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▶ エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024081606
(43)【公開日】2024-06-18
(54)【発明の名称】フレキシブル表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240611BHJP
H10K 77/10 20230101ALI20240611BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240611BHJP
H10K 59/123 20230101ALI20240611BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20240611BHJP
H10K 59/80 20230101ALI20240611BHJP
H10K 71/60 20230101ALI20240611BHJP
H10K 59/90 20230101ALI20240611BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 348A
G09F9/30 308Z
G09F9/30 338
H10K77/10
H10K59/124
H10K59/123
H10K59/131
H10K59/80
H10K71/60
H10K59/90
【審査請求】有
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023200495
(22)【出願日】2023-11-28
(31)【優先権主張番号】10-2022-0168981
(32)【優先日】2022-12-06
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100094112
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 讓
(74)【代理人】
【識別番号】100106183
【弁理士】
【氏名又は名称】吉澤 弘司
(74)【代理人】
【識別番号】100114915
【弁理士】
【氏名又は名称】三村 治彦
(74)【代理人】
【識別番号】100125139
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 洋
(74)【代理人】
【識別番号】100209808
【弁理士】
【氏名又は名称】三宅 高志
(72)【発明者】
【氏名】ユ ジュンスク
(72)【発明者】
【氏名】ジュン ユホ
(72)【発明者】
【氏名】ホン スンキ
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC21
3K107CC45
3K107DD17
3K107DD39
3K107DD44Z
3K107DD89
3K107DD90
3K107DD96
3K107EE04
3K107HH05
5C094AA15
5C094AA38
5C094AA43
5C094BA27
5C094BA43
5C094DA06
5C094DA15
5C094DA20
5C094DB01
5C094EA07
5C094EA10
5C094EC04
5C094FA01
5C094FB01
(57)【要約】
【課題】生産性を向上させながらＧＩＰ配線部の腐食不良を改善する表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置は、光学領域と一般領域とに区分される表示領域及びベンディング領域と非ベンディング領域とに区分される非表示領域を含む基板と、前記基板上に配置される第１絶縁膜と、前記非ベンディング領域の前記第１絶縁膜上に配置される配線と、前記配線上に配置される第２絶縁膜と、前記非ベンディング領域の前記第２絶縁膜上に配置され、前記配線と連結される第１コンタクト領域を有する連結配線と、前記連結配線上に配置される第１平坦化層と、前記第１平坦化層上に配置されて前記ベンディング領域に延び、前記連結配線と連結される第２コンタクト領域を有するリンク配線とを含むことを特徴とする。
【選択図】図１ａ
【解決手段】本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置は、光学領域と一般領域とに区分される表示領域及びベンディング領域と非ベンディング領域とに区分される非表示領域を含む基板と、前記基板上に配置される第１絶縁膜と、前記非ベンディング領域の前記第１絶縁膜上に配置される配線と、前記配線上に配置される第２絶縁膜と、前記非ベンディング領域の前記第２絶縁膜上に配置され、前記配線と連結される第１コンタクト領域を有する連結配線と、前記連結配線上に配置される第１平坦化層と、前記第１平坦化層上に配置されて前記ベンディング領域に延び、前記連結配線と連結される第２コンタクト領域を有するリンク配線とを含むことを特徴とする。
【選択図】図１ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光学領域と一般領域とに区分される表示領域及びベンディング領域と非ベンディング領域とに区分される非表示領域を含む基板と、
前記基板上に配置される第１絶縁膜と、
前記非ベンディング領域の前記第１絶縁膜上に配置される配線と、
前記配線上に配置される第２絶縁膜と、
前記非ベンディング領域の前記第２絶縁膜上に配置され、前記配線と連結される第１コンタクト領域を有する連結配線と、
前記連結配線上に配置される第１平坦化層と、
前記第１平坦化層上に配置されて前記ベンディング領域に延び、前記連結配線と連結される第２コンタクト領域を有するリンク配線と、
前記リンク配線上に配置され、一部の領域が除去されて前記リンク配線の第２コンタクト領域を露出させるオープン領域を含む第２平坦化層と、
前記第２平坦化層上に配置され、前記オープン領域を満たす第３絶縁膜とを含む、フレキシブル表示装置。
前記基板上に配置される第１絶縁膜と、
前記非ベンディング領域の前記第１絶縁膜上に配置される配線と、
前記配線上に配置される第２絶縁膜と、
前記非ベンディング領域の前記第２絶縁膜上に配置され、前記配線と連結される第１コンタクト領域を有する連結配線と、
前記連結配線上に配置される第１平坦化層と、
前記第１平坦化層上に配置されて前記ベンディング領域に延び、前記連結配線と連結される第２コンタクト領域を有するリンク配線と、
前記リンク配線上に配置され、一部の領域が除去されて前記リンク配線の第２コンタクト領域を露出させるオープン領域を含む第２平坦化層と、
前記第２平坦化層上に配置され、前記オープン領域を満たす第３絶縁膜とを含む、フレキシブル表示装置。
【請求項2】
前記第１絶縁膜は、マルチバッファ層、アクティブバッファ層及びゲート絶縁膜を含む、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項3】
前記配線は、ＧＩＰ（Ｇａｔｅ－Ｉｎ－Ｐａｎｅｌ）配線を含む、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項4】
前記ＧＩＰ配線は、駆動ＩＣに延びて信号の印加を受けるか、前記表示領域内の画素に延びて信号を伝達する、請求項３に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項5】
前記ＧＩＰ配線は、前記表示領域内のトランジスタのゲート電極と同じ層に同じ金属物質で構成される、請求項３に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項6】
前記第２絶縁膜は、第１層間絶縁膜及び第２層間絶縁膜を含む、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項7】
前記連結配線は、少なくとも一つの第１コンタクトホールを通して前記リンク配線の第２コンタクト領域と電気的に連結され、少なくとも一つの第２コンタクトホールを通して前記配線と電気的に連結される、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項8】
前記連結配線は、前記表示領域内のトランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ層に同じ金属物質で構成される、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項9】
前記第１平坦化層は、ポリイミド（ＰＩ：ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系列の材料で構成される、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項10】
前記リンク配線は、前記駆動ＩＣに連結されたＧＩＰ配線及び前記表示領域の画素に連結されたＧＩＰ配線の間を連結する、請求項４に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項11】
前記リンク配線は、前記表示領域内の連結電極と同じ層に同じ金属物質で構成される、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項12】
前記第２平坦化層は、フォトアクリル（ＰＡＣ）系列の材料で構成される、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項13】
前記第３絶縁膜は、バンクを含む、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項14】
前記バンクは、ＰＩ系列の材料で構成される、請求項１３に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項15】
前記基板の下部に位置し、前記光学領域と重畳されて配置される光学電子装置をさらに含む、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
【請求項16】
前記光学領域は、非透過領域と透過領域を含み、
前記透過領域は、カソード電極を含む不透明電極が除去され、
前記光学電子装置は、前記透過領域に位置する、請求項１５に記載のフレキシブル表示装置。
前記透過領域は、カソード電極を含む不透明電極が除去され、
前記光学電子装置は、前記透過領域に位置する、請求項１５に記載のフレキシブル表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書は、フレキシブル表示装置に関し、より詳細には、ベゼル幅を縮小できるフレキシブル表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
情報化時代に入るに伴い、電気的情報信号を視覚的に表示する表示装置分野が急速に発展しており、様々な表示装置に対して、薄型化、軽量化及び低消費電力化等の性能を開発させるための研究が続いている。
【0003】
代表的な表示装置としては、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、電界放出表示装置（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）、電気湿潤表示装置（ＥＷＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｗｅｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）及び有機発光表示装置（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。
【0004】
有機発光表示装置に代表される電界発光表示装置は、セルフ発光表示装置であって、液晶表示装置とは異なり別途の光源が不要であり、軽量薄型に製造が可能である。また、電界発光表示装置は、低電圧駆動により消費電力の側面で有利であるだけではなく、色相構成、応答速度、視野角、明暗対比比（ＣＲ：Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｒａｔｉ）にも優れており、多様な分野で活用が期待されている。
【0005】
電界発光表示装置は、アノード電極とカソード電極の二つの電極の間に発光層を配置して発光素子を構成することとなる。即ち、アノード電極での正孔を発光層に注入させ、カソード電極の電子を発光層に注入させると、注入された電子と正孔が互いに再結合しながら発光層で励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成して発光できる。
【0006】
一方、表示装置の同一面積で有効表示画面の大きさを増加させるために表示領域の外郭部であるベゼル（ｂｅｚｅｌ）領域を縮小させようとする努力が続いている。
【0007】
ただし、非表示領域に該当するベゼル領域には、画面を駆動するための配線及び駆動回路が配置されるため、ベゼル領域を縮小するには限界がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
