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特開2024-81038スチルベン化合物の製造方法およびジアリール化合物の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024081038
(43)【公開日】2024-06-17
(54)【発明の名称】スチルベン化合物の製造方法およびジアリール化合物の製造方法
(51)【国際特許分類】
C07C 41/30 20060101AFI20240610BHJP
C07C 43/215 20060101ALI20240610BHJP
C07C 43/205 20060101ALI20240610BHJP
C07B 61/00 20060101ALN20240610BHJP
【ＦＩ】
C07C41/30
C07C43/215
C07C43/205 B
C07B61/00 300
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022194463
(22)【出願日】2022-12-05
(71)【出願人】
【識別番号】000004444
【氏名又は名称】ＥＮＥＯＳ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100126099
【弁理士】
【氏名又は名称】反町 洋
(74)【代理人】
【識別番号】100152423
【弁理士】
【氏名又は名称】小島 一真
(72)【発明者】
【氏名】高嶋 務
【テーマコード（参考）】
4H006
4H039
【Ｆターム（参考）】
4H006AA02
4H006AB84
4H006AC22
4H006AC81
4H006BA21
4H006BA44
4H006BC10
4H006GP03
4H039CA41
4H039CD40
(57)【要約】 （修正有）
【課題】製造コストを低減できるスチルベン化合物の製造方法の提供。
【解決手段】スチルベン化合物の製造方法は、下記式（１）
（式（１）中、Ｒ１は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｎは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。）で表される第１の原料化合物を、ルイス酸および還元剤の存在下で、マクマリー反応によって、トランス－スチルベン化合物を合成する反応工程を含むことを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】スチルベン化合物の製造方法は、下記式（１）
（式（１）中、Ｒ１は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｎは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。）で表される第１の原料化合物を、ルイス酸および還元剤の存在下で、マクマリー反応によって、トランス－スチルベン化合物を合成する反応工程を含むことを特徴とする。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記式（１）：
（式（１）中、Ｒ１は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｎは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。）
で表される第１の原料化合物を、ルイス酸および還元剤の存在下で、マクマリー反応によって、
下記式（２）：
（式（２）中、Ｒ１は、式（１）と同様である。）
で表されるトランス－スチルベン化合物を合成する反応工程を含む、スチルベン化合物の製造方法。
【化1】
で表される第１の原料化合物を、ルイス酸および還元剤の存在下で、マクマリー反応によって、
下記式（２）：
【化2】
で表されるトランス－スチルベン化合物を合成する反応工程を含む、スチルベン化合物の製造方法。
【請求項2】
前記マクマリー反応が、－３０℃以上８０℃以下の温度下で行われる、請求項１に記載のスチルベン化合物の製造方法。
【請求項3】
前記ルイス酸が、金属ハロゲン化物である、請求項１に記載のスチルベン化合物の製造方法。
【請求項4】
前記還元剤が、亜鉛、亜鉛含有化合物、および亜鉛合金からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１に記載のスチルベン化合物の製造方法。
【請求項5】
下記式（３）：
（式（３）中、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して、置換されてもよい炭素数１～１２の炭化水素基を表し、但し、Ｒ２およびＲ３は同一の化学構造ではなく、
Ｒ４は、ヒドロキシ基の保護基を示し、
Ｒ５は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｍは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。また、ｍ＝２以上の場合、いずれか２つのＲ５が環式構造を形成してもよい。）
で表される第２の原料化合物と、
下記式（４）：
（式（４）中、Ｒ６は、ボロン酸の保護基を示し、
Ｒ７は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｐは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。また、ｐ＝２以上の場合、いずれか２つのＲ７が環式構造を形成してもよい。）
で表される第３の原料化合物とを、ニッケル（ＩＩ）化合物あるいはパラジウム（ＩＩ）化合物、および請求項１～４のいずれか一項に記載の製造方法により得られた上記式（２）で表されるトランス－スチルベン化合物の存在下で、不斉合成反応によって、
下記式（５）：
（式（５）、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５およびｍは、式（３）と同様であり、Ｒ７およびｐは、式（４）と同様であり、但し、Ｒ２およびＲ３は同一の化学構造ではない。）
で表される四級不斉炭素含有ジアリール化合物を合成する反応工程を含む、ジアリール化合物の製造方法。
【化3】
Ｒ４は、ヒドロキシ基の保護基を示し、
Ｒ５は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｍは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。また、ｍ＝２以上の場合、いずれか２つのＲ５が環式構造を形成してもよい。）
で表される第２の原料化合物と、
下記式（４）：
【化4】
Ｒ７は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｐは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。また、ｐ＝２以上の場合、いずれか２つのＲ７が環式構造を形成してもよい。）
