特開 2024-82952 転写方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024082952

(43)【公開日】2024-06-20

(54)【発明の名称】転写方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/52 20060101AFI20240613BHJP

【ＦＩ】

H01L21/52 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】2

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022197188

(22)【出願日】2022-12-09

(71)【出願人】

【識別番号】000219314

【氏名又は名称】東レエンジニアリング株式会社

(72)【発明者】

【氏名】陣田 敏行

(72)【発明者】

【氏名】新井 義之

(72)【発明者】

【氏名】岡田 達弥

【テーマコード（参考）】

5F047

【Ｆターム（参考）】

5F047AA13

5F047AA17

5F047BA21

5F047BB13

5F047CA01

5F047FA02

5F047FA31

5F047FA57

(57)【要約】

【課題】ブリスタリングによる素子の転写において被転写基板上の正確な位置へ転写基板から素子を転写することができる転写方法を提供する。
【解決手段】転写基板２２と被転写基板２３の間隔が第１の間隔ｄ１となるように転写基板２２が所定の素子２１を保持した状態で、所定の素子２１を挟むように転写基板２２と被転写基板２３とを対向させる転写準備工程と、所定の素子２１の保持位置の近傍で転写基板２２にブリスタ３０を生じさせることによって、所定の素子２１と被転写基板２３とを接近させて所定の素子２１を被転写基板２３に保持させる転写工程と、転写基板２２と被転写基板２３の間隔を第１の間隔ｄ１よりも大きい第２の間隔ｄ２に広げる基板離間工程と、転写基板２２上の素子２１の配列方向に転写基板２２と被転写基板２３とを相対移動させる配列方向移動工程と、転写基板２２と被転写基板２３の間隔を第１の間隔ｄ１に戻す基板接近工程と、を有する。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

転写基板上に配列された素子を被転写基板へ転写する転写方法であり、
前記転写基板と前記被転写基板の間隔が第１の間隔となるように前記転写基板が所定の素子を保持した状態で、当該所定の素子を挟むように前記転写基板と前記被転写基板とを対向させる転写準備工程と、
前記所定の素子の保持位置の近傍で前記転写基板にブリスタを生じさせることによって、前記所定の素子と前記被転写基板とを接近させて前記所定の素子を前記被転写基板に保持させる転写工程と、
前記転写基板と前記被転写基板の間隔を前記第１の間隔よりも大きい第２の間隔に広げる基板離間工程と、
前記転写基板上の素子の配列方向に前記転写基板と前記被転写基板とを相対移動させる配列方向移動工程と、
前記転写基板と前記被転写基板の間隔を前記第１の間隔に戻す基板接近工程と、
を有することを特徴とする、転写方法。

【請求項2】

前記転写工程では、前記所定の素子は一部が先行して前記被転写基板に保持された後、前記被転写基板に保持される部分が徐々に増加することによって最終的に前記所定の素子全体が前記被転写基板に保持され、
前記基板離間工程は、前記転写工程において前記所定の素子の全体が前記被転写基板に保持される前に開始することを特徴とする、請求項１に記載の転写方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光エネルギーを転写基板に照射し、ブリスタリングを利用して素子を被転写基板へ転写する、転写方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、半導体チップはコスト低減のために小型化され、この小型化した半導体チップを高精度に実装するための取組みが行われている。この小型化したチップを高速で実装するにあたり、転写基板に接合されたチップの転写基板との接合面へレーザを照射することによってアブレーションを生じさせ、チップを転写基板から剥離、付勢させて被転写基板へと転写する、いわゆるレーザリフトオフなる手法が採用されている。

