特開 2024-78843 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024078843

(43)【公開日】2024-06-11

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240604BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 648G

H01L21/304 651B

H01L21/304 647A

H01L21/304 651L

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022191422

(22)【出願日】2022-11-30

(71)【出願人】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】加藤 雅彦

(72)【発明者】

【氏名】東 克栄

(72)【発明者】

【氏名】大須賀 勤

【テーマコード（参考）】

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F157AA09

5F157AB02

5F157AB33

5F157AB45

5F157AB49

5F157AB51

5F157AB64

5F157AC03

5F157AC26

5F157BB23

5F157BB24

5F157BB45

5F157BF03

5F157BF32

5F157BF33

5F157BF34

5F157CB14

5F157CE04

5F157CE07

5F157CE25

5F157CE52

5F157DA21

5F157DB32

5F157DB33

5F157DB37

(57)【要約】

【課題】より短時間で基板の全面を適切に疎水化させることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板保持部２と、少なくとも一つの中央ノズル３と、第１疎水管３１ｈと、第１疎水調整弁３２ｈと、少なくとも一つの周縁ノズル４と、第２疎水管４１ｈと、第２疎水調整弁４２ｈと、制御部９とを備える。中央ノズル３は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面の中央部に向かって流体を吐出する。第１疎水調整弁３２ｈは、第１疎水管３１ｈを流れる疎水化液の第１疎水流量Ｆｈ１を調整する。周縁ノズル４は、基板Ｗの主面の周縁部に向かって流体を吐出する。第２疎水調整弁４２ｈは、第２疎水管４１ｈを流れる疎水化液の第２疎水流量Ｆｈ２を調整する。制御部９は第２疎水流量Ｆｈ２に対する第１疎水流量Ｆｈ１の疎水流量比を調整する。制御部９は第１期間における疎水流量比を第１期間の後の第２期間における疎水流量比よりも高くする。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を保持しつつ回転させる基板保持部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の主面の中央部に向かって流体を吐出する少なくとも一つの中央ノズルと、
前記流体としての疎水化液を前記中央ノズルに供給するための第１疎水管と、
前記第１疎水管を流れる疎水化液の第１疎水流量を調整する第１疎水調整弁と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の前記主面の周縁部に向かって流体を吐出する少なくとも一つの周縁ノズルと、
前記流体としての疎水化液を前記周縁ノズルに供給するための第２疎水管と、
前記第２疎水管を流れる疎水化液の第２疎水流量を調整する第２疎水調整弁と、
前記第１疎水調整弁および前記第２疎水調整弁を制御して、前記第２疎水流量に対する前記第１疎水流量の疎水流量比を調整する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記基板の前記主面に疎水化液を供給する疎水処理期間のうちの第１期間における前記疎水流量比を、前記疎水処理期間のうちの前記第１期間の後の第２期間における前記疎水流量比よりも高くする、基板処理装置。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記第１疎水調整弁および前記第２疎水調整弁を制御して、前記第１期間における前記第１疎水流量を、前記第１期間における前記第２疎水流量よりも大きくし、前記第２期間における前記第１疎水流量を、前記第２期間における前記第２疎水流量よりも小さくする、基板処理装置。

【請求項3】

請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記第１疎水調整弁および前記第２疎水調整弁を制御して、前記第１期間における前記第１疎水流量を、前記第２期間における前記第１疎水流量よりも大きくし、前記第１期間における前記第２疎水流量を、前記第２期間における前記第２疎水流量よりも小さくする、基板処理装置。

【請求項4】

請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記第１疎水調整弁および前記第２疎水調整弁を制御して、前記第１期間における前記第１疎水流量および前記第２疎水流量の和を、前記第２期間における前記第１疎水流量および前記第２疎水流量の和と等しくする、基板処理装置。

【請求項5】

請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記第２期間は前記第１期間よりも長い、基板処理装置。

【請求項6】

請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記第２期間における前記基板の回転速度は、前記第１期間における前記基板の回転速度よりも低い、基板処理装置。

【請求項7】

請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記周縁ノズルは固定ノズルであり、平面視において、前記基板の回転方向に沿う方向に前記疎水化液を吐出する、基板処理装置。

【請求項8】

請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記周縁ノズルを、前記基板の前記主面の前記周縁部と対向する周縁処理位置と、前記基板よりも径方向外側の周縁待機位置との間で移動させるノズル移動機構をさらに備える、基板処理装置。

【請求項9】

請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも一つの中央ノズルに接続され、前記少なくとも一つの中央ノズルに前記流体としての有機溶剤を供給するための第１溶剤管と、
前記第１溶剤管に介挿されており、前記第１溶剤管を流れる有機溶剤の第１溶剤流量を調整する第１溶剤調整弁と、
前記少なくとも一つの周縁ノズルに接続され、前記少なくとも一つの周縁ノズルに前記流体としての有機溶剤を供給するための第２溶剤管と、
前記第２溶剤管に介挿されており、前記第２溶剤管を流れる有機溶剤の第２溶剤流量を調整する第２溶剤調整弁と
をさらに備え、
前記制御部は、
前記第１溶剤調整弁および前記第２溶剤調整弁を制御して、前記第２溶剤流量に対する前記第１溶剤流量の溶剤流量比を調整し、
前記基板に有機溶剤を供給する溶剤処理期間のうちの第１溶剤期間における前記溶剤流量比を、前記溶剤処理期間のうちの前記第１溶剤期間よりも後の第２溶剤期間における前記溶剤流量比よりも高くする、基板処理装置。

【請求項10】

請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記第１疎水流量と前記第２疎水流量との和は、前記第１溶剤流量と前記第２溶剤流量との和よりも小さい、基板処理装置。

【請求項11】

請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも一つの中央ノズルに接続され、前記少なくとも一つの中央ノズルに前記流体としての不活性ガスを供給するための第１ガス管と、
前記第１ガス管に介挿されており、前記第１ガス管を流れる不活性ガスの第１ガス流量を調整する第１ガス調整弁と、
前記少なくとも一つの周縁ノズルに接続され、前記少なくとも一つの周縁ノズルに前記流体としての不活性ガスを供給するための第２ガス管と、
前記第２ガス管に介挿されており、前記第２ガス管を流れる不活性ガスの第２ガス流量を調整する第２ガス調整弁と
をさらに備える、基板処理装置。

【請求項12】

請求項１１に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記基板に不活性ガスを供給するガス処理期間において、前記第１ガス調整弁および前記第２ガス調整弁の開度を一定に制御する、基板処理装置。

【請求項13】

（ａ）基板を保持する工程と、
（ｂ）前記基板を回転させつつ、中央ノズルが前記基板の主面の中央部に向かって疎水化液を吐出し、周縁ノズルが前記基板の前記主面の周縁部に向かって前記疎水化液を吐出する工程と
を備え、
前記工程（ｂ）において、
前記基板の前記主面の前記周縁部に着液する前記疎水化液の第２疎水流量に対する、前記基板の前記主面の前記中央部に着液する前記疎水化液の第１疎水流量の疎水流量比を、第１期間よりも、前記第１期間の後の第２期間において小さくする、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来から、基板に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置が提案されている。該基板処理装置は、基板に処理液を用いた液処理を行った後に、揮発性の高いリンス液を基板に供給し、その後、該リンス液を蒸発させて基板を乾燥させる乾燥処理を行う。該乾燥処理では、リンス液の表面張力に起因して基板のパターンが倒壊する可能性がある。

【0003】

この基板のパターンの倒壊の発生を抑制することができる基板処理装置も提案されている（例えば特許文献１，２）。特許文献１，２では、基板処理装置は疎水化液を基板の表面に供給して基板の表面を疎水化させた後に、揮発性の高いリンス液を基板の表面に供給する。そして、基板処理装置はリンス液を蒸発させて基板を乾燥させる。これによれば、基板の表面が疎水化されるので、パターン間においてリンス液の液面の接触角が大きくなり、表面張力に起因したパターンへの倒壊応力を低減させることができる。このため、パターンの倒壊の発生を抑制しつつ、基板を乾燥させることができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１４－１９７５７１号公報

【特許文献2】特開２０２１－１２５４７３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

疎水化液を回転中の基板の中央部に着液させた場合、基板の周縁部に対する疎水化が不十分になるという問題がある。これは、基板の中央部に着液した疎水化液が基板の主面に沿って広がる際に、疎水化液がチャンバの内部空間の水分と反応することにより、疎水化液が失活するからと考えられる。疎水化液が基板の周縁部に到達した時点で失活していれば、疎水化液を長時間にわたって基板に供給し続けても、基板の周縁部を十分に疎水化させることができない。また、より短い処理時間で基板を疎水化することも望まれている。

【0006】

そこで、本開示は、より短時間で基板の全面をより適切に疎水化させることができる技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

第１の態様は、基板処理装置であって、基板を保持しつつ回転させる基板保持部と、前記基板保持部によって保持された前記基板の主面の中央部に向かって流体を吐出する少なくとも一つの中央ノズルと、前記流体としての疎水化液を前記中央ノズルに供給するための第１疎水管と、前記第１疎水管を流れる疎水化液の第１疎水流量を調整する第１疎水調整弁と、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記主面の周縁部に向かって流体を吐出する少なくとも一つの周縁ノズルと、前記流体としての疎水化液を前記周縁ノズルに供給するための第２疎水管と、前記第２疎水管を流れる疎水化液の第２疎水流量を調整する第２疎水調整弁と、前記第１疎水調整弁および前記第２疎水調整弁を制御して、前記第２疎水流量に対する前記第１疎水流量の疎水流量比を調整する制御部とを備え、前記制御部は、前記基板の前記主面に疎水化液を供給する疎水処理期間のうちの第１期間における前記疎水流量比を、前記疎水処理期間のうちの前記第１期間の後の第２期間における前記疎水流量比よりも高くする。

【0008】

第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記制御部は、前記第１疎水調整弁および前記第２疎水調整弁を制御して、前記第１期間における前記第１疎水流量を、前記第１期間における前記第２疎水流量よりも大きくし、前記第２期間における前記第１疎水流量を、前記第２期間における前記第２疎水流量よりも小さくする。

【0009】

第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記制御部は、前記第１疎水調整弁および前記第２疎水調整弁を制御して、前記第１期間における前記第１疎水流量を、前記第２期間における前記第１疎水流量よりも大きくし、前記第１期間における前記第２疎水流量を、前記第２期間における前記第２疎水流量よりも小さくする。

【0010】

第４の態様は、第３の態様にかかる基板処理装置であって、前記制御部は、前記第１疎水調整弁および前記第２疎水調整弁を制御して、前記第１期間における前記第１疎水流量および前記第２疎水流量の和を、前記第２期間における前記第１疎水流量および前記第２疎水流量の和と等しくする。

【0011】

第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記第２期間は前記第１期間よりも長い。

【0012】

第６の態様は、第１から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記第２期間における前記基板の回転速度は、前記第１期間における前記基板の回転速度よりも低い。

【0013】

第７の態様は、第１から第６のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記周縁ノズルは固定ノズルであり、平面視において、前記基板の回転方向に沿う方向に前記疎水化液を吐出する。

【0014】

第８の態様は、第１から第６のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記周縁ノズルを、前記基板の前記主面の前記周縁部と対向する周縁処理位置と、前記基板よりも径方向外側の周縁待機位置との間で移動させるノズル移動機構をさらに備える。

【0015】

第９の態様は、第１から第８のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記少なくとも一つの中央ノズルに接続され、前記少なくとも一つの中央ノズルに前記流体としての有機溶剤を供給するための第１溶剤管と、前記第１溶剤管に介挿されており、前記第１溶剤管を流れる有機溶剤の第１溶剤流量を調整する第１溶剤調整弁と、前記少なくとも一つの周縁ノズルに接続され、前記少なくとも一つの周縁ノズルに前記流体としての有機溶剤を供給するための第２溶剤管と、前記第２溶剤管に介挿されており、前記第２溶剤管を流れる有機溶剤の第２溶剤流量を調整する第２溶剤調整弁とをさらに備え、前記制御部は、前記第１溶剤調整弁および前記第２溶剤調整弁を制御して、前記第２溶剤流量に対する前記第１溶剤流量の溶剤流量比を調整し、前記基板に有機溶剤を供給する溶剤処理期間のうちの第１溶剤期間における前記溶剤流量比を、前記溶剤処理期間のうちの前記第１溶剤期間よりも後の第２溶剤期間における前記溶剤流量比よりも高くする。

【0016】

第１０の態様は、第９の態様にかかる基板処理装置であって、前記第１疎水流量と前記第２疎水流量との和は、前記第１溶剤流量と前記第２溶剤流量との和よりも小さい。

【0017】

第１１の態様は、第１から第１０のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記少なくとも一つの中央ノズルに接続され、前記少なくとも一つの中央ノズルに前記流体としての不活性ガスを供給するための第１ガス管と、前記第１ガス管に介挿されており、前記第１ガス管を流れる不活性ガスの第１ガス流量を調整する第１ガス調整弁と、前記少なくとも一つの周縁ノズルに接続され、前記少なくとも一つの周縁ノズルに前記流体としての不活性ガスを供給するための第２ガス管と、前記第２ガス管に介挿されており、前記第２ガス管を流れる不活性ガスの第２ガス流量を調整する第２ガス調整弁とをさらに備える。

