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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024075464
(43)【公開日】2024-06-03
(54)【発明の名称】積層型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240527BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201K
H01G4/30 201L
H01G4/30 512
H01G4/30 515
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023066029
(22)【出願日】2023-04-14
(31)【優先権主張番号】10-2022-0157400
(32)【優先日】2022-11-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】リー、セウン ヨン
(72)【発明者】
【氏名】セオ、ドン チャン
(72)【発明者】
【氏名】リー、ヨン ファ
(72)【発明者】
【氏名】パク、サン ジン
(72)【発明者】
【氏名】シン、ジン ボク
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC09
5E001AE02
5E001AE03
5E001AE04
5E001AF06
5E082AA01
5E082AB03
5E082EE04
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG04
5E082FG26
5E082FG46
5E082GG10
5E082GG11
5E082GG28
5E082JJ03
5E082JJ12
5E082JJ23
(57)【要約】
【課題】積層型電子部品に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体の外側に配置され、上記内部電極と連結される外部電極と、を含み、上記誘電体層は複数の誘電体結晶粒を含み、上記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも１つ以上は、内側のコア領域及び上記コア領域の少なくとも一部をカバーするシェル領域を含むコア－シェル構造を含み、上記複数の誘電体結晶粒のうち９０％以上は、平均大きさ１７０．０ｎｍ～１９０．０ｎｍを満たし、上記誘電体結晶粒の大きさの最大偏差は、上記誘電体結晶粒の平均大きさに対して±６０．０ｎｍを満たすことができる。
【選択図】図４
【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体の外側に配置され、上記内部電極と連結される外部電極と、を含み、上記誘電体層は複数の誘電体結晶粒を含み、上記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも１つ以上は、内側のコア領域及び上記コア領域の少なくとも一部をカバーするシェル領域を含むコア－シェル構造を含み、上記複数の誘電体結晶粒のうち９０％以上は、平均大きさ１７０．０ｎｍ～１９０．０ｎｍを満たし、上記誘電体結晶粒の大きさの最大偏差は、上記誘電体結晶粒の平均大きさに対して±６０．０ｎｍを満たすことができる。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体の外側に配置され、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、複数の誘電体結晶粒を含み、前記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも１つ以上は、内側のコア領域及び前記コア領域の少なくとも一部をカバーするシェル領域を含むコア－シェル構造を含み、
前記複数の誘電体結晶粒のうち９０％以上は、平均大きさ１７０．０ｎｍ～１９０．０ｎｍを満たし、前記誘電体結晶粒の大きさの最大偏差は、前記誘電体結晶粒の平均大きさに対して±６０．０ｎｍを満たす、積層型電子部品。
前記本体の外側に配置され、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、複数の誘電体結晶粒を含み、前記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも１つ以上は、内側のコア領域及び前記コア領域の少なくとも一部をカバーするシェル領域を含むコア－シェル構造を含み、
前記複数の誘電体結晶粒のうち９０％以上は、平均大きさ１７０．０ｎｍ～１９０．０ｎｍを満たし、前記誘電体結晶粒の大きさの最大偏差は、前記誘電体結晶粒の平均大きさに対して±６０．０ｎｍを満たす、積層型電子部品。
【請求項2】
前記誘電体結晶粒の平均大きさに対する前記誘電体結晶粒の大きさの標準偏差値の割合である変動係数（ＣＶ）は、３０％未満を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
前記コア領域は希土類元素を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記コア領域のうち、前記コア領域の中心点から外側方向に１／２地点までの領域を第１コア領域、前記第１コア領域の外側部から前記コア領域の外側部までの領域を第２コア領域と定義するとき、
前記第１コア領域は希土類元素を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記第１コア領域は希土類元素を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記第１コア領域に含まれる前記希土類元素の平均含有量は、０．００ａｔ％超え０．２０ａｔ％未満である、請求項４に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記コア領域の中心点から前記第１コア領域の１／２地点までの領域に含まれる前記希土類元素の平均含有量は、０．００ａｔ％超え０．０５ａｔ％以下である、請求項４に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記コア領域の中心点での前記希土類元素の平均含有量は、０．００ａｔ％超え０．０５ａｔ％以下である、請求項６に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
前記シェル領域は、前記希土類元素を含むことができ、
前記コア領域は、前記希土類元素の平均含有量が０．００ａｔ％超え０．２０ａｔ％未満を満たす第１コア領域、及び前記第１コア領域の少なくとも一部をカバーする第２コア領域を含み、
前記第２コア領域に含まれる希土類元素の平均含有量は、前記第１コア領域に含まれる希土類元素の平均含有量よりも高く、前記シェル領域に含まれる希土類元素の平均含有量よりも低い、請求項３に記載の積層型電子部品。
前記コア領域は、前記希土類元素の平均含有量が０．００ａｔ％超え０．２０ａｔ％未満を満たす第１コア領域、及び前記第１コア領域の少なくとも一部をカバーする第２コア領域を含み、
前記第２コア領域に含まれる希土類元素の平均含有量は、前記第１コア領域に含まれる希土類元素の平均含有量よりも高く、前記シェル領域に含まれる希土類元素の平均含有量よりも低い、請求項３に記載の積層型電子部品。
【請求項9】
