特開 2024-83206 プリント回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024083206

(43)【公開日】2024-06-20

(54)【発明の名称】プリント回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/18 20060101AFI20240613BHJP

   H05K 1/11 20060101ALI20240613BHJP

   H05K 3/40 20060101ALI20240613BHJP

   H05K 3/42 20060101ALI20240613BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240613BHJP

【ＦＩ】

H05K3/18 J

H05K1/11 H

H05K3/40 E

H05K3/42 630

H05K3/46 E

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023076294

(22)【出願日】2023-05-02

(31)【優先権主張番号】10-2022-0170860

(32)【優先日】2022-12-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ

２．Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ

３．ＰＩＤ

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】趙 尚益

(72)【発明者】

【氏名】朴 美貞

(72)【発明者】

【氏名】金 美▲グン▼

(72)【発明者】

【氏名】李 勇秀

(72)【発明者】

【氏名】韓 成

(72)【発明者】

【氏名】朴 鍾殷

【テーマコード（参考）】

5E316

5E317

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E316AA15

5E316AA35

5E316AA43

5E316BB02

5E316BB03

5E316BB04

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC32

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE13

5E316FF07

5E316FF13

5E316FF14

5E316HH26

5E316HH40

5E317AA24

5E317BB02

5E317BB03

5E317BB12

5E317CC25

5E317CC32

5E317CC33

5E317CD32

5E317GG01

5E317GG03

5E317GG14

5E343AA02

5E343AA07

5E343AA17

5E343AA18

5E343BB24

5E343BB35

5E343BB67

5E343DD25

5E343DD33

5E343DD43

5E343GG02

5E343GG06

5E343GG08

(57)【要約】

【課題】有機絶縁層との高い密着力を有すると共にビアホール内の優れたカバレージ特性を有するシード金属層を含む、プリント回路基板を提供する。
【解決手段】本発明は、第１金属層と、前記第１金属層の少なくとも一部を覆い、前記第１金属層の上面の少なくとも一部を露出させるビアホールを有する有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上面上に配置される第１シード金属層と、前記第１シード金属層上に配置され、前記ビアホールの壁面及び前記第１金属層の露出した上面上に延びる第２シード金属層と、前記第２シード金属層上に配置され、前記ビアホールの少なくとも一部を充填する第２金属層とを含み、前記第１シード金属層は、チタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層を含み、前記第２シード金属層は、無電解めっき層を含む、プリント回路基板に関する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１金属層と、
前記第１金属層の少なくとも一部を覆い、前記第１金属層の上面の少なくとも一部を露出させるビアホールを有する有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の上面上に配置される第１シード金属層と、
前記第１シード金属層上に配置され、前記ビアホールの壁面及び前記第１金属層の露出した上面上に延びる第２シード金属層と、
前記第２シード金属層上に配置され、前記ビアホールの少なくとも一部を充填する第２金属層とを含み、
前記第１シード金属層は、チタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層を含み、
前記第２シード金属層は、無電解めっき層を含む、プリント回路基板。

【請求項2】

前記第１シード金属層は、前記有機絶縁層の上面の少なくとも一部に接触し、前記ビアホールの壁面及び前記第１金属層の露出した上面に接触するように延び、前記第２シード金属層は、前記ビアホール内で前記第１シード金属層上に配置される、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項3】

前記第１シード金属層は、前記有機絶縁層の上面の少なくとも一部に接触し、前記ビアホール内に延びず、前記第２シード金属層は、前記ビアホールの壁面及び前記第１金属層の露出した上面に接触する、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項4】

前記第１シード金属層は、銅（Ｃｕ）を含む第２スパッタリング層をさらに含み、
前記第２スパッタリング層は、前記第１スパッタリング層上に配置される、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項5】

前記第２スパッタリング層は、ニッケル（Ｎｉ）を含まず、
前記無電解めっき層は、銅（Ｃｕ）を含み、ニッケル（Ｎｉ）をさらに含む、請求項４に記載のプリント回路基板。

【請求項6】

前記第１シード金属層は、前記有機絶縁層の上面の少なくとも一部に接触し、前記ビアホールの壁面及び前記第１金属層の露出した上面に接触するように延び、前記第２シード金属層は、前記ビアホール内で前記第１シード金属層上に配置される、請求項４に記載のプリント回路基板。

【請求項7】

前記第１シード金属層は、前記有機絶縁層の上面の少なくとも一部に接触し、前記ビアホール内に延びず、前記第２シード金属層は、前記ビアホールの壁面及び前記第１金属層の露出した上面に接触する、請求項４に記載のプリント回路基板。

【請求項8】

前記第２金属層は、銅（Ｃｕ）を含む電解めっき層を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項9】

前記有機絶縁層は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項10】

有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の下側に配置される導体パッドと、
前記有機絶縁層の上側に配置される配線層と、
前記有機絶縁層を貫通し、前記配線層を前記導体パッドに接続する導体ビアとを含み、
前記配線層は、チタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層を含む第１シード金属層、前記第１シード金属層上に配置される無電解めっき層を含む第２シード金属層、及び前記第２シード金属層上に配置される電解めっき層を含む金属層を含み、
前記導体ビアは、前記第２シード金属層及び前記金属層を含む、プリント回路基板。

