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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024081248
(43)【公開日】2024-06-18
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 23/29 20060101AFI20240611BHJP
【ＦＩ】
H01L23/36 A
H01L23/30 R
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022194726
(22)【出願日】2022-12-06
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】水田 新生
(72)【発明者】
【氏名】長谷川 裕也
【テーマコード（参考）】
4M109
5F136
【Ｆターム（参考）】
4M109AA01
4M109DA04
4M109DA07
5F136DA03
(57)【要約】
【課題】半導体装置の放熱性能の向上を図ること。
【解決手段】半導体装置１０は、封止表面４１と、封止表面４１とは反対側を向く封止裏面４２とを有する封止樹脂４０と、封止樹脂４０内に設けられ、封止裏面４２から露出する端子部３２を含む導電層３０と、封止樹脂４０内に設けられ、封止表面４１と同じ側を向く素子表面２１と、封止裏面４２と同じ側を向く素子裏面２２とを有し、導電層３０と電気的に接続された半導体素子２０と、を備える。封止樹脂４０は、封止裏面４２に設けられ、半導体素子２０の素子裏面２２を露出する凹部４７を有する。
【選択図】図４
【解決手段】半導体装置１０は、封止表面４１と、封止表面４１とは反対側を向く封止裏面４２とを有する封止樹脂４０と、封止樹脂４０内に設けられ、封止裏面４２から露出する端子部３２を含む導電層３０と、封止樹脂４０内に設けられ、封止表面４１と同じ側を向く素子表面２１と、封止裏面４２と同じ側を向く素子裏面２２とを有し、導電層３０と電気的に接続された半導体素子２０と、を備える。封止樹脂４０は、封止裏面４２に設けられ、半導体素子２０の素子裏面２２を露出する凹部４７を有する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
封止表面と、前記封止表面とは反対側を向く封止裏面とを有する封止樹脂と、
前記封止樹脂内に設けられ、前記封止裏面から露出する端子部を含む導電層と、
前記封止樹脂内に設けられ、前記封止表面と同じ側を向く素子表面と、前記封止裏面と同じ側を向く素子裏面とを有し、前記導電層と電気的に接続された半導体素子と、
を備え、
前記封止樹脂は、前記封止裏面に設けられ、前記半導体素子の前記素子裏面を露出する凹部を有する
半導体装置。
前記封止樹脂内に設けられ、前記封止裏面から露出する端子部を含む導電層と、
前記封止樹脂内に設けられ、前記封止表面と同じ側を向く素子表面と、前記封止裏面と同じ側を向く素子裏面とを有し、前記導電層と電気的に接続された半導体素子と、
を備え、
前記封止樹脂は、前記封止裏面に設けられ、前記半導体素子の前記素子裏面を露出する凹部を有する
半導体装置。
【請求項2】
前記半導体素子は、
前記素子表面の一部を構成し、前記導電層と電気的に接続された表面電極と、
前記素子裏面の少なくとも一部を構成する裏面電極と、
を有する
請求項１に記載の半導体装置。
前記素子表面の一部を構成し、前記導電層と電気的に接続された表面電極と、
前記素子裏面の少なくとも一部を構成する裏面電極と、
を有する
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記導電層は、前記封止表面と同じ側を向く主面を有し、
前記素子裏面は、前記主面よりも前記封止裏面寄りに位置している
請求項１に記載の半導体装置。
前記素子裏面は、前記主面よりも前記封止裏面寄りに位置している
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記素子表面は、前記主面よりも前記封止裏面寄りに位置している
請求項３に記載の半導体装置。
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記半導体素子は、前記素子表面の一部を構成し、前記導電層と電気的に接続された表面電極を有し、
前記表面電極と前記導電層とはボンディングワイヤによって接続されており、
前記ボンディングワイヤのうち前記封止表面に最も近い頂点は、平面視において前記表面電極との第１接合部と、前記導電層との第２接合部との間のうち前記第１接合部寄りに設けられている
請求項４に記載の半導体装置。
前記表面電極と前記導電層とはボンディングワイヤによって接続されており、
前記ボンディングワイヤのうち前記封止表面に最も近い頂点は、平面視において前記表面電極との第１接合部と、前記導電層との第２接合部との間のうち前記第１接合部寄りに設けられている
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記凹部は、前記裏面電極の側面を露出するように構成されている
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記凹部は、平面視において円形に形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記裏面電極は、前記素子裏面の全体を構成している
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記裏面電極の厚さは、前記表面電極の厚さよりも厚い
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記導電層は、
前記表面電極と電気的に接続された第１導電層と、
前記第１導電層から離隔して設けられた第２導電層と、
を含み、
前記半導体素子は、前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置されている
請求項２に記載の半導体装置。
前記表面電極と電気的に接続された第１導電層と、
前記第１導電層から離隔して設けられた第２導電層と、
を含み、
前記半導体素子は、前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記第１導電層および前記第２導電層の少なくとも一方は、平面視において前記凹部を避けるように凹む導電層側凹部を含む
請求項１０に記載の半導体装置。
請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記端子部の裏面は、前記封止裏面と面一である
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記端子部の裏面にはめっき層が形成されている
請求項１２に記載の半導体装置。
請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項14】
前記封止樹脂は、
平面視において第１方向の両端面を構成する第１封止側面および第２封止側面と、
平面視において前記第１方向と直交する第２方向の両端面を構成する第３封止側面および第４封止側面と、
を有し、
前記半導体素子は、平面視において、前記第１方向および前記第２方向の双方に対して傾斜した四辺によって構成されている
請求項１に記載の半導体装置。
平面視において第１方向の両端面を構成する第１封止側面および第２封止側面と、
平面視において前記第１方向と直交する第２方向の両端面を構成する第３封止側面および第４封止側面と、
を有し、
前記半導体素子は、平面視において、前記第１方向および前記第２方向の双方に対して傾斜した四辺によって構成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項15】
前記半導体素子は、ＶＣＳＥＬである
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項16】
前記導電層は、リードフレームである
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
矩形状の基板と、基板の外周部に配置された複数の貫通配線と、基板の主面に形成され、複数の貫通配線に個別に接続された主面配線と、主面配線上に実装された半導体素子と、半導体素子を封止する封止樹脂と、を備える半導体装置が知られている（たとえば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－９３４５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、半導体装置の放熱性能に改善の余地がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決する半導体装置は、封止表面と、前記封止表面とは反対側を向く封止裏面とを有する封止樹脂と、前記封止樹脂内に設けられ、前記封止裏面から露出する端子部を含む導電層と、前記封止樹脂内に設けられ、前記封止表面と同じ側を向く素子表面と、前記封止裏面と同じ側を向く素子裏面とを有し、前記導電層と電気的に接続された半導体素子と、を備え、前記封止樹脂は、前記封止裏面に設けられ、前記半導体素子の前記素子裏面を露出する凹部を有する。
【発明の効果】
【0006】
上記半導体装置によれば、半導体装置の放熱性能の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、添付図面を参照して本開示の半導体装置の実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするため、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするため、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付図面は、本開示の実施形態を例示するものに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0009】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は、本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図していない。
