特開 2024-76962 パッケージング基板及びその作製方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024076962

(43)【公開日】2024-06-06

(54)【発明の名称】パッケージング基板及びその作製方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20240530BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240530BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 F

H05K3/46 Q

【審査請求】有

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023178556

(22)【出願日】2023-10-17

(31)【優先権主張番号】202211493722.6

(32)【優先日】2022-11-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】521133551

【氏名又は名称】ズハイ アクセス セミコンダクター シーオー．，エルティーディー

【氏名又は名称原語表記】Ｚｈｕｈａｉ Ａｃｃｅｓｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｃｏ．， Ｌｔｄ

(74)【代理人】

【識別番号】100088904

【弁理士】

【氏名又は名称】庄司 隆

(74)【代理人】

【識別番号】100124453

【弁理士】

【氏名又は名称】資延 由利子

(74)【代理人】

【識別番号】100135208

【弁理士】

【氏名又は名称】大杉 卓也

(74)【代理人】

【識別番号】100183656

【弁理士】

【氏名又は名称】庄司 晃

(74)【代理人】

【識別番号】100224786

【弁理士】

【氏名又は名称】大島 卓之

(74)【代理人】

【識別番号】100225015

【弁理士】

【氏名又は名称】中島 彩夏

(74)【代理人】

【識別番号】100231647

【弁理士】

【氏名又は名称】千種 美也子

(72)【発明者】

【氏名】シャンミン チェン

(72)【発明者】

【氏名】ガオ ホアン

(72)【発明者】

【氏名】ウエンジャン リン

(72)【発明者】

【氏名】ジュチェン ホアン

(72)【発明者】

【氏名】ベンシア ホアン

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA05

5E316AA12

5E316AA43

5E316CC08

5E316DD02

5E316DD03

5E316EE33

5E316HH40

5E316JJ12

5E316JJ25

(57)【要約】      （修正有）

【課題】電子製品において高集積化、多機能、超小型化のニーズを満たすために役立つパッケージング基板及び作製方法をを提供する。
【解決手段】パッケージング基板は、第１誘電体層１０１と、第１誘電体層１０１に設けられ、ダム１０３を含む第１回路層１０２と、第１誘電体層に１０１設けられ、且つ、第１回路層１０２を覆う第２誘電体層１０４と、第２誘電体層１０４に埋め込まれ、かつ、ダム１０３によって囲まれる部品１０５と、第２誘電体層１０４に設けられ、且つ、部品１０５を覆う第３誘電体層１０６と、を含む。ダム１０３を設けることにより、ダム１０３を利用して、第２誘電体層１０４に埋め込まれる過程で部品１０５の位置ずれの問題を効果的に避けるとともに、焼いて粗面化するステップを省き、誘電体層の間に良好な結合力を確保できる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

パッケージング基板であって、
第１誘電体層と、
前記第１誘電体層に設けられる第１回路層であって、ダムを含む第１回路層と、
前記第１誘電体層に設けられ且つ前記第１回路層を覆う第２誘電体層と、
前記第２誘電体層に埋め込まれかつ前記ダムによって囲まれる部品と、
前記第２誘電体層に設けられ且つ前記部品を覆う第３誘電体層とを含むことを特徴とするパッケージング基板。

【請求項2】

前記ダムの高さは、５～５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のパッケージング基板。

【請求項3】

前記ダムの形状は、前記部品の形状に適合することを特徴とする請求項１に記載のパッケージング基板。

【請求項4】

前記部品の外周の前記ダムに対する距離は、５～５００μｍであり、且つ／又は
前記部品が前記ダムに埋め込まれた深さは、１μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のパッケージング基板。

【請求項5】

前記ダムは、少なくとも１つの開口部を含むことを特徴とする請求項１に記載のパッケージング基板。

【請求項6】

前記第１誘電体層と前記部品との間の第２誘電体層の厚さは、３～３０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のパッケージング基板。

