ホーム > 特許ランキング > Ａｂｓｏｌｉｃｓ Ｉｎｃ．
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024075487
(43)【公開日】2024-06-03
(54)【発明の名称】パッケージング基板及びこれを含む半導体パッケージ
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20240527BHJP
H01L 23/36 20060101ALI20240527BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 J
H01L23/36 C
【審査請求】有
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2023178918
(22)【出願日】2023-10-17
(31)【優先権主張番号】63/427,436
(32)【優先日】2022-11-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】521560126
【氏名又は名称】アブソリックス インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】Ａｂｓｏｌｉｃｓ Ｉｎｃ．
【住所又は居所原語表記】３０００ ＳＫＣ Ｄｒｉｖｅ，Ｃｏｖｉｎｇｔｏｎ，ＧＡ ３００１４，ＵＳＡ
(74)【代理人】
【識別番号】110001139
【氏名又は名称】ＳＫ弁理士法人
(74)【代理人】
【識別番号】100130328
【弁理士】
【氏名又は名称】奥野 彰彦
(74)【代理人】
【識別番号】100130672
【弁理士】
【氏名又は名称】伊藤 寛之
(72)【発明者】
【氏名】キム、ソンジン
【テーマコード（参考）】
5F136
【Ｆターム（参考）】
5F136BB02
5F136BB04
5F136FA01
5F136FA02
5F136FA03
5F136FA55
(57)【要約】 （修正有）
【課題】放熱特性及び長期耐久性に優れたパッケージング基板及びこれを含む半導体パッケージを提供する。
【解決手段】パッケージング基板１００は、素子が収容される実装領域２０及び実装領域２０が配置されたコア基板１０を含む。実装領域２０は、コア基板１０の一部が凹んで形成された空間であるキャビティ部２１と、内側にコア基板１０の厚さ方向に形成されてキャビティ部２１の外郭を形成するキャビティ部の側面と、キャビティ部２１の外郭に隣接して配置される第１放熱部２２と、を含む。第１放熱部２２は、パッケージング基板１００の熱を外部に伝達する熱的経路である。第１放熱部２２は、パッケージング基板１００の上面で観察したときに放熱ビア２２１を少なくとも１つ以上含む。
【選択図】図１Ａ
【解決手段】パッケージング基板１００は、素子が収容される実装領域２０及び実装領域２０が配置されたコア基板１０を含む。実装領域２０は、コア基板１０の一部が凹んで形成された空間であるキャビティ部２１と、内側にコア基板１０の厚さ方向に形成されてキャビティ部２１の外郭を形成するキャビティ部の側面と、キャビティ部２１の外郭に隣接して配置される第１放熱部２２と、を含む。第１放熱部２２は、パッケージング基板１００の熱を外部に伝達する熱的経路である。第１放熱部２２は、パッケージング基板１００の上面で観察したときに放熱ビア２２１を少なくとも１つ以上含む。
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
上面及び下面を有するパッケージング基板であって、
素子が収容される実装領域、及び前記実装領域が配置されたコア基板を含み、
前記コア基板は、セラミック基板、ガラス基板またはこれらの組み合わせからなるものから選択されたものであり、
前記実装領域は、前記コア基板の一部が凹んで形成された空間であるキャビティ部と、内側に前記コア基板の厚さ方向に形成されて前記キャビティ部の外郭を形成するキャビティ部の側面と、前記キャビティ部の外郭に隣接して配置される第１放熱部とを含み、
前記第１放熱部は、前記パッケージング基板の熱を外部に伝達する熱的経路であり、
前記第１放熱部は、前記パッケージング基板の上面で観察したときに面積が５，０００μｍ２～７５ｍｍ２である放熱ビアを少なくとも１つ以上含む、パッケージング基板。
素子が収容される実装領域、及び前記実装領域が配置されたコア基板を含み、
前記コア基板は、セラミック基板、ガラス基板またはこれらの組み合わせからなるものから選択されたものであり、
前記実装領域は、前記コア基板の一部が凹んで形成された空間であるキャビティ部と、内側に前記コア基板の厚さ方向に形成されて前記キャビティ部の外郭を形成するキャビティ部の側面と、前記キャビティ部の外郭に隣接して配置される第１放熱部とを含み、
前記第１放熱部は、前記パッケージング基板の熱を外部に伝達する熱的経路であり、
前記第１放熱部は、前記パッケージング基板の上面で観察したときに面積が５，０００μｍ２～７５ｍｍ２である放熱ビアを少なくとも１つ以上含む、パッケージング基板。
【請求項2】
前記パッケージング基板の上面で観察した前記放熱ビアの縦横比は０．１～１０である、請求項１に記載のパッケージング基板。
【請求項3】
前記パッケージング基板の上面で観察したとき、前記放熱ビアは、前記キャビティ部から５０μｍ～１，０００μｍ離隔して配置される、請求項１に記載のパッケージング基板。
【請求項4】
前記放熱ビアを２つ以上含み、
前記放熱ビアは、５０μｍ～１，０００μｍの間隔で配置される、請求項１に記載のパッケージング基板。
前記放熱ビアは、５０μｍ～１，０００μｍの間隔で配置される、請求項１に記載のパッケージング基板。
【請求項5】
前記パッケージング基板の上面で観察した前記キャビティ部の面積に対する前記放熱ビア全体の面積の比率は１～５０である、請求項１に記載のパッケージング基板。
【請求項6】
前記放熱ビアは、縦方向の直径、及び横方向の直径を有し、
前記放熱ビアは、前記コア基板の厚さ方向に前記縦方向の直径及び前記横方向の直径のうちの少なくともいずれか１つが変動される構造を有し、
前記縦方向の直径及び前記横方向の直径のうちの最小値が５０μｍ以上である、請求項１に記載のパッケージング基板。
前記放熱ビアは、前記コア基板の厚さ方向に前記縦方向の直径及び前記横方向の直径のうちの少なくともいずれか１つが変動される構造を有し、
