特開 2024-7417 薄膜付き基板の製造方法、薄膜付き基板、多層反射膜付き基板の製造方法、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024007417

(43)【公開日】2024-01-18

(54)【発明の名称】薄膜付き基板の製造方法、薄膜付き基板、多層反射膜付き基板の製造方法、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/38 20120101AFI20240110BHJP

   G03F 1/84 20120101ALI20240110BHJP

   G03F 1/24 20120101ALI20240110BHJP

   H01L 21/66 20060101ALI20240110BHJP

   H01L 21/02 20060101ALI20240110BHJP

【ＦＩ】

G03F1/38

G03F1/84

G03F1/24

H01L21/66 J

H01L21/66 Z

H01L21/02 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】22

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023104244

(22)【出願日】2023-06-26

(31)【優先権主張番号】P 2022105149

(32)【優先日】2022-06-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000113263

【氏名又は名称】ＨＯＹＡ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100113343

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 武史

(72)【発明者】

【氏名】岩本 健太郎

(72)【発明者】

【氏名】笑喜 勉

(72)【発明者】

【氏名】塚越 健太

(72)【発明者】

【氏名】橋本 雅広

【テーマコード（参考）】

2H195

4M106

【Ｆターム（参考）】

2H195BA02

2H195BA10

2H195BC19

2H195BC24

2H195BC26

2H195BD02

2H195BE04

2H195BE07

2H195CA07

2H195CA20

2H195CA23

4M106AA09

4M106CA39

4M106DJ21

4M106DJ40

(57)【要約】

【課題】薄膜付き基板に対して欠陥検査を行うときに識別記号の検出を行うことができ、薄膜付き基板の個体識別と、薄膜の欠陥情報と識別記号との対応付けを容易に行うことが可能な、薄膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、該基板上に形成された薄膜とを含む薄膜付き基板の前記薄膜が形成されている側の表面であって、パターン転写に影響のない領域に、前記薄膜付き基板に固有の識別記号を有する前記薄膜付き基板に対して、欠陥検査を行うときに、前記薄膜の欠陥情報及び前記識別記号を検出する。これにより、前記薄膜付き基板の個体識別と、検出された前記薄膜の欠陥情報と前記識別記号との対応付けを行う。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、該基板上に形成された薄膜とを含む薄膜付き基板の製造方法であって、
前記薄膜付き基板の前記薄膜が形成されている側の表面であって、パターン転写に影響のない領域に、前記薄膜付き基板に固有の識別記号を有し、
前記薄膜付き基板に対して欠陥検査を行うときに、前記薄膜の欠陥情報及び前記識別記号を検出し、
前記薄膜の欠陥情報に、前記識別記号を対応付けることを特徴とする薄膜付き基板の製造方法。

【請求項2】

前記識別記号の大きさは、１０μｍ～５００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜付き基板の製造方法。

【請求項3】

前記基板は、６インチ角の基板であり、
前記パターン転写に影響のない領域は、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの大きさのパターン形成領域と１４８ｍｍ×１４８ｍｍの大きさの領域との間の帯状領域であることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜付き基板の製造方法。

【請求項4】

前記パターン転写に影響のない領域に、基準マークを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜付き基板の製造方法。

【請求項5】

前記薄膜は２層以上の積層膜からなり、前記積層膜の各層の成膜後のうち２回以上の欠陥検査を行い、各欠陥検査を行うときに前記識別記号を検出することを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜付き基板の製造方法。

【請求項6】

基板と、該基板上に形成された薄膜とを含む薄膜付き基板であって、
前記薄膜付き基板の前記薄膜が形成されている側の表面であって、パターン転写に影響のない領域に、前記薄膜の欠陥検査を行うときに検出可能な前記薄膜付き基板に固有の識別記号を有することを特徴とする薄膜付き基板。

【請求項7】

前記識別記号の大きさは、１０μｍ～５００μｍであることを特徴とする請求項６に記載の薄膜付き基板。

【請求項8】

前記基板は、６インチ角の基板であり、
前記パターン転写に影響のない領域は、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの大きさのパターン形成領域と１４８ｍｍ×１４８ｍｍの大きさの領域との間の帯状領域であることを特徴とする請求項６又は７に記載の薄膜付き基板。

【請求項9】

前記パターン転写に影響のない領域に、基準マークを有することを特徴とする請求項６又は７に記載の薄膜付き基板。

【請求項10】

基板と、該基板上に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜とを含む多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜が形成されている側の表面であって、パターン転写に影響のない領域に、前記多層反射膜付き基板に固有の識別記号を形成し、
前記多層反射膜付き基板に対して欠陥検査を行うときに、前記多層反射膜の欠陥情報及び前記識別記号を検出し、
前記多層反射膜の欠陥情報に、前記識別記号を対応付けることを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。

【請求項11】

前記多層反射膜付き基板は、前記多層反射膜上にさらに保護膜を有することを特徴とする請求項１０に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。

【請求項12】

前記識別記号の大きさは、１０μｍ～５００μｍであることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。

【請求項13】

前記基板は、６インチ角の基板であり、
前記パターン転写に影響のない領域は、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの大きさのパターン形成領域と１４８ｍｍ×１４８ｍｍの大きさの領域との間の帯状領域であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。

【請求項14】

前記パターン転写に影響のない領域に、基準マークを有することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。

【請求項15】

基板と、該基板上に形成された多層反射膜とを含む多層反射膜付き基板であって、
前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜が形成されている側の表面であって、パターン転写に影響のない領域に、前記多層反射膜の欠陥検査を行うときに検出可能な前記多層反射膜付き基板に固有の識別記号を有することを特徴とする多層反射膜付き基板。

【請求項16】

前記多層反射膜付き基板は、前記多層反射膜上にさらに保護膜を有することを特徴とする請求項１５に記載の多層反射膜付き基板。

【請求項17】

前記識別記号の大きさは、１０μｍ～５００μｍであることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の多層反射膜付き基板。

【請求項18】

前記基板は、６インチ角の基板であり、
前記パターン転写に影響のない領域は、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの大きさのパターン形成領域と１４８ｍｍ×１４８ｍｍの大きさの領域との間の帯状領域であることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の多層反射膜付き基板。

【請求項19】

前記パターン転写に影響のない領域に、基準マークを有することを特徴とする請求項１５又は１６に記載の多層反射膜付き基板。

【請求項20】

請求項１０又は１１に記載の多層反射膜付き基板の製造方法により製造された多層反射膜付き基板と、該多層反射膜付き基板の上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収体膜とを含むことを特徴とする反射型マスクブランク。

【請求項21】

請求項２０に記載の反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜をパターニングして、吸収体膜パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。

【請求項22】

請求項２１に記載の反射型マスクの製造方法により製造された反射型マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を有する半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体装置の製造に用いられる薄膜付き基板の製造方法、薄膜付き基板、多層反射膜付き基板の製造方法、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィ法を用いて微細パターンの形成が行われている。また、この微細パターンの形成には通常何枚ものフォトマスクと呼ばれている転写用マスクが使用される。この転写用マスクは、一般に透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においてもフォトリソグラフィ法が用いられている。

【0003】

フォトリソグラフィ法による転写用マスクの製造には、ガラス基板等の透光性基板上に転写パターン（マスクパターン）を形成するための薄膜（例えば遮光膜など）を有するマスクブランクが用いられる。このマスクブランクを用いた転写用マスクの製造は、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、所望のパターン描画を施す描画工程と、描画後、前記レジスト膜を現像して所望のレジストパターンを形成する現像工程と、このレジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングするエッチング工程と、残存するレジストパターンを剥離除去する工程とを経て行われている。上記現像工程では、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し所望のパターン描画を施した後に現像液を供給して、現像液に可溶なレジスト膜の部位を溶解し、レジストパターンを形成する。また、上記エッチング工程では、このレジストパターンをマスクとして、ドライエッチング又はウェットエッチングによって、レジストパターンの形成されていない薄膜が露出した部位を除去し、これにより所望のマスクパターンを透光性基板上に形成する。こうして、転写用マスクが出来上がる。

