特開 2024-77804 半導体装置、電子機器、及び車両

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024077804

(43)【公開日】2024-06-10

(54)【発明の名称】半導体装置、電子機器、及び車両

(51)【国際特許分類】

   H03K 17/08 20060101AFI20240603BHJP

   H03K 17/082 20060101ALI20240603BHJP

【ＦＩ】

H03K17/08 C

H03K17/082

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022189974

(22)【出願日】2022-11-29

(71)【出願人】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001933

【氏名又は名称】弁理士法人 佐野特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】大和 哲郎

【テーマコード（参考）】

5J055

【Ｆターム（参考）】

5J055AX08

5J055AX09

5J055AX57

5J055AX64

5J055BX16

5J055CX07

5J055CX12

5J055CX28

5J055DX22

5J055DX73

5J055EX01

5J055EX23

5J055EX38

5J055EY16

5J055EY21

5J055EZ22

5J055FX04

5J055FX13

5J055GX01

5J055GX02

5J055GX04

(57)【要約】

【課題】起動時にラッシュ電流を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（１０Ａ）は、第１端子（Ｔ１）と、第２端子（Ｔ２）と、前記第１端子と前記第２端子との間に接続されるように構成された少なくとも一つの第１スイッチ素子（Ｍ１）及び少なくとも一つの第２スイッチ素子（Ｍ２Ａ、Ｍ２Ｂ）と、前記第１端子を流れる過電流を検出するように構成された過電流検出回路（４）と、前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の少なくとも一部を、前記半導体装置の起動時にオフにするように構成されたオフ回路（Ｑ１Ａ、Ｑ１Ｂ）と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１端子と、
第２端子と、
前記第１端子と前記第２端子との間に接続されるように構成された少なくとも一つの第１スイッチ素子及び少なくとも一つの第２スイッチ素子と、
を備える半導体装置であって、
前記第１端子を流れる過電流を検出するように構成された過電流検出回路と、
前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の少なくとも一部を、前記半導体装置の起動時にオフにするように構成されたオフ回路と、
をさらに備える、半導体装置。

【請求項2】

前記第１スイッチ素子の第１制御端子に接続されて前記第１端子と前記第２端子との間に現れる端子間電圧をクランプ電圧以下に制限するように構成されたアクティブクランプ回路を備え、
前記オフ回路は、前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の少なくとも一部を、前記アクティブクランプ回路が動作する可能性のある期間にオフにするように構成されている、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の個数は複数であり、
前記オフ回路は、前記半導体装置の起動中に時間経過ともにオフする前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の個数を減少させるように構成されている、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項4】

起動開始からの時間をカウントするように構成されたカウンタを備え、
前記オフ回路は、前記半導体装置の起動中に前記カウンタのカウント数に応じてオフする前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の個数を減少させるように構成されている、請求項３に記載の半導体装置。

【請求項5】

外部から供給される外部信号を受け取るように構成された端子を備え、
前記オフ回路は、前記半導体装置の起動中に前記外部信号に応じてオフする前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の個数を減少させるように構成されている、請求項３に記載の半導体装置。

【請求項6】

請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置に接続される容量性負荷と、
を備える、電子機器。

【請求項7】

請求項６に記載の電子機器を備える、車両。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書中に開示されている発明は、半導体装置、電子機器、及び車両に関する。

【背景技術】

【0002】

本願出願人は、これまで、車載ＩＰＤ［intelligent power device］などの半導体装置に関して、数多くの新技術を提案している（例えば特許文献１を参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２０１７／１８７７８５号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

一般的に車載ＩＰＤなどの半導体装置の負荷が容量性負荷である場合、車載ＩＰＤなどの半導体装置の起動時にラッシュ電流が流れる。

【0005】

特に近年、メカニカルヒューズからの置き換えで車載ＩＰＤの一例であるハイサイドスイッチが使用され始めている。メカニカルヒューズの代用としてハイサイドスイッチが使用される場合、ハイサイドスイッチの起動時に、ＥＣＵ（Electronic Control Unit）の前段に設けられる電圧安定用の電解コンデンサにラッシュ電流が流れる。電解コンデンサに電荷が溜まると、ハイサイドスイッチを流れる電流はＥＣＵで消費される定常電流のみになる。

