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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024081494
(43)【公開日】2024-06-18
(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20240611BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 V
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022195164
(22)【出願日】2022-12-06
(71)【出願人】
【識別番号】000004260
【氏名又は名称】株式会社デンソー
(71)【出願人】
【識別番号】000003207
【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】520124752
【氏名又は名称】株式会社ミライズテクノロジーズ
(74)【代理人】
【識別番号】110000110
【氏名又は名称】弁理士法人 快友国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】南雲 裕司
(72)【発明者】
【氏名】植茶 雅史
(72)【発明者】
【氏名】奥田 勝
【テーマコード（参考）】
5F063
【Ｆターム（参考）】
5F063AA05
5F063BA07
5F063BA20
5F063BA22
5F063BA45
5F063CB03
5F063CB05
5F063CB13
5F063CB19
5F063CB22
5F063CB28
5F063DD04
5F063DD78
5F063DG06
(57)【要約】 （修正有）
【課題】スクライブアンドブレイク工法を利用して、電極層が形成されている半導体基板を適切に分割する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板２の第１表面２ａを覆う電極層である金属膜８の表面に溝Ｇを形成する工程と、溝Ｇの底面にスクライビングホイール３３を押し当てることによって、半導体基板２の厚み方向に延びるクラック５を半導体基板２に形成する工程と、クラック５を形成する工程の後に、第１表面２ａの反対側に位置する半導体基板２の第２表面２ｂに溝に沿って分割部材であるブレイクプレートを押し当てることによって半導体基板２を分割する工程と、を備える。
【選択図】図６
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板２の第１表面２ａを覆う電極層である金属膜８の表面に溝Ｇを形成する工程と、溝Ｇの底面にスクライビングホイール３３を押し当てることによって、半導体基板２の厚み方向に延びるクラック５を半導体基板２に形成する工程と、クラック５を形成する工程の後に、第１表面２ａの反対側に位置する半導体基板２の第２表面２ｂに溝に沿って分割部材であるブレイクプレートを押し当てることによって半導体基板２を分割する工程と、を備える。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体装置の製造方法であって、
半導体基板（２）の第１表面（２ａ）を覆う電極層（８）の表面に溝（Ｇ）を形成する工程と、
前記溝の底面にスクライビングホイール（３３）を押し当てることによって、前記半導体基板の厚み方向に延びるクラック（５）を前記半導体基板に形成する工程と、
前記クラックを形成する前記工程の後に、前記第１表面の反対側に位置する前記半導体基板の第２表面（２ｂ）に前記溝に沿って分割部材（３５）を押し当てることによって前記半導体基板を分割する工程と、
を備える、製造方法。
半導体基板（２）の第１表面（２ａ）を覆う電極層（８）の表面に溝（Ｇ）を形成する工程と、
前記溝の底面にスクライビングホイール（３３）を押し当てることによって、前記半導体基板の厚み方向に延びるクラック（５）を前記半導体基板に形成する工程と、
前記クラックを形成する前記工程の後に、前記第１表面の反対側に位置する前記半導体基板の第２表面（２ｂ）に前記溝に沿って分割部材（３５）を押し当てることによって前記半導体基板を分割する工程と、
を備える、製造方法。
【請求項2】
前記スクライビングホイールの先端角度（Ａ２）は、前記溝に直交する断面において前記溝の２箇所の上端のそれぞれと前記溝の下端とを結ぶ２個の直線によって画定される角度（Ａ１）よりも小さい、請求項１に記載の製造方法。
【請求項3】
前記スクライビングホイールが第１スクライビングホイール（３３）であり、
前記溝を形成する前記工程では、第２スクライビングホイール（３２）を前記電極層に押し当てることによって前記溝を形成する、
請求項１又は２に記載の製造方法。
前記溝を形成する前記工程では、第２スクライビングホイール（３２）を前記電極層に押し当てることによって前記溝を形成する、
請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項4】
前記第１スクライビングホイールの先端角度（Ａ２）は、前記第２スクライビングホイールの先端角度（Ａ１）よりも小さい、請求項３に記載の製造方法。
