：入射光の光量
Ｂ’：複合体を通過した入射光の光量
Ｂ：入射光の光量
Ｂ’：複合体を通過した入射光の光量
【0185】
インク組成物は、重合により複合体を形成するように構成され、下記式３により定義される量子効率の維持率は、５０％以上、５１％以上、５５％以上、５７％以上、６０％以上、６５％以上、７０％以上、７５％以上、８０％以上、８５％以上、８８％以上、又は９０％以上である。
【0186】
量子効率の維持率（％）＝［重合後の半導体ナノ粒子含有複合体の量子効率／（例えば、インク組成物内での）半導体ナノ粒子の量子効率］×１００ ・・・式３
【0187】
量子効率の維持率は、８８％～１００％、９０％～９９％、９３％～９７％、又はこれらの組み合わせの範囲である。
【0188】
インク組成物は、（光）重合により複合体を形成するように構成され、下記式５により定義される工程維持率は、５０％以上、５１％以上、５５％以上、５７％以上、６０％以上、６５％以上、７０％以上、７５％以上、８０％以上、８５％以上、８８％以上、又は９０％以上である。
【0189】
工程維持率（％）＝［半導体ナノ粒子含有複合体の１８０℃で３０分間熱処理後量子効率／（光）重合後半導体ナノ粒子含有複合体の量子効率］×１００ ・・・式５
【0190】
複合体又はそれに含まれる半導体ナノ粒子は、（例えば、露光後、又は１８０℃で３０分間熱処理後）下記式６により得られる量子効率又は光変換率（ＣＥ）が５０％以上、５５％以上、６０％以上、６３％以上、６９％以上、又は７５％以上である。
【0191】
複合体の量子効率又は光変換率（％）＝［Ａ／（Ｂ－Ｂ’）］×１００ ・・・式６
Ａ：半導体ナノ粒子又は複合体から放出される第１光の光量
Ｂ：複合体に提供された入射光の光量
Ｂ’：複合体を通過した入射光の光量
Ａ：半導体ナノ粒子又は複合体から放出される第１光の光量
Ｂ：複合体に提供された入射光の光量
Ｂ’：複合体を通過した入射光の光量
【0192】
複合体は、光源上に配置される発光粒子を含むシート又は色変換パネル（例えば、発光型カラーフィルター）に使用される。
【0193】
従って、本実施形態は、上述したナノ粒子を含む色変換層（例えば、色変換構造物）又はこれを含む色変換パネルに関するものである。色変換層（例えば、色変換構造物）は本実施形態の複合体又はそのパターン化された膜を含む。色変換層は色変換区域を含む。
【0194】
色変換区域は（例えば、入射光照射により）第１光（又は緑色光）を放出するように構成された第１区域を含む。一実施形態で、第１区域は緑色画素に対応する。第１区域は第１複合体（例えば、発光型複合体）を含む。第１光は上述した通りである。第１光は緑色光である。緑色光の最大発光ピーク波長は、５００ｎｍ以上、５０１ｎｍ以上、５０４ｎｍ以上、５０５ｎｍ以上、又は５２０ｎｍ以上である。緑色光の最大発光ピーク波長は、５８０ｎｍ以下、５６０ｎｍ以下、５５０ｎｍ以下、５３０ｎｍ以下、５２５ｎｍ以下、５２０ｎｍ以下、５１５ｎｍ以下、又は５１０ｎｍ以下である。
【0195】
色変換区域は、（例えば、入射光照射により）第１光とは異なる第２光（例えば、赤色光）を放出するように構成された（例えば、１個以上の）第２区域を更に含む。第２区域は第２複合体を含む。第２区域のナノ粒子複合体は、第１区域のナノ粒子複合体とは異なる波長の（例えば、異なる色の）光を放出する量子ドットを含む。
【0196】
第２光は最大発光ピーク波長が６００ｎｍ～６５０ｎｍ（例えば、６２０ｎｍ～６５０ｎｍ）に存在する赤色光である。
【0197】
色変換パネルは、第１光及び第２光とは異なる第３光（例えば、青色光）を放出するか又は通過させる１個以上の）第３区域を更に含む。第３光は励起光（青色光及び選択により緑色光）を含む。第３光は最大ピーク波長が３８０ｎｍ以上（例えば、４４０ｎｍ以上、４４５ｎｍ以上、４５０ｎｍ以上、又は４５５ｎｍ以上）、及び４８０ｎｍ以下、４７５ｎｍ以下、４７０ｎｍ以下、４６５ｎｍ以下、又は４６０ｎｍ以下）の範囲にある青色光を含む。
【0198】
図１ａは、一実施形態による色変換パネルを模式的に示した断面図である。図１ｂは、一実施形態による電子素子（表示装置）の断面図であって、色変換層（例えば、色変換構造物）及び光源を含む電子素子（表示素子）の断面図である。
【0199】
図１ａを参照すると、色変換パネルは、選択により色変換層の各区域を定義する隔壁（例えば、ブラックマトリックス（ＢＭ）、バンク、又はこれらの組み合わせ）を更に含む。電子素子で、色変換層はＬＥＤ ｏｎ ｃｈｉｐ（例えば、マイクロＬＥＤ ｏｎ ｃｈｉｐ）上に配置される。
【0200】
図１ｂを参照すると、入射光（例えば、青色光）を放出するように構成された光源（例えば、ｂｌｕｅ ＬＥＤ）の下には光源を駆動するための回路（Ｓｉ Ｄｒｉｖｅｒ ＩＣ）が配置される。色変換層は、第１光（例えば、緑色光）を放出するナノ粒子を含む第１複合体、及び第２光（赤色光）を放出するナノ粒子を含む第２複合体、或いは第３光（例えば、入射光又は青色光）を放出又は通過させる第３複合体を含む。それぞれの複合体の間には（例えば、ケイ素又はケイ素酸化物などの無機物材料基盤又は有機物材料基盤の）隔壁が配置される。隔壁は、トレンチホール、ビアホール、又はこれらの組み合わせを含む。色変換層の光抽出面上には第１光学要素（例えば、吸収型カラーフィルター）が配置される。第１光学要素の上にはマイクロレンズなどの追加の光学要素が更に配置される。
【0201】
色変換層又はナノ粒子複合体のパターン化された膜は、本実施形態のインク組成物を使用してインクジェット印刷方式で製造される。
【0202】
図２は、一実施形態によるインク組成物を利用した（インクジェット印刷方式の）パターン形成工程を模式的に示した図である。
【0203】
図２を参照すると、このような方法は、インク組成物を製造する段階と、（例えば、電極及び選択によりバンク又はトレンチ型隔壁などによって画素領域がパターン化される）基板を提供する段階と、基板（又は画素領域）上にインク組成物を堆積して例えば第１複合体層（又は第１区域）を形成する段階と、を有する。上記方法は、基板（又は画素領域）上にインク組成物を堆積して例えば第２複合体層（又は第２区域）を形成する段階を含む。第１複合体層の形成及び第２複合体層の形成は同時に又は順次に行われる。
【0204】
インク組成物の堆積は（例えば、インク貯蔵所及び１個以上のプリントヘッドを有する）インクジェット又はノズルプリンティングシステムなどの適切な液晶吐出装置を使用して行われる。堆積されたインク組成物は、加熱により溶媒の除去及び重合を経て（第１又は第２）複合体層を提供する。このような方法は、簡単な方式で短時間に高度に精密なナノ粒子－ポリマーの複合体フィルム又はパターン化された膜を形成することができる。
【0205】
上述した半導体ナノ粒子又は複数の半導体ナノ粒子、これらを含む複合体（パターン）、又はこれらを含む色変換パネルは電子素子（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｄｅｖｉｃｅ）に含まれる。このような電子素子は、表示素子、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、クォントムドットＬＥＤ、センサー（ｓｅｎｓｏｒ）、太陽電池、イメージングセンサー、フォトディテクター、又は液晶表示素子を含むが、これらに制限されない。上述した半導体ナノ粒子又はこれを含む複合体は電子装置（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｐｐａｒａｔｕｓ）に含まれる。このような電子装置は、携帯端末装置、モニター、ノートＰＣ、テレビ、電光板、カメラ、自動車などを含むが、これに制限されない。電子装置は、量子ドットを含む表示素子（又は発光素子）を含む携帯端末装置、モニター、ノートＰＣ、又はテレビである。電子装置は量子ドットを含むイメージセンサーを含むカメラ又は携帯端末装置である。電子装置は量子ドットを含むフォトディテクターを含むカメラ又は自動車である。