近年、プラスチックのような延性材料のフレキシブル基板を適用して反っても表示性能を維持できるフレキシブル電界発光表示装置と関連して、配線及び駆動回路のための面積を確保しながらもベゼル領域を縮小させるためにフレキシブル基板の非表示領域をベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）してベゼル領域を縮小させようとする努力がある。以下、便宜上、このような表示装置をベゼルベンディング表示装置と称する。
【0009】
一方、ベゼル幅を縮小させるためにベゼルベンディング表示装置を適用しながら二つの層の配線層と二つの層の平坦化層を適用する構造で、生産性を向上させるために平坦化層としてフォトアクリル（ＰＡＣ）を適用するようになる。この場合に、ベンディング領域に隣接したコンタクトホールの近くのＧＩＰ（Ｇａｔｅ－Ｉｎ－Ｐａｎｅｌ）配線部に腐食不良が発生し得る。
【0010】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、生産性を向上させながらもＧＩＰ配線部の腐食不良を改善したフレキシブル発光表示装置を提供することである。
【0011】
本発明の課題は、以上において言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は、下記の記載から当業者に明確に理解され得るだろう。
【課題を解決するための手段】
【0012】
前述したような課題を解決するために、本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置は、光学領域と一般領域とに区分される表示領域及びベンディング領域と非ベンディング領域とに区分される非表示領域を含む基板、前記基板上に配置される第１絶縁膜、前記非ベンディング領域の第１絶縁膜上に配置される配線、前記配線上に配置される第２絶縁膜、前記非ベンディング領域の第２絶縁膜上に配置され、前記配線と連結される第１コンタクト領域を有する連結配線、前記連結配線上に配置される第１平坦化層、前記第１平坦化層上に配置されて前記ベンディング領域に延び、前記連結配線と連結される第２コンタクト領域を有するリンク配線、前記リンク配線上に配置され、一部の領域が除去されて前記リンク配線の第２コンタクト領域を露出させるオープン領域を含む第２平坦化層、及び前記第２平坦化層上に配置され、前記オープン領域を満たす第３絶縁膜を含むことができる。
【0013】
その他の実施例の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【0014】
本発明は、平坦化層としてフォトアクリル（ＰＡＣ）系列の材料を適用しながら、ＧＩＰ配線部のコンタクトホールの上部の平坦化層を一部除去し、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）系列の材料のバンクで満たすことで、生産性を向上させながらＧＩＰ配線部の腐食不良を改善できるようになる。
【0015】
本発明に係る効果は、以上において例示された内容により制限されず、さらに多様な効果が本発明内に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1a】本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置を概略的に示す平面図である。
【図1b】本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置を概略的に示す平面図である。
【図1c】本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置を概略的に示す平面図である。
【図1d】本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置を概略的に示す平面図である。
【図3】本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置のサブ画素の等価回路である。
【図4】本発明の一実施例に係る表示パネルにおいて、表示領域のサブ画素の配置を示す図である。
【図5a】本発明の一実施例に係る表示パネルにおいて、第１光学領域及び一般領域それぞれでの信号ラインの配置を例に挙げて示す図である。
【図5b】本発明の一実施例に係る表示パネルにおいて、第２光学領域及び一般領域それぞれでの信号ラインの配置を例に挙げて示す図である。
【図6】本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置において、第１光学領域内の非透過領域と透過領域の断面構造及び一般領域の断面構造を示す図である。
【図7】本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置の断面の一部を示す図である。
【図8】本発明の他の実施例に係るフレキシブル表示装置の断面の一部を示す図である。
【図9】本発明の一実施例のＧＩＰ配線部を示す平面図である。
【図11】本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置の第１光学領域を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
本発明の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると、明確になるだろう。しかし、本発明は、以下において開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態に構成され、単に、本実施例は、本発明の開示が完全なものとなるようにし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求の範囲により定義されるだけである。
【0018】
本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、個数等は、例示的なものであるので、本発明は、図示された事項に限定されるものではない。また、本発明を説明するにあたって、関連した公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に濁す恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。また、本明細書上において言及された「含む」、「有する」、「なされる」等が使用される場合、「～だけ」が使用されない以上、他の部分が加えられ得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。
【0019】
構成要素を解釈するにあたって、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。
【0020】
位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～隣に」等と二部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない以上、二部分の間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。
【0021】
素子または層が他の素子または層の上（ｏｎ）と称されるものは、他の素子のすぐ上または中間に他の層または他の素子を介在した場合をいずれも含む。
【0022】
第１、第２等が多様な構成要素を述べるために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語により制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。従って、以下において言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。
【0023】
明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。
【0024】
図面で示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために示されたものであり、本発明は、示された構成の大きさ及び厚さに必ずしも限定されるものではない。
【0025】
本発明の様々な実施例のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、当業者が十分に理解できるように技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立して実施可能であってもよく、関連関係で共に実施可能であってもよい。
【0026】
以下においては、添付の図面を参照して、本発明の多様な実施例を詳細に説明する。
【0027】
【0028】
図１ａ乃至図１ｄを参照すると、本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置１００は、映像を表示する表示パネルＤＰ及び一つ以上の光学電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂを含むことができる。光学電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂは、光を受信する受光装置を含むことができる。
【0029】
表示パネルＤＰは、ユーザに映像を表示するためのパネルである。
【0030】
表示パネルＤＰは、映像を表示するための表示素子、表示素子を駆動するための駆動素子、及び表示素子及び駆動素子に各種の信号を伝達する配線等を備えることができる。表示素子は、表示パネルＤＰの種類によって異なるように定義され得、例えば、表示パネルＤＰが有機発光表示パネルである場合、表示素子は、アノード電極、有機層及びカソード電極を含む有機発光素子であってよい。例えば、表示パネルＤＰが液晶表示パネルである場合、表示素子は、液晶表示素子であってよい。
【0031】
以下においては、表示パネルＤＰが有機発光表示パネルであるものと仮定するが、表示パネルＤＰが有機発光表示パネルに制限されるものではない。
【0032】
一方、表示パネルＤＰは、基板、及び基板上の多数の絶縁膜、トランジスタ層及び発光素子層等を含んで構成され得る。表示パネルＤＰは、映像表示のために、多数のサブ画素及び多数のサブ画素を駆動するための各種の信号ラインを含むことができる。信号ラインは、多数のデータライン、多数のゲートライン、多数の電源ライン等を含むことができる。このとき、多数のサブ画素それぞれは、トランジスタ層に位置するトランジスタ及び発光素子層に位置する発光素子を含むことができる。
【0033】
表示パネルＤＰは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含むことができる。
【0034】
表示領域ＤＡは、表示パネルＤＰで映像が表示される領域である。
【0035】
表示領域ＤＡには、多数の画素を構成する多数のサブ画素及び多数のサブ画素を駆動するための回路が配置され得る。多数のサブ画素は、表示領域ＤＡを構成する最小単位であり、多数のサブ画素それぞれに表示素子が配置され得、多数のサブ画素は、画素を構成できる。例えば、多数のサブ画素それぞれにアノード電極、有機層及びカソード電極を含む有機発光素子が配置され得るが、これに制限されない。また、多数のサブ画素を駆動するための回路には、駆動素子及び配線等が含まれ得る。例えば、回路は、薄膜トランジスタ、ストレージキャパシタ、ゲートライン、データライン等からなり得るが、これに制限されない。
【0036】
非表示領域ＮＤＡは、映像が表示されない領域である。
【0037】
非表示領域ＮＤＡは、ベンディングされて前面で見えないか、ケース（図示しない）により隠され得、ベゼル領域ともいう。
【0038】
図１ａ乃至図１ｄにおいて、非表示領域ＮＤＡが四角形状の表示領域ＤＡを囲んでいるものと示したが、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡの形態及び配置は、図１ａ乃至図１ｄに示された例に限定されない。即ち、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡは、フレキシブル表示装置１００を搭載した電子装置のデザインに適した形態であってよい。例えば、表示領域ＤＡの例示的な形態は、五角形、六角形、円形、楕円形等であってもよい。
【0039】
非表示領域ＮＤＡには、表示領域ＤＡの有機発光素子を駆動するための多様な配線及び回路等が配置され得る。例えば、非表示領域ＮＤＡには、表示領域ＤＡの多数のサブ画素及び回路に信号を伝達するためのリンク配線、ＧＩＰ（Ｇａｔｅ－Ｉｎ－Ｐａｎｅｌ）配線、またはゲートドライバＩＣ、データドライバＩＣのような駆動ＩＣ等が配置され得るが、これに制限されない。
【0040】
