特開 2024-75027 弾性波デバイス、モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024075027

(43)【公開日】2024-06-03

(54)【発明の名称】弾性波デバイス、モジュール

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/145 20060101AFI20240527BHJP

   H03H 9/25 20060101ALI20240527BHJP

【ＦＩ】

H03H9/145 D

H03H9/25 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022186136

(22)【出願日】2022-11-22

(71)【出願人】

【識別番号】518453730

【氏名又は名称】三安ジャパンテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100161827

【弁理士】

【氏名又は名称】竹田 淳

(72)【発明者】

【氏名】桑原 英司

【テーマコード（参考）】

5J097

【Ｆターム（参考）】

5J097AA21

5J097AA29

5J097BB02

5J097BB11

5J097BB14

5J097BB15

5J097DD19

5J097DD24

5J097DD25

5J097EE08

5J097FF03

5J097FF04

5J097HA02

5J097HA04

5J097JJ04

5J097JJ06

5J097JJ09

5J097KK10

(57)【要約】

【課題】チップ基板の放熱性を向上することができる弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイスは、チップ基板と、前記チップ基板に形成された配線パターンと、前記チップ基板に形成され、前記配線パターンにより電気的に接続された複数の直列共振器と、金属で形成され、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域から前記チップ基板の外縁部に向かって延びた第１延設部と、前記第１延設部から前記チップ基板の外縁部に沿って延びた第２延設部と、を備えた。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

チップ基板と、
前記チップ基板に形成された配線パターンと、
前記チップ基板に形成され、前記配線パターンにより電気的に接続された複数の直列共振器と、
金属で形成され、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域から前記チップ基板の外縁部に向かって延びた第１延設部と、
前記第１延設部から前記チップ基板の外縁部に沿って延びた第２延設部と、
を備えた弾性波デバイス。

【請求項2】

前記第１延設部と前記第２延設部とは、前記チップ基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有した請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項3】

前記第１延設部と前記第２延設部とは、前記配線パターンと一体に形成された請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項4】

前記第１延設部は、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域とは異なる領域と隣接し、
前記第２延設部は、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域とは異なる領域から離れる方向に延びた請求項３に記載の弾性波デバイス。

【請求項5】

前記第２延設部は、高熱伝導性絶縁体で形成された請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項6】

前記第２延設部は、前記配線パターンのグランド用バンプパッドと直接的につながった領域と接合した請求項５に記載の弾性波デバイス。

【請求項7】

前記第２延設部は、前記チップ基板の外縁部から離れて形成された請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項8】

前記第２延設部は、前記チップ基板の外縁部から６０μｍまでの領域に形成された請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項9】

高熱伝導性絶縁体で形成され、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域から前記チップ基板の外縁部に向かって延び、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域よりも前記チップ基板の外縁部の側に形成されて前記配線パターンのグランド用バンプパッドと直接的につながった領域と接合した補助延設部、
を備えた請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項10】

前記チップ基板と対向した配線基板と、
前記配線基板とともに前記チップ基板を気密封止した封止部と、
を備え、
前記第２延設部は、前記封止部と接触した請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項11】

前記封止部は、前記チップ基板と前記配線基板との間に前記チップ基板の外縁部から回り込み、
前記第２延設部は、前記封止部において前記チップ基板と前記配線基板との間に回り込んだ領域と接触した請求項１０に記載の弾性波デバイス。

【請求項12】

チップ基板と、
前記チップ基板に形成された配線パターンと、
前記チップ基板に形成され、前記配線パターンにより電気的に接続された複数の直列共振器と、
高熱伝導性絶縁体で形成され、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域から前記チップ基板の外縁部に向かって延び、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域よりも前記チップ基板の外縁部の側に形成されて前記配線パターンのグランド用バンプパッドと直接的につながった領域と接合した補助延設部と、
を備えた弾性波デバイス。

【請求項13】

請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の弾性波デバイスを備えるモジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えたモジュールに関連する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、弾性波デバイスを開示する。当該弾性波デバイスは、耐電力およびボンダビリティに優れる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２２－０２８５６６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載の弾性波デバイスにおいては、チップ基板からの熱が逃げにくい。このため、チップ基板の放熱性が低い。

【0005】

本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、チップ基板の放熱性を向上することができる弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示に係る弾性波デバイスは、
チップ基板と、
前記チップ基板に形成された配線パターンと、
前記チップ基板に形成され、前記配線パターンにより電気的に接続された複数の直列共振器と、
金属で形成され、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域から前記チップ基板の外縁部に向かって延びた第１延設部と、
前記第１延設部から前記チップ基板の外縁部に沿って延びた第２延設部と、
を備えた。

【0007】

前記第１延設部と前記第２延設部とは、前記チップ基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有したことが、本開示の一形態とされる。

