ホーム > 特許ランキング > 株式会社ジャパンディスプレイ
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024079095
(43)【公開日】2024-06-11
(54)【発明の名称】表示装置及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 71/00 20230101AFI20240604BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20240604BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240604BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20240604BHJP
H10K 50/818 20230101ALI20240604BHJP
H10K 50/828 20230101ALI20240604BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20240604BHJP
H10K 71/16 20230101ALI20240604BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240604BHJP
【ＦＩ】
H10K71/00
H05B33/12 B
H05B33/12 Z
H10K59/122
H10K50/844
H10K50/818
H10K50/828
H10K71/20
H10K71/16
G09F9/30 365
G09F9/30 348A
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022191820
(22)【出願日】2022-11-30
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】山本 裕也
(72)【発明者】
【氏名】今井 信雄
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB08
3K107CC23
3K107CC25
3K107CC45
3K107DD23
3K107DD27
3K107DD89
3K107EE48
3K107EE50
3K107FF15
3K107GG03
3K107GG12
5C094AA10
5C094AA31
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA13
5C094FB02
5C094FB15
5C094HA05
5C094HA08
(57)【要約】
【課題】信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、下電極を形成し、前記下電極を覆う絶縁層を形成し、前記絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、前記絶縁層をパターニングすることにより、前記下電極に重なる開口を形成し、前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成し、前記絶縁層は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成する。
【選択図】図６
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、下電極を形成し、前記下電極を覆う絶縁層を形成し、前記絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、前記絶縁層をパターニングすることにより、前記下電極に重なる開口を形成し、前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成し、前記絶縁層は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成する。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下電極を形成し、
前記下電極を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、
前記絶縁層をパターニングすることにより、前記下電極に重なる開口を形成し、
前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成し、
前記絶縁層は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成する、表示装置の製造方法。
前記下電極を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、
前記絶縁層をパターニングすることにより、前記下電極に重なる開口を形成し、
前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成し、
前記絶縁層は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成する、表示装置の製造方法。
【請求項2】
前記絶縁層は、前記下電極より厚くなるように形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項3】
下電極を形成し、
前記下電極を覆う第１絶縁層を形成し、
前記第１絶縁層の上に第２絶縁層を形成し、
前記第２絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、
前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を順次パターニングすることにより、前記下電極に重なる開口を形成し、
前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成し、
前記第１絶縁層は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成する、表示装置の製造方法。
前記下電極を覆う第１絶縁層を形成し、
前記第１絶縁層の上に第２絶縁層を形成し、
前記第２絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、
前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を順次パターニングすることにより、前記下電極に重なる開口を形成し、
前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成し、
前記第１絶縁層は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成する、表示装置の製造方法。
【請求項4】
前記第２絶縁層は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、または、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）で形成する、請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項5】
前記第１絶縁層は、前記下電極より厚くなるように形成する、請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項6】
前記第１絶縁層は、第１ＣＶＤ装置により形成し、
前記第２絶縁層は、前記第１ＣＶＤ装置とは異なる第２ＣＶＤ装置により形成する、請求項３に記載の表示装置の製造方法。