【0206】
一実施形態で、電子素子又は表示素子（例えば、表示パネル）は、色変換層（又は色変換パネル）及び選択により光源を更に含む。光源は色変換層又は色変換パネルに入射光を提供するように構成される。一実施形態で、表示パネルは、発光パネル（又は光源）、上述した色変換パネル、発光パネルと色変換パネルとの間に位置する透光層を含む。色変換パネルは基板を含み、色変換層は基板上に配置される。（参照：図３ａ及び図４）
【0207】
一実施形態で、光源又は発光パネルは、発光要素に入射光を提供するように構成される。入射光は、４４０ｎｍ以上、例えば４５０ｎｍ以上、及び５８０ｎｍ以下、例えば４８０ｎｍ以下、４７０ｎｍ以下、又は４６０ｎｍ以下の範囲にある光発光ピーク波長を有する。
【0208】
一実施形態で、電子素子（例えば、光発光タイプの素子）はナノ粒子複合体のシート（ｓｈｅｅｔ）を含む。
【0209】
【0210】
図３ｂを参照すると、電子素子はバックライトユニット及び液晶パネル（ＬＣ）を含み、バックライトユニットは量子ドットポリマーの複合体シート（ＱＤシート）を含む。具体的に、バックライトユニットは、反射板（ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）、導光板（ＬＧＰ）、光源（青色ＬＥＤなど）、量子ドットポリマーの複合体シート（ＱＤシート）、光学フィルム（プリズム、二重輝度向上フィルム（Ｄｏｕｂｌｅ ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ ｅｎｈａｎｃｅ ｆｉｌｍ：ＤＢＥＦ）など）が積層された構造を有する。液晶パネル（ＬＣ）は、バックライトユニットの上に配置され、二つの偏光子（Ｐｏｌ）の間に液晶及びカラーフィルターを含む構造を有する。量子ドットポリマーの複合体シート（ＱＤシート）は光源から光を吸収して赤色光を発光する量子ドット及び緑色光を発光する量子ドットを含む。光源から提供される青色光は、量子ドットポリマーの複合体シートを経て、量子ドットから放出される赤色光及び緑色光と結合して白色光に変換される。この白色光は、液晶パネル内のカラーフィルターにより青色光、緑色光、及び赤色光に分離されて、画素別に外部に放出される。
【0211】
色変換パネルは基板を含み、色変換層は基板上に配置される。色変換層又は色変換パネルはナノ粒子複合体のパターン化された膜を含む。パターン化された膜は所望する光を放出するように構成された反復区画を含む。第２区域は赤色光放出区画である。第１区域は緑色光放出区画である。第３区域は青色光を放出又は透過する区画である。第１、第２、及び第３区域に関する詳細内容は上述した通りである。
【0212】
発光パネル又は光源は励起光を放出する要素である。励起光は青色光及び選択により緑色光を含む。光源はＬＥＤを含む。光源は有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）を含む。光源はマイクロＬＥＤを含む。第１区域及び第２区域の前面（光放出面）には、青色光（及び選択により緑色光）を遮断（例えば、反射又は吸収）する光学要素、例えば青色光（及び選択により緑色光）遮断層又は後述する第１光学フィルターが配置される。光源が青色光放出有機発光ダイオード及び緑色光放出有機発光ダイオードを含む場合、青色光が透過する第３区画上には緑色光除去フィルターが更に配置される。
【0213】
発光パネル又は光源は第１区域及び第２区域にそれぞれ対応する複数個の発光単位を含み、発光単位は、互いに対向する第１電極及び第２電極、並びに第１電極と第２電極との間に配置された（有機）電界発光層を含む。電界発光層は有機発光物質を含む。例えば、光源のそれぞれの発光単位は所定の波長の光（例えば、青色光、緑色光、又はこれらの組み合わせ）を放出するように構成された電界発光素子（例えば、有機発光ダイオード）を含む。電界発光素子及び有機発光ダイオードの構造及び材料は、知られており、特に制限されない。
【0214】
以下、図面を参照して表示パネル及び色変換パネルについてより詳しく説明する。
【0215】
図３ａ及び図４を参照すると、本実施形態による表示パネル又は電子素子１０００は、発光パネル１００又は光源、そして色変換パネル２００を含む。表示パネル又は電子素子は、発光パネル１００と色変換パネル２００との間に位置する透光層３００、発光パネル１００と色変換パネル２００とを結合する結合材４００、又はこれらの組み合わせを更に含むが、これに制限されない。透光層は、パッシベーション層、充填材料、エンキャプシュレーション層、又はこれらの組み合わせを含む。透光層材料は、適切に選択され、特に制限されない。透光層材料は、無機物、有機物、有機－無機ハイブリッド材料、又はこれらの組み合わせを含む。
【0216】
発光パネル１００及び色変換パネル２００は透光層３００を間に置いて互いに対向し、色変換パネル２００は発光パネル１００から光が放出される方向に配置される。結合材４００は、発光パネル１００及び色変換パネル２００の周縁に沿って配置され、例えばシーリング材である。
【0217】
【0218】
図５ａを参照すると、本実施形態による表示パネル１０００は、画像を表示するための表示領域１０００Ｄ、及び表示領域１０００Ｄの周辺に位置して結合材４００が配置される非表示領域１０００Ｐを含む。
【0219】
表示領域１０００Ｄは行（例えばｘ方向）及び／又は列（例えばｙ方向）に沿って配列された複数の画素ＰＸを含み、各画素ＰＸは互いに異なる色を表示する複数のサブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）を含む。ここでは一例として３個のサブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）が一つの画素をなしている構成を示したが、これに限定されず、白色サブ画素のような追加的なサブ画素を更に含み得、同一の色を表示するサブ画素が１個以上更に含まれ得る。複数の画素ＰＸは、例えばバイヤーマトリックス（Ｂａｙｅｒ ｍａｔｒｉｘ）、ペンタイルマトリックス（ＰｅｎＴｉｌｅ ｍａｔｒｉｘ）、ダイヤモンドマトリックス（ｄｉａｍｏｎｄ ｍａｔｒｉｘ）などで配列されるが、これに限定されるものではない。
【0220】
各サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）は三原色（ｔｈｒｅｅ ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）又は三原色の組み合わせの色を表示し、例えば赤色、緑色、青色、又はこれらの組み合わせの色を表示する。一例として、第１サブ画素ＰＸ１は赤色を表示し、第２サブ画素ＰＸ２は緑色を表示し、第３サブ画素ＰＸ３は青色を表示する。
【0221】
図面では全てのサブ画素が同一の大きさを有する例を示したが、これに限定されず、サブ画素のうちの少なくとも一つは他のサブ画素よりも大きいか又は小さくあり得る。図面では全てのサブ画素が同一の模様を有する例を示したが、これに限定されず、サブ画素のうちの少なくとも一つは他のサブ画素とは異なる模様を有することができる。
