特開 2024-78852 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024078852

(43)【公開日】2024-06-11

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240604BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022191435

(22)【出願日】2022-11-30

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】古谷 俊樹

(72)【発明者】

【氏名】後藤 英之

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC08

5E316CC32

5E316CC34

5E316DD17

5E316DD24

5E316DD32

5E316DD33

5E316EE33

5E316FF07

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG16

5E316GG17

5E316GG22

5E316GG23

5E316HH40

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、第１導体層と、第１面と第２面と第１開口とを有し、第１導体層上に積層されている第１樹脂絶縁層と、第１樹脂絶縁層の第１面上に形成されている第２導体層と、第１開口内に形成されていて、第１導体層と第２導体層とを接続する第１ビア導体と、第３面と第４面と第２開口とを有し、第２導体層上に積層されている第２樹脂絶縁層と、第２樹脂絶縁層の第３面上に形成されている第３導体層と、第２開口内に形成されていて、第２導体層と第３導体層とを接続する第２ビア導体とを有する。第２導体層は第１ビア導体の直上に形成されている第１部分と第１部分を囲み第１面上に形成されている第２部分とからなるランドを含んでいる。ランドの上面は第２開口により部分的に露出され、第１部分の上面と第２部分の上面は同じ面を形成する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導体層と、
第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至る第１開口とを有し、前記第２面が前記第１導体層と対向するように前記第１導体層上に積層されている第１樹脂絶縁層と、
前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、
前記第１開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する第１ビア導体と、
第３面と前記第３面と反対側の第４面と前記第３面から前記第４面に至る第２開口とを有し、前記第４面が前記第２導体層と対向するように前記第２導体層上に積層されている第２樹脂絶縁層と、
前記第２樹脂絶縁層の前記第３面上に形成されている第３導体層と、
前記第２開口内に形成されていて、前記第２導体層と前記第３導体層とを接続する第２ビア導体、とを有するプリント配線板であって、
前記第２導体層は前記第１ビア導体の直上に形成されている第１部分と前記第１部分を囲み前記第１面上に形成されている第２部分とからなるランドを含んでおり、前記ランドの上面は前記第２開口により部分的に露出され、前記第１部分の上面と前記第２部分の上面は同じ面を形成する。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子を含み、前記無機粒子は前記樹脂に部分的に埋まっている第１無機粒子と前記樹脂に完全に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子は前記樹脂から突出する第３部分と前記樹脂に埋まっている第４部分で形成され、前記第１面は前記樹脂の上面と前記樹脂の上面から露出する前記第３部分の露出面で形成されている。

【請求項3】

請求項２のプリント配線板であって、前記第２樹脂絶縁層は前記樹脂と前記無機粒子を含み、前記第３面は前記樹脂の上面と前記樹脂の上面から露出する前記第３部分の前記露出面で形成されている。

【請求項4】

請求項２のプリント配線板であって、前記第３部分の体積と前記第１無機粒子の体積との比は０より大きく０．４以下である。

【請求項5】

請求項２のプリント配線板であって、前記第１面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。

【請求項6】

請求項２のプリント配線板であって、前記無機粒子は前記第１開口の第１内壁面を形成する第３無機粒子をさらに含み、前記第１内壁面は前記第３無機粒子と前記樹脂によって形成されており、前記第３無機粒子は平坦部を有し、前記平坦部が前記第１内壁面を形成する。

【請求項7】

請求項３のプリント配線板であって、前記無機粒子は前記第２開口の第２内壁面を形成する第３無機粒子をさらに含み、前記第２内壁面は前記第３無機粒子と前記樹脂によって形成されており、前記第３無機粒子は平坦部を有し、前記平坦部が前記第２内壁面を形成する。

【請求項8】

請求項６のプリント配線板であって、前記第１内壁面の算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。

【請求項9】

請求項６のプリント配線板であって、前記第３無機粒子の形状は球を平面で切断することで得られる。

【請求項10】

請求項９のプリント配線板であって、前記第３無機粒子の形状は前記第２無機粒子を平面で切断することで得られる。

【請求項11】

請求項１のプリント配線板であって、前記第３導体層と前記第２ビア導体はシード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されており、前記シード層の厚みは０．５μｍ未満である。

【請求項12】

請求項１のプリント配線板であって、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層を交互に積層することで形成されるビルドアップ層をさらに有し、前記複数の樹脂絶縁層は前記第１樹脂絶縁層と前記第２樹脂絶縁層を含み、前記複数の導体層は前記第１導体層と前記第２導体層と前記第３導体層を含み、前記導体層の数は５以上である。

