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特開2024-74228基板および基板の製造方法

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024074228

(43)【公開日】2024-05-30

(54)【発明の名称】基板および基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

H05K 1/02 20060101AFI20240523BHJP

H05K 3/00 20060101ALI20240523BHJP

H05K 1/11 20060101ALI20240523BHJP

H05K 3/40 20060101ALI20240523BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 C

H05K3/00 N

H05K1/11 H

H05K3/40 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023087818

(22)【出願日】2023-05-29

(31)【優先権主張番号】10-2022-0155642

(32)【優先日】2022-11-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソンエレクトロ－メカニックスカンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000051

【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】高燦訓

(72)【発明者】

【氏名】金相勳

(72)【発明者】

【氏名】高永國

(72)【発明者】

【氏名】李哲敏

(72)【発明者】

【氏名】呉仁煥

(72)【発明者】

【氏名】林京姫

(72)【発明者】

【氏名】ベ素賢

【テーマコード（参考）】

5E317

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E317AA21

5E317AA24

5E317BB01

5E317BB02

5E317BB12

5E317CC25

5E317CD32

5E317GG01

5E317GG20

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB14

5E338BB25

5E338EE11

5E338EE27

5E338EE60

(57)【要約】（修正有）

【課題】ホール内に満たされる金属層に不良が発生しないビアホールを有する基板および基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板は、下部導電パターンＭＬと、上部導電パターンＭＵと、連結導電パターンＭＨと、絶縁層ＩＬと、絶縁層ＩＬ上に位置する導電膜ＳＬと、絶縁層ＩＬの第１部分に位置する下部ホールＨａと、絶縁層ＩＬの第１部分よりも上に位置する絶縁層の第２部分と導電膜ＳＬに位置し、下部ホールＨａに連結された上部ホールＨｂとを含むビアホールＨＬと、を含み、下部ホールＨａの幅よりも上部ホールＨｂの幅がより広く、絶縁層ＩＬの上部ホールＨｂの少なくとも一部分は、導電膜ＳＬの上部ホールＨｂの幅と互いにほぼ同一の幅を有する。絶縁層ＩＬの下部面に並ぶ第１方向と下部ホールＨａの側壁とのなす第１角度θａと、第１方向と上部ホールＨｂの側壁とのなす第２角度θｂとは、互いに異なっていてもよい。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層と、
前記絶縁層上に位置する導電膜と、
前記絶縁層の第１部分に位置する下部ホールと、前記絶縁層の前記第１部分より上に位置する前記絶縁層の第２部分と前記導電膜に位置し、前記下部ホールに連結された上部ホールとを含むビアホールと、を含み、
前記下部ホールの幅よりも前記上部ホールの幅がより広く、
前記絶縁層の前記上部ホールの少なくとも一部分は、前記導電膜の前記上部ホールの幅と互いに同一の幅を有し、
前記絶縁層の下部面に並ぶ第１方向と前記下部ホールの側壁とのなす第１角度と、前記第１方向と前記上部ホールの側壁とのなす第２角度とは、互いに異なることを特徴とする基板。

【請求項2】

前記ビアホールは、前記下部ホールと前記上部ホールとの間に位置する中間ホールをさらに含み、
前記第１方向と前記中間ホールの側壁とのなす第３角度は、前記第１角度および前記第２角度とは異なることを特徴とする請求項１に記載の基板。

【請求項3】

前記第１角度は、前記第２角度よりも小さく、前記第３角度よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の基板。

【請求項4】

前記中間ホールの前記側壁の断面は、曲線形状を有することを特徴とする請求項２に記載の基板。

【請求項5】

前記第１絶縁層の下に位置する下部導電パターンと、
前記導電膜上に位置する上部導電パターンと、をさらに含み、
前記下部ホールは、前記下部導電パターンに近い部分で第１幅を有し、前記上部導電パターンに近い部分で前記第１幅よりも広い第２幅を有し、
前記下部ホールの最大幅よりも前記上部ホールの幅がより広いことを特徴とする請求項１に記載の基板。

【請求項6】

前記下部ホールは、前記下部導電パターンに接する部分で下部幅を有し、前記上部ホールは、前記上部導電パターンに接する部分で上部幅を有し、
前記下部幅に対する前記上部幅の比は、１よりも大きく、３と同じか小さいことを特徴とする請求項５に記載の基板。

【請求項7】

前記ビアホール内に位置し、前記下部導電パターンおよび前記上部導電パターンに連結された連結導電パターンをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の基板。

【請求項8】

前記絶縁層は、前記第２部分に位置する第１絶縁層をさらに含み、
前記上部ホールは、前記第１絶縁層と前記導電膜に位置することを特徴とする請求項１に記載の基板。

【請求項9】

前記絶縁層と前記導電膜との間に位置する第１絶縁層をさらに含み、
前記上部ホールは、前記第１絶縁層に形成された部分をさらに含み、
前記第１絶縁層に形成された前記上部ホールの幅は、前記導電膜に形成された前記上部ホールの幅と同一であることを特徴とする請求項１に記載の基板。