【0222】
一実施形態の表示パネル又は電子素子で、発光パネルは、基板及び基板上に配置される（例えば酸化物基盤の）ＴＦＴを含む。ＴＦＴ上には（例えば、タンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造を有する）発光素子が配置される。
【0223】
発光素子は、対向する第１電極と第２電極との間に発光層（例えば、青色発光層、緑色発光層、又はこれらの組み合わせ）を含む。それぞれの発光層の間には電荷発生層が配置される。第１電極及び第２電極は画素に対応するようにそれぞれ複数の電極要素でパターニングされる。第１電極はアノード又はカソードである。第２電極はカソード又はアノードである。
【0224】
発光素子は、有機ＬＥＤ、ナノロッドＬＥＤ、ミニＬＥＤ、マイクロＬＥＤ、又はこれらの組み合わせを含む。
【0225】
【0226】
一実施形態で、ミニＬＥＤは、１００マイクロメーター（μｍ）以上、１５０μｍ以上、２００μｍ以上～１ミリメートル以下、０．５ミリメートル以下、０．１５ミリメートル以下、又は０、１２ミリメートル以下の大きさを有するが、これに制限されない。一実施形態で、マイクロＬＥＤは、１００マイクロメーター未満、５０マイクロメーター以下、１０マイクロメーター以下の大きさを有する。マイクロＬＥＤの大きさは、０．１μｍ以上、０．５μｍ以上、１μｍ以上、又は５μｍ以上であるが、これに制限されない。
【0227】
図５ｂを参照すると、本実施形態で、発光素子１８０は、互いに対向する第１電極１８１及び第２電極１８２、第１電極１８１と第２電極１８２との間に位置する発光層１８３、そして選択的に第１電極１８１と発光層１８３との間及び第２電極１８２と発光層１８３との間に位置する補助層（１８４、１８５）を含む。
【0228】
第１電極１８１と第２電極１８２とは厚さ方向（例えばｚ方向）に沿って互いに対向するように配置され、第１電極１８１及び第２電極１８２のうちのいずれか一つはアノード（ａｎｏｄｅ）であり、他の一つはカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）である。第１電極１８１は、透光電極、半透過電極、又は反射電極であり、第２電極１８２は透光電極又は半透過電極である。透光電極又は半透過電極は、例えばインジウムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯ）、アルミニウムスズ酸化物（ＡｌＴＯ）、及びフッ素ドーピングされたスズ酸化物（ＦＴＯ）のような導電性酸化物、或いは銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、マグネシウム－アルミニウム（Ｍｇ－Ａｌ）、又はこれらの組み合わせを含む薄い厚さの単一層又は複数層の金属薄膜で作られる。反射電極は、金属、金属窒化物、又はこれらの組み合わせを含み、例えば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、これらの合金、これらの窒化物（例えばＴｉＮ）、又はこれらの組み合わせを含むが、これに限定されるものではない。
【0229】
複数の発光層１８３は、青色発光スペクトルを有する光を放出する第１発光体、緑色発光スペクトルを有する光を放出する第２発光体、又はこれらの組み合わせを放出する。
【0230】
青色発光スペクトルの最大発光波長は、約４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長領域に属し、上記範囲内で約４１０ｎｍ～４９０ｎｍ、約４２０ｎｍ～４８０ｎｍ、４３０ｎｍ～４７０ｎｍ、４４０ｎｍ～４６５ｎｍ、４４５ｎｍ～４６０ｎｍ、４５０ｎｍ～４５８ｎｍ、又はこれらの組み合わせの範囲の波長領域に属する。
【0231】
緑色発光スペクトルの最大発光波長は、約５００ｎｍ以上５９０ｎｍ未満の波長領域に属し、上記範囲内で約５１０ｎｍ～５８０ｎｍ、約５１５ｎｍ～５７０ｎｍ、５２０ｎｍ～５６０ｎｍ、５２５ｎｍ～５５５ｎｍ、５３０ｎｍ～５５０ｎｍ、５３５ｎｍ～５４５ｎｍ、又はこれらの組み合わせの範囲の波長領域に属する。
【0232】
一例として、複数の発光層１８３又はそれらに含まれる発光体は、燐光物質、蛍光物質、又はこれらの組み合わせを含む。一例として、発光体は有機発光体を含み、有機発光体は、低分子化合物、高分子化合物、又はこれらの組み合わせである。燐光物質及び蛍光物質の具体的な種類は、特に制限されず、公知の材料の中から適切に選択される。一例として、発光体は無機発光体を含み、無機発光体は、無機半導体、量子ドット、ペロブスカイト、又はこれらの組み合わせである。無機半導体は、金属窒化物、金属酸化物、又はこれらの組み合わせを含む。金属窒化物、金属酸化物、又はこれらの組み合わせは、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムなどのＩＩＩ族金属、ケイ素、ゲルマニウム、スズなどのＩＶ族金属、又はこれらの組み合わせを含む。発光体が無機発光体を含む場合、発光素子１８０は、量子ドット発光ダイオード、ペロブスカイト発光ダイオード、又はマイクロ発光ダイオード（μＬＥＤ）である。無機発光体として使用可能な材料は知られている。
【0233】
一実施形態で、発光素子１８０は補助層（１８４、１８５）を更に含む。補助層（１８４、１８５）はそれぞれ第１電極１８１と発光層１８３との間及び第２電極１８２と発光層１８３との間に位置する。補助層（１８４、１８５）は、それぞれ電荷の注入及び／又は移動性を調節するための電荷補助層である。補助層（１８４、１８５）は、それぞれ１層又は２層以上であり、例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、電子注入層、電子輸送層、正孔遮断層、又はこれらの組み合わせである。補助層（１８４、１８５）のうちの少なくとも一つは省略される。それぞれの補助層のための材料は、有機電界発光素子などに対して知られている材料の中から適切に選択される。
【0234】
各サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）に配置された発光素子１８０は互いに同一であるか又は異なる。各サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）に配置された発光素子１８０は互いに同一であるか又は異なる発光スペクトルの光を放出する。各サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）に配置された発光素子１８０は、例えばそれぞれ青色発光スペクトルの光、緑色発光スペクトルの光、又はこれらの組み合わせを放出する。各サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）に配置された発光素子１８０は画素定義膜（図示せず）により分離される。
【0235】
図５ｃを参照すると、発光素子１８０は、タンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造の発光素子であり、互いに対向する第１電極１８１及び第２電極１８２、第１電極１８１と第２電極１８２との間に位置する第１発光層１８３ａ及び第２発光層１８３ｂ、第１発光層１８３ａと第２発光層１８３ｂとの間に位置する電荷生成層（ｃｈａｒｇｅ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）１８６、そして選択的に第１電極１８１と第１発光層１８３ａとの間及び第２電極１８２と第２発光層１８３ｂとの間に位置する補助層（１８４、１８５）を含む。