【請求項5】
前記第１スクライビングホイールが、第１支持具（１３３ａ）によって回転可能に支持されており、
前記第２スクライビングホイールが、第２支持具（１３２ａ）によって回転可能に支持されており、
前記第１スクライビングホイールの回転軸に沿う方向における前記第１支持具に対する遊び（Ｃ２）が、前記第２スクライビングホイールの回転軸に沿う方向における前記第２支持具に対する遊び（Ｃ１）よりも大きい、
請求項３に記載の製造方法。
前記第２スクライビングホイールが、第２支持具（１３２ａ）によって回転可能に支持されており、
前記第１スクライビングホイールの回転軸に沿う方向における前記第１支持具に対する遊び（Ｃ２）が、前記第２スクライビングホイールの回転軸に沿う方向における前記第２支持具に対する遊び（Ｃ１）よりも大きい、
請求項３に記載の製造方法。
【請求項6】
前記半導体基板はＳｉＣにより構成されている、請求項１又は２に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書が開示する技術は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の製造方法の工程の中に、複数の素子構造が形成された半導体基板を個片化する工程がある。特許文献１には、スクライブアンドブレイクという工法について開示されている。この工法では、まず、半導体基板の電極層が形成されている面にスクライビングホイールを押し当てて、半導体基板の厚み方向（以下、単に厚み方向という）に荷重をかけることによって、当該境界に沿って、半導体基板に厚み方向に沿って伸びるクラックを形成する。次に、境界に沿って分割部材を押し当てることによって、上記のクラックを起点として、境界に沿って半導体基板を分割して個片化する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－１９３７４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体基板の表面に電極層が設けられている場合がある。このような半導体基板の電極層にスクライビングホイールを押し当てると、電極層が比較的柔らかいので、荷重が分散する。したがって、半導体基板に厚み方向に沿って伸びるクラックを適切に形成できず、厚み方向以外の方向にクラックが形成されてしまうおそれがある。この場合、その後に半導体基板を個片化すると、クラックが個片化された半導体装置に残存してしまう。本明細書では、スクライブアンドブレイク工法を利用して、電極層が形成されている半導体基板を適切に分割する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本明細書は、半導体装置の製造方法を開示する。製造方法は、半導体基板（２）の第１表面（２ａ）を覆う電極層（８）の表面に溝（Ｇ）を形成する工程と、前記溝の底面にスクライビングホイール（３３）を押し当てることによって、前記半導体基板の厚み方向に延びるクラック（５）を前記半導体基板に形成する工程と、前記クラックを形成する前記工程の後に、前記第１表面の反対側に位置する前記半導体基板の第２表面（２ｂ）に前記溝に沿って分割部材（３５）を押し当てることによって前記半導体基板を分割する工程と、を備える。
【0006】
この製造方法では、まず、半導体基板の第１表面に設けられる電極層に、溝を形成する。その後、溝の底面にスクライビングホイールを押し当てて、半導体基板にクラックを形成する。このように、溝に沿ってスクライビングホイールが押し当てられるので、電極層によって荷重が分散されない。この結果、半導体基板に厚み方向に沿って伸びるクラックを適切に形成することができる。その後、第２表面側から分割部材を押し当てることによって、半導体基板を分割する。このように、上記の製造方法では、半導体基板に厚み方向に沿って伸びるクラックを適切に形成することができるので、電極層が形成されている半導体基板を適切に分割することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】半導体基板の平面図である。
【図2】支持板貼り付け工程を説明するための図である。
【図3】クラックが形成される前の研削工程を説明するための図である。
【図4】電極形成工程を説明するための図である。
【図5】溝形成工程を説明するための図である。
【図6】クラック形成工程を説明するための図である。
【図7】実施例１のクラックが形成される様子を説明するための図である。
【図8】ダイシングテープ貼り付け工程を説明するための図である。
【図9】支持板剥離工程を説明するための図である。
【図10】保護部材被覆工程を説明するための図である。
【図11】分割工程を説明するための図である。
【図12】ピックアップ工程を説明するための図である。
【図13】実施例２のクラックが形成される様子を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
本明細書が開示する一例の製造方法では、前記スクライビングホイールの先端角度（Ａ２）は、前記溝に直交する断面において前記溝の２箇所の上端のそれぞれと前記溝の下端とを結ぶ２個の直線によって画定される角度（Ａ１）よりも小さくてもよい。