【請求項11】

前記第１シード金属層は、銅（Ｃｕ）を含む第２スパッタリング層をさらに含み、
前記第２スパッタリング層は、前記第１スパッタリング層上に配置される、請求項１０に記載のプリント回路基板。

【請求項12】

前記第２スパッタリング層は、ニッケル（Ｎｉ）を含まず、
前記無電解めっき層は、銅（Ｃｕ）を含み、ニッケル（Ｎｉ）をさらに含み、
前記電解めっき層は、銅（Ｃｕ）を含む、請求項１１に記載のプリント回路基板。

【請求項13】

前記導体ビアは、前記第１シード金属層をさらに含む、請求項１０に記載のプリント回路基板。

【請求項14】

前記第１シード金属層は、銅（Ｃｕ）を含む第２スパッタリング層をさらに含み、
前記第２スパッタリング層は、前記第１スパッタリング層上に配置される、請求項１３に記載のプリント回路基板。

【請求項15】

前記第２スパッタリング層は、ニッケル（Ｎｉ）を含まず、
前記無電解めっき層は、銅（Ｃｕ）を含み、ニッケル（Ｎｉ）をさらに含み、
前記電解めっき層は、銅（Ｃｕ）を含む、請求項１４に記載のプリント回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、プリント回路基板に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体チップの多機能及び高性能化に対応するためのチップサイズの大面積化の限界によってチップレット技術が台頭しており、それにより、パッケージ基板の配線のライン／スペースがますます微細化している。ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）工法面において、そのような微細化に対応するためには、薄いシード層を形成してフラッシュエッチングの量を最小限に抑えることが必要であり、そのための薄いシード層には低粗度の絶縁基材との高い密着力とビアホール内の優れたカバレージ特性が要求されている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本発明の様々な目的の１つは、有機絶縁層との高い密着力を有すると共にビアホール内の優れたカバレージ特性を有するシード金属層を含む、プリント回路基板を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本発明により提案される様々な解決手段の１つは、スパッタリング工法で有機絶縁材上にチタン（Ｔｉ）層及び／又は銅（Ｃｕ）層を含む第１シード金属層を形成し、無電解めっき（例えば、化学銅）工法で第１シード金属層上及びビアホール内に第２シード金属層を形成することである。

【0005】

例えば、一例によるプリント回路基板は、第１金属層と、前記第１金属層の少なくとも一部を覆い、前記第１金属層の上面の少なくとも一部を露出させるビアホールを有する有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上面上に配置される第１シード金属層と、前記第１シード金属層上に配置され、前記ビアホールの壁面及び前記第１金属層の露出した上面上に延びる第２シード金属層と、前記第２シード金属層上に配置され、前記ビアホールの少なくとも一部を充填する第２金属層とを含み、前記第１シード金属層は、チタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層を含み、前記第２シード金属層は、無電解めっき層を含むものであってもよい。

【0006】

例えば、一例によるプリント回路基板は、有機絶縁層と、前記有機絶縁層の下側に配置される導体パッドと、前記有機絶縁層の上側に配置される配線層と、前記有機絶縁層を貫通し、前記配線層を前記導体パッドに接続する導体ビアとを含み、前記配線層は、チタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層を含む第１シード金属層、前記第１シード金属層上に配置される無電解めっき層を含む第２シード金属層、及び前記第２シード金属層上に配置される電解めっき層を含む金属層を含み、前記導体ビアは、前記第２シード金属層及び前記金属層を含むものであってもよい。

【発明の効果】

【0007】

本発明の様々な効果の一効果として、有機絶縁層との高い密着力を有すると共にビアホール内の優れたカバレージ特性を有するシード金属層を含む、プリント回路基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。

【図2】電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。

【図3】プリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。

【図4】プリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。

【図5】プリント回路基板のさらに他の一例を概略的に示す断面図である。

【図6】プリント回路基板のさらに他の一例を概略的に示す断面図である。

【図7】図７ａ～７ｃは、シード金属層でチタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層及び銅（Ｃｕ）を含む第２スパッタリング層を形成した場合を概略的に示すイメージである。

【図8】図８ａ～８ｃは、シード金属層でチタン（Ｔｉ）を含むスパッタリング層及び銅（Ｃｕ）を含む無電解めっき層を形成した場合を概略的に示すイメージである。

【図9】図９ａ～９ｃは、シード金属層でチタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層、銅（Ｃｕ）を含む第２スパッタリング層、及び銅（Ｃｕ）を含む無電解めっき層を形成した場合を概略的に示すイメージである。

【図10】プリント回路基板のさらに他の一例を概略的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付図面を参照して本発明について説明する。図面において、要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張又は縮小することがある。

