特開 2024-82345 縦型ウェハボート

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024082345

(43)【公開日】2024-06-20

(54)【発明の名称】縦型ウェハボート

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240613BHJP

   H01L 21/22 20060101ALI20240613BHJP

   H01L 21/324 20060101ALI20240613BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/22 511G

H01L21/324 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022196130

(22)【出願日】2022-12-08

(71)【出願人】

【識別番号】507182807

【氏名又は名称】クアーズテック合同会社

(74)【代理人】

【識別番号】100101878

【弁理士】

【氏名又は名称】木下 茂

(74)【代理人】

【識別番号】100187506

【弁理士】

【氏名又は名称】澤田 優子

(72)【発明者】

【氏名】鳥塚 祐太郎

【テーマコード（参考）】

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F131AA02

5F131BA02

5F131BA04

5F131BA22

5F131BA24

5F131CA09

5F131CA15

5F131CA18

5F131CA42

5F131DA33

5F131EA04

5F131EA17

5F131EB54

5F131EB55

5F131EB56

5F131EB57

5F131EB78

5F131EB79

5F131EB81

5F131EC02

5F131EC08

5F131EC12

5F131EC13

5F131EC17

5F131EC18

(57)【要約】

【課題】複数のウェハ支持部を備えた縦型ウェハボートにおいて、シリコンウェハを熱処理する際に、ウェハ周縁部における擦れ傷、及びパーティクルの発生を抑制し、歩留まり低下を抑制すること。
【解決手段】天板３と、前記天板に一端が固定され、他端が底板４に固定された複数の支柱２と、前記複数の支柱から径方向内側に突出するウェハ支持部２ａとを有する縦型ウェハボート１であって、前記ウェハ支持部は、ウェハ径方向に沿ってボート中心に向かって階段状に突出する形状により高低差のある少なくとも３つの領域２ａ１、２ａ２、２ａ３を有し、前記少なくとも３つの領域の算術平均粗さＲａが互いに異なる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

天板と、前記天板に一端が固定され、他端が底板に固定された複数の支柱と、前記複数の支柱から径方向内側に突出するウェハ支持部とを有する縦型ウェハボートであって、
前記ウェハ支持部は、ウェハ径方向に沿ってボート中心に向かって階段状に突出する形状により高低差のある、少なくとも３つの領域を有し、前記少なくとも３つの領域の算術平均粗さＲａが互いに異なることを特徴とする縦型ウェハボート。

【請求項2】

前記ウェハ支持部の先端に位置する領域の算術平均粗さＲａは、他の領域よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載された縦型ウェハボート。

【請求項3】

前記ウェハ支持部の先端に位置する領域に隣接する領域の算術平均粗さＲａは、他の領域よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載された縦型ウェハボート。

【請求項4】

前記ウェハ支持部の先端に位置する領域の算術平均粗さＲａは、０．４μｍ以下であって、
前記ウェハ支持部の先端に位置する領域に隣接する領域の算術平均粗さＲａは、少なくとも２μｍであることを特徴とする請求項３に記載された縦型ウェハボート。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、縦型ウェハボートに関し、特に半導体デバイスの製造に使用されるシリコンウェハを熱処理工程において保持する縦型ウェハボートに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体製造プロセスでは、シリコンウェハ（以下、ウェハとも呼ぶ）に対し酸化や拡散、ＣＶＤ等の熱処理が行われる。この熱処理時に使用されるウェハボートとしては、垂直に立設した複数（例えば４本）のボート支柱に対し、水平方向にウェハ支持部（ウェハ格納用溝）が延設された縦型ウェハボートが知られている。
そして、このウェハ支持部にウェハを搭載し、所定の熱処理を行うことで、高スループットを実現し、ウェハの量産化を図っている。