【0010】
＜第１実施形態＞
［半導体装置の構成］
図１～図６を参照して、第１実施形態の半導体装置１０の構成について説明する。図１は半導体装置１０の斜視構造を示し、図２は半導体装置１０の平面構造を示し、図３は半導体装置１０の裏面構造を示している。図４は半導体装置１０の断面構造を示し、図５および図６は図４の一部の拡大構造を示している。なお、半導体装置１０の後述する封止樹脂４０は透光部材によって形成されているため、封止樹脂４０の内部に設けられた部品は実線で示されている。また図２では、図面の理解を容易にするため、後述する凹部４７を省略している。
［半導体装置の構成］
図１～図６を参照して、第１実施形態の半導体装置１０の構成について説明する。図１は半導体装置１０の斜視構造を示し、図２は半導体装置１０の平面構造を示し、図３は半導体装置１０の裏面構造を示している。図４は半導体装置１０の断面構造を示し、図５および図６は図４の一部の拡大構造を示している。なお、半導体装置１０の後述する封止樹脂４０は透光部材によって形成されているため、封止樹脂４０の内部に設けられた部品は実線で示されている。また図２では、図面の理解を容易にするため、後述する凹部４７を省略している。
【0011】
図１に示すように、半導体装置１０は、半導体素子２０と、導電層３０と、ワイヤＷと、これらを封止する封止樹脂４０と、を備える。
封止樹脂４０は、矩形平板状に形成されている。封止樹脂４０は、透光性を有する材料によって形成されている。封止樹脂４０は、透明部材によって形成されているともいえる。封止樹脂４０の材料としては、アクリル樹脂、透明なエポキシ樹脂等が挙げられる。ここで、封止樹脂４０の厚さ方向を「Ｚ方向」とする。そしてＺ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向をそれぞれ「Ｘ方向」および「Ｙ方向」とする。以降の説明において、「平面視」はＺ方向から半導体装置１０を視ることをいう。
封止樹脂４０は、矩形平板状に形成されている。封止樹脂４０は、透光性を有する材料によって形成されている。封止樹脂４０は、透明部材によって形成されているともいえる。封止樹脂４０の材料としては、アクリル樹脂、透明なエポキシ樹脂等が挙げられる。ここで、封止樹脂４０の厚さ方向を「Ｚ方向」とする。そしてＺ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向をそれぞれ「Ｘ方向」および「Ｙ方向」とする。以降の説明において、「平面視」はＺ方向から半導体装置１０を視ることをいう。
【0012】
平面視において、封止樹脂４０は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる矩形状に形成されている。一例では、封止樹脂４０の厚さは、封止樹脂４０のＸ方向の寸法よりも小さい。封止樹脂４０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く封止表面４１および封止裏面４２と、封止表面４１と封止裏面４２とを繋ぐ第１～第４封止側面４３～４６と、を有する。一例では、封止表面４１および封止裏面４２の双方は、Ｚ方向と直交する平面として形成されている。第１～第４封止側面４３～４６は、封止表面４１および封止裏面４２と交差する面である。第１実施形態では、第１～第４封止側面４３～４６は、封止表面４１および封止裏面４２と直交する面である。第１封止側面４３および第２封止側面４４は封止樹脂４０のＹ方向の両端面を構成しており、平面視においてＸ方向に沿って延びている。第３封止側面４５および第４封止側面４６は封止樹脂４０のＸ方向の両端面を構成しており、平面視においてＹ方向に沿って延びている。ここで、Ｘ方向は「第２方向」に対応し、Ｙ方向は「第１方向」に対応している。
【0013】
半導体素子２０は、予め設定された方向に光を出射する半導体素子である。このため、半導体素子２０は、半導体発光素子であるといえる。つまり、半導体装置１０は、半導体発光装置であるともいえる。半導体素子２０は、たとえば垂直共振器型面発光レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）である。第１実施形態の半導体素子２０は、Ｚ方向に向けて光を出射する。なお、半導体素子２０は、たとえばＬＥＤ（Light Emitting Diode）であってもよい。
【0014】
半導体素子２０は、封止樹脂４０内に設けられている。半導体素子２０は、Ｚ方向が厚さ方向となる直方体に形成されている。平面視における半導体素子２０の形状は、たとえば正方形である。半導体素子２０の厚さ（Ｚ方向の寸法）は、たとえば１００μｍ以上１５０μｍ以下である。
【0015】
半導体素子２０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く素子表面２１および素子裏面２２と、素子表面２１と素子裏面２２とを繋ぐ第１～第４素子側面２３～２６と、を有する。一例では、素子表面２１および素子裏面２２の双方は、Ｚ方向と直交する平面として形成されている。素子表面２１は封止樹脂４０の封止表面４１と同じ側を向き、素子裏面２２は封止裏面４２と同じ側を向いている。第１～第４素子側面２３～２６は、素子表面２１および素子裏面２２と交差する面である。第１実施形態では、第１～第４素子側面２３～２６は、素子表面２１および素子裏面２２と直交する面である。第１素子側面２３および第２素子側面２４は半導体素子２０のＹ方向の両端面を構成しており、平面視においてＸ方向に沿って延びている。第１素子側面２３は第１封止側面４３と同じ側を向き、第２素子側面２４は第２封止側面４４と同じ側を向いている。第３素子側面２５および第４素子側面２６は半導体素子２０のＸ方向の両端面を構成しており、平面視においてＹ方向に沿って延びている。第３素子側面２５は第３封止側面４５と同じ側を向き、第４素子側面２６は第４封止側面４６と同じ側を向いている。
【0016】
図２に示すように、平面視において、半導体素子２０は、第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４を含む。第１コーナ部分Ｃ１は、第１素子側面２３と第３素子側面２５とによって構成されている。第２コーナ部分Ｃ２は、第１素子側面２３と第４素子側面２６とによって構成されている。第３コーナ部分Ｃ３は、第２素子側面２４と第３素子側面２５とによって構成されている。第４コーナ部分Ｃ４は、第２素子側面２４と第４素子側面２６とによって構成されている。つまり、第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４は、半導体素子２０の素子側面を構成している。より詳細には、平面視において、第１コーナ部分Ｃ１は、素子側面のうち第１素子側面２３と第３素子側面２５との交点である。平面視において、第２コーナ部分Ｃ２は、素子側面のうち第１素子側面２３と第４素子側面２６との交点である。平面視において、第３コーナ部分Ｃ３は、素子側面のうち第２素子側面２４と第３素子側面２５との交点である。平面視において、第４コーナ部分Ｃ４は、素子側面のうち第２素子側面２４と第４素子側面２６との交点である。
【0017】
半導体素子２０は、発光部２７および表面電極２８と、裏面電極２９（図３参照）と、を有する。発光部２７および表面電極２８の双方は、素子表面２１の一部を構成している。発光部２７は、光を出射する部分であり、Ｘ方向およびＹ方向に離隔して設けられた複数の面発光レーザを含む。表面電極２８は、導電層３０と電気的に接続されている。これにより、半導体素子２０は、導電層３０と電気的に接続されている。一例では、発光部２７および表面電極２８は、Ｙ方向において互いに離隔して形成されている。表面電極２８は、発光部２７よりも第１素子側面２３寄りに位置している。
【0018】
図３に示すように、裏面電極２９は、素子裏面２２の少なくとも一部を構成している。第１実施形態では、裏面電極２９は、素子裏面２２の全体を構成している。裏面電極２９は、第１～第４素子側面２３～２６に対応する側面２９Ｓ（図５参照）を有する。裏面電極２９の側面２９Ｓは、第１～第４素子側面２３～２６と面一となる。
【0019】
図１に示すように、導電層３０は、封止樹脂４０内に設けられている。導電層３０は、封止裏面４２から露出する端子部３２を含む。導電層３０は、端子部３２よりも封止表面４１寄りに設けられた接続電極部３３を含む。一例では、端子部３２および接続電極部３３は一体に形成されている。接続電極部３３は、端子部３２に対してＹ方向の両側に突出するように設けられている。
【0020】
導電層３０は、たとえばリードフレームである。第１実施形態では、導電層３０の厚さ（Ｚ方向の寸法）は、半導体素子２０の厚さよりも厚い。一例では、導電層３０の厚さは、８０μｍ以上１２０μｍ以下である。
【0021】
導電層３０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く主面３１Ａおよび裏面３１Ｂ（図４参照）を有する。主面３１Ａは封止表面４１と同じ側を向き、裏面３１Ｂは封止裏面４２と同じ側を向いている。主面３１Ａは接続電極部３３の主面を構成しており、裏面３１Ｂは端子部３２の裏面を構成している。このため、主面３１Ａの面積は、裏面３１Ｂの面積よりも大きい。
【0022】
一例では、図２に示すように、平面視における主面３１Ａの形状は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。一例では、図３に示すように、平面視における裏面３１Ｂの形状は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。
【0023】
図３に示すように、端子部３２（導電層３０）の裏面３１Ｂは、封止裏面４２から露出している。一例では、端子部３２の裏面３１Ｂは、封止裏面４２と面一である（図４参照）。端子部３２の裏面３１Ｂには、めっき層３４が形成されている。めっき層３４は、封止裏面４２からＺ方向に突出している。
【0024】