【0008】

前記第１延設部と前記第２延設部とは、前記配線パターンと一体に形成されたことが、本開示の一形態とされる。

【0009】

前記第１延設部は、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域とは異なる領域と隣接し、
前記第２延設部は、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域とは異なる領域から離れる方向に延びたことが、本開示の一形態とされる。

【0010】

前記第２延設部は、高熱伝導性絶縁体で形成されたことが、本開示の一形態とされる。

【0011】

前記第２延設部は、前記配線パターンのグランド用バンプパッドと直接的につながった領域と接合したことが、本開示の一形態とされる。

【0012】

前記第２延設部は、前記チップ基板の外縁部から離れて形成されたことが、本開示の一形態とされる。

【0013】

前記第２延設部は、前記チップ基板の外縁部から６０μｍまでの領域に形成されたことが、本開示の一形態とされる。

【0014】

高熱伝導性絶縁体で形成され、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域から前記チップ基板の外縁部に向かって延び、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域よりも前記チップ基板の外縁部の側に形成されて前記配線パターンのグランド用バンプパッドと直接的につながった領域と接合した補助延設部、
を備えたことが、本開示の一形態とされる。

【0015】

前記チップ基板と対向した配線基板と、
前記配線基板とともに前記チップ基板を気密封止した封止部と、
を備え、
前記第２延設部は、前記封止部と接触したことが、本開示の一形態とされる。

【0016】

前記封止部は、前記チップ基板と前記配線基板との間に前記チップ基板の外縁部から回り込み、
前記第２延設部は、前記封止部において前記チップ基板と前記配線基板との間に回り込んだ領域と接触したことが、本開示の一形態とされる。

【0017】

本開示に係る弾性波デバイスは、
チップ基板と、
前記チップ基板に形成された配線パターンと、
前記チップ基板に形成され、前記配線パターンにより電気的に接続された複数の直列共振器と、
高熱伝導性絶縁体で形成され、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域から前記チップ基板の外縁部に向かって延び、前記配線パターンにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域よりも前記チップ基板の外縁部の側に形成されて前記配線パターンのグランド用バンプパッドと直接的につながった領域と接合した補助延設部と、
を備えた。

【0018】

前記弾性波デバイスを備えるモジュールが、本開示の一形態とされる。

【発明の効果】

【0019】

本開示によれば、チップ基板の放熱性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】実施の形態１における弾性波デバイスの断面図である。

【図2】実施の形態１における弾性波デバイスにおいて配線基板を除いた後にチップ基板を下方から見た図である。

【図3】図２における領域Ａの拡大図である。

【図4】図２における領域Ｂの拡大図である。

【図5】図２における領域Ｃの拡大図である。

【図6】図２における領域Ｄの拡大図である。

【図7】実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の第１例を示す図である。

【図8】実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の第２例を示す図である。

【図9】実施の形態１における弾性波デバイスにおいて配線基板を除いた後にチップ基板を下方から見た図である。

【図10】図９のＢ－Ｂ線における断面に対応した弾性波デバイスの断面図である。

【図11】図９のＣ－Ｃ線における断面に対応した弾性波デバイスの断面図である。

【図12】実施の形態２における図２相当図である。

【図13】図１２における領域Ａの拡大図である。

【図14】図１２における領域Ｂの拡大図である。

【図15】図１２における領域Ｃの拡大図である。

【図16】図１２における領域Ｄの拡大図である。

【図17】実施の形態３における図２相当図である。

【図18】図１７における領域Ｂの拡大図である。

【図19】図１７における領域Ｃの拡大図である。

【図20】図１７における領域Ｂと領域Ｄとの近傍の拡大図である。

【図21】実施の形態４における図２相当図である。

【図22】図２１における補助延設部の近傍の拡大図である。

【図23】実施の形態５における弾性波デバイスが適用されるモジュールの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。

【0022】

実施の形態１．
図１は実施の形態１における弾性波デバイスの断面図である。

【0023】

図１に示されるように、弾性波デバイス１は、配線基板２とチップ基板３と複数のバンプ４と封止部５とを備える。

【0024】

例えば、配線基板２は、樹脂を含む多層基板である。例えば、配線基板２は、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板である。例えば、配線基板２は、コンデンサまたはインダクタ等の受動素子（図示されず）を内蔵する。配線基板２は、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）であることもある。配線基板２は、複数の誘電体層からなる高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）多層基板であることもある。

【0025】

図１において、配線基板２の上面は、部品実装面である。複数の導電性パッド２Ａは、配線基板２の上面に形成される。例えば、複数の導電性パッド２Ａは、銅で形成される。配線基板２の下面は、マザー基板等への取付面である。複数の導電性パッド２Ｂは、配線基板２の下面に形成される。例えば、複数の導電性パッド２Ｂは、銅で形成される。複数の内部導体２Ｃは、配線基板２に内蔵される。例えば、複数の内部導体２Ｃは、銅で形成される。内部導体２Ｃの各々は、互いに対応した導電性パッド２Ａと導電性パッド２Ｂとを電気的に接続する。

