ホーム > 特許ランキング > エレファンテック株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024081996
(43)【公開日】2024-06-19
(54)【発明の名称】高周波回路構造及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/18 20060101AFI20240612BHJP
C23C 18/20 20060101ALI20240612BHJP
C23C 18/31 20060101ALI20240612BHJP
C23C 26/00 20060101ALI20240612BHJP
【ＦＩ】
H05K3/18 B
H05K3/18 E
C23C18/20 Z
C23C18/31 Z
C23C26/00 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022195654
(22)【出願日】2022-12-07
(71)【出願人】
【識別番号】514015019
【氏名又は名称】エレファンテック株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100162341
【弁理士】
【氏名又は名称】瀬崎 幸典
(72)【発明者】
【氏名】杉本 雅明
【テーマコード（参考）】
4K022
4K044
5E343
【Ｆターム（参考）】
4K022AA13
4K022AA31
4K022AA41
4K022BA01
4K022BA03
4K022BA07
4K022BA08
4K022BA18
4K022BA21
4K022CA22
4K022DA01
4K044AA16
4K044AB02
4K044BA06
4K044BA08
4K044BA10
4K044BA21
4K044BB03
4K044BB04
4K044BC04
4K044BC14
4K044CA15
4K044CA18
4K044CA53
5E343AA02
5E343AA16
5E343AA17
5E343AA18
5E343AA19
5E343BB22
5E343BB23
5E343BB24
5E343BB25
5E343BB45
5E343BB48
5E343BB49
5E343BB71
5E343DD33
5E343DD43
5E343ER01
5E343FF16
5E343GG02
5E343GG20
(57)【要約】
【課題】絶縁層と導電層の密着性を向上させながら、高周波伝送特性を向上させる。
【解決手段】硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層と、絶縁層表面に官能基を介して所定のパターン状に接合された触媒粒子群と、触媒粒子群に第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、第１の導電層の上に第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた。
【選択図】図１
【解決手段】硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層と、絶縁層表面に官能基を介して所定のパターン状に接合された触媒粒子群と、触媒粒子群に第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、第１の導電層の上に第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層と、
前記絶縁層表面に前記官能基を介して接合された触媒粒子群と、
前記触媒粒子群に第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で前記第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた、
ことを特徴とする高周波回路構造。
前記絶縁層表面に前記官能基を介して接合された触媒粒子群と、
前記触媒粒子群に第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で前記第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた、
ことを特徴とする高周波回路構造。
【請求項2】
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層と、
前記絶縁層表面に前記官能基を介して接合された触媒粒子群と、
前記触媒粒子群に周波数３０ＧＨｚにおける界面導電率が純銅の８０％以上となるように第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で前記第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた、
ことを特徴とする高周波回路構造。
前記絶縁層表面に前記官能基を介して接合された触媒粒子群と、
前記触媒粒子群に周波数３０ＧＨｚにおける界面導電率が純銅の８０％以上となるように第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で前記第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた、
ことを特徴とする高周波回路構造。
【請求項3】
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子は、粒子径が１００ｎｍ未満の金属ナノ粒子である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波回路構造。
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波回路構造。
【請求項4】
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子の平均粒径より算出される変動係数が３０％以下である、
ことを特徴とする請求項３に記載の高周波回路構造。
ことを特徴とする請求項３に記載の高周波回路構造。
【請求項5】
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子は、非磁性の金属ナノ粒子である、
ことを特徴とする請求項４に記載の高周波回路構造。
ことを特徴とする請求項４に記載の高周波回路構造。
【請求項6】
前記絶縁層と前記第１の導電層の間の界面の表面粗さＲａが前記触媒粒子の前記粒子径の１／２よりも小さい、
ことを特徴とする請求項５に記載の高周波回路構造。
ことを特徴とする請求項５に記載の高周波回路構造。
【請求項7】
前記第１の導電層が無電解めっき析出層である、
ことを特徴とする請求項６に記載の高周波回路構造。
ことを特徴とする請求項６に記載の高周波回路構造。
【請求項8】
前記第２の導電層が電解めっき層である、
ことを特徴とする請求項７に記載の高周波回路構造。
ことを特徴とする請求項７に記載の高周波回路構造。
【請求項9】
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記第２の導電層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層にエッチング処理を行い配線を形成するステップと、
前記レジスト膜を除去するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記第２の導電層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層にエッチング処理を行い配線を形成するステップと、
前記レジスト膜を除去するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
【請求項10】
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜除去後に前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に配線を形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜除去後に前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に配線を形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
【請求項11】
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層が形成された前記絶縁層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記配線パターンが形成された前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜を剥離するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層が形成された前記絶縁層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記配線パターンが形成された前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜を剥離するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
【請求項12】
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層上に所定のパターンを形成するステップと、
触媒粒子コロイド溶液を前記所定のパターン上に塗布した後、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を配線パターンとして形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
触媒粒子コロイド溶液を前記所定のパターン上に塗布した後、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を配線パターンとして形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
【請求項13】
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層上に所定のパターンを形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記所定のパターンが形成された前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層が形成された前記絶縁層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記配線パターンが形成された前記第１の導電層上に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜除去後に第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層が合わさった導電層に配線を形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記所定のパターンが形成された前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層が形成された前記絶縁層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記配線パターンが形成された前記第１の導電層上に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜除去後に第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層が合わさった導電層に配線を形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
【請求項14】
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層上に所定のパターンを形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層が形成された前記絶縁層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記配線パターンが形成された前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜を剥離するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層が形成された前記絶縁層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記配線パターンが形成された前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜を剥離するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
【請求項15】
導体の上に硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで前記第１の導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、
前記第１の導電層及び前記ビアホールに電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで前記第１の導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、
前記第１の導電層及び前記ビアホールに電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
【請求項16】
導体の上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンで形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたレジスト膜を形成して前記第１の導電層及び前記ビアホールに電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
レジスト膜除去後にエッチングマスクを形成して前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンで形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたレジスト膜を形成して前記第１の導電層及び前記ビアホールに電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
レジスト膜除去後にエッチングマスクを形成して前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
【請求項17】
導体の上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層及び前記ビアホールに電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記第２の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで前記第１の導電層及び前記第２の導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子及びプライマー層を除去するステップを含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層及び前記ビアホールに電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記第２の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで前記第１の導電層及び前記第２の導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子及びプライマー層を除去するステップを含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
【請求項18】
導体の上に接着された基材に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成して前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
エッチングマスク除去後に前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成して前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
エッチングマスク除去後に前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
【請求項19】
絶縁層にビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記第２の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで前記第１の導電層及び前記第２の導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記第２の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで前記第１の導電層及び前記第２の導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
【請求項20】
絶縁層にビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成して前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
エッチングマスク除去後に前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成して前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
エッチングマスク除去後に前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高周波回路構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
絶縁性基材と、プライマー層と、触媒金属層と、無電解メッキ層とが積層された電気回路の構造体において、当該絶縁性基材の一部に導体回路が形成され、当該絶縁性基材上に当該プライマー層が部分的に構成されており、当該プライマー層はアミノ基を有し、当該触媒金属層は粒径２～１００ｎｍの単分散貴金属ナノ粒子からなり、分子量２００以下の糖アルコール水溶液中に当該単分散貴金属ナノ粒子群を均一に分散させた水溶液により当該プライマー層上に形成され、当該触媒金属層と当該プライマー層とがプライマー層上のアミノ基を介して接合され、かつ、当該無電解メッキ層が当該導体回路および当該触媒金属層と接続されている電気回路の構造体が知られている（特許文献１）。
【0003】
