特開 2024-8277 配線回路基板およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024008277

(43)【公開日】2024-01-19

(54)【発明の名称】配線回路基板およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/60 20060101AFI20240112BHJP

   G11B 5/48 20060101ALI20240112BHJP

   G11B 21/21 20060101ALI20240112BHJP

   H05K 3/44 20060101ALI20240112BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20240112BHJP

【ＦＩ】

G11B5/60 P

G11B5/48 D

G11B21/21 D

G11B21/21 C

H05K3/44 Z

H05K1/02 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022110013

(22)【出願日】2022-07-07

(71)【出願人】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108523

【弁理士】

【氏名又は名称】中川 雅博

(74)【代理人】

【識別番号】100187931

【弁理士】

【氏名又は名称】澤村 英幸

(72)【発明者】

【氏名】山内 大輔

(72)【発明者】

【氏名】大薮 恭也

(72)【発明者】

【氏名】渡辺 りな

【テーマコード（参考）】

5E315

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E315AA03

5E315BB01

5E315BB02

5E315BB03

5E315BB04

5E315BB05

5E315BB14

5E315BB16

5E315CC01

5E315DD15

5E315DD29

5E315GG07

5E315GG22

5E338AA01

5E338AA16

5E338AA18

5E338BB80

5E338EE11

5E338EE21

(57)【要約】

【課題】高いフレキシブル性を有しかつインピーダンスの不連続性が低減された配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層３０は、第１および第２の主面Ｓ１，Ｓ２を有する。導体層４０は、第１の主面Ｓ１上に設けられる。金属薄膜２０は、第２の主面Ｓ２上に設けられ、絶縁層３０と反対の方向を向く第３の主面Ｓ３を有する。金属支持体１０は、金属薄膜２０とは異なる金属材料からなる。第１の主面Ｓ１には、第１および第２の領域Ａ１，Ａ２が定められ、導体層４０は、第１の主面Ｓ１のうち第１および第２の領域Ａ１，Ａ２を通るように延びる配線を構成する。第３の主面Ｓ３において、平面視で第１の主面Ｓ１の第１および第２の領域Ａ１，Ａ２に重なる第３および第４の領域Ａ３，Ａ４を定義した場合に、金属支持体１０は、第３の領域Ａ３を覆わないようにかつ第４の領域Ａ４を覆うように、第３の主面Ｓ３上に設けられる。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに反対の方向を向く第１の主面および第２の主面を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記第１の主面上に設けられる導体層と、
前記絶縁層の前記第２の主面上に設けられ、前記絶縁層と反対の方向を向く第３の主面を有する金属薄膜と、
前記金属薄膜の少なくとも一部の金属材料とは異なる金属材料からなる金属支持体とを備え、
前記絶縁層の前記第１の主面には、互いに異なる第１の領域および第２の領域が定められ、
前記導体層の少なくとも一部は、前記第１の主面のうち前記第１の領域および前記第２の領域を通るように延びる配線を構成し、
前記金属薄膜の前記第３の主面において、前記第１の主面に直交する交差方向に見て前記第１の主面の前記第１の領域および前記第２の領域にそれぞれ重なる第３の領域および第４の領域を定義した場合に、前記金属支持体は、前記第３の主面のうち前記第３の領域を覆わないようにかつ前記第４の領域を覆うように、前記第３の主面上に設けられる、配線回路基板。

【請求項2】

前記第１の主面において、前記第１の領域と前記第２の領域とは互いに隣り合う、請求項１記載の配線回路基板。

【請求項3】

前記金属薄膜は、前記交差方向に積層された第１の金属膜および第２の金属膜を含み、
前記第１の金属膜および前記第２の金属膜のうち少なくとも一方の金属材料は、前記金属支持体の金属材料とは異なる、請求項１または２記載の配線回路基板。

【請求項4】

前記金属薄膜は、めっき層を含む、請求項１または２記載の配線回路基板。

【請求項5】

前記金属薄膜の厚みは、前記金属支持体の厚みよりも小さい、請求項１または２記載の配線回路基板。

【請求項6】

前記金属薄膜の厚みは、２０ｎｍ以上５μｍ以下である、請求項１または２記載の配線回路基板。

【請求項7】

金属支持体を用意するステップと、
前記金属支持体上に前記金属支持体とは異なる金属材料からなる金属薄膜を形成するステップと、
互いに反対の方向を向く第１の主面および第２の主面を有する絶縁層を、前記第２の主面が前記金属薄膜に接するように前記金属薄膜上に形成するステップと、
前記絶縁層の前記第１の主面上に導体層を形成するステップと、
前記金属薄膜を形成するステップの後、前記金属支持体の一部を除去するステップとを含み、
前記絶縁層の前記第１の主面には、互いに異なる第１の領域および第２の領域が定められ、
前記導体層を形成するステップは、当該導体層の少なくとも一部により、前記第１の主面のうち前記第１の領域および前記第２の領域を通るように延びる配線を形成することを含み、
前記金属薄膜は、前記絶縁層と反対の方向を向くとともに前記金属支持体に接する第３の主面を有し、
前記金属薄膜の前記第３の主面において、前記第１の主面に直交する交差方向に見て前記第１の主面の前記第１の領域および前記第２の領域にそれぞれ重なる第３の領域および第４の領域を定義した場合に、前記金属支持体の一部を除去するステップは、当該金属支持体が前記第３の主面のうち前記第３の領域を覆わないようにかつ前記第４の領域を覆うように、前記第３の主面の前記第３の領域に位置する前記金属支持体の部分を除去することを含む、配線回路基板の製造方法。

【請求項8】

前記金属薄膜を形成するステップは、
前記金属薄膜の少なくとも一部をスパッタリングにより形成することを含む、請求項７記載の配線回路基板の製造方法。

【請求項9】

前記金属薄膜を形成するステップは、
前記金属薄膜の少なくとも一部をめっきにより形成することを含む、請求項７または８記載の配線回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

配線回路基板の一例として、例えば金属支持基板上に絶縁層が形成されるとともに、その絶縁層上に配線としての導体層が形成された回路付きサスペンション基板がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１２－２４３３８２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