前記縦方向の直径及び前記横方向の直径のうちの最小値が５０μｍ以上である、請求項１に記載のパッケージング基板。
【請求項7】
前記パッケージング基板を前記パッケージング基板の上面に垂直な方向の断面で観察したとき、前記放熱ビアは砂時計形状を有する、請求項１に記載のパッケージング基板。
【請求項8】
前記実装領域は、前記キャビティ部の内側に形成され、前記キャビティ部の側面に隣接して配置されて熱を外部に伝達する部材である第２放熱部を含む、請求項１に記載のパッケージング基板。
【請求項9】
前記実装領域は、前記第２放熱部と前記放熱ビアとを熱的に接続する熱伝導性部材を含む、請求項８に記載のパッケージング基板。
【請求項10】
前記放熱ビアは熱伝導層を含み、
前記熱伝導層と前記コア基板との熱膨張係数の差値は１０ｐｐｍ／℃以下である、請求項１に記載のパッケージング基板。
前記熱伝導層と前記コア基板との熱膨張係数の差値は１０ｐｐｍ／℃以下である、請求項１に記載のパッケージング基板。
【請求項11】
請求項１に記載のパッケージング基板、及び前記パッケージング基板と電気的に接続されるメインボードを含む、半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
具現例は、放熱特性及び耐久性に優れたパッケージング基板、及びこれを含む半導体パッケージなどに関する。
【0002】
〔関連出願との相互参照〕
本出願は、２０２２年１１月２２日に米国特許商標庁に出願された米国仮出願第６３／４２７，４３６号を優先権として主張し、当該特許文献の内容は、参照のために本発明に全て含まれる。
本出願は、２０２２年１１月２２日に米国特許商標庁に出願された米国仮出願第６３／４２７，４３６号を優先権として主張し、当該特許文献の内容は、参照のために本発明に全て含まれる。
【背景技術】
【0003】
電子部品を作製するにおいて、半導体ウエハに回路を具現することを前工程（ＦＥ：Ｆｒｏｎｔ－Ｅｎｄ）といい、ウエハを実際の製品で使用可能な状態に組み立てることを後工程（ＢＥ：Ｂａｃｋ－Ｅｎｄ）といい、この後工程にパッケージング工程が含まれる。
【0004】
最近の電子製品の急速な発展を可能にした半導体産業の４つの核心技術としては、半導体技術、半導体パッケージング技術、製造工程技術、ソフトウェア技術がある。半導体技術は、マイクロ以下のナノ単位の線幅、千万個以上のセル（Ｃｅｌｌ）、高速動作、多くの熱放出などの様々な形態に発展しているが、相対的にこれを完璧にパッケージングする技術がサポートされていない。そのため、半導体の電気的性能が、半導体技術自体の性能よりは、パッケージング技術及びこれによる電気的接続によって決定されることもある。
【0005】
パッケージング基板の材料としては、セラミック又は樹脂が適用される。セラミック基板の場合、抵抗値が高いか、または誘電率が高いため、高性能高周波の半導体素子を搭載することが容易ではない。樹脂基板の場合、相対的に高性能高周波の半導体素子を搭載することはできるが、配線のピッチの縮小に限界がある。
【0006】
最近、ハイエンド用パッケージング基板にシリコンやガラスを適用した研究が進められている。シリコンやガラス基板に貫通孔を形成し、導電性物質をこの貫通孔に適用することで、素子とマザーボードとの間の配線の長が短くなり、優れた電気的特徴を有することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
具現例の目的は、放熱特性及び長期耐久性に優れたパッケージング基板、及びこれを含む半導体パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本明細書の一実施例に係るパッケージング基板は、上面及び下面を有する。
【0009】
前記パッケージング基板は、素子が収容される実装領域、及び前記実装領域が配置されたコア基板を含む。
【0010】
前記コア基板は、セラミック基板、ガラス基板またはこれらの組み合わせからなるものから選択されたものである。
【0011】
前記実装領域は、前記コア基板の一部が凹んで形成された空間であるキャビティ部と；内側に前記コア基板の厚さ方向に形成されて前記キャビティ部の外郭を形成するキャビティ部の側面と；前記キャビティ部の外郭に隣接して配置される第１放熱部と；を含む。
【0012】
前記第１放熱部は、前記パッケージング基板の熱を外部に伝達する熱的経路である。
【0013】
前記第１放熱部は、前記パッケージング基板の上面で観察したときに面積が５，０００μｍ２～７５ｍｍ２である放熱ビアを少なくとも１つ以上含む。
【0014】
前記パッケージング基板の上面で観察した前記放熱ビアの縦横比は０．１～１０であってもよい。
【0015】
前記パッケージング基板の上面で観察したとき、前記放熱ビアは、前記キャビティ部から５０μｍ～１，０００μｍ離隔して配置されてもよい。
【0016】
前記パッケージング基板は、前記放熱ビアを２つ以上含むことができる。
【0017】
前記放熱ビアは、５０μｍ～１，０００μｍの間隔で配置されてもよい。
【0018】
前記パッケージング基板の上面で観察した前記キャビティ部の面積に対する前記放熱ビア全体の面積の比率は１～５０であってもよい。
【0019】
前記放熱ビアは、縦方向の直径、及び横方向の直径を有することができる。
【0020】
前記放熱ビアは、前記コア基板の厚さ方向に前記縦方向の直径及び前記横方向の直径のうちの少なくともいずれか１つが変動される構造を有することができる。
【0021】
前記放熱ビアは、前記縦方向の直径及び前記横方向の直径のうちの最小値が５０μｍ以上であってもよい。
【0022】
前記パッケージング基板を前記パッケージング基板の上面に垂直な方向の断面で観察したとき、前記放熱ビアは砂時計形状を有することができる。
【0023】
前記実装領域は、前記キャビティ部の内側に形成され、前記キャビティ部の側面に隣接して配置されて熱を外部に伝達する部材である第２放熱部を含むことができる。
【0024】
前記実装領域は、前記第２放熱部と前記放熱ビアとを熱的に接続する熱伝導性部材を含むことができる。
【0025】
前記放熱ビアは熱伝導層を含むことができる。
【0026】
前記熱伝導層と前記コア基板との熱膨張係数の差値は１０ｐｐｍ／℃以下であってもよい。
【0027】