【0009】
この構成によれば、スクライビングホイールが電極層に接触し難く、より適切に厚み方向に沿って伸びるクラックを形成できる。
【0010】
本明細書が開示する一例の製造方法では、前記第１スクライビングホイールが、第１支持具（１３３ａ）によって回転可能に支持されており、前記第２スクライビングホイールが、第２支持具（１３２ａ）によって回転可能に支持されており、前記第１スクライビングホイールの回転軸に沿う方向における前記第１支持具に対する遊び（Ｃ２）が、前記第２スクライビングホイールの回転軸に沿う方向における前記第２支持具に対する遊び（Ｃ１）よりも大きくてもよい。
【0011】
この構成によれば、第１スクライビングホイールが溝に追随して移動し易い。したがって、第１スクライビングホイールの移動経路が溝からずれることを抑制できる。
【0012】
（実施例１）
図面を参照して実施例１の製造方法を説明する。図１は、複数の素子領域３がマトリクス状に形成された半導体基板２の平面図である。図１では、各素子領域３を実線により模式的に示している。説明の便宜上、隣り合う素子領域３の間の境界であって、後に半導体基板２を個々の素子領域３に分割する際の分割により得られる個々の素子領域（半導体装置）の端辺となる線を分割予定線４と称する。分割予定線４は、実際に半導体基板２の上に記された線ではなく、仮想的な線である。分割予定線４は、目視できるように、実際に半導体基板２の上に描かれた線や溝であってもよい。各素子領域３には、トランジスタやダイオード等の機能を有する半導体素子が形成されている。
図面を参照して実施例１の製造方法を説明する。図１は、複数の素子領域３がマトリクス状に形成された半導体基板２の平面図である。図１では、各素子領域３を実線により模式的に示している。説明の便宜上、隣り合う素子領域３の間の境界であって、後に半導体基板２を個々の素子領域３に分割する際の分割により得られる個々の素子領域（半導体装置）の端辺となる線を分割予定線４と称する。分割予定線４は、実際に半導体基板２の上に記された線ではなく、仮想的な線である。分割予定線４は、目視できるように、実際に半導体基板２の上に描かれた線や溝であってもよい。各素子領域３には、トランジスタやダイオード等の機能を有する半導体素子が形成されている。
【0013】
半導体基板２は、炭化シリコン（ＳｉＣ）により構成されている。なお、半導体基板２は、シリコン（Ｓｉ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）等、他の半導体材料によって構成されていてもよい。図２等に示されるように、半導体基板２は、第１表面２ａと、第１表面２ａの裏側に位置する第２表面２ｂを有している。半導体基板２の第２表面２ｂには、主電極６（ソース電極、アノード電極等）が形成されている。
【0014】
実施例の製造方法は、支持板貼り付け工程、金属膜形成工程、溝形成工程、クラック形成工程、ダイシングテープ貼り付け工程、支持板剥離工程、保護部材被覆工程、分割工程を含む。
【0015】
（支持板貼り付け工程）
支持板貼り付け工程では、図２に示されるように、半導体基板２の第２表面２ｂに対して、支持板１２を貼り付ける。支持板１２は、接着剤１１を介して第２表面２ｂに貼り付けられる。支持板１２は、例えばガラスにより構成されている。接着剤１１は、例えばシリコン系接着剤であり、半導体基板２を支持板１２に接着する機能に加えて、半導体基板２の第２表面２ｂを保護する機能も有している。従って、ここでは、接着剤１１の厚さが主電極６の厚さよりも厚くなるように、接着剤１１が塗布される。その後、図３に示されるように、必要に応じて、半導体基板２の第１表面２ａを研削砥石３１により研削する。これにより、半導体基板２が薄板化される。
支持板貼り付け工程では、図２に示されるように、半導体基板２の第２表面２ｂに対して、支持板１２を貼り付ける。支持板１２は、接着剤１１を介して第２表面２ｂに貼り付けられる。支持板１２は、例えばガラスにより構成されている。接着剤１１は、例えばシリコン系接着剤であり、半導体基板２を支持板１２に接着する機能に加えて、半導体基板２の第２表面２ｂを保護する機能も有している。従って、ここでは、接着剤１１の厚さが主電極６の厚さよりも厚くなるように、接着剤１１が塗布される。その後、図３に示されるように、必要に応じて、半導体基板２の第１表面２ａを研削砥石３１により研削する。これにより、半導体基板２が薄板化される。
【0016】
（金属膜形成工程）
次に、図４に示される金属膜形成工程を実施する。金属膜形成工程では、半導体基板２の第１表面２ａに金属膜８を形成する。金属膜８を構成する材料は特に限定されないが、例えば、チタン、ニッケル及び金を積層した多層膜である。金属膜８は、第１表面２ａの略全域を覆うように形成される。すなわち、金属膜８は、複数の素子領域３に跨るように第１表面２ａ上に形成される。金属膜８は、完成した半導体装置の電極として機能する。
次に、図４に示される金属膜形成工程を実施する。金属膜形成工程では、半導体基板２の第１表面２ａに金属膜８を形成する。金属膜８を構成する材料は特に限定されないが、例えば、チタン、ニッケル及び金を積層した多層膜である。金属膜８は、第１表面２ａの略全域を覆うように形成される。すなわち、金属膜８は、複数の素子領域３に跨るように第１表面２ａ上に形成される。金属膜８は、完成した半導体装置の電極として機能する。