プラスチック基材表面に連続的な導体配線パターンが形成された導体配線構造体において、プラスチック基材内部に埋没した埋設状態、或いは／及び、該プラスチック基材表面に一部が露出した埋設状態にて所定のパターン状に形成された触媒粒子群と、該触媒粒子群に一体化された導体配線パターンと、を備えた導体配線構造体も知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１９－１２３９０９号公報
【特許文献2】特開２００６－２２２４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、絶縁層と導電層の密着性を向上させながら、高周波伝送特性を向上させる。
【課題を解決するための手段】
【0006】
前記課題を解決するために、請求項１に記載の高周波回路構造は、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層と、
前記絶縁層表面に前記官能基を介して接合された触媒粒子群と、
前記触媒粒子群に第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で前記第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた、
ことを特徴とする。
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層と、
前記絶縁層表面に前記官能基を介して接合された触媒粒子群と、
前記触媒粒子群に第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で前記第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた、
ことを特徴とする。
【0007】
前記課題を解決するために、請求項２に記載の高周波回路構造は、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層と、
前記絶縁層表面に前記官能基を介して接合された触媒粒子群と、
前記触媒粒子群に周波数３０ＧＨｚにおける界面導電率が純銅の８０％以上となるように第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で前記第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた、
ことを特徴とする。
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層と、
前記絶縁層表面に前記官能基を介して接合された触媒粒子群と、
前記触媒粒子群に周波数３０ＧＨｚにおける界面導電率が純銅の８０％以上となるように第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で前記第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた、
ことを特徴とする。
【0008】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の高周波回路構造において、
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子は、粒子径が１００ｎｍ未満の金属ナノ粒子である、
ことを特徴とする。
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子は、粒子径が１００ｎｍ未満の金属ナノ粒子である、
ことを特徴とする。
【0009】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の高周波回路構造において、
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子の平均粒径より算出される変動係数が３０％以下である、
ことを特徴とする。
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子の平均粒径より算出される変動係数が３０％以下である、
ことを特徴とする。
【0010】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の高周波回路構造において、
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子は、非磁性の金属ナノ粒子である、
ことを特徴とする。
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子は、非磁性の金属ナノ粒子である、
ことを特徴とする。
【0011】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の高周波回路構造において、
前記絶縁層と前記第１の導電層の間の界面の表面粗さＲａが前記触媒粒子の前記粒子径の１／２よりも小さい、
ことを特徴とする。
前記絶縁層と前記第１の導電層の間の界面の表面粗さＲａが前記触媒粒子の前記粒子径の１／２よりも小さい、
ことを特徴とする。
【0012】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の高周波回路構造において、
前記第１の導電層が無電解めっき析出層である、
ことを特徴とする。
前記第１の導電層が無電解めっき析出層である、
ことを特徴とする。
【0013】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の高周波回路構造において、
前記第２の導電層が電解めっき層である、
ことを特徴とする。
前記第２の導電層が電解めっき層である、
ことを特徴とする。
【0014】
前記課題を解決するために、請求項９に記載の高周波回路構造の製造方法は、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記第２の導電層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層にエッチング処理を行い配線を形成するステップと、
前記レジスト膜を除去するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする。
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記第２の導電層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層にエッチング処理を行い配線を形成するステップと、
前記レジスト膜を除去するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする。
【0015】
前記課題を解決するために、請求項１０に記載の高周波回路構造の製造方法は、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜除去後に前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に配線を形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする。
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜除去後に前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に配線を形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする。
【0016】
前記課題を解決するために、請求項１１に記載の高周波回路構造の製造方法は、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層が形成された前記絶縁層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記配線パターンが形成された前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜を剥離するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする。
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層が形成された前記絶縁層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記配線パターンが形成された前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜を剥離するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする。
【0017】
前記課題を解決するために、請求項１２に記載の高周波回路構造の製造方法は、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層上に所定のパターンを形成するステップと、
触媒粒子コロイド溶液を前記所定のパターン上に塗布した後、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を配線パターンとして形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする。
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層上に所定のパターンを形成するステップと、
触媒粒子コロイド溶液を前記所定のパターン上に塗布した後、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を配線パターンとして形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする。
【0018】
前記課題を解決するために、請求項１３に記載の高周波回路構造の製造方法は、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層上に所定のパターンを形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記所定のパターンが形成された前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層が形成された前記絶縁層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記配線パターンが形成された前記第１の導電層上に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜除去後に第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層が合わさった導電層に配線を形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする。
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層上に所定のパターンを形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記所定のパターンが形成された前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層が形成された前記絶縁層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記配線パターンが形成された前記第１の導電層上に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜除去後に第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層が合わさった導電層に配線を形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする。
【0019】
前記課題を解決するために、請求項１４に記載の高周波回路構造の製造方法は、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層上に所定のパターンを形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層が形成された前記絶縁層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記配線パターンが形成された前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜を剥離するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする。
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層上に所定のパターンを形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層が形成された前記絶縁層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記配線パターンが形成された前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜を剥離するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする。
【0020】
前記課題を解決するために、請求項１５に記載の高周波回路構造の製造方法は、
導体の上に硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで前記第１の導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、
前記第１の導電層及び前記ビアホールに電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、を含む、
ことを特徴とする。
導体の上に硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで前記第１の導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、
前記第１の導電層及び前記ビアホールに電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、を含む、
ことを特徴とする。
【0021】
前記課題を解決するために、請求項１６に記載の高周波回路構造の製造方法は、
導体の上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンで形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたレジスト膜を形成して前記第１の導電層及び前記ビアホールに電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
レジスト膜除去後にエッチングマスクを形成して前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする。
導体の上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンで形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたレジスト膜を形成して前記第１の導電層及び前記ビアホールに電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
レジスト膜除去後にエッチングマスクを形成して前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする。
【0022】
前記課題を解決するために、請求項１７に記載の高周波回路構造の製造方法は、
導体の上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層及び前記ビアホールに電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記第２の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで前記第１の導電層及び前記第２の導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子及びプライマー層を除去するステップを含む、
ことを特徴とする。
導体の上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層及び前記ビアホールに電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記第２の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで前記第１の導電層及び前記第２の導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子及びプライマー層を除去するステップを含む、
ことを特徴とする。
【0023】
前記課題を解決するために、請求項１８に記載の高周波回路構造の製造方法は、
導体の上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成して前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
エッチングマスク除去後に前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする。
導体の上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に前記導体に達するビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成して前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
エッチングマスク除去後に前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする。
【0024】
前記課題を解決するために、請求項１９に記載の高周波回路構造の製造方法は、
絶縁層にビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記第２の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで前記第１の導電層及び前記第２の導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする。
絶縁層にビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記第２の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで前記第１の導電層及び前記第２の導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
前記エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする。
