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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024074235
(43)【公開日】2024-05-30
(54)【発明の名称】基板及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/40 20060101AFI20240523BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20240523BHJP
H05K 3/00 20060101ALI20240523BHJP
H05K 1/11 20060101ALI20240523BHJP
H05K 3/18 20060101ALI20240523BHJP
【ＦＩ】
H05K3/40 K
H05K3/46 N
H05K3/46 B
H05K3/00 N
H05K1/11 N
H05K3/18 G
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023109834
(22)【出願日】2023-07-04
(31)【優先権主張番号】10-2022-0155643
(32)【優先日】2022-11-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】高 燦 訓
(72)【発明者】
【氏名】李 哲 敏
(72)【発明者】
【氏名】呉 仁 煥
(72)【発明者】
【氏名】林 京 姫
(72)【発明者】
【氏名】裴 素 賢
(72)【発明者】
【氏名】金 相 勳
【テーマコード（参考）】
5E316
5E317
5E343
【Ｆターム（参考）】
5E316AA06
5E316AA12
5E316AA15
5E316AA32
5E316AA38
5E316AA43
5E316CC04
5E316CC09
5E316CC32
5E316DD22
5E316FF07
5E316GG15
5E316GG17
5E316HH22
5E316HH40
5E317AA24
5E317BB02
5E317BB12
5E317CC31
5E317CD32
5E317GG09
5E317GG14
5E317GG20
5E343AA02
5E343AA07
5E343AA17
5E343BB24
5E343DD43
5E343GG06
5E343GG20
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ビアホールの幅を減少させながらも、ビアホールの下部及び上部に位置するパッド部の面積を増加させない基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板は、第１絶縁層ＩＬと、第１絶縁層ＩＬ上に位置する第２絶縁層ＰＬと、第１絶縁層ＩＬに形成された下部ホールＨａ及び第２絶縁層ＰＬに形成されて下部ホールＨａに連結された上部ホールＨｂを含むビアホールＨＬと、を備える。下部ホールＨａの上部幅Ｗ２は、下部ホールＨａの下部幅Ｗ１よりも大きく、上部ホールＨｂの上部幅Ｗ３は、上部ホールＨｂの下部幅Ｗ３よりも小さい。
【選択図】図１
【解決手段】本発明の基板は、第１絶縁層ＩＬと、第１絶縁層ＩＬ上に位置する第２絶縁層ＰＬと、第１絶縁層ＩＬに形成された下部ホールＨａ及び第２絶縁層ＰＬに形成されて下部ホールＨａに連結された上部ホールＨｂを含むビアホールＨＬと、を備える。下部ホールＨａの上部幅Ｗ２は、下部ホールＨａの下部幅Ｗ１よりも大きく、上部ホールＨｂの上部幅Ｗ３は、上部ホールＨｂの下部幅Ｗ３よりも小さい。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に位置する第２絶縁層と、
前記第１絶縁層に形成された下部ホール、及び前記第２絶縁層に形成されて前記下部ホールに連結された上部ホールを含むビアホールと、を備え、
前記下部ホールの上部幅は、前記下部ホールの下部幅よりも大きく、
前記上部ホールの上部幅は、前記上部ホールの下部幅よりも小さいことを特徴とする基板。
前記第１絶縁層上に位置する第２絶縁層と、
前記第１絶縁層に形成された下部ホール、及び前記第２絶縁層に形成されて前記下部ホールに連結された上部ホールを含むビアホールと、を備え、
前記下部ホールの上部幅は、前記下部ホールの下部幅よりも大きく、
前記上部ホールの上部幅は、前記上部ホールの下部幅よりも小さいことを特徴とする基板。
【請求項2】
前記第１絶縁層の下に位置する下部導電パターンと、
前記第２絶縁層上に位置する上部導電パターンと、を更に含み、
前記下部ホールは、前記下部導電パターンに接する部分で第１幅を有し、
前記上部ホールは、前記上部導電パターンに接する部分で第３幅を有し、
前記ビアホールは、前記下部導電パターンと前記上部導電パターンとの間で第２幅を有し、
前記第１幅及び前記第３幅は、前記第２幅よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の基板。
前記第２絶縁層上に位置する上部導電パターンと、を更に含み、
前記下部ホールは、前記下部導電パターンに接する部分で第１幅を有し、
前記上部ホールは、前記上部導電パターンに接する部分で第３幅を有し、
前記ビアホールは、前記下部導電パターンと前記上部導電パターンとの間で第２幅を有し、
前記第１幅及び前記第３幅は、前記第２幅よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項3】
