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特開2024-75805太陽電池パネルの製造方法、半導体製造装置、及び光電変換基板の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024075805
(43)【公開日】2024-06-05
(54)【発明の名称】太陽電池パネルの製造方法、半導体製造装置、及び光電変換基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 31/0463 20140101AFI20240529BHJP
H01L 31/0224 20060101ALI20240529BHJP
【ＦＩ】
H01L31/04 532A
H01L31/04 260
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021057488
(22)【出願日】2021-03-30
(71)【出願人】
【識別番号】000000941
【氏名又は名称】株式会社カネカ
(74)【代理人】
【識別番号】100100480
【弁理士】
【氏名又は名称】藤田 隆
(72)【発明者】
【氏名】藤原 雅宏
【テーマコード（参考）】
5F151
5F251
【Ｆターム（参考）】
5F151AA02
5F151AA03
5F151BA14
5F151CB27
5F151DA07
5F151DA10
5F151FA02
5F151FA04
5F151FA06
5F151FA15
5F151FA18
5F151GA04
5F151HA03
5F251AA02
5F251AA03
5F251BA14
5F251CB27
5F251DA07
5F251DA10
5F251FA02
5F251FA04
5F251FA06
5F251FA15
5F251FA18
5F251GA04
5F251HA03
(57)【要約】 （修正有）
【課題】強アルカリや強酸等のエッチング液を使用せずとも透明電極層のパターニングができる太陽電池パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換基板上に所定の形状にパターニングされた電極用レジスト層２２を形成する電極用レジスト層形成工程と、光電変換基板と電極用レジスト層２２に跨がって透明電極層２３を形成する透明電極層形成工程と、電極加熱温度以上に加熱し、電極用レジスト層２２の性状を変化させて光電変換基板から電極用レジスト層２２上の透明電極層２３を剥離する電極剥離工程を含む方法とする。
【選択図】図６
【解決手段】光電変換基板上に所定の形状にパターニングされた電極用レジスト層２２を形成する電極用レジスト層形成工程と、光電変換基板と電極用レジスト層２２に跨がって透明電極層２３を形成する透明電極層形成工程と、電極加熱温度以上に加熱し、電極用レジスト層２２の性状を変化させて光電変換基板から電極用レジスト層２２上の透明電極層２３を剥離する電極剥離工程を含む方法とする。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光電変換基板上に透明電極層が積層された太陽電池パネルの製造方法であって、
光電変換基板上に所定の形状にパターニングされた電極用レジスト層を形成する電極用レジスト層形成工程と、
前記光電変換基板と前記電極用レジスト層に跨がって前記透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、
第１加熱温度以上に加熱し、前記電極用レジスト層の性状を変化させて前記光電変換基板から前記電極用レジスト層上の透明電極層を剥離する電極剥離工程を含む、太陽電池パネルの製造方法。
光電変換基板上に所定の形状にパターニングされた電極用レジスト層を形成する電極用レジスト層形成工程と、
前記光電変換基板と前記電極用レジスト層に跨がって前記透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、
第１加熱温度以上に加熱し、前記電極用レジスト層の性状を変化させて前記光電変換基板から前記電極用レジスト層上の透明電極層を剥離する電極剥離工程を含む、太陽電池パネルの製造方法。
【請求項2】
前記電極用レジスト層は、前記第１加熱温度以上において、以下の（１）又は（２）の特性を有する、請求項１に記載の太陽電池パネルの製造方法。
（１）固体から液体又は気体に変化する。
（２）前記光電変換基板に対する剥離強度が１／１０以下になる。
（１）固体から液体又は気体に変化する。
（２）前記光電変換基板に対する剥離強度が１／１０以下になる。
【請求項3】
前記太陽電池パネルは、前記光電変換基板の裏側主面側に第１電極層と第２電極層が形成されたものであり、
前記第１電極層と前記第２電極層は、前記透明電極層を含み、
前記電極剥離工程において前記第１電極層の透明電極層と前記第２電極層の透明電極層とに分割する、請求項１又は２に記載の太陽電池パネルの製造方法。
前記第１電極層と前記第２電極層は、前記透明電極層を含み、
前記電極剥離工程において前記第１電極層の透明電極層と前記第２電極層の透明電極層とに分割する、請求項１又は２に記載の太陽電池パネルの製造方法。
【請求項4】
前記光電変換基板は、半導体基板の第１主面側に第１導電型半導体層と第２導電型半導体層が隣接して形成されており、
前記電極用レジスト層形成工程において、前記第１導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層に跨って前記電極用レジスト層を形成する、請求項１～３のいずれか１項に記載の太陽電池パネルの製造方法。
前記電極用レジスト層形成工程において、前記第１導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層に跨って前記電極用レジスト層を形成する、請求項１～３のいずれか１項に記載の太陽電池パネルの製造方法。
【請求項5】
前記透明電極層は、タングステンドープ酸化インジウムを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の太陽電池パネルの製造方法。
【請求項6】
前記光電変換基板は、半導体基板の第１主面上に第１真性半導体層及び第１導電型半導体層が形成された断面構造と、前記半導体基板の前記第１主面上に第２真性半導体層及び第２導電型半導体層が形成された断面構造を有するものであり、
前記半導体基板上に第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、
前記第１真性半導体層上に第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、
前記第１導電型半導体層上に第１半導体用レジスト層を形成する第１半導体用レジスト層形成工程と、
前記半導体基板上から前記第１半導体用レジスト層上に跨って第２真性半導体層を形成する第２真性半導体層形成工程と、
前記第２真性半導体層上に第２導電型半導体層を形成する第２導電型半導体層形成工程と、
第２加熱温度以上に加熱し、前記第１半導体用レジスト層の性状を変化させて前記第１導電型半導体層から前記第１半導体用レジスト層上の前記第２真性半導体層及び前記第２導電型半導体層を剥離する第１剥離工程を含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の太陽電池パネルの製造方法。
前記半導体基板上に第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、
前記第１真性半導体層上に第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、
前記第１導電型半導体層上に第１半導体用レジスト層を形成する第１半導体用レジスト層形成工程と、
前記半導体基板上から前記第１半導体用レジスト層上に跨って第２真性半導体層を形成する第２真性半導体層形成工程と、
前記第２真性半導体層上に第２導電型半導体層を形成する第２導電型半導体層形成工程と、
第２加熱温度以上に加熱し、前記第１半導体用レジスト層の性状を変化させて前記第１導電型半導体層から前記第１半導体用レジスト層上の前記第２真性半導体層及び前記第２導電型半導体層を剥離する第１剥離工程を含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の太陽電池パネルの製造方法。
【請求項7】
前記半導体基板上に第２半導体用レジスト層を形成する第２半導体用レジスト層形成工程と、
前記半導体基板上から前記第２半導体用レジスト層上に跨って第１真性半導体層を形成する前記第１真性半導体層形成工程と、
第３加熱温度以上に加熱し、前記第２半導体用レジスト層の性状を変化させて前記半導体基板から前記第２半導体用レジスト層上の前記第１真性半導体層及び前記第１導電型半導体層を剥離する第２剥離工程を含む、請求項６に記載の太陽電池パネルの製造方法。
前記半導体基板上から前記第２半導体用レジスト層上に跨って第１真性半導体層を形成する前記第１真性半導体層形成工程と、
第３加熱温度以上に加熱し、前記第２半導体用レジスト層の性状を変化させて前記半導体基板から前記第２半導体用レジスト層上の前記第１真性半導体層及び前記第１導電型半導体層を剥離する第２剥離工程を含む、請求項６に記載の太陽電池パネルの製造方法。
【請求項8】
所定の加熱温度で固体から液体又は気体に変化するレジスト層を使用して、半導体基板上に半導体層を形成する半導体製造装置であって、
前記半導体基板上に所定のパターンのレジスト層を形成するレジスト層形成部と、
前記半導体基板上から前記レジスト層に跨がって半導体層を製膜する半導体層形成部と、
前記所定の加熱温度以上に加熱し、前記レジスト層を液体又は気体に変化させる加熱剥離部を備える、半導体製造装置。