【0018】

第１２の態様は、第１１の態様にかかる基板処理装置であって、前記制御部は、前記基板に不活性ガスを供給するガス処理期間において、前記第１ガス調整弁および前記第２ガス調整弁の開度を一定に制御する。

【0019】

第１３の態様は、基板処理方法であって、（ａ）基板を保持する工程と、（ｂ）前記基板を回転させつつ、中央ノズルが前記基板の主面の中央部に向かって疎水化液を吐出し、周縁ノズルが前記基板の前記主面の周縁部に向かって前記疎水化液を吐出する工程とを備え、前記工程（ｂ）において、前記基板の前記主面の前記周縁部に着液する前記疎水化液の第２疎水流量に対する、前記基板の前記主面の前記中央部に着液する前記疎水化液の第１疎水流量の疎水流量比を、第１期間よりも、前記第１期間の後の第２期間において小さくする。

【発明の効果】

【0020】

第１、第１０および第１３の態様によれば、第１期間では、疎水流量比が高い。このため、第１期間では、比較的に大きな流量で疎水化液が基板の中央部に着液する。したがって、基板の主面上に処理液が存在してたとしても、その処理液をより速やかに中央部から径方向外側に押し流すことができる。よって、基板の中央部において処理液を疎水化液により短時間で置換することができる。言い換えれば、疎水化液の使用量を低減させつつ、基板の中央部の処理液を疎水化液に置換することができる。また、基板の主面の中央部に対してより速やかに疎水化液を作用させることもできる。したがって、基板の中央部をより効果的に疎水化させることができる。

【0021】

一方、疎水化液は空気中の水分と反応して失活するので、基板の中央部に着液した疎水化液は、基板の周縁部に到達する際には失活し得る。このため、該疎水化液は基板の周縁に対して効果的に作用しない。また、基板の周縁部に向かって吐出される疎水化液の流量は比較的に小さいので、周縁部はあまり疎水化しない。

【0022】

第１期間では、疎水流量比が低い。このため、第２期間では、比較的に大きな流量で疎水化液が周縁部に供給される。このため、疎水化液は基板の周縁部に効果的に作用し、基板の周縁部を効果的に疎水化させることができる。

【0023】

第２の態様によれば、第１期間において、基板の主面上の処理液をさらに速やかに基板の径方向外側に押し流すことができつつ、基板の主面の中央部をさらに速やかに疎水化させることができ、第２期間において、さらに速やかに基板の主面の周縁部を疎水化させることができる。

【0024】

第３の態様によれば、第１期間における第１疎水流量および第２疎水流量の和と、第２期間における第１疎水流量および第２疎水流量の和との差異を低減させることができる。

【0025】

第４の態様によれば、第１期間における第１疎水流量および第２疎水流量の和と、第２期間における第１疎水流量および第２疎水流量の和との差異を解消させることができる。

【0026】

第５の態様によれば、基板の周縁部をより適切に疎水化させることができる。

【0027】

第６の態様によれば、基板の周縁部をより適切に疎水化させることができる。

【0028】

第７の態様によれば、基板の主面上での疎水化液の液はねを抑制することができる。

【0029】

第８の態様によれば、基板の主面に近い位置で疎水化液を基板の周縁部に吐出することができる。

【0030】

第９の態様によれば、第１溶剤期間では、溶剤流量比が高い。このため、第１溶剤期間では、比較的に大きな流量で有機溶剤が基板の中央部に着液する。したがって、基板の主面上の疎水化液をより速やかに中央部から径方向外側に押し流すことができる。よって、基板の中央部において疎水化液により速やかに有機溶剤に置換することができる。しかも、基板の主面上の周縁部にも有機溶剤が着液するので、基板の主面の全面をより適切に有機溶剤で覆うことができる。

【0031】

第２溶剤期間では、比較的に大きな流量で有機溶剤が基板の周縁部に着液する。このため、基板の周縁部における疎水化液をより効果的に有機溶剤に置換することができる。

【0032】

第１１の態様によれば、基板を速やかに乾燥させることができる。

【0033】

第１２の態様によれば、制御部の処理負荷を軽減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0034】

【図1】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図2】第１の実施の形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す縦断面図である。

【図3】処理ユニットの動作の一例を示すフローチャートである。

【図4】疎水化処理中の処理ユニットの様子の一例を概略的に示す図である。

【図5】第１疎水流量および第２疎水流量の時間変化の第１例を示すグラフである。

【図6】第１疎水流量および第２疎水流量の時間変化の第２例を示すグラフである。

【図7】第１の実施の形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図8】第２の実施の形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す図である。

【図9】プレ溶剤処理またはポスト溶剤処理中の処理ユニットの様子の一例を概略的に示す図である。

【図10】第１溶剤流量および第２溶剤流量の時間変化の一例を示すグラフである。

【図11】第２の実施の形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図12】第３の実施の形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図13】疎水化処理中の処理ユニットの様子の一例を概略的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0035】

以下、図面を参照しつつ実施の形態について詳細に説明する。なお図面においては、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また同様な構成及び機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。

【0036】

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

【0037】

また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序に限定されるものではない。

【0038】

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現が用いられる場合、該表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現が用いられる場合、該表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。

【0039】

＜第１の実施の形態＞
＜基板処理装置の全体構成＞
図１は、基板処理装置１００の構成の一例を概略的に示す平面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。

【0040】

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。以下では、基板Ｗが半導体ウエハであるものとする。基板Ｗは例えば円板形状を有している。基板Ｗの直径は例えば３００ｍｍ程度であり、基板Ｗの厚さは例えば０．５ｍｍ程度以上かつ３ｍｍ程度以下である。基板Ｗの主面にはパターンが形成されている。ここでいうパターンは、例えば、配線パターン、電極パターン、半導体パターンおよび絶縁パターンの少なくとも一つを含む。パターンにおけるアスペクト比は、例えば、５以上かつ５００以下である。パターン幅は、例えば、３ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下である。このような高アスペクト比のパターンは倒壊しやすい。

【0041】

図１の例では、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１０と、処理ブロック１２０と、制御部９とを含んでいる。処理ブロック１２０は、主として基板Ｗの処理を行う部分であり、インデクサブロック１１０は、主として、基板処理装置１００の外部と処理ブロック１２０との間での基板Ｗの搬送を行う部分である。

【0042】

インデクサブロック１１０は、ロードポート１１１と、第１搬送部１１２とを含んでいる。ロードポート１１１には、外部から搬入されたキャリアＣが載置される。つまり、ロードポート１１１は、キャリアＣを載置する載置台を含む。キャリアＣには、複数の基板Ｗが収容されている。例えば複数の基板Ｗは鉛直方向において互いに間隔を空けて並んだ状態で、キャリアＣに収容される。図１の例では、複数のロードポート１１１が配列されており、各ロードポート１１１に１つのキャリアＣが載置される。

【0043】

第１搬送部１１２は搬送ロボットであって、各ロードポート１１１に載置されたキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すことができる。第１搬送部１１２はインデクサロボットとも呼ばれ得る。第１搬送部１１２は、キャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを処理ブロック１２０に搬送する。処理ブロック１２０は該未処理の基板Ｗに処理を行うことができる。また、第１搬送部１１２は、処理済みの基板Ｗを処理ブロック１２０から受け取り、処理済みの基板Ｗをロードポート１１１のキャリアＣに搬送することができる。

【0044】

図１の例では、処理ブロック１２０は、複数の処理ユニット１と、第２搬送部１２２とを含んでいる。第２搬送部１２２は搬送ロボットであって、第１搬送部１１２と複数の処理ユニット１との間で基板Ｗを搬送することができる。図１の例では、処理ブロック１２０は載置部１２３も含んでいる。載置部１２３は第１搬送部１１２と第２搬送部１２２とに間に設けられている。載置部１２３は、例えば、複数の基板Ｗを鉛直方向に並べた状態で載置することができる棚である。第１搬送部１１２は未処理の基板Ｗを載置部１２３に載置する。第２搬送部１２２は載置部１２３から未処理の基板Ｗを取り出し、未処理の基板Ｗを処理ユニット１に搬送する。処理ユニット１は基板Ｗを処理する。処理ユニット１の構成については後に述べる。第２搬送部１２２は処理済みの基板Ｗを処理ユニット１から取り出し、処理済みの基板Ｗを載置部１２３に搬送する。第１搬送部１１２は載置部１２３から処理済みの基板Ｗを取り出し、処理済みの基板Ｗをロードポート１１１のキャリアＣに搬送する。

【0045】

第２搬送部１２２は必要に応じて複数の処理ユニット１間で基板Ｗを搬送してもよい。例えば、第２搬送部１２２は、ある処理ユニット１で処理された基板Ｗを別の処理ユニット１に搬送し、該別の処理ユニット１で処理された基板Ｗを載置部１２３に搬送してもよい。

【0046】

図１の例では、複数の処理ユニット１は平面視において第２搬送部１２２の周りを囲むように設けられている。この第２搬送部１２２はセンターロボットとも呼ばれ得る。図１の例では、４つの処理ユニット１が第２搬送部１２２を囲んでいる。各処理ユニット１が設けられた平面視上の各位置において、複数の処理ユニット１が鉛直方向に積層されていてもよい。つまり、鉛直方向に積層された複数の処理ユニット１によって構成されるタワーＴＷの複数（図では４つ）が、平面視において、第２搬送部１２２を囲むように設けられてもよい。

【0047】

制御部９は基板処理装置１００の各構成を制御することができる。制御部９は電子回路機器であって、例えば演算処理装置および記憶部を有していてもよい。演算処理装置は例えばＣＰＵ(Central Processor Unit)などの演算処理装置であってもよい。記憶部は非一時的な記憶部（例えばＲＯＭ(Read Only Memory)またはハードディスク）および一時的な記憶部（例えばＲＡＭ(Random Access Memory)）を有していてもよい。非一時的な記憶部には、例えば制御部９が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。処理装置がこのプログラムを実行することにより、制御部９が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部９が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。

【0048】

＜処理ユニットの概要＞
図２は、第１の実施の形態にかかる処理ユニット１の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。なお、基板処理装置１００に属する全ての処理ユニット１が、図２に例示された構成を有している必要はない。基板処理装置１００の少なくとも一つの処理ユニット１が、図２に例示された構成を有していればよい。

【0049】

処理ユニット１は、基板Ｗの主面を疎水化させる疎水化処理を行うことができる。図２の例では、処理ユニット１は、チャンバ１０と、基板保持部２と、少なくとも一つの中央ノズル３と、第１疎水管３１ｈと、第１疎水調整弁３２ｈと、少なくとも一つの周縁ノズル４と、第２疎水管４１ｈと、第２疎水調整弁４２ｈとを含んでいる。

【0050】

チャンバ１０は箱形の形状を有し、その内部空間は、基板Ｗを処理する処理空間に相当する。チャンバ１０には、開閉可能な搬出入口（不図示）が設けられる。第２搬送部１２２は搬出入口を通じて未処理の基板Ｗをチャンバ１０内に搬入し、また、搬出入口を通じて処理済みの基板Ｗをチャンバ１０から搬出する。

【0051】

基板保持部２はチャンバ１０内に設けられており、基板Ｗを水平姿勢で保持しつつ、基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。回転軸線Ｑ１は、基板Ｗの中心を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸である。このような基板保持部２はスピンチャックとも呼ばれ得る。ここでは、パターンが形成された基板Ｗの主面が鉛直上方を向いている。つまり、基板保持部２によって保持された基板Ｗの上面にパターンが形成されている。

【0052】

少なくとも一つの中央ノズル３はチャンバ１０内に設けられており、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面の中央部に向かって流体を吐出する。図２の例では、中央ノズル３の一つとして中央ノズル３ｈが示されている。中央ノズル３ｈは、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面の中央部に向かって流体としての疎水化液を吐出する。中央ノズル３ｈは、例えば、疎水化液を連続流の状態で吐出するストレートノズルである。図２の例では、中央ノズル３ｈは基板Ｗの上面に向かって疎水化液を吐出する。つまり、図２の例では、中央ノズル３ｈは、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも上方に位置している。中央ノズル３ｈから吐出された疎水化液は、基板Ｗの主面の中央部に着液する。

