特開 2024-76761 光デバイス、光送信装置及び光受信装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024076761

(43)【公開日】2024-06-06

(54)【発明の名称】光デバイス、光送信装置及び光受信装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/01 20060101AFI20240530BHJP

   G02B 6/12 20060101ALI20240530BHJP

【ＦＩ】

G02F1/01 C

G02B6/12

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022188480

(22)【出願日】2022-11-25

(71)【出願人】

【識別番号】309015134

【氏名又は名称】富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】杉山 昌樹

【テーマコード（参考）】

2H147

2K102

【Ｆターム（参考）】

2H147AB02

2H147AB11

2H147AC02

2H147AC05

2H147DA12

2H147DA15

2H147EA10D

2H147EA13A

2H147EA13C

2H147EA14B

2H147GA00

2H147GA29

2K102AA28

2K102BA02

2K102BA14

2K102BA40

2K102BB04

2K102BC04

2K102BC10

2K102BD01

2K102CA21

2K102DA04

2K102DD03

2K102EA05

2K102EA07

2K102EA12

2K102EA21

2K102EB16

2K102EB20

2K102EB22

(57)【要約】

【課題】消費電力を抑制しながら、ヒータ電極の長期信頼性を確保できる光デバイス等を提供する。
【解決手段】光デバイスは、光導波路を加熱するヒータ電極と、ヒータ電極の導電率に比較して大きい導電率を有する電極と、ヒータ電極と電極との間を電気的に接続するビアと、を有する。ヒータ電極は、ビアと接続する、電極幅が幅広の接続部と、接続部の電極幅に比較して細長の本体と、を有する。ビアは、ヒータ電極の中心線上に位置し、本体側のビア端部を、ビアとヒータ電極との間を流れる電流が拡散する構造にした。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

光導波路を加熱するヒータ電極と、
前記ヒータ電極の導電率に比較して大きい導電率を有する電極と、
前記ヒータ電極と前記電極との間を電気的に接続するビアと、を有し、
前記ヒータ電極は、
前記ビアと接続する、電極幅が幅広の接続部と、
前記接続部の電極幅に比較して細長の本体と、を有し、
前記ビアは、
前記ヒータ電極の中心線上に位置し、前記本体側のビア端部を、前記ビアと前記ヒータ電極との間を流れる電流が拡散する構造にしたことを特徴とする光デバイス。

【請求項2】

前記ビアは、
前記本体側のビア端部が窪むへこみ部を有することを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。

【請求項3】

前記ビアは、
前記電極と同一の材料で構成することを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。

【請求項4】

前記ヒータ電極は、
前記接続部と前記本体との間に形成され、前記接続部から前記本体に向かって電極幅が徐々に細くなるテーパ部を有することを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。

【請求項5】

前記ビアは、
前記本体側のビア端部が窪む、平面形状がすり鉢状のへこみ部にしたことを特徴とする請求項２に記載の光デバイス。

【請求項6】

前記ビアは、
前記本体側のビア端部が窪む、平面形状が円弧状のへこみ部にしたことを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。

【請求項7】

前記ビアは、
前記本体側のビア端部が直線となる平面形状のビアにしたことを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。

【請求項8】

前記ビアは、
前記光導波路に平行する第１の辺と、
前記光導波路に直交する第２の辺と、を有し、
前記第１の辺の第１の寸法が前記第２の辺の第２の寸法に比較して短くする、平面形状が長方形状のビアであることを特徴とする請求項７に記載の光デバイス。

【請求項9】

前記ビアは、
前記電極と前記ヒータ電極との間が電気的に接続する複数の小ビアで構成し、
複数の小ビア内の一部の小ビアは、
前記ヒータ電極の中心線上に位置し、前記本体から離れるように配置されることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。