前記半導体基板上に所定のパターンのレジスト層を形成するレジスト層形成部と、
前記半導体基板上から前記レジスト層に跨がって半導体層を製膜する半導体層形成部と、
前記所定の加熱温度以上に加熱し、前記レジスト層を液体又は気体に変化させる加熱剥離部を備える、半導体製造装置。
【請求項9】
半導体基板の第１主面上に第１真性半導体層及び第１導電型半導体層が形成された断面構造と、前記半導体基板の前記第１主面上に第２真性半導体層及び第２導電型半導体層が形成された断面構造を有する光電変換基板の製造方法であって、
前記半導体基板上に第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、
前記第１真性半導体層上に第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、
前記第１導電型半導体層上に第１半導体用レジスト層を形成する第１半導体用レジスト層形成工程と、
前記半導体基板上から前記第１半導体用レジスト層上に跨って第２真性半導体層を形成する第２真性半導体層形成工程と、
前記第２真性半導体層上に第２導電型半導体層を形成する第２導電型半導体層形成工程と、
第２加熱温度以上に加熱し、前記第１半導体用レジスト層の性状を変化させて前記第１導電型半導体層から前記第１半導体用レジスト層上の前記第２真性半導体層及び前記第２導電型半導体層を剥離する第１剥離工程を含む、光電変換基板の製造方法。
前記半導体基板上に第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、
前記第１真性半導体層上に第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、
前記第１導電型半導体層上に第１半導体用レジスト層を形成する第１半導体用レジスト層形成工程と、
前記半導体基板上から前記第１半導体用レジスト層上に跨って第２真性半導体層を形成する第２真性半導体層形成工程と、
前記第２真性半導体層上に第２導電型半導体層を形成する第２導電型半導体層形成工程と、
第２加熱温度以上に加熱し、前記第１半導体用レジスト層の性状を変化させて前記第１導電型半導体層から前記第１半導体用レジスト層上の前記第２真性半導体層及び前記第２導電型半導体層を剥離する第１剥離工程を含む、光電変換基板の製造方法。
【請求項10】
半導体基板の第１主面上に第１真性半導体層及び第１導電型半導体層が形成された断面構造と、前記半導体基板の前記第１主面上に第２真性半導体層及び第２導電型半導体層が形成された断面構造を有する光電変換基板の製造方法であって、
前記半導体基板上に第２半導体用レジスト層を形成する第２半導体用レジスト層形成工程と、
前記半導体基板上から前記第２半導体用レジスト層上に跨って第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、
前記第１真性半導体層上に前記第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、
第３加熱温度以上に加熱し、前記第２半導体用レジスト層の性状を変化させて前記半導体基板から前記第２半導体用レジスト層上の前記第１真性半導体層及び前記第１導電型半導体層を剥離する第２剥離工程を含む、光電変換基板の製造方法。
前記半導体基板上に第２半導体用レジスト層を形成する第２半導体用レジスト層形成工程と、
前記半導体基板上から前記第２半導体用レジスト層上に跨って第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、
前記第１真性半導体層上に前記第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、
第３加熱温度以上に加熱し、前記第２半導体用レジスト層の性状を変化させて前記半導体基板から前記第２半導体用レジスト層上の前記第１真性半導体層及び前記第１導電型半導体層を剥離する第２剥離工程を含む、光電変換基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、太陽電池パネルの製造方法、半導体製造装置、及び光電変換基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、光電変換基板の裏面側に第１電極層と第１電極層に対して対極となる第２電極層が形成されたバックコンタクト型の太陽電池が知られている（例えば、特許文献１）。
特許文献１の太陽電池は、半導体基板の裏面側の第１領域に真性半導体層及びｐ型半導体層が順に積層され、半導体基板の裏面側の第２領域に真性半導体層及びｎ型半導体層が順に積層された光電変換基板を有している。
特許文献１の太陽電池は、光電変換基板の受光面側に真性半導体層と光学調整層が順に積層され、光電変換基板のｐ型半導体層上に透明電極層と金属電極層で構成される第１電極層が積層され、ｎ型半導体層上に透明電極層と金属電極層で構成される第２電極層が積層されている。
特許文献１の太陽電池は、裏面側にのみ電極層が形成されているため、両面に電極層が形成される両面電極型の太陽電池に比べて受光率を大きくできる。
特許文献１の太陽電池は、半導体基板の裏面側の第１領域に真性半導体層及びｐ型半導体層が順に積層され、半導体基板の裏面側の第２領域に真性半導体層及びｎ型半導体層が順に積層された光電変換基板を有している。
特許文献１の太陽電池は、光電変換基板の受光面側に真性半導体層と光学調整層が順に積層され、光電変換基板のｐ型半導体層上に透明電極層と金属電極層で構成される第１電極層が積層され、ｎ型半導体層上に透明電極層と金属電極層で構成される第２電極層が積層されている。
特許文献１の太陽電池は、裏面側にのみ電極層が形成されているため、両面に電極層が形成される両面電極型の太陽電池に比べて受光率を大きくできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－１５５７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、特許文献１の太陽電池は、スパッタリング法により、半導体基板の裏面側の全面に透明電極層材料膜を製膜し、透明電極層材料膜上にエッチングペーストを塗布してレジスト層を形成する。その後、エッチング液たる塩酸によって透明電極層材料膜のレジスト層からの露出部分を除去し、レジスト層を剥離することで透明電極層をパターニングする。そして、パターン印刷法又は塗布法によって透明電極層上に銀によって構成される金属電極層を形成し、第１電極層および第２電極層を形成している。
すなわち、特許文献１の太陽電池は、透明電極層のパターニングの際に塩酸に浸すので、金属電極層として銀を使用する場合、金属電極層を形成した後に透明電極層のパターニングを行うと、金属電極層の銀成分が塩化銀となり、導電性が低下する。そのため、透明電極層のパターニング後に金属電極層を形成する必要があり、製造工程が複雑になる問題がある。
また、特許文献１の太陽電池は、透明電極層のパターニングの際に塩酸等のエッチング液に浸すと、エッチング液により他の半導体基板や半導体層に影響を与えるおそれもある。そのため、エッチング液に浸さずとも透明電極層のパターニングできる方法の開発が望まれていた。
すなわち、特許文献１の太陽電池は、透明電極層のパターニングの際に塩酸に浸すので、金属電極層として銀を使用する場合、金属電極層を形成した後に透明電極層のパターニングを行うと、金属電極層の銀成分が塩化銀となり、導電性が低下する。そのため、透明電極層のパターニング後に金属電極層を形成する必要があり、製造工程が複雑になる問題がある。
また、特許文献１の太陽電池は、透明電極層のパターニングの際に塩酸等のエッチング液に浸すと、エッチング液により他の半導体基板や半導体層に影響を与えるおそれもある。そのため、エッチング液に浸さずとも透明電極層のパターニングできる方法の開発が望まれていた。
【0005】
また、特許文献１の太陽電池は、第２領域における真性半導体層及びｐ型半導体層のパターニングの際に、所定の形状にパターニングした保護層をｐ型半導体層上に形成し、オゾンをフッ酸に溶解させた混合溶液等のエッチング液によって真性半導体層及びｐ型半導体層をパターニングし、保護層をアルカリ溶液で除去している。すなわち、特許文献１の太陽電池は、真性半導体層及びｐ型半導体層のパターニングに際して、強酸で半導体層を除去し、強アルカリによって保護層を除去する。そのため、環境や人体に影響が高い材料を使用する必要があり、エッチング液に使用せずとも半導体層のパターニングできる方法の開発が望まれていた。
【0006】
そこで、本発明は、強アルカリや強酸等のエッチング液を使用せずとも透明電極層のパターニングができる太陽電池パネルの製造方法、半導体層のパターニングを効率的に行うことができる半導体製造装置、及び強アルカリや強酸等のエッチング液を使用せずとも半導体層のパターニングができる光電変換基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記した課題を解決するための本発明の一つの様相は、光電変換基板上に透明電極層が積層された太陽電池パネルの製造方法であって、光電変換基板上に所定の形状にパターニングされた電極用レジスト層を形成する電極用レジスト層形成工程と、前記光電変換基板と前記電極用レジスト層に跨がって前記透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、第１加熱温度以上に加熱し、前記電極用レジスト層の性状を変化させて前記光電変換基板から前記電極用レジスト層上の透明電極層を剥離する電極剥離工程を含む、太陽電池パネルの製造方法である。
【0008】
本様相によれば、第１加熱温度以上に加熱して電極用レジスト層の性状を変化させて光電変換基板から電極用レジスト層をその外側に形成された透明電極層ごと剥離するので、エッチング液を使用せずとも透明電極層のパターニングができる。
