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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024083002
(43)【公開日】2024-06-20
(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置用マザー基板
(51)【国際特許分類】
H10K 50/84 20230101AFI20240613BHJP
H10K 50/81 20230101ALI20240613BHJP
H10K 50/82 20230101ALI20240613BHJP
H10K 77/10 20230101ALI20240613BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240613BHJP
H10K 59/173 20230101ALI20240613BHJP
H10K 50/88 20230101ALI20240613BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240613BHJP
H10K 85/10 20230101ALI20240613BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240613BHJP
H10K 102/20 20230101ALN20240613BHJP
【ＦＩ】
H10K50/84
H10K50/81
H10K50/82
H10K77/10
H10K59/122
H10K59/173
H10K50/88
H10K59/10
H10K85/10
G09F9/30 365
G09F9/30 348A
H10K102:20
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022197273
(22)【出願日】2022-12-09
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】柳澤 昌
(72)【発明者】
【氏名】高崎 良太
(72)【発明者】
【氏名】岩橋 直哉
(72)【発明者】
【氏名】田畠 弘志
(72)【発明者】
【氏名】原田 和幸
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC21
3K107DD19
3K107DD21
3K107DD26
3K107DD38
3K107DD44Z
3K107DD89
3K107DD90
3K107DD95
3K107DD96
3K107FF15
3K107GG52
3K107GG54
5C094AA31
5C094BA27
5C094DA14
5C094DA15
5C094DB04
5C094FB01
5C094FB02
5C094FB12
5C094FB15
(57)【要約】
【課題】信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、表示領域及び周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極の周縁部に重なるリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、前記周辺領域に配置された端子電極と、を備え、前記有機絶縁層は、前記端子電極を露出する第１開口を有し、前記リブは、前記周辺領域に延出し、前記端子電極を露出する第２開口を有し、平面視において、前記第２開口のサイズは、前記第１開口のサイズよりも大きく、前記第１開口と前記第２開口との間で前記リブから露出する前記有機絶縁層の形状は、枠状である。
【選択図】図１１
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置は、表示領域及び周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極の周縁部に重なるリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、前記周辺領域に配置された端子電極と、を備え、前記有機絶縁層は、前記端子電極を露出する第１開口を有し、前記リブは、前記周辺領域に延出し、前記端子電極を露出する第２開口を有し、平面視において、前記第２開口のサイズは、前記第１開口のサイズよりも大きく、前記第１開口と前記第２開口との間で前記リブから露出する前記有機絶縁層の形状は、枠状である。
【選択図】図１１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
無機絶縁材料で形成され、前記下電極の周縁部に重なるリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、
前記周辺領域に配置された端子電極と、を備え、
前記有機絶縁層は、前記端子電極を露出する第１開口を有し、
前記リブは、前記周辺領域に延出し、前記端子電極を露出する第２開口を有し、
平面視において、前記第２開口のサイズは、前記第１開口のサイズよりも大きく、
前記第１開口と前記第２開口との間で前記リブから露出する前記有機絶縁層の形状は、枠状である、表示装置。
前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
無機絶縁材料で形成され、前記下電極の周縁部に重なるリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、
前記周辺領域に配置された端子電極と、を備え、
前記有機絶縁層は、前記端子電極を露出する第１開口を有し、
前記リブは、前記周辺領域に延出し、前記端子電極を露出する第２開口を有し、
平面視において、前記第２開口のサイズは、前記第１開口のサイズよりも大きく、
前記第１開口と前記第２開口との間で前記リブから露出する前記有機絶縁層の形状は、枠状である、表示装置。
【請求項2】
平面視において、前記端子電極のエッジは、前記第１開口の外側に位置し、前記第２開口の内側に位置している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記有機絶縁層は、ポリイミドで形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記リブは、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物のいずれかで形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記端子電極は、互いに異なる金属材料で形成された複数の薄膜を有する多層体である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
前記有機絶縁層は、凹部を有し、