【0236】
第１電極１８１、第２電極１８２、及び補助層（１８４、１８５）は上述した通りである。
【0237】
第１発光層１８３ａと第２発光層１８３ｂとは互いに同一であるか又は異なる発光スペクトルの光を放出する。一実施形態で、第１発光層１８３ａ又は第２発光層１８３ｂは青色発光スペクトルの光又は緑色発光スペクトルの光を放出する。電荷生成層１８６は、第１発光層１８３ａ及び／又は第２発光層１８３ｂに電荷を注入し、第１発光層１８３ａと第２発光層１８３ｂとの間で電荷均衡を調節する。電荷生成層１８６は、例えばｎ型層及びｐ型層を含み、例えばｎ型ドーパント及び／又はｐ型ドーパントが含まれる電子輸送物質及び／又は正孔輸送物質を含む。電荷生成層１８６は１層又は２層以上である。
【0238】
図５ｄを参照すると、（例えば、タンデム構造を有する）発光素子は、互いに対向する第１電極１８１及び第２電極１８２、第１電極１８１と第２電極１８２との間に位置する第１発光層１８３ａ、第２発光層１８３ｂ、及び第３発光層１８３ｃ、第１発光層１８３ａと第２発光層１８３ｂとの間に位置する第１電荷生成層１８６ａ、第２発光層１８３ｂと第３発光層１８３ｃとの間に位置する第２電荷生成層１８６ｂ、そして選択的に第１電極１８１と第１発光層１８３ａとの間及び第２電極１８２と第３発光層１８３ｃとの間に位置する補助層（１８４、１８５）を含む。
【0239】
第１電極１８１、第２電極１８２、及び補助層（１８４、１８５）は上述した通りである。
【0240】
第１発光層１８３ａ、第２発光層１８３ｂ、及び第３発光層１８３ｃは互いに同一であるか又は異なる発光スペクトルの光を放出する。第１発光層１８３ａ、第２発光層１８３ｂ、及び第３発光層１８３ｃは青色光を放出する。一実施形態で、第１発光層１８３ａ及び第３発光層１８３ｃは青色発光スペクトルの光を放出し、第２発光層１８３ｂは緑色発光スペクトルの光を放出する。他の実施形態で、第１発光層１８３ａ及び第３発光層１８３ｃは緑色発光スペクトルの光を放出し、第２発光層１８３ｂは青色発光スペクトルの光を放出する。
【0241】
第１電荷生成層１８６ａは、第１発光層１８３ａ及び／又は第２発光層１８３ｂに電荷を注入し、第１発光層１８３ａと第２発光層１８３ｂとの間で電荷均衡を調節する。第２電荷生成層１８６ａは、第２発光層１８３ｂ及び／又は第３発光層１８３ｃに電荷を注入し、第２発光層１８３ｂと第３発光層１８３ｃとの間で電荷均衡を調節する。第１及び第２電荷生成層（１８６ａ、１８６ｂ）はそれぞれ１層又は２層以上である。
【0242】
図５ｅを参照すると、発光素子１８０は、第１電極１８１、第２電極１８２、及び複数のナノ構造体１８７を含む発光層１８３を含む。
【0243】
第１電極１８１及び第２電極１８２のうちのいずれか一つはアノードであり、他の一つはカソードである。第１電極１８１及び第２電極１８２は、複数のナノ構造体１８７の配列方向によりパターン化された電極であり、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯ）、アルミニウムスズ酸化物（ＡｌＴＯ）及びフッ素ドーピングされたスズ酸化物（ＦＴＯ）のような導電性酸化物；銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、これらの合金、これらの窒化物（例えばＴｉＮ）；又はこれらの組み合わせを含むが、これに限定されるものではない。
【0244】
発光層１８３は、複数のナノ構造体１８７を含み、各サブ画素（ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３）は複数のナノ構造体１８７を含む。複数のナノ構造体１８７は、一方向に沿って配列されるが、これに限定されるものではない。ナノ構造体１８７は、電流を加えると所定波長の光を放出する化合物半導体であり、例えばナノロッド（ｎａｎｏｒｏｄ）又はナノニードル（ｎａｎｏｎｅｅｄｌｅ）のような線状ナノ構造体である。ナノ構造体１８７の直径又は長径は例えば数～数百ナノメートルであり、ナノ構造体１８７のアスペクト比（ａｓｐｅｃｔ－ｒａｔｉｏ）は、約１超、約１．５以上、約２．０以上、約３．０以上、約４．０以上、約４．５以上、又は約５．０以上、或いは約１超２０以下、約１．５～２０、約２．０～２０、約３．０～２０、約４．０～２０、約４．５～２０、又は約５．０～２０、又はこれらの組み合わせの範囲である。
【0245】
各ナノ構造体１８７は、ｐ型領域１８７ｐ、ｎ型領域１８７ｎ、及び多重量子ウエル（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍｗ ｅｌｌ）領域１８７ｉを含み、多重量子ウエル領域１８７ｉで光を放出する。ナノ構造体１８７は、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）、インジウム窒化ガリウム（ＩｎＧａＮ）、アルミニウム窒化ガリウム（ＡｌＧａＮ）、又はこれらの組み合わせを含み、例えばコア－シェル構造を有する。
【0246】
複数のナノ構造体１８７は互いに同一であるか又は異なる発光スペクトルの光を放出する。一実施形態で、第１ナノ構造体１８７ａは、青色発光スペクトルの光を放出し、例えば約４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満、約４１０ｎｍ～４９０ｎｍ、又は約４２０ｎｍ～４８０ｎｍの波長領域に最大発光波長を有する青色発光スペクトルの光を放出する。
【0247】
【0248】
図６を参照すると、光源（又は発光パネル）は青色光（及び選択により緑色光）を放出する有機発光ダイオードを含む。有機発光ダイオードは、基板上に形成された２以上の画素電極、隣接する画素電極の間に形成された画素定義膜、及びそれぞれの画素電極上に形成された有機発光層、有機発光層上に形成された共通電極層を含む。有機発光ダイオードの下には薄膜トランジスター及び基板が配置される。ＯＬＥＤの画素領域は後述する第１、２、３区域に対応して配置される。図６では色変換パネルと発光パネルとが分離された形態で示しているが、発光パネルの真上に色変換パネルが積層されてもよい。
【0249】
光源上にはナノ粒子複合体の（例えば、赤色量子ドットを含む第１区域及び緑色量子ドットを含む第２区域）パターン及び基板を含む積層構造物が配置される。光源から放出された青色光は第１区域及び第２区域に入射してそれぞれ赤色及び緑色光を放出する。光源から放出された青色光は第３区域を通過する。ナノ粒子複合体層（Ｒ、Ｇ）と基板との間には選択により励起光を遮断する要素（第１光学フィルター又は励起光遮断層）が配置される。励起光が青色光及び緑色光を含む場合、第３区域には緑色光遮断フィルターが追加される。第１光学フィルター又は励起光遮断層については以下でより詳しく説明する。
【0250】
このような素子は、上述した色変換パネルと（例えば、青色光及び選択により緑色光を放出する）ＬＥＤ又はＯＬＥＤとを別途に製造した後に結合されて製造される。代案的に、素子は、ＬＥＤ又はＯＬＥＤ上にナノ粒子複合体のパターンを直接形成することにより製造すされる。
【0251】
