知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024074457
(43)【公開日】2024-05-31
(54)【発明の名称】半導体発光装置及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 33/48 20100101AFI20240524BHJP
【ＦＩ】
H01L33/48
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022185601
(22)【出願日】2022-11-21
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001195
【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】増山 一哉
【テーマコード（参考）】
5F142
【Ｆターム（参考）】
5F142AA82
5F142BA02
5F142BA32
5F142CA02
5F142CD02
5F142CD17
5F142CD47
5F142CE03
5F142CE16
5F142CG05
5F142DA12
5F142DA21
5F142DB02
5F142FA42
5F142FA48
(57)【要約】
【課題】ピックアップ装置を用いて半導体発光装置をパッケージから容易に取り出すことができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１は、半導体発光素子２０と、半導体発光素子２０を封止する封止部材３０と、封止部材３０を覆うオーバーコート層３５とを備える。封止部材３０は、封止樹脂３１を含み、かつ、半導体発光素子２０とは反対側の第１上面（上面３０ａ）を有している。オーバーコート層３５は、無機材料で形成されており、かつ、封止部材３０の第１上面に直接接触している。
【選択図】図１
【解決手段】半導体発光装置１は、半導体発光素子２０と、半導体発光素子２０を封止する封止部材３０と、封止部材３０を覆うオーバーコート層３５とを備える。封止部材３０は、封止樹脂３１を含み、かつ、半導体発光素子２０とは反対側の第１上面（上面３０ａ）を有している。オーバーコート層３５は、無機材料で形成されており、かつ、封止部材３０の第１上面に直接接触している。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を封止する封止部材と、
前記封止部材を覆うオーバーコート層とを備え、
前記封止部材は、封止樹脂を含み、かつ、前記半導体発光素子とは反対側の第１上面を有し、
前記オーバーコート層は、無機材料で形成されており、かつ、前記封止部材の前記第１上面に直接接触している、半導体発光装置。
前記半導体発光素子を封止する封止部材と、
前記封止部材を覆うオーバーコート層とを備え、
前記封止部材は、封止樹脂を含み、かつ、前記半導体発光素子とは反対側の第１上面を有し、
前記オーバーコート層は、無機材料で形成されており、かつ、前記封止部材の前記第１上面に直接接触している、半導体発光装置。
【請求項2】
前記封止部材上において、前記オーバーコート層の厚さは、一定である、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項3】
前記封止部材上において、前記オーバーコート層の最小厚さは１μｍ以上であり、かつ、前記オーバーコート層の最大厚さは１００μｍ以下である、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項4】
反射ケースをさらに備え、
前記半導体発光素子は、前記反射ケースに収容されており、
前記オーバーコート層は前記反射ケースに直接接触している、請求項１に記載の半導体発光装置。
前記半導体発光素子は、前記反射ケースに収容されており、
前記オーバーコート層は前記反射ケースに直接接触している、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記封止部材とは反対側の前記オーバーコート層の第２上面は、凹んでいる、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項6】
前記無機材料は、ＳｉＯ２である、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項7】
前記封止部材は、前記封止樹脂中に分散されている波長変換部材を含み、
前記波長変換部材は、前記半導体発光素子から出射される光の波長を変換し、かつ、前記封止部材及び前記オーバーコート層のうち、前記封止部材にのみ設けられている、請求項１に記載の半導体発光装置。
前記波長変換部材は、前記半導体発光素子から出射される光の波長を変換し、かつ、前記封止部材及び前記オーバーコート層のうち、前記封止部材にのみ設けられている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項8】
基板連結体に複数の半導体発光素子をボンディングする工程と、
前記複数の半導体発光素子を封止部材で封止する工程と、
塗布法によって、前記封止部材を覆うオーバーコート層を形成する工程と、
前記基板連結体を複数の基板に分割する工程とを備え、
前記複数の基板の各々は、前記複数の半導体発光素子のうち対応するものを支持しており、
前記封止部材は、封止樹脂を含み、かつ、前記複数の半導体発光素子とは反対側の第１上面を有し、
前記オーバーコート層は、無機材料で形成されており、かつ、前記封止部材の前記第１上面に直接接触している、半導体発光装置の製造方法。
前記複数の半導体発光素子を封止部材で封止する工程と、
塗布法によって、前記封止部材を覆うオーバーコート層を形成する工程と、
前記基板連結体を複数の基板に分割する工程とを備え、
前記複数の基板の各々は、前記複数の半導体発光素子のうち対応するものを支持しており、
前記封止部材は、封止樹脂を含み、かつ、前記複数の半導体発光素子とは反対側の第１上面を有し、
前記オーバーコート層は、無機材料で形成されており、かつ、前記封止部材の前記第１上面に直接接触している、半導体発光装置の製造方法。
【請求項9】
前記塗布法は、スプレーコーティング法である、請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項10】
前記オーバーコート層にダイシングテープを貼り付ける工程と、