【0009】
好ましい様相は、前記電極用レジスト層は、前記第１加熱温度以上において、以下の（１）又は（２）の特性を有することである。
（１）固体から液体又は気体に変化する。
（２）前記光電変換基板に対する剥離強度が１／１０以下になる。
（１）固体から液体又は気体に変化する。
（２）前記光電変換基板に対する剥離強度が１／１０以下になる。
【0010】
本様相によれば、電極用レジスト層が（１）の特性を有する場合には、固体形状を維持できないので光電変換基板上から剥離しやすく、電極用レジスト層が（２）の特性を有する場合には、ブロアー等による外力によって簡単に光電変換基板から剥離しやすい。
【0011】
好ましい様相は、前記太陽電池パネルは、前記光電変換基板の裏側主面側に第１電極層と第２電極層が形成されたものであり、前記第１電極層と前記第２電極層は、前記透明電極層を含み、前記電極剥離工程において前記第１電極層の透明電極層と前記第２電極層の透明電極層とに分割することである。
【0012】
本様相によれば、バックコンタクト型太陽電池パネルのように電極層が同一の主面側に形成された太陽電池パネルにおいて、簡単に透明電極層を分離でき、透明電極層同士が接触することによる短絡を防止できる。
【0013】
好ましい様相は、前記光電変換基板は、半導体基板の第１主面側に第１導電型半導体層と第２導電型半導体層が隣接して形成されており、前記電極用レジスト層形成工程において、前記第１導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層に跨って前記電極用レジスト層を形成することである。
【0014】
本様相によれば、より透明電極層同士の接触による短絡を防止できる。
【0015】
ところで、透明電極層を構成する材料としてタングステンドープ酸化インジウム（以下、ＩＷＯともいう）が知られている。タングステンドープ酸化インジウムは、従来の酸化インジウム錫（以下、ＩＴＯともいう）に比べて高いホール移動度を有するため、ＩＴＯに代わる電極材料として期待されている。
しかしながら、ＩＷＯは、塩酸等のエッチング液では溶解せず、通常のウェットエッチングではエッチングできない問題がある。すなわち、ＩＷＯは、ＩＴＯとは異なり、通常のウェットエッチングではパターニングできない問題がある。
しかしながら、ＩＷＯは、塩酸等のエッチング液では溶解せず、通常のウェットエッチングではエッチングできない問題がある。すなわち、ＩＷＯは、ＩＴＯとは異なり、通常のウェットエッチングではパターニングできない問題がある。
【0016】
好ましい様相は、前記透明電極層は、タングステンドープ酸化インジウムを含むことである。
【0017】
本様相によれば、加熱により電極用レジスト層の性状を変化させて透明電極層をパターニングするため、透明電極層としてタングステンドープ酸化インジウムを使用してもパターニングが可能である。
【0018】
好ましい様相は、前記光電変換基板は、半導体基板の第１主面上に第１真性半導体層及び第１導電型半導体層が形成された断面構造と、前記半導体基板の前記第１主面上に第２真性半導体層及び第２導電型半導体層が形成された断面構造を有するものであり、前記半導体基板上に第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、前記第１真性半導体層上に第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、前記第１導電型半導体層上に第１半導体用レジスト層を形成する第１半導体用レジスト層形成工程と、前記半導体基板上から前記第１半導体用レジスト層上に跨って第２真性半導体層を形成する第２真性半導体層形成工程と、前記第２真性半導体層上に第２導電型半導体層を形成する第２導電型半導体層形成工程と、第２加熱温度以上に加熱し、前記第１半導体用レジスト層の性状を変化させて前記第１導電型半導体層から前記第１半導体用レジスト層上の前記第２真性半導体層及び前記第２導電型半導体層を剥離する第１剥離工程を含むことである。
【0019】
本様相によれば、第２真性半導体層及び第２導電型半導体層の部分的な除去を加熱によって行えるので、エッチング液を使用せずとも第２真性半導体層及び第２導電型半導体層のパターニングができる。
【0020】
より好ましい様相は、前記半導体基板上に第２半導体用レジスト層を形成する第２半導体用レジスト層形成工程と、前記半導体基板上から前記第２半導体用レジスト層上に跨って第１真性半導体層を形成する前記第１真性半導体層形成工程と、第３加熱温度以上に加熱し、前記第２半導体用レジスト層の性状を変化させて前記半導体基板から前記第２半導体用レジスト層上の前記第１真性半導体層及び前記第１導電型半導体層を剥離する第２剥離工程を含むことである。
【0021】
本様相によれば、第１真性半導体層及び第１導電型半導体層の部分的な除去を加熱によって行えるので、エッチング液を使用せずとも第１真性半導体層及び第１導電型半導体層のパターニングができる。
【0022】
本発明の一つの様相は、所定の加熱温度で固体から液体又は気体に変化するレジスト層を使用して、半導体基板上に半導体層を形成する半導体製造装置であって、前記半導体基板上に所定のパターンのレジスト層を形成するレジスト層形成部と、前記半導体基板上から前記レジスト層に跨がって半導体層を製膜する半導体層形成部と、前記所定の加熱温度以上に加熱し、前記レジスト層を液体又は気体に変化させる加熱剥離部を備える、半導体製造装置である。
【0023】
本様相によれば、効率的に電極用レジスト層を加熱して剥離できる。
【0024】
本発明の一つの様相は、半導体基板の第１主面上に第１真性半導体層及び第１導電型半導体層が形成された断面構造と、前記半導体基板の前記第１主面上に第２真性半導体層及び第２導電型半導体層が形成された断面構造を有する光電変換基板の製造方法であって、前記半導体基板上に第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、前記第１真性半導体層上に第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、前記第１導電型半導体層上に第１半導体用レジスト層を形成する第１半導体用レジスト層形成工程と、前記半導体基板上から前記第１半導体用レジスト層上に跨って第２真性半導体層を形成する第２真性半導体層形成工程と、前記第２真性半導体層上に第２導電型半導体層を形成する第２導電型半導体層形成工程と、第２加熱温度以上に加熱し、前記第１半導体用レジスト層の性状を変化させて前記第１導電型半導体層から前記第１半導体用レジスト層上の前記第２真性半導体層及び前記第２導電型半導体層を剥離する第１剥離工程を含む、光電変換基板の製造方法である。
【0025】
本様相によれば、第２真性半導体層及び第２導電型半導体層の第１導電型半導体層上からの除去を加熱によって行えるので、エッチング液を使用せずとも第２真性半導体層及び第２導電型半導体層のパターニングができる。
【0026】
本発明の一つの様相は、半導体基板の第１主面上に第１真性半導体層及び第１導電型半導体層が形成された断面構造と、前記半導体基板の前記第１主面上に第２真性半導体層及び第２導電型半導体層が形成された断面構造を有する光電変換基板の製造方法であって、前記半導体基板上に第２半導体用レジスト層を形成する第２半導体用レジスト層形成工程と、前記半導体基板上から前記第２半導体用レジスト層上に跨って第１真性半導体層を形成する第１真性半導体層形成工程と、前記第１真性半導体層上に前記第１導電型半導体層を形成する第１導電型半導体層形成工程と、第２加熱温度以上に加熱し、前記第２半導体用レジスト層の性状を変化させて前記半導体基板から前記第２半導体用レジスト層上の前記第１真性半導体層及び前記第１導電型半導体層を剥離する第２剥離工程を含む、光電変換基板の製造方法である。
【0027】
本様相によれば、第１真性半導体層及び第１導電型半導体層の半導体基板上からの除去を加熱によって行えるので、エッチング液を使用せずとも第１真性半導体層及び第１導電型半導体層のパターニングができる。
【発明の効果】
【0028】
本発明の太陽電池パネルの製造方法によれば、強アルカリや強酸等のエッチング液を使用せずとも透明電極層のパターニングすることができる。
本発明の半導体製造装置によれば、半導体層のパターニングを効率的に行うことができる。
本発明の光電変換基板の製造方法によれば、強アルカリや強酸等のエッチング液を使用せずとも半導体層のパターニングができる。
本発明の半導体製造装置によれば、半導体層のパターニングを効率的に行うことができる。
本発明の光電変換基板の製造方法によれば、強アルカリや強酸等のエッチング液を使用せずとも半導体層のパターニングができる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】本発明の第１実施形態の太陽電池パネルの説明図であり、（ａ）は光電変換基板と電極層の関係を表す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の光電変換基板を詳細に表した断面図である。なお、理解を容易にするために（ａ），（ｂ）のいずれにおいても透明電極層と金属電極層のみをハッチングで示し、残りはハッチングを省略している。
【図2】本発明の第１実施形態で使用される半導体製造装置を概念的に示したブロック図である。
【図3】図１の太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は第１製膜部で製膜した後の基板の断面図であり、（ｂ）は第１レジスト層形成部で第１レジスト層を形成した後の基板の断面図であり、（ｃ）は第２製膜部で製膜した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために各工程で形成された層のみハッチングで示し、第１レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。