【請求項7】

前記第１誘電体層は、キャビティを含み、前記キャビティは、前記ダムの中に位置することを特徴とする請求項１に記載のパッケージング基板。

【請求項8】

前記キャビティの深さは、６０μｍ以下であることを特徴とする請求項７に記載のパッケージング基板。

【請求項9】

前記第２誘電体層及び前記第３誘電体層は、単層又は複数層の構造であることを特徴とする請求項１に記載のパッケージング基板。

【請求項10】

パッケージング基板の作製方法であって、
具体的には、
ａ）基板を提供することであって、前記基板は第１誘電体層とその上に位置する第１回路層とを含み、前記第１回路層はダムを含むことと、
ｂ）前記第１誘電体層及び前記第１回路層に第２誘電体層を形成させることと、
ｃ）前記ダムの対応する位置の第２誘電体層に部品を実装することと、
ｄ）前記第２誘電体層を加熱してその流動を回復させ、前記部品に圧力を加えることにより、それを前記基板に垂直な方向に沿って前記ダムによって囲まれた第２誘電体層に埋め込むことと、
ｅ）前記第２誘電体層に前記部品を覆う第３誘電体層を形成させることとを含むことを特徴とする作製方法。

【請求項11】

前記ダムの高さは、５～５０μｍであることを特徴とする請求項１０に記載の作製方法。

【請求項12】

前記方法は、
温度、圧力及び押圧時間を調整することにより、前記部品の埋め込まれた深さを制御することを含むことを特徴とする請求項１０に記載の作製方法。

【請求項13】

前記部品が前記ダムに埋め込まれた深さは、１μｍ以上であることを特徴とする請求項１０に記載の作製方法。

【請求項14】

前記部品の外周の前記ダムに対する距離は、５～５００μｍであり、且つ／又は
前記第１誘電体層と前記部品との間の第２誘電体層の厚さは、３～３０μｍであることを特徴とする請求項１０に記載の作製方法。

【請求項15】

前記方法は、
前記第１誘電体層にキャビティを形成させ、前記キャビティは、前記ダムの中に位置することを含むことを特徴とする請求項１０に記載の作製方法。

【請求項16】

前記キャビティの深さは、６０μｍ以下であることを特徴とする請求項１５に記載の作製方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体の技術分野に関し、特に、パッケージング基板及びその作製方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電子工業が継続的に発展するのにつれて、電子製品の多機能化及び超小型化は発展の趨勢となっている。パッケージング基板分野では、部品を基板の内部に埋め込むことは、電子製品において高集積化、多機能、超小型化のニーズを満たすために役立つ。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

これに鑑みて、本開示の目的は、パッケージング基板及び作製方法を提案することである。

【課題を解決するための手段】

【0004】

上記の目的から、第１態様として、本開示は、パッケージング基板を提供し、前記パッケージング基板は、
第１誘電体層と、
前記第１誘電体層に設けられる第１回路層であって、ダムを含む第１回路層と、
前記第１誘電体層に設けられ且つ前記第１回路層を覆う第２誘電体層と、
前記第２誘電体層に埋め込まれかつ前記ダムによって囲まれる部品と、
前記第２誘電体層に設けられ且つ前記部品を覆う第３誘電体層とを含む。

【0005】

一部の実施例では、前記ダムの高さは、５～５０μｍである。

【0006】

一部の実施例では、前記ダムの形状は、前記部品の形状に適合する。

【0007】

一部の実施例では、前記部品の外周の前記ダムに対する距離は、５～５００μｍであり、且つ／又は
前記部品が前記ダムに埋め込まれた深さは、１μｍ以上である。

【0008】

一部の実施例では、前記ダムは、少なくとも１つの開口部を含む。

【0009】

一部の実施例では、前記第１誘電体層と前記部品との間の第２誘電体層の厚さは、３～３０μｍである。

【0010】

一部の実施例では、前記第１誘電体層は、キャビティを含み、前記キャビティは、前記ダムの中に位置する。

【0011】

一部の実施例では、前記キャビティの深さは、６０μｍ以下である。

【0012】

一部の実施例では、前記第２誘電体層及び前記第３誘電体層は、単層又は複数層の構造である。

【0013】

第２態様として、本開示は、パッケージング基板の作製方法を提供し、前記作製方法は、具体的には、
ａ）基板を提供することであって、前記基板は第１誘電体層とその上に位置する第１回路層とを含み、前記第１回路層はダムを含むことと、
ｂ）前記第１誘電体層及び前記第１回路層に第２誘電体層を形成させることと、
ｃ）前記ダムの対応する位置の第２誘電体層に部品を実装することと、
ｄ）前記第２誘電体層を加熱してその流動を回復させ、前記部品に圧力を加えることにより、それを前記基板に垂直な方向に沿って前記ダムによって囲まれた第２誘電体層に埋め込むことと、
ｅ）前記第２誘電体層に前記部品を覆う第３誘電体層を形成させることとを含む。