前記リブは、前記第２開口に沿った周縁部を有し、
前記周縁部は、前記凹部に重畳し、前記有機絶縁層から離間している、請求項１に記載の表示装置。
前記リブは、前記第２開口に沿った周縁部を有し、
前記周縁部は、前記凹部に重畳し、前記有機絶縁層から離間している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
基板と、
前記基板の上方に配置された複数のパネル部と、
前記基板の上方において、前記パネル部よりも外側に配置されたアライメントマークと、を備え、
前記パネル部の各々は、
画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
無機絶縁材料で形成され、前記下電極の周縁部に重なるリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、
前記周辺領域に配置された端子電極と、を備え、
前記アライメントマークが配置されるマーク領域は、前記有機絶縁層とは異なる材料で形成された最上層を備えている、表示装置用マザー基板。
前記基板の上方に配置された複数のパネル部と、
前記基板の上方において、前記パネル部よりも外側に配置されたアライメントマークと、を備え、
前記パネル部の各々は、
画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、
前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、
無機絶縁材料で形成され、前記下電極の周縁部に重なるリブと、
前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、
前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、
前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、
前記周辺領域に配置された端子電極と、を備え、
前記アライメントマークが配置されるマーク領域は、前記有機絶縁層とは異なる材料で形成された最上層を備えている、表示装置用マザー基板。
【請求項8】
前記最上層は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物のいずれかで形成された無機絶縁層である、請求項７に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項9】
前記無機絶縁層は、前記リブと同一材料で形成されている、請求項８に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項10】
前記最上層は、前記端子電極と同一材料で形成された導電層である、請求項７に記載の表示装置用マザー基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置用マザー基板に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
このような表示素子を製造する過程において、信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置及び表示装置用マザー基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極の周縁部に重なるリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、前記周辺領域に配置された端子電極と、を備え、前記有機絶縁層は、前記端子電極を露出する第１開口を有し、前記リブは、前記周辺領域に延出し、前記端子電極を露出する第２開口を有し、平面視において、前記第２開口のサイズは、前記第１開口のサイズよりも大きく、前記第１開口と前記第２開口との間で前記リブから露出する前記有機絶縁層の形状は、枠状である。
基板と、前記基板の上方において、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極の周縁部に重なるリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、前記周辺領域に配置された端子電極と、を備え、前記有機絶縁層は、前記端子電極を露出する第１開口を有し、前記リブは、前記周辺領域に延出し、前記端子電極を露出する第２開口を有し、平面視において、前記第２開口のサイズは、前記第１開口のサイズよりも大きく、前記第１開口と前記第２開口との間で前記リブから露出する前記有機絶縁層の形状は、枠状である。
【0006】
一実施形態によれば、表示装置用マザー基板は、
基板と、前記基板の上方に配置された複数のパネル部と、前記基板の上方において、前記パネル部よりも外側に配置されたアライメントマークと、を備え、前記パネル部の各々は、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極の周縁部に重なるリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、前記周辺領域に配置された端子電極と、を備え、前記アライメントマークが配置されるマーク領域は、前記有機絶縁層とは異なる材料で形成された最上層を備えている。
基板と、前記基板の上方に配置された複数のパネル部と、前記基板の上方において、前記パネル部よりも外側に配置されたアライメントマークと、を備え、前記パネル部の各々は、画像を表示する表示領域及び前記表示領域よりも外側の周辺領域に亘って配置された有機絶縁層と、前記表示領域において、前記有機絶縁層の上に配置された下電極と、無機絶縁材料で形成され、前記下電極の周縁部に重なるリブと、前記リブの上に配置され導電材料で形成された下部と、前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部と、を有する隔壁と、前記下電極の上に配置され、発光層を含む有機層と、前記有機層を覆い、前記隔壁の前記下部に接触する上電極と、前記周辺領域に配置された端子電極と、を備え、前記アライメントマークが配置されるマーク領域は、前記有機絶縁層とは異なる材料で形成された最上層を備えている。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0009】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面で構成要素を見ることを平面視という。