フレキシブル表示装置１００は、多様な信号を生成するか表示領域ＤＡ内の画素を駆動するための、多様な付加要素をさらに含むことができる。画素を駆動するための付加要素は、インバータ回路、マルチプレクサ、静電気放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）回路等を含むことができる。フレキシブル表示装置１００は、画素の駆動以外の機能と関連した付加要素も含むことができる。例えば、フレキシブル表示装置１００は、タッチ感知機能、ユーザ認証機能（例えば、指紋認識）、マルチレベル圧力感知機能、触覚フィードバック（ｔａｃｔｉｌｅ ｆｅｅｄｂａｃｋ）機能等を提供する付加要素をさらに含むことができる。前記言及された付加要素は、非表示領域ＮＤＡおよび／または連結インターフェースと連結された外部回路に位置し得る。
【0041】
【0042】
【0043】
光は、表示パネルＤＰの前面（視聴面）に入射し、表示パネルＤＰを透過して表示パネルＤＰの下（視聴面の反対側）に位置する一つ以上の光学電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂに伝達され得る。
【0044】
一つ以上の光学電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂは、表示パネルＤＰを透過した光を受信して、受信された光によって定められた機能を果たす装置であってよい。例えば、電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂは、カメラ（イメージセンサ）等の撮影装置、照度センサ、感知センサ及び近接センサ等のうち一つ以上を含むことができる。
【0045】
前述したように、電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂは、光受信が必要な装置であるが、表示パネルＤＰの裏（下部）に位置し得る。即ち、電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂは、表示パネルＤＰの視聴面の反対側に位置し得る。電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂは、フレキシブル表示装置１００の前面に露出されない。従って、ユーザがフレキシブル表示装置１００の前面を見たとき、電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂが見えない。
【0046】
一例として、表示パネルＤＰの裏（下部）に位置するカメラは、前面を撮影する前面カメラであり、カメラレンズと見なすこともできる。
【0047】
電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂは、表示パネルＤＰの表示領域ＤＡと重畳されるように配置され得る。即ち、電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂは、表示領域ＤＡ内に位置し得る。
【0048】
【0049】
一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、一つ以上の光学電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂと重畳される領域であってよい。
【0050】
図１ａの例示によれば、表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡ及び第１光学領域ＤＡ１を含むことができる。ここで、第１光学領域ＤＡ１の少なくとも一部は、第１光学電子装置１５０と重畳され得る。
【0051】
図１ａに第１光学領域ＤＡ１が円形である構造を示したが、本発明の実施例に係る第１光学領域ＤＡ１の形状は、これに限定されるものではない。
【0052】
例えば、図１ｂに示されたように、第１光学領域ＤＡ１の形状は、八角形になされ得、この他にも多様な多角形状になされ得る。
【0053】
図１ｃの例示によれば、表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡ、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を含むことができる。図１ｃの例示において、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２の間には、一般領域ＮＡが存在し得る。ここで、第１光学領域ＤＡ１の少なくとも一部は、第１光学電子装置１５０ａと重畳され得、第２光学領域ＤＡ２の少なくとも一部は、第２光学電子装置１５０ｂと重畳され得る。
【0054】
図１ｄの例示によれば、表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡ、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を含むことができる。図１ｄの例示において、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２の間には、一般領域ＮＡが存在しない。即ち、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２は、互いに接し得る。ここで、第１光学領域ＤＡ１の少なくとも一部は、第１光学電子装置１５０ａと重畳され得、第２光学領域ＤＡ２の少なくとも一部は、第２光学電子装置１５０ｂと重畳され得る。
【0055】
一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、映像表示構造及び光透過構造が全て形成されていなければならない。即ち、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、表示領域ＤＡの一部の領域であるので、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２には、映像表示のためのサブ画素が配置されなければならない。一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２には、一つ以上の光学電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂに光を透過させるための光透過構造が形成されなければならない。
【0056】
一つ以上の光学電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂは、光受信が必要な装置であるが、表示パネルＤＰの裏（下、視聴面の反対側）に位置して、表示パネルＤＰを透過した光を受信するようになる。
【0057】
一つ以上の光学電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂは、表示パネルＤＰの前面（視聴面）に露出されない。従って、ユーザがフレキシブル表示装置１００の前面を見たとき、光学電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂがユーザに見えない。
【0058】
例えば、第１光学電子装置１５０、１５０ａは、カメラであってよく、第２光学電子装置１５０ｂは、近接センサ、照度センサ等の感知センサであってよい。例えば、感知センサは、赤外線を感知する赤外線センサであってよい。
【0059】
これと逆に、第１光学電子装置１５０、１５０ａが感知センサであり、第２光学電子装置１５０ｂがカメラであってよい。
【0060】
以下においては、説明の便宜のために、第１光学電子装置１５０、１５０ａがカメラであり、第２光学電子装置１５０ｂが感知センサであるものと例を挙げる。ここで、カメラは、カメラレンズまたはイメージセンサであってよい。
【0061】
第１光学電子装置１５０、１５０ａがカメラである場合、このカメラは、表示パネルＤＰの裏（下）に位置するが、表示パネルＤＰの前面方向を撮影する前面カメラであってよい。従って、ユーザは、表示パネルＤＰの視聴面を見ながら、視聴面に見えないカメラを通して撮影をすることができる。
【0062】
表示領域ＤＡに含まれた一般領域ＮＡ及び一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、映像表示が可能な領域であるが、一般領域ＮＡは、光透過構造が形成される必要がない領域であり、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、光透過構造が形成されなければならない領域である。
【0063】
従って、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２は、一定水準以上の透過率を有しなければならず、一般領域ＮＡは、光透過性を有しないか一定水準未満の低い透過率を有し得る。
【0064】
例えば、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２と一般領域ＮＡは、解像度、サブ画素配置構造、単位面積当たりのサブ画素個数、電極構造、ライン構造、電極配置構造、またはライン配置構造等が互いに異なり得る。
【0065】
例えば、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２での単位面積当たりのサブ画素個数は、一般領域ＮＡでの単位面積当たりのサブ画素個数より小さくてよい。即ち、一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２の解像度は、一般領域ＮＡの解像度より低くてよい。このとき、単位面積当たりのサブ画素個数は、解像度を測定する単位であり、１インチ（ｉｎｃｈ）内の画素個数を意味するＰＰＩ（Ｐｉｘｅｌｓ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ）ともいえる。
【0066】
例えば、第１光学領域ＤＡ１内の単位面積当たりのサブ画素個数は、一般領域ＮＡ内の単位面積当たりのサブ画素個数より小さくてよい。第２光学領域ＤＡ２内の単位面積当たりのサブ画素個数は、第１光学領域ＤＡ１内の単位面積当たりのサブ画素個数以上であってよい。
【0067】
第１光学領域ＤＡ１は、円形、楕円形、四角形、六角形、または八角形等、多様な模様を有し得る。第２光学領域ＤＡ２は、円形、楕円形、四角形、六角形、または八角形等、多様な模様を有し得る。第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２は、同じ模様を有してもよく、異なる模様を有してもよい。
【0068】
図１ｃを参照すると、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２が接している場合、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を含む全体光学領域もまた円形、楕円形、四角形、六角形、または八角形等、多様な模様を有し得る。
【0069】
以下においては、説明の便宜のために、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２それぞれは、円形であるものを例に挙げる。
【0070】
本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置１００において、外部に露出されずに表示パネルＤＰの下部に隠されている第１光学電子装置１５０、１５０ａがカメラである場合、本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置１００は、ＵＤＣ（Ｕｎｄｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃａｍｅｒａ）技術が適用されたディスプレイといえる。
【0071】
これによれば、本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置１００の場合、表示パネルＤＰにカメラの露出のためのノッチ（Ｎｏｔｃｈ）またはカメラホールが形成されなくてもよいため、表示領域ＤＡの面積減少が発生しない。
【0072】
これによって、表示パネルＤＰにカメラの露出のためのノッチ（Ｎｏｔｃｈ）またはカメラホールが形成されなくてもよいため、ベゼル領域の大きさが減ることができ、デザインの制約事項がなくなり、デザイン設計の自由度が高くなり得る。
【0073】
本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置１００に、一つ以上の光学電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂが表示パネルＤＰの裏に隠されて位置するにもかかわらず、一つ以上の光学電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂは、正常に光を受信して定められた機能を正常に遂行できなければならない。
【0074】
また、本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置１００において、一つ以上の光学電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂが表示パネルＤＰの裏に隠されて位置し、表示領域ＤＡと重畳されて位置するにもかかわらず、表示領域ＤＡで一つ以上の光学電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂと重畳される一つ以上の光学領域ＤＡ１、ＤＡ２で正常な映像表示が可能でなければならない。