で表される第３の原料化合物とを、ニッケル（ＩＩ）化合物あるいはパラジウム（ＩＩ）化合物、および請求項１～４のいずれか一項に記載の製造方法により得られた上記式（２）で表されるトランス－スチルベン化合物の存在下で、不斉合成反応によって、
下記式（５）：
【化5】
で表される四級不斉炭素含有ジアリール化合物を合成する反応工程を含む、ジアリール化合物の製造方法。
【請求項6】
前記トランス－スチルベン化合物が、下記式：
（式中、ｎは１～３の整数である。）
で表される少なくとも１種の化合物である、請求項５に記載のジアリール化合物の製造方法。
【化6】
で表される少なくとも１種の化合物である、請求項５に記載のジアリール化合物の製造方法。
【請求項7】
前記ニッケル（ＩＩ）化合物および前記トランス－スチルベン化合物が、錯体を形成している、請求項５に記載のジアリール化合物の製造方法。
【請求項8】
前記ニッケル（ＩＩ）化合物が、Ｎｉ（ａｃａｃ）２、Ｎｉ（Ａｃ）２、ＮｉＦ２、ＮｉＣ 、ＮｉＢｒ２、ＮｉＩ２、Ｎｉ（ＯＴｆ）２、Ｎｉ（ＢＦ４）２、Ｎｉ（ＯＴｓ）２、Ｎｉ（グリム）Ｃｌ２、Ｎｉ（グリム）Ｂｒ２、Ｎｉ（ジグリム）Ｃｌ２、Ｎｉ（ジグリム）Ｂｒ２、Ｎｉ（ＮＯ３）２、およびＮｉ（ＯＲ７）２（式中、Ｒ７は、－Ｃ（Ｏ）－Ｃ１～Ｃ６アルキルであり、Ｃ１～Ｃ６アルキルはハロゲン原子で置換されてもよい）からなる群から選択される、請求項５に記載のジアリール化合物の製造方法。
【請求項9】
前記四級不斉炭素含有ジアリール化合物の光学純度が、９５％ｅｅ以上である、請求項５に記載のジアリール化合物の記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、マクマリー反応によってスチルベン化合物を製造する方法に関する。また、本発明は、当該スチルベン化合物を配位子とした触媒を用いて、不斉合成反応によって四級不斉炭素含有ジアリール化合物を製造する方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、オレフィン化合物は、例えば、医薬、農薬、電子材料、金属錯体の配位子等の様々な製品に幅広く使用されている化学物質である。例えば、スチルベン化合物は、Ｎｉ系触媒等の配位子として利用されている。そこで、効率的なスチルベン化合物の製造方法が求められている
【0003】
上記の課題に対して、例えば、特許文献１には、４位及び４’位にスルホ基または置換スルホ基を有する新規なスチルベン化合物を合成する方法が開示されている。また、非特許文献１には、スチルベン化合物のシス体およびトランス体の混合物を合成した後、さらにシス体およびトランス体の混合物に対してヨウ素触媒を用いて、シス体をトランス体に異性化する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００３－１３７８５９号公報
【非特許文献】
【0005】
【非特許文献1】Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．２００２，ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．１，ｐ．１６０－１６４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかし、特許文献１では、反応生成物であるスチルベン化合物のシス・トランスの選択性の制御は行われていない。また、非特許文献１では、スチルベン化合物のシス体およびトランス体の混合物に対して異性化処理を行っており、トランス体のスチルベン化合物を効率的かつ選択的に合成できていない。
【0007】
したがって、本発明の目的は、効率的であり、かつ、シス・トランスの選択性に優れたスチルベン化合物の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、マクマリー反応を用いて特定の原料化合物からトランス体のスチルベン化合物を選択的かつ効率的に合成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0009】
また、本発明者は、得られたスチルベン化合物を配位子とした触媒を用いて、不斉合成反応によって四級不斉炭素含有ジアリール化合物を選択的かつ効率的に合成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0010】
すなわち、本発明によれば、以下の発明が提供される。
［１］ 下記式（１）：
（式（１）中、Ｒ１は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｎは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。）
で表される第１の原料化合物を、ルイス酸および還元剤の存在下で、マクマリー反応によって、
下記式（２）：
（式（２）中、Ｒ１は、式（１）と同様である。）
で表されるトランス－スチルベン化合物を合成する反応工程を含む、スチルベン化合物の製造方法。
［２］ 前記マクマリー反応が、－３０℃以上８０℃以下の温度下で行われる、［１］に記載のスチルベン化合物の製造方法。
［３］ 前記ルイス酸が、金属ハロゲン化物である、［１］または［２］に記載のスチルベン化合物の製造方法。
［４］ 前記還元剤が、亜鉛、亜鉛含有化合物、および亜鉛合金からなる群から選択される少なくとも１種である、［１］～［３］のいずれかに記載のスチルベン化合物の製造方法。
［５］ 下記式（３）：
（式（３）中、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して、置換されてもよい炭素数１～１２の炭化水素基を表し、但し、Ｒ２およびＲ３は同一の化学構造ではなく、
Ｒ４は、ヒドロキシ基の保護基を示し、
Ｒ５は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｍは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。また、ｍ＝２以上の場合、いずれか２つのＲ５が環式構造を形成してもよい。）
で表される第２の原料化合物と、
下記式（４）：
（式（４）中、Ｒ６は、ボロン酸の保護基を示し、
Ｒ７は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｐは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。また、ｐ＝２以上の場合、いずれか２つのＲ７が環式構造を形成してもよい。）
で表される第３の原料化合物とを、ニッケル（ＩＩ）化合物あるいはパラジウム（ＩＩ）化合物、および［１］～［４］のいずれかに記載の製造方法により得られた上記式（２）で表されるトランス－スチルベン化合物の存在下で、不斉合成反応によって、
下記式（５）：
（式（５）、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５およびｍは、式（３）と同様であり、Ｒ７およびｐは、式（４）と同様であり、但し、Ｒ２およびＲ３は同一の化学構造ではない。）
