特開 2024-78417 回路基板および回路基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024078417

(43)【公開日】2024-06-10

(54)【発明の名称】回路基板および回路基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20240603BHJP

   H05K 1/09 20060101ALI20240603BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 W

H01L23/12 Q

H05K1/09 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023188225

(22)【出願日】2023-11-02

(31)【優先権主張番号】10-2022-0163157

(32)【優先日】2022-11-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000051

【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】李 啓 ファン

【テーマコード（参考）】

4E351

【Ｆターム（参考）】

4E351AA02

4E351AA03

4E351AA04

4E351BB01

4E351CC06

4E351DD04

4E351DD19

4E351GG08

(57)【要約】

【課題】プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による回路基板は、第１絶縁層と、第１絶縁層上に位置する第２絶縁層と、第１絶縁層内に一部分埋込まれ、第２絶縁層から突出し、厚さが互いに異なる第１パッド部および第２パッド部とを含み、第１パッド部と第２パッド部はそれぞれ、第１層と、第１層上に位置する第２層とを含み、第１パッド部の第１層と第２パッド部の第１層の高さは、第１絶縁層の高さよりも低い。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に位置する第２絶縁層と、
前記第１絶縁層内に一部分埋込まれ、前記第２絶縁層から突出し、厚さが互いに異なる第１パッド部および第２パッド部と、を含み、
前記第１パッド部と前記第２パッド部はそれぞれ、第１層と、前記第１層上に位置する第２層とを含み、
前記第１パッド部の前記第１層と前記第２パッド部の前記第１層の高さは、前記第１絶縁層の高さよりも低いことを特徴とする回路基板。

【請求項2】

前記第１パッド部の前記第２層の厚さは、前記第２パッド部の前記第２層の厚さと異なることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記第１パッド部の前記第１層の厚さと、前記第２パッド部の前記第１層の厚さとは、同一であることを特徴とする請求項２に記載の回路基板。

【請求項4】

前記第１パッド部と前記第２パッド部はそれぞれ、前記第２層上に位置する第３層をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の回路基板。

【請求項5】

前記第１パッド部の前記第３層の厚さと、前記第２パッド部の前記第３層の厚さとは、同一であることを特徴とする請求項２に記載の回路基板。

【請求項6】

前記第１層、前記第２層、および前記第３層は、互いに異なる金属を含むことを特徴とする請求項５に記載の回路基板。

【請求項7】

前記第１層は、銅を含み、前記第２層は、ニッケルを含み、前記第３層は、金を含むことを特徴とする請求項６に記載の回路基板。

【請求項8】

前記第２絶縁層は、前記第１パッド部の前記第２層と前記第２パッド部の前記第２層の側面に位置し、
前記第１パッド部の前記第２層の側面に位置する前記第２絶縁層の厚さと、前記第２パッド部の前記第２層の側面に位置する前記第２絶縁層の厚さとは、同一であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項9】

前記第２絶縁層は、ソルダレジスト層であることを特徴とする請求項８に記載の回路基板。

【請求項10】

前記第１絶縁層の下に位置する第３絶縁層と、
前記第３絶縁層に埋込まれた第３パッド部と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項11】

前記第１絶縁層内に位置するビア層をさらに含み、
前記第１パッド部と、前記第３パッド部とは、前記ビア層を介して互いに連結されたことを特徴とする請求項１０に記載の回路基板。

【請求項12】

第１絶縁層内に埋込まれた第１パッド部の第１層と第２パッド部の第１層を形成し、
前記第１絶縁層上に、前記第１パッド部の前記第１層と重なる第１開口部と、前記第２パッド部の前記第１層と重なる第２開口部とを有する第２絶縁層を形成し、
前記第２開口部を第１マスクで覆った状態で、前記第１開口部内に前記第１パッド部の前記第１層上に位置するように前記第１パッド部の第２層を形成し、
前記第１開口部を第２マスクで覆った状態で、前記第２開口部内に前記第２パッド部の前記第１層上に位置するように前記第２パッド部の第２層を形成し、
前記第１パッド部の前記第２層の厚さと、前記第２パッド部の前記第２層の厚さとは、互いに異なって形成されることを特徴とする回路基板の製造方法。

【請求項13】

前記第１パッド部の前記第１層と前記第２パッド部の前記第１層は、前記絶縁層の表面よりも低い高さを有するように形成されることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。

【請求項14】

前記第１絶縁層内に埋込まれた前記第１パッド部の前記第１層と前記第２パッド部の前記第１層を形成することは、
シード層上に第１金属層を形成し、
前記第１金属層上に前記第１絶縁層を積層し、
前記シード層を除去し、
前記第１金属層の一部を除去して前記第１パッド部の前記第１層と前記第２パッド部の前記第１層を形成することを特徴とする請求項１３に記載の回路基板の製造方法。

【請求項15】

前記第２絶縁層の高さを低くして、前記第１パッド部の前記第２層と前記第２パッド部の前記第２層の高さは、前記第２絶縁層の高さよりも高くなるように形成することを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。