【請求項10】

絶縁層と、
前記絶縁層上に位置する導電膜と、
前記絶縁層の第１部分に位置する下部ホールと、前記絶縁層の前記第１部分よりも上に位置する前記絶縁層の第２部分と前記導電膜に位置する上部ホールと、前記下部ホールと前記上部ホールとの間に位置する中間ホールとを含むビアホールと、を含み、
前記下部ホールの幅よりも前記上部ホールの幅が広く、
前記絶縁層の前記上部ホールの幅と、前記導電膜の前記上部ホールの幅とは、互いに同一であり、
前記中間ホールの側壁の断面は、曲面形状を有することを特徴とする基板。

【請求項11】

【請求項12】

前記下部ホールは、前記下部導電パターンに接する部分で下部幅を有し、前記上部ホールは、前記上部導電パターンに接する部分で上部幅を有し、
前記下部幅に対する前記上部幅の比は、１よりも大きく、３と同じか小さいことを特徴とする請求項１１に記載の基板。

【請求項13】

前記絶縁層は、前記第２部分に位置する第１絶縁層をさらに含み、
前記上部ホールは、前記第１絶縁層と前記導電膜に位置することを特徴とする請求項１０に記載の基板。

【請求項14】

前記絶縁層と前記導電膜との間に位置する第１絶縁層をさらに含み、
前記上部ホールは、前記第１絶縁層に形成された部分をさらに含み、
前記第１絶縁層に形成された前記上部ホールの幅は、前記導電膜に形成された前記上部ホールの幅と同一であることを特徴とする請求項１０に記載の基板。

【請求項15】

前記下部ホールの中心部分と、前記上部ホールの中心部分とは、上下に整列されないことを特徴とする請求項１４に記載の基板。

【請求項16】

絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層上に導電膜を形成する段階と、
第１レーザを照射して前記導電膜と前記絶縁層を１次除去して、第１ホールを形成する段階と、
第２レーザを照射して前記絶縁層を２次除去して、第２ホールを形成する段階と、
第３レーザを照射して前記導電膜と前記絶縁層を３次除去して、第３ホールを形成する段階と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。

【請求項17】

前記第１レーザと前記第３レーザは、ヤグ（ＹＡＧ）レーザであり、
前記第２レーザは、二酸化炭素ガスレーザであることを特徴とする請求項１６に記載の基板の製造方法。

【請求項18】

前記第２レーザを照射する段階において、前記導電膜は、除去されないことを特徴とする請求項１７に記載の基板の製造方法。

【請求項19】

前記絶縁層は、ガラス繊維が含浸され、
前記第２レーザ照射段階において、前記絶縁層の前記ガラス繊維が加工されることを特徴とする請求項１８に記載の基板の製造方法。

【請求項20】

前記第３レーザを照射する段階の前に、前記導電膜の前記第１ホールの幅は、前記絶縁層の前記第２ホールの幅よりも狭いように形成され、
前記第３レーザを照射する段階において、前記導電膜の前記第３ホールの幅と、前記絶縁層の前記第３ホールの幅とが、同一に形成されることを特徴とする請求項１８に記載の基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板および基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

基板の層間電気的連結のために基板にホールが形成される。基板にホールを形成するためにレーザを用いる多くの方法が提示されている。

【0003】

レーザを用いて基板にホールを形成する時、基板の絶縁層と金属層との間の熱伝導の差およびレーザ吸収率の差によって、ホールが上へいくほど狭くなる構造を有したり、上部金属層が下部絶縁層よりも突出し、これによって、ホール内に連結用金属層が完全に満たされなかったり、ボイドが発生するなどの収率の低下が発生しうる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１４－１２３７０７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ビアホールの幅が上へいくほど狭くなったり、ビアホール内で上部金属層が下部絶縁層よりも突出しないことによって、ビアホール内に満たされる金属層に不良が発生しないビアホールを有する基板および基板の製造方法を提供することにある。

【0006】

しかし、本発明が解決しようとする課題は上述した課題に限定されず、実施例に含まれている技術的思想の範囲内で多様に拡張可能である。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に位置する導電膜と、前記絶縁層の第１部分に位置する下部ホールと、前記絶縁層の前記第１部分より上に位置する前記絶縁層の第２部分と前記導電膜に位置し、前記下部ホールに連結された上部ホールとを含むビアホールと、を含むことができ、前記下部ホールの幅よりも前記上部ホールの幅がより広く、前記絶縁層の前記上部ホールの少なくとも一部分は、前記導電膜の前記上部ホールの幅と互いに同一の幅を有することができ、前記絶縁層の下部面に並ぶ第１方向と前記下部ホールの側壁とのなす第１角度と、前記第１方向と前記上部ホールの側壁とのなす第２角度とは、互いに異なっていてもよい。

【0008】

前記ビアホールは、前記下部ホールと前記上部ホールとの間に位置する中間ホールをさらに含むことができ、前記第１方向と前記中間ホールの側壁とのなす第３角度は、前記第１角度および前記第２角度とは異なっていてもよい。
前記第１角度は、前記第２角度よりも小さく、前記第３角度よりも大きい。
前記中間ホールの前記側壁の断面は、曲線形状を有することができる。
前記基板は、前記第１絶縁層の下に位置する下部導電パターンと、前記導電膜上に位置する上部導電パターンとをさらに含むことができ、前記下部ホールは、前記下部導電パターンに近い部分で第１幅を有し、前記上部導電パターンに近い部分で前記第１幅よりも広い第２幅を有することができ、前記下部ホールの最大幅よりも前記上部ホールの幅がより広い。
前記下部ホールは、前記下部導電パターンに接する部分で下部幅を有することができ、前記上部ホールは、前記上部導電パターンに接する部分で上部幅を有することができ、前記下部幅に対する前記上部幅の比は、１より大きく、３と同じか小さい。
前記基板は、前記ビアホール内に位置し、前記下部導電パターンおよび前記上部導電パターンに連結された連結導電パターンをさらに含むことができる。
前記絶縁層は、前記第２部分に位置する第１絶縁層をさらに含むことができ、前記上部ホールは、前記第１絶縁層と前記導電膜に位置することができる。
前記基板は、前記絶縁層と前記導電膜との間に位置する第１絶縁層をさらに含むことができ、前記上部ホールは、前記第１絶縁層に形成された部分をさらに含むことができ、前記第１絶縁層に形成された前記上部ホールの幅は、前記導電膜に形成された前記上部ホールの幅と実質的に同一であってもよい。

