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特開2024-74266ガルバニック絶縁を提供する集積回路、及びそれを含む装置

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024074266

(43)【公開日】2024-05-30

(54)【発明の名称】ガルバニック絶縁を提供する集積回路、及びそれを含む装置

(51)【国際特許分類】

H01L 21/822 20060101AFI20240523BHJP

【ＦＩ】

H01L27/04 L

H01L27/04 C

H01L27/04 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】22

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023194403

(22)【出願日】2023-11-15

(31)【優先権主張番号】10-2022-0155818

(32)【優先日】2022-11-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】520051230

【氏名又は名称】ウェラング・カンパニー・リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広信哉

(74)【代理人】

【識別番号】100133400

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部達彦

(72)【発明者】

【氏名】▲黄▼ 鐘泰

【テーマコード（参考）】

5F038

【Ｆターム（参考）】

5F038BE07

5F038EZ20

(57)【要約】

【課題】ガルバニック絶縁を提供する集積回路、及びそれを含む装置を提供する。
【解決手段】第１集積回路を含み、第１集積回路は、第１導電層に配された第１パターンを含む第１インダクタ、並びに第１導電層に配され、第１インダクタと電気的に連結された第１電極、及び第１導電層上の第２導電層に配され、第１ボンディングワイヤと電気的に連結された第２電極を含む第１キャパシタを含む装置でもある。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１集積回路を含む装置であり、
前記第１集積回路は、
第１導電層に配された第１パターンを含む第１インダクタと、
前記第１導電層に配され、前記第１インダクタと電気的に連結された第１電極、及び前記第１導電層上の第２導電層に配され、第１ボンディングワイヤと電気的に連結された第２電極を含む第１キャパシタと、を含むことを特徴とする装置。

【請求項2】

前記第１電極は、前記第１導電層において、前記第１パターンによって取り囲まれ、前記第２電極と垂直方向に重畳されることを特徴とする請求項１に記載の装置。

【請求項3】

前記第１集積回路は、
前記第１導電層に配された第２パターンを含み、前記第１インダクタに電気的に連結された第２インダクタと、
前記第１導電層に配され、前記第２インダクタと電気的に連結された第３電極、及び前記第２導電層に配され、第２ボンディングワイヤと電気的に連結された第４電極を含む第２キャパシタと、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。

【請求項4】

前記第３電極は、前記第２パターンによって取り囲まれ、前記第４電極と垂直方向に相互重畳されることを特徴とする請求項３に記載の装置。

【請求項5】

前記第１集積回路は、前記第１導電層に配され、前記第１パターン及び前記第２パターンが連結される第３パターンをさらに含み、
前記第３パターンは、低いインピーダンスノードに電気的に連結されることを特徴とする請求項３に記載の装置。

【請求項6】

前記第１集積回路は、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタに基づく共振周波数を有する信号を生成するように構成されたキャパシタをさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の装置。

【請求項7】

前記第１インダクタは、
前記第２導電層に配された第４パターンと、
前記第１導電層と前記第２導電層との間の少なくとも１つの導電層に配された少なくとも１つの第５パターンと、
前記第１パターン、前記第４パターン、及び前記少なくとも１つの第５パターンのうち相互隣接した２個のパターンを連結するビアと、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。

【請求項8】

前記第４パターンと前記第２電極との距離は、前記第１電極と前記第２電極との距離以上であることを特徴とする請求項７に記載の装置。

【請求項9】

前記第１集積回路から離隔された第２集積回路をさらに含み、
前記第１ボンディングワイヤは、前記第１集積回路と前記第２集積回路とを連結することを特徴とする請求項１に記載の装置。

【請求項10】

前記第２集積回路は、
前記第１インダクタと同一構造を有するインダクタと、
前記第１キャパシタと同一構造を有するキャパシタと、を含むことを特徴とする請求項９に記載の装置。

【請求項11】

前記第２集積回路は、
第３導電層に配された第３インダクタと、
前記第３導電層上の第４導電層に配された第６パターンを含み、前記第１インダクタと誘導結合された第４インダクタと、
前記第６パターンによって取り囲まれ、前記第４インダクタ及び第１ボンディングワイヤと電気的に連結されるパターンと、を含むことを特徴とする請求項９に記載の装置。

【請求項12】

第１集積回路を含む装置であり、
前記第１集積回路は、
第１導電層に配された第１パターンを含む第１インダクタと、
前記第１導電層上の第２導電層に配され、前記第１インダクタと誘導結合された第２インダクタと、
前記第１導電層に配され、前記第１インダクタと電気的に連結された第１電極、及び前記第２導電層に配され、第１ボンディングワイヤと電気的に連結された第２電極を含む第１キャパシタと、を含み、
前記第２電極は、前記第２インダクタから絶縁されることを特徴とする装置。

【請求項13】

前記第１集積回路は、
前記第１導電層に配された第２パターンを含む第３インダクタと、
前記第２導電層に配され、前記第３インダクタと誘導結合された第４インダクタと、
前記第１導電層に配され、前記第３インダクタと電気的に連結された第３電極、及び前記第２導電層に配され、第２ボンディングワイヤと電気的に連結された第４電極を含む第２キャパシタと、をさらに含み、
前記第３電極は、前記第４インダクタから絶縁されることを特徴とする請求項１２に記載の装置。

【請求項14】

前記第１集積回路は、前記第１導電層に配され、前記第１パターン及び前記第２パターンを連結する第３パターンをさらに含み、
前記第３パターンは、低いインピーダンスノードに電気的に連結されることを特徴とする請求項１３に記載の装置。

【請求項15】

前記第１集積回路は、前記第２インダクタ及び前記第４インダクタに基づく共振周波数を有する信号を生成するように構成されたキャパシタをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の装置。

【請求項16】

前記第１インダクタは、
前記第１導電層と前記第２導電層との間の少なくとも１つの導電層に配された少なくとも１つの第４パターンと、
前記第１パターンと、前記少なくとも１つの第４パターンのうち相互隣接した２個のパターンと、を連結するビアをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の装置。

【請求項17】

前記第１電極は、前記第１導電層において、前記第１パターンによって取り囲まれ、
前記第２電極は、前記第２導電層において、前記第２インダクタによって取り囲まれることを特徴とする請求項１２に記載の装置。

【請求項18】

前記第２インダクタと前記第２電極との距離は、前記第１電極と前記第２電極との距離以上であることを特徴とする請求項１７に記載の装置。

【請求項19】

前記第１集積回路から離隔された第２集積回路をさらに含み、
前記第１ボンディングワイヤは、前記第１集積回路と前記第２集積回路とを連結することを特徴とする請求項１２に記載の装置。

【請求項20】

前記第２集積回路は、
前記第１インダクタと同一構造を有する第５インダクタと、
前記第２インダクタと同一構造を有する第６インダクタと、
前記第１キャパシタと同一構造を有する第３キャパシタと、を含むことを特徴とする請求項１９に記載の装置。

【請求項21】

前記第２集積回路は、
第３導電層に配された第５パターンを含む第７インダクタと、
前記第３導電層に配され、前記第７インダクタと電気的に連結された第５電極、及び前記第３導電層上の第４導電層に配され、前記第１ボンディングワイヤと電気的に連結された第６電極を含む第４キャパシタと、を含み、
前記第５電極は、前記第３導電層において、前記第５パターンによって取り囲まれ、前記第６電極と垂直方向に重畳されることを特徴とする請求項１９に記載の装置。

【請求項22】

前記第２集積回路は、
第５導電層に配された第８インダクタと、
前記第５導電層上の第６導電層に配された第６パターンを含み、前記第１インダクタと誘導結合された第９インダクタと、
前記第６パターンによって取り囲まれ、前記第９インダクタ及び第１ボンディングワイヤと電気的に連結されるパターンと、を含むことを特徴とする請求項１９に記載の装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、集積回路及びその装置に係り、詳細には、ガルバニック絶縁を提供する集積回路、及びそれを含む装置に関する。

【背景技術】

【0002】

基準電位が異なる回路間において信号を送受信するために、絶縁型ドライバ（ｉｓｏｌａｔｉｏｎｄｒｉｖｅｒ）が使用されうる。例えば、ガルバニック絶縁（ｇａｌｖａｎｉｃｉｓｏｌａｔｉｏｎ）は、基準電位が異なる回路間において電流フローを遮断しながら、信号の伝達を可能にする原理を称することができ、ガルバニック絶縁に基づく絶縁型ドライバは、ガルバニックアイソレータ（ｇａｌｖａｎｉｃｉｓｏｌａｔｏｒ）とも称される。多様なアプリケーションにおいて、絶縁型ドライバを求める需要が増大しており、それにより、高効率性及び高信頼度を提供するガルバニックアイソレータが要求されうる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本発明が解決しようとする課題は、高効率性及び高信頼度をいずれも有するガルバニック絶縁を提供する集積回路、及びそれを含む装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本開示の技術的思想の一態様による装置は、第１集積回路を含み、該第１集積回路は、第１導電層に配された第１パターンを含む第１インダクタ、並びに該第１導電層に配され、第１インダクタと電気的に連結された第１電極、及び第１導電層上の第２導電層に配され、第１ボンディングワイヤ（ｂｏｎｄｉｎｇｗｉｒｅ）と電気的に連結された第２電極を含む第１キャパシタを含むものでもある。

