知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024079257
(43)【公開日】2024-06-11
(54)【発明の名称】絶縁被覆導線
(51)【国際特許分類】
H01B 7/02 20060101AFI20240604BHJP
H01F 5/06 20060101ALI20240604BHJP
【ＦＩ】
H01B7/02 A
H01F5/06 T
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022192098
(22)【出願日】2022-11-30
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001494
【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】中澤 遼馬
【テーマコード（参考）】
5G309
【Ｆターム（参考）】
5G309MA15
5G309MA18
(57)【要約】
【課題】高い耐熱性を有する絶縁被覆導線を提供すること。
【解決手段】
Ｃｕを含む金属導体部と、金属導体部を覆う絶縁層と、を有する絶縁被覆導線である。絶縁層は、Ｓｉ、Ｔｉ、および酸素を含み、絶縁層におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である。
【選択図】図１
【解決手段】
Ｃｕを含む金属導体部と、金属導体部を覆う絶縁層と、を有する絶縁被覆導線である。絶縁層は、Ｓｉ、Ｔｉ、および酸素を含み、絶縁層におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｃｕを含む金属導体部と、前記金属導体部を覆う絶縁層と、を有し、
前記絶縁層が、Ｓｉ、Ｔｉおよび酸素を含み、
前記絶縁層におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である絶縁被覆導線。
前記絶縁層が、Ｓｉ、Ｔｉおよび酸素を含み、
前記絶縁層におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である絶縁被覆導線。
【請求項2】
前記絶縁層の平均厚みが、１μｍ以上２２０μｍ以下である請求項１に記載の絶縁被覆導線。
【請求項3】
Ｃｕを含む金属導体部と、前記金属導体部を覆う無機絶縁層と、を有し、
前記無機絶縁層が、ＳｉおよびＴｉを含有する含む酸化物を含み、
前記無機絶縁層におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である絶縁被覆導線。
前記無機絶縁層が、ＳｉおよびＴｉを含有する含む酸化物を含み、
前記無機絶縁層におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である絶縁被覆導線。
【請求項4】
前記無機絶縁層の平均厚みが、１μｍ以上２００μｍ以下である請求項３に記載の絶縁被覆導線。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、絶縁被覆を有する導線に関する。
【背景技術】
【0002】
インダクタ、トランス、チョークコイルなどの電子部品では、コイルの材料として、絶縁被覆を有する導線が用いられている。このような電子部品において、導線の絶縁被覆は、コイルにおける巻線間の絶縁性を確保する役割を有する。従来の電子部品では、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、もしくは、ウレタン樹脂などの樹脂を含む絶縁被覆を設けた導線を用いることが一般的である。たとえば、特許文献１は、エポキシ樹脂を含む絶縁被覆を形成した導線を開示しており、特許文献２では、共重合ポリアミド樹脂を含む絶縁被覆を形成した導線を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許２８９０２８０号
【特許文献2】特開平３－０８９４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、高い耐熱性を有する絶縁被覆導線を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の第１の観点に係る絶縁被覆導線は、
Ｃｕを含む金属導体部と、前記金属導体部を覆う絶縁層と、を有し、
前記絶縁層が、Ｓｉ、Ｔｉおよび酸素を含み、
前記絶縁層におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である。
Ｃｕを含む金属導体部と、前記金属導体部を覆う絶縁層と、を有し、
前記絶縁層が、Ｓｉ、Ｔｉおよび酸素を含み、
前記絶縁層におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である。
【0006】
前記絶縁層は、１μｍ以上２２０μｍ以下の平均厚みを有していてもよい。
【0007】
本開示の第２の観点に係る絶縁被覆導線は、
Ｃｕを含む金属導体部と、前記金属導体部を覆う無機絶縁層と、を有し、
前記無機絶縁層が、ＳｉおよびＴｉを含有する酸化物を含み、
前記無機絶縁層におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である。
Ｃｕを含む金属導体部と、前記金属導体部を覆う無機絶縁層と、を有し、
前記無機絶縁層が、ＳｉおよびＴｉを含有する酸化物を含み、
前記無機絶縁層におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である。
【0008】
前記無機絶縁層は、１μｍ以上２００μｍ以下の平均厚みを有していてもよい。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本開示の一実施形態を、図面を参照しつつ説明する。以下に説明する本開示の実施形態は、本開示を説明するための例示である。本開示の実施形態に係る各種構成要素、例えば数値、形状、材料、製造工程などは、技術的に問題が生じない範囲内で改変したり変更したりすることができる。また、本開示の図面に表された形状等は、実際の形状等とは必ずしも一致しない。説明のために形状等を改変している場合があるためである。
【0011】
本実施形態の絶縁被覆導線２は、金属導体部６と、当該金属導体部６を覆う絶縁層８と、を有する線材である。絶縁被覆導線２の断面形状は、特に限定されず、絶縁被覆導線２は、円形、楕円形、矩形、正方形、もしくは、その他多角形の断面形状を有していてもよい。たとえば、図１および図２に示す丸線状の絶縁被覆導線２では、金属導体部６が、円状の断面形状を有する。なお、図１および図２は、いずれも、絶縁被覆導線２の長手方向（Ｙ軸方向）と直交する断面を例示しており、各図におけるＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸は相互に垂直である。