【0026】

チップ基板３は、配線基板２と対向する。例えば、チップ基板３は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶等の圧電単結晶で形成された基板である。例えば、チップ基板３は、圧電セラミックスで形成された基板である。例えば、チップ基板３は、圧電基板と支持基板とが接合された基板である。例えば、支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成された基板である。

【0027】

例えば、チップ基板３の主面（図１においては下面）において、受信フィルタと送信フィルタとが形成される。

【0028】

受信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。

【0029】

送信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。

【0030】

チップ基板３は、配線パターン３Ａと複数の電極３Ｂとを備える。例えば、複数の電極３Ｂは、櫛歯状の電極指であるＩｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ（ＩＤＴ）電極である。ＩＤＴ電極は、給電側のリード端子から配線パターン３Ａを介して高周波電界を受けることで弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することで所望のフィルタ特性を得る。

【0031】

複数のバンプ４の各々は、金、導電接着剤、半田等である。例えば、バンプ４の高さは、１０μｍから５０μｍである。複数のバンプ４の各々は、対応した位置において導電性パッド２Ａと配線パターン３Ａとを電気的に接続する。

【0032】

封止部５は、配線基板２とチップ基板３との間に空間６を残しつつ、配線基板２とともにチップ基板３を気密封止する。例えば、封止部５は、合成樹脂等の絶縁体で形成される。当該合成樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。

【0033】

例えば、チップ基板３が配線基板２に実装された後、樹脂シートがチップ基板３にまたがるように載せられることで仮固定される。例えば、樹脂シートは、液状のエポキシ樹脂からシート化される。例えば、樹脂シートは、エポキシ樹脂とは異なるポリイミド等などの合成樹脂で形成される。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を材料とする保護フィルムが樹脂シートの上面に設けられる。例えば、ポリエステルを材料とするベースフィルムが樹脂シートの下面に設けられる。その後、樹脂シートが軟化温度まで加熱される。その結果、樹脂シートがチップ基板３の側面と配線基板２の上面とに充填される。この方法は、熱ローララミネート法と呼ばれる。この際、樹脂は、チップ基板３と配線基板２との間にチップ基板３の外縁部からある程度の量だけ回り込む。その後、樹脂シートは、硬化温度まで加熱されることで完全に硬化する。

【0034】

次に、図２を用いて、チップ基板３の構成を説明する。
図２は実施の形態１における弾性波デバイスにおいて配線基板を除いた後にチップ基板を下方から見た図である。図３は図２における領域Ａの拡大図である。図４は図２における領域Ｂの拡大図である。図５は図２における領域Ｃの拡大図である。図６は図２における領域Ｄの拡大図である。

【0035】

図２において、Ｒ１は、チップ基板３が切り出される際に確保される領域である。例えば、Ｒ１は、チップ基板３の外縁部からチップ基板３の中央側に向かって３０μｍまでの領域である。Ｒ２は、封止部５がチップ基板３と配線基板２との間にチップ基板３の外縁部から回り込む領域を示す。例えば、Ｒ２は、チップ基板３の外縁部からチップ基板３の中央側に向かって６０μｍまでの領域である。

【0036】

図２に示されるように、配線パターン３Ａと複数の弾性波素子８とは、チップ基板３の主面に形成される。

【0037】

配線パターン３Ａは、領域Ｒ１に侵入しないように形成される。例えば、配線パターン３Ａは、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウム等の金属または合金で形成される。例えば、配線パターン３Ａは、複数の金属層を積層して形成される。例えば、配線パターン３Ａの厚みは、１．０μｍから５．０μｍである。

【0038】

配線パターン３Ａは、アンテナ用バンプパッドＡＮＴと送信用バンプパッドＴｘと受信用バンプパッドＲｘと４つのグランド用バンプパッドＧＮＤとを含む。これらのバンプパッドは、バンプ４と電気的に接続する部分である。

【0039】

複数の弾性波素子８は、複数の直列共振器Ｓ１－Ｒｘ、Ｓ２－Ｒｘと複数の並列共振器Ｐ１－Ｒｘ、Ｐ２－Ｒｘと多重モード共振器ＤＭＳとを含む。複数の直列共振器Ｓ１－Ｒｘ、Ｓ２－Ｒｘと複数の並列共振器Ｐ１－Ｒｘ、Ｐ２－Ｒｘと多重モード共振器ＤＭＳとは、配線パターン３Ａを介して電気的に接続される。複数の直列共振器Ｓ１－Ｒｘ、Ｓ２－Ｒｘとは、いずれのグランド用バンプパッドＧＮＤとも直接的に電気的に接続されない。複数の並列共振器Ｐ１－Ｒｘ、Ｐ２－Ｒｘと多重モード共振器ＤＭＳとは、いずれかのグランド用バンプパッドＧＮＤと直接的に電気的に接続される。

