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▶ ドク サン ネオルクス カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024076361
(43)【公開日】2024-06-05
(54)【発明の名称】量子ドット、量子ドットの製造方法及び電子装置
(51)【国際特許分類】
C09K 11/62 20060101AFI20240529BHJP
C09K 11/08 20060101ALI20240529BHJP
C09K 11/64 20060101ALI20240529BHJP
C09K 11/88 20060101ALI20240529BHJP
C09K 11/67 20060101ALI20240529BHJP
C01G 15/00 20060101ALI20240529BHJP
B82Y 20/00 20110101ALI20240529BHJP
B82Y 40/00 20110101ALI20240529BHJP
H05B 33/14 20060101ALI20240529BHJP
【ＦＩ】
C09K11/62
C09K11/08 G ZNM
C09K11/08 A
C09K11/64
C09K11/88
C09K11/67
C01G15/00 Z
B82Y20/00
B82Y40/00
H05B33/14 Z
【審査請求】有
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023193911
(22)【出願日】2023-11-14
(31)【優先権主張番号】10-2022-0159415
(32)【優先日】2022-11-24
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】515127979
【氏名又は名称】ドク サン ネオルクス カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110000408
【氏名又は名称】弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】リム，ハン ビュル
(72)【発明者】
【氏名】イ，チャン ミン
(72)【発明者】
【氏名】シン，ジョン ムン
(72)【発明者】
【氏名】キム，ギョン ス
【テーマコード（参考）】
3K107
4H001
【Ｆターム（参考）】
3K107AA05
3K107BB01
3K107CC07
3K107CC45
3K107DD55
3K107DD57
3K107FF13
3K107FF14
3K107FF15
3K107GG28
4H001CA02
4H001CC07
4H001CC09
4H001CC10
4H001CF01
4H001XA03
4H001XA11
4H001XA13
4H001XA16
4H001XA19
4H001XA22
4H001XA29
4H001XA31
4H001XA34
4H001XA37
4H001XA47
4H001XA49
4H001XA52
4H001XA55
4H001XA79
4H001XA81
(57)【要約】 （修正有）
【課題】量子ドットコアを構成するＡｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体の組成に応じて、量子ドットの発光波長の調整が可能なＡｇＩｎＧａＳ量子ドット、その製造方法及び電子装置を提供する。
【解決手段】Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳを含むコア、及びコア上のＩ族元素又はＩＩＩ族元素から選択される少なくとも１つ及びＶＩ族元素を含むシェルを含む量子ドットであって、下記式１で定義されるＡｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体の比に応じた発光波長の調整が可能な量子ドット：
式において、１）各元素の前駆体の量は０．１ｍｍｏｌ以上であり、２）Ｘが０．３２以上０．４０未満の場合、量子ドットは５００ｎｍ～５３０ｎｍの発光波長を有し、３）Ｘが０．４０以上０．６０未満の場合、量子ドットは５３１ｎｍ～５８０ｎｍの発光波長を有する。
【選択図】図１
【解決手段】Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳを含むコア、及びコア上のＩ族元素又はＩＩＩ族元素から選択される少なくとも１つ及びＶＩ族元素を含むシェルを含む量子ドットであって、下記式１で定義されるＡｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体の比に応じた発光波長の調整が可能な量子ドット：
式において、１）各元素の前駆体の量は０．１ｍｍｏｌ以上であり、２）Ｘが０．３２以上０．４０未満の場合、量子ドットは５００ｎｍ～５３０ｎｍの発光波長を有し、３）Ｘが０．４０以上０．６０未満の場合、量子ドットは５３１ｎｍ～５８０ｎｍの発光波長を有する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳを含むコア；及び
前記コア上のＩ族元素又はＩＩＩ族元素から選択される少なくとも１つ及びＶＩ族元素を含むシェルを含む量子ドットであって、
前記量子ドットは、下記式１で定義されるＡｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体の比に応じた発光波長の調整が可能な量子ドット：
前記式１において、
１）各元素の前駆体の量は、０．１ｍｍｏｌ以上であり、
２）Ｘが０．３２以上０．４０未満の場合、前記量子ドットは、５００ｎｍ～５３０ｎｍの発光波長を有し、
３）Ｘが０．４０以上０．６０未満の場合、前記量子ドットは、５３１ｎｍ～５８０ｎｍの発光波長を有する。
前記コア上のＩ族元素又はＩＩＩ族元素から選択される少なくとも１つ及びＶＩ族元素を含むシェルを含む量子ドットであって、
前記量子ドットは、下記式１で定義されるＡｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体の比に応じた発光波長の調整が可能な量子ドット：
【数1】
前記式１において、
１）各元素の前駆体の量は、０．１ｍｍｏｌ以上であり、
２）Ｘが０．３２以上０．４０未満の場合、前記量子ドットは、５００ｎｍ～５３０ｎｍの発光波長を有し、
３）Ｘが０．４０以上０．６０未満の場合、前記量子ドットは、５３１ｎｍ～５８０ｎｍの発光波長を有する。
【請求項2】
前記シェルに含まれるＩ族元素が、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕから選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載の量子ドット。
【請求項3】
前記シェルに含まれるＩＩＩ族元素が、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＴｌから選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載の量子ドット。
【請求項4】
前記シェルに含まれるＶＩ族元素が、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅから選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載の量子ドット。
【請求項5】
前記量子ドットの直径は、１ｎｍ～２０ｎｍである、請求項１に記載の量子ドット。
【請求項6】
前記シェルは、コア上に配置され、Ｉ族元素及びＩＩＩ族元素のうち少なくとも１つ及びＶＩ族元素を含む第１のシェル；及び前記第１のシェルに配置され、Ｉ族元素及びＩＩＩ族元素のうち少なくとも１つ及びＶＩ族元素を含む第２のシェルを含む、請求項１に記載の量子ドット。
【請求項7】
前記第１のシェル及び前記第２のシェルはそれぞれ、ＡｇＡｌＳ、ＡｇＡｌＳｅ、ＡｇＡｌＴｅ、ＡｇＧａＳ、ＡｇＧａＳｅ、ＡｇＧａＴｅ、ＡｇＩｎＳ、ＡｇＩｎＳｅ、ＡｇＩｎＴｅ、ＡｇＴｉＳ、ＡｇＴｉＳｅ、ＡｇＴｉＴｅ、ＣｕＡｌＳ、ＣｕＡｌＳｅ、ＣｕＡｌＴｅ、ＣｕＧａＳ、ＣｕＧａＳｅ、ＣｕＧａＴｅ、ＣｕＩｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ、ＣｕＩｎＴｅ、ＣｕＴｉＳ、ＣｕＴｉＳｅ、ＣｕＴｉＴｅ、ＡｕＡｌＳ、ＡｕＡｌＳｅ、ＡｕＡｌＴｅ、ＡｕＧａＳ、ＡｕＧａＳｅ、ＡｕＧａＴｅ、ＡｕＩｎＳ、ＡｕＩｎＳｅ、ＡｕＩｎＴｅ、ＡｕＴｉＳ、ＡｕＴｉＳｅ、ＡｕＴｉＴｅ、ＡｌＳ、ＡｌＳｅ、ＡｌＴｅ、ＧａＳ、ＧａＳｅ、ＧａＴｅ、ＩｎＳ、ＩｎＳｅ、ＩｎＴｅ、ＴｉＳ、ＴｉＳｅ、ＴｉＴｅのうちの１つを含む、請求項６に記載の量子ドット。
【請求項8】
Ａｇ前駆体、Ｉｎ前駆体、Ｇａ前駆体、Ｓ前駆体及び溶媒を、第１の反応器に注入して反応させることにより、コアを製造するコア製造工程、及び
Ｉ族元素を含むＩ族前駆体又はＩＩＩ族元素を含むＩＩＩ族前駆体から選択される少なくとも１つ、及びＶＩ族元素を含むＶＩ族前駆体を備えた第２の反応器に、前記製造されたコアを注入して反応させることにより、シェルを製造するシェル製造工程を含む量子ドットの製造方法であって、
前記量子ドットは、下記式１で定義される前記Ａｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体の比に応じた発光波長の調整が可能な量子ドットの製造方法であって、
前記式１において、
１）各元素の前駆体の量は、０．１ｍｍｏｌ以上であり、
２）Ｘが０．３２以上０．４０未満の場合、前記量子ドットは、５００ｎｍ～５３０ｎｍの発光波長を有し、
３）Ｘが０．４０以上０．６０未満の場合、前記量子ドットは、５３１ｎｍ～５８０ｎｍの発光波長を有する、量子ドットの製造方法。