【請求項13】

請求項１のプリント配線板であって、前記プリント配線板の各辺の長さが５０ｍｍ以上である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、フィルドビア導体とフィルドビア導体を覆う絶縁層を備える配線基板を開示する。フィルドビア導体の表面は凸状に膨らんでいる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３－２５８４３０号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
フィルドビア導体を覆う絶縁層にフィルドビア導体を露出させる開口を形成することが考えられる。フィルドビア導体の上面が凸状に膨らんでいると、照射されるレーザ光の一部が膨らみの影響で外に向かって反射すると考えられる。その反射光により、開口の側壁に複雑な形状を有する凹みができると考えられる。複雑な凹みを有する側壁上にスパッタリングで連続しているシード層を形成することが難しいと考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板は、第１導体層と、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至る第１開口とを有し、前記第２面が前記第１導体層と対向するように前記第１導体層上に積層されている第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、前記第１開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する第１ビア導体と、第３面と前記第３面と反対側の第４面と前記第３面から前記第４面に至る第２開口とを有し、前記第４面が前記第２導体層と対向するように前記第２導体層上に積層されている第２樹脂絶縁層と、前記第２樹脂絶縁層の前記第３面上に形成されている第３導体層と、前記第２開口内に形成されていて、前記第２導体層と前記第３導体層とを接続する第２ビア導体、とを有する。前記第２導体層は前記第１ビア導体の直上に形成されている第１部分と前記第１部分を囲み前記第１面上に形成されている第２部分とからなるランドを含んでいる。前記ランドの上面は前記第２開口により部分的に露出され、前記第１部分の上面と前記第２部分の上面は同じ面を形成する。

【0006】

本発明の実施形態のプリント配線板では、ランドの第１部分の上面と第２部分の上面は共通な面を形成する。そのため、第２開口を形成するためのレーザ光の一部が外に向かって反射することが抑制される。第２開口の側壁に複雑な凹みが形成され難い。スパッタリングでシード層が形成されても、ビア導体用の開口の側壁上に連続するシード層を形成することができる。高い品質を有するプリント配線板が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図4A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図4E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図4G】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4H】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4I】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図4J】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5】実施形態の改変例のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図２と図３は実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層４と第１導体層１０と第１樹脂絶縁層２０と第２導体層３０と第１ビア導体４０と第２樹脂絶縁層１２０と第３導体層１３０と第２ビア導体１４０を有する。

【0009】

絶縁層４は樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４は、第５面６（図中の上面）と第５面６と反対側の第６面８（図中の下面）を有する。

【0010】

第１導体層１０は絶縁層４の第５面６上に形成されている。第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。信号配線１２の上面とパッド１４の上面は平坦である。第１導体層１０は主に銅によって形成される。第１導体層１０は、絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａの厚みは０．５μｍ未満である。シード層１０ａは第５面６上の第１層１１ａと第１層１１ａ上の第２層１１ｂで形成されている。第１層１１ａの厚みと第２層１１ｂの厚みとの比（第１層の厚み／第２層の厚み）は０．２５以上、０．７以下である。第２層１１ｂの厚みは第１層１１ａの厚みより厚い。第１層１１ａは銅と特定卑金属を含む合金（銅合金）で形成されている。特定卑金属は銅以外の卑金属である。特定卑金属は例えばアルミニウムである。第２層１１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１０ｂは銅で形成されている。第１層１１ａは絶縁層４に接している。

【0011】

第１層１１ａを形成している銅合金中の銅の含有率は９０ａｔ％より大きい。第１層１１ａの銅合金中の銅の含有率は９９ａｔ％未満である。銅合金中の銅の含有率は９８ａｔ％以下である。第２層１１ｂを形成している銅の含有率は９９．９ａｔ％以上である。第２層１１ｂ中の銅の含有率は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0012】

第１樹脂絶縁層２０は絶縁層４の第５面６と第１導体層１０上に形成されている。第１樹脂絶縁層２０は第１面２２（図中の上面）と第１面２２と反対側の第２面２４（図中の下面）を有する。第１樹脂絶縁層２０の第２面２４は第１導体層１０と対向する。第１樹脂絶縁層２０はパッド１４を部分的に露出する第１開口２６を有している。第１開口２６の底部の径は２０μｍ以上５０μｍ以下である。第１樹脂絶縁層２０は樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０は例えばシリカやアルミナである。無機粒子９０の平均粒径は０．５μｍ以下である。第１樹脂絶縁層２０中の無機粒子９０の量は７５ｗｔ％以上である。

【0013】

図１と図２に示されるように、無機粒子９０は、樹脂８０に部分的に埋まっている第１無機粒子９１と、樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第１無機粒子９１と第２無機粒子９２の形は球である。図２に示されるように、第１無機粒子９１は、樹脂８０から突出する第３部分９１ａと樹脂８０に埋まっている第４部分９１ｂで形成されている。第１樹脂絶縁層２０の第１面２２は樹脂８０の上面と樹脂８０の上面から露出する第３部分９１ａの露出面で形成されている。

【0014】

第３部分９１ａの体積と第１無機粒子９１の体積との比Ｒ（第３部分の体積／第１粒子の体積）は０より大きく０．４以下である。比Ｒは０．２以下であることが好ましい。比Ｒは０．１以下であることがより好ましい。比Ｒは０．０５以下であることが最も好ましい。樹脂８０から第３部分９１ａが突出すると第１樹脂絶縁層２０の第１面２２が僅かな凹凸を有する。しかし樹脂８０の上面は荒らされていない。そのため第１面２２は凹部をほぼ有していない。第１面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。第１面２２の粗さＲａは０．０５μｍ以下であることが好ましい。第１面２２の粗さＲａは０．０３μｍ以下であることがより好ましい。