一実施形態の色変換パネル又は表示素子で、基板は絶縁材料を含む基板である。基板は、ガラス；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリレートなどのような多様なポリマー；ポリシロキサン（例えば、ＰＤＭＳ）；Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯなどの無機材料；又はこれらの組み合わせを含むが、これに制限されない。基板の厚さは、基板材料などを考慮して適切に選択され、特に制限されない。基板は柔軟性である。基板は、量子ドットから放出される光に対して透過率が５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、又は９０％以上になるように構成される。
【0252】
基板上には薄膜トランジスターなどを含む配線層が形成される。配線層には、ゲート線、維持電圧線、ゲート絶縁膜、データ線、ソース電極、ドレイン電極、半導体、保護膜などが更に含まれる。配線層の詳細構造は実施形態により多様になる。ゲート線と維持電圧線とは互いに電気的に分離され、データ線はゲート線及び維持電圧線に絶縁交差する。ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極は、それぞれ薄膜トランジスターの制御端子、入力端子、及び出力端子を構成する。ドレイン電極は後述する画素電極に電気的に連結される。
【0253】
画素電極は表示装置の電極（例えばアノード）として機能する。画素電極はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような透明な導電物質で形成される。或いは、画素電極は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）などの遮光性を有する物質で形成される。画素電極は上述した透明な導電物質と上述した遮光性を有する物質とが順次積層された２層構造を有することもできる。
【0254】
隣接する二つの画素電極の間には、画素電極末端にオーバーラップ（ｏｖｅｒｌａｐ）して画素電極を画素（ｐｉｘｅｌ）単位で区分する画素定義層（ｐｉｘｅｌ ｄｅｆｉｎｅ ｌａｙｅｒ：ＰＤＬ）が形成される。画素定義層は、絶縁層であり、２以上の画素電極を電気的に遮断する。
【0255】
画素定義層は、画素電極の上部面の一部分だけを覆い、画素定義層により覆われない画素電極の残りの部分は開口部を形成する。開口部として限定された領域の上に後述する有機発光層が形成される。
【0256】
有機発光層は上述した画素電極及び画素定義層によりそれぞれの画素領域として定義される。即ち、画素定義層により区分された一つの画素電極に接触する一つの有機発光単位層が形成された領域を一つの画素領域として定義する。一実施形態による表示装置で、有機発光層は、第１画素領域、第２画素領域、及び第３画素領域として定義され、それぞれの画素領域は画素定義層により所定間隔で離隔される。
【0257】
有機発光層は可視光領域に属するか又はＵＶ領域に属する第３光を発光する。有機発光層の第１～第３画素領域のそれぞれが全て第３光を発光する。一実施形態で、第３光は、可視光領域の光のうちの高いエネルギーを有する光、例えば青色光（及び選択により緑色光）を含む。有機発光層の各画素領域の全てが同一の光を発光するように設計される場合、有機発光層の各画素領域が全て同一又は類似の物質で形成されるか、或いは同一又は類似の物性を示す。従って有機発光層の形成工程の難易度を大幅に下げることができるため、このような表示装置を大型化／大面積化工程にも容易に適用される。但し、本実施形態による有機発光層が必ずしもこれに限定されるものではなく、有機発光層が互いに異なる２以上の光を発光するように設定され得る。
【0258】
有機発光層は各画素領域別に有機発光単位層を含み、各有機発光単位層は発光層以外にも付帯層（例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層など）を更に含む。
【0259】
共通電極は表示装置のカソードとして機能する。共通電極はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような透明な導電物質で形成される。共通電極は有機発光層上に一体に形成される。
【0260】
平坦化層又はパッシベーション層（図示せず）が共通電極上に形成される。平坦化層は共通電極との電気絶縁性を確保するために（例えば、透明な）絶縁性素材を含む。
【0261】
一実施形態で、表示装置は、下部基板、下部基板の下に配置される偏光板、そして積層構造物と下部基板との間に介される液晶層を更に含み、積層構造物は光発光層が液晶層に対面するように配置される。表示装置は、液晶層と発光層との間に偏光板を更に含む。光源はＬＥＤ及び選択により導光板を更に含む。
【0262】
一実施形態による表示装置（例えば、液晶ディスプレイ装置）を、図面を参照して説明する。
【0263】
図７は、一実施形態による表示素子（例えば、液晶表示素子）を模式的に示した断面図である。
【0264】
図７を参照すると、本実施形態の表示素子は、液晶パネル２００、液晶パネル２００の下に配置された偏光板３００、及び偏光板３００の下に配置されたバックライトユニット（ＢＬＵ）を含む。
【0265】
液晶パネル２００は、下部基板２１０、積層構造物、積層構造物と下部基板との間に介する液晶層２２０を含む。積層構造物は、透明基板２４０及び量子ドットポリマーの複合体のパターンを含む自発光層２３０を含む。
【0266】
アレイ基板とも呼ばれる下部基板２１０は透明な絶縁材料基板である。基板に関する内容は上述した通りである。下部基板２１０の上面には配線板２１１が提供される。配線板２１１は、画素領域を定義する多数個のゲート配線（図示せず）、データ配線（図示せず）、ゲートル配線とデータ配線との交差部に隣接して提供される薄膜トランジスター、各画素領域のための画素電極を含むが、これに制限されない。このような配線板の具体的内容は知られており、特に制限されない。
【0267】
配線板２１１の上には液晶層２２０が提供される。液晶層２２０は、その内部に含まれる液晶物質の初期配向のために、液晶層の上下に配向膜２２１を含む。液晶物質及び配向膜に関する具体的内容（例えば、液晶物質、配向膜材料、液晶層形成方法、液晶層の厚さなど）は知られており、特に制限されない。
【0268】
下部基板の下には下部偏光板３００が提供される。偏光板３００の材質及び構造は知られており、特に制限されない。偏光板３００の下には（例えば、青色光を発する）バックライトユニットが提供される。液晶層２２０と透明基板２４０との間に上部光学素子又は偏光板３００が提供されるが、これに制限されない。例えば、上部偏光板は液晶層２２０と光発光層２３０との間に配置される。偏光板は液晶ディスプレイ素子で使用される任意の偏光子である。偏光板は、２００μｍ以下の薄い厚さを有するＴＡＣ（ｔｒｉａｃｅｔｙｌ ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）であるが、これに制限されない。他の実施形態で、上部光学素子は、偏光機能のない屈折率調節コーティングである。
【0269】
バックライトユニットは光源１１０を含む。光源は青色光又は白色光を放出する。光源は、青色ＬＥＤ、白色ＬＥＤ、白色ＯＬＥＤ、又はこれらの組み合わせを含むが、これに制限されない。
【0270】