【0075】
そこで、本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置１００は、電子装置１５０、１５０ａ、１５０ｂと重畳される第１、第２光学領域ＤＡ１、ＤＡ２の透過率を向上させることができる構造を有し得る。
【0076】
【0077】
【0078】
【0079】
透過領域ＴＡは、第１光学領域ＤＡ１に含まれる一部の領域であり、カソード電極のような不透明な構成が除去されることで外部光が光学電子装置まで透過され得る。例えば、透過領域ＴＡは、円形または楕円形状を有し得、ホール領域ともいえる。
【0080】
また、非透過領域ＮＴＡは、第１光学領域ＤＡ１に含まれる一部の領域であり、トランジスタ層のトランジスタと発光素子層の発光素子が位置し得る。
【0081】
非透過領域ＮＴＡは、多数のサブ画素の発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４が存在する画素領域ＰＡと信号ラインＳＬが配置される配線領域ＷＡを含むことができる。
【0082】
透過領域ＴＡが非透過領域ＮＴＡにより囲まれている場合、第１光学領域ＤＡ１は、互いに分離された形態の多数の透過領域ＴＡを含むことができるが、これに制限されない。
【0083】
図３は、本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置のサブ画素の等価回路である。
【0084】
図３を参照すると、本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置において、表示パネルに配置された多数のサブ画素ＳＰそれぞれは、発光素子１２０、駆動トランジスタＴｄ、スキャントランジスタＴｓ及びストレージキャパシタＣｓｔ等を含むことができる。
【0085】
このとき、発光素子１２０は、画素電極と共通電極及び画素電極と共通電極との間に位置する発光層を含むことができる。画素電極は、各サブ画素ＳＰに配置され、共通電極は、多数のサブ画素ＳＰに共通して配置され得る。例えば、画素電極はアノード電極であり、共通電極はカソード電極であってよい。他の例を挙げて、画素電極はカソード電極であり、共通電極はアノード電極であってよい。例えば、発光素子１２０は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、マイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）または量子ドット（ＱＤ：Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）発光素子等であってよい。
【0086】
駆動トランジスタＴｄは、発光素子１２０を駆動するためのトランジスタであって、第１ノードＮ１、第２ノードＮ２及び第３ノードＮ３等を含むことができる。
【0087】
駆動トランジスタＴｄの第１ノードＮ１は、駆動トランジスタＴｄのゲートノードであってよく、スキャントランジスタＴｓのソースノードまたはドレインノードと電気的に連結され得る。また、駆動トランジスタＴｄの第２ノードＮ２は、駆動トランジスタＴｄのソースノードまたはドレインノードであってよく、発光素子１２０の画素電極とも電気的に連結され得る。駆動トランジスタＴｄの第３ノードＮ３は、駆動電圧ＥＶＤＤを供給する駆動電圧ラインＤＶＬと電気的に連結され得る。
【0088】
また、スキャントランジスタＴｓは、スキャン信号ＳＣＡＮにより制御され、駆動トランジスタＴｄの第１ノードＮ１とデータラインＤＬとの間に連結され得る。スキャントランジスタＴｓは、ゲートラインＧＬで供給されるスキャン信号ＳＣＡＮによってターン－オンまたはターン－オフされ、データラインＤＬと駆動トランジスタＴｄの第１ノードＮ１間の連結を制御できる。
【0089】
スキャントランジスタＴｓは、ターン－オンレベル電圧を有するスキャン信号ＳＣＡＮによりターン－オンされ、データラインＤＬから供給されたデータ電圧Ｖｄａｔａを駆動トランジスタＴｄの第１ノードＮ１に伝達できる。
【0090】
スキャントランジスタＴｓをターン－オンさせることができるスキャン信号ＳＣＡＮのターン－オンレベル電圧は、ハイレベル電圧またはローレベル電圧であってよい。スキャントランジスタＴｓをターン－オフさせることができるスキャン信号ＳＣＡＮのターン－オフレベル電圧は、ローレベル電圧またはハイレベル電圧であってよい。例えば、スキャントランジスタＴｓがｎタイプのトランジスタである場合、ターン－オンレベル電圧はハイレベル電圧であり、ターン－オフレベル電圧はローレベル電圧であってよい。他の例を挙げて、スキャントランジスタＴｓがｐタイプのトランジスタである場合、ターン－オンレベル電圧はローレベル電圧であり、ターン－オフレベル電圧はハイレベル電圧であってよい。
【0091】
駆動トランジスタＴｄ及びスキャントランジスタＴｓそれぞれは、ｎタイプのトランジスタまたはｐタイプのトランジスタであってよい。
【0092】
ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＴｄの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に連結され得る。ストレージキャパシタＣｓｔは、両端の電圧差に該当する電荷量が充電され、定められたフレーム時間の間に、両端の電圧差を維持する役割を果たす。これによって、定められたフレーム時間の間に、該当サブ画素ＳＰが発光できる。
【0093】
ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＴｄのゲートノードとソースノード（または、ドレインノード）との間に存在する内部キャパシタである寄生キャパシタでない、駆動トランジスタＴｄの外部に意図的に設計した外部キャパシタであってよい。
【0094】
本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置のサブ画素ＳＰは、一つ以上のトランジスタをさらに含むか、一つ以上のキャパシタをさらに含んでもよい。
【0095】
図４は、本発明の一実施例に係る表示パネルにおいて、表示領域のサブ画素の配置を示す図である。
【0096】
即ち、図４は、本発明の実施例に係る表示パネルの表示領域に含まれた三つの領域ＮＡ、ＤＡ１、ＤＡ２でのサブ画素ＳＰの配置を示している。
【0097】
図４を参照すると、表示領域に含まれた一般領域ＮＡ、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２それぞれには、複数のサブ画素ＳＰが配置され得る。
【0098】
一例として、複数のサブ画素ＳＰは、赤色光を発光する赤色サブ画素Ｒｅｄ ＳＰ、緑色光を発光する緑色サブ画素Ｇｒｅｅｎ ＳＰ及び青色光を発光する青色サブ画素Ｂｌｕｅ ＳＰを含むことができる。
【0099】
これによって、一般領域ＮＡ、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２それぞれは、赤色サブ画素Ｒｅｄ ＳＰの発光領域ＥＡ、緑色サブ画素Ｇｒｅｅｎ ＳＰの発光領域ＥＡ及び青色サブ画素Ｂｌｕｅ ＳＰの発光領域ＥＡを含むことができる。
【0100】
図４を参照すると、一般領域ＮＡは、光透過構造を含まず、発光領域ＥＡを含むことができる。
【0101】
しかし、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２は、発光領域ＥＡを含むだけではなく、光透過構造も含んでいなければならない。
【0102】
従って、第１光学領域ＤＡ１は、発光領域ＥＡと第１透過領域ＴＡ１を含むことができ、第２光学領域ＤＡ２は、発光領域ＥＡと第２透過領域ＴＡ２を含むことができる。
【0103】
発光領域ＥＡと透過領域ＴＡ１、ＴＡ２は、光透過が可能か否かによって区別され得る。即ち、発光領域ＥＡは、光透過が不可能な領域であり得、透過領域ＴＡ１、ＴＡ２は、光透過が可能な領域であり得る。
【0104】
また、発光領域ＥＡと透過領域ＴＡ１、ＴＡ２は、特定のメタル層の形成の有無によって区別され得る。例えば、発光領域ＥＡには、カソード電極が形成されており、透過領域ＴＡ１、ＴＡ２には、カソード電極が形成されないことがある。また、発光領域ＥＡには、遮光層が形成されているが、透過領域ＴＡ１、ＴＡ２には、遮光層が形成されないことがある。
【0105】
このとき、第１光学領域ＤＡ１は第１透過領域ＴＡ１を含み、第２光学領域ＤＡ２は第２透過領域ＴＡ２を含むため、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２はいずれも光が透過できる領域である。
【0106】
このとき、第１光学領域ＤＡ１の透過率（透過程度）と第２光学領域ＤＡ２の透過率（透過程度）は同一であり得る。
【0107】
この場合、第１光学領域ＤＡ１の第１透過領域ＴＡ１と第２光学領域ＤＡ２の第２透過領域ＴＡ２は、模様または大きさが同一であり得る。または、第１光学領域ＤＡ１の第１透過領域ＴＡ１と第２光学領域ＤＡ２の第２透過領域ＴＡ２は、模様や大きさが異なっても、第１光学領域ＤＡ１内の第１透過領域ＴＡ１の比率と第２光学領域ＤＡ２内の第２透過領域ＴＡ２の比率が同一であり得る。
【0108】
これとは異なり、第１光学領域ＤＡ１の透過率（透過程度）と第２光学領域ＤＡ２の透過率（透過程度）は、互いに異なり得る。
【0109】
この場合、第１光学領域ＤＡ１の第１透過領域ＴＡ１と第２光学領域ＤＡ２の第２透過領域ＴＡ２は、模様または大きさが異なり得る。または、第１光学領域ＤＡ１の第１透過領域ＴＡ１と第２光学領域ＤＡ２の第２透過領域ＴＡ２は、模様や大きさが同一であっても、第１光学領域ＤＡ１内の第１透過領域ＴＡ１の比率と第２光学領域ＤＡ２内の第２透過領域ＴＡ２の比率が互いに異なり得る。
【0110】
例えば、第１光学領域ＤＡ１が重畳される第１光学電子装置がカメラであり、第２光学領域ＤＡ２が重畳される第２光学電子装置が感知センサである場合、カメラは、感知センサよりさらに大きな光量を必要とし得る。
【0111】
従って、第１光学領域ＤＡ１の透過率（透過程度）は、第２光学領域ＤＡ２の透過率（透過程度）より高くなり得る。
【0112】
この場合、第１光学領域ＤＡ１の第１透過領域ＴＡ１は、第２光学領域ＤＡ２の第２透過領域ＴＡ２よりさらに大きな大きさを有し得る。または、第１光学領域ＤＡ１の第１透過領域ＴＡ１と第２光学領域ＤＡ２の第２透過領域ＴＡ２は大きさが同一であっても、第１光学領域ＤＡ１内の第１透過領域ＴＡ１の比率が第２光学領域ＤＡ２内の第２透過領域ＴＡ２の比率より大きくなり得る。
【0113】
以下においては、説明の便宜のために、第１光学領域ＤＡ１の透過率（透過程度）が第２光学領域ＤＡ２の透過率（透過程度）より大きな場合を例に挙げて説明する。
【0114】
また、図４に示されたように、本発明の実施例においては、透過領域ＴＡ１、ＴＡ２は透明領域ともいえ、透過率は透明度ともいえる。
【0115】
また、図４に示されたように、本発明の実施例においては、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２が表示パネルの表示領域の上端に位置し、左右に並んで配置される場合を仮定する。
【0116】
図４を参照すると、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２が配置される横表示領域を第１横表示領域ＨＡ１といい、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２が配置されない横表示領域を第２横表示領域ＨＡ２という。
【0117】
図４を参照すると、第１横表示領域ＨＡ１は、一般領域ＮＡ、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を含むことができる。これに対して、第２横表示領域ＨＡ２は、一般領域ＮＡだけを含むことができる。
【0118】
図５ａは、本発明の一実施例に係る表示パネルにおいて、第１光学領域及び一般領域それぞれでの信号ラインの配置を例に挙げて示す図である。
【0119】
図５ｂは、本発明の一実施例に係る表示パネルにおいて、第２光学領域及び一般領域それぞれでの信号ラインの配置を例に挙げて示す図である。
【0120】
即ち、図５ａは、本発明の実施例に係る表示パネルにおいて、第１光学領域ＤＡ１及び一般領域それぞれでの信号ラインの配置を示しており、図５ｂは、本発明の実施例に係る表示パネルにおいて、第２光学領域ＤＡ２及び一般領域それぞれでの信号ラインの配置を示している。
【0121】
【0122】
【0123】
【0124】
表示パネルには、多様な種類の横ラインＨＬ１、ＨＬ２が配置され、多様な種類の縦ラインＶＬｎ、ＶＬ１、ＶＬ２が配置され得る。
【0125】
本発明の実施例において、横方向と縦方向は、交差する二つの方向を意味するものであって、横方向と縦方向は、見る方向によって異なり得る。一例として、本発明の実施例において、横方向は、一つのゲートラインが延びて配置される方向を意味し、縦方向は、一つのデータラインが延びて配置される方向を意味し得る。このように、横と縦を例に挙げる。