【0006】

電解コンデンサの容量値によっては、ラッシュ電流は定常電流の１０倍以上になることがある。車載ＩＰＤなどの半導体装置の起動が正常に完了するために、従来、ラッシュ電流で過電流が検出されないように過電流検出値が高く設定されていた。この場合、定常電流に関しては最適な値で異常な過電流を検出することができなかった。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本明細書中に開示されている半導体装置は、第１端子と、第２端子と、前記第１端子と前記第２端子との間に接続されるように構成された少なくとも一つの第１スイッチ素子及び少なくとも一つの第２スイッチ素子と、を備える半導体装置であって、前記第１端子を流れる過電流を検出するように構成された過電流検出回路と、前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の少なくとも一部を、前記半導体装置の起動時にオフにするように構成されたオフ回路と、を備える。

【0008】

本明細書中に開示されている電子機器は、上記構成の半導体装置と、前記半導体装置に接続される容量性負荷と、を備える。

【0009】

本明細書中に開示されている車両は、上記構成の電子機器を備える。

【発明の効果】

【0010】

本明細書中に開示されている発明によれば、半導体装置の起動時にラッシュ電流を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、半導体装置を備えた電子機器の一構成例を示す図である。

【図2】図２は、図１に示す半導体装置の起動時における各部信号を示す図である。

【図3】図３は、半導体装置を備えた電子機器の他の構成例を示す図である。

【図4】図４は、図３に示す半導体装置の起動時における各部信号を示す図である。

【図5】図５は、車両の一構成例を示す外観図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本明細書において、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）電界効果トランジスタとは、ゲートの構造が、「導電体または抵抗値が小さいポリシリコン等の半導体からなる層」、「絶縁層」、及び「Ｐ型、Ｎ型、又は真性の半導体層」の少なくとも３層からなるトランジスタをいう。つまり、ＭＯＳ電界効果トランジスタのゲートの構造は、金属、酸化物、及び半導体の３層構造に限定されない。

【0013】

＜電子機器＞
図１は、半導体装置を備えた電子機器の一構成例を示す図である。本構成例の電子機器１００Ａは、半導体装置１０Ａと、容量性負荷である電解コンデンサＣ１と、ＥＣＵ２０と、直流電源ＶＳ１と、を備える。

【0014】

半導体装置１０Ａは、直流電源ＶＳ１の正極と電解コンデンサＣ１との間を導通／遮断するハイサイドスイッチＩＣ（ＩＰＤの一種）である。

【0015】

半導体装置１０Ａは、装置外部との電気的な接続を確立するための手段として、端子Ｔ１～Ｔ４を備える。端子Ｔ１は、直流電源ＶＳ１の正極に接続される。直流電源ＶＳ１の負極は、グラウンド電位に接続される。端子Ｔ２は、電解コンデンサＣ１の第１端及びＥＣＵ２０の電源端子に接続される。電解コンデンサＣ１の第２端及びＥＣＵ２０のグラウンド端子は、グラウンド電位に接続される。端子Ｔ３は、入力信号ＩＮを受け取る。端子Ｔ４は、グラウンド電位に接続される。直流電源ＶＳ１は電圧ＶＣＣを出力する。

【0016】

半導体装置１０Ａは、制御回路１と、アクティブクランプ回路２と、過電流検出回路３と、カウンタ４と、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１Ａ及びＱ１Ｂと、出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂと、を備える。出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂはそれぞれ、スイッチ素子である。具体的には、出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂはそれぞれ、はそれぞれＮチャネルのパワーＭＩＳＦＥＴ［metal insulator semiconductor field effect transistor］である。出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂの各ドレインは、端子Ｔ１に接続される。出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂの各ソース及び各バックゲートは、端子Ｔ２に接続される。

【0017】

制御回路１は、端子Ｔ１に接続される。また、制御回路１は、グラウンド電位にも接続される。制御回路１は、端子Ｔ３に接続されており、入力信号ＩＮに基づき制御動作を実行する。

【0018】

制御回路１は、入力信号ＩＮがＨＩＧＨレベルであるときに、出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂの各ゲートに供給するゲート信号ＧＡＴＥ１、ＧＡＴＥ２Ａ、及びＧＡＴＥ２ＢをＨＩＧＨレベルにする。これにより、出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂがオンになる。