前記誘電体層は、母材主成分及び希土類元素を含む副成分を含み、
前記希土類元素の平均含有量は、前記コア領域よりも前記シェル領域でさらに高い、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記希土類元素の平均含有量は、前記コア領域よりも前記シェル領域でさらに高い、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記希土類元素は、Ｌａ、Ｙ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕの中から選択される１つ以上を含む、請求項３に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記外部電極は、前記本体上に配置され、第１導電性金属とガラスを含む第１電極層、及び前記第１電極層上に配置され、第２導電性金属と樹脂を含む第２電極層を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記外部電極は、前記電極層上に配置されるめっき層をさらに含む、請求項１１に記載の積層型電子部品。
【請求項13】
前記めっき層は、前記電極層上に配置され、第１めっき金属を含む第１めっき層、及び前記第１めっき層上に配置され、第２めっき金属を含む第２めっき層を含む、請求項１２に記載の積層型電子部品。
【請求項14】
前記誘電体層の平均厚さは０．４μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項15】
前記内部電極の平均厚さは０．４μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品に関するものである。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話など、様々な電子製品の印刷回路基板に装着されて電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。
【0003】
このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながら高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器が小型化、高出力化するにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化に対する要求が増大している。
【0004】
一方、積層セラミックキャパシタの信頼性を向上させる方法の一つは、均一な大きさの誘電体結晶粒を形成することである。但し、均一な大きさの誘電体結晶粒を実現するためには、誘電体粉末及び添加剤粒子の均一な分散が必要であり、そのために有機物溶媒において有機物分散剤を使用するか、誘電体粉末に添加剤をコーティングするなど様々な方法が試みられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】韓国公開特許第１０－２０１４－００４９７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、誘電体粒子に添加剤を元素又はイオン形態で吸着させ、焼成後の均一な大きさの誘電体結晶粒を形成することである。
【0007】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、イオン状態の添加剤を投入することにより、誘電体粒子全体に副成分を均一に固溶及び拡散させ、電気的特性のばらつきを減らすことである。
【0008】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、均一な大きさの全体結晶粒を形成することにより、積層型電子部品の信頼性を向上させることである。
【0009】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、コア－シェル構造を有する微細な大きさの結晶粒において、コア内部へ副成分を拡散させて電気的特性を向上させることである。
【0010】
但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体の外側に配置され、上記内部電極と連結される外部電極と、を含み、上記誘電体層は複数の誘電体結晶粒を含み、上記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも１つ以上は、内側のコア領域及び上記コア領域の少なくとも一部をカバーするシェル領域を含むコア－シェル構造を含み、上記複数の誘電体結晶粒のうち９０％以上は、平均大きさ１７０．０ｎｍ～１９０．０ｎｍを満たし、上記誘電体結晶粒の大きさの最大偏差は、上記誘電体結晶粒の平均大きさに対して±６０．０ｎｍを満たすことができる。
【発明の効果】
【0012】
本発明のいくつかの効果の一つは、イオン状態の添加剤を投入することにより、誘電体粒子全般に副成分を均一に固溶及び拡散させ、電気的特性のばらつきを減らすことである。
【0013】
本発明のいくつかの効果の一つは、均一な大きさの誘電体結晶粒を形成することにより、積層型電子部品の信頼性を向上させることである。
【0014】
本発明のいくつかの効果の一つは、コア－シェル構造の誘電体結晶粒中、コア内部へ副成分を拡散させることにより、電気的特性を向上させることである。
【0015】
但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものである。
【図4】（ａ）～（ｃ）は比較例及び実施例の誘電体粉末を概略的に示したものである。
【図6】（ａ）～（ｃ）は誘電体結晶粒を含む比較例及び実施例の誘電体層をＳＥＭにてスキャンした画像イメージである。
【図7】（ａ）～（ｃ）は比較例及び実施例の誘電体結晶粒をＴＥＭにてスキャンした画像イメージである。
【図9】比較例及び実施例の複数個のチップ（ｃｈｉｐ）についてＭＴＴＦ評価を行ったとき、故障時間による個数を累積して示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。
【0018】
そして、図面において、本発明を明確に説明するために、説明と関係ない部分は省略し、図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したため、本発明は、必ずしも図示によって限定されるものではない。また、同一思想の範囲内で機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を付与して説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【0019】
図面において、第１方向は積層方向又は厚さ（Ｔ）方向、第２方向は長さ（Ｌ）方向、第３方向は幅（Ｗ）方向と定義することができる。
【0020】
積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、図１の内部電極の積層構造を示した分離斜視図を概略的に示したものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図であり、図４は、比較例及び実施例の誘電体粉末を概略的に示したものであり、図５は、図３のＰ領域を概略的に示したものである。
