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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024080563
(43)【公開日】2024-06-13
(54)【発明の名称】タッチモジュール及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
G06F 3/041 20060101AFI20240606BHJP
G06F 3/044 20060101ALI20240606BHJP
【ＦＩ】
G06F3/041 422
G06F3/044 127
G06F3/044 122
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023010512
(22)【出願日】2023-01-26
(31)【優先権主張番号】202211539813.9
(32)【優先日】2022-12-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(71)【出願人】
【識別番号】519308156
【氏名又は名称】ティーピーケイ アドバンスド ソリューションズ インコーポレーテッド
【氏名又は名称原語表記】ＴＰＫ ＡＤＶＡＮＣＥＤ ＳＯＬＵＴＩＯＮＳ ＩＮＣ
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【弁理士】
【氏名又は名称】家入 健
(72)【発明者】
【氏名】チェン シャンメイ
(72)【発明者】
【氏名】チェン タイシー
(72)【発明者】
【氏名】リー リエンシン
(72)【発明者】
【氏名】リウ リアン
(57)【要約】 （修正有）
【課題】モアレ効果を低減し、寄生容量を低減するタッチモジュールを提供する。
【解決手段】タッチモジュールは、それぞれ第１、第２の不規則メッシュパターンを有する第１、第２のメッシュ電極層を含む。第１の不規則メッシュパターンの線分は、平行移動によって第１の交点Ｃ１を有する第１の放射状パターン１２２を形成する。第１の放射状パターンの線分密度の上位Ｘ％の領域は、Ｘが少なくとも１０である第１の密集領域Ｄ１として定義される。第２の不規則メッシュパターンの線分は、平行移動によって第２の交点Ｃ２を有する第２の放射状パターン１３２を形成する。第２の放射状パターンの線分密度の上位Ｘ％の領域は、第２の密集領域Ｄ２として定義される。第１の放射状パターンと第２の放射状パターンを、第１の交点と第２の交点が一致するように平行移動させると、第１の密集領域と第２の密集領域とは重ならない。
【選択図】図８
【解決手段】タッチモジュールは、それぞれ第１、第２の不規則メッシュパターンを有する第１、第２のメッシュ電極層を含む。第１の不規則メッシュパターンの線分は、平行移動によって第１の交点Ｃ１を有する第１の放射状パターン１２２を形成する。第１の放射状パターンの線分密度の上位Ｘ％の領域は、Ｘが少なくとも１０である第１の密集領域Ｄ１として定義される。第２の不規則メッシュパターンの線分は、平行移動によって第２の交点Ｃ２を有する第２の放射状パターン１３２を形成する。第２の放射状パターンの線分密度の上位Ｘ％の領域は、第２の密集領域Ｄ２として定義される。第１の放射状パターンと第２の放射状パターンを、第１の交点と第２の交点が一致するように平行移動させると、第１の密集領域と第２の密集領域とは重ならない。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
タッチモジュールであって、
第１の不規則メッシュパターンを有する第１のメッシュ電極層と、
第２の不規則メッシュパターンを有する第２のメッシュ電極層と、を備え、
前記第１の不規則メッシュパターンは、平行移動により第１の交点を有する第１の放射状パターンを形成するように構成された複数の線分を含み、前記第１の放射状パターンにおける線分密度の上位Ｘ％の領域が第１の密集領域として定義され、Ｘは少なくとも１０であり、
前記第２の不規則メッシュパターンは、平行移動により第２の交点を有する第２の放射状パターンを形成するように構成された複数の線分を含み、前記第２の放射状パターンにおける線分密度の上位Ｘ％の領域が第２の密集領域として定義され、
前記第１の放射状パターンと前記第２の放射状パターンとを、前記第１の交点と前記第２の交点とが一致するように平行移動させたとき、前記第１の密集領域と前記第２の密集領域とは投影方向において重ならない、
タッチモジュール。
第１の不規則メッシュパターンを有する第１のメッシュ電極層と、
第２の不規則メッシュパターンを有する第２のメッシュ電極層と、を備え、
前記第１の不規則メッシュパターンは、平行移動により第１の交点を有する第１の放射状パターンを形成するように構成された複数の線分を含み、前記第１の放射状パターンにおける線分密度の上位Ｘ％の領域が第１の密集領域として定義され、Ｘは少なくとも１０であり、
前記第２の不規則メッシュパターンは、平行移動により第２の交点を有する第２の放射状パターンを形成するように構成された複数の線分を含み、前記第２の放射状パターンにおける線分密度の上位Ｘ％の領域が第２の密集領域として定義され、