【0019】

一方、制御回路１は、入力信号ＩＮがＬＯＷレベルであるときに、出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂの各ゲートに供給するゲート信号ＧＡＴＥ１、ＧＡＴＥ２Ａ、及びＧＡＴＥ２ＢをＬＯＷレベルにする。これにより、出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂがオフになる。

【0020】

ＮチャネルのＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１Ａのドレインは、出力トランジスタＭ２Ａのゲートに接続される。ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１Ａのソース及びバックゲートは、グラウンド電位に接続される。

【0021】

ＮチャネルのＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１Ｂのドレインは、出力トランジスタＭ２Ｂのゲートに接続される。ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１Ｂのソース及びバックゲートは、グラウンド電位に接続される。

【0022】

ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１Ａは、出力トランジスタＭ２Ａをオフにできるオフ回路の一例である。ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１Ｂは、出力トランジスタＭ２Ｂをオフにできるオフ回路の一例である。制御回路１は、アクティブクランプ回路２が動作する可能性のある期間に、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１Ａ及びＱ１Ｂの各ゲートに供給するゲート信号Ｇ１Ａ及びＧ１ＢをＨＩＧＨレベルにする。つまり、制御回路１は、出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂがオンからオフに切り替わる遷移時において、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１Ａ及びＱ１Ｂの各ゲートに供給するゲート信号Ｇ１Ａ及びＧ１ＢをＨＩＧＨレベルにする。これにより、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１Ａ及びＱ１Ｂは、アクティブクランプ回路２が動作する可能性のある期間に出力トランジスタＭ２Ａ及びＭ２Ｂをオフにする。これにより、逆起エネルギーを吸収する出力トランジスタが出力トランジスタＭ１に限定されるため、アクティブクランプ時における出力トランジスタでの熱集中が緩和され、アクティブクランプ耐量が高まる。

【0023】

アクティブクランプ回路２は、半導体装置１０Ａに誘導性負荷が接続された場合に端子Ｔ１と端子Ｔ２との間に現れる端子間電圧をクランプ電圧以下に制限する。アクティブクランプ回路２は、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２と、ツェナーダイオードＤ１と、ダイオードＤ２と、ツェナーダイオードＤ３と、を含む。ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２は、ＮチャネルのＭＯＳ電界効果トランジスタである。

【0024】

ツェナーダイオードＤ１のカソード及びＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２のドレインは、端子Ｔ１と、出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂの各ドレインと、に接続される。ツェナーダイオードＤ１のアノードは、ダイオードＤ２のアノードに接続される。ダイオードＤ２のカソード及びツェナーダイオードＤ３のカソードは、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２のゲートに接続される。ツェナーダイオードＤ３のアノード及びＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２のバックゲートはグラウンド電位に接続される。ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２のソースは、出力トランジスタＭ１のゲートに接続される。なお、ツェナーダイオードＤ１の代わりに、複数のツェナーダイオードによって構成される直列回路が用いられてよい。

【0025】

過電流検出回路３は、端子Ｔ１を流れる過電流を検出する。過電流検出回路３の電流検出方法は特に限定されない。例えば、過電流検出回路３は、出力トランジスタＭ１と対となってカレントミラー回路を構成する電流センス用トランジスタと、当該電流センス用トランジスタを流れる電流を電圧に変換するためのセンス抵抗と、当該センス抵抗の両端電位差と基準電圧とを比較するコンパレータと、を備える構成であってもよい。過電流検出回路３が過電流を検出すると、例えば制御回路１が出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂをオフにすればよい。

【0026】

ここで、半導体装置１０Ａの起動時について説明する。半導体装置１０Ａの起動とは、制御回路１に電圧ＶＣＣが供給されて制御回路１が制御動作可能な状態であって且つ入力信号ＩＮに基づき制御回路１が出力トランジスタＭ１をオフからオンに切り替えるときを意味している。

【0027】

図２は、半導体装置１０Ａの起動時における各部信号を示す図である。半導体装置１０Ａの起動開始タイミングＴＭ１において、制御回路１は、入力信号ＩＮのＬＯＷレベルからＨＩＧＨレベルへの切り替わりと同期して、ゲート信号ＧＡＴＥ１、ＧＡＴＥ２Ａ、ＧＡＴＥ２Ｂ、Ｇ１Ａ、及びＧ１ＢをＬＯＷレベルからＨＩＧＨレベルに切り替える。