前記ダイシングテープを加熱する工程とをさらに備える、請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記ダイシングテープを加熱する工程とをさらに備える、請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項11】
前記封止部材上において、前記オーバーコート層の厚さは、一定である、請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項12】
前記封止部材上において、前記オーバーコート層の最小厚さは１μｍ以上であり、かつ、前記オーバーコート層の最大厚さは１００μｍ以下である、請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項13】
反射ケース連結体を前記基板連結体に取り付ける工程と、
前記反射ケース連結体を複数の反射ケースに分割する工程とをさらに備え、
前記複数の反射ケースの各々は、前記複数の半導体発光素子のうち対応するものを収容しており、
前記オーバーコート層を形成する前記工程において、前記オーバーコート層は前記反射ケース連結体上にも形成され、
前記オーバーコート層は、前記反射ケース連結体にも直接接触している、請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記反射ケース連結体を複数の反射ケースに分割する工程とをさらに備え、
前記複数の反射ケースの各々は、前記複数の半導体発光素子のうち対応するものを収容しており、
前記オーバーコート層を形成する前記工程において、前記オーバーコート層は前記反射ケース連結体上にも形成され、
前記オーバーコート層は、前記反射ケース連結体にも直接接触している、請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項14】
前記封止部材とは反対側の前記オーバーコート層の第２上面は、凹んでいる、請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項15】
前記無機材料は、ＳｉＯ２である、請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項16】
前記封止部材は、前記封止樹脂中に分散されている波長変換部材を含み、
前記波長変換部材は、前記半導体発光素子から出射される光の波長を変換し、かつ、前記封止部材及び前記オーバーコート層のうち、前記封止部材にのみ設けられている、請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記波長変換部材は、前記半導体発光素子から出射される光の波長を変換し、かつ、前記封止部材及び前記オーバーコート層のうち、前記封止部材にのみ設けられている、請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特開２０２２－１３３６９号公報（特許文献１）は、基板と、半導体発光素子と、反射ケースと、封止樹脂とを備える半導体発光装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２２－１３３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示の目的は、ピックアップ装置を用いて半導体発光装置をパッケージから容易に取り出すことができる半導体発光装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の半導体発光装置は、半導体発光素子と、半導体発光素子を封止する封止部材と、封止部材を覆うオーバーコート層とを備える。封止部材は、封止樹脂を含み、かつ、半導体発光素子とは反対側の第１上面を有している。オーバーコート層は、無機材料で形成されており、かつ、封止部材の前記第１上面に直接接触している。
【0006】
本開示の半導体発光装置の製造方法は、基板連結体に複数の半導体発光素子をボンディングする工程と、複数の半導体発光素子を封止部材で封止する工程と、塗布法によって、封止部材を覆うオーバーコート層を形成する工程と、基板連結体を複数の基板に分割する工程とを備える。複数の基板の各々は、複数の半導体発光素子のうち対応するものを支持している。封止部材は、封止樹脂を含み、かつ、複数の半導体発光素子とは反対側の第１上面を有している。オーバーコート層は、無機材料で形成されており、かつ、封止部材の第１上面に直接接触している。
【発明の効果】
【0007】
本開示の半導体発光装置及びその製造方法によれば、ピックアップ装置を用いて半導体発光装置をパッケージから容易に取り出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
図面に基づいて本開示の実施の形態の詳細について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。以下に記載する実施の形態の少なくとも一部の構成を任意に組み合わせてもよい。
【0010】
図１を参照して、実施の形態の半導体発光装置１を説明する。半導体発光装置１は、基板１０と、反射ケース２５と、半導体発光素子２０と、導電ワイヤ２３ａ，２３ｂと、封止部材３０と、オーバーコート層３５とを主に備える。
【0011】
基板１０は、半導体発光素子２０を支持する。基板１０は、例えば、絶縁基板１１と、前面導電層１２ａ，１２ｂと、背面導電層１３ａ，１３ｂとを含む。
【0012】
絶縁基板１１は、前面１１ａと、前面１１ａとは反対側の背面１１ｂとを有している。絶縁基板１１は、例えば、ガラスクロスと、ガラスクロスに含浸された樹脂とで形成されているガラスエポキシ基板である。
【0013】
前面導電層１２ａ，１２ｂは、前面１１ａ上に設けられている。前面導電層１２ａ，１２ｂは、互いに間隔を空けて配置されている。背面導電層１３ａ，１３ｂは、背面１１ｂ上に設けられている。背面導電層１３ａ，１３ｂは、互いに間隔を空けて配置されている。前面導電層１２ａ，１２ｂ及び背面導電層１３ａ，１３ｂは、例えば、銅のような導電材料で形成されている。前面導電層１２ａ，１２ｂ及び背面導電層１３ａ，１３ｂは、金めっき層または銀めっき層のようなめっき層（図示せず）で覆われてもよい。
【0014】