本明細書の他の実施例に係る半導体パッケージは、前記パッケージング基板、及び前記パッケージング基板と電気的に接続されるメインボードを含む。
【発明の効果】
【0028】
具現例のパッケージング基板などは、優れた放熱特性及び長期耐久性を示すことができる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1A】本明細書の一実施例に係るパッケージング基板を説明する平面図である。
【図2A】放熱ビアとキャビティ部との離隔距離を説明する概念図である。
【図3A】本明細書の他の実施例に係るパッケージング基板を説明する概念図である。
【図3B】本明細書の他の実施例に係るパッケージング基板を説明する概念図である。
【図4】本明細書の更に他の実施例に係るパッケージング基板を説明する概念図である。
【図5A】本明細書の更に他の実施例に係るパッケージング基板を説明する平面図である。
【図6】本明細書の更に他の実施例に係るパッケージング基板を説明する概念図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0030】
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように、実施例について添付の図面を参照して詳細に説明する。しかし、本発明は、様々な異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施例に限定されない。明細書全体にわたって類似の部分に対しては同一の図面符号を付した。
【0031】
本明細書全体において、マーカッシュ形式の表現に含まれた「これらの組み合わせ」という用語は、マーカッシュ形式の表現に記載された構成要素からなる群から選択される１つ以上の混合又は組み合わせを意味するものであって、前記構成要素からなる群から選択される１つ以上を含むことを意味する。
【0032】
本明細書全体において、「第１」、「第２」又は「Ａ」、「Ｂ」のような用語は、同一の用語を互いに区別するために使用される。また、単数の表現は、文脈上明らかに別の意味を示すものでない限り、複数の表現を含む。
【0033】
本明細書において、「～」系は、化合物内に「～」に該当する化合物又は「～」の誘導体を含むことを意味するものであり得る。
【0034】
本明細書において、Ａ上にＢが位置するという意味は、Ａ上に直接当接してＢが位置するか、またはそれらの間に他の層が位置しながらＡ上にＢが位置することを意味し、Ａの表面に当接してＢが位置することに限定されて解釈されない。
【0035】
本明細書において、Ａ上にＢが連結されるという意味は、ＡとＢが直接連結されるか、またはＡとＢがそれらの間の他の構成要素を介して連結されることを意味し、特に言及がない限り、ＡとＢが直接連結されることに限定して解釈されない。
【0036】
本明細書において、単数の表現は、特に説明がなければ、文脈上解釈される単数又は複数を含む意味で解釈される。
【0037】
本明細書において、図面での各構成の形態、相対的な大きさ、角度などは例示的なもので、説明を目的として誇張して表現され得、権利が図面に限定されて解釈されない。
【0038】
本明細書において、ＡとＢが隣接するということは、ＡとＢが接して位置するか、またはＡとＢが接していないが、互いに近くに位置することを意味する。本明細書において、ＡとＢが隣接するという表現は、特に言及がない限り、ＡとＢが接して位置することに限定して解釈されない。
【0039】
本明細書において、細線（ｆｉｎｅ ｌｉｎｅ）とは、他に説明がない限り、５μｍ以下の幅を有する線を意味し、例示的に１～４μｍ以下の幅を有する線を意味する。
【0040】
本明細書において、Ａ値とＢ値の差値とは、Ａ値からＢ値を引いた値の絶対値を意味する。
【0041】
パッケージング基板に実装された素子は、駆動する過程で熱が発生し得る。発熱は、素子の性能低下及び基板の反りなどを誘発することがある。特に、パッケージング基板に能動素子を搭載する場合が頻繁になるにつれ、より一層効果的な放熱特性を有するパッケージング基板に対する需要が高まっている。
【0042】
一方、熱のコントロールのために、従来は、有機素材のパッケージング基板に、熱伝導性に優れた金属素材の放熱部材を適用した。但し、セラミック素材などが適用された基板に、このような方法を単純に適用する場合、製造過程で基板及び／又は放熱部材にディフェクトが発生するなどの耐久性低下の問題が発生することがある。
【0043】
具現例の発明者らは、キャビティ部に隣接して配置される第１放熱部を適用し、前記第１放熱部に配置された放熱ビアの面積などを調節することによって、優れた放熱特性及び長期耐久性を有するパッケージング基板などを提供できることを確認し、具現例を完成した。
【0044】
以下、具現例について具体的に説明する。
【0045】
コア基板
図１Ａは、本明細書の一実施例に係るパッケージング基板を説明する平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＡ－Ａ'線の断面図である。前記図１Ａ及び図１Ｂを参照して、具現例のパッケージング基板を説明する。
図１Ａは、本明細書の一実施例に係るパッケージング基板を説明する平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＡ－Ａ'線の断面図である。前記図１Ａ及び図１Ｂを参照して、具現例のパッケージング基板を説明する。
【0046】
本明細書の一実施例に係るパッケージング基板１００は、上面１１及び下面１２を有する。
【0047】
パッケージング基板１００は、素子が収容される実装領域２０、及び前記実装領域２０が配置されたコア基板１０を含む。
【0048】
コア基板１０は、パッケージング基板１００において支持体の役割を果たす。コア基板１０は、コア基板１０の上又は下に配置される再配線層（図示せず）またはバンプ（図示せず）とは区分される。
【0049】
コア基板１０として、セラミック基板、ガラス基板またはこれらの組み合わせからなるものから選択された基板が適用される。
【0050】
セラミック基板は、例示的に、シリコン系セラミック基板、ガラス系セラミック基板などが適用されてもよい。シリコン系セラミック基板は、シリコン基板、シリコンカーバイド基板などを一部又は全部に含む基板であってもよい。ガラス系セラミック基板は、クォーツ基板、サファイア基板などを一部又は全部に含む基板であってもよい。
