特開 2024-77529 多層膜基板、弾性波デバイス、モジュールおよび多層膜基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024077529

(43)【公開日】2024-06-07

(54)【発明の名称】多層膜基板、弾性波デバイス、モジュールおよび多層膜基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/25 20060101AFI20240531BHJP

   H03H 3/08 20060101ALI20240531BHJP

【ＦＩ】

H03H9/25 C

H03H9/25 A

H03H3/08

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022189660

(22)【出願日】2022-11-28

(71)【出願人】

【識別番号】518453730

【氏名又は名称】三安ジャパンテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100171077

【弁理士】

【氏名又は名称】佐々木 健

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼岡 良知

(72)【発明者】

【氏名】塩井 伸一

【テーマコード（参考）】

5J097

【Ｆターム（参考）】

5J097AA24

5J097BB02

5J097BB15

5J097DD28

5J097EE08

5J097EE09

5J097EE10

5J097FF04

5J097FF05

5J097GG03

5J097HA03

5J097HA04

5J097JJ04

5J097JJ09

5J097KK01

5J097KK09

5J097KK10

5J097LL01

5J097LL08

(57)【要約】

【課題】圧電基板と支持基板とのボンダビリティを向上することができる多層膜基板を提供する。
【解決手段】多層膜基板は、圧電基板と、前記圧電基板の上に形成された第１絶縁膜と、支持基板と、前記支持基板の上に形成された第２絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に形成された接合層と、備えた。当該構成を備えることにより、圧電基板と支持基板は、第１絶縁膜と第２絶縁膜と接合層とを中間層として互いに接合される。このため、圧電基板と支持基板とのボンダビリティを向上することができる。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

圧電基板と、
前記圧電基板の上に形成された第１絶縁膜と、
支持基板と、
前記支持基板の上に形成された第２絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に形成された接合層と、
を備えた多層膜基板。

【請求項2】

前記接合層の厚みは、前記圧電基板の厚みの０．１％以上かつ５％以下の厚みである請求項１に記載の多層膜基板。

【請求項3】

前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜と前記接合層との厚みの合計は、前記圧電基板の厚みの半分以下である請求項１に記載の多層膜基板。

【請求項4】

前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜と前記接合層との厚みの合計は、弾性波の波長がλである場合に０．０６λ以上かつ０．０７５λ以下である請求項１に記載の多層膜基板。

【請求項5】

前記支持基板と前記第２絶縁膜との接触面積は、前記圧電基板と前記第１絶縁膜との接触面積よりも大きい請求項１に記載の多層膜基板。

【請求項6】

前記第１絶縁膜は、前記第２絶縁膜よりも厚い請求項１に記載の多層膜基板。

【請求項7】

前記圧電基板は、タンタル酸リチウムで形成された請求項１に記載の多層膜基板。

【請求項8】

前記支持基板は、スピネルで形成された請求項１に記載の多層膜基板。

【請求項9】

前記請求項１から請求項８のいずれか一項に記載された多層膜基板と、
前記多層膜基板に形成された複数の弾性波素子と、
を備えた弾性波デバイス。

【請求項10】

請求項９に記載の弾性波デバイスを備えたモジュール。

【請求項11】

圧電基板の上に第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、
支持基板の上に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、
前記第１絶縁膜の上に第１接合層を形成する第１接合層形成工程と、
前記第２絶縁膜の上に第２接合層を形成する第２接合層形成工程と、
前記第１接合層と前記第２接合層とを接合する接合層形成工程と、
を備えた多層膜基板の製造方法。

【請求項12】

前記第１接合層の表面を高速原子線照射処理する第１高速原子線照射処理工程と、
前記第２接合層の表面を高速原子線照射処理する第２高速原子線照射処理工程と、
を備え、
前記接合層形成工程は、前記第１高速原子線照射処理工程と前記第２高速原子線照射処理工程との後に行われる請求項１１に記載の多層膜基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、多層膜基板、弾性波デバイス、モジュールおよび多層膜基板の製造方法に関連する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、弾性波デバイスを開示する。当該弾性波デバイスは、圧電基板と支持基板とを備える。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２２－０２８５６６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