【0015】

図１と図３に示されるように、無機粒子９０は、第１開口２６の第１内壁面２７を形成する第３無機粒子９３をさらに含む。第３無機粒子９３の形状は球を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。第３無機粒子９３は平坦部９３ａを有する。平坦部９３ａは第１内壁面２７を形成する。第１内壁面２７は樹脂８０と平坦部９３ａで形成されている。平坦部９３ａと第１内壁面２７を形成する樹脂８０の面は、ほぼ共通な面を形成する。第１内壁面２７を形成する樹脂８０上に凹凸が形成されない。第１内壁面２７を形成する樹脂８０の面はほぼ平滑である。平坦部９３ａの露出面（第１内壁面２７を形成する面）上に凹凸が形成されない。平坦部９３ａの露出面は平滑である。第１内壁面２７は平滑に形成される。第１内壁面２７の算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。

【0016】

図１に示されるように、第２導体層３０は第１樹脂絶縁層２０の第１面２２上に形成されている。第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６を含む。図に示されていないが、第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成している。第１信号配線３２と第２信号配線３４は隣り合っている。第１信号配線３２の上面と第２信号配線３４の上面とランド３６の上面は共通な平面を形成する。

【0017】

図３に示されるように、ランド３６は、第１ビア導体４０の直上に形成されている第１部分３６ａと第１部分３６ａを囲み第１面２２上に形成されている第２部分３６ｂとからなる。ランド３６の上面は第２開口１２６により部分的に露出される。第１部分３６ａの上面と第２部分３６ｂの上面は同じ面を形成する。

【0018】

第２導体層３０は主に銅によって形成される。第２導体層３０は、第１面２２上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａは第１面２２上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。シード層３０ａの厚みは０．５μｍ未満である。第１層３１ａの厚みと第２層３１ｂの厚みとの関係と第１層１１ａの厚みと第２層１１ｂの厚みとの関係は同様である。第１層３１ａと第２層３１ｂは第２導体層３０を形成し、第１層１１ａと第２層１１ｂは第１導体層１０を形成する。第１層３１ａは銅と特定卑金属を含む合金（銅合金）で形成されている。特定卑金属は銅以外の卑金属である。特定卑金属は例えばアルミニウムである。第２層３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層３０ｂは銅で形成されている。第１層３１ａは第１面２２に接している。

【0019】

第１層３１ａを形成している銅合金中の銅の含有率は９０ａｔ％より大きい。第１層３１ａの銅合金中の銅の含有率は９９ａｔ％未満である。銅合金中の銅の含有率は９８ａｔ％以下である。第２層３１ｂを形成している銅の含有率は９９．９ａｔ％以上である。第２層３１ｂ中の銅の含有率は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0020】

第１ビア導体４０は第１開口２６内に形成されている。第１ビア導体４０は第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。図１では第１ビア導体４０はパッド１４とランド３６を接続する。第１ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。第１ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第２導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。第１層３１ａは第１内壁面２７に接している。

【0021】

図１と図３に示されるように、第２樹脂絶縁層１２０は第１樹脂絶縁層２０の第１面２２と第２導体層３０上に形成されている。第２樹脂絶縁層１２０は第３面１２２（図中の上面）と第３面１２２と反対側の第４面１２４（図中の下面）を有する。第２樹脂絶縁層１２０の第４面１２４は第２導体層３０と対向する。第２樹脂絶縁層１２０はランド３６を部分的に露出する第２開口１２６を有している。第２開口１２６は第１部分３６ａを部分的に露出する。第２開口１２６の底部の径は２０μｍ以上５０μｍ以下である。第２樹脂絶縁層１２０は樹脂８０と多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０と無機粒子９０は第１樹脂絶縁層２０内のものと同様である。

【0022】

図１と図３に示されるように、第２樹脂絶縁層１２０内の無機粒子９０は、樹脂８０に部分的に埋まっている第１無機粒子９１と、樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第１無機粒子９１と第２無機粒子９２の形は球である。図３に示されるように、第１無機粒子９１は、樹脂８０から突出する第３部分９１ａと樹脂８０に埋まっている第４部分９１ｂで形成されている。第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２は樹脂８０の上面と樹脂８０の上面から露出する第３部分９１ａの露出面で形成されている。

【0023】

第３部分９１ａの体積と第１無機粒子９１の体積との比Ｒ（第３部分の体積／第１粒子の体積）は０より大きく０．４以下である。比Ｒは０．２以下であることが好ましい。比Ｒは０．１以下であることがより好ましい。比Ｒは０．０５以下であることが最も好ましい。樹脂８０から第３部分９１ａが突出すると第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２が僅かな凹凸を有する。しかし樹脂８０の上面は荒らされていない。そのため第３面１２２は凹部をほぼ有していない。第３面１２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。第３面１２２のＲａは０．０５μｍ以下であることが好ましい。第３面１２２のＲａは０．０３μｍ以下であることがより好ましい。