【0014】

一部の実施例では、前記ダムの高さは、５～５０μｍである。

【0015】

一部の実施例では、前記方法は、
温度、圧力及び押圧時間を調整することにより、前記部品の埋め込まれた深さを制御することを含む。

【0016】

一部の実施例では、前記部品が前記ダムに埋め込まれた深さは、１μｍ以上である。

【0017】

一部の実施例では、前記部品の外周の前記ダムに対する距離は、５～５００μｍであり、且つ／又は
前記第１誘電体層と前記部品との間の第２誘電体層の厚さは、３～３０μｍである。

【0018】

一部の実施例では、前記方法は、
前記第１誘電体層にキャビティを形成させることであって、前記キャビティは前記ダムの中に位置することを含む。

【0019】

一部の実施例では、前記キャビティの深さは、６０μｍ以下である。

【発明の効果】

【0020】

以上の記載から分かるように、本開示によって提供されるパッケージング基板及び作製方法は、ダムを設けることにより、ダムを利用して、第２誘電体層に埋め込まれる過程で部品の位置ずれの問題を効果的に避けるとともに、焼いて粗面化するステップを省き、誘電体層の間に良好な結合力があることを確保できる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

以下、本開示又は関連技術における技術的解決手段をより明瞭に説明するために、実施例又は関連技術の説明で使用する図面を簡単に紹介する。言うまでもないが、以下に説明される図面は、本開示の実施例に過ぎず、当業者は、新規性のある作業をすることなく、これらの図面から他の図面を得ることができる。図面では、より一層の理解及び説明しやすさのために、一部の層及び領域の厚さ及び形状を誇張することができる。

【図1】図１は、本開示の実施例によって提供されるパッケージング基板の断面模式図である。

【図2】図２は、図１のパッケージング基板の部分構造の平面図である。

【図3】図３は、本開示の実施例によって提供される別のパッケージング基板の断面模式図である。

【図4】図４は、本開示の実施例によって提供されるパッケージング基板において部品が力を受けることの模式図である。

【図5(a)】図５（ａ）は、本開示の実施例のパッケージング基板の作製方法の各ステップの中間構造の断面模式図である。

【図5(b)】図５（ｂ）は、本開示の実施例のパッケージング基板の作製方法の各ステップの中間構造の断面模式図である。

【図5(c)】図５（ｃ）は、本開示の実施例のパッケージング基板の作製方法の各ステップの中間構造の断面模式図である。

【図5(d)】図５（ｄ）は、本開示の実施例のパッケージング基板の作製方法の各ステップの中間構造の断面模式図である。

【図5(e)】図５（ｅ）は、本開示の実施例のパッケージング基板の作製方法の各ステップの中間構造の断面模式図である。

【図5(f)】図５（ｆ）は、本開示の実施例のパッケージング基板の作製方法の各ステップの中間構造の断面模式図である。

【図6(a)】図６（ａ）は、本開示の実施例のパッケージング基板のもう１つの作製方法の各ステップの中間構造の断面模式図である。

【図6(b)】図６（ｂ）は、本開示の実施例のパッケージング基板のもう１つの作製方法の各ステップの中間構造の断面模式図である。

【図6(c)】図６（ｃ）は、本開示の実施例のパッケージング基板のもう１つの作製方法の各ステップの中間構造の断面模式図である。

【図6(d)】図６（ｄ）は、本開示の実施例のパッケージング基板のもう１つの作製方法の各ステップの中間構造の断面模式図である。

【図6(e)】図６（ｅ）は、本開示の実施例のパッケージング基板のもう１つの作製方法の各ステップの中間構造の断面模式図である。

【図6(f)】図６（ｆ）は、本開示の実施例のパッケージング基板のもう１つの作製方法の各ステップの中間構造の断面模式図である。

【図6(g)】図６（ｇ）は、本開示の実施例のパッケージング基板のもう１つの作製方法の各ステップの中間構造の断面模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、本開示の目的、技術的解決手段及び利点が一層明瞭になるように、特定の実施例を用い、図面を参照して、本開示をより詳細に説明する。