前記第２幅は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との界面で最も大きいことを特徴とする請求項２に記載の基板。
【請求項4】
前記ビアホール内に位置して前記下部導電パターン及び前記上部導電パターンに連結される連結導電パターンを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の基板。
【請求項5】
前記下部ホールの幅は、下から上へいくほど大きくなり、
前記上部ホールの幅は、下から上へいくほど小さくなることを特徴とする請求項１に記載の基板。
前記上部ホールの幅は、下から上へいくほど小さくなることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項6】
前記第１絶縁層は、プリプレグを含み、ガラス繊維が含浸されることを特徴とする請求項５に記載の基板。
【請求項7】
前記第１絶縁層は、補強材を含み、
前記第２絶縁層は、補強材を含まないことを特徴とする請求項１に記載の基板。
前記第２絶縁層は、補強材を含まないことを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項8】
前記第２絶縁層は、レジンを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項9】
前記第２絶縁層上に位置する導電膜を更に含み、
前記上部ホールは、前記第２絶縁層及び前記導電膜に形成されることを特徴とする請求項１に記載の基板。
前記上部ホールは、前記第２絶縁層及び前記導電膜に形成されることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項10】
前記導電膜に形成された前記上部ホールの幅は、前記第２絶縁層に形成された前記上部ホールの幅よりも狭くないことを特徴とする請求項９に記載の基板。
【請求項11】
第１絶縁層を積層する段階と、
前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する段階と、
第１レーザを照射して前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を１次除去してサブホールを形成する段階と、
前記第１レーザとは異なる第２レーザを照射して前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を２次除去してビアホールを形成する段階と、を有することを特徴とする基板の製造方法。
前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する段階と、
第１レーザを照射して前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を１次除去してサブホールを形成する段階と、
前記第１レーザとは異なる第２レーザを照射して前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を２次除去してビアホールを形成する段階と、を有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項12】
前記第１レーザは、ヤグ（ＹＡＧ）レーザであり、
前記第２レーザは、二酸化炭素ガスレーザであることを特徴とする請求項１１に記載の基板の製造方法。
前記第２レーザは、二酸化炭素ガスレーザであることを特徴とする請求項１１に記載の基板の製造方法。
【請求項13】
前記第１絶縁層には、ガラス繊維が含浸され、
前記第２レーザを照射する段階において、前記第１絶縁層の前記ガラス繊維が加工されることを特徴とする請求項１２に記載の基板の製造方法。
前記第２レーザを照射する段階において、前記第１絶縁層の前記ガラス繊維が加工されることを特徴とする請求項１２に記載の基板の製造方法。
【請求項14】
前記第１絶縁層の下に下部導電パターンを形成する段階と、
前記ビアホール内に前記下部導電パターンに連結される連結導電パターンを形成する段階と、
前記ビアホール上に前記連結導電パターンに連結される上部導電パターンを形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板の製造方法。
前記ビアホール内に前記下部導電パターンに連結される連結導電パターンを形成する段階と、
前記ビアホール上に前記連結導電パターンに連結される上部導電パターンを形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板の製造方法。
【請求項15】
前記連結導電パターンを形成する段階は、
前記下部導電パターンの上面及び前記ビアホールの内壁にメッキシード層を積層する段階と、
前記メッキシード層を用いてメッキする段階と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板の製造方法。
前記下部導電パターンの上面及び前記ビアホールの内壁にメッキシード層を積層する段階と、
前記メッキシード層を用いてメッキする段階と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板の製造方法。
【請求項16】
前記第２絶縁層上に導電膜を形成する段階を更に含み、
前記サブホール及び前記ビアホールは、前記導電膜に形成されることを特徴とする請求項１５に記載の基板の製造方法。
前記サブホール及び前記ビアホールは、前記導電膜に形成されることを特徴とする請求項１５に記載の基板の製造方法。
【請求項17】
前記メッキシード層を積層する段階の前に、前記導電膜を除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板の製造方法。