前記第２絶縁層は、前記第１ＣＶＤ装置とは異なる第２ＣＶＤ装置により形成する、請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項7】
基板と、
前記基板の上方に配置された下電極と、
前記下電極の端部を覆い、前記下電極に重なる開口を有するリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備え、
前記リブは、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成されている、表示装置。
前記基板の上方に配置された下電極と、
前記下電極の端部を覆い、前記下電極に重なる開口を有するリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備え、
前記リブは、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成されている、表示装置。
【請求項8】
前記リブは、前記下電極より厚い、請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
基板と、
前記基板の上方に配置された下電極と、
前記下電極に重なる開口を有するリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備え、
前記リブは、
前記下電極の端部を覆い、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成された第１リブ層と、
前記第１リブ層の上に配置され、前記第１リブ層とは異なる無機絶縁材料で形成された第２リブ層と、を備えている、表示装置。
前記基板の上方に配置された下電極と、
前記下電極に重なる開口を有するリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備え、
前記リブは、
前記下電極の端部を覆い、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成された第１リブ層と、
前記第１リブ層の上に配置され、前記第１リブ層とは異なる無機絶縁材料で形成された第２リブ層と、を備えている、表示装置。
【請求項10】
前記第２リブ層は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、または、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）で形成されている、請求項９に記載の表示装置。
【請求項11】
前記第１リブ層は、前記下電極より厚い、請求項９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
下電極を形成し、前記下電極を覆う絶縁層を形成し、前記絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、前記絶縁層をパターニングすることにより、前記下電極に重なる開口を形成し、前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成し、前記絶縁層は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成する。
下電極を形成し、前記下電極を覆う絶縁層を形成し、前記絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、前記絶縁層をパターニングすることにより、前記下電極に重なる開口を形成し、前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成し、前記絶縁層は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成する。
【0006】
一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
下電極を形成し、前記下電極を覆う第１絶縁層を形成し、前記第１絶縁層の上に第２絶縁層を形成し、前記第２絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を順次パターニングすることにより、前記下電極に重なる開口を形成し、前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成し、前記第１絶縁層は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成する。
下電極を形成し、前記下電極を覆う第１絶縁層を形成し、前記第１絶縁層の上に第２絶縁層を形成し、前記第２絶縁層の上に位置し導電材料で形成された下部と、前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁を形成し、前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層を順次パターニングすることにより、前記下電極に重なる開口を形成し、前記下電極の上に、発光層を含む有機層を形成し、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極を形成し、前記第１絶縁層は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成する。
【0007】
一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、前記下電極の端部を覆い、前記下電極に重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備え、前記リブは、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成されている。
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、前記下電極の端部を覆い、前記下電極に重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備え、前記リブは、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成されている。
【0008】
一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、前記下電極に重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備え、前記リブは、前記下電極の端部を覆い、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成された第１リブ層と、前記第１リブ層の上に配置され、前記第１リブ層とは異なる無機絶縁材料で形成された第２リブ層と、を備えている。
基板と、前記基板の上方に配置された下電極と、前記下電極に重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、を備え、前記リブは、前記下電極の端部を覆い、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）で形成された第１リブ層と、前記第１リブ層の上に配置され、前記第１リブ層とは異なる無機絶縁材料で形成された第２リブ層と、を備えている。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0011】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面で構成要素を見ることを平面視という。