【0005】

本開示の例示的実施形態により、第１電極は、第１導電層において、第１パターンによって取り囲まれ、第２電極と垂直方向に重畳されうる。

【0006】

本開示の例示的実施形態により、第１集積回路は、第１導電層に配された第２パターンを含み、第１インダクタに電気的に連結された第２インダクタ、第１導電層に配され、第２インダクタと電気的に連結された第３電極及び第２導電層に配され、第２ボンディングワイヤと電気的に連結された第４電極を含む第２キャパシタをさらに含むものでもある。

【0007】

本開示の例示的実施形態により、第３電極は、第２パターンによって取り囲まれ、第４電極と垂直方向に相互重畳されうる。

【0008】

本開示の例示的実施形態により、第１集積回路は、第１導電層に配され、第１パターン及び第２パターンが連結される第３パターンをさらに含み、該第３パターンは、低いインピーダンスノードに電気的に連結されうる。

【0009】

本開示の例示的実施形態により、第１集積回路は、第１インダクタ及び第２インダクタに基づく共振周波数を有する信号を生成するように構成されたキャパシタをさらに含むものでもある。

【0010】

本開示の例示的実施形態により、第１インダクタは、第２導電層に配された第４パターン、第１導電層と第２導電層との間の少なくとも１つの導電層に配された少なくとも１つの第５パターン、並びに第１パターン、第４パターン、及び少なくとも１つの第５パターンのうち相互隣接した２個のパターンを連結するビアをさらに含むものでもある。

【0011】

本開示の例示的実施形態により、第４パターンと第２電極との距離は、第１電極と第２電極との距離以上でもある。

【0012】

本開示の例示的実施形態により、装置は、第１集積回路から離隔された第２集積回路をさらに含み、第１ボンディングワイヤは、第１集積回路と第２集積回路とを連結することができる。

【0013】

本開示の例示的実施形態により、第２集積回路は、第１インダクタと同一構造を有するインダクタ、及び第１キャパシタと同一構造を有するキャパシタを含むものでもある。

【0014】

本開示の例示的実施形態により、第２集積回路は、第３導電層に配された第３インダクタ、第３導電層上の第４導電層に配された第６パターンを含み、該第１インダクタと誘導結合された第４インダクタ、及び第６パターンによって取り囲まれ、該第４インダクタ及び第１ボンディングワイヤと電気的に連結されるパターンを含むものでもある。

【0015】

本開示の技術的思想の一態様による装置は、第１集積回路を含み、該第１集積回路は、第１導電層に配された第１パターンを含む第１インダクタ、第１導電層上の第２導電層に配され、第１インダクタと誘導結合された第２インダクタ、並びに第１導電層に配され、該第１インダクタと電気的に連結された第１電極、及び第２導電層に配され、第１ボンディングワイヤと電気的に連結された第２電極を含む第１キャパシタを含み、該第２電極は、第２インダクタから絶縁されうる。

【0016】

本開示の例示的実施形態により、第１集積回路は、第１導電層に配された第２パターンを含む第３インダクタ、第２導電層に配され、該第３インダクタと誘導結合された第４インダクタ、並びに該第１導電層に配され、該第３インダクタと電気的に連結された第３電極、及び第２導電層に配され、第２ボンディングワイヤと電気的に連結された第４電極を含む第２キャパシタをさらに含み、該第３電極は、該第４インダクタから絶縁されうる。

【0017】

本開示の例示的実施形態により、第１集積回路は、第１導電層に配され、第１パターン及び第２パターンを連結する第３パターンをさらに含み、該第３パターンは、低いインピーダンスノードに電気的に連結されうる。

【0018】

本開示の例示的実施形態により、第１集積回路は、第２インダクタ及び第４インダクタに基づく共振周波数を有する信号を生成するように構成されたキャパシタをさらに含むものでもある。

【0019】

本開示の例示的実施形態により、第１インダクタは、第１導電層と第２導電層との間の少なくとも１つの導電層に配された少なくとも１つの第４パターン、及び第１パターンと、少なくとも１つの第４パターンのうち相互隣接した２個のパターンと、を連結するビアをさらに含むものでもある。

【0020】

本開示の例示的実施形態により、第１電極は、第１導電層において、第１パターンによって取り囲まれ、第２電極は、第２導電層において、第２インダクタによって取り囲まれうる。

【0021】

本開示の例示的実施形態により、第２インダクタと第２電極との距離は、第１電極と第２電極との距離以上でもある。

【0022】

【0023】

本開示の例示的実施形態により、第２集積回路は、第１インダクタと同一構造を有する第５インダクタ、第２インダクタと同一構造を有する第６インダクタ、及び第１キャパシタと同一構造を有する第３キャパシタを含むものでもある。

【0024】

本開示の例示的実施形態により、第２集積回路は、第３導電層に配された第５パターンを含む第７インダクタ、及び第３導電層に配され、該第７インダクタと電気的に連結された第５電極、及び該第３導電層上の第４導電層に配され、第１ボンディングワイヤと電気的に連結された第６電極を含む第４キャパシタを含み、該第５電極は、該第３導電層において、該第５パターンによって取り囲まれ、該第６電極と垂直方向に重畳されうる。

【0025】

本開示の例示的実施形態により、第２集積回路は、第５導電層に配された第８インダクタ、該第５導電層上の第６導電層に配された第６パターンを含み、第１インダクタと誘導結合された第９インダクタ、及び該第６パターンによって取り囲まれ、該第９インダクタ及び第１ボンディングワイヤと電気的に連結されるパターンを含むものでもある。

【発明の効果】

【0026】

本開示の例示的実施形態による集積回路及びその装置によれば、半導体工程によって製造される集積回路において、ガルバニック絶縁が効果的に具現され、それにより、多様なアプリケーションにおいて、ガルバニック絶縁が容易に採用されうる。

【0027】

また、本開示の例示的実施形態による集積回路及びその装置によれば、信号の急激な変化による誤動作が防止され、それにより、高い信頼度を有するガルバニック絶縁が提供されうる。

【0028】

本開示の例示的実施形態で得ることができる効果は、以上で言及された効果に制限されるものではなく、言及されていない他の効果は、以下の記載から、本開示の例示的実施形態が属する技術分野において通常の知識を有する者によって明確に導き出されて理解されうる。すなわち、本開示の例示的実施形態を実施することによる意図されえない効果も、本開示の例示的実施形態から、当該技術分野の通常の知識を有する者によって導き出されうる。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】本開示の例示的実施形態によるシステムを示すブロック図である。

【図2】本開示の例示的実施形態により、図１の信号を示すタイミング図である。

【図3A】本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す回路図である。

【図3B】本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す回路図である。

【図3C】本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す回路図である。

【図4A】本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す斜視図である。

【図4B】本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す斜視図である。

【図4C】本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す斜視図である。

【図5】本開示の例示的実施形態による、図４Ｃの線Ｘ１－Ｘ１’に沿って切り取ったガルバニックアイソレータの断面を示す断面図である。

【図6A】本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す斜視図である。

【図6B】本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す斜視図である。

【図6C】本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す斜視図である。

【図7】本開示の例示的実施形態による、図６Ｃの線Ｘ１－Ｘ１’に沿って切り取ったガルバニックアイソレータの断面を示す断面図である。

【図8】本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す斜視図である。

【図9】本開示の例示的実施形態による、図８の線Ｘ１－Ｘ１’に沿って切り取ったガルバニックアイソレータの断面を示す断面図である。

【図10A】本開示の例示的実施形態による装置の例示を示す図面である。

【図10B】本開示の例示的実施形態による装置の例示を示す図面である。

【図10C】本開示の例示的実施形態による装置の例示を示す図面である。

【図10D】本開示の例示的実施形態による装置の例示を示す図面である。

【図10E】本開示の例示的実施形態による装置の例示を示す図面である。

【図10F】本開示の例示的実施形態による装置の例示を示す図面である。

【図10G】本開示の例示的実施形態による装置の例示を示す図面である。

【図10H】本開示の例示的実施形態による装置の例示を示す図面である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

以下、添付図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明する。本発明の実施形態は、当業界において平均的な知識を有する者に、本発明についてさらに完全に説明するために提供されるものである。本発明は、多様な変更を加えることができ、さまざまな形態を有しうるが、特定実施形態を図面に例示し、詳細に説明する。しかしながら、それは、本発明を特定の開示形態について限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物ないし代替物を含むと理解されなければならない。それぞれの図面について説明しながら、類似した参照符号を類似した構成要素について使用する。添付図面において、構造物の寸法は、本発明の明確性を期するために、実際より拡大されていたり縮小されていたりして図示されている。

【0031】

本出願で使用された用語は、単に特定実施形態についての説明に使用されたものであり、本発明を限定する意図ではない。単数の表現は、文脈上、明白に取り立てて意味しない限り、複数の表現を含む。本出願において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴、数、段階、動作、構成要素、部分品、またはそれらの組み合わせが存在するということを指定するものであり、１、またはそれ以上の他の特徴、数、段階、動作、構成要素、部分品、またはそれらの組み合わせの存在または付加の可能性を事前に排除するものではないと理解されなければならない。

