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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024081173
(43)【公開日】2024-06-18
(54)【発明の名称】磁気記録媒体及び磁気記録装置
(51)【国際特許分類】
G11B 5/706 20060101AFI20240611BHJP
G11B 5/673 20060101ALI20240611BHJP
G11B 5/70 20060101ALI20240611BHJP
G11B 5/716 20060101ALI20240611BHJP
G11B 5/02 20060101ALI20240611BHJP
G11B 5/82 20060101ALI20240611BHJP
G11B 5/738 20060101ALI20240611BHJP
G11B 5/31 20060101ALI20240611BHJP
【ＦＩ】
G11B5/706
G11B5/673
G11B5/70
G11B5/716
G11B5/02 S
G11B5/82
G11B5/738
G11B5/31 A
G11B5/31 E
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022194583
(22)【出願日】2022-12-06
(71)【出願人】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(71)【出願人】
【識別番号】317011920
【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110004026
【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ
(72)【発明者】
【氏名】長村 燎
(72)【発明者】
【氏名】中川 裕治
(72)【発明者】
【氏名】前田 知幸
(72)【発明者】
【氏名】高岸 雅幸
(72)【発明者】
【氏名】成田 直幸
(72)【発明者】
【氏名】栗原 幸佑
【テーマコード（参考）】
5D006
【Ｆターム（参考）】
5D006BB01
5D006BB08
5D006BB09
5D006CA03
5D006CB01
5D006CB04
5D006DA03
5D006FA09
(57)【要約】
【課題】記録密度の向上が可能な磁気記録媒体及び磁気記録装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、磁気記録媒体は、第１～第３磁性領域を含む。第２磁性領域は、第３磁性領域と第１磁性領域との間にある。第１磁性領域におけるＣｏ原子濃度に対するＰｔ原子濃度の第１組成比、及び、第３磁性領域におけるＣｏ原子濃度に対するＰｔ原子濃度の第３組成比は、第２磁性領域におけるＣｏ原子濃度に対するＰｔ原子濃度の第２組成比よりも高い。第２磁性領域と第１磁性領域との間の第１方向に沿う距離は、第３磁性領域と第２磁性領域との間の第１方向に沿う距離よりも長い。または、第１磁性領域は第２磁性領域から離れ、第３磁性領域は第２磁性領域と接する。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態によれば、磁気記録媒体は、第１～第３磁性領域を含む。第２磁性領域は、第３磁性領域と第１磁性領域との間にある。第１磁性領域におけるＣｏ原子濃度に対するＰｔ原子濃度の第１組成比、及び、第３磁性領域におけるＣｏ原子濃度に対するＰｔ原子濃度の第３組成比は、第２磁性領域におけるＣｏ原子濃度に対するＰｔ原子濃度の第２組成比よりも高い。第２磁性領域と第１磁性領域との間の第１方向に沿う距離は、第３磁性領域と第２磁性領域との間の第１方向に沿う距離よりも長い。または、第１磁性領域は第２磁性領域から離れ、第３磁性領域は第２磁性領域と接する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１磁性領域と、
第２磁性領域と、
第３磁性領域と、
を備え、
前記第２磁性領域は、前記第３磁性領域から前記第１磁性領域への第１方向において、前記第３磁性領域と前記第１磁性領域との間にあり、
前記第１磁性領域における第１Ｃｏ原子濃度に対する前記第１磁性領域における第１Ｐｔ原子濃度の第１組成比は、前記第２磁性領域における第２Ｃｏ原子濃度に対する前記第２磁性領域における第２Ｐｔ原子濃度の第２組成比よりも高く、
前記第３磁性領域における第３Ｃｏ原子濃度に対する前記第３磁性領域における第３Ｐｔ原子濃度の第３組成比は、前記第２組成比よりも高く、
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも長い、または、前記第１磁性領域は前記第２磁性領域から離れ、前記第３磁性領域は前記第２磁性領域と接する、磁気記録媒体。
第２磁性領域と、
第３磁性領域と、
を備え、
前記第２磁性領域は、前記第３磁性領域から前記第１磁性領域への第１方向において、前記第３磁性領域と前記第１磁性領域との間にあり、
前記第１磁性領域における第１Ｃｏ原子濃度に対する前記第１磁性領域における第１Ｐｔ原子濃度の第１組成比は、前記第２磁性領域における第２Ｃｏ原子濃度に対する前記第２磁性領域における第２Ｐｔ原子濃度の第２組成比よりも高く、
前記第３磁性領域における第３Ｃｏ原子濃度に対する前記第３磁性領域における第３Ｐｔ原子濃度の第３組成比は、前記第２組成比よりも高く、
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも長い、または、前記第１磁性領域は前記第２磁性領域から離れ、前記第３磁性領域は前記第２磁性領域と接する、磁気記録媒体。
【請求項2】
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間の第１交換結合強度は、前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間の第２交換結合強度よりも低い、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項3】
前記第１交換結合強度の前記第２交換結合強度に対する比は、０．１以上０．６以下である、請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項4】
前記第１磁性領域の第１異方性磁界の前記第２磁性領域の第２異方性磁界に対する比は、１．４以上１．７以下である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項5】
前記第３磁性領域の第３異方性磁界の前記第２異方性磁界に対する比は、１．４以上１．７以下である、請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項6】
前記第１異方性磁界の前記第３異方性磁界に対する比は、０．９以上１．１以下である、請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項7】
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間に設けられた非磁性の第１中間領域をさらに備えた、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項8】
第１磁性領域と、
第２磁性領域と、
第３磁性領域と、
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間に設けられた第１中間領域と、
前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間に設けられた第２中間磁性領域と、
を備え、
前記第２磁性領域は、前記第３磁性領域から前記第１磁性領域への第１方向において、前記第３磁性領域と前記第１磁性領域との間にあり、
前記第１磁性領域における第１Ｃｏ原子濃度に対する前記第１磁性領域における第１Ｐｔ原子濃度に対する第１組成比は、前記第２磁性領域における第２Ｃｏ原子濃度に対する前記第２磁性領域における第２Ｐｔ原子濃度に対する第２組成比よりも高く、
前記第３磁性領域における第３Ｃｏ原子濃度に対する前記第３磁性領域における第３Ｐｔ原子濃度に対する第３組成比は、前記第２組成比よりも高く、
前記第１磁性領域、前記第２磁性領域及び前記第３磁性領域は、グラニュラ磁性領域であり、