【0025】
前記課題を解決するために、請求項２０に記載の高周波回路構造の製造方法は、
絶縁層にビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成して前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
エッチングマスク除去後に前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする。
絶縁層にビアホールを開口するステップと、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層を前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層に所定のパターンに形成するステップと、
前記ビアホールの内壁及び前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成して前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
エッチングマスク除去後に前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に前記配線パターンを形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップを含む、
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【0026】
請求項１、２に記載の発明によれば、絶縁層と導電層の密着性を向上させながら、高周波伝送特性を向上させることができる。
【0027】
請求項３に記載の発明によれば、触媒粒子が均一に分散した平滑な触媒層を得ることができる。
【0028】
請求項４に記載の発明によれば、触媒粒子の凝集を抑制することができる。
【0029】
請求項５に記載の発明によれば、高周波特性を向上させることができる。
【0030】
請求項６に記載の発明によれば、絶縁層と導電層の界面の平滑性を向上させることができる。
【0031】
請求項７に記載の発明によれば、絶縁層の上に均一に導電層を形成することができる。
【0032】
請求項８に記載の発明によれば、厚い導電層を形成することができる。
【0033】
請求項９、１０、１１、１２、１３、１４に記載の発明によれば、第２の導電層を第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成するとともに、側壁及び上面が平滑な導電層を形成することができる。
【0034】
請求項１５、１６、１７、１８に記載の発明によれば、側壁及び上面が平滑な導電層を有する多層基板を得ることができる。
【0035】
請求項１９、２０に記載の発明によれば、側壁及び上面が平滑な導電層を有する多層基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【図1】第１実施形態に係る高周波回路構造の構成例を示す断面模式図である。
【図2】流動化後の触媒粒子のプライマー層への埋まり込みを示す断面模式図である。
【図3】第１実施形態に係る高周波回路構造の断面構成を比較例の高周波回路構造と併せて示す断面模式図である。
【図4】第１実施形態に係る高周波回路構造の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図である。
【図5】第１実施形態に係る高周波回路構造の製造過程を示す断面模式図である。
【図6】変形例１に係る高周波回路構造の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図である。
【図7】変形例１に係る高周波回路構造の製造過程を示す断面模式図である。
【図8】変形例２に係る高周波回路構造の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図である。
【図9】変形例２に係る高周波回路構造の製造過程を示す断面模式図である。
【図10】変形例３に係る高周波回路構造の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図である。
【図11】変形例３に係る高周波回路構造の第１の方法による製造過程を示す断面模式図である。
【図12】変形例３に係る高周波回路構造の第２の方法による製造過程を示す断面模式図である。
【図13】変形例４に係る高周波回路構造の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図である。
【図14】変形例４に係る高周波回路構造の第１の方法による製造過程を示す断面模式図である。
【図15】変形例４に係る高周波回路構造の第２の方法による製造過程を示す断面模式図である。
【図16】変形例５に係る高周波回路構造の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図である。
【図17】変形例５に係る高周波回路構造の第１の方法による製造過程を示す断面模式図である。
【図18】変形例５に係る高周波回路構造の第２の方法による製造過程を示す断面模式図である。
【図19】第２実施形態に係る高周波回路構造の製造過程を示す断面模式図である。
【図20】第２実施形態に係る高周波回路構造の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図である。
【図21】第２実施形態に係る高周波回路構造の製造過程を示す断面模式図であるである。
【図22】変形例１に係る高周波回路構造の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図である。
【図23】変形例１に係る高周波回路構造の製造過程を示す断面模式図である。
【図24】変形例２に係る高周波回路構造の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図である。
【図25】変形例２に係る高周波回路構造の製造過程を示す断面模式図である。
【図26】変形例３に係る高周波回路構造の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図である。
【図27】変形例３に係る高周波回路構造の製造過程を示す断面模式図である。
【図28】変形例４に係る高周波回路構造の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図である。
【図29】変形例４に係る高周波回路構造の製造過程を示す断面模式図である。
【図30】変形例５に係る高周波回路構造の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図である。
【図31】変形例５に係る高周波回路構造の製造過程を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0037】
次に図面を参照しながら、本発明の実施形態の具体例を説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
尚、以下の図面を使用した説明において、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきであり、理解の容易のために説明に必要な部材以外の図示は適宜省略されている。特に、図において、ナノオーダの触媒粒子については、説明のために適宜拡大して示すとともに、絶縁層、プライマー層、第１の導電層、第２の導電層等も、その厚みについては、比率を含めて適宜拡大して示している。
尚、以下の図面を使用した説明において、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきであり、理解の容易のために説明に必要な部材以外の図示は適宜省略されている。特に、図において、ナノオーダの触媒粒子については、説明のために適宜拡大して示すとともに、絶縁層、プライマー層、第１の導電層、第２の導電層等も、その厚みについては、比率を含めて適宜拡大して示している。
【0038】
「第１実施形態」
（１）高周波回路構造の全体構成
図１は本実施形態に係る高周波回路構造１の構成例を示す断面模式図、図２は流動化後の触媒粒子のプライマー層２ｂへの埋まり込みを示す断面模式図である。
以下、図面を参照しながら、本実施形態に係る高周波回路構造１の構成について説明する。
（１）高周波回路構造の全体構成
図１は本実施形態に係る高周波回路構造１の構成例を示す断面模式図、図２は流動化後の触媒粒子のプライマー層２ｂへの埋まり込みを示す断面模式図である。
以下、図面を参照しながら、本実施形態に係る高周波回路構造１の構成について説明する。
【0039】
高周波回路構造１は、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２と、絶縁層２の表面に官能基を介して接合された触媒粒子群３と、触媒粒子群３に第１の膜厚で一体化された第１の導電層５と、第１の導電層５の上に第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で第１の導電層５の側壁５ａを厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層６とを備える。
ここで、第１の導電層５は、絶縁層２との境界領域４において、周波数３０ＧＨｚにおける界面導電率が純銅の８０％以上となるように触媒粒子群３に一体化されている。
尚、図１において示した各層の厚さの比率や、第１の導電層５の厚さに対する境界領域４の厚さの比率はあくまで例示であり、本発明は図示の比率に限定されるものではない。
ここで、第１の導電層５は、絶縁層２との境界領域４において、周波数３０ＧＨｚにおける界面導電率が純銅の８０％以上となるように触媒粒子群３に一体化されている。
尚、図１において示した各層の厚さの比率や、第１の導電層５の厚さに対する境界領域４の厚さの比率はあくまで例示であり、本発明は図示の比率に限定されるものではない。
【0040】
（絶縁層）
本実施形態において絶縁層２として使用する絶縁性の基材２ａは特にフィルム状の基材に限らないが、以下、フィルム状の基材として説明する。
基材２ａの素材は、絶縁性の変形可能な熱可塑性樹脂であって、融点Ｔｍが存在する場合は１５０℃以上であることが好ましく、２００℃以上であることがより好ましい。
融点が低すぎる場合、触媒粒子のコロイド溶液の溶媒除去が不十分であったり、プライマー層２ｂへの金属ナノ粒子の埋まり込みが不十分になる虞がある。一方、融点が高い分には問題とならない。
本実施形態において絶縁層２として使用する絶縁性の基材２ａは特にフィルム状の基材に限らないが、以下、フィルム状の基材として説明する。
基材２ａの素材は、絶縁性の変形可能な熱可塑性樹脂であって、融点Ｔｍが存在する場合は１５０℃以上であることが好ましく、２００℃以上であることがより好ましい。
融点が低すぎる場合、触媒粒子のコロイド溶液の溶媒除去が不十分であったり、プライマー層２ｂへの金属ナノ粒子の埋まり込みが不十分になる虞がある。一方、融点が高い分には問題とならない。
【0041】
基材２ａの材質は、上記のような融点Ｔｍおよびガラス転移点Ｔｇの条件に該当すれば特に限定されないが、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステル（ＰＥ）、ナイロン６－１０、ナイロン４６などのポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ＡＢＳ、ＰＭＭＡ、ポリ塩化ビニルなどの熱可塑性樹脂、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）単位を有する共重合体（ＣＴＦＥ共重合体）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、及びポリビニルフルオライド（ＰＶＦ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン・ビニリデンフロライド共重合体（ＴＨＶ）、テトラフルオロエチレン・ビニリデンフルオライド共重合体などの溶融成形可能なフッ素樹脂が挙げられる。
特に、数十ギガヘルツレベルの高周波領域の用途で用いられる高周波回路構造１には、誘電特性や吸湿性の観点からテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）などのフッ素樹脂やポリイミド（ＰＩ）樹脂が好ましい。
特に、数十ギガヘルツレベルの高周波領域の用途で用いられる高周波回路構造１には、誘電特性や吸湿性の観点からテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）などのフッ素樹脂やポリイミド（ＰＩ）樹脂が好ましい。
【0042】
基材２ａの厚みは、５μｍ～３ｍｍが好ましく、１２μｍ～１ｍｍがより好ましく、５０μｍ～２００μｍが最も好ましい。基材２ａの厚みが薄すぎる場合、強度が不十分になるとともに、第１の導電層５のめっき工程時に基材２ａの歪みが大きくなる虞がある。なお、この厚みは基材２ａがフィルム状の基材である場合の条件であり、本発明が適用される絶縁性の基材２ａはフィルム状の基材に限定されない。
【0043】
基材２ａの表面には、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が発現したプライマー層２ｂが形成されている。本実施形態においては、官能基が発現したプライマー層２ｂとは、プライマー層形成時にプライマー層２ｂ上に官能基が発現した状態をいい、プライマー層２ｂ上に外部から官能基が付加されて形成された状態をいうものではない。官能基としては、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、カテコール基、ヒドロキシル基、トリアゾール基、イミダゾール基等が挙げられる。
プライマー層２ｂ形成時に発現する官能基は活性が高く、粒径のそろった触媒粒子群３と強固な吸着力が得られるので、第１の導電層５を形成する無電解めっきを施した場合、プライマー層２ｂと第１の導電層５の界面ではがれることはない。
官能基を発現させる架橋剤は、基材２ａの樹脂材料の分子内及び分子間を架橋し、架橋反応によって官能基を生成してプライマーを不溶化するものであればいずれのものでも構わない。
プライマー層２ｂ形成時に発現する官能基は活性が高く、粒径のそろった触媒粒子群３と強固な吸着力が得られるので、第１の導電層５を形成する無電解めっきを施した場合、プライマー層２ｂと第１の導電層５の界面ではがれることはない。
官能基を発現させる架橋剤は、基材２ａの樹脂材料の分子内及び分子間を架橋し、架橋反応によって官能基を生成してプライマーを不溶化するものであればいずれのものでも構わない。
【0044】
プライマー層２ｂの材料は、プライマー層２ｂ形成時に官能基を有するように公知の化合物を組合せたもので、たとえば、ベース樹脂材料中に光酸発生剤（ＰＡＧ）およびメラミン架橋剤またはアミン系架橋剤を含有する。
ベース樹脂には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、イソシアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、オキセタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、オレフィン樹脂、アリル樹脂、ジシクロペンタジエン樹脂などがあり、エポキシ樹脂またはポリエステル樹脂が好ましい。
このようなプライマー材料は５０ｎｍから５００ｎｍの厚さでバーコート法、スピンコート法、コンマコート法、インクジェット法等の様々な方法で塗布されて形成されている。
ベース樹脂には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、イソシアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、オキセタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、オレフィン樹脂、アリル樹脂、ジシクロペンタジエン樹脂などがあり、エポキシ樹脂またはポリエステル樹脂が好ましい。
このようなプライマー材料は５０ｎｍから５００ｎｍの厚さでバーコート法、スピンコート法、コンマコート法、インクジェット法等の様々な方法で塗布されて形成されている。
【0045】
（触媒粒子群）
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が発現したプライマー層２ｂが形成された基材２ａの表面には触媒粒子群３が接合されている。
触媒粒子群３は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）などからなる非磁性の金属ナノ粒子が用いられ、一種または複数の金属を含んでも良いが、導電性の観点から金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）またはパラジウム（Ｐｄ）が好ましく、より好ましくは、金（Ａｕ）、またはパラジウム（Ｐｄ）である。これらの金属はポリビニルピロリドンのような高分子分散剤や、糖アルコールのような低分子分散剤によって安定したコロイド状態で水溶液中あるいは有機溶媒液中に分散することができる。
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が発現したプライマー層２ｂが形成された基材２ａの表面には触媒粒子群３が接合されている。
触媒粒子群３は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）などからなる非磁性の金属ナノ粒子が用いられ、一種または複数の金属を含んでも良いが、導電性の観点から金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）またはパラジウム（Ｐｄ）が好ましく、より好ましくは、金（Ａｕ）、またはパラジウム（Ｐｄ）である。これらの金属はポリビニルピロリドンのような高分子分散剤や、糖アルコールのような低分子分散剤によって安定したコロイド状態で水溶液中あるいは有機溶媒液中に分散することができる。
【0046】
触媒粒子群３を構成する個々の触媒粒子の平均粒径は１～１００ｎｍであり、好ましくは３～８０ｎｍの範囲、より好ましくは５～５０ｎｍの範囲である。粒径が２ｎｍ未満では、触媒粒子が凝集しやすく、触媒粒子を官能基にうまく吸着させることができない。他方、粒径が１００ｎｍを超えても、触媒粒子が大きくなりすぎ、触媒粒子を官能基にうまく吸着させることができない。
【0047】
触媒粒子は粒径ができるだけ均一なものが好ましい。触媒粒子相互の斥力を均一にしてプライマー層２ｂ上で触媒粒子群３を均一に整列させるためである。
触媒粒子群３を構成する個々の触媒粒子の平均粒径より算出される変動係数が６０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましい。触媒粒子群３の粒径を揃え、プライマー層２ｂ上で触媒粒子群３を均一に整列させると、触媒粒子がプライマー層２ｂに均一に取り囲まれ、プライマー層２ｂと第１の導電層５の間の空隙が発生しない。すなわち触媒粒子に金属結合した第１の導電層５のめっき析出膜とプライマー層２ｂが、金属ナノ粒子を介して噛み合った構造となり、強固な密着力が得られる。