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、図１の内部電極の積層構造を示した分離斜視図を概略的に示したものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図であり、図４は、比較例及び実施例の誘電体粉末を概略的に示したものであり、図５は、図３のＰ領域を概略的に示したものである。
【0021】
以下、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として、積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は誘電体組成物を用いる様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。
【0022】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体と、上記本体１１０の外側に配置され、上記内部電極１２１、１２２と連結される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記誘電体層１１１は複数の誘電体結晶粒２０を含み、上記複数の誘電体結晶粒２０のうち少なくとも１つ以上は、内側のコア領域２１及び上記コア領域２１の少なくとも一部をカバーするシェル領域２２を含むコア－シェル構造を含み、上記複数の誘電体結晶粒２０のうち９０％以上は、平均大きさ１７０．０ｎｍ～１９０．０ｎｍを満たし、上記誘電体結晶粒２０の大きさの最大偏差は、上記誘電体結晶粒２０の平均大きさに対して±６０．０ｎｍを満たすことができる。
【0023】
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。
【0024】
より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部を含むことができる。
【0025】
本体１１０の具体的な形状は特に制限されないが、図示されているように、本体１１０は六面体形状やこれと類似の形状からなっていてもよい。焼成過程で本体１１０に含まれるセラミック粉末の収縮により、本体１１０は、完全な直線を有する六面体形状ではないものの、実質的に六面体形状を有することができる。
【0026】
本体１１０は、第１方向に対向する第１及び第２面１、２、第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面３、４、第１～第４面１、２、３、４と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面５、６を有することができる。
【0027】
本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１の間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認することが困難である程度に一体化されることができる。
【0028】
誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り制限されない。一般的に、ペロブスカイト（ＡＢＯ３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末を含むことができ、セラミック粉末の例として、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、又はＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。
【0029】
また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されてもよい。
【0030】
誘電体層１１１の厚さは特に限定する必要はない。
【0031】
必要な誘電特性のために、数μｍ厚の誘電体層１１１を製造することができるが、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成すべく、誘電体層の厚さは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。
【0032】
ここで、誘電体層１１１の厚さは、第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さを意味することができる。
【0033】
一方、誘電体層１１１の厚さは、誘電体層１１１の第１方向の大きさを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さは、誘電体層１１１の平均厚さを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均大きさを意味することができる。
【0034】
誘電体層１１１の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、１つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔である３０箇所で第１方向の大きさを測定した平均値であることができる。上記等間隔である３０箇所は、容量形成部で指定することができる。また、このような第１方向の大きさの測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均大きさをさらに一般化することができる。
【0035】
一方、積層型電子部品の一種である積層セラミックキャパシタは、様々な作動環境で駆動されることができるが、このような環境中においては、積層型電子部品に悪影響を及ぼして予想寿命時間が短くなったり、目標とする電気的特性が乏しくなったりするなどの信頼性が低下する場合がある。このような理由で、積層型電子部品の高信頼性を達成することは重要な課題の一つとして取り扱われているが、信頼性を向上させる方法の一つとして、均一な大きさの誘電体結晶粒を形成する方法がある。但し、均一な大きさの誘電体結晶粒を実現するためには、誘電体粉末及び添加剤粒子の均一な分散が必要であり、そのために、有機物溶媒において有機物分散剤を使用するか、誘電体粉末に添加剤を投入するなど様々な方法が試みられている。
【0036】
このとき、添加剤の種類及び含有量を制御して信頼性を向上させる方法には、添加剤を酸化物形態で添加する固相先分散又は固相先拡散などの様々な方法があるが、既存の固相先分散又は固相先拡散などの方法では、分散性に劣るか、均一なコーティング層を形成するのに制約があり、均一な大きさの誘電体粉末及び誘電体結晶粒を製造することにある程度限界があり、製造工程の側面や経済的な側面で改善が必要な部分が存在する。
【0037】
そこで、本発明では、最終焼結後の誘電体結晶粒の平均大きさ及び大きさのばらつきが改善されるように、誘電体粒子表面を水系においてイオン状態で液状化された添加剤元素物質でコーティングすることにより、前述の問題点を解決できる様々な利点が存在する。イオン状態の添加剤元素物質は、一般的な酸化剤形態よりも大きさが小さいことから、誘電体粒子の表面コーティングカバレッジ割合が高く、コーティング層の厚さも薄い方である。また、焼結過程で誘電体粒子間のネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）現象を抑制し、最終焼結後の粒子の平均大きさを均一に制御することができる。このような結果は、全般的な信頼性特性及びばらつき改善に寄与できるという効果がある。
【0038】