【0017】
（溝形成工程）
次に、図５に示される溝形成工程を実施する。溝形成工程では、金属膜８に対してスクライビングホイール３２を押し当てて、金属膜８に溝Ｇを形成する。スクライビングホイール３２は、円板形状の部材であり、その中心軸回りに回転可能に一対の支持具１３２aにより支持されている。具体的には、スクライビングホイール３２は中心孔（不図示）を有しており、中心孔にはシャフト１３２ｂが挿通されている。スクライビングホイール３２の両側で、シャフト１３２ｂに支持具１３２ａが固定されている。したがって、スクライビングホイール３２は、シャフト１３２ｂに対して回転する。また、スクライビングホイール３２と各支持具１３２ａとの間には、距離Ｃ１のクリアランスがある。図５では、スクライビングホイール３２と左側の支持具１３２ａとの距離がＢ１であり、スクライビングホイール３２と右側の支持具１３２ａとの距離がＢ２であり、これらの和（Ｂ１＋Ｂ２）がクリアランスＣ１である。スクライビングホイール３２は、クリアランスＣ１の範囲内でシャフト１３２ｂに沿って支持具１３２ａに対して移動することができる。すなわち、クリアランスＣ１は、スクライビングホイール３２の支持具１３２ａに対する遊びである。スクライビングホイール３２の外周面は、半径方向外側に向かって角状に突出している。以下では、スクライビングホイールの半径方向に沿う断面における外周面の角度を、先端角度という。スクライビングホイール３２は、先端角度Ａ１を有している。ここでは、スクライビングホイール３２の外周面を金属膜８に押し当てながら、分割予定線４に沿って移動（走査）させる。スクライビングホイール３２は、分割予定線４に沿って移動する際に、路面上を転がるタイヤのように金属膜８を転がる（転動する）。スクライビングホイール３２は、金属膜８に対して摺動せず、移動に伴って（グリップ状態で）回転する。このようにして、スクライビングホイール３２の先端の形状に沿ったＶ字の溝Ｇが金属膜８に形成される。Ｖ字の溝Ｇの角度（すなわち、溝Ｇの両側面が成す角度）は、スクライビングホイール３２の先端角度Ａ１と等しい。溝形成工程では、半導体基板２にクラックは形成されない。スクライビングホイール３２が「第２スクライビングホイール」の一例である。支持具１３２ａが「第２支持具」の一例である。
次に、図５に示される溝形成工程を実施する。溝形成工程では、金属膜８に対してスクライビングホイール３２を押し当てて、金属膜８に溝Ｇを形成する。スクライビングホイール３２は、円板形状の部材であり、その中心軸回りに回転可能に一対の支持具１３２aにより支持されている。具体的には、スクライビングホイール３２は中心孔（不図示）を有しており、中心孔にはシャフト１３２ｂが挿通されている。スクライビングホイール３２の両側で、シャフト１３２ｂに支持具１３２ａが固定されている。したがって、スクライビングホイール３２は、シャフト１３２ｂに対して回転する。また、スクライビングホイール３２と各支持具１３２ａとの間には、距離Ｃ１のクリアランスがある。図５では、スクライビングホイール３２と左側の支持具１３２ａとの距離がＢ１であり、スクライビングホイール３２と右側の支持具１３２ａとの距離がＢ２であり、これらの和（Ｂ１＋Ｂ２）がクリアランスＣ１である。スクライビングホイール３２は、クリアランスＣ１の範囲内でシャフト１３２ｂに沿って支持具１３２ａに対して移動することができる。すなわち、クリアランスＣ１は、スクライビングホイール３２の支持具１３２ａに対する遊びである。スクライビングホイール３２の外周面は、半径方向外側に向かって角状に突出している。以下では、スクライビングホイールの半径方向に沿う断面における外周面の角度を、先端角度という。スクライビングホイール３２は、先端角度Ａ１を有している。ここでは、スクライビングホイール３２の外周面を金属膜８に押し当てながら、分割予定線４に沿って移動（走査）させる。スクライビングホイール３２は、分割予定線４に沿って移動する際に、路面上を転がるタイヤのように金属膜８を転がる（転動する）。スクライビングホイール３２は、金属膜８に対して摺動せず、移動に伴って（グリップ状態で）回転する。このようにして、スクライビングホイール３２の先端の形状に沿ったＶ字の溝Ｇが金属膜８に形成される。Ｖ字の溝Ｇの角度（すなわち、溝Ｇの両側面が成す角度）は、スクライビングホイール３２の先端角度Ａ１と等しい。溝形成工程では、半導体基板２にクラックは形成されない。スクライビングホイール３２が「第２スクライビングホイール」の一例である。支持具１３２ａが「第２支持具」の一例である。
【0018】
（クラック形成工程）