【0028】

したがって、半導体装置１０Ａの起動開始タイミングＴＭ１において、出力トランジスタＭ１はオンになり、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１Ａ及びＱ１Ｂによって出力トランジスタＭ２Ａ及びＭ２Ｂはオフになる。出力トランジスタＭ２Ａ及びＭ２Ｂがオフになり出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂのうち出力トランジスタＭ１のみがオンになるため、端子Ｔ１と端子Ｔ２とを繋ぐ経路のオン抵抗は大きくなる。これにより、半導体装置１０Ａは、半導体装置１０Ａの起動時にラッシュ電流を抑制することができる。

【0029】

制御回路１は、半導体装置１０Ａの起動開始タイミングＴＭ１において、カウンタ４の動作を開始させる。したがって、カウンタ４は、半導体装置１０Ａの起動開始からの時間をカウントする。

【0030】

カウンタ４によって半導体装置１０Ａの起動開始タイミングＴＭ１から第１の所定時間ＰＴ１が経過したことがカウントされると、制御回路１は、ゲート信号Ｇ１ＡをＨＩＧＨレベルからＬＯＷレベルに切り替える。これにより、出力トランジスタＭ１及びＭ２Ａはオンになり、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１Ｂによって出力トランジスタＭ２Ｂはオフになる。これにより、端子Ｔ１と端子Ｔ２とを繋ぐ経路のオン抵抗は、半導体装置１０Ａの起動開始タイミングＴＭ１から第１の所定時間ＰＴ１が経過する迄の期間よりも小さくなる。

【0031】

そして、カウンタ４によって半導体装置１０Ａの起動開始タイミングＴＭ１から第１の所定時間ＰＴ１及び第２の所定時間ＰＴ２が経過したことがカウントされると、制御回路１は、ゲート信号Ｇ１ＢをＨＩＧＨレベルからＬＯＷレベルに切り替える。これにより、出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂはオンになる。これにより、端子Ｔ１と端子Ｔ２とを繋ぐ経路のオン抵抗は、半導体装置１０Ａの起動開始タイミングＴＭ１から第１の所定時間ＰＴ１及び第２の所定時間ＰＴ２が経過する迄の期間よりも小さくなる。なお、第１の所定時間ＰＴ１と第２の所定時間ＰＴ２とは、同じ長さであってもよく、互いに異なる長さであってもよい。半導体装置１０Ａの起動開始タイミングＴＭ１から第１の所定時間ＰＴ１及び第２の所定時間ＰＴ２が経過すると、半導体装置１０Ａの起動が終了し、半導体装置１０Ａは定常状態に遷移する。

【0032】

第１の所定時間ＰＴ１及び第２の所定時間ＰＴ２の各長さは、半導体装置１０Ａの起動開始タイミングＴＭ１から第１の所定時間ＰＴ１及び第２の所定時間ＰＴ２が経過したときに電解コンデンサＣ１に電荷が溜まって端子Ｔ１と端子Ｔ２とを繋ぐ経路を流れる電流がＥＣＵ２０で消費される定常電流のみになるように設定されればよい。

【0033】

半導体装置１０Ａは、上述した通り、ラッシュ電流を抑制することができるため、ラッシュ電流で過電流が検出されないように過電流検出値を高く設定する必要がなくなる。したがって、半導体装置１０Ａは、定常電流に関して最適な値で異常な過電流を検出することが可能となり、安全性を向上させることができる。

【0034】

また、半導体装置１０Ａは、起動中に時間経過ともに出力トランジスタＭ２Ａ及びＭ２Ｂのうちオフする出力トランジスタの個数を減少させている。これにより、半導体装置１０Ａは、起動時間を短縮することができる。

【0035】

図３は、半導体装置を備えた電子機器の他の構成例を示す図である。本構成例の電子機器１００Ｂは、半導体装置１０Ｂと、容量性負荷である電解コンデンサＣ１と、ＥＣＵ２０と、直流電源ＶＳ１と、を備える。

【0036】

半導体装置１０Ｂは、上述した半導体装置１０Ａからカウンタ４が取り除かれ端子Ｔ５が追加された構成である。半導体装置１０Ｂの構成及び動作について、半導体装置１０Ａの構成及び動作と同様の部分については説明を適宜省略する。