一方、イオン状態で液状化された添加剤元素物質をコーティングする際に、有機物溶媒を用いるか、２種以上の溶媒を混合して使用する場合は、イオン状態が不安定になる可能性があり、更なる水洗工程を経なければならないなど経済的に不利であるという問題点がある。一方、イオン添加剤元素物質を単一水系溶媒で適用する場合は、添加剤の分散性に優れ、大量生産が容易であり、また、イオン添加剤を安定して誘電体粒子に吸着させることができるため、結晶粒の成長抑制を効果的に制御できるという利点がある。
【0039】
図４は、焼成前の誘電体粒子１１に添加剤１２、１２'を投入した状態を概略的に示したものである。より具体的に、図４（ａ）は固相先分散状態を示したものであり、図４（ｂ）は固相先拡散状態を示したものであり、図４（ｃ）は液相先拡散状態を示したものである。
【0040】
本発明において、誘電体粒子１１は、前述の誘電容量に寄与できる誘電体物質の焼成前の粒子又は粉末状態を意味することができ、添加剤１２、１２'は、誘電体物質の様々な特性を制御できる焼成前の物質を意味することができ、誘電体組成物１０は、誘電体粒子１１に添加剤１２、１２'がコーティング又は吸着された焼成前の状態を意味することができる。
【0041】
図４（ａ）のような固相先分散の場合、有機物を含む溶媒中に添加剤を酸化物形態で投入するため、添加剤成分の均一な分散状態を実現し難く、これを撹拌しても、添加剤酸化物１２'と誘電体粒子１１との結合力が弱く、吸着が十分に起こらないか、吸着されても結合が容易に解除される状態である可能性がある。このため、添加剤酸化物１２'が誘電体粒子１１の粒成長を十分に制御することができず、均一な大きさの誘電体結晶粒を得るように制御し難いことから、結晶粒の大きさのばらつきが大きい可能性がある。
【0042】
図４（ｂ）のような固相先拡散の場合、有機物を含む溶媒中に添加剤１２'を酸化物形態で投入した後、誘電体粒子１１に吸着及び固溶し、誘電体粒子１１が粒成長した物質である誘電体組成物を製造することができる。固相先分散に比べて添加剤１２'の吸着及び固溶が容易であるものの、添加剤１２'が酸化物形態で吸着されるため、比較的大きさが大きい添加剤１２'により、誘電体粒子１１をカバーする割合が低い可能性があり、同様に均一な大きさの誘電体結晶粒を得るように制御し難いことから、結晶粒の大きさのばらつきが比較的大きい可能性がある。
【0043】
本発明の一実施形態を製造するための図４（ｃ）のような液相先拡散の場合、単一水系溶媒において添加剤１２をイオン状態で微粒化して誘電体粒子１１の表面に均一に吸着することができる。イオン状態で微粒化された添加剤１２により、既存の添加剤の酸化物１２'に比べて添加剤物質の分散性を極大化することができ、イオン状態で微粒化された添加剤イオン１２が誘電体粒子１１表面に均一にコーティングされ、焼結過程で誘電体粒子１１間の接触を最小化することができ、これにより、結晶粒の粒成長を制御できる環境を造れるようになり、大きさのばらつき及び信頼性特性の改善に寄与することができる。また、水系の単一溶媒において適用できる方式を用いることができるため、大量生産に向けた工程への適用に適しており、経済的にも利点がある。
【0044】
以下では、添加剤１２を液相先拡散方法で誘電体粒子１１の表面にコーティングした誘電体組成物１０を焼成して現れる誘電体結晶粒２０を含む、本発明の一実施形態について詳細に説明する。
【0045】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００において、上記誘電体層１１１は、複数の誘電体結晶粒２０を含み、上記複数の誘電体結晶粒２０のうち少なくとも１つ以上は、内側のコア領域２１及び上記コア領域２１の少なくとも一部をカバーするシェル領域２２を含むコア－シェル構造を含み、上記複数の誘電体結晶粒２０のうち９０％以上は、平均大きさ１７０．０ｎｍ～１９０．０ｎｍを満たし、上記誘電体結晶粒２０の大きさの最大偏差は、上記誘電体結晶粒２０の平均大きさに対して±６０．０ｎｍを満たすことができる。
【0046】
本発明の一実施形態において、誘電体層１１１は、母材主成分及び希土類元素を含む副成分を含むことができる。
【0047】
ここで、母材主成分は、誘電容量を形成するための原料となる誘電体物質を意味することができ、主成分は、他の成分に比べて相対的に多くの重量割合を占める成分を意味することができ、全組成物又は全誘電体層の重量を基準として、５０重量％以上の成分を意味することができる。原料となり得る誘電体物質は、前述したところと同一であるため、省略する。
【0048】
副成分とは、他の成分に比べて相対的に少ない重量割合を占める成分を意味することができ、全組成物又は全誘電体層の重量を基準として、５０重量％未満の成分を意味することができる。
【0049】
このとき、副成分は、Ｌａ、Ｙ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕの中から選択される１つ以上を含む希土類元素を含むことができるが、特にこれに制限されるものではない。
【0050】
希土類元素の平均含有量は、コア領域２１よりもシェル領域２２で更に高くてもよい。
【0051】
コア領域２１とシェル領域２２とを区分する基準は、次のとおりである。誘電体結晶粒２０の中心点を通る直線に対してラインプロファイル（Ｌｉｎｅ－ｐｒｏｆｉｌｅ）を行ったとき、希土類元素の含有量が誘電体結晶粒２０内部の任意の地点で急激に変化することがあるが、急激な変化が発生する領域の中心を基準として、希土類元素の含有量が少ない領域をコア領域２１と定義し、希土類元素の含有量が多い領域をシェル領域２２と定義することができる。
【0052】
図５を参照すると、誘電体層１１１は複数の誘電体結晶粒２０を含むことができ、複数の誘電体結晶粒２０のうち少なくとも１つ以上は、内側のコア領域２１及びコア領域２１の少なくとも一部をカバーするシェル領域２２を含むコア－シェル構造を有することができる。
【0053】
本発明において、誘電体結晶粒の大きさは、誘電体結晶粒の中心点を通る最小直径と最大直径の平均大きさを意味することができ、誘電体結晶粒２０の平均大きさは、誘電体層１１１内に存在する誘電体結晶粒の大きさを平均した値であることができる。
【0054】
本発明の一実施形態において、複数の誘電体結晶粒２０のうち９０％以上は、平均大きさ１７０．０ｎｍ以上１９０．０ｎｍ以下を満たし、誘電体結晶粒２０の大きさの最大偏差は、誘電体結晶粒２０の平均大きさに対して±６０．０ｎｍを満たすことができる。
【0055】
誘電体結晶粒２０の平均大きさは、誘電体層１１１内で測定可能な複数の誘電体結晶粒２０の平均大きさを意味することができ、最大偏差は、測定可能な誘電体結晶粒２０の大きさのうち最大大きさ及び最小大きさの範囲を意味することができ、本発明の一実施形態では、誘電体結晶粒２０の平均大きさを基準として、±６０．０ｎｍの範囲内を満たすことを意味することができる。
【0056】
本発明の一実施形態において、誘電体結晶粒２０の平均大きさに対する誘電体結晶粒２０の大きさの標準偏差値の割合である変動係数（ＣＶ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）は、３０％未満を満たすことができる。
【0057】
変動係数ＣＶとは、平均に対する標準偏差を意味するものであって、誘電体結晶粒２０の大きさの変動係数は、誘電体結晶粒２０の平均大きさに対する誘電体結晶粒２０の大きさの標準偏差値の割合を意味することができ、変動係数ＣＶの値が低いほど、誘電体結晶粒２０が均一な大きさを有することを意味することができ、大きさのばらつきが小さいことを意味することができる。
【0058】