【請求項18】
前記上部導電パターンを形成する段階の後に、前記上部導電パターンに重ならない前記導電膜を除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板の製造方法。
【請求項19】
前記ビアホールは、前記第１絶縁層に形成された下部ホール及び前記第２絶縁層に形成された上部ホールを含むように形成され、
前記下部ホールの幅は、下から上へいくほど大きくなり、
前記上部ホールの幅は、下から上へいくほど小さくなるように形成されることを特徴とする請求項１２に記載の基板の製造方法。
前記下部ホールの幅は、下から上へいくほど大きくなり、
前記上部ホールの幅は、下から上へいくほど小さくなるように形成されることを特徴とする請求項１２に記載の基板の製造方法。
【請求項20】
前記ビアホールの幅は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との界面で最も大きくなるように形成されることを特徴とする請求項１９に記載の基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
基板の層間の電気的連結のために、基板にビアホールを形成する。基板にビアホールを形成した後、ビアホール内に金属層を形成して、ビアホールの下のパッド部とビアホールの上のパッド部とを互いに連結する。
【0003】
携帯電話をはじめとするＩＴ分野の電子機器の小型化に伴い、基板に集積される電子部品の大きさも減少し、これによって、基板に形成されるビアホールの大きさも減少する。
【0004】
ビアホールの大きさの減少と共にビアホール内に積層される金属層が占める領域の面積が減少するに伴い、ビアホールの一部分内に金属層が一部形成されずに、ビアホールの上下に位置するパッド部間の電気的連結が不可能になる不良をもたらすことがある。
【0005】
しかし、ビアホールの大きさを大きくすると、ビアホールの上下に位置するパッド部の大きさも共に増加し、これによって、基板に形成されたパッド部を介して連結される電子部品の密度も減少し、電子部品の小型化が困難になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０２０－２１９２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ビアホールの幅を減少させながらも、ビアホールの下部及び上部に位置するパッド部の面積を増加させない基板及び基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に位置する第２絶縁層と、前記第１絶縁層に形成された下部ホール、及び前記第２絶縁層に形成されて前記下部ホールに連結された上部ホールを含むビアホールと、を備え、前記下部ホールの上部幅は、前記下部ホールの下部幅よりも大きく、前記上部ホールの上部幅は、前記上部ホールの下部幅よりも小さい。
【0009】
前記基板は、前記第１絶縁層の下に位置する下部導電パターンと、前記第２絶縁層上に位置する上部導電パターンと、を更に含み、前記下部ホールは、前記下部導電パターンに接する部分で第１幅を有し、前記上部ホールは、前記上部導電パターンに接する部分で第３幅を有し、前記ビアホールは、前記下部導電パターンと前記上部導電パターンとの間で第２幅を有し、前記第１幅及び前記第２幅は、前記第２幅よりも小さくあり得る。
前記第２幅は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との界面で最も大きくあり得る。
前記基板は、前記ビアホール内に位置して前記下部導電パターン及び前記上部導電パターンに連結される連結導電パターンを更に含み得る。
前記下部ホールの幅は、下から上へいくほど大きくなり、前記上部ホールの幅は、下から上へいくほど小さくなり得る。
前記第１絶縁層は、プリプレグを含み、ガラス繊維が含浸され得る。
前記第１絶縁層は、補強材を含み、前記第２絶縁層は、補強材を含まなくてもよい。
前記第２絶縁層は、レジンを含み得る。
前記基板は、前記第２絶縁層上に位置する導電膜を更に含み、前記上部ホールは、前記第２絶縁層及び前記導電膜に形成され得る。
前記導電膜に形成された前記上部ホールの幅は、前記第２絶縁層に形成された前記上部ホールの幅よりも狭くなくあり得る。
前記第２幅は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との界面で最も大きくあり得る。
前記基板は、前記ビアホール内に位置して前記下部導電パターン及び前記上部導電パターンに連結される連結導電パターンを更に含み得る。
前記下部ホールの幅は、下から上へいくほど大きくなり、前記上部ホールの幅は、下から上へいくほど小さくなり得る。
前記第１絶縁層は、プリプレグを含み、ガラス繊維が含浸され得る。
前記第１絶縁層は、補強材を含み、前記第２絶縁層は、補強材を含まなくてもよい。
前記第２絶縁層は、レジンを含み得る。
前記基板は、前記第２絶縁層上に位置する導電膜を更に含み、前記上部ホールは、前記第２絶縁層及び前記導電膜に形成され得る。
前記導電膜に形成された前記上部ホールの幅は、前記第２絶縁層に形成された前記上部ホールの幅よりも狭くなくあり得る。