【0024】

図１と図３に示されるように、第２樹脂絶縁層１２０内の無機粒子９０は、第２開口１２６の第２内壁面１２７を形成する第３無機粒子９３をさらに含む。第３無機粒子９３の形状は球を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。第３無機粒子９３は平坦部９３ａを有する。平坦部９３ａは第２内壁面１２７を形成する。第２内壁面１２７は樹脂８０と平坦部９３ａで形成されている。平坦部９３ａと第２内壁面１２７を形成する樹脂８０の面は、ほぼ共通な面を形成する。第２内壁面１２７を形成する樹脂８０上に凹凸が形成されない。第２内壁面１２７を形成する樹脂８０の面はほぼ平滑である。平坦部９３ａの露出面（第２内壁面１２７を形成する面）上に凹凸が形成されない。平坦部９３ａの露出面は平滑である。第２内壁面１２７は平滑に形成される。第２内壁面１２７の算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。

【0025】

図１に示されるように、第３導体層１３０は第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２上に形成されている。第３導体層１３０は第１信号配線１３２と第２信号配線１３４とランド１３６を含む。図に示されていないが、第３導体層１３０は第１信号配線１３２と第２信号配線１３４とランド１３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線１３２と第２信号配線１３４はペア配線を形成している。第１信号配線１３２と第２信号配線１３４は隣り合っている。第１信号配線１３２の上面と第２信号配線１３４の上面とランド１３６の上面は平坦である。

【0026】

図３に示されるように、ランド１３６は、第２ビア導体１４０の直上に形成されている第１部分１３６ａと第１部分１３６ａを囲み第３面１２２上に形成されている第２部分１３６ｂとからなる。第１部分１３６ａの上面と第２部分１３６ｂの上面は同じ面を形成する。

【0027】

第３導体層１３０は主に銅によって形成される。第３導体層１３０は、第３面１２２上のシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。シード層１３０ａはスパッタ層である。シード層１３０ａは第３面１２２上の第１層１３１ａと第１層１３１ａ上の第２層１３１ｂで形成されている。シード層１３０ａの厚みは０．５μｍ未満である。第１層１３１ａは銅と特定卑金属を含む合金（銅合金）で形成されている。特定卑金属は銅以外の卑金属である。特定卑金属は例えばアルミニウムである。第２層１３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１３０ｂは銅で形成されている。第１層１３１ａは第３面１２２に接している。

【0028】

第１層１３１ａを形成している銅合金中の銅の含有率は９０ａｔ％より大きい。第１層１３１ａの銅合金中の銅の含有率は９９ａｔ％未満である。銅合金中の銅の含有率は９８ａｔ％以下である。第２層１３１ｂを形成している銅の含有率は９９．９ａｔ％以上である。第２層１３１ｂ中の銅の含有率は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0029】

第２ビア導体１４０は第２開口１２６内に形成されている。第２ビア導体１４０は第２導体層３０と第３導体層１３０を接続する。第２ビア導体１４０はランド３６とランド１３６を接続する。第２ビア導体１４０はシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。第２ビア導体１４０を形成するシード層１３０ａと第３導体層１３０を形成するシード層１３０ａは共通である。第１層１３１ａは第２内壁面１２７に接している。

【0030】

図に示されないが、プリント配線板２の各辺の長さは５０ｍｍ以上である。各辺の長さは１００ｍｍ以上であることが好ましい。各辺の長さは２５０ｍｍ以下である。

【0031】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図４Ａ～図４Ｊは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図４Ａ～図４Ｃと図４Ｅ、図４Ｇ～図４Ｊは断面図である。図４Ｄと図４Ｆは拡大断面図である。図４Ａは絶縁層４と絶縁層４の第５面６上に形成されている第１導体層１０を示す。第１導体層１０はセミアディティブ法によって形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂはスパッタリングで形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂは真空中で形成される。電解めっき層１０ｂは電解めっきで形成される。

【0032】

図４Ｂに示されるように、絶縁層４と第１導体層１０上に第１樹脂絶縁層２０と保護膜５０が形成される。第１樹脂絶縁層２０の第２面２４が絶縁層４の第５面６と対向している。第１樹脂絶縁層２０の第１面２２上に保護膜５０が形成されている。第１樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子９０（第２無機粒子９２）を有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。

【0033】

保護膜５０は第１樹脂絶縁層２０の第１面２２を完全に覆っている。保護膜５０の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜５０と第１樹脂絶縁層２０との間に離型剤が形成されている。

【0034】

図４Ｃに示されるように、保護膜５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０と第１樹脂絶縁層２０を同時に貫通する。第１導体層１０のパッド１４に至るビア導体用の第１開口２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。第１開口２６によりパッド１４が露出される。第１開口２６が形成される時、第１面２２は保護膜５０で覆われている。そのため、第１開口２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第１面２２に樹脂が付着することが抑制される。パッド１４の上面は平坦である。そのため、第１開口２６の形成時に照射されるレーザ光Ｌの一部が外に向かって反射することが抑制される。もし、レーザ光Ｌが外に向かって反射すると、反射光により、第１開口２６を形成する第１樹脂絶縁層２０が除かれる。実施形態では、反射光が第１開口２６の側壁の一部を除去することが抑制される。第１開口２６の側壁に複雑な凹みが形成され難い。