触媒粒子群３を構成する個々の触媒粒子の平均粒径より算出される変動係数が６０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましい。触媒粒子群３の粒径を揃え、プライマー層２ｂ上で触媒粒子群３を均一に整列させると、触媒粒子がプライマー層２ｂに均一に取り囲まれ、プライマー層２ｂと第１の導電層５の間の空隙が発生しない。すなわち触媒粒子に金属結合した第１の導電層５のめっき析出膜とプライマー層２ｂが、金属ナノ粒子を介して噛み合った構造となり、強固な密着力が得られる。
【0048】
このような触媒粒子群３は、図２に模式的に示すように、触媒粒子群３に無電解めっきにより第１の導電層５を一体形成した後（図２（ａ） 参照）、基材２ａを加熱してプライマー層２ｂを軟化させて触媒粒子群３を構成する個々の触媒粒子をプライマー層２ｂに粒子径の１／２以下を埋没させて第１の導電層５とプライマー層２ｂを密着させている（図２（ｂ） 参照）。例えば触媒粒子群３の平均粒径が２０ｎｍで、触媒粒子の形状が球形であると仮定した場合、プライマー層２ｂに１０ｎｍ以下食い込んで触媒粒子表面がより多くプライマーと接触した状態で、かつ、触媒粒子の一端が露出していることになる。そして、第１の導電層５のめっき厚さが例えば１００ｎｍ（０．１μｍ）以下の極薄層である場合であっても、触媒粒子の凹凸形状が第１の導電層５の表面に現れることはなく、平滑性が保たれることになる。
【0049】
（第１の導電層）
第１の導電層５としてのめっき層は、触媒粒子群３の上に無電解めっきにより形成される。
めっき金属としては、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）などを用いることができるが、導電性の観点から、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）を用いることが好ましく、経済性も加味すると銅（Ｃｕ）が最も好ましい。
第１の導電層５としてのめっき層は、触媒粒子群３の上に無電解めっきにより形成される。
めっき金属としては、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）などを用いることができるが、導電性の観点から、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）を用いることが好ましく、経済性も加味すると銅（Ｃｕ）が最も好ましい。
【0050】
無電解めっきは、形成しようとする第１の導電層５を構成する金属のイオンを含有する溶液を用いて、化学反応によって金属イオンを析出させて、めっき金属を徐々に層状に形成することができる。
【0051】
めっき層としての膜厚は、無電解めっき液の金属塩、金属イオン濃度、無電解めっき液への浸漬時間、無電解めっき液の温度などにより制御することができる。
導電性及び平滑性を考慮すると、少なくとも触媒粒子の平均粒径Ｄの５倍程度であることが好ましく、例えば５００ｎｍ以上であることが適している。
第１の導電層５としての膜厚が５００ｎｍ以下の極薄層では、触媒粒子群３の凹凸形態が第１の導電層５表面の凹凸形状になって現れやすく平滑性が阻害され高周波回路構造１としての必要な高周波特性を十分に得ることができない虞がある。
また、膜厚が厚すぎる場合、触媒粒子群３との界面で剥離が起きやすくなる。さらに、第１の導電層５としての厚み方向と交差する側壁面の平滑性が低下して高周波回路構造１としての必要な高周波特性が悪化する虞がある。
導電性及び平滑性を考慮すると、少なくとも触媒粒子の平均粒径Ｄの５倍程度であることが好ましく、例えば５００ｎｍ以上であることが適している。
第１の導電層５としての膜厚が５００ｎｍ以下の極薄層では、触媒粒子群３の凹凸形態が第１の導電層５表面の凹凸形状になって現れやすく平滑性が阻害され高周波回路構造１としての必要な高周波特性を十分に得ることができない虞がある。
また、膜厚が厚すぎる場合、触媒粒子群３との界面で剥離が起きやすくなる。さらに、第１の導電層５としての厚み方向と交差する側壁面の平滑性が低下して高周波回路構造１としての必要な高周波特性が悪化する虞がある。
【0052】
表面に硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が発現したプライマー層２ｂが形成され触媒粒子群３が接合された絶縁層２と第１の導電層５の間の界面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は触媒粒子の粒径の１／２よりも小さくなっている。尚、表面粗さＲａは、例えば、ＪＩＳ Ｂ０６０１（１９９４）に準拠して測定することができる。本実施形態においては、触媒粒子の平均粒径が５～５０ｎｍ、例えば５０ｎｍ程度であった場合、絶縁層２と第１の導電層５の間の界面の表面粗さＲａは２０ｎｍよりも小さくなる。このように、絶縁層２と第１の導電層５の間の界面が高い平滑性を有することで、高周波回路構造１としての必要な高周波特性を得ることが可能となる。
【0053】
また、第１の導電層５は、周波数３０ＧＨｚにおける界面導電率が純銅の８０％以上となるように、少なくとも触媒粒子の平均粒径の５倍程度の膜厚で触媒粒子群３に一体化されている。界面導電率を上記範囲に制御するためには、絶縁層２と第１の導電層５の間の界面の表面粗さＲａは触媒粒子の粒径の１／２よりも小さくなっているのが良い。
絶縁層２と第１の導電層５の間の界面の表面粗さＲａが上記の範囲であると、絶縁層である基材２ａと導体層である第１の導電層５との間の界面導電率の低下を抑制することが可能になり、高周波回路構造１として有用なものになる。
絶縁層２と第１の導電層５の間の界面の表面粗さＲａが上記の範囲であると、絶縁層である基材２ａと導体層である第１の導電層５との間の界面導電率の低下を抑制することが可能になり、高周波回路構造１として有用なものになる。
【0054】
（第２の導電層）
本実施形態に係る高周波回路構造１においては、上述した無電解めっきによって形成される第１の導電層５の上に電解めっきによって形成される第２の導電層６が積層されている。このような積層構成の場合には、無電解めっきによる導電層と電解めっきによる導電層との間には、両者の金属間化合物層が形成され、両者の結合力をより高めることが可能となっている。
めっき金属としては、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）などを用いることができるが、第１の導電層５の金属と同種の金属が好ましい。
本実施形態に係る高周波回路構造１においては、上述した無電解めっきによって形成される第１の導電層５の上に電解めっきによって形成される第２の導電層６が積層されている。このような積層構成の場合には、無電解めっきによる導電層と電解めっきによる導電層との間には、両者の金属間化合物層が形成され、両者の結合力をより高めることが可能となっている。
めっき金属としては、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）などを用いることができるが、第１の導電層５の金属と同種の金属が好ましい。
【0055】
電解めっきにより得られる第２の導電層６の膜厚は第１の導電層５の膜厚よりも厚く、得られる高周波回路構造１の用途に応じて適宜設定することができ、めっき浴中に含まれる金属の種類、その金属の濃度、浸漬時間、電流密度などを調整することで制御することができる。具体的には、高周波回路構造１に用いる場合は、導電性の観点から、０．５μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上である。
【0056】
図３には、本実施形態に係る高周波回路構造１の断面構成を比較例の高周波回路構造１００（図３（ｂ） 参照）と併せて示している。
第２の導電層６は、積層される第１の導電層５の側壁５ａを厚み方向において覆わないように形成されている。具体的には、図３（ａ）に示すように、第１の導電層５の上に積層された第２の導電層６は、側壁６ａが第１の導電層５の側壁５ａを覆うことなく、第１の導電層５の側壁５ａと面一で平滑に形成されている。これにより、高周波回路構造１としての必要な高周波特性を得ることが可能となっている。
第２の導電層６は、積層される第１の導電層５の側壁５ａを厚み方向において覆わないように形成されている。具体的には、図３（ａ）に示すように、第１の導電層５の上に積層された第２の導電層６は、側壁６ａが第１の導電層５の側壁５ａを覆うことなく、第１の導電層５の側壁５ａと面一で平滑に形成されている。これにより、高周波回路構造１としての必要な高周波特性を得ることが可能となっている。
【0057】
（２）高周波回路構造１の製造方法
図４は高周波回路構造１の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図５は高周波回路構造１の製造過程を示す断面模式図である。
本実施形態に係る高周波回路構造１は、絶縁層２にプライマー層２ｂを形成し、プライマー層２ｂを触媒粒子付与処理し、絶縁層２の表面に導電層を形成することによって製造することができる。
すなわち、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２を形成する絶縁層形成工程Ｓ１１と、絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより絶縁層２表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ１２と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ１３と、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ１４と、第２の導電層６にレジスト膜ＲＳを形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ１５と、第１の導電層５及び第２の導電層６にエッチング処理を行い配線を形成する配線形成工程Ｓ１６と、必要に応じて露出した触媒粒子を除去する触媒除去工程Ｓ１７と、を経て製造される。
図４は高周波回路構造１の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図５は高周波回路構造１の製造過程を示す断面模式図である。
本実施形態に係る高周波回路構造１は、絶縁層２にプライマー層２ｂを形成し、プライマー層２ｂを触媒粒子付与処理し、絶縁層２の表面に導電層を形成することによって製造することができる。
すなわち、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２を形成する絶縁層形成工程Ｓ１１と、絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより絶縁層２表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ１２と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ１３と、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ１４と、第２の導電層６にレジスト膜ＲＳを形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ１５と、第１の導電層５及び第２の導電層６にエッチング処理を行い配線を形成する配線形成工程Ｓ１６と、必要に応じて露出した触媒粒子を除去する触媒除去工程Ｓ１７と、を経て製造される。
【0058】
（絶縁層形成工程Ｓ１１）
まず、所定の形状及び大きさに形成された実質的に平坦なフィルム状の基材２ａの表面にプライマー層２ｂを形成するために、プライマー塗布液を準備する。プライマー塗布液は、ベース樹脂、メラミン系架橋剤、光酸発生剤、溶剤等からなり、乾燥後の膜厚が５０ｎｍ～５００ｎｍの厚さになるように、バーコート法、スピンコート法、コンマコート法、インクジェット法等の方法で塗布し、１００℃で１０分間乾燥して、プライマー層２ｂを形成する。
次いで、プライマー層２ｂにアニール処理を施してプライマー層２ｂ上に官能基を発現させる（図５（ａ） 参照）。
まず、所定の形状及び大きさに形成された実質的に平坦なフィルム状の基材２ａの表面にプライマー層２ｂを形成するために、プライマー塗布液を準備する。プライマー塗布液は、ベース樹脂、メラミン系架橋剤、光酸発生剤、溶剤等からなり、乾燥後の膜厚が５０ｎｍ～５００ｎｍの厚さになるように、バーコート法、スピンコート法、コンマコート法、インクジェット法等の方法で塗布し、１００℃で１０分間乾燥して、プライマー層２ｂを形成する。
次いで、プライマー層２ｂにアニール処理を施してプライマー層２ｂ上に官能基を発現させる（図５（ａ） 参照）。
【0059】
（触媒層形成工程Ｓ１２）
プライマー層２ｂ上に官能基が発現した基材２ａを触媒粒子を含有する溶液中に浸漬して触媒粒子をプライマー層２ｂ上に触媒粒子群３として平均的に整列させる（図５（ｂ） 参照）。
この際の溶液としては、上述した触媒粒子を含有する溶液であればよく、例えば、触媒粒子、または触媒粒子の錯体を、金属塩又はイオンの状態で含有する溶液が挙げられ、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるもの等であればよい。具体的には、触媒粒子又はこの錯体の硝酸塩、塩酸塩、硫酸塩、リン酸塩等の無機酸塩の溶液が挙げられる。
プライマー層２ｂ上に官能基が発現した基材２ａを触媒粒子を含有する溶液中に浸漬して触媒粒子をプライマー層２ｂ上に触媒粒子群３として平均的に整列させる（図５（ｂ） 参照）。
この際の溶液としては、上述した触媒粒子を含有する溶液であればよく、例えば、触媒粒子、または触媒粒子の錯体を、金属塩又はイオンの状態で含有する溶液が挙げられ、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるもの等であればよい。具体的には、触媒粒子又はこの錯体の硝酸塩、塩酸塩、硫酸塩、リン酸塩等の無機酸塩の溶液が挙げられる。
【0060】
溶液中の触媒粒子の含有割合については、質量比で０．０１から５０％、０．１～３０％が好ましい。含有割合が低すぎる場合、触媒粒子による導電層を形成するのに必要な触媒粒子が不足してピンホールが発生する虞があり、含有割合が高過ぎると溶液中で触媒粒子同士が凝集しやすくなるなど安定性が損なわれる虞がある。また、含有割合が高過ぎるとプライマー層２ｂ上の触媒粒子の専有面積（被覆率）が高くなり、高周波特性を阻害する虞もある。
この触媒粒子付与処理は、例えば、２０～１００℃程度の温度範囲で、１秒～１０時間程度、好ましくは数１０秒～数１０分間程度行う。
この処理により、触媒粒子自体の又は触媒粒子の錯体におけるカチオン性基が、基材２ａのプライマー層２ｂにおけるアニオン性官能基と相互作用して、絶縁層２に、触媒粒子群３を導入することができる。
この触媒粒子付与処理は、例えば、２０～１００℃程度の温度範囲で、１秒～１０時間程度、好ましくは数１０秒～数１０分間程度行う。
この処理により、触媒粒子自体の又は触媒粒子の錯体におけるカチオン性基が、基材２ａのプライマー層２ｂにおけるアニオン性官能基と相互作用して、絶縁層２に、触媒粒子群３を導入することができる。
【0061】
（無電解めっき工程Ｓ１３）
次に、触媒層が形成された基材２ａを無電解めっき液に浸漬してめっき被膜を析出させ、第１の導電層５を形成する（図５（ｃ） 参照）。
無電解めっき液は、めっきの分野で一般的に知られているものを用いることができ、一般的な無電解めっき浴の組成としては、主として、得ようとするめっき層を構成する金属イオン、還元剤、ならびに安定剤および錯化剤等の添加剤を含有するものが挙げられる。
次に、触媒層が形成された基材２ａを無電解めっき液に浸漬してめっき被膜を析出させ、第１の導電層５を形成する（図５（ｃ） 参照）。
無電解めっき液は、めっきの分野で一般的に知られているものを用いることができ、一般的な無電解めっき浴の組成としては、主として、得ようとするめっき層を構成する金属イオン、還元剤、ならびに安定剤および錯化剤等の添加剤を含有するものが挙げられる。
【0062】
還元剤としては、用いる金属イオンによって適宜選択することができ、例えば、ＨＣＯＨ、次亜リン酸ナトリウム、Ｈ２ＮＮＨ２、ＤＭＡＢ（ジメチルアミンボラン）等が挙げられる。また、添加剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、ＥＤＴＡ、ロッシェル塩などのキレート剤、マロン酸ナトリウム、りんご酸ナトリウム、こはく酸ナトリウム等が挙げられる。
無電解めっき浴への浸漬時間は、例えば、１分～６時間程度であることが好ましく、１分～３時間程度であることがより好ましい。本実施形態においては、６５℃に保温された無電解めっき液に、１０分間浸漬してめっき被膜を析出させ、５００ｎｍの膜厚の第１の導電層５を形成した。
無電解めっき浴への浸漬時間は、例えば、１分～６時間程度であることが好ましく、１分～３時間程度であることがより好ましい。本実施形態においては、６５℃に保温された無電解めっき液に、１０分間浸漬してめっき被膜を析出させ、５００ｎｍの膜厚の第１の導電層５を形成した。
【0063】
（電解めっき工程Ｓ１４）
無電解めっき工程Ｓ１３で形成された第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する（図５（ｄ） 参照）。
電解めっきは、無電解めっきにより形成された第１の導電層５を電極として利用して、めっきの分野で一般的に知られている方法、条件を適用することにより行うことができる。具体的には、電解液に陽極であるめっき金属と陰極である第１の導電層５が形成された基材２ａを浸し、直流の電気を通すことで、陽極では酸化反応によってめっき金属が液中に溶け出し、陰極では還元反応によりめっき金属が析出してめっき被膜に成長とする。
無電解めっき工程Ｓ１３で形成された第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する（図５（ｄ） 参照）。
電解めっきは、無電解めっきにより形成された第１の導電層５を電極として利用して、めっきの分野で一般的に知られている方法、条件を適用することにより行うことができる。具体的には、電解液に陽極であるめっき金属と陰極である第１の導電層５が形成された基材２ａを浸し、直流の電気を通すことで、陽極では酸化反応によってめっき金属が液中に溶け出し、陰極では還元反応によりめっき金属が析出してめっき被膜に成長とする。
【0064】
（配線パターン形成工程Ｓ１５）
まず、電解めっき工程Ｓ１４で形成された第２の導電層６上にフォトレジスト液を均一、平坦に塗布する。フォトレジスト液の塗布は、スピンコータ、スプレーコータ等、フォトレジストの塗布に用いられる一般的な塗布方法で行なわれる。
まず、電解めっき工程Ｓ１４で形成された第２の導電層６上にフォトレジスト液を均一、平坦に塗布する。フォトレジスト液の塗布は、スピンコータ、スプレーコータ等、フォトレジストの塗布に用いられる一般的な塗布方法で行なわれる。
【0065】
フォトレジストの塗布が完了したらフォトレジストの溶剤を除去するためにプリベイクを行い、露光装置を使用して紫外線を照射してフォトマスク上のパターンを第２の導電層６上のフォトレジストに転写する。
そして、パターン部以外のフォトレジストを現像液を用いて除去する。現像方式としては、ディップ（浸漬）現像、スプレー現像等があり、使用するフォトレジストに応じて選択される。現像後は、専用リンスや純粋で洗浄して乾燥させる。この現像処理により、感光しない部分のフォトレジストがレジスト膜ＲＳとして残り、第２の導電層６に所定の配線パターンが形成される（図５（ｅ） 参照）。