【図4】図３（ｃ）に続く太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は第１加熱剥離部で第１レジスト層を剥離した後の基板の断面図であり、（ｂ）は第２レジスト層形成部で第２レジスト層を形成した後の基板の断面図であり、（ｃ）は第３製膜部で製膜した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために各工程で形成された層のみハッチングで示し、第２レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。
【図5】図４（ｃ）に続く太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は第１加熱剥離部で第２レジスト層を剥離した後の基板の断面図であり、（ｂ）は第２レジスト層形成部で電極用レジスト層を形成した後の基板の断面図であり、（ｃ）は透明電極層形成部で製膜した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために各工程で形成された層のみハッチングで示し、電極用レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。
【図6】図５（ｃ）に続く太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は透明電極層形成部で製膜した後の基板の断面図であり、（ｂ）は加熱剥離部で電極用レジスト層を剥離した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために各工程で形成された層のみハッチングで示し、電極用レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。
【図7】本発明の第２実施形態の太陽電池パネルの説明図であり、（ａ）は光電変換基板と電極層の関係を表す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の光電変換基板を詳細に表した断面図である。なお、理解を容易にするために（ａ），（ｂ）のいずれにおいてもハッチングを省略している。
【図8】本発明の第２実施形態で使用される半導体製造装置を概念的に示したブロック図である。
【図9】図７の太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）はレジスト層形成部でレジスト層を形成した後の基板の断面図であり、（ｂ）は第２製膜部で製膜した後の基板の断面図であり、（ｃ）は第３製膜部で製膜した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために各工程で形成された層のみハッチングで示し、レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。
【図10】図９（ｃ）に続く太陽電池パネルの製造工程の説明図であり、（ａ）は透明電極層形成部で製膜した後の基板の断面図であり、（ｂ）は金属電極層形成部で製膜した後の基板の断面図であり、（ｃ）は加熱剥離部でレジスト層を剥離した後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために各工程で形成された層のみハッチングで示し、レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。
【図11】本発明の他の実施形態の太陽電池パネルの説明図であり、（ａ）は金属電極層形成工程後の基板の断面図であり、（ｂ）は電極剥離工程後の基板の断面図である。なお、理解を容易にするために各工程で形成された層のみハッチングで示し、第２レジスト層を黒塗りで示し、残りの層はハッチングを省略する。
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【0031】
本発明の第１実施形態の太陽電池パネル１は、図１（ａ）のように、光電変換基板２の裏側主面５７側に第１電極層３と第２電極層５が形成されたバックコンタクト型の太陽電池パネルである。
太陽電池パネル１は、第１電極層３と第２電極層５が隣接して設けられており、第１電極層３と第２電極層５との境界部分に短絡防止溝７，８を備えている。
太陽電池パネル１は、第１電極層３と第２電極層５が隣接して設けられており、第１電極層３と第２電極層５との境界部分に短絡防止溝７，８を備えている。
【0032】
光電変換基板２は、ＰＮ接合を有し、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換部である。
光電変換基板２は、図１（ｂ）のように、半導体基板１０の第１主面３０側に半導体層１６，２０，１７，２１を備え、半導体基板１０の第２主面３１側に受光側半導体層１１と反射防止層１２を備えた多層基板である。
光電変換基板２は、図１（ｂ）のように、半導体基板１０の第１主面３０側に半導体層１６，２０，１７，２１を備え、半導体基板１０の第２主面３１側に受光側半導体層１１と反射防止層１２を備えた多層基板である。
【0033】
光電変換基板２は、半導体基板１０の第１主面３０上に第１真性半導体層１６、第１導電型半導体層１７がこの順に積層された断面構造を有する第１領域３５と、半導体基板１０の第１主面３０上に第２真性半導体層２０、第２導電型半導体層２１がこの順に積層された断面構造を有する第２領域３６を備えている。
光電変換基板２は、第２主面３１上に受光側半導体層１１と反射防止層１２をこの順に備えており、反射防止層１２が太陽電池パネル１の受光側主面５６を構成している。
光電変換基板２は、第２主面３１上に受光側半導体層１１と反射防止層１２をこの順に備えており、反射防止層１２が太陽電池パネル１の受光側主面５６を構成している。
【0034】
半導体基板１０は、ｎ型又はｐ型の半導体基板であり、具体的には、ｎ型又はｐ型の結晶シリコン基板である。半導体基板１０としては、単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板を使用できる。
【0035】
第１真性半導体層１６は、ドーパントを実質的に含まないシリコン薄膜であり、ドーパント濃度が第１導電型半導体層１７のドーパント濃度の１／１００以下であることが好ましい。
【0036】
第１導電型半導体層１７は、ドーパントを含んだｎ型又はｐ型のシリコン系薄膜層であり、本実施形態ではｐ型のシリコン層である。
【0037】
第２真性半導体層２０は、ドーパントを実質的に含まないシリコン薄膜であり、ドーパント濃度が第２導電型半導体層２１のドーパント濃度の１／１００以下であることが好ましい。
【0038】
第２導電型半導体層２１は、ドーパントを含み、第１導電型半導体層１７の導電型とは逆の導電型を有するシリコン層である。
すなわち、第１導電型半導体層１７の導電型がｎ型の場合は、第２導電型半導体層２１の導電型はｐ型であり、第１導電型半導体層１７の導電型がｐ型の場合は、第２導電型半導体層２１の導電型はｎ型である。
上記したように本実施形態では、第１導電型半導体層１７は、ｐ型のシリコン層であるから、第２導電型半導体層２１は、ｎ型の半導体層で形成されている。
すなわち、第１導電型半導体層１７の導電型がｎ型の場合は、第２導電型半導体層２１の導電型はｐ型であり、第１導電型半導体層１７の導電型がｐ型の場合は、第２導電型半導体層２１の導電型はｎ型である。
上記したように本実施形態では、第１導電型半導体層１７は、ｐ型のシリコン層であるから、第２導電型半導体層２１は、ｎ型の半導体層で形成されている。
【0039】
受光側半導体層１１は、ドーパントを実質的に含まない真性シリコン薄膜である。
【0040】
反射防止層１２は、透光性をもち、且つ光の反射を抑制する低反射層である。
反射防止層１２は、例えば、酸化シリコン、酸化亜鉛、酸化チタンなどの金属酸化物や窒化シリコン等の金属窒化物などで形成できる。
反射防止層１２は、入射光の光閉じ込め効果の観点から窒化シリコンで形成されていることが好ましい。
反射防止層１２は、例えば、酸化シリコン、酸化亜鉛、酸化チタンなどの金属酸化物や窒化シリコン等の金属窒化物などで形成できる。
反射防止層１２は、入射光の光閉じ込め効果の観点から窒化シリコンで形成されていることが好ましい。
【0041】
第１電極層３は、第２電極層５と対をなし、第２電極層５とともに光電変換基板２で光電変換された電気エネルギーを取り出す電極である。
第１電極層３は、図１（ｂ）のように、第１領域３５において第１導電型半導体層１７上に形成されており、第２電極層５は、第２領域３６において第２導電型半導体層２１上に形成されている。
第１電極層３は、図１（ｂ）のように、第１領域３５において第１導電型半導体層１７上に形成されており、第２電極層５は、第２領域３６において第２導電型半導体層２１上に形成されている。
【0042】
電極層３，５は、図１（ａ）のように、それぞれ透明電極層２３と、金属電極層２５で構成されている。
透明電極層２３は、透明性と導電性を有する透明導電層であり、具体的には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）やタングステンドープ酸化インジウム（ＩＷＯ）などの透明導電性酸化物で構成された透明導電性酸化物層である。
本実施形態の透明電極層２３は、ＩＷＯを使用している。
金属電極層２５は、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、ニッケル、パラジウム等の金属又はこれらの金属を含む合金で形成できる。