前記第２中間磁性領域は、連続磁性領域であり、
前記第１中間領域は、非磁性である、磁気記録媒体。
第２磁性領域と、
第３磁性領域と、
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間に設けられた第１中間領域と、
前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間に設けられた第２中間磁性領域と、
を備え、
前記第２磁性領域は、前記第３磁性領域から前記第１磁性領域への第１方向において、前記第３磁性領域と前記第１磁性領域との間にあり、
前記第１磁性領域における第１Ｃｏ原子濃度に対する前記第１磁性領域における第１Ｐｔ原子濃度に対する第１組成比は、前記第２磁性領域における第２Ｃｏ原子濃度に対する前記第２磁性領域における第２Ｐｔ原子濃度に対する第２組成比よりも高く、
前記第３磁性領域における第３Ｃｏ原子濃度に対する前記第３磁性領域における第３Ｐｔ原子濃度に対する第３組成比は、前記第２組成比よりも高く、
前記第１磁性領域、前記第２磁性領域及び前記第３磁性領域は、グラニュラ磁性領域であり、
前記第２中間磁性領域は、連続磁性領域であり、
前記第１中間領域は、非磁性である、磁気記録媒体。
【請求項9】
第１磁性領域と、
第２磁性領域と、
第３磁性領域と、
を備え、
前記第２磁性領域は、前記第３磁性領域から前記第１磁性領域への第１方向において、前記第３磁性領域と前記第１磁性領域との間にあり、
前記第１磁性領域の第１異方性磁界は、前記第２磁性領域の第２異方性磁界よりも大きく、
前記第３磁性領域の第３異方性磁界は、前記第２異方性磁界よりも大きく、
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも長い、または、前記第１磁性領域は前記第２磁性領域から離れ、前記第３磁性領域は前記第２磁性領域と接する、磁気記録媒体。
第２磁性領域と、
第３磁性領域と、
を備え、
前記第２磁性領域は、前記第３磁性領域から前記第１磁性領域への第１方向において、前記第３磁性領域と前記第１磁性領域との間にあり、
前記第１磁性領域の第１異方性磁界は、前記第２磁性領域の第２異方性磁界よりも大きく、
前記第３磁性領域の第３異方性磁界は、前記第２異方性磁界よりも大きく、
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも長い、または、前記第１磁性領域は前記第２磁性領域から離れ、前記第３磁性領域は前記第２磁性領域と接する、磁気記録媒体。
【請求項10】
請求項１～９のいずれか１つに記載の磁気記録媒体と、
磁気ヘッドと、
を備え、
前記第３磁性領域と前記磁気ヘッドとの間に前記第１磁性領域が位置する、磁気記録装置。
磁気ヘッドと、
を備え、
前記第３磁性領域と前記磁気ヘッドとの間に前記第１磁性領域が位置する、磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、磁気記録媒体及び磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【0002】
磁気ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記録媒体に情報が記録される。磁気記録媒体において、記録密度の向上が望まれる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0003】
【非特許文献1】X. Bai and J. -G. Zhu, "Effective Field Analysis of Segmented Media for Microwave-Assisted Magnetic Recording," in IEEE Magnetics Letters, vol. 8, pp. 1-4, 2017.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の実施形態は、記録密度の向上が可能な磁気記録媒体及び磁気記録装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態によれば、磁気記録媒体は、第１磁性領域、第２磁性領域及び第３磁性領域を含む。前記第２磁性領域は、前記第３磁性領域から前記第１磁性領域への第１方向において、前記第３磁性領域と前記第１磁性領域との間にある。前記第１磁性領域における第１Ｃｏ原子濃度に対する前記第１磁性領域における第１Ｐｔ原子濃度の第１組成比は、前記第２磁性領域における第２Ｃｏ原子濃度に対する前記第２磁性領域における第２Ｐｔ原子濃度の第２組成比よりも高い。前記第３磁性領域における第３Ｃｏ原子濃度に対する前記第３磁性領域における第３Ｐｔ原子濃度の第３組成比は、前記第２組成比よりも高い。前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも長い。または、前記第１磁性領域は前記第２磁性領域から離れ、前記第３磁性領域は前記第２磁性領域と接する。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【発明を実施するための形態】
【0007】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る磁気記録媒体を例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０は、磁気ヘッド１１０と共に用いられる。磁気記録媒体８０及び磁気ヘッド１１０は、磁気記録装置１５０に含まれる。磁気ヘッド１１０により、磁気記録媒体８０の磁化が制御される。これにより、磁気記録媒体８０に情報が記録される。磁気ヘッド１１０は、記録された情報を再生可能で良い。
図１は、第１実施形態に係る磁気記録媒体を例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０は、磁気ヘッド１１０と共に用いられる。磁気記録媒体８０及び磁気ヘッド１１０は、磁気記録装置１５０に含まれる。磁気ヘッド１１０により、磁気記録媒体８０の磁化が制御される。これにより、磁気記録媒体８０に情報が記録される。磁気ヘッド１１０は、記録された情報を再生可能で良い。
【0008】
図１に示すように、磁気記録媒体８０は、第１磁性領域８１、第２磁性領域８２及び第３磁性領域８３を含む。第１磁性領域８１、第２磁性領域８２及び第３磁性領域８３は、記録層８０Ｒに含まれる。
【0009】
第２磁性領域８２は、第３磁性領域８３から第１磁性領域８１への第１方向Ｄ１において、第３磁性領域８３と第１磁性領域８１との間にある。第１方向Ｄ１をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。第１磁性領域８１、第２磁性領域８２及び第３磁性領域８３は、Ｘ－Ｙ平面に対して実質的に平行である。これらの領域は層状である。
【0010】
第１磁性領域８１の磁化、第２磁性領域８２の磁化、及び、第３磁性領域の磁化は、第１方向Ｄ１に沿う。磁気記録媒体８０は、垂直磁化媒体である。
【0011】
例えば、第１磁性領域８１、第２磁性領域８２及び第３磁性領域８３は、グラニュラ磁性領域である。例えば、高密度の記録が可能である。
【0012】
図１に示すように、磁気記録媒体８０は、非磁性基板８５Ｓ及び中間層８４を含んで良い。非磁性基板８５Ｓと第１磁性領域８１との間に第３磁性領域８３が設けられる。非磁性基板８５Ｓと第３磁性領域８３との間に中間層８４が設けられる。中間層８４は、例えば軟磁性である。非磁性基板８５Ｓは、例えば、ＳｉＯ２（例えば、ガラス）、Ａｌ系合金、セラミック及び樹脂よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。中間層８４は、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＢ、ＣｏＴａＺｒ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＴａＣ、ＣｏＴａＣ、ＮｉＦｅ、Ｆｅ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＮ、及び、ＦｅＴａＮよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【0013】
図１に示すように、実施形態において、第３磁性領域８３と磁気ヘッド１１０との間に第１磁性領域８１が位置する。