近年、配線回路基板の用途の拡大が進んでいる。配線回路基板の用途によっては、配線回路基板に対してより高いフレキシブル性が求められる場合がある。上記の回路付きサスペンション基板においては、金属支持基板が絶縁層および導体層に比べて比較的高い剛性を有する。そこで、回路付きサスペンション基板の上記の基本構成から、金属支持基板の一部を除去することにより、高いフレキシブル性を有する配線回路基板が実現されると考えられる。

【0005】

上記の回路付きサスペンション基板のうち絶縁層を挟んで導体層と金属支持基板とが対向する部分においては、金属支持基板は、導体層（配線）のインピーダンスを低減させる。そのため、金属支持基板の一部が除去されると、導体層のインピーダンスを低減することができない。この場合、導体層（配線）のインピーダンスが所望の値からずれることにより、導体層とその導体層に接続される電子部品との間でインピーダンス不整合が生じる可能性がある。

【0006】

特許文献１には、開口領域を有するステンレス製の金属支持基板上に絶縁層および配線がこの順で積層されたサスペンション用フレキシャー基板（配線回路基板）の一例が記載されている。以下の説明では、特許文献１のサスペンション用フレキシャー基板について、金属支持基板、絶縁層および配線が積層される方向を、基板積層方向と呼ぶ。

【0007】

そのサスペンション用フレキシャー基板においては、金属支持基板の開口領域が、基板積層方向で配線の一部分に重なる。また、そのサスペンション用フレキシャー基板においては、配線のインピーダンスを低減させるために、金属支持基板の開口領域に、金属支持基板よりも導電率の高い導体膜が形成されている。その導体膜は、基板積層方向で配線の一部分に重なる。

【0008】

この構成によれば、基板積層方向において、配線の複数の部分が金属支持基板または導体膜に重なる。それにより、配線のインピーダンスが低減される。しかしながら、特許文献１のサスペンション用フレキシャー基板においては、金属支持基板と導体膜とは、少なくとも導電性（導電率）が互いに異なる材料で構成される。

【0009】

上記の配線の複数の部分についてインピーダンスを低減可能な度合いは、基板積層方向において配線の複数の部分の各々に絶縁層を挟んで対向する部材（上記の例では、導体膜および金属支持基板）の導電率に応じて異なる。そのため、基板積層方向において導体膜に重なる配線の一部分と、基板積層方向において金属支持基板に重なる配線の他の部分との間では、低減可能なインピーダンスの程度に差が生じる。配線におけるインピーダンスの不連続性は、当該配線の電気的特性を低下させる。

【0010】

本発明の目的は、高いフレキシブル性を有しかつインピーダンスの不連続性が低減された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0011】

（１）本発明の一局面に従う配線回路基板は、互いに反対の方向を向く第１の主面および第２の主面を有する絶縁層と、絶縁層の第１の主面上に設けられる導体層と、絶縁層の第２の主面上に設けられ、絶縁層と反対の方向を向く第３の主面を有する金属薄膜と、金属薄膜の少なくとも一部の金属材料とは異なる金属材料からなる金属支持体とを備え、絶縁層の第１の主面には、互いに異なる第１の領域および第２の領域が定められ、導体層の少なくとも一部は、第１の主面のうち第１の領域および第２の領域を通るように延びる配線を構成し、金属薄膜の第３の主面において、第１の主面に直交する交差方向に見て第１の主面の第１の領域および第２の領域にそれぞれ重なる第３の領域および第４の領域を定義した場合に、金属支持体は、第３の主面のうち第３の領域を覆わないようにかつ第４の領域を覆うように、第３の主面上に設けられる。

【0012】

その配線回路基板において、交差方向に見て第１の主面の第１の領域および第３の主面の第３の領域に重なる配線回路基板の一部分を第１の基板部と呼ぶ。また、交差方向に見て第１の主面の第２の領域および第３の主面の第４の領域に重なる配線回路基板の他の部分を第２の基板部と呼ぶ。

【0013】

この場合、第１の基板部は、導体層の一部分、絶縁層の一部分、および金属薄膜の一部分を含み、金属支持体を含まない。一方、第２の基板部は、導体層の他の部分、絶縁層の他の部分、金属薄膜の他の部分および金属支持体を含む。

【0014】

上記のように、第１の基板部は金属支持体を含まない。それにより、第１の基板部においては、第２の基板部に比べて高いフレキシブル性が確保される。一方、第２の基板部は、金属支持体を含む。それにより、第２の基板部においては、第１の基板部を他の部材に支持するため、あるいは他の部材を搭載するために必要な一定の機械的強度が確保される。

【0015】

また、上記の配線回路基板においては、第１の主面の第１の領域に形成される配線の一部分および第１の主面の第２の領域に形成される配線の他の部分の各々に、絶縁層を挟んで金属薄膜が対向する。それにより、導体層の一部分のインピーダンスと導体層の他の部分のインピーダンスとが、共通の金属薄膜により調整される。したがって、導体層の複数の部分でインピーダンスが不均一に調整されることが低減される。

【0016】

これらの結果、高いフレキシブル性を有しかつインピーダンスの不連続性が低減された配線回路基板が実現される。

【0017】

（２）第１の主面において、第１の領域と第２の領域とは互いに隣り合ってもよい。この場合、第１の基板部と第２の基板部とが連続して並ぶので、第１の基板部が第２の基板部により適切に支持される。

【0018】

（３）金属薄膜は、交差方向に積層された第１の金属膜および第２の金属膜を含み、第１の金属膜および第２の金属膜のうち少なくとも一方の金属材料は、金属支持体の金属材料とは異なってもよい。

【0019】

この場合、金属薄膜として、第１の金属膜および第２の金属膜が用いられる。したがって、第１の金属膜および第２の金属膜に用いる金属材料等を適宜決定することにより、導体層のインピーダンスを低減するためにより適切な金属薄膜を形成することができる。あるいは、絶縁層に対する金属薄膜および金属支持体の密着性を向上させるためにより適切な金属薄膜を形成することができる。