そして、パターン部以外のフォトレジストを現像液を用いて除去する。現像方式としては、ディップ（浸漬）現像、スプレー現像等があり、使用するフォトレジストに応じて選択される。現像後は、専用リンスや純粋で洗浄して乾燥させる。この現像処理により、感光しない部分のフォトレジストがレジスト膜ＲＳとして残り、第２の導電層６に所定の配線パターンが形成される（図５（ｅ） 参照）。
【0066】
（配線形成工程Ｓ１６）
そして、塩化第二鉄溶液を用いて、マスキングされていない部分の第２の導電層６を腐食溶融（エッチング処理）して配線を成形する（図５（ｆ） 参照）。
そして、塩化第二鉄溶液を用いて、マスキングされていない部分の第２の導電層６を腐食溶融（エッチング処理）して配線を成形する（図５（ｆ） 参照）。
【0067】
（触媒除去工程Ｓ１７）
続いて、塩化第二鉄溶液を用いて、配線間に表出する触媒層をエッチングして第１の導電層５上に積層された第２の導電層６を配線として残し、レジスト膜ＲＳを剥離除去する（図５（ｇ） 参照）。
続いて、塩化第二鉄溶液を用いて、配線間に表出する触媒層をエッチングして第１の導電層５上に積層された第２の導電層６を配線として残し、レジスト膜ＲＳを剥離除去する（図５（ｇ） 参照）。
【0068】
本実施形態に係る高周波回路構造１の製造方法によれば、絶縁層２と第１の導電層５が充分な密着強度を保持しながら表面に触媒粒子群３が表出した絶縁層２と第１の導電層５の間の界面が高い平滑性を有して上面が平滑な導電層を得ることができる。また、第２の導電層６を第１の導電層５の側壁５ａを厚み方向において覆わないように形成して、側壁が平滑な導電層を形成することができる。これにより、導電層に形成される配線パターンが矩形の断面形状で４辺が平滑となり高い高周波伝送特性を有する高周波回路構造１を得ることができる。
【0069】
「変形例１」
図６は変形例１に係る高周波回路構造１の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図７は変形例１に係る高周波回路構造１の製造過程を示す断面模式図である。
変形例１に係る高周波回路構造１の製造方法は、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２を形成する絶縁層形成工程Ｓ２１と、絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより絶縁層２表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ２２と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ２３と、第１の導電層５上にレジスト膜ＲＳを形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ２４と、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ２５と、レジスト膜除去後に第１の導電層５の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった導電層に配線を形成する配線形成工程Ｓ２６と、必要に応じて露出した触媒粒子を除去する触媒除去工程Ｓ２７と、からなる。
図６は変形例１に係る高周波回路構造１の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図７は変形例１に係る高周波回路構造１の製造過程を示す断面模式図である。
変形例１に係る高周波回路構造１の製造方法は、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２を形成する絶縁層形成工程Ｓ２１と、絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより絶縁層２表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ２２と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ２３と、第１の導電層５上にレジスト膜ＲＳを形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ２４と、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ２５と、レジスト膜除去後に第１の導電層５の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった導電層に配線を形成する配線形成工程Ｓ２６と、必要に応じて露出した触媒粒子を除去する触媒除去工程Ｓ２７と、からなる。
【0070】
このように、変形例１に係る高周波回路構造１の製造過程は、第１の導電層５上にレジスト膜ＲＳを形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成した後、第１の導電層５に第２の導電層６を一体形成し、レジスト膜除ＲＳ去後に第１の導電層５の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった導電層に配線を形成する点で、本実施形態に係る高周波回路構造１の製造過程と異なっている。
【0071】
まず、絶縁層２を形成する絶縁層形成工程Ｓ２１（図７（ａ） 参照）、絶縁層２表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ２２（図７（ｂ） 参照）、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ２３（図７（ｃ） 参照）を順次実施する。
【0072】
（配線パターン形成工程Ｓ２４）
無電解めっき工程Ｓ２３で形成された第１の導電層５上にフォトレジスト液を塗布した後、プリベイクを行い、露光装置を使用して紫外線を照射してフォトマスク上のパターンを第１の導電層５上のレジスト膜ＲＳに転写する。
そして、パターン部以外のレジスト膜ＲＳを現像液を用いて除去して、第１の導電層５上に所定の配線パターンを形成する（図７（ｄ） 参照）。
無電解めっき工程Ｓ２３で形成された第１の導電層５上にフォトレジスト液を塗布した後、プリベイクを行い、露光装置を使用して紫外線を照射してフォトマスク上のパターンを第１の導電層５上のレジスト膜ＲＳに転写する。
そして、パターン部以外のレジスト膜ＲＳを現像液を用いて除去して、第１の導電層５上に所定の配線パターンを形成する（図７（ｄ） 参照）。
【0073】
次に、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ２５を実施する（図７（ｅ） 参照）。
【0074】
（配線形成工程Ｓ２６）
第１の導電層５上に残ったレジスト膜ＲＳを現像液を用いて除去して、露出した第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線を形成する（図７（ｆ） 参照）。
第１の導電層５上に残ったレジスト膜ＲＳを現像液を用いて除去して、露出した第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線を形成する（図７（ｆ） 参照）。
【0075】
（触媒除去工程Ｓ２７）
続いて、塩化第二鉄溶液を用いて、配線間に表出する触媒層をエッチングして第１の導電層５上に積層された第２の導電層６を配線として残す（図７（ｇ） 参照）。
続いて、塩化第二鉄溶液を用いて、配線間に表出する触媒層をエッチングして第１の導電層５上に積層された第２の導電層６を配線として残す（図７（ｇ） 参照）。
【0076】
変形例１の製造方法によれば、配線をより狭ピッチで配置することが可能となる。
【0077】
「変形例２」
図８は変形例２に係る高周波回路構造１の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図９は変形例２に係る高周波回路構造１の製造過程を示す断面模式図である。
変形例２に係る高周波回路構造１の製造方法は、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２を形成する絶縁層形成工程Ｓ３１と、絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより絶縁層２表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ３２と、触媒層が形成された絶縁層２上にレジスト膜を形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ３３と、 配線パターンが形成された触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ３４と、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ３５と、レジスト膜ＲＳを剥離するレジスト膜除去工程Ｓ３６と、必要に応じて露出した前記触媒粒子を除去する触媒除去工程Ｓ３７と、からなる。
図８は変形例２に係る高周波回路構造１の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図９は変形例２に係る高周波回路構造１の製造過程を示す断面模式図である。
変形例２に係る高周波回路構造１の製造方法は、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２を形成する絶縁層形成工程Ｓ３１と、絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより絶縁層２表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ３２と、触媒層が形成された絶縁層２上にレジスト膜を形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ３３と、 配線パターンが形成された触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ３４と、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ３５と、レジスト膜ＲＳを剥離するレジスト膜除去工程Ｓ３６と、必要に応じて露出した前記触媒粒子を除去する触媒除去工程Ｓ３７と、からなる。
【0078】
このように、変形例２に係る高周波回路構造１の製造過程は、触媒層が形成された絶縁層２上にレジスト膜ＲＳを形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ３３と、レジスト膜ＲＳを剥離するレジスト膜除去工程Ｓ３６とを含む点で、本実施形態に係る高周波回路構造１の製造過程と異なっている。
【0079】
【0080】
（配線パターン形成工程Ｓ３３）
触媒層形成工程Ｓ３２で触媒層が形成された絶縁層２上にフォトレジスト液を塗布する。変形例２においては、パターン露光された部分が残るネガレジストを塗布する。フォトレジスト液の塗布が完了したらプリベイクを行い、露光装置を使用して紫外線を照射してフォトマスク上のパターンを触媒層上のレジスト膜ＲＳに転写する。
そして、露光されなかったパターン部のレジスト膜ＲＳを現像液を用いて除去して、触媒層上に所定の配線パターンを形成する（図９（ｃ） 参照）。
触媒層形成工程Ｓ３２で触媒層が形成された絶縁層２上にフォトレジスト液を塗布する。変形例２においては、パターン露光された部分が残るネガレジストを塗布する。フォトレジスト液の塗布が完了したらプリベイクを行い、露光装置を使用して紫外線を照射してフォトマスク上のパターンを触媒層上のレジスト膜ＲＳに転写する。
そして、露光されなかったパターン部のレジスト膜ＲＳを現像液を用いて除去して、触媒層上に所定の配線パターンを形成する（図９（ｃ） 参照）。
【0081】
続いて、レジストパターンが形成された触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ３４と（図９（ｄ） 参照）、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ３５（図９（ｅ）参照）とを順次実施する。
【0082】
（レジスト膜除去工程Ｓ３６）
電解めっき工程Ｓ３５で第１の導電層５に第２の導電層６を一体形成した後、レジスト膜ＲＳを剥離除去する（図９（ｆ） 参照）。
電解めっき工程Ｓ３５で第１の導電層５に第２の導電層６を一体形成した後、レジスト膜ＲＳを剥離除去する（図９（ｆ） 参照）。
【0083】
（触媒除去工程Ｓ３７）
最後に、塩化第二鉄溶液を用いて、配線間に表出する触媒層をエッチングして第１の導電層５上に積層された第２の導電層６を配線として残す（図９（ｇ） 参照）。
最後に、塩化第二鉄溶液を用いて、配線間に表出する触媒層をエッチングして第１の導電層５上に積層された第２の導電層６を配線として残す（図９（ｇ） 参照）。
【0084】
「変形例３」
図１０は変形例３に係る高周波回路構造１の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図１１、図１２は変形例３に係る高周波回路構造１の製造過程を示す断面模式図である。
変形例３に係る高周波回路構造１の製造方法は、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２上に所定のパターンを形成する絶縁層形成工程Ｓ４１と、触媒粒子コロイド溶液を所定のパターン上に塗布した後、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより絶縁層表面に触媒粒子群３からなる触媒層を配線パターンとして形成する触媒層形成工程Ｓ４２と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ４３と、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ４４と、必要に応じて露出した触媒粒子を除去する触媒除去工程Ｓ４５と、からなる。
図１０は変形例３に係る高周波回路構造１の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図１１、図１２は変形例３に係る高周波回路構造１の製造過程を示す断面模式図である。
変形例３に係る高周波回路構造１の製造方法は、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２上に所定のパターンを形成する絶縁層形成工程Ｓ４１と、触媒粒子コロイド溶液を所定のパターン上に塗布した後、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより絶縁層表面に触媒粒子群３からなる触媒層を配線パターンとして形成する触媒層形成工程Ｓ４２と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ４３と、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ４４と、必要に応じて露出した触媒粒子を除去する触媒除去工程Ｓ４５と、からなる。
【0085】
このように、変形例３に係る高周波回路構造１の製造過程は、先に、絶縁層２上に所定のパターンを形成する絶縁層形成工程Ｓ４１を含む点で、本実施形態に係る高周波回路構造１の製造過程と異なっている。
【0086】
（絶縁層形成工程Ｓ４１）
本実施形態においては、絶縁層２上に所定のパターンを形成する方法として、図１１に示すように、プライマー層２ｂ表面に発現させた官能基の一部を光照射（図１１（ｂ）中 矢印ＵＶで示す）によって失活させてパターンを形成する第１の方法と、図１２に示すように、基材２ａの表面に、インクジェット法によりプライマーをパターンとして塗布してアニール処理を施すことによりプライマー層２ｂ上に官能基を発現させる第２の方法とがあり、いずれを用いてもよい。
本実施形態においては、絶縁層２上に所定のパターンを形成する方法として、図１１に示すように、プライマー層２ｂ表面に発現させた官能基の一部を光照射（図１１（ｂ）中 矢印ＵＶで示す）によって失活させてパターンを形成する第１の方法と、図１２に示すように、基材２ａの表面に、インクジェット法によりプライマーをパターンとして塗布してアニール処理を施すことによりプライマー層２ｂ上に官能基を発現させる第２の方法とがあり、いずれを用いてもよい。
【0087】
（第１の方法）
まず、所定の形状及び大きさに形成された実質的に平坦なフィルム状の基材２ａの表面に、ベース樹脂、メラミン系架橋剤、光酸発生剤、溶剤等からなるプライマーを塗布して乾燥させ、プライマー層２ｂ表面に紫外線を露光した後、所定の加熱を行って、プライマー層２ｂ上に官能基を発現させる（図１１（ａ）参照）。
そして、プライマー層２ｂ上に所定のライン／スペース（配線幅及び配線間隔）にパターニングしたフォトマスクを置き、紫外線ＵＶを所定の光量で照射し、マスクで遮蔽していないプライマー層２ｂ上の官能基を失活させる（図１１（ｂ）参照）。官能基が失活したプライマー層２ｂ上には、触媒粒子は付着しない。
まず、所定の形状及び大きさに形成された実質的に平坦なフィルム状の基材２ａの表面に、ベース樹脂、メラミン系架橋剤、光酸発生剤、溶剤等からなるプライマーを塗布して乾燥させ、プライマー層２ｂ表面に紫外線を露光した後、所定の加熱を行って、プライマー層２ｂ上に官能基を発現させる（図１１（ａ）参照）。
そして、プライマー層２ｂ上に所定のライン／スペース（配線幅及び配線間隔）にパターニングしたフォトマスクを置き、紫外線ＵＶを所定の光量で照射し、マスクで遮蔽していないプライマー層２ｂ上の官能基を失活させる（図１１（ｂ）参照）。官能基が失活したプライマー層２ｂ上には、触媒粒子は付着しない。
【0088】
（第２の方法）
所定の形状及び大きさに形成された実質的に平坦なフィルム状の基材２ａの表面に、ベース樹脂、メラミン系架橋剤、光酸発生剤、溶剤等からなるプライマー塗布液を、インクジェット法で所定のパターンで塗布し、プライマー層２ｂにパターンを形成する（図１２（ａ）参照）。次いで、プライマー層２ｂに所定のアニール処理を施して、パターン状に形成されたプライマー層２ｂ上に官能基を発現させる（図１２（ａ）参照）。
所定の形状及び大きさに形成された実質的に平坦なフィルム状の基材２ａの表面に、ベース樹脂、メラミン系架橋剤、光酸発生剤、溶剤等からなるプライマー塗布液を、インクジェット法で所定のパターンで塗布し、プライマー層２ｂにパターンを形成する（図１２（ａ）参照）。次いで、プライマー層２ｂに所定のアニール処理を施して、パターン状に形成されたプライマー層２ｂ上に官能基を発現させる（図１２（ａ）参照）。
【0089】
以下、絶縁層表面に触媒粒子群３からなる触媒層を配線パターンとして形成する触媒層形成工程Ｓ４２（図１１（ｃ）、図１２（ｂ） 参照）、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ４３（図１１（ｄ）、図１２（ｃ） 参照）、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ４４（図１１（ｅ）、図１２（ｄ） 参照）、必要に応じて露出した触媒粒子を除去する触媒除去工程Ｓ４５を順次実施して高周波回路構造１を製造する。
【0090】
「変形例４」