【0003】

従来の縦型ウェハボートにウェハを載置するとき、図４に示すようにウェハは縦型ウェハボート５０に立設された複数のボート支柱５１～５４の溝６０（爪）内に置かれて保持される。この溝６０はボートの支柱５１～５４の延在方向に対して直交方向に形成されている。
このような縦型ウェハボートに載置されたウェハは、種々の熱処理を施されるが、ウェハと支持部との接触部において、傷やスリップの発生の虞があるため、この可能性を低減するために、一般にウェハ支持部の表面粗さを小さくする加工がなされている。

【0004】

しかしながら、そのようにウェハ支持部の表面粗さを小さくする加工を行った場合、ウェハとウェハ支持部との摩擦力が小さいため、急速に加熱される熱処理初期段階において、図５に示すようにウェハＷの中央が下方に撓んでウェハ周縁部が上方に反る、或いはボートが変形することによって、ウェハボート５０に対しウェハＷが大きく動くことがあった。
そのようにウェハボート５０に対しウェハＷが大きく動くと、ウェハ周縁部に大きな擦れが生じ、ウェハＷにスリップやパーティクルが発生するという課題があった。

【0005】

このような課題に対し、特許文献１には、ボートに対しウェハが動いて擦れることを防止するために、ウェハ載地面における表面粗さを大きくした構成が開示されている。詳しく説明すると、特許文献１に開示されたボートにおいては、図６に示すようにウェハ支持部２０ａの上面が、非加熱処理状態のシリコンウェハＷが接触する第１の領域２０ａ１と、加熱処理状態のシリコンウェハＷが接触する第２の領域２０ａ２とを備え、前記第１の領域２０ａ１の表面粗さが、第２の領域２０ａ２の表面粗さよりも大きく形成されている。

【0006】

これにより、非加熱処理状態（熱処理初期段階）においては、ウェハ外周部が表面粗さの大きい第１の領域２０ａ１に当接して、シリコンウェハＷの移動が抑制される。
そして、加熱処理が進行すると、シリコンウェハＷが反ってウェハ最外周部が浮き、前記表面粗さの大きい第１の領域２０ａ１から離れる。このとき、ウェハ外周部は、平滑化された第２の領域２０ａ２により支持されることになり、スリップ及びパーティクルの発生を低減することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２０２０－２０５３８４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

しかしながら、特許文献１に開示された縦型ウェハボートにあっては、加熱処理によってウェハ中央が下方に撓み、ウェハ周縁部が徐々に上方に反ると、ウェハ周縁部とウェハ支持部（平滑化された第２の領域２０ａ２）との接触面積が減少していく。そのため、加熱処理が進むにつれ、シリコンウェハＷの固定能力が徐々に低下するという課題があった。
その結果、熱処理中にシリコンウェハＷがウェハ支持部２０ａに対して動きやすくなり、ウェハ支持部２０ａに対してシリコンウェハＷが動いた場合に、ウェハ周縁部とウェハ支持部２０ａとの間で擦れ傷が生じ、シリコンウェハＷにスリップが生じる、またパーティクルが発生する虞があるという技術的課題があった。

【0009】

本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、複数のウェハ支持部を備えた縦型ウェハボートにおいて、シリコンウェハを熱処理する際に、ウェハ周縁部における擦れ傷、及びパーティクルの発生を抑制し、歩留まり低下を抑制することのできる縦型ウェハボートを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

前記課題を解決するためになされた、本発明に係る縦型ウェハボートは、天板と、前記天板に一端が固定され、他端が底板に固定された複数の支柱と、前記複数の支柱から径方向内側に突出するウェハ支持部とを有する縦型ウェハボートであって、前記ウェハ支持部は、ウェハ径方向に沿ってボート中心に向かって階段状に突出する形状により高低差のある、少なくとも３つの領域を有し、前記少なくとも３つの領域の算術平均粗さＲａが互いに異なることに特徴を有する。

【0011】

尚、前記ウェハ支持部の先端に位置する領域の算術平均粗さＲａは、他の領域よりも小さいことが望ましい。
また、前記ウェハ支持部の先端に位置する領域に隣接する領域の算術平均粗さＲａは、他の領域よりも大きいことが望ましい。
また、前記ウェハ支持部の先端に位置する領域の算術平均粗さＲａは、０．４μｍ以下であって、前記ウェハ支持部の先端に位置する領域に隣接する領域の算術平均粗さＲａは、少なくとも２μｍであることが望ましい。