【0037】

端子Ｔ５は、半導体装置１０Ｂの外部から供給される外部信号Ｓ１を受け取る。

【0038】

図４は、半導体装置１０Ｂの起動時における各部信号を示す図である。半導体装置１０Ｂの起動開始タイミングＴＭ１において、制御回路１は、入力信号ＩＮのＬＯＷレベルからＨＩＧＨレベルへの切り替わりと同期して、ゲート信号ＧＡＴＥ１、ＧＡＴＥ２Ａ、ＧＡＴＥ２Ｂ、Ｇ１Ａ、及びＧ１ＢをＬＯＷレベルからＨＩＧＨレベルに切り替える。

【0039】

外部信号Ｓ１がＨＩＧＨレベルからＭＩＤＤＬＥレベルに切り替わると、制御回路１は、ゲート信号Ｇ１ＡをＨＩＧＨレベルからＬＯＷレベルに切り替える。これにより、出力トランジスタＭ１及びＭ２Ａはオンになり、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１Ｂによって出力トランジスタＭ２Ｂはオフになる。これにより、端子Ｔ１と端子Ｔ２とを繋ぐ経路のオン抵抗は、外部信号Ｓ１がＨＩＧＨレベルであった期間よりも小さくなる。

【0040】

そして、外部信号Ｓ１がＭＩＤＤＬＥレベルからＬＯＷレベルに切り替わると、制御回路１は、ゲート信号Ｇ１ＢをＨＩＧＨレベルからＬＯＷレベルに切り替える。これにより、出力トランジスタＭ１、Ｍ２Ａ、及びＭ２Ｂはオンになる。これにより、端子Ｔ１と端子Ｔ２とを繋ぐ経路のオン抵抗は、外部信号Ｓ１がＭＩＤＤＬＥレベルであった期間よりも小さくなる。外部信号Ｓ１がＬＯＷレベルになると、半導体装置１０Ｂの起動が終了し、半導体装置１０Ｂは定常状態に遷移する。

【0041】

半導体装置１０Ｂは、半導体装置１０Ａと同様に、起動中に時間経過ともに出力トランジスタＭ２Ａ及びＭ２Ｂのうちオフする出力トランジスタの個数を減少させている。ただし、半導体装置１０Ａは、カウンタ４のカウント数に応じて、起動中に時間経過ともに出力トランジスタＭ２Ａ及びＭ２Ｂのうちオフする出力トランジスタの個数を減少させているのに対して、半導体装置１０Ａは、外部信号Ｓ１に応じて、起動中に時間経過ともに出力トランジスタＭ２Ａ及びＭ２Ｂのうちオフする出力トランジスタの個数を減少させている。

【0042】

半導体装置１０Ｂは、半導体装置１０Ａと同様の効果を奏する。半導体装置１０Ｂは、半導体装置１０Ａとは異なりカウンタを備えない構成であるため、半導体装置１０Ａよりも小型化を図ることができる。

【0043】

＜車両への適用＞
図５は、車両の一構成例を示す外観図である。本構成例の車両Ｘは、バッテリから電力供給を受けて動作する種々の電子機器を搭載している。

【0044】

車両Ｘには、エンジン車のほか、電動車（ＢＥＶ［battery electric vehicle］、ＨＥＶ［hybrid electric vehicle］、ＰＨＥＶ／ＰＨＶ（plug-in hybrid electric vehicle／plug-in hybrid vehicle］、又は、ＦＣＥＶ／ＦＣＶ（fuel cell electric vehicle／fuel cell vehicle］などのｘＥＶ）も含まれる。

【0045】

車両Ｘは、例えば先に説明した電子機器１００Ａ又は１００Ｂを搭載することができる。また、先に説明した半導体装置１０Ａ又は１０Ｂの用途としては、車両Ｘに搭載される車載用ＩＰＤに限定されず、例えば産業機器又は民生機器に搭載される半導体装置であってもよい。

【0046】

＜その他＞
本開示の実施形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。これまでに説明してきた各種の実施形態は、矛盾のない範囲で適宜組み合わせて実施してもよい。以上の実施形態は、あくまでも、本開示の実施形態の例であって、本開示ないし各構成要件の用語の意義は、以上の実施形態に記載されたものに制限されるものではない。