図２および図３に示すように、第１実施形態では、導電層３０は、Ｙ方向に離隔して配置された第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂを含む。つまり、第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂは、平面視において封止樹脂４０の長手方向に配列されている。半導体素子２０は、第１導電層３０Ａと第２導電層３０Ｂとの間に配置されている。半導体素子２０は、Ｙ方向において第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂとの双方と離隔して配置されている。このように、第１導電層３０Ａ、第２導電層３０Ｂ、および半導体素子２０は、封止樹脂４０の長手方向に配列されているともいえる。
【0025】
第１導電層３０Ａは、表面電極２８と電気的に接続された導電層である。より詳細には、表面電極２８と第１導電層３０Ａとはボンディングワイヤ（以下、単に「ワイヤＷ」）によって接続されている。第１導電層３０Ａは、半導体素子２０よりも第１封止側面４３寄りに配置されている。一例では、第１導電層３０Ａの接続電極部３３は、第１封止側面４３から露出している。この場合、接続電極部３３の側面は、第１封止側面４３と面一である。一例では、第１導電層３０Ａの裏面３１Ｂは、平面視において第１封止側面４３、第３封止側面４５、および第４封止側面４６から離隔して形成されている。
【0026】
第２導電層３０Ｂは、半導体素子２０とは電気的に接続されていない導電層である。第１実施形態では、第２導電層３０Ｂは、電気的にフローティング状態である。第２導電層３０Ｂは、半導体素子２０よりも第２封止側面４４寄りに配置されている。一例では、第２導電層３０Ｂの接続電極部３３は、第２封止側面４４から露出している。この場合、接続電極部３３の側面は、第２封止側面４４と面一である。一例では、第２導電層３０Ｂの裏面３１Ｂは、平面視において、第２封止側面４４、第３封止側面４５、および第４封止側面４６から離隔して形成されている。
【0027】
図４に示すように、第１実施形態では、半導体素子２０の厚さは、導電層３０の厚さよりも薄い。半導体素子２０は、その素子裏面２２が導電層３０の主面３１Ａよりも封止裏面４２寄りに位置するように配置されている。第１実施形態では、半導体素子２０は、その素子表面２１が導電層３０の主面３１Ａよりも封止裏面４２寄りに位置するように配置されている。
【0028】
封止樹脂４０は、半導体素子２０の素子裏面２２を露出する凹部４７を有する。凹部４７は、半導体素子２０の裏面電極２９を露出しているともいえる。凹部４７は、封止裏面４２に設けられている。凹部４７は、封止裏面４２から封止表面４１に向けて凹んでいる。このため、素子裏面２２は、封止裏面４２よりも封止表面４１寄りに位置している。封止裏面４２と素子裏面２２とのＺ方向の間の距離は、半導体素子２０の厚さよりも小さい。一例では、上記距離は、半導体素子２０の厚さの１／２以下である。一例では、上記距離は、半導体素子２０の厚さの１／５以下である。一例では、上記距離は、半導体素子２０の厚さの１／１０以下である。一例では、上記距離は、裏面電極２９の厚さと等しくてもよい。一例では、上記距離は、裏面電極２９の厚さよりも大きくてもよい。
【0029】
図３に示すように、平面視における凹部４７の形状は、円形である。第１実施形態では、凹部４７は、半導体素子２０の対角線の長さと略等しい直径を有する円形に形成されている。つまり、凹部４７は、平面視において半導体素子２０を囲む円形に形成されている。このため、凹部４７は、素子裏面２２（裏面電極２９の裏面）の全体を露出している。凹部４７は、平面視において第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂの双方の裏面３１Ｂに対してＸ方向に離隔して形成されている。
【0030】
凹部４７は、平面視において半導体素子２０を囲む周面４７Ａを含む。第１実施形態では、平面視において、半導体素子２０の第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４は、第１～第４素子側面２３～２６の第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４以外の部分よりも周面４７Ａに近い位置となるように配置されている。図４に示すように、周面４７Ａは、断面視において湾曲状に形成されている。
【0031】
図５は、半導体装置１０をＹＺ平面で切断した断面構造のうち凹部４７およびその周辺を示している。図６は、第１コーナ部分Ｃ１と第４コーナ部分Ｃ４とを結ぶ対角線に沿う平面で半導体装置１０を切断した断面構造のうち凹部４７およびその周辺を示している。
【0032】
図５に示すように、凹部４７は、裏面電極２９の側面２９Ｓを露出させるように構成されている。より詳細には、凹部４７は、平面視において凹部４７のうち第１～第４素子側面２３～２６に対応する部分の裏面電極２９の側面２９Ｓを露出している。より詳細には、凹部４７は、裏面電極２９の側面２９Ｓの長さ方向の少なくとも中央部は、Ｚ方向において裏面電極２９の側面２９Ｓの全体を露出している。一例では、凹部４７は、裏面電極２９の側面２９Ｓの長さ方向の両端部以外の部分は、Ｚ方向において裏面電極２９の側面２９Ｓの全体を露出している。
【0033】
さらに、凹部４７は、半導体素子２０の第１素子側面２３および第２素子側面２４のうちＺ方向における裏面電極２９寄りの一部を露出している。なお、図示していないが、凹部４７は、半導体素子２０の第３素子側面２５および第４素子側面２６（ともに図３参照）のうちＺ方向における裏面電極２９寄りの一部を露出している。
【0034】
なお、裏面電極２９の側面２９Ｓの長さ方向は、側面２９Ｓの垂直方向から視て、Ｚ方向と直交する方向である。第１素子側面２３および第２素子側面２４における側面２９Ｓの長さ方向はＸ方向であり、第３素子側面２５および第４素子側面２６における側面２９Ｓの長さ方向はＹ方向である。
【0035】
一方、図６に示すように、凹部４７は、第１コーナ部分Ｃ１および第４コーナ部分Ｃ４において裏面電極２９の側面２９Ｓを露出していない。第１コーナ部分Ｃ１および第４コーナ部分Ｃ４において裏面電極２９の側面２９Ｓは、封止樹脂４０によって覆われている。なお、図示していないが、凹部４７は、第２コーナ部分Ｃ２および第３コーナ部分Ｃ３（ともに図３参照）においても第１コーナ部分Ｃ１および第４コーナ部分Ｃ４と同様に、裏面電極２９の側面２９Ｓを露出していない。換言すると、第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４において裏面電極２９の側面２９Ｓは封止樹脂４０によってＺ方向において全体的に覆われており、封止樹脂４０から露出していない。
【0036】
図４に示すように、ワイヤＷは、表面電極２８との第１接合部Ｗ１と、第１導電層３０Ａ（導電層３０）との第２接合部Ｗ２と、を含む。ワイヤＷのうち封止表面４１に最も近い頂点ＷＰは、第１接合部Ｗ１と第２接合部Ｗ２との間のうち第１接合部Ｗ１寄りに設けられている。換言すると、第１接合部Ｗ１はファーストボンド部であり、第２接合部Ｗ２はセカンドボンド部である。
【0037】
［半導体装置の製造方法］
図７～図１１を参照して、第１実施形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。以下の説明では、１つの半導体装置１０の製造方法について説明するが、複数の半導体装置１０を同時に製造することもできる。
図７～図１１を参照して、第１実施形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。以下の説明では、１つの半導体装置１０の製造方法について説明するが、複数の半導体装置１０を同時に製造することもできる。
【0038】
半導体装置１０の製造方法は、支持材８００上に導電層３０を配置する工程と、支持材８００上に半導体素子２０を配置する工程と、ワイヤＷを形成する工程と、封止樹脂４０を形成する工程と、支持材８００を除去する工程と、を主に含む。
【0039】
図７に示すように、支持材８００上に導電層３０を配置する工程においては、まず支持材８００が用意される。支持材８００としては、たとえばテープ、基板等が用いられる。支持材８００は、たとえば絶縁材料によって形成されている。続いて、支持材８００の表面８０１上に導電層３０が配置される。この工程における導電層３０は、めっき層３４（図４参照）が形成される前の導電層である。このため、端子部３２の裏面３１Ｂが支持材８００の表面８０１に接している。導電層３０は、たとえばリードフレームである。リードフレームは、たとえば銅を含む材料によって形成されている。導電層３０は、図示しない接着材によって支持材８００上に固定される。接着材としては、後述する導電層３０と支持材８００との剥離を可能とする材料が用いられる。
【0040】
図８に示すように、支持材８００上に半導体素子２０を配置する工程においては、まず表面８０１のうち第１導電層３０Ａと第２導電層３０Ｂとの間にダイボンディング材８１０が塗布される。ダイボンディング材８１０は、たとえばペースト状の絶縁材料が用いられる。続いて、ダイボンディング材８１０上に半導体素子２０が配置される。これにより、半導体素子２０の裏面電極２９の裏面（素子裏面２２）と側面２９Ｓとがダイボンディング材８１０に接する。さらに半導体素子２０の第１～第４素子側面２３～２６のうち裏面電極２９寄りの部分がダイボンディング材８１０に接する。一方、半導体素子２０の裏面電極２９の側面２９Ｓのうち第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４（図３参照）はダイボンディング材８１０と接していない。つまり、ダイボンディング材８１０は、裏面電極２９の側面２９Ｓのうち第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４に接しない量に設定されている。半導体素子２０は、ダイボンディング材８１０によって支持材８００に仮固定される。ダイボンディング材としては、半導体素子２０との剥離を可能とする材料が用いられる。
【0041】
図９に示すように、ワイヤＷを形成する工程においては、ワイヤボンディング装置（図示略）を用いて半導体素子２０の表面電極２８と第１導電層３０Ａとを接続するワイヤＷが形成される。一例では、表面電極２８とワイヤＷとの第１接合部Ｗ１がファーストボンド部となり、第１導電層３０Ａの主面３１ＡとワイヤＷとの第２接合部Ｗ２がセカンドボンド部となる。このため、ワイヤＷの頂点ＷＰは、Ｙ方向において第２接合部Ｗ２よりも第１接合部Ｗ１寄りに位置している。