で表される四級不斉炭素含有ジアリール化合物を合成する反応工程を含む、ジアリール化合物の製造方法。
［６］ 前記トランス－スチルベン化合物が、下記式：
（式中、ｎは１～３の整数である。）
で表される少なくとも１種の化合物である、［５］に記載のジアリール化合物の製造方法。
［７］ 前記ニッケル（ＩＩ）化合物および前記トランス－スチルベン化合物が、錯体を形成している、［５］または［６］に記載のジアリール化合物の製造方法。
［８］ 前記ニッケル（ＩＩ）化合物が、Ｎｉ（ａｃａｃ）２、Ｎｉ（Ａｃ）２、ＮｉＦ２、ＮｉＣ 、ＮｉＢｒ２、ＮｉＩ２、Ｎｉ（ＯＴｆ）２、Ｎｉ（ＢＦ４）２、Ｎｉ（ＯＴｓ）２、Ｎｉ（グリム）Ｃｌ２、Ｎｉ（グリム）Ｂｒ２、Ｎｉ（ジグリム）Ｃｌ２、Ｎｉ（ジグリム）Ｂｒ２、Ｎｉ（ＮＯ３）２、およびＮｉ（ＯＲ７）２（式中、Ｒ７は、－Ｃ（Ｏ）－Ｃ１～Ｃ６アルキルであり、Ｃ１～Ｃ６アルキルはハロゲン原子で置換されてもよい）からなる群から選択される、［５］～［７］のいずれかに記載のジアリール化合物の製造方法。
［９］ 前記四級不斉炭素含有ジアリール化合物の光学純度が、９５％ｅｅ以上である、［５］～［８］のいずれかに記載のジアリール化合物の記載の製造方法。
［１］ 下記式（１）：
【化1】
で表される第１の原料化合物を、ルイス酸および還元剤の存在下で、マクマリー反応によって、
下記式（２）：
【化2】
で表されるトランス－スチルベン化合物を合成する反応工程を含む、スチルベン化合物の製造方法。
［２］ 前記マクマリー反応が、－３０℃以上８０℃以下の温度下で行われる、［１］に記載のスチルベン化合物の製造方法。
［３］ 前記ルイス酸が、金属ハロゲン化物である、［１］または［２］に記載のスチルベン化合物の製造方法。
［４］ 前記還元剤が、亜鉛、亜鉛含有化合物、および亜鉛合金からなる群から選択される少なくとも１種である、［１］～［３］のいずれかに記載のスチルベン化合物の製造方法。
［５］ 下記式（３）：
【化3】
Ｒ４は、ヒドロキシ基の保護基を示し、
Ｒ５は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｍは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。また、ｍ＝２以上の場合、いずれか２つのＲ５が環式構造を形成してもよい。）
で表される第２の原料化合物と、
下記式（４）：
【化4】
Ｒ７は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｐは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。また、ｐ＝２以上の場合、いずれか２つのＲ７が環式構造を形成してもよい。）
で表される第３の原料化合物とを、ニッケル（ＩＩ）化合物あるいはパラジウム（ＩＩ）化合物、および［１］～［４］のいずれかに記載の製造方法により得られた上記式（２）で表されるトランス－スチルベン化合物の存在下で、不斉合成反応によって、
下記式（５）：
【化5】
で表される四級不斉炭素含有ジアリール化合物を合成する反応工程を含む、ジアリール化合物の製造方法。
［６］ 前記トランス－スチルベン化合物が、下記式：
【化6】
で表される少なくとも１種の化合物である、［５］に記載のジアリール化合物の製造方法。
［７］ 前記ニッケル（ＩＩ）化合物および前記トランス－スチルベン化合物が、錯体を形成している、［５］または［６］に記載のジアリール化合物の製造方法。
［８］ 前記ニッケル（ＩＩ）化合物が、Ｎｉ（ａｃａｃ）２、Ｎｉ（Ａｃ）２、ＮｉＦ２、ＮｉＣ 、ＮｉＢｒ２、ＮｉＩ２、Ｎｉ（ＯＴｆ）２、Ｎｉ（ＢＦ４）２、Ｎｉ（ＯＴｓ）２、Ｎｉ（グリム）Ｃｌ２、Ｎｉ（グリム）Ｂｒ２、Ｎｉ（ジグリム）Ｃｌ２、Ｎｉ（ジグリム）Ｂｒ２、Ｎｉ（ＮＯ３）２、およびＮｉ（ＯＲ７）２（式中、Ｒ７は、－Ｃ（Ｏ）－Ｃ１～Ｃ６アルキルであり、Ｃ１～Ｃ６アルキルはハロゲン原子で置換されてもよい）からなる群から選択される、［５］～［７］のいずれかに記載のジアリール化合物の製造方法。
［９］ 前記四級不斉炭素含有ジアリール化合物の光学純度が、９５％ｅｅ以上である、［５］～［８］のいずれかに記載のジアリール化合物の記載の製造方法。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、製造コストを低減できるスチルベン化合物の製造方法を提供することができる。さらに、本発明によれば、当該スチルベン化合物を用いて、効率的から選択的に四級不斉炭素含有ジアリール化合物を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
［スチルベン化合物の製造方法］
本発明によるスチルベン化合物の製造方法は、マクマリー反応によってトランス－スチルベン化合物を合成する反応工程を含む。また、スチルベン化合物の製造方法は、反応工程の後に精製工程をさらに含んでもよい。以下、各工程について詳述する。
本発明によるスチルベン化合物の製造方法は、マクマリー反応によってトランス－スチルベン化合物を合成する反応工程を含む。また、スチルベン化合物の製造方法は、反応工程の後に精製工程をさらに含んでもよい。以下、各工程について詳述する。
【0014】
（反応工程）
反応工程では、下記式（１）：
（式（１）中、Ｒ１は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｎは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。）
で表される第１の原料化合物を、ルイス酸および還元剤の存在下で、マクマリー反応によって、トランス－スチルベン化合物を合成する。
反応工程では、下記式（１）：
【化7】
で表される第１の原料化合物を、ルイス酸および還元剤の存在下で、マクマリー反応によって、トランス－スチルベン化合物を合成する。
【0015】
上記式（１）中、Ｒ１は、好ましくは炭素数１～４のアルキル基、炭素数１～４のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～４のアルキル基で置換されたアミノ基を示す。ｎは、好ましくは０～３の整数であり、より好ましくは０～２の整数である。
【0016】
上記式（１）で表される第１の原料化合物の好ましい実施形態としては、以下の化合物が挙げられる。下記式中、ｔＢｕはターシャリーブチル基を示し、Ｍｅはメチル基を示し、Ｅｔはエチル基を示す。第１の原料化合物は、１種単独でも用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【化8】
【化9】
【化10】
【化11】
【0017】
（ルイス酸）