【請求項10】

前記小ビアは、
平面形状が矩形状のビアであることを特徴とする請求項９に記載の光デバイス。

【請求項11】

前記小ビアは、
平面形状が丸形状のビアであることを特徴とする請求項９に記載の光デバイス。

【請求項12】

電気信号に対する信号処理を実行するプロセッサと、
光を発生させる光源と、
前記プロセッサから出力される電気信号を用いて、前記光源から発生する光を変調する光変調器と、を有する光送信装置であって、
前記光変調器内の位相シフタは、
光導波路を加熱するヒータ電極と、
前記ヒータ電極の導電率に比較して大きい導電率を有する電極と、
前記ヒータ電極と前記電極との間を電気的に接続するビアと、を有し、
前記ヒータ電極は、
前記ビアと接続する、電極幅が幅広の接続部と、
前記接続部の電極幅に比較して細長の本体と、を有し、
前記ビアは、
前記ヒータ電極の中心線上に位置し、前記本体側のビア端部を、前記ビアと前記ヒータ電極との間を流れる電流が拡散する構造にしたことを特徴とする光送信装置。

【請求項13】

光を発生させる光源と、
前記光源からの光を用いて受信光を復調する光受信器と、を有する光受信装置であって、
前記光受信器内の位相シフタは、
光導波路を加熱するヒータ電極と、
前記ヒータ電極の導電率に比較して大きい導電率を有する電極と、
前記ヒータ電極と前記電極との間を電気的に接続するビアと、を有し、
前記ヒータ電極は、
前記ビアと接続する、電極幅が幅広の接続部と、
前記接続部の電極幅に比較して細長の本体と、を有し、
前記ビアは、
前記ヒータ電極の中心線上に位置し、前記本体側のビア端部を、前記ビアと前記ヒータ電極との間を流れる電流が拡散する構造にしたことを特徴とする光受信装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光デバイス、光送信装置及び光受信装置に関する。

【背景技術】

【0002】

高速の光通信に使用される光送信装置内の光変調器や光受信装置内の光受信器には位相シフタが内蔵されている。位相シフタは、ヒータ熱で光導波路内の温度を上昇させ、温度上昇による光導波路内の屈折率が変化し、屈折率の変化に応じて光導波路内を通過する信号光の位相をシフトさせることになる。

【0003】

図２０は、従来の位相シフタ１００の一例を示す略平面図、図２１は、図２０に示すＡ－Ａ線の略断面図である。図２０に示す位相シフタ１００は、Ｓｉ基板１１１と、クラッド層１１２と、光導波路１０１と、ヒータ電極１０２と、電極１０３と、ビア１０４とを有する。クラッド層１１２は、Ｓｉ基板１１１上に積層され、Ｓｉ基板１１１上に配置された光導波路１０１の周囲及び光導波路１０１上に配置されたヒータ電極１０２の周囲を囲っている。

【0004】

クラッド層１１２は、光導波路１０１のＳｉ（シリコン）に比較して屈折率が低い材料、例えば、ＳｉＯ_２（二酸化ケイ素）で形成する誘電体である。光導波路１０１は、例えば、Ｓｉで形成され、信号光が通過する、例えば、チャネル型導波路等の導波路である。ヒータ電極１０２は、例えば、ＴｉＮ（窒化チタン）やＴｉ（チタン）等の抵抗のある金属で形成され、駆動電流に応じてヒータ熱を発生し、光導波路１０１内の温度を上昇させる。電極１０３は、電圧を印加することでヒータ電極１０２に電流を入力する入力側の電極と、ヒータ電極１０２から電流を出力する出力側の電極とを有する。電極１０３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やＣｕ（銅）等の抵抗値の低い金属で形成する。ビア１０４は、ヒータ電極１０２と電極１０３との間を電気的に接続する。ビア１０４は、例えば、タングステン等の金属で形成する。ヒータ電極１０２の導電率は、ビア１０４の導電率に比較して小さくしている。

【0005】

位相シフタ１００は、電極１０３に電圧を印加した場合、ヒータ電極１０２に電流が流れるため、ヒータ熱が発生し、このヒータ熱で光導波路１０１の温度を上昇させる。光導波路１０１は、温度が上昇すると、光導波路１０１を形成するＳｉの熱光学効果により光導波路１０１内の屈折率が変化する。更に、位相シフタ１００は、光導波路１０１内の屈折率の変化に応じて、光導波路１０１内を通過する信号光の位相をシフトする。