【0003】

特許文献１には、転写基板に設けられた、表面側に接着材層を有するブリスタリング層にレーザビームを照射することによって、ブリスタリング層をアブレーションさせる技術が開示されている。このブリスタリング層ではアブレーションによってブリスタ（膨らみ）が生じ、このブリスタの発生によって接着剤層に接着されていた物品（素子）を押し出し、これにより物品を転写基板から切り離す。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特表２０１４－５１５８８３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１で示される素子の転写方法では、複数の素子を転写基板から被転写基板に転写するにあたって素子同士の配列間隔を変えながら転写する場合に、被転写基板に転写された素子が位置ずれを起こすおそれがあった。具体的には、図１０（ａ）に示すように転写基板１２２が有するブリスタリング層１２４にレーザ光１１１を照射してブリスタ１３０を生じさせて素子１２１を被転写基板１２３へ転写するにあたって、ブリスタ１３０の大きさによっては図１０（ｂ）に示すように素子１２１の全体が被転写基板１２３上のキャッチ層１２５に転写された後もブリスタ１３０がしぼむまでブリスタリング層１２４が素子１２１に付着している状態が続く場合がある。ここで、仮にキャッチ層１２５の粘着力がブリスタリング層１２４の粘着力よりも充分大きくなかった場合には、素子の配列間隔を変更するために転写基板１２２と被転写基板１２３とを相対移動させたときに、図１０（ｃ）に示すように未だ素子１２１付着しているブリスタリング層１２４に素子１２１が引っ張られて位置ずれが生じるといった問題があった。

【0006】

本願発明は、上記問題点を鑑み、ブリスタリングによる素子の転写において被転写基板上の正確な位置へ転写基板から素子を転写することができる転写方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するために本発明の転写方法は、転写基板上に配列された素子を被転写基板へ転写する転写方法であり、前記転写基板と前記被転写基板の間隔が第１の間隔となるように前記転写基板が所定の素子を保持した状態で、当該所定の素子を挟むように前記転写基板と前記被転写基板とを対向させる転写準備工程と、前記所定の素子の保持位置の近傍で前記転写基板にブリスタを生じさせることによって、前記所定の素子と前記被転写基板とを接近させて前記所定の素子を前記被転写基板に保持させる転写工程と、前記転写基板と前記被転写基板の間隔を前記第１の間隔よりも大きい第２の間隔に広げる基板離間工程と、前記転写基板上の素子の配列方向に前記転写基板と前記被転写基板とを相対移動させる配列方向移動工程と、前記転写基板と前記被転写基板の間隔を前記第１の間隔に戻す基板接近工程と、を有することを特徴としている。

【0008】

本発明の転写方法によれば、配列方向移動工程の前に基板離間工程が行われることによって、配列方向移動工程の際に被転写基板に転写された素子が転写基板に引っ張られて位置ずれすることを防ぐことができる。

【0009】

また、前記転写工程では、前記所定の素子は一部が先行して前記被転写基板に保持された後、前記被転写基板に保持される部分が徐々に増加することによって最終的に前記所定の素子全体が前記被転写基板に保持され、前記基板離間工程は、前記転写工程において前記所定の素子の全体が前記被転写基板に保持される前に開始すると良い。

【0010】

こうすることにより、１つの素子の転写に要する時間を短縮させることができる。

【発明の効果】

【0011】

本発明の転写方法により、ブリスタリングによる素子の転写において被転写基板上の正確な位置へ転写基板から素子を転写することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の転写方法を実施するための転写装置を説明する図である。

【図2】本発明における素子の転写前の転写基板および被転写基板を表す図である。

【図3】本発明の一実施形態における転写工程を説明する図である。

【図4】活性エネルギー線の照射後、所定時間が経過した後の転写基板および被転写基板を表す図である。

【図5】本発明の他の実施形態における転写工程を説明する図である。

【図6】図５の転写工程におけるブリスタ形状の変化の過程を説明する図である。

【図7】本発明の一実施形態における転写方法の動作フロー図である。

【図8】本発明の一実施形態における転写方法を説明する図である。

【図9】本発明の他の実施形態における転写工程を説明する図である。

【図10】従来の転写方法において素子の転写に失敗した例を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

本発明の転写方法を実施するための転写装置について、図１、図２を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態における転写装置を説明する図であり、図２は、本発明における素子の転写前の転写基板および被転写基板を表す図であり、図２（ａ）は正面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡＡ矢視図である。

【0014】

転写装置１０は、レーザ光１１を照射するレーザ照射部１２、転写基板２２を保持して少なくともＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動可能な転写基板把持部１３、転写基板把持部１３の下側にあって転写基板２２と隙間を有して対向するように被転写基板２３を保持する被転写基板把持部１４、および図示しない制御部を備えており、転写基板２２にレーザ光１１を照射することによって転写基板でアブレーションを生じさせ、転写基板２２から被転写基板２３へ素子２１を転写する。