【0012】

このように本発明の縦型ウェハボートのウェハ支持部は、ウェハ径方向に沿ってボート中心に向かって階段状に突出する形状により高低差のある、少なくとも３つの領域を有し、それら少なくとも３つの領域の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが互いに異なるように形成されている。
これによりシリコンウェハに熱処理を施した際に、シリコンウェハが撓んでウェハ周縁部とウェハ支持部との接触面積が減少しても、接触面積に対応してウェハ支持部の表面粗さを変化させ、ボートに対するウェハの動きを抑制することができる。その結果、ウェハ周縁部における傷やスリップの発生を防ぎ、歩留まり低下を抑制することができる。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、複数のウェハ支持部を備えた縦型ウェハボートにおいて、シリコンウェハを熱処理する際に、ウェハ周縁部における擦れ傷、及びパーティクルの発生を抑制し、歩留まり低下を抑制することのできる縦型ウェハボートを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】図１は、本実施形態に係る縦型ウェハボートの全体を示す正面図である。

【図2】図２は、図１に示した縦型ウェハボートが有するウェハ支持部を拡大して示す斜視図である。

【図3】図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図１に示した縦型ウェハボートを用いた熱処理におけるウェハ保持状態の変化を示す側面図である。

【図4】図４は、従来の縦型ウェハボートの全体を模式的に示す正面図である。

【図5】図５は、従来の縦型ウェハボートにおけるシリコンウェハの載置例を示す側面図である。

【図6】図６は、従来の縦型ウェハボートのウェハ支持部を拡大して示す斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、本発明に係る縦型ウェハボートの実施形態について図面に基づき説明する。図１は、本実施形態に係る縦型ウェハボートの全体を示す正面図である。図２は、図１に示した縦型ウェハボートが有するウェハ支持部を拡大して示す斜視図である。

【0016】

図１に示すように、ウェハボート１（縦型ウェハボート）は、ウェハ挿入方向の始端側に配された２本の支柱２と、ウェハ挿入方向の終端側に配された１本の支柱２とを具備している。前記各支柱２の下端部は、円板形状の底板４に立設（固定）され、さらに各支柱２の上端部は、円板状の天板３によって支持（固定）されている。

【0017】

図１に示すように前記各支柱２には、それぞれ多数のシリコンウェハＷを支持するために複数の板状のウェハ支持部２ａが形成されている。各支柱２におけるウェハ支持部２ａは、縦方向に５０～１５０個、多段に形成されている。

【0018】

図２に示すようにウェハ支持部２ａは、ウェハ径方向に沿ってボート中心に向かって階段状に突出する形状を有しており、本実施の形態では、３段の階段状に形成されている。
具体的には、ウェハ支持部２ａは、ウェハ支持部２ａの先端に形成された第１の領域２ａ１と、前記第１の領域２ａ１よりも支柱２側であって、第１の領域２ａ１の隣に形成された第２の領域２ａ２と、最も支柱２側であって、第２の領域２ａ２の隣に形成された第３の領域２ａ３と、を有する。

【0019】

前記第１の領域２ａ１の表面の算術平均粗さＲａは、他の２つの領域よりも小さく、０．１μｍ以上０．４μｍ以下に形成されていることが望ましい。０．１μｍ以上０．４μｍ以下であることにより、シリコンウェハＷがボートに固着することなく、また、擦れによるシリコンウェハＷへの傷やスリップの発生を抑制することができる。

【0020】

また、前記第２の領域２ａ２の表面の算術平均粗さＲａは、他の２つの領域よりも大きく、２．０μｍ以上２．３μｍ以下に形成されていることが望ましい。２．０μｍ以上２．３μｍ以下であることにより、シリコンウェハＷが動き、擦れによりシリコンウェハＷに傷やスリップが発生することを抑制でき、また、シリコンウェハＷの撓み動作でシリコンウェハＷを傷つけることを防ぐことができる。