【0012】
図１および図２に示すような丸線状の絶縁被覆導線２の場合、たとえば、金属導体部６の平均直径Ｄは、０．１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であることが好ましい。なお、この平均直径Ｄの範囲は、絶縁被覆導線２をインダクタなどのコイルに適用する場合に好適な寸法範囲を例示したものであり、金属導体部６の寸法は、いずれの用途であっても、上記の寸法範囲に必ずしも限定されない。
【0013】
金属導体部６は、電流が流れる部位であり、絶縁被覆導線２における中心的役割を担う。そのため、金属導体部６は、金属成分で構成してあり、少なくともＣｕを含む。たとえば、金属導体部６は、純銅、もしくは、銅合金であってもよい。金属導体部６の詳細な組成は、特に限定されないが、Ｃｕが、金属導体部６の少なくとも５０ｗｔ％を占める主成分であることが好ましく、金属導体部６におけるＣｕの含有率は、７０ｗｔ％以上であることがより好ましい。金属導体部６が銅合金の場合、金属導体部６には、Ｃｕに加えて、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｓｎ、および、Ｍｎなどから選択される１種以上の元素が含まれていてもよい。金属導体部６の組成は、たとえば、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）、もしくは、波長分散型Ｘ線分析（ＷＤＳ）により解析することができる。
【0014】
絶縁層８は、金属導体部６を覆う絶縁材料からなる被覆である。金属導体部６の表面に対する絶縁層８の被覆率は、９０％以上であることが好ましく、１００％であることがより好ましい。当該被覆率は、絶縁被覆導線２の長手方向と直交する断面を観察することで算出すればよい。絶縁層８は、絶縁被覆導線２の最も外側に位置し、絶縁層８の表面が、絶縁被覆導線２の最表面２ｓを成している。
【0015】
絶縁層８の平均厚みＴAveは、特に限定されない。絶縁被覆導線２をインダクタなどのコイルに適用する場合、絶縁層８の平均厚みＴAveは、１μｍ以上２２０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。インダクタなどのコイルでは、平均厚みＴAveを上記の範囲に設定することで、巻線間の絶縁抵抗を高く維持しつつ、漏れ磁束の増加を抑制することができる。絶縁層８の厚みｔのばらつきは、平均厚みＴAveの±１０％の範囲内であることが好ましく、平均厚みＴAveの±５％の範囲内であることがより好ましい。換言すると、絶縁層８の厚みｔの公差が、±１０％の範囲内であることが好ましく、±５％の範囲内であることがより好ましい。
【0016】
絶縁層８の平均厚みＴAveを算出する際には、絶縁被覆導線２の断面を少なくとも１０箇所、解析することが好ましく、各断面における絶縁層８の厚みｔを、１０箇所以上、計測することが好ましい。また、当該計測により絶縁層８の最大厚みｔMAXおよび最小厚みｔMINを特定し、ＴAve、ｔMAX、および、ｔMINに基づいて絶縁層８における厚みｔの公差（％）を算出すればよい。具体的に、ＴAveに対するｔMAXの偏差（ｔMAX－ＴAve）、および、ＴAveに対するｔMINの偏差（ｔMIN－ＴAve）を算出し、絶対値が大きい方の偏差をＴAveで割ることで、厚みの公差を算出する。つまり、「Ｆ１＝（｜ｔMAX－ＴAve｜／ＴAve）×１００」、および、「Ｆ２＝（｜ｔMIN－ＴAve｜／ＴAve）×１００」をそれぞれ算出し、Ｆ１およびＦ２のうち大きい方を、厚みｔの公差（％）として採用する。
【0017】
絶縁層８は、少なくともＳｉ、Ｔｉ、および酸素を含む。また、絶縁層８におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率（Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ））が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下であり、５．０ａｔ％以上４０ａｔ％以下であることがより好ましく、７．５ａｔ％以上２５ａｔ％以下であることがさらに好ましい。上記のように、絶縁層８におけるＴｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）比率を２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下に設定することで、絶縁層８の厚みのばらつきを小さくすることができ、かつ、高い耐熱性が得られる。
【0018】
絶縁層８は、ゾルゲル法にて形成することが好ましい。ゾルゲル法で絶縁層８を形成する場合、焼成前と、焼成後とで、金属導体部６の仕様（寸法および材質など）は変化しないが、絶縁層８の状態が変化する。本実施形態では、焼成前の絶縁層８を「未焼成絶縁層８Ａ」と称し、焼成後の絶縁層８を「無機絶縁層８Ｂ」と称する。未焼成絶縁層８Ａおよび無機絶縁層８Ｂは、いずれも、２．５ａｔ％≦（Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ））≦５０ａｔ％を満たすが、未焼成絶縁層８Ａは、有機物を含有する被覆であるのに対して、無機絶縁層８Ｂは、有機物を実質的に含まない酸化物の被膜である。以下、絶縁層８の形成方法の一例と共に、未焼成絶縁層８Ａおよび無機絶縁層８Ｂの特徴について詳述する。
【0019】
ゾルゲル法で絶縁層８を形成する際には、まず、液状のＳｉ源とＴｉ源とを混ぜ合わせて、コーティング液を調製する。
【0020】
コーティング液で使用するＳｉ源は、特に限定されないが、たとえば、アルコキシシランを用いることが好ましい。アルコキシシランとしては、モノアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、テトラアルコキシシランが例示される。モノアルコキシシランとしては、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチル（フェノキシ）シラン等が例示される。ジアルコキシシランとしては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、ｔ－ブチルメチルジメトキシシラン、ｔ－ブチルメチルジエトキシシラン等が例示される。トリアルコキシシランとしては、トリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ｎ－プロピルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン等が例示される。テトラアルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン等が例示される。Ｓｉ源としては、１種類のアルコキシシランを用いてもよく、２種類以上のアルコキシシランを併用してもよい。