【0010】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0011】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有する表示パネルＰＮＬを備えている。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡよりも外側の周辺領域ＳＡと、を有する表示パネルＰＮＬを備えている。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0012】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0013】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0014】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0015】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。
【0016】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0017】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0018】
周辺領域ＳＡは、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板を接続するための端子領域ＴＡを有している。端子領域ＴＡは、複数のパッド（端子）ＰＤを備えている。複数のパッドＰＤは、ＩＣチップの端子やフレキシブルプリント回路基板の端子と接続される。
【0019】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。
【0020】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0021】
なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0022】
表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。
隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0023】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１，２０２，２０３を備えている。
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を備えている。有機層ＯＲ１は、例えば青波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を備えている。有機層ＯＲ１は、例えば青波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２を備えている。有機層ＯＲ２は、例えば緑波長域の光を放つ発光層を含む。
副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３を備えている。有機層ＯＲ３は、例えば赤波長域の光を放つ発光層を含む。
【0024】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0025】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３のそれぞれの周縁部、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。
【0026】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0027】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0028】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積、開口ＡＰ２の面積、及び、開口ＡＰ３の面積は、互いに異なる。すなわち、開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0029】
図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する有機絶縁層である。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する有機絶縁層である。
【0030】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置され、互いに離間している。リブ５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。リブ５の開口ＡＰ１は下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は下電極ＬＥ３に重なっている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の周縁部は、リブ５で覆われている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれの画素回路１に接続されている。
【0031】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0032】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
【0033】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下部６１に接触している。
【0034】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３を覆うとともに、その周縁部がリブ５の上に位置している。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下部６１に接触している。
【0035】
図３の例においては、副画素ＳＰ１はキャップ層ＣＰ１及び封止層ＳＥ１を有し、副画素ＳＰ２はキャップ層ＣＰ２及び封止層ＳＥ２を有し、副画素ＳＰ３はキャップ層ＣＰ３及び封止層ＳＥ３を有している。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３から放たれた光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0036】
キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
【0037】
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３の上に配置され、隔壁６に接触し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
【0038】