次に、図６に示されるクラック形成工程を実施する。クラック形成工程では、溝Ｇの底面にスクライビングホイール３３を押し当てることによって、半導体基板２にクラック５を伴うスクライブライン形成する。スクライビングホイール３３は、円板形状の部材であり、その中心軸回りに回転可能に一対の支持具１３３aにより支持されている。具体的には、スクライビングホイール３３は中心孔（不図示）を有しており、中心孔にはシャフト１３３ｂが挿通されている。スクライビングホイール３３の両側で、シャフト１３３ｂに支持具１３３ａが固定されている。したがって、スクライビングホイール３３は、シャフト１３３ｂに対して回転する。また、スクライビングホイール３３と各支持具１３３ａとの間には、距離Ｃ２のクリアランスがある。図６では、スクライビングホイール３３と左側の支持具１３３ａとの距離がＢ３であり、スクライビングホイール３３と右側の支持具１３３ａとの距離がＢ４であり、これらの和（Ｂ３＋Ｂ４）がクリアランスＣ２である。スクライビングホイール３３は、クリアランスＣ２の範囲内でシャフト１３３ｂに沿って支持具１３３ａに対して移動することができる。すなわち、クリアランスＣ２は、スクライビングホイール３３の支持具１３３ａに対する遊びである。スクライビングホイール３２の外周面は、半径方向外側に向かって角状に突出している。スクライビングホイール３３は、先端角度Ａ２を有している。スクライビングホイール３３の先端角度Ａ２は、スクライビングホイール３２の先端角度Ａ１よりも小さい。
次に、図６に示されるクラック形成工程を実施する。クラック形成工程では、溝Ｇの底面にスクライビングホイール３３を押し当てることによって、半導体基板２にクラック５を伴うスクライブライン形成する。スクライビングホイール３３は、円板形状の部材であり、その中心軸回りに回転可能に一対の支持具１３３aにより支持されている。具体的には、スクライビングホイール３３は中心孔（不図示）を有しており、中心孔にはシャフト１３３ｂが挿通されている。スクライビングホイール３３の両側で、シャフト１３３ｂに支持具１３３ａが固定されている。したがって、スクライビングホイール３３は、シャフト１３３ｂに対して回転する。また、スクライビングホイール３３と各支持具１３３ａとの間には、距離Ｃ２のクリアランスがある。図６では、スクライビングホイール３３と左側の支持具１３３ａとの距離がＢ３であり、スクライビングホイール３３と右側の支持具１３３ａとの距離がＢ４であり、これらの和（Ｂ３＋Ｂ４）がクリアランスＣ２である。スクライビングホイール３３は、クリアランスＣ２の範囲内でシャフト１３３ｂに沿って支持具１３３ａに対して移動することができる。すなわち、クリアランスＣ２は、スクライビングホイール３３の支持具１３３ａに対する遊びである。スクライビングホイール３２の外周面は、半径方向外側に向かって角状に突出している。スクライビングホイール３３は、先端角度Ａ２を有している。スクライビングホイール３３の先端角度Ａ２は、スクライビングホイール３２の先端角度Ａ１よりも小さい。
【0019】
ここでは、スクライビングホイール３３の外周面を溝Ｇの底面に押し当てながら、分割予定線４に沿って移動（走査）させる。スクライビングホイール３２は、分割予定線４に沿って移動する際に、路面上を転がるタイヤのように溝Ｇの底面（即ち半導体基板２の第１表面２ａ）を転がる（転動する）。スクライビングホイール３２は、溝Ｇの底面に対して摺動せず、移動に伴って（グリップ状態で）回転する。距離Ｃ２（すなわち、スクライビングホイール３３の遊び）が大きいので、スクライビングホイール３３は軸方向に沿って移動できる。したがって、スクライビングホイール３３を溝Ｇの底面に押し当てて移動させるときに、スクライビングホイール３３が溝Ｇに案内されることによって軸方向に移動する。このため、溝Ｇの下端に沿って正確にスクライビングホイール３３を移動させることができる。すなわち、スクライビングホイール３３の移動経路が溝Ｇからずれることを防止できる。また、このとき、スクライビングホイール３３の先端角度Ａ２がスクライビングホイール３２の先端角度（即ち溝の角度）Ａ１よりも小さいので、スクライビングホイール３３の先端を溝Ｇの底面に適切に接触させることができる。すなわち、図７に示されるように、スクライビングホイール３３の傾斜面を金属膜８にほとんど接触させることなく、スクライビングホイール３３の先端を半導体基板２に押し当てることができる。
【0020】
図７に示されるように、溝Ｇの底面（即ち第１表面２ａ）がスクライビングホイール３３により押圧されると、半導体基板２の内部には、第１表面２ａ近傍の表層の領域Ｒに圧縮応力が生じる。圧縮応力は、図７の矢印２０に示されるように、スクライビングホイール３３による押圧箇所（スクライビングホイール３３の周縁部と第１表面２ａの接触箇所）を起点として等方的に生じる。スクライビングホイール３３による押圧箇所にはスクライブラインが形成される一方で、圧縮応力が生じた領域Ｒの直下では、半導体基板２の内部に引張応力が生じる。引張応力は、矢印２２に示されるように、圧縮応力が生じる領域Ｒの直下において、半導体基板２の第１表面２ａに沿って、分割予定線４から離れる方向に生じる。この引張応力により、半導体基板２の内部に、半導体基板２の厚み方向に延びるクラック５が形成される。ここでは、隣り合う素子領域３の境界に沿うとともに、半導体基板２の厚み方向に延びるように、クラック５が形成される。クラック５は、半導体基板２の第１表面２ａの表層近傍に形成される。一般に、圧縮応力はクラックの形成及び伸展を抑制するため、クラック５は、半導体基板２の第１表面２ａのスクライビングホイール３３による押圧箇所の圧縮応力が生じた領域Ｒの外側から、圧縮応力が生じた領域Ｒの直下の引張応力が生じた領域に延びるように形成される。
【0021】