Ｉ族元素を含むＩ族前駆体又はＩＩＩ族元素を含むＩＩＩ族前駆体から選択される少なくとも１つ、及びＶＩ族元素を含むＶＩ族前駆体を備えた第２の反応器に、前記製造されたコアを注入して反応させることにより、シェルを製造するシェル製造工程を含む量子ドットの製造方法であって、
前記量子ドットは、下記式１で定義される前記Ａｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体の比に応じた発光波長の調整が可能な量子ドットの製造方法であって、
【数2】
前記式１において、
１）各元素の前駆体の量は、０．１ｍｍｏｌ以上であり、
２）Ｘが０．３２以上０．４０未満の場合、前記量子ドットは、５００ｎｍ～５３０ｎｍの発光波長を有し、
３）Ｘが０．４０以上０．６０未満の場合、前記量子ドットは、５３１ｎｍ～５８０ｎｍの発光波長を有する、量子ドットの製造方法。
【請求項9】
請求項１に記載の量子ドットを含む発光ダイオードを含むディスプレイ装置；及び前記ディスプレイ装置を駆動する制御部を含む電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、量子ドット、量子ドットの製造方法及び電子装置に関する。
【背景技術】
【0002】
量子ドットとは、数ナノメートルのサイズを有する物質であり、量子閉じ込め効果により、バルク（ｂｕｌｋ）状態での物質とは異なる特性を示す物質をいう。量子ドットは、材料が有する固有のバンドギャップによって表すことができる発光波長が異なる。
【0003】
量子ドットは、一般に、コア及びシェルで構成され、コアは、量子ドットの発光波長と半値幅などの量子ドットの特性を決定する主な要素である。このような光特性は、数ナノサイズで現れる特殊な現象であり、量子閉じ込め効果により、バルク（ｂｕｌｋ）状態での物質とは異なる特性を示す。この特徴により、量子ドットは、同じ組成で粒子の大きさに応じて発光波長が調整され、放出する光の色が変わることがある。また、可視光領域だけでなく、様々な波長領域で発光が可能であるため、量子ドットは、次世代高輝度発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＬＥＤ）、バイオセンサー（ｂｉｏ ｓｅｎｓｏｒ）、レーザー、太陽電池ナノ素材などに活用できる素材として注目されている。
【0004】
量子ドットの発光波長は、材料の固有バンドギャップに基づいて、様々な方法で調整することができる。
【0005】
量子ドットは、一般に、粒径が小さくなるにつれて、バンドギャップが大きくなり、発光波長がブルーシフトし、逆に、粒径が大きくなるにつれて、バンドギャップが小さくなり、比較的に発光波長がレッドシフトする傾向を示すため、粒径の調整により量子ドットの発光波長を調整することができる。しかし、従来研究が進められていたＩＩＩ－Ｖ族化合物ベースの量子ドットは、製造方法において粒径の調整が難しく、特に粒径を小さくして、発光波長がブルーシフトした量子ドットを構成することが難しい。
【0006】
したがって、最近、ＩＩＩ－Ｖ族化合物量子ドットに続き、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族ディスプレイ用の量子ドット技術の開発が進められている。
【0007】
前記Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族ディスプレイ用の量子ドットは、ＩＩＩ－Ｖ族量子ドットに比べて吸光度が大きいため、発光効率が相対的に高いという利点を有している。また、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族量子ドットのうち、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットは、４成分系で量子ドットを構成する元素の組成に応じて、発光特性を変化させることが容易である。したがって、組成の変化に応じて、発光波長などを様々に調整することができ、色再現に優れた量子ドット素材として活用が可能である。
【0008】
したがって、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットの組成を適切に調整して、発光波長などの光特性を制御可能な技術が求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
一態様では、本開示の実施形態は、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを構成するときに、Ａｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体の量を調整して、発光波長の調整が可能なＡｇＩｎＧａＳ量子ドット、量子ドットの製造方法及び電子装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本開示の実施形態は、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアの構成時に、Ａｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体の量に応じて、５００ｎｍ～５８０ｎｍの範囲内で発光波長の調整が可能なＡｇＩｎＧａＳ量子ドット、量子ドットの製造方法及び電子装置を提供する。
【0011】
一態様では、本開示の実施形態は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳを含むコア、及び該コア上にＩ族元素又はＩＩＩ族元素から選択される少なくとも１つ及びＶＩ族元素を含むシェルを含む量子ドットを提供する。
【0012】
量子ドットは、下記式１で定義されるＡｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体の比に応じた発光波長の調整が可能である。
【0013】
【数1】
【0014】
前記式１において、
１）各元素の前駆体の量は、０．１ｍｍｏｌ以上であり、
２）Ｘが０．３２以上０．４０未満の場合、前記量子ドットは、５００ｎｍ～５３０ｎｍの発光波長を有し、
３）Ｘが０．４０以上０．６０未満の場合、前記量子ドットは、５３１ｎｍ～５８０ｎｍの発光波長を有する。
１）各元素の前駆体の量は、０．１ｍｍｏｌ以上であり、
２）Ｘが０．３２以上０．４０未満の場合、前記量子ドットは、５００ｎｍ～５３０ｎｍの発光波長を有し、
３）Ｘが０．４０以上０．６０未満の場合、前記量子ドットは、５３１ｎｍ～５８０ｎｍの発光波長を有する。
【0015】
シェルに含まれる少なくとも１つのＩ族元素は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕから選択される少なくとも１つを含むことができる。
【0016】
シェルに含まれる少なくとも１つのＩＩＩ族元素は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＴｌから選択される少なくとも１つを含むことができる。
【0017】
シェルに含まれる少なくとも１つのＶＩ族元素は、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅから選択される少なくとも１つを含むことができる。
【0018】
量子ドットの直径は、１ｎｍ～２０ｎｍであってもよい。
【0019】
シェルは、コア上に配置され、Ｉ族元素又はＩＩＩ族元素のうちの１つ及びＶＩ族元素を含む第１のシェルと、第１のシェル上に配置され、Ｉ族元素又はＩＩＩ族元素のうちの１つ及びＶＩ族元素を含む第２のシェルとを含むことができる。第１のシェルと第２のシェルとに含まれるＩ族元素、ＩＩＩ族元素、及びＶＩ族元素は、同一でも異なっていてもよい。
【0020】
第１のシェルは、ＡｇＡｌＳ、ＡｇＡｌＳｅ、ＡｇＡｌＴｅ、ＡｇＧａＳ、ＡｇＧａＳｅ、ＡｇＧａＴｅ、ＡｇＩｎＳ、ＡｇＩｎＳｅ、ＡｇＩｎＴｅ、ＡｇＴｉＳ、ＡｇＴｉＳｅ、ＡｇＴｉＴｅ、ＣｕＡｌＳ、ＣｕＡｌＳｅ、ＣｕＡｌＴｅ、ＣｕＧａＳ、ＣｕＧａＳｅ、ＣｕＧａＴｅ、ＣｕＩｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ、ＣｕＩｎＴｅ、ＣｕＴｉＳ、ＣｕＴｉＳｅ、ＣｕＴｉＴｅ、ＡｕＡｌＳ、ＡｕＡｌＳｅ、ＡｕＡｌＴｅ、ＡｕＧａＳ、ＡｕＧａＳｅ、ＡｕＧａＴｅ、ＡｕＩｎＳ、ＡｕＩｎＳｅ、ＡｕＩｎＴｅ、ＡｕＴｉＳ、ＡｕＴｉＳｅ、ＡｕＴｉＴｅのうちの１つを含むことができる。
【0021】
第２のシェルは、ＡｌＳ、ＡｌＳｅ、ＡｌＴｅ、ＧａＳ、ＧａＳｅ、ＧａＴｅ、ＩｎＳ、ＩｎＳｅ、ＩｎＴｅ、ＴｉＳ、ＴｉＳｅ、ＴｉＴｅのうちの１つを含むことができる。
【0022】
別の態様では、本開示の実施形態は、量子ドットの製造方法を提供する。
【0023】
量子ドットの製造方法は、コア製造工程及びシェル製造工程を含む。
【0024】
コア製造工程は、Ａｇ前駆体、Ｉｎ前駆体、Ｇａ前駆体、Ｓ前駆体及び溶媒を、第１の反応器に注入して反応させることにより、コアを製造する工程である。
【0025】
シェル製造工程は、Ｉ族元素を含むＩ族前駆体又はＩＩＩ族元素を含むＩＩＩ族前駆体から選択される少なくとも１つ、及びＶＩ族元素を含むＶＩ族前駆体を備えた第２の反応器に、前記製造されたコアを注入して反応させることにより、シェルを製造する工程である。
【0026】
量子ドットは、前記式（１）で定義されるＡｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体の比に応じた発光波長の調整が可能である。
【0027】
さらに別の態様では、本開示の実施形態は、量子ドットを含む発光ダイオードを含むディスプレイ装置と、ディスプレイ装置を駆動する制御部とを含む電子装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0028】
【図1】一実施形態による量子ドットの断面図である。
【図2】別の実施形態による量子ドットの断面図である。
【図3】さらに別の実施形態による量子ドットの断面図である。