【0006】

しかしながら、従来の位相シフタ１００では、ヒータ電極１０２の電極幅が光導波路１０１の幅に比較して広いため、ヒータ電極１０２で発生したヒータ熱が光導波路１０１以外の部分に拡散し、光導波路１０１の加熱効率が悪く、消費電力が大きくなる。そこで、このような事態に対処すべく、ヒータ電極１０２の電極幅を狭くした位相シフタ１００Ａがある。

【0007】

図２２は、従来の位相シフタ１００Ａの一例を示す略平面図、図２３は、図２２に示すＡ－Ａ線の略断面図である。尚、図２０に示す位相シフタ１００と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。図２２に示す位相シフタ１００Ａと図２０に示す位相シフタ１００とが異なるところは、ヒータ電極１０２Ａの電極幅を狭くした点にある。

【0008】

位相シフタ１００Ａは、ヒータ電極１０２Ａの電極幅を狭くしたので、ヒータ電極１０２Ａで発生したヒータ熱が光導波路１０１の部分を局所的に加熱できる。その結果、位相シフタ１００Ａの消費電力を抑制できる。

【0009】

図２４は、従来の位相シフタ１００Ａのヒータ電極１０２Ａに対する電圧変化の一例を示す説明図である。尚、説明の便宜上、例えば、図中の左側の電極１０３からヒータ電極１０２Ａを経由して図中の右側の電極１０３に電流が流れるものとする。ヒータ電極１０２Ａの導電率はビア１０４の導電率に比較して小さいため、左側のビア１０４及び右側のビア１０４と接触するヒータ電極１０２Ａの電圧は安定している。しかしながら、電流が集中する箇所であるビア１０４の角１０４Ａの部分にあるヒータ電極１０２Ａから電圧低下を開始し、右側のビア１０４とヒータ電極１０２Ａとが接触するビア１０４の角１０４Ａの部分に到達するまで電圧は徐々に低下することになる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0010】

【特許文献1】米国特許出願公開第２０１８／０１００９６６号明細書

【特許文献2】特開２０１９－１２１２０号公報

【特許文献3】米国特許出願公開第２０１６／０３７７９５３号明細書

【特許文献4】国際公開第２０１１／０６５３８４号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0011】

従来の位相シフタ１００Ａでは、平面から見て幅広のビア１０４から細長いヒータ電極１０２Ａに電流が流れることになる。しかしながら、ビア１０４の導電率に比較してヒータ電極１０２Ａの導電率が小さいため、ヒータ電極１０２Ａとビア１０４とが最も近接するビア１０４の角１０４Ａの部分に電流が集中する。その結果、電流が集中する箇所が局所的に加熱され、局所的な加熱によってヒータ電極１０２Ａに悪影響を及ぼし、ヒータ電極１０２Ａの長期信頼性に影響を及ぼすおそれがある。

【0012】

一つの側面では、消費電力を抑制しながら、ヒータ電極の長期信頼性を確保できる光デバイス等を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0013】

一つの態様の光デバイスは、光導波路を加熱するヒータ電極と、ヒータ電極の導電率に比較して大きい導電率を有する電極と、ヒータ電極と電極との間を電気的に接続するビアと、を有する。ヒータ電極は、ビアと接続する、電極幅が幅広の接続部と、接続部の電極幅に比較して細長の本体と、を有する。ビアは、ヒータ電極の中心線上に位置し、本体側のビア端部を、ビアとヒータ電極との間を流れる電流が拡散する構造にした。

【発明の効果】

【0014】

一つの側面によれば、消費電力を抑制しながら、ヒータ電極の長期信頼性を確保できる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】図１は、実施例１の位相シフタの一例を示す略平面図である。