【0021】
コーティング液で使用するＴｉ源は、特に限定されないが、たとえば、チタンアルコキシド、もしくは、チタンキレートを用いることが好ましい。チタンアルコキシドとしては、チタンテトラメトキシド、チタンテトラエトキシド、チタンテトラ－ｎ－プロポキシド、チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラ－ｎ－ブトキシド等が例示される。チタンキレートとしては、チタンアセチルアセトネート、チタンテトラアセチルアセトネート、チタンエチルアセトアセテート、チタンオクチレングリコレート、チタンエチルアセトアセテート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタントリエタノールアミネート等が例示される。Ｔｉ源としては、１種類のチタンアルコキシドまたはチタンキレートを用いてもよく、２種類以上のチタンアルコキシドまたは／およびチタンキレートを用いてもよい。
【0022】
絶縁層８におけるＴｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）比は、コーティング液におけるＳｉ源とＴｉ源の配合比により制御すればよい。なお、コーティング液の粘性を調整するために、コーティング液には、Ｓｉ源およびＴｉ源の他に、適宜、有機溶媒を添加してもよい。この場合、使用する有機溶媒は、特に限定されない。たとえば、有機溶媒として、エタノール、ｎ－プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、アセトン、もしくは、メチルエチルケトンを用いてもよい。
【0023】
次に、上記のコーティング液を用いて、ディップコーティング法により未焼成絶縁層８Ａを形成する。具体的に、ディップコーティング法では、金属導体部６のみからなる線材を上記のコーティング液に浸し、その後、コーティング液から取り出した線材を乾燥させる。コーティング液に浸す前の金属導体部６のみからなる線材としては、公知の方法で製造した線材を準備すればよい。また、線材をコーティング液に浸漬する工程は、複数回、実施してもよい。未焼成絶縁層８Ａの厚みｔＡは、コーティング液への浸漬時間、および、コーティング液への浸漬回数などによって制御できる。たとえば、コーティング液への１回あたりの浸漬時間は、１秒～３００秒としてもよく、コーティング液への浸漬回数は、１回～１０回としてもよい。
【0024】
なお、浸漬工程を複数回実施する場合は、各浸漬の後に、乾燥処理を実施すればよく、乾燥処理の条件は、特に限定されない。たとえば、１回あたりの乾燥温度を５０℃以上３００℃未満に設定してもよく、１回あたりの熱乾燥時間を０．５時間～３時間に設定してもよい。
【0025】
上記のディップコーティング法により、金属導体部６の表面に、未焼成絶縁層８Ａが形成される。なお、未焼成絶縁層８Ａの形成方法は、ディップコーティング法に限定されず、スプレーコーティング法などの他の形成方法を採用してもよい。
【0026】
乾燥処理した後の未焼成絶縁層８Ａ（図１）は、Ｓｉ源およびＴｉ源に由来する高分子化合物などの有機物を含む、乾燥ゲルの被覆である。未焼成絶縁層８Ａに含まれる有機物の分子構造は、コーティング液で使用するＳｉ源およびＴｉ源の種類、および、乾燥の度合いなどによって変化すると考えられる。未焼成絶縁層８Ａに含まれる有機物の構造解析は、困難な場合があり、分子構造は特に限定されないが、未焼成絶縁層８Ａの有機物は、少なくともＳｉおよびＴｉを含む。その他に、未焼成絶縁層８Ａの有機物は、有機物の一般的な構成元素であるＣ（炭素）、Ｈ（水素）、および、Ｏ（酸素）を含む。
【0027】
ここで、「ＳｉおよびＴｉを含む有機物」とは、分子鎖中に、Ｓｉを介する結合、および、Ｔｉを介する結合が含まれる有機化合物を意味する。Ｓｉを介する結合としては、たとえば、Ｓｉ－Ｏ、Ｓｉ－Ｈ、Ｓｉ－ＯＨ、Ｓｉ－ＯＲ（Ｒは、有機官能基）などが挙げられる。同様に、Ｔｉを介する結合としては、たとえば、Ｔｉ－Ｏ、Ｔｉ－Ｈ、Ｔｉ－ＯＨ、Ｔｉ－ＯＲなどが挙げられる。前述のとおり、未焼成絶縁層８Ａにおける有機物の構造解析は、容易ではないため、Ｓｉを介する結合、および、Ｔｉを介する結合は、特に限定されないが、少なくともＳｉ－ＯおよびＴｉ－Ｏが、未焼成絶縁層８Ａの有機物に含まれていると考えられる。
【0028】
未焼成絶縁層８Ａには、有機物の一部が分解することで生じる酸化物が含まれていてもよい。つまり、未焼成絶縁層８Ａは、有機物と無機物とを含む複合体であってもよい。有機物の分解により生じる酸化物としては、たとえば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、および、Ｓｉ－Ｔｉ－Ｏ（ＳｉおよびＴｉを含む複合酸化物）が挙げられる。
【0029】
上述のとおり、ＳｉおよびＴｉは、未焼成絶縁層８Ａにおいて、高分子化合物の骨格中に存在していると考えられ、一部のＳｉおよびＴｉは、酸化物として存在していてもよい。未焼成絶縁層８ＡにおけるＴｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）比率は、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下であり、５．０ａｔ％以上４０ａｔ％以下であることがより好ましく、７．５ａｔ％以上２５ａｔ％以下であることがさらに好ましい。
【0030】
未焼成絶縁層８ＡにおけるＳｉの含有量（ａｔ％）、Ｔｉの含有量（ａｔ％）、および、Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）比率は、たとえば、ＥＤＳまたはＷＤＳを用いた点分析により算出することができる。ＥＤＳまたはＷＤＳの点分析は、少なくとも１０箇所で実施し、その平均値を算出することが好ましい。点分析で検出される元素の合計を１００ａｔ％とすると、未焼成絶縁層８ＡにおけるＳｉおよびＴｉの合計含有量は、必ずしも限定されないが、たとえば、１ａｔ％以上１０ａｔ％以下であることが好ましい。
【0031】
