特開 2024-80209 気化器、イオン源、半導体製造装置及び気化器の運転方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024080209

(43)【公開日】2024-06-13

(54)【発明の名称】気化器、イオン源、半導体製造装置及び気化器の運転方法

(51)【国際特許分類】

   H01J 27/16 20060101AFI20240606BHJP

   H01J 37/08 20060101ALI20240606BHJP

【ＦＩ】

H01J27/16

H01J37/08

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022193211

(22)【出願日】2022-12-02

(71)【出願人】

【識別番号】302054866

【氏名又は名称】日新イオン機器株式会社

(72)【発明者】

【氏名】平井 裕也

(72)【発明者】

【氏名】岩波 悠太

(72)【発明者】

【氏名】糸井 駿

(72)【発明者】

【氏名】趙 維江

【テーマコード（参考）】

5C101

【Ｆターム（参考）】

5C101BB03

5C101BB05

5C101CC04

5C101CC14

5C101DD03

5C101DD18

5C101DD20

5C101DD23

5C101DD25

(57)【要約】

【課題】蒸気生成時には、気化器を熱的に安定させ、メンテナンス時には、気化器の温度を速やかに下げる。
【解決手段】気化器Ｖ１－Ｖ７は、坩堝１と、坩堝１を加熱する加熱器６と、坩堝１を支持する筒状の支持具３と、支持具３が取り付けられる真空隔壁５と、支持具３の内部Ｒを、坩堝１で蒸気を生成するときには真空にし、坩堝１の加熱を停止する制御装置Ｃを有する。
【選択図】 図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

坩堝と、
前記坩堝を加熱する加熱器と、
前記坩堝を支持する筒状の支持具と、
前記支持具が取り付けられる真空隔壁と、
前記支持具の内部を、前記坩堝で蒸気を生成するときには真空にし、前記坩堝の加熱を停止するときには大気にする制御装置と、を有する気化器。

【請求項2】

前記坩堝は、
蒸気を放出する前部と、
前記前部と対向する底部を有し、
前記底部は、第１底蓋と第２底蓋とを備える二重底構造からなる、請求項１記載の気化器。

【請求項3】

前記坩堝にガスを導入するガス導入管を有し、
前記ガス導入管は、前記坩堝と前記真空隔壁との間で、前記支持具の内部に配置される、請求項１記載の気化器。

【請求項4】

請求項１乃至３のいずれか１項に記載の気化器と、
前記気化器から導入された蒸気をもとにプラズマを生成するプラズマ生成室と、
前記プラズマからイオンビームの引き出しを行う引出電極と、を有するイオン源。

【請求項5】

請求項４記載のイオン源から引き出された前記イオンビームを処理室内のターゲットに照射し、前記ターゲットを処理する、半導体製造装置。

【請求項6】

坩堝と、
前記坩堝を加熱する加熱器と、
前記坩堝を支持する筒状の支持具と、
前記支持具が取り付けられる真空隔壁とを有する気化器で、
前記坩堝で蒸気を生成するときには、前記支持具の内部を真空にすることと、
前記坩堝の加熱を停止するときには、前記支持具の内部を大気にすることを実施する、気化器の運転方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、固体材料から蒸気を生成する気化器に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体製造装置に使用されるイオン源では、プラズマをもとにイオンビームの引き出しが行われている。一般的に、プラズマの生成は、ガスをもとに行われるが、適当なガスがない場合には、気化器を用いて固体材料を蒸気化することが行われている。

【0003】

例えば、特許文献１に記載のイオン源では、昇華温度安定化時間を短縮することを目的にして、固体充填容器（坩堝）を真空隔壁に支持する支持部材の熱伝導率を、固体充填容器や真空隔壁の熱伝導率よりも低くすることと、固体充填容器の厚みを真空隔壁の厚みよりも薄くすることが提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】ＷＯ２０１６／０４６９３９

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

気化器を取り外して、イオン源をメンテナンスする際、人が触れる程度に、気化器の温度を十分に下げておく必要がある。
しかしながら、特許文献１は、固体充填容器からの熱の逃げを防止する構成を採用しているので、気化器の温度が下がるまでに長い待ち時間が発生する。