【請求項16】

前記第２開口部を第１マスクで覆った状態で、前記第１開口部内に前記第１パッド部の前記第２層上に位置するように前記第１パッド部の第３層を形成し、
前記第１開口部を第２マスクで覆った状態で、前記第２開口部内に前記第２パッド部の前記第２層上に位置するように前記第２パッド部の第３層を形成し、
前記第１パッド部の前記第１層と前記第２パッド部の前記第１層の厚さは、同一に形成され、
前記第１パッド部の前記第３層と前記第２パッド部の前記第３層の厚さは、同一に形成されることを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、回路基板および回路基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電子産業の発達とともに電子機器が次第に高性能化されるのに伴い、半導体パッケージは、小型化／薄型化されると同時に高密度化されることが要求されている。パッケージの高密度化のため、実装されるＩＣの個数が増えるのにつれてＩ／Ｏ接続端子の個数も増加し、これによって、ボンディングパッドピッチが減少した微細回路実現のための工程能力の確保が必要になってきている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】韓国公開特許第１０－２０１６－０１４０１８４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の目的は、ボンディングパッドピッチが減少した微細回路の接続特性の低下を防止できる回路基板および回路基板の製造方法を提供することにある。
しかし、本発明が解決しようとする課題は、上述した課題に限定されず、実施例に含まれている技術的思想の範囲内で多様に拡張可能である。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一態様による回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に位置する第２絶縁層と、前記第１絶縁層内に一部分埋込まれ、前記第２絶縁層から突出し、厚さが互いに異なる第１パッド部および第２パッド部と、を含み、前記第１パッド部と前記第２パッド部はそれぞれ、第１層と、前記第１層上に位置する第２層とを含み、前記第１パッド部の前記第１層と前記第２パッド部の前記第１層の高さは、前記第２絶縁層の高さよりも低い。

【0006】

前記第１パッド部の前記第１層の厚さと、前記第２パッド部の前記第１層の厚さとは、同一であってもよい。
前記第１パッド部の前記第２層の厚さは、前記第２パッド部の前記第２層の厚さと異なっていてもよい。
前記回路基板は、前記第１パッド部と前記第２パッド部がそれぞれ、前記第２層上に位置する第３層をさらに含むことができる。
前記第１パッド部の前記第３層の厚さと、前記第２パッド部の前記第３層の厚さとは、実質的に同一であってもよい。
前記第１層、前記第２層、および前記第３層は、互いに異なる金属を含むことができる。
前記第１層は、銅を含み、前記第２層は、ニッケルを含み、前記第３層は、金を含むことができる。
前記第２絶縁層は、前記第１パッド部の前記第２層と前記第２パッド部の前記第２層の側面に位置し、前記第１パッド部の前記第２層の側面に位置する前記第２絶縁層の厚さと、前記第２パッド部の前記第２層の側面に位置する前記第２絶縁層の厚さとは、同一であってもよい。
前記第２絶縁層は、ソルダレジスト層であってもよい。
前記回路基板は、前記第１絶縁層の下に位置する第３絶縁層と、前記第３絶縁層に埋込まれた第３パッド部とをさらに含むことができる。
前記回路基板は、前記第１絶縁層内に位置するビア層をさらに含むことができる。
前記第１パッド部と、前記第３パッド部とは、前記ビア層を介して互いに連結可能である。

【0007】

本発明の一態様による回路基板の製造方法は、第１絶縁層内に埋込まれた第１パッド部の第１層と第２パッド部の第１層を形成し、前記第１絶縁層上に、前記第１パッド部の前記第１層と重なる第１開口部と、前記第２パッド部の前記第１層と重なる第２開口部とを有する第２絶縁層を形成し、前記第２開口部を第１マスクで覆った状態で、前記第１開口部内に前記第１パッド部の前記第１層上に位置するように前記第１パッド部の第２層を形成し、前記第１開口部を第２マスクで覆った状態で、前記第２開口部内に前記第２パッド部の前記第１層上に位置するように前記第２パッド部の第２層を形成し、前記第１パッド部の前記第２層の厚さと、前記第２パッド部の前記第２層の厚さとは、互いに異なって形成される。

【0008】

前記第１パッド部の前記第１層と前記第２パッド部の前記第１層は、前記絶縁層の表面よりも低い高さを有するように形成される。
前記第１絶縁層内に埋込まれた前記第１パッド部の前記第１層と前記第２パッド部の前記第１層を形成することは、シード層上に第１金属層を形成し、前記第１金属層上に前記第１絶縁層を積層し、前記シード層を除去し、前記第１金属層の一部を除去して前記第１パッド部の前記第１層と前記第２パッド部の前記第１層を形成することができる。
前記第２絶縁層の高さを低くして、前記第１パッド部の前記第２層と前記第２パッド部の前記第２層の高さは、前記第２絶縁層の高さよりも高くなるように形成することができる。
前記第２開口部を第１マスクで覆った状態で、前記第１開口部内に前記第１パッド部の前記第２層上に位置するように前記第１パッド部の第３層を形成し、前記第１開口部を第２マスクで覆った状態で、前記第２開口部内に前記第２パッド部の前記第２層上に位置するように前記第２パッド部の第３層を形成し、前記第１パッド部の前記第１層と前記第２パッド部の前記第１層の厚さは、同一に形成され、前記第１パッド部の前記第３層と前記第２パッド部の前記第３層の厚さは、同一に形成される。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、ボンディングパッドピッチが減少した微細回路の接続特性の低下を防止できる回路基板および回路基板の製造方法を提供することができる。
しかし、本発明の効果は上述した効果に限定されるものではなく、本発明の思想および技術領域を逸脱しない範囲内で多様に拡張可能であることが自明である。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本発明の一実施例による回路基板を示す断面図である。