未焼成絶縁層８Ａは、ＣおよびＨを含むが、これらの元素は、後述する焼成過程において消失する。未焼成絶縁層８Ａに含まれる元素のうち、焼成で消失する元素の含有割合ＲＯは、７５ｗｔ％以上、９０ｗｔ％以下であることが好ましい。未焼成絶縁層８Ａにおける当該含有割合ＲＯは、示差熱・熱重量同時測定装置（ＴＧ－ＤＴＡ）を用いて算出すればよい。具体的に、ＴＧ－ＤＴＡによる解析では、未焼成絶縁層８Ａを有する絶縁被覆導線２から採取した測定試料を、一定の昇温速度で、７００℃まで加熱する。この際の測定試料の重量変化から、焼成で焼失する元素の含有割合ＲＯを算出すればよい。
【0032】
なお、未焼成絶縁層８Ａには、Ｂ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｂｉ、Ｂａ、Ｃａ、Ｖ、Ｇｅ、および、Ｔｅから選択される１種以上の元素が含まれていてもよい。これらの元素は、コーティング液中に意図的に添加してもよいし、不純物として未焼成絶縁層８Ａに含まれていてもよい。
【0033】
未焼成絶縁層８Ａの平均厚みＴ１Aveは、必ずしも限定されないが、１．５μｍ以上２２０μｍ以下であることが好ましい。また、未焼成絶縁層８Ａの厚みｔＡの公差は、±１０％の範囲内であることが好ましく、±５％の範囲内であることがより好ましい。
【0034】
未焼成絶縁層８Ａを有する絶縁被覆導線２を、所定の条件で熱処理（焼成処理）し、未焼成絶縁層８Ａを焼結させることで、図２に示すような無機絶縁層８Ｂを有する絶縁被覆導線２が得られる。熱処理の条件は、特に限定されないが、たとえば、保持温度を３００℃以上９００℃以下に設定することが好ましく（より好ましくは５００℃以上９００℃以下）、温度保持時間を０．５時間以上１０時間以下に設定することが好ましい。また、熱処理は窒素などの不活性雰囲気中で行ってもよい。
【0035】
未焼成絶縁層８ＡにはＳｉおよびＴｉを含む有機物が存在するが、上記の熱処理により、当該有機物が分解および酸化し、ＳｉおよびＴｉを含有する酸化物の被覆が形成される。つまり、有機物中のＳｉおよびＴｉは、無機絶縁層８Ｂに残存し、酸化物となる。その一方で、未焼成絶縁層８Ａに含まれる炭素および水素などの有機物由来の元素の大半は、未焼成絶縁層８Ａが酸化または／および相変化する過程で、気化し、消失する。たとえば、未焼成絶縁層８Ａ中の炭素は、ＣＯ2ガスとなって、絶縁層中から消失する。また、未焼成絶縁層８Ａ中の水素は、水蒸気（Ｈ2Ｏ）となって、絶縁層中から消失する。
【0036】
上記のとおり、焼成後の無機絶縁層８Ｂは、少なくともＳｉおよびＴｉを含有する酸化物を含み、有機物を実質的に含まないことが好ましい。無機絶縁層８Ｂにおける有機物の含有量（残存量）は、ＴＧ－ＤＴＡを用いて解析することができる。具体的に、ＴＧ－ＤＴＡによる解析では、無機絶縁層８Ｂを有する絶縁被覆導線２から採取した測定試料を、一定の昇温速度で、７００℃まで加熱する。そして、３００℃～７００℃の温度範囲における測定試料の重量変化から有機物の含有量を算出すればよい。たとえば、３００℃での試料重量を基準として、３００℃から７００℃までの温度範囲における試料重量の変化率が、±３％の範囲内（つまり、－３％以上、＋３％以下の範囲内）である場合は、無機絶縁層８Ｂが「有機物を実質的に含まない」と判断してよい。
【0037】
絶縁層８におけるＴｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）比率は、焼成の前後で殆ど変化しないため、無機絶縁層８ＢにおけるＴｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）比率は、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下であり、５．０ａｔ％以上４０ａｔ％以下であることがより好ましく、７．５ａｔ％以上２５ａｔ％以下であることがさらに好ましい。
【0038】
また、無機絶縁層８Ｂは、Ｓｉ、Ｔｉ、および酸素以外のその他の元素が含まれていてもよい。その他の元素としては、たとえば、Ｂ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｂｉ、Ｂａ、Ｃａ、Ｖ、Ｇｅ、および、Ｔｅなどが挙げられる。無機絶縁層８Ｂに含まれる酸素を除く元素の合計含有量を１００ａｔ％とすると、無機絶縁層８ＢにおけるＳｉおよびＴｉの合計含有量は、７０ａｔ％以上であることが好ましく、８０ａｔ％以上であることがより好ましい。
【0039】
無機絶縁層８ＢにおけるＳｉの含有量（ａｔ％）、Ｔｉの含有量（ａｔ％）、および、Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）比率は、未焼成絶縁層８Ａの解析と同様に、ＥＤＳまたはＷＤＳを用いた点分析により算出することができる。ＥＤＳまたはＷＤＳの点分析は、少なくとも１０箇所で実施し、その平均値を算出することが好ましい。
【0040】
なお、無機絶縁層８Ｂは、粒状物または／および繊維状物質が堆積したような様態ではなく、緻密性や均質性の高い被膜であることが好ましい。たとえば、無機絶縁層８Ｂでは、ＳｉおよびＴｉが、局所的に偏在することなく、一様に分布していることが好ましく、Ｓｉの存在箇所とＴｉの存在箇所とが重複していることが好ましい。無機絶縁層８ＢにおけるＳｉおよびＴｉの分布は、たとえば、ＥＤＳまたはＷＤＳを用いたマッピング分析により確認することができる。当該分析で得られるマッピング像では、測定対象元素（Ｓｉ，Ｔｉ）の濃度が、検出ピーク（各測定点で検出された特性Ｘ線のピーク）の積分強度に応じた輝度として表されており、測定対象元素が偏在しているか否かを目視で確認できる。また、マッピング分析で得られる輝度もしくは積分強度のデータを母集団として、その母集団の平均値、標準偏差、および変動係数（標準偏差／平均値）などを算出することで、測定対象元素の分布を定量的に評価することができる。たとえば、無機絶縁層８Ｂにおいては、Ｓｉ分布の変動係数、および、Ｔｉ分布の変動係数が、いずれも、０．５以下であることが好ましい。
【0041】
上記のとおり、無機絶縁層８Ｂでは、ＳｉおよびＴｉを含む酸化物が主相であって、当該主相が均質に分散していることが好ましい。たとえば、無機絶縁層８Ｂにおける主相の面積割合は、８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。換言すると、無機絶縁層８Ｂの断面において、主相以外のその他の相の合計面積割合は、２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。その他の相とは、ＳｉおよびＴｉを含む酸化物とは組成が異なる酸化物、残留炭素などが挙げられる。なお、上述した各面積割合は、ＳＥＭや光学顕微鏡等で無機絶縁層８Ｂの断面を解析することで算出すればよく、断面解析時の視野範囲は、たとえば、１００×１００μｍ2～５００×５００μｍ2としてもよい。
【0042】