【図2A】図２Ａは、図１に示すＡ－Ａ線の略断面図である。

【図2B】図２Ｂは、図１に示すＢ－Ｂ線の略断面図である。

【図3】図３は、実施例１の位相シフタのヒータ電極に対する電圧変化の一例を示す説明図である。

【図4】図４は、実施例２の位相シフタの一例を示す略平面図である。

【図5A】図５Ａは、図４に示すＡ－Ａ線の略断面図である。

【図5B】図５Ｂは、図４に示すＢ－Ｂ線の略断面図である。

【図6】図６は、実施例２の位相シフタのヒータ電極に対する電圧変化の一例を示す説明図である。

【図7】図７は、実施例３の位相シフタの一例を示す略平面図である。

【図8A】図８Ａは、図７に示すＡ－Ａ線の略断面図である。

【図8B】図８Ｂは、図７に示すＢ－Ｂ線の略断面図である。

【図9】図９は、実施例３の位相シフタのヒータ電極に対する電圧変化の一例を示す説明図である。

【図10】図１０は、実施例４の位相シフタの一例を示す略平面図である。

【図11】図１１は、図１０に示すＡ－Ａ線の略断面図である。

【図12】図１２は、実施例４の位相シフタのヒータ電極に対する電圧変化の一例を示す説明図である。

【図13】図１３は、実施例５の位相シフタの一例を示す略平面図である。

【図14A】図１４Ａは、図１３に示すＡ－Ａ線の略断面図である。

【図14B】図１４Ｂは、図１３に示すＢ－Ｂ線の略断面図である。

【図15】図１５は、実施例５の位相シフタのヒータ電極に対する電圧変化の一例を示す説明図である。

【図16】図１６は、実施例６の位相シフタの一例を示す略平面図である。

【図17A】図１７Ａは、図１６に示すＡ－Ａ線の略断面図である。

【図17B】図１７Ｂは、図１６に示すＢ－Ｂ線の略断面図である。

【図18】図１８は、実施例６の位相シフタのヒータ電極に対する電圧変化の一例を示す説明図である。

【図19】図１９は、本実施例の光通信装置の一例を示す説明図である。

【図20】図２０は、従来の位相シフタの一例を示す略平面図である。

【図21】図２１は、図２０に示すＡ－Ａ線の略断面図である。

【図22】図２２は、従来の位相シフタの一例を示す略平面図である。

【図23】図２３は、図２２に示すＡ－Ａ線の略断面図である。

【図24】図２４は、従来の位相シフタのヒータ電極に対する電圧変化の一例を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、本願が開示する光デバイス等の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下に示す各実施例は、矛盾を起こさない範囲で適宜組み合わせても良い。

【実施例0017】

図１は、実施例１の位相シフタ１の一例を示す略平面図、図２Ａは、図１に示すＡ－Ａ線の略断面図、図２Ｂは、図１に示すＢ－Ｂ線の略断面図である。図１に示す位相シフタ１は、Ｓｉ基板１１と、クラッド層１２と、光導波路２と、ヒータ電極３と、電極４と、ビア５とを有する。クラッド層１２は、Ｓｉ基板１１上に積層され、Ｓｉ基板１１上に配置された光導波路２の周囲及び光導波路２上もしくは近辺に配置されたヒータ電極３の周囲を囲っている。

【0018】

クラッド層１２は、光導波路２のＳｉに比較して屈折率が低い材料、例えば、ＳｉＯ_２（二酸化ケイ素）で形成する誘電体である。光導波路２は、例えば、Ｓｉ（シリコン）で形成され、信号光が通過する、例えば、チャネル型導波路等の導波路である。ヒータ電極３は、例えば、ＴｉＮ（窒化チタン）やＴｉ（チタン）等の抵抗のある金属で形成され、駆動電流に応じてヒータ熱を発生し、光導波路２内の温度を上昇させる。電極４は、電圧を印加してヒータ電極３に電流を入力する入力側の電極と、ヒータ電極３から電流を出力する出力側の電極とを有する。電極４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やＣｕ（銅）等の抵抗値の低い金属で形成する。ビア５は、ヒータ電極３と電極との間を電気的に接続する。ビア５は、例えば、タングステン等の金属で形成する。ヒータ電極３の導電率は、ビア５の導電率に比較して小さくしている。電極４の導電率は、ヒータ電極３の導電率に比較して大きくしている。

【0019】

位相シフタ１は、電極４に電圧を印加した場合、ヒータ電極３に電流が流れるため、ヒータ熱が発生し、このヒータ熱で光導波路２の温度を上昇させる。光導波路２は、温度が上昇すると、光導波路２を形成するＳｉの熱光学効果により光導波路２内の屈折率が変化する。更に、位相シフタ１は、光導波路２内の屈折率の変化に応じて、光導波路２内を通過する信号光の位相をシフトする。