【0014】
３つの磁性領域において、組成が互いに異なる。３つの磁性領域の組成比が、互いに異なる。３つの磁性領域のそれぞれにおける組成比は、例えば、平均の組成比でも良い。
【0015】
第１磁性領域８１における第１Ｃｏ原子濃度に対する、第１磁性領域８１における第１Ｐｔ原子濃度の比（Ｐｔ／Ｃｏ）を第１組成比とする。第１組成比の第１方向Ｄ１における平均を第１平均値ＡＣ１とする。第１磁性領域８１における第１組成比の最高値と最小値との間の差を第１差ΔＣ１とする。
【0016】
例えば、第１差ΔＣ１の第１平均値ＡＣ１に対する第１比（ΔＣ１／ＡＣ１）は、０．２以下である。すなわち、第１磁性領域８１において、組成比は２０％以内で変化して良い。第１比は、０．４以下でも良い。
【0017】
第２磁性領域８２における第２Ｃｏ原子濃度に対する、第２磁性領域８２における第２Ｐｔ原子濃度の比（Ｐｔ／Ｃｏ）を第２組成比とする。第２組成比の第１方向Ｄ１における平均を第２平均値ＡＣ２とする。第２磁性領域８２における第２組成比の最高値と最小値との間の差を第２差ΔＣ２とする。
【0018】
例えば、第２差ΔＣ２の第２平均値ＡＣ２に対する第２比（ΔＣ２／ＡＣ２）は、０．２以下である。すなわち、第２磁性領域８２において、組成比は２０％以内で変化して良い。第２比は、０．４以下でも良い。
【0019】
第３磁性領域８３における第３Ｃｏ原子濃度に対する、第３磁性領域８３における第３Ｐｔ原子濃度の比（Ｐｔ／Ｃｏ）を第３組成比とする。第３組成比の第１方向Ｄ１における平均を第３平均値ＡＣ３とする。第３磁性領域８３における第３組成比の最高値と最小値との間の差を第３差ΔＣ３とする。
【0020】
例えば、第３差ΔＣ３の第３平均値ＡＣ３に対する第３比（ΔＣ３／ＡＣ３）は、０．２以下である。すなわち、第３磁性領域８３において、組成比は２０％以内で変化して良い。第３比は、０．４以下でも良い。
【0021】
実施形態においては、第１組成比は、第２組成比よりも高い。第３組成比は、第２組成比よりも高い。例えば、実施形態において、第１平均値ＡＣ１は、第２平均値ＡＣ２よりも高い。第３平均値ＡＣ３は、第２平均値ＡＣ２よりも高い。
【0022】
図１に示すように、第２磁性領域８２と第１磁性領域８１との間の第１方向Ｄ１に沿う距離を第１距離ｄ１とする。第３磁性領域８３と第２磁性領域８２との間の第１方向Ｄ１に沿う距離を第２距離ｄ２とする。実施形態において、第１距離ｄ１は、第２距離ｄ２よりも長い。または、第１磁性領域８１は第２磁性領域８２から離れ、第３磁性領域８３は第２磁性領域８２と接する。
【0023】
このような構成により、高い面記録密度が得られることが分かった。図１に示すように、記録層８０Ｒの一方の面に磁気ヘッド１１０が対向する。磁気ヘッド１１０から記録磁界が記録層８０Ｒに印加される。このとき、例えば、磁気ヘッド１１０から交番磁界が記録層８０Ｒに印加されても良い。交番磁界は例えば高周波磁界である。例えば、ＭＡＭＲ（Microwave Assisted Magnetic Recording）が実施されて良い。磁気ヘッド１１０が印加する記録磁界及び交番磁界は、第１磁性領域８１を通過して第２磁性領域８２及び第３磁性領域８３に届く。実施形態によれば、記録密度の向上が可能な磁気記録媒体を提供できる。
【0024】
実施形態においては、上記のように、第１距離ｄ１が第２距離ｄ２よりも長い。これにより、高い面記録密度が得られる。これは、３つの磁性領域の磁気特性（交換結合を含む特性）が適正に設定されることが原因であると考えられる。
【0025】
第１距離ｄ１が第２距離ｄ２よりも長いことで、交換結合強度が異なる。例えば、第２磁性領域８２と第１磁性領域８１との間の第１交換結合強度は、第３磁性領域８３と第２磁性領域８２との間の第２交換結合強度よりも低い。
【0026】
例えば、第１磁性領域８１が第２磁性領域８２から離れ、第３磁性領域８３は第２磁性領域８２と接する場合も、第１交換結合強度は、第２交換結合強度よりも低い。
【0027】
上記のように、３つの磁性領域のそれぞれにおける組成（例えば平均の組成比）が、互いに異なる。Ｃｏ原子濃度に対するＰｔ原子濃度の比（Ｐｔ／Ｃｏ）が高いと、磁性領域における異方性磁界Ｈｋが大きくなる。この比が低いと、磁性領域における異方性磁界Ｈｋが小さくなる。３つの磁性領域のそれぞれにおける異方性磁界（例えば平均の異方性磁界）が違いに異なる。
【0028】
例えば、１つの磁性領域の異方性磁界は、第１方向Ｄ１における異方磁界の平均として良い。第１磁性領域８１の異方性磁界の第１方向Ｄ１における平均を、第１平均異方性磁界Ｈｋ１とする第２磁性領域８２の異方性磁界の第１方向Ｄ１における平均を、第２平均異方性磁界Ｈｋ２とする。第３磁性領域８３の異方性磁界の第１方向Ｄ１における平均を、第３平均異方性磁界Ｈｋ３とする。
【0029】
実施形態において、第１磁性領域８１の異方性磁界は、第２磁性領域８２の異方性磁界よりも大きい。第３磁性領域８３の異方性磁界は、第２磁性領域８２の異方性磁界よりも大きい。例えば、実施形態において、第１平均異方性磁界Ｈｋ１は、第２平均異方性磁界Ｈｋ２よりも大きい。第３平均異方性磁界Ｈｋ３は、第２平均異方性磁界Ｈｋ２よりも大きい。これにより、高い面記録密度が得られる。
【0030】
以下、磁気記録媒体８０に関するシミュレーション結果の例について説明する。シミュレーションにおいては、磁性領域の異方性磁界（第１平均異方性磁界Ｈｋ１、第２平均異方性磁界Ｈｋ２及び第３平均異方性磁界Ｈｋ３）が変更される。異方性磁界は、上記の組成比を反映している。シミュレーションにおいては、さらに、第１交換結合強度Ｊｅｘ１及び第２交換結合強度Ｊｅｘ２が変更される。交換結合強度は、上記の距離と関係する。距離が長い場合に、交換結合強度は低くなる。
【0031】
図２（ａ）～図２（ｃ）、図３（ａ）～図３（ｃ）、図４（ａ）～図４（ｃ）、及び、図５は、磁気記録媒体の特性を例示するグラフである。
これらの図は、異方性磁界及び交換結合強度を種々に変化させたときに適正に記録再生動作が可能な面記録密度との関係を例示している。
これらの図は、異方性磁界及び交換結合強度を種々に変化させたときに適正に記録再生動作が可能な面記録密度との関係を例示している。
【0032】
図２（ａ）～図２（ｃ）においては、第１交換結合強度Ｊｅｘ１は第２交換結合強度Ｊｅｘ２よりも低い。この例では、第１交換結合強度Ｊｅｘ１は、第２交換結合強度Ｊｅｘ２の０．１倍以上０．６倍以下である。図２（ａ）～図２（ｃ）は、第１距離ｄ１が第２距離ｄ２よりも長い場合に対応する。図２（ａ）の横軸は、Ｈｋ１／Ｈｋ２である。図２（ｂ）の横軸は、Ｈｋ３／Ｈｋ２である。図２（ｃ）の横軸は、Ｈｋ１／Ｈｋ３である。これらの図の縦軸は、面記録密度ＡＤＣである。
【0033】
図３（ａ）～図３（ｃ）においては、第１交換結合強度Ｊｅｘ１は第２交換結合強度Ｊｅｘ２と実質的に同じである。この例では、第１交換結合強度Ｊｅｘ１は、第２交換結合強度Ｊｅｘ２の０．９倍以上１．１倍以下である。図３（ａ）～図３（ｃ）は、第１距離ｄ１が第２距離ｄ２と実質的に同じ場合に対応する。図３（ａ）の横軸は、Ｈｋ１／Ｈｋ２である。図３（ｂ）の横軸は、Ｈｋ３／Ｈｋ２である。図３（ｃ）の横軸は、Ｈｋ１／Ｈｋ３である。これらの図の縦軸は、面記録密度ＡＤＣである。
【0034】
図４（ａ）～図４（ｃ）においては、第１交換結合強度Ｊｅｘ１は第２交換結合強度Ｊｅｘ２よりも高い。この例では、第１交換結合強度Ｊｅｘ１は、第２交換結合強度Ｊｅｘ２の１倍を超え、２０倍以下である。図４（ａ）～図４（ｃ）は、第１距離ｄ１が第２距離ｄ２よりも短い場合に対応する。図４（ａ）の横軸は、Ｈｋ１／Ｈｋ２である。図４（ｂ）の横軸は、Ｈｋ３／Ｈｋ２である。図４（ｃ）の横軸は、Ｈｋ１／Ｈｋ３である。これらの図の縦軸は、面記録密度ＡＤＣである。
【0035】
図２（ａ）～図２（ｃ）に示すように、第１交換結合強度Ｊｅｘ１が第２交換結合強度Ｊｅｘ２よりも低い場合、０．９～１．０の高い面記録密度ＡＤＣが得られる条件が存在する。これに対して、図３（ａ）～図３（ｃ）に示すように、第１交換結合強度Ｊｅｘ１が第２交換結合強度Ｊｅｘ２と実質的に同じ場合、面記録密度ＡＤＣは、０．８以下である。図４（ａ）～図４（ｃ）に示すように、第１交換結合強度Ｊｅｘ１が第２交換結合強度Ｊｅｘ２よりも高い場合、面記録密度ＡＤＣは、０．８以下である。
【0036】
このように、第１交換結合強度Ｊｅｘ１が第２交換結合強度Ｊｅｘ２よりも低いことで、高い面密度が得られる。例えば、第１交換結合強度Ｊｅｘ１は、第２交換結合強度Ｊｅｘ２の０．１倍以上０．６倍以下である。高い面密度が得られる。