【0023】

なお、特に定義がない限り、本開示の実施例で使用される技術用語又は科学用語は、当業者が理解している一般的な意味を有する。本開示の実施例で使用される「第１」、「第２」及び類似する用語は、順番、数量又は重要度を一切表さず、異なる構成部分を区別するために使用される。「含む」又はこれに類似する用語は、当該用語より先に現れる素子又は物体が、当該用語の後ろに列挙される素子又は物体及びその同等なものをカバーし、ただし他の素子又は物体は除外しないことを意味する。「上」、「下」、「左」、「右」などは、相対的な位置関係だけを表すために使用され、説明対象の絶対的な位置が変わると、当該相対的な位置関係はこれに応じて変わる可能性がある。

【0024】

「上」、「上面」、「下面」、「横」などの用語を使用して２つの部品の位置関係を説明する場合は、これらの用語が用語「すぐ隣」又は「直接」と共に使用されない限り、１つ又は複数の部品が２つの部品の間に位置してもよい。

【0025】

１つの素子又は層が別の素子又は層の「上」に設けられる場合は、別の層又は素子は、直接当該別の素子の上に又はそれらの間に挿入されてもよい。

【0026】

従来のキャビティ（Ｃａｖｉｔｙ）レス埋込技術では、一般に、部品を樹脂の表面に実装し、次に焼いて硬化させ、さらに樹脂媒体で部品を包み込み、最後に層間の電気的導通を行う。

【0027】

後の樹脂包込プロセスで熱圧下の樹脂流動が引き起こす部品の位置ずれを避けるために、部品を実装した後に、窒素の中で焼いて部品を樹脂の表面に固定させる工程を加える必要がある。焼いた後に樹脂の表面が既に硬化しているため、一般には、後の樹脂包込に備え、２層の樹脂間の結合力が悪いという問題を避けるために、さらに樹脂の表面の粗面化処理が必要であるが、樹脂包込層は厚くなりすぎて、層間ビアホールの作製及び基板全体の厚さの低減には不利である。

【0028】

これに鑑みて、第１態様として、本開示の実施例は、パッケージング基板を提供し、ダムを設けることにより、ダムを利用して、第２誘電体層に埋め込まれる過程で部品の位置ずれの問題を効果的に避けるとともに、焼いて粗面化するステップを省き、誘電体層の間に良好な結合力があることを確保するために役立つ。

【0029】

図１～図３に示されるとおり、前記パッケージング基板は、第１誘電体層１０１と、第１誘電体層１０１に設けられる第１回路層１０２であって、ダム１０３を含む（図２を参照）第１回路層と、第１誘電体層１０１に設けられ且つ第１回路層１０２を覆う第２誘電体層１０４と、ダム１０３に埋め込まれる部品１０５であって、底部は第２誘電体層１０４に接触する部品１０５と、第２誘電体層１０４に設けられ且つ部品１０５を覆う第３誘電体層１０６とを含む。

【0030】

ここで、図４が参照されるとおり、窒素の中で焼く代わりにダム１０３を利用するのは、一方では、ダム１０３は第２誘電体層の流動を止める役割を果たし、他方では、部品１０５は圧着誘電体層の流動で力Ｆ１とバランスがとれないためスライドしようとする時に「ダム」から反力Ｆ２を受け、これにより部品１０５を第２誘電体層１０４に埋め込み、第３誘電体層１０６を圧着する過程で位置ずれが生じないことが確保される。また、焼く必要もなければ、さらに誘電体層の表面の粗面化処理ステップを増設する必要もないため、作製プロセスは簡素化され、基板の総厚さは低減される。

【0031】

一部の実施例では、第１誘電体層１０１は、載置板又は基板の表面の誘電体層であってもよく、材料は、例えば、液晶高分子ポリマー、ＢＴ（ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ ｔｒｉａｚｉｎｅ（ビスマレイミドトリアジン））樹脂、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ（味の素ビルドアップ））フィルム、エポキシ樹脂（ｅｘｐｏｘｙ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）樹脂などから選ばれてもよく、本開示はこれについて限定しない。