【0010】

電子機器
図１は電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。

【0011】

図面を参照すると、電子機器１０００は、メインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／又は電気的に接続されている。それらは、後述する他の電子部品とも結合されて様々な信号ライン１０９０を形成する。

【0012】

チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップや、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップや、アナログ／デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、それらに限定されるものではなく、それら以外にも、その他の異なる形態のチップ関連電子部品が含まれてもよいことは言うまでもない。また、それらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージの形態であってもよい。

【0013】

ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びその後のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、それらに限定されるものではなく、それら以外にも、その他の異なる複数の無線又は有線標準やプロトコルのうちの任意のものが含まれてもよい。また、ネットワーク関連部品１０３０をチップ関連部品１０２０と共に互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。

【0014】

その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）フィルタ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが含まれる。ただし、それらに限定されるものではなく、それら以外にも、その他の異なる様々な用途のために用いられるチップ部品形態の受動素子などが含まれてもよい。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。

【0015】

電子機器１０００の種類によって、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に接続されてもよく接続されなくてもよい他の電子部品を含んでもよい。他の電子部品の例としては、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリ１０８０などが挙げられる。ただし、それらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、コンパス、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）などであってもよい。それら以外にも、電子機器１０００の種類によって様々な用途のために用いられるその他の電子部品などが含まれてもよいことは言うまでもない。

【0016】

電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、パーソナルデジタルアシスタント（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニタ（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであってもよい。ただし、それらに限定されるものではなく、それら以外にも、データを処理する任意の他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。

【0017】

図２は電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。

【0018】

図面を参照すると、電子機器は、例えばスマートフォン１１００であってもよい。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、そのようなマザーボード１１１０には、様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に接続されている。また、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカ１１４０のように、マザーボード１１１０に物理的及び／又は電気的に接続されてもよく接続されなくてもよい他の部品が内部に収容されている。部品１１２０の一部は、上述したチップ関連部品であってもよく、例えば部品パッケージ１１２１であってもよいが、それに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面実装配置されたプリント回路基板の形態であってもよい。あるいは、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であってもよい。一方、電子機器は、必ずしもスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように、他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。

【0019】

プリント回路基板
図３はプリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。

【0020】

図面を参照すると、一例によるプリント回路基板１００Ａは、有機絶縁層１１０と、有機絶縁層１１０の下側及び上側にそれぞれ配置される導体パッドＰ及び配線層Ｗと、有機絶縁層１１０を貫通して配線層Ｗを導体パッドＰに接続する導体ビアＶとを含んでもよい。ここで、導体パッドＰは、第１金属層１２０を含んでもよい。また、配線層Ｗは、第１シード金属層１３０、第２シード金属層１４０及び第２金属層１５０を含んでもよい。さらに、導体ビアＶは、第１シード金属層１３０、第２シード金属層１４０及び第２金属層１５０を含んでもよい。

【0021】

例えば、一例によるプリント回路基板１００Ａは、第１金属層１２０と、第１金属層１２０の少なくとも一部を覆って第１金属層１２０の上面の少なくとも一部を露出させるビアホールＨを有する有機絶縁層１１０と、有機絶縁層１１０の上面上に配置される第１シード金属層１３０と、第１シード金属層１３０上に配置されてビアホールＨの壁面及び第１金属層１２０の露出した上面上に延びる第２シード金属層１４０と、第２シード金属層１４０上に配置されてビアホールＨの少なくとも一部を充填する第２金属層１５０とを含んでもよい。ここで、第１シード金属層１３０は、有機絶縁層１１０の上面の少なくとも一部に接触し、ビアホールＨ及び第１金属層１２０の露出した上面に接触するように延びてもよい。また、第２シード金属層１４０は、ビアホールＨ内で第１シード金属層１３０上に配置されてもよい。

【0022】

一方、第１シード金属層１３０は、チタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層１３１を含んでもよく、第２シード金属層１４０は、銅（Ｃｕ）を含む無電解めっき層１４１、例えば化学銅めっき層を含んでもよい。よって、第１シード金属層１３０により、有機絶縁層１１０との優れた密着力を確保することができる。また、第２シード金属層１４０により、ビアホールＨ内の優れたカバレージ特性を確保することができる。例えば、チタン（Ｔｉ）からなるスパッタリング層を含む第１シード金属層１３０と化学銅からなる無電解めっき層を含む第２シード金属層１４０の順に順次形成することにより、有機絶縁材との優れた密着力とビアホール内の優れたカバレージ特性の両方を有することができる。必要に応じて、無電解めっき層１４１は、銅（Ｃｕ）に加えて、他の金属物質を含んでもよいが、銅（Ｃｕ）を含むことが、すなわち化学銅層であることが、上述した効果の面でより好ましい。第１及び第２シード金属層１３０、１４０の成分は、プリント回路基板１００Ａの切断面を基準としてＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）又はＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）分析で測定してもよい。