【図2】図１の一部分を拡大した拡大図である。

【図3】本発明の一実施例による回路基板を含む半導体パッケージの一部を示す図である。

【図4】本発明の一実施例による回路基板を含む半導体パッケージの一部を示す図である。

【図5】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図6】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図7】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図8】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図9】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図10】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図11】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図12】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図13】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図14】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図15】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図16】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図17】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図18】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図19】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図20】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図21】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【図22】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、図面を参照して、本発明の様々な実施例について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施例に限定されない。

【0012】

本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付す。

【0013】

また、図面は本明細書に開示された実施例を容易に理解できるようにするためのものに過ぎず、図面によって本明細書に開示された技術的思想は限定されず、本発明の思想および技術範囲に含まれるすべての変更、均等物乃至代替物を含むことが理解されなければならない。

【0014】

さらに、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示したものであって、本発明が必ずしも図示のものに限定されない。図面において様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して示した。

【0015】

また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとする時、これは他の部分の「直上に」ある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上に」あるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。さらに、基準となる部分の「上に」あるというのは、基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力の反対方向に「上に」位置することを意味するわけではない。

【0016】

また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。

【0017】

さらに、明細書全体において、「平面上」とする時、これは対象部分を上から見た時を意味し、「断面上」とする時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。

【0018】

また、明細書全体において、「連結される」とする時、これは２以上の構成要素が直接的に連結されることだけを意味するのではなく、２以上の構成要素が他の構成要素を介して間接的に連結されること、物理的に連結されることだけでなく、電気的に連結されること、または位置や機能により異なる名称で称された一切を意味する。

【0019】

明細書全体において、基板は、平面上広くて断面上薄い構造を有し、「基板の平面方向」は、基板の広くて平らな面に平行な方向であり、「基板の厚さ方向」は、基板の広くて平らな面に垂直な方向を意味する。

【0020】

以下、図面を参照して、本発明の多様な実施例と変形例を詳細に説明する。

【0021】

図１および図２を参照して、本発明の一実施例による回路基板について説明する。図１は、本発明の一実施例による回路基板を示す断面図であり、図２は、図１の一部分を拡大した拡大図である。

【0022】

本発明の一実施例による回路基板１００は、第１絶縁層ＩＬと、第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａに位置する第２絶縁層ＲＰａと、第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａに対向する第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂに位置する第３絶縁層ＲＰｂと、第１絶縁層ＩＬに一部分埋込まれた第１パッド部（ｐａｄ ｐｏｒｔｉｏｎ）ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、および第３パッド部ＭＰａ３と、第３絶縁層ＲＰｂに少なくとも一部分埋込まれた第４パッド部ＭＰｂ１、第５パッド部ＭＰｂ２、および第６パッド部ＭＰｂ３と、第１絶縁層ＩＬ内に位置し、第１パッド部ＭＰａ１と第４パッド部ＭＰｂ１とを互いに連結するビア層ＭＰＶとを含む。

【0023】

第１絶縁層ＩＬは、樹脂絶縁層を含む。第１絶縁層ＩＬは、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグが使用可能であり、また、熱硬化性樹脂および／または光硬化性樹脂などを含むが、これらに限定されない。

【0024】

第２絶縁層ＲＰａと第３絶縁層ＲＰｂは、第１絶縁層ＩＬに形成された配線および回路パターンを保護する。第２絶縁層ＲＰａと第３絶縁層ＲＰｂは、レジンを含み、ソルダレジストであってもよい。第２絶縁層ＲＰａの厚さは、実質的に一定であってもよく、第３絶縁層ＲＰｂの厚さは、実質的に一定であってもよい。

【0025】

第１パッド部ＭＰａ１は、第１絶縁層ＩＬに埋込まれた第１層ＭＰａ１１と、第１層ＭＰａ１１上に位置し、第１絶縁層ＩＬに一部分埋込まれて第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａ上に拡張されて第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａ上に位置する第２絶縁層ＲＰａから突出した第２層ＭＰａ１２と、第２層ＭＰａ１２上に位置する第３層ＭＰａ１３とを含む。図示した実施例において、第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１、第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２、第１パッド部ＭＰａ１の第３層ＭＰａ１３は、上下方向に一列に整列され、互いに同一の幅を有するものとして示されたが、第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２および第３層ＭＰａ１３は、第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１と一列に整列されずに、異なる幅を有してもよい。

【0026】

第２パッド部ＭＰａ２は、第１絶縁層ＩＬに埋込まれた第１層ＭＰａ２１と、第１層ＭＰａ２１上に位置し、第１絶縁層ＩＬに一部分埋込まれて第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａ上に拡張されて第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａ上に位置する第２絶縁層ＲＰａから突出した第２層ＭＰａ２２と、第２層ＭＰａ２２上に位置する第３層ＭＰａ２３とを含む。図示した実施例において、第２パッド部ＭＰａ２の第１層ＭＰａ２１、第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２、第２パッド部ＭＰａ２の第３層ＭＰａ２３は、上下方向に一列に整列され、互いに同一の幅を有するものとして示されたが、第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２および第３層ＭＰａ２３は、第２パッド部ＭＰａ２の第１層ＭＰａ２１と一列に整列されずに、異なる幅を有してもよい。

【0027】

第３パッド部ＭＰａ３は、第１絶縁層ＩＬに埋込まれた第１層ＭＰａ３１と、第１層ＭＰａ３１上に位置し、第１絶縁層ＩＬに一部分埋込まれて第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａ上に拡張されて第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａ上に位置する第２絶縁層ＲＰａから突出した第２層ＭＰａ３２と、第２層ＭＰａ３２上に位置する第３層ＭＰａ３３とを含む。図示した実施例において、第３パッド部ＭＰａ３の第１層ＭＰａ３１、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２、第３パッド部ＭＰａ３の第３層ＭＰａ３３は、上下方向に一列に整列され、互いに同一の幅を有するものとして示されたが、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２および第３層ＭＰａ３３は、第３パッド部ＭＰａ３の第１層ＭＰａ３１と一列に整列されずに、異なる幅を有してもよい。