言い換えると、誘電体結晶粒２０の大きさの変動係数ＣＶが３０％未満を満たすというのは、誘電体結晶粒２０の大きさのばらつきが小さいことを意味することができ、平均大きさを基準として、大きさに大差がないことを意味することができる。
【0059】
変動係数ＣＶの下限値は特に制限されないが、絶対的に同一の大きさを形成することは困難であるため、好ましくは０．０１％以上を満たすことができる。
【0060】
誘電体結晶粒２０が均一な大きさを有することにより、積層型電子部品１００の特性のばらつき改善及び信頼性向上に寄与することができる。
【0061】
前述のように、添加剤、例えば希土類元素を固相方式で投入した場合、希土類元素の均一分散に限界があり、部位別の希土類元素の含有量に差が生じる可能性があり、これにより、特性のばらつきが大きくなって実現しようとする特性を制御し難くなるなどの問題点が生じる恐れがある。このように、微細な大きさの誘電体結晶粒においては、コア－シェルの構造を均一に形成することが、電気的特性、誘電特性、信頼性を向上させるための重要な解決課題となっている。
【0062】
本発明の一実施形態において、コア領域２１は希土類元素を含むことができる。
【0063】
より具体的に、コア－シェル構造を含む誘電体結晶粒２０を概略的に示した図５を参照して説明すると、コア領域２１中、コア領域２１の中心点から外側方向に１／２地点までの領域を第１コア領域２１ａ、第１コア領域２１ａの外側部からコア領域２１の外側部までの領域を第２コア領域２１ｂと定義するとき、第１コア領域２１ａは希土類元素を含むことができる。
【0064】
ここで、コア領域２１の中心点は、誘電体結晶粒２０の中心点と一致することができ、コア領域２１の中心点から外側方向とは、コア領域２１の中心点からシェル領域２２又は誘電体結晶粒界が存在する方向を意味することができる。１／２地点は、コア領域２１の中心点からコア領域２１とシェル領域２２が接する境界点までを直線で引いたとき、１／２に該当する地点を意味することができる。コア領域２１の外側部は、コア領域２１とシェル領域２２が接する境界線、境界面を意味することができ、境界は、前述のようにラインプロファイル（Ｌｉｎｅ－ｐｒｏｆｉｌｅ）を行ったとき、希土類元素の含有量が急激に変化する領域の中心を意味することができる。コア領域２１の外側部は、第２コア領域２１ｂの外側部と同一であってもよい。
【0065】
このとき、第１コア領域２１ａに含まれる希土類元素の平均含有量は、０．００ａｔ％超え０．２０ａｔ％未満を満たすことができ、微細含有量さえ含めば十分であるものの、好ましくは０．０１ａｔ％以上を満たすことができる。
【0066】
より具体的に、コア領域２１の中心点から第１コア領域２１ａの１／２地点までの領域に含まれる希土類元素の平均含有量は、０．００ａｔ％超え０．０５ａｔ％以下を満たすことができ、コア領域２１の中心点での希土類元素の含有量は、０．００ａｔ％超え０．０５ａｔ％以下を満たすことができる。
【0067】
これを満たすことにより、コア領域２１の内部へ希土類元素が拡散されており、液相先拡散の方式で誘電体粉末１０が形成されたことを類推することができ、電気的特性が向上するにつれて、シェル領域２２ｂの大きさが小さい誘電体結晶粒２０を形成することができる。
【0068】
第２コア領域２１ｂに含まれる希土類元素の平均含有量は、第１コア領域２１ａに含まれる希土類元素の平均含有量よりは高く、シェル領域２２ｂに含まれる希土類元素の平均含有量よりは低くてもよい。
【0069】
また、希土類元素の一部がコア領域２１の内部へ拡散されるにつれて、微細な大きさの誘電体結晶粒２０において、相対的にコア領域２１の大きさが大きい誘電体結晶粒２０を形成することができ、これにより、電気的特性及び誘電特性が向上することができる。また、誘電体結晶粒２０の大きさのばらつきが均一になるにつれて、信頼性が向上するという効果がある。
【0070】
本発明の一実施形態において、コア領域２１のうち、希土類元素の平均含有量が０．００ａｔ％超え０．２０ａｔ％未満を満たす領域を第１領域２１ａと定義するとき、第２コア領域（２１ｂ）は、第１コア領域の少なくとも一部をカバーする領域を意味することができる。このとき、第２コア領域２１ｂに含まれる希土類元素の平均含有量は、第１コア領域２１ａに含まれる希土類元素の平均含有量よりも高く、シェル領域２２に含まれる希土類元素の平均含有量よりも低くてもよい。
【0071】
コア領域２１の希土類元素を測定する方法は特に制限されない。例えば、ラインプロファイル（Ｌｉｎｅ－ｐｒｏｆｉｌｅ）を測定することで、希土類元素の含有量を測定することができ、希土類元素の含有量が極めて少ない第１コア領域２１ａは、ラインプロファイル（Ｌｉｎｅ－ｐｒｏｆｉｌｅ）による測定が不可能である場合、一地点（ｐｏｉｎｔ）をＥＤＳ分析することにより、微細な含有量の希土類元素の含有量を測定することができる。
【0072】
内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と交互に積層することができる。
【0073】
内部電極１２１、１２２は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出されることができる。
【0074】
より具体的に、第１内部電極１２１は、第４面４と離隔し第３面３を介して露出されることができ、第２内部電極１２２は、第３面３と離隔し第４面４を介して露出されることができる。
【0075】
本体１１０の第３面３には、第１外部電極１３１が配置されて、第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には、第２外部電極１３２が配置されて、第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0076】
すなわち、第１内部電極１２１は、第２外部電極１３２とは連結されずに第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は、第１外部電極１３１とは連結されずに第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。
【0077】
一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートを交互に積層した後、焼成して形成することができる。
【0078】
内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち１つ以上を含むことができる。
【0079】
また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち１つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0080】
一方、内部電極１２１、１２２の厚さは特に限定する必要はない。
【0081】
必要な電気的特性のために、数μｍ厚の内部電極１２１、１２２を製造することができるが、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成すべく、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。
【0082】
ここで、内部電極１２１、１２２の厚さは、内部電極１２１、１２２の第１方向の大きさを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さは、内部電極１２１、１２２の平均厚さを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさを意味することができる。