前記第１の放射状パターンと前記第２の放射状パターンとを、前記第１の交点と前記第２の交点とが一致するように平行移動させたとき、前記第１の密集領域と前記第２の密集領域とは投影方向において重ならない、
タッチモジュール。
【請求項2】
Ｘが１５、２０、又は３０である、請求項１に記載のタッチモジュール。
【請求項3】
前記第１の放射状パターンの前記線分と前記第２の放射状パターンの前記線分は、それぞれ前記第１の交点と前記第２の交点に対して３６０度放射状である、請求項１に記載のタッチモジュール。
【請求項4】
前記第１の放射状パターンの前記線分と前記第２の放射状パターンの前記線分は、それぞれ前記第１の交点と前記第２の交点に対して１８０度の放射状である、請求項１に記載のタッチモジュール。
【請求項5】
前記第１の放射状パターンの前記線分の数と前記第２の放射状パターンの前記線分の数が３００以上である、請求項１～４のいずれか一項に記載のタッチモジュール。
【請求項6】
前記第１の放射状パターンの前記線分は前記第１の不規則メッシュパターンの複数のグリッドから得られ、前記第２の放射状パターンの前記線分は前記第２の不規則メッシュパターンの複数のグリッドから得られる、請求項１～４のいずれか一項に記載のタッチモジュール。
【請求項7】
前記第１の不規則メッシュパターンの前記グリッドは、前記第１の不規則メッシュパターンの別々の領域に位置し、前記第２の不規則メッシュパターンの前記グリッドは、前記第２の不規則メッシュパターンの別々の領域に位置する、請求項６に記載のタッチモジュール。
【請求項8】
前記第１の不規則メッシュパターンの前記別々の領域の数と前記第２の不規則メッシュパターンの前記別々の領域の数が５以上である、請求項７に記載のタッチモジュール。
【請求項9】
タッチモジュールの製造方法であって、
第１の不規則メッシュパターンと第２の不規則メッシュパターンを生成することと、
前記第１の不規則メッシュパターンの複数の線分を平行移動し、第１の交点を有する第１の放射状パターンを形成することと、
ここで、前記第１の放射状パターンの線分密度の上位Ｘ％の領域は第１の密集領域として定義され、Ｘは少なくとも１０であり、
前記第２の不規則メッシュパターンの複数の線分を平行移動し、第２の交点を有する第２の放射状パターンを形成することと、
ここで、前記第２の放射状パターンの線分密度の上位Ｘ％の領域は第２の密集領域として定義され、
前記第１の交点と前記第２の交点とが一致するように、前記第１の放射状パターンと前記第２の放射状パターンとを平行移動することと、
前記第１の密集領域と前記第２の密集領域が重ならないように、前記第２の交点を中心として回転方向に沿った所定の角度で前記第２の放射状パターンを回転することと、
前記回転方向に沿った前記角度で回転した前記第１の不規則メッシュパターンと前記第２の不規則メッシュパターンの重ね合わせ配置により、第１のメッシュ電極層と第２のメッシュ電極層とをそれぞれ形成することと、を含む、
タッチモジュールの製造方法。
第１の不規則メッシュパターンと第２の不規則メッシュパターンを生成することと、
前記第１の不規則メッシュパターンの複数の線分を平行移動し、第１の交点を有する第１の放射状パターンを形成することと、
ここで、前記第１の放射状パターンの線分密度の上位Ｘ％の領域は第１の密集領域として定義され、Ｘは少なくとも１０であり、
前記第２の不規則メッシュパターンの複数の線分を平行移動し、第２の交点を有する第２の放射状パターンを形成することと、
ここで、前記第２の放射状パターンの線分密度の上位Ｘ％の領域は第２の密集領域として定義され、
前記第１の交点と前記第２の交点とが一致するように、前記第１の放射状パターンと前記第２の放射状パターンとを平行移動することと、
前記第１の密集領域と前記第２の密集領域が重ならないように、前記第２の交点を中心として回転方向に沿った所定の角度で前記第２の放射状パターンを回転することと、
前記回転方向に沿った前記角度で回転した前記第１の不規則メッシュパターンと前記第２の不規則メッシュパターンの重ね合わせ配置により、第１のメッシュ電極層と第２のメッシュ電極層とをそれぞれ形成することと、を含む、
タッチモジュールの製造方法。
【請求項10】
Ｘが１５、２０又は３０である、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
前記第１の放射状パターンの前記線分は前記第１の不規則メッシュパターンの複数のグリッドから得られ、前記第２の放射状パターンの前記線分は前記第２の不規則メッシュパターンの複数のグリッドから得られる、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項12】
前記グリッドの各々の前記線分の各々が配置方向に沿って始点と終点を有し、前記第１の不規則メッシュパターンの前記線分を平行移動することにより、前記第１の不規則メッシュパターンの前記線分の前記始点が前記第１の交点と一致し、前記第２の不規則メッシュパターンの前記線分を平行移動することにより、前記第２の不規則メッシュパターンの前記線分の前記始点が前記第２の交点と一致する、請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