弾性波デバイスにおいては、圧電基板と支持基板との接合強度が要求される。このため、圧電基板と支持基板とのボンダビリティの向上が望まれる。

【0005】

本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、圧電基板と支持基板とのボンダビリティを向上することができる多層膜基板、弾性波デバイス、モジュールおよび多層膜基板の製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示に係る多層膜基板は、
圧電基板と、
前記圧電基板の上に形成された第１絶縁膜と、
支持基板と、
前記支持基板の上に形成された第２絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に形成された接合層と、
を備えた多層膜基板とした。

【0007】

前記接合層の厚みは、前記圧電基板の厚みの０．１％以上かつ５％以下の厚みであることが、本開示の一形態とされる。

【0008】

前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜と前記接合層との厚みの合計は、前記圧電基板の厚みの半分以下であることが、本開示の一形態とされる。

【0009】

前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜と前記接合層との厚みの合計は、弾性波の波長がλである場合に０．０６λ以上かつ０．０７５λ以下であることが、本開示の一形態とされる。

【0010】

前記支持基板と前記第２絶縁膜との接触面積は、前記圧電基板と前記第１絶縁膜との接触面積よりも大きいことが、本発明の一形態とされる。

【0011】

前記第１絶縁膜は、前記第２絶縁膜よりも厚いことが、本発明の一形態とされる。

【0012】

前記圧電基板は、タンタル酸リチウムで形成されたことが、本発明の一形態とされる。

【0013】

前記支持基板は、スピネルで形成されたことが、本発明の一形態とされる。

【0014】

前記多層膜基板と、
前記多層膜基板に形成された複数の弾性波素子と、
を備えた弾性波デバイスが、本開示の一形態とされる。

【0015】

前記弾性波デバイスを備えたモジュールが、本開示の一形態とされる。

【0016】

本開示に係る多層膜基板の製造方法は、
圧電基板の上に第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、
支持基板の上に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、
前記第１絶縁膜の上に第１接合層を形成する第１接合層形成工程と、
前記第２絶縁膜の上に第２接合層を形成する第２接合層形成工程と、
前記第１接合層と前記第２接合層とを接合する接合層形成工程と、
を備えた多層膜基板の製造方法とした。

【0017】

前記第１接合層の表面を高速原子線照射処理する第１高速原子線照射処理工程と、
前記第２接合層の表面を高速原子線照射処理する第２高速原子線照射処理工程と、
を備え、
前記接合層形成工程は、前記第１高速原子線照射処理工程と前記第２高速原子線照射処理工程との後に行われることが、本開示の一形態とされる。

【発明の効果】

【0018】

本開示によれば、圧電基板と支持基板とのボンダビリティを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】実施の形態１における弾性波デバイスの縦断面図である。

【図2】実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の例を示す図である。

【図3】実施の形態１における弾性波デバイスの多層膜基板の縦断面図である。

【図4】実施の形態１における弾性波デバイスの製造方法を説明するための図である。

【図5】実施の形態１における弾性波デバイスの製造方法を説明するための図である。

【図6】実施の形態１における弾性波デバイスの製造方法を説明するための図である。

【図7】実施の形態１における弾性波デバイスの多層膜基板の圧電基板と中間層との厚みに対する共振周波数と反共振周波数との変動を示す図である。

【図8】実施の形態１における弾性波デバイスの多層膜基板と比較例との共振周波数の変動を示す図である。

【図9】実施の形態１における弾性波デバイスの多層膜基板と比較例との反共振周波数の変動を示す図である。

【図10】実施の形態２における弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。

【0021】

実施の形態１．
図１は実施の形態１における弾性波デバイスの縦断面図である。

【0022】

図１は、弾性波デバイス１として、デュプレクサである弾性波デバイスの例を示す。

【0023】

図１に示されるように、弾性波デバイス１は、配線基板２と多層膜基板３と複数のバンプ４と封止部５とを備える。

【0024】

例えば、配線基板２は、樹脂からなる多層基板である。例えば、配線基板２は、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板である。