【0010】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による基板の製造方法は、第１絶縁層を積層する段階と、前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する段階と、第１レーザを照射して前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を１次除去してサブホールを形成する段階と、前記第１レーザとは異なる第２レーザを照射して前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を２次除去してビアホールを形成する段階と、を有する。
【0011】
前記第１レーザは、ヤグ（ＹＡＧ）レーザであり、前記第２レーザは、二酸化炭素ガスレーザであり得る。
前記第１絶縁層には、ガラス繊維が含浸され、前記第２レーザを照射する段階において、前記第１絶縁層の前記ガラス繊維が加工され得る。
前記基板の製造方法は、前記第１絶縁層の下に下部導電パターンを形成する段階と、前記ビアホール内に前記下部導電パターンに連結される連結導電パターンを形成する段階と、前記ビアホール上に前記連結導電パターンに連結される上部導電パターンを形成する段階と、を更に含み得る。
前記連結導電パターンを形成する段階は、前記下部導電パターンの上面及び前記ビアホールの内壁にメッキシード層を積層する段階と、前記メッキシード層を用いてメッキする段階と、を含み得る。
前記基板の製造方法は、前記第２絶縁層上に導電膜を形成する段階を更に含み、前記サブホール及び前記ビアホールは、前記導電膜に形成され得る。
前記基板の製造方法は、前記メッキシード層を積層する段階の前に、前記導電膜を除去する段階を更に含み得る。
前記基板の製造方法は、前記上部導電パターンを形成する段階の後に、前記上部導電パターンに重ならない前記導電膜を除去する段階を更に含み得る。
前記ビアホールは、前記第１絶縁層に形成された下部ホール及び前記第２絶縁層に形成された上部ホールを含むように形成され、前記下部ホールの幅は、下から上へいくほど大きくなり、前記上部ホールの幅は、下から上へいくほど小さくなるように形成され得る。
前記ビアホールの幅は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との界面で最も大きくなるように形成され得る。
前記第１絶縁層には、ガラス繊維が含浸され、前記第２レーザを照射する段階において、前記第１絶縁層の前記ガラス繊維が加工され得る。
前記基板の製造方法は、前記第１絶縁層の下に下部導電パターンを形成する段階と、前記ビアホール内に前記下部導電パターンに連結される連結導電パターンを形成する段階と、前記ビアホール上に前記連結導電パターンに連結される上部導電パターンを形成する段階と、を更に含み得る。
前記連結導電パターンを形成する段階は、前記下部導電パターンの上面及び前記ビアホールの内壁にメッキシード層を積層する段階と、前記メッキシード層を用いてメッキする段階と、を含み得る。
前記基板の製造方法は、前記第２絶縁層上に導電膜を形成する段階を更に含み、前記サブホール及び前記ビアホールは、前記導電膜に形成され得る。
前記基板の製造方法は、前記メッキシード層を積層する段階の前に、前記導電膜を除去する段階を更に含み得る。
前記基板の製造方法は、前記上部導電パターンを形成する段階の後に、前記上部導電パターンに重ならない前記導電膜を除去する段階を更に含み得る。
前記ビアホールは、前記第１絶縁層に形成された下部ホール及び前記第２絶縁層に形成された上部ホールを含むように形成され、前記下部ホールの幅は、下から上へいくほど大きくなり、前記上部ホールの幅は、下から上へいくほど小さくなるように形成され得る。
前記ビアホールの幅は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との界面で最も大きくなるように形成され得る。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、ビアホールの幅の減少によるビアホール内の連結導電パターンの不良を低減しながらも、ビアホールの下部及び上部に位置するパッド部の面積の増加を防止することが可能なビアホールを有する基板及び基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】一実施形態による基板の断面図である。
【図2】一実施形態による基板の製造方法を示す断面図である。
【図3】一実施形態による基板の製造方法を示す断面図である。
【図4】一実施形態による基板の製造方法を示す断面図である。
【図5】一実施形態による基板の製造方法を示す断面図である。
【図6】一実施形態による基板の製造方法を示す断面図である。
【図7】他の実施形態による基板の断面図である。
【図8】他の実施形態による基板の製造方法を示す断面図である。
【図9】他の実施形態による基板の製造方法を示す断面図である。
【図10】他の実施形態による基板の製造方法を示す断面図である。
【図11】他の実施形態による基板の製造方法を示す断面図である。
【図12】一実験例による結果を示す電子顕微鏡写真である。
【図13】一実験例による結果を示す電子顕微鏡写真である。
【図14】一実験例による結果を示す電子顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。本発明は種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されない。
【0015】
本発明を明確に説明するために、説明上不必要な部分は省略し、明細書全体に亘って同一又は類似の構成要素については同一の参照符号を付す。
【0016】
また、図面は本明細書に開示する実施形態を容易に理解できるようにするためのものに過ぎず、図面によって本明細書に開示する技術的思想は、制限されず、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、又は代替物を含むことが理解されなければならない。