【0053】

疎水化液とは、基板Ｗに疎水性を付与する液体である。疎水化液は、例えば、シリコン系の疎水化液を含む。シリコン系の疎水化液は、シリコン（Ｓｉ）自体およびシリコンを含む化合物を疎水化させる疎水化液である。疎水化液は、例えば、液体状のシリル化剤（シランカップリング剤ともいう）を含むシリル化液である。このシリル化剤は、分子の一端に加水分解でシラノール基（Ｓｉ-ＯＨ）を与えるエトキシ（またはメトキシ）基を有し、他端にアミノ基やグリシジル基などの有機官能基を有する有機ケイ素化合物である。シリル化剤は、シリル化剤は、例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および非クロロ系疎水化液の少なくとも一つを含む。非クロロ系疎水化液は、たとえば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ－（トリメチルシリル）ジメチルアミンおよびオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。

【0054】

中央ノズル３ｈには第１疎水管３１ｈの下流端が接続されている。第１疎水管３１ｈの上流端は、不図示の疎水化液供給源に接続される。疎水化液供給源は、疎水化液を貯留するタンク（不図示）を含む。

【0055】

第１疎水調整弁３２ｈは第１疎水管３１ｈに介挿される。第１疎水調整弁３２ｈは、第１疎水管３１ｈを流れる疎水化液の流量、つまり、中央ノズル３ｈから吐出される疎水化液の流量を調整する。第１疎水調整弁３２ｈは例えばマスフローコントローラである。なお、後述の他の流量調整弁の具体的な一例にもマスフローコントローラを適用することができる。以下では、第１疎水管３１ｈを流れる疎水化液の流量、つまり、中央ノズル３ｈから吐出される疎水化液の流量を、第１疎水流量Ｆｈ１と呼ぶ。

【0056】

少なくとも一つの周縁ノズル４はチャンバ１０内に設けられており、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面の周縁部に向かって流体を吐出する。図２の例では、周縁ノズル４の一つとして周縁ノズル４ｈが示されている。周縁ノズル４ｈは、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面の周縁部に向かって流体としての疎水化液を吐出する。周縁ノズル４ｈは、例えば、疎水化液を連続流の状態で吐出するストレートノズルである。一例として、周縁ノズル４ｈは基板Ｗの上面に向かって疎水化液を吐出する。つまり、周縁ノズル４ｈは、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも上方に位置している。図２に示されるように、周縁ノズル４ｈは、平面視において、基板Ｗよりも径方向外側に設けられてもよい。周縁ノズル４ｈはチャンバ１０に対して移動不能に固定されていてもよい。つまり、周縁ノズル４ｈは固定ノズルであってもよい。周縁ノズル４ｈは例えば斜め下方に沿って疎水化液を吐出する。周縁ノズル４ｈから吐出された疎水化液は基板Ｗの主面の周縁部に着液する。

【0057】

周縁ノズル４ｈから吐出された疎水化液の基板Ｗの主面上の着液位置は、例えば、次に説明する仮想的な円環領域内にあってもよい。該円環領域の仮想的な中心は回転軸線Ｑ１と一致する。該円環領域の仮想的な外径は、例えば、基板Ｗの直径の９０％であってもよく、８０％であってもよく、７０％であってもよい。該円環領域の仮想的な内径は、例えば、基板Ｗの直径の１０％であってもよく、２０％であってもよく、３０％であってもよく、４０％であってもよい。

【0058】

周縁ノズル４ｈには第２疎水管４１ｈの下流端が接続されている。第２疎水管４１ｈの上流端は、不図示の疎水化液供給源に接続される。

【0059】

第２疎水調整弁４２ｈは第２疎水管４１ｈに介挿される。第２疎水調整弁４２ｈは、第２疎水管４１ｈを流れる疎水化液の流量、つまり、周縁ノズル４ｈから吐出される疎水化液の流量を調整する。以下では、第２疎水管４１ｈを流れる疎水化液の流量、つまり、周縁ノズル４ｈから吐出される疎水化液の流量を、第２疎水流量Ｆｈ２と呼ぶ。

【0060】

第１疎水調整弁３２ｈおよび第２疎水調整弁４２ｈは制御部９によって制御される。つまり、制御部９は第１疎水調整弁３２ｈおよび第２疎水調整弁４２ｈを制御して、中央ノズル３ｈおよび周縁ノズル４ｈからそれぞれ第１疎水流量Ｆｈ１および第２疎水流量Ｆｈ２で疎水化液を吐出させる。

【0061】

なお、第１疎水管３１ｈおよび第２疎水管４１ｈの少なくともいずれか一方には、疎水化液を加熱するヒータが設けられてもよい。ヒータは、例えば、電熱線を有する電気抵抗式のヒータであってもよく、加熱用の光を照射する光学式のヒータであってもよい。該ヒータは、疎水化液の温度を疎水化処理に適した温度まで昇温させてもよい。

【0062】

図２の例では、第１疎水管３１ｈには第１疎水開閉弁３３ｈが介挿され、第２疎水管４１ｈには第２疎水開閉弁４３ｈが介挿されている。第１疎水開閉弁３３ｈは第１疎水管３１ｈの流路の開閉を切り替える。第２疎水開閉弁４３ｈは第２疎水管４１ｈの流路の開閉を切り替える。第１疎水開閉弁３３ｈおよび第２疎水開閉弁４３ｈは制御部９によって制御される。

【0063】

第１疎水開閉弁３３ｈおよび第２疎水開閉弁４３ｈの少なくともいずれか一方が開くことにより、基板Ｗの主面に疎水化液が供給される。以下では、疎水化液が基板Ｗに供給される処理期間を疎水処理期間とも呼ぶ。

【0064】

制御部９は、疎水処理期間において、第１疎水調整弁３２ｈおよび第２疎水調整弁４２ｈを制御して、第２疎水流量Ｆｈ２に対する第１疎水流量Ｆｈ１の比（＝Ｆｈ１／Ｆｈ２）を調整する。以下では、当該比を疎水流量比と呼ぶ。後に詳述するように、制御部９は、第１疎水調整弁３２ｈおよび第２疎水調整弁４２ｈを制御して、疎水処理期間の一部の第１期間における疎水流量比を、疎水処理期間のうちの第１期間よりも後の第２期間における疎水流量比よりも高くする。この技術的な意義については後に詳述する。

【0065】

＜処理ユニットの具体的な構成の一例＞
図２を参照して、処理ユニット１のより具体的な構成の一例を説明する。図２の例では、ファンフィルタユニット１１がチャンバ１０の天井部に設けられている。ファンフィルタユニット１１は、チャンバ１０の外部の空気を取り込んで清浄化し、その清浄化後の空気をチャンバ１０の内部に送風する装置である。ファンフィルタユニット１１は制御部９によって制御される。ファンフィルタユニット１１の作動により、チャンバ１０内には清浄な空気によるダウンフローが形成される。

【0066】

図２の例では、処理ユニット１には排気ダクト１３が設けられている。図２の例では、排気ダクト１３はチャンバ１０の側壁のうち下側部分に接続されている。チャンバ１０内のガスは排気ダクト１３を通じて外部に排出される。

【0067】

図２の例では、基板保持部２は、スピンベース２１と、複数のチャックピン２２と、回転機構２３とを含んでいる。スピンベース２１は円板形状を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。スピンベース２１は、その中心が回転軸線Ｑ１と一致する位置に設けられている。複数のチャックピン２２は、回転軸線Ｑ１についての周方向に沿って等間隔で、スピンベース２１の周縁部に立設される。各チャックピン２２は、次に説明する当接位置と離間位置との間で移動可能に設けられている。当接位置は、チャックピン２２が基板Ｗの周縁に当接する位置である。各チャックピン２２が当接位置に位置する状態では、複数のチャックピン２２が基板Ｗを保持することができる。離間位置は、チャックピン２２が基板Ｗから離れた位置である。各チャックピン２２が離間位置に位置する状態では、複数のチャックピン２２による基板Ｗの保持が解除される。なお、基板保持部２は必ずしもチャックピン２２を含んでいる必要はなく、例えば、ベルヌーイチャック、吸引チャックもしくは静電チャックによって基板Ｗを保持してもよい。

【0068】

回転機構２３は基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。図２の例では、回転機構２３はシャフト２３１とモータ２３２とを含んでいる。シャフト２３１の上端はスピンベース２１の下面に接続されており、回転軸線Ｑ１に沿って延びている。モータ２３２はシャフト２３１を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。これにより、シャフト２３１に固定されたスピンベース２１が回転軸線Ｑ１のまわりで回転し、複数のチャックピン２２によって保持された基板Ｗも回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。

【0069】

図２の例では、処理ユニット１は、チャンバ１０内に設けられた薬液ノズル６も含んでいる。薬液ノズル６は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面（ここでは上面）に向かって薬液を吐出する。薬液ノズル６は、例えば、薬液を連続流の状態で吐出するストレートノズルである。薬液は、酸性薬液またはアルカリ性薬液であってもよい。具体的な一例として、薬液には、希弗酸、弗酸と過酸化水素水との混合液またはリン酸を適用することができる。

【0070】

薬液ノズル６には薬液管６１の下流端が接続されている。薬液管６１の上流端は不図示の薬液供給源に接続される。薬液供給源は、薬液を貯留する不図示のタンクを含む。薬液管６１には薬液調整弁６２および薬液開閉弁６３が介挿されている。薬液調整弁６２は、薬液管６１を流れる薬液の流量を調整する。薬液開閉弁６３は、薬液管６１の流路の開閉を切り替える。薬液調整弁６２および薬液開閉弁６３は制御部９によって制御される。

【0071】

図２の例では、処理ユニット１には、薬液ノズル６を移動させるノズル移動機構６５が設けられている。ノズル移動機構６５は薬液ノズル６を次に説明する薬液処理位置と薬液待機位置との間で移動させる。薬液処理位置は、薬液ノズル６が、基板保持部２によって保持された基板Ｗに向かって薬液を吐出する位置であり、例えば、基板Ｗの主面の中央部と鉛直方向において対向する位置である。薬液待機位置は、薬液ノズル６が薬液を基板Ｗに向かって吐出しない位置であり、例えば、基板Ｗよりも径方向外側の位置である。図２の例では、薬液待機位置で停止する薬液ノズル６が示されている。例えば、ノズル移動機構６５は駆動源としてのモータを含む。ノズル移動機構６５の具体的な構成の一例は、後述のノズル移動機構３５の具体的な構成の一例と同様である。

【0072】

薬液処理位置で停止した薬液ノズル６から吐出された薬液が回転中の基板Ｗの主面の中央部に着液すると、薬液が基板Ｗの主面上で広がり、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。このとき、薬液が基板Ｗの主面に作用する。これにより、薬液に応じた処理が基板Ｗに対して行われる。例えば、基板Ｗの主面に付着した異物を除去する処理（洗浄処理）が行われる。

【0073】

図２の例では、処理ユニット１は中央ノズル３としての中央ノズル３ｒおよび中央ノズル３ｉも含んでいる。中央ノズル３ｒは、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面の中央部に向かってリンス液を吐出する。中央ノズル３ｒは、例えば、リンス液を連続流の状態で吐出するストレートノズルである。図２の例では、中央ノズル３ｒは基板Ｗの上面に向かってリンス液を吐出する。つまり、中央ノズル３ｒは、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも上方に位置している。中央ノズル３ｒから吐出されたリンス液は、基板Ｗの主面の中央部に着液する。リンス液は、例えば、純水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および、塩酸水（希釈濃度が１０～１００ｐｐｍ程度の塩酸水）のうちのいずれかである。

【0074】

中央ノズル３ｒには第１リンス管３１ｒの下流端が接続されている。第１リンス管３１ｒの上流端は、不図示のリンス液供給源に接続される。リンス液供給源は、リンス液を貯留するタンク（不図示）を含む。第１リンス管３１ｒには第１リンス調整弁３２ｒおよび第１リンス開閉弁３３ｒが介挿されている。第１リンス調整弁３２ｒは、第１リンス管３１ｒを流れるリンス液の流量を調整する。第１リンス開閉弁３３ｒは、第１リンス管３１ｒの流路の開閉を切り替える。第１リンス調整弁３２ｒおよび第１リンス開閉弁３３ｒは制御部９によって制御される。

【0075】

中央ノズル３ｒから吐出されたリンス液が回転中の基板Ｗの主面の中央部に着液すると、リンス液が基板Ｗの主面上で広がり、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。リンス液は基板Ｗの主面上の薬液を外側に押し流すことができる（リンス処理）。これにより、基板Ｗの主面上の薬液をリンス液に置換することができる。

【0076】

中央ノズル３ｉは、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面の中央部に向かって有機溶剤を吐出する。中央ノズル３ｉは、例えば、有機溶剤を連続流の状態で吐出するストレートノズルである。図２の例では、中央ノズル３ｉは基板Ｗの上面に向かって有機溶剤を吐出する。つまり、中央ノズル３ｉは、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも上方に位置している。中央ノズル３ｉから吐出された有機溶剤は、基板Ｗの主面の中央部に着液する。