【0025】

多層膜基板３は、弾性波素子（図１においては図示されない）が形成される基板である。例えば、多層膜基板３の主面（図１においては下面）において、受信フィルタと送信フィルタとが形成される。

【0026】

受信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。

【0027】

送信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。

【0028】

複数のバンプ４は、配線基板２の主面（図１においては上面）に形成された配線と多層膜基板３の主面に形成された配線とに電気的に接続される。

【0029】

封止部５は、多層膜基板３を覆うように形成される。封止部５は、配線基板２とともに、多層膜基板３を封止する。例えば、封止部５は、合成樹脂等の絶縁体で形成される。例えば、封止部５は、金属で形成される。例えば、封止部５は、絶縁層と金属層とで形成される。

【0030】

封止部５が合成樹脂で形成される場合、当該合成樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。好ましくは、封止部５は、低温硬化プロセスを用いてエポキシ樹脂で形成される。

【0031】

次に、図２を用いて、弾性波素子の例を説明する。
図２は実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子の例を示す図である。

【0032】

図２の例において、弾性波素子は、弾性表面波共振器である。図２に示されるように、弾性表面波共振器において、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）８Ａと一対の反射器８Ｂとは、多層膜基板３の主面に形成される。ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとは、弾性表面波を励振し得るように設けられる。

【0033】

例えば、ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとは、アルミニウムと銅の合金で形成される。例えば、ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとは、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金で形成される。例えば、ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとは、複数の金属層が積層した積層金属膜で形成される。例えば、ＩＤＴ８Ａと一対の反射器８Ｂとの厚みは、１５０ｎｍから４００ｎｍである。

【0034】

ＩＤＴ８Ａは、一対の櫛形電極８Ｃを備える。一対の櫛形電極８Ｃは、互いに対向する。櫛形電極８Ｃは、複数の電極指８Ｄとバスバー８Ｅとを備える。複数の電極指８Ｄは、長手方向を合わせて配置される。バスバー８Ｅは、複数の電極指８Ｄを接続する。

【0035】

一対の反射器８Ｂの一方は、ＩＤＴ８Ａの一側に隣接する。一対の反射器８Ｂの他方は、ＩＤＴ８Ａの他側に隣接する。

【0036】

次に、図３を用いて、多層膜基板３の構成を説明する。
図３は実施の形態１における弾性波デバイスの多層膜基板の縦断面図である。

【0037】

図３に示されるように、多層膜基板３は、圧電基板３Ａと第１絶縁膜３Ｂと支持基板３Ｃと第２絶縁膜３Ｄと接合層３Ｅとを備える。

【0038】

例えば、圧電基板３Ａは、タンタル酸リチウムで形成される。例えば、第１絶縁膜３Ｂは、二酸化ケイ素で形成される。第１絶縁膜３Ｂは、圧電基板３Ａの上（図３においては圧電基板３Ａの下面）に形成される。例えば、支持基板３Ｃは、スピネルで形成される。例えば、第２絶縁膜３Ｄは、二酸化ケイ素で形成される。第２絶縁膜３Ｄは、支持基板３Ｃの上（図３においては支持基板３Ｃの上面）に形成される。例えば、接合層３Ｅは、ケイ素で形成される。接合層３Ｅは、第１絶縁膜３Ｂと第２絶縁膜３Ｄとの間に形成される。図３においては、圧電基板３Ａと支持基板３Ｃは、第１絶縁膜３Ｂと第２絶縁膜３Ｄと接合層３Ｅとを中間層として互いに接合される。

