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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024077894
(43)【公開日】2024-06-10
(54)【発明の名称】基板処理装置、及び洗浄方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20240603BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 643Z
H01L21/304 643A
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022190110
(22)【出願日】2022-11-29
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】日野出 大輝
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AA16
5F157AA71
5F157AB14
5F157AB16
5F157AB33
5F157AB46
5F157AB49
5F157AB90
5F157AC63
5F157BB23
5F157BB24
5F157BB37
5F157BB39
5F157BB42
5F157BC53
5F157BG13
5F157CC11
5F157CF02
5F157CF14
5F157CF44
5F157CF46
5F157CF60
5F157CF92
5F157DC90
(57)【要約】
【課題】基板保持部と液受け部とを洗浄できる基板処理装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、チャンバー２ａと、基板保持部１５と、基板回転部２１と、洗浄液吐出部３２と、液受け部５４と、制御部１０３とを備える。制御部１０３は、第１チャンバー内洗浄処理の際に、基板保持部１５が基板Ｗを保持していない状態で、基板回転部２１により基板保持部１５を回転させるとともに、洗浄液吐出部３２から基板保持部１５に向けて洗浄液を吐出させて、基板保持部１５を洗浄する。制御部１０３は、第２チャンバー内洗浄処理の際に、基板保持部１５が基板Ｗを保持している状態で、基板回転部２１により基板保持部１５及び基板Ｗを回転させるとともに、洗浄液吐出部３２から基板Ｗに向けて洗浄液を吐出させて、基板Ｗから液受け部５４へ飛散する洗浄液により液受け部５４を洗浄する。
【選択図】図４
【解決手段】基板処理装置１００は、チャンバー２ａと、基板保持部１５と、基板回転部２１と、洗浄液吐出部３２と、液受け部５４と、制御部１０３とを備える。制御部１０３は、第１チャンバー内洗浄処理の際に、基板保持部１５が基板Ｗを保持していない状態で、基板回転部２１により基板保持部１５を回転させるとともに、洗浄液吐出部３２から基板保持部１５に向けて洗浄液を吐出させて、基板保持部１５を洗浄する。制御部１０３は、第２チャンバー内洗浄処理の際に、基板保持部１５が基板Ｗを保持している状態で、基板回転部２１により基板保持部１５及び基板Ｗを回転させるとともに、洗浄液吐出部３２から基板Ｗに向けて洗浄液を吐出させて、基板Ｗから液受け部５４へ飛散する洗浄液により液受け部５４を洗浄する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板が搬入されるチャンバーと、
前記チャンバー内で前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させて、前記基板保持部が保持する前記基板を回転させる基板回転部と、
前記基板保持部の上方より洗浄液を吐出する洗浄液吐出部と、
前記基板回転部により回転される前記基板に向けて、前記洗浄液吐出部から前記洗浄液が吐出されている際に、前記基板から飛散する前記洗浄液を受け止める液受け部と、
前記基板保持部を洗浄する第１チャンバー内洗浄処理と、前記液受け部を洗浄する第２チャンバー内洗浄処理とを実行する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記第１チャンバー内洗浄処理の際に、前記基板保持部が前記基板を保持していない状態で、前記基板回転部により前記基板保持部を回転させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記基板保持部に向けて前記洗浄液を吐出させて、前記基板保持部を洗浄し、
前記制御部は、前記第２チャンバー内洗浄処理の際に、前記基板保持部が前記基板を保持している状態で、前記基板回転部により前記基板保持部及び前記基板を回転させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記基板に向けて前記洗浄液を吐出させて、前記基板から前記液受け部へ飛散する前記洗浄液により前記液受け部を洗浄する、基板処理装置。
前記チャンバー内で前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させて、前記基板保持部が保持する前記基板を回転させる基板回転部と、
前記基板保持部の上方より洗浄液を吐出する洗浄液吐出部と、
前記基板回転部により回転される前記基板に向けて、前記洗浄液吐出部から前記洗浄液が吐出されている際に、前記基板から飛散する前記洗浄液を受け止める液受け部と、
前記基板保持部を洗浄する第１チャンバー内洗浄処理と、前記液受け部を洗浄する第２チャンバー内洗浄処理とを実行する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記第１チャンバー内洗浄処理の際に、前記基板保持部が前記基板を保持していない状態で、前記基板回転部により前記基板保持部を回転させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記基板保持部に向けて前記洗浄液を吐出させて、前記基板保持部を洗浄し、
前記制御部は、前記第２チャンバー内洗浄処理の際に、前記基板保持部が前記基板を保持している状態で、前記基板回転部により前記基板保持部及び前記基板を回転させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記基板に向けて前記洗浄液を吐出させて、前記基板から前記液受け部へ飛散する前記洗浄液により前記液受け部を洗浄する、基板処理装置。
【請求項2】
前記基板保持部は、
前記基板回転部により回転される回転部材と、
前記回転部材の外周部に設けられて前記基板を支持する複数の支持ピンと
を含み、
前記回転部材は、前記複数の支持ピンが挿通される複数のピン孔を含み、
前記洗浄液吐出部は、前記第１チャンバー内洗浄処理の際に、前記回転部材の前記外周部に向けて前記洗浄液を吐出して、前記支持ピンと前記ピン孔とを洗浄する、請求項１に記載の基板処理装置。
前記基板回転部により回転される回転部材と、
前記回転部材の外周部に設けられて前記基板を支持する複数の支持ピンと
を含み、
前記回転部材は、前記複数の支持ピンが挿通される複数のピン孔を含み、
前記洗浄液吐出部は、前記第１チャンバー内洗浄処理の際に、前記回転部材の前記外周部に向けて前記洗浄液を吐出して、前記支持ピンと前記ピン孔とを洗浄する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記基板保持部に気体を供給する気体供給部を更に備え、
前記基板保持部は、前記基板回転部により回転される回転部材を含み、
前記回転部材は、前記気体を上方へ吐出する吐出孔を含み、
前記制御部は、前記第１チャンバー内洗浄処理及び前記第２チャンバー内洗浄処理の際に、前記気体供給部を制御して前記吐出孔から上方へ前記気体を吐出させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記基板保持部は、前記基板回転部により回転される回転部材を含み、
前記回転部材は、前記気体を上方へ吐出する吐出孔を含み、
前記制御部は、前記第１チャンバー内洗浄処理及び前記第２チャンバー内洗浄処理の際に、前記気体供給部を制御して前記吐出孔から上方へ前記気体を吐出させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記液受け部を昇降させる液受け昇降部を更に備え、
前記制御部は、前記第２チャンバー内洗浄処理の際に、前記液受け昇降部を制御して前記液受け部を昇降させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記第２チャンバー内洗浄処理の際に、前記液受け昇降部を制御して前記液受け部を昇降させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記制御部は、前記第１チャンバー内洗浄処理の際に、前記液受け昇降部を制御して前記液受け部を昇降させる、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項6】
基板処理に用いる処理液を吐出する処理液吐出部を更に備え、
前記基板は、前記基板処理の対象となる処理対象基板と、前記第２チャンバー内洗浄処理に用いられる非処理対象基板とを含み、
前記基板保持部は、前記基板処理の際に前記処理対象基板を保持し、前記第２チャンバー内洗浄処理の際に前記非処理対象基板を保持する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記基板は、前記基板処理の対象となる処理対象基板と、前記第２チャンバー内洗浄処理に用いられる非処理対象基板とを含み、
前記基板保持部は、前記基板処理の際に前記処理対象基板を保持し、前記第２チャンバー内洗浄処理の際に前記非処理対象基板を保持する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記制御部は、予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が実行された後に、前記第１チャンバー内洗浄処理又は前記第２チャンバー内洗浄処理を実行する、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記制御部は、予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が実行された後に、前記第１チャンバー内洗浄処理又は前記第２チャンバー内洗浄処理を実行し、前記第１チャンバー内洗浄処理又は前記第２チャンバー内洗浄処理が実行されてから、予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が更に実行された後に、前記第２チャンバー内洗浄処理又は前記第１チャンバー内洗浄処理を実行する、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記制御部は、予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が実行された後に、前記第１チャンバー内洗浄処理及び前記第２チャンバー内洗浄処理を実行する、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記制御部は、前記第１チャンバー内洗浄処理を実行した後に、前記第２チャンバー内洗浄処理を実行する、請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項11】
基板が搬入されるチャンバーと、
前記チャンバー内で前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させて、前記基板保持部が保持する前記基板を回転させる基板回転部と、
前記基板保持部の上方より洗浄液を吐出する洗浄液吐出部と、
前記基板回転部により回転される前記基板に向けて、前記洗浄液吐出部から前記洗浄液が吐出されている際に、前記基板から飛散する前記洗浄液を受け止める液受け部と
を備える基板処理装置において前記チャンバー内を洗浄する洗浄方法であって、
前記基板保持部が前記基板を保持していない状態で、前記基板回転部により前記基板保持部を回転させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記基板保持部に向けて前記洗浄液を吐出させて、前記基板保持部を洗浄する第１チャンバー内洗浄工程と、