前記第１の不規則メッシュパターンの前記線分を平行移動することにより、前記第１の放射状パターンの前記線分を前記第１の交点に対して３６０度放射状とし、前記第２の不規則メッシュパターンの前記線分を平行移動することにより、前記第２の放射状パターンの前記線分を前記第２の交点に対して３６０度放射状とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項14】
前記グリッドの各々の前記線分の各々は、配置方向に沿って始点と終点を有し、
前記第１の不規則メッシュパターンの前記線分を平行移動することは、
前記第１の不規則メッシュパターンの前記線分の前記始点を前記第１の交点に一致させることと、
前記第１の交点を通る第１の基準線に基づいて、前記第１の不規則メッシュパターンの前記線分を第１のグループと第２のグループに分割することと、
前記第１の不規則メッシュパターンの前記第１のグループと回転させた前記第２のグループとが前記第１の放射状パターンを形成するように、前記第１の不規則メッシュパターンの前記第２のグループを、前記第１の交点を中心として前記回転方向に沿って１８０度回転させることと、を含み、
前記第２の不規則メッシュパターンの前記線分を平行移動することは、
前記第２の不規則メッシュパターンの前記線分の前記始点を前記第２の交点に一致させることと、
前記第２の交点を通る第２の基準線に基づいて、前記第２の不規則メッシュパターンの前記線分を第１のグループと第２のグループに分割することと、
前記第２の不規則メッシュパターンの前記第１のグループと回転させた前記第２のグループとが前記第２の放射状パターンを形成するように、前記第２の不規則メッシュパターンの前記第２のグループを、前記第２の交点を中心として前記回転方向に沿って１８０度回転させることと、を含む、請求項１１に記載の方法。
前記第１の不規則メッシュパターンの前記線分を平行移動することは、
前記第１の不規則メッシュパターンの前記線分の前記始点を前記第１の交点に一致させることと、
前記第１の交点を通る第１の基準線に基づいて、前記第１の不規則メッシュパターンの前記線分を第１のグループと第２のグループに分割することと、
前記第１の不規則メッシュパターンの前記第１のグループと回転させた前記第２のグループとが前記第１の放射状パターンを形成するように、前記第１の不規則メッシュパターンの前記第２のグループを、前記第１の交点を中心として前記回転方向に沿って１８０度回転させることと、を含み、
前記第２の不規則メッシュパターンの前記線分を平行移動することは、
前記第２の不規則メッシュパターンの前記線分の前記始点を前記第２の交点に一致させることと、
前記第２の交点を通る第２の基準線に基づいて、前記第２の不規則メッシュパターンの前記線分を第１のグループと第２のグループに分割することと、
前記第２の不規則メッシュパターンの前記第１のグループと回転させた前記第２のグループとが前記第２の放射状パターンを形成するように、前記第２の不規則メッシュパターンの前記第２のグループを、前記第２の交点を中心として前記回転方向に沿って１８０度回転させることと、を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項15】
前記第１の不規則メッシュパターンの前記線分を平行移動することにより、前記第１の放射状パターンの前記線分を前記第１の交点に対して１８０度の放射状とし、前記第２の不規則メッシュパターンの前記線分を平行移動することにより、前記第２の放射状パターンの前記線分を前記第２の交点に対して１８０度の放射状とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項16】
前記第１の不規則メッシュパターンの前記グリッドは、前記第１の不規則メッシュパターンの別々の領域に位置し、前記第２の不規則メッシュパターンの前記グリッドは、前記第２の不規則メッシュパターンの別々の領域に位置する、請求項１１に記載の方法。
【請求項17】
前記第１の不規則メッシュパターンの前記別々の領域の数と、前記第２の不規則メッシュパターンの前記別々の領域の数とが５以上である、請求項１６に記載の方法。
【請求項18】
前記第１の放射状パターンの前記線分の数と、前記第２の放射状パターンの前記線分の数とが３００以上である、請求項９又は１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、タッチモジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