バックライトユニットは導光板１２０を更に含む。一実施形態で、バックライトユニットはエッジ型である。例えば、バックライトユニットは、反射板（図示せず）、反射板上に提供されて液晶パネル２００に面光源を供給するための導光板（図示せず）、導光板上部に位置する一つ以上の光学シート（図示せず）、例えば拡散板、プリズムシートなどを含むが、これに制限されない。バックライトユニットは導光板を含まなくてもよい。一実施形態で、バックライトユニットは直下型（ｄｉｒｅｃｔ ｌｉｇｈｔｉｎｇ）である。例えば、バックライトユニットは、反射板（図示せず）を有し、反射板の上部に一定の間隔で配置された多数の蛍光ランプを有するか又は多数の発光ダイオードが配置されたＬＥＤ用駆動基板を備え、その上に拡散板及び選択により一つ以上の光学シートを有する。このようなバックライトユニットに関する詳細内容（例えば、発光ダイオード、蛍光ランプ、導光板、各種光学シート、反射板などの各部品に関する詳細な内容など）は知られており、特に制限されない。
【0271】
透明基板２４０の底面には、開口部を含み、下部基板上に提供された配線板のゲート線、データ線、薄膜トランジスターなどを遮蔽するブラックマトリックス２４１が提供される。例えば、ブラックマトリックス２４１は格子形状を有する。ブラックマトリックス２４１の開口部に、第１光（例えば赤色光）を放出する第１区域Ｒ、第２光（例えば緑色光）を放出する第２区域Ｇ、及び例えば青色光を放出／透過させる第３区域Ｂを含むナノ粒子－ポリマーの複合体パターンを有する自発光層２３０が提供される。所望する場合、自発光層は、一つ以上の第４区画を更に含む。第４区画は、第１～３区画から放出される光とは異なる色（例えば、青緑色（ｃｙａｎ）、赤紫色（ｍａｇｅｎｔａ）、及び黄色（ｙｅｌｌｏｗ））の光を放出する量子ドットを含む。
【0272】
光発光層２３０で、パターンを形成する区画は下部基板に形成された画素領域に対応して反復される。自発光カラーフィルター層の上には透明共通電極２３１が提供される。
【0273】
青色光を透過／放出する第３区域Ｂは光源の発光スペクトルを変更しない透明カラーフィルターである。この場合、バックライトユニットから放出された青色光が偏光板及び液晶層を経て偏光された状態で入射してそのまま放出される。必要な場合、第３区域は、青色光を放出する量子ドットを含む。
【0274】
上述した通り、所望する場合、一実施形態の表示装置又は発光素子は、励起光遮断層又は第１光学フィルター層（以下、第１光学フィルター層という）を更に有する。第１光学フィルター層は、第１区域Ｒ及び第２区域Ｇの底面と基板（例えば、上部基板２４０）との間に又は基板の上面に配置される。第１光学フィルター層は、青色を表示する画素領域（第３区域）に対応する部分に開口部を有するシートであるため、第１及び第２区域に対応する部分に形成される。即ち、第１光学フィルター層は、図２ａ、２ｂ、及び図３に示したように第３区域に重なる位置を除いた残りの位置に一体に形成されるが、これに制限されない。第１及び第２区域、そして選択により第３区域にそれぞれ重なる位置に２以上の第１光学フィルター層がそれぞれ離隔配置され得る。光源が緑色光放出要素を含む場合、第３区域上には緑色光遮断層が配置される。
【0275】
第１光学フィルター層は、例えば可視光領域のうちの一部の波長領域の光を遮断し、残りの波長領域の光を透過し、例えば青色光（又は緑色光）を遮断し、青色光（又は緑色光）を除いた光を透過する。第１光学フィルター層は、例えば緑色光、赤色光、及び／又はこれらの混色光である黄色光を透過する。第１光学フィルター層は、青色光を透過し、緑色光を遮断し、青色光放出ピクセル上に配置される。
【0276】
第１光学フィルター層は、励起光を実質的に遮断し、所望する波長領域の光を透過する。第１光学フィルター層の所望する波長領域の光に対する透過能は、約７０％以上、８０％以上、９０％以上、更には１００％である。
【0277】
赤色光を選択的に透過する第１光学フィルター層は赤色光放出区画に重なる位置に、緑色光を選択的に透過する第１光学フィルター層は緑色光放出区画に重なる位置にそれぞれ配置される。第１光学フィルター層は、青色光及び赤色光を遮断（例えば、吸収）し、所定の範囲（例えば、約５００ｎｍ以上、約５１０ｎｍ以上、又は約５１５ｎｍ以上、及び約５５０ｎｍ以下、約５４５ｎｍ以下、約５４０ｎｍ以下、約５３５ｎｍ以下、約５３０ｎｍ以下、約５２５ｎｍ以下、又は約５２０ｎｍ以下）の光を選択的に透過する第１領域、及び青色光及び緑色光を遮断（例えば、吸収）し、所定の範囲（例えば、約６００ｎｍ以上、約６１０ｎｍ以上、又は約６１５ｎｍ以上、及び約６５０ｎｍ以下、約６４５ｎｍ以下、約６４０ｎｍ以下、約６３５ｎｍ以下、約６３０ｎｍ以下、約６２５ｎｍ以下、又は約６２０ｎｍ以下）の光を選択的に透過する第２領域のうちの少なくとも一つを含む。光源が青色及び緑色の混合光を放出する場合、第１光学フィルターは、青色光を選択的に透過し、緑色光を遮断する第３領域を更に含む。
【0278】
第１領域は緑色光放出区画に重なる位置に配置される。第２領域は赤色光放出区画に重なる位置に配置される。第３領域は青色光放出領域に重なる位置に配置される。
【0279】
第１領域、第２領域、及び選択により第３領域は光学的に孤立する。このような第１光学フィルター層は表示素子の色純度の向上に寄与する。
【0280】
表示素子は、光発光層と液晶層との間に（例えば、光発光層と上部偏光子との間に）配置され、第３光（励起光）の少なくとも一部を透過し、第１光及び／又は第２光の少なくとも一部を反射する第２光学フィルター層（例えば、赤色／緑色光又は黄色光リサイクル層）を更に含む。第１光は赤色光であり、第２光は緑色光であり、第３光は青色光である。第２光学フィルター層は、５００ｎｍ以下の波長領域を有する青色光波長領域の第３光（Ｂ）のみを透過し、５００ｎｍを超える波長領域の光、即ち緑色光（Ｇ）、黄色光、赤色光（Ｒ）などが第２光学フィルター層１４０を通過せずに反射するようにする。反射した緑色光、赤色光は、第１及び第２区域を通過して表示装置１０の外部に放出される。
【0281】
第２光学フィルター層又は第１光学フィルター層は比較的に平坦な面を有する一体の層で形成される。
【0282】
第１光学フィルター層は遮断しようとする波長の光を吸収する染料及び／又は顔料を含む高分子薄膜を含む。第２光学フィルター層及び第１光学フィルター層は、低い屈折率を有する単一層を含み、例えば屈折率が１．４以下、１．３以下、又は１．２以下である透明薄膜である。低屈折率を有する第２光学フィルター層又は第１光学フィルター層は、例えば多孔性シリコン酸化物、多孔性有機物、多孔性有機／無機複合体、又はこれらの組み合わせである。
【0283】
第１光学フィルター層又は第２光学フィルター層は屈折率が異なる複数の層を含む。屈折率が異なる２層は交互に積層されて形成される。例えば、高屈折率を有する素材と低屈折率を有する素材とを交互に積層して第１／２光学フィルター層を形成する。
【0284】
以下、具体的な実施例を提示する。但し、下記に記載した実施例は発明を具体的に例示するか又は説明するためのものに過ぎず、これにより発明の範囲が制限されてはならない。
【0285】
［実施例］
【0286】
＜分析方法＞
【0287】
［１］光発光（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）分析
【0288】
Ｈｉｔａｃｈｉ Ｆ－７０００スペクトロフォトメーターを利用して波長４５０ｎｍの励起光を使用して半導体ナノ粒子及びこれを含む複合体の光発光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＰＬ）スペクトルを得る。
【0289】
［２］ＩＣＰ分析
【0290】
Ｓｈｉｍａｄｚｕ ＩＣＰＳ－８１００を使用して誘導結合プラズマ原子発光分光分析（ＩＣＰ－ＡＥＳ）を行う。
【0291】
［３］青色光吸収率、量子効率（ＱＹ）、及び光変換率