【0009】

上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様による基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に位置する導電膜と、前記絶縁層の第１部分に位置する下部ホール、前記絶縁層の前記第１部分よりも上に位置する前記絶縁層の第２部分と前記導電膜に位置する上部ホールと、前記下部ホールと前記上部ホールとの間に位置する中間ホールとを含むビアホールと、を含むことができ、前記下部ホールの幅よりも前記上部ホールの幅が広く、前記絶縁層の前記上部ホールの幅と、前記導電膜の前記上部ホールの幅とは、互いにほぼ同一であってもよく、前記中間ホールの側壁の断面は、曲面形状を有することができる。

【0010】

前記下部ホールの中心部分と、前記上部ホールの中心部分とは、上下に整列されなくてもよい。

【0011】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による基板の製造方法は、絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層上に導電膜を形成する段階と、第１レーザを照射して前記導電膜と前記絶縁層を１次除去して、第１ホールを形成する段階と、第２レーザを照射して前記絶縁層を２次除去して、第２ホールを形成する段階と、第３レーザを照射して前記導電膜と前記絶縁層を３次除去して、第３ホールを形成する段階とを含むことができる。

【0012】

前記第１レーザと前記第３レーザは、ヤグ（ＹＡＧ）レーザであってもよく、前記第２レーザは、二酸化炭素ガスレーザであってもよい。
前記第２レーザを照射する段階において、前記導電膜は、除去されなくてもよい。
前記絶縁層は、ガラス繊維が含浸され、前記第２レーザ照射段階において、前記絶縁層の前記ガラス繊維が加工される。
前記第３レーザを照射する段階の前に、前記導電膜の前記第１ホールの幅は、前記絶縁層の前記第２ホールの幅よりも狭い。
前記第３レーザを照射する段階において、前記導電膜の前記第３ホールの幅と、前記絶縁層の前記第３ホールの幅とが、同一に形成される。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、ビアホールの幅が上へいくほど狭くなったり、ビアホール内で上部金属層が下部絶縁層よりも突出しないことによって、ビアホール内に満たされる金属層に不良が発生しないビアホールを有する基板および基板の製造方法を提供することができる。
但し、本発明の効果は上述した効果に限定されるものではなく、本発明の思想および技術範囲を逸脱しない範囲内で多様に拡張可能であることは自明である。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の一実施例による基板の断面図である。

【図2】本発明の一実施例による基板の製造方法を示す断面図である。

【図3】本発明の一実施例による基板の製造方法を示す断面図である。

【図4】本発明の一実施例による基板の製造方法を示す断面図である。

【図5】本発明の他の実施例による基板の断面図である。

【図6】本発明の他の実施例による基板の製造方法を示す断面図である。

【図7】本発明の他の実施例による基板の製造方法を示す断面図である。

【図8】本発明の他の実施例による基板の製造方法を示す断面図である。

【図9】本発明のさらに他の実施例による基板の断面図である。

【図10】本発明のその他の実施例による基板の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、図面を参照して、本発明の様々な実施例について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は種々の異なる形態で実現可能であり、本明細書で説明する実施例に限定されない。

【0016】

本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付す。

【0017】

また、図面は本明細書に開示された実施例を容易に理解できるようにするためのものに過ぎず、図面によって本明細書に開示された技術的思想は限定されず、本発明の思想および技術範囲に含まれるすべての変更、均等物乃至代替物を含むことが理解されなければならない。

【0018】

さらに、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示したので、本発明は必ずしも図示のものに限定されない。図面において様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して示した。

【0019】

また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとする時、これは他の部分の「直上に」ある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上に」あるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。さらに、基準となる部分の「上に」あるというのは、基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力の反対方向に「上に」位置することを意味するわけではない。

【0020】

また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。

【0021】

さらに、明細書全体において、「平面上」とする時、これは対象部分を上から見た時を意味し、「断面上」とする時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。

【0022】

また、明細書全体において、「連結される」とする時、これは２以上の構成要素が直接的に連結されることだけを意味するのではなく、２以上の構成要素が他の構成要素を介して間接的に連結されること、物理的に連結されることだけでなく、電気的に連結されること、または位置や機能により異なる名称で称されたが、一切を意味することができる。