【図4】別の実施形態による電子装置の断面図である。
【図5】別の実施形態による発光ダイオードの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0029】
以下、本発明の説明では、実施形態を理解するために必要な部分のみを説明し、量子ドットの製造方法を詳細に説明する。説明に使用される技術的用語や科学用語において、別の定義がない場合、発明に属する技術分野における通常の知識を有する者が、通常に理解している意味を示す。本発明を説明するにあたって、具体的な説明が本発明の要旨をぼかすことができると判断される場合には、その詳細な説明は省略する。
【0030】
また、本発明の構成要素を説明するにあたって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を使用することができる。これらの用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものであるだけで、その用語によって当該構成要素の本質、順番、順序などが限定されない。ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」、又は「接続」されると記載されている場合、その構成要素は、他の構成要素に直接連結又は接続されてもよいが、各構成要素間にさらに別の構成要素が「連結」、「結合」、又は「接続」されてもよいことが理解されるべきである。
【0031】
また、層、膜、領域、板などの構成要素が、他の構成要素「の上に」又は「上に」あるとする場合、これは、他の構成要素の「真上に」ある場合だけでなく、その中間にさらに別の構成要素がある場合も含むことができると理解されるべきである。逆に、ある構成要素が、他の部分の「真上に」あると言う場合には、中間にさらに別の部分がないことを意味すると理解されるべきである。また、基準となる部分「の上に」又は「上に」あるということは、基準となる部分の上又は下に位置するものであり、必ず重力の反対方向に向かって、「の上に」又は「上に」位置することを意味するわけではない。
【0032】
さらに、本開示を説明するにあたって、ある部分が、ある構成要素を「含む」と言うとき、これは、特に断りのない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含んでもよいことを意味する。
【0033】
なお、本開示を説明するにあたり、「平面状」と言う場合は、対象部分を上から見たときを意味し、「断面状」という場合は、対象部分を垂直に切った断面を横から見たときを意味する。
【0034】
なお、本開示を説明するにあたり、「族（Ｇｒｏｕｐ）」とは、元素周期律表の族をいう。
【0035】
ここで、「Ｉ族」は、ＩＡ族及びＩＢ族を含むことができ、Ｉ族元素は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕを含むが、これらに限定されない。
【0036】
「ＩＩ族」は、ＩＩＡ及びＩＩＢ族を含むことができ、ＩＩ族元素は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ及びＨｇを含むが、これらに限定されない。
【0037】
「ＩＩＩ族」は、ＩＩＩＡ族及びＩＩＩＢ族を含むことができ、ＩＩＩ族元素は、Ｉｎ、Ｇａ及びＡｌを含むが、これらに限定されない。
【0038】
「Ｖ族」は、ＶＡ族を含むことができ、Ｖ族元素は、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ及びＮを含むが、これらに限定されない。
【0039】
「ＶＩ族」は、ＶＩＡ族を含むことができ、ＶＩ族元素は、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅを含むが、これらに限定されない。
【0040】
本開示における前駆体（Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）とは、量子ドットを反応させるために予め製造された化学物質であり、金属、イオン、元素、化合物、錯化合物、複合体及びクラスターなどを含むすべての化合物を指す概念である。必ずしも任意の反応の最終的な物質に限定されず、任意に定められたいずれかの段階で得られる物質を意味する。
【0041】
以下、図面を参照して、本開示の実施形態による量子ドットを詳細に説明する。
【0042】
図１は、一実施形態による量子ドットの断面図である。
【0043】
図１を参照すると、本開示による量子ドット１０は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳを含むＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコア１２を含む。
【0044】
本開示による量子ドット１０は、ＡｇＩｎＧａＳコア１２と、ＡｇＩｎＧａＳコア１２上に配置されたシェル１４とを含むＡｇＩｎＧａＳ量子ドットであってもよい。
【0045】
一実施形態では、コア１２上に配置されたシェル１４は、Ｉ族元素又はＩＩＩ族元素から選択される少なくとも１つ及びＶＩ族元素を含むことができる。
【0046】
シェル１４に用いられるＩ族元素は、ＩＡ族及びＩＢ族を含むことができ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕ又はこれらの組み合わせからなる群から選択される１つを使用することができるが、これらに限定されない。
【0047】
シェル１４に使用されるＩＩＩ族元素は、ＩＩＩＡ族及びＩＩＩＢ族を含むことができ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ及びＴｌ又はこれらの組み合わせからなる群から選択される１つを使用することができるが、これらに限定されない。
【0048】
シェル１４に使用されるＶＩ族元素は、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅ又はこれらの組み合わせからなる群から選択される１つを使用することができるが、これらに限定されない。
【0049】
一実施形態では、発光体から構成される本開示の量子ドット１０は、コア１２とシェル１４とのバンドギャップの差に応じたタイプ１の量子ドットであってもよい。
【0050】
タイプ１の量子ドットは、シェル１４のバンドギャップが、コア１２のバンドギャップよりも大きい構造で構成される量子ドットであり、その構造で、発光は、バンドギャップがより小さいコア１２で起こり、シェル１４は、発光に影響を及ぼさない。したがって、発光波長は、コア１２の構成にのみ影響を受ける。
【0051】
タイプ１の構造では、シェル１４は、コア１２の表面欠陥を抑制する役割を果たし、それにより、発光効率をさらに向上させることができる。
【0052】
【0053】
図２を参照すると、一実施形態では、量子ドット１０は、ＡｇＩｎＧａＳコア１２と、コア１２上に（又は直上に）配置されたＩ族元素及びＩＩＩ族元素のうち少なくとも１つ及びＶＩ族元素を含む第１のシェル１４と、第１のシェル１４（の真上）に配置されたＩ族元素及びＩＩＩ族元素のうち少なくとも１つ及びＶＩ族元素を含む第２のシェル１６とを有するコア－多層シェルの構造であってもよい。
【0054】
別の実施形態による量子ドット１０は、図３に示すように、ＡｇＩｎＧａＳコア１２と、第１のシェル１４及び第２のシェル１６を含み、第２のシェル１６より外殻に、別のシェル１８をさらに含んでもよく、又は図示していないが、第１のシェル１４と第２のシェル１６との間に、別の中間シェルをさらに含んでもよい。
【0055】
一実施形態では、ＡｇＩｎＧａＳコアシェル量子ドットの製造は、反応器内で、Ａｇ前駆体、Ｉｎ前駆体、Ｇａ前駆体及びＳ前駆体を用いて、ＡｇＩｎＧａＳコア１２を構成し、ＡｇＩｎＧａＳコア１２に、第１のシェル１４を構成するＩ族元素及びＩＩＩ族元素のうち少なくとも１つ及びＶＩ族元素前駆体を注入して、コア上に第１のシェル１４を形成する方法、又は、第１のシェル１４が形成された量子ドット溶液に、Ｉ族元素及びＩＩＩ族元素のうち少なくとも１つとＶＩ族元素前駆体とを注入して、第２のシェル１６を形成する方法で行うことができる。
【0056】
第１のシェル１４と第２のシェル１６とに含まれるＩＩＩ族元素及びＶＩ族元素は、同じでも異なっていてもよい。ＡｇＩｎＧａＳコアシェル量子ドットの形成方法は、高温注入（ｈｏｔ－ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ）法、定位置反応（Ｉｎ－ｓｉｔｕ）及び温度上昇（ｈｅａｔｉｎｇ ｕｐ）法で行うことができる。前記の方法は、ＡｇＩｎＧａＳコア製造工程及びシェル製造工程の各工程で実施することができる。
【0057】
コア１２を構成するＡｇ前駆体は、例えば、アセチルアセトン銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、塩化銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、臭化銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｂｒｏｍｉｄｅ）、ヨウ化銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ）、酢酸銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ａｃｅｔａｔｅ）、硝酸銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｎｉｔｒａｔｅ）、及びミリスチン酸銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｍｙｒｉｓｔａｔｅ）からなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。
【0058】