【0039】

本実施の形態において、圧電基板３Ａは、１０００ｎｍ程度の厚さとなるように設定される。接合層３Ｅの厚みは、圧電基板３Ａの厚みの０．１％以上かつ５％以下の厚みとなるように設定される。例えば、接合層３Ｅの厚みは、８ｎｍ程度に設定される。第１絶縁膜３Ｂと第２絶縁膜３Ｄと接合層３Ｅとの厚みの合計は、圧電基板３Ａの厚みの半分以下となるように設定される。第１絶縁膜３Ｂと第２絶縁膜３Ｄと接合層３Ｅとの厚みの合計は、弾性波の波長がλである場合に０．０６λ以上かつ０．０７５λ以下となるように設定される。第１絶縁膜３Ｂは、第２絶縁膜３Ｄよりも厚くなるように設定される。

【0040】

次に、図４から図６を用いて、多層膜基板３の製造方法を説明する。
図４から図６は実施の形態１における弾性波デバイスの製造方法を説明するための図である。

【0041】

図４に示されるように、第１絶縁膜形成工程においては、第１絶縁膜３Ｂが熱酸化法等により圧電基板３Ａの上（図４においては圧電基板３Ａの上面）に形成される。この際、第１絶縁膜３Ｂは、５０ｎｍから２００ｎｍの間の厚さとなるように形成される。その後、第１研磨工程が行われる。第１研磨工程においては、第１絶縁膜３Ｂの表面（図４においては第１絶縁膜３Ｂの上面）が化学機械研磨により平滑化される。その後、第１接合層形成工程が行われる。第１接合層形成工程においては、第１接合層６Ａとしてのケイ素が第１絶縁膜３Ｂの上（図４においては第１絶縁膜３Ｂの上面）に形成される。この際、第１接合層６Ａは、４ｎｍ程度の厚さとなるように形成される。

【0042】

図５に示されるように、第２絶縁膜形成工程においては、第２絶縁膜３Ｄが熱酸化法等により支持基板３Ｃの上（図５においては支持基板３Ｃの上面）に形成される。この際、第２絶縁膜３Ｄは、５０ｎｍから２００ｍｍの厚さとなるように形成される。その後、第２研磨工程が行われる。第２研磨工程においては、第２絶縁膜３Ｄの表面（図５においては第２絶縁膜３Ｄの上面）が化学機械研磨により平滑化される。その後、第２接合層形成工程が行われる。第２接合層形成工程においては、第２接合層６Ｂとしてのケイ素が第２絶縁膜３Ｄの上（図５においては第２絶縁膜３Ｄの上面）に形成される。この際、第２接合層６Ｂは、４ｎｍ程度の厚さとなるように形成される。

【0043】

図６の工程は、図４と図５との工程が行われた後に行われる。図６に示されるように、まず、第１高速原子線照射処理工程と第２高速原子線照射処理工程とが行われる。第１高速原子線照射処理工程においては、第１接合層６Ａの表面（図６においては第１接合層６Ａの下面）が高速原子線照射処理される。第２高速原子線照射処理工程においては、第２接合層６Ｂの表面（図６においては第２接合層６Ｂの上面）が高速原子線照射処理される。

【0044】

その後、接合層形成工程が行われる。接合層形成工程においては、第１接合層６Ａと第２接合層６Ｂとが直接的に接合される。その結果、接合層３Ｅが形成される。

【0045】

次に、図７を用いて共振周波数と反共振周波数との変動の第１例を説明する。
図７は実施の形態１における弾性波デバイスの多層膜基板の圧電基板と中間層との厚みに対する共振周波数と反共振周波数との変動を示す図である。

【0046】

図７において、横軸は、弾性波の波長λで規格化された圧電基板３Ａの厚みである。縦軸は、弾性波の波長λで規格化された中間層の厚みである。複数の実線は、共振周波数Ｆｒを示す。隣接した実線で囲まれた領域は、共振周波数Ｆｒの変動が３．５ＭＨｚの範囲に収まる領域である。複数の破線は、反共振周波数Ｆａを示す。隣接した破線で囲まれた領域は、反共振周波数Ｆａの変動が３．５ＭＨｚの範囲に収まる領域である。