【0006】

そこで、気化器での蒸気生成時には、気化器を熱的に安定させ、気化器のメンテナンス時には、気化器の温度を速やかに下げることのできる気化器を提供することを主たる目的の１つとする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

気化器は、
坩堝と、
前記坩堝を加熱する加熱器と、
前記坩堝を支持する筒状の支持具と、
前記支持具が取り付けられる真空隔壁と、
前記支持具の内部を、前記坩堝で蒸気を生成するときには真空にし、前記坩堝の加熱を停止するときには大気にする制御装置と、を有する。

【0008】

気化器の運転方法は、
坩堝と、
前記坩堝を加熱する加熱器と、
前記坩堝を支持する筒状の支持具と、
前記支持具が取り付けられる真空隔壁を有する気化器で、
前記坩堝で蒸気を生成するときには、前記支持具の内部を真空にすることと、
前記坩堝の加熱を停止するときには、前記支持具の内部を大気にすることを実施する。

【発明の効果】

【0009】

支持具の内部を、坩堝で蒸気を生成するときには真空にし、坩堝の加熱を停止するときには大気にすることで、蒸気生成時には、気化器を熱的に安定にして、気化器のメンテナンス時には、気化器の温度を速やかに下げることができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】気化器についての模式的断面図である。

【図2】支持具についての斜視図である。

【図3】気化器の運転方法についてのフローチャートである。

【図4】別の気化器についての模式的断面図である。

【図5】他の気化器についての模式的断面図である。

【図6】第１底蓋についての平面図である。

【図7】第２底蓋についての平面図である。

【図8】他の気化器についての模式的断面図である。

【図9】他の気化器についての模式的断面図である。

【図10】他の気化器についての模式的断面図である。

【図11】他の気化器についての模式的断面図である。

【図12】気化器を備えたイオン源と同イオン源を備えた半導体製造装置の構成例を示す模式的断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

図１は、気化器Ｖ１についての模式的断面図である。坩堝１には、固体材料７が配置されている。固体材料７は、例えば、三フッ化アルミニウム、ヨウ化インジウム、塩化インジウム、三フッ化アンチモン等である。固体材料７は、一塊のブロック状、ペレット状、または、粉末状といった種々の形態で使用される。

【0012】

坩堝１の内部空間は、前部Ｆ、側部Ｓ、底部Ｂからなる。側部Ｓの外周には、坩堝１を昇温する加熱器６が設けられている。加熱器６は、例えば、図示されるワイヤー状のコイルヒーターである。加熱器６により坩堝１を加熱することで、固体材料７が蒸気化される。
坩堝１で生成された蒸気は、坩堝１の前部Ｆに設けられたノズル２の開口２aを通して、不図示のプラズマ生成室へ供給される。

【0013】

坩堝１の底部Ｂは、支持具３で支持されている。支持具３は、例えば、図２に図示される細長い筒状の部材である。支持具３は、真空隔壁５に取り付けられている。支持具３の両端部は、坩堝１と真空隔壁５で封鎖されていることから、支持具３の内部Ｒは密閉空間となる。
真空隔壁５は、例えば、イオン源やプラズマ源等の真空雰囲気内に配置される装置で、気化器Ｖ１の取り付けに使用されるフランジである。イオン源に、気化器Ｖ１を取り付けたとき、図１において、真空隔壁５よりも左側の部位は真空内に配置され、右側の部位は大気に配置される。

【0014】

支持具３の内部Ｒには、配管４が導入されている。配管４には、三方弁２１が取り付けられている。大気側において、三方弁２１の流路は、空気供給部２２と真空ポンプ２３に接続されている。この構成により、配管４を通して、支持具３の内部Ｒを真空、大気に切り替えることが可能となる。
ここで言う大気とは、支持具３の内部Ｒにおける圧力が１atmもしくはその近傍の圧力であることを意味する。真空とは、支持具３の内部Ｒが大気のときの圧力よりも低い任意の圧力であることを意味する。
気化器Ｖ１の運転状態に応じて、制御装置Ｃからの指令信号Ｉによって三方弁２１の切替を自動制御してもいいが、装置のオペレーターが手動操作してもよい。
以降、気化器Ｖ１の変形例を説明する際には、配管４に接続された三方弁２１と空気供給部２２と真空ポンプ２３を、状態変更ユニットＡとして図示する。