透明電極層２３は、透明性と導電性を有する透明導電層であり、具体的には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）やタングステンドープ酸化インジウム（ＩＷＯ）などの透明導電性酸化物で構成された透明導電性酸化物層である。
本実施形態の透明電極層２３は、ＩＷＯを使用している。
金属電極層２５は、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、ニッケル、パラジウム等の金属又はこれらの金属を含む合金で形成できる。
【0043】
短絡防止溝７，８は、図１（ａ）のように、第１電極層３と第２電極層５が接触することによる短絡を防止する溝である。
短絡防止溝７，８は、図１（ｂ）のように、導電型半導体層１７，２１に跨って設けられ、導電型半導体層１７，２１を底部とする溝である。
短絡防止溝７，８は、導電型半導体層１７，２１の境界部分に沿って延びている。
短絡防止溝７，８は、図１（ｂ）のように、導電型半導体層１７，２１に跨って設けられ、導電型半導体層１７，２１を底部とする溝である。
短絡防止溝７，８は、導電型半導体層１７，２１の境界部分に沿って延びている。
【0044】
続いて、太陽電池パネル１の製造に好適に使用できる製造装置２０１について説明する。
【0045】
製造装置２０１は、図２のように、クラスター構造を持つ半導体製造装置であり、第１クラスター部２０２と、第２クラスター部２０３を備えている。
第１クラスター部２０２は、第１移送部２１０を中心として、搬入部２１１と、第１製膜部２１２と、第２製膜部２１３と、第３製膜部２１４と、第１連結部２１８と、第１仮置部２１７と、第１加熱剥離部２１６と、第１レジスト層形成部２１５とが周方向に並んでいる。
第１移送部２１０は、搬入部２１１と、製膜部２１２～２１４と、第１連結部２１８と、第１仮置部２１７と、第１加熱剥離部２１６と、第１レジスト層形成部２１５間を相互に基材を移送する移送手段である。
搬入部２１１は、外部から半導体基板１０を第１クラスター部２０２内に搬入する部位である。
第１製膜部２１２は、プラズマＣＶＤ装置を備え、受光側半導体層１１及び反射防止層１２を製膜する部位である。
第２製膜部２１３は、プラズマＣＶＤ装置を備え、第１真性半導体層１６及び第１導電型半導体層１７を製膜する半導体層形成部である。
第３製膜部２１４は、プラズマＣＶＤ装置を備え、第２真性半導体層２０及び第２導電型半導体層２１を製膜する半導体層形成部である。
第１レジスト層形成部２１５は、加熱により性状が変化する半導体用レジスト材料を塗布可能な塗布装置を備えており、所定のパターンのレジスト層１５，１８を形成する部位である。
第１加熱剥離部２１６は、レジスト層１５，１８を加熱し、レジスト層１５，１８の性状を変化させて剥離する剥離部であり、本実施形態では、レジスト層１５，１８を融解させて剥離する熱融解剥離部である。
第１加熱剥離部２１６は、レジスト層１５，１８の所定の温度Ｔ１，Ｔ２以上の温度に加熱可能な加熱装置と、融解したレジスト層１５，１８を基板から剥がし外部に排出する排出装置を備えている。
排出装置は、レジスト層１５，１８に外力を加えてレジスト層１５，１８を基板から剥がすブロアー等の吹付手段を備えていてもよいし、加熱により液体化したレジスト層１５，１８を吸引する吸引手段を備えていてもよい。
第１仮置部２１７は、第１移送部２１０で移送する基材を一時的に仮置きする部位であり、下流側の工程が滞っている場合に基板を受け取ることが可能となっている。
第１連結部２１８は、第２クラスター部２０３と連結され、第１クラスター部２０２から第２クラスター部２０３に製膜済みの基板を搬出する部位である。
第１クラスター部２０２は、第１移送部２１０を中心として、搬入部２１１と、第１製膜部２１２と、第２製膜部２１３と、第３製膜部２１４と、第１連結部２１８と、第１仮置部２１７と、第１加熱剥離部２１６と、第１レジスト層形成部２１５とが周方向に並んでいる。
第１移送部２１０は、搬入部２１１と、製膜部２１２～２１４と、第１連結部２１８と、第１仮置部２１７と、第１加熱剥離部２１６と、第１レジスト層形成部２１５間を相互に基材を移送する移送手段である。
搬入部２１１は、外部から半導体基板１０を第１クラスター部２０２内に搬入する部位である。
第１製膜部２１２は、プラズマＣＶＤ装置を備え、受光側半導体層１１及び反射防止層１２を製膜する部位である。
第２製膜部２１３は、プラズマＣＶＤ装置を備え、第１真性半導体層１６及び第１導電型半導体層１７を製膜する半導体層形成部である。
第３製膜部２１４は、プラズマＣＶＤ装置を備え、第２真性半導体層２０及び第２導電型半導体層２１を製膜する半導体層形成部である。
第１レジスト層形成部２１５は、加熱により性状が変化する半導体用レジスト材料を塗布可能な塗布装置を備えており、所定のパターンのレジスト層１５，１８を形成する部位である。
第１加熱剥離部２１６は、レジスト層１５，１８を加熱し、レジスト層１５，１８の性状を変化させて剥離する剥離部であり、本実施形態では、レジスト層１５，１８を融解させて剥離する熱融解剥離部である。
第１加熱剥離部２１６は、レジスト層１５，１８の所定の温度Ｔ１，Ｔ２以上の温度に加熱可能な加熱装置と、融解したレジスト層１５，１８を基板から剥がし外部に排出する排出装置を備えている。
排出装置は、レジスト層１５，１８に外力を加えてレジスト層１５，１８を基板から剥がすブロアー等の吹付手段を備えていてもよいし、加熱により液体化したレジスト層１５，１８を吸引する吸引手段を備えていてもよい。
第１仮置部２１７は、第１移送部２１０で移送する基材を一時的に仮置きする部位であり、下流側の工程が滞っている場合に基板を受け取ることが可能となっている。
第１連結部２１８は、第２クラスター部２０３と連結され、第１クラスター部２０２から第２クラスター部２０３に製膜済みの基板を搬出する部位である。
【0046】
第２クラスター部２０３は、図２のように、第２移送部２２０を中心として、第２連結部２２１と、第２レジスト層形成部２２２と、透明電極層形成部２２３と、金属電極層形成部２２４と、搬出部２２７と、第２仮置部２２６と、第２加熱剥離部２２５とが周方向に並んでいる。
第２連結部２２１は、第１クラスター部２０２の第１連結部２１８と連結され、第１クラスター部２０２から搬出された基板を第２クラスター部２０３内に搬入する部位である。
第２レジスト層形成部２２２は、加熱により性状が変化する電極用レジスト材料を塗布可能な塗布装置を備えており、所定のパターンの電極用レジスト層２２を形成する部位である。
透明電極層形成部２２３は、スパッタ装置を備え、透明電極層２３を製膜する製膜部である。
金属電極層形成部２２４は、真空蒸着装置を備え、金属電極層２５を製膜する金属電極層形成部である。
第２加熱剥離部２２５は、電極用レジスト層２２を加熱し、電極用レジスト層２２の性状を変化させて剥離する加熱剥離部であり、本実施形態では、電極用レジスト層２２を融解させて剥離する熱融解剥離部である。
第２加熱剥離部２２５は、電極用レジスト層２２の所定の温度Ｔ３以上の温度に加熱可能な加熱装置と、融解した電極用レジスト層２２を基板から剥がし外部に排出する排出装置を備えている。
排出装置は、電極用レジスト層２２に外力を加えて電極用レジスト層２２を基板から剥がすブロアー等の吹付手段を備えていてもよいし、加熱により液体化した電極用レジスト層２２を吸引する吸引手段を備えていてもよい。
第２仮置部２２６は、第２移送部２２０で移送する基板を一時的に仮置きする部位であり、下流側の工程が滞っている場合に基板を受け取ることが可能となっている。
搬出部２２７は、製膜済みの太陽電池パネル１を第２クラスター部２０３から外部に搬出する部位である。
第２連結部２２１は、第１クラスター部２０２の第１連結部２１８と連結され、第１クラスター部２０２から搬出された基板を第２クラスター部２０３内に搬入する部位である。
第２レジスト層形成部２２２は、加熱により性状が変化する電極用レジスト材料を塗布可能な塗布装置を備えており、所定のパターンの電極用レジスト層２２を形成する部位である。
透明電極層形成部２２３は、スパッタ装置を備え、透明電極層２３を製膜する製膜部である。
金属電極層形成部２２４は、真空蒸着装置を備え、金属電極層２５を製膜する金属電極層形成部である。
第２加熱剥離部２２５は、電極用レジスト層２２を加熱し、電極用レジスト層２２の性状を変化させて剥離する加熱剥離部であり、本実施形態では、電極用レジスト層２２を融解させて剥離する熱融解剥離部である。
第２加熱剥離部２２５は、電極用レジスト層２２の所定の温度Ｔ３以上の温度に加熱可能な加熱装置と、融解した電極用レジスト層２２を基板から剥がし外部に排出する排出装置を備えている。
排出装置は、電極用レジスト層２２に外力を加えて電極用レジスト層２２を基板から剥がすブロアー等の吹付手段を備えていてもよいし、加熱により液体化した電極用レジスト層２２を吸引する吸引手段を備えていてもよい。
第２仮置部２２６は、第２移送部２２０で移送する基板を一時的に仮置きする部位であり、下流側の工程が滞っている場合に基板を受け取ることが可能となっている。
搬出部２２７は、製膜済みの太陽電池パネル１を第２クラスター部２０３から外部に搬出する部位である。
【0047】
続いて、本実施形態の製造装置２０１を用いた太陽電池パネル１の製造方法について説明する。
【0048】
まず、半導体基板１０を第１クラスター部２０２の搬入部２１１からから搬入し、第１移送部２１０によって第１製膜部２１２に半導体基板１０を移送する。そして、図３（ａ）のように第１製膜部２１２において半導体基板１０の第２主面３１上に受光側半導体層１１を製膜し（受光側半導体層形成工程）、さらに受光側半導体層１１上に反射防止層１２を製膜する（反射防止層形成工程）。
【0049】