ここで、金属膜８に溝Ｇを形成せずにクラック５を形成する比較例を想定する。比較例では、金属膜８が比較的柔らかいので、金属膜８にスクライビングホイール３３を押し当てると、荷重が分散する。したがって、半導体基板２の厚み方向に伸びるクラック５を適切に形成できず、厚み方向以外の方向にクラックが形成されてしまうおそれがある。一方、本実施例では、スクライビングホイール３３の傾斜面を金属膜８にほとんど接触させることなく、スクライビングホイール３３の先端を半導体基板２の表面２ａに押し当てることができる。この結果、半導体基板２の厚み方向に伸びるクラック５を適切に形成することができる。
【0022】
（ダイシングテープ貼り付け工程）
次に、図８に示されるダイシングテープ貼り付け工程を実施する。ダイシングテープ貼り付け工程では、金属膜８の表面にダイシングテープ１３を貼り付ける。ダイシングテープ１３は、金属膜８の略全域を覆うように貼り付けられる。ダイシングテープ１３は、ダイシングフレーム（不図示）に固定される。なお、図８以降は、第２表面２ｂを上にして半導体基板２が描かれていることに留意されたい。
次に、図８に示されるダイシングテープ貼り付け工程を実施する。ダイシングテープ貼り付け工程では、金属膜８の表面にダイシングテープ１３を貼り付ける。ダイシングテープ１３は、金属膜８の略全域を覆うように貼り付けられる。ダイシングテープ１３は、ダイシングフレーム（不図示）に固定される。なお、図８以降は、第２表面２ｂを上にして半導体基板２が描かれていることに留意されたい。
【0023】
（支持板剥離工程）
次に、図９に示される支持板剥離工程を実施する。支持板剥離工程では、支持板１２及び接着剤１１を半導体基板２の第２表面２ｂから剥離する。ここでは、例えば、接着剤１１を溶剤によって溶解することにより、第２表面２ｂから接着剤１１とともに支持板１２を剥離する。これにより、半導体基板２は、ダイシングテープ１３により支持された状態となる。
次に、図９に示される支持板剥離工程を実施する。支持板剥離工程では、支持板１２及び接着剤１１を半導体基板２の第２表面２ｂから剥離する。ここでは、例えば、接着剤１１を溶剤によって溶解することにより、第２表面２ｂから接着剤１１とともに支持板１２を剥離する。これにより、半導体基板２は、ダイシングテープ１３により支持された状態となる。
【0024】
（保護部材被覆工程）
次に、図１０に示される保護部材被覆工程を実施する。保護部材被覆工程では、半導体基板２の各素子領域３の各主電極６の表面に跨るように保護部材１５を貼り付けることによって、半導体基板２の第２表面２ｂを保護部材１５によって被覆する。保護部材１５の材料は特に限定されないが、例えば、樹脂等を用いることができる。保護部材１５を被覆することにより、後の分割工程等において、半導体基板２の第２表面２ｂが保護される。
次に、図１０に示される保護部材被覆工程を実施する。保護部材被覆工程では、半導体基板２の各素子領域３の各主電極６の表面に跨るように保護部材１５を貼り付けることによって、半導体基板２の第２表面２ｂを保護部材１５によって被覆する。保護部材１５の材料は特に限定されないが、例えば、樹脂等を用いることができる。保護部材１５を被覆することにより、後の分割工程等において、半導体基板２の第２表面２ｂが保護される。
【0025】
（分割工程）
次に、図１１示される分割工程を実施する。分割工程では、分割予定線４（クラック形成工程で形成されたクラック５）に沿ってブレイクプレート３４を押し当て、分割予定線４に沿って（素子領域３の境界に沿って）半導体基板２を分割する。ここでは、まず、半導体基板２を２つの支持台３５上に載置する。２つの支持台３５は、間隔を空けて配置されている。半導体基板２を支持台３５に載置するときには、分割すべき位置（ブレイクプレート３４を押し当てる位置）の下方に当該間隔が位置するように、半導体基板２が載置される。その後、保護部材１５を介して半導体基板２の第２表面２ｂにブレイクプレート３４を押し当てる。ブレイクプレート３４は、板状の部材であり、下端（第２表面２ｂに押し当てられる端縁）部分が稜線状（鋭い刃状）になっているが、半導体基板２を切削することなく、押し付けられるだけである。
次に、図１１示される分割工程を実施する。分割工程では、分割予定線４（クラック形成工程で形成されたクラック５）に沿ってブレイクプレート３４を押し当て、分割予定線４に沿って（素子領域３の境界に沿って）半導体基板２を分割する。ここでは、まず、半導体基板２を２つの支持台３５上に載置する。２つの支持台３５は、間隔を空けて配置されている。半導体基板２を支持台３５に載置するときには、分割すべき位置（ブレイクプレート３４を押し当てる位置）の下方に当該間隔が位置するように、半導体基板２が載置される。その後、保護部材１５を介して半導体基板２の第２表面２ｂにブレイクプレート３４を押し当てる。ブレイクプレート３４は、板状の部材であり、下端（第２表面２ｂに押し当てられる端縁）部分が稜線状（鋭い刃状）になっているが、半導体基板２を切削することなく、押し付けられるだけである。
【0026】