【0015】

レーザ照射部１２は、本発明におけるエネルギー照射部の一実施形態であり、活性エネルギー線であるエキシマレーザなどのレーザ光１１を照射する装置であり、転写装置１０に固定して設けられる。本実施形態においては、レーザ照射部１２はスポット状のレーザ光１１を照射し、レーザ光１１は、制御部により角度が調節されるガルバノミラー１５およびｆθレンズ１６を介してＸ軸方向およびＹ軸方向の照射位置が制御され、転写基板把持部１３に保持された転写基板２２に複数配置されている素子２１に選択的に照射する。レーザ光１１が転写基板２２を通して素子２１近傍に入射することによって、転写基板２２と素子２１との間で活性エネルギー（光エネルギー）の付与によるアブレーションが生じ、このアブレーションによって素子２１は付勢され、転写基板２２から被転写基板２３へ素子２１が転写される。なお、本説明では素子２１はたとえば半導体チップである。

【0016】

転写基板把持部１３は開口を有し、転写基板２２の外周部近傍を吸着把持する。転写基板把持部１３に保持された転写基板２２へこの開口を介してレーザ照射部１２から発せられたレーザ光１１を当てることができる。

【0017】

転写基板２２は、ガラスなどを材料としてレーザ光１１を透過することが可能な基板であり、下面側で素子２１を保持する。また、この転写基板２２の素子２１を保持する面には図２（ａ）に示すようにブリスタリング層２４が形成されており、このブリスタリング層２４の表面は粘着性を有する。このブリスタリング層２４の表面の粘着力が素子２１の保持力となり、素子２１を粘着保持する。

【0018】

また、転写基板把持部１３は図示しない移動機構により、少なくともＸ軸方向、Ｙ軸方向に関して被転写基板把持部１４に対して相対移動する。図示しない制御部がこの移動機構を制御し、転写基板把持部１３の位置を調節することにより、転写基板２２に保持された素子２１の被転写基板２３に対する相対位置を調節することができる。

【0019】

被転写基板把持部１４は、上面に平坦面を有し、素子２１の転写工程中、転写基板２２のブリスタリング層２４およびブリスタリング層２４が保持する素子２１と被転写基板２３の被転写面が対向するように被転写基板２３を把持する。この被転写基板把持部１４の上面には複数の吸引孔が設けられており、吸引力により被転写基板２３の裏面（素子２１が転写されない方の面）を把持する。

【0020】

ここで、本実施形態における被転写基板２３は、ガラスなどを材料とする基板であり、図２（ａ）に示すように被転写面（素子２１を受ける側の面）には、粘着性を有するキャッチ層２５が設けられ、転写基板２２から転写された素子２１を粘着保持する。

【0021】

また、被転写基板把持部１４は図示しない移動機構により、少なくともＺ軸方向に関して転写基板把持部１３に対して相対移動する。図示しない制御部がこの移動機構を制御し、転写基板把持部１４の位置を調節することにより、転写基板把持部１３に把持された転写基板２２と被転写基板把持部１４に把持された被転写基板２３の間隔（ギャップ）を調節することができる。

【0022】

なお、本実施形態では、転写基板把持部１３のみがＸ軸方向およびＹ軸方向に移動することにより転写基板把持部１３と被転写基板把持部１４とがＸＹ方向に相対移動する形態をとっているが、被転写基板２３の寸法が大きく、レーザ光１１の照射範囲の直下に被転写基板２３の全面が位置できない場合には、被転写基板把持部１４にもＸ軸方向およびＹ軸方向の移動機構が設けられていても良い。

【0023】

以上の構成を有する転写装置１０において、素子２１を挟んで転写基板２２と被転写基板２３とが対向した状態において転写基板２２を通して素子２１に向けてレーザ光１１が照射され、ブリスタリング層２４にレーザ光１１が照射されることによって、レーザ光１１のエネルギーによってブリスタリング層２４の材料の一部が分解され、ガスが発生する。このブリスタリング層２４の材料の分解およびガスの発生により、図１に示すようにブリスタリング層２４の内部もしくは転写基板２２のガラス面２２ａとブリスタリング層２４との間でブリスタ（気泡）３０が発生する。このようにブリスタ３０が発生する現象を本説明ではブリスタリングと呼ぶ。また、図２（ｂ）において二重線ハッチングで示すようなブリスタリング層２４における素子２１を保持する領域を本説明では素子保持領域２４ａと呼ぶ。