【0032】

取り立てて定義されない限り、技術的であったり科学的であったりする用語を含み、ここで使用される全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者によって一般的に理解されるところと同一の意味を有する。一般的に使用される事前に定義されているような用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有すると解釈されなければならず、本出願で明白に定義されない限り、理想的であったり、過度に形式的であったりする意味に解釈されるものではない。

【0033】

本明細書において、Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、第１水平方向及び第２水平方向とそれぞれ称され、Ｚ軸方向は、垂直方向と称されうる。Ｘ軸及びＹ軸によってなる平面は、水平面と称され、他の構成要素より相対的に＋Ｚ方向に配された構成要素は、他の構成要素上にあると称され、他の構成要素より相対的に－Ｚ方向に配された構成要素は、他の構成要素の下にあると称されうる。また、構成要素の面積は、水平面と平行な面において構成要素が占める大きさを称し、構成要素の幅は、構成要素が延長される方向と直交する方向の長さを称しうる。＋Ｚ方向に露出された表面は、上面（ｔｏｐｓｕｒｆａｃｅ）と称され、－Ｚ方向に露出された表面は、下面（ｂｏｔｔｏｍｓｕｒｆａｃｅ）と称され、±Ｘ方向または±Ｙ方向に露出された表面は、側面と称されうる。図解の便宜上、図面において、一部層だけが図示され、配線層のような伝導層のパターンにように、伝導性物質によって構成されるパターンは、伝導性パターンと称され、単にパターンとも称される。

【0034】

図１は、本開示の例示的実施形態によるシステム１００を示すブロック図である。図１に図示されているように、システム１００は、送信機１２０、ガルバニックアイソレータ１４０及び受信機１６０を含むものでもある。送信機１２０及び受信機１６０は、例えば、異なる基準電位ＧＮＤ１，ＧＮＤ２（図１０Ａ）をそれぞれ有することができ、ガルバニックアイソレータ１４０は、送信機１２０と受信機１６０との間において、情報を含む信号を伝達することができる。本明細書において、システム１００は、装置と称されうる。

【0035】

一部実施形態において、システム１００は、ＴＶ・ＰＣ（ｐｅｒｓｏｎａｌｃｏｍｐｕｔｅｒ）のような電子機器、車両、ＰＭ（ｐｅｒｓｏｎａｌｍｏｂｉｌｉｔｙ）のような運送手段などでもあり、前述のものに含まれる部品でもある。一部実施形態において、システム１００は、半導体工程によって製造された半導体パッケージに対応しうる。例えば、送信機１２０、ガルバニックアイソレータ１４０及び受信機１６０は、少なくとも１つの集積回路（チップまたはダイ）に含まれ、システム１００は、少なくとも１つの集積回路がパッケージングされた半導体パッケージに対応しうる。図面を参照して後述されるように、１つの半導体パッケージによってガルバニック絶縁が提供され、それにより、多様なアプリケーションにおいて、ガルバニック絶縁が容易に採用されうる。

【0036】

送信機１２０は、変調器１２２を含むものでもある。変調器１２２は、入力信号ＩＮを受信することができ、入力信号ＩＮを変調することによって変調された信号ＭＯＤを生成することができる。一部実施形態において、変調器１２２は、ＯＯＫ（ｏｎ／ｏｆｆｋｅｙｉｎｇ）に基づき、入力信号ＩＮから変調された信号ＭＯＤを生成することができる。入力信号ＩＮは、受信機１６０に提供する情報を含み、送信機１２０内部で生成されたり、送信機１２０の外部から受信されたりしうる。一部実施形態において、ガルバニックアイソレータ１４０は、インダクタを含み、変調器１２２は、ガルバニックアイソレータ１４０に含まれたインダクタに基づく共振周波数を使用して変調された信号ＭＯＤを生成することができる。入力信号ＩＮ及び変調された信号ＭＯＤの例示が、図２を参照して後述される。

【0037】

ガルバニックアイソレータ１４０は、送信機１２０から変調された信号ＭＯＤを受信することができ、変調された信号ＭＯＤから誘導された信号ＭＯＤ’を生成することができる。一部実施形態において、誘導された信号ＭＯＤ’は、変調された信号ＭＯＤから減衰された信号に対応しうる。図面を参照して後述されるように、ガルバニックアイソレータ１４０は、相互直列連結されたキャパシタ及びインダクタを含み、インダクタ及びキャパシタは、１つの集積回路に具現されうる。誘導結合されたインダクタを利用し、変調された信号を伝送することができ、インダクタ間の物理的距離を確保し、絶縁耐圧を満足させることができる。同様に、キャパシタを利用し、変調された信号を伝送することができ、キャパシタ両端電極間の距離を確保し、絶縁耐圧を満足させることができる。

【0038】

受信機１６０は、復調器１６２を含むものでもある。復調器１６２は、誘導された信号ＭＯＤ’を受信することができ、誘導された信号ＭＯＤ’を復調することにより、出力信号ＯＵＴを生成することができる。一部実施形態において、復調器１６２は、ＯＯＫ（ｏｎ／ｏｆｆｋｅｙｉｎｇ）に基づき、誘導された信号ＭＯＤ’から出力信号ＯＵＴを生成することができる。出力信号ＯＵＴは、入力信号ＩＮに含まれた情報を含むものでもある。一部実施形態において、出力信号ＯＵＴを増幅するドライバが、受信機１６０に含まれるか、あるいは受信機１６０の外部において、システム１００に含まれるものでもある。一部実施形態において、ガルバニックアイソレータ１４０は、インダクタを含み、復調器１６２は、ガルバニックアイソレータ１４０に含まれたインダクタに基づく共振周波数を使用して誘導された信号ＭＯＤ’を処理することができる。

【0039】

図２は、本開示の例示的実施形態による、図１の信号を示すタイミング図である。図２は、例示に過ぎず、図１の信号は、図２の例示に制限されるものではないという点が留意される。図解の便宜上、図２において、信号間遅延は、無視される。以下において、図２は、図１を参照して説明される。

【0040】

図２を参照すれば、入力信号ＩＮは、活性化状態または非活性化状態を有するパルス信号でもある。例えば、図２に図示されているように、入力信号ＩＮは、時間ｔ１及び時間ｔ３で活性化されうる一方、時間ｔ２及び時間ｔ４で非活性化されうる。変調器１２２は、入力信号ＩＮの活性化に応答して振動する変調された信号ＭＯＤを生成することができる。例えば、図２に図示されているように、変調された信号ＭＯＤは、時間ｔ１ないし時間ｔ２で振動し、時間ｔ３ないし時間ｔ４で振動しうる。

【0041】

ガルバニックアイソレータ１４０は、振動した変調された信号ＭＯＤから、振動する誘導された信号ＭＯＤ’を生成することができる。例えば、図２に図示されているように、誘導された信号ＭＯＤ’は、時間ｔ１ないし時間ｔ２で振動することができ、時間ｔ３ないし時間ｔ４で振動しうる。図２に図示されているように、誘導された信号ＭＯＤ’の大きさ（すなわち、振幅または尖頭値）は、変調された信号ＭＯＤよりも小さい。復調器１６２は、振動する誘導された信号ＭＯＤ’に応答して活性化された出力信号ＯＵＴを生成することができる。例えば、図２に図示されているように、出力信号ＯＵＴは、時間ｔ１ないし時間ｔ２で活性化され、時間ｔ３ないし時間ｔ４で活性化されうる。

【0042】

図３Ａないし図３Ｃは、本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す回路図である。例えば、図３Ａないし図３Ｃの回路図は、図１のガルバニックアイソレータ１４０の等価回路を示す。一部実施形態において、図１０Ａないし図１０Ｈを参照して後述されるように、図１のガルバニックアイソレータ１４０は、図３Ａないし図３Ｃのガルバニックアイソレータ３００ａ，３００ｂ，３００ｃのうち２個以上がカスケードされた構造を含むものでもある。以下において、図３Ａないし図３Ｃに係わる説明において、相互重複される内容は、省略されるのである。

【0043】

一部実施形態において、図１の変調された信号ＭＯＤ、及び誘導された信号ＭＯＤ’は、差動（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ）信号でもあり、ガルバニックアイソレータ３００ａ，３００ｂ，３００ｃそれぞれは、変調された信号ＭＯＤを受信する端子Ｐ１１，Ｐ１２、及び誘導された信号ＭＯＤ’が出力される端子Ｐ２１，Ｐ２２を含むものでもある。また、ガルバニックアイソレータ３００ａ，３００ｂ，３００ｃそれぞれは、センタータップ（ｃｅｎｔｅｒｔａｐ）端子Ｐ１３を含み、センタータップ端子Ｐ１３は、低いインピーダンスノードに連結されうる。一部実施形態において、変調された信号ＭＯＤが端子Ｐ２１，Ｐ２２に印加され、誘導された信号ＭＯＤ’が端子Ｐ１１，Ｐ１２に出力されうる。図３Ａないし図３Ｃに図示されているように、ガルバニックアイソレータ３００ａ，３００ｂ，３００ｃは、差動信号のためにバランシングされた（ｂａｌａｎｃｅｄ）構造を有しうる。