前面導電層１２ａと背面導電層１３ａとは、貫通ビア（図示せず）を介して、互いに電気的に接続されている。前面導電層１２ｂと背面導電層１３ｂとは、貫通ビア（図示せず）を介して、互いに電気的に接続されている。貫通ビアは、例えば、銅のような導電材料で形成されている。基板１０は、配線基板（図示せず）に実装される。配線基板は、配線（図示せず）を含む。背面導電層１３ａ，１３ｂは、はんだなどの導電接合部材（図示せず）を用いて、配線基板の配線に接合される。
【0015】
反射ケース２５は、基板１０上に配置されている。反射ケース２５は、接着剤（図示せず）を用いて、前面導電層１２ａ，１２ｂに取り付けられている。反射ケース２５は、基板１０及び半導体発光素子２０とは反対側の頂面２５ａを有する。反射ケース２５は、半導体発光素子２０が収容される収容部２６を含む。収容部２６は、反射ケーズの頂面２５ａから凹んでいる。反射ケース２５は、半導体発光素子２０の周りに配置されており、半導体発光素子２０を取り囲んでいる。反射ケース２５は、半導体発光素子２０から放射される第１光と、後述する波長変換部材３２から放射される第２光とを反射する。反射ケース２５は、酸化チタンフィラーのような白色フィラーが添加された合成樹脂で形成されている。この合成樹脂は、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、塩化ビニル樹脂（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、エポキシ樹脂（ＥＰ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）または液晶ポリマ（ＬＣＰ）等である。
【0016】
半導体発光素子２０は、基板１０にボンディングされている。半導体発光素子２０は、エポキシ樹脂ペーストなどのような接合部材２２を用いて、前面導電層１２ａに接合されている。半導体発光素子２０は、反射ケース２５の収容部２６内に配置されている。半導体発光素子２０は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）である。半導体発光素子２０は、主に、窒化ガリウム（ＧａＮ）などの半導体材料で形成されている。半導体発光素子２０は、例えば、ｎ型電極（図示せず）とｐ型電極（図示せず）とを含む。半導体発光素子２０は、紫外光または青色光などのような第１光を放射する。
【0017】
導電ワイヤ２３ａ，２３ｂは、半導体発光素子２０に接続されている。具体的には、導電ワイヤ２３ａは、半導体発光素子２０（例えば、ｎ型電極）と前面導電層１２ａとに接続されている。導電ワイヤ２３ｂは、半導体発光素子２０（例えば、ｐ型電極）と前面導電層１２ｂとに接続されている。導電ワイヤ２３ａ，２３ｂは、例えば、金、銅またはアルミニウムのような導電材料で形成されている。
【0018】
封止部材３０は、半導体発光素子２０を封止する。封止部材３０は、封止樹脂３１と、波長変換部材３２とを含む。
【0019】
封止樹脂３１は、半導体発光素子２０から放射される第１光及び波長変換部材３２から放射される第２光に対して透明な樹脂である。封止樹脂３１は、例えば、シリコーン樹脂で形成されている。封止部材３０は、半導体発光素子２０とは反対側の上面３０ａを有している。
【0020】
波長変換部材３２は、封止樹脂３１に添加されており、封止樹脂３１中に分散されている。波長変換部材３２は、半導体発光素子２０から放射される第１光を、第１光とは異なる波長を有する第２光に変換して、第２光を放射する。第２光は、例えば、第１光よりも長い波長を有する。波長変換部材３２は、例えば、一種類または複数種類の蛍光体粒子である。第２光は、例えば、蛍光光である。例えば、第１光が青色光である場合、波長変換部材３２は、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋または（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋などで形成された黄色蛍光体粒子であり、第２光は黄色光である。青色光と黄色光とが混ざり合って、白色光が生成される。半導体発光装置１から白色光が放射される。
【0021】
波長変換部材３２は、オーバーコート層３５には設けられていない。波長変換部材３２は、封止部材３０及びオーバーコート層３５のうち、封止部材３０にのみ設けられている。
【0022】
オーバーコート層３５は、封止部材３０を覆う。オーバーコート層３５は、封止部材３０の上面３０ａ全体を覆う。オーバーコート層３５は、無機材料で形成されている。無機材料は、例えば、ＳｉＯ２である。オーバーコート層３５は、半導体発光素子２０、基板１０、封止部材３０及び反射ケース２５に対向する下面３６と、下面３６とは反対側の上面３７とを有する。オーバーコート層３５の下面３６は、封止部材３０の上面３０ａ全体に直接接触している。オーバーコート層３５の下面３６は、反射ケース２５の頂面２５ａに直接接触している。オーバーコート層３５の下面３６は、反射ケース２５の頂面２５ａ全体に直接接触している。オーバーコート層３５の上面３７は、半導体発光装置１の周囲環境（例えば、空気）に露出している。
【0023】
封止部材３０及び反射ケース２５上において、オーバーコート層３５の厚さは、一定である。本明細書において、オーバーコート層３５の厚さが一定であることは、オーバーコート層３５の最大厚さとオーバーコート層３５の最小厚さとの間の差が、オーバーコート層３５の最大厚さの２０％以内であることを意味する。オーバーコート層３５の最小厚さは、例えば、１μｍ以上である。オーバーコート層３５の最小厚さは、５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよい。オーバーコート層３５の最大厚さは、例えば、１００μｍ以下である。オーバーコート層３５の最大厚さは、９０μｍ以下であってもよく、８０μｍ以下であってもよく、７０μｍ以下であってもよい。オーバーコート層３５は、例えば、スプレーコーティング法などのような塗布法によって形成されたスプレーコート層である。
【0024】
【0025】
図２を参照して、本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法は、基板連結体１５を準備する工程を含む。基板連結体１５は、ベース部材１６と、前面導電層１２と、背面導電層１３とを含む。ベース部材１６は、前面１６ａと、前面１６ａとは反対側の背面１６ｂとを有している。ベース部材１６は、絶縁基板１１と同じ材料で形成されている。前面導電層１２は、互いに分離されている。前面導電層１２は、前面導電層１２ａ，１２ｂ（図１を参照）と同じ材料で形成されている。背面導電層１３は、互いに分離されている。背面導電層１３は、背面導電層１３ａ，１３ｂ（図１を参照）と同じ材料で形成されている。