【0028】

第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２は、第１厚さＴ１を有し、第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２は、第２厚さＴ２を有し、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２は、第３厚さＴ３を有する。

【0029】

第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２の第１厚さＴ１は、第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２の第２厚さＴ２および第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２の第３厚さＴ３とは異なっていてもよい。第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２の第２厚さＴ２と、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２の第３厚さＴ３とは、互いに異なっていてもよい。

【0030】

第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１、第２パッド部ＭＰａ２の第１層ＭＰａ２１、第３パッド部ＭＰａ３の第１層ＭＰａ３１の厚さは、実質的に同一であってもよく、第１パッド部ＭＰａ１の第３層ＭＰａ１３、第２パッド部ＭＰａ２の第３層ＭＰａ２３、第３パッド部ＭＰａ３の第３層ＭＰａ３３の厚さは、実質的に同一であってもよい。

【0031】

第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１、第２パッド部ＭＰａ２の第１層ＭＰａ２１、第３パッド部ＭＰａ３の第１層ＭＰａ３１は、第１絶縁層ＩＬに埋込まれ、第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１、第２パッド部ＭＰａ２の第１層ＭＰａ２１、第３パッド部ＭＰａ３の第１層ＭＰａ３１の表面の高さは、第１絶縁層ＩＬの表面の高さおよび第２絶縁層ＲＰａの表面の高さよりも低い。

【0032】

したがって、第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１と第２層ＭＰａ１２との界面、第２パッド部ＭＰａ２の第１層ＭＰａ２１と第２層ＭＰａ２２との界面、第３パッド部ＭＰａ３の第１層ＭＰａ３１と第２層ＭＰａ３２との界面の高さは、第１絶縁層ＩＬと第２絶縁層ＲＰａとの界面の高さよりも低い。

【0033】

第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２、第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２は、第２絶縁層ＲＰａよりも突出し、第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２、第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２の表面の高さは、第２絶縁層ＲＰａの表面の高さよりも高い。

【0034】

第４パッド部ＭＰｂ１は、第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂの下に位置する第１層ＭＰｂ１１と、第１層ＭＰｂ１１の下に位置する第２層ＭＰｂ１２と、第２層ＭＰｂ１２の下に位置する第３層ＭＰｂ１３とを含む。第４パッド部ＭＰｂ１の第１層ＭＰｂ１１、第２層ＭＰｂ１２、第３層ＭＰｂ１３は、第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂから突出し、第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂに位置する第３絶縁層ＲＰｂから突出しない。図示した実施例において、第４パッド部ＭＰｂ１の第１層ＭＰｂ１１、第４パッド部ＭＰｂ１の第２層ＭＰｂ１２、第４パッド部ＭＰｂ１の第３層ＭＰｂ１３は、上下方向に一列に整列され、互いに同一の幅を有するものとして示されたが、第４パッド部ＭＰｂ１の第２層ＭＰｂ１２および第３層ＭＰｂ１３は、第４パッド部ＭＰｂ１の第１層ＭＰｂ１１と一列に整列されずに、異なる幅を有してもよい。

【0035】

第５パッド部ＭＰｂ２は、第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂの下に位置する第１層ＭＰｂ２１と、第１層ＭＰｂ２１の下に位置する第２層ＭＰｂ２２と、第２層ＭＰｂ２２の下に位置する第３層ＭＰｂ２３とを含む。第５パッド部ＭＰｂ２の第１層ＭＰｂ２１、第２層ＭＰｂ２２、第３層ＭＰｂ２３は、第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂから突出し、第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂに位置する第３絶縁層ＲＰｂから突出しない。図示した実施例において、第５パッド部ＭＰｂ２の第１層ＭＰｂ２１、第５パッド部ＭＰｂ２の第２層ＭＰｂ２２、第５パッド部ＭＰｂ２の第３層ＭＰｂ２３は、上下方向に一列に整列され、互いに同一の幅を有するものとして示されたが、第５パッド部ＭＰｂ２の第２層ＭＰｂ２２および第３層ＭＰｂ２３は、第５パッド部ＭＰｂ２の第１層ＭＰｂ２１と一列に整列されずに、異なる幅を有してもよい。

【0036】

第６パッド部ＭＰｂ３は、第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂの下に位置する第１層ＭＰｂ３１と、第１層ＭＰｂ３１の下に位置する第２層ＭＰｂ３２と、第２層ＭＰｂ３２の下に位置する第３層ＭＰｂ３３とを含む。第６パッド部ＭＰｂ３の第１層ＭＰｂ３１、第２層ＭＰｂ３２、第３層ＭＰｂ３３は、第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂから突出し、第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂに位置する第３絶縁層ＲＰｂから突出しない。図示した実施例において、第６パッド部ＭＰｂ３の第１層ＭＰｂ３１、第６パッド部ＭＰｂ３の第２層ＭＰｂ３２、第６パッド部ＭＰｂ３の第３層ＭＰｂ３３は、上下方向に一列に整列され、互いに同一の幅を有するものとして示されたが、第６パッド部ＭＰｂ３の第２層ＭＰｂ３２および第３層ＭＰｂ３３は、第６パッド部ＭＰｂ３の第１層ＭＰｂ３１と一列に整列されずに、異なる幅を有してもよい。