【0004】

転写用マスクの種類としては、従来の透光性基板上にクロム系材料からなる遮光膜パターンを有するバイナリ型マスクのほかに、位相シフト型マスクが知られている。
また、近年、半導体産業において、半導体装置の高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このような微細パターン形成を可能とする技法として、極紫外（Extreme Ultra Violet：以下、「ＥＵＶ」と呼ぶ。）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィがある。ここで、ＥＵＶ光とは、軟X線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２～１００ｎｍ程度の光のことである。このＥＵＶリソグラフィにおいて用いられるマスクとして反射型マスクがある。このような反射型マスクは、基板上に露光光であるＥＵＶ光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。

【0005】

以上のように、リソグラフィ工程でのパターン微細化に対する要求が高まっているが、新たな課題も発生している。その一つが、顧客先での受け入れ検査時のマスクブランク基板管理の問題である。
従来、例えば特許文献１には、マスクブランクス用ガラス基板表面における転写に影響のない領域であって、かつ鏡面状の表面に、レーザ光の照射により形成された上記ガラス基板及び／又は上記ガラス基板上にマスクパターンとなるマスクパターン用薄膜を形成したマスクブランクスを識別、又は管理するためのマーカとして用いられる凹部を備えるマスクブランクス用ガラス基板が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００６－３０９１４３号公報

【特許文献2】特開２０１５－０４３１００号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかし、特許文献１に記載されているレーザ光で上記マーカを形成すると発塵が生じて欠陥の原因となるため、実際には適用が困難であった。特に、ＥＵＶ光を用いる多層反射膜付き基板又は反射型マスクブランクでは、欠陥に対する要求が非常に厳しいため、上記の従来技術を適用することが難しく、多層反射膜付き基板又は反射型マスクブランクにおいてその個体識別を行う場合には、反射型マスク作製前に欠陥マップと照合して個体識別を行っていた。しかし、欠陥数が少ない又はゼロの場合には、欠陥マップとの照合ができないため多層反射膜付き基板又は反射型マスクブランクの個体識別が困難であった。
特許文献２には、ガラス基板の側面に読取装置で光学的に読取可能なＩＤ（識別子）がコード化されて形成されたマスク基板を用いて描画管理を行うことが提案されている。しかしながら、特許文献２では、簡易なプロセスで多層反射膜の成膜段階から多層反射膜付き基板又は反射型マスクブランクの個体識別管理を行うことが困難であった。

【0008】

そこで本発明は、このような従来の問題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、第１に、多層反射膜付き基板、マスクブランク等の薄膜付き基板に固有の識別記号（ＩＤ）を設け、この薄膜付き基板に対して欠陥検査を行うときに識別記号の検出を行うことができ、これにより、薄膜付き基板の個体識別と、薄膜の欠陥情報と識別記号との対応付けを容易に行うことが可能な、薄膜付き基板の製造方法、薄膜付き基板、多層反射膜付き基板の製造方法、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法を提供することである。
本発明の目的とするところは、第２に、この反射型マスクを使用する半導体装置の製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明者らは、従来の課題を解決するべく鋭意研究を続けた結果、以下の発明を完成した。
（構成１）
基板と、該基板上に形成された薄膜とを含む薄膜付き基板の製造方法であって、前記薄膜付き基板の前記薄膜が形成されている側の表面であって、パターン転写に影響のない領域に、前記薄膜付き基板に固有の識別記号を有し、前記薄膜付き基板に対して欠陥検査を行うときに、前記薄膜の欠陥情報及び前記識別記号を検出し、前記薄膜の欠陥情報に、前記識別記号を対応付けることを特徴とする薄膜付き基板の製造方法である。

【0010】

（構成２）
前記識別記号の大きさは、１０μｍ～５００μｍであることを特徴とする構成１に記載の薄膜付き基板の製造方法である。
（構成３）
前記基板は、６インチ角の基板であり、前記パターン転写に影響のない領域は、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの大きさのパターン形成領域と１４８ｍｍ×１４８ｍｍの大きさの領域との間の帯状領域であることを特徴とする構成１又は２に記載の薄膜付き基板の製造方法である。

【0011】

（構成４）
前記パターン転写に影響のない領域に、基準マークを有することを特徴とする構成１乃至３の何れか１つに記載の薄膜付き基板の製造方法である。
（構成５）
前記薄膜は２層以上の積層膜からなり、前記積層膜の各層の成膜後のうち２以上の欠陥検査を行い、各欠陥検査を行うときに前記識別記号を検出することを特徴とする構成１乃至４の何れか１つに記載の薄膜付き基板の製造方法である。

【0012】

（構成６）
基板と、該基板上に形成された薄膜とを含む薄膜付き基板であって、前記薄膜付き基板の前記薄膜が形成されている側の表面であって、パターン転写に影響のない領域に、前記薄膜の欠陥検査を行うときに検出可能な前記薄膜付き基板に固有の識別記号を有することを特徴とする薄膜付き基板である。

【0013】

（構成７）
前記識別記号の大きさは、１０μｍ～５００μｍであることを特徴とする構成６に記載の薄膜付き基板である。
（構成８）
前記基板は、６インチ角の角型基板であり、前記パターン転写に影響のない領域は、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの大きさのパターン形成領域と１４８ｍｍ×１４８ｍｍの大きさの領域との間の帯状領域であることを特徴とする構成６又は７に記載の薄膜付き基板である。

【0014】

（構成９）
前記パターン転写に影響のない領域に、基準マークを有することを特徴とする構成６乃至８の何れか１つに記載の薄膜付き基板である。

【0015】

前記薄膜は、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜であり、前記薄膜付き基板は、多層反射膜付き基板とすることができる。

【0016】

前記多層反射膜付き基板と、該多層反射膜付き基板の上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収体膜とを含む反射型マスクブランクとすることができる。

【0017】

前記反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜をパターニングして、吸収体膜パターンを形成する反射型マスクの製造方法とすることができる。

【0018】

前記反射型マスクの製造方法により製造された反射型マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を有する半導体装置の製造方法とすることができる。

【発明の効果】

【0019】

本発明によれば、多層反射膜付き基板、マスクブランク等の薄膜付き基板に固有の識別記号（ＩＤ）を設け、この薄膜付き基板に対して欠陥検査を行うときに識別記号の検出を行うことができる。これにより、薄膜付き基板の個体識別と、薄膜の欠陥情報と識別記号との対応付けを容易に行うことが可能となり、薄膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク等の適切な枚葉管理を行うことができる。また、この反射型マスクを使用する半導体装置の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】本発明の一実施形態に係る多層反射膜付き基板を示す平面図である。

【図2】図１に示す多層反射膜付き基板の概略断面図である。

【図3】識別記号の形状例を示す図である。

【図4】識別記号の別の形状例を示す図である。

【図5】第１の基準マークの形状例を示す図である。

【図6】本発明の一実施形態に係る反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造工程を示す概略断面図である。

【図7】第２の基準マークの形状例を示す図である。

【図8】本発明の一実施形態に係る反射型マスクブランクを示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

以下、本発明の実施の形態を詳述する。
本発明の薄膜付き基板の製造方法は、上記のとおり、基板と、該基板上に形成された薄膜とを含む薄膜付き基板の製造方法であって、前記薄膜付き基板の前記薄膜が形成されている側の表面であって、パターン転写に影響のない領域に、前記薄膜付き基板に固有の識別記号を有し、前記薄膜付き基板に対して欠陥検査を行うときに、前記薄膜の欠陥情報及び前記識別記号を検出し、前記薄膜の欠陥情報に、前記識別記号を対応付けることを特徴とするものである。