【0032】

一部の実施例では、ダム１０３の高さは、５～５０μｍであり、例えば、５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２６μｍ、３２μｍ、３８μｍ、４５μｍ、又は５０μｍである。なお、ダム１０３の高さが５μｍ未満であれば、位置ずれを防ぐ効果は保証できず、ダム１０３及び第１回路層１０２を同時に作製するため、ダム１０３の高さが５０μｍを超えれば、作製コストは高く且つその必要もない。ここで、第１回路層１０２は、電気メッキによって形成されてもよく、材料は、銅であってもよい。

【0033】

部品１０５は、能動素子であってもよく、例えば、トランジスタ、ＩＣチップ、論理回路素子、電力増幅器であり、受動素子であってもよく、例えば、コンデンサ、インダクタ、抵抗器又はそれらの組み合わせである。本開示はこれについて限定しない。

【0034】

これにより、ダム１０３の形状は、部品１０５の形状に適合し、例えば、円形、正方形などである。

【0035】

さらに、ダム１０３は、完全に閉鎖された構造であってもよいし（図２を参照）、少なくとも１つの開口部を含んでもよい（不図示）。当業者は、必要に応じて、ダム１０３の構造を具体的に調整することにより、実際のニーズを満たすことできる。

【0036】

一部の実施例では、部品１０５がダム１０３に埋め込まれた深さは、１μｍ以上であり、例えば、１μｍ、１．５μｍ、２μｍである。

【0037】

一部の実施例では、部品１０５の外周のダム１０３に対する距離ｄは、５～５００μｍであり（図２を参照）、例えば、５μｍ、５０μｍ、１００μｍ、１８０μｍ、２２０μｍ、２５０μｍ、２９６μｍ、３８８μｍ、４２０μｍ、４６０μｍ、５００μｍである。

【0038】

一部の実施例では、第１誘電体層１０１と部品１０５との間の第２誘電体層１０４の厚さは、３～３０μｍであり、例えば、３μｍ、７μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、２２μｍ、３０μｍである。

【0039】

一部の実施例では、図６（ｂ）に示されるとおり、第１誘電体層１０１は、キャビティ１０９を含み、キャビティ１０９は、ダム１０３の中に位置する。キャビティ１０９を設けることにより、ダム１０３の深さを大きくすることができ、部品１０５をより深く埋め込むことができ、一方では、後工程の圧着プロセスで部品１０５は「ダム」のより大きな面積から保護されて誘電体層材料に従って流動し部品１０５の位置が移ることはなくて済み、他方では、部品１０５の埋め込まれた深さが大きくなるため、部品１０５の高さは減り、最終的に基板の厚さも低減される。

【0040】

任意に、キャビティ１０９の深さは、６０μｍ以下であり、例えば、２μｍ、１０μｍ、１６μｍ、２４μｍ、２８μｍ、３０μｍ、３７μｍ、４５μｍ、５２μｍ、６０μｍである。

【0041】

一部の実施例では、第２誘電体層１０４及び第３誘電体層１０６は、単層又は複数層の構造であってもよく、第２誘電体層１０４と第３誘電体層１０６は、同じ素材の絶縁材料であってもよいし、異なってもよく、例えば、樹脂材料、ＢＴ（ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ ｔｒｉａｚｉｎｅ（ビスマレイミドトリアジン））樹脂、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ（味の素ビルドアップ））フィルム、エポキシ樹脂（ｅｘｐｏｘｙ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）樹脂などであり、種類は具体的に限定しない。

【0042】

なお、第２誘電体層１０４と第３誘電体層１０６に境界線があるかどうかは、樹脂材料の化学的特性から決定されることであり、一般には、同じ材料であれば界面はないが、これは異なる材料であれば界面が必ずあるということにならず、本開示は界面については限定しない。

【0043】

例示的に、図１は、第２誘電体層１０４と第３誘電体層１０６との間に界面がある場合の構造模式図を示し、図３は、第２誘電体層１０４と第３誘電体層１０６との間に界面がない場合の構造模式図を示す。

【0044】

一部の実施例では、図５（ｆ）が参照されるとおり、パッケージング基板は、ビアピラー１０７と、第２回路層１０８とをさらに含む。第２回路層１０８は、第３誘電体層１０６に位置し、ビアピラー１０７は、第１回路層１０２と第２回路層１０８を接続させるために用いられる。