【0042】
図１０に示すように、封止樹脂４０を形成する工程においては、たとえばトランスファーモールド、コンプレッションモールド等によって封止樹脂４０が形成される。封止樹脂４０は、半導体素子２０、導電層３０、およびワイヤＷを封止するとともに支持材８００の表面８０１に接している。封止樹脂４０は、支持材８００およびダイボンディング材８１０上に形成されているともいえる。
【0043】
図１１に示すように、支持材８００を除去する工程においては、支持材８００およびダイボンディング材８１０の双方が封止樹脂４０および半導体素子２０から剥離される。これにより、半導体素子２０の素子裏面２２（裏面電極２９）が封止樹脂４０から露出する。また、封止樹脂４０には素子裏面２２（裏面電極２９）を露出する凹部４７が形成される。その後、図示していないが、半導体装置１０の製造方法は、端子部３２の裏面３１Ｂにめっき層３４（図４参照）を形成する工程を含む。以上の工程を経て、半導体装置１０が製造される。
【0044】
なお、複数の半導体装置１０が同時に製造される場合、半導体装置１０の製造方法は、封止樹脂４０を形成する工程に代えて、複数の半導体素子２０、導電層３０、およびワイヤＷを封止する樹脂層を形成する工程を含む。その後、半導体装置１０の製造方法は、端子部３２の裏面３１Ｂにめっき層３４（図４参照）を形成する工程を含む。続いて、半導体装置１０の製造方法は、個片化する工程を含む。個片化する工程は、支持材８００を除去する工程の後に実施される。個片化する工程においては、まずダイシングテープ上に樹脂層を配置する。続いて、ダイシングブレードによって樹脂層を切断する。これにより、封止樹脂４０が形成される。以上の工程を経て、複数の半導体装置１０が製造される。
【0045】
【0046】
図１２に示すように、半導体装置１０は、たとえばはんだペーストＳＤによって回路基板ＣＢの第１～第３電極ＣＢ１～ＣＢ３に接合されている。具体的には、回路基板ＣＢの第１電極ＣＢ１は、はんだペーストＳＤによって第１導電層３０Ａのめっき層３４と接合されている。回路基板ＣＢの第３電極ＣＢ３は、はんだペーストＳＤによって第２導電層３０Ｂのめっき層３４と接合されている。回路基板ＣＢの第２電極ＣＢ２は、はんだペーストＳＤによって半導体素子２０の裏面電極２９と接合されている。はんだペーストＳＤは、裏面電極２９の側面２９Ｓにも接している。
【0047】
半導体素子２０が支持部材に固定された半導体装置では、支持部材としてたとえばセラミック等の基板やリードフレームによるダイパッド等が用いられる。この場合、半導体素子２０の裏面電極２９から回路基板ＣＢまでの放熱経路には、支持部材と、支持部材に半導体素子２０を固定するダイボンディング材が介在する。これに対して、第１実施形態の半導体装置１０において、半導体素子２０の熱は、裏面電極２９からはんだペーストＳＤを介して回路基板ＣＢに移動する。つまり、裏面電極２９にはんだペーストＳＤが接しているため、裏面電極２９から回路基板ＣＢに放熱しやすくなる。
【0048】
［効果］
第１実施形態の半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体装置１０は、封止表面４１と、封止表面４１とは反対側を向く封止裏面４２とを有する封止樹脂４０と、封止樹脂４０内に設けられ、封止裏面４２から露出する端子部３２を含む導電層３０と、封止樹脂４０内に設けられ、封止表面４１と同じ側を向く素子表面２１と、封止裏面４２と同じ側を向く素子裏面２２とを有し、導電層３０と電気的に接続された半導体素子２０と、を備える。封止樹脂４０は、封止裏面４２に設けられ、半導体素子２０の素子裏面２２を露出する凹部４７を有する。
第１実施形態の半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体装置１０は、封止表面４１と、封止表面４１とは反対側を向く封止裏面４２とを有する封止樹脂４０と、封止樹脂４０内に設けられ、封止裏面４２から露出する端子部３２を含む導電層３０と、封止樹脂４０内に設けられ、封止表面４１と同じ側を向く素子表面２１と、封止裏面４２と同じ側を向く素子裏面２２とを有し、導電層３０と電気的に接続された半導体素子２０と、を備える。封止樹脂４０は、封止裏面４２に設けられ、半導体素子２０の素子裏面２２を露出する凹部４７を有する。
【0049】
この構成によれば、半導体素子２０の素子裏面２２が封止樹脂４０の封止裏面４２から露出するため、半導体素子２０の素子裏面２２が封止樹脂４０に覆われる構成と比較して、半導体素子２０から封止樹脂４０の外部に放熱しやすくなる。したがって、半導体装置１０の放熱性能の向上を図ることができる。
【0050】
（１－２）半導体素子２０は、素子表面２１の一部を構成し、導電層３０と電気的に接続された表面電極２８と、素子裏面２２の少なくとも一部を構成する裏面電極２９と、を有する。
【0051】
この構成によれば、はんだペーストＳＤによって半導体装置１０が回路基板ＣＢに実装された状態において、半導体素子２０の熱は、裏面電極２９からはんだペーストＳＤを介して回路基板ＣＢに移動しやすくなる。したがって、はんだペーストＳＤによって半導体装置１０が回路基板ＣＢに実装された状態における半導体装置１０の放熱性能の向上を図ることができる。
【0052】
加えて、封止樹脂４０に凹部４７が設けられていることによって、半導体装置１０が回路基板ＣＢに実装する際に第２電極ＣＢ２に塗布されたはんだペーストＳＤが凹部４７に入り込む。これにより、はんだペーストＳＤが半導体素子２０の裏面電極２９に接しやすくなる。
【0053】
（１－３）裏面電極２９は、半導体素子２０の素子裏面２２の全体を構成している。
この構成によれば、はんだペーストＳＤと裏面電極２９との接合面積が増大するため、半導体素子２０の熱が回路基板ＣＢに移動しやすくなる。
この構成によれば、はんだペーストＳＤと裏面電極２９との接合面積が増大するため、半導体素子２０の熱が回路基板ＣＢに移動しやすくなる。
【0054】
（１－４）封止樹脂４０の凹部４７は、半導体素子２０の裏面電極２９の側面２９Ｓを露出するように構成されている。
この構成によれば、はんだペーストＳＤが裏面電極２９の側面２９Ｓと接合することができる。これにより、はんだペーストＳＤと裏面電極２９との接合面積が増大するため、半導体素子２０の熱が回路基板ＣＢに移動しやすくなる。
この構成によれば、はんだペーストＳＤが裏面電極２９の側面２９Ｓと接合することができる。これにより、はんだペーストＳＤと裏面電極２９との接合面積が増大するため、半導体素子２０の熱が回路基板ＣＢに移動しやすくなる。
【0055】
（１－５）導電層３０は、封止樹脂４０の封止表面４１と同じ側を向く主面３１Ａを有する。半導体素子２０の素子裏面２２は、導電層３０の主面３１Ａよりも封止樹脂４０の封止裏面４２寄りに位置している。この構成によれば、半導体素子２０が導電層３０上に実装された構成と比較して、半導体装置１０の低背化を図ることができる。
【0056】
（１－６）半導体素子２０の素子表面２１は、導電層３０の主面３１Ａよりも封止樹脂４０の封止裏面４２寄りに位置している。この構成によれば、半導体装置１０の更なる低背化を図ることができる。
【0057】
（１－７）半導体素子２０の表面電極２８と導電層３０とはワイヤＷによって接続されている。ワイヤＷのうち封止樹脂４０の封止表面４１に最も近い頂点ＷＰは、平面視において表面電極２８との第１接合部Ｗ１と、導電層３０との第２接合部Ｗ２との間のうち第１接合部Ｗ１寄りに設けられている。
【0058】
この構成によれば、第２接合部Ｗ２よりも封止樹脂４０の封止裏面４２寄りの第１接合部Ｗ１がファーストボンド部となるため、封止裏面４２からワイヤＷの頂点ＷＰまでのＺ方向の寸法を小さくできる。したがって、半導体装置１０の低背化を図ることができる。
【0059】
（１－８）導電層３０は、半導体素子２０の表面電極２８と電気的に接続された第１導電層３０Ａと、第１導電層３０Ａから離隔して設けられた第２導電層３０Ｂと、を含む。半導体素子２０は、第１導電層３０Ａと第２導電層３０Ｂとの間に配置されている。
【0060】
この構成によれば、第２導電層３０Ｂは、封止樹脂４０のうち半導体素子２０に対して第１導電層３０Ａとは反対側の部分を補強できる。したがって、封止樹脂４０の破損を抑制できる。
【0061】
（１－９）封止樹脂４０の凹部４７は、第１～第４素子側面２３～２６の一部を露出するように構成されている。
この構成によれば、半導体装置１０が回路基板ＣＢに実装する際に第２電極ＣＢ２に塗布されたはんだペーストＳＤと半導体素子２０との接触面積が大きくなるため、半導体素子２０の熱が回路基板ＣＢにさらに移動しやすくすることができる。
この構成によれば、半導体装置１０が回路基板ＣＢに実装する際に第２電極ＣＢ２に塗布されたはんだペーストＳＤと半導体素子２０との接触面積が大きくなるため、半導体素子２０の熱が回路基板ＣＢにさらに移動しやすくすることができる。
【0062】
＜第２実施形態＞
図１３を参照して、第２実施形態の半導体装置１０について説明する。第２実施形態の半導体装置１０では、第１実施形態の半導体装置１０と比較して、半導体素子２０の裏面電極２９の構成が主に異なる。以下の説明では、第１実施形態と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図１３を参照して、第２実施形態の半導体装置１０について説明する。第２実施形態の半導体装置１０では、第１実施形態の半導体装置１０と比較して、半導体素子２０の裏面電極２９の構成が主に異なる。以下の説明では、第１実施形態と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0063】
図１３に示すように、半導体装置１０の裏面電極２９は、裏面電極層２９Ａと、裏面電極板２９Ｂとの積層構造によって構成されている。より詳細には、裏面電極層２９Ａの裏面２９ＡＡに裏面電極板２９Ｂが設けられている。裏面電極板２９Ｂは、たとえば共晶結合によって裏面電極層２９Ａに接合されている。
【0064】
裏面電極層２９Ａは、第１実施形態の裏面電極２９に対応している。裏面電極層２９Ａは、たとえばめっき層によって形成されている。裏面電極層２９Ａは、半導体素子２０の第１～第４素子側面２３～２６に対応する側面２９ＳＡを含む。裏面電極層２９Ａの側面２９ＳＡは、第１～第４素子側面２３～２６と面一である。