【0021】

さらに、前記第３の領域２ａ３の表面の算術平均粗さＲａは、前記第１の領域２ａ１の算術平均粗さＲａと第２の領域２ａ２の算術平均粗さＲａとの間、１．７μｍ以上２．０μｍ以下に形成されていることが望ましい。１．７μｍ以上２．０μｍ以下であることによりシリコンウェハＷが動き、擦れによりシリコンウェハＷに傷やスリップが発生することを抑制でき、また、シリコンウェハＷの撓み動作でシリコンウェハＷを傷つけることを防ぐことができる。

【0022】

即ち、前記ウェハ支持部２ａは、ウェハ径方向に沿ってボート中心に向かって階段状に突出する形状により高低差のある複数の領域（２ａ１、２ａ２、２ａ３）を有し、前記複数の領域の算術平均粗さＲａが互いに異なるように形成されている。
また、前記ウェハ支持部２ａの先端に位置する第１の領域２ａ１の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、他の領域２ａ２、２ａ３よりも小さく形成され、前記ウェハ支持部２ａの先端に位置する第１の領域２ａ１に隣接する第２の領域２ａ２の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、他の領域２ａ１、２ａ３よりも大きく形成されている。

【0023】

また、図２に示すようにウェハ支持部２ａにおいて、その下端から第１の領域２ａ１までの高さｈ１は、例えば３ｍｍに形成されている。また、第１の領域２ａ１から第２の領域２ａ２までの高さｈ２は、３０μｍ以上６０μｍ以下に形成されている。また、第２の領域２ａ２から第３の領域２ａ３までの高さｈ３は、３０μｍ以上６０μｍ以下に形成されている。

【0024】

また、第１の領域２ａ１の径方向長さＬ１は、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下に形成され、第２の領域２ａ２の径方向長さＬ２は、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下に形成され、第３の領域２ａ３の径方向長さＬ３は、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下に形成されている。

【0025】

また、図２に示すように上下に隣り合うウェハ支持部２ａのピッチｔ１は、例えば４ｍｍに形成され、各ウェハ支持部２ａの厚さｔ２（ｈ１＋ｈ２＋ｈ３）は、例えば３．５ｍｍに形成されている。
また、ウェハ支持部２ａの径方向長さｔ３（Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３）は、例えば４５ｍｍに形成されている。ウェハ支持部２ａの周方向幅（横幅）ｔ４は、例えば１５ｍｍに形成されている。

【0026】

尚、図２に示すように第１の領域２ａ１、第２の領域２ａ２、第３の領域２ａ３において、前端部及び左右両側端部は、シリコンウェハＷを載置する際の接触によりウェハＷへの傷つけ、パーティクルの発生等を防止するために、面取りされている。

【0027】

また、このウェハボート１は、ＳｉＣ質基材により形成されるが、基材内部から外方への不純物の拡散を抑制するために、その表面にＳｉＣ膜を被覆させることが望ましい。前記ＳｉＣ質基材としては、反応焼結ＳｉＣすなわちカーボン成分を含むＳｉＣ焼成体にＳｉを含浸し、前記カーボン成分とＳｉの一部とが反応し、ＳｉＣ化されたＳｉ－ＳｉＣであることが好ましい。或いは、ＳｉＣの成形体を高温で熱処理した再結晶質ＳｉＣ、焼結助剤を添加し焼結した自焼結ＳｉＣ等でもよい。また、前記ＳｉＣ膜としては、高純度で結晶質のＳｉＣ膜を形成することのできるＣＶＤによるＳｉＣ膜が好ましい。

【0028】

このようなウェハボート１は次のようにして製造することができる。
まず、ＳｉＣ質基材を支柱２、天板３、底板４を所定の形状に機械加工して製作する。ウェハ支持部２ａの形成においては、ウェハ径方向に沿ってボート中心に向かって階段状に突出する形状に加工する。具体的には、ウェハ支持部２ａは、ウェハ支持部２ａの先端に形成された第１の領域２ａ１と、前記第１の領域２ａ１よりも支柱２側であって、第１の領域２ａ１の隣に形成された第２の領域２ａ２と、最も支柱２側であって、第２の領域２ａ２の隣に形成された第３の領域２ａ３とを形成する。