【0126】
【0127】
表示パネルに配置される横ラインは、ゲートラインであってよい。即ち、第１横ラインＨＬ１と第２横ラインＨＬ２は、ゲートラインであってよい。ゲートラインは、サブ画素の構造によって多様な種類のゲートラインを含むことができる。
【0128】
図５ａ及び図５ｂを参照すると、表示パネルに配置される縦ラインは、一般領域にのみ配置される一般縦ラインＶＬｎ、第１光学領域ＤＡ１と一般領域を全て通る第１縦ラインＶＬ１及び第２光学領域ＤＡ２と一般領域を全て通る第２縦ラインＶＬ２を含むことができる。
【0129】
表示パネルに配置される縦ラインは、データライン、駆動電圧ライン等を含むことができ、それだけではなく、基準電圧ライン、初期化電圧ライン等をさらに含むことができる。即ち、一般縦ラインＶＬｎ、第１縦ラインＶＬ１及び第２縦ラインＶＬ２は、データライン、駆動電圧ライン等を含むことができ、それだけではなく、基準電圧ライン、初期化電圧ライン等をさらに含むことができる。
【0130】
本発明の実施例において、第２横ラインＨＬ２で「横」という用語は、信号が左側（または右側）から右側（または左側）に伝達されるという意味であるだけで、第２横ラインＨＬ２が正確な横方向にのみ直線形態に延びるという意味ではなくてよい。即ち、図５ａ及び図５ｂにおいて、第２横ラインＨＬ２は、一直線形態に示されているが、これとは異なり、第２横ラインＨＬ２は、折れたか曲げられた部分を含むことができる。同様に、第１横ラインＨＬ１もまた折れたか曲げられた部分を含むことができる。
【0131】
本発明の実施例において、一般縦ラインＶＬｎで「縦」という用語は、信号が上側（または下側）から下側（または上側）に伝達されるという意味であるだけで、一般縦ラインＶＬｎが正確な縦方向にのみ直線形態に延びるという意味ではない。即ち、図５ａ及び図５ｂにおいて、一般縦ラインＶＬｎは、一直線形態に示されているが、これとは異なり、一般縦ラインＶＬｎは、折れたか曲げられた部分を含むことができる。同様に、第１縦ラインＶＬ１及び第２縦ラインＶＬ２もまた折れたか曲げられた部分を含むことができる。
【0132】
図５ａを参照すると、第１横領域ＨＡ１に含まれる第１光学領域ＤＡ１は、発光領域と第１透過領域を含むことができる。第１光学領域ＤＡ１内で、第１透過領域の外領域が発光領域を含むことができる。
【0133】
図５ａを参照すると、第１光学領域ＤＡ１の透過率の改善のために、第１光学領域ＤＡ１を通る第１横ラインＨＬ１は、第１光学領域ＤＡ１内の第１透過領域を回避して通ることができる。
【0134】
従って、第１光学領域ＤＡ１を通る第１横ラインＨＬ１それぞれは、各第１透過領域の外郭の枠の外を迂回する曲線区間またはベンディング区間等を含むことができる。
【0135】
これによって、第１横領域ＨＡ１に配置される第１横ラインＨＬ１と第２横領域ＨＡ２に配置される第２横ラインＨＬ２は、模様または長さ等が互いに異なり得る。即ち、第１光学領域ＤＡ１を通る第１横ラインＨＬ１と第１光学領域ＤＡ１を通らない第２横ラインＨＬ２は、模様または長さ等が互いに異なり得る。
【0136】
また、第１光学領域ＤＡ１の透過率の改善のために、第１光学領域ＤＡ１を通る第１縦ラインＶＬ１は、第１光学領域ＤＡ１内の第１透過領域を回避して通ることができる。
【0137】
従って、第１光学領域ＤＡ１を通る第１縦ラインＶＬ１それぞれは、各第１透過領域の外郭の枠の外を迂回する曲線区間またはベンディング区間等を含むことができる。
【0138】
これによって、第１光学領域ＤＡ１を通る第１縦ラインＶＬ１と第１光学領域ＤＡ１を通ることなく一般領域に配置される一般縦ラインＶＬｎは、模様または長さ等が互いに異なり得る。
【0139】
図５ａを参照すると、第１横領域ＨＡ１内の第１光学領域ＤＡ１に含まれた第１透過領域は、斜線方向に配列され得る。
【0140】
図５ａを参照すると、第１横領域ＨＡ１内の第１光学領域ＤＡ１で、左右に隣接した二つの第１透過領域の間には発光領域が配置され得る。第１横領域ＨＡ１内の第１光学領域ＤＡ１で、上下に隣接した二つの第１透過領域の間には発光領域が配置され得る。
【0141】
図５ａを参照すると、第１横領域ＨＡ１に配置される第１横ラインＨＬ１、即ち、第１光学領域ＤＡ１を通る第１横ラインＨＬ１は、全て第１透過領域の外郭の枠の外を迂回する曲線区間またはベンディング区間を少なくとも一つは含むことができる。
【0142】
図５ｂを参照すると、第１横領域ＨＡ１に含まれる第２光学領域ＤＡ２は、発光領域と第２透過領域ＴＡ２を含むことができる。第２光学領域ＤＡ２内で、第２透過領域ＴＡ２の外領域が発光領域を含むことができる。
【0143】
第２光学領域ＤＡ２内の発光領域及び第２透過領域ＴＡ２の位置及び配列状態は、図５ａでの第１光学領域ＤＡ１内の発光領域及び第２透過領域の位置及び配列状態と同一であってもよい。
【0144】
これとは異なり、図５ｂに示されたように、第２光学領域ＤＡ２内の発光領域及び第２透過領域ＴＡ２の位置及び配列状態は、図５ａでの第１光学領域ＤＡ１内の発光領域及び第２透過領域の位置及び配列状態と異なり得る。
【0145】
例えば、図５ｂを参照すると、第２光学領域ＤＡ２内で、第２透過領域ＴＡ２は、横方向（左右方向）に配列され得る。横方向（左右方向）に隣接した二つの第２透過領域ＴＡ２の間には、発光領域が配置されなくてよい。また、第２光学領域ＤＡ２内の発光領域は、縦方向（上下方向）に隣接した第２透過領域ＴＡ２の間に配置され得る。即ち、二つの第２透過領域ＴＡ２の行の間に発光領域が配置され得る。
【0146】
第１横ラインＨＬ１は、第１横領域ＨＡ１内の第２光学領域ＤＡ２とその周辺の一般領域を通るとき、図５ａと同じ形態に通ることができる。
【0147】
【0148】
【0149】
図５ｂを参照すると、第１横ラインＨＬ１は、第１横領域ＨＡ１内の第２光学領域ＤＡ２とその周辺の一般領域を通るとき、曲線区間やベンディング区間なしに、上下に隣接した第２透過領域ＴＡ２の間を直線形態に通ることができる。
【0150】
言い換えれば、一つの第１横ラインＨＬ１は、第１光学領域ＤＡ１内で曲線区間またはベンディング区間を有するが、第２光学領域ＤＡ２内では曲線区間またはベンディング区間を有しなくてよい。
【0151】
第２光学領域ＤＡ２の透過率の改善のために、第２光学領域ＤＡ２を通る第２縦ラインＶＬ２は、第２光学領域ＤＡ２内の第２透過領域ＴＡ２を回避して通ることができる。
【0152】
従って、第２光学領域ＤＡ２を通る第２縦ラインＶＬ２それぞれは、各第２透過領域ＴＡ２の外郭の枠の外を迂回する曲線区間またはベンディング区間等を含むことができる。
【0153】
これによって、第２光学領域ＤＡ２を通る第２縦ラインＶＬ２と第２光学領域ＤＡ２を通ることなく一般領域に配置される一般縦ラインＶＬｎは、模様または長さ等が互いに異なり得る。
【0154】
図５ａに示されたように、第１光学領域ＤＡ１を通過する第１横ラインＨＬ１は、第１透過領域の外郭の枠の外を迂回する曲線区間またはベンディング区間を有することができる。
【0155】
従って、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過する第１横ラインＨＬ１の長さは、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過せず一般領域にのみ配置される第２横ラインＨＬ２の長さより少しはさらに長くなり得る。
【0156】
これによって、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過する第１横ラインＨＬ１の抵抗（以下、第１抵抗ともいう）は、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過せず一般領域にのみ配置される第２横ラインＨＬ２の抵抗（以下、第２抵抗ともいう）より若干大きくなり得る。
【0157】
図５ａ及び図５ｂを参照すると、光透過構造によって、第１光学電子装置と少なくとも一部が重畳される第１光学領域ＤＡ１は複数の第１透過領域を含み、第２光学電子装置と少なくとも一部が重畳される第２光学領域ＤＡ２は複数の第２透過領域ＴＡ２を含むため、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２は、一般領域に比して単位面積当たりのサブ画素個数が少なくなり得る。
【0158】
第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過する第１横ラインＨＬ１が連結されるサブ画素の個数と、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過せず一般領域にのみ配置される第２横ラインＨＬ２が連結されるサブ画素の個数は、互いに異なり得る。
【0159】
第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過する第１横ラインＨＬ１が連結されるサブ画素の個数（第１個数）は、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過せず一般領域にのみ配置される第２横ラインＨＬ２が連結されるサブ画素の個数（第２個数）より少なくなり得る。
【0160】
第１個数と第２個数間の差は、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２それぞれの解像度と一般領域の解像度の差によって変わり得る。例えば、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２それぞれの解像度と一般領域の解像度の差が大きくなるほど、第１個数と第２個数間の差は大きくなり得る。
【0161】
前述したように、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過する第１横ラインＨＬ１が連結されるサブ画素の個数（第１個数）が第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過せず一般領域にのみ配置される第２横ラインＨＬ２が連結されるサブ画素の個数（第２個数）より少ないため、第１横ラインＨＬ１が周辺の他の電極やラインと重畳される面積が第２横ラインＨＬ２が周辺の他の電極やラインと重畳される面積より小さくなり得る。
【0162】
従って、第１横ラインＨＬ１が周辺の他の電極やラインと形成する寄生キャパシタンス（以下、第１キャパシタンスという）は、第２横ラインＨＬ２が周辺の他の電極やラインと形成する寄生キャパシタンス（以下、第２キャパシタンス）より非常に小さくなり得る。
【0163】
第１抵抗及び第２抵抗間の大小関係（第２抵抗は第１抵抗以上）及び第１キャパシタンス及び第２キャパシタンス間の大小関係（第１キャパシタンス＜＜第２キャパシタンス）を考慮するとき、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過する第１横ラインＨＬ１のＲＣ（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ－Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）値（以下、第１ＲＣ値ともいう）は、第１光学領域ＤＡ１及び第２光学領域ＤＡ２を通過せず一般領域にのみ配置される第２横ラインＨＬ２のＲＣ値（以下、第２ＲＣ値ともいう）より遥かに小さくなり得る（第１ＲＣ値＜＜第２ＲＣ値）。
【0164】
第１横ラインＨＬ１の第１ＲＣ値と第２横ラインＨＬ２の第２ＲＣ値間の差（以下において、ＲＣロード（ＲＣ Ｌｏａｄ）偏差という）によって、第１横ラインＨＬ１を通した信号伝達特性と第２横ラインＨＬ２を通した信号伝達特性が変わり得る。
【0165】
図６は、本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置において、第１光学領域内の非透過領域と透過領域の断面構造及び一般領域の断面構造を示す図である。
【0166】
図６を参照すると、表示パネルＤＰの第１光学領域ＤＡ１は、透過領域ＴＡと非透過領域ＮＴＡを含むことができる。表示パネルＤＰの一般領域ＮＡは、非透過領域ＮＴＡと見なすことができる。
【0167】
以下、第１光学領域ＤＡ１内の非透過領域ＮＴＡの積層構造と透過領域ＴＡの積層構造及び一般領域ＮＡの積層構造を検討する。
【0168】
まず、一般領域ＮＡの積層構造は、次のとおりである。
【0169】
一般領域ＮＡで、基板ＳＵＢの上部にトランジスタ層ＴＲＬが配置され、トランジスタ層ＴＲＬの上部に平坦化層ＰＬＮが配置され得る。また、平坦化層ＰＬＮの上部に発光素子層ＥＤＬが配置され、発光素子層ＥＤＬの上部に封止層ＥＮＣＡＰが配置され、封止層ＥＮＣＡＰの上部にタッチセンサ層ＴＳＬが配置され、タッチセンサ層ＴＳＬの上部に保護層ＰＡＣが配置され得る。
【0170】
一般領域ＮＡで、トランジスタ層ＴＲＬには、各サブ画素に対する駆動トランジスタ及びスキャントランジスタ等の多数のトランジスタが配置され得、またトランジスタを形成するための各種の絶縁膜が配置され得る。各種の絶縁膜は、有機膜及び無機膜を含むことができる。