前記基板保持部が前記基板を保持している状態で、前記基板回転部により前記基板保持部及び前記基板を回転させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記基板に向けて前記洗浄液を吐出させて、前記基板から前記液受け部へ飛散する前記洗浄液により前記液受け部を洗浄する第２チャンバー内洗浄工程と
を含む、洗浄方法。
前記チャンバー内で前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させて、前記基板保持部が保持する前記基板を回転させる基板回転部と、
前記基板保持部の上方より洗浄液を吐出する洗浄液吐出部と、
前記基板回転部により回転される前記基板に向けて、前記洗浄液吐出部から前記洗浄液が吐出されている際に、前記基板から飛散する前記洗浄液を受け止める液受け部と
を備える基板処理装置において前記チャンバー内を洗浄する洗浄方法であって、
前記基板保持部が前記基板を保持していない状態で、前記基板回転部により前記基板保持部を回転させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記基板保持部に向けて前記洗浄液を吐出させて、前記基板保持部を洗浄する第１チャンバー内洗浄工程と、
前記基板保持部が前記基板を保持している状態で、前記基板回転部により前記基板保持部及び前記基板を回転させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記基板に向けて前記洗浄液を吐出させて、前記基板から前記液受け部へ飛散する前記洗浄液により前記液受け部を洗浄する第２チャンバー内洗浄工程と
を含む、洗浄方法。
【請求項12】
前記基板保持部は、
前記基板回転部により回転される回転部材と、
前記回転部材の外周部に設けられて前記基板を支持する複数の支持ピンと
を含み、
前記回転部材は、前記複数の支持ピンが挿通される複数のピン孔を含み、
前記第１チャンバー内洗浄工程において、前記洗浄液吐出部は、前記回転部材の前記外周部に向けて前記洗浄液を吐出して、前記支持ピンと前記ピン孔とを洗浄する、請求項１１に記載の洗浄方法。
前記基板回転部により回転される回転部材と、
前記回転部材の外周部に設けられて前記基板を支持する複数の支持ピンと
を含み、
前記回転部材は、前記複数の支持ピンが挿通される複数のピン孔を含み、
前記第１チャンバー内洗浄工程において、前記洗浄液吐出部は、前記回転部材の前記外周部に向けて前記洗浄液を吐出して、前記支持ピンと前記ピン孔とを洗浄する、請求項１１に記載の洗浄方法。
【請求項13】
前記基板処理装置は、前記基板保持部に気体を供給する気体供給部を更に備え、
前記基板保持部は、前記基板回転部により回転される回転部材を含み、
前記回転部材は、前記気体を上方へ吐出する吐出孔を含み、
前記第１チャンバー内洗浄工程において、前記吐出孔から上方へ前記気体を吐出させ、
前記第２チャンバー内洗浄工程において、前記吐出孔から上方へ前記気体を吐出させる、請求項１１又は請求項１２に記載の洗浄方法。
前記基板保持部は、前記基板回転部により回転される回転部材を含み、
前記回転部材は、前記気体を上方へ吐出する吐出孔を含み、
前記第１チャンバー内洗浄工程において、前記吐出孔から上方へ前記気体を吐出させ、
前記第２チャンバー内洗浄工程において、前記吐出孔から上方へ前記気体を吐出させる、請求項１１又は請求項１２に記載の洗浄方法。
【請求項14】
前記第２チャンバー内洗浄工程において、前記液受け部を昇降させる、請求項１１又は請求項１２に記載の洗浄方法。
【請求項15】
前記第１チャンバー内洗浄工程において、前記液受け部を昇降させる、請求項１４に記載の洗浄方法。
【請求項16】
前記基板処理装置は、基板処理に用いる処理液を吐出する処理液吐出部を更に備え、
前記基板は、前記基板処理の対象となる処理対象基板と、前記第２チャンバー内洗浄工程で用いられる非処理対象基板とを含み、
前記第２チャンバー内洗浄工程において、前記基板保持部により前記非処理対象基板が保持される、請求項１１又は請求項１２に記載の洗浄方法。
前記基板は、前記基板処理の対象となる処理対象基板と、前記第２チャンバー内洗浄工程で用いられる非処理対象基板とを含み、
前記第２チャンバー内洗浄工程において、前記基板保持部により前記非処理対象基板が保持される、請求項１１又は請求項１２に記載の洗浄方法。
【請求項17】
予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が実行された後に、前記第１チャンバー内洗浄工程又は前記第２チャンバー内洗浄工程が行われる、請求項１６に記載の洗浄方法。
【請求項18】
予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が実行された後に、前記第１チャンバー内洗浄工程又は前記第２チャンバー内洗浄工程が行われ、前記第１チャンバー内洗浄工程又は前記第２チャンバー内洗浄工程が行われてから、予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が更に実行された後に、前記第２チャンバー内洗浄工程又は前記第１チャンバー内洗浄工程が行われる、請求項１６に記載の洗浄方法。
【請求項19】
予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が実行された後に、前記第１チャンバー内洗浄工程及び前記第２チャンバー内洗浄工程が行われる、請求項１６に記載の洗浄方法。
【請求項20】
前記第１チャンバー内洗浄工程が行われた後に、前記第２チャンバー内洗浄工程が行われる、請求項１９に記載の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置、及び洗浄方法に関する。
【背景技術】
【0002】
基板を１枚毎に処理する枚葉式の基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。例えば、枚葉式の基板処理装置は、チャンバー内に設けられた基板保持部により基板を水平に保持して、基板保持部により保持された基板を回転させる。そして、回転中の基板に向けて処理液を吐出して、処理液により基板を処理する。チャンバー内には、回転中の基板を囲む飛散防止カップが設けられている。飛散防止カップは、回転する基板から遠心力によって飛散する処理液を受け止めて、チャンバー内が処理液によって汚染されることを抑制する。
【0003】
このような基板処理装置は、チャンバー内を清浄に保つために、チャンバー内洗浄を行うことがある。チャンバー内洗浄は、チャンバー内を洗浄する処理である。具体的には、基板処理装置は複数のチャンバーを備えており、チャンバーごとにチャンバー内洗浄処理を行う。チャンバー内洗浄は、当該チャンバーにおいて予め定められた枚数の基板の処理が行われる度に実行される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２１－４８３６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、基板処理装置の機種によっては、チャンバー内の一部を洗浄できないことがある。例えば、基板処理装置が、基板保持部としてベルヌーイチャックを備える機種である場合、飛散防止カップ（液受け部）の一部を洗浄できないことがある。
【0006】
詳しくは、ベルヌーイチャックは、円形状のスピンベースと、スピンベースの外縁付近に配置される複数の昇降ピンとを備える。スピンベースには、複数の昇降ピンが挿通される複数の貫通穴が形成されている。ベルヌーイチャックを備える基板処理装置においてチャンバー内洗浄を行う場合、ベルヌーイチャック（基板保持部）と、飛散防止カップ（液受け部）とが洗浄される。
【0007】
具体的には、例えば純水のような洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルをスピンベースの外縁付近の上方に移動させる。そして、スピンベースを回転させて、回転中のスピンベースの外縁付近の上方から、スピンベースの外縁付近に向けて洗浄液を吐出させる。この結果、複数の昇降ピンと、スピンベースに設けられた複数の貫通穴とが洗浄される。また、スピンベースから飛散する洗浄液により、飛散防止カップが洗浄される。
【0008】
しかしながら、洗浄液吐出ノズルが一定の位置から洗浄液を吐出するため、飛散防止カップ（液受け部）の洗浄は、洗浄液がスピンベースに着液する位置に対向する箇所の洗浄に限定される。そのため、飛散防止カップの一部のみが洗浄されることになり、飛散防止カップの残りの部分を洗浄することができない。
【0009】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板保持部と液受け部とを洗浄することができる基板処理装置及び洗浄方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、チャンバーと、基板保持部と、基板回転部と、洗浄液吐出部と、液受け部と、制御部とを備える。前記チャンバーには、基板が搬入される。前記基板保持部は、前記チャンバー内で前記基板を保持する。前記基板回転部は、前記基板保持部を回転させて、前記基板保持部が保持する前記基板を回転させる。前記洗浄液吐出部は、前記基板保持部の上方より洗浄液を吐出する。前記液受け部は、前記基板回転部により回転される前記基板に向けて、前記洗浄液吐出部から前記洗浄液が吐出されている際に、前記基板から飛散する前記洗浄液を受け止める。前記制御部は、前記基板保持部を洗浄する第１チャンバー内洗浄処理と、前記液受け部を洗浄する第２チャンバー内洗浄処理とを実行する。前記制御部は、前記第１チャンバー内洗浄処理の際に、前記基板保持部が前記基板を保持していない状態で、前記基板回転部により前記基板保持部を回転させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記基板保持部に向けて前記洗浄液を吐出させて、前記基板保持部を洗浄する。前記制御部は、前記第２チャンバー内洗浄処理の際に、前記基板保持部が前記基板を保持している状態で、前記基板回転部により前記基板保持部及び前記基板を回転させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記基板に向けて前記洗浄液を吐出させて、前記基板から前記液受け部へ飛散する前記洗浄液により前記液受け部を洗浄する。
【0011】
ある実施形態において、前記基板保持部は、回転部材と、複数の支持ピンとを含む。前記回転部材は、前記基板回転部により回転される。前記複数の支持ピンは、前記回転部材の外周部に設けられて前記基板を支持する。前記回転部材は、前記複数の支持ピンが挿通される複数のピン孔を含む。前記洗浄液吐出部は、前記第１チャンバー内洗浄処理の際に、前記回転部材の前記外周部に向けて前記洗浄液を吐出して、前記支持ピンと前記ピン孔とを洗浄する。
【0012】
ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記基板保持部に気体を供給する気体供給部を更に備える。前記基板保持部は、前記基板回転部により回転される回転部材を含む。前記回転部材は、前記気体を上方へ吐出する吐出孔を含む。前記制御部は、前記第１チャンバー内洗浄処理及び前記第２チャンバー内洗浄処理の際に、前記気体供給部を制御して前記吐出孔から上方へ前記気体を吐出させる。
【0013】
ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記液受け部を昇降させる液受け昇降部を更に備える。前記制御部は、前記第２チャンバー内洗浄処理の際に、前記液受け昇降部を制御して前記液受け部を昇降させる。
【0014】
ある実施形態において、前記制御部は、前記第１チャンバー内洗浄処理の際に、前記液受け昇降部を制御して前記液受け部を昇降させる。
【0015】
ある実施形態において、上記基板処理装置は、基板処理に用いる処理液を吐出する処理液吐出部を更に備える。前記基板は、処理対象基板と、非処理対象基板とを含む。前記処理対象基板は、前記基板処理の対象となる。前記非処理対象基板は、前記第２チャンバー内洗浄処理に用いられる。前記基板保持部は、前記基板処理の際に前記処理対象基板を保持し、前記第２チャンバー内洗浄処理の際に前記非処理対象基板を保持する。
【0016】
ある実施形態において、前記制御部は、予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が実行された後に、前記第１チャンバー内洗浄処理又は前記第２チャンバー内洗浄処理を実行する。
【0017】