【0044】

図３Ａを参照すれば、ガルバニックアイソレータ３００ａは、相互直列連結された第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２を含むものでもある。また、ガルバニックアイソレータ３００ａは、端子Ｐ１１と端子Ｐ２１との間において、第１キャパシタＣ１を含み、端子Ｐ１２と端子Ｐ２２との間において、第２キャパシタＣ２を含むものでもある。図３Ａに図示されているように、第１キャパシタＣ１、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２及び第２キャパシタＣ２は、順次に直列連結されうる。送信側及び受信側は、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２によって相互絶縁され（ｉｓｏｌａｔｅｄ）、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２それぞれは、要件による絶縁耐圧を有しうる。

【0045】

信号の伝達特性を高めるために、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２が高いキャパシタンスを有する場合、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２による誤動作が生じうる。例えば、図１の受信機１６０または受信機１６０の出力信号に基づいて動作するドライバにおいて、大きい電圧変化（すなわち、高いｄｖ／ｄｔ）が生じる場合、第１キャパシタＣ１及び／または第２キャパシタＣ２を介し、図１の送信機１２０に大きい電流が伝達され、それにより、送信機１２０に含まれた回路が誤動作するか、あるいは甚だしくは破壊されうる。

【0046】

第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２は、入力端子Ｐ１１，Ｐ１２で共振する変調された信号ＭＯＤを生成するのに使用されうる。受信側においても、同一の共振周波数を有する共振回路が提供される場合、誘導された信号ＭＯＤ’は、変調された信号ＭＯＤから微弱に減衰されるか、あるいは減衰されず、それにより、改善された信号対ノイズ比（ＳＮＲ：ｓｉｇｎａｌｔｏｎｏｉｓｅｒａｔｉｏ）に起因し、受信側で誘導された信号ＭＯＤ’が容易に処理されうる。第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２によって定義される共振周波数に起因し、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２のキャパシタンスは、制限されたキャパシタンスを有することができ、それにより、大きい電圧変化（すなわち、高いｄｖ／ｄｔ）による影響を低減させることができる。図３Ａのガルバニックアイソレータ３００ａの例示が、図４Ａないし図４Ｃを参照して後述される。

【0047】

図３Ｂを参照すれば、ガルバニックアイソレータ３００ｂは、相互直列連結されたインダクタＬ１１，Ｌ１２、及び相互直列連結されたインダクタＬ２１，Ｌ２２を含むものでもある。インダクタＬ１１，Ｌ１２は、インダクタＬ２１，Ｌ２２とそれぞれ誘導結合され、結合係数（ｃｏｕｐｌｉｎｇｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）ｋを有しうる。それにより、端子Ｐ１１，Ｐ１２に印加された交流信号（すなわち、変調された信号ＭＯＤの交流成分）に対応する交流信号（すなわち、誘導された信号ＭＯＤ’の交流成分）が第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２を介し、端子Ｐ２１，Ｐ２２に生成されうる。このとき、誘導結合されているインダクタは、高周波信号を伝達する役割を行うことができ、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２は、絶縁耐圧を満足させる役割を行うことができる。類似して、交流信号（すなわち、誘導された信号ＭＯＤ’の交流成分）が、端子Ｐ１１，Ｐ１２に生成され、端子Ｐ２１，Ｐ２２に印加された交流信号（すなわち、変調された信号ＭＯＤの交流成分）から、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２を介し、インダクタＬ２１，Ｌ２２に印加された交流信号に対応しうる。図３Ａを参照して説明されたところと類似し、インダクタＬ１１，Ｌ１２及びインダクタＬ２１，Ｌ２２は、共振する信号の生成に使用されうる。図３Ｂのガルバニックアイソレータ３００ｂの例示が、図６Ａないし図６Ｃを参照して後述される。

【0048】

図３Ｃを参照すれば、ガルバニックアイソレータ３００ｃは、相互直列連結されたインダクタＬ１１，Ｌ１２、及び相互直列連結されたインダクタＬ２１，Ｌ２２を含むものでもある。インダクタＬ１１，Ｌ１２は、インダクタＬ２１，Ｌ２２とそれぞれ誘導結合され、結合係数ｋ’を有しうる。それにより、交流信号（すなわち、誘導された信号ＭＯＤ’の交流成分）が端子Ｐ２１，Ｐ２２に生成され、端子Ｐ１１，Ｐ１２に印加された交流信号（すなわち、変調された信号ＭＯＤの交流成分）に対応しうる。このとき、誘導結合されているインダクタは、高周波信号を伝達する役割を行うと共に、絶縁耐圧を満足させる役割を行わなければならないので、インダクタＬ１１，Ｌ２１の間、及びインダクタＬ１２，Ｌ２２の間は、絶縁耐圧を満足させるための適切な間隔で相互離隔されてもいる。類似して、交流信号（すなわち、誘導された信号ＭＯＤ’の交流成分）が、端子Ｐ１１，Ｐ１２に生成され、端子Ｐ２１，Ｐ２２に印加された交流信号（すなわち、変調された信号ＭＯＤの交流成分）から、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２を介し、インダクタＬ２１，Ｌ２２に印加された交流信号に対応しうる。図３Ａを参照して説明されたところと類似し、インダクタＬ１１，Ｌ１２及びインダクタＬ２１，Ｌ２２は、共振する信号を生成するのに使用されうる。図３Ｃにおけるガルバニックアイソレータ３００ｃの例示が、図８及び図９を参照して後述される。

【0049】

図３Ａのガルバニックアイソレータ３００ａ、及び図３Ｂのガルバニックアイソレータ３００ｂの場合、絶縁維持機能は、キャパシタＣ１，Ｃ２によって提供され、図３Ｃのガルバニックアイソレータ３００ｃの場合、誘導結合されているインダクタ間の物理的離隔距離によって提供されうる。ガルバニックアイソレータ３００ａ，３００ｂ，３００ｃいずれも、電圧変化（すなわち、ｄｖ／ｄｔ）による電流量は、寄生キャパシタによって主に決定されうる。例えば、図３Ａのガルバニックアイソレータ３００ａ、及び図３Ｂのガルバニックアイソレータ３００ｂにおける電流量は、キャパシタＣ１，Ｃ２によって決定され、図３Ｃのガルバニックアイソレータ３００ｃにおける電流量は、誘導結合されているインダクタ間の寄生キャパシタによって決定されうる。従って、図３Ａのガルバニックアイソレータ３００ａ、及び図３Ｂのガルバニックアイソレータ３００ｂの場合、キャパシタＣ１，Ｃ２のキャパシタンスは、任意に設定可能であるが、図３Ｃのガルバニックアイソレータ３００ｃの場合、インダクタの面積、絶縁離隔距離、及び絶縁体の誘電率に影響を受けるために、任意にキャパシタンスを決定することが容易ではない。従って、図３Ａのガルバニックアイソレータ３００ａ、及び図３Ｂのガルバニックアイソレータ３００ｂが電圧変化（すなわち、ｄｖ／ｄｔ）によって生じた電流を制御することを容易にすることができる。

【0050】

図４Ａないし図４Ｃは、本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す斜視図である。例えば、図４Ａないし図４Ｃの斜視図は、図３Ａのガルバニックアイソレータ３００ａの例示を示す。図３Ａを参照して説明されたように、ガルバニックアイソレータ４００ａないし４００ｃは、差動信号に基づき、バランシングされた構造を有しうる。例えば、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２は、相互同一（例えば、対称的な）構造を有しうる。以下において、図４Ａないし図４Ｃは、図３Ａを参照して説明されるが、図４Ａないし図４Ｃに係わる説明において、相互重複される内容は、省略されるのである。

【0051】

図４Ａを参照すれば、ガルバニックアイソレータ４００ａは、半導体工程によって製造される集積回路に含まれるものでもある。例えば、該集積回路は、半導体工程に含まれた一連のサブ工程によってそれぞれ形成されて積層される複数の導電層を含み、ガルバニックアイソレータ４００ａは、導電層に配されたパターンを含むものでもある。図４Ａに図示されているように、第１インダクタＬ１は、第１導電層Ｍｐに配された第１パターンＴ１を含み、第２インダクタＬ２は、第１導電層Ｍｐに配された第２パターンＴ２を含むものでもある。ガルバニックアイソレータ４００ａは、第１導電層Ｍｐにおいて、第１インダクタＬ１、すなわち、第１パターンＴ１と、第２インダクタＬ２、すなわち、第２パターンＴ２とを連結する第３パターンＴ３を含み、第３パターンＴ３に連結された第６パターンＴ６は、センタータップに対応しうる。

【0052】

第１キャパシタＣ１は、第１導電層Ｍｐに配された第１電極Ｅ１１、及び第１導電層Ｍｐ上の第２導電層Ｍｘに配された第２電極Ｅ１２を含むものでもある。類似して、第２キャパシタＣ２は、第１導電層Ｍｐに配された第１電極Ｅ２１、及び第２導電層Ｍｘに配された第２電極Ｅ２２を含むものでもある。第１キャパシタＣ１の第２電極Ｅ１２は、図３Ａの端子Ｐ２１に対応し、第２キャパシタＣ２の第２電極Ｅ２２は、図３Ａの端子Ｐ２２に対応しうる。一部実施形態において、第１キャパシタＣ１の第２電極Ｅ１２、及び第２キャパシタＣ２の第２電極Ｅ２２は、集積回路の外部に露出され、ボンディングワイヤが連結されるパッドや、パッドに連結されうる。