【0017】
更に、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したものであって、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。図面において、様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜のために、一部の層及び領域の厚さを誇張して示した。
【0018】
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとする場合、これは他の部分の「直上に」ある場合のみならず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上に」あるとする場合には、中間に他の部分がないことを意味する。更に、基準となる部分の「上に」あるということは、基準となる部分の上又は下に位置することであり、必ずしも重力の反対方向に「上に」位置することを意味するわけではない。
【0019】
また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とする場合、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素を更に包含できることを意味する。
【0020】
更に、明細書全体において、「平面上」とする場合、これは対象部分を上から見た場合を意味し、「断面上」とする場合、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た場合を意味する。
【0021】
また、明細書全体において、「連結される」とする場合、これは２以上の構成要素が直接的に連結されることだけを意味するものではなく、２以上の構成要素が他の構成要素を介して間接的に連結されることや物理的に連結されることだけでなく、電気的に連結されること、又は位置や機能により異なる名称で呼称するが、これらの一切を意味する。
【0022】
以下、図面を参照して、多様な実施形態と変形例を詳細に説明する。
【0023】
【0024】
図１を参照すると、本実施形態による基板は、下部導電パターンＭＬと、下部導電パターンＭＬ上に位置する第１絶縁層ＩＬと、第１絶縁層ＩＬ上に位置する第２絶縁層ＰＬと、第２絶縁層ＰＬ上に位置する上部導電パターンＭＵと、第１絶縁層ＩＬ及び第２絶縁層ＰＬに形成されたビアホールＨＬと、ビアホールＨＬ内に位置する連結導電パターンＭＨと、を含む。
【0025】
下部導電パターンＭＬと上部導電パターンＭＵとは、第１絶縁層ＩＬ及び第２絶縁層ＰＬに形成されたビアホールＨＬ内に位置する連結導電パターンＭＨを介して互いに連結される。
【0026】
第１絶縁層ＩＬと第２絶縁層ＰＬとは、互いに異なる物質を含む。
【0027】
第１絶縁層ＩＬは補強材を含み、第２絶縁層ＰＬは補強材を含まない。
【0028】
第１絶縁層ＩＬは、絶縁物質を含み、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ：ＰＰＧ）を含み、ガラス繊維が含浸される。
【0029】
第１絶縁層ＩＬは、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ ｕｐ Ｆｉｌｍ）のような絶縁物質を含み、フィラーを含む。
【0030】
しかし、第１絶縁層ＩＬはこれに限定されず、第１絶縁層ＩＬは、多様な絶縁物質を含み得る。
【0031】
第２絶縁層ＰＬはレジンを含み、第２絶縁層ＰＬは、プライマーレジン（ｐｒｉｍｅｒ ｒｅｓｉｎ）を含み、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、及びリン（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ）系エポキシ樹脂から１つ以上選択されるエポキシ樹脂を含む。しかし、これらに限定されず、第２絶縁層ＰＬは、多様なレジンを含み得る。
【0032】
第１絶縁層ＩＬ及び第２絶縁層ＰＬに形成されたビアホールＨＬは、下部導電パターンＭＬに接して第１絶縁層ＩＬに形成された下部ホールＨａと、上部導電パターンＭＵに接して第２絶縁層ＰＬに形成された上部ホールＨｂと、を含む。下部ホールＨａと上部ホールＨｂとは、互いに連結される。
【0033】
下部ホールＨａは下部導電パターンＭＬに接する部分で第１幅Ｗ１を有し、下部ホールＨａの幅は下部導電パターンＭＬに接する部分から上部導電パターンＭＵに近づくほど広くなる。図示した実施形態によると、下部ホールＨａの幅は下部導電パターンＭＬに接する部分から上部導電パターンＭＵに近づくほど連続的に次第に広くなるものとして示したが、これに限定されず、下部ホールＨａの側壁は一部突出した部分を含むことができ、これによって、下部ホールＨａの幅は下側よりも上側がより狭い一部分を含むことができる。
【0034】
下部ホールＨａと上部ホールＨｂとが出会う第１絶縁層ＩＬと第２絶縁層ＰＬとの界面部分で、ビアホールＨＬは第２幅Ｗ２を有し、第２絶縁層ＰＬに形成された上部ホールＨｂの幅は、上部導電パターンＭＵに近づくほど狭くなり、上部導電パターンＭＵに接する部分で第３幅Ｗ３を有する。図示した実施形態によると、上部ホールＨｂの幅は上部導電パターンＭＵに近づくほど連続的に次第に狭くなるものとして示したが、これに限定されず、上部ホールＨｂの側壁は一部突出した部分を含むことができ、これによって、上部ホールＨｂの幅は下側よりも上側がより広い一部分を含むことができる。
【0035】