【0037】

第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１と、第４パッド部ＭＰｂ１の第１層ＭＰｂ１１とは、第１絶縁層ＩＬの内部に位置するビア層ＭＰＶを介して互いに連結される。

【0038】

第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａに位置する第２絶縁層ＲＰａは、第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２、第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２の側面に位置して、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３の間の短絡を防止する。

【0039】

第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂに位置する第３絶縁層ＲＰｂは、第４パッド部ＭＰｂ１、第５パッド部ＭＰｂ２、第６パッド部ＭＰｂ３の側面に位置して、第４パッド部ＭＰｂ１、第５パッド部ＭＰｂ２、第６パッド部ＭＰｂ３の間の短絡を防止する。

【0040】

第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１、第２パッド部ＭＰａ２の第１層ＭＰａ２１、第３パッド部ＭＰａ３の第１層ＭＰａ３１、第４パッド部ＭＰｂ１の第１層ＭＰｂ１１、第５パッド部ＭＰｂ２の第１層ＭＰｂ２１、第６パッド部ＭＰｂ３の第１層ＭＰｂ３１は、導電性を有し、金属を含む。例えば、銅（Ｃｕ）を含む。

【0041】

第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２、第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２、第４パッド部ＭＰｂ１の第２層ＭＰｂ１２、第５パッド部ＭＰｂ２の第２層ＭＰｂ２２、第６パッド部ＭＰｂ３の第２層ＭＰｂ３２は、導電性を有し、金属を含む。例えば、ニッケル（Ｎｉ）を含み、メッキ方式で形成される。

【0042】

第１パッド部ＭＰａ１の第３層ＭＰａ１３、第２パッド部ＭＰａ２の第３層ＭＰａ２３、第３パッド部ＭＰａ３の第３層ＭＰａ３３、第４パッド部ＭＰｂ１の第３層ＭＰｂ１３、第５パッド部ＭＰｂ２の第３層ＭＰｂ２３、第６パッド部ＭＰｂ３の第３層ＭＰｂ３３は、導電性を有し、金属を含む。例えば、金（Ａｕ）を含み、メッキ方式で形成される。

【0043】

図示した実施例において、第１絶縁層ＩＬは、１つの層で形成されたものとして示したが、これに限定されず、第１絶縁層ＩＬは、複数の層を含むことができ、ビア層ＭＰＶは、複数の層からなる第１絶縁層ＩＬの内部に形成されてもよい。

【0044】

図１とともに図２を参照すれば、第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１と第２パッド部ＭＰａ２の第１層ＭＰａ２１は、第１絶縁層ＩＬ内に埋込まれ、第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１と第２パッド部ＭＰａ２の第１層ＭＰａ２１の表面と、第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａの表面とは、深さの差ＤＨａを有する。図２には、第１パッド部ＭＰａ１と第２パッド部ＭＰａ２の一部分のみを示したが、これと類似して、第３パッド部ＭＰａ３の第１層ＭＰａ３１の表面と、第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａの表面とは、深さの差ＤＨａを有する。

【0045】

第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１の厚さと、第２パッド部ＭＰａ２の第１層ＭＰａ２１の厚さとは、実質的に同一であってもよく、第１パッド部ＭＰａ１の第３層ＭＰａ１３の厚さと、第２パッド部ＭＰａ２の第３層ＭＰａ２３の厚さとは、実質的に同一であってもよい。図２には、第１パッド部ＭＰａ１と第２パッド部ＭＰａ２の一部分のみを示したが、第３パッド部ＭＰａ３の第１層ＭＰａ３１の厚さも、第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１と第２パッド部ＭＰａ２の第１層ＭＰａ２１の厚さと実質的に同一であってもよく、第３パッド部ＭＰａ３の第３層ＭＰａ３３の厚さも、第１パッド部ＭＰａ１の第３層ＭＰａ１３と第２パッド部ＭＰａ２の第３層ＭＰａ２３の厚さと実質的に同一であってもよい。

【0046】

第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２の一部分と第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２の一部分は、第１絶縁層ＩＬ内に埋込まれ、第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２と第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２は、第２絶縁層ＲＰａよりも突出する。図２には、第１パッド部ＭＰａ１と第２パッド部ＭＰａ２の一部分のみを示したが、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２の一部分も、第１絶縁層ＩＬ内に埋込まれ、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２は、第２絶縁層ＲＰａよりも突出する。

【0047】

第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２の第１厚さＴ１は、第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２の第２厚さＴ２とは異なっていてもよい。図２には、第１パッド部ＭＰａ１と第２パッド部ＭＰａ２の一部分のみを示したが、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２の第３厚さＴ３も、第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２の第１厚さＴ１および２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２の第２厚さＴ２とは異なっていてもよい。

【0048】

このように、第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２の第１厚さＴ１、第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２の第２厚さＴ２、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２の第３厚さＴ３は、互いに異なっていてもよく、これによって、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３の総厚さは、互いに異なっていてもよい。これによって、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３のうち第２絶縁層ＲＰａから突出した部分の高さも異なっていてもよい。図示した実施例において、第１パッド部ＭＰａ１は、第２絶縁層ＲＰａから第１突出高さＤＨ１だけ突出し、第２パッド部ＭＰａ２は、第２絶縁層ＲＰａから第２突出高さＤＨ２だけ突出し、第１突出高さＤＨ１と、第２突出高さＤＨ２とは、互いに異なっていてもよい。