【0037】
例えば、第１磁性領域８１と磁気ヘッド１１０との間の距離は、第２磁性領域８２と磁気ヘッド１１０との間の距離よりも短く、第３磁性領域８３と磁気ヘッド１１０との間の距離よりも短い。磁気ヘッド１１０による記録動作において、第１磁性領域８１の磁化は、他の磁性領域の磁化よりも反転し易い。反転した第１磁性領域８１の磁化が、低い第１交換結合強度Ｊｅｘ１により、第２磁性領域８２に伝わる。例えば、小さい第２平均異方性磁界Ｈｋ２を有する第２磁性領域８２の磁化は、大きい第１平均異方性磁界Ｈｋ１を有する第１磁性領域８１の磁化の影響により、効果的に反転する。一方、第２交換結合強度Ｊｅｘ２が高いことで、小さい第２平均異方性磁界Ｈｋ２を有する第２磁性領域８２の磁化を第３磁性領域８３に伝えることができる。例えば、第３磁性領域８３の第３平均異方性磁界Ｈｋ３が高い場合においても、高い第２交換結合強度Ｊｅｘ２により、第２磁性領域８２の磁化が第３磁性領域８３に伝えられる。これにより、高い面密度が得られると考えられる。
【0038】
図２（ａ）に示すように、Ｈｋ１／Ｈｋ２が１．４以上１．７以下のときに、高い面記録密度ＡＤＣが得られる。図２（ｂ）に示すように、Ｈｋ３／Ｈｋ２が１．４以上１．７以下のときに、高い面記録密度ＡＤＣが得られる。図２（ｃ）に示すように、Ｈｋ１／Ｈｋ３が０．９以上１．１以下のときに、高い面記録密度ＡＤＣが得られる。
【0039】
図５の横軸は、交換結合比ＪＲである。交換結合比ＪＲは、第１交換結合強度Ｊｅｘ１の第２交換結合強度Ｊｅｘ２に対する比である。図５においては、Ｈｋ１＞Ｈｋ２であり、Ｈｋ３＞Ｈｋ２である。図５に示すように、交換結合比ＪＲが０．１以上０．６以下のときに高い面記録密度が得られる。
【0040】
実施形態において、例えば、第１交換結合強度の第２交換結合強度に対する比は、０．１以上０．６以下であることが好ましい。これにより、高い面記録密度が得られる。
【0041】
実施形態において、第１磁性領域８１の異方性磁界の第２磁性領域８２の異方性磁界に対する比は、１．４以上１．７以下であることが好ましい。例えば、第１平均異方性磁界Ｈｋ１の第２平均異方性磁界Ｈｋ２に対する比（Ｈｋ１／Ｈｋ２）は、１．４以上１．７以下であることが好ましい。これにより、高い面記録密度が得られる。第３磁性領域８３の異方性磁界の第２磁性領域８２の異方性磁界に対する比は、１．４以上１．７以下であることが好ましい。例えば、第３平均異方性磁界Ｈｋ３の第２平均異方性磁界Ｈｋ２に対する比（Ｈｋ３／Ｈｋ２）は、１．４以上１．７以下であることが好ましい。これにより、高い面記録密度が得られる。第１磁性領域８１の異方性磁界の第３磁性領域８３の異方性磁界に対する比は、０．９以上１．１以下であることが好ましい。例えば、第１平均異方性磁界Ｈｋ１の第３平均異方性磁界Ｈｋ３に対する比（Ｈｋ１／Ｈｋ３）は、例えば、０．９以上１．１以下であることが好ましい。これにより、高い面記録密度が得られる。
【0042】
実施形態において、第１平均異方性磁界Ｈｋ１は、例えば、１９０００Ｏｅ以上であることが好ましい。第１平均異方性磁界Ｈｋ１は、２５０００Ｏｅ以下で良い。第２平均異方性磁界Ｈｋ２は、例えば、１１０００Ｏｅ以上１５０００Ｏｅ以下であることが好ましい。第３平均異方性磁界Ｈｋ３は、例えば、１８０００Ｏｅ以上であることが好ましい。第３平均異方性磁界Ｈｋ３は、２５０００Ｏｅ以下で良い。
【0043】
このように、実施形態に係る磁気記録媒体８０において、第１磁性領域８１、第２磁性領域８２、及び、第３磁性領域８３は、以下の条件を満たしても良い。
第１磁性領域８１の異方性磁界は、第２磁性領域８２の異方性磁界よりも大きい。第３磁性領域８３の異方性磁界は、第２磁性領域８２の異方性磁界よりも大きい。例えば、第１磁性領域８１の異方性磁界の第１方向Ｄ１における平均は、第１平均異方性磁界Ｈｋ１である。例えば、第１磁性領域８１における異方性磁界の最高値と最小値との間の第１差の第１平均異方性磁界Ｈｋ１に対する第１比は、０．２以下である。第２磁性領域８２の異方性磁界の第１方向Ｄ１における平均は、第２平均異方性磁界Ｈｋ２である。例えば、第２磁性領域８２における異方性磁界の最高値と最小値との間の第２差の第２平均異方性磁界Ｈｋ２に対する第２比は、０．２以下である。第３磁性領域８３の異方性磁界の第１方向Ｄ１における平均は、第３平均異方性磁界Ｈｋ３である。例えば、第３磁性領域８３における異方性磁界の最高値と最小値との間の第３差の第３平均異方性磁界Ｈｋ３に対する第３比は、０．２以下である。
第１磁性領域８１の異方性磁界は、第２磁性領域８２の異方性磁界よりも大きい。第３磁性領域８３の異方性磁界は、第２磁性領域８２の異方性磁界よりも大きい。例えば、第１磁性領域８１の異方性磁界の第１方向Ｄ１における平均は、第１平均異方性磁界Ｈｋ１である。例えば、第１磁性領域８１における異方性磁界の最高値と最小値との間の第１差の第１平均異方性磁界Ｈｋ１に対する第１比は、０．２以下である。第２磁性領域８２の異方性磁界の第１方向Ｄ１における平均は、第２平均異方性磁界Ｈｋ２である。例えば、第２磁性領域８２における異方性磁界の最高値と最小値との間の第２差の第２平均異方性磁界Ｈｋ２に対する第２比は、０．２以下である。第３磁性領域８３の異方性磁界の第１方向Ｄ１における平均は、第３平均異方性磁界Ｈｋ３である。例えば、第３磁性領域８３における異方性磁界の最高値と最小値との間の第３差の第３平均異方性磁界Ｈｋ３に対する第３比は、０．２以下である。
【0044】
第１平均異方性磁界Ｈｋ１は、第２平均異方性磁界Ｈｋ２よりも大きい。第３平均異方性磁界Ｈｋ３は、第２平均異方性磁界Ｈｋ２よりも大きい。第２磁性領域８２と第１磁性領域８１との間の第１方向Ｄ１に沿う第１距離ｄ１は、第３磁性領域８３と第２磁性領域８２との間の第１方向Ｄ１に沿う第２距離ｄ２よりも長い。または、第１磁性領域８１は第２磁性領域８２から離れ、第３磁性領域８３は第２磁性領域８２と接する。
【0045】
第１磁性領域８１の第１厚さｔ１（図１参照）は、例えば、４ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。第２磁性領域８２の第２厚さｔ２（図１参照）は、例えば、１ｎｍ以上６ｎｍ以下である。第３磁性領域８３の第３厚さｔ３（図１参照）は、例えば、４ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。これらの厚さは、第１方向Ｄ１方向に沿う長さである。
【0046】
第１距離ｄ１は、例えば、０．１ｎｍ以上０．６ｎｍ以下である。第２距離ｄ２は、例えば０ｎｍ以上０．５ｎｍ以下である。
【0047】
図６は、第１実施形態に係る磁気記録媒体を例示する模式的断面図である。
図６に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０Ａにおいて、３つの磁性領域の少なくとも１つは、複数の磁性膜を含む。これを除く磁気記録媒体８０Ａにおける構成は、磁気記録媒体８０の構成と同様で良い。
図６に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０Ａにおいて、３つの磁性領域の少なくとも１つは、複数の磁性膜を含む。これを除く磁気記録媒体８０Ａにおける構成は、磁気記録媒体８０の構成と同様で良い。
【0048】
図６に示すように、第１磁性領域８１は、複数の第１磁性膜８１ｆを含む。複数の第１磁性膜８１ｆは、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ。複数の第１磁性膜８１ｆの１つから、複数の第１磁性膜８１ｆの別の１つへの方向は、第１方向Ｄ１に沿う。
【0049】
第２磁性領域８２は、複数の第２磁性膜８２ｆを含む。複数の第２磁性膜８２ｆの１つから、複数の第２磁性膜８２ｆの別の１つへの方向は、第１方向Ｄ１に沿う。第３磁性領域８３は、複数の第３磁性膜８３ｆを含む。複数の第３磁性膜８３ｆの１つから、複数の第３磁性膜８３ｆの別の１つへの方向は、第１方向Ｄ１に沿う。
【0050】
複数の第１磁性膜８１ｆの間で、組成比の差は、例えば、２０％以内である。複数の第２磁性膜８２ｆの間で、組成比の差は、例えば、２０％以内である。複数の第３磁性膜８３ｆの間で、組成比の差は、例えば、２０％以内である。
【0051】
図７は、第１実施形態に係る磁気記録媒体を例示する模式的断面図である。