【0023】

以下、図面を参照して、本発明の多様な実施例と変形例を詳細に説明する。

【0024】

図１を参照して、本発明の一実施例による基板について説明する。図１は、本発明の一実施例による基板の断面図である。

【0025】

図１を参照すれば、本発明の一実施例による基板は、下部導電パターンＭＬと、高さ方向の第１方向ＤＲａに沿って下部導電パターンＭＬ上に位置する絶縁層ＩＬと、第１方向ＤＲａに沿って絶縁層ＩＬ上に位置する導電膜ＳＬと、第１方向ＤＲａに沿って導電膜ＳＬ上に位置する上部導電パターンＭＵと、絶縁層ＩＬと導電膜ＳＬに形成されたビアホールＨＬと、ビアホールＨＬ内に位置する連結導電パターンＭＨとを含む。

【0026】

下部導電パターンＭＬと上部導電パターンＭＵとは、絶縁層ＩＬと導電膜ＳＬに形成されたビアホールＨＬ内に位置する連結導電パターンＭＨを介して互いに連結される。

【0027】

絶縁層ＩＬは、絶縁物質を含み、フィラーまたは強化剤を含むことができる。絶縁層ＩＬは、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ、ＰＰＧ）を含み、ガラス繊維が含浸される。しかし、これに限定されず、絶縁層ＩＬは、多様な絶縁物質を含むことができる。

【0028】

導電膜ＳＬは、金属コイル層であってもよく、例えば、銅コイル層であってもよいが、これに限定されない。

【0029】

絶縁層ＩＬと導電膜ＳＬに形成されたビアホールＨＬは、下部導電パターンＭＬに接する下部ホールＨａと、上部導電パターンＭＵに接する上部ホールＨｂとを含む。第１方向ＤＲａに沿って、上部ホールＨｂは、下部ホールＨａ上に位置し、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとは、中間ホールＨｃを介して互いに連結される。第１方向ＤＲａと垂直をなす第２方向ＤＲｂに沿って、上部ホールＨｂの幅は、下部ホールＨａの幅よりも大きい。以下、具体的な言及がなくても、すべての幅は、第２方向ＤＲｂに沿って測定されたものとする。

【0030】

下部ホールＨａは、絶縁層ＩＬの下側の一部分に形成され、上部ホールＨｂは、絶縁層ＩＬの上側の一部分と導電膜ＳＬに形成される。

【0031】

下部ホールＨａの幅は、下部導電パターンＭＬに接する部分から上部導電パターンＭＵへ近づくほど次第に広くなる。図示した実施例によれば、下部ホールＨａの幅は、下部導電パターンＭＬに接する部分から上部導電パターンＭＵへ近づくほど連続的に次第に広くなるものとして示したが、これに限定されず、下部ホールＨａの側壁は、一部突出した部分を含んでもよいし、これによって、下部ホールＨａの幅は、下側より上側がより狭い一部分を含みうる。

【0032】

下部ホールＨａの最大幅ＷＬａは、下部ホールＨａの下部導電パターンＭＬに接する部分の下部幅ＷＬよりも大きく、上部ホールＨｂの上部導電パターンＭＵに接する部分の上部幅ＷＵよりも小さい。

【0033】

下部ホールＨａの下部導電パターンＭＬに接する部分の下部幅ＷＬに対する、上部ホールＨｂの上部導電パターンＭＵに接する部分の上部幅ＷＵの比は、約１よりも大きく、約３と同じか小さい。

【0034】

絶縁層ＩＬの下部面と実質的に並ぶ（平行な）第２方向ＤＲｂと下部ホールＨａの側壁とのなす第１角度θａと、第２方向ＤＲｂと上部ホールＨｂの側壁とのなす第２角度θｂとは、互いに異なっていてもよい。例えば、第２角度θｂが第１角度θａよりも大きくてもよい。下部ホールＨａと上部ホールＨｂのテーパ角度は、互いに異なっていてもよい。第１方向ＤＲａを基準として側壁の傾斜した角度をテーパ角度とする場合、下部ホールＨａのテーパ角度が、上部ホールＨｂのテーパ角度よりも大きくてよい。

【0035】

図示した実施例によれば、下部ホールＨａと上部ホールＨｂの側壁の断面は、ほぼ直線形状の断面を有するものとして示されたが、これに限定されず、先に説明したように、下部ホールＨａと上部ホールＨｂの側壁は、一部突出した部分を含むことができ、下部ホールＨａと上部ホールＨｂの側壁は、平らでなくてもよい。

【0036】

下部ホールＨａと上部ホールＨｂとの間の中間ホールＨｃの厚さは、下部ホールＨａの厚さと上部ホールＨｂの厚さよりも小さく、中間ホールＨｃの側壁の断面は、曲線形状を有する。また、中間ホールＨｃの側壁の断面は、曲線形状を有するため、第２方向ＤＲｂと中間ホールＨｃの側壁とのなす第３角度θ３は、位置によって変化する。しかし、第３角度θ３は、第１角度θａおよび第２角度θｂよりも小さい。したがって、下部ホールＨａ、上部ホールＨｂ、中間ホールＨｃのテーパ角度は、互いに異なっていてもよい。第１方向ＤＲａを基準として側壁の傾斜した角度をテーパ角度とする場合、中間ホールＨｃのテーパ角度は、下部ホールＨａのテーパ角度と上部ホールＨｂのテーパ角度よりも大きくてもよい。下部ホールＨａ、上部ホールＨｂ、中間ホールＨｃのテーパ角度は、中間ホールＨｃ、下部ホールＨａ、上部ホールＨｂの順に小さくなる大きさを有する。