コア１２を構成するＩｎ前駆体は、例えば、アセチルアセトンインジウム（ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、塩化インジウム（ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、酢酸インジウム（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔａｔｅ）、トリメチルインジウム（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ Ｉｎｄｉｕｍ）、アルキルインジウム（ａｌｋｙｌ Ｉｎｄｉｕｍ）、アリールインジウム（ａｒｙｌ Ｉｎｄｉｕｍ）、ミリスチン酸インジウム（ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｍｙｒｉｓｔａｔｅ）及び酢酸ミリスチン酸インジウム（ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｍｙｒｉｓｔａｔｅ ａｃｅｔａｔｅ）からなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。
【0059】
コア１２を構成するＧａ前駆体は、例えば、アセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、塩化ガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、ヨウ化ガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ｉｏｄｉｄｅ）、臭化ガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ｂｒｏｍｉｄｅ）、酢酸ガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔａｔｅ）、硝酸ガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ｎｉｔｒａｔｅ）からなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。
【0060】
コア１２を構成するＳ前駆体は、例えば、１－オクタンチオール（１－ｏｃｔａｎｅｔｈｉｏｌ）、１－ドデカンチオール（１－ｄｏｄｅｃａｎｅｔｈｉｏｌ）、二塩化硫黄（ＳＣｌ２）、硫黄元素（Ｓ）、Ｓ－ＴＯＰ、Ｓ－ＯＤＥからなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。
【0061】
コア１２を構成するＡｇ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳ前駆体は、オレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）、トルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）等の溶媒と混合して、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造する前駆体－溶媒前駆体溶液として構成することができる。
【0062】
一実施形態では、シェル１４を構成するＩ族前駆体は、Ａｇ前駆体、Ｃｕ前駆体又はＡｕ前駆体などを含むことができるが、これらに限定されない。
【0063】
シェル１４を構成するＣｕ前駆体は、例えば、アセチルアセトン銅（ｃｕｐｐｅｒ（ＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、塩化銅（ｃｕｐｐｅｒ（ＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、臭化銅（ｃｕｐｐｅｒ（ＩＩ） ｂｒｏｍｉｄｅ）、ヨウ化銅（ｃｕｐｐｅｒ（ＩＩ） ｉｏｄｉｄｅ）、酢酸銅（ｃｕｐｐｅｒ（ＩＩ） ａｃｅｔａｔｅ）、及び硝酸銅（ｃｕｐｐｅｒ（ＩＩ） ｎｉｔｒａｔｅ）からなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。
【0064】
シェル１４を構成するＡｕ前駆体は、例えば、四塩化金酸水素（ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｔｅｔｒａｃｈｌｏｒｏａｕｒａｔｅ（ＩＩＩ））、塩化金（ｇｏｌｄ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ）及び臭化金（ｇｏｌｄ（ＩＩＩ） ｂｒｏｍｉｄｅ）からなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。
【0065】
シェル１４を構成するＡｇ前駆体は、コア１２を構成する前駆体で既に説明したところ、これについての説明は、省略する。
【0066】
また、シェル１４を構成するＩＩＩ族前駆体は、Ｇａ前駆体、Ｉｎ前駆体、Ａｌ前駆体又はＴｌ前駆体などを含むことができるが、これらに限定されない。
【0067】
シェル１４を構成するＧａ前駆体及びＩｎ前駆体は、コアを構成する前駆体で既に説明したところ、これについての説明は、省略する。
【0068】
Ａｌ前駆体は、例えば、塩化アルミニウム（ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、ヨウ化アルミニウム（ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（ＩＩＩ） ｉｏｄｉｄｅ）、酸化アルミニウム（ａｌｕｍｉｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、アルミニウムアセチルアセトナート（ａｌｕｍｉｎｉｕｍ ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）などの化合物からなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。
【0069】
Ｔｌ前駆体は、例えば、酢酸タリウム（ｔｈａｌｌｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ）、タリウムアセチルアセトナート（ｔｈａｌｌｉｕｍ ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、酸化タリウム（ｔｈａｌｌｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、臭化タリウム（ｔｈａｌｌｉｕｍ ｂｒｏｍｉｄｅ）、塩化タリウム（ｔｈａｌｌｉｕｍ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、ヨウ化タリウム（ｔｈａｌｌｉｕｍ ｉｏｄｉｄｅ）などの化合物からなる群から選択される１つであってもよい。
【0070】
また、シェル１４を構成するＶＩ族前駆体は、Ｓ前駆体、Ｓｅ前駆体、Ｔｅ前駆体などを含むことができるが、これに限定されない。
【0071】
Ｓｅ前駆体は、例えば、塩化セレン（ｓｅｌｅｎｉｕｍ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、元素セレン（Ｓｅ）、Ｓｅ－ＴＯＰ、Ｓｅ－ＤＰＰ、Ｓｅ－ＯＤＥ、有機セレン化合物、例えば、ジベンジルジセレニド（ｄｉｂｅｎｚｙｌ ｄｉｓｅｌｅｎｉｄｅ）、ジフェニルジセレニド（ｄｉｐｈｅｎｙｌ ｄｉｓｅｌｅｎｉｄｅ）又はセレン水素化物等の化合物からなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。
【0072】
Ｔｅ前駆体は、例えば、塩化テルリウム（ｔｅｌｌｕｒｉｕｍ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、元素テルリウム（Ｔｅ）又はテルリウム水素化物からなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。
【0073】
第１のシェル１４及び第２のシェル１６はそれぞれ、ＡｇＡｌＳ、ＡｇＡｌＳｅ、ＡｇＡｌＴｅ、ＡｇＧａＳ、ＡｇＧａＳｅ、ＡｇＧａＴｅ、ＡｇＩｎＳ、ＡｇＩｎＳｅ、ＡｇＩｎＴｅ、ＡｇＴｉＳ、ＡｇＴｉＳｅ、ＡｇＴｉＴｅ、ＣｕＡｌＳ、ＣｕＡｌＳｅ、ＣｕＡｌＴｅ、ＣｕＧａＳ、ＣｕＧａＳｅ、ＣｕＧａＴｅ、ＣｕＩｎＳ、ＣｕＩｎＳｅ、ＣｕＩｎＴｅ、ＣｕＴｉＳ、ＣｕＴｉＳｅ、ＣｕＴｉＴｅ、ＡｕＡｌＳ、ＡｕＡｌＳｅ、ＡｕＡｌＴｅ、ＡｕＧａＳ、ＡｕＧａＳｅ、ＡｕＧａＴｅ、ＡｕＩｎＳ、ＡｕＩｎＳｅ、ＡｕＩｎＴｅ、ＡｕＴｉＳ、ＡｕＴｉＳｅ、ＡｕＴｉＴｅ、ＡｌＳ、ＡｌＳｅ、ＡｌＴｅ、ＧａＳ、ＧａＳｅ、ＧａＴｅ、ＩｎＳ、ＩｎＳｅ、ＩｎＴｅ、ＴｉＳ、ＴｉＳｅ、ＴｉＴｅのうちの１つを含むことができる。
【0074】
一実施形態では、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドット１０におけるＡｇＩｎＧａＳコア１２を構成するＡｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体のモル比は、下記式１で表される。
【0075】
【数2】
【0076】
前記式１において、
１）各元素の前駆体の量は、０．１ｍｍｏｌ以上であり、
２）Ｘが０．３２以上０．４０未満の場合、量子ドットは、５００ｎｍ～５３０ｎｍの発光波長を有し、
３）Ｘが０．４０以上０．６０未満の場合、量子ドットは、５３１ｎｍ～５８０ｎｍの発光波長を有する。
１）各元素の前駆体の量は、０．１ｍｍｏｌ以上であり、
２）Ｘが０．３２以上０．４０未満の場合、量子ドットは、５００ｎｍ～５３０ｎｍの発光波長を有し、
３）Ｘが０．４０以上０．６０未満の場合、量子ドットは、５３１ｎｍ～５８０ｎｍの発光波長を有する。
【0077】
式１において、Ｘが０に近いほど、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットは、発光波長がブルーシフトし、Ｘが１に近いほど、レッドシフトすることが可能である。