【0035】

図４Ｄは、レーザ光照射後の第１開口２６の第１内壁面２７ｂを示す。第１内壁面２７ｂは樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。内壁面の形状を制御するため、レーザ光照射後の第１内壁面２７ｂは処理される。樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去することが好ましい。これにより、無機粒子９０から第３無機粒子９３が形成される。例えば、レーザ光照射後の第１内壁面２７ｂを薬品で処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。あるいは、レーザ光照射後の第１内壁面２７ｂをプラズマで処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。選択的に除去することは、無機粒子９０のエッチング速度が樹脂８０のエッチング速度より大きいことを含む。例えば、両者のエッチング速度差は１０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は５０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は１００倍以上である。レーザ光照射後の第１内壁面２７ｂを処理することで、平坦部９３ａ（図３参照）を有する第３無機粒子９３が得られる。レーザ光照射後の第１内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、第１内壁面２７の形状を制御することができる。条件の例は、温度、濃度、時間、ガスの種類や圧力である。無機粒子９０のエッチング速度と樹脂のエッチング速度が制御される。

【0036】

第１樹脂絶縁層２０にレーザ光Ｌを照射することで、樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２の一部がレーザ光照射後の第１内壁面２７ｂを形成する。レーザ光照射後の第１内壁面２７ｂを形成する第２無機粒子９２は、樹脂８０から突出している突出部分Ｐと樹脂８０に埋まっている部分Ｅで形成される。レーザ光照射後の第１内壁面２７ｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで第１内壁面２７ｂが処理される。突出部分Ｐが選択的に除去され、実施形態の第１内壁面２７（図１、図３）が形成される。第２無機粒子９２から第３無機粒子９３が形成される。突出部分Ｐを選択的に除去することで、平坦部９３ａを有する第３無機粒子９３が形成される。平坦部９３ａは平面である。球の形を持つ第２無機粒子９２が平面で切断されると、第３無機粒子９３の形状が得られる。第１内壁面２７は平坦部９３ａと樹脂８０の面８０ａで形成される。平坦部９３ａの露出面９３ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ同一平面上に位置する。例えば、スパッタリングで第１内壁面２７ｂ上にシード層３０ａが形成されると、突出部分Ｐはスパッタ膜の成長を阻害する。例えば、第１内壁面２７ｂ上に連続しているシード層３０ａが形成されない。あるいは、シード層３０ａの厚みを大きくしなければならない。微細な導体回路を形成することができない。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。スパッタで形成されるシード層３０ａの厚みを薄くできる。スパッタリングで形成されるシード層３０ａの厚みが薄くても、連続しているシード層３０ａが得られる。シード層３０ａの厚みは０．０５μｍ以上、０．５μｍ未満である。

【0037】

第１内壁面２７上に凹凸が形成されない。第１内壁面２７は平滑に形成される。レーザ光照射後の第１内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさが制御される。

【0038】

第１開口２６内が洗浄される。第１開口２６内を洗浄することにより第１開口２６形成時に発生する樹脂残渣が除去される。第１開口２６内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。第１樹脂絶縁層２０の第１面２２は保護膜５０で覆われているためプラズマの影響を受けない。この時点で第１樹脂絶縁層２０の第１面２２には凹凸が形成されない。第１面２２に無機粒子９０が露出しない。第１面２２は荒らされていない。

【0039】

レーザ光照射後の第１内壁面２７ｂを処理することが第１開口２６内を洗浄することを含む場合、第１開口２６内を洗浄することを削除することができる。

【0040】

図４Ｅに示されるように、第１開口２６内を洗浄することの後に、第１樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の第１内壁面２７ｂを処理することが第１開口２６内を洗浄することを含む場合、レーザ光照射後の第１内壁面２７ｂを処理することの後に、第１樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の第１内壁面２７ｂが処理される時、保護膜５０は第１樹脂絶縁層２０の第１面２２を覆っている。