【0024】

本発明の転写装置を用いた転写方法内の一工程である転写工程の一実施形態を、図３を用いて説明する。図３（ａ）は図２（ａ）矢視図と同様の視点でブリスタリング層の状態を示し、図３（ｂ）は転写基板２２および被転写基板２３を含めた正面図である。

【0025】

図３（ａ）に示すように、ブリスタリング層２４の素子保持領域２４ａ内の点Ｃへ活性エネルギー線であるレーザ光１１が照射されることにより、点Ｃを中心として素子保持領域２４ａの一部においてブリスタリングが発生し、ブリスタ３０が形成される。

【0026】

このようにブリスタリングが生じた部分における粘着ブリスタリング層２４の表面のガラス面２２ａからの距離は、ブリスタリングが生じる前の部分におけるブリスタリング層２４の表面のガラス面２２ａからの距離より大きくなる。そのため、素子保持領域２４ａにおいてブリスタリング層２４にブリスタリングが生じると、素子２１はブリスタリング層２４の表面部分に保持されたまま転写基板２２のガラス面２２ａから離間する。

【0027】

ここで、本転写工程では、素子２１の近傍には所定の間隔を介して対向するように被転写基板２３が設けられており、ブリスタリングの発生により素子２１はブリスタリング層２４の表面部分に保持されたまま被転写基板２３のキャッチ層２５に接近する。

【0028】

ここで、本実施形態では、素子保持領域２４ａ内にブリスタ３０は１個のみ形成されており、そのブリスタ３０は、素子保持領域２４ａの中心（図３（ａ）および図３（ｂ）における一点鎖線部）以外の位置である周辺部にブリスタ３０の中心が位置するよう、形成されている。こうすることにより、素子２１がブリスタリング層２４に保持されながら転写基板２２から離間するにあたって図３（ｂ）に示すように転写基板２２に対する素子２１の傾きが変化しながら離間する。このように素子２１が転写基板２２に対して傾きを有する場合、素子２１において比較的転写基板２２に近い部分Ｐおよび比較的転写基板２２から遠い部分Ｑが存在するようになり、仮にブリスタ３０が素子保持領域２４ａの中心部に形成されて素子２１が転写基板２２と平行を維持しつつ離間する場合と比較して、部分Ｑは転写基板２２からさらに遠い位置となる。そのため、部分Ｑが先行して被転写基板２３のキャッチ層２５まで到達する。

【0029】

素子２１の部分Ｑが先行してキャッチ層２５と接触することにより、素子２１の少なくとも一部がキャッチ層２５に粘着保持される。ここで、このキャッチ層２５による素子２１の粘着保持力がブリスタリング層２４による素子２１の粘着保持力より大きければ、キャッチ層２５とブリスタリング層２４とが離間してキャッチ層２５とブリスタリング層２４とで素子２１を引っ張り合った際にブリスタリング層２４の方が素子２１から剥離し、キャッチ層２５が素子２１の全面を保持することとなる。すなわち、転写基板２２から被転写基板２３への素子２１の転写が完了する。

【0030】

本発明のようにブリスタリング層２４が素子２１を保持した状態でキャッチ層２５に接触させる形態、すなわち素子２１が常に何かに保持されながら転写基板２２から被転写基板２３へ転写される形態である場合、従来のレーザリフトオフのように素子が一度転写基板から切り離されて被転写基板へ落下することで転写が行われる場合と比較し、空気抵抗の影響など少なく位置精度良く転写が実施される。

【0031】

次に、図３のように活性エネルギー線を照射した後、所定時間が経過した後の転写基板および被転写基板を図４に示す。

【0032】

活性エネルギー線の照射によりブリスタ３０を形成させたガスがブリスタ３０の温度低下により収縮したり、ブリスタリング層２４内へ拡散したりすることによって、ブリスタ３０が萎む傾向を示す場合がある。このようにブリスタ３０が萎むことによって、キャッチ層２５と接触した素子２１からブリスタリング層２４が自然に剥離し、素子２１の転写が完了する。

【0033】

次に、本発明の他の実施形態における転写工程を、図５を用いて説明する。図５（ａ）は図２（ａ）矢視図と同様の視点でブリスタリング層の状態を示し、図５（ｂ）は転写基板および被転写基板を含めた正面図である。また、この転写工程におけるブリスタ形状の変化の過程を、図６を用いて説明する。