【0015】

図３は、気化器Ｖ１の運転例についてのフローチャートである。まず気化器Ｖ１の運転前に支持具３の内部Ｒを真空引きする（処理Ｓ１）。その後、加熱器６で坩堝１を昇温し、固体材料７の気化を行う（処理Ｓ２）。このとき、支持具３の内部Ｒが真空であるため、真空断熱効果によって、坩堝１から真空隔壁５側への熱伝達が低減される。結果として、気化器Ｖ１を運転し、固体材料７を蒸気化する際、坩堝１が熱的に安定する。

【0016】

加熱器６による坩堝１の加熱は、固体材料７が気化しない程度の温度に予め坩堝１を昇温させておいてもよい。室温から固体材料７が気化する温度になるまで坩堝１を昇温するよりも、坩堝１を予め昇温しておく方が、気化器Ｖ１の運転を開始するまでの時間を短縮することができる。
固体材料７が気化しない程度の温度に予め坩堝１を加熱する操作を予備加熱とし、固体材料７が気化する温度に坩堝１を加熱する操作を本加熱とするならば、図２に記載の処理Ｓ２では、本加熱が実施される。
予備加熱を実施するタイミングについては、処理Ｓ１の前後いずれでもいいが、予備加熱においても坩堝１を熱的に安定させるには、処理Ｓ１での真空引きを先に実施しておくことが望ましい。

【0017】

次に、気化器Ｖ１をメンテナンスするため、気化器Ｖ１の運転を停止する（処理Ｓ３）。具体的には、加熱器６による坩堝１の加熱を停止する。
その後、支持具３の内部Ｒに空気を供給して、支持具３の内部Ｒを大気にすることで、坩堝１から真空隔壁５への熱伝達が促進される。これにより、気化器Ｖ１の運転停止時には、気化器Ｖ１の温度を速やかに下げることができる。
なお、真空から大気への変更にあたり、空気の他、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを使用してもよい。また、処理Ｓ４を実施するタイミングは、処理Ｓ３と同時でもよい。

【0018】

図４は、別の気化器Ｖ２についての模式的断面図である。図４及び後述する他の図面において、図１と符号が共通する部材は同じ部材であるため、詳細な説明は省略する。
気化器Ｖ２は、気化器Ｖ１と蒸気の生成方法が異なっている。
坩堝１に反応性ガスを供給することで、坩堝１内の固体材料７と反応性ガスとが反応して、反応生成物が生成される。反応生成物は、坩堝１を加熱器６で加熱することで、気化されて、ノズル２の開口２aを通して、不図示のプラズマ生成室へ供給される。
例えば、固体材料７は、純アルミニウム、窒化アルミニウム、または、酸化アルミニウムであり、反応性ガスは塩素ガスや塩酸ガスである。また、固体材料７と反応性ガスとの反応により生成される反応生成物は、塩化アルミニウムである。

【0019】

大気側に配置されたガス供給源２４は、塩素ガスや塩酸ガスといった反応性ガスを供給する。坩堝１の底部Ｂには、ガス導入管８が取り付けられていて、坩堝１の内部に反応性ガスが供給される。
ガス導入管８は、真空隔壁５と坩堝１の底部Ｂとの間で、支持具３の内部Ｒに配置されている。この構成により、支持具３の外側に、ガス導入管８が配置される構成に比べ、気化器Ｖ２の構成をコンパクトにすることができる。
ガス導入管８からのガス漏れを防止するため、図示されるガス導入管８の外側を別の配管で覆っておき、二重配管構造としてもよい。

【0020】

気化器Ｖ１と同じく、気化器Ｖ２の運転時には、支持具３の内部Ｒを真空にする。また、気化器Ｖ２の運転を停止して、メンテナンスする時には、支持具３の内部Ｒを大気にする。これにより、気化器Ｖ２での蒸気生成時には、気化器Ｖ２を熱的に安定させ、気化器Ｖ２のメンテナンス時には、気化器Ｖ２の温度を速やかに下げることができる。