【0083】
内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、１つの内部電極１２１、１２２を第２方向に等間隔である３０箇所で第１方向の大きさを測定した平均値であることができる。上記等間隔である３０箇所は容量形成部で指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさをさらに一般化することができる。
【0084】
一方、本体１１０は、容量形成部の第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。
【0085】
より具体的に、容量形成部の第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２及び容量形成部の第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。
【0086】
上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部の上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0087】
上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同一の材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、セラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0088】
一方、カバー部１１２、１１３の厚さは特に限定する必要はない。
【0089】
但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品においては、より好ましくは２０μｍ以下であることができる。
【0090】
ここで、カバー部１１２、１１３の厚さは、カバー部１１２、１１３の第１方向の大きさを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さは、カバー部１１２、１１３の平均厚さを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均大きさを意味することができる。
【0091】
カバー部１１２、１１３の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、１つのカバー部を第２方向に等間隔である３０箇所で第１方向の大きさを測定した平均値であることができる。上記等間隔である３０箇所は上部カバー部１１２で指定することができる。
【0092】
一方、本体１１０は、容量形成部の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるサイドマージン部を含むことができる。
【0093】
より具体的に、サイドマージン部は、容量形成部の第５面５上に配置される第１サイドマージン部及び容量形成部の第６面６上に配置される第２サイドマージン部を含むことができる。すなわち、サイドマージン部は、容量形成部の第３方向の両端面上に配置されることができる。
【0094】
サイドマージン部は、図示されているように、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１及び第２内部電極１２１、１２２の第３方向の両端面と本体１１０の境界面の間の領域を意味することができる。
【0095】
サイドマージン部は、セラミックグリーンシート上にサイドマージン部が形成されるところを除いて、導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５及び第６面５、６に露出されるように切断した後、単一誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部の第３方向の両端面上に第３方向に積層して形成することもできる。
【0096】
サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0097】
一方、サイドマージン部の幅は特に限定する必要はない。
【0098】
但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、サイドマージン部の幅は１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品においては、より好ましくは２０μｍ以下であることができる。
【0099】
ここで、サイドマージン部の幅は、サイドマージン部の第３方向の大きさを意味することができる。また、サイドマージン部の幅は、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅を意味することができ、サイドマージン部の第３方向の平均大きさを意味することができる。
【0100】
サイドマージン部の第３方向の平均大きさは、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、１つのサイドマージン部を第１方向に等間隔である３０箇所で第３方向の大きさを測定した平均値であることができる。上記等間隔である３０箇所は第１サイドマージン部で指定することができる。
【0101】
本発明の一実施形態では、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他目的に応じて変更されてもよい。
【0102】
外部電極１３１、１３２は、本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。
【0103】
より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結される第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体の第３面３に配置され、第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は、本体の第４面４に配置され、第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0104】
一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用しても形成することができ、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質を決定することができ、さらに多層構造を有することができる。
【0105】
例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ、及び電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上に配置されるめっき層１３１ｃ、１３２ｃを含むことができるが、特にこれに制限されるものではない。
【0106】
電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂについて、より具体的な例を挙げると、電極層は、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であるか、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。
【0107】