ルイス酸としては、マクマリー反応に用いられる従来公知のルイス酸が使用可能である。ルイス酸としては、金属ルイス酸を用いることが好ましい。金属ルイス酸としては、ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４、ＢＣｌ３、ＢＦ３、ＢＦ３・ＯＥｔ２、ＳｎＣｌ２、ＳｎＣｌ４、ＳｂＣｌ５、ＳｂＦ５、ＷＣｌ６、ＴａＣｌ５、ＶＣｌ５、ＦｅＣｌ３、ＺｎＢｒ２、ＡｌＣｌ３、ＡｌＢｒ３等の金属ハロゲン化物が挙げられる。これらの中でもハロゲン化チタン（ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４）を用いることが好ましい。これらのルイス酸は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。なお、ルイス酸の添加量は、適宜、調節することができる。
ルイス酸としては、マクマリー反応に用いられる従来公知のルイス酸が使用可能である。ルイス酸としては、金属ルイス酸を用いることが好ましい。金属ルイス酸としては、ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４、ＢＣｌ３、ＢＦ３、ＢＦ３・ＯＥｔ２、ＳｎＣｌ２、ＳｎＣｌ４、ＳｂＣｌ５、ＳｂＦ５、ＷＣｌ６、ＴａＣｌ５、ＶＣｌ５、ＦｅＣｌ３、ＺｎＢｒ２、ＡｌＣｌ３、ＡｌＢｒ３等の金属ハロゲン化物が挙げられる。これらの中でもハロゲン化チタン（ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４）を用いることが好ましい。これらのルイス酸は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。なお、ルイス酸の添加量は、適宜、調節することができる。
【0018】
（還元剤）
還元剤としては、マクマリー反応に用いられる従来公知の還元剤が使用可能である。還元剤としては、例えば、亜鉛、亜鉛含有化合物、および亜鉛合金（Ｚｎ－Ｃｕ等）等が挙げられる。これらの還元剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。なお、還元剤の添加量は、適宜、調節することができる。
還元剤としては、マクマリー反応に用いられる従来公知の還元剤が使用可能である。還元剤としては、例えば、亜鉛、亜鉛含有化合物、および亜鉛合金（Ｚｎ－Ｃｕ等）等が挙げられる。これらの還元剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。なお、還元剤の添加量は、適宜、調節することができる。
【0019】
（溶媒）
マクマリー反応は、反応に不活性な溶媒の存在下で行ってもよい。溶媒としては、特に制限されず、慣用の有機溶媒を用いることができる。有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、ｏ－，ｍ－，ｐ－キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒；ジクロロメタン、クロロホルム、１，２－ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、グライム、ジグライム等のエーテル系溶媒；ヘキサフルオロベンゼン、ｍ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ｐ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、α，α，α－トリフルオロメチルベンゼン、ジクロロペンタフルオロプロパン等の含フッ素有機溶媒等を用いることができる。これらの中でも、ベンゼン、トルエン、ｏ－，ｍ－，ｐ－キシレン、メシチレン、ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン、ジエチルエーテル、ジオキサン、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ヘキサフルオロベンゼン、ｍ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ｐ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、α，α，α－トリフルオロメチルベンゼン等、及びこれらの混合物が好ましい。
マクマリー反応は、反応に不活性な溶媒の存在下で行ってもよい。溶媒としては、特に制限されず、慣用の有機溶媒を用いることができる。有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、ｏ－，ｍ－，ｐ－キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒；ジクロロメタン、クロロホルム、１，２－ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、グライム、ジグライム等のエーテル系溶媒；ヘキサフルオロベンゼン、ｍ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ｐ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、α，α，α－トリフルオロメチルベンゼン、ジクロロペンタフルオロプロパン等の含フッ素有機溶媒等を用いることができる。これらの中でも、ベンゼン、トルエン、ｏ－，ｍ－，ｐ－キシレン、メシチレン、ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン、ジエチルエーテル、ジオキサン、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ヘキサフルオロベンゼン、ｍ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ｐ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、α，α，α－トリフルオロメチルベンゼン等、及びこれらの混合物が好ましい。
【0020】
（反応条件）
マクマリー反応は、不活性ガス（窒素；ヘリウム、アルゴンなどの希ガスなど）雰囲気下で行ってもよい。
反応温度は、好ましくは－３０℃以上１００℃以下であり、より好ましくは０℃以上９０℃以下であり、さらに好ましくは３０℃以上８０℃以下であり、さらにより好ましくは４０℃以上７０℃以下である。
反応時間は、特に制限されないが、好ましくは１時間以上４８時間以下、より好ましくは２時間以上３６時間以下であり、さらに好ましくは３時間以上２４時間以下であり、さらにより好ましくは４時間以上１２時間以下である。
マクマリー反応は、不活性ガス（窒素；ヘリウム、アルゴンなどの希ガスなど）雰囲気下で行ってもよい。
反応温度は、好ましくは－３０℃以上１００℃以下であり、より好ましくは０℃以上９０℃以下であり、さらに好ましくは３０℃以上８０℃以下であり、さらにより好ましくは４０℃以上７０℃以下である。
反応時間は、特に制限されないが、好ましくは１時間以上４８時間以下、より好ましくは２時間以上３６時間以下であり、さらに好ましくは３時間以上２４時間以下であり、さらにより好ましくは４時間以上１２時間以下である。
【0021】
（反応生成物）