【0040】

複数の直列共振器Ｓ１－Ｒｘ、Ｓ２－Ｒｘと複数の並列共振器Ｐ１－Ｒｘ、Ｐ２－Ｒｘと多重モード共振器ＤＭＳとは、受信フィルタとして機能する。具体的には、電気信号がアンテナ用バンプパッドＡＮＴに入力されると、当該電気信号は、複数の直列共振器Ｓ１－Ｒｘ、Ｓ２－Ｒｘと複数の並列共振器Ｐ１－Ｒｘ、Ｐ２－Ｒｘと多重モード共振器ＤＭＳとを通過する。この際、所望の周波数帯域の電気信号のみが受信用バンプパッドＲｘに到達する。その結果、所望の周波数帯の電気信号のみが受信用バンプパッドＲｘから出力される。

【0041】

複数の弾性波素子８は、複数の直列共振器Ｓ１－Ｔｘ、Ｓ２－Ｔｘ、Ｓ３－Ｔｘ、Ｓ４－Ｔｘと複数の並列共振器Ｐ１－Ｔｘ、Ｐ２－Ｔｘ、Ｐ３－Ｔｘ、Ｐ４－Ｔｘとを含む。複数の直列共振器Ｓ１－Ｔｘ、Ｓ２－Ｔｘ、Ｓ３－Ｔｘ、Ｓ４－Ｔｘと複数の並列共振器Ｐ１－Ｔｘ、Ｐ２－Ｔｘ、Ｐ３－Ｔｘ、Ｐ４－Ｔｘとは、配線パターン３Ａを介して電気的に接続される。複数の直列共振器Ｓ１－Ｔｘ、Ｓ２－Ｔｘ、Ｓ３－Ｔｘ、Ｓ４－Ｔｘは、いずれのグランド用バンプパッドＧＮＤとも直接的に電気的に接続されない。複数の並列共振器Ｐ１－Ｔｘ、Ｐ２－Ｔｘ、Ｐ３－Ｔｘ、Ｐ４－Ｔｘは、いずれかのグランド用バンプパッドＧＮＤと直接的に電気的に接続される。

【0042】

複数の直列共振器Ｓ１－Ｔｘ、Ｓ２－Ｔｘ、Ｓ３－Ｔｘ、Ｓ４－Ｔｘと複数の並列共振器Ｐ１－Ｔｘ、Ｐ２－Ｔｘ、Ｐ３－Ｔｘ、Ｐ４－Ｔｘとは、送信フィルタとして機能する。具体的には、電気信号が送信用バンプパッドＴｘに入力されると、当該電気信号は、複数の直列共振器Ｓ１－Ｔｘ、Ｓ２－Ｔｘ、Ｓ３－Ｔｘ、Ｓ４－Ｔｘと複数の並列共振器Ｐ１－Ｔｘ、Ｐ２－Ｔｘ、Ｐ３－Ｔｘ、Ｐ４－Ｔｘとを通過する。この際、所望の周波数帯域の電気信号のみがアンテナ用バンプパッドＡＮＴに到達する。その結果、所望の周波数帯域の電気信号のみがアンテナ用バンプパッドＡＮＴから出力される。

【0043】

チップ基板３は、複数の延設部９を備える。例えば、複数の延設部９は、配線パターン３Ａと一体的に同時に形成される。延設部９は、第１延設部９Ａと第２延設部９Ｂとを備える。

【0044】

例えば、１つ目の延設部９は、チップ基板３の右側の領域Ａに形成される。領域Ａは、図３において拡大して示される。領域Ａにおいて、第１延設部９Ａは、配線パターン３Ａにおいて直列共振器Ｓ１－Ｔｘ、Ｓ２－Ｔｘ同士を直接的に電気的に接続した領域からチップ基板３の右外縁部に向かって延びる。例えば、第１延設部９Ａは、配線パターン３Ａにおいて直列共振器Ｓ１－Ｔｘ、Ｓ２－Ｔｘ同士を直接的に電気的に接続した領域とは異なる領域と隣接する。具体的には、第１延設部９Ａは、チップ基板３の右側かつ下側のグランド用バンプパッドＧＮＤと隣接する。第２延設部９Ｂは、第１延設部９Ａの端部からチップ基板３の右外縁部に沿って延びる。この際、第２延設部９Ｂは、配線パターン３Ａにおいて直列共振器Ｓ１－Ｔｘ、Ｓ２－Ｔｘ同士を直接的に電気的に接続した領域とは異なる領域から離れる方向に延びる。具体的には、第２延設部９Ｂは、チップ基板３の右側かつ下側のグランド用バンプパッドＧＮＤから離れる方向（図２においては下方向）に延びる。