【0171】
一般領域ＮＡで、トランジスタ層ＴＲＬには、データライン、ゲートライン、駆動電圧ライン等の各種の配線が配置され得る。
【0172】
一般領域ＮＡで、発光素子層ＥＤＬには、各サブ画素の発光素子１２０が配置され得る。即ち、一般領域ＮＡで、発光素子層ＥＤＬには、発光素子１２０を構成する画素電極、発光層及び共通電極が配置され得る。
【0173】
一般領域ＮＡで、タッチセンサ層ＴＳＬには、タッチセンサが配置され得、タッチセンサを形成するのに必要なタッチバッファ膜及びタッチ絶縁膜等がさらに配置されてもよい。
【0174】
次に、第１光学領域ＤＡ１の非透過領域ＮＴＡの積層構造は、一般領域ＮＡの積層構造と同一である。
【0175】
図６を参照すると、第１光学領域ＤＡ１の非透過領域ＮＴＡで、基板ＳＵＢの上部にトランジスタ層ＴＲＬが配置され、トランジスタ層ＴＲＬの上部に平坦化層ＰＬＮが配置され得る。また、平坦化層ＰＬＮの上部に発光素子層ＥＤＬが配置され、発光素子層ＥＤＬの上部に封止層ＥＮＣＡＰが配置され得る。封止層ＥＮＣＡＰの上部にタッチセンサ層ＴＳＬが配置され、タッチセンサ層ＴＳＬの上部に保護層ＰＡＣが配置され得る。
【0176】
発光素子１２０は、水分や酸素に脆弱である。封止層ＥＮＣＡＰは、水分や酸素の浸透を防止して、発光素子１２０が水分や酸素に露出されることを防ぐことができる。封止層ＥＮＣＡＰは、一つの層からなっていてもよいが、多数の層からなっていてもよい。
【0177】
第１光学領域ＤＡ１の非透過領域ＮＴＡで、トランジスタ層ＴＲＬには、各サブ画素の駆動トランジスタ及びスキャントランジスタ等の多数のトランジスタが配置され得、またトランジスタを形成するための各種の絶縁膜が配置され得る。ここで、各種の絶縁膜は、有機膜及び無機膜を含むことができる。
【0178】
また、第１光学領域ＤＡ１の非透過領域ＮＴＡで、トランジスタ層ＴＲＬには、データライン、ゲートライン、駆動電圧ライン等の各種の配線が配置され得る。
【0179】
第１光学領域ＤＡ１の非透過領域ＮＴＡで、発光素子層ＥＤＬには、各サブ画素の発光素子１２０が配置され得る。即ち、第１光学領域ＤＡ１の非透過領域ＮＴＡで、発光素子層ＥＤＬには、発光素子１２０を構成する画素電極、発光層及び共通電極が配置され得る。
【0180】
また、第１光学領域ＤＡ１の非透過領域ＮＴＡで、タッチセンサ層ＴＳＬには、タッチセンサＴＳが配置され得、タッチセンサＴＳを形成するのに必要なタッチバッファ膜及びタッチ絶縁膜等がさらに配置されてもよい。
【0181】
そして、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡの積層構造は、次のとおりである。
【0182】
図６を参照すると、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡで、基板ＳＵＢの上部にトランジスタ層ＴＲＬが配置され、トランジスタ層ＴＲＬの上部に平坦化層ＰＬＮが配置され得る。また、平坦化層ＰＬＮの上部に発光素子層ＥＤＬが配置され、発光素子層ＥＤＬの上部に封止層ＥＮＣＡＰが配置され得る。封止層ＥＮＣＡＰの上部にタッチセンサ層ＴＳＬが配置され、タッチセンサ層ＴＳＬの上部に保護層ＰＡＣが配置され得る。
【0183】
第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡで、トランジスタ層ＴＲＬには、各サブ画素の駆動トランジスタ及びスキャントランジスタ等の多数のトランジスタ及び各種の配線が配置され得、発光素子層ＥＤＬには、各サブ画素の発光素子１２０が配置され得る。第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡで、タッチセンサ層ＴＳＬには、タッチセンサＴＳが配置され得る。
【0184】
このとき、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡで、トランジスタ層ＴＲＬには、トランジスタ及び配線が配置されない。しかし、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡで、トランジスタ層ＴＲＬには、トランジスタの形成に必要な各種の絶縁膜が配置され得る。ここで、各種の絶縁膜は、有機膜及び無機膜を含むことができる。
【0185】
また、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡで、発光素子層ＥＤＬには、各サブ画素の発光素子１２０が配置されない。即ち、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡで、発光素子層ＥＤＬには、画素電極、発光層及び共通電極が配置されない。ただし、本発明は、これに制限されず、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡで、発光素子層ＥＤＬには、画素電極、発光層及び共通電極のうち一部のみ配置されることはあり得る。例えば、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡで、発光素子層ＥＤＬに発光層のみ配置されることはあり得る。
【0186】
第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡで、タッチセンサ層ＴＳＬには、タッチセンサが配置されない。第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡで、タッチセンサ層ＴＳＬには、タッチバッファ膜及びタッチ絶縁膜等は配置されてもよい。
【0187】
図６を参照すると、第１光学領域ＤＡ１及び一般領域ＮＡの非透過領域ＮＴＡに配置される金属物質層と絶縁物質層の中で金属物質層は、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡに配置されない。ただし、第１光学領域ＤＡ１及び一般領域ＮＡの非透過領域ＮＴＡに配置される金属物質層と絶縁物質層の中で絶縁物質層は、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡまで拡張されて配置され得る。
【0188】
言い換えると、金属物質層は、第１光学領域ＤＡ１の非透過領域ＮＴＡ及び一般領域ＮＡの非透過領域ＮＴＡに配置され、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡには配置されない。絶縁物質層は、第１光学領域ＤＡ１の非透過領域ＮＴＡ、一般領域ＮＡの非透過領域ＮＴＡ及び第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡに共通して配置され得る。ただし、本発明は、これに制限されない。
【0189】
また、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡは、第１光学電子装置１５０と重畳され得、外部光が第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡを通して第１光学電子装置１５０まで伝達され得る。従って、第１光学電子装置１５０の正常な動作のために、第１光学領域ＤＡ１の透過領域ＴＡの透過率は高くなければならない。
【0190】
一方、第１光学領域ＤＡ１及び一般領域ＮＡの平坦化層ＰＬＮは、第１平坦化層と第２平坦化層の二つの層で構成でき、生産性を向上させるためにフォトアクリル（ＰＡＣ）を適用できる。即ち、本発明は、ベゼル幅を縮小させるためにベゼルベンディング表示装置を適用し、二つの層の配線層と二つの層の平坦化層を適用する一方、生産性を向上させるためにＰＡＣを適用するようになる。この場合、表示パネルの上部からの透湿によりソース／ドレイン配線に腐食不良が発生し得る。特に、ベンディング領域に隣接したコンタクトホールの近くのＧＩＰ配線部には、互いに異なる層の配線が互いに連結されることで異種接触腐食、即ち、ガルバニック腐食（Ｇａｌｖａｎｉｃ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ）が発生し得る。ガルバニック腐食は、二つの材料が互いに接触した状態で腐食環境に露出される場合に互いの電位差によって金属間電子の移動が起こるようになり、相対的に電位の高い貴電位（ｎｏｂｌｅ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）を有する金属は腐食速度が減少し、相対的に低い電位の活性電位（ａｃｔｉｖｅ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）を有する金属の腐食速度は増加する腐食である。そこで、既存には、平坦化層ＰＬＮとしてＰＡＣの代わりにＰＩを適用した。ただし、ＵＤＣモデルまたはＵＤＩＲモデルの場合には、透過領域ＴＡの透過率を確保するためにカソードを除去するにつれＵＶ信頼性が脆弱になると同時に、平坦化層ＰＬＮとしてＰＡＣの代わりにＰＩを適用する場合には、アウトガス（ｏｕｔｇａｓ）による画素縮小（ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）不良に脆弱であり得る。一例として、ＰＡＣを適用する場合に投入数量に対する画素縮小発生率は０％であるのに対し、ＰＩを適用する場合、投入数量に対する画素縮小発生率は１００％に至る。
【0191】
そこで、本発明は、平坦化層ＰＬＮとしてＰＡＣ系列の材料を適用しながらも、ＧＩＰ配線部のコンタクトホールの上部の平坦化層ＰＬＮを一部除去し、ＰＩ系列の材料のバンクで満たすか、ＧＩＰ配線部のコンタクトホールの上部の配線の一部をアノード電極やタッチ電極の金属層で覆い、透湿を防止することで生産性を向上させると同時にＧＩＰ配線部の腐食不良を改善することを特徴とする。これに関する詳細な説明は、図７乃至図１１を参照して後述する。
【0192】
図７は、本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置の断面の一部を示す図である。
【0193】
図８は、本発明の他の実施例に係るフレキシブル表示装置の断面の一部を示す図である。
【0194】
【0195】
図７は、透過領域ＴＡ内にバンク１１６が配置されているのに対し、図８は、透過領域ＴＡ内にバンク１１６が一部除去されている。即ち、図７及び図８は、透過領域ＴＡ内のバンク１１６の形態のみが異なるだけで、他の構成は実質的に同一であるので、重複した説明は省略する。
【0196】
図７及び図８を参照すると、第１光学領域の非透過領域ＮＴＡ及び透過領域ＴＡはいずれも、基本的に、基板ＳＵＢ、トランジスタ層ＴＲＬ、平坦化層ＰＬＮ、発光素子層ＥＤＬ、封止層ＥＮＣＡＰ、タッチセンサ層ＴＳＬ及び保護層ＰＡＣを含むことができる。
【0197】
まず、第１光学領域に含まれた非透過領域ＮＴＡの積層構造を説明する。
【0198】
基板ＳＵＢは、第１基板１１０ａと第２基板１１０ｂ及び層間絶縁膜１１０ｃを含むことができる。層間絶縁膜１１０ｃは、第１基板１１０ａと第２基板１１０ｂとの間に配置され得る。このように基板ＳＵＢを第１基板１１０ａと第２基板１１０ｂ及び層間絶縁膜１１０ｃで構成することで、水分浸透を防止できる。例えば、第１基板１１０ａ及び第２基板１１０ｂは、ポリイミド（ＰＩ：ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）基板であってよい。
【0199】
トランジスタ層ＴＲＬには、駆動トランジスタＴｄ等のトランジスタを形成するための各種のパターン１３１、１３２、１３３、１３４、各種の絶縁膜１１１ａ、１１１ｂ、１１２、１１３ａ、１１３ｂ、１１４及び各種の金属パターンＴＭ、ＧＭ、１３５が配置され得る。
【0200】
以下、トランジスタ層ＴＲＬの積層構造についてさらに詳細に説明する。
【0201】
マルチバッファ層（ｍｕｌｔｉ－ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ）１１１ａが第２基板１１０ｂ上に配置され、アクティブバッファ層１１１ｂがマルチバッファ層１１１ａ上に配置され得る。
【0202】
マルチバッファ層１１１ａ上に金属層１３５が配置され得る。
【0203】
ここで、金属層１３５は、ライトシールド（ｌｉｇｈｔ ｓｈｉｅｌｄ）の役割を果たすことができ、遮光層とも称され得る。
【0204】
金属層１３５上にアクティブバッファ層１１１ｂが配置され得る。
【0205】
アクティブバッファ層１１１ｂ上に駆動トランジスタＴｄのアクティブ層１３４が配置され得る。
【0206】
アクティブ層１３４上にゲート絶縁膜１１２が配置され得る。
【0207】
また、ゲート絶縁膜１１２上に駆動トランジスタＴｄのゲート電極１３１が配置され得る。このとき、駆動トランジスタＴｄの形成位置と異なる位置で、ゲート絶縁膜１１２上にゲート物質層ＧＭが配置され得る。
【0208】
ゲート電極１３１及びゲート物質層ＧＭ上に第１層間絶縁膜１１３ａが配置され得る。第１層間絶縁膜１１３ａ上に金属パターンＴＭが配置され得る。第１層間絶縁膜１１３ａ上に金属パターンＴＭを覆いながら第２層間絶縁膜１１３ｂが配置され得る。
【0209】
第２層間絶縁膜１１３ｂ上には、駆動トランジスタＴｄのソース電極１３２及びドレイン電極１３３が配置され得る。