【0021】

気化器Ｖ２では、反応性ガスの坩堝１への供給がなければ、坩堝１の内部に反応生成物は生成されない。坩堝１の内部に反応生成物がない状態では、坩堝１を加熱しても、反応生成物にもとづく蒸気は生成されない。
このことから、反応性ガスの供給がなされていない間は、蒸気の生成が行われる本加熱の温度に、気化器Ｖ２を加熱しておくこともできる。もちろん、気化器Ｖ２の温度を本加熱よりも低い温度に設定し、反応性ガスが供給されるタイミングに合わせて坩堝１を本加熱の温度に加熱してもよい。

【0022】

一方、予め反応性ガスを坩堝１に流しておき、坩堝１の温度を制御することで、反応生成物を気化してもよい。
気化器Ｖ２での坩堝１の加熱時に、坩堝１の熱的安定性を高めるには、坩堝１の加熱前に、支持具３の内部Ｒを真空にする。支持具３の内部Ｒを真空にするタイミングは、遅くとも気化器Ｖ２での蒸気生成時であればいい。
ただし、状態変更ユニットＡでの制御を簡便に行うには、気化器Ｖ２のメンテナンス時を除き、支持具３の内部Ｒは、常に真空であることが望ましい。この点については、気化器Ｖ２だけでなく、気化器Ｖ１や後述する他の気化器についても同じことが言える。

【0023】

図５は、他の気化器Ｖ３についての模式的断面図である。図４に示す気化器Ｖ２との違いは、坩堝１の底部Ｂを二重底構造にしている点にある。二重底構造は、図示される第１底蓋１０と第２底蓋９ａで構成されている。第１底蓋１０と第２底蓋９ａの主面（図示されるＸＹ平面上の面）は、Ｚ方向に空間を隔てて配置されており、主面間の空間によって、第２底蓋９ａから第１底蓋１０への熱伝達が低減できる。
図５に示す二重底構造を、他の実施形態と組み合わせることで、坩堝１から真空隔壁５への熱伝達がさらに低減でき、坩堝１の熱的安定性がさらに向上する。

【0024】

図６と図７は、第１底蓋１０と第２底蓋９ａの具体的な構成例についての平面図である。ここで、坩堝１は、円筒状の部材であることを想定している。
図６に示すように、第１底蓋１０は、平面視で円板状の部材であり、同心円状の段差を有している。第１底蓋１０の中央には、反応性ガスが通過する第１ガス導入口Ｈ１が形成されている。第１底蓋１０の段差部位１１には、図７に示す第２底蓋９ａが配置される。第２底蓋９ａは、円板の一部に切り欠きが設けられた部材で、切り欠き部位が、反応性ガスが通過する第２ガス導入口Ｈ２となる。

【0025】

反応性ガスは、第１ガス導入口Ｈ１と第２ガス導入口Ｈ２を通り、坩堝１の側部Ｓ側から坩堝１の内部に導入される。側部Ｓの近傍は、加熱器６により加熱されているため、比較的温度は高く、反応生成物の気化が促進される。一方、坩堝１の中心位置（図５に示すＹ方向で対向する側部Ｓ間の中央付近）では、側部Ｓの近傍に比べて温度が低くなることから、気化した反応生成物が固着することが懸念される。

【0026】

Ｙ方向において、第２ガス導入口Ｈ２が、第１ガス導入口Ｈ１の位置にあれば、第２ガス導入口Ｈ２付近に反応生成物が固着し、反応性ガスの坩堝１への導入を妨げることが懸念される。
しかしながら、図５に示すように、坩堝１側に設けられた第２ガス導入口Ｈ２の位置を、坩堝１の中心から偏心した側部Ｓ近傍に配置しているため、上記懸念事項を解消することができる。