図７に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０Ｂは、第１中間領域９１ｎ及び第２中間領域９２ｎをさらに含む。これを除く磁気記録媒体８０Ｂの構成は、磁気記録媒体８０または磁気記録媒体８０Ａの構成と同様で良い。
図７に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０Ｂは、第１中間領域９１ｎ及び第２中間領域９２ｎをさらに含む。これを除く磁気記録媒体８０Ｂの構成は、磁気記録媒体８０または磁気記録媒体８０Ａの構成と同様で良い。
【0052】
磁気記録媒体８０Ｂにおいて、第１中間領域９１ｎは、第２磁性領域８２と第１磁性領域８１との間に設けられる。第１中間領域９１ｎは、非磁性である。第２中間領域９２ｎは、第３磁性領域８３と第２磁性領域８２との間に設けられる。第２中間領域９２ｎは、非磁性である。
【0053】
第１中間領域９１ｎ及び第２中間領域９２ｎは、例えば、Ｒｕ、Ｐｔ及びＣよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１中間領域９１ｎの厚さが第１距離ｄ１に対応する。第２中間領域９２ｎの厚さが第２距離ｄ２に対応する。
【0054】
図８は、第１実施形態に係る磁気記録媒体を例示する模式的断面図である。
図８に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０Ｃは、第１中間領域９１ｎを含む。磁気記録媒体８０Ｃにおいて、第２磁性領域８２は、第３磁性領域８３と接する。これを除く磁気記録媒体８０Ｃの構成は、磁気記録媒体８０または磁気記録媒体８０Ａの構成と同様で良い。
図８に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０Ｃは、第１中間領域９１ｎを含む。磁気記録媒体８０Ｃにおいて、第２磁性領域８２は、第３磁性領域８３と接する。これを除く磁気記録媒体８０Ｃの構成は、磁気記録媒体８０または磁気記録媒体８０Ａの構成と同様で良い。
【0055】
磁気記録媒体８０Ｃにおいて、第２距離ｄ２は、０である。第２磁性領域８２が第３磁性領域８３と接することで、第１交換結合強度は、第２交換結合強度よりも低くなる。
【0056】
図９は、第１実施形態に係る磁気記録媒体を例示する模式的断面図である。
図９に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０Ｄは、第１中間領域９１ｎ及び第２中間磁性領域９２ｍをさらに含む。これを除く磁気記録媒体８０Ｄの構成は、磁気記録媒体８０または磁気記録媒体８０Ａの構成と同様で良い。
図９に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０Ｄは、第１中間領域９１ｎ及び第２中間磁性領域９２ｍをさらに含む。これを除く磁気記録媒体８０Ｄの構成は、磁気記録媒体８０または磁気記録媒体８０Ａの構成と同様で良い。
【0057】
第１中間領域９１ｎは、第２磁性領域８２と第１磁性領域８１との間に設けられる。第１中間領域９１ｎは、非磁性である。第２中間磁性領域９２ｍは、第３磁性領域８３と第２磁性領域８２との間に設けられる。第２中間磁性領域９２ｍは、連続磁性領域である。第２中間磁性領域９２ｍは、例えば、Ｃｒ、Ｐｔ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｏと、を含む。第１中間領域９１ｎの厚さが第１距離ｄ１に対応する。第２中間磁性領域９２ｍの厚さが第２距離ｄ２に対応する。
【0058】
磁気記録媒体８０Ｄにおいて、第１距離ｄ１は、第２距離ｄ２と同じでも良く、短くても良く、長くても良い。非磁性膜と磁性膜との違いにより、交換結合強度の差が得られる。磁気記録媒体８０Ｄにおいて、第１交換結合強度は、第２交換結合強度よりも低い。
【0059】
磁気記録媒体８０Ｄにおいて、第２磁性領域８２及び第３磁性領域８３は、グラニュラ磁性領域である。第２中間磁性領域９２ｍ、第２磁性領域８２及び第３磁性領域８３は、例えば電子顕微鏡像により特定できる。第１磁性領域８１もグラニュラ磁性領域で良い。
【0060】
このように、磁気記録媒体８０Ｄは、第１磁性領域８１、第２磁性領域８２、第３磁性領域８３、第１中間領域９１ｎ及び第２中間磁性領域９２ｍを含む。第１中間領域９１ｎは、第２磁性領域８２と第１磁性領域８１との間に設けられる。第２中間磁性領域９２ｍは、第３磁性領域８３と第２磁性領域８２との間に設けられる。第２中間磁性領域９２ｍは、連続磁性領域である。第１中間領域９１ｎは、非磁性である。
【0061】
図１０は、第１実施形態に係る磁気記録媒体を例示する模式的断面図である。
図１０に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０Ｅは、第１連続磁性領域９５ｍを含む。これを除く磁気記録媒体８０Ｅの構成は、磁気記録媒体８０または磁気記録媒体８０Ａの構成と同様で良い。
図１０に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０Ｅは、第１連続磁性領域９５ｍを含む。これを除く磁気記録媒体８０Ｅの構成は、磁気記録媒体８０または磁気記録媒体８０Ａの構成と同様で良い。
【0062】
磁気記録媒体８０Ｅにおいて、第１磁性領域８１は、第３磁性領域８３と第１連続磁性領域９５ｍとの間に設けられる。第１連続磁性領域９５ｍは、例えばＣｒ、Ｐｔ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｏと、を含む。第１連続磁性領域９５ｍは、例えば、キャップ層である。第１連続磁性領域９５ｍが設けられることで、例えば、高い記録特性が得られる。
【0063】
磁気記録媒体８０Ｅにおいて、第１磁性領域８１は、グラニュラ磁性領域である。第２磁性領域８２及び第３磁性領域８３も、グラニュラ磁性領域で良い。
【0064】
図１１は、第１実施形態に係る磁気記録媒体を例示する模式的断面図である。
図１１に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０Ｆにおいて、上記の記録層８０Ｒの他に別の記録層８０ＲＡが設けられる。これを除く磁気記録媒体８０Ｆの構成は、上記の任意の磁気記録媒体の構成と同様で良い。
図１１に示すように、実施形態に係る磁気記録媒体８０Ｆにおいて、上記の記録層８０Ｒの他に別の記録層８０ＲＡが設けられる。これを除く磁気記録媒体８０Ｆの構成は、上記の任意の磁気記録媒体の構成と同様で良い。
【0065】
別の記録層８０ＲＡと、記録層８０Ｒとの間に、非磁性基板８５Ｓが設けられる。別の記録層８０ＲＡは、別の第１磁性領域８１Ａ、別の第２磁性領域８２Ａ、及び、別の第３磁性領域８３Ａを含む。別の第１磁性領域８１Ａと、第１磁性領域８１と、の間に非磁性基板８５Ｓが設けられる。別の第１磁性領域８１Ａと、非磁性基板８５Ｓとの間に、別の第２磁性領域８２Ａが設けられる。別の第２磁性領域８２Ａと非磁性基板８５Ｓとの間に、別の第３磁性領域８３Ａが設けられる。別の第３磁性領域８３Ａと非磁性基板８５Ｓとの間に、別の中間層８４Ａが設けられて良い。
【0066】
磁気記録媒体８０Ｆにおいては、非磁性基板８５Ｓの２つの面のそれぞれに記録層が設けられる。別の磁気ヘッド１１０Ａが、別の第１磁性領域８１Ａに対向する。
【0067】
（第２実施形態）
第２実施形態は、磁気記録装置１５０に係る。
図１２は、第２実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図１２に示すように、磁気ヘッド１１０は、第１実施形態に係る磁気記録媒体（例えば、磁気記録媒体８０など）と共に用いられる。この例では、磁気ヘッド１１０は、記録部６０及び再生部７０を含む。磁気ヘッド１１０の記録部６０により、磁気記録媒体８０に情報が記録される。再生部７０により、磁気記録媒体８０に記録された情報が再生される。
第２実施形態は、磁気記録装置１５０に係る。
図１２は、第２実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図１２に示すように、磁気ヘッド１１０は、第１実施形態に係る磁気記録媒体（例えば、磁気記録媒体８０など）と共に用いられる。この例では、磁気ヘッド１１０は、記録部６０及び再生部７０を含む。磁気ヘッド１１０の記録部６０により、磁気記録媒体８０に情報が記録される。再生部７０により、磁気記録媒体８０に記録された情報が再生される。
【0068】