電極層に金属メッシュを用いたタッチモジュールでは、モアレパターン効果を低減するために、２つの電極層を重ね合わせる際にランダムな金属メッシュの設計が一般的に使用される。しかし、既存の設計では、２つの金属メッシュのメッシュラインが多数重なり合っていることが多い。この現象は、二層のタッチパネルを形成する際に、２つの金属メッシュの寄生容量（Ｃｍ）を大幅に増加させる。すなわち、金属層間の重なり合う領域に寄生容量が形成される。重なり合う領域が大きいほど寄生容量が大きくなり、抵抗－容量（ＲＣ）負荷が大きくなり、リフレッシュレートが低下する。タッチディスプレイデバイスの応答速度とリフレッシュレートがますます必要とされている中、タッチモジュールの２つの電極層間の寄生容量を効果的に減少させることができなければ、寄生容量がタッチセンシングの妨げとなる。例えば、中国特許出願公開第１０７７１０１２２号明細書には、タッチパネルに使用される導電性フィルムのメッシュパターン設計方法が開示されている。提案された技術的解決策は寄生容量を低減することはできるが、モアレ問題を解決することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】中国特許出願公開第１０７７１０１２２号明細書
【0004】
したがって、上述のような問題を解決するタッチモジュール及びその製造方法をいかに提供するかが、当業界の重要な課題となっている。
【0005】
＜概要＞
本開示の一側面は、上述の課題を効率的に解決することができるタッチモジュール及びその製造方法を提供することである。
本開示の一側面は、上述の課題を効率的に解決することができるタッチモジュール及びその製造方法を提供することである。
【0006】
本開示の一実施形態によると、タッチモジュールは、第１のメッシュ電極層と第２のメッシュ電極層とを含む。第１のメッシュ電極層は、第１の不規則メッシュパターンを有する。第１の不規則メッシュパターンは、平行移動により第１の交点を有する第１の放射状パターンを形成するように構成された複数の線分を含む。第１の放射状パターンにおける線分密度の上位Ｘ％の領域は、Ｘが少なくとも１０である第１の密集領域として定義される。第２のメッシュ電極層は第２の不規則メッシュパターンを有する。第２の不規則メッシュパターンは、平行移動により第２の交点を有する第２の放射状パターンを形成するように構成された複数の線分を含む。第２の放射状パターンにおける線分密度の上位Ｘ％の領域は、第２の密集領域として定義される。第１の放射状パターンと第２の放射状パターンとを、第１の交点と第２の交点とが一致するように平行移動させたとき、第１の密集領域と第２の密集領域は投影方向において重ならない。
【0007】
本開示の一実施形態では、Ｘは１５、２０、又は３０である。
【0008】
本開示の一実施形態では、第１の放射状パターンの線分と第２の放射状パターンの線分は、それぞれ第１の交点と第２の交点に対して３６０度放射状である。
【0009】
本開示の一実施形態では、第１の放射状パターンの線分と第２の放射状パターンの線分は、それぞれ第１の交点と第２の交点に対して１８０度の放射状である。
【0010】
本開示の一実施形態では、第１の放射状パターンの線分の数と第２の放射状パターンの線分の数が３００以上である。
【0011】
本開示の一実施形態では、第１の放射状パターンの線分は、第１の不規則メッシュパターンの複数のグリッドから得られる。第２の放射状パターンの線分は、第２の不規則メッシュパターンの複数のグリッドから得られる。
【0012】
本開示の一実施形態では、第１の不規則メッシュパターンのグリッドは、第１の不規則メッシュパターンの別々の領域に位置する。第２の不規則メッシュパターンのグリッドは、第２の不規則メッシュパターンの別々の領域に位置する。
【0013】
本開示の一実施形態では、第１の不規則メッシュパターンの別々の領域の数と第２の不規則メッシュパターンの別々の領域の数が５以上である。
【0014】
本開示の一実施形態によると、タッチモジュールの製造方法は、第１の不規則メッシュパターンと第２の不規則メッシュパターンを生成することと；第１の不規則メッシュパターンの複数の線分を平行移動し、第１の交点を有する第１の放射状パターンを形成することと、ここで、第１の放射状パターンの線分密度の上位Ｘ％の領域は第１の密集領域として定義され、Ｘは少なくとも１０であり；第２の不規則メッシュパターンの複数の線分を平行移動し、第２の交点を有する第２の放射状パターンを形成することと、ここで、第２の放射状パターンの線分密度の上位Ｘ％の領域は第２の密集領域として定義され；第１の交点と第２の交点とを一致させるように、第１の放射状パターンと第２の放射状パターンとを平行移動することと；第１の密集領域と第２の密集領域が重ならないように、第２の放射状パターンを第２の交点を中心として回転方向に沿った所定の角度で回転することと；回転方向に沿った角度で回転した第１の不規則メッシュパターンと第２の不規則メッシュパターンの重ね合わせ配置により、第１のメッシュ電極層と第２のメッシュ電極層とをそれぞれ形成することと、を含む。
【0015】
本開示の一実施形態では、Ｘが１５、２０、又は３０である。
【0016】
本開示の一実施形態では、第１の放射状パターンの線分は、第１の不規則メッシュパターンの複数のグリッドから得られる。第２の放射状パターンの線分は、第２の不規則メッシュパターンの複数のグリッドから得られる。
【0017】
本開示の一実施形態では、各グリッドの各線分は、配置方向に沿って始点と終点を有する。第１の不規則メッシュパターンの線分を平行移動することにより、第１の不規則メッシュパターンの線分の始点が第１の交点と一致する。第２の不規則メッシュパターンの線分を平行移動することにより、第２の不規則メッシュパターンの線分の始点が第２の交点と一致する。