【0292】
絶対量子効率測定装備（ＱＥ－２１００、Ｏｔｓｕｋａ）の積分球又は積分半球を使用して波長４５０ｎｍを有する入射光の光量（Ｂ）を測定する。次に、ＱＤポリマーの複合体を積分球又は積分半球に入れ、入射光を照射して複合体から出た第１光の光量（Ａ）及び複合体を通過した入射光の光量（Ｂ’）を測定する。
【0293】
測定された値から、下記の式７により入射光吸収率を求める。
青色光吸収率（％）＝［（Ｂ－Ｂ’）／Ｂ］×１００
量子効率（％）＝［Ａ／Ｂ］×１００
光変換効率（ＣＥ、％）＝［Ａ／［（Ｂ－Ｂ’）］×１００ ・・・式７
青色光吸収率（％）＝［（Ｂ－Ｂ’）／Ｂ］×１００
量子効率（％）＝［Ａ／Ｂ］×１００
光変換効率（ＣＥ、％）＝［Ａ／［（Ｂ－Ｂ’）］×１００ ・・・式７
【0294】
＜参照例１＞：
【0295】
オレイルアミン内に銀アセテートを溶解して０．０６Ｍ（モル濃度）の銀前駆体含有溶液（以下、銀前駆体という）を準備する。オレイルアミン内に硫黄を分散させて１Ｍの硫黄前駆体含有溶液（以下、硫黄前駆体という）を準備する。エタノールにインジウムクロリドを溶解して０．２Ｍのインジウム前駆体含有溶液（以下、インジウム前駆体という）を準備する。
【0296】
１００ｍＬ反応フラスコでガリウムアセチルアセトネート、オクタデセン（ＯＤＥ）、及びドデカンチオールを入れて１２０℃で、真空下で１０分間加熱する。フラスコを常温で冷まし、フラスコ内の気体を窒素に置き換えた後、銀前駆体、硫黄前駆体、及びインジウム前駆体を入れてフラスコ温度を反応温度（２１０℃）に上げて６０分以内の時間で反応させる。フラスコ温度を１８０℃まで下げてトリオクチルホスフィン（ＴＯＰ）を付加した後、常温で冷ます。得られた混合物にヘキサン及びエタノールを付加して沈澱を促進する。得られた第１半導体ナノ結晶を遠心分離により回収してトルエンに再分散する。
【0297】
使用されたインジウム前駆体、ガリウム前駆体、硫黄前駆体のモル比は１：２．３：４．８である。
【0298】
ガリウムクロリドをトルエンに溶解して４．５Ｍのガリウム前駆体含有溶液（以下、ガリウム前駆体）を準備する。
【0299】
フラスコにジメチルチオ尿素（ＤＭＴＵ）、オレイルアミン、ドデカンチオールを入れて１２０℃で１０分間真空処理する。Ｎ２で反応フラスコの中を置き換えた後、２４０℃（所定の温度）で加熱した後、上記で製造した第１半導体ナノ結晶（発光波長５２４ｎｍ、半値幅４４ｎｍ）にガリウム前駆体及び銀前駆体を付加する。次に、反応器を３２０℃（反応温度）まで加熱して１０分（第１時間）程度反応させる。反応液の温度を１８０℃に作ってトリオクチルホスフィンを付加した後、常温で冷ます。ヘキサン及びエタノールを付加して生成されたナノ粒子を沈殿させて得られた半導体粒子を遠心分離により回収してトルエンに再分散する。製造されたナノ粒子のＱＹを測定する。（クルード（Ｃｒｕｄｅ）状態ＱＹ）
【0300】
使用されたガリウム前駆体、銀前駆体、及び硫黄前駆体のモル比は１：０．５：１とする。得られたナノ粒子に対してＩＣＰ－ＡＥＳ分析を行い、その結果を表１に整理する。
【0301】
＜実施例１＞：リガンド交換された半導体ナノ粒子の製造及びインク組成物／複合体の製造
【0302】
［１］リガンド交換反応
【0303】
参照例１で得られた半導体ナノ粒子のトルエン分散液に亜鉛オリエートを常温で付加して３時間攪拌する。得られた反応液にエタノールを付加して粒子の沈澱を誘導し、遠心分離により亜鉛塩処理された半導体ナノ粒子を回収する。得られたナノ粒子に対してＩＣＰ－ＡＥＳ分析を行い、その結果を表１に整理する。
【0304】
第１有機リガンドとして下記化学式Ｒ１を有する２－カルボキシエチルアクリレート（２－Ｃａｒｂｏｘｙｅｔｈｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）（ＣＡＳ Ｎｏ：２４６１５－８４－７、購入先：シグマアルドリッチ社）をトルエンに溶解して第１有機リガンド溶液をそれぞれ準備する。亜鉛塩化物溶液（溶媒：アセトン）を準備する、
【0305】
【化R1】
【0306】
亜鉛塩処理された半導体ナノ粒子をトルエンに分散させて分散液を準備する。分散液に第１リガンド化合物溶液及び亜鉛塩化物溶液を混合し、常温で３時間以上攪拌してリガンド交換反応を行う。
【0307】
次に、反応液にヘキサンを付加して粒子の沈澱を誘導し、遠心分離によりリガンド交換された半導体ナノ粒子を回収して乾燥する。
【0308】
量子ドット（半導体ナノ結晶粒子）１モルに対する第１有機リガンドの含有量は４０００モルである。亜鉛塩化物の含有量は有機リガンド含量を基準に５モル％とした。
【0309】
得られたナノ粒子に対してＩＣＰ－ＡＥＳ分析を行い、その結果を表１に整理する。
【0310】
［２］インク組成物の製造及び複合体の形成
ヘキサンジオールジアクリレート（モノマー）に上記で製造した半導体ナノ粒子、チタン酸化物ナノ粒子、及び開始剤を付加してインク組成物を製造する。
ヘキサンジオールジアクリレート（モノマー）に上記で製造した半導体ナノ粒子、チタン酸化物ナノ粒子、及び開始剤を付加してインク組成物を製造する。
【0311】
組成物内の半導体ナノ粒子含有量、チタン酸化物ナノ粒子含有量、及び開始剤含有量はそれぞれ２０重量％、５重量％、及び１重量％であり、残りはモノマーである。
【0312】
得られたインク組成物内で半導体ナノ粒子の量子効率（ＱＹ）を測定し、その結果を表２に整理する。
【0313】
製造された組成物を基板上に堆積し、露光させて（露光量１２Ｊｏｕｌｅ）光重合を行って厚さ７μｍのフィルムを得る。製造されたフィルムに対して光変換効率（ＣＥ）を測定し、その結果を表２に整理する。
【0314】
得られたフィルムを１８０℃で３０分間熱処理し、熱処理されたフィルムの光変換効率（ＣＥ）を測定する。その結果を表２に整理する。
【0315】
＜実施例２＞
【0316】
第２有機リガンドとして下記の化学式Ｒ４の３－メルカプトプロピオン酸メチルエステル（３－Ｍｅｒｃａｐｔｏｐｒｏｐｉｏｎｉｃ Ａｃｉｄ Ｍｅｔｈｙｌ Ｅｓｔｅｒ）（ＣＡＳ Ｎｕｍｂｅｒ：２９３５－９０－２、購入先：シグマアルドリッチ社）をトルエンに溶解して第２リガンド溶液を準備する。
【0317】
【化R4】
【0318】
分散液に第１有機リガンド溶液、第２有機リガンド溶液、及び亜鉛塩化物溶液を混合して常温で３時間程度攪拌することを除き、実施例１と同様な方式でリガンド交換された半導体ナノ粒子を製造する。得られたナノ粒子に対してＩＣＰ－ＡＥＳ分析を行い、その結果を表１に整理する。
【0319】
リガンド交換反応に使用された第１有機リガンドの含有量（モル）及び第２有機リガンドの含有量（モル）比は２：１である。
【0320】
［２］上記で製造されたリガンド交換ナノ粒子を使用することを除き、実施例１と同様な方法でインク組成物及び複合体フィルムを得る。インク組成物内で半導体ナノ粒子のＱＹを測定し、その結果を表２に整理する。製造された複合体フィルムに対して発光効率を測定し、その結果を表２に整理する。
【0321】
製造された複合体フィルムを１８０℃で３０分間熱処理し、熱処理されたフィルムの発光効率を測定する。その結果を表２に整理する。
【0322】
【表1】
【0323】
＜比較例１＞
【0324】
［１］亜鉛塩処理された半導体ナノ粒子の代わりに参照例１の半導体ナノ粒子を使用すること、及び塩化亜鉛溶液を使用しないことを除き、実施例１と同様な方法で実施例１と同様な方式でリガンド交換された半導体ナノ粒子を製造する。
【0325】