【0051】
ガラス基板は、例示的に、アルカリボロシリケート板ガラス、無アルカリボロシリケート板ガラス、無アルカリアルカリ土ボロシリケート板ガラスなどが適用され得、電子部品に適用される板ガラスであれば適用可能である。ガラス基板は、電子装置用ガラス基板が適用され得、例示的に、ショット社、ＡＧＣ社、コーニング社などで製造されたものが適用されてもよいが、これに限定されるものではない。
【0052】
コア基板１０の厚さは５０μｍ以上であってもよい。前記厚さは１００μｍ以上であってもよい。前記厚さは２５０μｍ以上であってもよい。前記厚さは４００μｍ以上であってもよい。前記厚さは５００μｍ以上であってもよい。前記厚さは３，０００μｍ以下であってもよい。前記厚さは２，０００μｍ以下であってもよい。前記厚さは１，０００μｍ以下であってもよい。このとき、厚さは、キャビティ領域を除いた部分でのコア基板の厚さをいう。このような厚さを有するコア基板１０を適用する場合、半導体パッケージング用基板として優れた活用度を有することができる。
【0053】
実装領域２０は、コア基板１０の一部が凹んで形成された空間であるキャビティ部２１と、内側にコア基板の厚さ方向Ｄｔに形成されてキャビティ部２１の外郭を形成するキャビティ部の側面２１１とを含む。
【0054】
キャビティ部２１は、コア基板１０が上下に貫通して形成されたものであり得る（図１Ｂ参照）。但し、これに限定されず、キャビティ部２１は、コア基板１０が上下に貫通せずに、コア基板１０の上面又は下面が一部凹んで形成されたものであってもよい（図示せず）。
【0055】
キャビティ部の側面２１１は、コア基板１０の上面又は下面と垂直を形成することができるが、これに限定されない。コア基板１０を断面で観察したとき、キャビティ部の側面２１１は、傾斜面又は曲面を形成してもよい。
【0056】
キャビティ部２１を有するコア基板１０は、コア基板１０の上部のうちキャビティ部２１に対応する部分を除去する方式で製造されてもよい。前記コア基板１０は、厚さが互いに異なる基板を積層または結合して製造されてもよい。
【0057】
具体的に、コア基板１０の上部のうちキャビティ部２１に対応する部分をエッチングするか、または機械的な力を加えて除去してキャビティ部２１を形成することができる。但し、これに限定されない。
【0058】
キャビティ部２１に素子が載置され得る。素子についての説明は、後述する内容と重複するので省略する。
【0059】
第１放熱部
実装領域２０は、キャビティ部２１の外郭に隣接して配置される第１放熱部２２をさらに含む。
実装領域２０は、キャビティ部２１の外郭に隣接して配置される第１放熱部２２をさらに含む。
【0060】
第１放熱部２２は、パッケージング基板１００の熱を外部に伝達する熱的経路である。
【0061】
第１放熱部２２に一つの放熱ビア２２１が配置され得る。放熱ビア２２１は、コア基板１０の一部が凹んで形成された孔（ｈｏｌｅ）の構造を有することができ、前記孔内に配置された熱伝導層を含む構造を有することができる。
【0062】
具体的に、放熱ビア２２１は、コア基板の厚さ方向Ｄｔに形成され得る。放熱ビア２２１は、コア基板１０が上下に貫通して形成されたものであり得る（図１Ｂ参照）。但し、放熱ビア２２１は、これに限定されない。すなわち、放熱ビア２２１は、コア基板１０が上下に貫通して形成されずに、放熱ビア２２１の上側又は下側が塞がっている構造を有してもよい（図示せず）。
【0063】
放熱ビア２２１の少なくとも一部は接地体（図示せず）と接続され得る。具体的に、放熱ビア２２１の少なくとも一部は接地体と電気的に接続され得る。
【0064】
第１放熱部２２は、パッケージング基板の上面１１で観察したときに面積が５０００μｍ２～７５ｍｍ２である放熱ビア２２１を少なくとも１つ以上含む。
【0065】
具現例は、基板の上面１１で観察される放熱ビア２２１の面積を制御することで、素子などから発生する熱をパッケージング基板１００の外部にさらに効果的に放出することができる。これと同時に、放熱ビア２２１内に熱伝導層を形成する際に、めっき不良又は充填不良が発生することを抑制して、第１放熱部２２が安定した信頼性を有するようにすることができる。
【0066】
第１放熱部２２は、パッケージング基板の上面１１で観察したときに面積が５，０００μｍ２以上である放熱ビア２２１を少なくとも１つ含むことができる。パッケージング基板の上面１１で観察した前記放熱ビアの面積は１０，０００μｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は５０，０００μｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は１ｍｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は５ｍｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は１０ｍｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は２０ｍｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は２５ｍｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は７５ｍｍ２以下であってもよい。前記放熱ビアの面積は７０ｍｍ２以下であってもよい。前記放熱ビアの面積は６５ｍｍ２以下であってもよい。前記放熱ビアの面積は６０ｍｍ２以下であってもよい。このような場合、第１放熱部２２の放熱量と長期信頼性を同時に改善することができる。
【0067】