図３の例においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の一部は、副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６の上に位置している。これらの部分は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のうち開口ＡＰ１に位置する部分（表示素子２０１を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子２０２を構成する部分）から離間している。
同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置し、これらの部分は、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子２０３を構成する部分）から離間している。
【0039】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の端部は、隔壁６の上に位置している。図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ１，ＳＥ２の端部同士が離間し、副画素ＳＰ２，ＳＰ３間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ２，ＳＥ３の端部同士が離間している。
【0040】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。封止層１４は、樹脂層１５によって覆われている。
【0041】
リブ５、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３、及び、封止層１４は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁材料で形成されている。なお、リブ５、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３、及び、封止層１４は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの他の無機絶縁材料で形成されてもよい。
【0042】
隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成され、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の下部６１及び上部６２がいずれも導電材料によって形成されてもよい。
【0043】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、後に詳述するが、透明電極及び金属電極を有する多層体である。
【0044】
有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ１、発光層ＥＭ２、及び、発光層ＥＭ３は、互いに異なる材料で形成されている。一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
また、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。
また、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。
【0045】
キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、複数の薄膜の多層体である。複数の薄膜は、いずれも透明であり、しかも、互いに異なる屈折率を有している。
【0046】
なお、図３に示した回路層１１、絶縁層１２、及び、リブ５は、表示領域ＤＡ及び周辺領域ＳＡに亘って配置されている。
【0047】
【0048】
まず、図４に示すように、絶縁層１２の上に、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３を形成した後に、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５と、下部６１及び上部６２を有する隔壁６と、を形成する。開口ＡＰ１は副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１に重なり、開口ＡＰ２は副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２に重なり、開口ＡＰ３は副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３に重なる。
なお、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５が形成された後に、下部６１及び上部６２を有する隔壁６が形成されてもよいし、隔壁６が形成された後に、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３が形成されてもよい。
なお、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５が形成された後に、下部６１及び上部６２を有する隔壁６が形成されてもよいし、隔壁６が形成された後に、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３が形成されてもよい。
【0049】
続いて、表示素子２０１を形成する。
まず、図５に示すように、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層（ＥＭ１）、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。
その後、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
その後、上電極ＵＥ１の上に、高屈折率材料及び低屈折率材料を蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
その後、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。
まず、図５に示すように、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層（ＥＭ１）、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１を形成する。
その後、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１を形成する。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。
その後、上電極ＵＥ１の上に、高屈折率材料及び低屈折率材料を蒸着して、キャップ層ＣＰ１を形成する。