【0034】

本実施形態では、素子保持領域２４ａ内の２箇所にレーザ光１１が照射され、２つのブリスタ（大ブリスタ３０ａ、小ブリスタ３０ｂ）が形成されており、各ブリスタの体積は互いに異なっている。このように体積が異なるブリスタは、各ブリスタの形成に要するレーザ光１１のパワー、照射回数などを異ならせることにより形成可能である。また、本実施形態では、体積が小さいブリスタから順に形成している。

【0035】

このように体積が異なる、すなわちガラス面２２ａからの高さが異なっている少なくとも２つのブリスタにより素子２１は転写基板２２に対して傾くようにガラス面２２ａから離間され、また、ブリスタの個数が少ない場合と比較し、そのように離間された状態を安定して維持することができる。

【0036】

また、本実施形態では、素子保持領域２４ａ内に体積が異なる大ブリスタ３０ａと小ブリスタ３０ｂが形成されるにあたり、小ブリスタ３０ｂが先に形成され、小ブリスタ３０ｂにより素子２１が傾いた状態において図５（ｂ）に示すように転写基板２２と素子２１との間隔が小ブリスタ３０ｂの形成位置よりも小さい方の位置に大ブリスタ３０ａが形成されている。こうすることにより、大ブリスタ３０ａによって大きな傾きが形成される前に小ブリスタ３０ｂの形成によって素子２１の一部がブリスタリング層２４から剥離しているため、大ブリスタ３０ａの形成時に素子２１にかかる負荷を軽減することができる。

【0037】

また、本実施形態では、大ブリスタ３０ａと小ブリスタ３０ｂは、互いに連通するように形成されている。ここで、たとえば異なる大きさに膨らまされた２つの風船の各々の開口部が連結された場合、小さな風船の内圧の方が大きな風船の内圧より高いため、小さな風船はより小さくなる挙動をとって風船内の気体が大きな風船の方へ移動し、大きな風船はさらに大きくなるという挙動を示す。本実施形態の通り互いに接続された大ブリスタ３０ａと小ブリスタ３０ｂにおいても、上記の２つの風船と同様の挙動が示され、図６（ａ）から図６（ｂ）への推移で表した通り、小ブリスタ３０ｂ内のガスが大ブリスタ３０ａ内に移動することにより、小ブリスタ３０ｂはさらに小さく、大ブリスタ３０ａはさらに大きくなる。

【0038】

このように大ブリスタ３０ａがさらに大きくなることにより、大ブリスタ３０ａは被転写基板２３方向へ拡張され、図６（ｂ）に示す通り大ブリスタ３０ａの高さ寸法がＨ１からＨ１＋ΔＨへ変化する。それにともない素子２１の傾きはさらに大きくなって、図６（ｂ）の部分Ｑが示すように素子２１の少なくとも一部がキャッチ層２５に接触する形態が形成される。そのため、大ブリスタ３０ａのみを形成させる場合よりもより確実に素子２１をキャッチ層２５へ到達させることができる。

【0039】

次に、本発明の一実施形態における転写方法の動作フローを、図７を用いて説明する。

【0040】

本実施形態の転写方法において、レーザ照射トリガーパルスがオンになるタイミングでレーザ光源１２からレーザ光１１が出射される。図７は１つの素子２１を転写するフローを示しており、レーザ照射トリガーパルスは複数回オンになっているが、これは１つの素子２１の素子保持領域２４ａ（図２参照）に複数回レーザ光１１を照射していることを示す。この複数回のレーザ光１１の照射により、複数個のブリスタ３０が形成されても良いし、１個の大きなブリスタ３０が形成されても良い。

【0041】

また、本動作フローによると、複数回のレーザ光１１の照射の途中に被転写基板把持部１４の上昇位置から下降位置への動作が開始している。すなわち、レーザ光１１の照射による素子２１の転写工程の最中に被転写基板把持部１４の移動が開始している。

【0042】

また、本動作フローによると、最後のレーザ光１１が照射されてから少し時間が空いて被転写基板把持部１４の下降位置から上昇位置への動作が開始している。これは、レーザ光１１の照射が完了してブリスタ３０が萎み始めてから被転写基板把持部１４の移動が開始することを示す。