【0077】

有機溶剤は例えばイソプロピルアルコールである。有機溶剤の揮発性はリンス液の揮発性よりも高い。なお、有機溶剤には、メチルアルコール、エタノールおよびプロピルアルコール等のアルコールを採用することもできる。有機溶剤として、その他、ケトン、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、ＥＧＭＥＡ（エチレングリコールモノメチルエーテル）、およびフッ素系溶剤の少なくとも一つを採用することができる。

【0078】

中央ノズル３ｉには第１溶剤管３１ｉの下流端が接続されている。第１溶剤管３１ｉの上流端は、不図示の有機溶剤供給源に接続される。有機溶剤供給源は、有機溶剤を貯留するタンク（不図示）を含む。第１溶剤管３１ｉには第１溶剤調整弁３２ｉおよび第１溶剤開閉弁３３ｉが介挿されている。第１溶剤調整弁３２ｉは、第１溶剤管３１ｉを流れる有機溶剤の流量を調整する。第１溶剤開閉弁３３ｉは、第１溶剤管３１ｉの流路の開閉を切り替える。第１溶剤調整弁３２ｉおよび第１溶剤開閉弁３３ｉは制御部９によって制御される。

【0079】

中央ノズル３ｉから吐出された有機溶剤が回転中の基板Ｗの主面の中央部に着液すると、有機溶剤が基板Ｗの主面上で広がり、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。有機溶剤は基板Ｗの主面上の液体（例えばリンス液または疎水化液）を外側に押し流すことができる（溶剤処理）。これにより、基板Ｗの主面上の液体を有機溶剤に置換することができる。

【0080】

図２の例では、処理ユニット１は中央ノズル３としての中央ノズル３ｇも含んでいる。中央ノズル３ｇは、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面の中央部に向かって不活性ガスを吐出する。図２の例では、中央ノズル３ｇは基板Ｗの上面に向かって不活性ガスを吐出する。つまり、中央ノズル３ｇは、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも上方に位置している。不活性ガスは、例えば、窒素ガスおよび希ガスの少なくともいずれかを含む。希ガスは、例えば、アルゴンガスを含む。

【0081】

図２の例では、中央ノズル３ｈ、中央ノズル３ｒ、中央ノズル３ｉおよび中央ノズル３ｇは一体に構成されている。図２の例では、中央ノズル３ｈ、中央ノズル３ｒおよび中央ノズル３ｉは、中央ノズル３ｇの内部流路に配置されている。中央ノズル３ｈ、中央ノズル３ｒおよび中央ノズル３ｉは水平方向において互いに隣り合う位置に設けられており、例えば中央ノズル３ｇの上端部に固定される。中央ノズル３ｇの内部流路は下方において開口している。このため、中央ノズル３ｈから吐出された疎水化液は、中央ノズル３ｇの下方の開口から基板Ｗの上面に向かって流下する。中央ノズル３ｒからのリンス液および中央ノズル３ｉからの有機溶剤も同様に、それぞれ、中央ノズル３ｇの下方の開口から基板Ｗの上面に向かって流下する。

【0082】

中央ノズル３ｇの内部流路は、第１ガス管３１ｇの下流端に接続されている。第１ガス管３１ｇの上流端は、不図示のガス供給源に接続される。ガス供給源は、不活性ガスを貯留する貯留部（不図示）を含む。第１ガス管３１ｇには第１ガス調整弁３２ｇおよび第１ガス開閉弁３３ｇが介挿されている。第１ガス調整弁３２ｇは、第１ガス管３１ｇを流れる不活性ガスの流量を調整する。第１ガス開閉弁３３ｇは、第１ガス管３１ｇの流路の開閉を切り替える。第１ガス調整弁３２ｇおよび第１ガス開閉弁３３ｇは制御部９によって制御される。

【0083】

中央ノズル３ｇから吐出された不活性ガスが回転中の基板Ｗの主面の中央部に衝突すると、不活性ガスは基板Ｗの主面に沿って径方向外側に流れる。このように不活性ガスが基板Ｗの主面に供給されることにより、基板Ｗの主面の乾燥を促進させることができる。

【0084】

図２の例では、処理ユニット１には、中央ノズル３を移動させるノズル移動機構３５が設けられている。ここでは、ノズル移動機構３５は、中央ノズル３ｈ、中央ノズル３ｒ、中央ノズル３ｉおよび中央ノズル３ｇを一体に移動させる。以下では、中央ノズル３ｈ、中央ノズル３ｉ、中央ノズル３ｒおよび中央ノズル３ｇからなる構成を、中央ノズルヘッドとも呼ぶ。ノズル移動機構３５は中央ノズルヘッドを次に説明する中央処理位置とヘッド待機位置との間で移動させる。中央処理位置とは、中央ノズル３の少なくともいずれか一つが、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面の中央部に向かって流体を吐出する位置であり、例えば、基板Ｗの中央部と鉛直方向において対向する位置である。ヘッド待機位置とは、各中央ノズル３が流体を基板Ｗの主面に向かって吐出しない位置であり、例えば、基板Ｗよりも径方向外側の位置である。

【0085】

図２の例では、ノズル移動機構３５は、アーム３５１と、支持柱３５２と、駆動源３５３とを含んでいる。支持柱３５２は、後述のガード部７よりも径方向外側に設けられており、鉛直方向に沿って延びている。アーム３５１は水平方向に沿って延びており、その先端が中央ノズルヘッドに接続され、その基端が支持柱３５２に接続されている。駆動源３５３は、支持柱３５２をその中心軸Ｑ２のまわりで回動させる。駆動源３５３は例えばモータを含む。支持柱３５２が中心軸Ｑ２のまわりで回動すると、中央ノズルヘッドは、中心軸Ｑ２についての周方向に沿って移動する。支持柱３５２は、中央ノズルヘッドの移動軌跡上に中央処理位置およびヘッド待機位置が位置するように、設置される。なお、ノズル移動機構３５は必ずしも図２の態様に限らず、例えばリニアモータ等の直動機構を含んでいてもよい。

【0086】

図２の例では、処理ユニット１には、基板Ｗの周縁から飛散した各種の処理液を受け止めるガード部７が設けられている。ここでいう処理液とは、薬液、リンス液および有機溶剤の総称である。ガード部７は少なくとも一つのガード７１を含む。ガード７１は、基板保持部２によって保持された基板Ｗを囲む筒状（例えば円筒状）の形状を有している。図２の例では、ガード部７は、同心状に配置された複数（図では３つ）のガード７１を含んでいる。

【0087】

複数のガード７１の各々はガード昇降機構７３によって、次に説明するガード処理位置とガード待機位置との間で昇降する。ガード処理位置は、ガード７１の上端が、基板保持部２によって保持された基板Ｗの上面よりも鉛直上方となる位置である。ガード７１がガード処理位置で停止した状態では、基板Ｗの周縁から飛散した処理液はガード７１の内周面で受け止められる。ガード待機位置は、ガード処理位置よりも低い位置であり、例えば、ガード７１の上端がスピンベース２１の上面よりも下方となる位置である。ガード昇降機構７３は、例えば、駆動源としてのモータと、駆動機構としてのボールねじ機構とを含んでいてもよい。あるいは、ガード昇降機構７３はエアシリンダーを含んでいてもよい。

【0088】

図２の例では、ガード部７は、各ガード７１に対応した排液槽７２を含んでいる。各排液槽７２は、対応するガード７１の内周面に沿って流下した処理液を受け止める。各排液槽７２の底面には、排液管１２の上流端が接続されている。該処理液は排液槽７２から排液管１２を通じて回収される。

【0089】

処理ユニット１には、基板保持部２によって保持された基板Ｗを加熱するヒータ（不図示）が設けられてもよい。例えば、スピンベース２１と基板Ｗとの間にヒータが設けられてもよい。ヒータは、例えば、電熱線を有する電気抵抗式のヒータであってもよく、加熱用の電磁波を照射する光学式のヒータであってもよい。また、ヒータは、高温の流体を基板Ｗの例えば下面に供給することで、基板Ｗを加熱してもよい。ヒータは、各処理液に適した温度となるように基板Ｗを加熱してもよい。

【0090】

＜基板処理装置の動作の一例＞
次に処理ユニット１の動作の一例について説明する。図３は、処理ユニット１の動作の一例を示すフローチャートである。まず、第２搬送部１２２が基板Ｗを処理ユニット１に搬送し、基板保持部２が、第２搬送部１２２から受け取った基板Ｗを保持する（ステップＳ１：保持工程）。

【0091】

次に、基板保持部２は基板Ｗの回転を開始する（ステップＳ２：回転工程）。これにより、基板Ｗは回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。基板保持部２は、基板Ｗに対する一連の処理が終了するまで基板Ｗの回転を継続してもよい。

【0092】

次に、処理ユニット１は薬液処理を行う（ステップＳ３：薬液工程）。具体的には、まず、ガード昇降機構７３は、薬液に応じたガード７１をガード処理位置に移動させ、ノズル移動機構６５は薬液ノズル６を薬液処理位置に移動させる。そして、薬液開閉弁６３が開く。これにより、薬液ノズル６が回転中の基板Ｗの主面に向かって薬液を吐出する。薬液は基板Ｗの主面の中央部に着液し、基板Ｗの主面上で広がって基板Ｗの周縁から飛散する。薬液は、薬液に応じたガード７１の内周面で受け止められる。このとき、薬液が基板Ｗの主面に作用することにより、薬液に応じた処理が基板Ｗの主面に対して行われる。薬液の供給開始から所定の薬液処理時間が経過すると、薬液開閉弁６３が閉じる。時間は、例えば制御部９に属するタイマ回路（不図示）によって計測され得る。薬液開閉弁６３が閉じることにより、薬液処理が実質的に終了する。そして、ノズル移動機構６５は薬液ノズル６を薬液待機位置に移動させる。

【0093】

次に、処理ユニット１はリンス処理を行う（ステップＳ４：リンス工程）。具体的には、まず、ノズル移動機構３５は中央ノズルヘッドを中央処理位置に移動させる。リンス液に応じたガード７１が薬液に応じたガード７１と異なる場合には、ガード昇降機構７３は、リンス液に応じたガード７１をガード処理位置に移動させる。そして、第１リンス開閉弁３３ｒが開く。これにより、中央ノズル３ｒは基板Ｗの主面の中央部に向かってリンス液を吐出する。リンス液の流量は、例えば、１５００ｃｃｍ程度以上かつ２０００ｃｃｍ程度以下に設定される。リンス液は基板Ｗの主面の中央部に着液し、基板Ｗの主面上で広がって基板Ｗの周縁から外側に飛散する。リンス液は、リンス液に応じたガード７１の内周面で受け止められる。基板Ｗの主面の中央部に着液したリンス液は基板Ｗの主面上の薬液を径方向外側に押し流すので、基板Ｗの主面の薬液をリンス液に置換することができる。リンス液の供給開始から所定のリンス処理時間が経過すると、第１リンス開閉弁３３ｒが閉じる。これにより、リンス処理が実質的に終了する。

【0094】

次に、処理ユニット１はプレ溶剤処理を行う（ステップＳ５：プレ溶剤工程）。具体的には、有機溶剤に応じたガード７１がリンス液に応じたガード７１と異なる場合には、ガード昇降機構７３は、有機溶剤に応じたガード７１をガード処理位置に移動させる。そして、第１溶剤開閉弁３３ｉが開く。これにより、中央ノズル３ｉは回転中の基板Ｗの主面の中央部に向かって有機溶剤を吐出する。有機溶剤の流量はリンス液の流量よりも小さく、例えば、リンス液の流量の２分の１以下、もしくは、３分の１以下に設定される。より具体的な一例として、有機溶剤の流量は２００ｃｃｍよりも大きく、かつ、４００ｃｃｍ以下に設定され、例えば３００ｃｃｍ程度に設定される。有機溶剤は基板Ｗの主面の中央部に着液し、基板Ｗの主面上で広がって基板Ｗの周縁から外側に飛散する。有機溶剤は、有機溶剤に応じたガード７１の内周面で受け止められる。基板Ｗの主面の中央部に着液した有機溶剤は基板Ｗの主面上のリンス液を径方向外側に押し流すので、基板Ｗの主面上のリンス液を有機溶剤に置換することができる。有機溶剤の供給開始から所定のプレ処理時間が経過すると、第１溶剤開閉弁３３ｉが閉じる。これにより、プレ溶剤処理が実質的に終了する。

【0095】

次に、処理ユニット１は疎水化処理を行う（ステップＳ６：疎水化工程）。具体的には、疎水化液に応じたガード７１が有機溶剤に応じたガード７１と異なる場合には、ガード昇降機構７３は、疎水化液に応じたガード７１をガード処理位置に移動させる。そして、第１疎水開閉弁３３ｈおよび第２疎水開閉弁４３ｈが開く。これにより、中央ノズル３ｈおよび周縁ノズル４ｈは回転中の基板Ｗの主面に向かって疎水化液を吐出する。中央ノズル３ｈから吐出された疎水化液は基板Ｗの主面の中央部に着液し、基板Ｗの主面上で広がって基板Ｗの周縁から外側に飛散する。周縁ノズル４ｈから吐出された疎水化液は基板Ｗの主面の周縁部に着液し、基板Ｗの主面上で径方向外側に流れて、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。疎水化液は、疎水化液に応じたガード７１の内周面で受け止められる。