［２］上記で製造されたリガンド交換ナノ粒子を使用することを除き、実施例１と同様な方法でインク組成物及び複合体フィルムを得る。インク組成物内で半導体ナノ粒子のＱＹを測定し、その結果を表２に整理する。製造された複合体フィルムに対して発光効率を測定し、その結果を表２に整理する。
【0326】
製造された複合体フィルムを１８０℃で３０分間熱処理し、熱処理されたフィルムの発光効率を測定する。その結果を表２に整理する。
【0327】
＜比較例２＞
【0328】
［１］第１有機リガンドとして下記化学式４－１で表される化合物を使用することを除き、実施例１と同様な方法でリガンド交換されたナノ粒子を製造する。
【0329】
【化4-1】
【0330】
［２］で製造されたリガンド交換ナノ粒子を使用することを除き、実施例１と同様な方法でインク組成物及び複合体フィルムを得る。インク組成物内で半導体ナノ粒子のＱＹを測定し、その結果を表２に整理する。製造された複合体フィルムに対して発光効率を測定し、その結果を表２に整理する。
【0331】
製造された複合体フィルムを１８０℃で３０分間熱処理し、熱処理されたフィルムの発光効率を測定する。その結果を表２に整理する。
【0332】
＜比較例３＞
【0333】
［１］第１有機リガンドを使用しないことを除き、実施例１と同様な方式でリガンド交換されたナノ粒子を製造する。
【0334】
［２］上記で製造されたリガンド交換ナノ粒子を使用することを除き、実施例１と同様な方法でインク組成物及び複合体フィルムを得る。インク組成物内で半導体ナノ粒子のＱＹを測定し、その結果を表２に整理する。製造された複合体フィルムに対して発光効率を測定し、その結果を表２に整理する。
【0335】
製造された複合体フィルムを１８０℃で３０分間熱処理し、熱処理されたフィルムの発光効率を測定する。その結果を表２に整理する。
【0336】
＜比較例４＞
【0337】
［１］３－メルカプトプロピオン酸メチルエステル（３－Ｍｅｒｃａｐｔｏｐｒｏｐｉｏｎｉｃ Ａｃｉｄ Ｍｅｔｈｙｌ Ｅｓｔｅｒ）の代わりに下記化学式５で表されるアミン化合物を使用することを除き、実施例２と同様な方式でリガンド交換されたナノ粒子を製造する。
【0338】
【化5】
【0339】
［２］上記で製造されたリガンド交換ナノ粒子を使用することを除き、実施例１と同様な方法でインク組成物及び複合体フィルムを得る。インク組成物内で半導体ナノ粒子のＱＹを測定し、その結果を表２に整理する。製造された複合体フィルムに対して発光効率を測定し、その結果を表２に整理する。
【0340】
製造された複合体フィルムを１８０℃で３０分間熱処理し、熱処理されたフィルムの発光効率を測定する。その結果を表２に整理する。
【0341】
＜比較例５＞
【0342】
第１有機リガンドの代わりに下記化学式５で表されるアミン化合物を使用し、亜鉛塩化物溶液を使用しないことを除き、実施例１と同様な方式でリガンド交換されたナノ粒子を製造する。
【0343】
【化5】
【0344】
［２］上記で製造されたリガンド交換ナノ粒子を使用することを除き、実施例１と同様な方法でインク組成物及び複合体フィルムを得る。インク組成物内で半導体ナノ粒子のＱＹを測定し、その結果を表２に整理する。製造された複合体フィルムに対して発光効率を測定し、その結果を表２に整理する。
【0345】
製造された複合体フィルムを１８０℃で３０分間熱処理し、熱処理されたフィルムの発光効率を測定する。その結果を表２に整理する。
【0346】
＜比較例６＞
【0347】
リガンド交換された半導体ナノ粒子の代わりに、参照例１で製造された（リガンド交換されていない）半導体ナノ粒子を使用することを除き、実施例１と同様な方式でインク組成物を製造する。組成物内で半導体粒子が顕著に凝集してナノ粒子ポリマーの複合体を形成する程度の分散性を有するコーティング液（或いはインク）を形成しないことを確認する。
【0348】
【表2】
【0349】
【表3】
【0350】
上記表２から、実施例のインク組成物は、比較例に記載した組成物に比べて顕著に向上したＱＹ及び工程安定性を示すことを確認することができる。
＜実施例３＞
２－カルボキシエチルアクリレートの代わりに下記化学式Ｒ３を有する化合物（分子量：１８８．２ｇ／ｍｏｌ）を第１有機リガンドとして使用することを除き、実施例１と同様な方式でリガンド交換された半導体ナノ粒子を製造した。
上記で製造されたリガンド交換された半導体ナノ粒子を使用することを除き、実施例１と同様な方式でインク組成物及び複合体フィルムを製造した。
＜実施例４＞
２－カルボキシエチルアクリレートの代わりに下記化学式Ｒ２を有する化合物（分子量：２３２．２ｇ／ｍｏｌ）を第１有機リガンドとして使用することを除き、実施例１と同様な方式でリガンド交換された半導体ナノ粒子を製造した。
上記で製造されたリガンド交換された半導体ナノ粒子を使用することを除き、実施例１と同様な方式でインク組成物及び複合体フィルムを製造した。
＜実施例３＞
２－カルボキシエチルアクリレートの代わりに下記化学式Ｒ３を有する化合物（分子量：１８８．２ｇ／ｍｏｌ）を第１有機リガンドとして使用することを除き、実施例１と同様な方式でリガンド交換された半導体ナノ粒子を製造した。
【化R3】
＜実施例４＞
２－カルボキシエチルアクリレートの代わりに下記化学式Ｒ２を有する化合物（分子量：２３２．２ｇ／ｍｏｌ）を第１有機リガンドとして使用することを除き、実施例１と同様な方式でリガンド交換された半導体ナノ粒子を製造した。
【化R2】
【0351】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0352】
１００ 発光パネル、
１１０ 光源
１２０ 導光板
１８０ 発光素子
１８１、１８２ 第１、第２電極
１８３ 発光層
１８３ａ、１８３ｂ、１８３ｃ 第１～第３発光層
１８４、１８５ 補助層
１８６ 電荷生成層
１８６ａ、１８６ｂ 第１、第２電荷生成層
１８７ ナノ構造体
１８７ｉ 多重量子ウエル領域
１８７ｎ ｎ型領域
１８７ｐ ｐ型領域
２００ 色変換パネル
２１０ 下部基板
２１１ 配線板
２２０ 液晶層
２２１ 配向膜
２３０ 自発光層
２３１ 透明共通電極
２４０ 透明基板
２４１ ブラックマトリックス
３００ 透光層
４００ 結合材
１０００ 表示パネル、電子素子（表示素子）
１０００Ｄ 表示領域
１０００Ｐ 非表示領域
ＰＸ 画素
ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３ サブ画素
１１０ 光源
１２０ 導光板
１８０ 発光素子
１８１、１８２ 第１、第２電極
１８３ 発光層
１８３ａ、１８３ｂ、１８３ｃ 第１～第３発光層
１８４、１８５ 補助層
１８６ 電荷生成層
１８６ａ、１８６ｂ 第１、第２電荷生成層
１８７ ナノ構造体
１８７ｉ 多重量子ウエル領域
１８７ｎ ｎ型領域
１８７ｐ ｐ型領域
２００ 色変換パネル
２１０ 下部基板
２１１ 配線板
２２０ 液晶層
２２１ 配向膜
２３０ 自発光層
２３１ 透明共通電極
２４０ 透明基板
２４１ ブラックマトリックス
３００ 透光層
４００ 結合材
１０００ 表示パネル、電子素子（表示素子）
１０００Ｄ 表示領域
１０００Ｐ 非表示領域
ＰＸ 画素
ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３ サブ画素
【図1a】
【図1b】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図4】
【図5a】
【図5b】
【図5c】
【図5d】
【図5e】
【図6】
【図7】