【0020】

ヒータ電極３は、ビア５と接続する接続箇所で電極幅が幅広の接続部３Ａと、両側の接続部３Ａ同士を接続し、電極幅を細長の本体３Ｂとを有する。

【0021】

ビア５は、平面形状が図１に示す略矩形状のビア５Ａである。ヒータ電極３の中心線Ｘは光導波路２の位置に相当するが、図２Ａ及び図２Ｂに示すビア５Ａは光導波路２の直上に位置する。そして、ビア５Ａは、ヒータ電極３の中心線Ｘ上に位置する。本体３Ｂ側のビア端部は、ビア５Ａとヒータ電極３との間を流れる電流が拡散する構造であって、平面形状が窪むすり鉢状のへこみ部５Ａ１を有する。へこみ部５Ａ１は、ヒータ電極３の中心線Ｘ上に位置し、ビア５Ａの幅をヒータ電極３の本体３Ｂの電極幅に比較して太くしてヒータ電極３が細くなる本体３Ｂとビア５Ａとの間が離れているので、ビア５Ａから細いヒータ電極３の本体３Ｂに流れる電流が拡散する。その結果、電流が中心線Ｘから拡散してビア５Ａとヒータ電極３との間の境界での電流が集中するような事態を回避できる。

【0022】

図３は、実施例１の位相シフタ１のヒータ電極３に対する電圧変化の一例を示す説明図である。尚、説明の便宜上、図中の左側の電極４からヒータ電極３を経由して図中の右側の電極４に電流が流れるものとする。ヒータ電極３の導電率はビア５Ａの導電率に比較して小さいため、左側のビア５Ａ及び右側のビア５Ａと接触するヒータ電極３の電圧は安定している。左側のビア５Ａのへこみ部５Ａ１に位置するヒータ電極３の接続部３Ａから電圧の降下を開始するものの、電圧降下の変化が緩やかになる。そして、ヒータ電極３の本体３Ｂから右側のビア５Ａのへこみ部５Ａ１に位置する接続部３Ａまで電圧が徐々に低下する。更に、右側のビア５Ａのへこみ部５Ａ１に位置するヒータ電極３の接続部３Ａから電圧降下の変化が緩やかになり、電圧降下が停止することになる。

【0023】

つまり、左側のビア５Ａ（右側のビア５Ａ）のへこみ部５Ａ１に位置するヒータ電極３の接続部３Ａでは、電圧降下の変化が緩やかになるため、ビア５Ａとヒータ電極３との間の境界での電流が集中するような事態を回避できる。

【0024】

実施例１の位相シフタ１は、ヒータ電極３の電極幅がビア５Ａと接触する接続部３Ａで広く、ビア５Ａがヒータ電極３の中心線Ｘ上に位置し、ヒータ電極３の細くなる本体３Ｂ側のビア端部を、平面形状がすり鉢状のへこみ部５Ａ１にした。その結果、ヒータ電極３の電極幅が細くなる本体３Ｂとビア５Ａとの間が部分的に離れ、流れる電流が拡散するため、ビア５Ａとヒータ電極３との間の境界で電流が集中するような事態を回避できる。そして、消費電力を抑制しながら、ヒータ電極３の長期信頼性を確保できる。

【0025】

尚、説明の便宜上、本実施例の光デバイスとして位相シフタ１を例示したが、位相シフタ１に限定されるものではなく、例えば、ＤＣ変調器や可変減衰器（ＶＯＡ）にも適用可能である。

【0026】

また、ビア５Ａはタングステン、電極４はＡｌ及びＣｕ等で形成する場合を例示したが、ビア５Ａは電極４と同一材料で形成しても良い。その結果、ビア５Ａを電極４と同一の材料で形成することで、製造性の向上を図ることができる。

【0027】

また、ヒータ電極３の中心線Ｘが光導波路２の位置に相当する場合を例示したが、特に限定されるものではなく、例えば、ヒータ電極３の中心線Ｘと光導波路２の位置にオフセットを設けても構わない。