【0018】
本開示の一実施形態では、第１の不規則メッシュパターンの線分を平行移動することにより、第１の放射状パターンの線分は、第１の交点に対して３６０度放射状となる。第２の不規則メッシュパターンの線分を平行移動することにより、第２の放射状パターンの線分は、第２の交点に対して３６０度放射状となる。
【0019】
本開示の一実施形態では、各グリッドの各線分は、配置方向に沿って始点と終点を有する。第１の不規則メッシュパターンの線分を平行移動することは：第１の不規則メッシュパターンの線分の始点を第１の交点に一致させることと；第１の交点を通る第１の基準線に基づいて、第１の不規則メッシュパターンの線分を第１のグループと第２のグループに分割することと；第１の不規則メッシュパターンの第１のグループと回転した第２のグループが第１の放射状パターンを形成するように、第１の不規則メッシュパターンの第２のグループを、第１の交点を中心として回転方向に沿って１８０度回転させることと、を含む。第２の不規則メッシュパターンの線分を平行移動することは：第２の不規則メッシュパターンの線分の始点を第２の交点に一致させることと；第２の交点を通る第２の基準線に基づいて、第２の不規則メッシュパターンの線分を第１のグループと第２のグループに分割することと；第２の不規則メッシュパターンの第１のグループと回転した第２のグループが第２の放射状パターンを形成するように、第２の不規則メッシュパターンの第２のグループを、第２の交点を中心として回転方向に沿って１８０度回転させることと、を含む。
【0020】
本開示の一実施形態では、第１の不規則メッシュパターンの線分を平行移動することにより、第１の放射状パターンの線分を、第１の交点に対して１８０度の放射状とする。第２の不規則メッシュパターンの線分を平行移動することにより、第２の放射状パターンの線分を、第２の交点に対して１８０度の放射状とする。
【0021】
本開示の一実施形態では、第１の不規則メッシュパターンのグリッドは、第１の不規則メッシュパターンの別々の領域に位置する。第２の不規則メッシュパターンのグリッドは、第２の不規則メッシュパターンの別々の領域に位置する。
【0022】
本開示の一実施形態では、第１の不規則メッシュパターンの別々の領域の数と、第２の不規則メッシュパターンの別々の領域の数とが５以上である。
【0023】
本開示の一実施形態では、第１の放射状パターンの線分の数と第２の放射状パターンの線分の数が３００以上である。
【0024】
したがって、本開示のタッチモジュール及びその製造方法では、第１のメッシュ電極層から得られた第１の放射状パターンと第２のメッシュ電極層から得られた第２の放射状パターンとを、第１の放射状パターンの第１の交点と第２の放射状パターンの第２の交点が一致するように平行移動させると、第１の放射状パターンの第１の密集領域と第２の放射状パターンの第２の密集領域とが投影方向において重ならない。このように、タッチモジュールのモアレ効果を効果的に解決し、寄生容量を低減することができる。
【0025】
上述の一般的な説明及び以下の詳細な説明はいずれも例によるものであり、請求項に記載の開示の更なる説明を提供することを意図していると理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【0026】
本開示は、以下の添付図面を参照して、以下の実施形態の詳細な説明を読むことによって、より完全に理解することができる。
【図1】本開示の一実施形態に係るタッチモジュールの透視図である。
【図3】本開示の一実施形態に係る第１の不規則メッシュパターンと第２の不規則メッシュパターンの重複を示す部分概略図である。
【図4】本開示の一実施形態に係る第１の不規則メッシュパターンのグリッドの一つを示す概略図である。
【図6】本開示の一実施形態に係る第１の放射状パターンの概略図である。
【図7】本開示の一実施形態に係る第２の放射状パターンの概略図である。
【図8】第１の放射状パターンと第２の放射状パターンの重複を示す概略図である。
【図9】本開示の一実施形態に係るタッチモジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図10】本開示の他の実施形態に係る第１の放射状パターンの概略図である。
【図11】本開示の他の実施形態に係る第２の放射状パターンの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
＜詳細な説明＞
ここで、本開示の本実施形態を詳細に参照し、その例を添付の図面に例示する。可能な限り、図面と明細書において同じ参照番号が、同じ又は同様の部品を参照するために使用される。しかしながら、本明細書に開示された特定の構造及び機能の詳細は、例示的な実施形態を説明する目的のための代表的なものにすぎず、したがって、多くの代替形式で具体化することができ、本明細書に記載されている例示的な実施形態のみに限定して解釈されるべきではない。したがって、例示的な実施形態を開示された特定の形態に限定する意図はないが、逆に、例示的な実施形態は、開示の範囲内にあるすべての変更、同等物及び代替物を対象とするものであることを理解されるべきである。