【0047】

図７に示されるように、例えば、圧電基板３Ａの厚みの設計値が０．７λである場合、中間層の厚みが０．０６λ以上かつ０．０７５λ以下であれば、圧電基板３Ａの実際の厚みにおいてばらつきがある場合でも、共振周波数Ｆｒと反共振周波数Ｆａとは、ほとんど変動しない。例えば、圧電基板３Ａの厚みの設計値が０．５λである場合、中間層の厚みが０．１λ程度であれば、圧電基板３Ａの実際の厚みにおいてばらつきがある場合でも、共振周波数Ｆｒとは、ほとんど変動しない。

【0048】

次に、図８と図９とを用いて共振周波数と反共振周波数との変動の第２例を説明する。
図８は実施の形態１における弾性波デバイスの多層膜基板と比較例との共振周波数の変動を示す図である。図９は実施の形態１における弾性波デバイスの多層膜基板と比較例との反共振周波数の変動を示す図である。

【0049】

図８と図９とにおいて、横軸は、弾性波の波長λで規格化された圧電基板３Ａの厚みである。縦軸は、周波数である。Ｒは、圧電基板３Ａの厚さが０．５８λ（２．７μｍ）から０．７１λ（３．３μｍ）までの領域を示す。図８において、Ａは、中間層が０．０７λである場合の多層膜基板３における共振周波数を示す。Ｂは、圧電基板３Ａと支持基板３Ｃとが直接的に接合された比較例における共振周波数を示す。図９において、Ｃは、中間層が０．０７λである場合の多層膜基板３における反共振周波数の変動を示す。Ｄは、圧電基板３Ａと支持基板３Ｃとが直接的に接合された比較例における反共振周波数の変動を示す。

【0050】

図８の領域Ｒにおいて、比較例の共振周波数Ｂの変動は、２．１５ＭＨｚである。これに対し、多層膜基板３の共振周波数Ａの変動は、０．１３ＭＨｚである。このように、多層膜基板３の共振周波数Ａの変動は、比較例の共振周波数Ｂの変動と比較してかなり小さい。

【0051】

図９の領域Ｒにおいて、比較例の反共振周波数Ｄの変動は、３．１０ＭＨｚである。これに対し、多層膜基板３の反共振周波数Ｃの変動は、０．７１ＭＨｚである。このように、多層膜基板３の反共振周波数Ｃの変動は、比較例の反共振周波数Ｄの変動と比較してかなり小さい。

【0052】

以上で説明された実施の形態１によれば、圧電基板３Ａと支持基板３Ｃは、第１絶縁膜３Ｂと第２絶縁膜３Ｄと接合層３Ｅとを中間層として互いに接合される。このため、圧電基板３Ａと支持基板３Ｃとのボンダビリティを向上することができる。

【0053】

また、接合層３Ｅの厚みは、圧電基板３Ａの厚みの０．１％以上かつ５％以下の厚みである。接合層３Ｅの厚みが当該範囲内であれば、音響的に、フィルタ特性にほとんど影響しない。このため、弾性波デバイス１としての性能を維持しつつ、圧電基板３Ａと支持基板３Ｃとのボンダビリティを向上することができる。

【0054】

例えば、Ｂａｎｄ８の場合、圧電基板３Ａの厚みは、３．０μｍ程度に設定される。第１絶縁膜３Ｂと第２絶縁膜３Ｄとの厚みの合計は、３００ｎｍ程度に設定される。例えば、Ｂａｎｄ３の場合、圧電基板３Ａの厚みは、１．５μｍ程度に設定される。第１絶縁膜３Ｂと第２絶縁膜３Ｄとの厚みの合計は、１５０ｎｍ程度に設定される。これらの厚みに応じて、接合層３Ｅの厚みを適切に設定すれば、弾性波デバイス１としての性能を維持しつつ、圧電基板３Ａと支持基板３Ｃとのボンダビリティを向上することができる。