【0096】

疎水化液は基板Ｗの主面上の有機溶剤を押し流すことができるので、基板Ｗの主面上の有機溶剤を疎水化液に置換することができる。また、このとき、疎水化液は基板Ｗの主面に作用して、基板Ｗの主面に、疎水性を有する疎水膜を形成する。つまり、基板Ｗの主面が疎水化する。

【0097】

制御部９は、疎水化液を基板Ｗに供給する疎水処理期間Ｔｈにおいて、第１疎水調整弁３２ｈおよび第２疎水調整弁４２ｈを制御して、第１疎水流量Ｆｈ１と第２疎水流量Ｆｈ２との疎水流量比（＝Ｆｈ１／Ｆｈ２）を変化させる。なお、第１疎水流量Ｆｈ１と第２疎水流量Ｆｈ２との和は、例えば、リンス液の流量よりも小さく、また、有機溶剤の流量よりも小さく設定される。第１疎水流量Ｆｈ１と第２疎水流量Ｆｈ２との和は、例えば、リンス液の流量の５分の１以下もしくは１０分の１以下に設定される。より具体的な一例として、第１疎水流量Ｆｈ１と第２疎水流量Ｆｈ２との和は、５０ｃｃｍ程度以上２００ｃｃｍ程度以下に設定され、例えば、１５０ｃｃｍ程度に設定される。

【0098】

図４は、疎水化処理中の処理ユニット１の様子の一例を概略的に示す図であり、図５は、第１疎水流量Ｆｈ１および第２疎水流量Ｆｈ２の時間変化の第１例を示すグラフである。図５の例では、疎水処理期間Ｔｈは、期間Ｔｈ１、期間Ｔｈ２および期間Ｔｈ３によって構成される。ここでは、期間Ｔｈ２は期間Ｔｈ１に続く期間であり、期間Ｔｈ３は期間Ｔｈ２に続く期間である。図４（ａ）は、期間Ｔｈ１における処理ユニット１の様子の一例を示し、図４（ｂ）は、期間Ｔｈ２における処理ユニット１の様子の一例を示し、図４（ｃ）は、期間Ｔｈ３における処理ユニット１の様子の一例を示している。図４（ａ）から図４（ｃ）の例では、中央ノズル３ｈから吐出される疎水化液の第１疎水流量Ｆｈ１および周縁ノズル４ｈから吐出される疎水化液の第２疎水流量Ｆｈ２の大小を、液柱状の疎水化液の幅で模式的に示している。

【0099】

図４および図５に示されるように、制御部９は、期間Ｔｈ１における疎水流量比（＝Ｆｈ１／Ｆｈ２）を期間Ｔｈ２における疎水流量比よりも高くし、期間Ｔｈ２における疎水流量比を期間Ｔｈ３における疎水流量比よりも高くする。つまり、制御部９は、疎水流量比が時間の経過に応じて低減するように、第１疎水調整弁３２ｈおよび第２疎水調整弁４２ｈを制御する。期間Ｔｈ１における疎水流量比は例えば１．５以上であってもよい。なお、期間Ｔｈ１における第２疎水流量Ｆｈ２はゼロであってもよい。期間Ｔｈ２における疎水流量比は例えば０．８以上かつ１．５未満であってもよい。期間Ｔｈ３における疎水流量比は例えば０．０１以上かつ０．８未満であってもよい。

【0100】

期間Ｔｈ１、期間Ｔｈ２および期間Ｔｈ３の長さ（つまり時間）は例えば予め設定され、制御部９の記憶部に記憶されていてもよい。

【0101】

図５の例では、制御部９は、期間Ｔｈ１における第１疎水流量Ｆｈ１が期間Ｔｈ２における第１疎水流量Ｆｈ１よりも大きく、かつ、期間Ｔｈ２における第１疎水流量Ｆｈ１が期間Ｔｈ３における第１疎水流量Ｆｈ１よりも大きくなるように、第１疎水調整弁３２ｈを制御する。つまり、図５の例では、制御部９は、第１疎水流量Ｆｈ１が時間の経過に応じて低減するように、第１疎水調整弁３２ｈを制御する。

【0102】

また、図５の例では、制御部９は、期間Ｔｈ１における第２疎水流量Ｆｈ２が期間Ｔｈ２における第２疎水流量Ｆｈ２よりも小さく、かつ、期間Ｔｈ２における第２疎水流量Ｆｈ２が期間Ｔｈ３における第２疎水流量Ｆｈ２よりも小さくなるように、第２疎水調整弁４２ｈを制御する。つまり、図５の例では、制御部９は、第２疎水流量Ｆｈ２が時間の経過に応じて増加するように、第２疎水調整弁４２ｈを制御する。

【0103】

また、図５の例では、制御部９は、期間Ｔｈ１における第１疎水流量Ｆｈ１が期間Ｔｈ１における第２疎水流量Ｆｈ２よりも大きく、期間Ｔｈ２における第１疎水流量Ｆｈ１および第２疎水流量Ｆｈ２が互いに等しく、かつ、期間Ｔｈ３における第１疎水流量Ｆｈ１が期間Ｔｈ３における第２疎水流量Ｆｈ２よりも小さくなるように、第１疎水調整弁３２ｈおよび第２疎水調整弁４２ｈを制御する。つまり、図５の例では、制御部９は、第１疎水流量Ｆｈ１および第２疎水流量Ｆｈ２の大小関係が時間の経過に応じて逆転するように、第１疎水調整弁３２ｈおよび第２疎水調整弁４２ｈを制御する。

【0104】

以上のように、疎水処理期間のうちの第１期間（例えば期間Ｔｈ１）では、疎水流量比は比較的に高い。このため、基板Ｗの中央部により大量の疎水化液が着液し、基板Ｗの周縁部により少量の疎水化液が着液する。したがって、大量の疎水化液が基板Ｗの主面上の有機溶剤を中央部から外側に押し流すことができる。したがって、基板Ｗの主面の中央部上の有機溶剤をより速やかに疎水化液に置換することができる。

【0105】

また、中央部に着液したより大量の疎水化液は、基板Ｗの中央部から外側に有機溶剤を押し流しつつ、基板Ｗの主面に作用して基板Ｗの主面を疎水化させる。この反応により、疎水化液は基板Ｗの疎水化に要する成分が消費されるうえ、該成分はチャンバ１０の内部空間の水分とも反応するので、基板Ｗの中央部から周縁部に向かうにつれて、疎水化液の活性の程度は低下する。つまり、中央部に着液した疎水化液は基板Ｗの周縁部に向かうにつれて失活する。

【0106】

本実施の形態では、周縁ノズル４からの疎水化液が基板Ｗの周縁部に着液する。このため、ほとんど失活していない疎水化液が基板Ｗの周縁部に作用することができ、基板Ｗの周縁部の疎水化に寄与する。ただし、第１期間（例えば期間Ｔｈ１）において、周縁部には、比較的に少量の疎水化液が着液するので、主として基板Ｗの中央部に対する疎水化が進行する。

【0107】

第２期間（例えば期間Ｔｈ２もしくは期間Ｔｈ３）における疎水流量比は第１期間（例えば期間Ｔｈ１）における疎水流量比に比べて低い。図５の例では、期間Ｔｈ２では、第１疎水流量Ｆｈ１および第２疎水流量Ｆｈ２は互いに等しい。このため、期間Ｔｈ２において、互いに同程度の流量で基板Ｗの中央部および周縁部に疎水化液が着液する。したがって、基板Ｗの中央部および周縁部に対する疎水化が互いに同程度に進行する。

【0108】

図５の例では、期間Ｔｈ３における疎水流量比は期間Ｔｈ２における疎水流量比に比べて低い。このため、期間Ｔｈ３においては、より少量の疎水化液が基板Ｗの中央部に着液し、より大量の疎水化液が基板Ｗの周縁部に着液する。このため、期間Ｔｈ３では、主として基板Ｗの周縁部に対する疎水化が進行する。したがって、基板Ｗの周縁部も適切に疎水化することができる。また、期間Ｔｈ３でも疎水化液が基板Ｗの中央部に着液するので、疎水化液が基板Ｗの主面の全面を覆うことができる。したがって、基板Ｗの主面に不純物が付着する可能性を低減させることができる。

【0109】

期間Ｔｈ３が経過すると、第１疎水開閉弁３３ｈおよび第２疎水開閉弁４３ｈが閉じる。これにより、疎水化処理が実質的に終了する。

【0110】

次に、処理ユニット１はポスト溶剤処理を行う（ステップＳ７：ポスト溶剤工程）。具体的には、疎水化液に応じたガード７１が有機溶剤に応じたガード７１と相違している場合には、ガード昇降機構７３は、有機溶剤に応じたガード７１をガード処理位置に移動せる。そして、第１溶剤開閉弁３３ｉが開く。これにより、中央ノズル３ｉが有機溶剤を回転中の基板Ｗの主面の中央部に向かって吐出する。有機溶剤の流量は、例えば、プレ溶剤工程で説明した範囲と同様の範囲内で設定される。有機溶剤は基板Ｗの主面の中央部に着液し、基板Ｗの主面上で広がって基板Ｗの周縁から外側に飛散する。有機溶剤は、有機溶剤に応じたガード７１の内周面で受け止められる。基板Ｗの中央部に着液した有機溶剤は基板Ｗの主面上の疎水化液を押し流すので、基板Ｗの主面上の疎水化液を有機溶剤に置換することができる。有機溶剤の供給開始から所定のポスト処理時間が経過すると、第１溶剤開閉弁３３ｉが閉じる。これにより、ポスト溶剤処理が実質的に終了する。

【0111】

次に、処理ユニット１は乾燥処理を行う（ステップＳ８：乾燥工程）。具体的には、基板保持部２が基板Ｗの回転速度を増加させる。これにより、基板Ｗの周縁から飛散する有機溶剤の量を増加させることができる。また、基板Ｗの主面上の有機溶剤の気化を促進させることもできる。この乾燥処理において、第１ガス開閉弁３３ｇが開いてもよい。この場合には、中央ノズル３ｇが不活性ガスを回転中の基板Ｗの主面の中央部に向かって吐出する。不活性ガスは基板Ｗの中央部に衝突し、基板Ｗの主面に沿って外側に流れる。これにより、基板Ｗの主面上の有機溶剤の気化を促進させることができる。また、不活性ガスが基板Ｗの主面上の有機溶剤を径方向外側に押圧するので、基板Ｗの周縁から飛散する有機溶剤を増加させることもできる。

【0112】

基板Ｗの主面が疎水化していれば、乾燥処理において、パターン間における有機溶剤の液面の接触角を９０度に近づけることができる。接触角が９０度に近いほど、有機溶剤の表面張力によってパターンに生じる応力は小さい。このため、乾燥処理におけるパターンの倒壊の発生を抑制することができる。

【0113】

乾燥処理の開始から所定の乾燥処理時間が経過すると、基板保持部２は基板Ｗの回転を停止させ、第１ガス開閉弁３３ｇが閉じる。これにより、乾燥処理が実質的に終了し、基板Ｗに対する一連の処理が実質的に終了する。

【0114】

次に、基板保持部２は基板Ｗに対する保持を解除し、第２搬送部１２２は処理済みの基板Ｗをチャンバ１０から取り出す（ステップＳ９：搬出工程）。

【0115】

＜効果＞
以上のように、処理ユニット１は基板Ｗに対する処理を行うことができる。しかも、処理ユニット１は疎水化処理において、中央ノズル３ｈおよび周縁ノズル４ｈから疎水化液を吐出させる。基板Ｗの中央部に着液した疎水化液は主として中央部を疎水化させることができる。該疎水化液は基板Ｗの周縁部に到達する際には既に失活し得る。このため、中央ノズル３ｈのみから疎水化液を吐出し続けても、基板Ｗの周縁部は十分に疎水化されない。しかしながら、本実施の形態では、基板Ｗの周縁部には周縁ノズル４からの疎水化液が着液する。このため、基板Ｗの周縁部に着液した疎水化液が基板Ｗの周縁部を疎水化させることができる。したがって、基板Ｗの主面の全面をより適切に疎水化させることができる。