【0022】

また、本発明の薄膜付き基板は、上記のとおり、基板と、該基板上に形成された薄膜とを含む薄膜付き基板であって、前記薄膜付き基板の前記薄膜が形成されている側の表面であって、パターン転写に影響のない領域に、前記薄膜の欠陥検査を行うときに検出可能な前記薄膜付き基板に固有の識別記号を有することを特徴とするものである。

【0023】

ここでいう薄膜とは、本発明の薄膜付き基板が、例えばＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクである場合、下地層、多層反射膜、保護膜、吸収体膜、ハードマスク膜（エッチングマスク膜）、及び／又は裏面導電膜等である。また、本発明の薄膜付き基板が、例えば、紫外光露光用のフォトマスクブランクである場合、上記薄膜とは、遮光膜、位相シフト膜、及び／又はハードマスク膜（エッチングマスク膜）等である。

【0024】

本発明では、薄膜付き基板の薄膜が形成されている側の表面であって、パターン転写に影響のない領域に、前記薄膜付き基板に固有の識別記号（ＩＤ）を有することが重要である。

【0025】

この識別記号（ＩＤ）は、個々の基板を識別する情報を付与できる形状のものである。具体的には、この識別記号（ＩＤ）として、ＱＲコード（登録商標）などの二次元コードや、バーコード、英数字、ドットマークの配列などの記号を適用することができる。

【0026】

さらに、この識別記号（ＩＤ）は、薄膜付き基板の欠陥検査を行うときに検出可能なものである。つまり、使用する欠陥検査装置の検査光で検出可能な識別記号である。そのためには、識別記号の大きさは、使用する欠陥検査装置の検査光源波長にもよるが、概ね１０μｍ～５００μｍであることが好適である。また、「欠陥検査を行うときに欠陥情報及び識別記号を検出する」又は「欠陥検査を行うときに検出可能」とは、１つの欠陥検査装置によって薄膜を走査したり撮像したりして欠陥情報を検出する一連の動作の中で、識別記号（ＩＤ）も検出することを意味する。すなわち、欠陥情報を取得するための走査・撮像領域（欠陥検査領域）内に識別記号（ＩＤ）を設けて、欠陥情報と識別記号（ＩＤ）を一度に検出することができる。また、欠陥情報を取得するための走査・撮像領域とは別の領域に、識別記号（ＩＤ）を設ける構成としてもよい。この場合には、欠陥検査装置によって、識別記号（ＩＤ）を検出した後に引き続き欠陥情報を取得する、又は欠陥情報を取得した後に引き続き識別記号（ＩＤ）を検出することができる。

【0027】

また、欠陥情報とは、欠陥の位置、寸法及び／又は種類に関する情報を含むものである。また、識別記号に対応付ける情報としては、上記欠陥情報に加えて、薄膜情報及び／又は基板情報とすることができる。薄膜情報は、薄膜の物理的特性、化学的特性、電気的特性、光学的特性、薄膜表面の表面形態、材料、成膜条件のうち少なくとも何れか一つを含む情報である。基板情報は、ガラス基板の物理的特性、化学的特性、光学的特性、基板表面の表面形態、形状、材料、欠陥のうち少なくとも何れか一つを含む情報とする。薄膜表面又は基板表面の表面形態としては、表面粗さ、うねり、平坦度（フラットネス）、平行度、凸形状、凹形状などが挙げられる。

【0028】

また、薄膜付き基板の薄膜が形成されている側の表面に上記識別記号（ＩＤ）を設ける場合、上記のパターン転写に影響のない領域とは、基板の大きさが約１５２．０ｍｍ×約１５２．０ｍｍ（６インチ角）の場合、例えば、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの大きさのパターン形成領域と１４８ｍｍ×１４８ｍｍの大きさの領域との間の帯状領域とすることができる。また、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの大きさのパターン形成領域と、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの大きさの領域との間の帯状領域とすることができる。

【0029】

また、上記のパターン転写に影響のない領域には、欠陥検査装置で薄膜上の欠陥を検査した際に欠陥座標の基準として使用できる基準マーク（アライメントマーク（ＡＭ）とも呼ばれる）や、電子線描画装置によるパターン描画の際に欠陥座標の基準として使用できる基準マーク（フィデュシャルマーク（ＦＭ）とも呼ばれる）を有してもよい。なお、アライメントマーク（ＡＭ）、フィデュシャルマーク（ＦＭ）の詳細は後述する。

【0030】

また、薄膜付き基板の薄膜が２層以上の積層膜からなる場合、例えば、上記の反射型マスクブランクのように、基板上に多層反射膜および吸収体膜を少なくとも有する場合、これら積層膜の各層の成膜後のうち２回以上の欠陥検査を行い、各欠陥検査を行うときに前記識別記号を検出することができる。つまり、多層反射膜を成膜後に欠陥検査を行い、欠陥情報及び識別記号を検出した後、多層反射膜上に吸収体膜を成膜し、吸収体膜の欠陥検査を行い、欠陥情報及び識別記号を検出することができる。

【0031】

本発明によれば、多層反射膜付き基板、マスクブランク等の薄膜付き基板に固有の識別記号（ＩＤ）を設け、この薄膜付き基板に対して欠陥検査を行うときに識別記号の検出を行うことができる。これにより、薄膜付き基板の個体識別と、薄膜の欠陥情報と識別記号との対応付けを容易に行うことが可能となり、薄膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク等の適切な枚葉管理を行うことができる。

【0032】

また、本発明は、マスクブランク用基板と、該マスクブランク用基板上に形成された薄膜とを含む薄膜付き基板の製造方法であって、前記薄膜付き基板の前記薄膜が形成されている側の表面であって、パターン転写に影響のない領域に、前記薄膜付き基板に固有の識別記号を有し、前記薄膜の欠陥検査における検査光と同じ波長で前記識別記号を検出し、前記マスクブランク用基板の欠陥検査で得られた基板の欠陥情報に、前記識別記号を対応付けることを特徴とする薄膜付き基板の製造方法についても提供するものである。

【0033】

次に、本発明の薄膜付き基板の製造方法および薄膜付き基板の一実施形態に係る多層反射膜付き基板の製造方法、多層反射膜付き基板について説明する。
［多層反射膜付き基板の製造方法、多層反射膜付き基板］
図１は、本発明の一実施形態に係る多層反射膜付き基板を示す平面図であり、図２は、図１に示す多層反射膜付き基板の概略断面図である。

【0034】

図１、図２に示されるように、本発明の一実施形態に係る多層反射膜付き基板２０は、ガラス基板１０（以下、基板と称する）上に、露光光であるＥＵＶ光を反射する多層反射膜２１が少なくとも形成されている。この多層反射膜付き基板２０の主表面上のパターン形成領域（図１に破線Ａで示す領域内）と走査・撮像領域（欠陥検査領域）（図１に破線Ｂで示す領域内）との間の帯状領域１００内の４つのコーナー近傍のうちの１箇所に、当該多層反射膜付き基板２０に固有の識別記号（ＩＤ）２４を有している。この帯状領域１００は、多層反射膜付き基板２０の多層反射膜２１が形成されている側の主表面であって、パターン転写に影響のない領域である。なお、上記パターン形成領域は、後述の吸収体膜３１（図６）において転写パターンを形成する領域であり、６インチ角の基板では、例えば１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域である。また、上記走査・撮像領域（欠陥検査領域）は、６インチ角の基板では、例えば１４８ｍｍ×１４８ｍｍの領域である。

【0035】

また、同じく帯状領域１００内の４つのコーナー近傍には、多層反射膜の欠陥情報の基準となる第１の基準マーク２２（前出のアライメントマーク（ＡＭ））が形成されている。

【0036】

本実施形態の多層反射膜付き基板２０は、基板１０上に、露光光の例えばＥＵＶ光を反射する多層反射膜２１を成膜することにより作製される（図２参照）。

【0037】

ＥＵＶ露光用の場合、基板としては基板１０が好ましく、特に、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０^－７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０^－７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられる。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることが出来る。