ある実施形態において、前記制御部は、予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が実行された後に、前記第１チャンバー内洗浄処理又は前記第２チャンバー内洗浄処理を実行し、前記第１チャンバー内洗浄処理又は前記第２チャンバー内洗浄処理が実行されてから、予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が更に実行された後に、記第２チャンバー内洗浄処理又は前記第１チャンバー内洗浄処理を実行する。
【0018】
ある実施形態において、前記制御部は、予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が実行された後に、前記第１チャンバー内洗浄処理及び前記第２チャンバー内洗浄処理を実行する。
【0019】
ある実施形態において、前記制御部は、前記第１チャンバー内洗浄処理を実行した後に、前記第２チャンバー内洗浄処理を実行する。
【0020】
本発明の他の一局面によれば、洗浄方法は、チャンバー、基板保持部、基板回転部、洗浄液吐出部、及び液受け部を備える基板処理装置において、前記チャンバー内を洗浄する方法である。前記チャンバーには、基板が搬入される。前記基板保持部は、前記チャンバー内で前記基板を保持する。前記基板回転部は、前記基板保持部を回転させて、前記基板保持部が保持する前記基板を回転させる。前記洗浄液吐出部は、前記基板保持部の上方より洗浄液を吐出する。前記液受け部は、前記基板回転部により回転される前記基板に向けて、前記洗浄液吐出部から前記洗浄液が吐出されている際に、前記基板から飛散する前記洗浄液を受け止める。当該洗浄方法は、前記基板保持部が前記基板を保持していない状態で、前記基板回転部により前記基板保持部を回転させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記基板保持部に向けて前記洗浄液を吐出させて、前記基板保持部を洗浄する第１チャンバー内洗浄工程と、前記基板保持部が前記基板を保持している状態で、前記基板回転部により前記基板保持部及び前記基板を回転させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記基板に向けて前記洗浄液を吐出させて、前記基板から前記液受け部へ飛散する前記洗浄液により前記液受け部を洗浄する第２チャンバー内洗浄工程とを含む。
【0021】
ある実施形態において、前記基板保持部は、回転部材と、複数の支持ピンとを含む。前記回転部材は、前記基板回転部により回転される。前記複数の支持ピンは、前記回転部材の外周部に設けられて前記基板を支持する。前記回転部材は、前記複数の支持ピンが挿通される複数のピン孔を含む。前記第１チャンバー内洗浄工程において、前記洗浄液吐出部は、前記回転部材の前記外周部に向けて前記洗浄液を吐出して、前記支持ピンと前記ピン孔とを洗浄する。
【0022】
ある実施形態において、前記基板処理装置は、前記基板保持部に気体を供給する気体供給部を更に備える。前記基板保持部は、前記基板回転部により回転される回転部材を含む。前記回転部材は、前記気体を上方へ吐出する吐出孔を含む。前記第１チャンバー内洗浄工程において、前記吐出孔から上方へ前記気体を吐出させる。前記第２チャンバー内洗浄工程において、前記吐出孔から上方へ前記気体を吐出させる。
【0023】
ある実施形態では、前記第２チャンバー内洗浄工程において、前記液受け部を昇降させる。
【0024】
ある実施形態では、前記第１チャンバー内洗浄工程において、前記液受け部を昇降させる。
【0025】
ある実施形態において、前記基板処理装置は、基板処理に用いる処理液を吐出する処理液吐出部を更に備える。前記基板は、処理対象基板と、非処理対象基板とを含む。前記処理対象基板は、前記基板処理の対象となる。前記非処理対象基板は、前記第２チャンバー内洗浄工程で用いられる。前記第２チャンバー内洗浄工程において、前記基板保持部により前記非処理対象基板が保持される。
【0026】
ある実施形態では、予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が実行された後に、前記第１チャンバー内洗浄工程又は前記第２チャンバー内洗浄工程が行われる。
【0027】
ある実施形態では、予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が実行された後に、前記第１チャンバー内洗浄工程又は前記第２チャンバー内洗浄工程が行われ、前記第１チャンバー内洗浄工程又は前記第２チャンバー内洗浄工程が行われてから、予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が更に実行された後に、前記第２チャンバー内洗浄工程又は前記第１チャンバー内洗浄工程が行われる。
【0028】
ある実施形態では、予め定められた枚数の前記処理対象基板に対して前記基板処理が実行された後に、前記第１チャンバー内洗浄工程及び前記第２チャンバー内洗浄工程が行われる。
【0029】
ある実施形態では、前記第１チャンバー内洗浄工程が行われた後に、前記第２チャンバー内洗浄工程が行われる。
【発明の効果】
【0030】
本発明に係る基板処理装置及び洗浄方法によれば、基板保持部と液受け部とを洗浄することができる。
【図面の簡単な説明】
【0031】
【図1】本発明の実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。
【図3】本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【図4】本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す別の断面図である。
【図5】本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる基板保持部の一部を示す断面図である。
【図6】基板保持部の第１状態を示す断面図である。
【図7】基板保持部の第２状態を示す断面図である。
【図8】第１チャンバー内洗浄時の基板処理部を示す断面図である。
【図9】第２チャンバー内洗浄時の基板処理部を示す断面図である。
【図10】本発明の実施形態に係る基板処理装置が実行する処理の第１例を示すフローチャートである。
【図11】本発明の実施形態に係る基板処理装置が実行する処理の第２例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0032】
以下、図面（図１～図１１）を参照して本発明の基板処理装置及び洗浄方法に係る実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
【0033】
本発明に係る基板処理装置及び洗浄方法において、基板処理の対象となる「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種の基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハを基板処理の対象とする場合を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理装置及び洗浄方法は、上記した半導体ウエハ以外の各種の基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円盤状に限定されず、本発明に係る基板処理装置及び洗浄方法は、各種の形状の基板に対して適用可能である。
【0034】
図１は、本実施形態の基板処理装置１００の構成を模式的に示す平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、複数の基板処理部２と、受渡部６と、制御装置１０１とを備える。
【0035】
ロードポートＬＰには基板収容容器Ｃがドッキングする。詳しくは、複数のロードポートＬＰの一部に、未処理の基板Ｗ１を収容する基板収容容器Ｃがドッキングする。残りのロードポートＬＰには、空の基板収容容器Ｃがドッキングする。空の基板収容容器Ｃには、処理後の基板Ｗ１が収容される。基板収容容器Ｃは複数枚の基板Ｗ１を積層状態で収容する。基板収容容器Ｃは、例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）であってもよいし、ＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｉｎｔｅｒ Ｆａｃｅ）ポッドであってもよいし、ＯＣ（Ｏｐｅｎ Ｃａｓｓｅｔｔｅ）であってもよい。
【0036】
インデクサーロボットＩＲは、未処理の基板Ｗ１を基板収容容器Ｃから受渡部６に搬送し、処理後の基板Ｗ１を受渡部６から基板収容容器Ｃに搬送する。インデクサーロボットＩＲは、「搬送部」の一例である。
【0037】
受渡部６は、基板Ｗ１を支持する複数の棚（図示せず）を有する。詳しくは、受渡部６は、未処理の基板Ｗ１を支持する少なくとも１つの棚（図示せず）と、処理後の基板Ｗ１を支持する少なくとも１つの棚（図示せず）とを有する。
【0038】
センターロボットＣＲは、未処理の基板Ｗ１を受渡部６から基板処理部２に搬送し、処理後の基板Ｗ１を基板処理部２から受渡部６に搬送する。センターロボットＣＲは、「搬送部」の一例である。
【0039】
基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、基板処理部２がそれぞれ基板Ｗ１を１枚ずつ処理する。具体的には、基板処理部２は、処理液を基板Ｗ１に供給して基板Ｗ１を処理する。
【0040】
処理液は、基板Ｗ１に接触する液体である限り、特に限定されない。処理液は、例えば、薬液と、リンス液とを含む。薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）、フッ酸（ＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ3）との混合液）、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、燐酸（Ｈ3ＰＯ4）、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、シュウ酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、界面活性剤、又は、腐食防止剤を含む。リンス液は、例えば、純水（例えば、脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、又は、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水を含む。
【0041】
図１に示すように、複数の基板処理部２は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷを形成する。本実施形態では、複数の基板処理部２は、４つのタワーＴＷを形成する。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理部２を含む。本実施形態では、図２に示すように、各タワーＴＷは、３つの基板処理部２を含む。
【0042】
制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び基板処理部２を制御する。制御装置１０１は、制御部１０３と、記憶部１０５とを含む。
【0043】
制御部１０３は、記憶部１０５に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１００の各部の動作を制御する。制御部１０３は、例えば、プロセッサを有する。制御部１０３は、プロセッサとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有してもよい。あるいは、制御部１０３は、プロセッサに加えて、あるいは、プロセッサに替えて、汎用演算器又は専用演算器を有してもよい。
【0044】
記憶部１０５は、基板処理装置１００の動作を制御するための各種情報を記憶する。例えば、記憶部１０５は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、種々のレシピデータを含む。レシピデータは、例えば、プロセスレシピを含む。プロセスレシピは、基板処理の手順を規定するデータである。基板処理の手順は、処理液によって処理対象の基板Ｗ１を処理する手順を示す。詳しくは、プロセスレシピは、基板処理に含まる一連の処理の実行順序、各処理の内容、及び各処理の条件（パラメータの設定値）を規定する。基板Ｗ１は、基板処理の対象となる処理対象基板である。