【0026】
図２を参照して、本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法は、反射ケース連結体２７を基板連結体１５に取り付ける工程を含む。反射ケース連結体２７には、複数の収容部２６が設けられている。反射ケース連結体２７は、例えば、白色フィラーが添加された合成樹脂をインサート成形することによって得られる。接着剤（図示せず）を用いて、反射ケース連結体２７を基板連結体１５（より具体的には、前面導電層１２）に接着される。反射ケース連結体２７は、基板連結体１５とは反対側の頂面２７ａを有する。
【0027】
図３を参照して、本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法は、反射ケース連結体２７の複数の収容部２６内に複数の半導体発光素子２０を配置する工程を含む。複数の収容部２６の各々は、複数の半導体発光素子２０のうち対応するものを収容している。具体的には、複数の半導体発光素子２０は、接合部材２２を用いて、基板連結体１５（具体的には、前面導電層１２）にボンディングされる。
【0028】
図３を参照して、本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法は、導電ワイヤ２３ａ，２３ｂを配線する工程を含む。具体的には、導電ワイヤ２３ａを、複数の半導体発光素子２０（例えば、ｎ型電極）と前面導電層１２とに接続する。導電ワイヤ２３ｂを、複数の半導体発光素子２０（例えば、ｐ型電極）と前面導電層１２とに接続する。
【0029】
図４を参照して、本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法は、複数の半導体発光素子２０を封止部材３０で封止する工程を含む。具体的には、反射ケース連結体２７の複数の収容部２６に、液状の封止樹脂を注入する。液状の封止樹脂は、蛍光体粒子のような波長変換部材３２を含む。複数の半導体発光素子２０は、液状の封止樹脂で覆われる。それから、液状の封止樹脂を加熱する。液状の封止樹脂は、熱硬化されて、封止部材３０になる。こうして、複数の半導体発光素子２０は、封止部材３０で封止される。
【0030】
図５を参照して、本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法は、スプレーコーティング法などのような塗布法によって、封止部材３０を覆うオーバーコート層３５を形成する工程を含む。オーバーコート層３５を形成する工程は、例えば、室温において実施される。具体的には、溶液４１が、ノズル４０から吐出される。溶液４１は、メチルエチルケトンなどのような溶媒と、溶媒中に分散された溶質とを含む。溶質は、例えば、シリカ粒子のような無機材料粒子またはシリカフィラーのような無機材料フィラーを含む。溶液４１が封止部材３０の上面３７に噴霧される。溶媒を蒸発させる。こうして、オーバーコート層３５が形成される。オーバーコート層３５は、無機材料で形成されている。無機材料は、例えば、ＳｉＯ２である。オーバーコート層３５は、封止部材３０の上面３０ａ全体を覆っており、封止部材３０の上面３０ａ全体に直接接触している。
【0031】
オーバーコート層３５は反射ケース連結体２７の頂面２７ａ上にも形成される。オーバーコート層３５は、反射ケース連結体２７の頂面２７ａ全体を覆っており、反射ケース連結体２７の頂面２７ａ全体に直接接触している。こうして、発光装置連結体２が得られる。発光装置連結体２は、基板連結体１５と、反射ケース連結体２７と、複数の半導体発光素子２０と、導電ワイヤ２３ａ，２３ｂと、封止部材３０と、オーバーコート層３５とを主に含む。
【0032】
図６を参照して、本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法は、発光装置連結体２のオーバーコート層３５にダイシングテープ４４を貼り付ける工程と、ダイシングテープ４４を加熱する工程とを含む。ダイシングテープ４４を加熱することによって、発光装置連結体２に対するダイシングテープ４４の密着性が向上する。ダイシングテープ４４を加熱する工程は、オーバーコート層３５を形成する工程よりも高い温度で実施される。
【0033】
図６を参照して、本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法は、発光装置連結体２を個片化する工程を含む。ダイシングブレード（図示せず）またはレーザ光（図示せず）を用いて、発光装置連結体２をダイシングライン４６に沿って切断する。発光装置連結体２は、複数の半導体発光装置１に分割される。具体的には、発光装置連結体２が切断されると、ベース部材１６は複数の絶縁基板１１に分割され、前面導電層１２は前面導電層１２ａ，１２ｂに分割され、背面導電層１３は背面導電層１３ａ，１３ｂに分割され、基板連結体１５は複数の基板１０に分割され、反射ケース連結体２７は複数の反射ケース２５に分割される。複数の基板１０の各々は、複数の半導体発光素子２０のうち対応するものを支持する。複数の反射ケース２５の各々は、複数の半導体発光素子２０のうち対応するものを収容する。複数の半導体発光装置１からダイシングテープ４４を剥離する。こうして、半導体発光装置１が得られる。
【0034】
図７を参照して、半導体発光装置１は、パッケージ５０に収容される。パッケージ５０は、キャリア５１と、トップテープ５３とを含む。キャリア５１に、複数の凹部５２が設けられている。半導体発光装置１は、複数の凹部５２の各々に収容される。キャリア５１は、帯状でかつ可撓性を有してもよい。トップテープ５３は、凹部５２の開口を閉塞する。半導体発光装置１は、パッケージ５０は、リール（図示せず）に巻き取られた状態で、搬送及び保管される。図８を参照して、半導体発光装置１を使用するとき、リールからパッケージ５０を引き出して、トップテープ５３をキャリア５１から剥がして、ピックアップ装置（図示せず）を用いて、キャリア５１の凹部５２から半導体発光装置１を取り出す。
【0035】
【0036】