【0078】
量子ドット１０の形態は、当該分野で一般的に使用される形態のものであり、特に限定されないが、より具体的には、球状、ピラミッド型、多枝型（ｍｕｌｔｉ－ａｒｍ）、又は立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ繊維、ナノ板状粒子などの形態のものを用いてもよい。
【0079】
量子ドット１０は、粒径に応じて放出される光の色を調整することができ、これにより、量子ドット１０は、青色、赤色、緑色などの様々な発光色を有することができる。
【0080】
一実施形態によれば、量子ドット１０の直径は、１ｎｍ～２０ｎｍ、好ましくは、２ｎｍ～１５ｎｍ、より好ましくは、２ｎｍ以上１０ｎｍであってもよい。
【0081】
さらに別の態様では、本開示の実施形態によれば、量子ドット１０を含むインク組成物を提供することができる。本開示の実施形態によるインク組成物において、量子ドット１０に関する事項は、特に断りのない限り、本開示の実施形態による量子ドットと同じである。
【0082】
本実施形態によるインク組成物は、量子ドット１０、光硬化型モノマー、光開始剤、光拡散剤を含む光変換インク組成物であってもよい。
【0083】
一実施形態によれば、量子ドット１０の含有量は、量子ドットインク組成物の総含有量１００重量部に対して、２０重量部～６０重量部、例えば、２５重量部～５０重量部、又は３０重量部～４５重量部であり得る。一実施形態によれば、インク組成物は、溶媒を含まなくてもよい。すなわち、インク組成物は、無溶剤型の量子ドットインク組成物であり得る。一実施形態によれば、インク組成物は、粘度が１０ｃＰ～２５ｃＰであり得る。一実施形態によれば、インク組成物は、２５℃での表面張力が、３０ｍＮ／ｍ以上であり得る。前述の粘度及び／又は表面張力の範囲を満たす場合、インク組成物は、無溶剤型の量子ドットインク組成物として、色変換部材又は発光素子の発光層などの様々な部材を、インクジェットなどの溶液工程に好適に用いることができる。
【0084】
一実施形態によれば、インク組成物を用いて形成された光学部材（ｏｐｔｉｃａｌ ｍｅｍｂｅｒ）を提供することができる。例えば、光学部材は、色変換部材であってもよい。
【0085】
別の態様によれば、図４を参照すると、一実施形態による電子装置１００は、基板１１０、基板１１０上に配置された光源１２０、及び光源１２０から放出された光の経路に配置された色変換部材１３０を含み、色変換部材１３０は、前述したインク組成物を用いて形成することができる。
【0086】
一実施形態によれば、光源１２０は、発光素子であってもよい。例えば、光源１２０は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）又は無機発光ダイオード（ＩＬＥＤ又はＱＬＥＤ）であり得る。
【0087】
さらに別の態様では、図５を参照すると、別の実施形態による発光ダイオード２００は、量子ドット１０を含むことができる。別の実施形態による発光ダイオード２００は、アノード２１０及びカソード２３０と、その間に位置する中間層２２０とを含む。中間層２２０は、前述の量子ドットを含むインク組成物を含む発光層を含むことができる。
【0088】
また、本開示のさらなる態様は、前述した発光ダイオードを含むディスプレイ装置と、ディスプレイ装置を駆動する制御部とを含む電子装置を提供することができる。
【0089】
電子装置は、例えば、表示装置、照明装置、太陽電池、携帯又はモバイル端末（例えば、スマートフォン、タブレット、ＰＤＡ、電子辞書、ＰＭＰなど）、ナビゲーション端末、ゲーム機、各種テレビ、各種コンピュータモニタなどをすべて含むことができ、これらに限定されず、構成物を含むだけであれば、任意の形態の装置を含むことができる。
【0090】
量子ドットを用いた様々な電子素子及び装置への応用は、本技術分野における通常の知識を有する者が容易に適用できるため、その詳細な説明は、省略する。
【0091】
以下では、具体的な実施形態を提示する。ただし、以下に記載される実施例は、開示を具体的に例示又は説明するためのものに過ぎず、それによって本発明の範囲が限定されるべきではない。
【実施例0092】
（実施例）
（１）製造例１：ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）前駆体溶液の調製
５０ｍＬのフラスコに、ヨウ化銀（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ）０．５６ｇ（２．４ｍｍｏｌ）と、オレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１０ｍＬ（３０ｍｍｏｌ）とを入れ、室温（ＲＴ）で１時間減圧し、減圧した状態で１２０℃まで１０分間昇温した後、１時間反応した。混合溶液をＡｒ雰囲気にした後、常温に減温して、Ａｇ前駆体溶液を調製した。前駆体溶液のＡｇ濃度は、０．２４Ｍである。
（１）製造例１：ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）前駆体溶液の調製
５０ｍＬのフラスコに、ヨウ化銀（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ）０．５６ｇ（２．４ｍｍｏｌ）と、オレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１０ｍＬ（３０ｍｍｏｌ）とを入れ、室温（ＲＴ）で１時間減圧し、減圧した状態で１２０℃まで１０分間昇温した後、１時間反応した。混合溶液をＡｒ雰囲気にした後、常温に減温して、Ａｇ前駆体溶液を調製した。前駆体溶液のＡｇ濃度は、０．２４Ｍである。
【0093】
（２）製造例２：塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）前駆体溶液の調製
１０ｍＬのバイアル（ｖｉａｌ）に、塩化インジウム（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ）０．１１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）と、エタノール５ｍＬとを入れて、Ｉｎ前駆体溶液を調製した。前駆体溶液のＩｎ濃度は、０．１０Ｍである。
１０ｍＬのバイアル（ｖｉａｌ）に、塩化インジウム（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ）０．１１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）と、エタノール５ｍＬとを入れて、Ｉｎ前駆体溶液を調製した。前駆体溶液のＩｎ濃度は、０．１０Ｍである。
【0094】
（３）製造例３：塩化ガリウム－トルエン（Ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｔｏｌｕｅｎｅ）前駆体溶液の調製
１０ｍＬのバイアルに、塩化ガリウム（Ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ）０．８０ｇ（４．５４ｍｍｏｌ）と、トルエン０．８ｍＬとを入れて、Ｇａ前駆体溶液を調製した。前駆体溶液のＧａ濃度は、５．６８Ｍである。
１０ｍＬのバイアルに、塩化ガリウム（Ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ）０．８０ｇ（４．５４ｍｍｏｌ）と、トルエン０．８ｍＬとを入れて、Ｇａ前駆体溶液を調製した。前駆体溶液のＧａ濃度は、５．６８Ｍである。
【0095】
（４）製造例４：アセチルアセトンガリウム－トルエン（Ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ－ｔｏｌｕｅｎｅ）前駆体溶液の調製
２０ｍＬのバイアルに、塩化ガリウム（Ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ）１．６７ｇ（４．５４ｍｍｏｌ）と、トルエン１６ｍＬとを入れて、Ｇａ前駆体溶液を調製した。前駆体溶液のＧａ濃度は、０．２８Ｍである。
２０ｍＬのバイアルに、塩化ガリウム（Ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ）１．６７ｇ（４．５４ｍｍｏｌ）と、トルエン１６ｍＬとを入れて、Ｇａ前駆体溶液を調製した。前駆体溶液のＧａ濃度は、０．２８Ｍである。
【0096】
（５）製造例５：Ｓ－オレイルアミン（Ｓ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）前駆体溶液の調製
５０ｍＬのフラスコに、Ｓ ０．３０５ｇ（９．５ｍｍｏｌ）と、オレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）９．５ｍＬ（２８．５ｍｍｏｌ）とを入れ、室温（ＲＴ）で３０分間減圧し、減圧した状態で１２０℃まで１０分間昇温した後、１時間反応した。混合溶液をアルゴン雰囲気にした後、常温に減温して、Ｓ前駆体溶液を調製した。前駆体溶液のＳ濃度は、１Ｍである。
５０ｍＬのフラスコに、Ｓ ０．３０５ｇ（９．５ｍｍｏｌ）と、オレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）９．５ｍＬ（２８．５ｍｍｏｌ）とを入れ、室温（ＲＴ）で３０分間減圧し、減圧した状態で１２０℃まで１０分間昇温した後、１時間反応した。混合溶液をアルゴン雰囲気にした後、常温に減温して、Ｓ前駆体溶液を調製した。前駆体溶液のＳ濃度は、１Ｍである。
【0097】
（６）製造例６：ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアの製造