【0045】
記憶部１０５は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１０５は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部１０５はリムーバブルメディアを含んでもよい。
【0046】
続いて、図１及び図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２は、本実施形態の基板処理装置１００の構成を模式的に示す側面図である。図２に示すように、インデクサーロボットＩＲは、基台部８と、多関節アーム９と、２つのハンド１０Ａ、１０Ｂとを含む。
【0047】
基台部８は、多関節アーム９の基端部を支持する。基台部８は、アーム回動機構と、アーム昇降機構とを有する。アーム回転機構は、多関節アーム９を鉛直軸線まわりに回動させる。アーム昇降機構は、多関節アーム９を昇降させる。したがって、多関節アーム９は、基台部８に対して回動自在である。また、多関節アーム９は、基台部８に対して昇降自在である。
【0048】
多関節アーム９は、水平方向に屈伸自在である。具体的には、多関節アーム９は、複数のアーム部と、複数の関節部と、複数の個別回動機構とを有する。各関節部には２本のアーム部が接続する。アーム部はそれぞれ、接続している関節部に対して回動自在である。個別回動機構は関節部に設けられて、対応するアーム部を水平面に沿って回動させる。
【0049】
ハンド１０Ａ、１０Ｂは、多関節アーム９の先端部に支持される。多関節アーム９は、ハンド１０Ａ、１０Ｂを鉛直軸線まわりに個別に回転させるハンド回転機構と、ハンド１０Ａ、１０Ｂを水平方向に個別に進退させるハンド進退機構とを更に有する。したがって、ハンド１０Ａ、１０Ｂは、多関節アーム９に対して個別に回動自在である。また、ハンド１０Ａ、１０Ｂは、多関節アーム９に対して個別に進退自在である。ハンド１０Ａ、１０Ｂはそれぞれ１枚の基板Ｗを把持する。
【0050】
【0051】
基台部１１は、多関節アーム１２の基端部を支持する。基台部１１は、アーム回動機構と、アーム昇降機構とを有する。アーム回転機構は、多関節アーム１２を鉛直軸線まわりに回動させる。アーム昇降機構は、多関節アーム１２を昇降させる。したがって、多関節アーム１２は、基台部１１に対して回動自在である。また、多関節アーム１２は、基台部１１に対して昇降自在である。
【0052】
多関節アーム１２は、水平方向に屈伸自在である。具体的には、多関節アーム１２は、複数のアーム部と、複数の関節部と、複数の個別回動機構とを有する。各関節部には２本のアーム部が接続する。アーム部はそれぞれ、接続している関節部に対して回動自在である。個別回動機構は関節部に設けられて、対応するアーム部を水平面に沿って回動させる。
【0053】
ハンド１３Ａ、１３Ｂは、多関節アーム１２の先端部に支持される。多関節アーム１２は、ハンド１３Ａ、１３Ｂを鉛直軸線まわりに個別に回転させるハンド回転機構と、ハンド１３Ａ、１３Ｂを水平方向に個別に進退させるハンド進退機構とを更に有する。したがって、ハンド１３Ａ、１３Ｂは、多関節アーム１２に対して個別に回動自在である。また、ハンド１３Ａ、１３Ｂは、多関節アーム１２に対して個別に進退自在である。ハンド１３Ａ、１３Ｂはそれぞれ１枚の基板Ｗを把持する。
【0054】
続いて、図２を参照して、基板処理装置１００を説明する。図２に示すように、基板処理装置１００は、ダミー基板保持部４を更に備える。ダミー基板保持部４は、受渡部６の上方に位置する。なお、ダミー基板保持部４が配置される位置は、センターロボットＣＲのハンド１３Ａ、１３Ｂがアクセス可能な位置で有る限り、特に限定されない。例えば、ダミー基板保持部４は、受渡部６の下方に位置してもよい。
【0055】
ダミー基板保持部４は、ダミー基板Ｗ２を保持する。具体的には、ダミー基板保持部４は、ダミー基板Ｗ２を支持する棚を有する。なお、ダミー基板保持部４は、複数枚のダミー基板Ｗ２を保持してもよい。この場合、ダミー基板保持部４は、複数枚のダミー基板Ｗ２を支持する複数の棚を有する。
【0056】
ダミー基板Ｗ２は、図９を参照して後述する「第２チャンバー内洗浄処理」に用いられる。ダミー基板Ｗ２は、「非処理対象基板」の一例である。センターロボットＣＲは、ダミー基板Ｗ２をダミー基板保持部４から搬出し、第２チャンバー内洗浄処理が実行される基板処理部２にダミー基板Ｗ２を搬入する。センターロボットＣＲは、第２チャンバー内洗浄処理の終了後、基板処理部２からダミー基板Ｗ２を搬出し、ダミー基板保持部４にダミー基板Ｗ２を搬入する。
【0057】
なお、以下の説明において、処理対象の基板Ｗ１とダミー基板Ｗ２とを区別して説明する必要のないときは、基板Ｗ１及びダミー基板Ｗ２を「基板Ｗ」と記載することがある。
【0058】
【0059】
図３に示すように、基板処理部２は、チャンバー２ａと、基板保持部１５と、基板回転部２１と、処理液吐出部３０と、第１ノズル移動部３４と、第２ノズル移動部４４と、液受け部５４と、液受け昇降部５７とを備える。また、基板処理装置１００は、薬液供給部３９と、リンス液供給部４９と、排液配管５９とを備える。
【0060】
制御装置１０１（制御部１０３）は、基板保持部１５、基板回転部２１、第１ノズル移動部３４、第２ノズル移動部４４、液受け昇降部５７、薬液供給部３９、及びリンス液供給部４９を制御する。
【0061】
チャンバー２ａは、略箱形状を有する。チャンバー２ａは、基板Ｗ、基板保持部１５、基板回転部２１、処理液吐出部３０、第１ノズル移動部３４、第２ノズル移動部４４、液受け部５４、薬液供給部３９、及びリンス液供給部４９を収容する。チャンバー２ａは、液受け昇降部５７を収容してもよい。
【0062】
基板Ｗは、チャンバー２ａの外部からチャンバー２ａ内に搬入される。具体的には、図１及び図２に示すセンターロボットＣＲがチャンバー２ａ内に基板Ｗを搬入する。また、図１及び図２に示すセンターロボットＣＲは、チャンバー２ａから基板Ｗを搬出する。処理対象の基板Ｗ１は、チャンバー２ａ内に搬入されて、チャンバー２ａ内で処理される。つまり、チャンバー２ａ内で基板処理が行われる。
【0063】
基板保持部１５は、チャンバー２ａ内で基板Ｗを保持する。より具体的には、基板保持部１５は、基板Ｗを水平な姿勢で保持する。図３に示すように、基板保持部１５は、回転部材１７と、複数の支持ピン１９とを含む。
【0064】
回転部材１７は、略円形状であり、水平な姿勢で複数の支持ピン１９を支持する。複数の支持ピン１９は、回転部材１７の外周部に設けられる。なお、図３では、理解を容易にするために、複数の支持ピン１９のうちの２つの支持ピン１９を示しているが、支持ピン１９の数は２つに限定されない。例えば、基板保持部１５は、３０個の支持ピン１９を有してもよい。
【0065】
複数の支持ピン１９は、基板Ｗを支持する。より具体的には、複数の支持ピン１９は、基板Ｗの周縁部を支持する。複数の支持ピン１９により、基板Ｗが水平な姿勢で支持される。制御装置１０１（制御部１０３）は、複数の支持ピン１９の動作を制御する。
【0066】
基板回転部２１は、基板保持部１５を回転させる。基板保持部１５が基板Ｗを保持している際に基板回転部２１が基板保持部１５を回転させると、基板保持部１５に保持された基板Ｗが回転する。より具体的には、基板回転部２１は、鉛直方向に延びる第１回転軸線ＡＸ１を中心として、基板Ｗと基板保持部１５とを一体に回転させる。制御装置１０１（制御部１０３）は、基板回転部２１による基板保持部１５の回転を制御する。
【0067】
詳しくは、第１回転軸線ＡＸ１は、回転部材１７の中心を通る。複数の支持ピン１９は、基板Ｗの中心が回転部材１７の中心と一致するように配置されている。したがって、基板Ｗは、基板Ｗの中心を回転中心として回転する。
【0068】
図３に示すように、基板回転部２１は、カバー２３と、モータ本体２５と、回転軸２７とを有する。カバー２３は、基板保持部１５の下方において、モータ本体２５を覆う。回転軸２７は、カバー２３から基板保持部１５に向かって突出して、基板保持部１５に結合される。具体的には、回転軸２７は、回転部材１７に結合される。モータ本体２５は、回転軸２７を回転させる。その結果、基板回転部２１により回転部材１７が回転されて、基板保持部１５が回転する。モータ本体２５の動作は、制御装置１０１（制御部１０３）によって制御される。
【0069】
処理液吐出部３０は、基板保持部１５の上方より処理液を吐出する。本実施形態では、処理液は、薬液と、リンス液とを含む。処理液吐出部３０は、第１ノズル３１と、第２ノズル３２とを含む。第１ノズル３１は、基板処理に用いる薬液を吐出する。第２ノズル３２は、リンス液を吐出する。第２ノズル３２は、「リンス液吐出部」の一例である。リンス液は、基板処理に用いられる。更に、リンス液は、図８及び図９を参照して説明する第１チャンバー内洗浄処理及び第２チャンバー内洗浄処理に用いられる。
【0070】
より具体的には、第１ノズル３１は、基板処理時に、基板回転部２１によって回転される基板Ｗ１に向けて薬液を吐出する。第１ノズル３１は、「薬液吐出部」の一例である。回転中の基板Ｗ１の上面に薬液が吐出されることにより、基板Ｗ１の上面に薬液の液膜が形成される。その結果、薬液によって基板Ｗ１が処理される。
【0071】
第２ノズル３２は、基板処理時に、基板回転部２１によって回転される基板Ｗ１に向けてリンス液を吐出する。具体的には、薬液の液膜が形成された後に、リンス液が基板Ｗ１に供給される。回転中の基板Ｗ１の上面に薬液が吐出されることにより、リンス液によって基板Ｗ１の上面から薬液が洗い流されて、基板Ｗ１の上面にリンス液の液膜が形成される。つまり、薬液の液膜がリンス液の液膜に置換される。
【0072】
図８を参照して説明するように、第１チャンバー内洗浄時には、基板保持部１５が洗浄される。また、図９を参照して説明するように、第２チャンバー内洗浄時には、液受け部５４が洗浄される。リンス液は、第１チャンバー内洗浄時及び第２チャンバー内洗浄時に洗浄液として用いられる。具体的には、第１チャンバー内洗浄時及び第２チャンバー内洗浄時に第２ノズル３２がリンス液（洗浄液）を吐出する。つまり、第２ノズル３２は、基板保持部１５の洗浄と液受け部５４の洗浄とに用いる洗浄液を吐出する。第２ノズル３２は、「洗浄液吐出部」の一例である。
【0073】
第１ノズル３１からの薬液の吐出と、第２ノズル３２からのリンス液の吐出とは、制御装置１０１（制御部１０３）によって制御される。具体的には、制御装置１０１（制御部１０３）は、薬液供給部３９を制御することにより、第１ノズル３１からの薬液の吐出を制御する。また、制御装置１０１（制御部１０３）は、リンス液供給部４９を制御することにより、第２ノズル３２からのリンス液の吐出を制御する。
【0074】
薬液供給部３９は、第１ノズル３１に薬液を供給する。図３に示すように、薬液供給部３９は、配管４１と、バルブ４２とを有する。配管４１の一部は、チャンバー２ａ内に収容される。バルブ４２は、チャンバー２ａの外部に配置されてもよい。
【0075】
配管４１は、第１ノズル３１に薬液を供給する。具体的には、配管４１は、管状の部材であり、薬液を第１ノズル３１まで流通させる。バルブ４２は、配管４１から第１ノズル３１への薬液の供給と薬液の供給停止とを制御する。具体的には、バルブ４２は、配管４１に介装される。バルブ４２は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０３）はバルブ４２の開閉動作を制御する。バルブ４２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
【0076】
制御装置１０１（制御部１０３）は、処理対象の基板Ｗ１に薬液を供給する際に、バルブ４２を開状態にする。バルブ４２を開状態にすると、薬液が第１ノズル３１に向かって配管４１を流通する。この結果、第１ノズル３１から基板Ｗ１に向けて薬液が吐出される。
【0077】
制御装置１０１（制御部１０３）は、第１ノズル３１からの薬液の吐出を停止させる際に、バルブ４２を閉状態にする。バルブ４２を閉状態にすると、配管４１を介した薬液の流通が停止して、第１ノズル３１からの薬液の吐出が停止する。
【0078】
リンス液供給部４９は、第２ノズル３２にリンス液を供給する。図３に示すように、リンス液供給部４９は、薬液供給部３９と同様に、配管５１と、バルブ５２とを有する。配管５１は、第２ノズル３２にリンス液を供給する。バルブ５２は、配管５１から第２ノズル３２へのリンス液の供給とリンス液の供給停止とを制御する。リンス液供給部４９の構成は、薬液供給部３９と同様であるため、その詳しい説明は割愛する。