ここで、本開示の本実施形態を詳細に参照し、その例を添付の図面に例示する。可能な限り、図面と明細書において同じ参照番号が、同じ又は同様の部品を参照するために使用される。しかしながら、本明細書に開示された特定の構造及び機能の詳細は、例示的な実施形態を説明する目的のための代表的なものにすぎず、したがって、多くの代替形式で具体化することができ、本明細書に記載されている例示的な実施形態のみに限定して解釈されるべきではない。したがって、例示的な実施形態を開示された特定の形態に限定する意図はないが、逆に、例示的な実施形態は、開示の範囲内にあるすべての変更、同等物及び代替物を対象とするものであることを理解されるべきである。
【0028】
図１を参照する。図１は、本開示の一実施形態に係るタッチモジュール１００の透視図である。図１に示すように、本実施形態において、タッチモジュール１００は、第１のメッシュ電極層１２０、第２のメッシュ電極層１３０、及び絶縁層１１０を含む。絶縁層１１０は、第１のメッシュ電極層１２０と第２のメッシュ電極層１３０との間に配置され、第１のメッシュ電極層１２０を第２のメッシュ電極層１３０から絶縁する。第１のメッシュ電極層１２０は、互いに離間した複数の第１軸電極（不図示）を含むように切断される。第２のメッシュ電極層１３０は、互いに離間した複数の第２軸電極（不図示）を含むように切断される。前述の「第１軸」と「第２軸」は、例えばそれぞれＸ方向およびＹ方向に沿って延在することを指す。換言すると、第１軸電極はＸ方向に沿って延び、間隔を置いて配置された導電性の線である。第２軸電極はＹ方向に沿って延び、間隔を置いて配置された導電性の線である。
【0029】
図２を参照する。図２は、図１における第１のメッシュ電極層１２０の第１の不規則メッシュパターン１２１の領域Ａの平面図である。図２及び図３に示すように、本実施形態において、第１のメッシュ電極層１２０は第１の不規則メッシュパターン１２１を有する。第１の不規則メッシュパターン１２１は複数のグリッドを含む。各グリッドは複数の線分からなる。
【0030】
いくつかの実施形態では、各グリッドは６つの線分から構成されるが、本開示はこの点に関して限定されるものではない。
【0031】
図３を参照する。図３は、本開示の一実施形態に係る第１の不規則メッシュパターン１２１と第２の不規則メッシュパターン１３１の重複を示す部分概略図である。図３に示すように、本実施形態では、第１の不規則メッシュパターン１２１の線分は、第２の不規則メッシュパターン１３１の線分と大きく重複しないため、寄生容量を効果的に低減することができる。さらに、第１の不規則メッシュパターン１２１の線分と第２の不規則メッシュパターン１３１の線分は、明確で規則的な平行現象が無いため、モアレ効果を効果的に低減することができる。
【0032】
図４及び図５を参照する。図４は、本開示の一実施形態に係る第１の不規則メッシュパターン１２１のグリッドのうちの一つを示す概略図である。図５は、図４のグリッドの線分の平行移動を示す概略図である。本実施形態では、図６に示すように、第１の不規則メッシュパターン１２１の線分を平行移動させて、第１の交点Ｃ１を有する第１の放射状パターン１２２を形成することができる（統計的に有意な少なくとも３００の線分）。詳細には、第１の放射状パターン１２２は、第１の不規則メッシュパターン１２１の複数の別々の領域に位置するグリッドの線分（例えば、領域Ａで接続されていない別々の領域を任意に選択）を積層して構成されてもよい。例えば、領域Ａにおいて、少なくとも３００の線分を有する５つの別々の領域の集まりは、統計的に有意で有り得る。換言すると、第１の不規則メッシュパターン１２１のすべての線分によって第１の放射状パターン１２２が形成されるわけではない。第１の不規則メッシュパターン１２１上で、前述の別々の領域を一様に選択することができる。
【0033】
具体的には、図４に示すように、線分Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６を端点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６に順次接続した単一のグリッドを分解して説明する。線分Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６は、それぞれ配置方向に沿って始点と終点がある。例えば、線分Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６の始点と終点を時計回りに交互に接続した場合、線分Ｌ１の始点と終点はそれぞれ点Ｐ１、Ｐ２である。同様に、線分Ｌ２の始点と終点はそれぞれ点Ｐ２とＰ３である。線分Ｌ３の始点と終点はそれぞれ点Ｐ３とＰ４である。線分Ｌ４の始点と終点はそれぞれ点Ｐ４とＰ５である。線分Ｌ５の始点と終点はそれぞれ点Ｐ５とＰ６である。線分Ｌ６の始点と終点はそれぞれ点Ｐ６とＰ１である。配置方向が時計回りの場合、図４の線分Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６を始点が第１の交点Ｃ１と一致するように平行移動すると、図５に示すパターンを得ることができる。