【0038】

上記基板１０の転写パターンが形成される側の主表面は、少なくともパターン転写精度、位置精度を向上させる観点から高平坦度となるように表面加工されている。ＥＵＶ露光用の場合、基板１０の転写パターンが形成される側の主表面１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは０．０５μｍ以下である。また、転写パターンが形成される側と反対側の主表面は、露光装置にセットする時に静電チャックされる面であって、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以下である。

【0039】

また、上記基板１０としては、上記のとおり、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２系ガラスなどの低熱膨張係数を有する素材が好ましく用いられるが、このようなガラス素材は、精密研磨により、表面粗さとして例えば二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）で０．１ｎｍ以下の高平滑性を実現することが困難である。そのため、基板１０の表面粗さの低減、若しくは基板１０表面の欠陥を低減する目的で、基板１０の表面に下地層を形成してもよい。このような下地層の材料としては、露光光に対して透光性を有する必要はなく、下地層表面を精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好となる材料が好ましく選択される。例えば、Si又はSiを含有するケイ素化合物（例えばSiO₂、SiONなど）は、精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好なため、下地層の材料として好ましく用いられる。下地層の材料は、特にSiが好ましい。

【0040】

下地層の表面は、反射型マスクブランク用基板として要求される平滑度となるように精密研磨された表面とすることが好適である。下地層の表面は、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）で０．１５ｎｍ以下、特に好ましくは０．１ｎｍ以下となるように精密研磨されることが望ましい。また、下地層の表面は、下地層上に形成する多層反射膜２１の表面への影響を考慮すると、最大高さ（Ｒｍａｘ）との関係において、Ｒｍａｘ／Ｒｑが２～１０であることが良く、特に好ましくは、２～８となるように精密研磨されることが望ましい。下地層の膜厚は、例えば１０ｎｍ～３００ｎｍの範囲が好ましい。

【0041】

上記多層反射膜２１は、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に４０～６０周期程度積層された多層膜が用いられる。
例えば、波長１３～１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長に応じて、材質を適宜選択すればよい。

【0042】

通常、吸収体膜のパターニング或いはパターン修正の際に多層反射膜を保護する目的で、上記多層反射膜２１上には、保護膜（キャッピング層あるいはバッファ膜とも呼ばれることがある。）を設けることが好ましい。このような保護膜は、例えば、ルテニウムを主成分として含む材料により形成される。ルテニウムを主成分として含む材料としては、Ｒｕ金属単体、Ｒｕにチタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、ホウ素（Ｂ）、ランタン（Ｌａ）、コバルト（Ｃｏ）及びレニウム（Ｒｅ）から選択される少なくとも１つの金属を含有したＲｕ合金、及びそれらに窒素を含む材料が挙げられる。また、保護膜の膜厚としては、例えば１ｎｍ～５ｎｍ程度の範囲が好ましい。

【0043】

以上の下地層、多層反射膜２１、及び保護膜の成膜方法は特に限定されないが、通常、イオンビームスパッタリング法や、マグネトロンスパッタリング法などが好適である。

【0044】

なお、図１、図２では、上記多層反射膜付き基板２０の一実施形態として、上記のとおり、基板１０上に多層反射膜２１を成膜したものについて示しているが、本発明では、多層反射膜付き基板は、基板１０上に、上記多層反射膜２１、及び保護膜を順に成膜した態様や、基板１０上に、上記下地層、多層反射膜２１、及び保護膜をこの順に成膜した態様を含むものとする。

【0045】

上記の識別記号２４は、前述したように、個々の基板を識別する情報を付与できる形状のものである。この識別記号２４として、例えば、ＱＲコード（登録商標）などの二次元コード、バーコード、英数字、図３に示すようなライン間の幅の異なるラインの配列、又は図４に示すようなドットマークの配列などの記号を適用することができる。例えば、図３では、短ラインでアルファベットを示し、長ライン間の幅で数字を定義することができる。また、図４では、短ラインでアルファベットを示し、長ラインを基準として、ドットマークの縦横の配列で数字を定義することができる。上記の識別記号２４は、個々の基板を識別する情報を付与できる形状のものであればよいので、上記の例示には限定されない。

【0046】

また、この識別記号２４は、使用する欠陥検査装置の検査光で検出可能な識別記号である。例えば、反射型マスクや、その原版である反射型マスクブランク、多層反射膜付き基板、及び基板（サブストレート）の欠陥検査装置としては、検査光源波長が２６６ｎｍであるレーザーテック社製のＥＵＶ露光用のマスク・サブストレート／ブランク欠陥検査装置「MAGICS M7360」、検査光源波長が３５５ｎｍであるレーザーテック社製のＥＵＶ露光用のマスク・サブストレート／ブランク欠陥検査装置「MAGICS M8650」、検査光源波長が２１３ｎｍであるレーザーテック社製のＥＵＶ露光用のマスク・サブストレート／ブランク欠陥検査装置「MAGICS M9650」、検査光源波長が１９３ｎｍであるＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製のマスク／ブランク欠陥検査装置「Teron600シリーズ、例えばTeron610」などが普及している。そして、多層反射膜付き基板の欠陥検査装置としては、検査光源波長を露光光源波長の１３．５ｎｍとするＡＢＩ（Actinic Blank Inspection）装置が好適である。また、欠陥の表面の凹凸情報を得ることができる原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）、又はＥＵＶ光顕微鏡を用いることができる。さらに、波長３６５ｎｍのレーザで座標計測を行うＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製の座標計測器「ＬＭＳ－ＩＰＲＯ４」、波長１９３ｎｍのレーザで座標計測を行うＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社製の座標計測器「ＰＲＯＶＥ」を用いることもできる。
従って、識別記号２４の大きさは、使用する欠陥検査装置の検査光源波長にもよるが、概ね、縦１０μｍ～５００μｍ、好ましくは１０μｍ～２００μｍ、より好ましくは８０μｍ～１２０μｍ、横１０μｍ～５００μｍ、好ましくは１０μｍ～２００μｍ、より好ましくは８０μｍ～１２０μｍの矩形内に収まる大きさであることが好適である。

【0047】

本実施形態では、上記識別記号２４は、例えばレーザ光、集束イオンビーム、フォトリソ法、微小圧子によるインデンテーション（パンチ）、ダイヤモンド針を走査しての加工痕やインプリント法による型押し等で、多層反射膜２１に所望の深さを持つ、凹形状（断面形状）を形成している。識別記号２４は、半導体レーザを用いて形成することが好ましい。識別記号２４の断面形状が凹形状の場合、欠陥検査光による検出精度を向上させる観点から、凹形状の底部から表面側へ向かって広がるように形成された断面形状であることが好ましい。なお、識別記号２４の断面形状は、凹形状に限られず、凸形状でもよく、欠陥検査装置で精度良く検出可能な断面形状であればよい。

【0048】

また、本実施形態では、上記識別記号２４は、多層反射膜２１の表面に設けているが、前述したように、該多層反射膜２１の上に前述の保護膜を成膜する場合は、保護膜の表面に上記識別記号２４を設けるようにしてもよい。

【0049】

本実施形態では、上記識別記号２４は、転写に影響のない上記帯状領域１００内のコーナー近傍の１箇所に設けているが、２～４箇所に設けるようにしてもよい。また、コーナー近傍でなくてもよい。

【0050】

また、本実施形態のように、同じく帯状領域１００内に、多層反射膜２１の欠陥情報の基準となる上記第１の基準マーク２２を有する場合、つまり、識別記号２４と第１の基準マーク２２が同じ領域内に含まれる位置関係にある場合、識別記号２４は、少なくとも１箇所の第１の基準マーク２２と近接する位置であって、第１の基準マーク２２と混同しない位置に設けることが好ましい。例えば、識別記号２４と第１の基準マーク２２とは、３×３ｍｍで囲まれる領域内に設けられることが好ましい。