１）還流器を備えた５０ｍＬの三口丸底フラスコに、製造例４で製造したアセチルアセトンガリウム（Ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）及びトリオクチルホスフィンオキシド（ｔｒｉｏｃｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ ｏｘｉｄｅ、ＴＯＰＯ）０．３ｇ、製造例１で製造したヨウ化銀－オレイルアミン（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）、製造例２で製造した塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）及び１－オクタデセン（１－ｏｃｔａｄｅｃｅｎｅ）５ｍｌを入れ、１２０℃に加熱し、真空ポンプを用いて、３０分間、０．００５トール（ｔｏｒｒ）程度に維持する。
１）還流器を備えた５０ｍＬの三口丸底フラスコに、製造例４で製造したアセチルアセトンガリウム（Ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）及びトリオクチルホスフィンオキシド（ｔｒｉｏｃｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ ｏｘｉｄｅ、ＴＯＰＯ）０．３ｇ、製造例１で製造したヨウ化銀－オレイルアミン（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）、製造例２で製造した塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）及び１－オクタデセン（１－ｏｃｔａｄｅｃｅｎｅ）５ｍｌを入れ、１２０℃に加熱し、真空ポンプを用いて、３０分間、０．００５トール（ｔｏｒｒ）程度に維持する。
【0098】
２）次に、Ｎ２雰囲気に置換した後、１２０℃で、製造例５で製造したＳ－オレイルアミン（Ｓ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）溶液１ｍｌ（０．０３ｇ、１ｍｍｏｌ）と、１－ドデカンチオール（１－ｄｏｄｅｃａｎｅｔｈｉｏｌ）０．５ｍｌとを注入する。
【0099】
３）Ｓ－オレイルアミン（Ｓ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）溶液の投入後、１２０℃で３０分間、真空ポンプを用いて、０．００５ｔｏｒｒ程度に維持する。そして、３１０℃の温度で１０分間攪拌した後、反応を終了する。
【0100】
４）２８０℃の温度で、トリスジメチルアミノホスフィン（ｔｒｉｓ ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ（ＰＤＥＡ）３）及びトリオクチルホスフィン（ｔｒｉｏｃｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ、ＴＯＰ）の混合溶液５ｍｌを注入した後、常温に減温する。
【0101】
５）調製したＡｇＩｎＧａＳ量子ドット溶液を２等分し、エタノール４２．５ｍｌを満たし、ＡｇＩｎＧａＳコア－エタノール溶液５０ｍｌを用意する。
【0102】
６）前記溶液を５０００ＲＰＭで５分間遠心分離した後、トルエン１．２ｍｌに分散させる。分散したＡｇＩｎＧａＳコア－トルエン溶液を、５０００ＲＰＭで１分間遠心分離して、不純物を除去し、ＡｇＩｎＧａＳコア量子ドット溶液を得る。
【0103】
（７）実施例１：ＡｇＩｎＧａＳ／ＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの製造［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．３２８］
【0104】
（７－１）実施例１－１：ＡｇＩｎＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの製造
１）製造例６の過程で、ヨウ化銀（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ）－オレイルアミン（Ｓ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１ｍｌ（Ａｇ：０．２４ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）２ｍｌ（Ｉｎ：０．２ｍｍｏｌ）、アセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．１３５ｇ（Ｇａ：０．３７ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコア溶液を調製する。
１）製造例６の過程で、ヨウ化銀（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ）－オレイルアミン（Ｓ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１ｍｌ（Ａｇ：０．２４ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）２ｍｌ（Ｉｎ：０．２ｍｍｏｌ）、アセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．１３５ｇ（Ｇａ：０．３７ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコア溶液を調製する。
【0105】
２）還流器を備えた５０ｍＬの三口丸底フラスコに、オレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１６ｍｌを入れ、１２０℃に加熱し、３０分間、真空ポンプを用いて、０．００５ｔｏｒｒ程度に維持する。１２０℃で窒素雰囲気に置換した後、１）のＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコア溶液を注入し、製造例３で製造した塩化ガリウム－トルエン（Ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｔｏｌｕｅｎｅ）溶液０．８ｍｌ（０．８０ｇ、４．５４ｍｍｏｌ）及びＳ－オレイルアミン（Ｓ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）２ｍｌを注入した後、真空ポンプを用いて、トルエンを除去する。その後、窒素雰囲気に置換した後、３１０℃で６０分間反応を進行する。
【0106】
３）２８０℃の温度で、トリスジメチルアミノホスフィン（ｔｒｉｓ ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ（ＰＤＥＡ）３）及びトリオクチルホスフィン（ｔｒｉｏｃｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ、ＴＯＰ）の混合溶液５ｍｌを注入して、常温に減温した後、ＡｇＩｎＧａＳ／ＧａＳ量子ドット溶液を得る。
【0107】
（７－２）実施例１－２：ＡｇＩｎＧａＳ／ＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの製造
１）還流器を備えた５０ｍＬの三口丸底フラスコに、オレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１６ｍｌを入れ、１２０℃に加熱し、３０分間真空ポンプを用いて、０．００５ｔｏｒｒ程度に維持する。１２０℃で窒素雰囲気に置換した後、ＡｇＩｎＧａＳ／ＧａＳ量子ドット溶液を注入し、塩化ガリウム－トルエン（Ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｔｏｌｕｅｎｅ）溶液０．８ｍｌ及びＳ－オレイルアミン（Ｓ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）２ｍｌを注入した後、真空ポンプを使用して、トルエンを除去する。その後、窒素雰囲気に置換した後、３１０℃で１００分間反応を進行する。
１）還流器を備えた５０ｍＬの三口丸底フラスコに、オレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１６ｍｌを入れ、１２０℃に加熱し、３０分間真空ポンプを用いて、０．００５ｔｏｒｒ程度に維持する。１２０℃で窒素雰囲気に置換した後、ＡｇＩｎＧａＳ／ＧａＳ量子ドット溶液を注入し、塩化ガリウム－トルエン（Ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｔｏｌｕｅｎｅ）溶液０．８ｍｌ及びＳ－オレイルアミン（Ｓ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）２ｍｌを注入した後、真空ポンプを使用して、トルエンを除去する。その後、窒素雰囲気に置換した後、３１０℃で１００分間反応を進行する。
【0108】
２）２８０℃の温度で、トリスジメチルアミノホスフィン（ｔｒｉｓ ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ（ＰＤＥＡ）３）及びトリオクチルホスフィン（ｔｒｉｏｃｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ、ＴＯＰ）の混合溶液５ｍｌを注入して、常温に減温した後、量子ドット溶液を得る。
【0109】
（８）実施例２：ＡｇＩｎＧａＳ／ＧａＳ／ＡｇＧａＳ量子ドットの製造［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．３２８］
実施例１の実施例１－２のステップ２）で、ヨウ化銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ）０．０１４ｇを用いたことを除いて、実施例２と同様の方法で量子ドットを得る。
実施例１の実施例１－２のステップ２）で、ヨウ化銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ）０．０１４ｇを用いたことを除いて、実施例２と同様の方法で量子ドットを得る。