【0053】

ガルバニックアイソレータ４００ａは、第１キャパシタＣ１の第１電極Ｅ１１と、第１インダクタＬ１とを連結するために、第１導電層Ｍｐと第２導電層Ｍｘとの間の第３導電層Ｍｑにおいて延長される第４パターンＴ４を含み、第４パターンＴ４は、図３Ａの端子Ｐ１１に対応しうる。また、ガルバニックアイソレータ４００ａは、第２キャパシタＣ２の第１電極Ｅ２１と、第２インダクタＬ２とを連結するために、第３導電層Ｍｑにおいて延長される第５パターンＴ５を含み、第５パターンＴ５は、図３Ａの端子Ｐ１２に対応しうる。一部実施形態において、第４パターンＴ４及び第５パターンＴ５は、第１導電層Ｍｐ下の導電層に配されうる。

【0054】

図４Ｂを参照すれば、第１インダクタＬ１は、第１導電層Ｍｐに配された第１パターンＴ１を含み、第２インダクタＬ２は、第１導電層Ｍｐに配された第２パターンＴ２を含むものでもある。ガルバニックアイソレータ４００ｂは、第１導電層Ｍｐにおいて、第１インダクタＬ１、すなわち、第１パターンＴ１と、第２インダクタＬ２、すなわち、第２パターンＴ２とを連結する第３パターンＴ３を含み、第３パターンＴ３に連結された第６パターンＴ６は、センタータップに対応しうる。

【0055】

第１キャパシタＣ１は、第１導電層Ｍｐに配された第１電極Ｅ１１、及び第２導電層Ｍｘに配された第２電極Ｅ１２を含むものでもある。類似して、第２キャパシタＣ２は、第１導電層Ｍｐに配された第１電極Ｅ２１、及び第２導電層Ｍｘに配された第２電極Ｅ２２を含むものでもある。ガルバニックアイソレータ４００ｂは、第１キャパシタＣ１の第１電極Ｅ１１と第１インダクタＬ１とに電気的に連結され、第３導電層Ｍｑにおいて延長される第４パターンＴ４を含み、第２キャパシタＣ２の第１電極Ｅ２１と第２インダクタＬ２とに電気的に連結され、第３導電層Ｍｑにおいて延長される第５パターンＴ５を含むものでもある。一部実施形態において、第４パターンＴ４及び第５パターンＴ５は、第１導電層Ｍｐ下の導電層に配されうる。

【0056】

図４Ａのガルバニックアイソレータ４００ａと比較すれば、図４Ｂのガルバニックアイソレータ４００ｂにおいて、第１キャパシタＣ１の第１電極Ｅ１１は、第１インダクタＬ１の第１パターンＴ１によって取り囲まれ、第１キャパシタＣ１の第２電極Ｅ１２と垂直方向、すなわち、Ｚ軸方向に重畳されうる。類似して、第２キャパシタＣ２の第１電極Ｅ２１は、第２インダクタＬ２の第２パターンＴ２によって取り囲まれ、第２キャパシタＣ２の第２電極Ｅ２２と垂直方向、すなわち、Ｚ軸方向に重畳されうる。それにより、ガルバニックアイソレータ４００ｂは、小さくなった面積を有しうる。

【0057】

図４Ｃを参照すれば、第１インダクタＬ１は、第１導電層Ｍｐに配されたパターンＴ１１、第２導電層Ｍｘに配されたパターンＴ１３、及び第１導電層Ｍｐと第２導電層Ｍｘとの間の第４導電層Ｍｒに配されたパターンＴ１２を含むものでもある。一部実施形態において、パターンＴ１１，Ｔ１２，Ｔ１３は、Ｘ軸及びＹ軸によってなる平面において、同一形状を有することができ、ビアを介して相互連結されうる。それにより、第１インダクタＬ１は、低減された寄生抵抗を有しうる。類似して、第２インダクタＬ２は、第１導電層Ｍｐに配されたパターンＴ２１、第２導電層Ｍｘに配されたパターンＴ２３、及び第４導電層Ｍｒに配されたパターンＴ２２を含むものでもある。パターンＴ２１，Ｔ２２，Ｔ２３は、Ｘ軸及びＹ軸によってなる平面において、同一形状を有することができ、ビアを介して相互連結されうる。それにより、第２インダクタＬ２は、低減された寄生抵抗を有しうる。図解の便宜のために、第１導電層Ｍｐと第２導電層Ｍｘとの間の１層の導電層、すなわち、第４導電層Ｍｒに配されたパターンＴ１２，Ｔ２２だけが図示されているが、図５を参照して後述されるように、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２それぞれは、第１導電層Ｍｐと第２導電層Ｍｘとの間の複数の導電層においてそれぞれ配されたパターンを含むものでもある。図４Ｃに図示されているように、第１インダクタＬ１のパターンＴ１１，Ｔ１２，Ｔ１３は、第２インダクタＬ２のパターンＴ２１，Ｔ２２，Ｔ２３とそれぞれ連結され、第６パターンＴ６は、センタータップに対応しうる。

【0058】

第１キャパシタＣ１は、第１導電層Ｍｐに配された第１電極Ｅ１１と、第２導電層Ｍｘに配された第２電極Ｅ１２と、を含むものでもある。類似して、第２キャパシタＣ２は、第１導電層Ｍｐに配された第１電極Ｅ２１と、第２導電層Ｍｘに配された第２電極Ｅ２２と、を含むものでもある。ガルバニックアイソレータ４００ｃは、第１キャパシタＣ１の第１電極Ｅ１１と第１インダクタＬ１とに電気的に連結され、第３導電層Ｍｑにおいて延長される第４パターンＴ４を含み、第２キャパシタＣ２の第１電極Ｅ２１と第２インダクタＬ２とに電気的に連結され、第３導電層Ｍｑにおいて延長される第５パターンＴ５を含むものでもある。一部実施形態において、第４パターンＴ４及び第５パターンＴ５は、第１導電層Ｍｐ下の導電層に配されうる。

【0059】

図５は、本開示の例示的実施形態による、図４Ｃの線Ｘ１－Ｘ１’に沿って切り取ったガルバニックアイソレータ５００の断面を示す断面図である。以下において、図５は、図３Ａ及び図４Ｃを参照して説明される。

【0060】

図５を参照すれば、第１インダクタＬ１は、第１導電層Ｍｐに配されたパターンと、第２導電層Ｍｘに配されたパターンと、を含み、第１導電層Ｍｐと第２導電層Ｍｘとの間の導電層においてそれぞれ配されたパターンを含むものでもある。第１インダクタＬ１のパターンにおいて垂直方向、すなわち、Ｚ軸方向に相互隣接した２個のパターンは、ビアを介して相互連結されうる。それにより、第１インダクタＬ１は、低減された寄生抵抗を有しうる。

【0061】

図５に図示されているように、第１導電層Ｍｐに配されたパターンの厚み（または、高さ）Ｈ１は、第２導電層Ｍｘに配されたパターンの厚み（または、高さ）Ｈ２よりも小さい。第１インダクタＬ１と第１キャパシタＣ１との間に絶縁体が充填され、第１キャパシタＣ１の第１電極Ｅ１１と第２電極Ｅ１２との間に誘電体が充填されうる。一部実施形態において、第１キャパシタＣ１の第２電極Ｅ１２と第１インダクタＬ１（または、第２導電層Ｍｘのパターン）との第２距離Ｄ２は、第１キャパシタＣ１の第１電極Ｅ１１と第２電極Ｅ１２との間の第１距離Ｄ１以上でもある。

【0062】

図６Ａないし図６Ｃは、本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す斜視図である。例えば、図６Ａないし図６Ｃの斜視図は、図３Ｂのガルバニックアイソレータ３００ｂの例示を示す。図３Ｂを参照して説明されたように、ガルバニックアイソレータ６００ａないし６００ｃは、差動信号に基づき、バランシングされた構造を有しうる。例えば、図３ＢのインダクタＬ１１，Ｌ１２は、相互同一（例えば、対称的）構造を有することができ、図３ＢのインダクタＬ２１，Ｌ２２は、相互同一（例えば、対称的）構造を有しうる。以下において、図６Ａないし図６Ｃは、図３Ｂを参照して説明されるが、図６Ａないし図６Ｃに係わる説明において、相互重複される内容は、省略されるのである。