図１３は変形例４に係る高周波回路構造１の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図１４、図１５は変形例４に係る高周波回路構造１の製造過程を示す断面模式図である。
変形例４に係る高周波回路構造１の製造方法は、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２上に所定のパターンを形成する絶縁層形成工程Ｓ５１と、絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより絶縁層表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ５２と、所定のパターンが形成された触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ５３と、第１の導電層５が形成された絶縁層２上にレジスト膜ＲＳを形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ５４と、配線パターンが形成された第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ５５と、レジスト膜ＲＳ除去後に第１の導電層５の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった導電層に配線を形成する配線形成工程Ｓ５６と、必要に応じて露出した触媒粒子を除去する触媒除去工程Ｓ５７と、からなる。
図１３は変形例４に係る高周波回路構造１の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図１４、図１５は変形例４に係る高周波回路構造１の製造過程を示す断面模式図である。
変形例４に係る高周波回路構造１の製造方法は、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２上に所定のパターンを形成する絶縁層形成工程Ｓ５１と、絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより絶縁層表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ５２と、所定のパターンが形成された触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ５３と、第１の導電層５が形成された絶縁層２上にレジスト膜ＲＳを形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ５４と、配線パターンが形成された第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ５５と、レジスト膜ＲＳ除去後に第１の導電層５の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった導電層に配線を形成する配線形成工程Ｓ５６と、必要に応じて露出した触媒粒子を除去する触媒除去工程Ｓ５７と、からなる。
【0091】
このように、変形例４に係る高周波回路構造１の製造過程は、先に、絶縁層２上に所定のパターンを形成する絶縁層形成工程Ｓ５１と、第１の導電層５が形成された絶縁層２上にレジスト膜を形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ５４と、レジスト膜ＲＳ除去後に第１の導電層５の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった導電層に配線を形成する配線形成工程Ｓ５６と、を含む点で、本実施形態に係る高周波回路構造１の製造過程と異なっている。
【0092】
（絶縁層形成工程Ｓ５１）
絶縁層２上に所定のパターンを形成する方法として、図１４に示すように、プライマー層２ｂ表面に発現させた官能基の一部を光照射によって失活させてパターンを形成する第１の方法（図１４（ａ）、（ｂ） 参照）と、図１５に示すように、基材２ａの表面に、インクジェット法によりプライマーをパターンとして塗布してアニール処理を施すことによりプライマー層２ｂ上に官能基を発現させる第２の方法（図１５（ａ）参照）とがあり、いずれを用いてもよい。
絶縁層２上に所定のパターンを形成する方法として、図１４に示すように、プライマー層２ｂ表面に発現させた官能基の一部を光照射によって失活させてパターンを形成する第１の方法（図１４（ａ）、（ｂ） 参照）と、図１５に示すように、基材２ａの表面に、インクジェット法によりプライマーをパターンとして塗布してアニール処理を施すことによりプライマー層２ｂ上に官能基を発現させる第２の方法（図１５（ａ）参照）とがあり、いずれを用いてもよい。
【0093】
次に、絶縁層２表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ５２（図１４（ｃ）、図１５（ｂ） 参照）、所定のパターンが形成された触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ５３を順次実施する（図１４（ｄ）、図１５（ｃ） 参照）。
【0094】
（配線パターン形成工程Ｓ５４）
無電解めっき工程Ｓ５３で第１の導電層５が形成された絶縁層２上にフォトレジスト液を塗布する。フォトレジスト液の塗布が完了したらプリベイクを行い、露光装置を使用して紫外線を照射してフォトマスク上のパターンを触媒層上のレジスト膜ＲＳに転写する。
そして、露光されなかったパターン部のレジスト膜ＲＳを現像液を用いて除去して、触媒層上に所定の配線パターンを形成する（図１４（ｅ）、図１５（ｄ） 参照）。
無電解めっき工程Ｓ５３で第１の導電層５が形成された絶縁層２上にフォトレジスト液を塗布する。フォトレジスト液の塗布が完了したらプリベイクを行い、露光装置を使用して紫外線を照射してフォトマスク上のパターンを触媒層上のレジスト膜ＲＳに転写する。
そして、露光されなかったパターン部のレジスト膜ＲＳを現像液を用いて除去して、触媒層上に所定の配線パターンを形成する（図１４（ｅ）、図１５（ｄ） 参照）。
【0095】
【0096】
（配線形成工程Ｓ５６）
続いて、第１の導電層５上に残ったレジスト膜ＲＳを除去して、露出した第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線を形成する（図１４（ｇ）、図１５（ｆ） 参照）。
続いて、第１の導電層５上に残ったレジスト膜ＲＳを除去して、露出した第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線を形成する（図１４（ｇ）、図１５（ｆ） 参照）。
【0097】
「変形例５」
図１６は変形例５に係る高周波回路構造１の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図１７、図１８は変形例５に係る高周波回路構造１の製造過程を示す断面模式図である。
変形例５に係る高周波回路構造１の製造方法は、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２上に所定のパターンを形成する絶縁層形成工程Ｓ６１と、絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより絶縁層２表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ６２と、触媒層が形成された絶縁層２上にレジスト膜ＲＳを形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ６３と、 配線パターンが形成された触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程６４と、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ６５と、レジスト膜ＲＳを剥離するレジスト膜除去工程Ｓ６６と、必要に応じて露出した触媒粒子を除去する触媒除去工程Ｓ６７と、からなる。
図１６は変形例５に係る高周波回路構造１の製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図１７、図１８は変形例５に係る高周波回路構造１の製造過程を示す断面模式図である。
変形例５に係る高周波回路構造１の製造方法は、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２上に所定のパターンを形成する絶縁層形成工程Ｓ６１と、絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより絶縁層２表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ６２と、触媒層が形成された絶縁層２上にレジスト膜ＲＳを形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ６３と、 配線パターンが形成された触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程６４と、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ６５と、レジスト膜ＲＳを剥離するレジスト膜除去工程Ｓ６６と、必要に応じて露出した触媒粒子を除去する触媒除去工程Ｓ６７と、からなる。
【0098】
このように、変形例５に係る高周波回路構造１の製造過程は、触媒層が形成された絶縁層２上にレジスト膜ＲＳを形成し、レジスト膜ＲＳを露光・現像してレジスト膜ＲＳに配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ６３と、レジスト膜ＲＳを剥離するレジスト膜除去工程Ｓ６６とを含む点で、本実施形態に係る高周波回路構造１の製造過程と異なっている。
【0099】
（絶縁層形成工程Ｓ６１）
絶縁層形成工程Ｓ６１において、絶縁層２上に所定のパターンを形成する方法として、図１７に示すように、プライマー層２ｂ表面に発現させた官能基の一部を光照射によって失活させてパターンを形成する第１の方法（図１７（ａ）、（ｂ） 参照）と、図１８に示すように、基材２ａの表面に、インクジェット法によりプライマーをパターンとして塗布してアニール処理を施すことによりプライマー層２ｂ上に官能基を発現させる第２の方法（図１８（ａ）参照）とがあり、いずれを用いてもよい。
絶縁層形成工程Ｓ６１において、絶縁層２上に所定のパターンを形成する方法として、図１７に示すように、プライマー層２ｂ表面に発現させた官能基の一部を光照射によって失活させてパターンを形成する第１の方法（図１７（ａ）、（ｂ） 参照）と、図１８に示すように、基材２ａの表面に、インクジェット法によりプライマーをパターンとして塗布してアニール処理を施すことによりプライマー層２ｂ上に官能基を発現させる第２の方法（図１８（ａ）参照）とがあり、いずれを用いてもよい。
【0100】
【0101】
（配線パターン形成工程Ｓ６３）
次に、触媒層形成工程Ｓ６２で触媒層が形成された絶縁層２上にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜ＲＳを形成する。変形例４においては、パターン露光された部分が残るネガレジストを塗布する。
フォトレジスト膜を形成した後、露光装置を使用して紫外線を照射してフォトマスク上のパターンを第２の導電層６上のフォトレジストに転写する。
そして、露光されなかったパターン部以外のフォトレジストを現像液を用いて除去して、第２の導電層６に所定の配線パターンを形成する（図１７（ｄ）、図１８（ｃ）） 参照）。
次に、触媒層形成工程Ｓ６２で触媒層が形成された絶縁層２上にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜ＲＳを形成する。変形例４においては、パターン露光された部分が残るネガレジストを塗布する。
フォトレジスト膜を形成した後、露光装置を使用して紫外線を照射してフォトマスク上のパターンを第２の導電層６上のフォトレジストに転写する。
そして、露光されなかったパターン部以外のフォトレジストを現像液を用いて除去して、第２の導電層６に所定の配線パターンを形成する（図１７（ｄ）、図１８（ｃ）） 参照）。
【0102】
続いて、配線パターンが形成された触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ６４（図１７（ｅ）、図１８（ｄ）） 参照）と、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ６５（図１７（ｆ）、図１８（ｅ） 参照）とを順次実施する。
【0103】
【0104】
【0105】
（１）高周波回路構造１Ａの構成
第２実施形態に係る高周波回路構造１Ａは、既設の導体７の上に第１実施形態の高周波回路構造１が形成され、第２の導電層６が導体７に達するビアホール８を埋めて既設の導体７と電気的に接続している。したがって、第１実施形態との共通部分については同一の符号を付してその詳細な説明は省略する。
第２実施形態に係る高周波回路構造１Ａは、既設の導体７の上に第１実施形態の高周波回路構造１が形成され、第２の導電層６が導体７に達するビアホール８を埋めて既設の導体７と電気的に接続している。したがって、第１実施形態との共通部分については同一の符号を付してその詳細な説明は省略する。
【0106】
高周波回路構造１Ａは、図１９（ａ）に示すように、導体７と、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層２と、絶縁層２の表面に官能基を介して接合された触媒粒子群３と、触媒粒子群３に第１の膜厚で一体化された第１の導電層５と、第１の導電層５の上に第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で導体７と電気的に接続するように形成された第２の導電層６とを備える。
【0107】
（導体）
導体７は、基板の表面に形成された導電層であり、導体７を介して高周波回路構造１Ａを接続して、例えば、両面基板や多層基板とすることが可能となる。導体７は金属メッキ層として形成され、表面７ａにはビアホール８を埋めるように形成される第２の導電層６が電気的に接続される。
導体７は、基板の表面に形成された導電層であり、導体７を介して高周波回路構造１Ａを接続して、例えば、両面基板や多層基板とすることが可能となる。導体７は金属メッキ層として形成され、表面７ａにはビアホール８を埋めるように形成される第２の導電層６が電気的に接続される。
【0108】
（絶縁層）
絶縁層２は、図１９（ｂ）に示すように、導体７の表面７ａに、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が発現したプライマー層２ｂが形成され、絶縁層２には、導体７に達するビアホール８が形成されている。
絶縁層２は、図１９（ｂ）に示すように、導体７の表面７ａに、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が発現したプライマー層２ｂが形成され、絶縁層２には、導体７に達するビアホール８が形成されている。
【0109】
（触媒粒子群）
プライマー層２ｂが形成された導体７の表面には触媒粒子群３が接合されている。触媒粒子群３は、ビアホール８の内壁８ａにも接合されている。
（第１の導電層）
第１の導電層５としてのめっき層は、触媒粒子群３の上に無電解めっきにより形成される。めっき層は、導体７に到達するようにビアホール８の内壁８ａにも形成されている。
プライマー層２ｂが形成された導体７の表面には触媒粒子群３が接合されている。触媒粒子群３は、ビアホール８の内壁８ａにも接合されている。
（第１の導電層）
第１の導電層５としてのめっき層は、触媒粒子群３の上に無電解めっきにより形成される。めっき層は、導体７に到達するようにビアホール８の内壁８ａにも形成されている。
【0110】
（第２の導体層）
第２の導電層６は、第１の導電層５の上に電解めっきにより積層されている。また、ビアホール８を埋めて導体７に到達し導体７と電気的に接合されている。
第２の導電層６は、第１の導電層５の上に電解めっきにより積層されている。また、ビアホール８を埋めて導体７に到達し導体７と電気的に接合されている。
【0111】
（２）高周波回路構造１Ａの製造方法
図２０は第２実施形態に係る高周波回路構造１Ａの製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図２１は第２実施形態に係る高周波回路構造１Ａの製造過程を示す断面模式図である。
本実施形態に係る高周波回路構造１Ａは、既設の導体７上に配置された絶縁層２にビアホール８を形成し、ビアホール８の内壁８ａを含めて絶縁層２に触媒粒子付与処理をし、絶縁層２の表面及びビアホール８に導電層を形成することによって製造することができる。
すなわち、既設の導体７の上に硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層２を形成する絶縁層形成工程Ｓ７１と、絶縁層２に導体７に達するビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ７２と、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることによりビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ７３と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ７４と、第１の導電層５に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで第１の導電層５に配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ７５と、エッチングマスクを剥離して露出した触媒粒子を除去する剥離除去工程Ｓ７６と、第１の導電層５及びビアホール８に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ７７と、からなる。
図２０は第２実施形態に係る高周波回路構造１Ａの製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図２１は第２実施形態に係る高周波回路構造１Ａの製造過程を示す断面模式図である。
本実施形態に係る高周波回路構造１Ａは、既設の導体７上に配置された絶縁層２にビアホール８を形成し、ビアホール８の内壁８ａを含めて絶縁層２に触媒粒子付与処理をし、絶縁層２の表面及びビアホール８に導電層を形成することによって製造することができる。
すなわち、既設の導体７の上に硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層２を形成する絶縁層形成工程Ｓ７１と、絶縁層２に導体７に達するビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ７２と、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることによりビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ７３と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ７４と、第１の導電層５に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで第１の導電層５に配線パターンを形成する配線パターン形成工程Ｓ７５と、エッチングマスクを剥離して露出した触媒粒子を除去する剥離除去工程Ｓ７６と、第１の導電層５及びビアホール８に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ７７と、からなる。