【0079】
第１ノズル移動部３４は、第１ノズル３１を水平面に沿って移動させる。第１ノズル移動部３４の動作は、制御装置１０１（制御部１０３）によって制御される。より詳しくは、第１ノズル移動部３４は、第１退避位置と第１処理位置との間で第１ノズル３１を移動させる。具体的には、第１ノズル３１は、基板保持部１５の外側の領域へ退避する。例えば、第１ノズル３１は、液受け部５４の外側の領域へ退避してもよい。
【0080】
本実施形態において、第１処理位置は基板Ｗの中心に対向する位置である。第１ノズル３１は、第１処理位置から基板Ｗ１に向けて薬液を吐出する。具体的には、第１ノズル移動部３４は、第１ノズルアーム３５と、第１ノズル基台３６と、第１ノズル移動機構３７とを有する。第１ノズル基台３６は鉛直方向に延びる。第１ノズルアーム３５の基端部は第１ノズル基台３６に結合している。第１ノズルアーム３５は、第１ノズル基台３６から水平方向に延びる。
【0081】
第１ノズルアーム３５は、第１ノズル３１を支持する。第１ノズル３１は、第１ノズルアーム３５から鉛直下方に向けて突出する。第１ノズル３１は、第１ノズルアーム３５の先端部に配置されてもよい。
【0082】
第１ノズル移動機構３７は、鉛直方向に延びる第２回転軸線ＡＸ２を中心として第１ノズル基台３６を回転させる。この結果、第１ノズル３１が第２回転軸線ＡＸ２を中心とする周方向に沿って第１ノズル基台３６の周りを移動する。第１ノズル移動機構３７は、制御装置１０１（制御部１０３）によって制御される。第１ノズル移動機構３７は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。
【0083】
第２ノズル移動部４４は、第２ノズル３２を水平面に沿って移動させる。第２ノズル移動部４４の動作は、制御装置１０１（制御部１０３）によって制御される。より詳しくは、第２ノズル移動部４４は、第２退避位置と第１処理位置との間で第２ノズル３２を移動させる。また、第２ノズル移動部４４は、第２退避位置と第２処理位置との間で第２ノズル３２を移動させる。第２ノズル３２は、基板保持部１５の外側の領域に退避する。例えば、第２ノズル３２は、液受け部５４の外側の領域に退避する。但し、第２退避位置は、第１退避位置と異なる位置である。
【0084】
第２ノズル３２は、基板処理時に、第１処理位置から基板Ｗ１に向けてリンス液を吐出する。第２ノズル３２は、図９を参照して説明する第２チャンバー内洗浄時に、第１処理位置からダミー基板Ｗ２に向けてリンス液（洗浄液）を吐出する。また、第２ノズル３２は、図８を参照して説明する第１チャンバー内洗浄時に、第２処理位置から基板保持部１５に向けてリンス液（洗浄液）を吐出する。第２処理位置は、回転部材１７の外周部に対向する位置である。より詳しくは、第２処理位置は、回転部材１７が回転することによって複数の支持ピン１９が通過する円環状の領域に対向する位置である。
【0085】
具体的には、第２ノズル移動部４４は、第２ノズルアーム４５と、第２ノズル基台４６と、第２ノズル移動機構４７とを有する。第２ノズルアーム４５は、第２ノズル３２を支持する。第２ノズル移動機構４７は、鉛直方向に延びる第３回転軸線ＡＸ３を中心として第２ノズル基台４６を回転させる。第２ノズル移動部４４の構成は、第１ノズル移動部３４と同様であるため、その詳しい説明は割愛する。
【0086】
液受け部５４は、基板処理時に、基板回転部２１によって回転される基板Ｗ１から排出される処理液を受け止める。詳しくは、基板回転部２１により回転される基板Ｗ１に向けて第１ノズル３１から薬液が吐出されている際に、基板Ｗ１から飛散する薬液を受け止める。また、基板回転部２１により回転される基板Ｗ１に向けて第２ノズル３２からリンス液が吐出されている際に、基板Ｗ１から飛散するリンス液を受け止める。
【0087】
更に、液受け部５４は、図８を参照して説明する第１チャンバー内洗浄時に、基板回転部２１によって回転される基板保持部１５（回転部材１７）から排出されるリンス液（洗浄液）を受け止める。詳しくは、基板回転部２１により回転される基板保持部１５（回転部材１７）に向けて第２ノズル３２からリンス液（洗浄液）が吐出されている際に、基板保持部１５（回転部材１７）から飛散するリンス液（洗浄液）を受け止める。
【0088】
また、液受け部５４は、図９を参照して説明する第２チャンバー内洗浄時に、基板回転部２１によって回転されるダミー基板Ｗ２から排出されるリンス液（洗浄液）を受け止める。詳しくは、基板回転部２１により回転されるダミー基板Ｗ２に向けて第２ノズル３２からリンス液（洗浄液）が吐出されている際に、ダミー基板Ｗ２から飛散するリンス液（洗浄液）を受け止める。
【0089】
具体的には、図３に示すように、液受け部５４は、ガード部５５と、カップ部５６とを有する。ガード部５５は、基板回転部２１と、基板保持部１５と、基板保持部１５に保持されている基板Ｗとを囲む略円筒状であり、基板回転部２１、基板保持部１５、及び基板保持部１５に保持されている基板Ｗの周囲に配置される。カップ部５６は、ガード部５５の下端側に配置される。カップ部５６は、ガード部５５の下端の下方に、円環状の溝を形成する。
【0090】
ガード部５５は、基板処理時に基板Ｗ１から排出される処理液（薬液及びリンス液）を受け止める。より具体的には、ガード部５５は、回転する基板Ｗ１から飛散する処理液を受け止める。カップ部５６には、ガード部５５の内周面から流れ落ちる処理液が収集される。
【0091】
また、ガード部５５は、図８を参照して説明する第１チャンバー内洗浄時に基板保持部１５（回転部材１７）から排出されるリンス液（洗浄液）を受け止める。より具体的には、ガード部５５は、回転する基板保持部１５（回転部材１７）から飛散するリンス液（洗浄液）を受け止める。カップ部５６には、ガード部５５の内周面から流れ落ちるリンス液（洗浄液）が収集される。
【0092】
更に、ガード部５５は、図９を参照して説明する第２チャンバー内洗浄時にダミー基板Ｗ２から排出されるリンス液（洗浄液）を受け止める。より具体的には、ガード部５５は、回転するダミー基板Ｗ２から飛散するリンス液（洗浄液）を受け止める。カップ部５６には、ガード部５５の内周面から流れ落ちるリンス液（洗浄液）が収集される。
【0093】
排液配管５９の一端は、カップ部５６の底部に接続している。排液配管５９には、基板処理時にカップ部５６において収集された処理液（薬液及びリンス液）が流入する。排液配管５９は、例えば、基板処理装置１００が設置された工場に設置されている排液部に処理液を排出する。また、排液配管５９には、第１チャンバー内洗浄時及び第２チャンバー内洗浄時にカップ部５６において収集されたリンス液（洗浄液）が流入する。排液配管５９は、例えば、基板処理装置１００が設置された工場に設置されている排液部にリンス液（洗浄液）を排出する。
【0094】
液受け昇降部５７は、第１下位置と第１上位置との間で液受け部５４を昇降させる。第１下位置は、例えば、基板保持部１５に保持された基板Ｗに対して液受け部５４の上端（ガード部５５の上端）が下方に配置される位置を示す。第１上位置は、例えば、基板保持部１５に保持された基板Ｗに対して液受け部５４の上端（ガード部５５の上端）が上方に配置される位置を示す。液受け昇降部５７は、制御装置１０１（制御部１０３）によって制御される。液受け昇降部５７は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。
【0095】
例えば、制御装置１０１（制御部１０３）は、基板Ｗが基板保持部１５によって保持された後に、液受け部５４を第１下位置から第１上位置へ移動させる。ガード部５５が第１上位置に配置されることで、基板Ｗから飛散する処理液及び洗浄液をガード部５５によって受け止めることができる。また、制御装置１０１（制御部１０３）は、基板Ｗがチャンバー２ａから搬出される際に、液受け部５４を第１上位置から第１下位置へ移動させる。ガード部５５が第１下位置に配置されることで、図１及び図２を参照して説明したセンターロボットＣＲと基板保持部１５との間での基板Ｗの受け渡しが可能となる。
【0096】
続いて、図１～図４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図４は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す別の断面図である。詳しくは、図４は、基板保持部１５及び基板回転部２１の構成を示す。図４では、図３と同様に、理解を容易にするために複数の支持ピン１９のうちの２つの支持ピン１９を示している。また、図４には、第１処理位置に配置された第１ノズル３１と、第２退避領域に配置された第２ノズル３２とを示している。
【0097】
図４に示すように、基板保持部１５は、回転部材１７と、複数の支持ピン１９とに加えて、連結部材６３と、複数のガイドピン６５と、第１磁石６７と、第２磁石６９と、磁石保持部材７１と、周面部材７３とを更に備える。
【0098】
回転部材１７は、基板Ｗの直径より大径の円形状を呈する。回転部材１７は、複数のピン孔６１を有する。複数のピン孔６１は、回転部材１７の外周部に設けられる。ピン孔６１はそれぞれ、回転部材１７の上面と下面とに連通する貫通孔である。ピン孔６１はそれぞれ、上下方向又は鉛直方向に延びる。ピン孔６１には支持ピン１９が挿通される。支持ピン１９の外径は、ピン孔６１の内径より若干小径である。
【0099】
各ピン孔６１には、基板処理時に処理液（薬液及びリンス液）が侵入することがある。ピン孔６１に侵入した薬液は、ピン孔６１の内壁面に付着して乾燥することがある。ピン孔６１の内壁面に付着した薬液は、基板Ｗ１にパーティクルを発生させる原因となり得る。したがって、各ピン孔６１の洗浄を行う必要がある。本実施形態では、図８を参照して説明する第１チャンバー内洗浄時によって各ピン孔６１が洗浄される。
【0100】
各支持ピン１９は、回転部材１７の厚みよりも長い長軸を有する円柱形状を呈する。各支持ピン１９は、上下方向又は鉛直方向に延びる。各支持ピン１９は、突起１９ａを有する。各突起１９ａは、基板Ｗの水平方向への移動を規制する。具体的には、突起１９ａは、支持ピン１９の上面に設けられる。
【0101】
連結部材６３は、回転部材１７の下方に設けられて、回転部材１７の下面に対向する。各支持ピン１９の下端は、連結部材６３に結合する。各支持ピン１９は、連結部材６３から上方へ突出する。連結部材６３は、平面視環状を呈する。連結部材６３が昇降することにより、複数の支持ピン１９が昇降する。
【0102】
ガイドピン６５はそれぞれ、上下方向又は鉛直方向に延びる。連結部材６３には、複数のガイドピン６５が上下方向に挿通されている。各ガイドピン６５は、平面視において支持ピン１９が存在しない箇所に配置される。
【0103】
各ガイドピン６５の上端は、回転部材１７の下面に結合されている。各ガイドピン６５は、フランジ部６５ａ（図５参照）を有する。フランジ部６５ａは、ガイドピン６５の下部に設けられる。したがって、連結部材６３は、ガイドピン６５のフランジ部６５ａによって下降位置が規制される。
【0104】
第１磁石６７は、連結部材６３の下面に取り付けられる。換言すると、第１磁石６７は、連結部材６３によって支持される。詳しくは、第１磁石６７は、平面視においてガイドピン６５が存在しない箇所に配置される。
【0105】
磁石保持部材７１は、連結部材６３の下方に配置される。磁石保持部材７１は、第２磁石６９を保持する。具体的には、第２磁石６９は、磁石保持部材７１の上面に取り付けられる。詳しくは、磁石保持部材７１の上面のうち、第１磁石６７に対向する位置に第２磁石６９が取り付けられる。
【0106】
磁石保持部材７１の上下方向の位置は固定されている。第１磁石６７と第２磁石６９とは、互いに吸引する極性が対向するように配置されている。例えば、第１磁石６７の下面がＳ極である場合、第２磁石６９の上面はＮ極である。
【0107】
周面部材７３は、平面視で環状を呈する。周面部材７３は、回転部材１７の縁部から下方に向かって延出される。周面部材７３の下端部は、カバー２３の上面から上方へ離間している。周面部材７３の下面は、下方から見てほぼ円形状の開口を有する。
【0108】
既に説明したように、基板処理時に、処理液が回転部材１７のピン孔６１に侵入することがある。ピン孔６１に侵入した処理液は、ピン孔６１を通して回転部材１７の下方へ浸入する。周面部材７３は、基板処理時に、回転部材１７の下方へ浸入した処理液が側方へ飛散することを防止する。回転部材１７の下方へ浸入した処理液は、周面部材７３の下面の開口からカバー２３へ落下した後、カバー２３の表面を流れ落ちる。その結果、図３を参照して説明した液受け部５４のカップ部５６に処理液が回収される。