【0041】

保護膜５０の除去後、第１樹脂絶縁層２０の第１面２２がクリーニングされる。第１面２２がドライエッチングされる。ドライエッチングはアルゴンガスを用いるスパッタリング（アルゴンスパッタリング）によって行われる。図４Ｆ（ａ）（ｂ）はドライエッチング前後の第１樹脂絶縁層２０の第１面２２を模式的に示す。図４Ｆ（ａ）（ｂ）に示されるように、ドライエッチングによって第１樹脂絶縁層２０を形成する樹脂８０が２０ｎｍ程度除去される。例えば、保護膜５０を第１樹脂絶縁層２０に接着するための接着材が除去される。ドライエッチングによって、樹脂８０が選択的に除去される。樹脂８０の厚みが薄くなる。無機粒子９０（第２無機粒子９２）の一部は、ドライエッチングによって部分的に樹脂８０の上面から露出する。樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２を樹脂８０の上面から露出することで、第１無機粒子９１が得られる。第１無機粒子９１は第２無機粒子９２から形成される。第１無機粒子９１の形と第２無機粒子９２の形は同じである。両者の形は球である。図４Ｆ（ｂ）に示されるように、第１無機粒子９１は、樹脂８０から突出する第３部分９１ａと樹脂８０に埋まっている第４部分９１ｂで形成されている。第１樹脂絶縁層２０の第１面２２は樹脂８０の上面８０Ｒと樹脂８０の上面８０Ｒから突出している第３部分９１ａの露出面９１ａＲで形成されている。ドライエッチングによって第３部分９１ａの露出面９１ａＲが露出する。第１樹脂絶縁層２０の第１面２２は荒らされていない。そのため第１面２２には凹部がほぼ形成されない。

【0042】

比Ｒは、例えば、図４Ｆ（ｂ）に示される第１無機粒子９１の断面図を用いて算出される。図４Ｆ（ｂ）は上面８０Ｒに垂直な面で第１樹脂絶縁層２０を切断することで得られる。図４Ｆ（ｂ）には、第２導体層３０が省略されている。図４Ｆ（ｂ）中の第１無機粒子９１上に第２導体層３０が形成されている。図４Ｆ（ｂ）中の露出面９１ａＲは第２導体層３０で覆われている。図４Ｆ（ｂ）を用いて、第３部分９１ａの断面積９１ａＳが求められる。同様に、第１無機粒子９１の断面積９１Ｓが求められる。例えば、比Ｒは断面積９１ａＳと断面積９１Ｓの比（第３部分９１ａの断面積９１ａＳ／第１無機粒子９１の断面積９１Ｓ）で代表される。例えば、比Ｒが評価される時、５０個の第１無機粒子９１が観察される。５０個の第１無機粒子９１が比Ｒを満足する。

【0043】

図４Ｇに示されるように、第１樹脂絶縁層２０の第１面２２上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａはスパッタリングによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。第１層３１ａが第１面２２上にスパッタリングで形成される。同時に、第１開口２６から露出する第１内壁面２７とパッド１４上に第１層３１ａがスパッタリングで形成される。第１面２２上には凹部がほとんど形成されていない。そのため、第１面２２上の第１層３１ａはほぼ平坦に形成される。その後、第１層３１ａ上に第２層３１ｂがスパッタリングで形成される。第２層３１ｂはほぼ平坦に形成される。第１層３１ａと第２層３１ｂは真空中で形成される。シード層３０ａは第１開口２６から露出するパッド１４の上面と第１開口２６の第１内壁面２７に形成される。第１層３１ａは銅と特定卑金属（アルミニウム）を含む合金で形成される。第２層３１ｂは銅で形成される。

【0044】

第１面２２は凹部を有していない。第１内壁面２７は平滑に形成されている。そのためスパッタ膜（第１層３１ａ、第２層３１ｂ）の厚みが薄くても連続するシード層３０ａを形成することができる。その結果、微細な配線を形成することができる。

【0045】

シード層３０ａ上にめっきレジスト６０（図４Ｈ参照）が形成される。めっきレジスト６０は、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６（図１）を形成するための開口を有する。第１面２２が凹部を有すると、その凹部に起因する空気がめっきレジストとシード層３０ａ間に閉じ込められやすい。しかしながら、実施形態では、第１面２２は凹部をほとんど有していない。そのため、第１面２２上のシード層３０ａはほぼ平坦に形成される。シード層３０ａがほぼ凹部を有さない。めっきレジストとシード層３０ａの間に空気が残りがたい。めっきレジストとシード層３０ａ間の接触面積が大きい。第１信号配線３２と第２信号配線３４間の空間を形成するためのめっきレジストの幅が１０μｍ以下であっても、めっきレジストがシード層３０ａの上面から剥がれがたい。実施形態によれば、めっきレジストの幅が３μｍ以上、８μｍ以下であっても、めっきレジストをシード層３０ａ上に形成することができる。めっきレジストの幅が６μｍ以下であっても、めっきレジストがシード層３０ａから剥がれ難い。

【0046】

図４Ｈに示されるように、めっきレジスト６０から露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂは第１開口２６を充填する。電解めっき層３０ｂは、めっきレジスト６０の開口を充填する。電解めっき層３０ｂはめっきレジスト６０の上面を覆う。電解めっき層３０ｂの厚み（シード層３０ａの上面からの高さ）はめっきレジスト６０の厚みより大きい。