【0063】

図６Ａを参照すれば、ガルバニックアイソレータ６００ａは、半導体工程によって製造される集積回路に含まれるものでもある。例えば、該集積回路は、半導体工程に含まれた一連のサブ工程によってそれぞれ形成されて積層される複数の導電層を含み、ガルバニックアイソレータ６００ａは、導電層に配されたパターンを含むものでもある。図６Ａに図示されているように、インダクタＬ２１は、第１導電層Ｍｐに配されたパターンＴ１１を含み、インダクタＬ２２は、第１導電層Ｍｐに配されたパターンＴ２１を含むものでもある。また、インダクタＬ１１は、第１導電層Ｍｐ上の第２導電層Ｍｘに配されたパターンＴ１２を含み、インダクタＬ１２は、第２導電層Ｍｘに配されたパターンＴ２２を含むものでもある。ガルバニックアイソレータ６００ａは、第１導電層Ｍｐにおいて、パターンＴ１１とパターンＴ２１とを連結するパターンＴ３１を含み、第２導電層Ｍｘにおいて、パターンＴ１２とパターンＴ２２とを連結するパターンＴ３２を含むものでもある。パターンＴ３１に連結された第６パターンＴ６は、センタータップに対応しうる。

【0064】

第１キャパシタＣ１は、第１導電層Ｍｐに配された第１電極Ｅ１１、及び第２導電層Ｍｘに配された第２電極Ｅ１２を含むものでもある。類似して、第２キャパシタＣ２は、第１導電層Ｍｐに配された第１電極Ｅ２１、及び第２導電層Ｍｘに配された第２電極Ｅ２２を含むものでもある。第１キャパシタＣ１の第２電極Ｅ１２は、図３Ｂの端子Ｐ２１に対応し、第２キャパシタＣ２の第２電極Ｅ２２は、図３Ｂの端子Ｐ２２に対応しうる。一部実施形態において、第１キャパシタＣ１の第２電極Ｅ１２、及び第２キャパシタＣ２の第２電極Ｅ２２は、集積回路の外部に露出され、ボンディングワイヤが連結されるパッドや、パッドに連結されうる。

【0065】

ガルバニックアイソレータ６００ａは、第１導電層Ｍｐと第２導電層Ｍｘとの間の第３導電層Ｍｑにおいて、第１キャパシタＣ１の第１電極Ｅ１１と、インダクタＬ２１とに連結されたパターン（Ｔ４１）を含み、ビアを介してインダクタＬ１１に連結されたパターンＴ４２を含み、パターンＴ４２は、図３Ｂの端子Ｐ１１に対応しうる。また、ガルバニックアイソレータ６００ａは、第３導電層Ｍｑにおいて、第２キャパシタＣ２の第１電極Ｅ２１とインダクタＬ２２とに連結されたパターンＴ５１を含み、ビアを介してインダクタＬ１２に連結されたパターンＴ５２を含み、パターンＴ５２は、図３Ｂの端子Ｐ１２に対応しうる。一部実施形態において、パターンＴ４１，Ｔ４２，Ｔ５１，Ｔ５２は、第１導電層Ｍｐ下の導電層に配されうる。

【0066】

図６Ｂを参照すれば、インダクタＬ２１は、第１導電層Ｍｐに配されたパターンＴ１１を含み、インダクタＬ２２は、第１導電層Ｍｐに配されたパターンＴ２１を含むものでもある。インダクタＬ１１は、第２導電層Ｍｘに配されたパターンＴ１２を含み、インダクタＬ１２は、第２導電層Ｍｘに配されたパターンＴ２２を含むものでもある。ガルバニックアイソレータ６００ｂは、第１導電層Ｍｐにおいて、パターンＴ１１，Ｔ２１を連結するパターンＴ３１、及び第２導電層Ｍｘにおいて、パターンＴ１２，Ｔ２２を連結するパターンＴ３２を含むものでもある。パターンＴ３１に連結された第６パターンＴ６は、センタータップに対応しうる。

【0067】

ガルバニックアイソレータ６００ｂは、第３導電層Ｍｑに配され、ビアを介してパターンＴ１２に連結された第４パターンＴ４を含み、第３導電層Ｍｑに配され、ビアを介してパターンＴ２２に連結された第５パターンＴ５を含むものでもある。第４パターンＴ４及び第５パターンＴ５は、図３Ｂの端子Ｐ１１，Ｐ１２にそれぞれ対応しうる。一部実施形態において、第４パターンＴ４及び第５パターンＴ５は、第１導電層Ｍｐ下の導電層に配されうる。

【0068】

図６Ａのガルバニックアイソレータ６００ａと比較すれば、図６Ｂのガルバニックアイソレータ６００ｂにおいて、第１キャパシタＣ１の第１電極Ｅ１１は、インダクタＬ２１のパターンＴ１１によって取り囲まれ、第１キャパシタＣ１の第２電極Ｅ１２は、インダクタＬ１１のパターンＴ１２によって取り囲まれうる。類似して、第２キャパシタＣ２の第１電極Ｅ２１は、インダクタＬ２２のパターンＴ２１によって取り囲まれ、第２キャパシタＣ２の第２電極Ｅ２２は、インダクタＬ１２のパターンＴ２２によって取り囲まれうる。それにより、ガルバニックアイソレータ６００ｂは、小さくなった面積を有しうる。

【0069】

図６Ｃを参照すれば、インダクタＬ２１は、第１導電層Ｍｐに配されたパターンＴ１１と、第１導電層Ｍｐと第２導電層Ｍｘとの間の第４導電層Ｍｒに配されたパターンＴ１２と、を含むものでもある。一部実施形態において、パターンＴ１１，Ｔ１２は、Ｘ軸及びＹ軸によってなる平面において同一形状を有することができ、ビアを介して相互連結されうる。それにより、インダクタＬ２１は、低減された寄生抵抗を有しうる。類似して、インダクタＬ２２は、第１導電層Ｍｐに配されたパターンＴ２１と、第４導電層Ｍｒに配されたパターンＴ２２と、を含むものでもある。一部実施形態において、パターンＴ２１，Ｔ２２は、Ｘ軸及びＹ軸によってなる平面において同一形状を有することができ、ビアを介して相互連結されうる。それにより、インダクタＬ２２は、低減された寄生抵抗を有しうる。

【0070】

インダクタＬ１１は、第２導電層Ｍｘに配されたパターンＴ１３を含み、インダクタＬ１２は、第２導電層Ｍｘに配されたパターンＴ２３を含むものでもある。ガルバニックアイソレータ６００ｃは、パターンＴ１１ないしＴ１３とパターンＴ２１ないしＴ２３とをそれぞれ連結するパターンを含み、第６パターンＴ６は、センタータップに対応しうる。また、ガルバニックアイソレータ６００ｃは、第３導電層Ｍｑに配され、ビアを介してパターンＴ１３に連結される第４パターンＴ４、及び第３導電層Ｍｑに配され、ビアを介してパターンＴ２３に連結される第５パターンＴ５を含み、第４パターンＴ４及び第５パターンＴ５は、図３Ｂの端子Ｐ１１，Ｐ１２にそれぞれ対応しうる。一部実施形態において、第４パターンＴ４及び第５パターンＴ５は、第１導電層Ｍｐ下の導電層に配されうる。第１キャパシタＣ１は、第１電極Ｅ１１及び第２電極Ｅ１２を含み、第２キャパシタＣ２は、第１電極Ｅ２１及び第２電極Ｅ２２を含むものでもある。第１キャパシタＣ１の第２電極Ｅ１２、及び第２キャパシタＣ２の第２電極Ｅ２２は、図３Ｂの端子Ｐ２１，Ｐ２２にそれぞれ対応しうる。

【0071】

図７は、本開示の例示的実施形態による、図６Ｃの線Ｘ１－Ｘ１’に沿って切り取ったガルバニックアイソレータ７００の断面を示す断面図である。以下において、図７は、図３Ｂ及び図６Ｃを参照して説明される。

【0072】

図７を参照すれば、第１導電層Ｍｐに配されたパターンの厚み（または、高さ）Ｈ１は、第２導電層Ｍｘに配されたパターンの厚み（または、高さ）Ｈ２よりも小さい。インダクタＬ１１は、第２導電層Ｍｘに配されたパターンを含み、インダクタＬ２１は、第１導電層Ｍｐに配されたパターン、及び第１導電層Ｍｐ上の導電層Ｍｑ，Ｍｒに配されたパターンを含むものでもある。インダクタＬ２１のパターンにおいて、垂直方向、すなわち、Ｚ軸方向に相互隣接した２個のパターンは、ビアを介して相互連結されうる。それにより、インダクタＬ２１の寄生抵抗が低減され、厚みＨ１，Ｈ２間の差に起因する影響が低減されうる。

【0073】

インダクタＬ１１，Ｌ２１と第１キャパシタＣ１との間に絶縁体が充填され、第１キャパシタＣ１の第１電極Ｅ１１と第２電極Ｅ１２との間に誘電体が充填されうる。一部実施形態において、第１キャパシタＣ１の第２電極Ｅ１２とインダクタＬ１１との第２距離Ｄ２は、第１キャパシタＣ１の第１電極Ｅ１１と第２電極Ｅ１２との第１距離Ｄ１以上でもある。

【0074】

図８は、本開示の例示的実施形態によるガルバニックアイソレータの例示を示す斜視図である。例えば、図８の斜視図は、図３Ｃのガルバニックアイソレータ３００ｃの例示を示す。図３Ｃを参照して説明されたように、ガルバニックアイソレータ８００は、差動信号に基づき、バランシングされた構造を有しうる。例えば、図３ＣのインダクタＬ１１，Ｌ１２は、相互同一（例えば、対称的）構造を有することができ、図３ＣのインダクタＬ２１，Ｌ２２は、相互同一（例えば、対称的）構造を有しうる。以下において、図８は、図３Ｃを参照して説明される。