その後、キャップ層ＣＰ１及び隔壁６を連続的に覆うように、封止層ＳＥ１を形成する。
【0050】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２，ＳＰ３にも配置されている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。
【0051】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１がそれぞれ蒸着によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、上部６２によって遮られる。このため、上部６２の上には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のそれぞれの一部が積層される。上部６２の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の各々は、下電極ＬＥ１の直上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１から離間している。
【0052】
続いて、図６に示すように、封止層ＳＥ１の上に、所定の形状のレジストＲ３を形成する。レジストＲ３は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部に重なっている。
【0053】
続いて、図７に示すように、レジストＲ３をマスクとしたエッチングにより、レジストＲ３から露出した封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１を順次除去する。これにより、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２及び副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【0054】
続いて、図８に示すように、レジストＲ３を除去する。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子２０１が形成される。
【0055】
続いて、図９に示すように、表示素子２０２を形成する。表示素子２０２を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ２の上に、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２を順に形成する。その後、封止層ＳＥ２の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子２０２が形成され、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３が露出する。
【0056】
続いて、図１０に示すように、表示素子２０３を形成する。表示素子２０３を形成する手順は、表示素子２０１を形成する手順と同様である。すなわち、下電極ＬＥ３の上に、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３を順に形成する。その後、封止層ＳＥ３の上にレジストを形成し、このレジストをマスクとしたエッチングにより、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３が順次パターニングされる。このパターニングの後、レジストを除去する。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子２０３が形成される。
【0057】
その後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４、及び、樹脂層１５を順に形成する。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。
【0058】
なお、以上の製造工程においては、最初に表示素子２０１が形成され、次に表示素子２０２が形成され、最後に表示素子２０３が形成される場合を想定したが、表示素子２０１，２０２，２０３の形成順はこの例に限られない。
【0059】
次に、周辺領域ＳＡのパッドＰＤについて説明する。
【0060】
図１１は、パッドＰＤの一構成例を示す平面図である。
パッドＰＤは、端子電極ＴＮを備えている。
絶縁層１２及びリブ５は、表示領域ＤＡのみならず、周辺領域ＳＡにも配置されている。絶縁層１２は、端子電極ＴＮを露出する開口ＯＰ１２を有している。また、リブ５は、端子電極ＴＮを露出する開口ＯＰ５を有している。平面視において、開口ＯＰ５のサイズは、開口ＯＰ１２のサイズよりも大きい。しかも、開口ＯＰ１２を規定するエッジの全周は、開口ＯＰ５の内側に位置している。このため、絶縁層１２の一部は、リブ５から露出している。開口ＯＰ１２と開口ＯＰ５との間でリブ５から露出する絶縁層１２の形状は、図中に斜線で示したように、枠状である。
端子電極ＴＮの周縁部は、絶縁層１２で覆われており、リブ５には重畳していない。つまり、平面視において、端子電極ＴＮのエッジＴＮＥは、開口ＯＰ１２の外側に位置し、開口ＯＰ５の内側に位置している。
パッドＰＤは、端子電極ＴＮを備えている。
絶縁層１２及びリブ５は、表示領域ＤＡのみならず、周辺領域ＳＡにも配置されている。絶縁層１２は、端子電極ＴＮを露出する開口ＯＰ１２を有している。また、リブ５は、端子電極ＴＮを露出する開口ＯＰ５を有している。平面視において、開口ＯＰ５のサイズは、開口ＯＰ１２のサイズよりも大きい。しかも、開口ＯＰ１２を規定するエッジの全周は、開口ＯＰ５の内側に位置している。このため、絶縁層１２の一部は、リブ５から露出している。開口ＯＰ１２と開口ＯＰ５との間でリブ５から露出する絶縁層１２の形状は、図中に斜線で示したように、枠状である。
端子電極ＴＮの周縁部は、絶縁層１２で覆われており、リブ５には重畳していない。つまり、平面視において、端子電極ＴＮのエッジＴＮＥは、開口ＯＰ１２の外側に位置し、開口ＯＰ５の内側に位置している。
【0061】
本実施形態において、例えば、開口ＯＰ１２は第１開口に相当し、開口ＯＰ５は第２開口に相当する。
【0062】
図１２は、図１１中のａ－ｂ線に沿うパッドＰＤの断面図である。
絶縁層１１１、絶縁層１１２、及び、絶縁層１１３は、図３に示した回路層１１に含まれる絶縁層であり、金属層ＭＬ及び端子電極ＴＮは、図３に示した回路層１１に含まれる導電層である。
絶縁層１１１、絶縁層１１２、及び、絶縁層１１３は、図３に示した回路層１１に含まれる絶縁層であり、金属層ＭＬ及び端子電極ＴＮは、図３に示した回路層１１に含まれる導電層である。
【0063】
リブ５、絶縁層１１１及び絶縁層１１２は、例えば、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物などで形成された無機絶縁層である。