【0012】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0013】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0014】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0015】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0016】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0017】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０に接続されている。
【0018】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0019】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0020】
周辺領域ＳＡは、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板を接続するための端子領域ＴＡを有している。端子領域ＴＡは、複数のパッド（端子）ＰＤを備えている。複数のパッドＰＤは、ＩＣチップの端子やフレキシブルプリント回路基板の端子と接続される。
【0021】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
【0022】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0023】
なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0024】
表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。
隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0025】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１，２０２，２０３を備えている。
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を備えている。下電極ＬＥ１の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ１は、例えば青波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。下電極ＬＥ２の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ３の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を備えている。下電極ＬＥ１の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ１は、例えば青波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。下電極ＬＥ２の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。下電極ＬＥ３の周縁部は、リブ５で覆われている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、隔壁６で囲まれている。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
【0026】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0027】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0028】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0029】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積、開口ＡＰ２の面積、及び、開口ＡＰ３の面積は、互いに異なる。開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0030】
図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する有機絶縁層である。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する有機絶縁層である。
【0031】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置され、互いに離間している。図示した例では、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、逆テーパー状（台形状）の断面を有している。つまり、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３については、断面視において、絶縁層１２に接する下面の幅が上面の幅より小さい。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のそれぞれの厚さＴ１は、ほぼ同等であり、例えば、５０～２００ｎｍである。
【0032】
リブ５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。リブ５の開口ＡＰ１は下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は下電極ＬＥ３に重なっている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の各々の端部は、リブ５で覆われている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。リブ５の厚さＴ５は、下電極ＬＥ１等の厚さＴ１より大きく、例えば、２００～４００ｎｍである。
【0033】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0034】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
【0035】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下部６１に接触している。
【0036】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下部６１に接触している。
【0037】
図３の例においては、副画素ＳＰ１はキャップ層ＣＰ１及び封止層ＳＥ１を有し、副画素ＳＰ２はキャップ層ＣＰ２及び封止層ＳＥ２を有し、副画素ＳＰ３はキャップ層ＣＰ３及び封止層ＳＥ３を有している。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３から放たれた光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0038】
キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
【0039】
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
【0040】