【0047】

本開示の実施形態では、第１スイッチ素子に相当する出力トランジスタＭ１は１個であったが、第１スイッチ素子を複数備え、複数の第１スイッチ素子が並列接続されてもよい。

【0048】

本開示の実施形態では、第２スイッチ素子に相当する出力トランジスタＭ２Ａ及びＭ２Ｂは２個であったが、第２スイッチ素子は単数でもよく、３個以上であってもよい。

【0049】

本開示の実施形態では、アクティブクランプ回路２が動作する可能性のある期間に、第２スイッチ素子に相当する全ての出力トランジスタＭ２Ａ及びＭ２Ｂがオフになったが、第２スイッチ素子に相当する出力トランジスタの一部のみがオフになってもよい。

【0050】

例えば、上記実施形態では、ハイサイドスイッチＩＣへの適用例を挙げたが、ローサイドスイッチＩＣにも上記実施形態と同様の回路構成を適用することが可能である。

【0051】

＜付記＞
上述の実施形態にて具体的構成例が示された本開示について付記を設ける。

【0052】

本開示の半導体装置（１０Ａ、１０Ｂ）は、第１端子（Ｔ１）と、第２端子（Ｔ２）と、前記第１端子と前記第２端子との間に接続されるように構成された少なくとも一つの第１スイッチ素子（Ｍ１）及び少なくとも一つの第２スイッチ素子（Ｍ２Ａ、Ｍ２Ｂ）と、を備える半導体装置であって、前記第１端子を流れる過電流を検出するように構成された過電流検出回路（４）と、前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の少なくとも一部を、前記半導体装置の起動時にオフにするように構成されたオフ回路（Ｑ１Ａ、Ｑ１Ｂ）と、を備える構成（第１の構成）である。

【0053】

上記第１の構成の半導体装置において、前記第１スイッチ素子の第１制御端子に接続されて前記第１端子と前記第２端子との間に現れる端子間電圧をクランプ電圧以下に制限するように構成されたアクティブクランプ回路（２）を備え、前記オフ回路は、前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の少なくとも一部を、前記アクティブクランプ回路が動作する可能性のある期間にオフにするように構成されている構成（第２の構成）であってもよい。

【0054】

上記第１又は第２の構成の半導体装置において、前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の個数は複数であり、前記オフ回路は、前記半導体装置の起動中に時間経過ともにオフする前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の個数を減少させるように構成されている構成（第３の構成）であってもよい。

【0055】

上記第３の構成の半導体装置において、起動開始からの時間をカウントするように構成されたカウンタ（３）を備え、前記オフ回路は、前記半導体装置の起動中に前記カウンタのカウント数に応じてオフする前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の個数を減少させるように構成されている構成（第４の構成）であってもよい。

【0056】

上記第３の構成の半導体装置において、外部から供給される外部信号を受け取るように構成された端子（Ｔ５）を備え、前記オフ回路は、前記半導体装置の起動中に前記外部信号に応じてオフする前記少なくとも一つの第２スイッチ素子の個数を減少させるように構成されている構成（第５の構成）であってもよい。

【0057】

本開示の電子機器（１００Ａ、１００Ｂ）は、上記第１～第５いずれかの構成の半導体装置と、前記半導体装置に接続される容量性負荷（Ｃ１）と、を備える構成（第６の構成）であってもよい。

【0058】

本開示の車両（Ｘ）は、上記第６の構成の電子機器を備える構成（第７の構成）である。

【符号の説明】

【0059】

１ 制御回路
２ アクティブクランプ回路
３ 過電流検出回路
４ カウンタ
１０Ａ、１０Ｂ 半導体装置
２０ ＥＣＵ
１００Ａ、１００Ｂ 電子機器
Ｃ１ 電解コンデンサ
Ｄ１、Ｄ３ ツェナーダイオード
Ｄ２ ダイオード
Ｍ１、Ｍ２Ａ、Ｍ２Ｂ 出力トランジスタ
Ｑ１Ａ、Ｑ１Ｂ、Ｑ２ ＭＯＳ電界効果トランジスタ
Ｔ１～Ｔ５ 端子
ＶＳ１ 直流電源
Ｘ 車両

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】