第１放熱部２２は、パッケージング基板の下面１２で観察したときに面積が５，０００μｍ２以上である放熱ビア２２１を少なくとも１つ含むことができる。パッケージング基板の下面１２で観察した前記放熱ビアの面積は１０，０００μｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は５０，０００μｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は１ｍｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は５ｍｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は１０ｍｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は２０ｍｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は２５ｍｍ２以上であってもよい。前記放熱ビアの面積は７５ｍｍ２以下であってもよい。前記放熱ビアの面積は７０ｍｍ２以下であってもよい。前記放熱ビアの面積は６５ｍｍ２以下であってもよい。前記放熱ビアの面積は６０ｍｍ２以下であってもよい。このような場合、パッケージング基板の下面１２を通じても基板の外部に効率的な熱伝達が可能であるので、パッケージング基板１００の放熱特性の改善に寄与することができる。また、放熱ビア２２１の全領域において具現例で目的とするレベルの充填率を有する熱伝導層を形成することができる。
【0068】
パッケージング基板の上面１１で観察した放熱ビア２２１の縦横比は０．１～１０であってもよい。
【0069】
具現例は、放熱ビア２２１の縦横比を、具現例で予め設定した範囲内に制御することができる。このような構造を有する放熱ビア２２１は、素子から発生する熱をさらに広い面積で効率的に伝達を受けることができる。また、このような形状を有する放熱ビア２２１の内部に熱伝導層を形成する際、放熱ビア２２１の孔内部に熱伝導性フィラー又は金属を円滑に充填することができる。
【0070】
パッケージング基板の上面１１で観察した放熱ビア２２１の縦横比は０．１以上であってもよい。前記縦横比は０．５以上であってもよい。前記縦横比は１以上であってもよい。前記縦横比は２以上であってもよい。前記縦横比は３以上であってもよい。前記縦横比は１０以下であってもよい。前記縦横比は８以下であってもよい。このような場合、放熱ビア２２１は、さらに多くの熱を効果的に外部に伝達できるようにするのに役立ち得、放熱ビア２２１の形成時に、工程の利便性を改善することができる。
【0071】
パッケージング基板の下面１２で観察した放熱ビア２２１の縦横比は０．１以上であってもよい。前記縦横比は０．５以上であってもよい。前記縦横比は１以上であってもよい。前記縦横比は２以上であってもよい。前記縦横比は３以上であってもよい。前記縦横比は１０以下であってもよい。前記縦横比は８以下であってもよい。このような場合、パッケージング基板の下部でも放熱ビアが効率的に熱の伝達を受けることができ、さらに容易に放熱ビア２２１を形成することができる。
【0072】
パッケージング基板を前記パッケージング基板の上面に垂直な方向の断面で観察したとき、放熱ビアは、実質的に均一な幅を有することができる。放熱ビアが実質的に均一な幅を有するということは、放熱ビアの幅の最大値から前記幅の最小値を引いた値が、前記最大値の２０％以内であることを意味する。
【0073】
【0074】
パッケージング基板の上面１１で観察したとき、放熱ビア２２１は、キャビティ部２１から５０μｍ～１０００μｍ離隔して配置され得る。
【0075】
具現例は、放熱ビア２２１とキャビティ部２１との間の離隔距離ｄを調節することができる。このような放熱ビア２２１は、素子の駆動過程でコア基板が過熱することを効果的に抑制することができる。これと同時に、コア基板１０に放熱ビア２２１を形成する過程でコア基板１０、具体的にコア基板１０内のキャビティ部２１と放熱ビア２２１との間の部分にクラックが発生するのを抑制することができる。
【0076】
放熱ビア２２１とキャビティ部２１との離隔距離ｄを測定する方法は、次の通りである。パッケージング基板の上面１１で観察したとき、キャビティ部２１の外郭線ｌｃに位置する一点を第１点ｐ１、放熱ビアの外郭線ｌｔに位置する他の一点を第２点ｐ２とする。第１点ｐ１と第２点ｐ２との間の距離のうちの最小距離を、放熱ビア２２１とキャビティ部２１との間の離隔距離ｄとする。
【0077】
パッケージング基板の上面１１で観察したとき、放熱ビア２２１は、キャビティ部２１から１０００μｍ以下離隔して配置されてもよい。前記放熱ビア２２１は、キャビティ部２１から９００μｍ以下離隔して配置されてもよい。前記放熱ビア２２１は、キャビティ部２１から８００μｍ以下離隔して配置されてもよい。前記放熱ビア２２１は、キャビティ部２１から７００μｍ以下離隔して配置されてもよい。前記放熱ビア２２１は、キャビティ部２１から６００μｍ以下離隔して配置されてもよい。前記放熱ビア２２１は、キャビティ部２１から５０μｍ以上離隔して配置されてもよい。このようなパッケージング基板１００は、相対的に発熱量が高い能動素子の実装に適し得、優れた耐久性を示すことができる。
【0078】
パッケージング基板の下面１２で観察したとき、放熱ビア２２１は、キャビティ部２１から１０００μｍ以下離隔して配置されてもよい。前記放熱ビア２２１は、キャビティ部２１から９００μｍ以下離隔して配置されてもよい。前記放熱ビア２２１は、キャビティ部２１から８００μｍ以下離隔して配置されてもよい。前記放熱ビア２２１は、キャビティ部２１から７００μｍ以下離隔して配置されてもよい。前記放熱ビア２２１は、キャビティ部２１から６００μｍ以下離隔して配置されてもよい。前記放熱ビア２２１は、キャビティ部２１から５０μｍ以上離隔して配置されてもよい。このようなパッケージング基板１００の場合、基板の上下にさらに円滑な熱排出が可能でありながらも、基板内のクラックの発生を抑制することができる。
【0079】
図３Ａは、本明細書の他の実施例に係るパッケージング基板を説明する概念図である。図３Ｂは、本明細書の他の実施例に係るパッケージング基板を説明する概念図である。以下、図３Ａ及び図３Ｂを参照して具現例を説明する。
【0080】
パッケージング基板１００は、上面及び下面を有し、素子が収容される実装領域２０、及び前記実装領域２０が配置されたコア基板１０を含む。パッケージング基板１００の具体的な構成は、前記の図１Ａ及び図１Ｂで説明したものがそのまま適用される。以下で差がある部分を中心に説明する。
【0081】
パッケージング基板１００は、前記放熱ビア２２１を２つ以上含むことができる。複数の放熱ビア２２１は、キャビティ部の一側面２１１、及び前記側面２１１に対向して配置される他側面２１１を取り囲むように配置され得る（図３Ａ参照）。複数の放熱ビア２２１は、キャビティ部の４つの側面２１１を取り囲むように配置され得る（図３Ｂ参照）。