【0049】

したがって、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３の大きさが減少し、間隔が減少してパッド部ＭＰａ１、ＭＰａ２、ＭＰａ３のピッチが減少しても、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３に半導体チップとの連結のための導電性ワイヤが接合される時、互いに短絡することを防止し、安定した連結を維持できる。

【0050】

以下、図１および図２とともに図３を参照して、本発明の一実施例による回路基板を含む半導体パッケージについて説明する。図３は、本発明の一実施例による回路基板を含む半導体パッケージの一部を示す図である。

【0051】

図３に示すように、本発明の一実施例による回路基板を含む半導体パッケージ１０００は、図１および図２に示した実施例による回路基板１００の第１パッド部ＭＰａ１に連結された第１ワイヤ部Ｗ１と、第２パッド部ＭＰａ２に連結された第２ワイヤ部Ｗ２と、第３パッド部ＭＰａ３に連結された第３ワイヤ部Ｗ３と、第１ワイヤ部Ｗ１、第２ワイヤ部Ｗ２、第３ワイヤ部Ｗ３を介して回路基板１００に連結された半導体装置２００とを含む。

【0052】

第１ワイヤ部Ｗ１、第２ワイヤ部Ｗ２、第３ワイヤ部Ｗ３は、ワイヤボンディングである。

【0053】

相対的に高さが最も低い第１パッド部ＭＰａ１に連結された第１ワイヤ部Ｗ１の高さが最も低く、相対的に高さが最も高い第３パッド部ＭＰａ３に連結された第３ワイヤ部Ｗ３の高さが最も高い。

【0054】

図１に示した、第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２の第１厚さＴ１、第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２の第２厚さＴ２、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２の第３厚さＴ３は、互いに異なっていてもよく、これによって、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３の総厚さは、互いに異なっていてもよい。これによって、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３のうち第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａ上に位置する第２絶縁層ＲＰａから突出した部分の高さも異なっていてもよい。

【0055】

したがって、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３と半導体装置２００との間の連結のための導電性ワイヤＷ１、Ｗ２、Ｗ３の接合高さが異なって、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３の大きさが減少し、間隔が減少してパッド部ＭＰａ１、ＭＰａ２、ＭＰａ３のピッチが減少しても、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３に連結された導電性ワイヤＷ１、Ｗ２、Ｗ３が互いに短絡することを防止し、安定した連結を維持できる。

【0056】

図１および図２を参照して説明した実施例による回路基板１００の多くの特徴は、本実施例による回路基板を含む半導体パッケージにすべて適用可能である。

【0057】

以下、図１および図２とともに図４を参照して、本発明の一実施例による回路基板を含む半導体パッケージについて説明する。図４は、本発明の一実施例による回路基板を含む半導体パッケージの一部を示す図である。

【0058】

図４に示すように、本実施例による回路基板を含む半導体パッケージ１０００は、図１および図２に示した実施例による回路基板１００の第１パッド部ＭＰａ１に連結された第１ワイヤ部Ｗ１と、第２パッド部ＭＰａ２に連結された第２ワイヤ部Ｗ２と、第３パッド部ＭＰａ３に連結された第３ワイヤ部Ｗ３と、第１ワイヤ部Ｗ１、第２ワイヤ部Ｗ２、第３ワイヤ部Ｗ３を介して回路基板１００に連結された半導体装置２００とを含む。

【0059】

第１ワイヤ部Ｗ１、第２ワイヤ部Ｗ２、第３ワイヤ部Ｗ３は、ワイヤボンディングである。

【0060】

第１パッド部ＭＰａ１に連結された第１ワイヤ部Ｗ１の高さが最も低く、相対的に高さが最も高い第３パッド部ＭＰａ３に連結された第３ワイヤ部Ｗ３の高さが最も高い。

【0061】

図１に示した、第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２の第１厚さＴ１、第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２の第２厚さＴ２、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２の第３厚さＴ３は、互いに異なっていてもよく、これによって、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３の総厚さは、互いに異なっていてもよい。これによって、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３のうち第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａ上に位置する第２絶縁層ＲＰａから突出した部分の高さも異なっていてもよい。

【0062】

したがって、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３と半導体装置２００との間の連結のための導電性ワイヤＷ１、Ｗ２、Ｗ３の接合高さが異なって、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３の大きさが減少し、間隔が減少してパッド部ＭＰａ１、ＭＰａ２、ＭＰａ３のピッチが減少しても、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３に連結された導電性ワイヤＷ１、Ｗ２、Ｗ３が互いに短絡することを防止し、安定した連結を維持できる。

【0063】

図１および図２を参照して説明した実施例による回路基板１００の多くの特徴は、本実施例による回路基板を含む半導体パッケージにすべて適用可能である。

【0064】

以下、図１および図２とともに図５～図２２を参照して、本発明の一実施例による回路基板の製造方法について説明する。図５～図２２は、本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す断面図である。

【0065】

図５に示すように、コア部ＣＬと、コア部ＣＬの両側に積層された薄膜金属層ＭＬとを含むキャリア基板ＣＳを設け、薄膜金属層ＭＬ上に第１シード層ＳＬを形成する。

【0066】

図６に示すように、キャリア基板ＣＳの両側に位置する第１シード層ＳＬ上に、第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２、第３開口部ＯＰ３を有するレジストパターンＰＲＬを形成する。