【0020】

（４）金属薄膜は、めっき層を含んでもよい。導体層のインピーダンスの低減の程度は、金属薄膜の厚みによって異なる。上記の構成によれば、金属薄膜の少なくとも一部がめっき層を含む。めっき層を形成する場合には、処理時間等のめっきの処理条件を適宜調整することにより、形成されるめっき層の厚みを比較的容易に調整することができる。したがって、導体層のインピーダンスを低減するためにより適切な厚みを有する金属薄膜の形成が可能になる。

【0021】

（５）金属薄膜の厚みは、金属支持体の厚みよりも小さくてもよい。この場合、第１の基板部において、より高いフレキシブル性が確保される。

【0022】

（６）金属薄膜の厚みは、２０ｎｍ以上５μｍ以下であってもよい。この場合、第１の基板部および第２の基板部に形成された導体層のインピーダンスがより適切に調整される。

【0023】

（７）本発明の他の局面に従う配線回路基板の製造方法は、金属支持体を用意するステップと、金属支持体上に金属支持体とは異なる金属材料からなる金属薄膜を形成するステップと、互いに反対の方向を向く第１の主面および第２の主面を有する絶縁層を、第２の主面が金属薄膜に接するように金属薄膜上に形成するステップと、絶縁層の第１の主面上に導体層を形成するステップと、金属薄膜を形成するステップの後、金属支持体の一部を除去するステップとを含み、絶縁層の第１の主面には、互いに異なる第１の領域および第２の領域が定められ、導体層を形成するステップは、当該導体層の少なくとも一部により、第１の主面のうち第１の領域および第２の領域を通るように延びる配線を形成することを含み、金属薄膜は、絶縁層と反対の方向を向くとともに金属支持体に接する第３の主面を有し、金属薄膜の第３の主面において、第１の主面に直交する交差方向に見て第１の主面の第１の領域および第２の領域にそれぞれ重なる第３の領域および第４の領域を定義した場合に、金属支持体の一部を除去するステップは、当該金属支持体が第３の主面のうち第３の領域を覆わないようにかつ第４の領域を覆うように、第３の主面の第３の領域に位置する金属支持体の部分を除去することを含む。

【0024】

上記の製造方法により作製される配線回路基板において、交差方向に見て第１の主面の第１の領域および第３の主面の第３の領域に重なる配線回路基板の一部分を第１の基板部と呼ぶ。また、交差方向に見て第１の主面の第２の領域および第３の主面の第４の領域に重なる配線回路基板の他の部分を第２の基板部と呼ぶ。

【0025】

この場合、第１の基板部は、導体層の一部分、絶縁層の一部分、および金属薄膜の一部分を含み、金属支持体を含まない。一方、第２の基板部は、導体層の他の部分、絶縁層の他の部分、金属薄膜の他の部分および金属支持体を含む。

【0026】

上記のように、第１の基板部は金属支持体を含まない。それにより、第１の基板部においては、第２の基板部に比べて高いフレキシブル性が確保される。一方、第２の基板部は、金属支持体を含む。それにより、第２の基板部においては、第１の基板部を他の部材に支持するため、あるいは他の部材を搭載するために必要な一定の機械的強度が確保される。

【0027】

また、上記の配線回路基板においては、第１の主面の第１の領域に形成される配線の一部分および第１の主面の第２の領域に形成される配線の他の部分の各々に、絶縁層を挟んで金属薄膜が対向する。それにより、導体層の一部分のインピーダンスと導体層の他の部分のインピーダンスとが、共通の金属薄膜により調整される。したがって、導体層の複数の部分でインピーダンスが不均一に調整されることが低減される。

【0028】

これらの結果、高いフレキシブル性を有しかつインピーダンスの不連続性が低減された配線回路基板が実現される。

【0029】

（８）金属薄膜を形成するステップは、金属薄膜の少なくとも一部をスパッタリングにより形成することを含んでもよい。

【0030】

この場合、金属薄膜を容易に形成することができる。また、スパッタリングにより形成されるスパッタ膜の厚みは、配線回路基板のフレキシブル性が損なわれない程度に十分に小さくすることができる。したがって、第１の基板部においてより高いフレキシブル性を得ることができる。

【0031】

（９）金属薄膜を形成するステップは、金属薄膜の少なくとも一部をめっきにより形成することを含んでもよい。

【0032】

この場合、めっきにより形成されるめっき層の厚みは、比較的容易に調整することができる。したがって、導体層のインピーダンスを低減するためにより適切な厚みを有する金属薄膜を形成することができる。

【発明の効果】

【0033】

本発明によれば、高いフレキシブル性を有しかつインピーダンスの不連続性が低減された配線回路基板が実現される。

【図面の簡単な説明】

【0034】

【図1】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の上面図である。

【図2】図１の配線回路基板の下面図である。

【図3】図１の配線回路基板の複数の部分を切断した模式的断面図である。

【図4】図１の配線回路基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。

【図5】図１の配線回路基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。

【図6】図１の配線回路基板の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。

【図7】第１の変形例に係る金属薄膜を備える配線回路基板の複数の部分を切断した模式的断面図である。

【図8】第２の変形例に係る金属薄膜を備える配線回路基板の複数の部分を切断した模式的断面図である。

【図9】他の実施の形態に係る配線回路基板の上面図である。

【図10】図９の配線回路基板の複数の部分を切断した模式的断面図である。

【図11】さらに他の実施の形態に係る配線回路基板の上面図である。

【図12】図１１の配線回路基板の複数の部分を切断した模式的断面図である。

【図13】さらに他の実施の形態に係る配線回路基板の複数の部分を切断した模式的断面図である。

【図14】比較例１，２および実施例１～３の配線回路基板の導体層のインピーダンスの測定結果を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0035】

以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しつつ説明する。

【0036】

１．配線回路基板の基本構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の上面図である。図２は、図１の配線回路基板１の下面図である。図３は、図１の配線回路基板１の複数の部分を切断した模式的断面図である。図３では、図１のＡ－Ａ線断面図、Ｂ－Ｂ線断面図およびＣ－Ｃ線断面図がこの順で、上部、中央部および下部に並ぶように示される。ここで、配線回路基板１の構成が理解しやすいように、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。図１以降の各図では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が適宜矢印で示される。本実施の形態では、Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当するものとする。