【0109】
同様に、図９を参照して説明する第２チャンバー内洗浄時に、リンス液（洗浄液）がピン孔６１を通して回転部材１７の下方へ浸入することがある。周面部材７３は、第２チャンバー内洗浄時に、回転部材１７の下方へ浸入したリンス液（洗浄液）が側方へ飛散することを防止する。回転部材１７の下方へ浸入したリンス液（洗浄液）は、周面部材７３の下面の開口からカバー２３へ落下した後、図３を参照して説明した液受け部５４のカップ部５６に回収される。
【0110】
また、図８を参照して説明する第１チャンバー内洗浄時には、リンス液（洗浄液）によってピン孔６１が洗浄される。したがって、リンス液（洗浄液）がピン孔６１を通して回転部材１７の下方へ浸入する。周面部材７３は、第１チャンバー内洗浄時に、回転部材１７の下方へ浸入したリンス液（洗浄液）が側方へ飛散することを防止する。回転部材１７の下方へ浸入したリンス液（洗浄液）は、周面部材７３の下面の開口からカバー２３へ落下した後、図３を参照して説明した液受け部５４のカップ部５６に回収される。
【0111】
図４に示すように、基板処理部２は、昇降駆動部７７を更に備える。昇降駆動部７７は、基板回転部２１のカバー２３の内側に配置される。昇降駆動部７７は、連結部材６３を昇降させて、複数の支持ピン１９を昇降させる。詳しくは、昇降駆動部７７は、第２上位置と第２下位置との間で複数の支持ピン１９を昇降させる。第２上位置は、図１及び図２を参照して説明したセンターロボットＣＲと複数の支持ピン１９との間で基板Ｗの受け渡しが行われる受渡位置である。第２下位置は、基板Ｗを基板保持部１５に保持させる保持位置である。より詳しくは、本実施形態では、基板保持部１５は、ベルヌーイチャックを含む。第２下位置は、回転部材１７と基板Ｗとの間の隙間（距離）がベルヌーイ効果によって基板Ｗを保持できる大きさとなる位置を示す。
【0112】
具体的には、昇降駆動部７７は、例えばエアシリンダのようなアクチュエータを含む。昇降駆動部７７は、作動軸７５を備える。作動軸７５は、鉛直方向に延びる。作動軸７５は、カバー２３に挿通される。昇降駆動部７７が作動すると、作動軸７５が上方へ移動する。換言すると、作動軸７５が上方へ伸長する。作動軸７５は、上方へ移動して連結部材６３の下面に当接した後、連結部材６３を上方へ押し上げて、複数の支持ピン１９を第２上位置（受渡位置）へ移動させる。
【0113】
昇降駆動部７７が作動状態から非作動状態に遷移すると、作動軸７５は下方へ移動する。換言すると、作動軸７５は下方へ収縮する。作動軸７５が下方へ移動すると、複数の支持ピン１９及び連結部材６３が自重により下方へ移動する。その結果、複数の支持ピン１９が第２上位置（受渡位置）から第２下位置（保持位置）へ移動する。
【0114】
続いて、図４を参照して、回転軸２７を説明する。図４に示すように、回転軸２７の上端部は回転部材１７に取り付けられている。回転軸２７は、二重筒構造となっている。具体的には、回転軸２７は、外筒８１と、内筒８２とを有する。外筒８１及び内筒８２は、上下方向又は鉛直方向に延びる。外筒８１及び内筒８２の上端部は回転部材１７に取り付けられる。
【0115】
内筒８２は、外筒８１に挿通されている。外筒８１及び内筒８２は、外筒８１の内周面と内筒８２の外周面とが互いに離間するように配置される。したがって、回転軸２７は、外筒８１と内筒８２との間に隙間を有する。
【0116】
図４に示すように、基板処理装置１００は、下方供給部８５を更に備える。下方供給部８５は、気体供給部８７と、処理液供給部８９とを含む。気体供給部８７は、基板保持部１５に気体を供給する。処理液供給部８９は、基板保持部１５に処理液を供給する。処理液供給部８９が供給する処理液は、基板Ｗ１の下面を洗浄する。気体供給部８７が供給する気体は、例えば窒素ガスのような不活性ガスを含む。処理液供給部８９が供給する処理液は、例えば、純水、ＳＣ１、ＳＣ２、又はＤＨＦを含む。
【0117】
具体的には、気体供給部８７は、基板保持部１５に対して下方から気体を供給する。詳しくは、気体供給部８７は、回転軸２７の外筒８１と内筒８２との間に隙間に気体を供給する。回転軸２７に供給された気体は、回転軸２７の外筒８１と内筒８２との隙間を介して基板保持部１５まで流通する。
【0118】
処理液供給部８９は、基板保持部１５に対して下方から処理液を供給する。詳しくは、処理液供給部８９は、内筒８２の内部空間に処理液を供給する。回転軸２７に供給された処理液は、内筒８２の内部空間を介して基板保持部１５まで流通する。
【0119】
図４に示すように、気体供給部８７は、配管９１と、バルブ９２とを有する。配管９１の一部は、チャンバー２ａ内に収容される。バルブ９２は、チャンバー２ａの外部に配置されてもよい。
【0120】
配管９１は、回転軸２７の外筒８１と内筒８２との間の隙間に気体を供給する。具体的には、配管９１は、管状の部材であり、外筒８１と内筒８２との隙間まで気体を流通させる。バルブ９２は、配管９１から回転軸２７への気体の供給と気体の供給停止とを制御する。具体的には、バルブ９２は、配管９１に介装される。バルブ９２は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０３）はバルブ９２の開閉動作を制御する。バルブ９２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
【0121】
制御装置１０１（制御部１０３）は、基板処理時、図８を参照して説明する第１チャンバー内洗浄時、及び図９を参照して説明する第２チャンバー内洗浄時に、バルブ９２を開状態にする。バルブ９２を開状態にすると、気体が回転軸２７に向かって配管９１を流通する。この結果、回転軸２７の外筒８１と内筒８２との間の隙間に気体が流入する。制御装置１０１（制御部１０３）がバルブ９２を閉状態にすると、配管９１を介した気体の流通が停止して、回転軸２７への気体の流入が停止する。
【0122】
図４に示すように、処理液供給部８９は、気体供給部８７と同様に、配管９５と、バルブ９６とを有する。配管９５は、回転軸２７の内筒８２の内部空間へ処理液を供給する。バルブ９２は、配管９５から回転軸２７への処理液の供給と処理液の供給停止とを制御する。制御装置１０１（制御部１０３）は、基板処理時にバルブ９２を開状態にする。処理液供給部８９の構成は、気体供給部８７と同様であるため、その詳しい説明は割愛する。
【0123】
続いて、図５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図５は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板保持部１５の一部を示す断面図である。図５では、図３と同様に、理解を容易にするために複数の支持ピン１９のうちの１つの支持ピン１９を示している。
【0124】
図５に示すように、基板保持部１５は、第１流路２０１と、第２流路２０２と有する。また、回転部材１７は、吐出孔２０７と、複数の流路２１１とを有する。詳しくは、回転部材１７は、蓋部材２０５を有する。吐出孔２０７は、蓋部材２０５に形成される。流路２１１の数は、例えば、ピン孔６１と同数であってもよい。
【0125】
蓋部材２０５は、回転部材１７の中心部の上面側に取り付けられる。回転部材１７の上面と蓋部材２０５の上面とは面一であってもよい。吐出孔２０７は、回転部材１７の中心に設けられる。吐出孔２０７は、上下方向又は鉛直方向に蓋部材２０５を貫通する。つまり、吐出孔２０７は、第１回転軸線ＡＸ１に沿って延びる。吐出孔２０７が設けられる位置は、基板保持部１５に保持された基板Ｗの中心位置に対向する。
【0126】
第１流路２０１は、内筒８２の内部空間によって構成される。第１流路２０１は、第１回転軸線ＡＸ１に沿って延びる。第１流路２０１の出口は、吐出孔２０７と連通する。第１流路２０１の出口が設けられる位置は、吐出孔２０７が設けられる位置に対向してもよい。
【0127】
第２流路２０２は、外筒８１と内筒８２との間の隙間によって構成される。第２流路２０２は、平面視環状である。第２流路２０２は、第１回転軸線ＡＸ１に沿って延びる。
【0128】
詳しくは、内筒８２は、外筒８１の上端から上方へ突出している。外筒８１は、回転部材１７の下部に連結される。回転部材１７の中心部には、内筒８２が挿通される貫通穴が形成されている。この貫通穴の内径は内筒８２の外径よりも大径であり、貫通穴の内周面と内筒８２の外周面との間に隙間が形成されている。この隙間は、第２流路２０２の一部を構成する。外筒８１と内筒８２との間の隙間は、回転部材１７の貫通穴の内周面と内筒８２の外周面との間の隙間に連通している。外筒８１と内筒８２との間の隙間は、第２流路２０２の残りの部分を構成する。
【0129】
蓋部材２０５は、回転部材１７の中心部の上面側の開口に取り付けられて、回転部材１７の中心部の上面側の開口を覆う。内筒８２の上面（上端）は、蓋部材２０５の下面と対向しており、内筒８２の上面（上端）は、蓋部材２０５の下面から離れている。
【0130】
本実施形態では、蓋部材２０５の下部は、下に突出した三角形状に形成されている。内筒８２の上部は、蓋部材２０５の三角形状に対応するように下に窪んだ三角形状に形成されている。これらの三角形状の部分は互いに離れており、ラビリンス構造２０９を構成している。
【0131】
複数の流路２１１は、回転部材１７の内部に形成されている。流路２１１のそれぞれの一端側の開口は、第２流路２０２に連通している。流路２１１のそれぞれの他端側の開口２１３は、回転部材１７の外周部側の上面に形成されている。以下、開口２１３を「エッジ開口２１３」と記載する場合がある。
【0132】
図４を参照して説明した気体供給部８７から第２流路２０２に流入した気体は、第２流路２０２を流通する。第２流路２０２を流通する気体の一部は、複数の流路２１１に流入する。その結果、複数のエッジ開口２１３から気体が吐出される。第２流路２０２を流通する気体の残りは、ラビリンス構造２０９を介して吐出孔２０７に流入する。その結果、吐出孔２０７から上方へ気体が吐出される。
【0133】
図４を参照して説明した処理液供給部８９から第１流路２０１に流入した処理液は、第１流路２０１を流通する。第１流路２０１を流通した処理液は、吐出孔２０７に流入する。その結果、吐出孔２０７から上方へ処理液が吐出される。本実施形態では、蓋部材２０５の下面と内筒８２の上面との間の隙間がラビリンス構造２０９となっているため、処理液は、蓋部材２０５と内筒８２との間の隙間に流入しない。
【0134】
複数のエッジ開口２１３は、複数の支持ピン１９が配置される位置よりも内側（回転部材１７の中心側）に設けられる。流路２１１のそれぞれのエッジ開口２１３側の部分は、第２下位置（保持位置）に配置されている支持ピン１９の上端部に向かってエッジ開口２１３から気体が吹き出されるように、上向きに傾斜する姿勢で回転部材１７の上面まで延びる。この結果、気体が基板Ｗの周縁部の下面に向かって複数のエッジ開口２１３から吹き出される。
【0135】
続いて、図１～図７を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図６は、基板保持部１５の第１状態を示す断面図である。図７は、基板保持部１５の第２状態を示す断面図である。第１状態は、支持ピン１９が第２上位置（受渡位置）に配置されている状態である。第２状態は、支持ピン１９が第２下位置（保持位置）に配置されている状態である。図６及び図７では、図３と同様に、理解を容易にするために複数の支持ピン１９のうちの１つの支持ピン１９を示している。
【0136】
制御装置１０１（制御部１０３）は、基板ＷをセンターロボットＣＲから受け取る際に昇降駆動部７７を作動させる。これにより、図６に示すように作動軸７５が上昇し、連結部材６３を押し上げて複数の支持ピン１９を第２下位置（保持位置）から第２上位置（受渡位置）に上昇させる。なお、昇降駆動部７７が非作動状態の際に、図４を参照して説明した第１磁石６７と第２磁石６９とは吸着している。昇降駆動部７７を作動させて連結部材６３を上昇させると、第１磁石６７と第２磁石６９との吸着が解除される。
【0137】
制御装置１０１（制御部１０３）は、複数の支持ピン１９を第２上位置（受渡位置）まで上昇させた後、センターロボットＣＲを制御して、複数の支持ピン１９に基板Ｗを載置させる。その際、基板Ｗの端縁は、突起１９ａにより水平方向の位置が規制される。
【0138】