【0029】

ここで、前記第１の領域２ａ１の表面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、他の２つの領域よりも小さく、０．１μｍ以上０．４μｍ以下に形成する。また、前記第２の領域２ａ２の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、他の２つの領域よりも大きく、２μｍ以上２．３μｍ以下に形成する。さらに、前記第３の領域２ａ３の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、前記第１の領域２ａ１の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａと第２の領域２ａ２の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａとの間、１．７μｍ以上２．０μｍ以下に形成する。

【0030】

また、各ウェハ支持部２ａの上面側の周縁部は面取り加工を施す。ここで、図２に示したようにＲ面取り加工を施すことが好ましいが、単に上面縁部の鋭角部を斜めにカットするようにしてもよい（Ｃ面取り加工を施してもよい）。

【0031】

その後、支柱２、天板３、底板４を組み立てる。このとき、ウェハ支持部２ａをボート中心側に向けて３本の支柱２を配置する。
上記組み立て後、ボート表面にＳｉＣ被覆膜をＣＶＤ法により形成し、本発明のウェハボート１が得られる。

【0032】

このように製造されたウェハボート１を用いて、シリコンウェハＷの熱処理を行う場合、図３（ａ）に示すように、支柱２の各段に形成されたウェハ支持部２ａの第３の領域２ａ３により複数のシリコンウェハＷの周縁部を保持する。

【0033】

次いで、複数のシリコンウェハＷを保持したウェハボート１を炉内に配置し、所定の熱処理を開始する。
ここで、熱処理初期段階（非加熱処理状態）においては、急速な熱処理の開始によりシリコンウェハＷが反ってボート１に対し移動しようとしても、ウェハ周縁部は、表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが１．７μｍ以上２．０μｍ以下と粗い第３の領域２ａ３により接触面積が大きい状態（摩擦力が大きい状態）で保持される。
即ち、シリコンウェハＷは、表面粗さＲａが粗い状態の第３の領域２ａ３により保持されるため、ウェハボート１に対して移動せず、ウェハ周縁部に傷が生じることがない。

【0034】

熱処理が進行すると、図３（ｂ）に示すように、シリコンウェハＷの中央が下方に撓んで周縁部が上方に反り、ウェハ周縁部は、表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが２．０μｍ以上２．３μｍ以下と大きい（とても粗い状態の）第２の領域２ａ２により保持される。
ここで、熱処理が進行するにつれ、シリコンウェハＷは中央が下方に撓み、ウェハ周縁部が徐々に上方に反るため、ウェハ支持部２ａに対してシリコンウェハＷの周縁部の接触面積が減少していく。しかしながら、ウェハ支持部２ａの第２の領域２ａ２の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａがより大きく（即ち、より粗く）形成されているため、シリコンウェハＷの固定能力が低下することがない。そのため、シリコンウェハＷはウェハボート１に対して動かず、ウェハ周縁部に擦れが生じることがない。

【0035】

熱処理が終了し、ウェハボート１によりシリコンウェハＷを長く保持する状態になると、図３（ｃ）に示すように、シリコンウェハＷはより中央が下方に大きく撓み、ウェハ周縁部は大きく上方に反った状態になる。このとき、シリコンウェハＷは、ウェハ支持部２ａの第１の領域２ａ１により、ウェハ周縁部との接触面積が小さい状態で保持される。熱処理は終了しているため、シリコンウェハＷの撓みや反りは進行せず、ウェハ支持部２ａの第１の領域２ａ１の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、０．１以上０．４μｍ以下と小さく滑らかなため、シリコンウェハＷは動かずにウェハ周縁部に傷が生じることがない。