【0037】

本実施の形態に係る配線回路基板１は、図１および図２に示すように、平面視で一方向（Ｘ方向）に延びる矩形状を有する。また、その配線回路基板１は、図３に示すように、主として金属支持体１０、金属薄膜２０、絶縁層３０および導体層４０がこの順でＺ方向に積層された構成を有する。

【0038】

絶縁層３０は、例えば、感光性ポリイミドにより形成される。絶縁層３０の厚み（Ｚ方向の長さ）は、例えば１μｍ以上３０μｍ以下である。なお、絶縁層３０は、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂またはポリ塩化ビニル樹脂等の他の合成樹脂により形成されてもよい。

【0039】

また、絶縁層３０は、互いに反対の方向を向く２つの主面（上面および下面）を有する。以下の説明では、絶縁層３０の一方の主面（上面）を第１の主面Ｓ１と呼び、絶縁層３０の他方の主面（下面）を第２の主面Ｓ２と呼ぶ。

【0040】

図１に二点鎖線で示すように、本例の絶縁層３０においては、第１の主面Ｓ１に、矩形状を有する第１の領域Ａ１および矩形状を有する２つの第２の領域Ａ２が設定されている。第１の領域Ａ１は配線回路基板１の長手方向（Ｘ方向）における配線回路基板１の中央部に位置する。２つの第２の領域Ａ２は、配線回路基板１の長手方向（Ｘ方向）における配線回路基板１の両端部およびその近傍部分に位置する。それにより、Ｘ方向において一方の第２の領域Ａ２と第１の領域Ａ１とが互いに隣り合い、他方の第２の領域Ａ２と第１の領域Ａ１とが互いに隣り合う。

【0041】

絶縁層３０の第１の主面Ｓ１上には、２つの導体層４０が設けられている。各導体層４０は、主として銅からなり、絶縁層３０の第１の主面Ｓ１上で、電解めっきにより形成されている。また、各導体層４０は、配線部４１および２つの端子部４２を有する。２つの端子部４２は、配線回路基板１の両端部近傍の位置で２つの第２の領域Ａ２内にそれぞれ配置されている。各端子部４２は、配線回路基板１の導体層４０に他の電子部品等を接続するために用いられる。配線部４１は、一方の第２の領域Ａ２、第１の領域Ａ１および他方の第２の領域Ａ２を通って２つの端子部４２をつなぐように連続して延びている。導体層４０の厚み（Ｚ方向の長さ）は、例えば０．２５μｍ以上５０μｍ以下である。導体層４０の配線部４１の幅（Ｙ方向の長さ）は、例えば０．２５μｍ以上３００μｍ以下である。

【0042】

絶縁層３０の第２の主面Ｓ２上に、第２の主面Ｓ２の全体に渡って金属薄膜２０が設けられている。金属薄膜２０は、例えば銅、クロム、ニッケル、チタン、鉄、モリブデンおよびタングステンのうち１種または複数種の元素を含む金属または合金により形成される。本例の金属薄膜２０は、銅またはクロムからなる単一の層で構成される。金属薄膜２０の厚み（Ｚ方向の長さ）は、後述する金属支持体１０の厚み（Ｚ方向の長さ）よりも小さく、例えば２０ｎｍ以上５μｍ以下であり、２０ｎｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。

【0043】

金属薄膜２０は、絶縁層３０と同様に、互いに反対の方向を向く２つの主面（上面および下面）を有する。以下の説明では、金属薄膜２０のうち絶縁層３０と反対の方向を向く主面（下面）を第３の主面Ｓ３と呼ぶ。

【0044】

金属薄膜２０の第３の主面Ｓ３には、絶縁層３０の第１の主面Ｓ１の第１の領域Ａ１および第２の領域Ａ２にそれぞれ対応する第３の領域Ａ３および第４の領域Ａ４がそれぞれ設定されている。具体的には、第３の主面Ｓ３の第３の領域Ａ３は、Ｚ方向に見る平面視で、第１の主面Ｓ１の第１の領域Ａ１に重なる領域である。また、第３の主面Ｓ３の第４の領域Ａ４は、Ｚ方向に見る平面視で、第１の主面Ｓ１の第２の領域Ａ２に重なる領域である。

【0045】

金属薄膜２０の第３の主面Ｓ３上で、第３の領域Ａ３を覆わないようにかつ第４の領域Ａ４を覆うように金属支持体１０が設けられている。金属支持体１０は、金属薄膜２０とは異なる金属材料からなり、例えば銅、クロム、ニッケル、チタン、鉄、モリブデンおよびアルミニウムからなる群より選択された１種もしくは複数種の元素を含む金属または合金により形成される。ここで、金属支持体１０の金属材料と金属薄膜２０の金属材料とが異なるとは、それらの２つの金属材料の間で、導電率および比透磁率のうち少なくとも一方が、実質同一とみなすことができない程度に異なることを意味する。本実施の形態では、金属支持体１０は、ステンレス鋼により形成される。金属支持体１０の厚み（Ｚ方向の長さ）は、例えば１０μｍ以上２５０μｍ以下である。

【0046】

２．配線回路基板１の製造方法
図４～図６は、図１の配線回路基板１の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図４～図６の各々では、図３の例と同様に、図１のＡ－Ａ線、Ｂ－Ｂ線およびＣ－Ｃ線にそれぞれ対応する３つの断面図（対応断面図）が、この順で、上部、中央部および下部に並ぶように示される。

【0047】

まず、図４に示すように、金属支持体１０の上面上に、金属薄膜２０が形成される。金属薄膜２０の形成には、スパッタリング、電解めっき、無電解めっき、化学気相成長法または物理気相成長法等の成膜技術が用いられる。上記のように、本例の金属薄膜２０は、銅またはクロムからなる。金属薄膜２０のうち金属支持体１０に接する下面が上記の第３の主面Ｓ３である。

【0048】

次に、図５に示すように、金属薄膜２０の上面上に、感光性ポリイミドからなる絶縁層３０が形成される。絶縁層３０は、金属薄膜２０の上面全体に感光性ポリイミドの前駆体を塗布し、その前駆体が露光および現像されることにより形成される。また、形成された絶縁層３０には、加熱による硬化処理が施される。絶縁層３０のうち上方に露出する上面が上記の第１の主面Ｓ１であり、絶縁層３０のうち金属薄膜２０に接する下面が、上記の第２の主面Ｓ２である。上記のように、第１の主面Ｓ１には第１の領域Ａ１および第２の領域Ａ２が設定され、第３の主面Ｓ３には第３の領域Ａ３および第４の領域Ａ４が設定される。