【0067】

レジストパターンＰＲＬは、第１シード層ＳＬ上にレジスト層を積層した後、露光および現像して形成する。

【0068】

第１開口部ＯＰ１は、第１パッド部ＭＰａ１が形成される位置に対応し、第２開口部ＯＰ２は、第２パッド部ＭＰａ２が形成される位置に対応し、第３開口部ＯＰ３は、第３パッド部ＭＰａ３が形成される位置に対応する。

【0069】

図７に示すように、レジストパターンＰＲＬをマスクとして、第１シード層ＳＬ上に金属をメッキして第１金属層ＭＰ１を形成する。レジストパターンＰＲＬの第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２、第３開口部ＯＰ３は、第１シード層ＳＬを露出し、第１金属層ＭＰ１は、第１シード層ＳＬ上にメッキ方式で形成されて、レジストパターンＰＲＬの第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２、第３開口部ＯＰ３内に位置する。

【0070】

第１金属層ＭＰ１は、第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１、第２パッド部ＭＰａ２の第１層ＭＰａ２１、第３パッド部ＭＰａ３の第１層ＭＰａ３１になる。

【0071】

図８に示すように、レジストパターンＰＲＬを除去する。

【0072】

図９に示すように、第１金属層ＭＰ１上に第１絶縁層ＩＬと第２シード層ＳＬ１を順次に積層する。

【0073】

図１０に示すように、第１絶縁層ＩＬと第２シード層ＳＬ１にビアホールＨＬを形成する。

【0074】

図１１に示すように、ビアホールＨＬ内にビア層をなす第２金属層ＭＰ２を形成し、第２シード層ＳＬ１上に、第４パッド部ＭＰｂ１の第１層ＭＰｂ１１、第５パッド部ＭＰｂ２の第１層ＭＰｂ２１、第６パッド部ＭＰｂ３の第１層ＭＰｂ３１をなす第３金属層ＭＰ３を形成する。第２金属層ＭＰ２と第３金属層ＭＰ３は、第１金属層ＭＰ１と同じ金属を含み、メッキ方式で形成される。

【0075】

図１２に示すように、コア部ＣＬの両側から基板部ＳＵＢを剥離する。

【0076】

図１３以下には、コア部ＣＬの両側から剥離された２つの基板部ＳＵＢのうち、一方の基板部ＳＵＢを示す。

【0077】

図１３を参照すれば、コア部ＣＬから剥離された基板部ＳＵＢから、第１シード層ＳＬを除去し、第２シード層ＳＬ１のうち露出した部分を除去する。この時、第１金属層ＭＰ１の表面の一部も除去されて、第１金属層ＭＰ１の表面の高さは、第１絶縁層ＩＬの表面の高さよりも低くなる。

【0078】

図１４に示すように、第１絶縁層ＩＬの互いに対向する第１面ＩＬａと第２面ＩＬｂの上に、第２絶縁層ＲＰａと第３絶縁層ＲＰｂをなす絶縁層ＲＰＬＬを積層する。

【0079】

この時、第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａに形成される絶縁層ＲＰＬＬの厚さを、第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂに形成される絶縁層ＲＰＬＬの厚さよりも厚く形成する。

【0080】

絶縁層ＲＰＬＬは、ソルダレジスト層であってもよい。絶縁層ＲＰＬＬは、ソルダレジストインク、ソルダレジストフィルムまたはカプセル化剤などを用いて形成できるが、これに限定されるものではない。

【0081】

図１５に示すように、絶縁層ＲＰＬＬを露光現像して、第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａ上に、第４開口部ＯＰ１ａ、第５開口部ＯＰ２ａ、第６開口部ＯＰ３ａを有する第４絶縁層ＲＰａ１を形成し、第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂに、第７開口部ＯＰ４、第８開口部ＯＰ５、第９開口部ＯＰ６を有する第５絶縁層ＲＰｂ１を形成する。

【0082】

第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａに形成された第４絶縁層ＲＰａ１に位置する第４開口部ＯＰ１ａ、第５開口部ＯＰ２ａ、第６開口部ＯＰ３ａは、第１パッド部ＭＰａ１の第１層ＭＰａ１１、第２パッド部ＭＰａ２の第１層ＭＰａ２１、第３パッド部ＭＰａ３の第１層ＭＰａ３１になる第１金属層ＭＰ１と重なる。

【0083】

第１絶縁層ＩＬの第２面ＩＬｂに形成された第５絶縁層ＲＰｂ１に位置する第７開口部ＯＰ４、第８開口部ＯＰ５、第９開口部ＯＰ６は、第４パッド部ＭＰｂ１の第１層ＭＰｂ１１、第５パッド部ＭＰｂ２の第１層ＭＰｂ２１、第６パッド部ＭＰｂ３の第１層ＭＰｂ３１になる第３金属層ＭＰ３と重なる。

【0084】

図１６に示すように、第４絶縁層ＲＰａ１の第５開口部ＯＰ２ａ、第６開口部ＯＰ３ａを第１マスクＭＳ１で覆う。

【0085】

図１７に示すように、第４開口部ＯＰ１ａと重なる第１金属層ＭＰ１上に、第１メッキ層ＭＰ４ａ１と第２メッキ層ＭＰ５ａ１とを形成し、第５絶縁層ＲＰｂ１の第７開口部ＯＰ４、第８開口部ＯＰ５、第９開口部ＯＰ６と重なる第２金属層ＭＰ２上に、第３メッキ層ＭＰ４ｂと第４メッキ層ＭＰ５ｂとを形成する。