マクマリー反応により得られる反応生成物は、下記式（２）：
（式（２）中、Ｒ１は、式（１）と同様であり、好ましい態様も式（１）と同様である。）
で表されるトランス－スチルベン化合物である。
マクマリー反応により得られる反応生成物は、下記式（２）：
【化12】
で表されるトランス－スチルベン化合物である。
【0022】
上記式（２）で表されるトランス－スチルベン化合物の好ましい実施形態としては、以下の化合物が挙げられる。
【化13】
【化14】
【化15】
【化16】
【化17】
【化18】
【化19】
【化20】
【化21】
【化22】
【化23】
【0023】
上記のマクマリー反応で得られたトランス－スチルベン化合物の物質純度は、好ましくは８０％以上であり、より好ましくは９０％以上であり、さらに好ましくは９５％以上である。
なお、トランス－スチルベン化合物の物質純度とは、マクマリー反応で得られた異性体全体に対するトランス体の比率である。
なお、トランス－スチルベン化合物の物質純度とは、マクマリー反応で得られた異性体全体に対するトランス体の比率である。
【0024】
（精製工程）
精製工程では、上記の反応工程で得られたスチルベン化合物、ルイス酸、及び還元剤を含む反応溶液を精製して、スチルベン化合物を単離する工程である。精製工程の精製手段は、特に限定されず、従来公知の精製手段を用いることができる。精製手段としては、例えば、減圧ろ過、再結晶、分液、および溶媒留去等が挙げられる。
精製工程では、上記の反応工程で得られたスチルベン化合物、ルイス酸、及び還元剤を含む反応溶液を精製して、スチルベン化合物を単離する工程である。精製工程の精製手段は、特に限定されず、従来公知の精製手段を用いることができる。精製手段としては、例えば、減圧ろ過、再結晶、分液、および溶媒留去等が挙げられる。
【0025】
［ジアリール化合物の製造方法］
本発明によるジアリール化合物の製造方法は、上記のスチルベン化合物を配位子とする触媒を用いた不斉合成反応によって、四級不斉炭素含有ジアリール化合物を合成する反応工程を含む。また、ジアリール化合物の製造方法は、反応工程の後に精製工程をさらに含んでもよい。以下、各工程について詳述する。
本発明によるジアリール化合物の製造方法は、上記のスチルベン化合物を配位子とする触媒を用いた不斉合成反応によって、四級不斉炭素含有ジアリール化合物を合成する反応工程を含む。また、ジアリール化合物の製造方法は、反応工程の後に精製工程をさらに含んでもよい。以下、各工程について詳述する。
【0026】
（反応行程）
本発明によるジアリール化合物の製造方法は、下記式（３）：
（式（３）中、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して、置換されてもよい炭素数１～１２の炭化水素基を表し、但し、Ｒ２およびＲ３は同一の化学構造ではなく、
Ｒ４は、ヒドロキシ基の保護基を示し、
Ｒ５は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｍは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。また、ｍ＝２以上の場合、いずれか２つのＲ５が環式構造を形成してもよい。）
で表される第２の原料化合物と、
下記式（４）：
（式（４）中、Ｒ６は、ボロン酸の保護基を示し、
Ｒ７は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｐは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。また、ｐ＝２以上の場合、いずれか２つのＲ７が環式構造を形成してもよい。）
で表される第３の原料化合物とを、ニッケル（ＩＩ）化合物あるいはパラジウム（ＩＩ）化合物、および上記式（２）で表されるトランス－スチルベン化合物の存在下で、不斉合成反応によって、
下記式（５）：
（式（５）、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５およびｍは、式（３）と同様であり、好ましい態様も式（３）と同様である。Ｒ７およびｐは、式（４）と同様であり、好ましい態様も式（４）と同様であり、但し、Ｒ２およびＲ３は同一の化学構造ではない。）
で表される四級不斉炭素含有ジアリール化合物を合成する。当該反応工程においては、上記式（２）で表されるスチルベン化合物を配位子とするニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いることで、第２の原料化合物の光学状態を保持しながら、効率的に不斉合成反応が進行する。
本発明によるジアリール化合物の製造方法は、下記式（３）：
【化24】
Ｒ４は、ヒドロキシ基の保護基を示し、
Ｒ５は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｍは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。また、ｍ＝２以上の場合、いずれか２つのＲ５が環式構造を形成してもよい。）
で表される第２の原料化合物と、
下記式（４）：
【化25】
Ｒ７は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～６のアルキル基で置換されたアミノ基を示し、ｐは０～５の整数である。但し、ｎが０の場合、フェニル基の水素原子は置換されていないことを示す。また、ｐ＝２以上の場合、いずれか２つのＲ７が環式構造を形成してもよい。）
で表される第３の原料化合物とを、ニッケル（ＩＩ）化合物あるいはパラジウム（ＩＩ）化合物、および上記式（２）で表されるトランス－スチルベン化合物の存在下で、不斉合成反応によって、
下記式（５）：
【化26】
で表される四級不斉炭素含有ジアリール化合物を合成する。当該反応工程においては、上記式（２）で表されるスチルベン化合物を配位子とするニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いることで、第２の原料化合物の光学状態を保持しながら、効率的に不斉合成反応が進行する。
【0027】
上記式（３）中、Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立して、好ましくはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６の炭化水素基を表し、より好ましくはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～６のアルキル基を表し、さらに好ましくはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基を表す。
Ｒ４（ヒドロキシ基の保護基）は、特に限定されず、従来公知の保護基を利用できるが、ピバロイル基が好ましい。
Ｒ５は、好ましくはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基、炭素数１～４のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～４のアルキル基で置換されたアミノ基を示す。ｍは、好ましくは０～３の整数であり、より好ましくは０～２の整数である。