【0082】
前記放熱ビア２２１は、５０μｍ～１０００μｍの間隔ｐｉで配置され得る。
【0083】
放熱ビア２２１間の間隔が具現例で予め設定した範囲内に制御されたパッケージング基板１００は、素子の駆動過程で発生する熱を安定的に放出できる程度に十分な数の放熱ビア２２１を配置することができ、コア基板１０の加工過程で一つの放熱ビアと他の放熱ビアとの間の空間にクラックが発生することを抑制することができる。
【0084】
放熱ビア２２１の間隔とは、一つの放熱ビアと、前記一つの放熱ビアに最も近く配置された他の放熱ビアとの間の離隔距離を意味する。
【0085】
前記放熱ビア２２１は、５０μｍ～１０００μｍの間隔ｐｉで配置され得る。前記放熱ビアは、７０μｍ以上の間隔ｐｉで配置されてもよい。前記放熱ビアは、１００μｍ以上の間隔ｐｉで配置されてもよい。前記放熱ビアは、１５０μｍ以上の間隔ｐｉで配置されてもよい。前記放熱ビアは、２００μｍ以上の間隔ｐｉで配置されてもよい。前記放熱ビアは、９００μｍ以下の間隔ｐｉで配置されてもよい。前記放熱ビアは、８００μｍ以下の間隔ｐｉで配置されてもよい。前記放熱ビアは、７００μｍ以下の間隔ｐｉで配置されてもよい。前記放熱ビアは、６００μｍ以下の間隔ｐｉで配置されてもよい。このような場合、放熱特性に優れると共に、欠陥の発生が抑制されたパッケージング基板１００を提供することができる。
【0086】
具現例は、パッケージング基板の上面で観察したキャビティ部の面積に対する放熱ビア全体の面積の比率を調節することができる。前記比率が調節されたパッケージング基板の場合、素子の面積に応じて、複数の放熱ビアが外部に伝達できる熱の量が制御され得る。具体的に、相対的に面積が大きい能動素子が基板内に実装及び駆動されて相対的に多くの熱が発生しても、パッケージング基板の外部に円滑に排出することができる。
【0087】
前記パッケージング基板の上面で観察した前記キャビティ部の面積に対する前記放熱ビア全体の面積の比率は１～５０であり得る。前記比率は２以上であってもよい。前記比率は５以上であってもよい。前記比率は８以上であってもよい。前記比率は１０以上であってもよい。前記比率は１５以上であってもよい。前記比率は２０以上であってもよい。前記比率は４５以下であってもよい。前記比率は４０以下であってもよい。前記比率は３５以下であってもよい。前記比率は３０以下であってもよい。このような場合、駆動による発熱量が相対的に高い素子がパッケージング基板内に実装されても、パッケージング基板に過熱が発生することを効果的に抑制することができる。
【0088】
放熱ビア２２１は、コア基板１０の予め定められた領域を除去する方式で形成され得る。放熱ビア２２１は、コア基板１０を物理及び／又は化学的方法でエッチングして形成されたものであってもよい。
【0089】
具体的に、放熱ビア２２１の形成は、コア基板１０の表面にレーザーなどで欠陥を形成し、化学的にエッチングする方式、レーザーエッチングなどが適用されてもよい。但し、これに限定されない。
【0090】
パッケージング基板の上面１１で観察した放熱ビア２２１の面積、縦横比、放熱ビア２２１とキャビティ部２１との離隔距離ｄ、放熱ビア間の間隔ｐｉの値、及びキャビティ部の面積は、３次元測定機（Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅ Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ Ｍａｃｈｉｎｅ、ＣＭＭ）を通じて測定することができる。
【0091】
【0092】
パッケージング基板１００は、上面及び下面を有し、素子が収容される実装領域２０、及び前記実装領域２０が配置されたコア基板１０を含む。パッケージング基板１００の具体的な構成は、前記の図１Ａ及び図１Ｂで説明したものがそのまま適用される。以下で差がある部分を中心に説明する。
【0093】
放熱ビア２２１は、縦方向の直径及び横方向の直径を有することができる。
【0094】
具現例は、放熱ビア２２１に、コア基板の厚さ方向Ｄｔに縦方向の直径及び横方向の直径のうちの少なくともいずれか１つが変動される構造を適用すると同時に、放熱ビア２２１の縦／横方向の直径のうちの最小値を調節することができる。このような場合、放熱ビア２２１に含まれた熱伝導層は、コア基板１０と十分な付着力が形成されなくても、コア基板１０に強固に付着され得る。これに加えて、放熱ビア２２１の体積が適切に調節されることで、放熱ビア２２１が基板の外部にさらに多くの量の熱を伝達することができる。
【0095】
具体的に、パッケージング基板１００をパッケージング基板の上面１１に垂直な方向の断面で観察したとき、放熱ビア２２１は砂時計形状を有することができる。すなわち、放熱ビア２２１は、上／下部に比べて中心部が凹んだ形状を有することができる。
【0096】
前記放熱ビア２２１は、コア基板１０の上面及び下面のそれぞれの予め定められた領域を除去する方式で形成され得る。例示的に、コア基板１０の上面に位置する前記領域をレーザーで照射して欠陥を形成することができる。その後、コア基板１０を厚さ方向Ｄｔに予め設定した深さまで化学的にエッチングして、断面がテーパ形状を有する内部空間を形成することができる。前記内部空間は、コア基板１０を貫通しない構造を有することができる。
【0097】
その後、前記上面のエッチングされた領域に対向して位置する下面内の領域を同じ方法によりエッチングして、放熱ビア２２１の孔を形成することができる。完成した孔に熱伝導層を形成することができる。但し、前記放熱ビア２２１を形成する方法は、これに限定されない。
【0098】
前記放熱ビア２２１の断面の形状及び放熱ビア２２１の縦方向／横方向の直径は、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を通じて測定することができる。具体的に、放熱ビアの断面を観察できるようにパッケージング基板を割った後、割れたパッケージング基板の断面をＳＥＭを通じて測定することができる。
【0099】
このような放熱ビア２２１の縦方向の直径及び横方向の直径のうちの最小値は５０μｍ以上であってもよい。前記最小値は１００μｍ以上であってもよい。前記最小値は２００μｍ以上であってもよい。前記最小値は３００μｍ以上であってもよい。前記最小値は５００μｍ以上であってもよい。前記最小値は７００μｍ以上であってもよい。前記最小値は１０００μｍ以下であってもよい。このような場合、放熱特性に優れたパッケージング基板１００の長期耐久性をさらに向上させるのに寄与することができる。