【0116】

しかも、疎水化処理において、疎水流量比（＝Ｆｈ１／Ｆｈ２）は時間の経過に応じて低減する。例えば、疎水処理期間Ｔｈのうちの期間Ｔｈ１における疎水流量比は、期間Ｔｈ２における疎水流量比よりも高く、期間Ｔｈ２における疎水流量比は期間Ｔｈ３における疎水流量比よりも高い。このため、疎水化処理の初期（例えば期間Ｔｈ１）において、より大量に基板Ｗの中央部に疎水化液を着液させることができる。初期では、基板Ｗの主面の全面に有機溶剤が残留しているところ、比較的大量の疎水化液が基板Ｗの中央部から外側に有機溶剤を押し流すことができる。このため、より速やかに基板Ｗの主面上の有機溶剤を疎水化液に置換することができる。また、比較的大量の疎水化液によって基板Ｗの主面の中央部に対する疎水化をより速やかに促進させることができる。

【0117】

そして、疎水化処理の末期（例えば期間Ｔｈ３）においては、より大量に基板Ｗの周縁部に疎水化液を着液させることができる。このため、比較的大量の疎水化液によって基板Ｗの主面の周縁部に対する疎水化をより速やかに促進させることができる。

【0118】

比較のために、疎水流量比を時間の経過とともに増加させる場合について説明する。この場合、疎水処理期間Ｔｈのうちの初期では、比較的少量の疎水化液が基板Ｗの中央部に着液し、比較的大量の疎水化液が基板Ｗの周縁部に着液する。大量の疎水化液は基板Ｗの周縁部上の有機溶剤を径方向外側に押し流すものの、中央部から周縁部に有機溶剤が流れ込むので、周縁部上の疎水化液が有機溶剤によって薄められる。このため、疎水化液が十分に周縁部に作用できず、基板Ｗの周縁部の疎水化が不十分になり得る。基板Ｗの周縁部の疎水化を十分に行うには、疎水処理期間Ｔｈを長くする必要があり、これは、スループットの低下および疎水化液の使用量の増加を招く。ここでいう疎水化液の使用量とは、疎水処理期間Ｔｈの全体において基板Ｗに供給された疎水化液の総供給量をいう。

【0119】

これに対して、本実施の形態では、疎水流量比を時間の経過に応じて増加させるので、有機溶剤から疎水化液の置換を短時間で行うことができ、基板Ｗの主面の全面に対する疎水化をより短時間で完了することができる。このため、疎水化液の使用量も低減させることができる。

【0120】

図５の例では、期間Ｔｈ１における第１疎水流量Ｆｈ１は第２疎水流量Ｆｈ２よりも大きい。このため、疎水化処理の初期において大量に残留している基板Ｗの主面上の有機溶剤を中央部からより速やかに疎水化液で押し流すことができる。また、図５の例では、期間Ｔｈ３における第２疎水流量Ｆｈ２は第１疎水流量Ｆｈ１よりも大きい。このため、疎水化処理の末期において、より大量の疎水化液で基板Ｗの主面の周縁部を疎水化させることができる。したがって、より速やかに基板Ｗの全面を疎水化させることができる。

【0121】

また、図５の例では、疎水処理期間Ｔｈの全体にわたって、第１疎水流量Ｆｈ１は０よりも大きい。つまり、中央ノズル３ｈは疎水処理期間Ｔｈの全体にわたって基板Ｗの主面の中央部に向かって疎水化液を吐出している。このため、疎水化液が基板Ｗの主面の全体を覆うことができ、チャンバ１０内の浮遊物が基板Ｗの主面に付着する可能性を低減させることができる。

【0122】

また、図５の例では、第１疎水流量Ｆｈ１は時間の経過に応じて低減し、第２疎水流量Ｆｈ２は時間の経過に応じて増加する。このため、第１疎水流量Ｆｈ１と第２疎水流量Ｆｈ２との和の時間変動を抑制することができる。第１疎水流量Ｆｈ１と第２疎水流量Ｆｈ２との和が時間の経過に依らず一定であれば、当該和の時間変動を理想的には解消することができる。第１疎水流量Ｆｈ１と第２疎水流量Ｆｈ２の和の時間変動が小さければ、疎水化処理に用いられる疎水化液の供給量の算出および管理が容易である。

【0123】

図６は、第１疎水流量Ｆｈ１および第２疎水流量Ｆｈ２の時間変化の第２例を示すグラフである。図６の例でも、疎水流量比（＝Ｆｈ１／Ｆｈ２）は時間の経過に応じて低減する。具体的には、期間Ｔｈ１における疎水流量比は期間Ｔｈ２における疎水流量比よりも高く、期間Ｔｈ２における疎水流量比は期間Ｔｈ３における疎水流量比よりも高い。図６の例では、期間Ｔｈ１において第１疎水流量Ｆｈ１は第２疎水流量Ｆｈ２と等しく、期間Ｔｈ２において第１疎水流量Ｆｈ１は第２疎水流量Ｆｈ２よりも小さく、期間Ｔｈ３において第１疎水流量Ｆｈ１は第２疎水流量Ｆｈ２よりもさらに小さい。

【0124】

図６の例であっても、疎水流量比が時間の経過に応じて低減するので、疎水流量比が時間の経過に応じて増加する場合に比べて、より短時間で基板Ｗの主面の全面を疎水化させることができる。

【0125】

なお、上述の例では、第１疎水流量Ｆｈ１および第２疎水流量Ｆｈ２の各々を時間の経過に応じて３段階で変化させているものの、２段階で変化させてもよく、４段階以上で変化させてもよい。あるいは、第１疎水流量Ｆｈ１および第２疎水流量Ｆｈ２の各々を連続的に変化させてもよい。

【0126】

＜周縁ノズルの吐出方向＞
図７は、第１の実施の形態にかかる処理ユニット１の構成の一例を概略的に示す平面図である。図７の例では、基板Ｗは反時計回りに回転している。図７に示されるように、周縁ノズル４ｈは、平面視において、基板Ｗの回転方向に沿って疎水化液を吐出してもよい。図７では、周縁ノズル４ｈから吐出される疎水化液の吐出方向を実線の直線矢印で模式的に示している。図７に示されるように、周縁ノズル４ｈの平面視における疎水化液の吐出方向は、周縁ノズル４ｈから吐出された疎水化液の基板Ｗの主面上の着液位置Ｐ１における回転方向に沿っていてもよい。具体的には、吐出方向と着液位置Ｐ１における回転方向とがなす第１角度は、該吐出方向と着液位置Ｐ１における径方向とがなす第２角度よりも小さい。第１角度は例えば数度以下であってもよい。

【0127】

図７の例では、基板Ｗの主面の中央部に着液した疎水化液の流れる方向が模式的に矢印で示されている。図７では、中央ノズル３ｇおよびアーム３５１と重なる部分では、破線で示されている。疎水化液は、径方向外側に向かいつつ回転方向に湾曲して流れる。このため、基板Ｗの周縁部の着液位置Ｐ１では疎水化液は径方向外側かつ回転方向の斜めに流れている。着液位置Ｐ１では、周縁ノズル４ｈからの疎水化液が回転方向に沿って着液するので、周縁ノズル４ｈからの疎水化液と、基板Ｗの主面に沿って流れる疎水化液とが、互いにより近い液流方向で衝突する。このため、着液位置Ｐ１において疎水化液の液はねを抑制することができる。ここでいう液はねとは、流体同士の衝突および流体と基板Ｗの主面との衝突によって生じる流体の跳ね返りである。液はねの抑制とは、例えば、基板Ｗの主面と、跳ね返った流体との間の距離の低下を意味する。

【0128】

比較のために、周縁ノズル４ｈが、回転軸線Ｑ１についての径方向に沿って疎水化液を吐出する構造について考察する。図４では、この周縁ノズル４ｈが仮想線で示されている。この構造では、周縁ノズル４ｈから吐出された疎水化液は着液位置Ｐ１において径方向内側に流れる。一方で、基板Ｗの中央部に着液した疎水化液は基板Ｗの主面上を径方向外側に流れる。このため、これらの疎水化液は、着液位置Ｐ１において、互いに反対の液流方向で衝突する。このため、着液位置Ｐ１において疎水化液の液はねが生じやすい。疎水化液が基板Ｗの主面上で大きく跳ね返ると、チャンバ１０内の各構成に疎水化液が付着し得る。このような事態は好ましくない。

【0129】

これに対して、図７の例では、周縁ノズル４ｈが、着液位置Ｐ１における基板Ｗの回転方向に沿う吐出方向で疎水化液を吐出する。このため、液はねを抑制し、上記事態の発生を抑制することができる。

【0130】

＜第１期間および第２期間の長さ＞
図５の例では、期間Ｔｈ１において、より大きな第１疎水流量Ｆｈ１で吐出された疎水化液が基板Ｗの主面の中央部を疎水化させる。一方、期間Ｔｈ３においては、より大きな第２疎水流量Ｆｈ２で吐出された疎水化液が基板Ｗの主面の周縁部を疎水化させる。

【0131】

ところで、回転軸線Ｑ１まわりの円周の長さは、回転軸線Ｑ１から遠ざかるにつれて、つまり、円の直径が大きくなるにつれて、長くなる。このため、基板Ｗの周縁部に十分な疎水化液を供給するのに要する時間は、基板Ｗの中央部に十分な疎水化液を供給するのに要する時間よりも長い傾向にある。特に、着液位置Ｐ１が、基板Ｗの直径の１／√２倍以下の直径の有する仮想円上に位置する場合、基板Ｗの周縁部の面積は中央部の面積よりも大きい。この場合、基板Ｗの周縁部に十分な疎水化液を供給するのに要する時間は長くなる。そこで、期間Ｔｈ３の長さを期間Ｔｈ１よりも長く設定してもよい。例えば、第２疎水流量Ｆｈ２が第１疎水流量Ｆｈ１よりも大きい期間Ｔｈ３（第２期間に相当）を、第１疎水流量Ｆｈ１が第２疎水流量Ｆｈ２よりも大きい期間Ｔｈ１（第１期間に相当）よりも長く設定してもよい。これによれば、基板Ｗの周縁部をより適切に疎水化させることができる。

【0132】

＜回転速度＞
基板保持部２は疎水処理期間Ｔｈにおいて基板Ｗの回転速度を変化させてもよい。例えば、基板保持部２は、期間Ｔｈ３において、期間Ｔｈ１における基板Ｗの回転速度よりも低い回転速度で、基板Ｗを回転させてもよい。例えば、期間Ｔｈ３における基板Ｗの回転速度の平均値を、期間Ｔｈ１における基板Ｗの回転速度の平均値よりも低く設定してもよい。回転速度は予め設定されて、例えば制御部９の記憶部に記憶されていてもよい。

【0133】

期間Ｔｈ１における基板Ｗの回転速度が高いので、初期的に基板Ｗの主面上に残留する有機溶剤をより速やかに除去することができる。また、期間Ｔｈ１では、主として基板Ｗの中央部に対する疎水化が行われるところ、基板Ｗの中央部の各位置は回転軸線Ｑ１に比較的に近いので、回転速度が高くても各位置に生じる遠心力は比較的に小さく、疎水化液の液膜は比較的に厚い。このため、期間Ｔｈ１において、基板Ｗの中央部をより適切に疎水化させることができる。

【0134】

また、期間Ｔｈ３における基板Ｗの回転速度が低いので、基板Ｗの周縁部に着液した疎水化液はより長く周縁部に留まることができる。つまり、基板Ｗの周縁部の各位置に作用する遠心力を低下させることができ、基板Ｗの周縁部上の疎水化液の膜厚を大きくすることができる。このため、期間Ｔｈ３において、基板Ｗの周縁部をより適切に疎水化させることができる。

【0135】

＜第２の実施の形態＞
図８は、第２の実施の形態にかかる処理ユニット１の構成の一例を概略的に示す図である。以下では、第２の実施の形態にかかる処理ユニット１を処理ユニット１Ａとも呼ぶ。処理ユニット１Ａは処理ユニット１の構成に加えて、周縁ノズル４としての周縁ノズル４ｉおよび周縁ノズル４ｇを含んでいる。

【0136】

周縁ノズル４ｉは、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面の周縁部に向かって流体としての有機溶剤を吐出する。周縁ノズル４ｉは、例えば、有機溶剤を連続流の状態で吐出するストレートノズルである。一例として、周縁ノズル４ｉは基板Ｗの上面に向かって有機溶剤を吐出する。つまり、周縁ノズル４ｉは、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも上方に位置している。図８に示されるように、周縁ノズル４ｉは、平面視において、基板Ｗよりも径方向外側に設けられてもよい。周縁ノズル４ｉはチャンバ１０に対して移動不能に固定されていてもよい。つまり、周縁ノズル４ｉは固定ノズルであってもよい。周縁ノズル４ｉは例えば斜め下方に沿って有機溶剤を吐出する。周縁ノズル４ｉから吐出された疎水化液は基板Ｗの主面の周縁部に着液する。