【0055】

また、第１絶縁膜３Ｂと第２絶縁膜３Ｄと接合層３Ｅとの厚みの合計は、圧電基板３Ａの厚みの半分以下である。このため、弾性波デバイス１としての性能を維持しつつ、圧電基板３Ａと支持基板３Ｃとのボンダビリティを向上することができる。

【0056】

また、第１絶縁膜３Ｂと第２絶縁膜３Ｄと接合層３Ｅとの厚みの合計は、弾性波の波長がλである場合に０．０６λ以上かつ０．０７５λ以下である。このため、圧電基板３Ａの厚みにおいてばらつきがある場合でも、弾性波デバイス１の共振周波数の変動を抑制しつつ、圧電基板３Ａと支持基板３Ｃとのボンダビリティを向上することができる。

【0057】

なお、支持基板３Ｃの表面は、圧電基板３Ａと比較して粗い。このため、支持基板３Ｃと第２絶縁膜３Ｄとの接触面積は、圧電基板３Ａと第１絶縁膜３Ｂとの接触面積よりも大きくなる。その結果、支持基板３Ｃと第２絶縁膜３Ｄとのボンダビリティを向上することができる。

【0058】

また、第１絶縁膜３Ｂは、第２絶縁膜３Ｄよりも厚い。このため、圧電基板３Ａのアイソレーション特性を維持しつつ、圧電基板３Ａと支持基板３Ｃとのボンダビリティを向上することができる。

【0059】

また、圧電基板３Ａは、タンタル酸リチウムで形成される。支持基板３Ｃは、スピネルで形成される。このため、スピネルの表面が粗く、タンタル酸リチウムとの接合強度に懸念がある場合でも、タンタル酸リチウムとスピネルとのボンダビリティを向上することができる。

【0060】

また、接合層３Ｅは、高速原子線照射処理を用いて形成される。このため、接合層３Ｅを薄く形成することができる。

【0061】

実施の形態２．
図１０は実施の形態２における弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

【0062】

図１０において、モジュール１００は、配線基板１０１と集積回路部品１０２と弾性波デバイス１とインダクタ１０３と封止部１０４とを備える。

【0063】

配線基板１０１は、実施の形態１の配線基板２と同等である。

【0064】

図示されないが、集積回路部品１０２は、配線基板１０１の内部に実装される。集積回路部品１０２は、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。

【0065】

弾性波デバイス１は、配線基板１０１の主面に実装される。

【0066】

インダクタ１０３は、配線基板１０１の主面に実装される。インダクタ１０３は、インピーダンスマッチングのために実装される。例えば、インダクタ１０３は、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ（ＩＰＤ）である。

【0067】

封止部１０４は、弾性波デバイス１を含む複数の電子部品を封止する。

【0068】

以上で説明された実施の形態２によれば、モジュール１００は、弾性波デバイス１を備える。このため、放熱性が高い弾性波デバイス１を備えたモジュール１００を実現することができる。

【0069】

少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。

【0070】

理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。

【0071】

特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。

【0072】

本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。

【0073】

「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。

【0074】

前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。

【符号の説明】

【0075】

１ 弾性波デバイス、 ２ 配線基板、３ 多層膜基板、 ３Ａ 圧電基板、 ３Ｂ 第１絶縁膜、 ３Ｃ 支持基板、 ３Ｄ 第２絶縁膜、 ３Ｅ 接合層、 ４ バンプ、 ５ 封止部、 ６Ａ 第１接合層、 ６Ｂ 第２接合層、 ８ 弾性波素子、 ８Ａ ＩＤＴ、 ８Ｂ 反射器、 ８Ｃ 櫛形電極、 ８Ｄ 電極指、 ８Ｅ バスバー １００ モジュール、 １０１ 配線基板、 １０２ 集積回路部品、 １０３ インダクタ、 １０４ 封止部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】