【0210】
ソース電極１３２及びドレイン電極１３３は、第２層間絶縁膜１１３ｂ、第１層間絶縁膜１１３ａ及びゲート絶縁膜１１２に備えられたコンタクトホールを通して、アクティブ層１３４の一側と他側にそれぞれ連結され得る。
【0211】
アクティブ層１３４でゲート電極１３１と重畳される部分は、チャネル領域である。ソース電極１３２及びドレイン電極１３３のうちの一つは、アクティブ層１３４でチャネル領域の一側と連結され、残りの一つは、アクティブ層１３４でチャネル領域の他側と連結される。
【0212】
ソース電極１３２及びドレイン電極１３３上にパッシベーション層１１４が配置され得る。
【0213】
トランジスタ層ＴＲＬの上部に平坦化層ＰＬＮが位置し得る。
【0214】
平坦化層ＰＬＮは、第１平坦化層１１５ａ及び第２平坦化層１１５ｂを含むことができる。第１平坦化層１１５ａは、ＰＩ系列の材料からなり、第２平坦化層１１５ｂは、ＰＡＣ系列の材料からなり得る。即ち、ＵＤＣモデルまたはＵＤＩＲモデルでの画素縮小イシューは、第１平坦化層１１５ａより第２平坦化層１１５ｂのアウトガスが主な（ｍａｉｎ）原因であり、第２平坦化層１１５ｂだけＰＡＣ系列の材料で構成できる。
【0215】
第１平坦化層１１５ａは、パッシベーション層１１４上に配置され得る。
【0216】
第１平坦化層１１５ａ上に連結電極１２５が配置され得る。
【0217】
連結電極１２５は、第１平坦化層１１５ａに備えられたコンタクトホールを通してソース電極１３２及びドレイン電極１３３のうちの一つと連結され得る。
【0218】
連結電極１２５上に第２平坦化層１１５ｂが配置され得る。
【0219】
第２平坦化層１１５ｂの上部に発光素子層ＥＤＬが位置し得る。
【0220】
以下、発光素子層ＥＤＬの積層構造を詳細に検討する。
【0221】
第２平坦化層１１５ｂ上に画素電極１２１が配置され得る。このとき、画素電極１２１は、第２平坦化層１１５ｂに備えられたコンタクトホールを通して連結電極１２５と電気的に連結され得る。例えば、画素電極１２１は、アノード電極であってよい。
【0222】
バンク１１６が画素電極１２１を覆いながら配置され得る。バンク１１６は、サブ画素の発光領域に対応する部分がオープン（ｏｐｅｎ）され得る。バンク１１６がオープンされた部分（以下、オープン領域という）に画素電極１２１の一部が露出され得る。このとき、バンク１１６は、ＰＩ系列の材料からなり得る。
【0223】
発光層１２２がバンク１１６のオープン領域とその周辺に配置され得る。これによって、発光層１２２は、バンク１１６のオープン領域を通して露出された画素電極１２１上に配置され得る。
【0224】
発光層１２２上に共通電極１２３が配置され得る。例えば、共通電極１２３は、カソード電極であってよい。
【0225】
画素電極１２１、発光層１２２及び共通電極１２３により発光素子１２０が形成され得る。発光層１２２は、多数の有機膜を含むことができる。
【0226】
上述した発光素子層ＥＤＬの上部に封止層ＥＮＣＡＰが位置し得る。
【0227】
封止層ＥＮＣＡＰは、単一層構造または多層構造を有し得る。例えば、封止層ＥＮＣＡＰは、第１封止層１１７ａ、第２封止層１１７ｂ及び第３封止層１１７ｃを含むことができる。
【0228】
このとき、第１封止層１１７ａ及び第３封止層１１７ｃは無機膜で構成され、第２封止層１１７ｂは有機膜で構成され得る。第１封止層１１７ａ、第２封止層１１７ｂ及び第３封止層１１７ｃの中で第２封止層１１７ｂが最も厚く、平坦化層の役割を果たすことができる。
【0229】
第１封止層１１７ａは共通電極１２３上に配置され、発光素子１２０と最も隣接するように配置され得る。第１封止層１１７ａは、低温蒸着が可能な無機絶縁材質で形成され得る。例えば、第１封止層１１７ａは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等で構成され得る。第１封止層１１７ａが低温雰囲気で蒸着されるため、蒸着工程時、高温雰囲気に脆弱な有機物を含む発光層１２２が損傷されることを防止できる。
【0230】
第２封止層１１７ｂは、第１封止層１１７ａより小さな面積に形成され得る。この場合、第２封止層１１７ｂは、第１封止層１１７ａの両末端を露出させるように形成され得る。第２封止層１１７ｂは、フレキシブル表示装置の反りによる各層間の応力を緩和させる緩衝の役割及び平坦化性能を強化する役割を果たすことができる。
【0231】
例えば、第２封止層１１７ｂは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリエチレン、またはシリコンオキシカーボン（ＳｉＯＣ）等の有機絶縁材質で構成され得る。例えば、第２封止層１１７ｂは、インクジェット方式を通して形成されてもよいが、これに制限されない。
【0232】
図示していないが、封止層ＥＮＣＡＰが崩れることを防止するために、封止層ＥＮＣＡＰの傾斜面の端地点またはその近傍に一つ以上のダムが配置され得る。一つ以上のダムは、表示領域と非表示領域の境界地点や境界地点の近傍に配置され得る。
【0233】
有機物を含む第２封止層１１７ｂは、最も奥側にある１次ダムの内側面にのみ位置し得る。即ち、第２封止層１１７ｂは、全てのダムの上部に存在しなくてよい。これとは異なり、有機物を含む第２封止層１１７ｂは、１次ダム及び２次ダムのうち少なくとも１次ダムの上部に位置し得る。即ち、第２封止層１１７ｂは、１次ダムの上部まで拡張されるように位置し得る。または、第２封止層１１７ｂは、１次ダムの上部を通って２次ダムの上部まで拡張されるように位置し得る。
【0234】
第３封止層１１７ｃは、第２封止層１１７ｂが形成された基板ＳＵＢの上部に第２封止層１１７ｂ及び第１封止層１１７ａそれぞれの上部面及び側面を覆うように形成され得る。このとき、第３封止層１１７ｃは、外部の水分や酸素が第１封止層１１７ａ及び第２封止層１１７ｂに浸透することを最小化または遮断することができる。例えば、第３封止層１１７ｃは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等のような無機絶縁材質で構成され得る。
【0235】
上述した封止層ＥＮＣＡＰの上部にタッチセンサ層ＴＳＬが配置され得る。
【0236】
以下、タッチセンサ層ＴＳＬの積層構造を詳細に説明する。
【0237】
封止層ＥＮＣＡＰの上部にタッチバッファ膜１１８ａが配置され、タッチバッファ膜１１８ａ上にタッチセンサ１４０が配置され得る。
【0238】
タッチセンサ１４０は、互いに異なる層に位置するタッチセンサメタル１４１とブリッジメタル１４２を含むことができる。タッチセンサメタル１４１とブリッジメタル１４２との間には、タッチ層間絶縁膜１１８ｂが配置され得る。
【0239】
例えば、タッチセンサメタル１４１は、互いに隣接するように配置される第１タッチセンサメタル、第２タッチセンサメタル及び第３タッチセンサメタルを含むことができる。第１タッチセンサメタル及び第２タッチセンサメタルは、互いに電気的に連結されるが、第１タッチセンサメタル及び第２タッチセンサメタルの間に第３タッチセンサメタルがある場合、第１タッチセンサメタル及び第２タッチセンサメタルは、他の層にあるブリッジメタル１４２を通して電気的に連結され得る。ブリッジメタル１４２は、タッチ層間絶縁膜１１８ｂにより第３タッチセンサメタルと絶縁され得る。
【0240】
タッチセンサ層ＴＳＬの形成時に、工程に利用される薬液（現像液または食刻液等）または外部からの水分等が発生し得る。タッチバッファ膜１１８ａを配置し、その上にタッチセンサ層ＴＳＬを配置することで、タッチセンサ層ＴＳＬの製造時の薬液や水分等が有機物を含む発光層１２２に浸透することを防止できる。これによって、タッチバッファ膜１１８ａは、薬液または水分に脆弱な発光層１２２の損傷を防止できる。
【0241】
タッチバッファ膜１１８ａは、高温に脆弱な有機物を含む発光層１２２の損傷を防止するために、一定の温度（例えば、１００℃以下の低温）で形成可能で１－３の低い誘電率を有する有機絶縁材質で形成され得る。例えば、タッチバッファ膜１１８ａは、アクリル系列、エポキシ系列またはシロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）系列の材質で形成され得る。フレキシブル表示装置の反りによって、封止層ＥＮＣＡＰが損傷され得、タッチバッファ膜１１８ａの上部に位置するタッチセンサメタル１４１が割れ得る。フレキシブル表示装置が反っても、有機絶縁材質で構成されて平坦化性能を有するタッチバッファ膜１１８ａは、封止層ＥＮＣＡＰの損傷及びタッチセンサ１４０を構成するメタル１４１、１４２の割れ現象を防止できる。
【0242】
保護層ＰＡＣがタッチセンサ１４０を覆うように配置され得る。保護層ＰＡＣは、有機絶縁膜で構成され得る。
【0243】
以下、第１光学領域に含まれた透過領域ＴＡの積層構造を説明する。
【0244】
図７及び図８を参照すると、第１光学領域の非透過領域ＮＴＡに配置された基板ＳＵＢと各種の絶縁膜１１１ａ、１１１ｂ、１１２、１１３ａ、１１３ｂ、１１４、１１５ａ、１１５ｂ、１１７ａ、１１７ｂ、１１７ｃ、ＰＡＣは、第１光学領域の透過領域ＴＡにも同一に配置され得る。
【0245】
ただし、第１光学領域の非透過領域ＮＴＡで絶縁物質以外に、電気的な特性や不透明な特性を有する物質層（例えば、金属物質層、半導体層等）は、第１光学領域の透過領域ＴＡに配置されなくてよい。
【0246】
例えば、トランジスタと関連した金属物質層１３５、１３１、ＧＭ、ＴＭ、１３２、１３３、１２５と半導体層１３４は、透過領域ＴＡに配置されない。また、発光素子１２０に含まれた画素電極１２１及び共通電極１２３は、透過領域ＴＡに配置されなくてよい。発光層１２２は、透過領域ＴＡに配置されてもよく、配置されなくてもよい。また、タッチセンサ１４０に含まれたタッチセンサメタル１４１及びブリッジメタル１４２は、透過領域ＴＡに配置されない。ただし、本発明は、これに制限されない。
【0247】
即ち、第１光学領域の透過領域ＴＡは、第１光学電子装置１５０と重畳されるため、第１光学電子装置１５０の正常な動作のために、透過領域ＴＡの透過率は高くなければならない。
【0248】
【0249】
図９は、本発明の一実施例のＧＩＰ配線部を示す平面図である。
【0250】
【0251】
【0252】
このとき、図９に示された四角形以外の領域は、第２平坦化層２１５ｂが配置された領域を示す。
【0253】
図９及び図１０を参照すると、ＧＩＰ配線部の非表示領域は、基板ＳＵＢ、ＧＩＰ配線ＧＭ１、ＳＤＭ１、ＳＤＭ２、平坦化層１１５ａ、２１５ｂ、バンク２１６、タッチバッファ膜１１８ａ、タッチ層間絶縁膜１１８ｂ及び保護層ＰＡＣを含むことができる。
【0254】
説明の便宜上、図示していないが、基板ＳＵＢは、第１基板と第２基板及び層間絶縁膜を含むことができる。層間絶縁膜は、第１基板と第２基板との間に配置され得る。
【0255】
ＧＩＰ配線部の基板ＳＵＢの上部には、トランジスタ層の各種の絶縁膜、即ち、マルチバッファ層１１１ａ、アクティブバッファ層１１１ｂ、ゲート絶縁膜１１２が配置され得る。ただし、本発明は、これに制限されず、一部の絶縁膜は配置されなくてもよい。
【0256】
ゲート絶縁膜１１２上にＧＩＰ配線ＧＭ１が配置され得る。
【0257】
ＧＩＰ配線ＧＭ１は、駆動ＩＣに延びて信号の印加を受けるか、表示領域内の画素に延びて信号を伝達できる。
【0258】
ＧＩＰ配線ＧＭ１は、表示領域内のトランジスタのゲート電極と同じ層に同じ金属物質からなり得るが、これに制限されない。
【0259】
ＧＩＰ配線ＧＭ１上に第１層間絶縁膜１１３ａ及び第２層間絶縁膜１１３ｂが配置され得る。
【0260】
第２層間絶縁膜１１３ｂ上に連結配線ＳＤＭ１が配置され得る。
【0261】
即ち、連結配線ＳＤＭ１は、非ベンディング領域ＮＢＡの第２層間絶縁膜１１３ｂ上に配置され、ＧＩＰ配線ＧＭ１と連結される第１コンタクト領域を含むことができる。
【0262】
連結配線ＳＤＭ１は、リンク配線ＳＤＭ２とＧＩＰ配線ＧＭ１との間を連結できる。
【0263】
連結配線ＳＤＭ１は、多数の第１コンタクトホール１４０ａを通してリンク配線ＳＤＭ２、即ち、第２コンタクト領域と電気的に連結されると同時に、多数の第２コンタクトホール１４０ｂを通してＧＩＰ配線ＧＭ１と電気的に連結され得る。
【0264】
連結配線ＳＤＭ１は、表示領域内のトランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ層に同じ金属物質からなり得るが、これに制限されない。
【0265】
連結配線ＳＤＭ１上に第１平坦化層１１５ａが配置され得る。
【0266】
このとき、第１平坦化層１１５ａは、ＰＩ系列の材料からなり得る。
【0267】
第１平坦化層１１５ａ上にリンク配線ＳＤＭ２が配置され得る。
【0268】
リンク配線ＳＤＭ２は、駆動ＩＣに連結されたＧＩＰ配線及び表示領域の画素に連結されたＧＩＰ配線ＧＭ１の間を連結する配線であってよい。
【0269】
リンク配線ＳＤＭ２は、第１平坦化層１１５ａ上に配置されてベンディング領域ＢＡに延び、連結配線ＳＤＭ１と連結される第２コンタクト領域を含むことができる。
【0270】
リンク配線ＳＤＭ２は、表示領域内の連結電極と同じ層に同じ金属物質からなり得るが、これに制限されない。
【0271】