無機絶縁層８Ｂの平均厚みＴ２Aveは、必ずしも限定されないが、１μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。また、未焼成絶縁層８Ａの厚みｔＢの公差は、±１０％の範囲内であることが好ましく、±５％の範囲内であることがより好ましい。
【0043】
絶縁被覆導線２の用途は、特に限定されないが、絶縁被覆導線２は、インダクタ、トランス、チョークコイルなどの電子部品用のコイルとして特に好適に用いることができる。たとえば、図３が、絶縁被覆導線２からなるコイル２０を例示した斜視図である。
【0044】
図３のコイル２０は、絶縁被覆導線２が、Ｚ軸に沿って螺旋状に巻回してある構造を有している。図３のコイル２０では、整列多層巻きの巻回方式が採用されているが、絶縁被覆導線２の巻回方式は、特に限定されない。たとえば、一層整列巻き、不均等巻き、斜行巻き、または、スペース巻きなどの巻回方式を採用してもよい。コイル２０における絶縁被覆導線２の巻き数は、特に限定されず、所望のコイル特性に応じて適宜決定すればよい。たとえば、絶縁被覆導線２の巻き数は、０．５ターン～１００ターンとしてもよい。また、絶縁被覆導線２が多層巻きしてある場合、巻線の層数は、特に限定されず、たとえば、２～１０層としてもよい。
【0045】
コイル２０では、絶縁被覆導線２の端部２ｅ１，２ｅ２が、それぞれ、巻回部分からＸ軸方向の外側に向かって引き出されている。この端部２ｅ１，２ｅ２には、それぞれ、図示しない外部端子が接続可能であり、端部２ｅ１，２ｅ２では、絶縁層８が部分的に除去されて金属導体部６が露出した領域が存在していてもよい。なお、端部２ｅ１，２ｅ２の形状や引出方向は、特に限定されない。
【0046】
コイル２０を製造する際には、絶縁層８を形成してから絶縁被覆導線２を所定の方式で巻回してもよい。もしくは、金属導体部６のみからなる線材をコイル状に巻回した後に、ディップコーティング法等により金属導体部６の表面に未焼成絶縁層８Ａを形成してもよい。絶縁層８を形成してから絶縁被覆導線２を巻回する場合、絶縁層８を焼成する前に絶縁被覆導線２を巻回してもよいし、絶縁層８を焼成した後で絶縁被覆導線２を巻回してもよい。つまり、未焼成絶縁層８Ａを有する絶縁被覆導線２を巻回してコイル形状を形成してもよいし、焼成後の無機絶縁層８Ｂを有する絶縁被覆導線２を巻回してコイル形状を形成してもよい。
【0047】
図３に示すようなコイル２０は、いずれも、空芯コイルとして回路に組み込んでもよいし、磁心と組み合わせて使用してもよい。コイル２０を、磁心を擁する電子部品に適用する場合、非磁性材料からなるボビンに絶縁被覆導線２を巻回することでコイル２０を構成し、ボビンと磁心とを組み合わせてもよい。また、コイル２０の内周壁内に磁心を挿入してもよいし、磁心の外面に絶縁被覆導線２を巻回することでコイル２０を構成してもよい。さらに、コイル２０は、磁性粉末と樹脂とを含む圧粉磁心の内部に埋設して使用してもよい。特に、絶縁被覆導線２が高い耐熱性を有するため、コイル２０は、焼結体からなる磁心の内部に埋設することができる。たとえば、図４が、コイル２０を含む電子部品の一例を示す断面図である。
【0048】
図４に示す電子部品１００は、磁心４０と、磁心の内部に存在するコイル２０と、図示しない外部端子とを有する。磁心４０は、磁性粉末の焼結体であり、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、もしくは、シリコーン樹脂のような樹脂成分を含まない。磁心４０の形状および寸法は特に限定されない。また、磁心４０の磁性粉末も、特に限定されず、たとえば、軟磁性金属粉末を用いることが好ましい。軟磁性金属粉末としては、たとえば、Ｆｅ－Ｎｉ合金粉、Ｆｅ－Ｓｉ合金粉、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粉、Ｆｅ－Ｃｏ合金粉、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金粉、Ｆｅ基アモルファス合金粉、および、Ｆｅ基ナノ結晶合金粉などが挙げられる。磁性粉末の粒度は特に限定されず、たとえば、磁性粉末の平均粒径は、１μｍ以上１００μｍ以下としてもよい。
【0049】
磁性粉末が上記のような軟磁性金属粒子で構成してある場合、各軟磁性金属粒子の表面には、金属表面の酸化による被膜や、無機化合物を含むコーティング層などの絶縁被膜が形成してあってもよい。この場合、隣接する軟磁性金属粒子が、絶縁被膜を介して互いに接しているか、Ｓｉ系酸化物を含む粒界相を介して接合している。換言すれば、粒子間には樹脂などの有機物成分が介在しない。軟磁性金属粒子の表面に形成する絶縁被膜の平均厚みは、特に限定されず、たとえば、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下としてもよい。
【0050】
なお、磁心４０の磁性粉末は、粒子の組成、または／および、粒径が異なる２種以上の粒子群を含む混合粉であってもよい。たとえば、粒径が２５μｍ以上であるＦｅ－Ｓｉ合金粒子と、粒径が５μｍ未満である純Ｆｅ粒子とを混ぜ合わせた磁性粉末を用いてもよい。
【0051】
電子部品１００では、コイル２０が、焼結体よりなる磁心４０の内部に存在しており、コイル２０の周囲が焼結した磁性粉末で覆われている。このように、コイル２０が焼結体の内部に存在する場合、絶縁被覆導線２では、絶縁層８が、焼結後の無機絶縁層８Ｂとして存在する。
【0052】
また、コイル２０を構成している絶縁被覆導線２の端部２ｅ１，２ｅ２は、それぞれ、磁心４０の内部から磁心４０の外面に引き出されており、磁心４０の外面に存在する外部端子に対して電気的に接続してある。端部２ｅ１，２ｅ２と外部端子の接続部分では、局所的に無機絶縁層８Ｂが除去してあり、金属導体部６と外部端子とが直に接触している。
【0053】
電子部品１００の製造方法は特に限定されない。たとえば、磁心４０はプレス成形で製造してもよい。まず、成形用金型のキャビティ内にコイル２０を設置する。そして、磁性粉末とバインダとを混ぜ合わせた複合材をキャビティ内に充填し、所定の圧力でキャビティ内を加圧する。その後、コイル２０が埋設してある成形体を、焼成することで、コイル２０を含む焼結体として磁心４０が得られる。焼成の条件は、磁性粉末が焼結する条件に設定すればよく、特に限定されない。例えば、焼成温度を５００℃以上９００℃以下とし、焼成時間を０．５時間～１０時間としてもよい。なお、焼成の前には、脱バインダ処理を実施してもよい。
【0054】
なお、電子部品１００の製造では、無機絶縁層８Ｂを有するコイル２０を成形体中に埋設してもよい。もしくは、未焼成絶縁層８Ａを有するコイル２０を成形体中に埋設し、磁心４０の焼成と同時に未焼成絶縁層８Ａを焼成してもよい。生産効率の観点では、後者のように、磁心４０の焼成時に絶縁層８を焼成させることが好ましい。