【0065】
裏面電極板２９Ｂは、たとえば銅を含む材料によって形成されている。裏面電極板２９Ｂは、たとえば銅板によって形成されている。裏面電極板２９ＢのＸ方向およびＹ方向の寸法は、裏面電極層２９ＡのＸ方向およびＹ方向の寸法と等しい。裏面電極板２９Ｂの厚さ（Ｚ方向の寸法）は、裏面電極層２９Ａの厚さ（Ｚ方向の寸法）よりも厚い。
【0066】
裏面電極板２９Ｂは、半導体素子２０の第１～第４素子側面２３～２６に対応する側面２９ＳＢを含む。裏面電極板２９Ｂの側面２９ＳＢは、裏面電極層２９Ａの側面２９ＳＡと面一である。このため、第１～第４素子側面２３～２６、裏面電極層２９Ａの側面２９ＳＡ、および裏面電極板２９Ｂの側面２９ＳＢは互いに面一になるといえる。
【0067】
第２実施形態の裏面電極２９の厚さ（Ｚ方向の寸法）は、表面電極２８の厚さ（Ｚ方向の寸法）よりも厚い。一例では、裏面電極２９の厚さは、表面電極２８の厚さの１０倍以上である。一例では、裏面電極２９の厚さは、表面電極２８の厚さの５０倍以上である。裏面電極２９の厚さは、表面電極２８の厚さの１００倍程度である。裏面電極２９が厚くなることにともない、第２実施形態では、半導体素子２０の厚さ（Ｚ方向の寸法）が導電層３０の厚さ（Ｚ方向の寸法）以上になってもよい。なお、図１３では、図面の理解を容易にするため、表面電極２８、裏面電極層２９Ａ、および裏面電極板２９Ｂの厚さ関係を実際の厚さ関係とは異なる態様で示している。
【0068】
一例では、凹部４７は、裏面電極層２９Ａおよび裏面電極板２９Ｂの双方の側面２９ＳＡ，２９ＳＢを露出するように構成されている。第２実施形態では、凹部４７は、裏面電極板２９Ｂの側面２９ＳＢのＺ方向の全体、および裏面電極層２９Ａの側面２９ＳＡのＺ方向の全体を露出するように構成されている。このため、凹部４７は、裏面電極２９の側面２９Ｓの全体を露出するように構成されているともいえる。
【0069】
さらに、凹部４７は、半導体素子２０の第１素子側面２３および第２素子側面２４のうちＺ方向における裏面電極層２９Ａ寄りの一部を露出している。なお、図示していないが、凹部４７は、半導体素子２０の第３素子側面２５および第４素子側面２６（ともに図３参照）のうちＺ方向における裏面電極層２９Ａ寄りの一部を露出している。
【0070】
半導体素子２０の素子裏面２２は、第１実施形態と同様に、導電層３０の主面３１Ａよりも封止裏面４２寄りに位置している。一方、第２実施形態では、第１実施形態とは異なり、半導体素子２０の素子表面２１は、導電層３０の主面３１Ａよりも封止表面４１寄りに位置している。一例では、素子表面２１と導電層３０の主面３１ＡとのＺ方向の間の距離は、導電層３０の接続電極部３３の厚さ（Ｚ方向の寸法）よりも小さい。
【0071】
［効果］
第２実施形態の半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（２－１）半導体素子２０の裏面電極２９の厚さは、表面電極２８の厚さよりも厚い。この構成によれば、はんだペーストＳＤによって半導体装置１０が回路基板ＣＢ（図１２参照）に実装された状態において、はんだペーストＳＤが裏面電極２９と接合することによって合金化されたときに裏面電極２９の厚さ方向の全てがはんだペーストＳＤと合金化することを抑制できる。したがって、裏面電極２９の厚さ方向の全てがはんだペーストＳＤと合金化されたことに起因する裏面電極２９の剥がれの発生を抑制できる。
第２実施形態の半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（２－１）半導体素子２０の裏面電極２９の厚さは、表面電極２８の厚さよりも厚い。この構成によれば、はんだペーストＳＤによって半導体装置１０が回路基板ＣＢ（図１２参照）に実装された状態において、はんだペーストＳＤが裏面電極２９と接合することによって合金化されたときに裏面電極２９の厚さ方向の全てがはんだペーストＳＤと合金化することを抑制できる。したがって、裏面電極２９の厚さ方向の全てがはんだペーストＳＤと合金化されたことに起因する裏面電極２９の剥がれの発生を抑制できる。
【0072】
加えて、裏面電極板２９Ｂを裏面電極層２９Ａに接合することによって裏面電極２９を厚くする構成であるため、裏面電極板２９Ｂを用いずに裏面電極層２９Ａ自体を厚くする構成と比較して、半導体素子２０のコストを低減できる。
【0073】
＜第３実施形態＞
図１４および図１５を参照して、第３実施形態の半導体装置１０について説明する。第３実施形態の半導体装置１０では、第１実施形態の半導体装置１０と比較して、平面視における半導体素子２０の配置態様と、導電層３０の構成とが異なる。以下の説明では、第１実施形態と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。なお、図１５では、図面を容易に理解するため、導電層３０の接続電極部３３を二点鎖線で示している。
図１４および図１５を参照して、第３実施形態の半導体装置１０について説明する。第３実施形態の半導体装置１０では、第１実施形態の半導体装置１０と比較して、平面視における半導体素子２０の配置態様と、導電層３０の構成とが異なる。以下の説明では、第１実施形態と異なる点について詳細に説明し、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。なお、図１５では、図面を容易に理解するため、導電層３０の接続電極部３３を二点鎖線で示している。
【0074】
図１４に示すように、半導体素子２０は、平面視において、Ｘ方向（第２方向）およびＹ方向（第１方向）の双方に対して傾斜した四辺によって構成されている。半導体素子２０の第１～第４素子側面２３～２６は、平面視においてＸ方向およびＹ方向の双方に対して傾斜しているといえる。一例では、平面視においてＸ方向およびＹ方向の双方に対する第１～第４素子側面２３～２６の傾斜角度はそれぞれ４５°である。
【0075】
ワイヤＷは、たとえば表面電極２８のうち第４素子側面２６寄りの端部に接合されている。つまり、ワイヤＷは、表面電極２８のうち第１導電層３０Ａに近い方の端部に接合されている。これにより、平面視において、ワイヤＷの長さを短くすることができる。
【0076】
図１５に示すように、第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂの双方は、平面視において封止樹脂４０の凹部４７を避けるように凹む導電層側凹部３５Ａ，３５Ｂを含む。導電層側凹部３５Ａは第１導電層３０ＡのＸ方向の中央に形成され、導電層側凹部３５Ｂは第２導電層３０ＢのＸ方向の中央に形成されている。導電層側凹部３５Ａ，３５Ｂは、Ｚ方向において第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂの端子部３２の裏面３１Ｂ寄りの端部に少なくとも設けられている。導電層側凹部３５Ａ，３５Ｂは、Ｚ方向において端子部３２の全体にわたり設けられていてもよい。一方、導電層側凹部３５Ａ，３５Ｂは接続電極部３３には設けられていない。
【0077】
平面視において、導電層側凹部３５Ａ，３５Ｂは、湾曲状に形成されている。一例では、導電層側凹部３５Ａ，３５Ｂの曲率半径は、封止樹脂４０の凹部４７の曲率半径よりも大きい。導電層側凹部３５Ａ，３５Ｂは、平面視において凹部４７と同心円となるように形成されていてもよい。
【0078】
第３実施形態では、第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂは、第１実施形態よりもＹ方向において半導体素子２０の近くに配置されている。このため、平面視において、凹部４７は、接続電極部３３と重なる部分を含む。図１５に示す例では、平面視において、凹部４７のＹ方向の両端部は、接続電極部３３と重なる位置に設けられている。
【0079】
なお、第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂの位置は任意に変更可能である。一例では、第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂは、平面視において接続電極部３３が凹部４７と重ならないように配置されていてもよい。
【0080】
［効果］
第３実施形態の半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（３－１）第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂは、平面視において封止樹脂４０の凹部４７を避けるように凹む導電層側凹部３５Ａ，３５Ｂを含む。この構成によれば、半導体素子２０の裏面電極２９と第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂのめっき層３４とのＹ方向の間の距離を確保しつつ、半導体素子２０と第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０ＢとのＹ方向の間の距離を小さくすることができる。したがって、半導体装置１０の小型化を図ることができる。
第３実施形態の半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（３－１）第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂは、平面視において封止樹脂４０の凹部４７を避けるように凹む導電層側凹部３５Ａ，３５Ｂを含む。この構成によれば、半導体素子２０の裏面電極２９と第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂのめっき層３４とのＹ方向の間の距離を確保しつつ、半導体素子２０と第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０ＢとのＹ方向の間の距離を小さくすることができる。したがって、半導体装置１０の小型化を図ることができる。
【0081】
＜変更例＞
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記各実施形態および以下の各変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。なお、図１６、図１８、および図１９では、図面を容易に理解するため、接続電極部３３を二点鎖線で示している。