ビアホールＨＬの第１幅Ｗ１と第３幅Ｗ３とは、互いに略同一であるが、これとは異なり、第１幅Ｗ１と第３幅Ｗ３とは、互いに異なってもよい。
【0036】
本実施形態の基板によると、ビアホールＨＬは、第１絶縁層ＩＬに形成された下部ホールＨａと、第２絶縁層ＰＬに形成された上部ホールＨｂと、を含み、下部ホールＨａは下部導電パターンＭＬに接する部分で第１幅Ｗ１を有し、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとが出会う第１絶縁層ＩＬと第２絶縁層ＰＬとの界面部分で、ビアホールＨＬは第２幅Ｗ２を有し、第２絶縁層ＰＬに形成された上部ホールＨｂの幅は上部導電パターンＭＵに接する部分で第３幅Ｗ３を有する。第１幅Ｗ１及び第３幅Ｗ３よりも第２幅Ｗ２がより広い。下部ホールＨａの幅は下部導電パターンＭＬに接する部分から上部導電パターンＭＵに近づくほど広くなり、上部ホールＨｂの幅は上部導電パターンＭＵに近づくほど狭くなる。
【0037】
このように、ビアホールＨＬは、下部導電パターンＭＬと上部導電パターンＭＵとが接する部分でそれぞれ相対的に狭い第１幅Ｗ１及び第３幅Ｗ３を有し、ビアホールＨＬの内部で相対的に広い第２幅Ｗ２を有する。従って、ビアホールＨＬ内に形成される連結導電パターンＭＨは、相対的に広い第２幅Ｗ２を有する部分内に形成されて、断線などが発生することを防止することができ、ビアホールＨＬ内に形成された連結導電パターンＭＨを介して互いに連結される下部導電パターンＭＬ及び上部導電パターンＭＵは、それぞれ小さい幅を有し、ビアホールＨＬを覆う第１絶縁層ＩＬによって埋込まれる下部導電パターンＭＬ及び第２絶縁層ＰＬ上に形成される上部導電パターンＭＵの面積を低減することができる。
【0038】
本実施形態の基板によると、ビアホールＨＬの内部幅の減少が防止可能であり、ビアホールＨＬの内部幅の減少による連結導電パターンＭＨの不良を低減しながらも、ビアホールの下部及び上部にそれぞれ位置する下部導電パターンＭＬ及び上部導電パターンＭＵの面積の増加が防止可能になる。
【0039】
【0040】
図２を参照すると、下部導電パターンＭＬを形成し、下部導電パターンＭＬ上に第１絶縁層ＩＬを積層し、第１絶縁層ＩＬ上に第２絶縁層ＰＬを形成し、第２絶縁層ＰＬ上に導電膜ＳＬを形成した後、第１レーザＬ１を照射して、導電膜ＳＬ、第２絶縁層ＰＬ、及び第１絶縁層ＩＬを除去し、導電膜ＳＬ、第２絶縁層ＰＬ、及び第１絶縁層ＩＬにサブホールＳＨＬを形成する。
【0041】
導電膜ＳＬは、金属コイル層であり、例えば銅コイル層であるが、これに限定されない。
【0042】
第１レーザＬ１は、ヤグ（ＹＡＧ）レーザである。
【0043】
サブホールＳＨＬの最上部は第４幅Ｗ４を有し、サブホールＳＨＬは導電膜ＳＬ及び第２絶縁層ＰＬと第１絶縁層ＩＬの一部分とに形成され、下部導電パターンＭＬはサブホールＳＨＬによって露出せず、下部導電パターンＭＬ上には第１絶縁層ＩＬの一部分が残る。
【0044】
次に、図３を参照すると、第２レーザＬ２を照射し、導電膜ＳＬ、第２絶縁層ＰＬ、及び第１絶縁層ＩＬを追加的に除去して、下部導電パターンＭＬを露出するように導電膜ＳＬ、第２絶縁層ＰＬ、及び第１絶縁層ＩＬにビアホールＨＬを形成する。
【0045】
第２レーザＬ２は、二酸化炭素（ＣＯ２）ガスレーザである。第２レーザＬ２を用いて第１絶縁層ＩＬを除去する場合、第１絶縁層ＩＬ内のガラス繊維を加工することができ、これによって、不必要なガラス粉やガラス粒子などが発生することを防止することができる。
【0046】
第２レーザＬ２を照射する場合、導電膜ＳＬ及び第２絶縁層ＰＬは、第１絶縁層ＩＬに比べて少なく除去することができる。
【0047】
第２絶縁層ＰＬは第１絶縁層ＩＬよりも第２レーザＬ２に対して反応性が低く、第１絶縁層ＩＬと第２絶縁層ＰＬとの間の隙間を通して第２レーザＬ２が供給されるため、第２絶縁層ＰＬに形成される上部ホールＨｂの幅は、第１絶縁層ＩＬに隣接する下部分で広く、上へいくほど次第に狭くなる構造を有する。
【0048】
ビアホールＨＬの最上部の第３幅Ｗ３は、サブホールＳＨＬの最上部の第４幅Ｗ４よりも大きい。
【0049】
次に、図４に示すように、第２絶縁層ＰＬ上に位置する導電膜ＳＬを除去する。
【0050】
図５を参照すると、下部導電パターンＭＬの上面、第１絶縁層ＩＬ、及び第２絶縁層ＰＬに形成されたビアホールＨＬの側面、並びに第２絶縁層ＰＬの上部面にメッキシード層ＳＤを形成する。
【0051】
図６に示すように、メッキにより第１絶縁層ＩＬ及び第２絶縁層ＰＬに形成されたビアホールＨＬ内に連結導電パターンＭＨを形成し、ビアホールＨＬの連結導電パターンＭＨ上に上部導電パターンＭＵを形成する。
【0052】
次に、上部導電パターンＭＵに重ならないメッキシード層ＳＤを除去して、図１に示した基板を形成する。
【0053】
本実施形態の基板の製造方法によると、第１レーザＬ１を用いて第１絶縁層ＩＬ及び第２絶縁層ＰＬを一次除去してサブホールＳＨＬを形成し、第２レーザＬ２を用いて第１絶縁層ＩＬ及び第２絶縁層ＰＬを２次除去することによって、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとを含むビアホールＨＬを形成する。
【0054】
これによって、ビアホールＨＬは下部導電パターンＭＬに接する最下部で第１幅Ｗ１を有し、ビアホールＨＬの幅は下部導電パターンＭＬから上部導電パターンＭＵに近づくほど広くなり、ビアホールＨＬは第１絶縁層ＩＬと第２絶縁層ＰＬとの界面部分で第２幅Ｗ２を有し、ビアホールＨＬの幅は第２幅Ｗ２から上部導電パターンＭＵに近づくほど狭くなり、ビアホールＨＬは上部導電パターンＭＵに接する最上部で第３幅Ｗ３を有し、第１幅Ｗ１及び第３幅Ｗ３は第２幅Ｗ２よりも小さい。