【0049】

次に、図６に示すように、絶縁層３０の第１の主面Ｓ１上に１または複数（本例では２つ）の導体層４０が形成される。導体層４０の形成は、具体的には、次のように行われる。

【0050】

まず、絶縁層３０の第１の主面Ｓ１上に、スパッタリングまたは無電解めっきにより、例えばクロム薄膜および銅薄膜からなるシード層が形成される。次に、シード層上に所定パターン（図１の２つの導体層４０と逆のパターン）のめっきレジストが形成される。次に、めっきレジストの開口部を通して露出するシード層上に、電解めっきにより銅からなるめっき層が形成される。

【0051】

その後、めっきレジストが剥離され、露出するシード層の部分（めっき層が形成されていない部分）がエッチングにより除去される。これにより、シード層およびめっき層からなる導体層４０が形成される。図１、図６および後述する図８、図１０、図１２および図１３では、導体層４０を構成するシード層およびめっき層の各々の図示は省略されている。

【0052】

なお、露出する導体層４０の外表面には、銅の拡散を抑制するためのバリア層が形成されてもよい。バリア層として、例えばニッケル薄膜を用いることができる。ニッケル薄膜は、例えばスパッタリングまたは無電解めっきにより形成することができる。また、絶縁層３０の第１の主面Ｓ１上には、複数の配線部４１を覆いかつ複数の端子部４２を覆わないように、複数の配線部４１を保護するための保護膜が形成されてもよい。保護膜の材料として、例えば感光性ポリイミドを用いることができる。感光性ポリイミドからなる保護膜は、絶縁層３０と同様の方法で形成することができる。

【0053】

最後に、金属支持体１０のうち第３の主面Ｓ３の第３の領域Ａ３上に位置する部分が、例えばウェットエッチングにより除去される。このとき、使用されるエッチング液は、金属薄膜２０に比べて高いエッチングレートで金属支持体１０を溶解可能なエッチング液である。これにより、金属薄膜２０の第３の領域Ａ３が下方に露出し、図１～図３の配線回路基板１が完成する。

【0054】

上記の一連の処理は、ロール・ツー・ロール方式により行われてもよい。この場合、例えば、ステンレス鋼からなる長尺状の金属板が巻回されたロール（以下、繰り出しロールと呼ぶ。）が用意される。用意された繰り出しロールから金属板が繰り出される。繰り出しロールから繰り出された金属板は、他のロールに巻き取られる。繰り出しロールから他のロールに移動する金属板の各部について、上記の一連の処理を行うことにより、多数の配線回路基板１を効率よく製造することが可能になる。

【0055】

３．効果
（１）上記の配線回路基板１において、Ｚ方向に見る平面視で、第１の主面Ｓ１の第１の領域Ａ１および第３の主面Ｓ３の第３の領域Ａ３に重なる配線回路基板１の一部分を第１の基板部と呼ぶ。また、上記の配線回路基板１において、Ｚ方向に見る平面視で、第１の主面Ｓ１の第２の領域Ａ２および第３の主面Ｓ３の第４の領域Ａ４に重なる配線回路基板１の他の部分を第２の基板部と呼ぶ。

【0056】

この場合、第１の基板部は、導体層４０の一部分、絶縁層３０の一部分、および金属薄膜２０の一部分を含み、金属支持体１０を含まない。一方、第２の基板部は、導体層４０の他の部分、絶縁層３０の他の部分、金属薄膜２０の他の部分および金属支持体１０を含む。

【0057】

このように、第１の基板部は金属支持体１０を含まない。それにより、第１の基板部においては、第２の基板部に比べて高いフレキシブル性が確保される。一方、第２の基板部は、金属支持体１０を含む。それにより、第２の基板部においては、第１の基板部を他の部材に支持するため、あるいは他の部材を搭載するために必要な一定の機械的強度が確保される。

【0058】

また、上記の配線回路基板１においては、第１の主面Ｓ１の第１の領域Ａ１に形成される配線部４１の一部および第１の主面Ｓ１の第２の領域Ａ２に形成される配線部４１の他の部分の各々に、絶縁層３０を挟んで金属薄膜２０が対向する。それにより、配線部４１の一部分のインピーダンスと配線部４１の他の部分のインピーダンスとが、共通の金属薄膜２０により調整される。したがって、配線部４１の複数の部分でインピーダンスが不均一に調整されることが低減される。

【0059】

これらの結果、高いフレキシブル性を有しかつインピーダンスの不連続性が低減された配線回路基板１が実現される。

【0060】

（２）絶縁層３０の第１の主面Ｓ１においては、第１の領域Ａ１が２つの第２の領域Ａ２の各々に隣り合う。これにより、第１の基板部と第２の基板部とが配線回路基板１の長手方向（Ｘ方向）に連続して並ぶので、第１の基板部が第２の基板部により適切に支持される。

【0061】

（３）金属薄膜２０の厚みは、金属支持体１０の厚みよりも小さく、２０ｎｍ以上５μｍ以下である。この場合、第１の基板部において、より高いフレキシブル性が確保される。また、第１の基板部および第２の基板部に形成された導体層４０の配線部４１のインピーダンスがより適切に調整される。

【0062】

４．金属薄膜２０の変形例
（１）第１の変形例
配線回路基板１に設けられる金属薄膜２０は、複数の層で構成されてもよい。図７は、第１の変形例に係る金属薄膜２０を備える配線回路基板１の複数の部分を切断した模式的断面図である。図７では、図３の例と同様に、図１のＡ－Ａ線、Ｂ－Ｂ線およびＣ－Ｃ線にそれぞれ対応する３つの断面図が、この順で、上部、中央部および下部に並ぶように示される。