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記各実施形態および以下の各変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。なお、図１６、図１８、および図１９では、図面を容易に理解するため、接続電極部３３を二点鎖線で示している。
【0082】
・第１実施形態において、図１６に示すように、第３実施形態の導電層側凹部３５Ａ，３５Ｂを含む第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂが用いられていてもよい。この構成によれば、第３実施形態の（３－１）の効果と同様の効果が得られる。なお、第２実施形態において、第３実施形態の導電層側凹部３５Ａ，３５Ｂを含む第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂが用いられていてもよい。
【0083】
・第２実施形態において、封止樹脂４０の凹部４７は、半導体素子２０の第１～第４素子側面２３～２６を露出せず、裏面電極２９を露出する構成であってもよい。また、封止樹脂４０の凹部４７は、裏面電極２９のうち裏面電極層２９Ａを露出せず、裏面電極板２９Ｂを露出する構成であってもよい。
【0084】
・第１および第２実施形態において、平面視における半導体素子２０の形状は任意に変更可能である。一例では、図１７に示すように、平面視における半導体素子２０の形状は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状であってもよい。この場合、半導体素子２０の発光部２７および表面電極２８は、半導体素子２０の長手方向（Ｘ方向）において互いに離隔して形成されている。図１７の例では、表面電極２８は、素子表面２１のＸ方向の両端部のうち第３素子側面２５寄りの端部に設けられている。ワイヤＷは、表面電極２８のＹ方向の両端部のうち第１導電層３０Ａに近い方の端部に接合されている。
【0085】
図１８に示すように、封止樹脂４０の凹部４７は、平面視において半導体素子２０の対角線の長さを直径する円形に形成されている。このため、平面視において凹部４７の周面４７Ａと半導体素子２０の第１素子側面２３とのＸ方向の間の最大距離は、凹部４７の周面４７Ａと第３素子側面２５とのＹ方向の間の最大距離よりも大きい。平面視において凹部４７の周面４７Ａと半導体素子２０の第２素子側面２４とのＸ方向の間の最大距離は、凹部４７の周面４７Ａと第３素子側面２５とのＹ方向の間の最大距離よりも大きい。平面視において凹部４７の周面４７Ａと半導体素子２０の第１素子側面２３とのＸ方向の間の最大距離は、凹部４７の周面４７Ａと第４素子側面２６とのＹ方向の間の最大距離よりも大きい。平面視において凹部４７の周面４７Ａと半導体素子２０の第２素子側面２４とのＸ方向の間の最大距離は、凹部４７の周面４７Ａと第４素子側面２６とのＹ方向の間の最大距離よりも大きい。
【0086】
図１８に示す例では、第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂは、第３実施形態と同様に導電層側凹部３５Ａ，３５Ｂを含む。これにより、第３実施形態の（３－１）の効果と同様の効果が得られる。
【0087】
・第３実施形態において、第２実施形態の半導体素子２０が用いられていてもよい。
・上記各実施形態において、平面視における封止樹脂４０の凹部４７の大きさは任意に変更可能である。
・上記各実施形態において、平面視における封止樹脂４０の凹部４７の大きさは任意に変更可能である。
【0088】
第１例では、図１９に示すように、平面視における凹部４７は、その周面４７Ａが第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４から十分に離れるような直径を有してもよい。この場合、凹部４７は、半導体素子２０の裏面電極２９の側面２９Ｓのうち第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４もＺ方向において全体的に露出するように構成されている。つまり、凹部４７によって、裏面電極２９の側面２９Ｓの長さ方向の全体が、Ｚ方向において全体的に露出している。換言すると、凹部４７によって、裏面電極２９の側面２９Ｓの全面が露出している。これにより、はんだペーストＳＤと裏面電極２９の側面２９Ｓとの接合面積が増大するため、半導体素子２０の熱が回路基板ＣＢに移動しやすくなる。
【0089】
また、図１９に示す例では、第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂは、第３実施形態と同様に導電層側凹部３５Ａ，３５Ｂを含む。これにより、第３実施形態の（３－１）の効果と同様の効果が得られる。
【0090】
第２例では、図２０に示すように、平面視における凹部４７は、半導体素子２０の対角線の長さよりも小さい直径を有してもよい。この場合、凹部４７は、裏面電極２９の側面２９Ｓのうち第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４を露出していない。つまり、裏面電極２９の側面２９Ｓのうち第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４は、封止樹脂４０によって覆われている。裏面電極２９の側面２９Ｓの長さ方向のうち第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４寄りの部分は、凹部４７によってＺ方向に部分的に露出している。裏面電極２９の側面２９Ｓの長さ方向において第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４に近づくにつれてＺ方向に露出する部分が小さくなる。一方、裏面電極２９の側面２９Ｓの長さ方向の中央部は、凹部４７によってＺ方向において全体的に露出している。
【0091】
また、図２０の例では、裏面電極２９の裏面（素子裏面２２）のうち第１～第４コーナ部分Ｃ１～Ｃ４に対応する四隅は、封止樹脂４０によって覆われている。つまり、素子裏面２２は、部分的に封止樹脂４０から露出しており、素子裏面２２の全面が封止樹脂４０から露出している構成ではない。換言すると、裏面電極２９の裏面は、部分的に封止樹脂４０から露出しており、裏面電極２９の裏面全体が封止樹脂４０から露出している構成ではない。
【0092】
・上記各実施形態では、裏面電極２９の側面２９Ｓの長さ方向の中央部は、凹部４７によってＺ方向において全体的に露出していたが、これに限られない。一例では、裏面電極２９の側面２９Ｓの長さ方向の中央部は、凹部４７によってＺ方向において部分的に露出していてもよい。この場合、裏面電極２９の側面２９Ｓの長さ方向の両端部は、凹部４７によって露出してなくてもよい。
【0093】
・上記各実施形態において、封止樹脂４０の凹部４７の形状は任意に変更可能である。一例では、図２１に示すように、凹部４７は、底面４７Ｂと、底面４７Ｂと封止樹脂４０の封止裏面４２とを繋ぐ側面４７Ｃと、を含む。一例では、底面４７Ｂは、Ｚ方向と直交する平面である。図２１の例では、裏面電極２９の側面２９Ｓは封止樹脂４０によって覆われている。封止樹脂４０は裏面電極２９の側面２９Ｓに接している。裏面電極２９の裏面（素子裏面２２）は、凹部４７の底面４７Ｂと面一である。
【0094】
図２２に示すように、平面視における凹部４７の形状は、矩形状である。一例では、平面視における凹部４７の形状は正方形である。平面視において、凹部４７のＸ方向およびＹ方向の寸法は、半導体素子２０のＸ方向およびＹ方向の寸法よりも大きい。このような凹部４７は、たとえばペースト状のダイボンディング材８１０（図８参照）に代えて、シート状のダイボンディング材を用いることによって形成される。シート状のダイボンディング材は、たとえば平面視において矩形状に形成されている。一例では、シート状のダイボンディング材は、平面視において正方形に形成されている。このシート状のダイボンディング材が封止樹脂４０から除去されることによって、図２２に示される凹部４７が形成される。
【0095】
なお、平面視におけるシート状のダイボンディング材の大きさ（Ｘ方向の寸法およびＹ方向の寸法）は、任意に変更可能である。一例では、シート状のダイボンディング材は、平面視において半導体素子２０と同じ大きさとすることができる。また、シート状のダイボンディング材が平面視において半導体素子２０よりも大きい場合、シート状のダイボンディング材が半導体素子２０からはみ出す部分の長さが異なってもよい。一例では、平面視において、シート状のダイボンディング材が半導体素子２０の第３素子側面２５および第４素子側面２６からはみ出す部分のＸ方向の長さは、半導体素子２０の第１素子側面２３および第２素子側面２４からはみ出す部分のＹ方向の長さよりも長くてもよい。
【0096】
・上記各実施形態において、凹部４７の周面４７Ａは、その一部が、平面視において第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂの少なくとも一方の接続電極部３３と重なるように形成されていてもよい。一例では、凹部４７の周面４７Ａは、その一部が、平面視において第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂの双方の接続電極部３３と重なるように形成されている。
【0097】
・上記各実施形態において、第２導電層３０Ｂと半導体素子２０とのＹ方向の間の距離が第１導電層３０Ａと半導体素子２０とのＹ方向の間の距離よりも小さくてもよい。この構成によれば、半導体装置１０の小型化を図ることができる。
【0098】
・上記各実施形態において、半導体素子２０の素子表面２１のＺ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、第１～第３実施形態において、素子表面２１は、導電層３０の主面３１ＡとＺ方向において同じ位置であってもよい。また一例では、第１および第３実施形態において、素子表面２１は、Ｚ方向において導電層３０の主面３１Ａよりも封止表面４１寄りに位置していてもよい。また一例では、第２実施形態において、素子表面２１は、Ｚ方向において導電層３０の主面３１Ａよりも封止裏面４２寄りに位置していてもよい。