【0045】

例えば、２つ目の延設部９は、チップ基板３の左側の領域Ｂに形成される。領域Ｂは、図４において拡大して示される。領域Ｂにおいて、第１延設部９Ａは、配線パターン３Ａにおいて直列共振器Ｓ２－Ｔｘ（図４においては図示されず）、Ｓ３－Ｔｘ同士を直接的に電気的に接続した領域からチップ基板３の左外縁部に向かって延びる。第２延設部９Ｂは、第１延設部９Ａの端部からチップ基板３の左外縁部に沿って上下方向に延びる。

【0046】

例えば、３つ目の延設部９は、チップ基板３の右側の領域Ｃに形成される。領域Ｃは、図５において拡大して示される。領域Ｃにおいて、第１延設部９Ａは、配線パターン３Ａにおいて直列共振器Ｓ３－Ｔｘ、Ｓ４－Ｔｘ同士（図５においては共に図示されず）を直接的に電気的に接続した領域からチップ基板３の右外縁部に向かって延びる。例えば、第１延設部９Ａは、配線パターン３Ａにおいて直列共振器Ｓ３－Ｔｘ、Ｓ４－Ｔｘ同士を直接的に電気的に接続した領域とは異なる領域と隣接する。具体的には、第１延設部９Ａは、配線パターン３Ａにおいてチップ基板３の右側かつ上側のグランド用バンプパッドＧＮＤ（図５においては図示されず）と直接的に電気的に接続された領域と隣接する。第２延設部９Ｂは、第１延設部９Ａの端部からチップ基板３の右外縁部に沿って延びる。第２延設部９Ｂは、配線パターン３Ａにおいて直列共振器Ｓ３－Ｔｘ、Ｓ４－Ｔｘ同士を直接的に電気的に接続した領域とは異なる領域から離れる方向に延びる。具体的には、第２延設部９Ｂは、配線パターン３Ａにおいてチップ基板３の右側かつ上側のグランド用バンプパッドＧＮＤと直接的に電気的に接続された領域から離れる方向（図２においては下方向）に延びる。

【0047】

例えば、４つ目の延設部９は、チップ基板３の左側の領域Ｄに形成される。領域Ｄは、図６において拡大して示される。領域Ｄにおいて、第１延設部９Ａは、配線パターン３Ａにおいて直列共振器Ｓ３－Ｔｘ、Ｓ４－Ｔｘ（図６においては図示されず）同士を直接的に電気的に接続した領域からチップ基板３の左外縁部に向かって延びる。第２延設部９Ｂは、第１延設部９Ａの端部からチップ基板３の左外縁部に沿って上下方向に延びる。

【0048】

複数の延設部９において、第２延設部９Ｂは、領域Ｒ１に侵入しないように形成される。第２延設部９Ｂは、封止部５と接触するように形成される。具体的には、封止部５においてチップ基板３と配線基板２との間に回り込んだ領域と接触するように形成される。より具体的には、第２延設部９Ｂは、少なくとも一部が領域Ｒ２に侵入するように形成される。

【0049】

次に、図７を用いて、弾性波素子８の第１例を説明する。
図７は実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の第１例を示す図である。

【0050】

図７において、弾性波素子８は、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）共振器である。図７に示されるように、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）８Ａと一対の反射器８Ｂとは、チップ基板３の主面に形成される。ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとは、弾性表面波を励振し得るように設けられる。

【0051】

例えば、ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとは、アルミニウムと銅の合金で形成される。例えば、ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとは、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金で形成される。例えば、ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとは、複数の金属層が積層した積層金属膜で形成される。例えば、ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとの厚みは、１５０ｎｍから４００ｎｍである。

【0052】

ＩＤＴ８Ａは、一対の櫛形電極８Ｃを備える。一対の櫛形電極８Ｃは、互いに対向する。櫛形電極８Ｃは、複数の電極指８Ｄとバスバー８Ｅとを備える。複数の電極指８Ｄは、長手方向を合わせて配置される。バスバー８Ｅは、複数の電極指８Ｄを接続する。一対の反射器８Ｂの一方は、ＩＤＴ８Ａの一側に隣接する。一対の反射器８Ｂの他方は、ＩＤＴ８Ａの他側に隣接する。例えば、ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂは、配線パターン３Ａ（図３においては図示されず）と同じプロセスで成膜およびパターニングされる。

【0053】

次に、図８を用いて、弾性波素子８の第２例を説明する。
図８は実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の第２例を示す図である。