【0037】

万一、上部ホールＨｂの幅が下部ホールＨａの幅よりも狭い場合、ビアホールＨＬ内に連結導電パターンＭＨを形成する時、連結導電パターンＭＨがすべて満たされなかったり、不必要なボイド（ｖｏｉｄ）が形成されるなどの不良が発生しうる。しかし、本実施例による基板によれば、上部ホールＨｂの幅は、下部ホールＨａの幅よりも大きく、ビアホールＨＬ内に連結導電パターンＭＨを形成する時、不良が発生しない。

【0038】

絶縁層ＩＬに形成された上部ホールＨｂのうちの上側に位置する上部ホールＨｂの幅と、導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂの幅とは、実質的に同一であってもよい。万一、導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂの幅が、絶縁層ＩＬに形成された上部ホールＨｂの幅よりも狭い場合、導電膜ＳＬの周縁が突出するので、上部ホールＨｂ内に連結導電パターンＭＨをメッキなどで形成する時、導電膜ＳＬと絶縁層ＩＬとの境界部でメッキシード層が切れたり、連結導電パターンＭＨがすべて満たされなかったり、不必要なボイド（ｖｏｉｄ）が形成されるなどの不良が発生しうる。しかし、本実施例による基板によれば、導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂの幅は、絶縁層ＩＬに形成された上部ホールＨｂの幅よりも狭くなく、互いに実質的に同一であるので、絶縁層ＩＬと導電膜ＳＬとの間の界面部分で発生しうる連結導電パターンＭＨの不良発生を防止することができる。

【0039】

以下、図１とともに図２～図４を参照して、本発明の一実施例による基板の製造方法について説明する。図２～図４は、本発明の一実施例による基板の製造方法を示す断面図である。

【0040】

図２を参照すれば、下部導電パターンＭＬを形成し、下部導電パターンＭＬ上に絶縁層ＩＬを積層し、絶縁層ＩＬ上に導電膜ＳＬを形成した後、第１レーザＬ１を照射して導電膜ＳＬと絶縁層ＩＬを除去して、導電膜ＳＬと絶縁層ＩＬに第１サブホールＨａ１を形成する。

【0041】

第１レーザＬ１は、ヤグ（ＹＡＧ）レーザであってもよい。

【0042】

第１サブホールＨａ１の最上部は、第１幅Ｗ１を有し、第１サブホールＨａ１は、導電膜ＳＬと絶縁層ＩＬの一部分に形成され、下部導電パターンＭＬは、第１サブホールＨａ１によって露出せず、下部導電パターンＭＬ上には絶縁層ＩＬの一部分が残る。

【0043】

次に、図３を参照すれば、第２レーザＬ２を照射して第１サブホールＨａ１の外部の絶縁層ＩＬを追加的に除去して、下部導電パターンＭＬを露出するように絶縁層ＩＬに第２サブホールＨａ２と第３サブホールＨｂ１とを形成する。

【0044】

第２レーザＬ２は、二酸化炭素（ＣＯ_２）ガスレーザであってもよい。第２レーザＬ２を用いて絶縁層ＩＬを除去する時、絶縁層ＩＬ内のガラス繊維を加工することができ、これによって、不必要なガラス粉やガラス粒子などが発生するのを防止することができる。

【0045】

絶縁層ＩＬの第２サブホールＨａ２は、下部導電パターンＭＬに接する部分で下部幅ＷＬを有し、絶縁層ＩＬの第３サブホールＨｂ１は、第２幅Ｗ２を有し、絶縁層ＩＬ上に位置する導電膜ＳＬの第４サブホールＨｂ２は、第３幅Ｗ３を有し、第３幅Ｗ３は、第２幅Ｗ２よりも小さく、第１幅Ｗ１と実質的に同一であってもよい。

【0046】

絶縁層ＩＬの第２サブホールＨａ２は、ビアホールＨＬの下部ホールＨａであってもよい。

【0047】

このように、第２レーザＬ２を照射して絶縁層ＩＬを追加的に除去する時、導電膜ＳＬは除去されなかったり、絶縁層ＩＬに比べて少なく除去されるため、導電膜ＳＬの第４サブホールＨｂ２は、絶縁層ＩＬの第３サブホールＨｂ１よりも狭く形成され、導電膜ＳＬは、ホールの中心側に絶縁層ＩＬよりも突出する。

【0048】

次に、図４を参照すれば、第３レーザＬ３を照射して絶縁層ＩＬの第３サブホールＨｂ１と導電膜ＳＬの第４サブホールＨｂ２の周辺の絶縁層ＩＬと導電膜ＳＬを追加的に除去することによって、ビアホールＨＬの下部ホールＨａ上に位置し、上部幅ＷＵを有する上部ホールＨｂを形成する。また、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとを連結する中間ホールＨｃを形成する。これによって、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとを含むビアホールＨＬを完成させる。

【0049】

第３レーザＬ３は、ヤグ（ＹＡＧ）レーザであってもよい。第３レーザＬ３を照射することによって、導電膜ＳＬと絶縁層ＩＬをともに除去することによって、絶縁層ＩＬに形成された上部ホールＨｂの幅と、導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂの幅とは、実質的に同一に形成される。

【0050】

次に、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとを含むビアホールＨＬ内に金属層をメッキなどで形成して、ビアホールＨＬ内に連結導電パターンＭＨを形成し、その上に上部導電パターンＭＵを形成することによって、図１に示した実施例による基板を形成する。