【0099】
・上記各実施形態において、半導体素子２０の素子裏面２２のＺ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、半導体素子２０の素子裏面２２は、導電層３０の主面３１Ａと同じ位置、または主面３１Ａよりも封止表面４１寄りに位置していてもよい。この場合においても半導体素子２０の素子裏面２２は、凹部４７によって露出している。
【0100】
・上記各実施形態において、半導体素子２０の厚さ（Ｚ方向の寸法）は任意に変更可能である。一例では、第１および第３実施形態において、半導体素子２０の厚さは、導電層３０の厚さ（Ｚ方向の寸法）以上であってもよい。一例では、第２実施形態において、半導体素子２０の厚さは、導電層３０の厚さよりも薄くてもよい。
【0101】
・上記各実施形態において、導電層３０からめっき層３４を省略してもよい。
・上記各実施形態において、導電層３０の端子部３２の裏面３１ＢのＺ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、端子部３２の裏面３１Ｂは、封止樹脂４０の封止裏面４２よりも封止表面４１寄りに位置していてもよい。また、端子部３２は、封止裏面４２からＺ方向に突出していてもよい。
・上記各実施形態において、導電層３０の端子部３２の裏面３１ＢのＺ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、端子部３２の裏面３１Ｂは、封止樹脂４０の封止裏面４２よりも封止表面４１寄りに位置していてもよい。また、端子部３２は、封止裏面４２からＺ方向に突出していてもよい。
【0102】
・上記各実施形態において、導電層３０はリードフレームに限られない。一例では、導電層３０は、導電性のシート材によって形成されていてもよい。
・上記各実施形態では、導電層３０が第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂから構成されたが、これに限られない。一例では、導電層３０から第２導電層３０Ｂを省略してもよい。
・上記各実施形態では、導電層３０が第１導電層３０Ａおよび第２導電層３０Ｂから構成されたが、これに限られない。一例では、導電層３０から第２導電層３０Ｂを省略してもよい。
【0103】
・上記各実施形態において、ワイヤＷの頂点ＷＰのＹ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、ワイヤＷの頂点ＷＰは、第１接合部Ｗ１よりも第２接合部Ｗ２寄りに位置していてもよい。この場合、第２接合部Ｗ２がファーストボンド部となり、第１接合部Ｗ１がセカンドボンド部となる。
【0104】
・上記各実施形態において、封止樹脂４０の材料は任意に変更可能である。一例では、封止樹脂４０は、フィラー等の拡散材が含まれていてもよい。また、半導体素子２０がＶＣＳＥＬおよびＬＥＤ等の半導体発光素子以外の素子であれば、封止樹脂４０は、遮光性を有する材料によって形成されていてもよい。
【0105】
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、「ＡがＢ上に形成される」という表現は、上記各実施形態ではＡがＢに接触してＢ上に直接配置され得るが、変更例として、ＡがＢに接触することなくＢの上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、ＡとＢとの間に他の部材が形成される構造を排除しない。
【0106】
本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えば、Ｘ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。
【0107】
＜付記＞
上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載した構成について実施形態中の対応する符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各符号に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載した構成について実施形態中の対応する符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各符号に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0108】
［付記Ａ１］
封止表面（４１）と、前記封止表面（４１）とは反対側を向く封止裏面（４２）とを有する封止樹脂（４０）と、
前記封止樹脂（４０）内に設けられ、前記封止裏面（４２）から露出する端子部（３２）を含む導電層（３０）と、
前記封止樹脂（４０）内に設けられ、前記封止表面（４１）と同じ側を向く素子表面（２１）と、前記封止裏面（４２）と同じ側を向く素子裏面（２２）とを有し、前記導電層（３０）と電気的に接続された半導体素子（２０）と、
を備え、
前記封止樹脂（４０）は、前記封止裏面（４２）に設けられ、前記半導体素子（２０）の前記素子裏面（２２）を露出する凹部（４７）を有する
半導体装置（１０）。
封止表面（４１）と、前記封止表面（４１）とは反対側を向く封止裏面（４２）とを有する封止樹脂（４０）と、
前記封止樹脂（４０）内に設けられ、前記封止裏面（４２）から露出する端子部（３２）を含む導電層（３０）と、
前記封止樹脂（４０）内に設けられ、前記封止表面（４１）と同じ側を向く素子表面（２１）と、前記封止裏面（４２）と同じ側を向く素子裏面（２２）とを有し、前記導電層（３０）と電気的に接続された半導体素子（２０）と、
を備え、
前記封止樹脂（４０）は、前記封止裏面（４２）に設けられ、前記半導体素子（２０）の前記素子裏面（２２）を露出する凹部（４７）を有する
半導体装置（１０）。
【0109】
［付記Ａ２］
前記半導体素子（２０）は、
前記素子表面（２１）の一部を構成し、前記導電層（３０）と電気的に接続された表面電極（２８）と、
前記素子裏面（２２）の少なくとも一部を構成する裏面電極（２９）と、
を有する
付記Ａ１に記載の半導体装置。
前記半導体素子（２０）は、
前記素子表面（２１）の一部を構成し、前記導電層（３０）と電気的に接続された表面電極（２８）と、
前記素子裏面（２２）の少なくとも一部を構成する裏面電極（２９）と、
を有する
付記Ａ１に記載の半導体装置。
【0110】
［付記Ａ３］
前記導電層（３０）は、前記封止表面（４１）と同じ側を向く主面（３１Ａ）を有し、
前記素子裏面（２２）は、前記主面（３１Ａ）よりも前記封止裏面（４２）寄りに位置している
付記Ａ１またはＡ２に記載の半導体装置。
前記導電層（３０）は、前記封止表面（４１）と同じ側を向く主面（３１Ａ）を有し、
前記素子裏面（２２）は、前記主面（３１Ａ）よりも前記封止裏面（４２）寄りに位置している
付記Ａ１またはＡ２に記載の半導体装置。
【0111】
［付記Ａ４］
前記素子表面（２１）は、前記主面（３１Ａ）よりも前記封止裏面（４２）寄りに位置している
付記Ａ３に記載の半導体装置。
前記素子表面（２１）は、前記主面（３１Ａ）よりも前記封止裏面（４２）寄りに位置している
付記Ａ３に記載の半導体装置。
【0112】
［付記Ａ５］
前記半導体素子（２０）は、前記素子表面（２１）の一部を構成し、前記導電層（３０）と電気的に接続された表面電極（２８）を有し、
前記表面電極（２８）と前記導電層（３０）とはボンディングワイヤ（Ｗ）によって接続されており、
前記ボンディングワイヤ（Ｗ）のうち前記封止表面（４１）に最も近い頂点（ＷＰ）は、平面視において前記表面電極（２８）との第１接合部（Ｗ１）と、前記導電層（３０）との第２接合部（Ｗ２）との間のうち前記第１接合部（Ｗ１）寄りに設けられている
付記Ａ４に記載の半導体装置。
前記半導体素子（２０）は、前記素子表面（２１）の一部を構成し、前記導電層（３０）と電気的に接続された表面電極（２８）を有し、
前記表面電極（２８）と前記導電層（３０）とはボンディングワイヤ（Ｗ）によって接続されており、
前記ボンディングワイヤ（Ｗ）のうち前記封止表面（４１）に最も近い頂点（ＷＰ）は、平面視において前記表面電極（２８）との第１接合部（Ｗ１）と、前記導電層（３０）との第２接合部（Ｗ２）との間のうち前記第１接合部（Ｗ１）寄りに設けられている
付記Ａ４に記載の半導体装置。
【0113】
［付記Ａ６］
前記凹部（４７）は、前記裏面電極（２９）の側面（２９Ｓ）を露出するように構成されている
付記Ａ２～Ａ５のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記凹部（４７）は、前記裏面電極（２９）の側面（２９Ｓ）を露出するように構成されている
付記Ａ２～Ａ５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0114】
［付記Ａ７］
前記凹部（４７）は、平面視において円形に形成されている
付記Ａ１～Ａ６のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記凹部（４７）は、平面視において円形に形成されている
付記Ａ１～Ａ６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0115】
［付記Ａ８］
前記裏面電極（２９）は、前記素子裏面（２２）の全体を構成している
付記Ａ２に記載の半導体装置。
前記裏面電極（２９）は、前記素子裏面（２２）の全体を構成している
付記Ａ２に記載の半導体装置。
【0116】
［付記Ａ９］
前記裏面電極（２９）の厚さは、前記表面電極（２８）の厚さよりも厚い
付記Ａ２またはＡ８に記載の半導体装置。
前記裏面電極（２９）の厚さは、前記表面電極（２８）の厚さよりも厚い
付記Ａ２またはＡ８に記載の半導体装置。
【0117】
［付記Ａ１０］
前記導電層（３０）は、
前記表面電極（２８）と電気的に接続された第１導電層（３０Ａ）と、
前記第１導電層（３０Ａ）から離隔して設けられた第２導電層（３０Ｂ）と、
を含み、
前記半導体素子（２０）は、前記第１導電層（３０Ａ）と前記第２導電層（３０Ｂ）との間に配置されている