【0054】

.
図８において、弾性波素子８は、音響薄膜共振器である。例えば、チップ基板３は、シリコン等の半導体基板、または、サファイア、アルミナ、スピネルもしくはガラス等の絶縁基板である。圧電膜８Ｆは、チップ基板３の主面に設けられる。例えば、圧電膜８Ｆは、窒化アルミニウムで形成される。下部電極８Ｇと上部電極８Ｈとは、圧電膜８Ｆを挟むように設けられる。例えば、下部電極８Ｇと上部電極８Ｈとは、ルテニウム等の金属で形成される。空隙８Ｊは、下部電極８Ｇとチップ基板３との間に形成される。音響薄膜共振器において、下部電極８Ｇと上部電極８Ｈとは、圧電膜８Ｆの内部に厚み縦振動モードの弾性波を励振する。

【0055】

次に、図９から図１１を用いて、チップ基板３の放熱を説明する。
図９は実施の形態１における弾性波デバイスにおいて配線基板を除いた後にチップ基板を下方から見た図である。図１０は図９のＢ－Ｂ線における断面に対応した弾性波デバイスの断面図である。図１１は図９のＣ－Ｃ線における断面に対応した弾性波デバイスの断面図である。ただし、図１０と図１１とは、図１との向きを合わせるために上下が反転されて示される。図１０と図１１とにおいて、説明に不要な構成は適宜省略される。

【0056】

図９から図１１において、チップ基板３は、タンタル酸リチウムで形成される。２５℃におけるタンタル酸リチウムの熱伝導率は、４．６Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。配線パターン３Ａと延設部９とは、アルミニウムで一体に形成される。２５℃におけるアルミニウムの熱伝導率は、２０４Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。封止部５は、高熱伝導性樹脂で形成される。２５℃における高熱伝導性樹脂の熱伝導率は、３．０Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。図１０と図１１とにおいて、導電性パッド２Ａと導電性パッド２Ｂと内部導体２Ｃとは、銅で形成される。２５℃における銅の熱伝導率は、４０３Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。バンプ４は、金で形成される。２５℃における金の熱伝導率は、２９５Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。２５℃における空気の熱伝導率は、０．０２５Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。

【0057】

弾性波デバイス１が動作すると、複数の弾性波素子８が熱を発する。弾性波素子８の各々の周囲において、当該熱は、チップ基板３と配線パターン３Ａと空気とに伝わる。ここで、配線パターン３Ａの熱伝導率は、チップ基板３の熱伝導率と空気の熱伝導率とよりも高い。このため、より多くの熱が配線パターン３Ａに伝わる。

【0058】

配線パターン３Ａにおいていずれかのバンプパッドに直接的に電気的に接続されている領域からは、より多くの熱がいずれかのバンプパッドとバンプ４とを介して配線基板２に伝わる。これに対し、配線パターン３Ａにおいていずれのバンプパッドにも直接的に電気的に接続されてない領域からは、ごく少量の熱がチップ基板３と空気とを介していずれかのバンプパッドに伝わる。このため、配線パターン３Ａにおいていずれのバンプパッドにも直接的に電気的に接続されてない領域からは、少量の熱のみが配線基板２に伝わる。

【0059】

ただし、配線パターン３Ａにおいて４つの延設部９に対応した領域からは、多くの熱が延設部９と封止部５とを介していずれかのバンプパッドに伝わる。例えば、図９の領域Ａからは、多くの熱が１つ目の延設部９と封止部５とを介してチップ基板３の右側かつ下側のグランド用バンプパッドＧＮＤと送信用バンプパッドＴｘとに伝わる。例えば、図９の領域Ｂからは、多くの熱が２つ目の延設部９と封止部５とを介してチップ基板３の左側かつ下側のグランド用バンプパッドＧＮＤに伝わる。例えば、図９の領域Ｃからは、多くの熱がチップ基板３の右側かつ下側のグランド用バンプパッドＧＮＤと上側のグランド用バンプパッドＧＮＤとに伝わる。例えば、図９の領域Ｄにおいては、多くの熱が４つ目の延設部９と封止部５とを介してチップ基板３の左側のアンテナ用バンプパッドＡＮＴに伝わる。これらのバンプパッドは、バンプ４を介して配線基板２に熱を放出する。これらの熱は、弾性波デバイス１の外部に放出される。

【0060】

例えば、図１０において、送信用バンプパッドＴｘは、バンプ４と導電性パッド２Ａと内部導体２Ｃと導電性パッド２Ｂとを介して領域Ａの第２延設部９Ｂからの熱を弾性波デバイス１の外部に放出する。例えば、図１０において、右側のグランド用バンプパッドＧＮＤは、バンプ４と導電性パッド２Ａと内部導体２Ｃと導電性パッド２Ｂとを介して領域Ａの第２延設部９Ｂからの熱を弾性波デバイス１の外部に放出する。例えば、図１０において、右側のグランド用バンプパッドＧＮＤは、バンプ４と導電性パッド２Ａと内部導体２Ｃと導電性パッド２Ｂとを介して領域Ｃの第２延設部９Ｂからの熱を弾性波デバイス１の外部に放出する。例えば、図１０において、左側のグランド用バンプパッドＧＮＤは、バンプ４と導電性パッド２Ａと内部導体２Ｃと導電性パッド２Ｂとを介して領域Ｃの第２延設部９Ｂからの熱を弾性波デバイス１の外部に放出する。