続いて、第１移送部２１０によって第１製膜部２１２から第１レジスト層形成部２１５に受光側半導体層１１及び反射防止層１２が積層された基板を移送し、図３（ｂ）のように第１レジスト層形成部２１５において半導体基板１０の第１主面３０上に所定のパターンの第１レジスト層１５（第２半導体用レジスト層）を製膜する（第１レジスト層形成工程，第２半導体用レジスト層形成工程）。
【0050】
このとき形成される第１レジスト層１５は、耐熱性を有し、半導体層１６，１７の製膜時において形状を維持できるものである。
第１レジスト層１５は、温度応答性材料で構成され、所定の加熱温度Ｔ１（第３加熱温度）以上になると、性状が変化するものである。
具体的には、第１レジスト層１５は、以下の（１）又は（２）の特性を有する。
（１）固体から液体又は気体に変化する。
（２）半導体基板１０に対する剥離強度が１／１０以下になる。
本実施形態の第１レジスト層１５は、（１）の特性を有し、温度応答カプセルが配合されたレジスト層であり、加熱温度Ｔ１未満では固体であり、加熱温度Ｔ１以上では液体又は気体となる。
すなわち、本実施形態の加熱温度Ｔ１は、第１レジスト層１５の融解温度又は気化温度であり、半導体層１６，１７の製膜時の温度よりも高い温度である。
第１レジスト層１５は、温度応答性材料で構成され、所定の加熱温度Ｔ１（第３加熱温度）以上になると、性状が変化するものである。
具体的には、第１レジスト層１５は、以下の（１）又は（２）の特性を有する。
（１）固体から液体又は気体に変化する。
（２）半導体基板１０に対する剥離強度が１／１０以下になる。
本実施形態の第１レジスト層１５は、（１）の特性を有し、温度応答カプセルが配合されたレジスト層であり、加熱温度Ｔ１未満では固体であり、加熱温度Ｔ１以上では液体又は気体となる。
すなわち、本実施形態の加熱温度Ｔ１は、第１レジスト層１５の融解温度又は気化温度であり、半導体層１６，１７の製膜時の温度よりも高い温度である。
【0051】
続いて、第１移送部２１０によって第１レジスト層形成部２１５から第２製膜部２１３に第１レジスト層１５が形成された基板を移送し、図３（ｃ）のように、第２製膜部２１３において半導体基板１０上の第１レジスト層１５からの露出部分から第１レジスト層１５上に跨って第１真性半導体層１６を製膜し（第１真性半導体層形成工程）、さらに第１真性半導体層１６上に第１導電型半導体層１７を製膜する（第１導電型半導体層形成工程）。
【0052】
続いて、第１移送部２１０によって第２製膜部２１３から第１加熱剥離部２１６に半導体層１６，１７が形成された基板を移送し、図４（ａ）のように、第１加熱剥離部２１６において第１レジスト層１５を半導体基板１０から加熱剥離して除去する（第１除去工程，第２剥離工程）。
【0053】
このとき、第１レジスト層１５は、第１加熱剥離部２１６の加熱装置によって加熱されて性状が変化し、半導体基板１０から剥がれやすくなり、排出装置によって半導体基板１０上から剥がされ外部に排出される。
またこのとき、第１レジスト層１５の半導体基板１０からの剥離に伴って、半導体基板１０を基準として第１レジスト層１５の外側に位置し、かつ第１レジスト層１５が下地となる第１真性半導体層１６の一部及び第１導電型半導体層１７の一部が剥離されて除去される。
またこのとき、第１レジスト層１５の半導体基板１０からの剥離に伴って、半導体基板１０を基準として第１レジスト層１５の外側に位置し、かつ第１レジスト層１５が下地となる第１真性半導体層１６の一部及び第１導電型半導体層１７の一部が剥離されて除去される。
【0054】
続いて、第１移送部２１０によって第１加熱剥離部２１６から第１レジスト層形成部２１５に第１レジスト層１５が除去された基板を移送し、図４（ｂ）のように第１レジスト層形成部２１５において、第１レジスト層１５による除去により残った第１導電型半導体層１７上に第２レジスト層１８（第１半導体用レジスト層）を形成する（第２レジスト層形成工程，第１半導体用レジスト層形成工程）。
【0055】
このとき形成される第２レジスト層１８は、第１レジスト層１５と同様、耐熱性を有し、半導体層２０，２１の製膜時において形状を維持できるものである。
第２レジスト層１８は、温度応答性材料で構成され、所定の加熱温度Ｔ２（第２加熱温度）以上になると、性状が変化するものである。
具体的には、第２レジスト層１８は、以下の（１）又は（２）の特性を有する。
（１）固体から液体又は気体に変化する。
（２）第１導電型半導体層１７に対する剥離強度が１／１０以下になる。
本実施形態の第２レジスト層１８は、（１）の特性を有し、温度応答カプセルが配合されたレジスト層であり、加熱温度Ｔ２未満では固体であり、加熱温度Ｔ２以上では液体又は気体となる。
すなわち、本実施形態の加熱温度Ｔ２は、第２レジスト層１８の融解温度又は気化温度であり、半導体層２０，２１の製膜時の温度よりも高い温度である。
第２レジスト層１８は、温度応答性材料で構成され、所定の加熱温度Ｔ２（第２加熱温度）以上になると、性状が変化するものである。
具体的には、第２レジスト層１８は、以下の（１）又は（２）の特性を有する。
（１）固体から液体又は気体に変化する。
（２）第１導電型半導体層１７に対する剥離強度が１／１０以下になる。
本実施形態の第２レジスト層１８は、（１）の特性を有し、温度応答カプセルが配合されたレジスト層であり、加熱温度Ｔ２未満では固体であり、加熱温度Ｔ２以上では液体又は気体となる。
すなわち、本実施形態の加熱温度Ｔ２は、第２レジスト層１８の融解温度又は気化温度であり、半導体層２０，２１の製膜時の温度よりも高い温度である。
【0056】
続いて、第１移送部２１０によって第１レジスト層形成部２１５から第３製膜部２１４に第２レジスト層１８が形成された基板を移送し、図４（ｃ）のように第３製膜部２１４において半導体基板１０上から第２レジスト層１８上に跨って第２真性半導体層２０を形成し（第２真性半導体層形成工程）、さらに第２真性半導体層２０上に第２導電型半導体層２１を形成する（第２導電型半導体層形成工程）。
【0057】
続いて、第１移送部２１０によって第３製膜部２１４から第１加熱剥離部２１６に半導体層２０，２１が形成された基板を移送し、図５（ａ）のように第１加熱剥離部２１６において第２レジスト層１８を第１導電型半導体層１７から加熱剥離して除去する（第２除去工程，第１剥離工程）。
【0058】
このとき、第２レジスト層１８は、第１加熱剥離部２１６の加熱装置によって加熱されて性状が変化し、基板から剥がれやすくなり、排出装置によって基板上から剥がされ外部に排出される。
またこのとき、第２レジスト層１８の基板からの剥離に伴って、半導体基板１０を基準として第２レジスト層１８の外側に位置し、かつ第２レジスト層１８が下地となる第２真性半導体層２０の一部及び第２導電型半導体層２１の一部が剥離されて除去され、光電変換基板２が形成される。
またこのとき、第２レジスト層１８の基板からの剥離に伴って、半導体基板１０を基準として第２レジスト層１８の外側に位置し、かつ第２レジスト層１８が下地となる第２真性半導体層２０の一部及び第２導電型半導体層２１の一部が剥離されて除去され、光電変換基板２が形成される。
【0059】
続いて、第１移送部２１０によって第１加熱剥離部２１６から第１連結部２１８に光電変換基板２を移送し、第１クラスター部２０２の第１連結部２１８から第２クラスター部２０３の第２連結部２２１に光電変換基板２を移送する。
【0060】
第２連結部２２１に光電変換基板２が移送されると、第２移送部２２０によって第２連結部２２１から第２レジスト層形成部２２２に光電変換基板２を移送する。そして、図５（ｂ）のように第２レジスト層形成部２２２において、光電変換基板２の第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１の境界部分において第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１に跨って電極用レジスト層２２を形成する（電極用レジスト層形成工程）。
【0061】
このとき形成される電極用レジスト層２２は、耐熱性を有し、電極層２３，２５の製膜時において形状を維持できるものである。
電極用レジスト層２２は、温度応答性材料で構成され、所定の加熱温度Ｔ３（第１加熱温度）以上になると、性状が変化するものである。
具体的には、電極用レジスト層２２は、以下の（１）又は（２）の特性を有する。
（１）固体から液体又は気体に変化する。
（２）光電変換基板２の第１導電型半導体層１７及び第２導電型半導体層２１に対する剥離強度がそれぞれ１／１０以下になる。
本実施形態の電極用レジスト層２２は、（１）の特性を有し、温度応答カプセルが配合されたレジスト層であり、加熱温度Ｔ３未満では固体であり、加熱温度Ｔ３以上では液体又は気体となる。
すなわち、本実施形態の加熱温度Ｔ３は、電極用レジスト層２２の融解温度又は気化温度であり、少なくとも透明電極層２３の製膜時の温度よりも高い温度である。
電極用レジスト層２２は、温度応答性材料で構成され、所定の加熱温度Ｔ３（第１加熱温度）以上になると、性状が変化するものである。
具体的には、電極用レジスト層２２は、以下の（１）又は（２）の特性を有する。
（１）固体から液体又は気体に変化する。
（２）光電変換基板２の第１導電型半導体層１７及び第２導電型半導体層２１に対する剥離強度がそれぞれ１／１０以下になる。
本実施形態の電極用レジスト層２２は、（１）の特性を有し、温度応答カプセルが配合されたレジスト層であり、加熱温度Ｔ３未満では固体であり、加熱温度Ｔ３以上では液体又は気体となる。
すなわち、本実施形態の加熱温度Ｔ３は、電極用レジスト層２２の融解温度又は気化温度であり、少なくとも透明電極層２３の製膜時の温度よりも高い温度である。
【0062】
続いて、第２移送部２２０によって第２レジスト層形成部２２２から透明電極層形成部２２３に電極用レジスト層２２が形成された基板を移送し、図５（ｃ）のように透明電極層形成部２２３において、基板の第１主面３０側の全面に透明電極層２３を形成する（透明電極層形成工程）。