図７及び図８に示されるように、本実施の形態の半導体発光装置１は、封止部材３０を覆うオーバーコート層３５を含む。封止部材３０は、封止樹脂３１に起因する粘着性を有しているのに対し、オーバーコート層３５は、無機材料で形成されているため、粘着性を有していない。半導体発光装置１がパッケージ５０に収容されている間に半導体発光装置１がトップテープ５３に接触しても、オーバーコート層３５は半導体発光装置１がトップテープ５３に付着することを防止する。図８に示されるように、半導体発光装置１を使用するためにトップテープ５３をキャリア５１から剥がしても、半導体発光装置１は、キャリア５１の凹部５２に収容されたままである。そのため、ピックアップ装置（図示せず）を用いて、半導体発光装置１をパッケージ５０から容易に取り出すことができる。
【0037】
これに対し、図９を参照して、比較例の半導体発光装置６は、オーバーコート層３５を含んでいない点で、本実施の形態の半導体発光装置１と異なっている。比較例の半導体発光装置６では、半導体発光装置６の最表面の一部は、封止部材３０の上面３０ａである。封止部材３０は、封止樹脂３１に起因する粘着性を有している。半導体発光装置６がパッケージ５０に収容されている間に半導体発光装置６がトップテープ５３に接触すると、封止部材３０はトップテープ５３に付着して、半導体発光装置６はトップテープ５３に付着する。半導体発光装置６を使用するためにトップテープ５３をキャリア５１から剥がすと、トップテープ５３に付着した半導体発光装置６は、キャリア５１の凹部５２から抜け出す。そのため、ピックアップ装置（図示せず）を用いて、半導体発光装置６をパッケージ５０から取り出すことが困難になる。
【0038】
図６を参照して、本実施の形態の発光装置連結体２に対するダイシングテープ４４の密着性を向上させるためにダイシングテープ４４を加熱すると、封止部材３０が加熱されて、封止樹脂３１からガス４８が発生することがある。しかし、オーバーコート層３５は、ガス４８がオーバーコート層３５を通り抜けることを防止する。そのため、発光装置連結体２に対するダイシングテープ４４の密着性が向上する。本実施の形態では、基板連結体１５を分割する工程を含む発光装置連結体２の個片化工程を、より精度よくかつより安定的に実行することができる。
【0039】
これに対し、図１０を参照して、比較例の発光装置連結体７は、オーバーコート層３５を含んでいない点で、本実施の形態の発光装置連結体２と異なっている。比較例の半導体発光装置６（図９）は、発光装置連結体７を個片化することによって得られる。ダイシングテープ４４を加熱すると、封止部材３０が加熱されて、封止樹脂３１からガス４８が発生する。ガス４８は、封止部材３０とダイシングテープ４４との間に滞留して、封止部材３０とダイシングテープ４４との間に隙間４９を生じさせる。発光装置連結体７に対するダイシングテープ４４の密着性がかえって低下する。そのため、比較例では、基板連結体１５を分割する工程を含む発光装置連結体７の個片化工程を精度よくかつ安定的に実行することが困難になる。
【0040】
（変形例）
【0041】
図１１に示されるように、実施の形態の第一変形例では、封止部材３０の上面３０ａ及びオーバーコート層３５の上面３７は、凹んでいてもよい。そのため、半導体発光装置１がトップテープ５３（図７及び図８を参照）に付着することがより一層防止される。ピックアップ装置（図示せず）を用いて、半導体発光装置１をパッケージ５０から容易に取り出すことができる。
【0042】
図１２に示されるように、実施の形態の第二変形例では、反射ケース２５の頂面２５ａは、オーバーコート層３５から露出してもよい。
【0043】
本実施の形態の半導体発光装置１及びその製造方法の効果を説明する。
【0044】
本実施の形態の半導体発光装置１は、半導体発光素子２０と、半導体発光素子２０を封止する封止部材３０と、封止部材３０を覆うオーバーコート層３５とを備える。封止部材３０は、封止樹脂３１を含み、かつ、半導体発光素子２０とは反対側の第１上面（上面３０ａ）を有している。オーバーコート層３５は、無機材料で形成されており、かつ、封止部材３０の第１上面に直接接触している。
【0045】
オーバーコート層３５は、無機材料で形成されているため、粘着性を有していない。そのため、封止部材３０が封止樹脂３１に起因する粘着性を有していても、半導体発光装置１がパッケージ５０のトップテープ５３（図７及び図８を参照）に付着することが防止される。半導体発光装置１を使用するためにトップテープ５３をキャリア５１から剥がしても、半導体発光装置１は、キャリア５１の凹部５２に収容されたままである。そのため、ピックアップ装置を用いて、半導体発光装置１をパッケージ５０から容易に取り出すことができる。
【0046】
また、発光装置連結体２に対するダイシングテープ４４の密着性を向上させるためにダイシングテープ４４を加熱すると、封止部材３０が加熱されて、封止樹脂３１からガス４８が発生することがある。しかし、オーバーコート層３５は、ガス４８がオーバーコート層３５を通り抜けることを防止する。そのため、発光装置連結体２に対するダイシングテープ４４の密着性が向上する。基板連結体１５を分割する工程を含む発光装置連結体２の個片化工程を、より精度よくかつより安定的に実行することができる。
【0047】
本実施の形態の半導体発光装置１では、封止部材３０上において、オーバーコート層３５の厚さは、一定である。
【0048】
そのため、オーバーコート層３５を、封止部材３０の第１上面（上面３０ａ）の形状に追従させることができる。
【0049】
本実施の形態の半導体発光装置１では、封止部材３０上において、オーバーコート層３５の最小厚さは１μｍ以上であり、かつ、オーバーコート層３５の最大厚さは１００μｍ以下である。
【0050】
オーバーコート層３５の最小厚さが１μｍ以上であるため、オーバーコート層３５は、半導体発光装置１がパッケージ５０のトップテープ５３に付着すること及びガス４８がオーバーコート層３５を通り抜けることを、より確実に防止する。ピックアップ装置を用いて、半導体発光装置１をパッケージ５０から容易に取り出すことができる。発光装置連結体２に対するダイシングテープ４４の密着性が向上する。基板連結体１５を分割する工程を含む発光装置連結体２の個片化工程を、より精度よくかつより安定的に実行することができる。また、オーバーコート層３５の最大厚さが１００μｍ以下であるため、オーバーコート層３５を形成するために要する時間及びコストが低減され得る。
【0051】
本実施の形態の半導体発光装置１は、反射ケース２５をさらに備える。半導体発光素子２０は、反射ケース２５に収容されている。オーバーコート層３５は、反射ケース２５に直接接触している。
【0052】