【0028】

尚、実施例１のヒータ電極３は抵抗率が大きいので、ヒータ電極３の電極幅が幅広の接続部３Ａから細くなる本体３Ｂの角部分で電流が集中する場合が考えられる。そこで、このような事態に対処する実施の形態につき、実施例２として以下に説明する。

【実施例0029】

図４は、実施例２の位相シフタ１Ａの一例を示す略平面図、図５Ａは、図４に示すＡ－Ａ線の略断面図、図５Ｂは、図４に示すＢ－Ｂ線の略断面図である。尚、実施例１の位相シフタ１と同一の構成は同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。

【0030】

実施例２の位相シフタ１Ａと実施例１の位相シフタ１とが異なるところは、ヒータ電極３において接続部３Ａから本体３Ｂに向かって電極幅が徐々に細くなるテーパ部３Ｃを有する点にある。

【0031】

ヒータ電極３は、電極４と接続する電極幅が幅広の接続部３Ａと、接続部３Ａと接続する電極幅が細長の本体３Ｂと、接続部３Ａと本体３Ｂとの間に形成され、接続部３Ａから本体３Ｂに向かって電極幅が徐々に細くなるテーパ部３Ｃと、を有する。テーパ部３Ｃは、接続部３Ａから本体３Ｂに向かって電極幅が徐々に細くなるので、電流の流れが緩やかに変化することで接続部３Ａと本体３Ｂとの間の角での局所的な電流の集中を回避できる。

【0032】

図６は、実施例２の位相シフタ１Ａのヒータ電極３に対する電圧変化の一例を示す説明図である。尚、説明の便宜上、図中の左側の電極４からヒータ電極３を経由して図中の右側の電極４に電流が流れるものとする。ヒータ電極３の導電率はビア５Ａの導電率に比較して小さいため、左側のビア５Ａ及び右側のビア５Ａと接触するヒータ電極３の電圧は安定している。左側のビア５Ａのへこみ部５Ａ１に位置するヒータ電極３の接続部３Ａから電圧の降下を開始するものの、電圧降下の変化が緩やかになる。更に、左側の接続部３Ａから本体３Ｂまでの左側のテーパ部３Ｃでの電圧降下の変化は緩やかになる。そして、ヒータ電極３の本体３Ｂから右側のビア５Ａのへこみ部５Ａ１に位置する接続部３Ａまで電圧が徐々に降下する。更に、本体３Ｂから右側の接続部３Ａまでの右側のテーパ部３Ｃでの電圧降下の変化が緩やかになる。そして、右側のビア５Ａのへこみ部５Ａ１に位置するヒータ電極３の接続部３Ａから電圧降下の変化が緩やかになり、電圧降下が停止することになる。

【0033】

つまり、左側のビア５Ａ（右側のビア５Ａ）のへこみ部５Ａ１に位置するヒータ電極３の接続部３Ａでは、電圧降下の変化が緩やかになるため、ビア５Ａとヒータ電極３との間の境界での電流が集中するような事態を回避できる。更に、左側の接続部３Ａから本体３Ｂまでの左側のテーパ部３Ｃでの電圧降下の変化及び、本体３Ｂから右側の接続部３Ａまでの右側のテーパ部３Ｃでの電圧降下の変化は緩やかになるため、ヒータ電極３内の接続部３Ａと本体３Ｂとの間での電流集中を回避できる。

【0034】

実施例２の位相シフタ１Ａでは、ヒータ電極３の接続部３Ａと本体３Ｂとの間に、接続部３Ａから本体３Ｂに向かって電極幅が徐々に細くなるテーパ部３Ｃを配置した。その結果、接続部３Ａと本体３Ｂとの間のテーパ部３Ｃで電流が緩やかに流れるため、ヒータ電極３内の接続部３Ａと本体３Ｂとの間での電流集中を回避できる。

【0035】

尚、実施例２の位相シフタ１Ａでは、ビア５Ａの端部を平面形状がすり鉢状のへこみ部５Ａ１にした場合を例示したが、これに限定されるものではなく、適宜変更可能であるため、その実施の形態につき、実施例３として以下に説明する。