リンク配線ＳＤＭ２上に第２平坦化層２１５ｂが配置され得る。
【0272】
第２平坦化層２１５ｂは、ＰＡＣ系列の材料からなり得る。
【0273】
一方、本発明の一実施例は、ＧＩＰ配線部のコンタクト領域、即ち、第１コンタクトホール１４０ａ及び第２コンタクトホール１４０ｂが配置されたコンタクト領域上部の第２平坦化層２１５ｂが一部除去されてオープン領域ＯＰを形成することを特徴とする。オープン領域ＯＰによりリンク配線ＳＤＭ２の一部、即ち、第２コンタクト領域が露出され得る。
【0274】
このとき、図示していないが、オープン領域ＯＰにより露出されたリンク配線ＳＤＭ２の末端、即ち、第２コンタクト領域を覆い、ＧＩＰ配線ＧＭ１の末端、即ち、連結配線ＳＤＭ１の第１コンタクト領域を遮るように遮断層をさらに形成してもよい。
【0275】
ここで、遮断層は、連結配線ＳＤＭ１とリンク配線ＳＤＭ２が連結される第１コンタクトホール１４０ａの周辺及び連結配線ＳＤＭ１とＧＩＰ配線ＧＭ１が連結される第２コンタクトホール１４０ｂの周辺、即ち、コンタクト領域を遮るようにリンク配線ＳＤＭ２上に配置され得る。
【0276】
遮断層は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ等の透明導電性物質からなり得るが、これに制限されない。
【0277】
第２平坦化層２１５ｂ上にバンク２１６が配置され得るが、これに制限されず、場合によってバンク２１６が配置されなくてもよい。
【0278】
バンク２１６は、ＰＩ系列の材料からなり得る。ＰＩ系列の材料は、リンク配線ＳＤＭ２のＴｉと接着力（ａｄｈｅｓｉｏｎ）がよく、ＰＡＣに比して相対的に透湿防止に優れている。
【0279】
バンク２１６は、第２平坦化層２１５ｂのオープン領域ＯＰを満たすように配置され得るが、本発明は、これに制限されず、バンク２１６以外のＰＩ系列の材料からなる絶縁膜を利用できる。
【0280】
バンク２１６上には、タッチバッファ膜１１８ａ及びタッチ層間絶縁膜１１８ｂが配置され得る。
【0281】
タッチ層間絶縁膜１１８ｂ上に保護層ＰＡＣが配置され得る。
【0282】
このように、本発明の一実施例は、ＧＩＰ配線部のコンタクト領域上部の第２平坦化層２１５ｂを一部除去し、露出されたオープン領域ＯＰをバンク２１６やタッチバッファ膜１１８ａの絶縁膜でカバーすることでＧＩＰ配線部の腐食不良を改善する一方、追加透湿を防止できるようになる。腐食不良は、異種金属間の電位差が０．４Ｖ以上と大きい領域で主に発生し、そこで、オープン領域ＯＰは、ＧＩＰ配線部全体にわたって形成してもよいが、異種金属間の電位差が大きい一部の領域にのみ形成してもよい。また、コンタクト領域上部に封止層及びタッチセンサ層の絶縁膜の有無による腐食有意差に対しても自由になり得、ＧＩＰ配線部のコンタクト領域上部に封止層及びタッチセンサ層の設計の自由度を高めることができるようになる。
【0283】
図１１は、本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置の第１光学領域を示す平面図である。
【0284】
【0285】
まず、図１１を参照すると、第１光学領域ＤＡ１は、中心領域９１０と中心領域９１０の外郭に位置するベゼル領域９２０を含むことができる。
【0286】
第１光学領域ＤＡ１は、複数個の横ラインＨＬを含むことができる。複数の横ラインＨＬによってベゼル領域９２０に位置するトランジスタと中心領域９１０に位置する発光素子が連結され得る。
【0287】
実施例に係るフレキシブル表示装置１００は、ルーティング構造９４０を含むことができる。ルーティング構造９４０を含むことで、中心領域９１０が所定領域ａだけ拡張され得る。ルーティング構造９４０により所定領域ａに位置する画素がベゼル領域９２０に位置するトランジスタと連結され得るためである。
【0288】
ルーティング構造９４０を含む第１光学領域ＤＡ１の構造を具体的に検討すると、次のとおりである。
【0289】
図１０を参照すると、第１光学領域は、中心領域９１０とベゼル領域９２０に位置する複数の発光素子ＥＤを含むことができる。第１光学領域が複数の発光素子ＥＤを含むことで、第１光学領域が画面を表示することができる。
【0290】
第１光学領域は、ベゼル領域９２０に位置する複数のトランジスタ１０５０を含むことができる。中心領域９１０は、トランジスタ１０５０が位置しなくてよい。中心領域９１０にトランジスタが位置しないことで、中心領域９１０がより高い透過率を有することができる。
【0291】
第１光学領域は、複数の行を含み、第１行Ｒ１及び第２行Ｒ２を含むことができる。第１光学領域に含まれる複数の行は、第１光学領域を横方向に横切る任意の領域であって、トランジスタ１０５０のパターンによって規定され得る。
【0292】
フレキシブル表示装置は、中心領域９１０に位置して第１行Ｒ１に位置する発光素子ＥＤ及びベゼル領域９２０に位置して第２行Ｒ２に位置するトランジスタ１０５０を含むことができる。
【0293】
フレキシブル表示装置は、第１行Ｒ１に位置する発光素子ＥＤと第２行Ｒ２に位置するトランジスタ１０５０を電気的に連結するルーティング構造９４０を含むことができる。
【0294】
ルーティング構造９４０によって、互いに異なる行に位置するトランジスタ１０５０と発光素子ＥＤが連結され得るので、発光素子ＥＤより多くの数のトランジスタ１０５０が配置された行に位置したトランジスタ１０５０と、それより多くの数の発光素子ＥＤが配置された行に位置した発光素子ＥＤを互いに連結できる。
【0295】
中心領域９１０が第１行Ｒ１で含む発光素子ＥＤの数は、中心領域９１０が第２行Ｒ２で含む発光素子ＥＤの数よりさらに大きくなり得る。従って、第１行Ｒ１に含まれる発光素子ＥＤを駆動するためにはさらに多くの数のトランジスタ１０５０が必要であり、第２行Ｒ２に含まれる発光素子ＥＤを駆動するためにはさらに少ない数のトランジスタ１０５０が必要である。従って、ベゼル領域９２０の第２行Ｒ２に位置するトランジスタ１０５０のうち第２行Ｒ２に位置する発光素子ＥＤと電気的に連結されていない余剰トランジスタ１０５０がルーティング構造９４０により第１行Ｒ１に位置する発光素子ＥＤと電気的に連結され得る。
【0296】
中心領域９１０は、中心領域９１０全体で単位面積当たりの画素の数字が実質的に同一であり得る。単位面積当たりの画素の数字が実質的に同一であるとは、例えば、一つの画素パターンが中心領域９１０全体で実質的に均一であることを意味し得る。従って、中心領域９１０と重畳される面積が第２行Ｒ２より大きな第１行Ｒ１には、より多くの数の発光素子ＥＤが位置し得る。
【0297】
例えば、ベゼル領域９２０が第１行Ｒ１で含むトランジスタ１０５０の数は、ベゼル領域９２０が第２行Ｒ２で含むトランジスタ１０５０の数と実質的に同一であり得る。前記例示において、中心領域９１０が第１行Ｒ１で含む発光素子ＥＤの数がさらに多く、中心領域９１０が第２行Ｒ２で含む発光素子ＥＤの数がさらに少なければ、第２行Ｒ２に含まれるトランジスタ１０５０の一部は、第２行Ｒ２に位置する発光素子ＥＤと電気的に連結されず、第１行Ｒ１に位置する発光素子ＥＤと電気的に連結され得る。
【0298】
そして、ベゼル領域９２０は、ベゼル領域９２０全体で単位面積当たりのトランジスタ１０５０の数字が実質的に同一であり得る。単位面積当たりのトランジスタのパターンが実質的に同一であるとは、ベゼル領域９２０全体で一つのトランジスタパターンが実質的に均一であることを意味し得る。
【0299】
ベゼル領域９２０が第１行Ｒ１と重畳される領域ｄ１の面積は、ベゼル領域９２０が第２行Ｒ２と重畳される領域ｄ２の面積と実質的に同一であり得る。このような例示において、ベゼル領域９２０の第１行Ｒ１に位置するトランジスタ１０５０の数は、ベゼル領域の第２行Ｒ２に位置するトランジスタ１０５０の数と実質的に同一であり得る。
【0300】
ベゼル領域９２０がこのような場合、ベゼル領域９２０の行に位置するトランジスタ１０５０の数字が一定に維持され得、ルーティング構造９４０により特定の行の余剰トランジスタが他の行の余剰発光素子と電気的に連結され得るので、実施例に係るフレキシブル表示装置が比較例のフレキシブル表示装置よりさらに広い中心領域９１０を有することができる。
【0301】
本発明の実施例に係るフレキシブル表示装置は、下記のように説明され得る。
【0302】
本発明の一実施例に係るフレキシブル表示装置は、光学領域と一般領域とに区分される表示領域及びベンディング領域と非ベンディング領域とに区分される非表示領域を含む基板、前記基板上に配置される第１絶縁膜、前記非ベンディング領域の前記第１絶縁膜上に配置される配線、前記配線上に配置される第２絶縁膜、前記非ベンディング領域の前記第２絶縁膜上に配置され、前記配線と連結される第１コンタクト領域を有する連結配線、前記連結配線上に配置される第１平坦化層、前記第１平坦化層上に配置されて前記ベンディング領域に延び、前記連結配線と連結される第２コンタクト領域を有するリンク配線、前記リンク配線上に配置され、一部の領域が除去されて前記リンク配線の第２コンタクト領域を露出させるオープン領域を含む第２平坦化層、及び前記第２平坦化層上に配置され、前記オープン領域を満たす第３絶縁膜を含むことができる。
【0303】
本発明の他の特徴によれば、前記第１絶縁膜は、マルチバッファ層、アクティブバッファ層及びゲート絶縁膜を含むことができる。
【0304】
本発明のまた他の特徴によれば、前記配線は、ＧＩＰ（Ｇａｔｅ－Ｉｎ－Ｐａｎｅｌ）配線を含むことができる。
【0305】
本発明のまた他の特徴によれば、前記ＧＩＰ配線は、駆動ＩＣに延びて信号の印加を受けるか、前記表示領域内の画素に延びて信号を伝達できる。
【0306】
本発明のまた他の特徴によれば、前記ＧＩＰ配線は、前記表示領域内のトランジスタのゲート電極と同じ層に同じ金属物質で構成され得る。
【0307】
本発明のまた他の特徴によれば、前記第２絶縁膜は、第１層間絶縁膜及び第２層間絶縁膜を含むことができる。
【0308】
本発明のまた他の特徴によれば、前記連結配線は、少なくとも一つの第１コンタクトホールを通して前記リンク配線の第２コンタクト領域と電気的に連結され、少なくとも一つの第２コンタクトホールを通して前記配線と電気的に連結され得る。
【0309】
本発明のまた他の特徴によれば、前記連結配線は、前記表示領域内のトランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ層に同じ金属物質で構成され得る。
【0310】
本発明のまた他の特徴によれば、前記第１平坦化層は、ポリイミド（ＰＩ：ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系列の材料で構成され得る。
【0311】
本発明のまた他の特徴によれば、前記リンク配線は、前記駆動ＩＣに連結されたＧＩＰ配線及び前記表示領域の画素に連結されたＧＩＰ配線の間を連結できる。
【0312】
本発明のまた他の特徴によれば、前記リンク配線は、前記表示領域内の連結電極と同じ層に同じ金属物質で構成され得る。
【0313】
本発明のまた他の特徴によれば、前記第２平坦化層は、フォトアクリル（ＰＡＣ）系列の材料で構成され得る。
【0314】
本発明のまた他の特徴によれば、前記第３絶縁膜は、バンクを含むことができる。
【0315】
本発明のまた他の特徴によれば、前記バンクは、ＰＩ系列の材料で構成され得る。
【0316】
本発明のまた他の特徴によれば、フレキシブル表示装置は、前記基板の下部に位置し、前記光学領域と重畳されて配置される光学電子装置をさらに含むことができる。
【0317】
本発明のまた他の特徴によれば、前記光学領域は、非透過領域と透過領域を含み、前記透過領域は、カソード電極を含む不透明電極が除去され、前記光学電子装置は、前記透過領域に位置し得る。
【0318】
以上、添付の図面を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を外れない範囲内で多様に変形実施され得る。従って、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を制限するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が制限されるものではない。それゆえ、以上において記述した実施例は、全ての面で例示的なものであり、制限的ではないものと理解すべきである。本発明の保護範囲は、下記の請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【符号の説明】
【0319】
１００ フレキシブル表示装置
１５０ 電子装置
１５０ａ 第１光学電子装置
１５０ｂ 第２光学電子装置
ＤＡ 表示領域
ＤＡ１ 第１光学領域
ＤＡ２ 第２光学領域
ＮＡ 一般領域
ＤＰ 表示パネル
ＮＤＡ 非表示領域
１５０ 電子装置
１５０ａ 第１光学電子装置
１５０ｂ 第２光学電子装置
ＤＡ 表示領域
ＤＡ１ 第１光学領域
ＤＡ２ 第２光学領域
ＮＡ 一般領域
ＤＰ 表示パネル
ＮＤＡ 非表示領域
【図1a】
【図1b】
【図1c】
【図1d】
【図2a】
【図2b】
【図3】
【図4】
【図5a】
【図5b】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