【0063】

図７に示すように、第１の変形例に係る金属薄膜２０は、第１の薄膜層２０ａおよび第２の薄膜層２０ｂから構成される。第１の薄膜層２０ａおよび第２の薄膜層２０ｂの各々の形成には、スパッタリング、電解めっき、無電解めっき、化学気相成長法または物理気相成長法等の成膜技術が用いられる。

【0064】

第１の薄膜層２０ａおよび第２の薄膜層２０ｂは、金属支持体１０の上面上で、スパッタリングによりそれぞれ形成されたクロム薄膜および銅薄膜であってもよい。または、第１の薄膜層２０ａおよび第２の薄膜層２０ｂは、金属支持体１０の上面上で、スパッタリングによりそれぞれ形成された銅薄膜およびクロム薄膜であってもよい。

【0065】

あるいは、第１の薄膜層２０ａおよび第２の薄膜層２０ｂのうち一方は、電解めっきにより形成されてもよい。例えば、配線回路基板１の作製時には、上記の図４に示される工程において、金属支持体１０の上面上で、電解めっきにより銅からなる第１の薄膜層２０ａが形成されてもよい。さらに、第１の薄膜層２０ａを覆うように、第１の薄膜層２０ａ上にクロム薄膜からなる第２の薄膜層２０ｂが形成されてもよい。

【0066】

後述するように、配線部４１のインピーダンスの低減の程度は、金属薄膜２０の厚みによって異なる。電解めっきは、処理時間等の処理条件を適宜調整することにより、形成されるめっき層の厚みを比較的容易に調整することができる。したがって、上記のように、第１の薄膜層２０ａおよび第２の薄膜層２０ｂのうち一方を電解めっきにより形成する場合、配線部４１のインピーダンスを低減するためにより適切な厚みを有する金属薄膜２０の形成が可能になる。

【0067】

また、上記のように、金属薄膜２０の上面がクロム薄膜からなる第２の薄膜層２０ｂで構成される場合には、当該第２の薄膜層２０ｂ上にさらに絶縁層３０が形成されることにより、第１の薄膜層２０ａと絶縁層３０との間の密着性が向上する。なお、第１の薄膜層２０ａが銅薄膜で構成される場合、第２の薄膜層２０ｂは、クロム薄膜に代えて、スパッタリングにより形成されるニッケル薄膜、チタン薄膜、モリブデン薄膜またはタングステン薄膜のいずれかであってもよい。この場合においても、第１の薄膜層２０ａと絶縁層３０との間の密着性が向上する。

【0068】

（２）第２の変形例
図８は、第２の変形例に係る金属薄膜２０を備える配線回路基板１の複数の部分を切断した模式的断面図である。図８では、図３の例と同様に、図１のＡ－Ａ線、Ｂ－Ｂ線およびＣ－Ｃ線にそれぞれ対応する３つの断面図が、この順で、上部、中央部および下部に並ぶように示される。

【0069】

図８に示すように、第２の変形例に係る金属薄膜２０は、第１の薄膜層２０ａ、第２の薄膜層２０ｂおよび第３の薄膜層２０ｃから構成される。第１の薄膜層２０ａ、第２の薄膜層２０ｂおよび第３の薄膜層２０ｃの各々の形成には、スパッタリング、電解めっき、無電解めっき、化学気相成長法または物理気相成長法等の成膜技術が用いられる。第１の薄膜層２０ａ、第２の薄膜層２０ｂおよび第３の薄膜層２０ｃの各々は、銅薄膜、クロム薄膜、ニッケル薄膜、チタン薄膜、モリブデン薄膜またはタングステン薄膜等の金属薄膜で構成される。

【0070】

第１の薄膜層２０ａおよび第２の薄膜層２０ｂは、金属支持体１０の上面上で、スパッタリングによりそれぞれ形成されたクロム薄膜および銅薄膜であってもよい。この場合、第３の薄膜層２０ｃは、第２の薄膜層２０ｂの銅薄膜上で、電解めっきにより形成された銅のめっき層であってもよい。

【0071】

または、第１の薄膜層２０ａは、金属支持体１０の上面上で、電解めっきにより形成された銅のめっき層であってもよい。この場合、第２の薄膜層２０ｂおよび第３の薄膜層２０ｃは、第１の薄膜層２０ａのめっき層上で、スパッタリングによりそれぞれ形成された銅薄膜およびクロム薄膜であってもよい。

【0072】

あるいは、第１の薄膜層２０ａは、金属支持体１０の上面上で、スパッタリングにより形成された銅薄膜であってもよい。この場合、第２の薄膜層２０ｂは、金属支持体１０の上面上で、電解めっきにより形成された銅のめっき層であってもよい。また、第３の薄膜層２０ｃは、第２の薄膜層２０ｂのめっき層上で、スパッタリングにより形成されたクロム薄膜であってもよい。

【0073】

５．他の実施の形態
（１）上記実施の形態に係る絶縁層３０の第１の主面Ｓ１には、２つの第２の領域Ａ２のうち一方の第２の領域Ａ２、第１の領域Ａ１および２つの第２の領域Ａ２のうち他方の第２の領域Ａ２がこの順でＸ方向に並ぶように設定されている。しかしながら、本発明は上記の例に限定されない。絶縁層３０の第１の主面Ｓ１には、第１の領域Ａ１および第２の領域Ａ２が以下のように設定されてもよい。

【0074】

図９は、他の実施の形態に係る配線回路基板１の上面図である。図１０は、図９の配線回路基板１の複数の部分を切断した模式的断面図である。図１０では、図９のＡ－Ａ線断面図、Ｂ－Ｂ線断面図およびＣ－Ｃ線断面図がこの順で、上部、中央部および下部に並ぶように示される。図９および図１０の配線回路基板１について、図１の配線回路基板１と異なる点を説明する。

【0075】

図９の配線回路基板１においては、絶縁層３０の第１の主面Ｓ１に、１つの第１の領域Ａ１と１つの第２の領域Ａ２とが設定されている。第１の領域Ａ１は、配線回路基板１の長手方向（Ｘ方向）および短手方向（Ｙ方向）における中央部で島状に設定されている。一方、第２の領域Ａ２は、第１の領域Ａ１を取り囲むように設定されている。図１の配線回路基板１と同様に、２つの導体層４０の配線部４１の大部分は、第１の領域Ａ１上に位置する。２つの導体層４０の配線部４１の残りの部分および２つの導体層４０の端子部４２は、第２の領域Ａ２上に位置する。