【0045】

ここで、本開示は、第３誘電体層１０６の厚さに対して厳しく限定せず、部品１０５をその中に包み込めばよい。

【0046】

第２態様として、本開示は、また、パッケージング基板の作製方法を提供する。図５（ａ）～図５（ｆ）が参照されるとおり、前記作製方法は、以下のステップを含む。図５（ａ）に示されるとおり、基板１００を提供する－ステップ（ａ）。ここで、基板１００は、半完成基板であり、例えば、プリント回路基板であり、具体的には、半完成基板のタイプは、ニーズに応じて選ぶことができ、後のプロセスでは、半完成基板だけを示して説明するが、当該作製方法は半完成基板だけに適するようには限定しない。任意に、テンティング法プロセス、ＭＳＡＰプロセス又はＳＡＰプロセスにより半完成基板を作製することができ、具体的に限定しない。

【0047】

さらに、基板１００は、第１誘電体層１０１と、その上に位置する第１回路層１０２とを含み、第１回路層１０２は、ダム１０３を含む（図５（ａ）の点線枠Ａを参照）。任意に、ダム１０３の高さは、５～５０μｍである。

【0048】

次に、図５（ｂ）に示されるとおり、第１誘電体層１０１及び第１回路層１０２に第２誘電体層１０４を形成させる－ステップ（ｂ）。ここで、第２誘電体層１０４の表面は、室温下又は加熱下で粘性を備え、部品を粘着することができる。

【0049】

例示的に、液状樹脂塗布の方式で第２誘電体層１０４を形成させてもよいし、ドライフィルム型でコンフォーマルコーティング機能を備える媒体材料を圧着する方式で第２誘電体層１０４を形成させてもよく、ここで具体的に限定しない。

【0050】

続いて、図５（ｃ）に示されるとおり、ダム１０３の対応する位置の第２誘電体層１０４に部品１０５を実装する－ステップ（ｃ）。一部の実施例では、チップマウンターで部品１０５を第２誘電体層１０４に貼り合わせてもよく、貼り合わせる時は第２誘電体層１０４の粘性の大きさによって加熱するかどうかを選ぶことができ、例えば、粘性が低い場合は部品を加熱するか又は加熱機能を備えるチップマウンターを用いて半完成基板を加熱してから部品１０５を貼り合わせてもよい。

【0051】

次に、図５（ｄ）に示されるとおり、第２誘電体層１０４を加熱してその流動を回復させ、部品１０５に圧力Ｆ３を加えることにより、それを基板１００に垂直な方向に沿ってダム１０３によって囲まれた第２誘電体層１０４に埋め込む－ステップ（ｄ）。一実施例では、部品１０５が第２誘電体層１０４を押圧するため、第２誘電体層１０４は部品１０５の側面において接着剤となって這い上がり、加圧パラメータが異なると、接着剤が這い上がる高さは異なり、本開示はこれについて限定しない。

【0052】

なお、温度、圧力及び押圧時間を調整することにより、部品１０５の埋め込まれた深さを制御する。温度、圧力及び押圧時間のパラメータは、具体的には、実際の状況に応じて調整することができ、ここでは限定しない。

【0053】

任意に、部品１０５がダム１０３に対して埋め込まれた深さは、１μｍ以上である。任意に、部品１０５の外周のダム１０３に対する距離は、５～５００μｍである。任意に、第１誘電体層１０１と部品１０５との間の第２誘電体層１０４の厚さは、３～３０μｍである。

【0054】

続いて、図５（ｅ）に示されるとおり、第２誘電体層１０４に部品１０５を覆う第３誘電体層１０６を形成させる－ステップ（ｅ）。なお、第３誘電体層１０６の形成方式は、第２誘電体層１０４に似ており、ここで説明は省略する。

【0055】

第３誘電体層１０６と第２誘電体層１０４は、同じ素材の絶縁材料であってもよいし、異なってもよく、例えば、樹脂材料、ＢＴ（ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ ｔｒｉａｚｉｎｅ（ビスマレイミドトリアジン））樹脂、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ（味の素ビルドアップ））フィルム、エポキシ樹脂（ｅｘｐｏｘｙ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）樹脂などであり、種類は具体的に限定しない。