磁気記録媒体８０は、例えば、非磁性基板８５Ｓと、非磁性基板８５Ｓの上に設けられた記録層８０Ｒと、を含む。記録層８０Ｒの磁化８０Ｍが記録部６０により制御される。
【0069】
再生部７０は、例えば、第１再生磁気シールド７２ａ、第２再生磁気シールド７２ｂ、及び磁気再生素子７１を含む。磁気再生素子７１は、第１再生磁気シールド７２ａと第２再生磁気シールド７２ｂとの間に設けられる。磁気再生素子７１は、記録層８０Ｒの磁化８０Ｍに応じた信号を出力可能である。
【0070】
図１２に示すように、磁気記録媒体８０は、媒体移動方向８５の方向に、磁気ヘッド１１０に対して相対的に移動する。磁気ヘッド１１０により、任意の位置において、記録層８０Ｒの磁化８０Ｍに対応する情報が制御される。磁気ヘッド１１０により、任意の位置において、記録層８０Ｒの磁化８０Ｍに対応する情報が再生される。
【0071】
既に説明したように、磁気記録装置１５０において、第３磁性領域８３と磁気ヘッド１１０との間に、第１磁性領域８１が位置する（図１参照）。磁気ヘッド１１０は、記録動作が可能である。記録動作において、磁気ヘッド１１０から交番磁界が磁気記録媒体８０（記録層８０Ｒとの間）に印加される。磁気ヘッド１１０から記録磁界が磁気記録媒体８０（記録層８０Ｒ）に印加される。
【0072】
図１３は、第２実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的断面図である。
図１３は、磁気ヘッド１１０を例示している。磁気ヘッド１１０は、第１磁極３１、第２磁極３２及び磁気素子２０を含む。磁気素子２０は、第１磁極３１と第２磁極３２との間に設けられる。
図１３は、磁気ヘッド１１０を例示している。磁気ヘッド１１０は、第１磁極３１、第２磁極３２及び磁気素子２０を含む。磁気素子２０は、第１磁極３１と第２磁極３２との間に設けられる。
【0073】
例えば、磁気素子２０は、第１磁性層２１、第２磁性層２２、第３磁性層２３及び第４磁性層２４を含む。第１磁性層２１は、第１磁極３１と第２磁極３２との間に設けられる。第２磁性層２２は、第１磁性層２１と第２磁極３２との間に設けられる。第３磁性層２３は、第２磁性層２２と第２磁極３２との間に設けられる。第４磁性層２４は、第３磁性層２３と第２磁極３２との間に設けられる。
【0074】
例えば、磁気素子２０は、第１非磁性層４１、第２非磁性層４２、第３非磁性層４３、第４非磁性層４４及び第５非磁性層４５を含む。第１非磁性層４１は、第１磁極３１と第１磁性層２１との間に設けられる。第２非磁性層４２は、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に設けられる。第３非磁性層４３は、第２磁性層２２と第３磁性層２３との間に設けられる。第４非磁性層４４は、第３磁性層２３と第４磁性層２４との間に設けられる。第５非磁性層４５は、第４磁性層２４と第２磁極３２との間に設けられる。
【0075】
１つの例において、第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層４２は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３非磁性層４３は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４非磁性層４４は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第５非磁性層４５は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。このような構成において、例えば、安定した交番磁界が得やすい。
【0076】
図１３に示すように、記録動作において、磁気素子２０に電流ｉｃが供給される。電流ｉｃは、第１磁極３１から第２磁極３２へ流れる。電子流ｊｅは、第２磁極３２から第１磁極３１へ流れる。
【0077】
図１４は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１４は、ヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ２Ｏ３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
図１４は、ヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ２Ｏ３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
【0078】
ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
【0079】
図１５は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１５に示すように、実施形態に係る磁気記録装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに装着される。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１５に示すように、実施形態に係る磁気記録装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに装着される。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。
【0080】
ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
【0081】
記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。
【0082】
サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。
【0083】
アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。
【0084】
図１６（ａ）は、磁気記録装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。
図１６（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。
図１６（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。
【0085】
図１６（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。
【0086】
図１６（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。
【0087】
サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
【0088】
実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。
【0089】
サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えば発振素子などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。
【0090】
磁気記録装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。
【0091】
実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする。信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。
【0092】
例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。
【0093】
実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。
（構成１）
第１磁性領域と、
第２磁性領域と、
第３磁性領域と、
を備え、
前記第２磁性領域は、前記第３磁性領域から前記第１磁性領域への第１方向において、前記第３磁性領域と前記第１磁性領域との間にあり、
前記第１磁性領域における第１Ｃｏ原子濃度に対する前記第１磁性領域における第１Ｐｔ原子濃度の第１組成比は、前記第２磁性領域における第２Ｃｏ原子濃度に対する前記第２磁性領域における第２Ｐｔ原子濃度の第２組成比よりも高く、