【0051】

本実施例による基板の製造方法によれば、第１レーザＬ１を用いて絶縁層ＩＬと導電膜ＳＬを除去して、第１サブホールＨａ１を形成し、第２レーザＬ２を用いて絶縁層ＩＬを２次除去することによって、絶縁層ＩＬに下部ホールＨａをなす第２サブホールＨａ２と第２サブホールＨａ２上の第３サブホールＨｂ１とを形成し、第３レーザＬ３を用いて導電膜ＳＬと絶縁層ＩＬをともに３次除去することによって、導電膜ＳＬと絶縁層ＩＬに互いに同一の幅を有する上部ホールＨｂを形成することによって、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとを含むビアホールＨＬを形成することができる。

【0052】

これによって、上部ホールＨｂの幅は、下部ホールＨａの幅よりも大きく、絶縁層ＩＬに形成された上部ホールＨｂの幅と、導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂの幅とが、実質的に同一のビアホールＨＬを形成することができる。

【0053】

以下、図５を参照して、本発明の他の実施例による基板について説明する。図５は、本発明の他の実施例による基板の断面図である。

【0054】

図５を参照すれば、本実施例による基板は、図１を参照して説明した実施例による基板と類似している。同一の構成要素に関する具体的な説明は省略する。

【0055】

図１に示した実施例とは異なり、本実施例による基板は、絶縁層ＩＬと導電膜ＳＬとの間に位置する第１絶縁層ＲＬをさらに含む。

【0056】

【0057】

第１絶縁層ＲＬは、絶縁物質を含み、フィラーまたは強化剤を含まなくてもよい。第１絶縁層ＲＬは、プライマー樹脂層であってもよく、第１絶縁層ＲＬは、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、およびリン（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ）系エポキシ樹脂から１つ以上選択されるエポキシ樹脂を含んでもよい。しかし、これに限定されず、第１絶縁層ＲＬは、多様なレジンを含むことができる。

【0058】

導電膜ＳＬは、金属コイル層であってもよく、例えば、銅コイル層であってもよいが、これに限定されない。

【0059】

本実施例による基板は、第１絶縁層ＲＬをさらに含むことによって、絶縁層ＩＬと導電膜ＳＬとの間の接着力を高めることができる。

【0060】

ビアホールＨＬは、絶縁層ＩＬ、第１絶縁層ＲＬ、導電膜ＳＬに形成され、下部導電パターンＭＬに接する下部ホールＨａと、上部導電パターンＭＵに接する上部ホールＨｂとを含む。下部ホールＨａと、上部ホールＨｂとは、互いに連結され、上部ホールＨｂの幅は、下部ホールＨａの幅よりも大きい。

【0061】

下部ホールＨａは、絶縁層ＩＬに形成され、上部ホールＨｂは、第１絶縁層ＲＬと導電膜ＳＬに形成される。下部ホールＨａと上部ホールＨｂとの間の中間ホールＨｃは、絶縁層ＩＬの一部分に形成されるが、これに限定されず、中間ホールＨｃは、第１絶縁層ＲＬの下部側に形成されてもよい。

【0062】

下部ホールＨａの幅は、下部導電パターンＭＬに接する部分から上部導電パターンＭＵへ近づくほど次第に広くなる。図示した実施例によれば、下部ホールＨａの幅は、下部導電パターンＭＬに接する部分から上部導電パターンＭＵへ近づくほど連続的に次第に広くなるものとして示したが、これに限定されず、下部ホールＨａの側壁は、一部突出した部分を含むことができ、これによって、下部ホールＨａの幅は、下側より上側がよりも狭い一部分を含むことができる。

【0063】

下部ホールＨａの最大幅ＷＬａは、下部ホールＨａの下部導電パターンＭＬに接する部分の下部幅ＷＬよりも大きく、上部ホールＨｂの上部導電パターンＭＵと接する部分の上部幅ＷＵよりも小さい。

【0064】

【0065】

第１絶縁層ＲＬに形成された上部ホールＨｂの幅と、導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂの幅とは、実質的に同一であってもよい。

【0066】

絶縁層ＩＬの下部面と実質的に並ぶ（平行な）第２方向ＤＲｂと下部ホールＨａの側壁とのなす第１角度θａと、第２方向ＤＲｂと上部ホールＨｂの側壁とのなす第２角度θｂとは、互いに異なっていてもよい。例えば、第１角度θａよりも第２角度θｂがより大きくてもよい。下部ホールＨａと上部ホールＨｂのテーパ角度は、互いに異なっていてもよい。第１方向ＤＲａを基準として傾斜した角度をテーパ角度とする場合、下部ホールＨａのテーパ角度が、上部ホールＨｂのテーパ角度よりも大きくてよい。

【0067】

図示した実施例によれば、下部ホールＨａと上部ホールＨｂの側壁の断面は、ほぼ直線形状の断面を有するものとして示したが、これに限定されず、先に説明したように、下部ホールＨａと上部ホールＨｂの側壁は、一部突出した部分を含むことができ、下部ホールＨａと上部ホールＨｂの側壁は、平らでなくてもよい。