オーバーコート層３５を反射ケース２５から除去する工程が不要になる。そのため、半導体発光装置１のコストが低減され得る。
【0053】
本実施の形態の半導体発光装置１では、封止部材３０とは反対側のオーバーコート層３５の第２上面（上面３７）は、凹んでいる。
【0054】
【0055】
本実施の形態の半導体発光装置１では、無機材料は、ＳｉＯ２である。
【0056】
そのため、オーバーコート層３５は、粘着性を有していない。オーバーコート層３５は、半導体発光装置１がパッケージ５０のトップテープ５３に付着すること及びガス４８がオーバーコート層３５を通り抜けることを防止する。ピックアップ装置を用いて、半導体発光装置１をパッケージ５０から容易に取り出すことができる。発光装置連結体２に対するダイシングテープ４４の密着性が向上する。基板連結体１５を分割する工程を含む発光装置連結体２の個片化工程を、より精度よくかつより安定的に実行することができる。
【0057】
本実施の形態の半導体発光装置１では、封止部材３０は、封止樹脂３１中に分散されている波長変換部材３２を含む。波長変換部材３２は、半導体発光素子２０から出射される光の波長を変換し、かつ、封止部材３０及びオーバーコート層３５のうち、封止部材３０にのみ設けられている。
【0058】
オーバーコート層３５は、粘着性を有していない。オーバーコート層３５は、半導体発光装置１がパッケージ５０のトップテープ５３に付着すること及びガス４８がオーバーコート層３５を通り抜けることを防止する。ピックアップ装置を用いて、半導体発光装置１をパッケージ５０から容易に取り出すことができる。発光装置連結体２に対するダイシングテープ４４の密着性が向上する。基板連結体１５を分割する工程を含む発光装置連結体２の個片化工程を、より精度よくかつより安定的に実行することができる。
【0059】
本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法は、基板連結体１５に複数の半導体発光素子２０をボンディングする工程と、複数の半導体発光素子２０を封止部材３０で封止する工程と、塗布法によって、封止部材３０を覆うオーバーコート層３５を形成する工程と、基板連結体１５を複数の基板１０に分割する工程とを備える。複数の基板１０の各々は、複数の半導体発光素子２０のうち対応するものを支持している。封止部材３０は、封止樹脂３１を含み、かつ、半導体発光素子２０とは反対側の第１上面（上面３０ａ）を有している。オーバーコート層３５は、無機材料で形成されており、かつ、封止部材３０の第１上面に直接接触している。
【0060】
オーバーコート層３５は、無機材料で形成されているため、粘着性を有していない。そのため、封止部材３０が封止樹脂３１に起因する粘着性を有していても、半導体発光装置１がパッケージ５０のトップテープ５３（図７及び図８を参照）に付着することが防止される。半導体発光装置１を使用するためにトップテープ５３をキャリア５１から剥がしても、半導体発光装置１は、キャリア５１の凹部５２に収容されたままである。そのため、ピックアップ装置を用いて、半導体発光装置１をパッケージ５０から容易に取り出すことができる。
【0061】
オーバーコート層３５は、塗布法によって形成される。塗布法によれば、封止樹脂３１を加熱することなく、オーバーコート層３５が形成され得る。そのため、オーバーコート層３５を形成する際に、封止樹脂３１の変色などのような封止部材３０の劣化を回避することができる。半導体発光装置１から放射される光の色温度の変動と、半導体発光装置１から放射される光の強度の低下と、半導体発光装置１の信頼性の低下とが抑制され得る。
【0062】
本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法では、塗布法は、スプレーコーティング法である。
【0063】
オーバーコート層３５は、スプレーコーティング法によって形成される。スプレーコーティング法によれば、封止樹脂３１を加熱することなく、オーバーコート層３５が形成され得る。そのため、オーバーコート層３５を形成する際に、封止樹脂３１の変色などのような封止部材３０の劣化を回避することができる。半導体発光装置１から放射される光の色温度の変動と、半導体発光装置１から放射される光の強度の低下と、半導体発光装置１の信頼性の低下とが抑制され得る。
【0064】
本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法は、オーバーコート層３５にダイシングテープ４４を貼り付ける工程と、ダイシングテープ４４を加熱する工程とをさらに備える。
【0065】
発光装置連結体２に対するダイシングテープ４４の密着性を向上させるためにダイシングテープ４４を加熱すると、封止部材３０が加熱されて、封止樹脂３１からガス４８が発生することがある。しかし、オーバーコート層３５は、ガス４８がオーバーコート層３５を通り抜けることを防止する。そのため、発光装置連結体２に対するダイシングテープ４４の密着性が向上する。基板連結体１５を分割する工程を含む発光装置連結体２の個片化工程を、より精度よくかつより安定的に実行することができる。
【0066】
本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法では、封止部材３０上において、オーバーコート層３５の厚さは、一定である。
【0067】
そのため、オーバーコート層３５を、封止部材３０の第１上面（上面３０ａ）の形状に追従させることができる。
【0068】
本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法では、封止部材３０上において、オーバーコート層３５の最小厚さは１μｍ以上であり、かつ、オーバーコート層３５の最大厚さは１００μｍ以下である。
【0069】
オーバーコート層３５の最小厚さが１μｍ以上であるため、オーバーコート層３５は、半導体発光装置１がパッケージ５０のトップテープ５３に付着すること及びガス４８がオーバーコート層３５を通り抜けることを、より確実に防止する。ピックアップ装置を用いて、半導体発光装置１をパッケージ５０から容易に取り出すことができる。発光装置連結体２に対するダイシングテープ４４の密着性が向上する。基板連結体１５を分割する工程を含む発光装置連結体２の個片化工程を、より精度よくかつより安定的に実行することができる。また、オーバーコート層３５の最大厚さが１００μｍ以下であるため、オーバーコート層３５を形成するために要する時間及びコストが低減され得る。
【0070】