また、電極層は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次形成された形態であってもよい。
【0108】
さらに、電極層は、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。
【0109】
電極層に含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができ、例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金からなる群から選択される１つ以上を含むことができるが、特にこれに制限されるものではない。
【0110】
本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層の構造を有することができる。
【0111】
第１電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０上に配置され、第１導電性金属及びガラスを含むことができ、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され、第２導電性金属及び樹脂を含むことができる。
【0112】
第１電極層１３１ａ、１３２ａは、ガラスを含むことで本体１１０との接合性を向上させる役割を果たし、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、樹脂を含むことで曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。
【0113】
一方、第１導電性金属と第２導電性金属は、前述の導電性金属を含んでもよいが、同一の物質を含んでもよく、異なる物質を含んでもよい。
【0114】
より具体的に、第１電極層１３１ａ、１３２ａに使用される第１導電性金属は、静電容量を形成するために、上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結されることができる材質であれば特に制限されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金からなる群から選択される１つ以上を含むことができる。第１電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属粉末にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することで形成することができる。
【0115】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第２導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。
【0116】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されることができる材質であれば特に制限されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金からなる群から選択される１つ以上を含むことができる。
【0117】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第２導電性金属は、球形粒子及びフレーク状粒子のうち１つ以上を含むことができる。すなわち、導電性金属はフレーク状粒子のみからなるか、球形粒子のみからなっていてもよく、フレーク状粒子と球形粒子とが混合された形態であってもよい。ここで、球形粒子は、完全な球形ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さの割合（長軸／短軸）が１．４５以下である形態を含むことができる。フレーク状粒子は、平たくて細長い形態を有する粒子を意味し、特に制限されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さの割合（長軸／短軸）が１．９５以上であることができる。上記球形粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、セラミック電子部品の第３方向の中央部で切断した第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてスキャンして得られたイメージから測定することができる。
【0118】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性確保及び衝撃吸収の役割を果たす。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性及び衝撃吸収性を有し、導電性金属粉末と混合してペーストを製造できるものであれば特に制限されず、例えば、エポキシ系樹脂を含むことができる。
【0119】
また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の金属粒子、金属間化合物、及び樹脂を含むことができる。金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。
【0120】
このとき、上記金属間化合物は、樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、上記金属間化合物が樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。
【0121】
例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により濡らし、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応して、Ａｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５、Ｃｕ３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応にかかわらなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子形態で残る。
【0122】
従って、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち１つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５及びＣｕ３Ｓｎのうち１つ以上を含むことができる。
【0123】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃは実装特性を向上させる役割を果たす。
【0124】
めっき層の金属種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、及びこれらの合金のうち１つ以上を含む単一層のめっき層であってもよく、複数の層から形成されてもよい。
【0125】
このとき、めっき層は、電極層上に配置され、第１めっき金属を含む第１めっき層１３１ｃ、１３２ｃ、及び上記第１めっき層１３１ｃ、１３２ｃ上に配置され、第２めっき金属を含む第２めっき層を含むことができる。
【0126】
ここで、第１めっき金属と第２めっき金属は、前述のめっき層の金属種類であることができるが、同一の物質を含んでもよく、異なる物質を含んでもよい。
【0127】