ブレイクプレート３４の下方には支持台３５が存在しない（２つの支持台３５の間隔が位置している）ので、ブレイクプレート３４を第２表面２ｂに押し当てると、２つの支持台３５の間隔内に入り込むように、半導体基板２が撓む。ここで、クラック５は、半導体基板２の第１表面２ａ側に形成されている。このため、半導体基板２に第２表面２ｂ側からブレイクプレート３４を押し当てると、押し当てられた部分（ライン）を軸として半導体基板２が撓み、第１表面２ａ側ではクラック５に対して分割位置に隣接する２つの素子領域３を引き離す方向に力が加わる。また、上述したように、クラック５の周囲には引張応力が印加されている。このため、第２表面２ｂにブレイクプレート３４を押し当てると、クラック５が半導体基板２の厚み方向に伸展し、半導体基板２が分割予定線４に沿って分割される。また、金属膜８は、半導体基板２の第１表面２ａ上に形成されているので、金属膜８に対しても分割位置に隣接する２つの素子領域３を引き離す方向に力が加わり、金属膜８が引き離されるように変形して分割される。なお、２つの支持台３５に代えて半導体基板２の第１表面２ａの全体を１つの弾性支持板（又は１つの弾性支持板を介して１つ又は複数の支持台）で支持してもよい。この場合、ブレイクプレート３４の下方に弾性支持板が存在するが、半導体基板２が撓むと半導体基板２の撓みに応じて弾性支持板が変形するので、ブレイクプレート３４を第２表面２ｂに押し当てると、２つの支持台３５により支持する場合（ブレイクプレート３４の下方に支持台３５が存在しない場合）と同様に、クラック５に対して分割位置に隣接する２つの素子領域３を引き離す方向に力が加わることとなる。ブレイクプレート３４は、「分割部材」の一例である。
【0027】
分割工程では、上述のブレイクプレート３４を第２表面２ｂに押し当てる工程を、各分割予定線４に沿って繰り返し実施する。これにより、半導体基板２と金属膜８を各素子領域３の境界に沿って分割することができる。その後、図１２に示されるように、個片化された素子領域３及び金属膜８をダイシングテープ１３から剥離する。個片化された素子領域３及び金属膜８をダイシングテープ１３から剥離する際にはダイシングテープ１３を拡張（エキスパンド）して個片化された素子領域３及び金属膜８を相互に離隔させた状態で剥離することができる。これにより、複数の半導体装置が完成する。
【0028】
上述したように、本実施例では、まず、溝Ｇの底面（即ち半導体基板２の第１表面２ａ）にスクライビングホイール３３を押し当てることにより、半導体基板２の第１表面２ａ側にクラック５を形成する。クラック５は、半導体基板２の第１表面２ａ側に形成されるので、ブレイクプレート３４を第２表面２ｂ側から押し当てると、クラック５に沿って半導体基板２が撓む。このため、クラック５に沿って第１表面２ａ側から半導体基板２を折り広げる方向に力が加わる。その結果、クラック５が半導体基板２の厚み方向に伸展し、素子領域３の境界に沿って半導体基板２を容易に分割することができる。また、金属膜８は、半導体基板２の第１表面２ａ上に形成されているので、金属膜８に対しても、クラック５の両側において金属膜８を引き離す方向に力が加わり、金属膜８が変形し、金属膜８を容易に分割することができる。このように、本実施例では、半導体基板２に対して、スクライビングホイール３３及びブレイクプレート３４を押し当てるという簡易な工程により、金属膜８を半導体基板２とともに分割することができる。
【0029】
また、本実施例では、半導体基板２にガラスにより構成された支持板１２を貼り付けた状態で、半導体基板２の第１表面側にクラック５を形成する。支持板１２が比較的硬い材料で構成されているので、半導体基板２にスクライビングホイール３３を押し当てるときに、比較的低い荷重で半導体基板２の第１表面側にクラック５を形成することができる。
【0030】
また、本実施例では、ダイシングテープ１３を貼り付けた状態で、半導体基板２と金属膜８を分割する。半導体基板２（金属膜８）がダイシングテープ１３に固定されているので、半導体基板２にブレイクプレート３４を押し当てるときに、半導体基板２の位置ずれを抑制することができ、得られる半導体装置が散乱することを防止することができる。
【0031】
また、本実施例では、第２表面２ｂが保護部材１５により被覆された状態でブレイクプレート３４を半導体基板２に押し当てる。第２表面２ｂが保護部材１５により保護されるので、ブレイクプレート３４により第２表面２ｂが損傷することを防止することができる。
【0032】
（実施例２）
続いて、図１３を参照して、実施例２を説明する。実施例２は、図１３に示されるように、Ｕ字の溝Ｇが金属膜８に形成される点が、実施例１とは異なる。実施例２では、溝Ｇの角度Ａ１は、溝Ｇに直交する断面において溝Ｇの２箇所の上端Ｕ１、Ｕ２のそれぞれと溝Ｇの下端Ｌとを結ぶ２個の直線（図１３の破線１００）によって画定される角度である。スクライビングホイール３３の先端角度Ａ２は、溝Ｇの角度Ａ１よりも小さい。このような構成でも、スクライビングホイール３３が金属膜８に接触し難く、より適切に厚み方向に沿って伸びるクラック５を形成できる。
続いて、図１３を参照して、実施例２を説明する。実施例２は、図１３に示されるように、Ｕ字の溝Ｇが金属膜８に形成される点が、実施例１とは異なる。実施例２では、溝Ｇの角度Ａ１は、溝Ｇに直交する断面において溝Ｇの２箇所の上端Ｕ１、Ｕ２のそれぞれと溝Ｇの下端Ｌとを結ぶ２個の直線（図１３の破線１００）によって画定される角度である。スクライビングホイール３３の先端角度Ａ２は、溝Ｇの角度Ａ１よりも小さい。このような構成でも、スクライビングホイール３３が金属膜８に接触し難く、より適切に厚み方向に沿って伸びるクラック５を形成できる。