【0061】

例えば、図１１の左側のグランド用バンプパッドＧＮＤは、バンプ４と導電性パッド２Ａと内部導体２Ｃと導電性パッド２Ｂとを介して領域Ｂの第２延設部９Ｂからの熱を弾性波デバイス１の外部に放出する。例えば、図１１のアンテナ用バンプパッドＡＮＴは、バンプ４と導電性パッド２Ａと内部導体２Ｃと導電性パッド２Ｂとを介して領域Ｄの第２延設部９Ｂからの熱を弾性波デバイス１の外部に放出する。

【0062】

以上で説明された実施の形態１によれば、第１延設部９Ａは、配線パターン３Ａにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域からチップ基板３の外縁部に向かって延びる。第２延設部９Ｂは、第１延設部９Ａからチップ基板３の外縁部に沿って延びる。このため、延設部９が存在しない場合に比べ、配線パターン３Ａにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域から第１延設部９Ａと第２延設部９Ｂとを介してより多くの熱を逃がすことができる。その結果、チップ基板３の放熱性を向上することができる。

【0063】

また、延設部９は、チップ基板３の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する。このため、延設部９を介してチップ基板３の放熱性をより確実に向上することができる。

【0064】

また、延設部９は、配線パターン３Ａと一体に形成される。このため、延設部９を形成するためだけのプロセスを付加することなく、チップ基板３の放熱性を向上することができる。

【0065】

また、領域Ａと領域Ｃとにおいては、第１延設部９Ａは、配線パターン３Ａにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域とは異なる領域と隣接する。第２延設部９Ｂは、配線パターン３Ａにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域とは異なる領域から離れる方向に延びる。このため、弾性波デバイス１の小型化を維持しつつ、チップ基板３の放熱性を向上することができる。

【0066】

また、第２延設部９Ｂは、チップ基板３の外縁部から離れて形成される。このため、チップ基板３がウエハから切り出される際に第２延設部９Ｂがダイシングブレードと接触することを回避できる。

【0067】

また、第２延設部９Ｂは、封止部５においてチップ基板３と配線基板２との間に回り込んだ領域と接触する。このため、配線パターン３Ａにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域から第２延設部９Ｂと封止部５とを介してより多くの熱を放出することができる。

【0068】

また、第２延設部９Ｂは、チップ基板３の外縁部から６０μｍまでの領域に形成される。このため、第２延設部９Ｂをより確実に封止部５に接触させることができる。

【0069】

また、延設部９は、送信フィルタの一部として機能する複数の直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域に対応して形成される。このため、特に、発熱が大きい送信フィルタにおいて、直列共振器で発生した熱の放熱性を高めることができる。

【0070】

実施の形態２．
図１２は実施の形態２における図２相当図である。図１３は図１２における領域Ａの拡大図である。図１４は図１２における領域Ｂの拡大図である。図１５は図１２における領域Ｃの拡大図である。図１６は図１２における領域Ｄの拡大図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

【0071】

図１２から図１６の延設部９において、第１延設部９Ａは、配線パターン３Ａと一体的に同時に形成される。第２延設部９Ｂは、第１延設部９Ａと直接的に接合する。第２延設部９Ｂは、高熱伝導性絶縁体で形成される。例えば、第２延設部９Ｂは、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン、ソルダーレジスト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛または酸化シリコンで形成される。

【0072】

以上で説明された実施の形態２によれば、第２延設部９Ｂは、高熱伝導性絶縁体で形成される。このため、実施の形態１と同様に、チップ基板３の放熱性を向上することができる。特に、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムにおいては、熱伝導率が高い。具体的には、窒化ホウ素の熱伝導率は、６０Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。窒化アルミニウムの熱伝導率は、１５０Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。酸化アルミニウムの熱伝導率は、２９Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。このため、窒化ホウ素と窒化アルミニウムと酸化アルミニウムとのうちのいずれかが第２延設部９Ｂとして用いられれば、チップ基板３の放熱性をより確実に向上することができる。

【0073】

実施の形態３．
図１７は実施の形態３における図２相当図である。図１８は図１７における領域Ｂの拡大図である。図１９は図１７における領域Ｃの拡大図である。図２０は、図１７における領域Ｂと領域Ｄとの近傍の拡大図である。なお、実施の形態２の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