【0051】

本実施形態では、上記識別記号２４は、上記多層反射膜２１の表面に設けているが、上記基板１０の表面または側面に形成してもよい。また、基板１０と多層反射膜２１との間に下地層を有する場合には、下地層の表面に形成してもよい。識別記号２４を基板１０又は下地層の表面に形成した場合には、識別記号２４の形状が上記多層反射膜２１に転写されることとなる。

【0052】

次に、上記第１の基準マーク２２について説明する。
図５は、第１の基準マーク２２の形状を示す図である。
上述の実施形態では、転写に影響のない上記の帯状領域１００内のコーナー近傍の４箇所に、多層反射膜２１の欠陥情報の基準となる第１の基準マーク２２が形成されている。

【0053】

上記第１の基準マーク２２は、欠陥情報における欠陥位置の基準となるものである。そして、上記第１の基準マーク２２は、点対称の形状であることが好ましい。さらには、例えば１００ｎｍよりも短い短波長光を欠陥検査光とする前述のＡＢＩ装置などを欠陥検査に用いる場合、第１の基準マーク２２は欠陥検査光の走査方向に対して３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の幅の部分を有することが好ましい。

【0054】

図５には、第１の基準マーク２２のいくつかの形状を示しているが、図５（ａ）のような円形の基準マークが代表的な例である。また、例えば図５（ｂ）に示すような菱型、図５（ｃ）に示すような八角形の形状や、図５（ｄ）に示すような十字形状であってもよい。また、図示していないが、上記第１の基準マーク２２は、正方形や正方形の角部が丸みを帯びた形状とすることもできる。

【0055】

上記第１の基準マーク２２は点対称の形状を有することで、例えば欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれを小さくすることができ、第１の基準マーク２２を元に検査した欠陥検出位置のばらつきを小さくすることができる。

【0056】

上記第１の基準マーク２２は、前述の識別記号２４と同様、例えば半導体レーザ等のレーザ光、集束イオンビーム、フォトリソ法、微小圧子によるインデンテーション（パンチ）、ダイヤモンド針を走査しての加工痕やインプリント法による型押し等で、多層反射膜２１に所望の深さを持つ、凹形状（断面形状）を形成している。第１の基準マーク２２の断面形状が凹形状の場合、欠陥検査光による検出精度を向上させる観点から、凹形状の底部から表面側へ向かって広がるように形成された断面形状であることが好ましい。なお、第１の基準マーク２２の断面形状は、凹形状に限られず、凸形状でもよく、欠陥検査装置で精度良く検出可能な断面形状であればよい。

【0057】

以上説明したように、本実施形態によれば、多層反射膜付き基板２０に、欠陥検査装置で検出可能な、該多層反射膜付き基板２０に固有の識別記号２４を設けることにより、この多層反射膜付き基板２０に対して欠陥検査を行うときに識別記号の検出を行うことができ、多層反射膜付き基板２０の個体識別と、多層反射膜の欠陥情報と識別記号との対応付けを容易に行うことが可能となり、多層反射膜付き基板２０の適切な枚葉管理を行うことができる。また、多層反射膜の欠陥情報に加えて、例えば前述した基板のフラットネス等の基板情報と識別記号との対応付けも容易に行うことが可能である。さらに、多層反射膜の欠陥情報に加えて、前述した薄膜情報と識別記号との対応付けも容易に行うことが可能である。また、識別情報と対応付けられた欠陥情報、基板情報又は薄膜情報は、顧客に提供することができる。

【0058】

［反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法］
次に、本発明の一実施形態に係る反射型マスクブランク、該反射型マスクブランクを用いる反射型マスクの製造方法について説明する。
図６は、本発明の一実施形態に係る反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造工程を示す概略断面図であり、図８は、本発明の一実施形態に係る反射型マスクブランクを示す平面図である。

【0059】

図６（ａ）は、上述の多層反射膜付き基板２０を示す。この多層反射膜付き基板２０は、上述したように、多層反射膜２１の表面の転写に影響のない領域内に、上記識別記号２４と上記第１の基準マーク２２を有している。この多層反射膜付き基板２０の構成や、識別記号２４と第１の基準マーク２２についてはすでに詳しく説明したとおりであるので、ここでは重複説明は省略する。

【0060】

次に、上記識別記号２４および上記第１の基準マーク２２を有する多層反射膜付き基板２０に対して欠陥検査を行う。すなわち、多層反射膜付き基板２０に対して、欠陥検査装置により、上記第１の基準マーク２２を含めて欠陥検査を行い、欠陥検査により検出された欠陥と位置情報とを取得し、第１の基準マーク２２を含めた欠陥情報を得る。また、この場合の欠陥検査は、少なくともパターン形成領域の全面に対して行う。これにより、上記第１の基準マーク２２を基準とした欠陥情報（第１の欠陥マップ）を作成する。

【0061】

上述したように、この多層反射膜付き基板２０に対する欠陥検査の一連の動作の際に上記識別記号２４を検出することができる。この識別記号２４は当該多層反射膜付き基板２０に固有のものであり、多層反射膜付き基板２０に対して欠陥検査を行って多層反射膜の欠陥情報及び識別記号２４を同時に検出できることで、多層反射膜付き基板２０の個体識別と、多層反射膜の欠陥情報（欠陥マップ）と識別記号２４との対応付けを容易に行うことが可能である。
また、多層反射膜付き基板２０に対して、波長の異なる欠陥検査装置を用いて、複数の欠陥検査を行ってもよい。この場合、各欠陥検査において、欠陥検査と同時に上記識別記号２４を検出することができる。多層反射膜付き基板２０に対して複数の欠陥検査を行って多層反射膜の各欠陥情報及び識別記号２４を同時に検出することで、より高精度な欠陥管理を行うことが可能となる。
また、多層反射膜付き基板２０表面の欠陥検査については、全面検査ではなく、検査時間を短縮した部分検査を行うことも可能である。

【0062】

次に、上記多層反射膜付き基板２０における上記多層反射膜２１（多層反射膜の表面に上記保護膜を有する場合には、その保護膜）上の全面に、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜３１を成膜し、反射型マスクブランクを作製する（図６（ｂ）参照）。
なお、図示していないが、基板１０の多層反射膜等が形成されている側とは反対側に裏面導電膜を設けてもよい。この裏面導電膜を設ける場合は、上記基板１０の裏面導電膜が形成される表面又は裏面導電膜に上記識別記号２４を設けてもよい。識別記号２４を基板１０の表面に形成した場合には、識別記号２４の形状が上記裏面導電膜に転写されることとなる。これは、特に、裏面導電膜に対しても欠陥検査を行う場合には好適である。

【0063】

上記吸収体膜３１は、露光光である、例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、反射型マスクブランクを使用して作製される反射型マスク４０（図６（ｄ）参照）において、上記多層反射膜２１（多層反射膜の表面に上記保護膜を有する場合には、その保護膜）による反射光と、吸収体膜パターン３１ａによる反射光との間で所望の反射率差を有するものであればよい。例えば、ＥＵＶ光に対する吸収体膜３１の反射率は、０．１％以上４０％以下の間で選定される。また、上記反射率差に加えて、上記多層反射膜２１（多層反射膜の表面に上記保護膜を有する場合には、その保護膜）による反射光と、吸収体膜パターン３１ａによる反射光との間で所望の位相差を有するものであってもよい。なお、上記多層反射膜２１（多層反射膜の表面に上記保護膜を有する場合には、その保護膜）による反射光と、吸収体膜パターン３１ａによる反射光との間で所望の位相差を有する場合、反射型マスクブランクにおける吸収体膜３１を位相シフト膜と称する場合がある。上記多層反射膜２１（多層反射膜の表面に上記保護膜を有する場合には、その保護膜）による反射光と、吸収体膜パターン３１ａによる反射光との間で所望の位相差を設けて、コントラストを向上させる場合、位相差は１７０度から２６０度の範囲に設定するのが好ましく、吸収体膜３１の反射率は、３％以上４０％以下に設定するのが好ましい。