【0112】
（絶縁層形成工程Ｓ７１、ビアホール開口工程Ｓ７２）
既設の導体７の表面７ａに、ベース樹脂、メラミン系架橋剤、光酸発生剤、溶剤等からなるプライマー層塗布液を塗布する。このとき、インクジェット法でビアホール８をパターニングしながらプライマー層塗布液を塗布することで、プライマー層２ｂにビアホール８を同時に形成する。次いで、プライマー層２ｂ表面に紫外線を露光した後、所定の加熱を行って、プライマー層２ｂ上に官能基を発現させて導体７に達するビアホール８が開口した絶縁層２を形成する（図２１（ａ）参照）。
既設の導体７の表面７ａに、ベース樹脂、メラミン系架橋剤、光酸発生剤、溶剤等からなるプライマー層塗布液を塗布する。このとき、インクジェット法でビアホール８をパターニングしながらプライマー層塗布液を塗布することで、プライマー層２ｂにビアホール８を同時に形成する。次いで、プライマー層２ｂ表面に紫外線を露光した後、所定の加熱を行って、プライマー層２ｂ上に官能基を発現させて導体７に達するビアホール８が開口した絶縁層２を形成する（図２１（ａ）参照）。
【0113】
（触媒層形成工程Ｓ７３）
プライマー層２ｂ上に官能基が発現した絶縁層２表面及びビアホール８の内壁８ａに触媒粒子コロイド溶液を供給して触媒粒子をビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２表面に平均的に整列させる（図２１（ｂ） 参照）。
この触媒粒子付与処理により、触媒粒子自体の又は触媒粒子の錯体におけるカチオン性基が、プライマー層２ｂにおけるアニオン性官能基と相互作用して、絶縁層２及びビアホール８の内壁８ａに触媒粒子を導入することができる。
プライマー層２ｂ上に官能基が発現した絶縁層２表面及びビアホール８の内壁８ａに触媒粒子コロイド溶液を供給して触媒粒子をビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２表面に平均的に整列させる（図２１（ｂ） 参照）。
この触媒粒子付与処理により、触媒粒子自体の又は触媒粒子の錯体におけるカチオン性基が、プライマー層２ｂにおけるアニオン性官能基と相互作用して、絶縁層２及びビアホール８の内壁８ａに触媒粒子を導入することができる。
【0114】
（無電解めっき工程Ｓ７４）
次に、触媒層が形成された絶縁層２を無電解めっき液に浸漬してめっき被膜を析出させ、第１の導電層５を形成する（図２１（ｃ） 参照）。
次に、触媒層が形成された絶縁層２を無電解めっき液に浸漬してめっき被膜を析出させ、第１の導電層５を形成する（図２１（ｃ） 参照）。
【0115】
（配線パターン形成工程Ｓ７５）
無電解めっき工程Ｓ７３で形成された第１の導電層５上にフォトレジスト液を塗布する。フォトレジストの塗布が完了したらプリベイクを行い、露光装置を使用して紫外線を照射してエッチングマスク上のパターンを第１の導電層５の上に転写してレジスト膜ＲＳを形成する。（図２１（ｄ） 参照）。そして、露出した第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５の上に配線パターンを形成する（図２１（ｅ） 参照）。
無電解めっき工程Ｓ７３で形成された第１の導電層５上にフォトレジスト液を塗布する。フォトレジストの塗布が完了したらプリベイクを行い、露光装置を使用して紫外線を照射してエッチングマスク上のパターンを第１の導電層５の上に転写してレジスト膜ＲＳを形成する。（図２１（ｄ） 参照）。そして、露出した第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５の上に配線パターンを形成する（図２１（ｅ） 参照）。
【0116】
（剥離除去工程Ｓ７６）
配線パターン形成工程Ｓ７５で形成されたレジスト膜ＲＳを剥離し、必要に応じて露出した触媒粒子を除去する。露出した触媒粒子は、例えば、レーザ照射やプラズマ照射を行うことで除去することができる（図２１（ｆ） 参照）。
配線パターン形成工程Ｓ７５で形成されたレジスト膜ＲＳを剥離し、必要に応じて露出した触媒粒子を除去する。露出した触媒粒子は、例えば、レーザ照射やプラズマ照射を行うことで除去することができる（図２１（ｆ） 参照）。
【0117】
（電解めっき工程Ｓ７７）
そして、配線パターンが形成された第１の導電層５及びビアホール８に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する（図２１（ｇ） 参照）。
これにより、第１の導電層５の上に第２の導電層６が積層されるとともに、第２の導電層６がビアホール８を埋めて導体７と電気的に接続される。
そして、配線パターンが形成された第１の導電層５及びビアホール８に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する（図２１（ｇ） 参照）。
これにより、第１の導電層５の上に第２の導電層６が積層されるとともに、第２の導電層６がビアホール８を埋めて導体７と電気的に接続される。
【0118】
本実施形態に係る高周波回路構造１Ａの製造方法によれば、ビアホール８の内壁８ａにも触媒層を形成して既設の導体７と第２の導電層６を電気的に接続するとともに、上面が平滑な第２の導電層６を有する多層基板を得ることができる。
【0119】
「変形例１」
図２２は変形例１に係る高周波回路構造１Ａの製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図２３は変形例１に係る高周波回路構造１Ａの製造過程を示す断面模式図である。
変形例１に係る高周波回路構造１Ａの製造方法は、既設の導体７の上に硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層２を形成する絶縁層形成工程Ｓ８１と、絶縁層２に導体７に達するビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ８２と、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることによりビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ８３と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ８４と、第１の導電層５上に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成して第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ８５と、レジスト膜ＲＳ除去後にエッチングマスクＥＭを形成して第１の導電層５の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６があわさった導電層に配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ８６と、エッチングマスクＥＭを剥離して露出した触媒粒子を除去する剥離除去工程Ｓ８７と、からなる。
図２２は変形例１に係る高周波回路構造１Ａの製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図２３は変形例１に係る高周波回路構造１Ａの製造過程を示す断面模式図である。
変形例１に係る高周波回路構造１Ａの製造方法は、既設の導体７の上に硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層２を形成する絶縁層形成工程Ｓ８１と、絶縁層２に導体７に達するビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ８２と、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることによりビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ８３と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ８４と、第１の導電層５上に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成して第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ８５と、レジスト膜ＲＳ除去後にエッチングマスクＥＭを形成して第１の導電層５の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６があわさった導電層に配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ８６と、エッチングマスクＥＭを剥離して露出した触媒粒子を除去する剥離除去工程Ｓ８７と、からなる。
【0120】
このように、変形例１に係る高周波回路構造１Ａの製造過程は、レジスト膜ＲＳ除去後にエッチングマスクＥＭを形成して第１の導電層５の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６があわさった導電層に配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ８６を含む点で、本実施形態に係る高周波回路構造１Ａの製造過程と異なっている。
【0121】
まず、絶縁層２を形成する絶縁層形成工程Ｓ２１、絶縁層２に導体７に達するビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ８２（図２３（ａ） 参照）、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ８３（図２３（ｂ） 参照）、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ８４（図２３（ｃ） 参照）を順次実施する。
【0122】
（電解めっき工程Ｓ８５）
続いて、無電解めっき工程Ｓ８４で形成された第１の導電層５に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成して（図２３（ｄ） 参照）、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する（図２３（ｅ） 参照）。これにより、第１の導電層５の上に第２の導電層６が積層されるとともに、第２の導電層６がビアホール８を埋めて導体７と電気的に接続される。
続いて、無電解めっき工程Ｓ８４で形成された第１の導電層５に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成して（図２３（ｄ） 参照）、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する（図２３（ｅ） 参照）。これにより、第１の導電層５の上に第２の導電層６が積層されるとともに、第２の導電層６がビアホール８を埋めて導体７と電気的に接続される。
【0123】
（配線形成工程Ｓ８６）
次に、第１の導電層５上に残ったレジスト膜ＲＳを除去して（図２３（ｆ） 参照）、第２の導電層６の上にエッチングマスクＥＭを形成する（図２３（ｇ） 参照）。そして、露出した第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線パターンを形成する（図２３（ｈ） 参照）。
次に、第１の導電層５上に残ったレジスト膜ＲＳを除去して（図２３（ｆ） 参照）、第２の導電層６の上にエッチングマスクＥＭを形成する（図２３（ｇ） 参照）。そして、露出した第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線パターンを形成する（図２３（ｈ） 参照）。
【0124】
（剥離除去工程Ｓ８７）
配線形成工程Ｓ８６で形成されたエッチングマスクＥＭを剥離し、必要に応じてレーザ照射やプラズマ照射を行い露出した触媒粒子を除去する（図２３（ｉ） 参照）。
配線形成工程Ｓ８６で形成されたエッチングマスクＥＭを剥離し、必要に応じてレーザ照射やプラズマ照射を行い露出した触媒粒子を除去する（図２３（ｉ） 参照）。
【0125】
変形例１の製造方法によれば、ビアホール８の内壁８ａにも触媒層を形成して既設の導体７と第２の導電層６を電気的に接続するとともに、側壁及び上面が平滑な第２の導電層６をより狭ピッチで配置した多層基板を得ることができる。
【0126】
「変形例２」
図２４は変形例２に係る高周波回路構造１Ａの製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図２５は変形例２に係る高周波回路構造１Ａの製造過程を示す断面模式図である。
変形例２に係る高周波回路構造１Ａの製造方法は、既設の導体７の上に絶縁層２として使用する絶縁性の基材２ａを接着する絶縁層形成工程Ｓ９１と、絶縁層２に導体７に達するビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ９２と、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層２ｂをビアホール８の内壁８ａを含む絶縁層２に所定のパターンで形成するプライマー層形成工程Ｓ９３と、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることによりビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ９４と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ９５と、第１の導電層５上に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ９６と、第２の導電層６上に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成してエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６があわさった導電層に配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ９７と、レジスト膜ＲＳを剥離して露出した触媒粒子及びプライマーを除去する剥離除去工程Ｓ９８と、からなる。
図２４は変形例２に係る高周波回路構造１Ａの製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図２５は変形例２に係る高周波回路構造１Ａの製造過程を示す断面模式図である。
変形例２に係る高周波回路構造１Ａの製造方法は、既設の導体７の上に絶縁層２として使用する絶縁性の基材２ａを接着する絶縁層形成工程Ｓ９１と、絶縁層２に導体７に達するビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ９２と、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層２ｂをビアホール８の内壁８ａを含む絶縁層２に所定のパターンで形成するプライマー層形成工程Ｓ９３と、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることによりビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ９４と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ９５と、第１の導電層５上に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ９６と、第２の導電層６上に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成してエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６があわさった導電層に配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ９７と、レジスト膜ＲＳを剥離して露出した触媒粒子及びプライマーを除去する剥離除去工程Ｓ９８と、からなる。
【0127】
（絶縁層形成工程Ｓ９１）
まず、既設の導体７に所定の形状及び大きさに形成された実質的に平坦なフィルム状の基材２ａを接着する。基材２ａは、例えば、エポキシ系接着剤等の接着剤、接着シート、シート状プリプレグなどを用いた接着や、プレス処理による熱融着などによって導体７上に接着する（図２５（ａ） 参照）。
まず、既設の導体７に所定の形状及び大きさに形成された実質的に平坦なフィルム状の基材２ａを接着する。基材２ａは、例えば、エポキシ系接着剤等の接着剤、接着シート、シート状プリプレグなどを用いた接着や、プレス処理による熱融着などによって導体７上に接着する（図２５（ａ） 参照）。
【0128】
（ビアホール開口工程Ｓ９２）
そして、レーザを用いて基材２ａに導体７に達するビアホール８を開口する（図２５（ｂ） 参照）。ビアホール８の開口には、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザや炭酸ガスレーザによる加工以外にも、レジストまたは銅箔をマスクとしたケミカルエチッチングやドライエッチングを用いることができる。
そして、レーザを用いて基材２ａに導体７に達するビアホール８を開口する（図２５（ｂ） 参照）。ビアホール８の開口には、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザや炭酸ガスレーザによる加工以外にも、レジストまたは銅箔をマスクとしたケミカルエチッチングやドライエッチングを用いることができる。
【0129】
（プライマー層形成工程Ｓ９３）
ビアホール８が開口された基材２ａに、ベース樹脂、メラミン系架橋剤、光酸発生剤、溶剤等からなるプライマー塗布液を塗布して乾燥させ、プライマー層２ｂ表面に紫外線を露光した後、所定の加熱を行って、プライマー層２ｂ上に官能基を発現させる（図２５（ｃ）参照）。
ビアホール８が開口された基材２ａに、ベース樹脂、メラミン系架橋剤、光酸発生剤、溶剤等からなるプライマー塗布液を塗布して乾燥させ、プライマー層２ｂ表面に紫外線を露光した後、所定の加熱を行って、プライマー層２ｂ上に官能基を発現させる（図２５（ｃ）参照）。
【0130】
次に、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ９４（図２５（ｄ） 参照）、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ９５（図２５（ｅ） 参照）、第１の導電層５上に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ９６（図２５（ｆ） 参照）を順次実施する。
【0131】
（配線形成工程Ｓ９７）
第２の導電層６の上に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成する（図２５（ｇ） 参照）。そして、露出した第２の導電層６及び第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線パターンを形成する（図２５（ｈ） 参照）。