【0110】
（９）実施例３：ＡｇＩｎＧａＳ／ＡｇＧａＳ／ＡｇＧａＳ量子ドットの製造［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．３２８］
実施例１の実施例１－１及び実施例１－２のステップ２）で、ヨウ化銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ）０．０１４ｇを用いたことを除いて、実施例２と同様の方法で量子ドットを得る。
実施例１の実施例１－１及び実施例１－２のステップ２）で、ヨウ化銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ）０．０１４ｇを用いたことを除いて、実施例２と同様の方法で量子ドットを得る。
【0111】
（１０）実施例４：ＡｇＩｎＧａＳ／ＡｇＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの製造［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．３２８］
実施例１の実施例１－１のステップ２）で、ヨウ化銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ）０．０１４ｇを用いたことを除いて、実施例２と同様の方法で量子ドットを得る。
実施例１の実施例１－１のステップ２）で、ヨウ化銀（ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ）０．０１４ｇを用いたことを除いて、実施例２と同様の方法で量子ドットを得る。
【0112】
（１１）実施例５：ＡｇＩｎＧａＳ／ＡｇＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの製造［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．３６５］
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）０．９１５ｍｌ（Ａｇ：０．２２ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）２．３ｍｌ（Ｉｎ：０．２３ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．１５ｇ（Ｇａ：０．４１ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）０．９１５ｍｌ（Ａｇ：０．２２ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）２．３ｍｌ（Ｉｎ：０．２３ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．１５ｇ（Ｇａ：０．４１ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
【0113】
（１２）実施例６：ＡｇＩｎＧａＳ／ＡｇＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの製造［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．３９７］
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）０．９５７５ｍｌ（Ａｇ：０．２３ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）２．５ｍｌ（Ｉｎ：０．２５ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．１４６ｇ（Ｇａ：０．４ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）０．９５７５ｍｌ（Ａｇ：０．２３ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）２．５ｍｌ（Ｉｎ：０．２５ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．１４６ｇ（Ｇａ：０．４ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
【0114】
（１３）実施例７：ＡｇＩｎＧａＳ／ＡｇＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの製造［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．４０７］
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１．６７ｍｌ（Ａｇ：０．４ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）２．４ｍｌ（Ｉｎ：０．２４ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．０６９７ｇ（Ｇａ：０．１９ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１．６７ｍｌ（Ａｇ：０．４ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）２．４ｍｌ（Ｉｎ：０．２４ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．０６９７ｇ（Ｇａ：０．１９ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
【0115】
（１４）実施例８：ＡｇＩｎＧａＳ／ＡｇＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの製造［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．４５９］
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１．９２ｍｌ（Ａｇ：０．４６ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）２．８ｍｌ（Ｉｎ：０．２８ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．０５５ｇ（Ｇａ：０．１５ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１．９２ｍｌ（Ａｇ：０．４６ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）２．８ｍｌ（Ｉｎ：０．２８ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．０５５ｇ（Ｇａ：０．１５ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
【0116】
（１５）実施例９：ＡｇＩｎＧａＳ／ＡｇＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの製造［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．５０８］
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１．９６ｍｌ（Ａｇ：０．４７ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）３．１ｍｌ（Ｉｎ：０．３１ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．０５１ｇ（Ｇａ：０．１４ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１．９６ｍｌ（Ａｇ：０．４７ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）３．１ｍｌ（Ｉｎ：０．３１ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．０５１ｇ（Ｇａ：０．１４ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
【0117】
（１６）実施例１０：ＡｇＩｎＧａＳ／ＡｇＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの製造［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．５５７］
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）２ｍｌ（Ａｇ：０．４８ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）３．４ｍｌ（Ｉｎ：０．３４ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．０４７ｇ（Ｇａ：０．１３ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）２ｍｌ（Ａｇ：０．４８ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）３．４ｍｌ（Ｉｎ：０．３４ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．０４７ｇ（Ｇａ：０．１３ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
【0118】
（１７）実施例１１：ＡｇＩｎＧａＳ／ＡｇＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの製造［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．５９６］