【0034】
【0035】
図４及び図５に対応するグリッドの線分の平行移動方法によると、第１の不規則メッシュパターン１２１の複数の別々の領域のグリッドのすべての線分を平行移動させた後に、図６に示す第１の放射状パターン１２２を得ることができる。さらに、いくつかの実施形態では、図７に示す第２の放射状パターン１３２も、第１の放射状パターン１２２が形成されるのと同様に、第２の不規則メッシュパターン１３１の線分によって形成することができる。
【0036】
図６及び図７に示すように、いくつかの実施形態では、第１の放射状パターン１２２における線分密度の上位Ｘ％の領域を、Ｘが少なくとも１０である第１の密集領域Ｄ１と定義する。第２の放射状パターン１３２における線分密度の上位Ｘ％の領域を第２の密集領域Ｄ２と定義する。
【0037】
いくつかの実施形態では、Ｘは１５、２０、又は３０であるが、本開示はこの点に関して限定されるものではない。Ｘが適切な値になるように調整することで、第１の密集領域Ｄ１と第２の密集領域Ｄ２の領域を適切なサイズにすることができ、その後のパターンの回転処理に便利である。実際、図４及び図５によると、基準円中心（例えば、第１の交点Ｃ１と第２の交点Ｃ２）を重ね合わせることにより、第１の不規則メッシュパターン１２１及び第２の不規則メッシュパターン１３１の統計的な方向分布を得ることができる。したがって、その後の寄生容量の低減の検討では、回転中に可能な限り第１の不規則メッシュパターン１２１の第１の密集領域Ｄ１を第２の不規則メッシュパターン１３１の第２の密集領域Ｄ２からずらして配置する。
【0038】
いくつかの実施形態では、グリッドの線分の方向分布を反映する統計的有意性を得るために、第１の放射状パターン１２２の線分の数と第２の放射状パターン１３２の線分の数は３００以上であるが、本開示はこの点に関して限定されるものではない。線分の数を制限することにより、第１の放射状パターン１２２と第２の放射状パターン１３２は、それぞれ第１の不規則メッシュパターン１２１と第２の不規則メッシュパターン１３１の線分分布をより正確に示すことに役立つ。
【0039】
いくつかの実施形態では、第１の不規則メッシュパターン１２１の別々の領域の数と第２の不規則メッシュパターン１３１の別々の領域の数は５以上であるが、本開示はこの点に関して限定されるものではない。例えば、各メッシュパターン上で５つの領域が円で囲まれており、各領域が３００を超える線分を得るためには、少なくとも１０の六角形グリッド（合計６０の線分）が必要である。別々の領域の数を制限することによって、第１の放射状パターン１２２と第２の放射状パターン１３２が、それぞれ第１の不規則メッシュパターン１２１と第２の不規則メッシュパターン１３１の線分分布をより正確に示すことにも役立つ。
【0040】
図８を参照する。図８は第１の放射状パターン１２２と第２の放射状パターン１３２の重なりを示す模式図である。図６及び図７に示すように、第１の交点Ｃ１と第２の交点Ｃ２が一致するように第１の放射状パターン１２２と第２の放射状パターン１３２を直接平行移動したとき、第１の放射状パターン１２２の第１の密集領域Ｄ１と第２の放射状パターン１３２の第２の密集領域Ｄ２が垂直投影方向に少なくとも部分的に重なる。図８に示すように、第２の放射状パターン１３２を回転方向（例えば時計回りの方向）に沿って第２の交点Ｃ２を中心に角度θだけ回転させた後は、第１の放射状パターン１２２の第１の密集領域Ｄ１と第２の放射状パターン１３２の第２の密集領域Ｄ２が垂直投影方向に重なることはない。そのため、２つのメッシュパターンの密集領域を調整した後、一方のメッシュパターンの密集領域が他方のメッシュパターンの密集領域から実際にずれるように回転させることができ、寄生容量を効果的に低減させることができる。
【0041】
なお、第１のメッシュ電極層１２０の第１の不規則メッシュパターン１２１は、図６及び図８の第１の放射状パターン１２２に相当し、第２のメッシュ電極層１３０の第２の不規則メッシュパターン１３１は、図８における角度θだけ回転した第２の放射状パターン１３２に相当する。
【0042】
図９を参照する。図９は、本開示の一実施形態に係るタッチモジュールの製造方法のフローチャートである。図９に示すように、タッチモジュールの製造方法はステップＳ１０１からＳ１０６を含み、図１から図８を参照してもよい。ステップＳ１０１からステップＳ１０６までの詳細は以下の通りである。
【0043】
ステップＳ１０１：第１の不規則メッシュパターン１２１と第２の不規則メッシュパターン１３１を生成する。
【0044】
ステップＳ１０２：第１の不規則メッシュパターン１２１の複数の線分を平行移動し、第１の交点Ｃ１を有する第１の放射状パターン１２２を形成する。ここで、第１の放射状パターン１２２の線分密度の上位Ｘ％の領域を第１の密集領域Ｄ１と定義し、Ｘは少なくとも１０である。
【0045】
いくつかの実施形態では、ステップＳ１０２は、第１の不規則メッシュパターン１２１の線分の始点を第１の交点Ｃ１に一致させる。
【0046】