図３の例においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の一部は、副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６の上に位置している。これらの部分は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のうち開口ＡＰ１に位置する部分（表示素子２０１を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
【0041】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の端部は、隔壁６の上に位置している。図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ１，ＳＥ２の端部同士が離間し、副画素ＳＰ２，ＳＰ３間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ２，ＳＥ３の端部同士が離間している。
【0042】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。封止層１４は、樹脂層１５によって覆われている。
【0043】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３、及び、封止層１４は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁材料で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３、及び、封止層１４は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの他の無機絶縁材料で形成されてもよい。
【0044】
隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成され、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の下部６１及び上部６２がいずれも導電材料によって形成されてもよい。
【0045】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの酸化物導電材料で形成された透明電極と、銀などの金属材料で形成された金属電極とを含む多層体である。
【0046】
有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ１、発光層ＥＭ２、及び、発光層ＥＭ３は、互いに異なる材料で形成されている。一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
また、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。
また、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。
【0047】
キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、複数の薄膜の多層体である。複数の薄膜は、いずれも透明であり、しかも、互いに異なる屈折率を有している。
【0048】
リブ５は、無機絶縁材料で形成されている。図示した一構成例では、リブ５は、単層体であり、炭素を含むシリコン酸化物の一例であるテトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）で形成されている。テトラエトキシシランは、単にＴＥＯＳと称する場合がある。
【0049】
図４は、図３に示したリブ５の他の構成例を示す拡大断面図である。
図４では、表示素子２０１と表示素子２０２との間のリブ５を示し、絶縁層１２よりも下層の図示を省略し、また、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２よりも上層の図示を省略している。
図４では、表示素子２０１と表示素子２０２との間のリブ５を示し、絶縁層１２よりも下層の図示を省略し、また、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２よりも上層の図示を省略している。
【0050】
リブ５は、第１リブ層５１と、第２リブ層５２と、を備えている。第１リブ層５１は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２の端部をそれぞれ覆うとともに、絶縁層１２を覆っている。第２リブ層５２は、第１リブ層５１の上に位置している。つまり、図示した例では、リブ５は、第１リブ層５１及び第２リブ層５２の多層体として形成されている。
【0051】
一例では、第１リブ層５１の厚さＴ５１は、下電極ＬＥ１等の厚さＴ１より大きい。第２リブ層５２の厚さＴ５２は、厚さＴ５１と同等であるが、厚さＴ５１とは異なっていてもよい。
【0052】
第１リブ層５１は、ＴＥＯＳで形成されている。
第２リブ層５２は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの炭素を含まない無機絶縁材料で形成されている。但し、第２リブ層５２は、図３に示した封止層ＳＥ１、ＳＥ２等とは異なる材料であることが望ましい。例えば、封止層ＳＥ１がシリコン窒化物で形成されている場合、第２リブ層５２は、シリコン酸化物またはシリコン酸窒化物で形成されることが望ましい。
第２リブ層５２は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの炭素を含まない無機絶縁材料で形成されている。但し、第２リブ層５２は、図３に示した封止層ＳＥ１、ＳＥ２等とは異なる材料であることが望ましい。例えば、封止層ＳＥ１がシリコン窒化物で形成されている場合、第２リブ層５２は、シリコン酸化物またはシリコン酸窒化物で形成されることが望ましい。
【0053】
なお、表示素子２０２と表示素子２０３との間のリブ５、及び、表示素子２０１と表示素子２０３との間のリブ５も、図４に示したリブ５と同様に構成されている。
また、リブ５は、図４に示した例では２層の多層体であるが、３層以上の多層体として形成されてもよい。
また、リブ５は、図４に示した例では２層の多層体であるが、３層以上の多層体として形成されてもよい。
【0054】
有機層ＯＲ１は、下電極ＬＥ１の端部の直上において、第２リブ層５２の上に配置されている。有機層ＯＲ１は、隔壁６から離間している。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、隔壁６に接触している。隔壁６と有機層ＯＲ１との間において、上電極ＵＥ１は、リブ５を覆っている。キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に位置している。
【0055】
有機層ＯＲ２は、下電極ＬＥ２の端部の直上において、第２リブ層５２の上に配置されている。有機層ＯＲ２は、隔壁６から離間している。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、隔壁６に接触している。隔壁６と有機層ＯＲ２との間において、上電極ＵＥ２は、リブ５を覆っている。キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に位置している。
【0056】