【0023】

一方、スパッタリング層は、プラズマ状の不安定な（例えば、エネルギーが高い）原子状態の金属を有機基材と反応させる化学結合メカニズムに基づいて形成される層であってもよく、よって、有機基材の粗度に関係なく、優れた密着力を有することができる。また、無電解めっき層は、溶液中の金属イオンを有機基材上に析出させるメカニズムに基づいて形成される層、例えば化学銅を含む層であってもよく、このように湿式工程であるから、ビアホール内の優れたカバレージ特性を有することができる。

【0024】

確認方法：シード層除去プロセス後も残っている回路パターンの下部の切断面を得て、ＦＩＢ又はＴＥＭ分析により成分分析を行うと、当該層の構成成分を確認することができる。

【0025】

以下、図面を参照して、一例によるプリント回路基板１００Ａの構成要素についてより詳細に説明する。

【0026】

有機絶縁層１１０は、有機絶縁材料を含んでもよい。有機絶縁材料は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、又はそれらの樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ， Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ， ａｎｄ／ｏｒ Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含んでもよい。有機絶縁材料は、感光性材料及び／又は非感光性材料であってもよい。例えば、有機絶縁層１１０は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）の絶縁材などであってもよいが、それらに限定されるものではなく、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などであってもよい。必要に応じて、それら以外にも、その他の剛性に優れた高分子素材が用いられてもよい。有機絶縁層１１０は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）を含むことが好ましく、低粗度のＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）を含むことがより好ましいが、それに限定されるものではない。

【0027】

導体パッドＰは、金属物質を含んでもよい。例えば、導体パッドＰは、第１金属層１２０を含んでもよい。第１金属層１２０は、銅（Ｃｕ）を含む電解めっき層１２１を含んでもよい。ただし、それに限定されるものではなく、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよい。あるいは、金属箔（又は銅箔）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよい。あるいは、金属箔（又は銅箔）、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよい。無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、必要に応じて、両方とも含んでもよい。一方、電解めっき層１２１は、銅（Ｃｕ）に加えて、他の金属物質を含んでもよい。導体パッドＰは、グランド用導体パッド、パワー用導体パッド、信号用導体パッドなどを含んでもよい。ここで、信号用導体パッドは、グランド用導体パッド、パワー用導体パッドなどを除く各種信号、例えばデータ信号などの電気的経路を提供する導体パッドを含んでもよい。導体パッドＰは、同一層に配置された配線層、例えばラインパターンなどに電気的に接続されてもよい。

【0028】

配線層Ｗは、金属物質を含んでもよい。例えば、配線層Ｗは、チタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層１３１を含む第１シード金属層１３０、第１シード金属層１３０上に配置されて銅（Ｃｕ）を含む無電解めっき層１４１を含む第２シード金属層１４０、及び第２シード金属層１４０上に配置されて銅（Ｃｕ）を含む電解めっき層１５１を含む第２金属層１５０を含んでもよい。電解めっき層１５１は、無電解めっき層１４１よりグレインサイズがさらに大きいものであってもよく、両者のグレインサイズは、プリント回路基板１００Ａの切断面を基準としてＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）などを用いて分析及び比較してもよい。一方、電解めっき層１５１は、銅（Ｃｕ）に加えて、他の金属物質を含んでもよい。配線層Ｗは、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含んでもよい。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを含んでもよい。それらのパターンは、それぞれライン（ｌｉｎｅ）パターン、プレーン（ｐｌａｎｅ）パターン及び／又はパッド（ｐａｄ）パターンを含んでもよい。パッドパターンは、ランド（ｌａｎｄ）パターンを含んでもよい。

【0029】

導体ビアＶは、金属物質を含んでもよい。導体ビアＶは、配線層Ｗと同じ工程により形成してもよく、よって、配線層Ｗの少なくとも一部と一体化することができる。例えば、導体ビアＶも、チタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層１３１を含む第１シード金属層１３０、第１シード金属層１３０上に配置されて銅（Ｃｕ）を含む無電解めっき層１４１を含む第２シード金属層１４０、及び第２シード金属層１４０上に配置されて銅（Ｃｕ）を含む電解めっき層１５１を含む第２金属層１５０を含んでもよい。一方、電解めっき層１５１は、銅（Ｃｕ）に加えて、他の金属物質を含んでもよい。導体ビアＶは、ビアホールＨを充填するフィルドビア（ｆｉｌｅｄ ＶＩＡ）であってもよいが、ビアホールＨの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）であってもよい。導体ビアＶは、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含んでもよい。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを伝達するためのビアを含んでもよい。

【0030】

一方、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａの構造は、多層プリント回路基板の少なくとも一部に適用することができる。例えば、上述した有機絶縁層１１０、導体パッドＰ、配線層Ｗ、導体ビアＶなどが多層に積層された形態で多層プリント回路基板に適用してもよい。また、上述した有機絶縁層１１０に上述した導体パッドＰ、配線層Ｗ、導体ビアＶなどを同じレベルに多数配置してもよい。多層プリント回路基板は、コアレスタイプの基板、コアタイプの基板など、様々な形態を有し得る。多層プリント回路基板は、パッケージ基板など、様々な用途の基板であり得る。