【0137】

周縁ノズル４ｉには第２溶剤管４１ｉの下流端が接続されている。第２溶剤管４１ｉの上流端は、不図示の有機溶剤供給源に接続される。第２溶剤調整弁４２ｉは第２溶剤管４１ｉに介挿される。第２溶剤調整弁４２ｉは、第２溶剤管４１ｉを流れる有機溶剤の流量、つまり、周縁ノズル４ｉから吐出される有機溶剤の流量を調整する。以下では、第２溶剤管４１ｉを流れる有機溶剤の流量、つまり、周縁ノズル４ｉから吐出される有機溶剤の流量を、第２溶剤流量Ｆｉ２と呼び、第１溶剤管３１ｉを流れる有機溶剤の流量、つまり、中央ノズル３ｉから吐出される有機溶剤の流量を第１溶剤流量Ｆｉ１と呼ぶ。

【0138】

第１溶剤調整弁３２ｉおよび第２溶剤調整弁４２ｉは制御部９によって制御される。つまり、制御部９は第１溶剤調整弁３２ｉおよび第２溶剤調整弁４２ｉを制御して、中央ノズル３ｉおよび周縁ノズル４ｉからそれぞれ第１溶剤流量Ｆｉ１および第２溶剤流量Ｆｉ２で有機溶剤を吐出させる。

【0139】

図８の例では、第２溶剤管４１ｉには第２溶剤開閉弁４３ｉが介挿されている。第２溶剤開閉弁４３ｉは第２溶剤管４１ｉの流路の開閉を切り替える。第２溶剤開閉弁４３ｉは制御部９によって制御される。

【0140】

第１溶剤開閉弁３３ｉおよび第２溶剤開閉弁４３ｉの少なくともいずれか一方が開くことにより、基板Ｗの主面に有機溶剤が供給される。以下では、有機溶剤が基板Ｗに供給される処理期間を溶剤処理期間Ｔｉとも呼ぶ。

【0141】

制御部９は、溶剤処理期間Ｔｉにおいて、第１溶剤調整弁３２ｉおよび第２溶剤調整弁４２ｉを制御して、第２溶剤流量Ｆｉ２に対する第１溶剤流量Ｆｉ１の比（＝Ｆｉ１／Ｆｉ２）を時間の経過とともに変化させる。以下では、当該比を溶剤流量比と呼ぶ。より具体的な一例として、制御部９は、溶剤処理期間の一部の第１溶剤期間における溶剤流量比を、溶剤処理期間のうちの第１溶剤期間よりも後の第２溶剤期間における溶剤流量比よりも高くする。この技術的な意義については後に詳述する。

【0142】

周縁ノズル４ｇは、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面の周縁部に向かって流体としての不活性ガスを吐出する。一例として、周縁ノズル４ｇは基板Ｗの上面に向かって不活性ガスを吐出する。つまり、周縁ノズル４ｇは、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも上方に位置している。図８に示されるように、周縁ノズル４ｇは、平面視において、基板Ｗよりも径方向外側に設けられてもよい。周縁ノズル４ｇはチャンバ１０に対して移動不能に固定されていてもよい。つまり、周縁ノズル４ｇは固定ノズルであってもよい。周縁ノズル４ｇは例えば斜め下方に沿って不活性ガスを吐出する。周縁ノズル４ｇから吐出された不活性ガスは基板Ｗの主面の周縁部に衝突する。

【0143】

周縁ノズル４ｇには第２ガス管４１ｇの下流端が接続されている。第２ガス管４１ｇの上流端は、不図示のガス供給源に接続される。第２ガス調整弁４２ｇは第２ガス管４１ｇに介挿される。第２ガス調整弁４２ｇは、第２ガス管４１ｇを流れる不活性ガスの流量、つまり、周縁ノズル４ｇから吐出される不活性ガスの流量を調整する。以下では、第２ガス管４１ｇを流れる不活性ガスの流量、つまり、周縁ノズル４ｇから吐出される不活性ガスの流量を、第２ガス流量Ｆｇ２と呼び、第１ガス管３１ｇを流れる不活性ガスの流量、つまり、中央ノズル３ｇから吐出される不活性ガスの流量を第１ガス流量Ｆｇ１と呼ぶ。

【0144】

第１ガス調整弁３２ｇおよび第２ガス調整弁４２ｇは制御部９によって制御される。つまり、制御部９は第１ガス調整弁３２ｇおよび第２ガス調整弁４２ｇを制御して、中央ノズル３ｇおよび周縁ノズル４ｇからそれぞれ第１ガス流量Ｆｇ１および第２ガス流量Ｆｇ２で不活性ガスを吐出させる。

【0145】

図８の例では、第２ガス管４１ｇには第２ガス開閉弁４３ｇが介挿されている。第２ガス開閉弁４３ｇは第２ガス管４１ｇの流路の開閉を切り替える。第２ガス開閉弁４３ｇは制御部９によって制御される。

【0146】

第１ガス開閉弁３３ｇおよび第２ガス開閉弁４３ｇの少なくともいずれか一方が開くことにより、基板Ｗの主面に不活性ガスが供給される。以下では、不活性ガスが基板Ｗに供給される処理期間をガス処理期間とも呼ぶ。

【0147】

制御部９は、ガス処理期間において、第２ガス流量Ｆｇ２に対する第１ガス流量Ｆｇ１の比（＝Ｆｇ１／Ｆｇ２）を一定に制御してもよい。

【0148】

＜基板処理装置の動作の一例＞
処理ユニット１Ａの動作の一例は図３と同様である。ただし、制御部９は、プレ溶剤処理（ステップＳ５）およびポスト溶剤処理（ステップＳ７）の少なくともいずれか一方において、第１溶剤開閉弁３３ｉおよび第２溶剤開閉弁４３ｉを開く。これにより、中央ノズル３ｉおよび周縁ノズル４ｉがそれぞれ第１溶剤流量Ｆｉ１および第２溶剤流量Ｆｉ２で有機溶剤を吐出する。制御部９は、溶剤処理期間Ｔｉにおいて第１溶剤調整弁３２ｉおよび第２溶剤調整弁４２ｉを制御して、溶剤流量比（＝Ｆｉ１／Ｆｉ２）を時間の経過に応じて変化させる。なお、第１溶剤流量Ｆｉ１と第２溶剤流量Ｆｉ２との和は、例えば、第１疎水流量Ｆｈ１と第２疎水流量Ｆｈ２との和よりも大きく設定される。第１溶剤流量Ｆｉ１および第２溶剤流量Ｆｉ２の和は例えば２００ｃｃｍ程度以上かつ４００ｃｃｍ程度以下に設定され、より具体的な一例として、３００ｃｃｍ程度に設定される。

【0149】

図９は、プレ溶剤処理またはポスト溶剤処理中の処理ユニット１の様子の一例を概略的に示す図であり、図１０は、第１溶剤流量Ｆｉ１および第２溶剤流量Ｆｉ２の時間変化の一例を示すグラフである。図１０の例では、溶剤処理期間Ｔｉは、期間Ｔｉ１、期間Ｔｉ２および期間Ｔｉ３によって構成される。ここでは、期間Ｔｉ２は期間Ｔｉ１に続く期間であり、期間Ｔｉ３は期間Ｔｉ２に続く期間である。図９（ａ）は、期間Ｔｉ１における処理ユニット１Ａの様子の一例を示し、図９（ｂ）は、期間Ｔｉ２における処理ユニット１Ａの様子の一例を示し、図９（ｃ）は、期間Ｔｉ３における処理ユニット１Ａの様子の一例を示している。図９（ａ）から図９（ｃ）の例では、中央ノズル３ｉから吐出される有機溶剤の第１溶剤流量Ｆｉ１および周縁ノズル４ｉから吐出される有機溶剤の第２溶剤流量Ｆｉ２の大小を、液柱状の有機溶剤の幅で模式的に示している。

【0150】

図９および図１０に示されるように、制御部９は、期間Ｔｉ１における溶剤流量比（＝Ｆｉ１／Ｆｉ２）を期間Ｔｉ２における溶剤流量比よりも高くし、期間Ｔｉ２における溶剤流量比を期間Ｔｈ３における溶剤流量比よりも高くする。つまり、制御部９は、溶剤流量比が時間の経過に応じて低減するように、第１溶剤調整弁３２ｉおよび第２溶剤調整弁４２ｉを制御する。期間Ｔｉ１における溶剤流量比は、例えば、１．５以上であってもよい。なお、期間Ｔｉ１における第２溶剤流量Ｆｉ２はゼロであってもよい。期間Ｔｉ２における溶剤流量比は、例えば０．８以上かつ１．５未満であってもよい。期間Ｔｉ３における溶剤流量比は、例えば、０．０１以上かつ０．８未満であってもよい。

【0151】

第１溶剤流量Ｆｉ１の時間変化の一例は第１疎水流量Ｆｈ１と同様であり、第２溶剤流量Ｆｉ２の時間変化の一例は第２疎水流量Ｆｈ２と同様であり、第１溶剤流量Ｆｉ１と第２溶剤流量Ｆｉ２の大小関係の時間変化の一例は第１疎水流量Ｆｈ１と第２疎水流量Ｆｈ２の大小関係と同様である。

【0152】

以上のように、処理ユニット１Ａはプレ溶剤処理およびポスト溶剤処理の少なくともいずれか一方において、中央ノズル３ｉおよび周縁ノズル４ｉから有機溶剤を吐出させる。基板Ｗの中央部に着液した有機溶剤の液膜は、基板Ｗの周縁部に向かうにつれて薄くなるものの、基板Ｗの周縁部にも有機溶剤が着液する。このため、基板Ｗの主面の全面がより確実に有機溶剤によって覆われる。したがって、チャンバ１０内の浮遊物が基板Ｗの主面に付着する可能性を低減させることができる。

【0153】

しかも、溶剤処理期間Ｔｉにおいて、溶剤流量比（＝Ｆｈ１／Ｆｈ２）は時間の経過に応じて低減する。このため、溶剤処理期間Ｔｉのうちの第１溶剤期間（例えば期間Ｔｉ１）において、より大量の有機溶剤を基板Ｗの中央部に着液させることができる。第１溶剤期間では、基板Ｗの主面の全面にリンス液または疎水化液が残留しているところ、比較的大量の有機溶剤が基板Ｗの中央部から外側にリンス液または疎水化液を押し流すことができる。このため、より速やかに基板Ｗの主面上の液体を有機溶剤に置換することができる。特に、比較的大量の有機溶剤によって基板Ｗの主面の中央部における有機溶剤への置換を促進できる。つまり、より短時間で基板Ｗの中央部において液体を有機溶剤に置換できる。また、より大量の有機溶剤が基板Ｗの中央部に着液するので、基板Ｗの中央部のパターン間でも有機溶剤への置換を促進できる。

【0154】

そして、溶剤処理期間Ｔｉのうちの第１溶剤期間の後の第２溶剤期間（例えば期間Ｔｉ３）においては、より大量の有機溶剤を基板Ｗの周縁部に着液させることができる。このため、比較的大量の有機溶剤によって基板Ｗの主面の周縁部における有機溶剤への置換を促進することができる。したがって、基板Ｗの周縁部のパターン間でも有機溶剤への置換を促進できる。

【0155】

以上のように、第２の実施の形態によれば、基板Ｗ上の液体の径方向外側への流れに応じた順序（中央部から周縁部）で、基板Ｗの主面上の液体を有機溶剤に置換することができる。したがって、基板Ｗの主面の全面を液体で覆いつつも、基板Ｗの主面の全面に対する有機溶剤への置換をより短時間で行うことができる。このため、有機溶剤の使用量も低減させることができる。

【0156】

図１０の例では、期間Ｔｉ１における第１溶剤流量Ｆｉ１は第２溶剤流量Ｆｉ２よりも大きい。このため、溶剤処理期間Ｔｉのうちの初期において大量に残留している基板Ｗの主面上の液体をより速やかに有機溶剤で押し流すことができる。また、図１０の例では、期間Ｔｉ３における第２溶剤流量Ｆｉ２は第１溶剤流量Ｆｉ１よりも大きい。このため、溶剤処理期間Ｔｉのうちの末期において、より大量の有機溶剤で基板Ｗの主面の周縁部の液体を押し流すことができる。

【0157】

また、図１０の例では、第１溶剤流量Ｆｉ１は時間の経過に応じて低減し、第２溶剤流量Ｆｉ２は時間の経過に応じて増加する。このため、第１溶剤流量Ｆｉ１と第２溶剤流量Ｆｉ２との和の時間変動を抑制することができる。第１溶剤流量Ｆｉ１と第２溶剤流量Ｆｉ２との和が時間の経過に依らず一定であれば、当該和の時間変動を理想的には解消することができる。第１溶剤流量Ｆｉ１と第２溶剤流量Ｆｉ２の和の時間変動が小さければ、プレ溶剤処理もしくはポスト溶剤処理に用いられる有機溶剤の供給量の算出および管理が容易である。