【0068】

下部ホールＨａと上部ホールＨｂとの間の中間ホールＨｃの厚さは、下部ホールＨａの厚さと上部ホールＨｂの厚さよりも小さく、中間ホールＨｃの側壁の断面は、曲線形状を有する。また、中間ホールＨｃの側壁の断面は、曲線形状を有するため、第２方向ＤＲｂと中間ホールＨｃの側壁とのなす第３角度θ３は、位置によって変化可能であるが、第３角度θ３は、第１角度θａおよび第２角度θｂよりも小さい。したがって、下部ホールＨａ、上部ホールＨｂ、中間ホールＨｃのテーパ角度は、互いに異なっていてもよい。第１方向ＤＲａを基準として側壁の傾斜した角度をテーパ角度とする場合、中間ホールＨｃのテーパ角度は、下部ホールＨａのテーパ角度と上部ホールＨｂのテーパ角度よりも大きくてもよい。下部ホールＨａ、上部ホールＨｂ、中間ホールＨｃのテーパ角度は、中間ホールＨｃ、下部ホールＨａ、上部ホールＨｂの順に小さくなる大きさを有する。

【0069】

本実施例による基板によれば、上部ホールＨｂの幅は、下部ホールＨａの幅よりも大きく、ビアホールＨＬ内に連結導電パターンＭＨを形成する時、不良が発生しない。また、第１絶縁層ＲＬと導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂの幅は、実質的に同一であるので、第１絶縁層ＲＬの上部ホールＨｂと導電膜ＳＬの上部ホールＨｂとの間の幅の差がある場合に、第１絶縁層ＲＬと導電膜ＳＬとの界面部分で発生しうる、連結導電パターンＭＨの不良発生を防止することができる。

【0070】

図１を参照して説明した実施例による基板の多くの特徴は、本実施例による基板にすべて適用可能である。

【0071】

以下、図５とともに図６～図８を参照して、本発明の他の実施例による基板の製造方法について説明する。図６～図８は、本発明の他の実施例による基板の製造方法を示す断面図である。

【0072】

図６を参照すれば、下部導電パターンＭＬを形成し、下部導電パターンＭＬ上に絶縁層ＩＬを積層し、絶縁層ＩＬ上に第１絶縁層ＲＬと導電膜ＳＬとを形成した後、第１レーザＬ１を照射して導電膜ＳＬ、第１絶縁層ＲＬ、および絶縁層ＩＬを除去して、導電膜ＳＬ、第１絶縁層ＲＬ、および絶縁層ＩＬに第１サブホールＨａ１を形成する。

【0073】

第１レーザＬ１は、ヤグ（ＹＡＧ）レーザであってもよい。

【0074】

第１サブホールＨａ１は、第１幅Ｗ１を有し、第１サブホールＨａ１は、絶縁層ＩＬの一部分に形成され、下部導電パターンＭＬは、第１サブホールＨａ１によって露出せず、下部導電パターンＭＬ上には絶縁層ＩＬの一部分が残る。

【0075】

次に、図７を参照すれば、第２レーザＬ２を照射して第１サブホールＨａ１の外部の絶縁層ＩＬを追加的に除去して、下部導電パターンＭＬが露出するように絶縁層ＩＬに第２サブホールＨａ２を形成する。この時、第１絶縁層ＲＬの一部分もともに除去されて、第１絶縁層ＲＬに第３サブホールＨｂ１が形成される。

【0076】

【0077】

第１絶縁層ＲＬの第３サブホールＨｂ１は、下から上へいくほど幅が狭くなる構造を有する。第１絶縁層ＲＬは、絶縁層ＩＬよりも第２レーザＬ２に対して反応性が低く、絶縁層ＩＬと第１絶縁層ＲＬとの間の隙間を通して第２レーザＬ２が供給されるので、第１絶縁層ＲＬに形成される第３サブポールＨｂ１の幅は、絶縁層ＩＬに隣接した下部分で広く、上へいくほど次第に狭くなる構造を有する。

【0078】

絶縁層ＩＬの第２サブホールＨａ２は、下部導電パターンＭＬに接する部分で下部幅ＷＬを有し、絶縁層ＩＬの第２サブホールＨａ２と第１絶縁層ＲＬに形成される第３サブホールＨｂ１は、第２幅Ｗ２の最大幅を有し、導電膜ＳＬの第４サブホールＨｂ２は、第３幅Ｗ３を有し、第３幅Ｗ３は、第２幅Ｗ２よりも小さく、第１幅Ｗ１と実質的に同一であってもよい。

【0079】

絶縁層ＩＬの第２サブホールＨａ２は、ビアホールＨＬの下部ホールＨａになってもよい。

【0080】

このように、第２レーザＬ２を照射して絶縁層ＩＬを追加的に除去する時、導電膜ＳＬは除去されなかったり、絶縁層ＩＬに比べて少なく除去されるため、導電膜ＳＬの第４サブホールＨｂ２は、絶縁層ＩＬの第２サブホールＨａ２よりも狭く形成され、導電膜ＳＬは、ホールの中心側に絶縁層ＩＬよりも突出する。また、第１絶縁層ＲＬの第３サブホールＨｂ１は、下から上へいくほど幅が狭くなる構造を有する。

【0081】

次に、図８を参照すれば、第３レーザＬ３を照射して第１絶縁層ＲＬの第３サブホールＨｂ１と導電膜ＳＬの第４サブホールＨｂ２の周辺の第１絶縁層ＲＬと導電膜ＳＬを追加的に除去することによって、ビアホールＨＬの下部ホールＨａ上に位置し、上部幅ＷＵを有する上部ホールＨｂを形成する。また、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとの間の中間ホールＨｃを形成する。これによって、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとを含むビアホールＨＬを完成する。