このように、図３に示した構成例のリブ５、及び、図４に示した構成例の第１リブ層５１は、いずれもＴＥＯＳで形成されている。ＴＥＯＳは、被覆性に優れており、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の端部を確実に覆うことができる。つまり、図３に示したリブ５及び図４に示した第１リブ層５１は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の端部に密着する。そして、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３がたとえ逆テーパー状の断面を有するように形成されたとしても、下電極とリブとの間で、ボイドの形成が抑制される。
【0057】
下電極とリブとの間にボイドが形成された場合、ボイドを起点としてリブ５にクラックが生ずるおそれがある。このようなリブ５のクラックは、絶縁層１２に含まれる水分の発散経路となり得る。すなわち、絶縁層１２は、有機絶縁層であり、無機絶縁層と比較して透水性が高い。このため、リブ５にクラックが生じた場合、絶縁層１２の水分が下電極ＬＥ１の端部を伝わり、クラックを透過するおそれがある。クラックがリブ５を貫通している場合、リブ５の上に位置する有機層ＯＲ１が絶縁層１２から発散された水分によってダメージを受け、有機層ＯＲ１の劣化を招く。
【0058】
上記の通り、本実施形態では、リブ５または第１リブ層５１は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の端部に密着し、ボイドの形成が抑制される。そして、リブ５において、ボイドを起点としたクラックの形成が抑制される。このため、絶縁層１２に含まれる水分の発散経路が遮断される。これにより、リブ５の上に位置する有機層ＯＲ１の水分による劣化が抑制される。したがって、信頼性の低下を抑制することができる。
次に、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。なお、図５乃至図１７においては、絶縁層１２よりも下層の図示を省略している。
次に、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。なお、図５乃至図１７においては、絶縁層１２よりも下層の図示を省略している。
【0059】
まず、図５に示すように、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する。
その後、表示領域ＤＡの全域に亘って無機絶縁材料を堆積して、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３を覆う絶縁層ＩＬを形成する。絶縁層ＩＬは、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成される。図３または図４に示したリブ５は、絶縁層ＩＬをパターニングすることで形成される。
絶縁層ＩＬの形成方法について以下に説明する。
その後、表示領域ＤＡの全域に亘って無機絶縁材料を堆積して、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３を覆う絶縁層ＩＬを形成する。絶縁層ＩＬは、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成される。図３または図４に示したリブ５は、絶縁層ＩＬをパターニングすることで形成される。
絶縁層ＩＬの形成方法について以下に説明する。
【0060】
図６は、絶縁層ＩＬの形成方法の一例を説明するための図である。
【0061】
まず、絶縁層１２の上に下電極ＬＥ１等が形成された処理基板ＳＵＢをＣＶＤ装置１００に搬入する（図６の上段）。
ＣＶＤ装置１００では、チャンバーの内部に反応性ガスを導入した後に、プラズマを発生させ、無機絶縁材料であるＴＥＯＳを処理基板ＳＵＢの上に堆積させる。ＴＥＯＳは、絶縁層１２の上面、下電極ＬＥ１の側面及び上面に付着する。このとき、ＴＥＯＳは、各部の表面での流動性が良好であり、隙間に入り込んで成長する。このため、ＴＥＯＳは、ボイドを形成することなく、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１に密着する（図６の中段）。
そして、厚さＴ５の絶縁層ＩＬを形成する（図６の下段）。絶縁層ＩＬは、下電極ＬＥ１よりも厚い。絶縁層ＩＬが形成された後に、処理基板ＳＵＢをＣＶＤ装置１００から搬出する。
これにより、図３に示したリブ５を形成するための絶縁層ＩＬが形成される。
ＣＶＤ装置１００では、チャンバーの内部に反応性ガスを導入した後に、プラズマを発生させ、無機絶縁材料であるＴＥＯＳを処理基板ＳＵＢの上に堆積させる。ＴＥＯＳは、絶縁層１２の上面、下電極ＬＥ１の側面及び上面に付着する。このとき、ＴＥＯＳは、各部の表面での流動性が良好であり、隙間に入り込んで成長する。このため、ＴＥＯＳは、ボイドを形成することなく、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１に密着する（図６の中段）。
そして、厚さＴ５の絶縁層ＩＬを形成する（図６の下段）。絶縁層ＩＬは、下電極ＬＥ１よりも厚い。絶縁層ＩＬが形成された後に、処理基板ＳＵＢをＣＶＤ装置１００から搬出する。
これにより、図３に示したリブ５を形成するための絶縁層ＩＬが形成される。
【0062】
絶縁層ＩＬを形成する条件の一例として、温度は２００℃であり、蒸着レートは２００ｎｍ／ｍｉｎである。厚さＴ５は４００ｎｍである。
【0063】
図７は、絶縁層ＩＬの形成方法の他の例を説明するための図である。
【0064】
まず、絶縁層１２の上に下電極ＬＥ１等が形成された処理基板ＳＵＢを第１ＣＶＤ装置１０１に搬入する（図７の左側の上段）。第１ＣＶＤ装置１０１では、チャンバーの内部に反応性ガスを導入した後に、プラズマを発生させ、無機絶縁材料であるＴＥＯＳを処理基板ＳＵＢの上に堆積させる。
そして、厚さＴ５１の第１絶縁層ＩＬ１を形成する（図７の左側の下段）。厚さＴ５１は、下電極ＬＥ１より厚い。第１絶縁層ＩＬ１が形成された後、処理基板ＳＵＢを第１ＣＶＤ装置１０１から搬出する。
そして、厚さＴ５１の第１絶縁層ＩＬ１を形成する（図７の左側の下段）。厚さＴ５１は、下電極ＬＥ１より厚い。第１絶縁層ＩＬ１が形成された後、処理基板ＳＵＢを第１ＣＶＤ装置１０１から搬出する。
【0065】
その後、第１絶縁層ＩＬ１が形成された処理基板ＳＵＢを第２ＣＶＤ装置１０２に搬入する（図７の右側の上段）。第２ＣＶＤ装置１０２では、チャンバーの内部に反応性ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）系のガスを導入した後に、プラズマを発生させ、無機絶縁材料を処理基板ＳＵＢの上に堆積させる。ここでの無機絶縁材料は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物のいずれかである。
そして、厚さＴ５２の第２絶縁層ＩＬ２が形成された後に（図７の右側の下段）、処理基板ＳＵＢを第２ＣＶＤ装置１０２から搬出する。
これにより、図４に示したリブ５を形成するための絶縁層ＩＬが形成される。
そして、厚さＴ５２の第２絶縁層ＩＬ２が形成された後に（図７の右側の下段）、処理基板ＳＵＢを第２ＣＶＤ装置１０２から搬出する。
これにより、図４に示したリブ５を形成するための絶縁層ＩＬが形成される。
【0066】
続いて、絶縁層ＩＬの上に位置し導電材料で形成された下部６１と、下部６１の上に位置し下部６１の側面から突出した上部６２と、を有する隔壁６を形成する。
【0067】
隔壁６を形成する工程は、まず、図８に示すように、絶縁層ＩＬの上に、導電層を含む第１層Ｌ１を形成した後に、第１層Ｌ１の上に第２層Ｌ２を形成する。第１層Ｌ１の導電層は、アルミニウムなどの導電材料で形成する。第２層Ｌ２は、導電材料で形成してもよいし、絶縁材料で形成してもよい。その後、第２層Ｌ２の上に所定の形状のレジストＲ２を形成する。
【0068】