前記第３磁性領域における第３Ｃｏ原子濃度に対する前記第３磁性領域における第３Ｐｔ原子濃度の第３組成比は、前記第２組成比よりも高く、
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも長い、または、前記第１磁性領域は前記第２磁性領域から離れ、前記第３磁性領域は前記第２磁性領域と接する、磁気記録媒体。
（構成１）
第１磁性領域と、
第２磁性領域と、
第３磁性領域と、
を備え、
前記第２磁性領域は、前記第３磁性領域から前記第１磁性領域への第１方向において、前記第３磁性領域と前記第１磁性領域との間にあり、
前記第１磁性領域における第１Ｃｏ原子濃度に対する前記第１磁性領域における第１Ｐｔ原子濃度の第１組成比は、前記第２磁性領域における第２Ｃｏ原子濃度に対する前記第２磁性領域における第２Ｐｔ原子濃度の第２組成比よりも高く、
前記第３磁性領域における第３Ｃｏ原子濃度に対する前記第３磁性領域における第３Ｐｔ原子濃度の第３組成比は、前記第２組成比よりも高く、
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも長い、または、前記第１磁性領域は前記第２磁性領域から離れ、前記第３磁性領域は前記第２磁性領域と接する、磁気記録媒体。
【0094】
（構成２）
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間の第１交換結合強度は、前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間の第２交換結合強度よりも低い、構成１に記載の磁気記録媒体。
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間の第１交換結合強度は、前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間の第２交換結合強度よりも低い、構成１に記載の磁気記録媒体。
【0095】
（構成３）
前記第１交換結合強度の前記第２交換結合強度に対する比は、０．１以上０．６以下である、構成２に記載の磁気記録媒体。
前記第１交換結合強度の前記第２交換結合強度に対する比は、０．１以上０．６以下である、構成２に記載の磁気記録媒体。
【0096】
（構成４）
前記第１磁性領域の第１異方性磁界の前記第２磁性領域の第２異方性磁界に対する比は、１．４以上１．７以下である、構成１～３のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
前記第１磁性領域の第１異方性磁界の前記第２磁性領域の第２異方性磁界に対する比は、１．４以上１．７以下である、構成１～３のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
【0097】
（構成５）
前記第３磁性領域の第３異方性磁界の前記第２異方性磁界に対する比は、１．４以上１．７以下である、構成４に記載の磁気記録媒体。
前記第３磁性領域の第３異方性磁界の前記第２異方性磁界に対する比は、１．４以上１．７以下である、構成４に記載の磁気記録媒体。
【0098】
（構成６）
前記第１異方性磁界の前記第３異方性磁界に対する比は、０．９以上１．１以下である、構成５に記載の磁気記録媒体。
前記第１異方性磁界の前記第３異方性磁界に対する比は、０．９以上１．１以下である、構成５に記載の磁気記録媒体。
【0099】
（構成７）
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間に設けられた非磁性の第１中間領域をさらに備えた、構成１～６のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間に設けられた非磁性の第１中間領域をさらに備えた、構成１～６のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
【0100】
（構成８）
前記第１磁性領域、前記第２磁性領域及び前記第３磁性領域は、グラニュラ磁性領域である、構成１～７のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
前記第１磁性領域、前記第２磁性領域及び前記第３磁性領域は、グラニュラ磁性領域である、構成１～７のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
【0101】
（構成９）
前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間に設けられ第２中間磁性領域をさらに備え、
前記第２中間磁性領域は、連続磁性領域である、構成８に記載の磁気記録媒体。
前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間に設けられ第２中間磁性領域をさらに備え、
前記第２中間磁性領域は、連続磁性領域である、構成８に記載の磁気記録媒体。
【0102】
（構成１０）
第１磁性領域と、
第２磁性領域と、
第３磁性領域と、
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間に設けられた第１中間領域と、
前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間に設けられた第２中間磁性領域と、
を備え、
前記第２磁性領域は、前記第３磁性領域から前記第１磁性領域への第１方向において、前記第３磁性領域と前記第１磁性領域との間にあり、
前記第１磁性領域における第１Ｃｏ原子濃度に対する前記第１磁性領域における第１Ｐｔ原子濃度に対する第１組成比は、前記第２磁性領域における第２Ｃｏ原子濃度に対する前記第２磁性領域における第２Ｐｔ原子濃度に対する第２組成比よりも高く、
前記第３磁性領域における第３Ｃｏ原子濃度に対する前記第３磁性領域における第３Ｐｔ原子濃度に対する第３組成比は、前記第２組成比よりも高く、
前記第１磁性領域、前記第２磁性領域及び前記第３磁性領域は、グラニュラ磁性領域であり、
前記第２中間磁性領域は、連続磁性領域であり、
前記第１中間領域は、非磁性である、磁気記録媒体。
第１磁性領域と、
第２磁性領域と、
第３磁性領域と、
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間に設けられた第１中間領域と、
前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間に設けられた第２中間磁性領域と、
を備え、
前記第２磁性領域は、前記第３磁性領域から前記第１磁性領域への第１方向において、前記第３磁性領域と前記第１磁性領域との間にあり、
前記第１磁性領域における第１Ｃｏ原子濃度に対する前記第１磁性領域における第１Ｐｔ原子濃度に対する第１組成比は、前記第２磁性領域における第２Ｃｏ原子濃度に対する前記第２磁性領域における第２Ｐｔ原子濃度に対する第２組成比よりも高く、
前記第３磁性領域における第３Ｃｏ原子濃度に対する前記第３磁性領域における第３Ｐｔ原子濃度に対する第３組成比は、前記第２組成比よりも高く、
前記第１磁性領域、前記第２磁性領域及び前記第３磁性領域は、グラニュラ磁性領域であり、
前記第２中間磁性領域は、連続磁性領域であり、
前記第１中間領域は、非磁性である、磁気記録媒体。
【0103】
（構成１１）
第１連続磁性領域をさらに備え、
前記第１磁性領域は、前記第３磁性領域と前記第１連続磁性領域との間に設けられた、構成８～１０のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
第１連続磁性領域をさらに備え、
前記第１磁性領域は、前記第３磁性領域と前記第１連続磁性領域との間に設けられた、構成８～１０のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
【0104】
（構成１２）
第１磁性領域と、
第２磁性領域と、
第３磁性領域と、
を備え、
前記第２磁性領域は、前記第３磁性領域から前記第１磁性領域への第１方向において、前記第３磁性領域と前記第１磁性領域との間にあり、
前記第１磁性領域の第１異方性磁界は、前記第２磁性領域の第２異方性磁界よりも大きく、
前記第３磁性領域の第３異方性磁界は、前記第２異方性磁界よりも大きく、
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも長い、または、前記第１磁性領域は前記第２磁性領域から離れ、前記第３磁性領域は前記第２磁性領域と接する、磁気記録媒体。