【0075】

図８を参照すれば、ガルバニックアイソレータ８００は、半導体工程によって製造される集積回路に含まれるものでもある。例えば、該集積回路は、半導体工程に含まれた一連のサブ工程によってそれぞれ形成されて積層される複数の導電層を含み、ガルバニックアイソレータ８００は、導電層に配されたパターンを含むものでもある。図８に図示されているように、インダクタＬ１１は、第１導電層Ｍｐに配されたパターンＴ１１を含み、インダクタＬ１２は、第１導電層Ｍｐに配されたパターンＴ２１を含むものでもある。また、インダクタＬ２１は、第１導電層Ｍｐ上の第２導電層Ｍｘに配されたパターンＴ１２を含み、インダクタＬ２２は、第２導電層Ｍｘに配されたパターンＴ２２を含むものでもある。ガルバニックアイソレータ８００は、第１導電層Ｍｐにおいて、パターンＴ１１とパターンＴ２１とを連結するパターンＴ３１を含み、第２導電層Ｍｘにおいて、パターンＴ１２とパターンＴ２２とを連結するパターンＴ３２を含むものでもある。パターンＴ３１に連結された第６パターンＴ６は、センタータップに対応しうる。

【0076】

パターンＴ７は、第２導電層Ｍｘにおいて、パターンＴ１２によって取り囲まれ、図３Ｃの端子Ｐ２１に対応しうる。パターンＴ８は、第２導電層Ｍｘにおいて、パターンＴ２２によって取り囲まれ、図３Ｃの端子Ｐ２２に対応しうる。ガルバニックアイソレータ８００は、第１導電層Ｍｐと第２導電層Ｍｘとの間の第３導電層Ｍｑにおいて、インダクタＬ１１にビアを介して連結された第４パターンＴ４、及びインダクタＬ１２にビアを介して連結された第５パターンＴ５を含み、第４パターンＴ４及び第５パターンＴ５は、図３Ｃの端子Ｐ１１及び端子Ｐ１２にそれぞれ対応しうる。一部実施形態において、第４パターンＴ４及び第５パターンＴ５は、第１導電層Ｍｐ下の導電層に配されうる。

【0077】

図９は、本開示の例示的実施形態による図８の線Ｘ１－Ｘ１’に沿って切り取ったガルバニックアイソレータ９００の断面を示す断面図である。以下において、図９は、図３Ｃ及び図８を参照して説明される。

【0078】

図９を参照すれば、第１導電層Ｍｐに配されたパターンの厚み（または、高さ）Ｈ１は、第２導電層Ｍｘに配されたパターンの厚み（または、高さ）Ｈ２よりも小さい。インダクタＬ２１は、第２導電層Ｍｘに配されたパターンを含み、インダクタＬ１１は、第１導電層Ｍｐに配されたパターン、及び第１導電層Ｍｐ上の導電層Ｍｑ，Ｍｒに配されたパターンを含むものでもある。インダクタＬ１１のパターンにおいて、垂直方向、すなわち、Ｚ軸方向に相互隣接した２個のパターンは、ビアを介して相互連結されうる。それにより、インダクタＬ１１の寄生抵抗が低減され、厚みＨ１，Ｈ２間の差に起因する影響が低減されうる。インダクタＬ１１，Ｌ２１とパターンＰ２１との間に絶縁体が充填されうる。

【0079】

図１０Ａないし図１０Ｈは、本開示の例示的実施形態による装置の例示を示す図面である。図面を参照して説明されているように、ガルバニックアイソレータは、集積回路に含まれ、それにより、一部実施形態において、図１のシステム１００は、１つの装置、例えば、１つの半導体パッケージに具現されうる。以下において、図１０Ａないし図１０Ｈに係わる説明において、相互重複される内容は、省略されるのである。

【0080】

図１０Ａを参照すれば、装置１０００ａは、図３Ａのガルバニックアイソレータ３００ａと同一構造のガルバニックアイソレータ１０１２，１０２１を含み、ガルバニックアイソレータ１０１２，１０２１は、第１ボンディングワイヤＷ１及び第２ボンディングワイヤＷ２を介して相互連結されうる。装置１０００ａは、相互離隔された第１集積回路１０１０及び第２集積回路１０２０を含むものでもある。該集積回路は、半導体工程によって製造されうる。例えば、該半導体工程は、複数の集積回路を含むウェーハを処理する複数のサブ工程を含み、該集積回路（チップまたはダイ）は、ダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）を介し、ウェーハから絶縁されうる。装置１０００ａは、２以上のチップを含むマルチチップパッケージ（ＭＣＰ：ｍｕｌｔｉ－ｃｈｉｐｐａｃｋａｇｅ）でもある。

【0081】

第１集積回路１０１０は、変調器１０１１、ガルバニックアイソレータ１０１２及びキャパシタＣ１３を含むものでもある。変調器１０１１は、ガルバニックアイソレータ１０１２と同一の集積回路、すなわち、第１集積回路１０１０に含まれるものでもある。例えば、変調器１０１１は、ガルバニックアイソレータ１０１２のインダクタＬ１１，Ｌ１２に含まれたパターンが配された導電層と同一の導電層に配されたパターンを含むものでもある。変調器１０１１は、入力信号ＩＮを変調することにより、差動信号、すなわち、正の変調された信号ＭＯＤｐ、及び負の変調された信号ＭＯＤｎを生成することができる。ガルバニックアイソレータ１０１２は、バランシングされた構造を有することができ、変調器１０１１から、正の変調された信号ＭＯＤｐ、及び負の変調された信号ＭＯＤｎを受信することができる。

【0082】

ガルバニックアイソレータ１０１２は、インダクタＬ１１，Ｌ１２及びキャパシタＣ１１，Ｃ１２を含むものでもある。センタータップは、直流電圧源により、第１接地電位ＧＮＤ１に基づく第１バイアス電圧ＶＢ１が印加されうる。キャパシタＣ１３は、ガルバニックアイソレータ１０１２のインダクタＬ１１，Ｌ１２と並列連結されうる。それにより、キャパシタＣ１３及びインダクタＬ１１，Ｌ１２によって定義される共振周波数を有する変調された信号、すなわち、正の変調された信号ＭＯＤｐ、及び負の変調された信号ＭＯＤｎが生成されうる。

【0083】

第２集積回路１０２０は、ガルバニックアイソレータ１０２１、復調器１０２２及びキャパシタＣ２３を含むものでもある。復調器１０２２は、ガルバニックアイソレータ１０２１と同一の集積回路、すなわち、第２集積回路１０２０に含まれるものでもある。例えば、復調器１０２２は、ガルバニックアイソレータ１０２１のインダクタＬ２１，Ｌ２２に含まれたパターンが配された導電層と同一の導電層に配されたパターンを含むものでもある。復調器１０２２は、差動信号である誘導された信号、すなわち、正の誘導された信号ＭＯＤｐ’、及び負の誘導された信号ＭＯＤｎ’を復調することにより、出力信号ＯＵＴを生成することができる。ガルバニックアイソレータ１０２１は、バランシングされた構造を有することができ、復調器１０２２に、正の誘導された信号ＭＯＤｐ’、及び負の誘導された信号ＭＯＤｎ’を提供することができる。

【0084】

ガルバニックアイソレータ１０２１は、インダクタＬ２１，Ｌ２２及びキャパシタＣ２１，Ｃ２２を含むものでもある。センタータップは、直流電圧源により、第２接地電位ＧＮＤ２に基づく第２バイアス電圧ＶＢ２が印加されうる。キャパシタＣ２３は、ガルバニックアイソレータ１０２１のインダクタＬ２１，Ｌ２２と並列連結されうる。キャパシタＣ２３及びインダクタＬ２１，Ｌ２２は、第１集積回路１０１０の共振周波数と同一の共振周波数を定義することができる。それにより、共振周波数において大きいサイズを有する誘導された信号、すなわち、正の誘導された信号ＭＯＤｐ’、及び負の誘導された信号ＭＯＤｎ’が生成されうる。

【0085】

図１０Ｂを参照すれば、装置１０００ｂは、図３Ｂのガルバニックアイソレータ３００ｂと同一構造のガルバニックアイソレータ１０１２，１０２１を含み、ガルバニックアイソレータ１０１２，１０２１は、第１ボンディングワイヤＷ１及び第２ボンディングワイヤＷ２を介して相互連結されうる。

【0086】

第１集積回路１０１０は、変調器１０１１、ガルバニックアイソレータ１０１２及びキャパシタＣ１３を含むものでもある。キャパシタＣ１３は、ガルバニックアイソレータ１０１２のインダクタＬ１１，Ｌ１２と並列連結されうる。それにより、キャパシタＣ１３、インダクタＬ１１，Ｌ１２及びインダクタＬ１１，Ｌ１２と、結合係数ｋで誘導結合されたインダクタＬ１３，Ｌ１４によって定義される共振周波数を有する変調された信号、すなわち、正の変調された信号ＭＯＤｐ、及び負の変調された信号ＭＯＤｎが生成されうる。