【0055】
ここで、一般に焼結体よりなる磁心は、磁性粉末と樹脂とを含む圧粉磁心よりも高密度である。そのため、磁性粉末と樹脂とを含む圧粉磁心よりも焼結体よりなる磁心の方が高透磁率であることがほとんどである。
【0056】
しかし、樹脂（たとえば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、もしくは、ウレタン樹脂など）を含む絶縁被膜を擁する従来の導線でコイルを形成した場合、上記のように磁心を焼結させると、コイル表面の絶縁被膜が焼失してしまう。もしくは、コイル表面の絶縁被膜中の樹脂が炭化することで、絶縁被膜の電気抵抗が著しく低下してしまう。その結果、コイルにおける導線間の絶縁性が損なわれ、インダクタンスが低下してしまう。これに対して、絶縁被覆導線２からなるコイル２０を使用した場合、磁心４０の焼成過程で絶縁層８が高い耐熱性を有する無機絶縁層８Ｂとなるため、磁心４０を焼成した後においても、コイル２０における巻線間の絶縁性を維持することができる。つまり、電子部品１００においては、「高透磁率を有する焼結体よりなる磁心４０」と「巻線間の絶縁性を維持したコイル２０」とが両立している。その結果、電子部品１００は、磁性粉末と樹脂とを含む圧粉磁心からなる電子部品よりも、高いインダクタンスを得ることができる。
【0057】
（実施形態のまとめ）
本実施形態の絶縁被覆導線２は、Ｃｕを含む金属導体部６と、金属導体部６を覆う絶縁層８と、を有する。絶縁層８は、Ｓｉ、Ｔｉ、および酸素を含み、絶縁層８におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率（Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ））が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である。
本実施形態の絶縁被覆導線２は、Ｃｕを含む金属導体部６と、金属導体部６を覆う絶縁層８と、を有する。絶縁層８は、Ｓｉ、Ｔｉ、および酸素を含み、絶縁層８におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率（Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ））が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である。
【0058】
絶縁層８は、ゾルゲル法により形成され、焼成の前後で、Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）は、殆ど変動しない。つまり、絶縁層８を焼成させた後の状態の絶縁被覆導線２は、Ｃｕを含む金属導体部６と、金属導体部６を覆う無機絶縁層８Ｂと、を有する。無機絶縁層８Ｂは、ＳｉおよびＴｉを含有する酸化物を含み、無機絶縁層８ＢにおけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率（Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ））が、２．５ａｔ％以上５０ａｔ％以下である。
【0059】
絶縁層８（８Ａ，８Ｂ）が、２．５ａｔ％≦（Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ））≦５０ａｔ％を満たすことで、絶縁層８の均一性を向上させることができる。また、絶縁層８（８Ａ，８Ｂ）が、２．５ａｔ％≦（Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ））≦５０ａｔ％を満たすことで、５００℃以上の高温で加熱した後においても、絶縁層８により高い絶縁抵抗が得られる。つまり、絶縁被覆導線２が所定のＴｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）を満たす絶縁層８（８Ａ，８Ｂ）有することで、高い耐熱性が得られる。
【0060】
絶縁被覆導線２では、絶縁層８の平均厚みＴAveが１μｍ以上２２０μｍ以下であることが好ましい。特に、焼成後の無機絶縁層８Ｂの平均厚みＴ２Aveが、１μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。上記の平均厚みを満たすことで、絶縁被覆導線２の耐熱性がさらに向上する。また、絶縁被覆導線２をインダクタなどのコイルに適用する場合、上記の平均厚みを満たすことで、コイル断面において、導体（金属導体部６）の占積率を十分に確保することができる。その結果、漏れ磁束の増加によるインダクタンスの低下を抑制できる。
【0061】
以上、本開示の実施形態について説明してきたが、本開示は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。
【0062】
たとえば、前述のとおり、絶縁被覆導線の断面形状は特に限定されず、図５Ａに示す平角線状の絶縁被覆導線２αのように、略矩形の断面形状を有していてもよい。絶縁被覆導線２αのような平角線の場合、金属導体部６のＸ軸方向の幅Ｗｘ（長幅）は、たとえば、０．１ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であることが好ましく、金属導体部６のＺ軸方向の幅Ｗｚ（短幅）は、たとえば、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好ましい。上記の寸法は、絶縁被覆導線２αをインダクタなどのコイルに適用する場合に好適な範囲であって、平角線における金属導体部６の寸法は、用途に寄らず特に限定されない。
【0063】
図６に示すコイル２０αは、図５Ａに示す平角線状の絶縁被覆導線２αを用いたコイルの一例である。図６に示すように、コイル２０αでは、エッジワイズ方式が採用されており、長幅（図５Ａ示すＷｘ）の方向がＺ軸（巻回軸）と交差するように、絶縁被覆導線２αがＺ軸に沿って巻回されている。平角線状の絶縁被覆導線２αを用いる場合の巻回方式は、図６に限定されず、フラットワイズ方式を採用してもよい。フラットワイズ方式の場合は、長幅（図５Ａに示すＷｘ）の方向がＺ軸（巻回軸）と一致するように、絶縁被覆導線２αを巻回する。平角線状の絶縁被覆導線２αを用いる場合においても、絶縁被覆導線２αの巻き数は、特に限定されず、所望のコイル特性に応じて適宜決定すればよい。
【0064】