【0031】

図４はプリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。

【0032】

図面を参照すると、他の一例によるプリント回路基板１００Ｂは、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａにおいて、第１シード金属層１３０が、第１スパッタリング層１３１上に配置されて銅（Ｃｕ）を含む第２スパッタリング層１３２をさらに含んでもよい。例えば、第１シード金属層１３０は、多層のスパッタリング層を含んでもよい。一方、第２スパッタリング層１３２は、第１スパッタリング層１３１と無電解めっき層１４１との間に配置されてもよい。例えば、第２シード金属層１４０における銅（Ｃｕ）を含む無電解めっき層１４１、例えば化学銅層は、第１シード金属層１３０における銅（Ｃｕ）を含む第２スパッタリング層１３２上に配置されてもよい。ただし、その場合も両者は区分され得る。例えば、第２スパッタリング層１３２は、銅（Ｃｕ）を含み、ニッケル（Ｎｉ）を含まないのに対して、無電解めっき層１４１は、銅（Ｃｕ）を含み、それと共にニッケル（Ｎｉ）をさらに含むようにしてもよい。ニッケル（Ｎｉ）は、基材との境界部分で濃度が高く、大部分の領域で発見される。よって、ニッケル（Ｎｉ）成分を測定することにより両者を区別することができる。一方、銅（Ｃｕ）を含む第２スパッタリング層１３２は、チタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層１３１と銅（Ｃｕ）を含む無電解めっき層１４１との密着力をさらに向上させることができる。その他の内容は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａにおける説明と実質的に同様であるので、重複する説明は省略する。

【0033】

図５はプリント回路基板のさらに他の一例を概略的に示す断面図である。

【0034】

図面を参照すると、さらに他の一例によるプリント回路基板１００Ｃは、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａにおいて、第１シード金属層１３０が、有機絶縁層１１０の上面の少なくとも一部に接触し、ビアホールＨ内には延びなくてもよい。よって、第２シード金属層１４０がビアホールＨの壁面及び第１金属層１２０の露出した上面に接触することができる。例えば、導体ビアＶは、第２シード金属層１４０及び第２金属層１５０を含むが、第１シード金属層１３０は含まなくてもよい。例えば、ビアホールＨを加工する前に第１シード金属層１３０、例えばチタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層１３１を形成し、次いで、ビアホールＨを加工した後に第２シード金属層１４０と第２金属層１５０を形成してもよい。その場合、化学銅工程でチタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層１３１と電解めっき層１２１を含む第１金属層１２０との間の層間空隙の発生を抑制することができる。その他の内容は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａにおける説明と実質的に同様であるので、重複する説明は省略する。

【0035】

図６はプリント回路基板のさらに他の一例を概略的に示す断面図である。

【0036】

図面を参照すると、さらに他の一例によるプリント回路基板１００Ｄは、上述した他の一例によるプリント回路基板１００Ｂにおいて、第１シード金属層１３０が、有機絶縁層１１０の上面の少なくとも一部に接触し、ビアホールＨ内には延びなくてもよい。よって、第２シード金属層１４０がビアホールＨの壁面及び第１金属層１２０の露出した上面に接触することができる。例えば、導体ビアＶは、第２シード金属層１４０及び第２金属層１５０を含むが、第１シード金属層１３０は含まなくてもよい。例えば、ビアホールＨを加工する前に第１シード金属層１３０、例えばチタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層１３１と銅（Ｃｕ）を含む第２スパッタリング層１３２を順次形成し、次いで、ビアホールＨを加工した後に第２シード金属層１４０と第２金属層１５０を形成してもよい。その場合、化学銅工程でチタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層１３１と電解めっき層１２１を含む第１金属層１２０との間の層間空隙の発生を抑制することができる。その他の内容は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａ及び他の一例によるプリント回路基板１００Ｂにおける説明と実質的に同様であるので、重複する説明は省略する。

【0037】

図７ａ～７ｃはシード金属層でチタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層及び銅（Ｃｕ）を含む第２スパッタリング層を形成した場合を概略的に示すイメージである。

【0038】

図面を参照すると、シード金属層でチタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層及び銅（Ｃｕ）を含む第２スパッタリング層、すなわち多層のスパッタリング層のみを形成した場合、有機絶縁材、例えばＡＢＦとの密着力は例えば約０．８４ｋｇｆ／ｃｍと優れているが、第１及び第２スパッタリング層が形成された方向が一定方向に固定されているので、無電解めっき層である化学銅を形成した場合に比べてスローイングパワー（Ｔｈｒｏｗｉｎｇ Ｐｏｗｅｒ）が相対的に低く、よって、例えばビアホール内の加工面の粗度によりシード金属層の断絶が発生するなど、カバレージ特性が十分でないことがある。