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）２ｍｌ（Ａｇ：０．４８ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）３．７ｍｌ（Ｉｎ：０．３７ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．０５１ｇ（Ｇａ：０．１４ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）２ｍｌ（Ａｇ：０．４８ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）３．７ｍｌ（Ｉｎ：０．３７ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．０５１ｇ（Ｇａ：０．１４ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に実施例４と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
【0119】
（１８）比較例１：ＡｇＩｎＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの製造［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．３２８］
実施例１の実施例１－２の過程を除いて、実施例１－１と同様の方法で量子ドットを得る。
実施例１の実施例１－２の過程を除いて、実施例１－１と同様の方法で量子ドットを得る。
【0120】
（１９）比較例２：ＡｇＩｎＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの製造［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．５０８］
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１．９６ｍｌ（Ａｇ：０．４７ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）３．１ｍｌ（Ｉｎ：０．３１ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．０５１ｇ（Ｇａ：０．１４ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に比較例１と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
製造例６の過程で、ヨウ化銀－オレイルアミン（Ｓｉｌｖｅｒ（Ｉ） ｉｏｄｉｄｅ－ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ）１．９６ｍｌ（Ａｇ：０．４７ｍｍｏｌ）、塩化インジウム－エタノール（Ｉｎｄｉｕｍ（ＩＩＩ） ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｅｔｈａｎｏｌ）３．１ｍｌ（Ｉｎ：０．３１ｍｍｏｌ）及びアセチルアセトンガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ） ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）０．０５１ｇ（Ｇａ：０．１４ｍｍｏｌ）を用いて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアを製造し、コア上に比較例１と同様の方法でシェルを形成して、量子ドットを得る。
【0121】
（実験例）
表１は、Ｏｔｓｕｋａ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社のＱＥ－２０００装備で測定した結果値であり、製造された量子ドットの光特性［発光波長ピーク（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｐｅａｋ）、量子効率（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｙｉｅｌｄ）、半値幅（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ，ＦＷＨＭ）］を確認した結果を示す。
表１は、Ｏｔｓｕｋａ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社のＱＥ－２０００装備で測定した結果値であり、製造された量子ドットの光特性［発光波長ピーク（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｐｅａｋ）、量子効率（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｙｉｅｌｄ）、半値幅（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ，ＦＷＨＭ）］を確認した結果を示す。
【0122】
【表1】
【0123】
表１において、Ａｇ前駆体の量が増加すると、ブルーシフトし、Ｉｎ、Ｇａの前駆体の量が増加すると、レッドシフトする傾向を示す。
【0124】
これは、量子ドット１０を構成するＡｇの量が増加すると、ＡｇＩｎＧａＳコア１２のバンドギャップ構造において、ＡｇＳを構成する電子がＡｇＩｎＧａＳコアの価電子帯（ｖａｌｅｎｃｅ ｂａｎｄ）領域で占める比重が増大するにつれて、ＡｇＩｎＧａＳの全体的なバンドギャップが増加することにより、ブルーシフトする結果であると判断される。
【0125】
また、ＡｇＩｎＧａＳコア１２を構成する前駆体の量が全て同一であり、シェル１４の構成が異なる実施例１～実施例４、比較例１及び実施例９［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．３２８］と、比較例２［Ｉｎ／（Ａｇ＋Ｇａ）＝０．５０８］との結果を比較すると、シェル１４の構成とは関係なく、ＡｇＩｎＧａＳコア１２を構成する前駆体の量が全て同一であれば、発光波長が全て同一であることを確認することができる。これは、量子ドット１０の構成時に、シェル１４が発光波長に影響を与えないという結果を示す。
【0126】
波長シフトへの寄与は、ＡｇよりもＩｎが大きいことが確認されている。これは、Ｉｎ前駆体の原子価数（Ｉｎ３＋）が相対的に大きいため、量子ドット構成元素との結合寄与度が高く、それに応じて、より大きなサイズのＡｇＩｎＧａＳ量子ドットの構成が容易な結果であると判断される。一方、Ａｇが波長シフトへの寄与が少ない理由は、Ａｇ前駆体の原子価数が比較的小さく（Ａｇ＋）、それに応じて、量子ドット構成原子の結合に対する寄与度が小さく、量子ドットの構成が比較的容易でない結果によるものと判断される。
【0127】
本実施形態では、コア１２の表面欠陥を低減し、発光効率の向上に寄与するシェル１４の形成は、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドット１０上に、単一シェル１４よりも二重シェル１４、１６又は多重シェル１４、１６、１８からなることが望ましいことがある。
【0128】
表１において、単一シェル（ＧａＳ）からなる比較例１及び比較例２の結果と、二重シェルからなる実施例１～実施例１１の結果とを比較すると、二重シェルからなる量子ドットの量子効率が、さらに向上した結果を示す。
【0129】
これは、量子ドット１０の表面に薄く形成できる外殻シェル１６が、コア１２と内部シェル１４とに比べて、最大のバンドギャップを示すことができ、それにより、表面欠陥をさらに抑制することができることで、量子ドット１０の発光効率が向上すると判断される。
【0130】
以上、ＡｇＩｎＧａＳ／ＧａＳ／ＧａＳ、ＡｇＩｎＧａＳ／ＧａＳ／ＡｇＧａＳ、ＡｇＩｎＧａＳ／ＡｇＧａＳ／ＧａＳ量子ドットの実施例１～１１及び比較例１、２を通じて、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアの構成時に、Ａｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体の量を調整して、発光効率を向上させることができることを説明した。
【0131】
前記の実施例１～１１において、第１のシェル１４及び第２のシェル１６に用いられるＩ族元素としてＡｇを、ＩＩＩ族元素としてＧａを、ＶＩ族元素としてＳであるＡｇＩｎＧａＳ／ＧａＳ／ＧａＳ、ＡｇＩｎＧａＳ／ＧａＳ／ＡｇＧａＳ、ＡｇＩｎＧａＳ／ＡｇＧａＳ／ＧａＳ量子ドットを代表的に説明したが、第１、２のシェル１４、１６に含まれるＡｇ以外に、Ｉ族元素であり、第１、２のシェル１４、１６に含まれるＩＩＩ族元素は、Ｇａに加えて、Ａｌ、Ｉｎ及びＴｌのうちの一つであり、ＶＩ族元素は、Ｓに加えて、Ｓｅ及びＴｅのうちの一つであるＡｇＩｎＧａＳ／第１のシェル／第２のシェル量子ドットも、ＡｇＩｎＧａＳ量子ドットコアの構成時に、Ａｇ、Ｉｎ及びＧａ前駆体の量を調整して、発光効率を向上させることができる。
【0132】
以上の説明は、本発明を例示的に説明したものに過ぎず、本発明に属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で様々な変形が可能であろう。したがって、本明細書に開示された実施形態は、本発明を限定するものではなく、説明するためのものであり、そのような実施形態によって、本発明の精神及び範囲が限定されるわけではない。本発明の保護範囲は、以下の特許請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等の範囲内のすべての技術は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】