【0027】

図５乃至図７に示す第１底蓋１０と第２底蓋９ａの構成は、一例にすぎず、種々の変形が可能である。例えば、第１底蓋１０を、段差を有さない円板状の部材とし、これを坩堝１に内嵌めしてもよい。また、坩堝１と支持具３との間に第１底蓋１０を挟持してもよい。
第２底蓋９ａの切り欠きは、図７に示す直線状である必要はなく、曲線状にしてもよい。また、図７に記載の切り欠き部位は、図の上側だけでなく、下側にも形成する等、坩堝１の中心から偏心した位置で、反応性ガスが供給でき、第２底蓋９ａの取り付けに支障がない範囲で、適宜変更してもよい。

【0028】

図５乃至図７に挙げた二重底構造の坩堝１を有する気化器Ｖ３の変形例として、図８に示す気化器Ｖ４を採用してもよい。気化器Ｖ４では、坩堝１の一部を第２底蓋９ｂとしている。
第２底蓋９ｂは、第２ガス導入口Ｈ２から、坩堝１の前部Ｆへ向けて広がる傾斜部位１２を有している。傾斜部位１２により、固体材料７が第２ガス導入口Ｈ２から物理的に離間するので、気化した反応生成物が固着することによって、第２ガス導入口Ｈ２が塞がれてしまうリスクが低減できる。
なお、傾斜部位１２に代えて、側部Ｓから第２ガス導入口Ｈ２へ続く段差部位を設ける等して、固体材料７と第２ガス導入口Ｈ２との物理的な距離を離してもよい。

【0029】

気化器のメンテナンスにあたり、支持具３の内部Ｒを大気にすることに加えて、図９、図１０に示す構成を採用することで、気化器の温度を効率的に下げることができる。
図９に示す気化器Ｖ５と図１０に示す気化器Ｖ６で、真空隔壁５には、大気側から支持具３の内部Ｒにつながる通路２５が設けられている。真空隔壁５において、通路２５の設けられる場所は、配管４やガス導入管８とは異なっている。

【0030】

図９の気化器Ｖ５には、通路２５の大気側出口にノブ２６が設けられている。ノブ２６は、通路２５の大気側出口を開け閉めするための部材である。例えば、ローレット付きボルトや配管と配管を開閉するバルブからなる部材である。
支持具３の内部Ｒを大気にする際、ノブ２６は通路２５の大気側出口を開放する。これにより、支持具３の内部Ｒで坩堝１からの熱で暖められた気体を、通路２５を通して、大気側に排出することが可能となる。その結果、暖かい気体と冷たい気体とが循環されて、坩堝１の温度を効率的に下げることができる。

【0031】

支持具３の内部Ｒを大気にする際、通路２５を常に開放してもいいが、配管４を通して流す気体の供給時間、坩堝１の温度、または、支持具３の内部Ｒでの圧力変動等に応じて、ノブ２６による通路２５の開放と閉鎖を切替えてもよい。なお、坩堝１の温度以外に、支持具３や支持具３の内部Ｒでの温度を温度計で測定し、これらの測定値に応じて、ノブ２６の開閉操作を行ってもよい。また、制御装置Ｃを用いて、ノブ２６の開閉操作を自動制御してもよい。

【0032】

図１０の気化器Ｖ６では、ノブ２６に代えて、ポンプ２７が設けられている。ポンプ２７を用いて、支持具３の内部Ｒで暖まった気体を外部に排出してもよい。

【0033】

坩堝１の昇温を効率的に行うため、加熱器６の周りにシールドを配置してもよい。図１１は、加熱器６の周りにシールドを設けた気化器Ｖ７の模式的断面図である。
図示されるシールド２９は、筒状の部材である。シールド２９の端部には、ノズル２と第１底蓋１０が、シールド２９の内外に突出可能な開口が形成されている。シールド２９は、締結具３０（例えば、スタッド）により、ノズル２の大径部に隣接配置されたキャップ２８に取り付けられている。
図１１のシールド２９を使用することで、坩堝１の反対側へ逃げる熱を遮蔽することができるため、坩堝１の昇温を効率的に行うことができる。また、シールド２９で加熱器６を坩堝１に押し付けて、加熱器６の坩堝１への密着性を高めてもよい。