【0047】

図４Ｉに示されるように、電解めっき層３０ｂの上面とめっきレジスト６０の上面が研磨される。研磨により、電解めっき層３０ｂが所望の厚みを有する。第１面２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６が形成される。第２導体層３０が形成される。電解めっき層３０ｂの上面を研磨することで、第２導体層３０を形成する各導体回路の上面は同じ面を形成する。第１信号配線３２の上面と第２信号配線３４の上面とランド３６の上面は平坦である。ランド３６は、第１ビア導体４０の直上に形成されている第１部分３６ａと第１部分３６ａを囲み第１面２２上に形成されている第２部分３６ｂとからなる（図３）。第１部分３６ａの上面と第２部分３６ｂの上面は同じ面を形成する（図３）。第１開口２６内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第１ビア導体４０が形成される。第１ビア導体４０は、パッド１４とランド３６を接続する。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成する。

【0048】

図４Ｊに示されるように、めっきレジスト６０が除去される。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去される。シード層３０ａはウェットエッチングによって除去される。ウェットエッチングに用いられるエッチング液は過酸化水素水と硫酸を含む水溶液である。ウェットエッチングにより第１層３１ａと第２層３１ｂは同時に除去される。第２導体層３０と第１ビア導体４０は同時に形成される。

【0049】

その後、第２樹脂絶縁層１２０と第３導体層１３０と第２ビア導体１４０が形成される。第２樹脂絶縁層１２０と第３導体層１３０と第２ビア導体１４０の形成手法は、第１樹脂絶縁層２０と第２導体層３０と第１ビア導体４０の形成手法と同様である。実施形態のプリント配線板２（図１）が得られる。

【0050】

実施形態のプリント配線板２では、ランド３６を形成する第１部分３６ａの上面と第２部分３６ｂの上面は共通な面を形成する（図３）。そのため、第２開口１２６を形成するために照射されるレーザ光の一部が外に向かって反射しがたい。そのため、ランド３６と第２樹脂絶縁層１２０間に隙間が形成され難い。ランド３６と第２樹脂絶縁層１２０間に隙間が形成されると、その隙間内にスパッタリングでシード層１３０ａを形成することが難しい。スパッタリングを用いて第２ビア導体１４０用の第２開口１２６内に連続するシード層１３０ａを形成することができる。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0051】

実施形態のプリント配線板２では、第１樹脂絶縁層２０の第１面２２は樹脂８０の上面８０Ｒと樹脂８０の上面８０Ｒから露出する第３部分９１ａの露出面９１ａＲで形成されている（図２）。第１面２２が凹部を有していない。そのため、第１樹脂絶縁層２０上にスパッタによってシード層３０ａが形成される場合、スパッタ膜の厚みが薄くても連続するシード層３０ａを形成することができる。シード層３０ａは薄く形成される。シード層３０ａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため、電解めっき層３０ｂのエッチング量が少ない。第１信号配線３２と第２信号配線３４を有する第２導体層３０が設計値通りの幅を有する。微細な配線が形成される。同様に、第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２は樹脂８０の上面８０Ｒと樹脂８０の上面８０Ｒから露出する第３部分９１ａの露出面９１ａＲで形成されている。第３面１２２が凹部を有していない。シード層１３０ａは薄く形成される。第１信号配線１３２と第２信号配線１３４を有する第３導体層１３０が設計値通りの幅を有する。微細な配線が形成される。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0052】

実施形態のプリント配線板２では、第１開口２６の第１内壁面２７は第３無機粒子９３の平坦部９３ａと樹脂８０によって形成される。平坦部９３ａと第１内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａは共通な面を形成する。第１内壁面２７は平滑に形成される。そのため、第１開口２６の第１内壁面２７上に均一な厚みのシード層３０ａが形成される。シード層３０ａは薄く形成される（図４Ｇ）。シード層３０ａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため、電解めっき層３０ｂのエッチング量が少ない。第１信号配線３２と第２信号配線３４を有する第２導体層３０が設計値通りの幅を有する。微細な配線が形成される。同様に、第２開口１２６の第２内壁面１２７は第３無機粒子９３の平坦部９３ａと樹脂８０によって形成される。平坦部９３ａと第２内壁面１２７を形成する樹脂８０の面８０ａは共通な面を形成する。第２内壁面１２７は平滑に形成される。第２開口１２６の第２内壁面１２７上に均一な厚みのシード層１３０ａが形成される。シード層１３０ａは薄く形成される。第１信号配線１３２と第２信号配線１３４を有する第３導体層１３０が設計値通りの幅を有する。微細な配線が形成される。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0053】

実施形態のプリント配線板２では、シード層３０ａ、１３０ａの第１層３１ａ、１３１ａと第２層３１ｂ、１３１ｂはスパッタリングで形成される（図４Ｇ）。スパッタリングは真空中で行われるため、第２層３１ｂ、１３１ｂが形成される時、第１層３１ａ、１３１ａの酸化が起こりがたい。第１層３１ａ、１３１ａと第２層３１ｂ、１３１ｂが十分に密着する。第２層３１ｂ、１３１ｂが第１層３１ａ、１３１ａから剥がれがたい。第１開口２６の径が小さくても第１ビア導体４０とパッド１４間の接続信頼性が高い。第２開口１２６の径が小さくても第２ビア導体１４０とランド３６間の接続信頼性が高い。ビア導体（第１ビア導体４０、第２ビア導体１４０）を介する接続抵抗が上昇しがたい。図４（Ｅ）に示されるように、第１ビア導体４０の径（第１開口２６の直径）Ｄはパッド１４上で測定される。径Ｄは２０μｍ以上、５０μｍ以下である。プリント配線板２の各辺の長さが５０ｍｍを超えてもビア導体を介する接続抵抗が上昇しがたい。プリント配線板２の各辺の長さが１００ｍｍ以上であっても長期間接続抵抗が上昇しがたい。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0054】