【0033】
なお、上述した実施例において、支持板貼り付け工程、ダイシングテープ貼り付け工程、及び保護部材被覆工程は実施されなくてもよい。
【0034】
また、上述の実施例の溝形成工程では、スクライビングホイール３２によって金属膜８に溝Ｇを形成したが、その他の手法、例えばエッチングによって、金属膜８に溝Ｇを形成してもよい。
【0035】
以下に、本明細書に開示の製造方法の構成を列記する。
（構成１）
半導体装置の製造方法であって、
半導体基板（２）の第１表面（２ａ）を覆う電極層（８）の表面に溝（Ｇ）を形成する工程と、
前記溝の底面にスクライビングホイール（３３）を押し当てることによって、前記半導体基板の厚み方向に延びるクラック（５）を前記半導体基板に形成する工程と、
前記クラックを形成する前記工程の後に、前記第１表面の反対側に位置する前記半導体基板の第２表面（２ｂ）に前記溝に沿って分割部材（３５）を押し当てることによって前記半導体基板を分割する工程と、
を備える、製造方法。
（構成２）
前記スクライビングホイールの先端角度（Ａ２）は、前記溝に直交する断面において前記溝の２箇所の上端のそれぞれと前記溝の下端とを結ぶ２個の直線によって画定される角度（Ａ１）よりも小さい、構成１に記載の製造方法。
（構成３）
前記スクライビングホイールが第１スクライビングホイール（３３）であり、
前記溝を形成する前記工程では、第２スクライビングホイール（３２）を前記電極層に押し当てることによって前記溝を形成する、
構成１又は２に記載の製造方法。
（構成４）
前記第１スクライビングホイールの先端角度（Ａ２）は、前記第２スクライビングホイールの先端角度（Ａ１）よりも小さい、構成３に記載の製造方法。
（構成５）
前記第１スクライビングホイールが、第１支持具（１３３ａ）によって回転可能に支持されており、
前記第２スクライビングホイールが、第２支持具（１３２ａ）によって回転可能に支持されており、
前記第１スクライビングホイールの回転軸に沿う方向における前記第１支持具に対する遊び（Ｃ２）が、前記第２スクライビングホイールの回転軸に沿う方向における前記第２支持具に対する遊び（Ｃ１）よりも大きい、
構成３または４に記載の製造方法。
（構成６）
前記半導体基板はＳｉＣにより構成されている、構成１から５のいずれか一項に記載の製造方法。
（構成１）
半導体装置の製造方法であって、
半導体基板（２）の第１表面（２ａ）を覆う電極層（８）の表面に溝（Ｇ）を形成する工程と、
前記溝の底面にスクライビングホイール（３３）を押し当てることによって、前記半導体基板の厚み方向に延びるクラック（５）を前記半導体基板に形成する工程と、
前記クラックを形成する前記工程の後に、前記第１表面の反対側に位置する前記半導体基板の第２表面（２ｂ）に前記溝に沿って分割部材（３５）を押し当てることによって前記半導体基板を分割する工程と、
を備える、製造方法。
（構成２）
前記スクライビングホイールの先端角度（Ａ２）は、前記溝に直交する断面において前記溝の２箇所の上端のそれぞれと前記溝の下端とを結ぶ２個の直線によって画定される角度（Ａ１）よりも小さい、構成１に記載の製造方法。
（構成３）
前記スクライビングホイールが第１スクライビングホイール（３３）であり、
前記溝を形成する前記工程では、第２スクライビングホイール（３２）を前記電極層に押し当てることによって前記溝を形成する、
構成１又は２に記載の製造方法。
（構成４）
前記第１スクライビングホイールの先端角度（Ａ２）は、前記第２スクライビングホイールの先端角度（Ａ１）よりも小さい、構成３に記載の製造方法。
（構成５）
前記第１スクライビングホイールが、第１支持具（１３３ａ）によって回転可能に支持されており、
前記第２スクライビングホイールが、第２支持具（１３２ａ）によって回転可能に支持されており、
前記第１スクライビングホイールの回転軸に沿う方向における前記第１支持具に対する遊び（Ｃ２）が、前記第２スクライビングホイールの回転軸に沿う方向における前記第２支持具に対する遊び（Ｃ１）よりも大きい、
構成３または４に記載の製造方法。
（構成６）
前記半導体基板はＳｉＣにより構成されている、構成１から５のいずれか一項に記載の製造方法。
【0036】
以上、本明細書が開示する技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独で、あるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【0037】
２：半導体基板、２ａ：第１表面、２ｂ：第２表面、３：素子領域、４：分割予定線、５
：クラック、６：主電極、８：金属膜、１１：接着剤、１２：支持板、１３：ダイシン
グテープ、１５：保護部材、３１：研削砥石、３２，３３：スクライビングホイール、３４：ブレイクプレート、Ｇ：溝
：クラック、６：主電極、８：金属膜、１１：接着剤、１２：支持板、１３：ダイシン
グテープ、１５：保護部材、３１：研削砥石、３２，３３：スクライビングホイール、３４：ブレイクプレート、Ｇ：溝
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】