【0034】

図１２は、半導体製造装置Ｍの構成例を示す模式的断面図である。
イオン源ＩＳは、先の実施形態で挙げたいずれかの気化器Ｖ１－Ｖ７を有している。気化器Ｖ１－Ｖ７から供給された蒸気は、プラズマ生成室３１に導入される。不図示のカソードから放出される電離電子や不図示のアンテナで生成されるマイクロ波によって、プラズマ生成室３１に導入された蒸気は、プラズマ化される。
プラズマ生成室３１の一面には、イオン引出し口３５が形成されている。プラズマ生成室３１で生成されたプラズマＰは、イオン引出し口３５を通して、引出電極ＥによってイオンビームＩＢとしてプラズマ生成室３１の外部に引き出される。

【0035】

引出電極Ｅは、例えば、プラズマ生成室３１への電子の流入を抑制するための抑制電極３２と接地電位に固定された接地電極３３で構成されている。プラズマ生成室３１と抑制電極３２には、不図示の電源により、所定の電圧が印加されている。イオンビームＩＢは、正の電荷を有するイオンビームＩＢとして引き出されることを想定している。

【0036】

イオン源ＩＳから引き出されたイオンビームＩＢが、処理室３４に配置されたターゲットＴに照射されることで、ターゲットＴの処理が行われる。ターゲットＴは、処理室３４の特定位置に固定されていてもいいが、姿勢が固定された状態でイオンビームＩＢを横切る方向へ移動されてもよい。
半導体製造装置Ｍの構成によっては、イオン源ＩＳと処理室３４との間に、質量分析電磁石や加減速管等の種々の構成要素を配置してもよい。

【0037】

上記実施形態で、支持具３を構成する材料は、坩堝１を構成する材料に比べて、熱伝導率が低い材料とし、支持具３を介した熱伝達を低減してもよい。例えば、坩堝１の材料を等方性黒鉛とし、支持具３の材料をステンレスとする。
坩堝１と第１底蓋１０と第２底蓋９ａの材料を同一の材料にすれば、加熱器６による坩堝１の加熱により、各部材に熱膨張が生じたとしても部材間での位置ずれを軽減することができる。なお、必ずしも各部材を同一の材料で構成する必要はなく、熱膨張率の差が少ない材料で構成することで、同様の効果を得ることができる。

【0038】

加熱器６は、ワイヤー状のコイルヒーターとしていたが、ワイヤー状に代えてシート状のコイルヒーターを使用してもよい。また、フレキシブな加熱面を備えたパネルヒーターを使用してもよい。さらに、坩堝１の周囲を囲むように配置されたプレートヒーターを使用してもよい。
そのうえ、各ヒーターを組み合わせて、加熱器６を構成してもよい。

【0039】

部材の取り付けについては、篏合、螺合、溶接等の種々の方法を利用することができる。また、取付用の部材を新たに用意してもよい。
支持具３の内部Ｒにおける密閉性を向上する上で、支持具３の取り付けにあたっては、溶接を用いることが望ましい。なお、支持具３は、１つまたは複数の部材の組み合わせで構成されてもよい。

【0040】

図示される固体材料７は、坩堝１の容積の半分を占めるものであるが、坩堝１の全体を占める程度の大きさとしてもよい。反応性ガスと接触する固体材料７の面積が大きいほど、反応生成物の生成量が増加し、坩堝１で生成される蒸気量も増加する。
固体材料７を大きくする場合、ガス導入管８から坩堝１に供給される反応性ガスの供給路を塞ぐことがないよう、固体材料７の形状や寸法などを適宜設定する。例えば、固体材料７を１つの大きな塊とし、坩堝１の全体を占める程度の大きさとした場合、固体材料７に複数の孔を形成しておき、反応性ガスの流路を確保することが考えられる。

【0041】

その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であることは言うまでもない。

【符号の説明】

【0042】

１ 坩堝
３ 支持具
５ 真空隔壁
６ 加熱器
８ ガス導入管
９ａ、９ｂ 第２底蓋
１０ 第１底蓋
３２ プラズマ生成室
３４ 処理室
Ｒ 支持具の内部
Ｈ１ 第１ガス導入口
Ｈ２ 第２ガス導入口
ＩＳ イオン源
ＩＢ イオンビーム
Ｍ 半導体製造装置
Ｔ ターゲット

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】