本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法は、反射ケース連結体２７を基板連結体１５に取り付ける工程と、反射ケース連結体２７を複数の反射ケース２５に分割する工程とをさらに備える。複数の反射ケース２５の各々は、複数の半導体発光素子２０のうち対応するものを収容している。オーバーコート層３５を形成する工程において、オーバーコート層３５は反射ケース連結体２７上にも形成される。オーバーコート層３５は、反射ケース連結体２７にも直接接触している。
【0071】
オーバーコート層３５を反射ケース２５から除去する工程が不要になる。そのため、半導体発光装置１の製造コストが低減され得る。
【0072】
本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法では、封止部材３０とは反対側のオーバーコート層３５の第２上面（上面３７）は、凹んでいる。
【0073】
【0074】
本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法では、無機材料は、ＳｉＯ２である。
【0075】
そのため、オーバーコート層３５は、粘着性を有していない。オーバーコート層３５は、半導体発光装置１がパッケージ５０のトップテープ５３に付着すること及びガス４８がオーバーコート層３５を通り抜けることを防止する。ピックアップ装置を用いて、半導体発光装置１をパッケージ５０から容易に取り出すことができる。発光装置連結体２に対するダイシングテープ４４の密着性が向上する。基板連結体１５を分割する工程を含む発光装置連結体２の個片化工程を、より精度よくかつより安定的に実行することができる。
【0076】
本実施の形態の半導体発光装置１の製造方法では、封止部材３０は、封止樹脂３１中に分散されている波長変換部材３２を含む。波長変換部材３２は、半導体発光素子２０から出射される光の波長を変換し、かつ、封止部材３０及びオーバーコート層３５のうち、封止部材３０にのみ設けられている。
【0077】
オーバーコート層３５は、粘着性を有していない。オーバーコート層３５は、半導体発光装置１がパッケージ５０のトップテープ５３に付着すること及びガス４８がオーバーコート層３５を通り抜けることを防止する。ピックアップ装置を用いて、半導体発光装置１をパッケージ５０から容易に取り出すことができる。発光装置連結体２に対するダイシングテープ４４の密着性が向上する。基板連結体１５を分割する工程を含む発光装置連結体２の個片化工程を、より精度よくかつより安定的に実行することができる。
【0078】
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0079】
（付記１）
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を封止する封止部材と、
前記封止部材を覆うオーバーコート層とを備え、
前記封止部材は、封止樹脂を含み、かつ、前記半導体発光素子とは反対側の第１上面を有し、
前記オーバーコート層は、無機材料で形成されており、かつ、前記封止部材の前記第１上面に直接接触している、半導体発光装置。
（付記２）
前記封止部材上において、前記オーバーコート層の厚さは、一定である、付記１に記載の半導体発光装置。
（付記３）
前記封止部材上において、前記オーバーコート層の最小厚さは１μｍ以上であり、かつ、前記オーバーコート層の最大厚さは１００μｍ以下である、付記１または付記２に記載の半導体発光装置。
（付記４）
反射ケースをさらに備え、
前記半導体発光素子は、前記反射ケースに収容されており、
前記オーバーコート層は前記反射ケースに直接接触している、付記１から付記３のいずれかに記載の半導体発光装置。
（付記５）
前記封止部材とは反対側の前記オーバーコート層の第２上面は、凹んでいる、付記１から付記４のいずれかに記載の半導体発光装置。
（付記６）
前記無機材料は、ＳｉＯ２である、付記１から付記５のいずれかに記載の半導体発光装置。
（付記７）
前記封止部材は、前記封止樹脂中に分散されている波長変換部材を含み、
前記波長変換部材は、前記半導体発光素子から出射される光の波長を変換し、かつ、前記封止部材及び前記オーバーコート層のうち、前記封止部材にのみ設けられている、付記１から付記６のいずれかに記載の半導体発光装置。
（付記８）
基板連結体に複数の半導体発光素子をボンディングする工程と、
前記複数の半導体発光素子を封止部材で封止する工程と、
塗布法によって、前記封止部材を覆うオーバーコート層を形成する工程と、
前記基板連結体を複数の基板に分割する工程とを備え、
前記複数の基板の各々は、前記複数の半導体発光素子のうち対応するものを支持しており、
前記封止部材は、封止樹脂を含み、かつ、前記複数の半導体発光素子とは反対側の第１上面を有し、
前記オーバーコート層は、無機材料で形成されており、かつ、前記封止部材の前記第１上面に直接接触している、半導体発光装置の製造方法。
（付記９）
前記塗布法は、スプレーコーティング法である、付記８に記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１０）
前記オーバーコート層にダイシングテープを貼り付ける工程と、
前記ダイシングテープを加熱する工程とをさらに備える、付記８または付記９に記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１１）
前記封止部材上において、前記オーバーコート層の厚さは、一定である、付記８から付記１０のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１２）
前記封止部材上において、前記オーバーコート層の最小厚さは１μｍ以上であり、かつ、前記オーバーコート層の最大厚さは１００μｍ以下である、付記８から付記１１のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１３）
反射ケース連結体を前記基板連結体に取り付ける工程と、
反射ケース連結体を複数の反射ケースに分割する工程とをさらに備え、
前記複数の反射ケースの各々は、前記複数の半導体発光素子のうち対応するものを収容しており、
前記オーバーコート層を形成する前記工程において、前記オーバーコート層は前記反射ケース連結体上にも形成され、
前記オーバーコート層は、前記反射ケース連結体にも直接接触している、付記８から付記１２のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１４）