【0055】
ビアホールＨＬを形成する時にいずれか１つのレーザだけを用いて形成する場合、ビアホールＨＬが形成される複数の層がレーザに反応する程度が異なる。本実施形態の基板の製造方法によると、互いに異なる第１レーザ及び第２レーザを用いてビアホールＨＬが形成される第１絶縁層ＩＬ及び第２絶縁層ＰＬを除去することによって、ビアホールＨＬの内部で相対的に広い第２幅Ｗ２を有し、ビアホールＨＬの最下部及び最上部でそれぞれ相対的に狭い第１幅Ｗ１及び第３幅Ｗ３を有するビアホールＨＬを形成することができる。
【0056】
【0057】
【0058】
図１に示した実施形態とは異なり、本実施形態による基板は、第２絶縁層ＰＬと上部導電パターンＭＵとの間に導電膜ＳＬが位置し、ビアホールＨＬは、第１絶縁層ＩＬ、第２絶縁層ＰＬ、及び導電膜ＳＬに形成される。
【0059】
導電膜ＳＬは、金属コイル層であり、例えば銅コイル層であるが、これに限定されない。
【0060】
ビアホールＨＬは、下部導電パターンＭＬに接して第１絶縁層ＩＬに形成された下部ホールＨａと、上部導電パターンＭＵに接して第２絶縁層ＰＬ及び導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂと、を含む。下部ホールＨａと上部ホールＨｂとは、互いに連結される。
【0061】
下部ホールＨａは下部導電パターンＭＬに接する部分で第１幅Ｗ１を有し、下部ホールＨａの幅は下部導電パターンＭＬに接する部分から上部導電パターンＭＵに近づくほど広くなる。図示した実施形態によると、下部ホールＨａの幅は下部導電パターンＭＬに接する部分から上部導電パターンＭＵに近づくほど連続的に次第に広くなるものとして示したが、これに限定されず、下部ホールＨａの側壁は一部突出した部分を含むことができ、これによって、下部ホールＨａの幅は下側よりも上側がより狭い一部分を含むことができる。
【0062】
下部ホールＨａと上部ホールＨｂとが出会う第１絶縁層ＩＬと第２絶縁層ＰＬとの界面部分で、ビアホールＨＬは第２幅Ｗ２を有し、第２絶縁層ＰＬ及び導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂの幅は、上部導電パターンＭＵに近づくほど狭くなり、上部導電パターンＭＵに接する部分で第３幅Ｗ３を有する。図示した実施形態によると、上部ホールＨｂの幅は上部導電パターンＭＵに近づくほど連続的に次第に狭くなるものとして示したが、これに限定されず、上部ホールＨｂの側壁は一部突出した部分を含むことができ、これによって、上部ホールＨｂの幅は下側よりも上側がより広い一部分を含むことができる。
【0063】
ビアホールＨＬの第１幅Ｗ１と第３幅Ｗ３とは、互いに略同一であるが、これとは異なり、第１幅Ｗ１と第３幅Ｗ３とは、互いに異なってもよい。
【0064】
上部ホールＨｂのうちの導電膜ＳＬに形成された部分は第２絶縁層ＰＬに形成された部分に比べて幅が減少せず、導電膜ＳＬはビアホールＨＬの内側に突出しない。
【0065】
本実施形態の基板によると、ビアホールＨＬは、第１絶縁層ＩＬに形成された下部ホールＨａと、第２絶縁層ＰＬ及び導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂと、を含み、下部ホールＨａは下部導電パターンＭＬに接する部分で第１幅Ｗ１を有し、下部ホールＨａの幅は下部導電パターンＭＬとに接する部分から上部導電パターンＭＵに近づくほど広くなり、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとが出会う第１絶縁層ＩＬと第２絶縁層ＰＬとの界面部分で、ビアホールＨＬは第２幅Ｗ２を有し、第２絶縁層ＰＬに形成された上部ホールＨｂの幅は上部導電パターンＭＵに近づくほど狭くなり、上部導電パターンＭＵに接する部分で第３幅Ｗ３を有する。
【0066】
このように、ビアホールＨＬは、下部導電パターンＭＬと上部導電パターンＭＵとが接する部分でそれぞれ相対的に狭い第１幅Ｗ１及び第３幅Ｗ３を有し、ビアホールＨＬの内部で相対的に広い第２幅Ｗ２を有する。従って、ビアホールＨＬ内に形成される連結導電パターンＭＨは、相対的に広い第２幅Ｗ２を有する部分内に形成されて、断線などが発生することを防止することができ、ビアホールＨＬ内に形成された連結導電パターンＭＨを介して互いに連結される下部導電パターンＭＬ及び上部導電パターンＭＵは、それぞれ小さい幅を有し、ビアホールＨＬを覆う第１絶縁層ＩＬによって埋込まれる下部導電パターンＭＬ及び第２絶縁層ＰＬ上に形成される上部導電パターンＭＵの面積を低減することができる。
【0067】
本実施形態の基板によると、ビアホールＨＬの内部幅の減少が防止可能であり、ビアホールＨＬの内部幅の減少による連結導電パターンＭＨの不良を低減しながらも、ビアホールの下部及び上部にそれぞれ位置する下部導電パターンＭＬ及び上部導電パターンＭＵの面積の増加が防止可能になる。
【0068】
【0069】
図８を参照すると、下部導電パターンＭＬを形成し、下部導電パターンＭＬ上に第１絶縁層ＩＬを積層し、第１絶縁層ＩＬ上に第２絶縁層ＰＬを形成し、第２絶縁層ＰＬ上に導電膜ＳＬを形成した後、第１レーザＬ１を照射して、導電膜ＳＬ、第２絶縁層ＰＬ、及び第１絶縁層ＩＬを除去し、導電膜ＳＬ、第２絶縁層ＰＬ、及び第１絶縁層ＩＬにサブホールＳＨＬを形成する。
【0070】
第１レーザＬ１は、ヤグ（ＹＡＧ）レーザである。
【0071】
サブホールＳＨＬの最上部は第４幅Ｗ４を有し、サブホールＳＨＬは導電膜ＳＬ及び第２絶縁層ＰＬと第１絶縁層ＩＬの一部分とに形成され、下部導電パターンＭＬはサブホールＳＨＬによって露出せず、下部導電パターンＭＬ上には第１絶縁層ＩＬの一部分が残る。