付記Ａ２、Ａ８、およびＡ９のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記導電層（３０）は、
前記表面電極（２８）と電気的に接続された第１導電層（３０Ａ）と、
前記第１導電層（３０Ａ）から離隔して設けられた第２導電層（３０Ｂ）と、
を含み、
前記半導体素子（２０）は、前記第１導電層（３０Ａ）と前記第２導電層（３０Ｂ）との間に配置されている
付記Ａ２、Ａ８、およびＡ９のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0118】
［付記Ａ１１］
前記第１導電層（３０Ａ）および前記第２導電層（３０Ｂ）の少なくとも一方は、平面視において前記凹部（４７）を避けるように凹む導電層側凹部（３５Ａ，３５Ｂ）を含む
付記Ａ１０に記載の半導体装置。
前記第１導電層（３０Ａ）および前記第２導電層（３０Ｂ）の少なくとも一方は、平面視において前記凹部（４７）を避けるように凹む導電層側凹部（３５Ａ，３５Ｂ）を含む
付記Ａ１０に記載の半導体装置。
【0119】
［付記Ａ１２］
前記端子部（３２）の裏面（３１Ｂ）は、前記封止裏面（４２）と面一である
付記Ａ１～Ａ１１のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記端子部（３２）の裏面（３１Ｂ）は、前記封止裏面（４２）と面一である
付記Ａ１～Ａ１１のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0120】
［付記Ａ１３］
前記端子部（３２）の裏面（３１Ｂ）にはめっき層（３４）が形成されている
付記Ａ１～Ａ１２のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記端子部（３２）の裏面（３１Ｂ）にはめっき層（３４）が形成されている
付記Ａ１～Ａ１２のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0121】
［付記Ａ１４］
前記封止樹脂（４０）は、
平面視において第１方向（Ｙ方向）の両端面を構成する第１封止側面（４３）および第２封止側面（４４）と、
平面視において前記第１方向（Ｙ方向）と直交する第２方向（Ｘ方向）の両端面を構成する第３封止側面（４５）および第４封止側面（４６）と、
を有し、
前記半導体素子（２０）は、平面視において、前記第１方向（Ｙ方向）および前記第２方向（Ｘ方向）の双方に対して傾斜した四辺（２３～２６）によって構成されている
付記Ａ１～Ａ１３のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記封止樹脂（４０）は、
平面視において第１方向（Ｙ方向）の両端面を構成する第１封止側面（４３）および第２封止側面（４４）と、
平面視において前記第１方向（Ｙ方向）と直交する第２方向（Ｘ方向）の両端面を構成する第３封止側面（４５）および第４封止側面（４６）と、
を有し、
前記半導体素子（２０）は、平面視において、前記第１方向（Ｙ方向）および前記第２方向（Ｘ方向）の双方に対して傾斜した四辺（２３～２６）によって構成されている
付記Ａ１～Ａ１３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0122】
［付記Ａ１５］
前記半導体素子（２０）は、ＶＣＳＥＬである
付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記半導体素子（２０）は、ＶＣＳＥＬである
付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0123】
［付記Ａ１６］
前記導電層（３０）は、リードフレームである
付記Ａ１～Ａ１５のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記導電層（３０）は、リードフレームである
付記Ａ１～Ａ１５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0124】
［付記Ａ１７］
前記凹部（４７）は、
底面（４７Ｂ）と、
前記底面（４７Ｂ）と前記封止裏面（４２）とを繋ぐ側面（４７Ｃ）と、
を有し、
前記素子裏面（２２）は、前記底面（４７Ｂ）と面一である
付記Ａ１～Ａ１６のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記凹部（４７）は、
底面（４７Ｂ）と、
前記底面（４７Ｂ）と前記封止裏面（４２）とを繋ぐ側面（４７Ｃ）と、
を有し、
前記素子裏面（２２）は、前記底面（４７Ｂ）と面一である
付記Ａ１～Ａ１６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0125】
［付記Ａ１８］
前記導電層（３０）は、前記封止樹脂（４０）の厚さ方向（Ｚ方向）において前記封止裏面（４２）から離隔して設けられ、前記端子部（３１）から前記半導体素子（２０）に向けて延びる接続電極部（３３）を含み、
前記凹部（４７）は、平面視において前記接続電極部（３３）と重なる部分を含む
付記Ａ１～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記導電層（３０）は、前記封止樹脂（４０）の厚さ方向（Ｚ方向）において前記封止裏面（４２）から離隔して設けられ、前記端子部（３１）から前記半導体素子（２０）に向けて延びる接続電極部（３３）を含み、
前記凹部（４７）は、平面視において前記接続電極部（３３）と重なる部分を含む
付記Ａ１～Ａ１７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0126】
［付記Ａ１９］
前記半導体素子（２０）は、前記素子表面（２１）と前記素子裏面（２２）とを繋ぐ素子側面（２３～２６）を有し、
前記凹部（４７）は、前記素子側面の一部を露出するように構成されている
付記Ａ１～Ａ１８のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記半導体素子（２０）は、前記素子表面（２１）と前記素子裏面（２２）とを繋ぐ素子側面（２３～２６）を有し、
前記凹部（４７）は、前記素子側面の一部を露出するように構成されている
付記Ａ１～Ａ１８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0127】
［付記Ｂ１］
支持材（８００）上に導電層（３０）を配置する工程と、
前記支持材（８００）上に半導体素子（２０）を配置する工程と、
前記半導体素子（２０）と前記導電層（３０）とを接続するワイヤ（Ｗ）を形成する工程と、
前記導電層（３０）、前記半導体素子（２０）、および前記ワイヤ（Ｗ）を封止する封止樹脂（４０）を形成する工程と、
前記支持材（８００）を除去する工程と、
を備え、
前記支持材（８００）上に前記半導体素子（２０）を配置する工程は、
前記支持材（８００）上にダイボンディング材（８１０）を塗布する工程と、
前記ダイボンディング材（８１０）上に前記半導体素子（２０）を配置する工程と、
を含み、
前記支持材（８００）を除去する工程においては、前記支持材（８００）とともに前記ダイボンディング材（８１０）が除去される
半導体装置の製造方法。
支持材（８００）上に導電層（３０）を配置する工程と、
前記支持材（８００）上に半導体素子（２０）を配置する工程と、
前記半導体素子（２０）と前記導電層（３０）とを接続するワイヤ（Ｗ）を形成する工程と、
前記導電層（３０）、前記半導体素子（２０）、および前記ワイヤ（Ｗ）を封止する封止樹脂（４０）を形成する工程と、
前記支持材（８００）を除去する工程と、
を備え、
前記支持材（８００）上に前記半導体素子（２０）を配置する工程は、
前記支持材（８００）上にダイボンディング材（８１０）を塗布する工程と、
前記ダイボンディング材（８１０）上に前記半導体素子（２０）を配置する工程と、
を含み、
前記支持材（８００）を除去する工程においては、前記支持材（８００）とともに前記ダイボンディング材（８１０）が除去される
半導体装置の製造方法。
【0128】
［付記Ｂ２］
前記ダイボンディング材（８１０）は、ペースト状に形成されている
付記Ｂ１に記載の半導体装置の製造方法。
前記ダイボンディング材（８１０）は、ペースト状に形成されている
付記Ｂ１に記載の半導体装置の製造方法。
【0129】
以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
【符号の説明】
【0130】
１０…半導体装置
２０…半導体素子
２１…素子表面
２２…素子裏面
２３～２６…第１～第４素子側面
２７…発光部
２８…表面電極
２９…裏面電極
２９Ａ…裏面電極層
２９Ｂ…裏面電極板
２９ＡＡ…裏面
２９Ｓ，２９ＳＡ，２９ＳＢ…側面
３０…導電層
３０Ａ…第１導電層
３０Ｂ…第２導電層
３１Ａ…主面
３１Ｂ…裏面
３２…端子部
３３…接続電極部
３４…めっき層
３５Ａ，３５Ｂ…導電層側凹部
４０…封止樹脂
４１…封止表面
４２…封止裏面
４３～４６…第１～第４封止側面
４７…凹部
４７Ａ…周面
４７Ｂ…底面
４７Ｃ…側面
８００…支持材
８０１…表面
８１０…ダイボンディング材
Ｗ…ワイヤ
Ｗ１…第１接合部
Ｗ２…第２接合部
ＷＰ…頂点
Ｃ１～Ｃ４…第１～第４コーナ部分
ＣＢ…回路基板
ＣＢ１…第１電極
ＣＢ２…第２電極
ＣＢ３…第３電極
ＳＤ…はんだペースト
２０…半導体素子
２１…素子表面
２２…素子裏面
２３～２６…第１～第４素子側面
２７…発光部
２８…表面電極
２９…裏面電極
２９Ａ…裏面電極層
２９Ｂ…裏面電極板
２９ＡＡ…裏面
２９Ｓ，２９ＳＡ，２９ＳＢ…側面
３０…導電層
３０Ａ…第１導電層
３０Ｂ…第２導電層
３１Ａ…主面
３１Ｂ…裏面
３２…端子部
３３…接続電極部
３４…めっき層
３５Ａ，３５Ｂ…導電層側凹部
４０…封止樹脂
４１…封止表面
４２…封止裏面
４３～４６…第１～第４封止側面
４７…凹部
４７Ａ…周面
４７Ｂ…底面
４７Ｃ…側面
８００…支持材
８０１…表面
８１０…ダイボンディング材
Ｗ…ワイヤ
Ｗ１…第１接合部
Ｗ２…第２接合部
ＷＰ…頂点
Ｃ１～Ｃ４…第１～第４コーナ部分
ＣＢ…回路基板
ＣＢ１…第１電極
ＣＢ２…第２電極
ＣＢ３…第３電極
ＳＤ…はんだペースト
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】