【0064】

上記吸収体膜３１は、単層でも積層構造であってもよい。積層構造の場合、同一材料の積層膜、異種材料の積層膜でもよい。積層膜は、材料や組成が膜厚方向に段階的及び／又は連続的に変化したものとすることができる。

【0065】

上記吸収体膜３１の材料としては、ＥＵＶ光を吸収する機能を有し、エッチング等により加工が可能（好ましくは塩素（Ｃｌ）系ガス及び／又はフッ素（Ｆ）系ガスのドライエッチングでエッチング可能）であり、保護膜に対してエッチング選択比が高い材料である限り、特に限定されない。そのような機能を有するものとして、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、マンガン（Ｍｎ）、スズ（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニッケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、テルル（Ｔｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、及びケイ素（Ｓｉ）から選ばれる少なくとも１つの金属、２以上の金属を含む合金又はこれらの化合物を好ましく用いることができる。化合物は、上記金属又は合金に、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）及び／又はホウ素（Ｂ）を含んでもよい。
上記吸収体膜３１の膜厚としては、例えば３０ｎｍ～１００ｎｍ程度の範囲が好ましい。吸収体膜３１の成膜方法は特に限定されないが、通常、マグネトロンスパッタリング法や、イオンビームスパッタリング法などが好適である。

【0066】

上記吸収体膜３１を成膜することにより、上記多層反射膜２１の表面に有する識別記号２４および第１の基準マーク２２は、吸収体膜３１の表面にも転写される（図６（ｂ）参照）。本実施形態では、上記識別記号２４および第１の基準マーク２２はいずれも断面形状が凹形状に形成されているため、吸収体膜３１の表面には、断面が凹状に窪んで転写された識別記号２４ａおよび第１の基準マーク２２ａが形成される。

【0067】

次に、上記吸収体膜３１の表面に第２の基準マーク４２を形成する（図６（ｃ）参照）。本実施形態では、吸収体膜３１の表面に転写された第１の基準マーク２２ａの近傍に第２の基準マーク４２を形成している（図８参照）。前述したように、この第２の基準マーク４２は、電子線描画装置によるパターン描画の際に欠陥座標の基準として使用できる基準マーク（フィデュシャルマーク（ＦＭ）とも呼ばれる）である。

【0068】

図７には、第２の基準マーク４２のいくつかの形状を示しているが、図７（ａ）のような十字形の基準マークが代表的な例である。また、例えば図７（ｂ）に示すようなＬ字形状や、図７（ｃ）に示すようにメインマーク４２ａの周囲に９０度の角度間隔を置いて４つの補助マーク４２ｂ～４２ｅを配置したものや、図７（ｄ）に示すようにメインマーク４２ａの周囲に９０度の角度間隔を置いて２つの補助マーク４２ｂ，４２ｃを配置した基準マークとすることもできる。なお、本発明はこのような第２の基準マークの実施形態に限定されるわけではない。

【0069】

また、図７（ａ）の十字形状や図７（ｂ）のＬ字形状、図７（ｃ）や図７（ｄ）のように上記メインマーク４２ａの周囲に配置される補助マーク４２ｂ～４２ｅ（４２ｂ、４２ｃ）は、欠陥検査光又は電子線描画装置の走査方向に沿って配置されることが好ましく、特に欠陥検査光又は電子線描画装置の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状を含むことが好適である。第２の基準マークが、欠陥検査光又は電子線の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状を含むことにより、欠陥検査装置又は電子線描画装置の走査により第２の基準マークを確実に検出できるため、第１の基準マークに対する第２の基準マークの位置を容易に特定することができる。この場合、第２の基準マークの長辺は、欠陥検査装置又は電子線描画装置のできるだけ最小回数の走査により検出可能な長さであることが望ましく例えば、１００μｍ以上１５００μｍ以下の長さを有することが望ましい。

【0070】

また、本実施形態では、上記第２の基準マーク４２は、例えば半導体レーザ等のレーザ光、フォトリソ法、又は集束イオンビームで吸収体膜３１に所望の深さを持つ、凹形状（断面形状）を形成している。しかし、第２の基準マーク４２の断面形状は、凹形状に限られず、凸形状でもよく、欠陥検査装置や電子線描画装置で精度良く検出可能な断面形状であればよい。
本発明においては、第１及び第２の基準マークの個数は特に限定されない。第１及び第２の基準マークについては、最低３個必要であるが、３個以上であっても構わない。

【0071】

本実施形態では、上記識別記号２４は、転写に影響のない上記帯状領域１００内のコーナー近傍の１箇所に設けているが、２～４箇所に設けるようにしてもよい。また、上記識別記号２４の設置箇所はコーナー近傍でなくてもよい。また、本実施形態のように、帯状領域１００内に、上記識別記号２４、上記第１の基準マーク２２、上記第２の基準マーク４２を有する場合、つまり、識別記号２４と第１の基準マーク２２と第２の基準マーク４２が同じ領域内に含まれる位置関係にある場合、第２の基準マーク４２は、少なくとも１箇所の第１の基準マーク２２と近接する位置であって、識別記号２４と混同しない位置に設けることが好ましい。
なお、第１の基準マーク２２は、第２の基準マーク４２を兼ねることが可能であり、その場合には、第２の基準マーク４２を吸収体膜３１上に設ける必要はない。

【0072】

このようにして、転写に影響のない帯状領域１００内に、上記識別記号２４（２４ａ）、上記第１の基準マーク２２（２２ａ）及び上記第２の基準マーク４２を有する反射型マスクブランク３０が得られる（図６（ｃ）、図８参照）。

【0073】

次に、前述の座標計測器を用いて、上記第２の基準マーク４２及び上記第１の基準マーク２２ａを検査し、第２の基準マーク４２を基準とする第１の基準マーク２２ａの位置座標を検出する。その後、上記第２の基準マーク４２を基準とした第１の基準マーク２２ａの座標を用いて、上記欠陥情報（第１の欠陥マップ）を、第２の基準マーク４２を基準とした欠陥情報（第１’の欠陥マップ）に変換する。これにより高精度な欠陥管理を行うことが可能であり、その結果、欠陥位置情報を含む精度の良い欠陥情報を取得することができる。この第１の基準マーク２２ａと第２の基準マーク４２は、前述のＬＭＳ－ＩＰＲＯ４のような座標計測器を用いて検査を行うことが好適である。このとき、座標計測器で識別記号２４ａを検出することにより、相対座標管理の際においても、反射型マスクブランク３０の枚葉管理を行うことが可能となる。

【0074】

次に、上記識別記号２４ａおよび上記第１の基準マーク２２ａを有する反射型マスクブランク３０に対して、例えば上記多層反射膜上の欠陥検査を行った検査装置による検査光とは異なる検査光を用いて欠陥検査を行う。すなわち、反射型マスクブランク３０に対して、欠陥検査装置により、上記第１の基準マーク２２ａを含めて欠陥検査を行い、欠陥検査により検出された欠陥と位置情報とを取得し、第１の基準マーク２２ａを含めた欠陥情報を得る。また、この場合の欠陥検査は、少なくともパターン形成領域の全面に対して行う。これにより、上記第１の基準マーク２２ａを基準とした欠陥情報（第３の欠陥マップ）を作成する。

【0075】

その後、第２の基準マーク４２を基準とした第１の基準マーク２２ａの座標を用いて、上記欠陥情報（第３の欠陥マップ）を第２の基準マーク４２を基準とした欠陥情報（第３’の欠陥マップ）に変換する。この反射型マスクブランク３０に対する欠陥検査の一連の動作の際に上記識別記号２４ａを検出することができる。反射型マスクブランク３０に対して欠陥検査を行って反射型マスクブランク３０の欠陥情報及び識別記号２４ａを同時に検出できることで、反射型マスクブランク３０の個体識別と、欠陥情報（第３の欠陥マップ又は第３’の欠陥マップ）と識別記号２４ａとの対応付けを容易に行うことが可能である。
なお、反射型マスクブランク３０表面の欠陥検査については、行わなくてもよい。また、反射型マスクブランク３０表面の欠陥検査については、全面検査ではなく、検査時間を短縮した部分検査を行うことも可能である。