［実施形態の別例１］
実施形態の別例１では、特定卑金属は、チタン、ニッケル、クロム、スズ、カルシウムの中から選ばれる。

【0055】

［実施形態の別例２］
実施形態の別例２では、シード層１０ａ、３０ａ、１３０ａの第１層１１ａ、３１ａ、１３１ａは、銅と第２元素で形成されている。第２元素は、ケイ素、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、炭素、酸素、スズ、カルシウムの中から選ばれる。第１層１１ａ、３１ａ、１３１ａは銅を含む合金で形成される。第２層１１ｂ、３１ｂ、１３１ｂは銅で形成される。第２層１１ｂ、３１ｂ、１３１ｂを形成している銅の量は９９．９ａｔ％以上である。９９．９５ａｔ％以上が好ましい。

【0056】

［実施形態の改変例］
図５は実施形態の改変例を示す。図５に示されるように、改変例のプリント配線板１０２は絶縁層４上にビルドアップ層５００を有する。ビルドアップ層５００は複数の導体層と複数の樹脂絶縁層を有する。導体層と樹脂絶縁層は交互に積層される。ビルドアップ層５００は５層の導体層と４層の樹脂絶縁層を有する。５層の導体層は第１導体層１０と第２導体層３０、第３導体層１３０、第４導体層２３０、第５導体層３３０を含む。第１導体層１０と第２導体層３０と第３導体層１３０は実施形態と同様である。第４導体層２３０と第５導体層３３０は、第２導体層３０、第３導体層１３０と共通する構成（シード層と電解めっき層）を有する。第４導体層２３０と第５導体層３３０は、第２導体層３０と同様の方法によって形成される。

【0057】

４層の樹脂絶縁層は第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０、第３樹脂絶縁層２２０、第４樹脂絶縁層３２０を含む。第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０は実施形態と同様である。第３樹脂絶縁層２２０と第４樹脂絶縁層３２０は、第１樹脂絶縁層２０、第２樹脂絶縁層１２０と共通する構成（樹脂と無機粒子）を有する。第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０、第３樹脂絶縁層２２０、第４樹脂絶縁層３２０は実施形態の第１樹脂絶縁層２０と同様の方法で形成される。第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０、第３樹脂絶縁層２２０、第４樹脂絶縁層３２０はそれぞれ第１開口２６、第２開口１２６、第３開口２２６、第４開口３２６を有している。

【0058】

ビルドアップ層５００は４個のビア導体４０、１４０、２４０、３４０を有する。第１ビア導体４０は第１開口２６内に形成されており、第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。第２ビア導体１４０は第２開口１２６内に形成されており、第２導体層３０と第３導体層１３０を接続する。第３ビア導体２４０は第３開口２２６内に形成されており、第３導体層１３０と第４導体層２３０を接続する。第４ビア導体３４０は第４開口３２６内に形成されており、第４導体層２３０と第５導体層３３０を接続する。第２ビア導体１４０、第３ビア導体２４０、第４ビア導体３４０は第１ビア導体４０の直上に積層されている。４個のビア導体４０、１４０、２４０、３４０はスタックビアを形成する。

【0059】

改変例のプリント配線板１０２は５層の導体層１０、３０、１３０、２３０、３３０と、４個のビア導体４０、１４０、２４０、３４０で形成されるスタックビアを含んでいる。プリント配線板１０２の使用に伴って最も下の第１ビア導体４０と第１導体層１０（パッド１４）の接続部分に大きい応力が加わる。しかしながら、改変例では、第１ビア導体４０と第１導体層１０（パッド１４）間の接続信頼性は高い。第１ビア導体４０を介する接続抵抗が上昇しがたい。

【0060】

［改変例の別例］
ビルドアップ層５００は５層以上の導体層を有する。ビルドアップ層５００は１０層以上の導体層を有することが好ましい。導体層の数は２０以下である。

【符号の説明】

【0061】

２ ：プリント配線板
４ ：絶縁層
１０ ：第１導体層
２０ ：樹脂絶縁層
２２ ：第１面
２４ ：第２面
２６ ：第１開口
２７ ：第１内壁面
３０ ：第２導体層
３０ａ ：シード層
３１ａ ：第１層
３１ｂ ：第２層
３６ ：ランド
３６ａ ：第１部分
３６ｂ ：第２部分
４０ ：ビア導体
８０ ：樹脂
９０ ：無機粒子
９１ ：第１無機粒子
９１ａ ：第３部分
９１ｂ ：第４部分
９２ ：第２無機粒子
９３ ：第３無機粒子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図4I】

【図4J】

【図5】