その後、図９に示すように、レジストＲ２をマスクとしたエッチングにより、第２層Ｌ２をパターニングする。これにより、隔壁を構成する上部６２が形成される。
【0069】
その後、図１０に示すように、レジストＲ２をマスクとした異方性エッチング及び等方性エッチングにより、第１層Ｌ１をパターニングする。これにより、隔壁６を構成する下部６１が形成される。その後、レジストＲ２を除去する。
【0070】
これにより、下部６１及び上部６２を有するオーバーハング状の隔壁６が形成される。
【0071】
続いて、図１１に示すように、絶縁層ＩＬをパターニングすることにより、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３に重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を形成する。
一例では、隔壁６の上部６２をマスクとして利用した異方性ドライエッチングにより、絶縁層ＩＬの一部が除去され、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５が形成される。
一例では、隔壁６の上部６２をマスクとして利用した異方性ドライエッチングにより、絶縁層ＩＬの一部が除去され、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５が形成される。
【0072】
なお、他の例として、隔壁６を個別に覆うレジストを形成した後に、異方性ドライエッチングを行い、絶縁層ＩＬのうちレジストから露出した部分が除去され、その後、レジストを除去することで、開口ＡＰ１等を有するリブ５が形成されてもよい。
また、リブ５の開口ＡＰ１等が形成された後に、隔壁６が形成されてもよい。
また、リブ５の開口ＡＰ１等が形成された後に、隔壁６が形成されてもよい。
【0073】
続いて、表示素子２０１を形成する。
【0074】
まず、図１２に示すように、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層（ＥＭ１）、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。
その後、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１の側面に接触している。
その後、上電極ＵＥ１の上に、高屈折率材料及び低屈折率材料を蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
その後、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。
その後、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１の側面に接触している。
その後、上電極ＵＥ１の上に、高屈折率材料及び低屈折率材料を蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
その後、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。
【0075】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２，ＳＰ３にも配置されている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。
【0076】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、上部６２によって遮られる。このため、上部６２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。
【0077】
続いて、図１３に示すように、封止層ＳＥ１の上に、所定の形状のレジストＲ３を形成する。レジストＲ３は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部に重なっている。
【0078】
続いて、図１４に示すように、レジストＲ３をマスクとしたエッチングにより、レジストＲ３から露出した封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を順次除去する。これにより、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【0079】
続いて、図１５に示すように、レジストＲ３を除去する。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。
【0080】
続いて、図１６に示すように、表示素子２０２を形成する。表示素子２０２を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ２の上に、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２を順に形成する。その後、封止層ＳＥ２の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子２０２が形成され、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【0081】
続いて、図１７に示すように、表示素子２０３を形成する。表示素子２０３を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ３の上に、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３を順に形成する。その後、封止層ＳＥ３の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子２０３が形成される。
【0082】
その後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４、及び、樹脂層１５を順に形成する。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。なお、以上の製造工程においては、最初に表示素子２０１が形成され、次に表示素子２０２が形成され、最後に表示素子２０３が形成される場合を想定したが、表示素子２０１，２０２，２０３の形成順はこの例に限られない。
【0083】
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
【0084】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0085】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0086】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0087】
ＤＳＰ…表示装置
１０…基板
５…リブ ５１…第１リブ層 ５２…第２リブ層 ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層 ＥＭ１，ＥＭ２，ＥＭ３…発光層
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
ＤＡ…表示領域
１０…基板
５…リブ ５１…第１リブ層 ５２…第２リブ層 ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層 ＥＭ１，ＥＭ２，ＥＭ３…発光層
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
ＤＡ…表示領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】