【0100】
前記放熱ビア２２１は熱伝導層（図示せず）を含むことができる。熱伝導層は、放熱ビア２２１の孔空間の少なくとも一部に、フィラーを含むバインダー樹脂を充填するか、または前記孔空間をめっきして形成されてもよい。
【0101】
熱伝導層に金属素材が適用され得る。金属素材は、例示的に、銅、ニッケル、アルミニウム、金、及び銀のうちの少なくともいずれか１つが適用されてもよい。但し、熱伝導性を有する金属であれば、制限なしに熱伝導層に適用可能である。
【0102】
熱伝導層に、フィラーを含むバインダー樹脂が適用され得る。フィラーは、熱伝導性の高い素材が適用され得る。例示的に、バインダー樹脂はエポキシ樹脂が適用されてもよく、フィラーは金属フィラー及び炭素質フィラーが適用されてもよいが、これに限定されない。
【0103】
金属素材が適用された熱伝導層の熱伝導度は１００Ｗ／ｍＫ～１０００Ｗ／ｍＫであり得る。前記熱伝導度は２００Ｗ／ｍＫ以上であってもよい。前記熱伝導度は３００Ｗ／ｍＫ以上であってもよい。前記熱伝導度は８００Ｗ／ｍＫ以下であってもよい。
【0104】
フィラーを含むバインダー樹脂が適用された熱伝導層の熱伝導度は１Ｗ／ｍＫ～３０Ｗ／ｍＫであり得る。前記熱伝導度は３Ｗ／ｍＫ以上であってもよい。前記熱伝導度は５Ｗ／ｍＫ以上であってもよい。前記熱伝導度は２０Ｗ／ｍＫ以下であってもよい。前記熱伝導度は１０Ｗ／ｍＫ以下であってもよい。
【0105】
このような場合、第１放熱部２２が迅速な熱伝達を行うことができるようにするのに役立ち得る。
【0106】
熱伝導層の熱伝導度は、レーザーフラッシュ（Ｌａｓｅｒ－ｆｌａｓｈ）法を通じて測定することができる。
【0107】
具現例は、熱伝導層とコア基板１０との熱膨張係数の差値を制御して、パッケージング基板１００の長期信頼性を向上させることができる。具体的に、前記差値が制御されたパッケージング基板１００の場合、素子の駆動過程でコア基板１０と熱伝導層との熱膨張の不整合により形成され得る基板の内部応力を効果的に低減することができる。これを通じて、長期使用によるコア基板１０の疲労破壊を抑制することができる。
【0108】
熱伝導層とコア基板１０との熱膨張係数の差値は１０ｐｐｍ／℃以下であってもよい。前記差値は８ｐｐｍ／℃以下であってもよい。前記差値は０．５ｐｐｍ／℃以上であってもよい。このような場合、パッケージング基板１００の耐久性を長時間安定的に維持することができる。
【0109】
コア基板１０の熱膨張係数の値は５ｐｐｍ／℃～２０ｐｐｍ／℃であり得る。前記熱膨張係数の値は１５ｐｐｍ／℃以下であってもよい。前記熱膨張係数の値は１２ｐｐｍ／℃以下であってもよい。前記熱膨張係数の値は１０ｐｐｍ／℃以下であってもよい。
【0110】
熱伝導層の熱膨張係数の値は４ｐｐｍ／℃以上であってもよい。前記熱膨張係数の値は８ｐｐｍ／℃以上であってもよい。前記熱膨張係数の値は１２ｐｐｍ／℃以上であってもよい。前記熱膨張係数の値は３０ｐｐｍ／℃以下であってもよい。
【0111】
このような場合、素子の駆動過程でコア基板１０が過度に膨張することを抑制しながらも、コア基板１０と熱伝導層との熱膨張特性のミスマッチによる第１放熱部２２及びコア基板１０の信頼性の低下を効果的に抑制することができる。
【0112】
熱伝導層とコア基板１０の熱膨張係数は、熱機械的分析方法（Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ａｎａｌｙｓｉｓ）を用いてＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｙｌｚｅｒ）で測定することができる。例示的に、ＴＡインスツルメント社のＱ４００モデルのＴＭＡを通じて熱膨張係数を測定することができる。
【0113】
【0114】
パッケージング基板１００は、上面及び下面を有し、素子が収容される実装領域２０、及び前記実装領域２０が配置されたコア基板１０を含む。パッケージング基板１００の具体的な構成は、前記の図１Ａ及び図１Ｂで説明したものがそのまま適用される。以下で差がある部分を中心に説明する。
【0115】
実装領域２０は、キャビティ部２１の内側に形成され、キャビティ部の側面２１１に隣接して配置される第２放熱部３０を含むことができる。
【0116】
第２放熱部３０は、素子が駆動する際に、キャビティ部２１内で発生する熱をキャビティ部２１の外部に放出することを助け、パッケージング基板１００が過熱するのを効果的に抑制することができる。
【0117】
第２放熱部３０は、別途の放熱素材が適用され得、放熱特性を同時に有する金属層が適用され得る。第２放熱部３０として金属層が適用される場合、前記金属層は、外部に接地され得、別途の絶縁特性を有する素材内に埋め込まれた形態で配置され得る。
【0118】
第２放熱部３０に金属素材が適用され得る。金属素材は、例示的に、銅、ニッケル、アルミニウム、金、及び銀のうちの少なくともいずれか１つが適用されてもよい。但し、熱伝導性を有する金属であれば、制限なしに第２放熱部３０に適用可能である。
【0119】
第２放熱部３０に、フィラーを含むバインダー樹脂が適用され得る。フィラーは、熱伝導性の高い素材が適用され得る。例示的に、バインダー樹脂はエポキシ樹脂が適用されてもよく、フィラーは金属フィラー及び炭素質フィラーが適用されてもよいが、これに限定されない。
【0120】
第２放熱部３０の熱膨張係数の値は４ｐｐｍ／℃以上であってもよい。前記熱膨張係数の値は８ｐｐｍ／℃以上であってもよい。前記熱膨張係数の値は１２ｐｐｍ／℃以上であってもよい。前記熱膨張係数の値は３０ｐｐｍ／℃以下であってもよい。
【0121】
第２放熱部３０は、キャビティ部の側面２１１に接して配置され得る。但し、これに限定されず、第２放熱部３０がキャビティ部の側面２１１に接せずに、隣接して配置されてもよい。
【0122】
第２放熱部３０は、熱伝導層の素材と同一の素材が適用されてもよい。第２放熱部３０は、熱伝導層の素材と異なる素材が適用されてもよい。
【0123】
実装領域２０は、第２放熱部３０と放熱ビア２２１を熱的に接続する熱伝導性部材を含むことができる。熱伝導性部材は、第２放熱部３０から伝達された熱を放熱ビア２２１に伝達し、パッケージング基板１００の迅速な放熱を助けることができる。