また、金属導体部６は、組成が異なる２以上の領域を有していてもよい。たとえば、金属導体部６は、図５Ｂに示す絶縁被覆導線２βのように、本体部６ａと、金属被覆層６ｂと、を有していてもよい。図５Ｂでは、絶縁被覆導線２βが円状の断面形状を有する丸線であるが、図５Ａに示すような平角線の場合でも、金属導体部６が、本体部６ａと、金属被覆層６ｂと、を有していてもよい。金属被覆層６ｂは、本体部６ａを覆う金属成分からなる層であり、メッキ法や蒸着法などで形成してもよい。また、金属被覆層６ｂは、２種以上のメッキ層を積層した構造を有していてもよい。なお、金属導体部６が金属被覆層６ｂを有する場合、絶縁層８は、金属被覆層６ｂの表面を覆い、絶縁被覆導線２βの最も外側に位置する。金属導体部６の本体部６ａと、絶縁層８との間に金属被覆層６ｂを形成することで、絶縁被覆導線２βの可撓性が向上する可能性がある。
【0065】
図５Ｂに示す絶縁被覆導線２βの場合、Ｃｕは、本体部６ａまたは金属被覆層６ｂのいずれか一方に含まれていてもよいし、本体部６ａおよび金属被覆層６ｂの両方に含まれていてもよい。たとえば、本体部６ａを純銅もしくは銅合金とし（すなわち本体部６ａの主成分をＣｕとし）、当該本体部６ａの表面に、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、および、Ｚｎから選択される１種以上を含む金属被覆層６ｂを形成してもよい。もしくは、本体部６ａを純ＡｌもしくはＡｌ合金とし、当該本体部６ａの表面にＣｕを含む金属被覆層６ｂを形成してもよい（所謂、銅被覆アルミ線）。
【0066】
金属被覆層６ｂの平均厚みは、特に限定されず、たとえば、１０μｍ以上１５０μｍ以下としてもよい。また、本体部６ａは、図１における平均直径Ｄ、もしくは、図５Ａにおける幅Ｗｘ，Ｗｚと同様の寸法を有していてもよい。
【実施例0067】
以下、本開示をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本開示はこれら実施例に限定されない。
【0068】
（実験１）
実験１では、以下に示す手順で、試料Ａ１～試料Ａ１７に係る絶縁被覆導線を製造した。まず、Ｓｉ源であるトリメトキシシラン、および、Ｔｉ源であるチタンテトラ－ｎ－ブトキシドを準備し、これら原料を用いてコーティング液を調製した。具体的に、試料Ａ２～試料Ａ１６では、絶縁層におけるＴｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）比が表１に示す値となるように、Ｓｉ源およびＴｉ源の配合比を制御した。また、試料Ａ１のコーティング液には、Ｓｉ源のみを添加し、試料Ａ１７のコーティング液には、Ｔｉ源のみを添加した。
実験１では、以下に示す手順で、試料Ａ１～試料Ａ１７に係る絶縁被覆導線を製造した。まず、Ｓｉ源であるトリメトキシシラン、および、Ｔｉ源であるチタンテトラ－ｎ－ブトキシドを準備し、これら原料を用いてコーティング液を調製した。具体的に、試料Ａ２～試料Ａ１６では、絶縁層におけるＴｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）比が表１に示す値となるように、Ｓｉ源およびＴｉ源の配合比を制御した。また、試料Ａ１のコーティング液には、Ｓｉ源のみを添加し、試料Ａ１７のコーティング液には、Ｔｉ源のみを添加した。
【0069】
次に、５００μｍの平均直径Ｄを有するＣｕ線を準備し、当該Ｃｕ線を上記のコーティング液に３０秒間浸し、静置した。その後、コーティング液から取り出したＣｕ線を、乾燥させた。乾燥処理では、保持温度を１００℃に設定し、温度保持時間を３０分に設定した。このコーティング液への浸漬と乾燥処理とを、３回繰り返すことで、絶縁層（未焼成絶縁層）を有する絶縁被覆導線を得た。各試料における焼成前の絶縁被覆導線について、以下に示す評価を実施した。
【0070】
絶縁層の平均厚みおよび厚み公差の計測
絶縁被覆導線の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、Ｃｕ線の表面に存在する未焼成絶縁層の厚みｔＡを計測した。絶縁被覆導線の断面は、各試料につき、それぞれ１０箇所解析し、各断面において未焼成絶縁層の厚みｔＡを１０箇所計測した。当該測定で得られた厚みｔＡのデータから、平均厚みＴ１Ave、最大厚みｔ１MAX、および、最小厚みｔ１MINを算出した。また、「Ｆ１＝（｜ｔ１MAX－Ｔ１Ave｜／Ｔ１Ave）×１００」、および、「Ｆ２＝（｜ｔ１MIN－Ｔ１Ave｜／Ｔ１Ave）×１００」をそれぞれ算出し、Ｆ１およびＦ２のうち大きい方を、厚みｔＡの公差（％）として採用した。
絶縁被覆導線の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、Ｃｕ線の表面に存在する未焼成絶縁層の厚みｔＡを計測した。絶縁被覆導線の断面は、各試料につき、それぞれ１０箇所解析し、各断面において未焼成絶縁層の厚みｔＡを１０箇所計測した。当該測定で得られた厚みｔＡのデータから、平均厚みＴ１Ave、最大厚みｔ１MAX、および、最小厚みｔ１MINを算出した。また、「Ｆ１＝（｜ｔ１MAX－Ｔ１Ave｜／Ｔ１Ave）×１００」、および、「Ｆ２＝（｜ｔ１MIN－Ｔ１Ave｜／Ｔ１Ave）×１００」をそれぞれ算出し、Ｆ１およびＦ２のうち大きい方を、厚みｔＡの公差（％）として採用した。
【0071】
絶縁層の厚みの均一性については、厚み公差が±１０％の範囲内である試料を良好と判定し、厚み公差が±５％の範囲内である試料を特に良好と判定した。
【0072】
絶縁層の成分分析
ＳＥＭによる断面解析時に、ＥＤＳによる点分析を実施し、未焼成絶縁層に含まれるＳｉの含有量（ａｔ％）およびＴｉの含有量（ａｔ％）を測定した。なお、点分析は、少なくとも１０箇所で実施し、平均値としてＳｉおよびＴｉの含有量を算出した。そして、当該測定結果に基づいて、未焼成絶縁層におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率（Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ））を算出した。
ＳＥＭによる断面解析時に、ＥＤＳによる点分析を実施し、未焼成絶縁層に含まれるＳｉの含有量（ａｔ％）およびＴｉの含有量（ａｔ％）を測定した。なお、点分析は、少なくとも１０箇所で実施し、平均値としてＳｉおよびＴｉの含有量を算出した。そして、当該測定結果に基づいて、未焼成絶縁層におけるＳｉおよびＴｉの合計含有量に対するＴｉ含有量の比率（Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ））を算出した。
【0073】
絶縁層による絶縁抵抗の測定