Ｒ４（ヒドロキシ基の保護基）は、特に限定されず、従来公知の保護基を利用できるが、ピバロイル基が好ましい。
Ｒ５は、好ましくはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基、炭素数１～４のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～４のアルキル基で置換されたアミノ基を示す。ｍは、好ましくは０～３の整数であり、より好ましくは０～２の整数である。
【0028】
上記式（３）で表される第２の原料化合物の好ましい実施形態としては、以下の化合物が挙げられる。なお、下記式中、Ｐｉｖはピバロイル基を示す。
【化27】
【0029】
上記式（４）中、Ｒ６（ボロン酸の保護基）は、特に限定されず、従来公知の保護基を利用できるが、ピナコールエステルが好ましい。
Ｒ７は、好ましくはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基、炭素数１～４のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～４のアルキル基で置換されたアミノ基を示す。ｐは、好ましくは０～３の整数であり、より好ましくは０～２の整数である。
Ｒ７は、好ましくはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１～４のアルキル基、炭素数１～４のアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、または炭素数１～４のアルキル基で置換されたアミノ基を示す。ｐは、好ましくは０～３の整数であり、より好ましくは０～２の整数である。
【0030】
上記式（４）で表される第３の原料化合物の好ましい実施形態としては、以下の化合物が挙げられる。なお、下記式中、Ｐｉｎはピナコールエステルを示す。
【化28】
【0031】
（触媒）
不斉合成反応においては、上記のスチルベン化合物を配位子とするニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いる。触媒の添加量は、適宜、調節することができる。スチルベン化合物としては、上記式（２）で表される化合物野中でも、特に下記式で表される化合物が好ましい。
上記式中、ｎは、それぞれ独立して１～３であり、好ましくは２である。ｎが２の場合、置換基は、それぞれ３，５位の位置に存在することが好ましい。
不斉合成反応においては、上記のスチルベン化合物を配位子とするニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いる。触媒の添加量は、適宜、調節することができる。スチルベン化合物としては、上記式（２）で表される化合物野中でも、特に下記式で表される化合物が好ましい。
【化29】
【0032】
上記のニッケル（ＩＩ）化合物としては、例えば、Ｎｉ（ａｃａｃ）２、Ｎｉ（Ａｃ）２、ＮｉＦ２、ＮｉＣ 、ＮｉＢｒ２、ＮｉＩ２、Ｎｉ（ＯＴｆ）２、Ｎｉ（ＢＦ４）２、Ｎｉ（ＯＴｓ）２、Ｎｉ（グリム）Ｃｌ２、Ｎｉ（グリム）Ｂｒ２、Ｎｉ（ジグリム）Ｃｌ２、Ｎｉ（ジグリム）Ｂｒ２、Ｎｉ（ＮＯ３）２、およびＮｉ（ＯＲ３）２（式中、Ｒ３は、－Ｃ（Ｏ）－Ｃ１～Ｃ６アルキルであり、Ｃ１～Ｃ６アルキルはハロゲン原子で置換されてもよい）等が挙げられる。これらの中でも、Ｎｉ（ａｃａｃ）２、Ｎｉ（Ａｃ）２、およびＮｉ（ＯＡｃ）２が好ましい。これらのニッケル（ＩＩ）化合物は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。なお、これらの化合物中、ａｃａｃはアセチルアセトナートを示し、Ａｃはアセチルを示し、Ｔｆはトリフルオロメチルスルホニル基を示し、Ｔｓはトシル基を示し、グリムはエチレングリコールジメチルエーテルを示し、ジグリムはジエチレングリコールジメチルエーテルを示す。
【0033】
上記のパラジウム（ＩＩ）化合物としては、例えば、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４、ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）、およびＰｄ２（ｄｂａ）３等が挙げられる。式中、Ｐｈはフェニル基を示し、ｄｐｐｆは１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンを示し、ｄｂａはジベンジリデンアセトンを示す。これらのパラジウム（ＩＩ）化合物は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【0034】
反応工程においては、不斉合成反応を効率的に進行させるために還元剤を添加してもよい。還元剤としては、例えば、リチウムターシャリーブトキシドおよびナトリウムターシャリーブトキシド等のアルカリ金属の化合物が挙げられる。なお、還元剤の添加量は、適宜、調節することができる。
【0035】
（溶媒）
不斉合成反応は、反応に不活性な溶媒の存在下で行ってもよい。溶媒としては、特に制限されず、慣用の有機溶媒を用いることができる。有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、ｏ－，ｍ－，ｐ－キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒；ジクロロメタン、クロロホルム、１，２－ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、グライム、ジグライム等のエーテル系溶媒；ヘキサフルオロベンゼン、ｍ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ｐ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、α，α，α－トリフルオロメチルベンゼン、ジクロロペンタフルオロプロパン等の含フッ素有機溶媒等を用いることができる。これらの中でも、ベンゼン、トルエン、ｏ－，ｍ－，ｐ－キシレン、メシチレン、ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン、ジエチルエーテル、ジオキサン、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ヘキサフルオロベンゼン、ｍ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ｐ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、α，α，α－トリフルオロメチルベンゼン等、及びこれらの混合物が好ましい。