第２の導電層６の上に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成する（図２５（ｇ） 参照）。そして、露出した第２の導電層６及び第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線パターンを形成する（図２５（ｈ） 参照）。
【0132】
【0133】
変形例２の製造方法によれば、ビアホール８の内壁８ａにも触媒層を形成して既設の導体７と第２の導電層６を電気的に接続するとともに、側壁及び上面が平滑な第２の導電層６をより狭ピッチで配置した多層基板を得ることができる。
【0134】
「変形例３」
図２６は変形例３に係る高周波回路構造１Ａの製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図２７は変形例３に係る高周波回路構造１Ａの製造過程を示す断面模式図である。
変形例３に係る高周波回路構造１Ａの製造方法は、既設の導体７の上に絶縁層２として使用する絶縁性の基材２ａを接着する絶縁層形成工程Ｓ１０１と、絶縁層２に導体７に達するビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ１０２と、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層２ｂをビアホール８の内壁８ａを含む絶縁層２に所定のパターンで形成するプライマー層形成工程Ｓ１０３と、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることによりビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ１０４と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ１０５と、第１の導電層５に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成して第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ１０６と、レジスト膜ＲＳ除去後に第１の導電層５の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６があわさった導電層に配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ１０７と、レジスト膜ＲＳを剥離して露出した触媒粒子及びプライマーを除去する剥離除去工程Ｓ１０８と、からなる。
図２６は変形例３に係る高周波回路構造１Ａの製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図２７は変形例３に係る高周波回路構造１Ａの製造過程を示す断面模式図である。
変形例３に係る高周波回路構造１Ａの製造方法は、既設の導体７の上に絶縁層２として使用する絶縁性の基材２ａを接着する絶縁層形成工程Ｓ１０１と、絶縁層２に導体７に達するビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ１０２と、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層２ｂをビアホール８の内壁８ａを含む絶縁層２に所定のパターンで形成するプライマー層形成工程Ｓ１０３と、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることによりビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ１０４と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ１０５と、第１の導電層５に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成して第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ１０６と、レジスト膜ＲＳ除去後に第１の導電層５の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６があわさった導電層に配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ１０７と、レジスト膜ＲＳを剥離して露出した触媒粒子及びプライマーを除去する剥離除去工程Ｓ１０８と、からなる。
【0135】
まず、既設の導体７の上に基材２ａを接着する絶縁層形成工程Ｓ１０１（図２７（ａ） 参照）と、絶縁層２に導体７に達するビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ１０２（図２７（ｂ） 参照）と、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層２ｂをビアホール８の内壁８ａを含む絶縁層２に所定のパターンで形成するプライマー層形成工程Ｓ１０３（図２７（ｃ） 参照）と、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ１０４（図２７（ｄ） 参照）と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ１０５（図２７（ｅ） 参照）、を順次実施する。
【0136】
（電解めっき工程Ｓ１０６）
次に、第１の導電層５に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成して（図２７（ｆ） 参照）第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する（図２７（ｇ） 参照）。
次に、第１の導電層５に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成して（図２７（ｆ） 参照）第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する（図２７（ｇ） 参照）。
【0137】
（配線形成工程Ｓ１０７）
レジスト膜ＲＳを除去する（図２７（ｈ） 参照）。そして、露出した第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線パターンを形成する（図２７（ｉ） 参照）。
レジスト膜ＲＳを除去する（図２７（ｈ） 参照）。そして、露出した第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線パターンを形成する（図２７（ｉ） 参照）。
【0138】
（剥離除去工程Ｓ１０８）
必要に応じてレーザ照射やプラズマ照射を行い露出した触媒粒子及びプライマーを除去する（図２７（ｊ） 参照）。
必要に応じてレーザ照射やプラズマ照射を行い露出した触媒粒子及びプライマーを除去する（図２７（ｊ） 参照）。
【0139】
「変形例４」
図２８は変形例４に係る高周波回路構造１Ａの製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図２９は変形例４に係る高周波回路構造１Ａの製造過程を示す断面模式図である。
変形例４に係る高周波回路構造１Ａの製造方法は、絶縁層２にビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ１１１と、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層２ｂをビアホール８の内壁８ａを含む絶縁層２に所定のパターンに形成するプライマー層形成工程Ｓ１１２と、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層2表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ１１３と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ１１４と、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ１１５と、第２の導電層６に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで第１の導電層５及び第２の導電層６に配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ１１６と、エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子及びプライマーを除去する剥離除去工程Ｓ１１７と、からなる。
図２８は変形例４に係る高周波回路構造１Ａの製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図２９は変形例４に係る高周波回路構造１Ａの製造過程を示す断面模式図である。
変形例４に係る高周波回路構造１Ａの製造方法は、絶縁層２にビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ１１１と、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層２ｂをビアホール８の内壁８ａを含む絶縁層２に所定のパターンに形成するプライマー層形成工程Ｓ１１２と、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層2表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ１１３と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ１１４と、第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ１１５と、第２の導電層６に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成してエッチング処理を行うことで第１の導電層５及び第２の導電層６に配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ１１６と、エッチングマスクを剥離して必要に応じて露出した触媒粒子及びプライマーを除去する剥離除去工程Ｓ１１７と、からなる。
【0140】
（ビアホール開口工程Ｓ１１１）
まず、レーザを用いて絶縁層２にビアホール８を開口する（図２９（ａ） 参照）。ビアホール８の開口には、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザや炭酸ガスレーザによる加工以外にも、レジストまたは銅箔をマスクとしたケミカルエチッチングやドライエッチングを用いることができる。
まず、レーザを用いて絶縁層２にビアホール８を開口する（図２９（ａ） 参照）。ビアホール８の開口には、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザや炭酸ガスレーザによる加工以外にも、レジストまたは銅箔をマスクとしたケミカルエチッチングやドライエッチングを用いることができる。
【0141】
（プライマー層形成工程Ｓ１１２）
ビアホール８が開口された絶縁層２に、ベース樹脂、メラミン系架橋剤、光酸発生剤、溶剤等からなるプライマー塗布液を塗布して乾燥させ、プライマー層２ｂ表面に紫外線を露光した後、所定の加熱を行って、プライマー層２ｂ上に官能基を発現させる（図２９（ｂ）参照）。
ビアホール８が開口された絶縁層２に、ベース樹脂、メラミン系架橋剤、光酸発生剤、溶剤等からなるプライマー塗布液を塗布して乾燥させ、プライマー層２ｂ表面に紫外線を露光した後、所定の加熱を行って、プライマー層２ｂ上に官能基を発現させる（図２９（ｂ）参照）。
【0142】
次に、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ１１３（図２９（ｃ） 参照）、触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成する無電解めっき工程Ｓ１１４（図２９（ｄ） 参照）、第１の導電層５上に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ１１５（図２９（ｅ） 参照）を順次実施する。
【0143】
（配線形成工程Ｓ１１６）
第２の導電層６の上に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成する（図２９（ｆ） 参照）。そして、露出した第２の導電層６及び第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線パターンを形成する（図２９（ｇ） 参照）。
第２の導電層６の上に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成する（図２９（ｆ） 参照）。そして、露出した第２の導電層６及び第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線パターンを形成する（図２９（ｇ） 参照）。
【0144】
（剥離除去工程Ｓ１１７）
配線形成工程Ｓ１１６で形成されたレジスト膜ＲＳを剥離し、必要に応じてレーザ照射やプラズマ照射を行い露出した触媒粒子を除去する（図２９（ｈ） 参照）。
配線形成工程Ｓ１１６で形成されたレジスト膜ＲＳを剥離し、必要に応じてレーザ照射やプラズマ照射を行い露出した触媒粒子を除去する（図２９（ｈ） 参照）。
【0145】
「変形例５」
図３０は変形例５に係る高周波回路構造１Ａの製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図３１は変形例５に係る高周波回路構造１Ａの製造過程を示す断面模式図である。
変形例５に係る高周波回路構造１Ａの製造方法は、絶縁層２にビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ１２１と、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層２ｂをビアホール８の内壁８ａを含む絶縁層２に所定のパターンに形成するプライマー層形成工程Ｓ１２２と、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ１２３と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ１２４と、第１の導電層５に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成して第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ１２５と、エッチングマスク除去後に第１の導電層５の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６があわさった導電層に配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ１２６と、必要に応じて露出した触媒粒子及びプライマーを除去する剥離除去工程Ｓ１２７と、からなる。
図３０は変形例５に係る高周波回路構造１Ａの製造方法の概略の手順の一例を示すフローチャート図、図３１は変形例５に係る高周波回路構造１Ａの製造過程を示す断面模式図である。
変形例５に係る高周波回路構造１Ａの製造方法は、絶縁層２にビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ１２１と、硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有するプライマー層２ｂをビアホール８の内壁８ａを含む絶縁層２に所定のパターンに形成するプライマー層形成工程Ｓ１２２と、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ１２３と、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ１２４と、第１の導電層５に配線パターンが形成されたエッチングマスクを形成して第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する電解めっき工程Ｓ１２５と、エッチングマスク除去後に第１の導電層５の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで第１の導電層５と第２の導電層６があわさった導電層に配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ１２６と、必要に応じて露出した触媒粒子及びプライマーを除去する剥離除去工程Ｓ１２７と、からなる。
【0146】
まず、レーザを用いて絶縁層２にビアホール８を開口するビアホール開口工程Ｓ１２１（図３１（ａ） 参照）、ビアホール８が開口された絶縁層２に、ベース樹脂、メラミン系架橋剤、光酸発生剤、溶剤等からなるプライマー塗布液を塗布して乾燥させ、プライマー層２ｂ表面に紫外線を露光した後、所定の加熱を行って、プライマー層２ｂ上に官能基を発現させるプライマー層形成工程Ｓ１２２（図３１（ｂ） 参照）、ビアホール８の内壁８ａ及び絶縁層２の表面に触媒粒子群３からなる触媒層を形成する触媒層形成工程Ｓ１２３（図３１（ｃ） 参照）、触媒層に無電解めっきで第１の導電層５を一体形成する無電解めっき工程Ｓ１２４（図３１（ｄ） 参照）を順次実施する。
【0147】
（電解めっき工程S１２５）
次に、第１の導電層５に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成して（図３１（ｅ） 参照）第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する（図３１（ｆ） 参照）。
次に、第１の導電層５に配線パターンが形成されたレジスト膜ＲＳを形成して（図３１（ｅ） 参照）第１の導電層５に電解めっきで第２の導電層６を一体形成する（図３１（ｆ） 参照）。
【0148】
（配線形成工程Ｓ１２６）
レジスト膜ＲＳを除去する（図３１（ｇ） 参照）。そして、露出した第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線パターンを形成する（図３１（ｈ） 参照）。
レジスト膜ＲＳを除去する（図３１（ｇ） 参照）。そして、露出した第１の導電層５を金属エッチングで酸化溶解させて第１の導電層５と第２の導電層６が合わさった状態の配線パターンを形成する（図３１（ｈ） 参照）。
【0149】
（剥離除去工程Ｓ１２７）
必要に応じてレーザ照射やプラズマ照射を行い露出した触媒粒子及びプライマーを除去する（図３１（ｉ） 参照）。
必要に応じてレーザ照射やプラズマ照射を行い露出した触媒粒子及びプライマーを除去する（図３１（ｉ） 参照）。
【符号の説明】
【0150】
１、１Ａ・・・高周波回路構造
２・・・絶縁層、２ａ・・・基材、２ｂ・・・プライマー層
３・・・触媒粒子群、４・・・境界領域
５・・・第１の導電層、６・・・第２の導電層、７・・・導体、８・・・ビアホール
ＲＳ・・・レジスト膜
２・・・絶縁層、２ａ・・・基材、２ｂ・・・プライマー層
３・・・触媒粒子群、４・・・境界領域
５・・・第１の導電層、６・・・第２の導電層、７・・・導体、８・・・ビアホール
ＲＳ・・・レジスト膜
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】