【0076】

また、本実施形態に係る反射型マスクブランク３０には、上記吸収体膜３１上に、ハードマスク膜（エッチングマスク膜とも言う。）を形成した態様も含まれる。ハードマスク膜は、吸収体膜３１をパターニングする際にマスク機能を有するものであり、吸収体膜３１の最上層の材料とエッチング選択性が異なる材料により構成する。例えば、吸収体膜３１がＴａ単体又はＴａを含む材料の場合、ハードマスク膜は、クロムやクロム化合物、若しくはケイ素やケイ素化合物などの材料を使用することができる。クロム化合物としては、Ｃｒと、Ｎ、Ｏ、Ｃ、Ｈから選ばれる少なくとも一つの元素とを含む材料が挙げられる。ケイ素化合物としては、Ｓｉと、Ｎ、Ｏ、Ｃ、Ｈから選ばれる少なくとも一つの元素とを含む材料や、ケイ素やケイ素化合物に金属を含む金属ケイ素（金属シリサイド）や金属ケイ素化合物（金属シリサイド化合物）などの材料が挙げられる。金属ケイ素化合物としては、金属と、Ｓｉと、Ｎ、Ｏ、Ｃ、Ｈから選ばれる少なくとも一つの元素とを含む材料が挙げられる。また、吸収体膜３１が、Ｃｒを含む材料の場合、ハードマスク膜の材料は、Ｃｒを含む材料に対してエッチング選択性を有するケイ素、ケイ素化合物、金属シリサイド、金属シリサイド化合物、タンタル化合物などを選択することができる。タンタル化合物としては、Ｔａと、Ｎ、Ｏ、Ｃ、Ｈから選ばれる少なくとも一つの元素とを含む材料が挙げられる。

【0077】

また、本実施形態に係る反射型マスクブランク３０は、吸収体膜を、互いにエッチング選択性が異なる材料からなる最上層とそれ以外の層との積層膜で構成し、最上層がそれ以外の層に対するハードマスク膜としての機能を有するようにした構成とすることもできる。

【0078】

以上のとおり、本実施形態に係る反射型マスクブランク３０における吸収体膜３１は、単層膜には限られず、同一材料の積層膜、異種材料の積層膜で構成することができ、さらには、上記のような積層膜あるいは単層膜の吸収体膜とハードマスク膜との積層膜の構成とすることができる。
また、本実施形態に係る反射型マスクブランク３０には、上記吸収体膜３１上にレジスト膜を形成した態様も含まれる。このようなレジスト膜は、反射型マスクブランクにおける吸収体膜３１をフォトリソ法によりパターニングする際に用いられる。

【0079】

また、吸収体膜３１上に上記ハードマスク膜を介して又は介さずにレジスト膜を設けた場合、第２の基準マーク４２及び識別記号２４ａの形状は、レジスト膜に転写されることになる。そして、電子線描画を行う際に、レジスト膜に転写された識別記号２４ａを検出することによって、個体識別を行うことができる。また、レジスト膜に転写された第２の基準マーク４２は、電子線描画装置による電子線走査に対してコントラストを有し、電子線にて検出することができる。このとき、第１の基準マーク２２と第２の基準マーク４２とで相対座標の管理を行っているため、第２の基準マーク４２よりも相対的に小さい第１の基準マーク２２（２２ａ）の形状がレジスト膜に転写されなくても高精度の描画が可能となる。
なお、電子線走査に対するコントラストをより向上させるために、また検出を容易にするために、第２の基準マーク４２及び識別記号２４ａを含む領域の上にレジスト膜を形成しない、又は第２の基準マーク４２を含む領域の上のレジスト膜を除去する構成としてもよい。

【0080】

本発明は、上記反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造方法も提供するものである。
反射型マスクブランク３０における、転写パターンとなる上記吸収体膜３１をパターニングする方法は、フォトリソ法が最も好適である。すなわち、上述の反射型マスクブランク３０上に電子線描画用レジストを塗布し、ベーキングすることによりレジスト膜を形成し、電子電描画装置を用いてレジスト膜を描画、現像し、レジスト膜に、転写パターンに対応したレジストパターン形成する。その後、レジストパターンをマスクにして吸収体膜３１をパターニングして吸収体膜パターン３１ａを形成することにより反射型マスク４０が作製される（図６（ｄ）参照）。
なお、上述のハードマスク膜を含む構成の反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを製造する場合、ハードマスク膜は最終的には除去してもよいが、残存していても反射型マスクとしての機能に影響がなければ、特に除去しなくてもよい。

【0081】

本実施形態においては、上記反射型マスクブランク３０の表面に、識別記号２４が転写されているため、マスク製造工程における反射型マスクブランク３０の枚葉管理が可能となる。また、上記反射型マスクブランク３０の表面に、マスク製造における電子線描画工程においてアライメントを行うための第２の基準マーク４２が形成されている。上述した第２の基準マーク４２を基準とした欠陥情報（第１’の欠陥マップ及び／又は第３’の欠陥マップ）に基づいて、第２の基準マーク４２を基準として、吸収体膜３１をパターニングすることができる。

【0082】

すなわち、本発明では、上述したように、反射型マスクブランクの枚葉管理を行いながら、多層反射膜における欠陥位置情報を含む精度の良い欠陥情報を取得し、反射型マスクブランクの欠陥管理を高精度に行うことができる。このため、反射型マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を低減させたものが得られる。

【0083】

さらに、上述の本発明の反射型マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写することにより、欠陥の少ない高品質の半導体装置を製造することができる。

【0084】

以上は、本発明の一実施形態として、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランクについて説明したが、これに限らず、例えば、紫外光を露光光源とするフォトマスクブランクにおいても本発明を好ましく適用することができる。ガラス基板等の透光性基板上に転写パターン（マスクパターン）を形成するための薄膜（例えばクロムやクロム化合物などのクロム系材料からなる遮光膜、ケイ素やケイ素化合物などの材料からなる位相シフト膜）を有するマスクブランクにおいて、前記薄膜が形成されている側の表面であって、転写に影響のない領域に、前記マスクブランクに固有の識別記号を設け、前記マスクブランクに対して欠陥検査を行って前記薄膜の欠陥情報及び前記識別記号を同時に検出することで、前記薄膜の欠陥情報に、前記識別記号を対応付けることができる。すなわち、上記マスクブランクの欠陥検査装置で検出可能な、該マスクブランクに固有の識別記号を該マスクブランクに設けることにより、このマスクブランクに対して欠陥検査と同時に識別記号の検出を行うことができる。これにより、上記マスクブランクの個体識別と、上記薄膜の欠陥情報と識別記号との対応付けを容易に行うことが可能となり、マスクブランクの適切な枚葉管理を行うことができる。

【実施例0085】

以下、実施例により、本発明の実施形態を更に具体的に説明する。
（実施例１）
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理したＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２系のガラス基板（大きさが約１５２．０ｍｍ×約１５２．０ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍの６インチ角の基板）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）で０．２５ｎｍであった。なお、表面粗さは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定し、測定領域は１μｍ×１μｍとした。

【0086】

次に、ガラス基板の主表面に、イオンビームスパッタリング装置を用いて、Ｓｉ膜（膜厚：４．２ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚：２．８ｎｍ）を一周期として、４０周期積層し、最後にＳｉ膜（膜厚：４ｎｍ）を形成し、さらにその上に、Ｒｕからなる保護膜（膜厚：２．５ｎｍ）を成膜して、多層反射膜付き基板を得た。