絶縁層１１３及び絶縁層１２は、ポリイミドで形成された有機絶縁層である。
絶縁層１１３及び絶縁層１２は、ポリイミドで形成された有機絶縁層である。
【0064】
金属層ＭＬは、絶縁層１１１の上に配置されている。金属層ＭＬは、互いに異なる金属材料で形成された複数の薄膜を有する多層体である。一例では、金属層ＭＬは、チタン系の薄膜Ｌ１と、薄膜Ｌ１の上に位置するアルミニウム系の薄膜Ｌ２と、薄膜Ｌ２の上に位置するチタン系の薄膜Ｌ３と、を備えている。なお、薄膜Ｌ１及びＬ３は、モリブデン系の薄膜であってもよい。
【0065】
絶縁層１１２は、絶縁層１１１の上に配置され、金属層ＭＬの周縁部を覆っている。絶縁層１１３は、絶縁層１１２の上に配置されている。
【0066】
端子電極ＴＮは、絶縁層１１２から露出した金属層ＭＬを覆っている。端子電極ＴＮの周縁部は、絶縁層１１２及び絶縁層１１３の上に位置している。
端子電極ＴＮは、互いに異なる金属材料で形成された複数の薄膜を有する多層体である。一例では、端子電極ＴＮは、チタン系の薄膜Ｌ１１と、薄膜Ｌ１１の上に位置するアルミニウム系の薄膜Ｌ１２と、薄膜Ｌ１２の上に位置するチタン系の薄膜Ｌ１３と、を備えている。なお、薄膜Ｌ１１及びＬ１３は、モリブデン系の薄膜であってもよい。薄膜Ｌ１１は、金属層ＭＬの薄膜Ｌ３に接触している。
端子電極ＴＮは、互いに異なる金属材料で形成された複数の薄膜を有する多層体である。一例では、端子電極ＴＮは、チタン系の薄膜Ｌ１１と、薄膜Ｌ１１の上に位置するアルミニウム系の薄膜Ｌ１２と、薄膜Ｌ１２の上に位置するチタン系の薄膜Ｌ１３と、を備えている。なお、薄膜Ｌ１１及びＬ１３は、モリブデン系の薄膜であってもよい。薄膜Ｌ１１は、金属層ＭＬの薄膜Ｌ３に接触している。
【0067】
絶縁層１２は、絶縁層１１３の上に配置され、端子電極ＴＮの周縁部を覆っている。絶縁層１２の開口ＯＰ１２においては、端子電極ＴＮ（あるいは薄膜Ｌ３）が露出している。リブ５は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５の開口ＯＰ５においては、端子電極ＴＮが露出している。開口ＯＰ５と開口ＯＰ１２との間においては、絶縁層１２がリブ５から露出している。
【0068】
図１３は、図１２に示したパッドＰＤに蒸着膜ＤＦが形成された様子を説明するための断面図である。
ここでの蒸着膜ＤＦとは、図５を参照して説明した表示素子２０１を形成するための有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１の少なくとも一部である。蒸着膜ＤＦは、リブ５、絶縁層１２、及び、端子電極ＴＮの上に形成される。
ここでの蒸着膜ＤＦとは、図５を参照して説明した表示素子２０１を形成するための有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１の少なくとも一部である。蒸着膜ＤＦは、リブ５、絶縁層１２、及び、端子電極ＴＮの上に形成される。
【0069】
このような構成例によれば、パッドＰＤを構成する導電層同士の界面、導電層と絶縁層との界面、あるいは、絶縁層同士の界面において、局所的な応力の集中を抑制することができる。このため、図７を参照して説明したように、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１がそれぞれエッチングによって除去されるまでの間に、パッドＰＤからの蒸着膜ＤＦの離脱を抑制することができる。
【0070】
なお、蒸着膜ＤＦが表示素子２０２を形成するための有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２の少なくとも一部である場合であっても、同様の効果が得られる。
また、蒸着膜ＤＦが表示素子２０３を形成するための有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３の少なくとも一部である場合であっても、同様の効果が得られる。
また、蒸着膜ＤＦが表示素子２０３を形成するための有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３の少なくとも一部である場合であっても、同様の効果が得られる。
【0071】
次に、比較例について説明する。
【0072】
図１４は、比較例のパッドＰＤに蒸着膜ＤＦが形成された様子を説明するための断面図である。
図１４に示す比較例は、上記の構成例と比較して、リブ５の開口ＯＰ５のサイズが絶縁層１２の開口ＯＰ１２のサイズよりも小さい点で相違している。つまり、リブ５は、絶縁層１２を覆い、端子電極ＴＮに接触している。
発明者が検討したところ、図１４に示す比較例においては、絶縁層１２、リブ５、及び端子電極ＴＮが互いに接触する部分ＣＸにおいて、応力が集中することが確認された。
図１４に示す比較例は、上記の構成例と比較して、リブ５の開口ＯＰ５のサイズが絶縁層１２の開口ＯＰ１２のサイズよりも小さい点で相違している。つまり、リブ５は、絶縁層１２を覆い、端子電極ＴＮに接触している。
発明者が検討したところ、図１４に示す比較例においては、絶縁層１２、リブ５、及び端子電極ＴＮが互いに接触する部分ＣＸにおいて、応力が集中することが確認された。
【0073】
このような比較例のパッドＰＤに蒸着膜ＤＦが形成された場合、応力が集中する部分ＣＸを起点として、蒸着膜ＤＦがリブ５から浮き上がりやすい。リブ５から離脱した蒸着膜ＤＦは、異物となって製造装置内を浮遊し、汚染源となり得る。また、浮遊した異物が処理基板に付着すると、種々の欠陥を引き起こす原因となり得る。
【0074】
以上説明したように、本実施形態によれば、パッドＰＤからの蒸着膜ＤＦの離脱を抑制することができる。これにより、製造装置の汚染や、不所望な異物の生成が抑制される。したがって、信頼性の低下が抑制される。
【0075】
図１５は、図１１中のａ－ｂ線に沿うパッドＰＤの他の構成例を示す断面図である。
図１５に示す構成例は、図１２に示した構成例と比較して、絶縁層１２がリブ５と接触する上面に凹部１２Ｃを有する点で相違している。
リブ５は、開口ＯＰ５に沿った周縁部５Ｅを有している。周縁部５Ｅは、凹部１２Ｃに重畳し、絶縁層１２から離間している。つまり、リブ５は、オーバーハング状に形成されている。
図１５に示す構成例は、図１２に示した構成例と比較して、絶縁層１２がリブ５と接触する上面に凹部１２Ｃを有する点で相違している。
リブ５は、開口ＯＰ５に沿った周縁部５Ｅを有している。周縁部５Ｅは、凹部１２Ｃに重畳し、絶縁層１２から離間している。つまり、リブ５は、オーバーハング状に形成されている。
【0076】
図１６は、図１５に示したパッドＰＤに蒸着膜ＤＦが形成された様子を説明するための断面図である。
蒸着膜ＤＦは、リブ５の上に形成されるとともに、絶縁層１２及び端子電極ＴＮの上にも形成される。但し、リブ５の上に形成された蒸着膜ＤＦは、絶縁層１２の上に形成された蒸着膜ＤＦから離間している。つまり、蒸着膜ＤＦは、オーバーハング状のリブ５で分断されている。このため、蒸着膜ＤＦは、パッドＰＤにおいて細分化される。これにより、蒸着膜ＤＦに生ずる応力が低減される。
このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。加えて、蒸着膜ＤＦが細分化されることにより、蒸着膜ＤＦに生ずる応力が低減され、さらに、パッドＰＤからの蒸着膜ＤＦの離脱が抑制される。
蒸着膜ＤＦは、リブ５の上に形成されるとともに、絶縁層１２及び端子電極ＴＮの上にも形成される。但し、リブ５の上に形成された蒸着膜ＤＦは、絶縁層１２の上に形成された蒸着膜ＤＦから離間している。つまり、蒸着膜ＤＦは、オーバーハング状のリブ５で分断されている。このため、蒸着膜ＤＦは、パッドＰＤにおいて細分化される。これにより、蒸着膜ＤＦに生ずる応力が低減される。
このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。加えて、蒸着膜ＤＦが細分化されることにより、蒸着膜ＤＦに生ずる応力が低減され、さらに、パッドＰＤからの蒸着膜ＤＦの離脱が抑制される。
【0077】
次に、複数の表示装置ＤＳＰを一括して製造するための表示装置用マザー基板１００について説明する。
【0078】
図１７は、表示装置用マザー基板１００の一例を示す平面図である。
表示装置用マザー基板１００は、大型の基板１０の上に、複数のパネル部ＰＰと、アライメントマークＡＭと、を備えている。アライメントマークＡＭは、パネル部ＰＰよりも外側に配置されている。
表示装置用マザー基板１００は、大型の基板１０の上に、複数のパネル部ＰＰと、アライメントマークＡＭと、を備えている。アライメントマークＡＭは、パネル部ＰＰよりも外側に配置されている。
【0079】
表示装置用マザー基板１００をカットラインに沿って割断することで取り出されるパネル部ＰＰの各々は、図１に示した表示パネルＰＮＬに相当する。つまり、パネル部ＰＰの各々は、図１に示したように、表示領域ＤＡ及び周辺領域ＳＡを有している。また、パネル部ＰＰの各々は、図３に示したように、回路層１１、絶縁層１２、リブ５、隔壁６、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３などを備えている。また、パネル部ＰＰの各々は、図１１等に示したように、周辺領域ＳＡにおいて、パッドＰＤを備えている。各パネル部ＰＰにおいて、回路層１１、絶縁層１２、及び、リブ５は、表示領域ＤＡ及び周辺領域ＳＡに亘って配置されている。
【0080】
図１８は、図１７に示したアライメントマークＡＭの一例を示す平面図である。
アライメントマークＡＭは、４つのマークＭＫを有している。マークＭＫの各々は、Ｌ字状に形成されている。これらの４つのマークＭＫは、互いに離間し、十字状のスペースを形成している。
以下に、アライメントマークＡＭが配置されるマーク領域ＭＫＡについて説明する。
アライメントマークＡＭは、４つのマークＭＫを有している。マークＭＫの各々は、Ｌ字状に形成されている。これらの４つのマークＭＫは、互いに離間し、十字状のスペースを形成している。
以下に、アライメントマークＡＭが配置されるマーク領域ＭＫＡについて説明する。
【0081】
【0082】
図１９に示す例では、絶縁層１２２が絶縁層１２１の上に配置され、絶縁層１２３が絶縁層１２２の上に配置され、無機絶縁層１３０が絶縁層１２３の上に配置されている。
絶縁層１２１は、図１２に示した絶縁層１１２が延出することによって形成された絶縁層である。
絶縁層１２２は、図１２に示した絶縁層１１３が延出することによって形成された絶縁層である。
絶縁層１２３は、図１２に示した絶縁層１２が延出することによって形成された絶縁層である。
無機絶縁層１３０は、図１７に示したパネル部ＰＰのリブ５が延出することによって形成された絶縁層である。つまり、マーク領域ＭＫＡの最上層は、絶縁層１２２及び絶縁層１２３といった有機絶縁層とは異なる材料で形成されている。
絶縁層１２１は、図１２に示した絶縁層１１２が延出することによって形成された絶縁層である。
絶縁層１２２は、図１２に示した絶縁層１１３が延出することによって形成された絶縁層である。
絶縁層１２３は、図１２に示した絶縁層１２が延出することによって形成された絶縁層である。
無機絶縁層１３０は、図１７に示したパネル部ＰＰのリブ５が延出することによって形成された絶縁層である。つまり、マーク領域ＭＫＡの最上層は、絶縁層１２２及び絶縁層１２３といった有機絶縁層とは異なる材料で形成されている。
【0083】
無機絶縁層１３０は、リブ５と同一材料で形成されており、例えば、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物などで形成されている。
【0084】
このようなマーク領域ＭＫＡに一点鎖線で示す蒸着膜ＤＦが形成された場合、最上層が有機絶縁層である場合と比較して、蒸着膜ＤＦが無機絶縁層１３０に密着する。このため、蒸着膜ＤＦがエッチングによって除去されるまでの間に、マーク領域ＭＫＡからの蒸着膜ＤＦの離脱を抑制することができる。
したがって、信頼性の低下が抑制される。
したがって、信頼性の低下が抑制される。
【0085】
図２０は、図１８中のＣ－Ｄ線に沿うマーク領域ＭＫＡの他の構成例を示す断面図である。
図２０に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、絶縁層１２３が省略され、無機絶縁層１３０が絶縁層１２２の上に配置された点で相違している。マーク領域ＭＫＡにおいて、最上層が無機絶縁層１３０である点については、上記の構成例と同一である。
このような構成例においても、図１９に示した構成例と同様の効果が得られる。
図２０に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、絶縁層１２３が省略され、無機絶縁層１３０が絶縁層１２２の上に配置された点で相違している。マーク領域ＭＫＡにおいて、最上層が無機絶縁層１３０である点については、上記の構成例と同一である。
このような構成例においても、図１９に示した構成例と同様の効果が得られる。
【0086】
図２１は、図１８中のＣ－Ｄ線に沿うマーク領域ＭＫＡの他の構成例を示す断面図である。
図２１に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、絶縁層１２２が省略され、絶縁層１２３が絶縁層１２１の上に配置された点で相違している。マーク領域ＭＫＡにおいて、最上層が無機絶縁層１３０である点については、上記の構成例と同一である。
このような構成例においても、図１９に示した構成例と同様の効果が得られる。
図２１に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、絶縁層１２２が省略され、絶縁層１２３が絶縁層１２１の上に配置された点で相違している。マーク領域ＭＫＡにおいて、最上層が無機絶縁層１３０である点については、上記の構成例と同一である。