制御装置１０１（制御部１０３）は、基板Ｗを複数の支持ピン１９に載置させた後、昇降駆動部７７を非作動状態にする。その結果、まず、複数の支持ピン１９、連結部材６３、及び第１磁石６７の自重により、複数の支持ピン１９、連結部材６３、第１磁石６７、及び作動軸７５が下降する。
【0139】
第１磁石６７が第２磁石６９に近づくと、複数の支持ピン１９、連結部材６３、及び第１磁石６７の自重に加えて、第１磁石６７及び第２磁石６９の磁力による吸引力も作用して、複数の支持ピン１９、連結部材６３、第１磁石６７、及び作動軸７５の下降速度が増加する。そして、図７に示すように、連結部材６３の下面がガイドピン６５のフランジ部６５ａに接触することで、複数の支持ピン１９、連結部材６３、及び第１磁石６７の下降が停止される。その結果、複数の支持ピン１９が第２上位置（受渡位置）から第２下位置（保持位置）へ移動（下降）する。
【0140】
作動軸７５は、複数の支持ピン１９、連結部材６３、及び第１磁石６７の下降が停止した後も更に下降する。その結果、作動軸７５の上端が連結部材６３の下面から下方に離れる。
【0141】
なお、回転部材１７は、複数のセンタリングピンを更に有してもよい。複数のセンタリングピンは、複数の支持ピン１９に基板Ｗが載置された後に、基板Ｗの中心を回転部材１７の回転中心に一致させるセンタリング動作を行う。
【0142】
制御装置１０１（制御部１０３）は、複数の支持ピン１９を第２下位置（保持位置）に移動させた後、図４を参照して説明したバルブ９２を閉状態から開状態に遷移させる。この結果、吐出孔２０７及び複数のエッジ開口２１３から気体が吐出される。
【0143】
吐出孔２０７から吐出された気体は、基板Ｗの下面で側方に向きが変えられ、回転部材１７の上面と基板Ｗの下面との狭い空間を基板Ｗの縁に向かって高速で流れる。更に、エッジ開口２１３から吐出された気体は、基板Ｗの縁部下面で側方に向きが変えられ、回転部材１７の上面と基板Ｗの縁部下面との狭い空間を高速で流れる。これらの気体の流れ（気流）はベルヌーイ効果を生じさせ、基板Ｗの下面に負圧を生じさせるので、基板Ｗに対して回転部材１７の上面側への吸引力が生じ、基板Ｗが回転部材１７側に吸引される。これにより、基板Ｗが基板保持部１５によって保持される。
【0144】
続いて、図１～図７を参照して、基板処理を説明する。基板処理の際に基板保持部１５は処理対象の基板Ｗ１を保持する。制御装置１０１（制御部１０３）は、処理対象の基板Ｗ１が基板保持部１５によって保持されると、液受け昇降部５７を制御して、液受け部５４を第１下位置から第１上位置へ移動させるとともに、モータ本体２５を制御して、基板Ｗ１の回転を開始させる。
【0145】
基板Ｗ１の回転数が予め定められた回転数に到達した後、第１ノズル移動部３４を制御して、第１ノズル３１を第１退避位置から第１処理位置へ移動させるとともに、バルブ４２を閉状態から開状態へ遷移させる。この結果、第１ノズル３１から基板Ｗ１の上面に向かって薬液が供給され、遠心力により基板Ｗ１の上面に薬液の液膜が形成される。この結果、基板Ｗ１の上面が薬液によって処理される。この際、薬液の一部は基板Ｗ１から排出される。基板Ｗ１から排出された薬液は、液受け部５４によって受け止められる。
【0146】
更に、制御装置１０１（制御部１０３）は、バルブ９６を閉状態から開状態へ遷移させる。この結果、吐出孔２０７から基板Ｗ１の下面へ向けて処理液が吐出される。つまり、吐出孔２０７から気体と処理液とが同時に吐出される。
【0147】
回転する基板Ｗ１の下面へ供給された処理液は、遠心力と、吐出孔２０７から吐出される気体の流れとによって、基板Ｗ１の下面を基板Ｗ１の縁へ向かって流れる。その結果、基板Ｗ１の下面が処理液によって処理される。処理液は、基板Ｗ１の縁に到達した後、基板Ｗ１から排出される。基板Ｗ１から排出された処理液は、液受け部５４によって受け止められる。
【0148】
バルブ４２を閉状態から開状態へ遷移させてから、予め定められた時間が経過すると、制御装置１０１（制御部１０３）はバルブ４２を開状態から閉状態へ遷移させて、第１ノズル３１から基板Ｗ１への薬液の供給を停止させる。
【0149】
制御装置１０１（制御部１０３）は、バルブ４２を開状態から閉状態へ遷移させると、第２ノズル移動部４４を制御して、第２ノズル３２を第２退避位置から第１処理位置へ移動させるとともに、バルブ５２を閉状態から開状態へ遷移させる。この結果、第２ノズル３２から基板Ｗ１の上面に向かってリンス液が供給され、遠心力により基板Ｗ１の上面にリンス液の液膜が形成される。この際、基板Ｗ１の上面に残存していた薬液がリンス液によって押し流される。基板Ｗ１から押し流された薬液は、液受け部５４によって受け止められる。また、リンス液の一部も基板Ｗ１から排出される。基板Ｗ１から排出されたリンス液は、液受け部５４によって受け止められる。
【0150】
バルブ５２を閉状態から開状態へ遷移させてから、予め定められた時間が経過すると、制御装置１０１（制御部１０３）はバルブ５２を開状態から閉状態へ遷移させて、第２ノズル３２から基板Ｗ１へのリンス液の供給を停止させる。
【0151】
更に、制御装置１０１（制御部１０３）は、バルブ９６を開状態ら閉状態へ遷移させる。この結果、吐出孔２０７から基板Ｗ１の下面への処理液の供給が停止する。
【0152】
制御装置１０１（制御部１０３）はバルブ５２を開状態から閉状態へ遷移させると、モータ本体２５の回転数を増加させて、基板Ｗ１を乾燥させる。この際、基板Ｗ１の上面に付着しているリンス液と、基板Ｗ１の下面に付着している処理液とが周囲に飛散する。基板Ｗ１から飛散したリンス液及び処理液は、液受け部５４によって受け止められる。
【0153】
モータ本体２５の回転数を増加させてから、予め定められた時間が経過した後、制御装置１０１（制御部１０３）はモータ本体２５を停止させる。その後、制御装置１０１（制御部１０３）は、バルブ９２を開状態から閉状態へ遷移させる。この結果、基板保持部１５による基板Ｗ１の保持が解除される。
【0154】
制御装置１０１（制御部１０３）は、バルブ９２を開状態から閉状態へ遷移させた後、液受け昇降部５７を制御して、液受け部５４を第１上位置から第１下位置へ移動させるとともに、昇降駆動部７７を作動させる。この結果、複数の支持ピン１９が第２下位置（保持位置）から第２上位置（受渡位置）に上昇する。
【0155】
制御装置１０１（制御部１０３）は、複数の支持ピン１９が第２下位置（保持位置）から第２上位置（受渡位置）に上昇すると、センターロボットＣＲを制御して、チャンバー２ａから基板Ｗ１を搬出させる。
【0156】
以上説明した基板処理が実行されている際に、支持ピン１９とピン孔６１との間の隙間に処理液（薬液及びリンス液）が流入することがある。支持ピン１９とピン孔６１との間の隙間に流入した処理液は、ピン孔６１から下方へ排出されて、図４を参照して説明したように液受け部５４のカップ部５６に回収される。また、液受け部５４によって受け止められた処理液は、カップ部５６に回収される。しかし、支持ピン１９とピン孔６１との間の隙間に流入した薬液の一部がピン孔６１の内周面や支持ピン１９の外周面に付着することがある。同様に、液受け部５４によって受け止められた薬液の一部がガード部５５の内周面に付着することがある。したがって、パーティクルの発生を抑制するために、基板保持部１５及び液受け部５４を洗浄する必要がある。
【0157】
本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０３）は、第１チャンバー内洗浄処理と、第２チャンバー内洗浄処理とを実行する。第１チャンバー内洗浄処理は、基板保持部１５を洗浄する処理を含む。第２チャンバー内洗浄処理は、液受け部５４を洗浄する処理を含む。
【0158】
続いて、図８を参照して、第１チャンバー内洗浄処理を説明する。図８は、第１チャンバー内洗浄時の基板処理部２を示す断面図である。図８では、図３と同様に、理解を容易にするために複数の支持ピン１９のうちの２つの支持ピン１９を示している。
【0159】
図８に示すように、第１チャンバー内洗浄時に、基板保持部１５は基板Ｗを保持していない。第１チャンバー内洗浄時に、複数の支持ピン１９は第２下位置（保持位置）に配置されている。また、第１チャンバー内洗浄時に、第１ノズル３１は第１退避領域に退避している。
【0160】
制御装置１０１（制御部１０３）は、第１チャンバー内洗浄時に、第２ノズル移動部４４を制御して、第２ノズル３２を第２退避位置から第２処理位置へ移動させる。つまり、制御装置１０１（制御部１０３）は、回転部材１７の外周部に対向する位置まで第２ノズル３２を移動させる。より詳しくは、制御装置１０１（制御部１０３）は、回転部材１７が回転することによって複数の支持ピン１９が通過する円環状の領域に対向する位置まで第２ノズル３２を移動させる。
【0161】
また、制御装置１０１（制御部１０３）は、第１チャンバー内洗浄時に、モータ本体２５を制御して、基板保持部１５を回転させる。更に、制御装置１０１（制御部１０３）は、バルブ９２を閉状態から開状態へ遷移させて、吐出孔２０７及び複数のエッジ開口２１３から気体を吐出させる。
【0162】
そして、制御装置１０１（制御部１０３）は、バルブ５２を閉状態から開状態へ遷移させて、第２ノズル３２からリンス液（洗浄液）を吐出させる。この結果、回転している基板保持部１５に向けて洗浄液（リンス液）が吐出される。
【0163】
更に、本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０３）は、第１チャンバー内洗浄処理の際に、液受け昇降部５７を制御して、液受け昇降部５７を昇降させる。
【0164】
以上、図８を参照して説明したように、制御装置１０１（制御部１０３）は、第１チャンバー内洗浄処理の際に、基板保持部１５が基板Ｗを保持していない状態で、基板回転部２１により基板保持部１５を回転させるとともに、第２ノズル３２（洗浄液吐出部）から基板保持部１５に向けて洗浄液（リンス液）を吐出させて、基板保持部１５を洗浄する。本実施形態によれば、基板処理時に基板保持部１５に付着した薬液を第１チャンバー内洗浄処理によって洗い流すことができる。したがって、パーティクルの発生を抑制することができる。
【0165】
本実施形態では、第１チャンバー内洗浄処理の際に、第２ノズル３２（洗浄液吐出部）は、回転部材１７の外周部に向けて洗浄液（リンス液）を吐出して、複数の支持ピン１９と複数のピン孔６１とを洗浄する。具体的には、第２ノズル３２は、回転している回転部材１７の外周部に向けて洗浄液（リンス液）を吐出する。したがって、回転部材１７の円縁部に沿って並ぶ複数の支持ピン１９と複数のピン孔６１に向けて洗浄液（リンス液）が吐出される。本実施形態によれば、第１チャンバー内洗浄処理により、複数の支持ピン１９と複数のピン孔６１の内周面とに付着した薬液を洗い流すことができる。したがって、パーティクルの発生を抑制することができる。
【0166】
また、本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０３）は、第１チャンバー内洗浄処理の際に、気体供給部８７を制御して吐出孔２０７及び複数のエッジ開口２１３から気体を吐出させる。したがって、第１チャンバー内洗浄処理の際に吐出孔２０７内及び複数のエッジ開口２１３内に洗浄液（リンス液）が侵入しない。よって、回転部材１７の内部や回転軸２７の内部に洗浄液（リンス液）が侵入することを抑制することができる。よって、パーティクルの発生を抑制することができる。
【0167】
詳しくは、第１チャンバー内洗浄処理の際に、吐出孔２０７及び複数のエッジ開口２１３から気体を吐出させない場合、吐出孔２０７内及び複数のエッジ開口２１３内に洗浄液が侵入して、回転部材１７の内部や回転軸２７の内部に洗浄液が付着する可能性がある。この場合、回転部材１７の内部や回転軸２７の内部に付着した洗浄液は十分に乾燥させることができないため、第１チャンバー内洗浄後の基板処理時に、回転部材１７の内部や回転軸２７の内部に付着した洗浄液が吐出孔２０７及び複数のエッジ開口２１３から吐出されて基板Ｗにパーティクルが発生する可能性がある。これに対し、本実施形態によれば、第１チャンバー内洗浄処理の際に吐出孔２０７内及び複数のエッジ開口２１３内に洗浄液（リンス液）が侵入しない。よって、パーティクルの発生を抑制することができる。
【0168】