【0124】
熱伝導性部材は、配線の形態を有することができる。但し、熱伝導性部材の形状は、第２放熱部３０から伝達される熱を放熱ビア２２１に伝達できる構造であれば、制限されない。
【0125】
熱伝導性部材は、熱伝導層と同一の素材が適用されてもよい。熱伝導性部材の素材についての説明は、前述の内容と重複するので省略する。
【0126】
熱伝導性部材に金属素材が適用される場合、熱伝導性部材は、接地体と電気的に接続された構造を有することができる。
【0127】
【0128】
パッケージング基板１００は、素子が収容される実装領域２０、及び前記実装領域２０が配置されたコア基板１０を含む。パッケージング基板１００の具体的な構成は、前記の図１Ａ及び図１Ｂで説明したものがそのまま適用される。以下で差がある部分を中心に説明する。
【0129】
パッケージング基板１００は、キャビティ部２１内に配置された素子４０を含むことができる。素子４０は、ＣＰＵ、ＧＰＵ、メモリチップなどの半導体素子だけでなく、キャパシタ素子、トランジスタ素子、インピーダンス素子、その他のモジュールなどが適用されてもよい。すなわち、半導体装置に実装される半導体素子であれば、制限なしに前記素子４０として適用可能である。
【0130】
パッケージング基板１００は、素子４０が絶縁層５０によって埋め込まれた構造を有することができる。絶縁層５０は、素子４０の上面及び側面を取り囲む構造を有することができる。
【0131】
素子４０の上面上に配置された絶縁層５０は電気伝導性層５５を含むことができる。電気伝導性層５５は、コア基板１０上に配置される再配線層６０と素子４０とを電気的に接続する機能を有することができる。
【0132】
絶縁層５０は、次のような方法により形成することができる。素子４０をキャビティ部２１内に載置することができる。素子４０をキャビティ部２１に載置する際に、素子４０の固定のために、素子４０の下面に接着フィルムを接着することができる。その後、素子４０が載置されたキャビティ部２１上に絶縁層用樹脂フィルムを積層し、前記樹脂フィルムを加熱加圧して、素子４０の上部に絶縁層５０を形成することができる。
【0133】
パッケージング基板１００は、コア基板１０上に配置された再配線層６０を含むことができる。再配線層６０は、絶縁層（図示せず）、及び前記絶縁層内に配置される電気伝導性層（図示せず）を含むことができる。
【0134】
再配線層６０において、絶縁層と電気伝導性層が混在して配置され得る。再配線層６０は、予め定められた位置及び形態を有する電気伝導性層が絶縁層内に埋め込まれた形態で形成されてもよい。再配線層６０の少なくとも一部に電気伝導性層が細線で形成されてもよい。再配線層６０は、素子４０と電気的に接続され得る。
【0135】
再配線層６０は、絶縁層と電気伝導性層を反復的に形成し、除去する過程により形成され得る。
【0136】
絶縁層は、例示的に、味の素社のＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）のようなビルドアップレイヤ材料、アンダーコート材料などを通じて形成されてもよいが、これに限定されるものではない。
【0137】
電気伝導性層は電気伝導性物質を含むことができる。例示的に、電気伝導性層は、銅、ニッケル、アルミニウム、金、及び銀のうちの少なくともいずれか１つを含むことができる。
【0138】
パッケージング基板１００は、コア基板１０の下に配置された再配線層６０及び／又はバンプ７０をさらに含むことができる。
【0139】
コア基板１０の下に配置された再配線層６０についての説明は、前述の内容と重複するので省略する。
【0140】
コア基板１０上に配置された再配線層６０とコア基板１０の下に配置された再配線層６０は、予め定められた配置図に従ってコア基板１０を貫通する電気伝導性層（図示せず）などによって電気的に互いに接続され得る。
【0141】
バンプ７０は、コア基板１０の下に配置され得る。例示的に、バンプ７０は、メインボードなどと接するようにパッケージング基板１００の下部に配置されてもよい。
【0142】
半導体パッケージ
本明細書の他の実施例に係る半導体パッケージは、パッケージング基板１００、及び前記パッケージング基板１００と電気的に接続されるメインボード（図示せず）を含む。
本明細書の他の実施例に係る半導体パッケージは、パッケージング基板１００、及び前記パッケージング基板１００と電気的に接続されるメインボード（図示せず）を含む。
【0143】
パッケージング基板１００は、メインボードに実装されてメインボードと電気的に接続され得る。
【0144】
メインボードは、半導体装置の分野で通常適用されるものであれば、制限されない。
【0145】
パッケージング基板１００についての説明は、前述の内容と重複するので省略する。
【0146】
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲は、これに限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【0147】
１００ パッケージング基板
１０ コア基板
１１ パッケージング基板の上面
１２ パッケージング基板の下面
２０ 実装領域
２１ キャビティ部
２１１ キャビティ部の側面
２２ 第１放熱部
２２１ 放熱ビア
３０ 第２放熱部
４０ 素子
５０ 絶縁層
５５ 電気伝導性層
６０ 再配線層
７０ バンプ
ｄ 放熱ビアとキャビティ部との離隔距離
ｐ１ 第１点
ｐ２ 第２点
ｌｃ キャビティ部の外郭線
ｌｔ 放熱ビアの外郭線
ｐｉ 放熱ビア間の間隔
Ｄｔ コア基板の厚さ方向
１０ コア基板
１１ パッケージング基板の上面
１２ パッケージング基板の下面
２０ 実装領域
２１ キャビティ部
２１１ キャビティ部の側面
２２ 第１放熱部
２２１ 放熱ビア
３０ 第２放熱部
４０ 素子
５０ 絶縁層
５５ 電気伝導性層
６０ 再配線層
７０ バンプ
ｄ 放熱ビアとキャビティ部との離隔距離
ｐ１ 第１点
ｐ２ 第２点
ｌｃ キャビティ部の外郭線
ｌｔ 放熱ビアの外郭線
ｐｉ 放熱ビア間の間隔
Ｄｔ コア基板の厚さ方向
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【外国語明細書】