【0076】

上記のように第１の主面Ｓ１に第１の領域Ａ１および第２の領域Ａ２が設定される。それにより、本例の配線回路基板１においては、金属薄膜２０の第３の主面Ｓ３に、Ｚ方向に見る平面視で、第１の主面Ｓ１の第１の領域Ａ１に重なる第３の領域Ａ３（図示せず）が設定される。また、Ｚ方向に見る平面視で、第１の主面Ｓ１の第２の領域Ａ２に重なる第４の領域Ａ４（図示せず）が設定される。

【0077】

それにより、図１０に示すように、本例の配線回路基板１においては、Ｘ方向における全体に渡って、金属支持体１０の少なくとも一部が、金属薄膜２０の第３の主面Ｓ３上に位置する。具体的には、本例の配線回路基板１においては、図１０の中央部に示すように、各導体層４０の配線部４１の近傍の位置で、配線部４１に平行に延びるようにライン状の金属支持体１０が設けられている。それにより、配線部４１の近傍の領域で、必要に応じた機械的強度を得ることが可能となっている。

【0078】

このように、配線回路基板１における複数の部分に適宜金属支持体１０を設けることにより、配線回路基板１の複数の部分の各々に、所望のフレキシブル性を与えること、および所望の機械的強度を与えることが可能になる。

【0079】

（２）上記実施の形態に係る配線回路基板１は、平面視で一方向（Ｘ方向）に延びる矩形状を有するが、本発明はこれに限定されない。配線回路基板１は、以下の形状を有してもよい。

【0080】

図１１は、さらに他の実施の形態に係る配線回路基板１の上面図である。図１２は、図１１の配線回路基板１の複数の部分を切断した模式的断面図である。図１２では、図１１のＡ－Ａ線断面図、Ｂ－Ｂ線断面図およびＣ－Ｃ線断面図がこの順で、上部、中央部および下部に並ぶように示される。図１１および図１２の配線回路基板１について、図１の配線回路基板１と異なる点を説明する。

【0081】

図１１および図１２に示すように、本例の配線回路基板１は、２つの導体層４０の配線部４１が延びる方向において、絶縁層３０の幅（Ｙ方向の長さ）が段階的に変化するように形成されている。具体的には、絶縁層３０は、配線回路基板１の長手方向（Ｘ方向）における両端部およびその近傍部分で大きく、それ以外の部分で小さくなるように形成されている。それにより、第１の主面Ｓ１に設定される第１の領域Ａ１の幅（Ｙ方向の長さ）は、第２の領域Ａ２の幅（Ｙ方向の長さ）よりも小さい。この構成によれば、２つの第２の領域Ａ２の間に位置する配線回路基板１の部分で、より高いフレキシブル性を得ることが可能となっている。

【0082】

（３）上記実施の形態に係る配線回路基板１においては、金属支持体１０の上面上に金属薄膜２０が形成されるが、本発明はこれに限定されない。金属支持体１０と金属薄膜２０との間に、新たな絶縁層３１が形成されてもよい。

【0083】

図１３は、さらに他の実施の形態に係る配線回路基板１の複数の部分を切断した模式的断面図である。本例の配線回路基板１の上面図は、図１の配線回路基板１の上面図と同じである。図１３では、図３の例と同様に、図１のＡ－Ａ線、Ｂ－Ｂ線およびＣ－Ｃ線にそれぞれ対応する３つの断面図が、この順で、上部、中央部および下部に並ぶように示される。

【0084】

図１３の配線回路基板１においては、金属支持体１０の上面上に、絶縁層３０とは異なる新たな絶縁層３１がさらに形成されている。この場合においても、金属薄膜２０が絶縁層３０を挟んで導体層４０の全体に対向するように形成されているので、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。

【0085】

（４）配線回路基板１の製造時においては、絶縁層３０は、感光性のキャリアフィルムを用いて形成されてもよい。具体的には、絶縁層３０は、金属薄膜２０の上面上に、感光性ポリイミドからなる絶縁フィルムを貼り付けることにより形成されてもよい。

【0086】

（５）上記実施の形態に係る配線回路基板１においては、平面視で、金属薄膜２０が絶縁層３０の全体に重なるように形成されているが、金属薄膜２０は導体層４０の全体に重なっていればいい。

【0087】

例えば、上記実施の形態に係る配線回路基板１の第１の主面Ｓ１に、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２とがＸ方向において他の新たな領域を挟んで互いに離間するように設定されてもよい。ここで、導体層４０の配線部４１が他の新たな領域上に位置する場合には、金属薄膜２０は、Ｚ方向に見る平面視で、第１の領域Ａ１および第２の領域Ａ２に重なりかつ他の新たな領域に重なるように形成される。一方、導体層４０の配線部４１が他の新たな領域上に位置しない場合には、金属薄膜２０は、Ｚ方向に見る平面視で、第１の領域Ａ１および第２の領域Ａ２に重なりかつ他の新たな領域に重ならないように形成されてもよい。

【0088】

５．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

【0089】

上記実施の形態では、配線回路基板１が配線回路基板の例であり、第１の主面Ｓ１が第１の主面の例であり、第２の主面Ｓ２が第２の主面の例であり、絶縁層３０が絶縁層の例であり、導体層４０が導体層の例であり、第３の主面Ｓ３が第３の主面の例であり、金属薄膜２０が金属薄膜の例である。

【0090】

また、第１の領域Ａ１が第１の領域の例であり、第２の領域Ａ２が第２の領域の例であり、配線部４１が配線の例であり、第３の領域Ａ３が第３の領域の例であり、第４の領域Ａ４が第４の領域の例であり、第１の薄膜層２０ａが第１の金属膜の例であり、第２の薄膜層２０ｂが第２の金属膜の例である。

【0091】

６．金属薄膜２０による配線部４１のインピーダンス低減効果についての試験
本発明者らは、複数種類の金属薄膜２０とそれらの種類に応じた配線部４１のインピーダンスの低減の程度を確認するために、比較例１，２および実施例１～３の配線回路基板を作製した。