【0087】

次に、上記多層反射膜付き基板の多層反射膜表面の所定の箇所に、断面形状が凹形状の複数のドットで構成されるＱＲコード（登録商標）からなる識別記号を形成した。具体的には、転写に影響のない、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの大きさのパターン形成領域と１４０ｍｍ×１４０ｍｍの大きさの欠陥検査領域との間の帯状領域内に、レーザ加工により識別記号を形成した。この識別記号は、この多層反射膜付き基板に固有の情報を付与できるものであって、かつ多層反射膜付き基板の欠陥検査に使用する欠陥検査装置で検出可能な形状、サイズとした。レーザ加工の条件は、以下の通りであった。
レーザの種類：波長４０５ｎｍの半導体レーザ
レーザの出力：７ｍＷ（連続波）
スポットサイズ：４３０ｎｍφ

【0088】

この識別記号のサイズは、欠陥検査装置として、例えば、検査光源波長が１３．５ｎｍであるレーザーテック社製のＡＢＩ装置を使用することを前提として、縦１００μｍ、横１００μｍの矩形内に収まるサイズとした。

【0089】

次に、同じく上記の帯状領域内の４つのコーナー近傍に、断面形状が凹形状の第１の基準マークをレーザ加工により形成した。第１の基準マークとして、前述の図５（ａ）に示す形状とし、大きさが直径１．５μｍの円形、深さは４０ｎｍとした。
以上の識別記号及び第１の基準マークの形成後、洗浄を行った。

【0090】

以上のようにして、多層反射膜の表面に、上記識別記号及び上記第１の基準マークを有する多層反射膜付き基板を作製した。

【0091】

次に、ＡＢＩ装置を用いて、上記多層反射膜付き基板表面の上記識別記号及び上記第１の基準マークを検出すると共に、１４０ｍｍ×１４０ｍｍの領域に対して欠陥検査を行った。この欠陥検査では、凸部、凹部の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、第１の基準マークを含めた欠陥情報（第１の欠陥マップ）を得た。これにより、上記多層反射膜付き基板の欠陥情報と識別記号との対応付けを容易に行うことが可能となり、多層反射膜付き基板の枚葉管理を適切に行うことができた。従来の反射型マスク作製前に欠陥マップと照合して個体識別を行う方法では、欠陥数が少ない又はゼロの場合には、欠陥マップとの照合ができないという問題があったが、本発明によれば、たとえ欠陥数が少ない又はゼロの場合でも、識別記号の検出により多層反射膜付き基板の欠陥情報と識別記号との対応付けを行い、多層反射膜付き基板の枚葉管理を適切に行うことができる。

【0092】

（実施例２）
実施例２では、実施例１のＡＢＩ装置による欠陥検査に加えて、検査光源波長が３５５ｎｍであるレーザーテック社製のＥＵＶ露光用のマスク・サブストレート／ブランク欠陥検査装置「MAGICS M8650」による欠陥検査を行った。
すなわち、実施例１と同様にして、多層反射膜の表面に、上記識別記号及び上記第１の基準マークを有する多層反射膜付き基板を作製した。

【0093】

次に、ＡＢＩ装置を用いて、上記多層反射膜付き基板表面の上記識別記号及び上記第１の基準マークを検出すると共に、１４０ｍｍ×１４０ｍｍの領域に対して第１の欠陥検査を行った。この第１の欠陥検査では、凸部、凹部の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、第１の基準マークを含めた第１の欠陥情報（第１の欠陥マップ）を得た。

【0094】

次に、上記欠陥検査装置MAGICS M8650を用いて、上記多層反射膜付き基板表面の上記識別記号及び上記第１の基準マークを検出すると共に、１４０ｍｍ×１４０ｍｍの領域に対して第２の欠陥検査を行った。この第２の欠陥検査では、凸部、凹部の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、第１の基準マークを含めた第２の欠陥情報（第２の欠陥マップ）を得た。これにより、上記多層反射膜付き基板の第１の欠陥情報及び第２の欠陥情報と識別記号との対応付けを容易に行うことが可能となり、多層反射膜付き基板の枚葉管理を適切に行うことができた。また、多層反射膜付き基板に対して、異なる波長の欠陥検査を行うことにより、より高精度な欠陥情報を識別記号と対応付けて枚葉管理することが可能となる。

【0095】

（実施例３）
ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、上記実施例１で得られた多層反射膜付き基板の保護膜上に、ＴａＢＮ膜（膜厚：５６ｎｍ）とＴａＢＯ膜（膜厚：１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体膜を形成した。また、多層反射膜付き基板の裏面にＴａＢ導電膜（膜厚：７０ｎｍ）を形成して反射型マスクブランクを得た。

【0096】

次に、上記反射型マスクブランクの表面の所定の４箇所に、フォトリソ法で第２の基準マークを形成した。第２の基準マークとして、前述の図７（ａ）に示す十字形状を形成した。第２の基準マークは、大きさが幅５μｍで長さが１ｍｍの十字形状、深さは約７０ｎｍとした。

【0097】

得られた反射型マスクブランクに対して、検査光源波長が１９３ｎｍであるＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製のマスク／ブランク欠陥検査装置「Teron610」を用いて、上記反射型マスクブランク表面の識別記号及び第１の基準マークを検出すると共に、１４０ｍｍ×１４０ｍｍの領域に対して第３の欠陥検査を行った。この第３の欠陥検査では、凸部、凹部の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、第１の基準マークを含めた第３の欠陥情報（第３の欠陥マップ）を得た。これにより、上記反射型マスクブランクの第３の欠陥情報と識別記号との対応付けを容易に行うことが可能となり、反射型マスクブランクの枚葉管理を適切に行うことができた。

【0098】

次に、波長３６５ｎｍのレーザで座標計測を行うＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製の座標計測器「ＬＭＳ－ＩＰＲＯ４」を用いて、第１の基準マーク及び第２の基準マークを測定した。第１の基準マークと第２の基準マークとの相対位置座標に基づいて、第２の基準マークを基準とする第１の基準マークの位置座標を検出した。第２の基準マークと第１の基準マークの相対座標の管理を行うことで、多層反射膜上の欠陥を第２の基準マーク基準で、高精度に管理できる。

【0099】

こうして、第２の基準マークを基準にした多層反射膜付き基板の欠陥情報（第１’の欠陥マップ）及び反射型マスクブランクの欠陥情報（第３’の欠陥マップ）を得た。

【0100】

次に、この識別情報を有する反射型マスクブランクを用いて、反射型マスクを作製した。
まず、反射型マスクブランク上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布し、ベーキングしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜にも識別記号が転写されていた。これにより、レジスト膜付きの反射型マスクブランクの枚葉管理が可能となる。

【0101】

その後、第２の基準マークに基づいてアライメントを行った。そして、反射型マスクブランクの欠陥情報（第１’の欠陥マップ及び第３’の欠陥マップ）に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、例えば欠陥をパターンの下に隠すように修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するかして、上述のレジスト膜に対して電子線によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。

【0102】

このレジストパターンをマスクとし、吸収体膜に対してフッ素系ガス（ＣＦ_４ガス）によりＴａＢＯ膜を、塩素系ガス（Ｃｌ_２ガス）によりＴａＢＮ膜をエッチング除去して、保護膜上に吸収体膜パターンを形成した。
さらに、吸収体膜パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、反射型マスクを得た。

【0103】

こうして得られた反射型マスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、反射型マスク起因の転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行うことができた。

【符号の説明】

【0104】

１０ ガラス基板
２０ 多層反射膜付き基板
２１ 多層反射膜
２２ 第１の基準マーク
２４ 識別記号
３０ 反射型マスクブランク
３１ 吸収体膜
４０ 反射型マスク
４２ 第２の基準マーク
４２ａ メインマーク
４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４２ｅ 補助マーク
１００ 帯状領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】