前記封止部材とは反対側の前記オーバーコート層の第２上面は、凹んでいる、付記８から付記１３のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１５）
前記無機材料は、ＳｉＯ２である、付記８から付記１４のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１６）
前記封止部材は、前記封止樹脂中に分散されている波長変換部材を含み、
前記波長変換部材は、前記半導体発光素子から出射される光の波長を変換し、かつ、前記封止部材及び前記オーバーコート層のうち、前記封止部材にのみ設けられている、付記８から付記１５のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を封止する封止部材と、
前記封止部材を覆うオーバーコート層とを備え、
前記封止部材は、封止樹脂を含み、かつ、前記半導体発光素子とは反対側の第１上面を有し、
前記オーバーコート層は、無機材料で形成されており、かつ、前記封止部材の前記第１上面に直接接触している、半導体発光装置。
（付記２）
前記封止部材上において、前記オーバーコート層の厚さは、一定である、付記１に記載の半導体発光装置。
（付記３）
前記封止部材上において、前記オーバーコート層の最小厚さは１μｍ以上であり、かつ、前記オーバーコート層の最大厚さは１００μｍ以下である、付記１または付記２に記載の半導体発光装置。
（付記４）
反射ケースをさらに備え、
前記半導体発光素子は、前記反射ケースに収容されており、
前記オーバーコート層は前記反射ケースに直接接触している、付記１から付記３のいずれかに記載の半導体発光装置。
（付記５）
前記封止部材とは反対側の前記オーバーコート層の第２上面は、凹んでいる、付記１から付記４のいずれかに記載の半導体発光装置。
（付記６）
前記無機材料は、ＳｉＯ２である、付記１から付記５のいずれかに記載の半導体発光装置。
（付記７）
前記封止部材は、前記封止樹脂中に分散されている波長変換部材を含み、
前記波長変換部材は、前記半導体発光素子から出射される光の波長を変換し、かつ、前記封止部材及び前記オーバーコート層のうち、前記封止部材にのみ設けられている、付記１から付記６のいずれかに記載の半導体発光装置。
（付記８）
基板連結体に複数の半導体発光素子をボンディングする工程と、
前記複数の半導体発光素子を封止部材で封止する工程と、
塗布法によって、前記封止部材を覆うオーバーコート層を形成する工程と、
前記基板連結体を複数の基板に分割する工程とを備え、
前記複数の基板の各々は、前記複数の半導体発光素子のうち対応するものを支持しており、
前記封止部材は、封止樹脂を含み、かつ、前記複数の半導体発光素子とは反対側の第１上面を有し、
前記オーバーコート層は、無機材料で形成されており、かつ、前記封止部材の前記第１上面に直接接触している、半導体発光装置の製造方法。
（付記９）
前記塗布法は、スプレーコーティング法である、付記８に記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１０）
前記オーバーコート層にダイシングテープを貼り付ける工程と、
前記ダイシングテープを加熱する工程とをさらに備える、付記８または付記９に記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１１）
前記封止部材上において、前記オーバーコート層の厚さは、一定である、付記８から付記１０のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１２）
前記封止部材上において、前記オーバーコート層の最小厚さは１μｍ以上であり、かつ、前記オーバーコート層の最大厚さは１００μｍ以下である、付記８から付記１１のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１３）
反射ケース連結体を前記基板連結体に取り付ける工程と、
反射ケース連結体を複数の反射ケースに分割する工程とをさらに備え、
前記複数の反射ケースの各々は、前記複数の半導体発光素子のうち対応するものを収容しており、
前記オーバーコート層を形成する前記工程において、前記オーバーコート層は前記反射ケース連結体上にも形成され、
前記オーバーコート層は、前記反射ケース連結体にも直接接触している、付記８から付記１２のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１４）
前記封止部材とは反対側の前記オーバーコート層の第２上面は、凹んでいる、付記８から付記１３のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１５）
前記無機材料は、ＳｉＯ２である、付記８から付記１４のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
（付記１６）
前記封止部材は、前記封止樹脂中に分散されている波長変換部材を含み、
前記波長変換部材は、前記半導体発光素子から出射される光の波長を変換し、かつ、前記封止部材及び前記オーバーコート層のうち、前記封止部材にのみ設けられている、付記８から付記１５のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0080】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。
【符号の説明】
【0081】
１，６ 半導体発光装置、２，７ 発光装置連結体、１０ 基板、１１ 絶縁基板、１１ａ，１６ａ 前面、１１ｂ，１６ｂ 背面、１２，１２ａ，１２ｂ 前面導電層、１３，１３ａ，１３ｂ 背面導電層、１５ 基板連結体、１６ ベース部材、２０ 半導体発光素子、２２ 接合部材、２３ａ，２３ｂ 導電ワイヤ、２５ 反射ケース、２５ａ 頂面、２６ 収容部、２７ 反射ケース連結体、２７ａ 頂面、３０ 封止部材、３０ａ 上面、３１ 封止樹脂、３２ 波長変換部材、３５ オーバーコート層、３６ 下面、３７ 上面、４０ ノズル、４１ 溶液、４４ ダイシングテープ、４６ ダイシングライン、４８ ガス、４９ 隙間、５０ パッケージ、５１ キャリア、５２ 凹部、５３ トップテープ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】