【0082】

第３レーザＬ３は、ヤグ（ＹＡＧ）レーザであってもよい。第３レーザＬ３を照射して第１絶縁層ＲＬと絶縁層ＩＬをともに除去することによって、第１絶縁層ＲＬに形成された上部ホールＨｂの幅と、導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂの幅とは、実質的に同一に形成される。

【0083】

次に、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとを含むビアホールＨＬ内に金属層をメッキなどで形成して、ビアホールＨＬ内に連結導電パターンＭＨを形成し、その上に上部導電パターンＭＵを形成することによって、図５に示した基板を形成する。

【0084】

本実施例による基板の製造方法によれば、第１レーザＬ１を用いて絶縁層ＩＬ、第１絶縁層ＲＬ、及び導電膜ＳＬを除去して、第１サブホールＨａ１を形成し、第２レーザＬ２を用いて絶縁層ＩＬを２次除去することによって、絶縁層ＩＬに下部ホールＨａをなす第２サブホールＨａ２を形成すると同時に、第１絶縁層ＲＬの第３サブホールＨｂ１を形成し、第３レーザＬ３を用いて導電膜ＳＬと第１絶縁層ＲＬをともに３次除去して、導電膜ＳＬと第１絶縁層ＲＬに互いに同一の幅を有する上部ホールＨｂを形成することによって、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとを含むビアホールＨＬを形成する。

【0085】

これによって、上部ホールＨｂの幅は、下部ホールＨａの幅よりも大きく、第１絶縁層ＲＬに形成された上部ホールＨｂの幅と、導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂの幅とは、実質的に同一のビアホールＨＬを形成する。

【0086】

図１とともに図２～図４を参照して説明した実施例による基板の製造方法の多くの特徴は、本実施例による基板の製造方法にすべて適用可能である。

【0087】

以下、図９を参照して、本発明のさらに他の実施例による基板について説明する。図９は、本発明のさらに他の実施例による基板の断面図である。

【0088】

図９を参照すれば、本実施例による基板は、図５に示した実施例による基板と類似している。同一の構成要素に関する具体的な説明は省略する。

【0089】

図９に示すように、ビアホールＨＬは、絶縁層ＩＬ、第１絶縁層ＲＬ、導電膜ＳＬに形成され、下部導電パターンＭＬに接する下部ホールＨａと、上部導電パターンＭＵに接する上部ホールＨｂとを含む。下部ホールＨａと、上部ホールＨｂとは、互いに連結され、上部ホールＨｂの幅は、下部ホールＨａの幅よりも大きい。

【0090】

下部ホールＨａは、絶縁層ＩＬに形成され、上部ホールＨｂは、第１絶縁層ＲＬと導電膜ＳＬだけでなく、絶縁層ＩＬの一部分にも形成される。下部ホールＨａと上部ホールＨｂとの間の中間ホールＨｃは、絶縁層ＩＬの一部分に形成される。

【0091】

下部ホールＨａの幅は、下部導電パターンＭＬに接する部分から上部導電パターンＭＵへ近づくほど次第に広くなる。

【0092】

【0093】

【0094】

第１絶縁層ＲＬに形成された上部ホールＨｂの幅と導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂの幅、そして絶縁層ＩＬに形成された上部ホールＨｂの幅は、実質的に同一であってもよい。

【0095】

本実施例によれば、図５に示した実施例とは異なり、下部ホールＨａは、絶縁層ＩＬの一部分に形成され、上部ホールＨｂは、第１絶縁層ＲＬと導電膜ＳＬだけでなく、絶縁層ＩＬの一部分にまで形成される。

【0096】

本実施例による基板の上部ホールＨｂの深さは、図５に示した実施例の上部ホールＨｂよりも高さの差Ｄａだけより深い。

【0097】

本実施例によれば、互いに幅が異なる下部ホールＨａと上部ホールＨｂとの境界部は、絶縁層ＩＬの内部に形成される。下部ホールＨａと上部ホールＨｂとの境界部に互いに異なる層の界面が位置する場合、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとの境界部で発生する応力の差によって界面で互いに異なる層が互いに分離される。しかし、本実施例によれば、互いに幅が異なる下部ホールＨａと上部ホールＨｂとの境界部が、絶縁層ＩＬの内部に形成されることによって、界面部での膜分離の不良が発生するのを防止することができる。

【0098】

先に説明した実施例による基板の多くの特徴は、本実施例による基板にすべて適用可能である。

【0099】

以下、図１０を参照して、本発明のその他の実施例による基板について説明する。図１０は、本発明のその他の実施例による基板の断面図である。

【0100】

図１０を参照すれば、本実施例による基板は、図９を参照して説明した実施例による基板と類似している。同一の構成要素に関する具体的な説明は省略する。

【0101】

本実施例による基板は、図９に示した実施例による基板とは異なり、ビアホールＨＬの下部ホールＨａと上部ホールＨｂが一列に整列されずに、一部誤整列された形態である。

【0102】

【0103】

下部ホールＨａは、絶縁層ＩＬに形成され、上部ホールＨｂは、第１絶縁層ＲＬと導電膜ＳＬだけでなく、絶縁層ＩＬの一部分に形成される。

【0104】