【0063】
このとき、透明電極層２３は、第１導電型半導体層１７、電極用レジスト層２２、及び第２導電型半導体層２１に跨って形成される。
【0064】
続いて、第２移送部２２０によって透明電極層形成部２２３から金属電極層形成部２２４に透明電極層２３が形成された基板を移送し、図６（ａ）のように、基板の第１主面３０側の全面に金属電極層２５を形成する（金属電極層形成工程）。
【0065】
このとき、金属電極層２５は、透明電極層２３上に形成される。
【0066】
続いて、第２移送部２２０によって金属電極層形成部２２４から第２加熱剥離部２２５に金属電極層２５が形成された基板を移送し、図６（ｂ）のように、第２加熱剥離部２２５において電極用レジスト層２２を基板から加熱剥離して除去する（電極剥離工程）。
【0067】
このとき、電極用レジスト層２２は、第２加熱剥離部２２５の加熱装置によって加熱されて性状が変化し、基板から剥がれやすくなり、排出装置によって基板１０上から剥がされ外部に排出される。
このとき、電極用レジスト層２２の基板からの剥離に伴って、半導体基板１０を基準として電極用レジスト層２２の外側に位置し、かつ電極用レジスト層２２が下地となる透明電極層２３の一部及び金属電極層２５の一部が剥離されて除去される。
このとき、電極用レジスト層２２が剥離されることによって短絡防止溝７，８が形成される。また、短絡防止溝７，８によって透明電極層２３及び金属電極層２５が複数に分割されて第１領域３５と第２領域３６に区画され、第１電極層３と第２電極層５が形成される。
このとき、電極用レジスト層２２の基板からの剥離に伴って、半導体基板１０を基準として電極用レジスト層２２の外側に位置し、かつ電極用レジスト層２２が下地となる透明電極層２３の一部及び金属電極層２５の一部が剥離されて除去される。
このとき、電極用レジスト層２２が剥離されることによって短絡防止溝７，８が形成される。また、短絡防止溝７，８によって透明電極層２３及び金属電極層２５が複数に分割されて第１領域３５と第２領域３６に区画され、第１電極層３と第２電極層５が形成される。
【0068】
続いて、第２移送部２２０によって第２加熱剥離部２２５から搬出部２２７に電極用レジスト層２２が除去された基板を移送し、搬出部２２７から第２クラスター部２０３の外部に排出する。
【0069】
そして、必要に応じてインターコネクタ等の配線部材を電極層３，５に取り付けて太陽電池パネル１が完成する。
【0070】
本実施形態の太陽電池パネル１の製造方法によれば、電極用レジスト層２２を加熱温度Ｔ３以上に加熱して、電極用レジスト層２２の性状を変化させて光電変換基板２から電極用レジスト層２２をその外側に形成された透明電極層２３及び金属電極層２５ごと剥離する。そのため、エッチング液を使用せずとも透明電極層２３及び金属電極層２５のパターニングができる。
また、本実施形態の太陽電池パネル１の製造方法によれば、透明電極層２３を溶解して透明電極層２３のパターニングを行わないので、エッチング液によって溶解しにくいタングステンドープ酸化インジウムを含む透明電極層２３であってもパターニング可能である。
また、本実施形態の太陽電池パネル１の製造方法によれば、透明電極層２３を溶解して透明電極層２３のパターニングを行わないので、エッチング液によって溶解しにくいタングステンドープ酸化インジウムを含む透明電極層２３であってもパターニング可能である。
【0071】
本実施形態の太陽電池パネル１の製造方法によれば、レジスト層１５，１８を加熱温度Ｔ１，Ｔ２以上にそれぞれ加熱して、レジスト層１５，１８の性状を変化させて半導体層１６，１７，２０，２１の一部を剥離し、半導体層１６，１７，２０，２１のパターニングを行う。そのため、エッチング液を使用せずとも半導体層１６，１７，２０，２１のパターニングができる。
【0072】
本実施形態の太陽電池パネル１によれば、第１電極層３と第２電極層５との境界部分に短絡防止溝７，８が形成されているため、電極層３，５間で接触することによる短絡を防止できる。
【0073】
本実施形態の製造装置２０１によれば、加熱剥離部２１６，２２５を備えているため、レジスト層１５，１８，２２の熱剥離を行いやすい。
【0074】
続いて、本発明の第２実施形態の太陽電池パネル３０１について説明する。なお、第１実施形態の太陽電池パネル１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。以下、同様とする。
【0075】
本実施形態の太陽電池パネル３０１は、図７のように、光電変換基板３０２の受光側主面３０６上に第１電極層３０３が形成され、裏側主面３０７上に第２電極層３０５が形成された両面電極型の太陽電池パネルである。
【0076】
光電変換基板３０２は、図７（ｂ）のように、半導体基板１０の第１主面３０側に第１真性半導体層１６、第１導電型半導体層１７がこの順に積層されており、第２主面３１側に第２真性半導体層２０、第２導電型半導体層２１がこの順に積層されている。
光電変換基板３０２は、第１主面３０の一部が露出しており、さらに第１主面３０から連続して立ち上がる端面３０８，３０９の一部又は全部が露出している。
第１電極層３０３は、光電変換基板３０２を基準として受光側主面３０６側に設けられる電極層であり、透明電極層２３ａと、金属電極層２５ａで構成されている。
第２電極層３０５は、光電変換基板３０２を基準として裏側主面３０７側に設けられる電極層であり、透明電極層２３ｂと、金属電極層２５ｂで構成されている。
光電変換基板３０２は、第１主面３０の一部が露出しており、さらに第１主面３０から連続して立ち上がる端面３０８，３０９の一部又は全部が露出している。
第１電極層３０３は、光電変換基板３０２を基準として受光側主面３０６側に設けられる電極層であり、透明電極層２３ａと、金属電極層２５ａで構成されている。
第２電極層３０５は、光電変換基板３０２を基準として裏側主面３０７側に設けられる電極層であり、透明電極層２３ｂと、金属電極層２５ｂで構成されている。
【0077】
続いて、太陽電池パネル３０１の製造に好適に使用できる製造装置４０１について説明する。
【0078】
製造装置４０１は、図８のように、クラスター構造を持つ半導体装置であり、クラスター部４０２を備えている。
クラスター部４０２は、第１移送部２１０を中心として、搬入部２１１と、第２製膜部２１３と、第３製膜部２１４と、透明電極層形成部２２３と、搬出部２２７と、金属電極層形成部４２４と、加熱剥離部４２５と、レジスト層形成部４２２とが周方向に並んでいる。
金属電極層形成部４２４は、印刷装置を備え、導電性ペーストによって金属電極層２５を製膜する製膜部である。
加熱剥離部４２５は、レジスト層３２２を加熱し、レジスト層３２２の性状を変化させて剥離する加熱剥離部であり、本実施形態では、レジスト層３２２を融解させて剥離する熱融解剥離部である。
加熱剥離部４２５は、レジスト層３２２の所定の温度Ｔ４以上の温度に加熱可能な加熱装置と、融解したレジスト層３２２を基板から剥がし外部に排出する排出装置を備えている。
排出装置は、レジスト層３２２に外力を加えてレジスト層３２２を基板から剥がすブロアー等の吹付手段を備えていてもよいし、加熱により液体化したレジスト層３２２を吸引する吸引手段を備えていてもよい。
レジスト層形成部４２２は、加熱により性状が変化するレジスト材料を塗布可能な塗布装置を備えており、所定のパターンのレジスト層３２２を形成する部位である。
クラスター部４０２は、第１移送部２１０を中心として、搬入部２１１と、第２製膜部２１３と、第３製膜部２１４と、透明電極層形成部２２３と、搬出部２２７と、金属電極層形成部４２４と、加熱剥離部４２５と、レジスト層形成部４２２とが周方向に並んでいる。
金属電極層形成部４２４は、印刷装置を備え、導電性ペーストによって金属電極層２５を製膜する製膜部である。
加熱剥離部４２５は、レジスト層３２２を加熱し、レジスト層３２２の性状を変化させて剥離する加熱剥離部であり、本実施形態では、レジスト層３２２を融解させて剥離する熱融解剥離部である。
加熱剥離部４２５は、レジスト層３２２の所定の温度Ｔ４以上の温度に加熱可能な加熱装置と、融解したレジスト層３２２を基板から剥がし外部に排出する排出装置を備えている。
排出装置は、レジスト層３２２に外力を加えてレジスト層３２２を基板から剥がすブロアー等の吹付手段を備えていてもよいし、加熱により液体化したレジスト層３２２を吸引する吸引手段を備えていてもよい。
レジスト層形成部４２２は、加熱により性状が変化するレジスト材料を塗布可能な塗布装置を備えており、所定のパターンのレジスト層３２２を形成する部位である。
【0079】
続いて、本実施形態の製造装置４０１を用いた太陽電池パネル３０１の製造方法について説明する。
【0080】
まず、半導体基板１０を搬入部２１１からクラスター部４０２内に搬入し、第１移送部２１０によってレジスト層形成部４２２に半導体基板１０を移送し、図９（ａ）のようにレジスト層形成部４２２において半導体基板１０の第１主面３０上に所定のパターンのレジスト層３２２を製膜する（レジスト層形成工程）。
【0081】
このとき、レジスト層３２２は、半導体基板１０の端部に設けられ、端面３０８，３０９に沿って延びている。また、レジスト層３２２は、半導体基板１０の第１主面３０上から端面３０８，３０９側の一部に跨って設けられている。
【0082】
続いて、第１移送部２１０によってレジスト層形成部４２２から第２製膜部２１３にレジスト層３２２が形成された基板を移送し、図９（ｂ）のように第２製膜部２１３において半導体基板１０上のレジスト層３２２からの露出部分からレジスト層３２２上に跨って第１真性半導体層１６を製膜し（第１真性半導体層形成工程）、さらに第１真性半導体層１６上に第１導電型半導体層１７を製膜する（第１導電型半導体層形成工程）。
【0083】