このような構成例においても、図１９に示した構成例と同様の効果が得られる。
【0087】
図２２は、図１８中のＣ－Ｄ線に沿うマーク領域ＭＫＡの他の構成例を示す断面図である。
図２２に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、絶縁層１２２及び絶縁層１２３が省略され、無機絶縁層１３０が絶縁層１２１の上に配置された点で相違している。マーク領域ＭＫＡにおいて、最上層が無機絶縁層１３０である点については、上記の構成例と同一である。
このような構成例においても、図１９に示した構成例と同様の効果が得られる。
図２２に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、絶縁層１２２及び絶縁層１２３が省略され、無機絶縁層１３０が絶縁層１２１の上に配置された点で相違している。マーク領域ＭＫＡにおいて、最上層が無機絶縁層１３０である点については、上記の構成例と同一である。
このような構成例においても、図１９に示した構成例と同様の効果が得られる。
【0088】
図２３は、図１８中のＣ－Ｄ線に沿うマーク領域ＭＫＡの他の構成例を示す断面図である。
図２３に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、絶縁層１２２及び絶縁層１２３が省略され、無機絶縁層１３０と絶縁層１２１との間に導電層ＣＬが配置された点で相違している。導電層ＣＬは、図１２に示した端子電極ＴＮと同一材料によって形成されている。マーク領域ＭＫＡにおいて、最上層が無機絶縁層１３０である点については、上記の構成例と同一である。
このような構成例においても、図１９に示した構成例と同様の効果が得られる。
図２３に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、絶縁層１２２及び絶縁層１２３が省略され、無機絶縁層１３０と絶縁層１２１との間に導電層ＣＬが配置された点で相違している。導電層ＣＬは、図１２に示した端子電極ＴＮと同一材料によって形成されている。マーク領域ＭＫＡにおいて、最上層が無機絶縁層１３０である点については、上記の構成例と同一である。
このような構成例においても、図１９に示した構成例と同様の効果が得られる。
【0089】
図２４は、図１８中のＣ－Ｄ線に沿うマーク領域ＭＫＡの他の構成例を示す断面図である。
図２４に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、絶縁層１２２、絶縁層１２３、及び、無機絶縁層１３０が省略され、導電層ＣＬが絶縁層１２１の上に配置された点で相違している。つまり、マーク領域ＭＫＡにおける最上層は、導電層ＣＬである。導電層ＣＬは、図１２に示した端子電極ＴＮと同一材料によって形成されている。
このようなマーク領域ＭＫＡに一点鎖線で示す蒸着膜ＤＦが形成された場合、最上層が有機絶縁層である場合と比較して、蒸着膜ＤＦが導電層ＣＬに密着する。このため、蒸着膜ＤＦがエッチングによって除去されるまでの間に、マーク領域ＭＫＡからの蒸着膜ＤＦの離脱を抑制することができる。
したがって、信頼性の低下が抑制される。
図２４に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、絶縁層１２２、絶縁層１２３、及び、無機絶縁層１３０が省略され、導電層ＣＬが絶縁層１２１の上に配置された点で相違している。つまり、マーク領域ＭＫＡにおける最上層は、導電層ＣＬである。導電層ＣＬは、図１２に示した端子電極ＴＮと同一材料によって形成されている。
このようなマーク領域ＭＫＡに一点鎖線で示す蒸着膜ＤＦが形成された場合、最上層が有機絶縁層である場合と比較して、蒸着膜ＤＦが導電層ＣＬに密着する。このため、蒸着膜ＤＦがエッチングによって除去されるまでの間に、マーク領域ＭＫＡからの蒸着膜ＤＦの離脱を抑制することができる。
したがって、信頼性の低下が抑制される。
【0090】
図２５は、図１８中のＣ－Ｄ線に沿うマーク領域ＭＫＡの他の構成例を示す断面図である。
図２５に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、絶縁層１２２、絶縁層１２３、及び、無機絶縁層１３０が省略された点で相違している。つまり、マーク領域ＭＫＡにおける最上層は、絶縁層１２１である。
このような構成例においても、図１９に示した構成例と同様の効果が得られる。
図２５に示す構成例は、図１９に示した構成例と比較して、絶縁層１２２、絶縁層１２３、及び、無機絶縁層１３０が省略された点で相違している。つまり、マーク領域ＭＫＡにおける最上層は、絶縁層１２１である。
このような構成例においても、図１９に示した構成例と同様の効果が得られる。
【0091】
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置及び表示装置用マザー基板を提供することができる。
【0092】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及び表示装置用マザー基板を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及び表示装置用マザー基板も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0093】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0094】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0095】
ＤＳＰ…表示装置
１０…基板
１２…絶縁層（有機絶縁層） ＯＰ１２…開口（第１開口） １２Ｃ…凹部
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口 ＯＰ５…開口（第２開口）
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＤＡ…表示領域 ＳＡ…周辺領域
ＰＤ…パッド ＴＮ…端子電極
１００…表示装置用マザー基板 ＰＰ…パネル部
ＡＭ…アライメントマーク ＭＫＡ…マーク領域
１０…基板
１２…絶縁層（有機絶縁層） ＯＰ１２…開口（第１開口） １２Ｃ…凹部
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口 ＯＰ５…開口（第２開口）
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＤＡ…表示領域 ＳＡ…周辺領域
ＰＤ…パッド ＴＮ…端子電極
１００…表示装置用マザー基板 ＰＰ…パネル部
ＡＭ…アライメントマーク ＭＫＡ…マーク領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】