【0043】

次に、図７の動作フローに基づいた本発明の一実施形態における転写方法を、図８を用いて説明する。

【0044】

まず、図８（ａ）に示すように、転写基板２２と被転写基板２３の間隔が第１の間隔ｄ１となるように、転写基板２２が素子２１を保持した状態で、素子２１を挟むように転写基板２２と被転写基板２３とを対向させる。本説明では、この工程を転写準備工程と呼ぶ。

【0045】

なお、本発明では上記の通りブリスタリング層２４は変形するため、転写基板２２と被転写基板２３の間隔を言及するにあたって図８（ａ）に示すように転写基板２２の本体部と被転写基板２３との間の距離をもって両基板の間隔とするものとする。

【0046】

次に、図８（ａ）に示すように、所定の素子２１の近傍にレーザ光１１を照射してブリスタリング層２４にブリスタ３０を生じさせることにより、素子２１を被転写基板２３に接近させ、被転写基板２３に保持させる。この工程を、前述の通り転写工程と呼ぶ。

【0047】

次に、図８（ｂ）に示すように、被転写基板把持部１４の下降により被転写基板２３が下降することによって、両基板の間隔を第１の間隔ｄ１よりも大きい第２の間隔ｄ２にする。こうすることにより、ブリスタ３０が生じたブリスタリング層２４から素子２１を完全に分離させる。本説明では、この工程を基板離間工程と呼ぶ。

【0048】

ここで、本実施形態では、図８（ａ）に示すように素子２１は一部が先行して被転写基板２３（キャッチ層２５）に保持される。その後、被転写基板２３に保持される部分が徐々に増加することによって最終的に素子２１全体が被転写基板２３に保持されるが、本実施形態では、図７に示したように転写工程の最中に基板離間工程が開始している。すなわち、転写工程において素子２１の全体が被転写基板２３に保持される前に基板離間工程が開始している。

【0049】

基板離間工程の開始時点において、仮に素子２１の全体が被転写基板２３に保持されていなかったとしても、その時にキャッチ層２５による素子２１の保持力の方がブリスタリング層２４による素子２１の保持力より強ければ、転写基板２２と被転写基板２３の離間に応じてブリスタリング層２４と素子２１との分離が促進される。そのため、被転写基板２３への素子２１の転写完了を早めることができる。

【0050】

被転写基板２３に転写された素子２１とブリスタリング層２４とが基板離間工程によって完全に分離された後、次に、転写基板２２上の素子２１の配列方向（図８におけるＸ軸方向）に転写基板２２と被転写基板２３とが相対移動する。本説明では、この工程を配列方向移動工程と呼ぶ。本実施形態では、転写基板把持部１３がＸ軸方向に移動することにより、転写基板２２と被転写基板２３とが相対移動する。

【0051】

このように配列方向移動工程が行われることにより、転写基板２２上では素子２１のピッチが図８（ａ）に示すように距離Ｐ１だったものが任意に調節され、後述するように任意のピッチで被転写基板２３上に複数の素子２１を配列させることができる。

【0052】

ここで、仮に従来のように基板離間工程無く配列方向移動工程を実施しようとする場合、素子２１の被転写基板２３に保持される面全体が被転写基板２３に保持された後でも、ブリスタ３０が萎むまではブリスタリング層２４が素子２１に付着し続ける可能性がある。

【0053】

そしてブリスタリング層２４が素子２１に付着したまま配列方向移動工程が実施された場合、被転写基板２３上の素子２１がブリスタリング層２４に引っ張られて位置ずれが生じる可能性がある。

【0054】

このようにブリスタリング層２４が素子２１を位置ずれさせてしまうか否かは、ブリスタリング層２４に起因するものだと、ブリスタ３０の大きさ、形状に起因するキャッチ層２５への押付力や密着性のばらつき、ブリスタリング層２４自身の粘着力や厚みのばらつきに応じて左右される。また、素子２１に起因するものだと、素子２１の形状の不均一性、それによるキャッチ層との密着性のばらつきに応じて左右される。また、キャッチ層２５に起因するものだと、その粘着力や厚みのばらつきに応じて左右される。また、レーザ光１１に起因するものだと、その照射位置やエネルギー分布のばらつきに応じて左右される。