このとき、第１真性半導体層１６は、第１主面３０側の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９でもレジスト層３２２上に形成されている。
第１導電型半導体層１７は、第１真性半導体層１６上の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９側でも第１真性半導体層１６上に形成されている。
第１導電型半導体層１７は、第１真性半導体層１６上の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９側でも第１真性半導体層１６上に形成されている。
【0084】
続いて、第１移送部２１０によって第２製膜部２１３から第３製膜部２１４に半導体層１６，１７が形成された基板を移送し、図９（ｃ）のように第３製膜部２１４において半導体基板１０の第２主面３１上に第２真性半導体層２０を形成し（第２真性半導体層形成工程）、さらに第２真性半導体層２０上に第２導電型半導体層２１を形成する（第２導電型半導体層形成工程）。
【0085】
このとき、第２真性半導体層２０は、第２主面３１側の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９側でも第２導電型半導体層２１上に形成されている。
第２導電型半導体層２１は、第２真性半導体層２０上の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９側でも第２真性半導体層２０上に形成されている。すなわち、第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１との間には、第２真性半導体層２０が介在している。
第２導電型半導体層２１は、第２真性半導体層２０上の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９側でも第２真性半導体層２０上に形成されている。すなわち、第１導電型半導体層１７と第２導電型半導体層２１との間には、第２真性半導体層２０が介在している。
【0086】
続いて、第１移送部２１０によって第３製膜部２１４から透明電極層形成部２２３に半導体層２０，２１が形成された基板を移送し、図１０（ａ）のように透明電極層形成部２２３において基板の両面に透明電極層２３ａ，２３ｂを形成する（透明電極層形成工程）。すなわち、第１導電型半導体層１７上に透明電極層２３ａを製膜し、第２導電型半導体層２１上に透明電極層２３ｂを製膜する。
【0087】
このとき、第１透明電極層２３ａは、第１導電型半導体層１７上の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９側で第２導電型半導体層２１上に形成されている。第２透明電極層２３ｂは、第２導電型半導体層２１上の全体に形成され、端面３０８，３０９まで回り込んで端面３０８，３０９側で第１透明電極層２３ａ上に形成されている。すなわち、透明電極層２３ａ，２３ｂは、端面３０８，３０９側で導通している。
【0088】
続いて、第１移送部２１０によって透明電極層形成部２２３から金属電極層形成部４２４に透明電極層２３ａ，２３ｂが形成された基板を移送し、図１０（ｂ）のように金属電極層形成部４２４において透明電極層２３ａ，２３ｂ上に金属電極層２５ａ，２５ｂを形成する（金属電極層形成工程）。
【0089】
このとき、第１金属電極層２５ａは、櫛状のパターンで形成されており、所定の方向に延びたバスバー電極部と、バスバー電極部に対する直交方向に延びるフィンガー電極部を構成している。
第２金属電極層２５ｂは、櫛状のパターンで形成されており、所定の方向に延びたバスバー電極部と、バスバー電極部に対する直交方向に延びるフィンガー電極部を構成している。
第２金属電極層２５ｂは、櫛状のパターンで形成されており、所定の方向に延びたバスバー電極部と、バスバー電極部に対する直交方向に延びるフィンガー電極部を構成している。
【0090】
続いて、第１移送部２１０によって金属電極層形成部４２４から加熱剥離部４２５に金属電極層２５ａ，２５ｂが形成された基板を移送し、図１０（ｃ）のように加熱剥離部４２５においてレジスト層３２２を基板から加熱剥離する（電極剥離工程）。
【0091】
このとき、レジスト層３２２が加熱剥離されることで、半導体基板１０を基準としてレジスト層３２２の外側に位置し、かつレジスト層３２２が下地となる半導体層１６，１７の一部及び第１透明電極層２３ａの一部が剥がされて除去され、半導体基板１０の一部が露出する。また、端面３０８，３０９でも、レジスト層３２２が剥がれて下地となる半導体層１６，１７の一部及び第１透明電極層２３ａの一部が剥がされて除去され、半導体基板１０の端面３０８，３０９の一部が露出する。
【0092】
続いて、第１移送部２１０によって加熱剥離部４２５から搬出部２２７にレジスト層３２２が除去された基板を移送し、搬出部２２７からクラスター部４０２の外部に排出する。
【0093】
そして、必要に応じてインターコネクタ等の配線部材を電極層３０３，３０５に取り付けて太陽電池パネル３０１が完成する。
【0094】
本実施形態の太陽電池パネル３０１によれば、半導体基板１０の端面３０８，３０９近傍において、半導体層１６，１７及び透明電極層２３ａと、半導体層２０，２１及び透明電極層２３ｂが分離されている。そのため、第１電極層３０３と第２電極層３０５との短絡を防止できる。
【0095】
上記した実施形態では、レジスト層１５，１８，２２，３２２は、所定の温度以上に加熱したときに、固体から液体又は気体に変化するものであったが、本発明はこれに限定されるものではない。レジスト層１５，１８，２２，３２２は、所定の温度以上に加熱したときに、被積層面に対する剥離強度が１／１０以下になるものであってもよい。
【0096】
上記した第１実施形態では、電極層３，５及び半導体層１６，１７，２０，２１のパターニングをレジスト層１５，１８，２２の加熱剥離によって行っていたが、本発明はこれに限定されるものではない。電極層３，５のパターニングのみを電極用レジスト層２２の剥離によって行い、他の半導体層１６，１７，２０，２１のパターニングを他の手法によってパターニングしてもよい。
【0097】
上記した第１実施形態では、金属電極層２５を製膜してから電極用レジスト層２２の剥離を行い、透明電極層２３のパターニングを行ったが、本発明はこれに限定されるものではない。電極用レジスト層２２の剥離を行って透明電極層２３のパターニングを行ってから金属電極層２５を製膜してもよい。この場合、金属電極層２５は塗布法や印刷法によって形成されることが好ましい。
【0098】
上記した第２実施形態では、第２金属電極層２５ｂは、所定の形状にパターニングされていたが、本発明はこれに限定されるものではない。第２金属電極層２５ｂは、裏側主面３０７全体、すなわち、第２透明電極層２３ｂ全体に形成されていてもよい。
【0099】
上記した第２実施形態では、レジスト層３２２を第１主面３０から端面３０８，３０９に跨って設けていたが、本発明はこれに限定されるものではない。図１１（ａ）のようにレジスト層３２２を第１主面３０上のみに設けてもよい。この場合、図１１（ｂ）のように電極剥離工程においてレジスト層３２２上の半導体層１６，１７及び透明電極層２３ａが除去されて短絡防止溝５３７，５３８が形成されることとなる。
【0100】
上記した第２実施形態では、半導体基板１０と第１真性半導体層１６の間にレジスト層３２２を設けていたが、本発明はこれに限定されるものではない。第１真性半導体層１６と第１導電型半導体層１７の間にレジスト層３２２を設けてパターニングを行ってもよい。
【0101】
上記した第２実施形態では、第１主面３０側にレジスト層３２２を設けたが、本発明はこれに限定されるものではない。第２主面３１側にレジスト層３２２を設けてもよい。この場合、レジスト層３２２は、半導体基板１０と第２真性半導体層２０の間、又は第２真性半導体層２０と第２導電型半導体層２１の間に設けることが好ましい。
【0102】
上記した実施形態は、本発明の技術的範囲に含まれる限り、各実施形態間で各構成部材を自由に置換や付加できる。
【符号の説明】
【0103】
１，３０１ 太陽電池パネル
２，３０２ 光電変換基板
３，３０３ 第１電極層
５，３０５ 第２電極層
７，８，３３７，３３８ 短絡防止溝
１０ 半導体基板
１５ 第１レジスト層（第２半導体用レジスト層）
１６ 第１真性半導体層
１７ 第１導電型半導体層
１８ 第２レジスト層（第１半導体用レジスト層）
２０ 第２真性半導体層
２１ 第２導電型半導体層
２２ 電極用レジスト層
２３ 透明電極層
２３ａ 第１透明電極層
２３ｂ 第２透明電極層
３０ 第１主面
５７，３０７ 裏側主面
２０１，４０１ 製造装置
２１５ 第１レジスト層形成部
２１６ 第１加熱剥離部
２２２ 第２レジスト層形成部
２２３ 透明電極層形成部
２２４，４２４ 金属電極層形成部
２２５ 第２加熱剥離部
３０８，３０９ 端面
４２５ 加熱剥離部
２，３０２ 光電変換基板
３，３０３ 第１電極層
５，３０５ 第２電極層
７，８，３３７，３３８ 短絡防止溝
１０ 半導体基板
１５ 第１レジスト層（第２半導体用レジスト層）
１６ 第１真性半導体層
１７ 第１導電型半導体層
１８ 第２レジスト層（第１半導体用レジスト層）
２０ 第２真性半導体層
２１ 第２導電型半導体層
２２ 電極用レジスト層
２３ 透明電極層
２３ａ 第１透明電極層
２３ｂ 第２透明電極層
３０ 第１主面
５７，３０７ 裏側主面
２０１，４０１ 製造装置
２１５ 第１レジスト層形成部
２１６ 第１加熱剥離部
２２２ 第２レジスト層形成部
２２３ 透明電極層形成部
２２４，４２４ 金属電極層形成部
２２５ 第２加熱剥離部
３０８，３０９ 端面
４２５ 加熱剥離部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】