【0056】

次に、図５（ｆ）に示されるとおり、層間導通ブラインドビアを作製し、第２回路層１０８及びビアピラー１０７を形成させる－ステップ（ｆ）。ここで、導通ブラインドビアの開設方式は、レーザーによる穴あけであってもよく、第２回路層１０８及びビアピラー１０７の形成方式は、電気メッキであってもよい。本開示は、これについて具体的に限定しない。

【0057】

本開示は、また、別のパッケージング基板の作製方法を提供する。作製方法は前記方法のステップとほぼ同じであるため、ここでは次のとおりに簡単に説明する。
図６（ａ）～図６（ｇ）が参照されるとおり、前記作製方法は、以下のステップを含む。図６（ａ）に示されるとおり、基板１００を提供する－ステップ（ａ）。

【0058】

次に、図６（ｂ）に示されるとおり、第１誘電体層１０１にキャビティ１０９を形成させ、キャビティ１０９はダム１０３の中に位置する－ステップ（ｂ）。ここで、Ｐｌａｓｍａ（プラズマ）、サンドブラスト、深さを制御されたメカニカルミリング、レーザーアブレーション、エッチングなどの方式で「ダム」の中の樹脂誘電体層を薄くすることにより、第１誘電体層１０１にキャビティ１０９を形成させ、縦方向においてより深い「ダム」を得る。本開示は、「キャビティ」を形成させるための加工方式を限定しない。

【0059】

任意に、前記キャビティの深さは、６０μｍ以下である。キャビティ１０９を設けることにより、ダム１０３の深さを大きくすることができ、部品１０５をより深く埋め込むことができ、一方では、後工程の圧着プロセスで部品１０５は「ダム」のより大きな面積から保護されて誘電体層材料に従って流動し部品１０５の位置が移ることはなくて済み、他方では、部品１０５の埋め込まれた深さが大きくなるため、部品１０５の高さは減り、最終的に基板の厚さも低減される。

【0060】

続いて、図６（ｃ）に示されるとおり、第１誘電体層１０１及び第１回路層１０２に第２誘電体層１０４を形成させる－ステップ（ｃ）。

【0061】

次に、図６（ｄ）に示されるとおり、ダム１０３の対応する位置の第２誘電体層１０４に部品１０５を実装する－ステップ（ｄ）。

【0062】

続いて、図６（ｅ）に示されるとおり、第２誘電体層１０４を加熱してその流動を回復させ、部品１０５に圧力Ｆ３を加えることにより、それを基板１００に垂直な方向に沿ってダム１０３に埋め込む－ステップ（ｅ）。

【0063】

次に、図６（ｆ）に示されるとおり、第２誘電体層１０４に部品１０５を覆う第３誘電体層１０６を形成させる－ステップ（ｆ）。

【0064】

続いて、図６（ｇ）に示されるとおり、層間導通ブラインドビアを作製し、第２回路層１０８及びビアピラー１０７を形成させる－ステップ（ｇ）。

【0065】

当業者は、上記のいずれかの実施例に関する討論が例示的なものに過ぎず、本開示の範囲（請求項を含む）がこれらの例に限られることを示唆するものではないということを理解できるだろう。本開示の趣旨の下で、上記の実施例又は異なる実施例の技術的特徴を互いに組み合わせることができ、ステップを任意の順番で実施してもよく、上記の本開示の実施例の異なる態様の多くの他の変化が存在してもよく、簡素化のためにそれらは詳細な説明において提供されていない。

【0066】

本開示の実施例は、特許請求の範囲の広い範囲に入るそのような差し替え、補正及び変形の全てを含もうとする。したがって、本開示の実施例の趣旨と原則において、いずれの省略、補正、同等な差し替え、改善などを行う場合は、そのいずれも本開示の請求範囲に含まれるものとする。

【符号の説明】

【0067】

１００ 基板、１０１ 第１誘電体層、１０２ 第１回路層、１０３ ダム、１０４ 第２誘電体層、１０５ 部品、１０６ 第３誘電体層、１０７ ビアピラー、１０８ 第２回路層、１０９ キャビティ、Ｆ１ 力、Ｆ２ 反力、Ｆ３ 圧力、ｄ 距離

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5(a)】

【図5(b)】

【図5(c)】

【図5(d)】

【図5(e)】

【図5(f)】

【図6(a)】

【図6(b)】

【図6(c)】

【図6(d)】

【図6(e)】

【図6(f)】

【図6(g)】