【0055】

これに対し、本発明では配列方向移動工程の前に基板離間工程が設けられることにより、配列方向移動工程開始時にはブリスタリング層２４から素子２１が完全に分離している。そのため、上記のような被転写基板２３上の素子２１の位置ずれが生じることを防止することができる。なお、本実施形態では、基板離間工程が完了した後に配列方向移動工程が開始するが、ブリスタリング層２４が素子２１から完全に分離していることを条件に、基板離間工程の最中に配列方向移動工程が開始しても良い。

【0056】

配列方向移動工程が完了した後、次に、図８（ｄ）に示すように被転写基板把持部１４の上昇により被転写基板２３が上昇することによって、両基板の間隔が第２の間隔ｄ２から第１の間隔ｄ１に戻される。こうすることにより、次の素子２１の準備が整えられる。本説明では、この工程を基板接近工程と呼ぶ。

【0057】

ここで、本実施形態では、図７に示したように被転写基板把持部１４および被転写基板２３の上昇は先の素子２１へのレーザ光１１の照射が完了した後少し時間が空いた後に開始している。そうすることにより、基板接近工程開始時には先の素子２１の転写に供したブリスタ３０は萎み始めており、両基板の間隔が間隔ｄ１に戻ることによる素子２１とブリスタリング層２４の再付着の可能性を軽減することができる。

【0058】

なお、本実施形態では配列方向移動工程が完了した後に基板接近工程が開始するが、ブリスタリング層２４が素子２１に再付着しないことを条件に、配列方向移動工程の最中に基板接近工程が開始しても良い。

【0059】

上記の通り転写準備工程、転写工程、基板離間工程、配列方向移動工程、基板接近工程を経ることにより、図８（ｅ）にて距離Ｐ２で示すように、転写基板２２上での素子２１のピッチ（距離Ｐ１）に対して被転写基板２３上の素子２１同士のピッチが任意のピッチとなるように調節された上で、次の素子２１が転写基板２２から被転写基板２３へ転写される。

【0060】

以上の転写方法により、ブリスタリングによる素子の転写において被転写基板上の正確な位置へ転写基板から素子を転写することが可能である。

【0061】

ここで、本発明の転写方法は、以上で説明した形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。たとえば、上記の説明ではブリスタリング層およびキャッチ層は粘着力によって素子を保持するが、粘着力以外の保持力によって素子を保持しても良い。

【0062】

また、上記の説明では、転写工程において素子２１の全体が被転写基板２３に保持される前に基板離間工程が開始しているが、それに限らず、たとえば素子２１の全体が被転写基板２３に保持された後、なおもブリスタリング層２４が素子２１に貼り付いている場合には、そこから基板離間工程が開始しても良い。

【0063】

また、上記の説明では、素子２１は一部が先行して被転写基板２３と接触し、その後徐々に被転写基板２３と保持される部分が増加することによって最終的に素子２１全体が被転写基板２３に保持される形態を有しているがこれに限らず、素子保持領域の中央にレーザ光が照射されるなどによって図９に示すように素子２１の全面が同時に被転写基板２３に接触する形態であっても構わない。

【0064】

また、上記の説明では、レーザ光１１は図３（ａ）などに示す通り素子保持領域２４ａ内に照射されているが、これに限らず、ブリスタリングにより所定の素子２１を被転写基板２３へ接近させる効果を奏することを条件に、素子保持領域２４ａの近傍であって素子保持領域２４ａの周辺にレーザ光１１が照射されても良い。

【0065】

また、上記の説明では、基板離間工程および基板接近工程では被転写基板把持部１４が上下方向に移動しているが、転写基板把持部１３が上下方向に移動するものであっても良い。

【符号の説明】

【0066】

１０ 転写装置
１１ レーザ光（活性エネルギー線）
１２ レーザ光源（エネルギー照射部）
１３ 転写基板把持部
１４ 被転写基板把持部
１５ ガルバノミラー
１６ Ｆθレンズ
２１ 素子
２２ 転写基板
２２ａ ガラス面
２３ 被転写基板
２４ ブリスタリング層
２４ａ 素子保持領域
２５ キャッチ層
３０ ブリスタ
３０ａ 大ブリスタ
３０ｂ 小ブリスタ
１１１ レーザ光
１２１ 素子
１２２ 転写基板
１２３ 被転写基板
１２４ ブリスタリング層
１２５ キャッチ層
１３０ ブリスタ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】