更に、本実施形態によれば、第１チャンバー内洗浄処理の際に、第２ノズル３２（洗浄液吐出部）は、回転部材１７の外周部に向けて洗浄液（リンス液）を吐出する。したがって、吐出孔２０７に向けて洗浄液が吐出されないため、チャンバー２ａの天井面に洗浄液が付着することを抑制することができる。詳しくは、天井面に洗浄液が付着した場合、第１チャンバー内洗浄後の基板処理時に天井から洗浄液の液滴が処理対象の基板Ｗ１に落下する可能性がある。そして、基板Ｗ１に落下した液滴は、基板Ｗ１にウォーターマークを発生させる可能性がある。これに対し、本実施形態によれば、第１チャンバー内洗浄時に吐出孔２０７に向けて洗浄液が吐出されないため、基板Ｗ１にウォーターマークが発生することを抑制できる。
【0169】
また、第１チャンバー内洗浄時には、第２ノズル３２は第２処理位置（一定位置）から基板保持部１５へ洗浄液（リンス液）を吐出する。したがって、液受け部５４のうち、洗浄液の着液位置に対向する箇所に向かって、基板保持部１５から洗浄液が飛散する。よって、第１チャンバー内洗浄時に、液受け部５４の一部が洗浄される。更に、本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０３）が、第１チャンバー内洗浄処理の際に、液受け昇降部５７を制御して液受け部５４を昇降させるため、洗浄液の着液位置に対向する箇所を上下方向に拡大することができる。よって、洗浄箇所を拡大することができる。また、本実施形態によれば、液受け部５４が第１下位置まで下降した際に、洗浄液が液受け部５４の外周面へ飛散するため、液受け部５４の外周面を洗浄することができる。
【0170】
続いて、図９を参照して、第２チャンバー内洗浄処理を説明する。図９は、第２チャンバー内洗浄時の基板処理部２を示す断面図である。図９では、図３と同様に、理解を容易にするために複数の支持ピン１９のうちの２つの支持ピン１９を示している。
【0171】
図９に示すように、第２チャンバー内洗浄処理の際に、基板保持部１５はダミー基板Ｗ２を保持する。したがって、第２チャンバー内洗浄処理の際に、複数の支持ピン１９は第２下位置（保持位置）に配置される。また、制御装置１０１（制御部１０３）は、第２チャンバー内洗浄処理の際に、気体供給部８７を制御して吐出孔２０７及び複数のエッジ開口２１３から気体を吐出させる。このとき、既に説明したように、吐出孔２０７から上方へ気体が吐出され、複数のエッジ開口２１３から斜め上方へ気体が吐出される。
【0172】
第２チャンバー内洗浄時に、第１ノズル３１は第１退避領域に退避している。制御装置１０１（制御部１０３）は、第２チャンバー内洗浄時に、第２ノズル移動部４４を制御して、第２ノズル３２を第２退避位置から第１処理位置へ移動させる。つまり、制御装置１０１（制御部１０３）は、ダミー基板Ｗ２の中心に対向する位置まで第２ノズル３２を移動させる。
【0173】
制御装置１０１（制御部１０３）は、第２チャンバー内洗浄時に、モータ本体２５を制御して、基板保持部１５と共にダミー基板Ｗ２を回転させる。そして、制御装置１０１（制御部１０３）は、バルブ５２を閉状態から開状態へ遷移させて、第２ノズル３２からリンス液（洗浄液）を吐出させる。この結果、回転しているダミー基板Ｗ２の中心に向けて洗浄液（リンス液）が吐出される。
【0174】
更に、本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０３）は、第２チャンバー内洗浄処理の際に、液受け昇降部５７を制御して、液受け昇降部５７を昇降させる。
【0175】
以上、図９を参照して説明したように、制御装置１０１（制御部１０３）は、第２チャンバー内洗浄処理の際に、基板保持部１５がダミー基板Ｗ２を保持している状態で、基板回転部２１により基板保持部１５及びダミー基板Ｗ２を回転させるとともに、第２ノズル３２（洗浄液吐出部）からダミー基板Ｗ２に向けて洗浄液（リンス液）を吐出させて、ダミー基板Ｗ２から液受け部５４へ飛散する洗浄液により液受け部５４を洗浄する。
【0176】
詳しくは、回転中のダミー基板Ｗ２の中心に吐出された洗浄液が、ダミー基板Ｗ２の周縁に向かって流れて、ダミー基板Ｗ２の周縁から液受け部５４に向かって吐出される。したがって、液受け部５４の内周面を偏りなく洗浄することができる。よって、本実施形態によれば、基板処理時に液受け部５４に付着した薬液を第２チャンバー内洗浄処理によって洗い流すことができるため、パーティクルの発生を抑制することができる。また、本実施形態によれば、第１チャンバー内洗浄処理では洗浄できない箇所を第２チャンバー内洗浄処理によって洗浄することができる。したがって、パーティクルの発生をより抑制することができる。
【0177】
また、本実施形態によれば、第２チャンバー内洗浄処理の際に、吐出孔２０７及び複数のエッジ開口２１３がダミー基板Ｗ２によって覆われる。したがって、回転部材１７の内部や回転軸２７の内部に洗浄液が侵入することを抑制することができる。更に、本実施形態によれば、第２チャンバー内洗浄処理の際に吐出孔２０７がダミー基板Ｗ２によって覆われるため、吐出孔２０７からの気体の吐出によって洗浄液がチャンバー２ａの天井面に吹き上げられない。したがって、チャンバー２ａの天井面に洗浄液が付着することを抑制することができる。
【0178】
更に、本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０３）が、第２チャンバー内洗浄処理の際に、液受け昇降部５７を制御して液受け部５４を昇降させるため、液受け部５４が洗浄液を受け止める箇所を上下方向に拡大することができる。よって、洗浄箇所を拡大することができる。また、本実施形態によれば、液受け部５４が第１下位置まで下降した際に、洗浄液が液受け部５４の外周面へ飛散するため、液受け部５４の外周面を洗浄することができる。
【0179】
続いて、図１～図１１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１０は、本実施形態の基板処理装置１００が実行する処理の第１例を示すフローチャートである。図１１は、本実施形態の基板処理装置１００が実行する処理の第２例を示すフローチャートである。詳しくは、図１０は、制御装置１０１（制御部１０３）が実行する処理の第１例を示す。図１１は、制御装置１０１（制御部１０３）が実行する処理の第２例を示す。
【0180】
本実施形態において、制御装置１０１（制御部１０３）は、予め定められた枚数の基板Ｗ１に対して基板処理が実行された後に、第１チャンバー内洗浄処理又は第２チャンバー内洗浄処理を実行する。したがって、本実施形態によれば、チャンバー２ａ内を清浄に保つことができる。
【0181】
詳しくは、制御装置１０１（制御部１０３）は、予め定められた枚数の基板Ｗ１に対して基板処理が実行された後に、第１チャンバー内洗浄処理及び第２チャンバー内洗浄処理を実行する。
【0182】
例えば、図１０に示すように、制御装置１０１（制御部１０３）は、基板処理をＮ回実行した基板処理部２に対し（ステップＳ１）、第１チャンバー内洗浄処理を実行した後（ステップＳ２）、第２チャンバー内洗浄処理を実行してもよい（ステップＳ３）。なお、「Ｎ」は１以上の整数である。「Ｎ」の値は、ユーザが任意の値に設定可能な設定値であってもよいし、固定値であってもよい。例えば、「Ｎ」の値は、「２５」又は「５０」であってもよい。
【0183】
図１０に示すように、予め定められた枚数の基板Ｗ１に対して基板処理が実行された後に、第１チャンバー内洗浄処理及び第２チャンバー内洗浄処理を実行することで、チャンバー２ａ内を清浄に保つことができる。
【0184】
また、図１０に示すように、制御装置１０１（制御部１０３）が、第１チャンバー内洗浄処理を実行した後に、第２チャンバー内洗浄処理を実行することで、チャンバー２ａ内をより清浄にすることができる。詳しくは、ダミー基板Ｗ２を用いて洗浄を行う前に、基板保持部１５を洗浄することで、ダミー基板Ｗ２にパーティクルが発生し難くなる。したがって、ダミー基板Ｗ２を介して処理対象の基板Ｗ１や基板保持部１５にパーティクルが付着することを抑制することができるため、チャンバー２ａ内をより清浄にすることができる。但し、制御装置１０１（制御部１０３）は、第２チャンバー内洗浄処理を実行した後に、第１チャンバー内洗浄処理を実行してもよい。
【0185】
また、例えば図１１に示すように、制御装置１０１（制御部１０３）は、基板処理をＮ１回実行した基板処理部２に対して（ステップＳ１１）、まず第１チャンバー内洗浄処理を実行し（ステップＳ１２）、第１チャンバー内洗浄処理の実行後に当該基板処理部２が基板処理をＮ２回実行した場合に（ステップＳ１３）、第２チャンバー内洗浄処理を実行してもよい（ステップＳ１４）。なお、「Ｎ１」及び「Ｎ２」はいずれも１以上の整数である。「Ｎ１」の値及び「Ｎ２」の値はいずれも、ユーザが任意の値に設定可能な設定値であってもよいし、固定値であってもよい。また、「Ｎ１」及び「Ｎ２」は同じ値であってもよい。例えば、「Ｎ１」の値及び「Ｎ２」の値は、「２５」又は「５０」であってもよい。
【0186】
以上、図１１を参照して説明したように、制御装置１０１（制御部１０３）は、予め定められた枚数の基板Ｗ１に対して基板処理が実行された後に、第１チャンバー内洗浄処理を実行し、第１チャンバー内洗浄処理が実行されてから、予め定められた枚数の基板Ｗ１に対して基板処理が更に実行された後に、第２チャンバー内洗浄処理を実行してもよい。あるいは、制御装置１０１（制御部１０３）は、予め定められた枚数の基板Ｗ１に対して基板処理が実行された後に、第２チャンバー内洗浄処理を実行し、第２チャンバー内洗浄処理が実行されてから、予め定められた枚数の基板Ｗ１に対して基板処理が更に実行された後に、第１チャンバー内洗浄処理を実行してもよい。つまり、第１チャンバー内洗浄処理及び第２チャンバー内洗浄処理は、交互に実行されてもよい。
【0187】
このような手順でチャンバー２ａ内を洗浄することにより、チャンバー２ａ内を清浄にすることができる。また、予め定められた枚数の基板Ｗ１に対して基板処理が実行される度に第１チャンバー内洗浄処理と第２チャンバー内洗浄処理とが実行される構成と比べて、チャンバー２ａの洗浄に要する時間を短縮することができる。更に、チャンバー２ａの洗浄に用いる洗浄液の量を削減することができる。
【0188】
以上、図面（図１～図１１）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0189】
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0190】
【0191】
また、図１～図１１を参照して説明した実施形態において、基板処理装置１００はダミー基板保持部４を備えたが、ダミー基板保持部４は省略されてもよい。この場合、第２チャンバー内洗浄処理を実行する際に基板処理装置１００の外部から基板処理装置１００の内部にダミー基板Ｗ２が搬入されてもよい。例えば、第２チャンバー内洗浄処理を実行する際にインデクサーロボットＩＲが基板処理装置１００の外部から基板処理装置１００の内部にダミー基板Ｗ２を搬入してもよい。この場合、ダミー基板Ｗ２は、インデクサーロボットＩＲ、受渡部６、及びセンターロボットＣＲを経由して、第２チャンバー内洗浄処理が行われるチャンバー２ａ内に搬入される。
【0192】
【0193】
また、図１～図１１を参照して説明した実施形態では、洗浄液吐出部としてリンス液吐出部（第２ノズル３２）を利用したが、リンス液吐出部とは別に洗浄液吐出部を設けてもよい。この場合、洗浄液吐出部は、第２ノズル３２と同様に洗浄液を吐出する。洗浄液は、例えば、純水（例えば、脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、又は希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【0194】
本発明は、基板を処理する装置に有用である。
【符号の説明】
【0195】
２ ：基板処理部
２ａ ：チャンバー
１５ ：基板保持部
１７ ：回転部材
１９ ：支持ピン
２１ ：基板回転部
３０ ：処理液吐出部
３１ ：第１ノズル
３２ ：第２ノズル
５４ ：液受け部
５７ ：液受け昇降部
６１ ：ピン孔
８７ ：気体供給部
１００ ：基板処理装置
１０１ ：制御装置
１０３ ：制御部
１０５ ：記憶部
２０７ ：吐出孔
Ｗ ：基板
Ｗ１ ：基板
Ｗ２ ：ダミー基板
２ａ ：チャンバー
１５ ：基板保持部
１７ ：回転部材
１９ ：支持ピン
２１ ：基板回転部
３０ ：処理液吐出部
３１ ：第１ノズル
３２ ：第２ノズル
５４ ：液受け部
５７ ：液受け昇降部
６１ ：ピン孔
８７ ：気体供給部
１００ ：基板処理装置
１０１ ：制御装置
１０３ ：制御部
１０５ ：記憶部
２０７ ：吐出孔
Ｗ ：基板
Ｗ１ ：基板
Ｗ２ ：ダミー基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】