めっき層についてより具体的な例を挙げると、めっき層は、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含んでもよい。
【0128】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。従って、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。
【0129】
以下、実験例によって本発明をさらに詳細に説明するが、これは本発明の具体的な理解を助けるためのものであり、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。
【0130】
（実験例）
以下の比較例及び実施例は、互いに異なる方式で添加剤元素を誘電体粒子にドーピングして誘電体組成物を形成したものであり、互いに異なる方式で製造した誘電体組成物を焼成して誘電体結晶粒を含む誘電体層を実現したものである。
以下の比較例及び実施例は、互いに異なる方式で添加剤元素を誘電体粒子にドーピングして誘電体組成物を形成したものであり、互いに異なる方式で製造した誘電体組成物を焼成して誘電体結晶粒を含む誘電体層を実現したものである。
【0131】
比較例１は、固相先分散方式によって、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）にジスプロシウム（Ｄｙ）をドーピングして誘電体組成物を調製し、これを焼成してサンプルチップ（ｃｈｉｐ）を製造した。
【0132】
比較例２は、固相先拡散方式によって、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）にＤｙをドーピングしたものであり、それ以外は比較例１と同一である。
【0133】
実施例は、液相先拡散方式によって、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）にＤｙをドーピングしたものであり、それ以外は比較例１と同一である。
【0134】
以下の表１は、比較例及び実施例の電気的特性、Ｄｃ－ｂｉａｓ特性、及び信頼性を評価したデータである。
【0135】
電気的特性は、誘電容量であるＣｐ及び損失係数であるＤＦ（Ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ Ｆａｃｔｏｒ）について測定し、Ｄｃ－ｂｉａｓ特性は、電圧条件１４ＶでのＣｐ及びＤＣを測定した。
【0136】
信頼性はＭＴＴＦ（Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ Ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ）で評価しており、各比較例及び実施例において、４０個のサンプルチップ（ｃｈｉｐ）の信頼性評価を行ったとき、各サンプル別に故障が発生した時間の平均時間を意味する。
【0137】
このとき、Ｂ０．１は、全サンプルチップ中０．１％のサンプルの故障が発生する時間を意味し、Ｂ０．４３は、全サンプルチップ中０．４３２９％のサンプルの故障が発生する時間を意味し、形状母数とは、サンプル故障時間のばらつきを意味し、形状母数値が高いほど初期故障発生頻度が減り、時間が経過するにつれて故障発生頻度が多くなることを意味する。
【0138】
【表1】
【0139】
上記表１を参照すると、比較例及び実施例において、電気的特性及びＤｃ－ｂｉａｓ特性では大きな差が生じなかったが、信頼性は実施例がさらに優れていることを確認することができる。
【0140】
これは、誘電体組成物の均一な粒成長により、誘電体結晶粒の大きさが均一になるにつれて信頼性が向上したものと予測される。
【0141】
図９は、比較例１、比較例２及び実施例のＭＴＴＦ評価を行ったとき、サンプルチップ（ｃｈｉｐ）の故障時間を累積して示したグラフである。
【0142】
これを参照すると、Ｂ０．１及びＢ０．４３の値は、比較例２が最も小さく、実施例が最も大きいことから、全サンプルチップの０．１％が故障するまで実施例が一番長くかかったことに鑑みると、実施例の信頼性が優れることを確認することができる。
【0143】
形状母数値は、比較例２が最も小さく、実施例が最も大きいことから、故障した時間の分布は比較例２が最も広く、実施例が最も狭いことが分かる。すなわち、実施例の故障時間の分布が最も狭いため、信頼性の予測が容易であるという利点がある。
【0144】
より具体的に、図面を参照して説明すると、図６～図８は、ＳＥＭ及びＳＥＭ－ＥＤＳ分析装置を用いて、比較例及び実施例の誘電体結晶粒の大きさ、大きさの分布、及びＤｙをマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）した画像イメージである。
【0145】
【0146】
より具体的に、図６を参照すると、比較例１の誘電体結晶粒の平均大きさは２３７．７ｎｍであり、最大偏差は±７９．５ｎｍと測定され、比較例２の誘電体結晶粒の平均大きさは２３０．０ｎｍであり、最大偏差は±７２．０ｎｍと測定され、実施例の誘電体結晶粒の平均大きさは１８２．７ｎｍであり、最大偏差は±５３．１ｎｍと測定された。このことから、液相先拡散により誘電体結晶粒を形成する場合、誘電体結晶粒の平均大きさが小さいながらも、均一な大きさで製造できることを確認することができる。
【0147】
図７及び図８は、同一の領域の誘電体結晶粒及びそのＤｙマッピング分析（ｍａｐｐｉｎｇ分析）を行ったＴＥＭ及びＴＥＭ－ＥＤＳマッピング画像イメージである。比較例１である図８（ａ）及び比較例２である図８（ｂ）と比べて、実施例である図８（ｃ）をみると、コア領域が相対的に小さいことを確認することができる。
【0148】
また、本開示で使用された「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味しておらず、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現することを排除しない。例えば、特定の一実施形態で説明された事項が他の一実施形態で説明されていなくても、他の一実施形態でその事項と反対になるか又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連した説明として理解されることができる。
【0149】
本開示で使用された用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであって、本開示を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈からして明らかに異なる意味でない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0150】
１０ 誘電体組成物
１１ 誘電体粒子
１２ 添加剤イオン
１２' 添加剤酸化物
２０ 誘電体結晶粒
２１ コア領域
２１ａ 第１コア
２１ｂ 第２コア
２２ シェル領域
１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ 電極層
１３１ｃ、１３２ｃ めっき層
１１ 誘電体粒子
１２ 添加剤イオン
１２' 添加剤酸化物
２０ 誘電体結晶粒
２１ コア領域
２１ａ 第１コア
２１ｂ 第２コア
２２ シェル領域
１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ 電極層
１３１ｃ、１３２ｃ めっき層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