コーティング後、焼成前の絶縁層（未焼成絶縁層）による絶縁抵抗（Ω）を、ＨＰ製ハイレジスタンスメータ４３３９Ｂを用いて測定した。当該測定に際しては、表面の１／２に相当する未焼成絶縁層を局所的に除去した。そして、測定用端子の一方を、未焼成絶縁層を除去した箇所（すなわち金属導体部であるＣｕが露出している箇所）に押し当て、かつ、測定用端子の他の一方を未焼成絶縁層の表面に押し当てて、絶縁抵抗を測定した。未焼成絶縁層の絶縁抵抗については、１×１０7Ω以上を合格と判定した。なお、表１の絶縁抵抗の欄に示す「ＮＤ」は、絶縁抵抗が１×１０3Ω未満であり、絶縁抵抗が測定できなかったことを意味する。
コーティング後、焼成前の絶縁層（未焼成絶縁層）による絶縁抵抗（Ω）を、ＨＰ製ハイレジスタンスメータ４３３９Ｂを用いて測定した。当該測定に際しては、表面の１／２に相当する未焼成絶縁層を局所的に除去した。そして、測定用端子の一方を、未焼成絶縁層を除去した箇所（すなわち金属導体部であるＣｕが露出している箇所）に押し当て、かつ、測定用端子の他の一方を未焼成絶縁層の表面に押し当てて、絶縁抵抗を測定した。未焼成絶縁層の絶縁抵抗については、１×１０7Ω以上を合格と判定した。なお、表１の絶縁抵抗の欄に示す「ＮＤ」は、絶縁抵抗が１×１０3Ω未満であり、絶縁抵抗が測定できなかったことを意味する。
【0074】
＜絶縁層の焼成＞
上記の焼成前の評価において、絶縁抵抗を計測できた試料（試料Ａ５～試料Ａ１７）では、絶縁層を焼結させるために、絶縁被覆導線に対して熱処理（焼成処理）を施した。熱処理では、保持温度を７００℃に設定し、温度保持時間を１時間に設定した。当該熱処理により絶縁層が焼結し、無機絶縁層を有する絶縁被覆導線が得られた。
上記の焼成前の評価において、絶縁抵抗を計測できた試料（試料Ａ５～試料Ａ１７）では、絶縁層を焼結させるために、絶縁被覆導線に対して熱処理（焼成処理）を施した。熱処理では、保持温度を７００℃に設定し、温度保持時間を１時間に設定した。当該熱処理により絶縁層が焼結し、無機絶縁層を有する絶縁被覆導線が得られた。
【0075】
各試料における焼成後の絶縁被覆導線について、焼成前と同様の方法で、無機絶縁層の平均厚みおよび厚み公差の計測、無機絶縁層の成分分析、および、無機絶縁層による絶縁抵抗の測定、を実施した。また、焼成後に形成された無機絶縁層の外観を検査し、無機絶縁層におけるクラックの有無を調査した。
【0076】
耐熱性の評価
絶縁被覆導線の耐熱性は、焼成後の無機絶縁層による絶縁抵抗（Ω）、および、無機絶縁層の外観検査の結果に基づいて、評価した。具体的に、クラックが発生しておらず、かつ、絶縁抵抗が１×１０6Ω以上である場合、「耐熱性が良好」と判定し、クラックが発生しておらず、かつ、絶縁抵抗が１×１０10Ω以上である場合、「耐熱性が特に良好」と判定した。
絶縁被覆導線の耐熱性は、焼成後の無機絶縁層による絶縁抵抗（Ω）、および、無機絶縁層の外観検査の結果に基づいて、評価した。具体的に、クラックが発生しておらず、かつ、絶縁抵抗が１×１０6Ω以上である場合、「耐熱性が良好」と判定し、クラックが発生しておらず、かつ、絶縁抵抗が１×１０10Ω以上である場合、「耐熱性が特に良好」と判定した。
【0077】
実験１の評価結果を、表１に示す。
【表1】
【0078】
比較例である試料Ａ１～試料Ａ４では、金属導体部であるＣｕの表面に、酸化物粒子が堆積していることが確認され、連続的な被膜は形成されていなかった。そのため、試料Ａ１～試料Ａ４については、被覆層の厚みを計測しなかった。試料Ａ１～試料Ａ４では、堆積物表面で計測した抵抗値が、金属導体部（Ｃｕ線）の抵抗値とほとんど変わらず、十分な抵抗値を有する被覆が形成されなかった。
【0079】
また、比較例である試料Ａ１２～試料Ａ１７では、絶縁層の厚みの公差が大きく、均一性を確保できなかった。そのため、試料Ａ１２～試料Ａ１７では、焼成時に発生する熱応力が不均一化し、無機絶縁層の一部にクラックが発生した。つまり、試料Ａ１２～試料Ａ１７の絶縁被覆導線では、十分な耐熱性が得られなかった。
【0080】
一方、実施例である試料Ａ５～試料Ａ１１では、焼成前および焼成後の両方で、厚みの公差が、いずれも、平均厚みの±５％の範囲内であり、均一性の高い絶縁層が形成されていることが確認できた。また、試料Ａ５～試料Ａ１１では、７００℃の熱処理後においても、高い絶縁抵抗を維持することができ、かつ、クラックの発生も抑制することができた。この結果から、絶縁被覆導線が、２．５ａｔ％≦Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）≦５０ａｔ％を満たす絶縁層を有することで、高い耐熱性が得られることが立証できた。
【0081】
（実験２）
実験２では、未焼成絶縁層の平均厚みが異なる１０種類の絶縁被覆導線を製造した。実験２の試料Ｂ１～Ｂ９では、実験１の試料Ａ６と同じコーティング液を使用し、Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）比を５．２ａｔ％に制御した。また、各試料における未焼成絶縁層の平均厚みは、表２に示す値となるように、コーティング工程の繰り返し回数に基づいて、制御した。実験２における上記以外の製造条件は、実験１と同様とし、実験２の各試料について、実験１と同様の評価を実施した。実験２の評価結果を表２に示す。
実験２では、未焼成絶縁層の平均厚みが異なる１０種類の絶縁被覆導線を製造した。実験２の試料Ｂ１～Ｂ９では、実験１の試料Ａ６と同じコーティング液を使用し、Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｔｉ）比を５．２ａｔ％に制御した。また、各試料における未焼成絶縁層の平均厚みは、表２に示す値となるように、コーティング工程の繰り返し回数に基づいて、制御した。実験２における上記以外の製造条件は、実験１と同様とし、実験２の各試料について、実験１と同様の評価を実施した。実験２の評価結果を表２に示す。
【0082】
【表2】
【0083】
表２の結果から、未焼成絶縁層の平均厚みを１μｍ以上２２０μｍ以下に設定することで（換言すると無機絶縁層の平均厚みを１μｍ以上２００μｍ以下に設定することで）、均一で高い絶縁性を有する無機絶縁層が得られることがわかった。
【符号の説明】
【0084】
２，２α，２β … 絶縁被覆導線
２ｓ … 最表面
２ｅ１，２ｅ２ … 端部
６ … 金属導体部
６ａ … 本体部
６ｂ … 金属被覆層
８ … 絶縁層
８Ａ … 未焼成絶縁層
８Ｂ … 無機絶縁層
２０，２０α … コイル
１００ … 電子部品
４０ … 磁心
２ｓ … 最表面
２ｅ１，２ｅ２ … 端部
６ … 金属導体部
６ａ … 本体部
６ｂ … 金属被覆層
８ … 絶縁層
８Ａ … 未焼成絶縁層
８Ｂ … 無機絶縁層
２０，２０α … コイル
１００ … 電子部品
４０ … 磁心
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】