【0074】

図１７と図１８とに示されるように、領域Ｂの延設部９において、第２延設部９Ｂは、高熱伝導性絶縁体で形成される。第２延設部９Ｂは、配線パターン３Ａにおいてチップ基板３の左側かつ下側のグランド用バンプパッドＧＮＤ（図１８においては図示されず）と直接的につながった領域と直接的に接合する。図１７と図１９とに示されるように、領域Ｃの延設部９において、第２延設部９Ｂは、高熱伝導性絶縁体で形成される。第２延設部９Ｂは、配線パターン３Ａにおいてチップ基板３の右側かつ上側のグランド用バンプパッドＧＮＤ（図１９においては図示されず）と直接的につながった領域と直接的に接合する。

【0075】

図１７と図２０とに示されるように、領域Ｂの延設部９と領域Ｄの延設部９とにおいて、互いの第２延設部９Ｂは、つながるように形成される。例えば、領域Ｂの延設部９と領域Ｄの延設部９は、一体に形成される。

【0076】

以上で説明された実施の形態３によれば、第２延設部９Ｂは、配線パターン３Ａにおいてグランド用バンプパッドＧＮＤと直接的につながった領域と接合する。このため、第２延設部９Ｂからの熱を効率的にグランド用バンプパッドＧＮＤに伝えることができる。その結果、チップ基板３の放熱性をより確実に向上することができる。

【0077】

実施の形態４．
図２１は実施の形態４における図２相当図である。図２２は図２１における補助延設部の近傍の拡大図である。なお、実施の形態３の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

【0078】

図２１と図２２とにおいて、補助延設部１０は、第２延設部９Ｂ（図２２においては図示されず）と同等の高熱伝導性絶縁体で形成される。例えば、補助延設部１０は、配線パターン３Ａにおいて直列共振器Ｓ２－Ｔｘ、Ｓ３－Ｔｘ（図２２においては図示されず）同士を直接的に電気的に接続した領域の右側からチップ基板３の右外縁部に向かって延びるように形成される。補助延設部１０は、配線パターン３Ａにおいて直列共振器Ｓ２－Ｔｘ、Ｓ３－Ｔｘ同士を直接的に電気的に接続した領域よりもチップ基板３（図２２においては図示されず）の右外縁部の側に形成された領域と接合する。当該領域は、チップ基板３の右側かつ下側のグランド用バンプパッドＧＮＤ（図２２においては図示されず）と直接的につながった領域である。

【0079】

以上で説明された実施の形態４によれば、補助延設部１０は、配線パターン３Ａにおいて直列共振器同士を直接的に電気的に接続した領域からチップ基板３の外側に延びる。補助延設部１０は、配線パターン３Ａにおいてグランド用バンプパッドＧＮＤと直接的につながった領域と接合する。このため、例えば、配線パターン３Ａにおいて直列共振器Ｓ２－Ｔｘ、Ｓ３－Ｔｘ同士を直接的に電気的に接続した領域からの熱の放出が不十分でも、補助延設部１０を介して当該領域から効率的に放熱することができる。

【0080】

実施の形態５．
図２３は実施の形態５における弾性波デバイスが適用されるモジュールの断面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

【0081】

図２３において、モジュール１００は、配線基板１０１と集積回路部品１０２と弾性波デバイス１とインダクタ１０３と封止部１０４とを備える。

【0082】

配線基板１０１は、実施の形態１の配線基板２と同等である。集積回路部品１０２は、配線基板１０１の内部に実装される。集積回路部品１０２は、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。弾性波デバイス１は、配線基板１０１の主面に実装される。インダクタ１０３は、配線基板１０１の主面に実装される。インダクタ１０３は、インピーダンスマッチングのために実装される。例えば、インダクタ１０３は、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ（ＩＰＤ）である。封止部１０４は、弾性波デバイス１を含む複数の電子部品を封止する。

【0083】

以上で説明された実施の形態５によれば、モジュール１００は、弾性波デバイス１を備える。このため、放熱性が高い弾性波デバイス１を備えたモジュール１００を実現することができる。

【0084】

少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。

【0085】

理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。

【0086】

特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。

【0087】

本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。

【0088】

「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。

【0089】

前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。

【符号の説明】

【0090】

１ 弾性波デバイス、 ２ 配線基板、 ２Ａ 導電性パッド、 ２Ｂ 導電性パッド、 ２Ｃ 内部導体、 ３ チップ基板、 ３Ａ 配線パターン、 ３Ｂ 電極、 ４ バンプ、 ５ 封止部、 ６ 空間、 ８ 弾性波素子、 ８Ａ ＩＤＴ、 ８Ｂ 反射器、 ８Ｃ 櫛形電極、 ８Ｄ 電極指、 ８Ｅ バスバー、 ８Ｆ 圧電膜、 ８Ｇ 下部電極、 ８Ｈ 上部電極、 ８Ｊ 空隙、 ９ 延設部、 ９Ａ 第１延設部、 ９Ｂ 第２延設部、 １０ 補助延設部、 １００ モジュール、 １０１ 配線基板、 １０２ 集積回路部品、 １０３ インダクタ、 １０４ 封止部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】