不斉合成反応は、反応に不活性な溶媒の存在下で行ってもよい。溶媒としては、特に制限されず、慣用の有機溶媒を用いることができる。有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、ｏ－，ｍ－，ｐ－キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒；ジクロロメタン、クロロホルム、１，２－ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、グライム、ジグライム等のエーテル系溶媒；ヘキサフルオロベンゼン、ｍ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ｐ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、α，α，α－トリフルオロメチルベンゼン、ジクロロペンタフルオロプロパン等の含フッ素有機溶媒等を用いることができる。これらの中でも、ベンゼン、トルエン、ｏ－，ｍ－，ｐ－キシレン、メシチレン、ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン、ジエチルエーテル、ジオキサン、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ヘキサフルオロベンゼン、ｍ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ｐ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、α，α，α－トリフルオロメチルベンゼン等、及びこれらの混合物が好ましい。
【0036】
（反応条件）
不斉合成反応は、不活性ガス（窒素；ヘリウム、アルゴンなどの希ガスなど）雰囲気下で行ってもよい。
反応温度は、好ましくは３０℃以上２００℃以下であり、より好ましくは４０℃以上１５０℃以下であり、さらに好ましくは５０℃以上１２０℃以下であり、さらにより好ましくは６０℃以上１００℃以下である。
反応時間は、特に制限されないが、好ましくは１時間以上４８時間以下、より好ましくは２時間以上３６時間以下であり、さらに好ましくは３時間以上２４時間以下であり、さらにより好ましくは４時間以上１２時間以下である。
不斉合成反応は、不活性ガス（窒素；ヘリウム、アルゴンなどの希ガスなど）雰囲気下で行ってもよい。
反応温度は、好ましくは３０℃以上２００℃以下であり、より好ましくは４０℃以上１５０℃以下であり、さらに好ましくは５０℃以上１２０℃以下であり、さらにより好ましくは６０℃以上１００℃以下である。
反応時間は、特に制限されないが、好ましくは１時間以上４８時間以下、より好ましくは２時間以上３６時間以下であり、さらに好ましくは３時間以上２４時間以下であり、さらにより好ましくは４時間以上１２時間以下である。
【0037】
（反応生成物）
上記式（５）で表される四級不斉炭素含有ジアリール化合物の好ましい実施形態としては、以下の化合物が挙げられる。
上記式（５）で表される四級不斉炭素含有ジアリール化合物の好ましい実施形態としては、以下の化合物が挙げられる。
【化30】
【化31】
【0038】
上記の不斉合成反応で得られた四級不斉炭素含有ジアリール化合物の光学純度（％ｅｅ）は、好ましくは９５％ｅｅ以上であり、より好ましくは９７％ｅｅ以上であり、さらに好ましくは９９％ｅｅ以上である。
なお、四級不斉炭素含有ジアリール化合物の光学純度（％ｅｅ）は、下記式で算出することができる。
（ＡＳ－ＡＲ）／（ＡＳ＋ＡＲ）×１００
（式中、ＡＳおよびＡＲはそれぞれ、鏡像異性体（Ｓ体、Ｒ体）のモル分率である）
なお、四級不斉炭素含有ジアリール化合物の光学純度（％ｅｅ）は、下記式で算出することができる。
（ＡＳ－ＡＲ）／（ＡＳ＋ＡＲ）×１００
（式中、ＡＳおよびＡＲはそれぞれ、鏡像異性体（Ｓ体、Ｒ体）のモル分率である）
【0039】
（精製工程）
精製工程では、上記の反応工程で得られた四級不斉炭素含有ジアリール化合物および触媒を含む反応溶液を精製して、四級不斉炭素含有ジアリール化合物を単離する工程である。精製工程の精製手段は、特に限定されず、従来公知の精製手段を用いることができる。精製手段としては、例えば、減圧ろ過、再結晶、分液、および溶媒留去等が挙げられる。
精製工程では、上記の反応工程で得られた四級不斉炭素含有ジアリール化合物および触媒を含む反応溶液を精製して、四級不斉炭素含有ジアリール化合物を単離する工程である。精製工程の精製手段は、特に限定されず、従来公知の精製手段を用いることができる。精製手段としては、例えば、減圧ろ過、再結晶、分液、および溶媒留去等が挙げられる。
【実施例0040】
以下に実施例および比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0041】
＜分析条件１＞
下記で得られたスチルベン化合物の構造、および、トランス－スチルベン化合物の物質純度は以下の方法により分析した。
（１）スチルベン化合物の構造の分析は、後述する条件で１３Ｃ－ＮＭＲを用いて行った。
（１３Ｃ－ＮＭＲ条件）
・ＮＭＲ測定装置：ＢＲＵＫＥＲ ＪＡＰＡＮ社製
・１３Ｃ－ＮＭＲ測定条件：周波数１５０．８９ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３溶媒
・本化合物の検出ピーク（ＴＭＳ内部基準）：δ１６１．０，１３９．２，１２９．２，１０４．６，１００．７，５５．４
（２）トランス－スチルベン化合物の物質純度は、後述する条件で１Ｈ－ＮＭＲを用いて行った。なお、トランス－スチルベン化合物の物質純度とは、異性体全体に対するトランス体の比率であり、各異性体の検出ピークの積分比率から決定した。
（１Ｈ－ＮＭＲ条件）
・ＮＭＲ測定装置：ＢＲＵＫＥＲ ＪＡＰＡＮ社製
・１Ｈ－ＮＭＲ測定条件：周波数６００．０３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３溶媒
・本化合物の検出ピーク：ＴＭＳ内部基準でトランス体は３．８３ｐｐｍに、その他スチルベン化合物の異性体は３．７５および３．７１ｐｐｍに検出される。
下記で得られたスチルベン化合物の構造、および、トランス－スチルベン化合物の物質純度は以下の方法により分析した。
（１）スチルベン化合物の構造の分析は、後述する条件で１３Ｃ－ＮＭＲを用いて行った。
（１３Ｃ－ＮＭＲ条件）
・ＮＭＲ測定装置：ＢＲＵＫＥＲ ＪＡＰＡＮ社製
・１３Ｃ－ＮＭＲ測定条件：周波数１５０．８９ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３溶媒
・本化合物の検出ピーク（ＴＭＳ内部基準）：δ１６１．０，１３９．２，１２９．２，１０４．６，１００．７，５５．４
（２）トランス－スチルベン化合物の物質純度は、後述する条件で１Ｈ－ＮＭＲを用いて行った。なお、トランス－スチルベン化合物の物質純度とは、異性体全体に対するトランス体の比率であり、各異性体の検出ピークの積分比率から決定した。
（１Ｈ－ＮＭＲ条件）
・ＮＭＲ測定装置：ＢＲＵＫＥＲ ＪＡＰＡＮ社製
・１Ｈ－ＮＭＲ測定条件：周波数６００．０３ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３溶媒