【0092】

具体的には、本発明者らは、金属支持体１０および金属薄膜２０を有しない点を除いて、図１～図３の配線回路基板１と同じ構成を有する配線回路基板を、比較例１の配線回路基板として作製した。

【0093】

また、本発明者らは、金属薄膜２０を有さず、絶縁層３０の第２の主面Ｓ２の全体に接するように金属支持体１０が設けられている点を除いて、図１～図３の配線回路基板１と同じ構成を有する配線回路基板を、比較例２の配線回路基板として作製した。比較例２の配線回路基板において、金属支持体１０の厚み（Ｚ方向の長さ）は１８μｍであった。

【0094】

また、本発明者らは、図１～図３の配線回路基板１と同じ構成を有しかつ金属薄膜２０がクロムからなる単一の層で形成された配線回路基板を、実施例１の配線回路基板として作製した。クロムの金属薄膜２０はスパッタリングにより形成された。実施例１の配線回路基板において、金属薄膜２０の厚み（Ｚ方向の長さ）は５０ｎｍであった。

【0095】

また、本発明者らは、図１～図３の配線回路基板１と同じ構成を有しかつ金属薄膜２０が銅からなる単一の層で形成された配線回路基板を、実施例２の配線回路基板として作製した。銅の金属薄膜２０はスパッタリングにより形成された。実施例２の配線回路基板において、金属薄膜２０の厚み（Ｚ方向の長さ）は５０ｎｍであった。

【0096】

また、本発明者らは、図７の配線回路基板１と同じ構成を有する配線回路基板を、実施例３の配線回路基板として作製した。第１の薄膜層２０ａは、クロムからなり、スパッタリングにより形成された。第２の薄膜層２０ｂは、銅からなり、スパッタリングにより形成された。実施例３の配線回路基板において、第１の薄膜層２０ａの厚み（Ｚ方向の長さ）は５０ｎｍであり、第２の薄膜層２０ｂの厚み（Ｚ方向の長さ）は５０ｎｍであった。そのため、金属薄膜２０の厚み（Ｚ方向の長さ）は１００ｎｍであった。

【0097】

なお、比較例１，２および実施例１～３の配線回路基板の間では、２つの配線部４１の長さ、幅、間隔および厚み等の各部の寸法は互いに等しい。また、比較例１，２および実施例１～３の配線回路基板の間では、絶縁層３０の厚みも互いに等しい。

【0098】

上記のようにして作製された複数の配線回路基板について、ＴＤＲ（Time Domain Reflectometry）法により導体層４０のインピーダンスを測定した。図１４は、比較例１，２および実施例１～３の配線回路基板の導体層４０のインピーダンスの測定結果を示す図である。

【0099】

図１４では、インピーダンスの測定結果がグラフにより示される。そのグラフにおいては、縦軸がインピーダンスを表し、横軸が時間を表す。また、図１４のグラフにおいては、比較例１の導体層４０に対応するインピーダンスの測定結果が点線で示され、比較例２の導体層４０に対応するインピーダンスの測定結果が実線で示される。また、実施例１の導体層４０に対応するインピーダンスの測定結果が太い実線で示され、実施例２の導体層４０に対応するインピーダンスの測定結果が太い点線で示され、実施例３の導体層４０に対応するインピーダンスの測定結果が太い二点鎖線で示されている。なお、図１４のグラフにおいては、横軸（時間軸）の約２００ｐｓ以上約４００ｐｓ以下の範囲内に示されるインピーダンスが各配線回路基板の配線部４１に対応するインピーダンスを表す。

【0100】

図１４のグラフによれば、比較例１の配線部４１のインピーダンスは、比較例２および実施例１～３の配線部４１のインピーダンスに比べて高い。これに対して、比較例２の配線部４１のインピーダンスは、比較例１および実施例１～３の配線部４１のインピーダンスに比べて十分に低い。

【0101】

実施例１，２の配線部４１のインピーダンスはほぼ同じであり、比較例１の配線部４１のインピーダンスに比べて十分に低く、比較例２および実施例３の配線部４１のインピーダンスに比べてわずかに高い。実施例３の配線部４１のインピーダンスは、比較例１の配線部４１のインピーダンスに比べて十分に低く、比較例２の配線部４１のインピーダンスと実施例１，２の配線部４１のインピーダンスとの間に位置する。

【0102】

ここで、比較例２の配線回路基板においては、Ｚ方向に見る平面視で、各配線部４１に重なる金属支持体１０の部分が、当該配線部４１のインピーダンスを低減するインピーダンス低減層として機能する。一方、実施例１～３の各々の配線回路基板においては、平面視で各配線部４１に重なる金属薄膜２０の部分が、当該配線部４１のインピーダンスを低減するインピーダンス低減層として機能する。

【0103】

比較例２の配線回路基板においてインピーダンス低減層として機能する金属支持体１０の厚みは、実施例１～３の配線回路基板においてインピーダンス低減層として機能する金属薄膜２０の厚みに比べて大きい。また、実施例３の配線回路基板においてインピーダンス低減層として機能する金属薄膜２０の厚みは、実施例１，２の配線回路基板においてインピーダンス低減層として機能する金属薄膜２０の厚みに比べて大きい。これらの点を考慮すると、配線部４１のインピーダンスの低減の程度は、インピーダンス低減層の厚みが大きいほどより大きく、インピーダンス低減層の厚みが小さいほどより小さいことがわかった。したがって、本発明に係る配線回路基板１の作製時には、平面視で配線部４１に重なる金属薄膜２０の厚みを、必要なインピーダンスの低減度合いに応じて調整することが好ましい。

【符号の説明】

【0104】

１…配線回路基板，１０…金属支持体，２０…金属薄膜，２０ａ…第１の薄膜層，２０ｂ…第２の薄膜層，２０ｃ…第３の薄膜層，３０…絶縁層，３１…絶縁層，４０…導体層，４１…配線部，４２…端子部，Ａ１…第１の領域，Ａ２…第２の領域，Ａ３…第３の領域，Ａ４…第４の領域，Ｓ１…第１の主面，Ｓ２…第２の主面，Ｓ３…第３の主面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】