【0086】

第１メッキ層ＭＰ４ａ１と第２メッキ層ＭＰ５ａ１は、第１パッド部ＭＰａ１の第２層ＭＰａ１２と第３層ＭＰａ１３になる。

【0087】

第３メッキ層ＭＰ４ｂは、第４パッド部ＭＰｂ１の第２層ＭＰｂ１２、第５パッド部ＭＰｂ２の第２層ＭＰｂ２２、第６パッド部ＭＰｂ３の第２層ＭＰｂ３２になり、第４メッキ層ＭＰ５ｂは、第４パッド部ＭＰｂ１の第３層ＭＰｂ１３、第５パッド部ＭＰｂ２の第３層ＭＰｂ２３、第６パッド部ＭＰｂ３の第３層ＭＰｂ３３になる。

【0088】

図１８に示すように、第１マスクＭＳ１を除去し、図１９に示すように、第４絶縁層ＲＰａ１の第４開口部ＯＰ１ａを第２マスクＭＳ２で覆う。

【0089】

図２０に示すように、第４絶縁層ＲＰａ１の第５開口部ＯＰ２ａおよび第６開口部ＯＰ３ａと重なる第１金属層ＭＰ１上に、第５メッキ層ＭＰ４ａ２と第６メッキ層ＭＰ５ａ２とを形成する。

【0090】

第４絶縁層ＲＰａ１の第５開口部ＯＰ２ａ内に位置する第５メッキ層ＭＰ４ａ２と第６メッキ層ＭＰ５ａ２は、第２パッド部ＭＰａ２の第２層ＭＰａ２２と第３層ＭＰａ２３になり、第４絶縁層ＲＰａ１の第６開口部ＯＰ３ａ内に位置する第５メッキ層ＭＰ４ａ２と第６メッキ層ＭＰ５ａ２は、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ３２と第３層ＭＰａ３３になる。

【0091】

図２０に示した実施例による回路基板の製造方法では、第４絶縁層ＲＰａ１の第５開口部ＯＰ２ａおよび第６開口部ＯＰ３ａと重なる第１金属層ＭＰ１上に、第５メッキ層ＭＰ４ａ２と第６メッキ層ＭＰ５ａ２とをともに形成するものとして示したが、これに限定されず、第４絶縁層ＲＰａ１の第５開口部ＯＰ２ａと重なる第１金属層ＭＰ１上に、第５メッキ層ＭＰ４ａ２と第６メッキ層ＭＰ５ａ２とを形成する段階と、第４絶縁層ＲＰａ１の第６開口部ＯＰ３ａと重なる第１金属層ＭＰ１上に、第５メッキ層ＭＰ４ａ２と第６メッキ層ＭＰ５ａ２とを形成する段階は、ともに行われずに、別個に行われてもよい。また、第４絶縁層ＲＰａ１の第５開口部ＯＰ２ａと重なる第１金属層ＭＰ１上に形成される第５メッキ層ＭＰ４ａ２の厚さと、第４絶縁層ＲＰａ１の第６開口部ＯＰ３ａと重なる第１金属層ＭＰ１上に形成される第５メッキ層ＭＰ４ａ２の厚さとは、互いに異なって形成されてもよい。

【0092】

図２１に示すように、第２マスクＭＳ２を除去する。

【0093】

図２２に示すように、第４絶縁層ＲＰａ１をエッチングして除去することによって、第４絶縁層ＲＰａ１の高さを低くして、図１に示すように、第１絶縁層ＩＬの第１面ＩＬａに位置する第２絶縁層ＲＰａを完成して、第１パッド部ＭＰａ１、第２パッド部ＭＰａ２、第３パッド部ＭＰａ３の第２層ＭＰａ１２、ＭＰａ２２、ＭＰａ３２の上部分を第２絶縁層ＲＰａの表面上に突出するように形成する。

【0094】

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の詳細な説明および図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の技術範囲に属することは当然である。

【符号の説明】

【0095】

１００：回路基板
１０００：半導体パッケージ
２００：半導体装置
ＩＬ、ＲＰａ、ＲＰｂ、ＲＰＬＬ：絶縁層
ＭＰａ１、ＭＰａ２、ＭＰａ３、ＭＰｂ１、ＭＰｂ２、ＭＰｂ３：パッド部
ＭＰａ１１、ＭＰａ２１、ＭＰａ３１、ＭＰｂ１１、ＭＰｂ２１、ＭＰｂ３１：第１層
ＭＰａ１２、ＭＰａ２２、ＭＰａ３２、ＭＰｂ１２、ＭＰｂ２２、ＭＰｂ３２：第２層
ＭＰａ１３、ＭＰａ２３、ＭＰａ３３、ＭＰｂ１３、ＭＰｂ２３、ＭＰｂ３３：第３層
ＭＰＶ：ビア層
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３：ワイヤ部
ＭＰ１、ＭＰ２、ＭＰ３：金属層
ＭＰ４ａ１、ＭＰ５ａ１、ＭＰ４ａ２、ＭＰ５ａ２、ＭＰ４ｂ、ＭＰ５ｂ：メッキ層
ＣＬ：コア部
ＣＳ：キャリア基板
ＭＬ：薄膜金属層
ＳＬ、ＳＬ１：シード層
ＨＬ：ビアホール
ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３、ＯＰ１ａ、ＯＰ２ａ、ＯＰ３ａ、ＯＰ４、ＯＰ５、ＯＰ６：開口部
ＳＵＢ：基板部
ＭＳ１、ＭＳ２：マスク

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】