【0036】

以上のように本発明に係る実施の形態によれば、シリコンウェハＷの周縁部を複数のウェハ支持部２ａで支持する構成であって、前記ウェハ支持部２ａは、ウェハ径方向に沿ってボート中心に向かって階段状に突出する形状により高低差のある複数の領域２ａ１、２ａ２、２ａ３を有し、それら複数の領域の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａが互いに異なるように形成されている。
これによりシリコンウェハＷに熱処理を施した際に、シリコンウェハＷを撓んでウェハ周縁部とウェハ支持部２ａとの接触面積が減少しても、接触面積に対応してウェハ支持部２ａの表面粗さを変化させ、ボートに対するウェハの動きを抑制することができる。その結果、ウェハ周縁部における傷やスリップの発生を防ぎ、歩留まり低下を抑制することができる。

【0037】

尚、前記実施の形態においては、各ウェハ支持部２ａを高低差の異なる３つの領域で構成したが、本発明にあっては、その構成に限定されるものではなく、例えば高低差の異なる４つ以上の領域で構成してもよい。
例えば４つの領域で構成される場合、先端に位置する第１の領域の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、他の３つの領域よりも小さく形成され、前記ウェハ支持部の先端に位置する第１の領域に隣接する第２の領域の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、他の領域よりも大きく形成され、前記ウェハ支持部の第２の領域に隣接する第３の領域の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、第２領域よりも小さく、その他の領域より大きく形成される。

【0038】

また、前記実施の形態においては、３本の支柱２に形成されたウェハ支持部２ａによりシリコンウェハＷを支持する構成としたが、本発明にあっては、その構成に限定されるものではない。
例えば、４本の支柱に形成されたウェハ支持部によりシリコンウェハＷを支持するようにしてもよい。

【0039】

また、前記実施の形態においては、ウェハボート１は、ＳｉＣ基材の表面にＳｉＣ膜を形成したものとしたが、本発明にあっては、その構成に限定されず、例えば、ＳｉＣ基材のみで形成されたものでもよい。

【実施例0040】

本発明に係る縦型ウェハボートについて、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態に示した縦型ウェハボートを製造し、得られた縦型ウェハボートを用いてウェハの熱処理を行うことによりその性能を検証する実験を行った。

【0041】

（実験１）
実験１では、縦型ウェハボートに直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ周縁部における傷の発生を観察した。

【0042】

（実施例１）
実施例１では、図１乃至図３に示したウェハボート１（直径３００ｍｍのシリコンウェハ用）を製造した。ウェハ支持部２ａの第１の領域２ａ１の算術平均粗さＲａは０．１μｍ、第２の領域２ａ２の算術平均粗さＲａは２．２μｍ、第３の領域２ａ３の算術平均粗さＲａは１．８μｍとした。
このウェハボート１に直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハＷを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ周縁部における傷の発生を観察した。

【0043】

（実施例２）
実施例２では、ウェハ支持部２ａの第１の領域２ａ１の算術平均粗さＲａは０．４μｍ、第２の領域２ａ２の算術平均粗さＲａは２．１μｍ、第３の領域２ａ３の算術平均粗さＲａは１．９μｍとした。
このウェハボート１に直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハＷを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ周縁部における傷の発生を観察した。

【0044】

（実施例３）
実施例３では、ウェハ支持部２ａの第１の領域２ａ１の算術平均粗さＲａは０．３μｍ、第２の領域２ａ２の算術平均粗さＲａは２．０μｍ、第３の領域２ａ３の算術平均粗さＲａは１．８μｍとした。
このウェハボート１に直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハＷを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ周縁部における傷の発生を観察した。

【0045】

（実施例４）
実施例４では、ウェハ支持部２ａの第１の領域２ａ１の算術平均粗さＲａは０．３μｍ、第２の領域２ａ２の算術平均粗さＲａは２．３μｍ、第３の領域２ａ３の算術平均粗さＲａは１．９μｍとした。
このウェハボート１に直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハＷを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ周縁部における傷の発生を観察した。