【0072】
次に、図９を参照すると、第２レーザＬ２を照射し、導電膜ＳＬ、第２絶縁層ＰＬ、及び第１絶縁層ＩＬを追加的に除去して、下部導電パターンＭＬを露出するように導電膜ＳＬ、第２絶縁層ＰＬ、及び第１絶縁層ＩＬにビアホールＨＬを形成する。
【0073】
第２レーザＬ２は、二酸化炭素（ＣＯ２）ガスレーザである。第２レーザＬ２を用いて第１絶縁層ＩＬを除去する場合、第１絶縁層ＩＬ内のガラス繊維を加工することができ、これによって、不必要なガラス粉やガラス粒子などが発生することを防止することができる。
【0074】
第２絶縁層ＰＬ及び導電膜ＳＬは第１絶縁層ＩＬよりも第２レーザＬ２に対して反応性が低く、第２レーザＬ２を照射する場合、導電膜ＳＬ及び第２絶縁層ＰＬは第１絶縁層ＩＬに比べて少なく除去することができる。従って、導電膜ＳＬに形成された上部ホールＨｂの幅は、第１絶縁層ＩＬに形成された下部ホールＨａの上部の幅よりも狭く形成される。
【0075】
また、第２レーザＬ２は第１絶縁層ＩＬと第２絶縁層ＰＬとの間の隙間を通して供給されるため、第２絶縁層ＰＬに形成される上部ホールＨｂの幅は、第１絶縁層ＩＬに隣接する下部分で広く、上へいくほど次第に狭くなる構造を有する。
【0076】
ビアホールＨＬの最上部の第３幅Ｗ３は、サブホールＳＨＬの最上部の第４幅Ｗ４よりも大きい。
【0077】
次に、図１０に示すように、下部導電パターンＭＬの上面、導電膜ＳＬ、第２絶縁層ＰＬ、及び第１絶縁層ＩＬに形成されたビアホールＨＬの側面、並びに導電膜ＳＬの上部面にメッキシード層ＳＤを形成する。
【0078】
図１１に示すように、メッキによりビアホールＨＬ内に連結導電パターンＭＨを形成し、ビアホールＨＬの連結導電パターンＭＨ上に上部導電パターンＭＵを形成する。
【0079】
次に、上部導電パターンＭＵに重ならないメッキシード層ＳＤ及び導電膜ＳＬを共に除去して、図７に示した基板を形成する。
【0080】
本実施形態の基板の製造方法によると、第１レーザＬ１を用いて導電膜ＳＬ及び第２絶縁層ＰＬと第１絶縁層ＩＬとを一次除去してサブホールＳＨＬを形成し、第２レーザＬ２を用いて導電膜ＳＬ及び第２絶縁層ＰＬと第１絶縁層ＩＬとを２次除去することによって、下部ホールＨａと上部ホールＨｂとを含むビアホールＨＬを形成する。
【0081】
これによって、ビアホールＨＬは下部導電パターンＭＬに接する最下部で第１幅Ｗ１を有し、ビアホールＨＬの幅は下部導電パターンＭＬから上部導電パターンＭＵに近づくほど広くなり、ビアホールＨＬは第１絶縁層ＩＬと第２絶縁層ＰＬとの界面部分で第２幅Ｗ２を有し、ビアホールＨＬの幅は第２幅Ｗ２から上部導電パターンＭＵに近づくほど狭くなり、ビアホールＨＬは上部導電パターンＭＵに接する最上部で第３幅Ｗ３を有し、第１幅Ｗ１及び第３幅Ｗ３は第２幅Ｗ２よりも小さい。
【0082】
ビアホールＨＬを形成する時にいずれか１つのレーザだけを用いて形成する場合、ビアホールＨＬが形成される複数の層がレーザに反応する程度が異なる。本実施形態の基板の製造方法によると、互いに異なる第１レーザ及び第２レーザを用いてビアホールＨＬが形成される第１絶縁層ＩＬ及び第２絶縁層ＰＬを除去することによって、ビアホールＨＬの内部で相対的に広い第２幅Ｗ２を有し、ビアホールＨＬの最下部及び最上部でそれぞれ相対的に狭い第１幅Ｗ１及び第３幅Ｗ３を有するビアホールＨＬを形成することができる。
【0083】
【0084】
以下、図１２～図１４を参照して、一実験例について説明する。本実験例では、上記図１と共に図２～図６を参照して説明した実施形態による基板の製造方法により基板を形成し、その結果に対する電子顕微鏡写真を図１２～図１４に示した。
【0085】
図１２は、図２に示したように、第１レーザＬ１を照射してサブホールＳＨＬを形成した結果を示し、図１３は、図３に示したように、第２レーザＬ２を照射してビアホールＨＬを形成した結果を示し、図１４は、図６に示したように、ビアホールＨＬ内に位置する連結導電パターンＭＨとビアホールＨＬ上の上部導電パターンＭＵとを形成した結果を示す。
【0086】
図１２～図１４を参照すると、本実施形態の基板の製造方法によるビアホールＨＬは下部導電パターンＭＬに接する最下部で小さい幅を有し、ビアホールＨＬの幅は下部導電パターンＭＬから上部導電パターンＭＵに近づくほど広くなり、ビアホールＨＬは第１絶縁層ＩＬと第２絶縁層ＰＬとの界面部分で広い幅を有し、ビアホールＨＬの幅は第２幅Ｗ２から上部導電パターンＭＵに近づくほど狭くなるように形成され、ビアホールＨＬ内の連結導電パターンが切れたり不十分に満たされたりするなどの不良が発生することなしに良く形成されることが分かった。
【0087】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0088】
ＨＬ ビアホール
Ｈａ 下部ホール
Ｈｂ 上部ホール
ＳＨＬ サブホール
ＭＬ 下部導電パターン
ＭＵ 上部導電パターン
ＭＨ 連結導電パターン
ＩＬ 第１絶縁層
ＰＬ 第２絶縁層
ＳＬ 導電膜
Ｌ１、Ｌ２ 第１、第２レーザ
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４ 第１～第４幅
Ｈａ 下部ホール
Ｈｂ 上部ホール
ＳＨＬ サブホール
ＭＬ 下部導電パターン
ＭＵ 上部導電パターン
ＭＨ 連結導電パターン
ＩＬ 第１絶縁層
ＰＬ 第２絶縁層
ＳＬ 導電膜
Ｌ１、Ｌ２ 第１、第２レーザ
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４ 第１～第４幅
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