【0039】

図８ａ～８ｃはシード金属層でチタン（Ｔｉ）を含むスパッタリング層及び銅（Ｃｕ）を含む無電解めっき層を形成した場合を概略的に示すイメージである。

【0040】

図面を参照すると、シード金属層でチタン（Ｔｉ）を含むスパッタリング層及び銅（Ｃｕ）を含む無電解めっき層の両方をこの順に形成した場合、有機絶縁材、例えばＡＢＦとの密着力が例えば約０．６１ｋｇｆ／ｃｍであり、単に無電解めっき層である化学銅のみを形成した場合の密着力、例えば約０．２ｋｇｆ／ｃｍより優れている。また、ビアホールの下部に十分なめっき厚を確保することができ、ビアホールの壁面が粗い場合もシード金属層の接続性に優れているなど、優れたカバレージ特性を有することができる。

【0041】

図９ａ～９ｃはシード金属層でチタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層、銅（Ｃｕ）を含む第２スパッタリング層、及び銅（Ｃｕ）を含む無電解めっき層を形成した場合を概略的に示すイメージである。

【0042】

図面を参照すると、シード金属層でチタン（Ｔｉ）を含む第１スパッタリング層、銅（Ｃｕ）を含む第２スパッタリング層、及び銅（Ｃｕ）を含む無電解めっき層の全てをこの順に形成した場合、有機絶縁材、例えばＡＢＦとの密着力が例えば約０．８８ｋｇｆ／ｃｍとより優れており、同様に、それと同時にビアホールの下部に十分なめっき厚を確保することができ、また、ビアホールの壁面が粗い場合もシード金属層の接続性に優れているなど、優れたカバレージ特性を有することができる。

【0043】

図１０はプリント回路基板のさらに他の一例を概略的に示す断面図である。

【0044】

図面を参照すると、さらに他の一例によるプリント回路基板６００は、第１基板部３００、第１基板部３００上に配置される第２基板部４００、第２基板部４００上に配置される第１レジスト層５１０、及び／又は第１基板部３００における第２基板部４００が配置された側の反対側上に配置される第２レジスト層５２０を含んでもよい。第１基板部３００は、一般的な多層基板であってもよく、第２基板部４００は、第１基板部３００上に形成された微細回路を含むビルドアップ基板であってもよい。ここで、微細回路を含むビルドアップ基板である第２基板部４００に含まれるビルドアップ配線層４２１及び接続ビア層４３１には、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄの構造を適用することができる。ただし、それに限定されるものではなく、必要に応じて、第１基板部３００のビルドアップ配線層３２３、３２４及び接続ビア層３３２、３３３にも、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄの構造を適用することができる。

【0045】

一方、第２基板部４００に含まれるビルドアップ配線層４２１は、第１基板部３００に含まれるコア配線層３２１、３２２及び／又はビルドアップ配線層３２３、３２４より配線密度が高くてもよい。例えば、第２基板部４００のビルドアップ配線層４２１は、相対的にファインピッチの高密度配線を含んでもよく、第１基板部３００のコア配線層３２１、３２２及び／又はビルドアップ配線層３２３、３２４は、相対的に低密度配線を含んでもよい。例えば、第２基板部４００のビルドアップ配線層４２１は、第１基板部３００のコア配線層３２１、３２２及び／又はビルドアップ配線層３２３、３２４より配線の厚さ、ライン／スペース、ピッチなどが相対的にさらに小さくてもよい。また、第２基板部４００の互いに異なる層に配置されたビルドアップ配線層４２１間の絶縁距離も、第１基板部３００の互いに異なる層に配置されたコア配線層３２１、３２２及び／又はビルドアップ配線層３２３、３２４間の絶縁距離より小さくてもよい。

【0046】

以下、図面を参照して、さらに他の一例によるプリント回路基板６００の構成要素についてより詳細に説明する。

【0047】

第１基板部３００は、コアタイプの多層基板であってもよい。例えば、第１基板部３００は、コア絶縁層３１１と、コア絶縁層３１１の上面及び下面上にそれぞれ配置される第１及び第２コア配線層３２１、３２２と、コア絶縁層３１１を貫通して第１及び第２コア配線層３２１、３２２を接続する貫通ビア層３３１と、コア絶縁層３１１の上面上に配置される複数の第１ビルドアップ絶縁層３１２と、複数の第１ビルドアップ絶縁層３１２上又は内にそれぞれ配置される複数の第１ビルドアップ配線層３２３と、複数の第１ビルドアップ絶縁層３１２の少なくとも１つをそれぞれ貫通して複数の第１ビルドアップ配線層３２３の少なくとも１つにそれぞれ接続される複数の第１接続ビア層３３２と、コア絶縁層３１１の下面上に配置される複数の第２ビルドアップ絶縁層３１３と、複数の第２ビルドアップ絶縁層３１３上又は内にそれぞれ配置される複数の第２ビルドアップ配線層３２４と、複数の第２ビルドアップ絶縁層３１３の少なくとも１つをそれぞれ貫通して複数の第２ビルドアップ配線層３２４の少なくとも１つにそれぞれ接続される複数の第２接続ビア層３３３とを含んでもよい。