【0046】

（実施例５）
実施例５では、ウェハ支持部２ａの第１の領域２ａ１の算術平均粗さＲａは０．３μｍ、第２の領域２ａ２の算術平均粗さＲａは２．２μｍ、第３の領域２ａ３の算術平均粗さＲａは１．７μｍとした。
このウェハボート１に直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハＷを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ周縁部における傷の発生を観察した。

【0047】

（実施例６）
実施例６では、ウェハ支持部２ａの第１の領域２ａ１の算術平均粗さＲａは０．３μｍ、第２の領域２ａ２の算術平均粗さＲａは２．１μｍ、第３の領域２ａ３の算術平均粗さＲａは２．０μｍとした。
このウェハボート１に直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハＷを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ周縁部における傷の発生を観察した。

【0048】

（実施例７）
実施例７では、ウェハ支持部２ａの第１の領域２ａ１の算術平均粗さＲａは２．０μｍ、第２の領域２ａ２の算術平均粗さＲａは２．３μｍ、第３の領域２ａ３の算術平均粗さＲａは１．７μｍとした（先端の第１の領域２ａ１の算術平均粗さＲａが最小ではない）。
このウェハボート１に直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハＷを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ周縁部における傷の発生を観察した。

【0049】

（実施例８）
実施例８では、ウェハ支持部２ａの第１の領域２ａ１の算術平均粗さＲａは０．３μｍ、第２の領域２ａ２の算術平均粗さＲａは１．７μｍ、第３の領域２ａ３の算術平均粗さＲａは２．０μｍとした。
このウェハボート１に直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハＷを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ周縁部における傷の発生を観察した。

【0050】

（比較例１）
比較例１では、図１乃至図３に示したウェハボート１（直径３００ｍｍのシリコンウェハ用）を製造した。ウェハ支持部２ａの第１の領域２ａ１の算術平均粗さＲａは０．４μｍ、第２の領域２ａ２の算術平均粗さＲａは２．０μｍ、第３の領域２ａ３の算術平均粗さＲａは２．０μｍとした（第２、第３の領域２ａ２、２ａ３の算術平均粗さＲａが同じ）。
このウェハボート１に直径３００ｍｍの１枚のシリコンウェハＷを保持し、炉内温度７００℃にて２時間、４回の操業を連続して実施し、ウェハ周縁部における傷の発生を観察した。

【0051】

表１に実験１の結果を示す。尚、表１において、○は傷なし、△は傷が４箇所以下、×は傷が５箇所以上を示す。
表１に示すように実施例１乃至実施例６では、４回の操業のうち、いずれもウェハ周縁部下面の傷は確認されなかった。
実施例７では、３回目、４回目の操業において、４箇所以下の傷が確認された。即ち、先端の第１の領域２ａ１の算術平均粗さＲａが最小ではない場合、傷が生じる場合があることを確認した。
また、実施例８では、３回目、４回目の操業において、４箇所以下の傷が確認された。即ち、第１の領域２ａ１に隣接する領域の算術平均粗さＲａが最大ではない場合、傷が生じる場合があることを確認した。
一方、第２、第３の領域２ａ２、２ａ３の算術平均粗さＲａが同じである比較例１では、全ての操業において５個以上のウェハ周縁部下面の傷が確認された。

【0052】

【表1】

【0053】

本実施例の結果、ウェハ支持部の３つの領域の算術平均粗さＲａが互いに異なる場合に、ウェハ周縁部における傷の発生数を低減することができることを確認した。特に、ウェハ支持部の先端に位置する領域の算術平均粗さＲａが他の領域よりも小さい場合や、ウェハ支持部の先端に位置する領域に隣接する領域の算術平均粗さＲａが、他の領域の算術平均粗さＲａよりも大きい場合に、ウェハ周縁部における傷の発生を抑制することができることを確認した。

【符号の説明】

【0054】

１ ウェハボート（縦型ウェハボート）
２ 支柱
２ａ ウェハ支持部
２ａ１ 第１の領域
２ａ２ 第２の領域
２ａ３ 第３の領域
３ 天板
４ 底板
Ｗ シリコンウェハ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】