第１磁性領域と、
第２磁性領域と、
第３磁性領域と、
を備え、
前記第２磁性領域は、前記第３磁性領域から前記第１磁性領域への第１方向において、前記第３磁性領域と前記第１磁性領域との間にあり、
前記第１磁性領域の第１異方性磁界は、前記第２磁性領域の第２異方性磁界よりも大きく、
前記第３磁性領域の第３異方性磁界は、前記第２異方性磁界よりも大きく、
前記第２磁性領域と前記第１磁性領域との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第３磁性領域と前記第２磁性領域との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも長い、または、前記第１磁性領域は前記第２磁性領域から離れ、前記第３磁性領域は前記第２磁性領域と接する、磁気記録媒体。
【0105】
（構成１３）
前記第１異方性磁界の前記第２異方性磁界に対する比は、１．４以上１．７以下である、構成１２に記載の磁気記録媒体。
前記第１異方性磁界の前記第２異方性磁界に対する比は、１．４以上１．７以下である、構成１２に記載の磁気記録媒体。
【0106】
（構成１４）
前記第３異方性磁界の前記第２異方性磁界に対する比は、１．４以上１．７以下である、構成１３に記載の磁気記録媒体。
前記第３異方性磁界の前記第２異方性磁界に対する比は、１．４以上１．７以下である、構成１３に記載の磁気記録媒体。
【0107】
（構成１５）
前記第１異方性磁界の前記第３異方性磁界に対する比は、０．９以上１．１以下である、構成１４に記載の磁気記録媒体。
前記第１異方性磁界の前記第３異方性磁界に対する比は、０．９以上１．１以下である、構成１４に記載の磁気記録媒体。
【0108】
（構成１６）
前記第１異方性磁界は、１９０００Ｏｅ以上であり、
前記第２異方性磁界は、１１０００Ｏｅ以上１５０００Ｏｅ以下であり、
前記第３異方性磁界は、１８０００Ｏｅ以上である、構成１２～１５のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
前記第１異方性磁界は、１９０００Ｏｅ以上であり、
前記第２異方性磁界は、１１０００Ｏｅ以上１５０００Ｏｅ以下であり、
前記第３異方性磁界は、１８０００Ｏｅ以上である、構成１２～１５のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
【0109】
（構成１７）
非磁性基板と、
中間層と、
をさらに備え、
前記非磁性基板と前記第１磁性領域との間に前記第３磁性領域が設けられ、
前記非磁性基板と前記第３磁性領域との間に前記中間層が設けられ、
前記中間層は軟磁性である、構成１～１６のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
非磁性基板と、
中間層と、
をさらに備え、
前記非磁性基板と前記第１磁性領域との間に前記第３磁性領域が設けられ、
前記非磁性基板と前記第３磁性領域との間に前記中間層が設けられ、
前記中間層は軟磁性である、構成１～１６のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
【0110】
（構成１８）
構成１～１７のいずれか１つに記載の磁気記録媒体と、
磁気ヘッドと、
を備え、
前記第３磁性領域と前記磁気ヘッドとの間に前記第１磁性領域が位置する、磁気記録装置。
構成１～１７のいずれか１つに記載の磁気記録媒体と、
磁気ヘッドと、
を備え、
前記第３磁性領域と前記磁気ヘッドとの間に前記第１磁性領域が位置する、磁気記録装置。
【0111】
（構成１９）
前記磁気ヘッドは記録動作が可能であり、
前記記録動作において、前記磁気ヘッドから交番磁界が前記磁気記録媒体に印加され、前記磁気ヘッドから記録磁界が前記磁気記録媒体に印加される、構成１８に記載の磁気記録装置。
前記磁気ヘッドは記録動作が可能であり、
前記記録動作において、前記磁気ヘッドから交番磁界が前記磁気記録媒体に印加され、前記磁気ヘッドから記録磁界が前記磁気記録媒体に印加される、構成１８に記載の磁気記録装置。
【0112】
（構成２０）
前記磁気ヘッドは、
第１磁極と、
第２磁極と、
前記第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた磁気素子と、
を含み、
前記磁気素子は、
前記第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた第１磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第３磁性層と、
前記第３磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第４磁性層と、
を含む、構成１８または１９に記載の磁気記録装置。
前記磁気ヘッドは、
第１磁極と、
第２磁極と、
前記第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた磁気素子と、
を含み、
前記磁気素子は、
前記第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた第１磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第３磁性層と、
前記第３磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第４磁性層と、
を含む、構成１８または１９に記載の磁気記録装置。
【0113】
実施形態によれば、記録密度の向上が可能な磁気記録媒体及び磁気記録装置が提供できる。
【0114】
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【0115】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気ヘッド及び磁気記録装置に含まれる、磁極、磁気素子、磁性層、非磁性層、及び制御部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【0116】
各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【0117】
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気記録装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気記録装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【0118】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【0119】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0120】
２０：磁気素子、 ２１～２４：第１～第４磁性層、 ３１、３２：第１、第２磁極、 ４１～４５：第１～第５非磁性層、 ６０：記録部、 ７０：再生部、 ７１：磁気再生素子、 ７２ａ、７２ｂ：第２再生磁気シールド、 ８０、８０Ａ～８０Ｆ：磁気記録媒体、 ８０Ｍ：磁化、 ８０Ｒ、８０ＲＡ：記録層、 ８１、８１Ａ：第１磁性領域、 ８２、８２Ａ：第２磁性領域、 ８３、８３Ａ：第３磁性領域、 ８１ｆ～８３ｆ：第１～第３磁性膜、 ８４、８４Ａ：中間層、 ８５：媒体移動方向、 ８５Ｓ：非磁性基板、 ９１ｎ：第１中間領域、 ９２ｍ：第２中間磁性領域、 ９２ｎ：第２中間領域、 ９５ｍ：第１連続磁性領域、 １１０、１１０Ａ：磁気ヘッド、 １５０：磁気記録装置、 １５４：サスペンション、 １５５：アーム、 １５６：ボイスコイルモータ、 １５７：軸受部、 １５８：ヘッドジンバルアセンブリ、 １５９：ヘッドスライダ、 １５９Ａ：空気流入側、 １５９Ｂ：空気流出側、 １６０：ヘッドスタックアセンブリ、 １６１：支持フレーム、 １６２：コイル、 １８０：記録用媒体ディスク、 １８０Ｍ：スピンドルモータ、 １８１：記録媒体、 １９０：信号処理部、 ＡＲ：矢印、 Ｄ１：第１方向、 ｄ１、ｄ２：第１、第２距離、 ｉｃ：電流、 ｊｅ：電子流、 ｔ１～ｔ３：第１～第３厚さ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】