ステップＳ１０３：第２の不規則メッシュパターン１３１の複数の線分を平行移動し、第２の交点Ｃ２を有する第２の放射状パターン１３２を形成する。ここで、第２の放射状パターン１３２の線分密度の上位Ｘ％の領域を第２の密集領域Ｄ２と定義する。
【0047】
いくつかの実施形態では、ステップＳ１０３で第２の不規則メッシュパターン１３１の線分の始点を第２の交点Ｃ２に一致させる。
【0048】
ステップＳ１０４：第１の交点Ｃ１と第２の交点Ｃ２が一致するように、第１の放射状パターン１２２と第２の放射状パターン１３２を平行移動する。
【0049】
ステップＳ１０５：第１の密集領域Ｄ１と第２の密集領域Ｄ２が重ならないように、第２の交点Ｃ２を中心として回転方向（例えば時計回りの方向）に沿って第２の放射状パターン１３２を角度θだけ回転する。
【0050】
ステップＳ１０６：回転方向に沿って角度θだけ回転した第１の不規則メッシュパターン１２１と第２の不規則メッシュパターン１３１の重ね合わせ配置により、第１のメッシュ電極層１２０と第２のメッシュ電極層１３０をそれぞれ形成する。
【0051】
いくつか実施形態では、図６及び図７に示すように、ステップＳ１０２で第１の放射状パターン１２２の線分を第１の交点Ｃ１に対して３６０度放射状とし、ステップＳ１０３で第２の放射状パターン１３２の線分を第２の交点Ｃ２に対して３６０度放射状とする。ただし、本開示はこの点に関して限定されるものではない。
【0052】
図１０及び図１１を参照する。図１０は、本開示の別の実施形態に係る第１の放射状パターン１２２’の概略図である。図１１は、本開示の別の実施形態に係る第２の放射状パターン１３２’の概略図である。図１０及び１１に示すように、第１の放射状パターン１２２’の線分及び第２の放射状パターン１３２’の線分は、それぞれ第１の交点Ｃ１及び第２の交点Ｃ２に対して１８０度放射状である。
【0053】
図１０に示す第１の放射状パターン１２２’を得るために、いくつかの実施形態では、ステップＳ１０２はステップＳ１０２ａからステップＳ１０２ｃを含んでもよく、図６及び図１０を参照することができる。ステップＳ１０２ａからステップＳ１０２ｃの詳細を以下に説明する。
【0054】
ステップＳ１０２ａ：第１の不規則メッシュパターン１２１の線分の始点を第１の交点Ｃ１と一致させる。
【0055】
ステップＳ１０２ｂ：第１の交点Ｃ１を通る第１基準線Ｒ１を基準として、第１の不規則メッシュパターン１２１の線分を第１グループＧ１１と第２グループＧ１２に分割する。
【0056】
ステップＳ１０２ｃ：第１の不規則メッシュパターン１２１の第２グループＧ１２を、第１の交点Ｃ１を中心として回転方向（例えば時計回りの方向）に１８０度回転させ、第１の不規則メッシュパターン１２１の第１グループＧ１１と回転させた第２グループＧ１２が、第１の密集領域Ｄ１’を有する第１の放射状パターン１２２’を形成する。
【0057】
同様に、図１１に示す第２の放射状パターン１３２’を得るために、いくつかの実施形態では、ステップＳ１０３はステップＳ１０３ａからステップＳ１０３ｃを含み、図６、図７、図１０を参照することができる。ステップＳ１０３ａからステップＳ１０３ｃまでの詳細は以下の通りである。
【0058】
ステップＳ１０３ａ：第２の不規則メッシュパターン１３１の線分の始点を第２の交点Ｃ２と一致させる。
【0059】
ステップＳ１０３ｂ：第２の交点Ｃ２を通る第２基準線Ｒ２を基準として、第２の不規則メッシュパターン１３１の線分を第１グループＧ２１と第２グループＧ２２に分割する。
【0060】
ステップＳ１０３ｃ：第２の不規則メッシュパターン１３１の第２グループＧ２２を第２の交点Ｃ２を中心として回転方向（例えば時計回りの方向）に１８０度回転させ、第２の不規則メッシュパターン１３１の第１グループＧ２１と回転させた第２グループＧ２２が第２の密集領域Ｄ２’を有する第２の放射状パターン１３２’を形成する。
【0061】
上記の本開示の実施形態の説明によると、本開示のタッチモジュール及びその製造方法において、第１のメッシュ電極層から得られた第１の放射状パターンと第２のメッシュ電極層から得られた第２の放射状パターンを、第１の放射状パターンの第１の交点と第２の放射状パターンの第２の交点が一致するように平行移動させると、第１の放射状パターンの第１の密集領域と第２の放射状パターンの第２の密集領域が投影方向において重ならないことがわかる。このようにして、タッチモジュールのモアレ効果を効果的に解決し、寄生容量を低減することができる。
【0062】
本開示は、その特定の実施形態を参照してかなり詳細に説明されているが、他の実施形態も可能である。したがって、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲は、本明細書に含まれる実施形態の説明に限定されるべきではない。
【0063】
本開示の範囲又は精神から逸脱することなく、本開示の構造に様々な修正及び変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。上記の観点から、本開示は、以下の請求項の範囲に該当することを条件として、本開示の修正及び変更を対象とすることが意図される。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