・本化合物の検出ピーク：ＴＭＳ内部基準でトランス体は３．８３ｐｐｍに、その他スチルベン化合物の異性体は３．７５および３．７１ｐｐｍに検出される。
【0042】
＜分析条件２＞
下記で得られた四級不斉炭素含有ジアリール化合物の構造および光学純度（％ｅｅ）は以下の方法により分析した。
（１）四級不斉炭素含有ジアリール化合物の構造の分析は、後述する条件で１３Ｃ－ＮＭＲを用いて行った。
（１３Ｃ－ＮＭＲ条件）
・ＮＭＲ測定装置：ＢＲＵＫＥＲ ＪＡＰＡＮ社製
・１３Ｃ－ＮＭＲ測定条件：周波数１５０．８９ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３溶媒
・本化合物の検出ピーク（ＴＭＳ内部基準）：δ１５９．３，１５１．５，１４９．５，１２８．８，１２７．９，１２７．４，１２５．６，１２０．２,１１４．２，５５．１，４６．６，３４．０，２６．９，２４．９，９．２
（２）四級不斉炭素含有ジアリール化合物の光学純度（％ｅｅ）は、後述する条件で光学ＨＰＬＣを用いて行った。
（ＨＰＬＣ条件）
・ＨＰＬＣ装置：Ａｇｉｌｅｎｔ株式会社製、型番ＨＰ１２６０
・カラム：ダイセル株式会社製、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＯＤ－Ｈカラム
・流速：１．０ｍＬ／分
・移動相：１％イソプロパノール／９９％ヘキサン
・温度：３５℃
・検出：ＵＶ２２０ｎｍ
下記で得られた四級不斉炭素含有ジアリール化合物の構造および光学純度（％ｅｅ）は以下の方法により分析した。
（１）四級不斉炭素含有ジアリール化合物の構造の分析は、後述する条件で１３Ｃ－ＮＭＲを用いて行った。
（１３Ｃ－ＮＭＲ条件）
・ＮＭＲ測定装置：ＢＲＵＫＥＲ ＪＡＰＡＮ社製
・１３Ｃ－ＮＭＲ測定条件：周波数１５０．８９ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３溶媒
・本化合物の検出ピーク（ＴＭＳ内部基準）：δ１５９．３，１５１．５，１４９．５，１２８．８，１２７．９，１２７．４，１２５．６，１２０．２,１１４．２，５５．１，４６．６，３４．０，２６．９，２４．９，９．２
（２）四級不斉炭素含有ジアリール化合物の光学純度（％ｅｅ）は、後述する条件で光学ＨＰＬＣを用いて行った。
（ＨＰＬＣ条件）
・ＨＰＬＣ装置：Ａｇｉｌｅｎｔ株式会社製、型番ＨＰ１２６０
・カラム：ダイセル株式会社製、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＯＤ－Ｈカラム
・流速：１．０ｍＬ／分
・移動相：１％イソプロパノール／９９％ヘキサン
・温度：３５℃
・検出：ＵＶ２２０ｎｍ
【0043】
［実施例１］
＜スチルベン化合物の合成＞
還流冷却器を備えたナスフラスコの中に、３，５－ジメトキシベンズアルデヒド０．８３１ｇ（１当量）、四塩化チタン１．１３３ｇ（１．２当量）、亜鉛粉末１．９５０ｇ（６当量）、およびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）８．７０ｇを加えて、室温で１時間放置した後、還流させながら約６５℃で３時間、下記のマクマリー反応を行った（反応式Ｉ）。
＜スチルベン化合物の合成＞
還流冷却器を備えたナスフラスコの中に、３，５－ジメトキシベンズアルデヒド０．８３１ｇ（１当量）、四塩化チタン１．１３３ｇ（１．２当量）、亜鉛粉末１．９５０ｇ（６当量）、およびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）８．７０ｇを加えて、室温で１時間放置した後、還流させながら約６５℃で３時間、下記のマクマリー反応を行った（反応式Ｉ）。
【化32】
【0044】
続いて、得られた反応液について減圧ろ過を行って、不要な触媒等を除去し、そのろ液に希塩酸を加えスチルベン化合物の粗結晶を析出させた。次に、その粗結晶を減圧ろ過及び乾燥した後に、塩化メチレンおよびヘキサンを用いて再結晶を行い、目的とするスチルベン化合物が行得られた。
【0045】
再結晶後のスチルベン化合物を上記の分析条件１で１３Ｃ－ＮＭＲ測定を行い、図１に示す１３Ｃ－ＮＭＲスペクトルを得た。スペクトル解析の結果、上記式のスチルベン化合物（３，５－ジメトキシスチルベン）であることを確認した。なお、収率は５１％であった。
【0046】
また、再結晶後のスチルベン化合物を上記の分析条件１で１Ｈ－ＮＭＲ測定を行った結果、トランス－スチルベン化合物の物質純度は９５．５％であった。
【0047】
［実施例２］
＜四級不斉炭素含有ジアリール化合物の合成＞
下記式で表される第２の原料化合物９４ｍｇ（１当量）、下記式で表される第３の原料化合物１８７ｍｇ（２当量）、酢酸ニッケル（ＩＩ）４水和物（Ｎｉ（ＯＡｃ）２）１０ｍｇ（０．１当量）、実施例１で得られたスチルベン化合物３６ｍｇ（０．３当量）、リチウムターシャリーブトキシド９６ｍｇ（３当量）、２－ブタノール３０ｍｇ（２当量）およびシクロヘキサン（Ｃｙ）２ｍＬを加えた後、８０℃で６時間、下記の不斉合成反応を行った（反応式ＩＩ）。反応式ＩＩ中、Ｐｉｖはピバロイル基を示し、Ｐｉｎはピナコールエステルを示し、Ｌｉｇａｎｄはスチルベン化合物（配位子）を示す。
＜四級不斉炭素含有ジアリール化合物の合成＞
下記式で表される第２の原料化合物９４ｍｇ（１当量）、下記式で表される第３の原料化合物１８７ｍｇ（２当量）、酢酸ニッケル（ＩＩ）４水和物（Ｎｉ（ＯＡｃ）２）１０ｍｇ（０．１当量）、実施例１で得られたスチルベン化合物３６ｍｇ（０．３当量）、リチウムターシャリーブトキシド９６ｍｇ（３当量）、２－ブタノール３０ｍｇ（２当量）およびシクロヘキサン（Ｃｙ）２ｍＬを加えた後、８０℃で６時間、下記の不斉合成反応を行った（反応式ＩＩ）。反応式ＩＩ中、Ｐｉｖはピバロイル基を示し、Ｐｉｎはピナコールエステルを示し、Ｌｉｇａｎｄはスチルベン化合物（配位子）を示す。
【化33】
【0048】
続いて、得られた反応液を、シリカを充填したろ過装置に流し込んでろ過を行って、触媒や副生成物等を除去し、溶媒を除去した。次いで、シリカゲルクロマト分取（展開溶媒はヘキサン／酢酸エチル＝９／１条件）によって、目的とするジアリール化合物を得た。
【0049】
得られたジアリール化合物を上記の分析条件２で１３Ｃ－ＮＭＲ測定を行い、図２に示す１３Ｃ－ＮＭＲスペクトルを得た。スペクトル解析の結果、上記式のジアリール化合物であることを確認した。なお、収率は９２％であった。
【0050】
また、得られたジアリール化合物を上記の分析条件２で光学ＨＰＬＣ分析を行った結果、光学純度は９９％ｅｅであった。
【0051】
［比較例１］
実施例２において実施例１で得られたスチルベン化合物を添加しなかった以外は同様にして反応を行って、ジアリール化合物を得た。
実施例２において実施例１で得られたスチルベン化合物を添加しなかった以外は同様にして反応を行って、ジアリール化合物を得た。
【0052】
得られたジアリール化合物を実施例２と同様に分析した結果、収率は８％であり、光学純度は９３％ｅｅであった。
【図1】
【図2】