【0048】

コア絶縁層３１１は、絶縁物質を含んでもよい。絶縁物質としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、又はそれらの絶縁樹脂がシリカなどの無機フィラーと混合された材料、もしくは無機フィラーと共にガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）などの芯材に含浸された樹脂、例えばＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）の絶縁材などが用いられてもよいが、それらに限定されるものではない。コア絶縁層３１１は、第１及び第２ビルドアップ絶縁層３１２、３１３のそれぞれより厚さがさらに厚くてもよいが、それに限定されるものではない。

【0049】

第１及び第２ビルドアップ絶縁層３１２、３１３は、それぞれ絶縁物質を含んでもよい。絶縁物質としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、又はそれらの絶縁樹脂がシリカなどの無機フィラーと混合された材料、もしくは無機フィラーと共にガラス繊維などの芯材に含浸された樹脂、例えばＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）の絶縁材などが用いられてもよいが、それらに限定されるものではない。第１及び第２ビルドアップ絶縁層３１２、３１３の層数は、特に限定されるものではなく、同じ層数を有してもよいが、それに限定されるものではない。

【0050】

第１及び第２コア配線層３２１、３２２は、それぞれ金属物質を含んでもよい。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はそれらの合金などが用いられてもよい。第１及び第２コア配線層３２１、３２２は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよいが、それに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよく、両方とも含んでもよい。また、銅箔をさらに含んでもよい。第１及び第２コア配線層３２１、３２２は、それぞれ当該層の設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含んでもよい。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを含んでもよい。それらのパターンは、それぞれライン（ｌｉｎｅ）パターン、プレーン（ｐｌａｎｅ）パターン及び／又はパッド（ｐａｄ）パターンを含んでもよい。

【0051】

第１及び第２ビルドアップ配線層３２３、３２４は、それぞれ金属物質を含んでもよい。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はそれらの合金などが用いられてもよい。第１及び第２ビルドアップ配線層３２３、３２４は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよいが、それに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよく、両方とも含んでもよい。また、銅箔をさらに含んでもよい。第１及び第２ビルドアップ配線層３２３、３２４は、それぞれ当該層の設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含んでもよい。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを含んでもよい。それらのパターンは、それぞれラインパターン、プレーンパターン及び／又はパッドパターンを含んでもよい。

【0052】

貫通ビア層３３１は、貫通ビアを含んでもよい。貫通ビアは、貫通ホールの壁面に形成された金属層と、金属層を充填するプラグとを含んでもよい。金属層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はそれらの合金などの金属物質を含んでもよい。プラグは、絶縁材質のインクを含んでもよい。金属層は、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよいが、それに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよく、両方とも含んでもよい。貫通ビア層３３１は、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含んでもよい。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを伝達するためのビアを含んでもよい。

【0053】

第１及び第２接続ビア層３３２、３３３は、マイクロビアを含んでもよい。マイクロビアは、ビアホールを充填するフィルドビア（ｆｉｌｅｄ ＶＩＡ）又はビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）であってもよい。マイクロビアは、スタック型（ｓｔａｃｋｅｄ ｔｙｐｅ）及び／又はスタッガード型（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｔｙｐｅ）に配置されてもよい。第１及び第２接続ビア層３３２、３３３は、それぞれ金属物質を含んでもよく、金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はそれらの合金などの金属物質を含んでもよい。第１及び第２接続ビア層３３２、３３３は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよいが、それに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよく、両方とも含んでもよい。第１及び第２接続ビア層３３２、３３３は、当該層の設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含んでもよい。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを伝達するためのビアを含んでもよい。

【0054】

第２基板部４００は、微細回路を含むコアレスタイプの多層ビルドアップ基板であってもよい。例えば、第２基板部４００は、複数の第３ビルドアップ絶縁層４１１と、複数の第３ビルドアップ絶縁層４１１上又は内にそれぞれ配置される複数の第３ビルドアップ配線層４２１と、複数の第３ビルドアップ絶縁層４１１の少なくとも１つをそれぞれ貫通して複数の第３ビルドアップ配線層４２１の少なくとも１つにそれぞれ接続される複数の第３接続ビア層４３１とを含んでもよい。

【0055】

第３ビルドアップ絶縁層４１１は、絶縁物質を含んでもよい。絶縁物質としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、又はそれらの絶縁樹脂がシリカなどの無機フィラーと混合された材料、もしくは無機フィラーと共にガラス繊維などの芯材に含浸された樹脂、例えばＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）の絶縁材などが用いられてもよいが、それらに限定されるものではない。第３ビルドアップ絶縁層４１１の層数は、特に限定されるものではない。