【0158】

第２の実施の形態では、乾燥処理（ステップＳ８）において、中央ノズル３ｇおよび周縁ノズル４ｇが不活性ガスを供給してもよい。つまり、制御部９は乾燥処理において第１ガス開閉弁３３ｇおよび第２ガス開閉弁４３ｇを開いてもよい。以下では、基板Ｗに不活性ガスを供給する期間をガス処理期間とも呼ぶ。制御部９は、乾燥処理において、中央ノズル３ｇおよび周縁ノズル４ｇからの不活性ガスの流量（の目標値）を時間の経過に依らず、一定に制御してもよい。例えば制御部９は、第１ガス調整弁３２ｇおよび第２ガス調整弁４２ｇの開度をガス処理期間において一定に制御してもよい。

【0159】

乾燥処理において、基板Ｗの中央部および周縁部の両方に不活性ガスが衝突するので、基板Ｗの主面上の有機溶剤の気化あるいは吹き飛ばしを促進することができる。したがって、処理ユニット１Ａはより短時間で乾燥処理を完了することができる。

【0160】

また、第１ガス調整弁３２ｇおよび第２ガス調整弁４２ｇの開度をガス処理期間において一定に制御すれば、制御部９の処理負荷を軽減することができる。

【0161】

あるいは、制御部９はガス処理期間において、第２ガス流量Ｆｇ２に対する第１ガス流量Ｆｇ１のガス流量比（＝Ｆｇ１／Ｆｇ２）を時間の経過に応じて低減させてもよい。ガス流量比の時間変化の一例は疎水流量比と同様であり、第１ガス流量Ｆｇ１の時間変化の一例は第１疎水流量Ｆｈ１と同様であり、第２ガス流量Ｆｇ２の時間変化の一例は第２疎水流量Ｆｈ２と同様である。また、第１ガス流量Ｆｇ１と第２ガス流量Ｆｇ２の大小関係の時間変化の一例は第１疎水流量Ｆｈ１と第２疎水流量Ｆｈ２の大小関係と同様である。

【0162】

これによれば、乾燥処理の初期において、より大量の不活性ガスが基板Ｗの中央部に供給される。このため、基板Ｗの中央部における有機溶剤の気化もしくは径方向外側への押し出しを促進することができる。一方、乾燥処理の末期において、より大量の不活性ガスが基板Ｗの周縁部に供給される。このため、基板Ｗの周縁部における有機溶剤の気化もしくは径方向外側への押し出しを促進することができる。つまり、基板Ｗ上の有機溶剤の径方向外側への流れに応じた順序（中央部から周縁部）で基板Ｗの主面を乾燥させることができる。このため、処理ユニット１Ａはより短時間で乾燥処理を完了することができる。また、不活性ガスの使用量も低減させることができる。

【0163】

＜周縁ノズルの吐出方向＞
図１１は、第２の実施の形態にかかる処理ユニット１Ａの構成の一例を概略的に示す平面図である。図１１の例では、基板Ｗは反時計回りに回転している。図１１に示されるように、周縁ノズル４ｉは、平面視において、基板Ｗの回転方向に沿って有機溶剤を吐出してもよい。つまり、周縁ノズル４ｉの平面視における有機溶剤の吐出方向は、周縁ノズル４ｉから吐出された有機溶剤の基板Ｗの主面上の着液位置における回転方向に沿っていてもよい。より具体的には、該吐出方向と該着液位置における回転方向とがなす第１溶剤角度は、該吐出方向と該着液位置における径方向とがなす第２溶剤角度よりも小さい。第１溶剤角度は例えば数度以下であってもよい。

【0164】

このような構造によれば、周縁ノズル４ｈにおける疎水化液の液はねと同様に、有機溶剤の液はねを抑制することができる。

【0165】

また、図１１に示されるように、周縁ノズル４ｇは、平面視において、基板Ｗの回転方向に沿って不活性ガスを吐出してもよい。つまり、周縁ノズル４ｇの平面視における不活性ガスの吐出方向は、周縁ノズル４ｇから吐出された不活性ガスの基板Ｗの主面上の衝突位置における回転方向に沿っていてもよい。より具体的には、該吐出方向と該衝突位置における回転方向とがなす第１ガス角度は、該吐出方向と該衝突位置における径方向とがなす第２ガス角度よりも小さい。第１ガス角度は例えば数度以下であってもよい。

【0166】

さて、中央ノズル３ｇから吐出された不活性ガスは、基板Ｗの回転に伴って、径方向外側および回転方向に湾曲した円弧状に流れる。つまり、不活性ガスも図７における疎水化液と同様の方向で流れる。このため、周縁ノズル４ｇから吐出された不活性ガスは、衝突位置において、円弧状に流れる不活性ガスに対して、互いに近い気流方向で衝突する。したがって、衝突位置における不活性ガスの気流の乱れを抑制することができる。

【0167】

もしも大きな乱流が生じると、基板Ｗ上の有機溶剤を必要以上に巻き上げたり、あるいは、チャンバ１０内の浮遊物を基板Ｗの主面に導いたりし得る。このような事態は好ましくない。これに対して、図１１の構造によれば、乱流の発生を抑制することができるので、上記事態の発生を抑制することができる。

【0168】

＜第３の実施の形態＞
図１２は、第３の実施の形態にかかる処理ユニット１の構成の一例を概略的に示す平面図である。以下では、第３の実施の形態にかかる処理ユニット１を処理ユニット１Ｂと呼ぶ。

【0169】

処理ユニット１Ｂは、周縁ノズル４を移動させるノズル移動機構４５の有無を除いて、処理ユニット１Ａと同様の構成を有している。ノズル移動機構４５は周縁ノズル４を次に説明する周縁処理位置と周縁待機位置との間で移動させる。周縁処理位置は、周縁ノズル４が、基板保持部２によって保持された基板Ｗの主面の周縁部に向かって流体を吐出する位置であり、例えば、基板Ｗの周縁部と鉛直方向において対向する位置である。周縁待機位置は、周縁ノズル４が基板Ｗに向かって流体を吐出しない位置であり、例えば、基板Ｗよりも径方向外側の位置である。図１２の例では、周縁待機位置で停止する周縁ノズル４が実線で示され、周縁処理位置で停止する周縁ノズル４が二点鎖線で示されている。

【0170】

図１２の例では、ノズル移動機構４５は、アーム４５１と、支持柱４５２と、駆動源４５３とを含んでいる。支持柱４５２は、ガード部７よりも径方向外側に設けられており、鉛直方向に沿って延びる。アーム４５１は水平方向に沿って延びており、その先端が周縁ノズル４に接続され、その基端が支持柱４５２に接続されている。駆動源４５３は、支持柱４５２をその中心軸Ｑ３のまわりで回動させる。駆動源４５３は例えばモータを含む。支持柱４５２が中心軸Ｑ３のまわりで回動すると、周縁ノズル４は、中心軸Ｑ３についての周方向に沿って移動する。支持柱４５２は、周縁ノズル４の移動軌跡上に周縁処理位置および周縁待機位置が位置するように、設置される。なお、ノズル移動機構４５は必ずしも図１２の態様に限らず、例えばリニアモータ等の直動機構を含んでいてもよい。

【0171】

図１２に示されるように、ノズル移動機構４５は周縁ノズル４ｈ、周縁ノズル４ｉおよび周縁ノズル４ｇを一体に移動させてもよい。図１２の例では、アーム４５１の先端に周縁ノズル４ｈ、周縁ノズル４ｉおよび周縁ノズル４ｇが接続されている。周縁ノズル４ｈ、周縁ノズル４ｉおよび周縁ノズル４ｇは水平方向において隣り合っており、具体的な一例として、アーム４５１の長手方向に沿って並んでいる。

【0172】

＜基板処理装置の動作の一例＞
第３の実施の形態にかかる処理ユニット１Ｂの動作の一例は、第２の実施の形態と同様である。ただし、プレ溶剤処理（ステップＳ５）、疎水化処理（ステップＳ６）、ポスト溶剤処理（ステップＳ７）および乾燥処理（ステップＳ８）において、ノズル移動機構４５は周縁ノズル４を周縁処理位置に位置させている。

【0173】

図１３は、疎水化処理中の処理ユニット１Ｂの様子の一例を概略的に示す図である。図１３に示されるように、疎水化処理において、周縁ノズル４ｈは、基板Ｗの主面の周縁部と鉛直方向において対向する周縁処理位置に位置している。このとき、周縁ノズル４は中央ノズル３と水平方向において並んでいる。周縁ノズル４ｈが周縁処理位置に位置しているので、疎水化処理において、周縁ノズル４ｈは基板Ｗの主面により近い位置から基板Ｗの主面の周縁部に向かって疎水化液を吐出することができる。したがって、基板Ｗの主面上での疎水化液の液はねを抑制することができる。

【0174】

同様に、プレ溶剤処理およびポスト溶剤処理の各々において、周縁ノズル４ｉは基板Ｗの主面により近い位置から基板Ｗの主面の周縁部に向かって有機溶剤を吐出することができる。このため、基板Ｗの主面上での有機溶剤の液はねを抑制することができる。

【0175】

また、乾燥処理において、周縁ノズル４ｇは基板Ｗの主面により近い位置から基板Ｗの主面の周縁部に向かって不活性ガスを吐出することができる。このため、周縁ノズル４ｇからの不活性ガスはより高い流速で基板Ｗの主面に衝突できる。したがって、パターン間の有機溶剤をパターンの外側に吹き飛ばすことができる。

【0176】

なお、各周縁ノズル４は流体を鉛直方向に沿って下方に吐出させてもよく、あるいは、流体を鉛直下方に向かうにつれて径方向外側に向かう斜め方向に吐出してもよい。例えば周縁ノズル４ｈは疎水化液を当該斜め方向に沿って吐出してもよい。図１３の例では、当該斜め方向を二点鎖線の矢印で模式的に示している。これによれば、周縁ノズル４からの疎水化液が、基板Ｗの中央部から径方向外側に流れる疎水化液と、互いに近い液流方向で衝突する。このため、疎水化液の液はねをさらに抑制することができる。周縁ノズル４ｉから吐出される有機溶剤の液はねもさらに抑制することができる。また、周縁ノズル４ｇからの不活性ガスは中央ノズル３ｇからの不活性ガスと、互いに近い気流で衝突するので、乱流の発生を抑制することができる。

【0177】

また、上述の例では、周縁ノズル４として周縁ノズル４ｈ、周縁ノズル４ｉおよび周縁ノズル４ｇが設けられているものの、第１の実施の形態と同様に、周縁ノズル４ｈのみが設けられてもよい。

【0178】

以上のように、基板処理装置１００および基板処理方法は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない多数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。

【0179】

上述の例では、各流体に専用のノズルが設けられているものの、一つのノズルが、互いに異なる種類の流体で共用されてもよい。

【0180】

また、上述の例では、中央ノズル３ｇは基板Ｗの上面に向かって不活性ガスを吐出しているのの、さらに、径方向外側に向かって不活性ガスを吐出してもよい。例えば、中央ノズル３ｇの内部には、第１内部流路および第２内部流路が形成される。第１内部流路は鉛直方向に延び、中央ノズル３ｇの下面において開口する。第２内部流路は、第１内部流路の周りに形成されており、中央ノズル３ｇの外周面において開口する。第２内部流路は中央ノズル３ｇの外周面の全周に開口していてもよい。中央ノズル３ｇの第１内部流路および第２内部流路は第１ガス管３１ｇに接続される。第１内部流路に流入した不活性ガスは中央ノズル３ｇの下面の開口から基板Ｗの上面に向かって流出する。第２内部流路に流入した不活性ガスは中央ノズル３ｇの外周面の開口から径方向外側に向かって流出する。これにより、中央ノズル３ｇの外周面から流出した不活性ガスは基板Ｗよりも上方において基板Ｗを覆うことができる。これにより、乾燥処理において、基板Ｗの上面をより確実に保護しつつ、基板Ｗを乾燥させることができる。

【0181】

また、上述の例では、中央ノズル３ｇおよび周縁ノズル４ｇは乾燥処理（ステップＳ８）において不活性ガスを吐出しているものの、ほかの処理（例えば、疎水化処理）においても不活性ガスを吐出してもよい。

【符号の説明】

【0182】

２ 基板保持部
３，３ｉ，３ｇ，３ｈ 中央ノズル
３１ｉ 第１溶剤管
３１ｇ 第１ガス管
３１ｈ 第１疎水管
３２ｉ 第１溶剤調整弁
３２ｇ 第１ガス調整弁
３２ｈ 第１疎水調整弁
４，４ｉ，４ｇ，４ｈ 周縁ノズル
４１ｉ 第２溶剤管
４１ｇ 第２ガス管
４１ｈ 第２疎水管
４２ｉ 第２溶剤調整弁
４２ｇ 第２ガス調整弁
４２ｈ 第２疎水調整弁
９ 制御部
Ｆｉ１ 第１溶剤流量
Ｆｉ２ 第２溶剤流量
Ｆｈ１ 第１疎水流量
Ｆｈ２ 第２疎水流量

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】