【0087】

第２集積回路１０２０は、ガルバニックアイソレータ１０２１、復調器１０２２及びキャパシタＣ２３を含むものでもある。キャパシタＣ２３は、ガルバニックアイソレータ１０２１のインダクタＬ２３，Ｌ２４と並列連結されうる。キャパシタＣ２３、インダクタＬ２３，Ｌ２４及びインダクタＬ２３，Ｌ２４と、結合係数ｋで誘導結合されたインダクタＬ２１，Ｌ２２は、第１集積回路１０１０の共振周波数と同一の共振周波数を定義することができる。それにより、共振周波数において大きいサイズを有する誘導された信号、すなわち、正の誘導された信号ＭＯＤｐ’、及び負の誘導された信号ＭＯＤｎ’が生成されうる。

【0088】

図１０Ｃを参照すれば、装置１０００ｃは、図３Ａのガルバニックアイソレータ３００ａと同一構造のガルバニックアイソレータ１０１２、及び図３Ｂのガルバニックアイソレータ３００ｂと同一構造のガルバニックアイソレータ１０２１を含み、ガルバニックアイソレータ１０１２，１０２１は、第１ボンディングワイヤＷ１及び第２ボンディングワイヤＷ２を介して相互連結されうる。

【0089】

第１集積回路１０１０は、変調器１０１１、ガルバニックアイソレータ１０１２及びキャパシタＣ１３を含むものでもある。キャパシタＣ１３は、ガルバニックアイソレータ１０１２のインダクタＬ１１，Ｌ１２と並列連結されうる。それにより、キャパシタＣ１３及びインダクタＬ１１，Ｌ１２によって定義される共振周波数を有する変調された信号、すなわち、正の変調された信号ＭＯＤｐ、及び負の変調された信号ＭＯＤｎが生成されうる。

【0090】

【0091】

図１０Ｄを参照すれば、装置１０００ｄは、図３Ｂのガルバニックアイソレータ３００ｂと同一構造のガルバニックアイソレータ１０１２、及び図３Ａのガルバニックアイソレータ３００ａと同一構造のガルバニックアイソレータ１０２１を含み、ガルバニックアイソレータ１０１２，１０２１は、第１ボンディングワイヤＷ１及び第２ボンディングワイヤＷ２を介して相互連結されうる。

【0092】

【0093】

第２集積回路１０２０は、ガルバニックアイソレータ１０２１、復調器１０２２及びキャパシタＣ２３を含むものでもある。キャパシタＣ２３は、ガルバニックアイソレータ１０２１のインダクタＬ２１，Ｌ２２と並列連結されうる。キャパシタＣ２３及びインダクタＬ２１，Ｌ２２は、第１集積回路１０１０の共振周波数と同一の共振周波数を定義することができる。それにより、共振周波数で大きいサイズを有する誘導された信号、すなわち、正の誘導された信号ＭＯＤｐ’、及び負の誘導された信号ＭＯＤｎ’が生成されうる。

【0094】

図１０Ｅを参照すれば、装置１０００ｅは、図３Ｂのガルバニックアイソレータ３００ｂと同一構造のガルバニックアイソレータ１０１２、及び図３Ｃのガルバニックアイソレータ３００ｃと同一構造のガルバニックアイソレータ１０２１を含み、ガルバニックアイソレータ１０１２，１０２１は、第１ボンディングワイヤＷ１及び第２ボンディングワイヤＷ２を介して相互連結されうる。

【0095】

第１集積回路１０１１は、変調器１０１１、ガルバニックアイソレータ１０１２及びキャパシタＣ１３を含むものでもある。キャパシタＣ１３は、ガルバニックアイソレータ１０１２のインダクタＬ１１，Ｌ１２と並列連結されうる。それにより、キャパシタＣ１３、インダクタＬ１１，Ｌ１２及びインダクタＬ１１，Ｌ１２と、結合係数ｋで誘導結合されたインダクタＬ１３，Ｌ１４によって定義される共振周波数を有する変調された信号、すなわち、正の変調された信号ＭＯＤｐ、及び負の変調された信号ＭＯＤｎが生成されうる。

【0096】

第２集積回路１０２０は、ガルバニックアイソレータ１０２１、復調器１０２２及びキャパシタＣ２３を含むものでもある。キャパシタＣ２３は、ガルバニックアイソレータ１０２１のインダクタＬ２３，Ｌ２４と並列連結されうる。キャパシタＣ２３、インダクタＬ２３，Ｌ２４及びインダクタＬ２３，Ｌ２４と、結合係数ｋ’で誘導結合されたインダクタＬ２１，Ｌ２２は、第１集積回路１０１０の共振周波数と同一の共振周波数を定義することができる。それにより、共振周波数において大きいサイズを有する誘導された信号、すなわち、正の誘導された信号ＭＯＤｐ’、及び負の誘導された信号ＭＯＤｎ’が生成されうる。

【0097】

図１０Ｆを参照すれば、装置１０００ｆは、図３Ａのガルバニックアイソレータ３００ａと同一構造のガルバニックアイソレータ１０１２ｍ及び図３Ｃのガルバニックアイソレータ３００ｃと同一構造のガルバニックアイソレータ１０２１を含み、ガルバニックアイソレータ１０１２，１０２１は、第１ボンディングワイヤＷ１及び第２ボンディングワイヤＷ２を介して相互連結されうる。

【0098】

【0099】

【0100】

図１０Ｇを参照すれば、装置１０００ｇは、図３Ｃのガルバニックアイソレータ３００ｃと同一構造のガルバニックアイソレータ１０１２、及び図３Ｂのガルバニックアイソレータ３００ｂと同一構造のガルバニックアイソレータ１０２１を含み、ガルバニックアイソレータ１０１２，１０２１は、第１ボンディングワイヤＷ１及び第２ボンディングワイヤＷ２を介して相互連結されうる。

【0101】

第１集積回路１０１１は、変調器１０１１、ガルバニックアイソレータ１０１２及びキャパシタＣ１３を含むものでもある。キャパシタＣ１３は、ガルバニックアイソレータ１０１２のインダクタＬ１１，Ｌ１２と並列連結されうる。それにより、キャパシタＣ１３、インダクタＬ１１，Ｌ１２及びインダクタＬ１１，Ｌ１２と、結合係数ｋ’で誘導結合されたインダクタＬ１３，Ｌ１４によって定義される共振周波数を有する変調された信号、すなわち、正の変調された信号ＭＯＤｐ、及び負の変調された信号ＭＯＤｎが生成されうる。

【0102】

【0103】

図１０Ｈを参照すれば、装置１０００ｈは、図３Ｃのガルバニックアイソレータ３００ｃと同一構造のガルバニックアイソレータ１０１２、及び図３Ａのガルバニックアイソレータ３００ａと同一構造のガルバニックアイソレータ１０２１を含み、ガルバニックアイソレータ１０１２，１０２１は、第１ボンディングワイヤＷ１及び第２ボンディングワイヤＷ２を介して相互連結されうる。

【0104】

第１集積回路１０１１は、変調器１０１１、ガルバニックアイソレータ１０１２及びキャパシタＣ１３を含むものでもある。キャパシタＣ１３は、ガルバニックアイソレータ１０１２のインダクタＬ１１，Ｌ１２と並列連結されうる。それにより、キャパシタＣ１３、インダクタＬ１１，Ｌ１２及びインダクタＬ１１，Ｌ１２と、結合係数ｋ’で誘導結合されたインダクタＬ１３，Ｌ１４によって定義される共振周波数を有する変調された信号、すなわち、正の変調された信号ＭＯＤｐ、及び負の変調された信号ＭＯＤｎが生成されうる。

【0105】

第２集積回路１０２０は、ガルバニックアイソレータ１０２１、復調器１０２２及びキャパシタＣ２３を含むものでもある。キャパシタＣ２３は、ガルバニックアイソレータ１０２１のインダクタＬ２３，Ｌ２４と並列連結されうる。キャパシタＣ２３及びインダクタＬ２１，Ｌ２２は、第１集積回路１０１０の共振周波数と同一の共振周波数を定義することができる。それにより、共振周波数において大きいサイズを有する誘導された信号、すなわち、正の誘導された信号ＭＯＤｐ’、及び負の誘導された信号ＭＯＤｎ’が生成されうる。

【0106】

以上のように、図面と明細書とでもって、例示的な実施形態が開示された。本明細書において、特定の用語を使用し、本実施形態について説明されたが、それらは、単に本開示の技術的思想について説明するための目的で使用されたものであり、意味を限定したり、特許請求の範囲に記載された本開示の範囲を制限しありするために使用されたものではない。従って、本技術分野の通常の知識を有する者であるならば、それらから、多様な変形、及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本開示の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められるものである。

【産業上の利用可能性】

【0107】

本発明の、ガルバニック絶縁を提供する集積回路、及びそれを含む装置は、例えば、電子機器関連の技術分野に効果的に適用可能である。

【符号の説明】

【0108】

１００システム
１２０送信機
１２２変調器
１４０，５００，７００，９００ガルバニックアイソレータ
１６０受信機
１６２復調器
１０１０第１集積回路
１０２０第２集積回路

【図1】