【0056】

第３ビルドアップ配線層４２１は、金属物質を含んでもよい。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はそれらの合金などが用いられてもよい。第３ビルドアップ配線層４２１は、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよいが、それに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよく、両方とも含んでもよい。また、銅箔をさらに含んでもよい。第３ビルドアップ配線層４２１は、当該層の設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含んでもよい。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを含んでもよい。それらのパターンは、それぞれラインパターン、プレーンパターン及び／又はパッドパターンを含んでもよい。

【0057】

第３接続ビア層４３１は、マイクロビアを含んでもよい。マイクロビアは、ビアホールを充填するフィルドビア（ｆｉｌｅｄ ＶＩＡ）又はビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）であってもよい。マイクロビアは、スタック型（ｓｔａｃｋｅｄ ｔｙｐｅ）及び／又はスタッガード型（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｔｙｐｅ）に配置されてもよい。第３接続ビア層４３１は、金属物質を含んでもよく、金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はそれらの合金などの金属物質を含んでもよい。第３接続ビア層４３１は、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよいが、それに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよく、両方とも含んでもよい。第３接続ビア層４３１は、当該層の設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含んでもよい。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを伝達するためのビアを含んでもよい。

【0058】

第１及び第２レジスト層５１０、５２０は、絶縁物質を含んでもよく、絶縁物質としては、液状タイプ又はフィルムタイプの半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）が用いられる。ただし、それに限定されるものではなく、他の種類の材料が用いられてもよい。第１レジスト層５１０は、第２基板部４００の最上側に配置されたビルドアップ配線層の上面上に配置される複数の第１外側パッドＰ１のそれぞれの少なくとも一部を露出させる第１開口を有してもよい。例えば、１つの第１開口は、複数の第１外側パッドＰ１のそれぞれの少なくとも一部を露出させてもよい。第１開口から露出する複数の第１外側パッドＰ１上には、それぞれ第１表面処理層が形成されてもよい。第１表面処理層のそれぞれは、第１外側パッドＰ１のそれぞれの上面及び側面を覆ってもよい。第２レジスト層５２０は、第１基板部３００の最下側に配置されたビルドアップ配線層の下面上に配置される複数の第２外側パッドＰ２のそれぞれの少なくとも一部をそれぞれ露出させる複数の第２開口を有してもよい。例えば、複数の第２開口は、それぞれ複数の第２外側パッドＰ２のそれぞれの少なくとも一部を露出させてもよい。第２開口から露出する複数の第２外側パッドＰ２上には、それぞれ第２表面処理層が形成されてもよい。第２表面処理層のそれぞれは、第２外側パッドＰ２のそれぞれの下面を覆ってもよい。

【0059】

本発明において、「実質的に」とは、工程で生じる工程誤差や位置偏差、測定時の誤差などを含めて判断することを意味し得る。また、「接続される」とは、直接接続されることだけでなく、間接的に接続されることを含む概念である。さらに、「第１」、「第２」などの表現は、ある構成要素と他の構成要素とを区分するために用いられるものであり、当該構成要素の順序及び／又は重要度などを限定するものではない。場合によっては、権利範囲を逸脱しない範囲で、第１構成要素を第２構成要素と命名してもよく、同様に、第２構成要素を第１構成要素と命名してもよい。

【0060】

本発明において用いられた「一例」という表現は、同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一例は、他の一例の特徴と組み合わせられて実現されることを排除するものではない。例えば、特定の一例に説明されている事項が他の一例に説明されていないとしても、他の一例にその事項と反対であるか矛盾する説明がない限り、他の一例に関する説明と理解され得る。

【0061】

本発明において用いられた用語は、単に一例を説明するために用いられたものであり、本発明を限定する意図ではない。ここで、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味でない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0062】

１０００ 電子機器
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラモジュール
１０６０ アンテナモジュール
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリ
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ マザーボード
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカ
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ プリント回路基板
１１０ 有機絶縁層
１２０ 第１金属層
１２１ 電解めっき層
１３０ 第１シード金属層
１３１ 第１スパッタリング層
１３２ 第２スパッタリング層
１４０ 第２シード金属層
１４１ 無電解めっき層
１５０ 第２金属層
１５１ 電解めっき層
Ｐ 導体パッド
Ｖ 導体ビア
Ｗ 配線層
６００ プリント回路基板
３００、４００ 基板部
３１１ コア絶縁層
３２１、３２２ コア配線層
３３１ 貫通ビア層
３１２、３１３ ビルドアップ絶縁層
３２３、３２４ ビルドアップ配線層
３３２、３３３ 接続ビア層
４１１ ビルドアップ絶縁層
４２１ ビルドアップ配線層
４３１ 接続ビア層
５１０、５２０ レジスト層
Ｐ１、Ｐ２ 外側パッド

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7a】

【図7b】

【図7c】

【図8a】

【図8b】

【図8c】

【図9a】

【図9b】

【図9c】

【図10】