特開2024-83289IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

メモリリフレッシュ制御装置、メモリリフレッシュ制御方法、及び、メモリリフレッシュ制御プログラム

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】メモリチャネルの温度の変化に伴いリフレッシュ動作の周期が動的に変更される場合でも、メモリチャネル間におけるリフレッシュ動作のタイミングの同期を維持する。
【解決手段】メモリリフレッシュ制御装置10Aは、メモリチャネル21(21-1乃至21-n)の温度帯に応じた複数の周期のいずれかでリフレッシュ動作が繰り返し行われる複数のメモリチャネル21の個々の温度を取得する取得部11と、取得部11が取得した複数のメモリチャネル21の個々の温度のうちで最も高い温度150Aを特定する特定部15Aと、複数のメモリチャネル21の個々に関して、以降のリフレッシュ動作の周期を最も高い温度150Aと対応付けられたリフレッシュ動作の周期に設定する設定部13Aと、設定部13Aにより設定された周期で、メモリチャネル21のリフレッシュ動作を実行する実行部14と、備える。
【選択図】 図6

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

DRAM内のコンデンサに蓄えられた電荷は、温度が高いほど運動エネルギーが大きいので、早く放電されるという性質がある。従って近年のDRAMは、例えば特許文献2に開示されているように温度センサを内蔵し、当該温度センサによって測定されたDRAMの温度が所定の閾値を超えた場合、リフレッシュ動作の周期を短くする(例えば1/2倍に動的に変更する)機能を備える場合がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様に係るメモリリフレッシュ制御装置は、メモリチャネルの温度帯に応じた複数の周期のいずれかでリフレッシュ動作が繰り返し行われる複数の前記メモリチャネルの個々の温度を取得する取得手段と、前記取得手段が取得した複数の前記メモリチャネルの個々の温度のうちで最も高い温度を特定する特定手段と、複数の前記メモリチャネルの個々に関して、以降のリフレッシュ動作の周期を前記最も高い温度と対応付けられ・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、個々のメモリチャネルの温度の変化に伴いリフレッシュ動作の周期が動的に変更される場合であっても、メモリチャネル間におけるリフレッシュ動作のタイミングの同期を維持することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の第1の情報処理装置1の構成を示すブロック図である。
【図2】 本発明の第1のメモリリフレッシュ制御装置10の動作の一例を示すタイムチャートである。
【図3】 本発明の第1のメモリリフレッシュ制御装置10により設定される、個々のメモリチャネル21に関する以降のリフレッシュ動作の周期の値の第1の例を示す図である。
【図4A】 本発明の第1のメモリリフレッシュ制御装置10の動作を示すフローチャート(1/2)である。
【図4B】 本発明の第1のメモリリフレッシュ制御装置10の動作を示すフローチャート(2/2)である。
【図5】 本発明の第1のメモリリフレッシュ制御装置10により設定される、個々のメモリチャネル21に関する以降のリフレッシュ動作の周期の値の第2の例を示す図である。
【図6】 本発明の第2の情報処理装置1Aの構成を示すブロック図である。
【図7】 本発明の第2のメモリリフレッシュ制御装置10Aが特定するDRAM23の温度のうちの最も高い温度の時間推移を例示する図である。
【図8】 本発明の第2のメモリリフレッシュ制御装置10Aの動作を示すフローチャートである。
【図9】 本発明の第3のメモリリフレッシュ制御装置40の構成を示すブロック図である。
【図10】 本発明の第3のメモリリフレッシュ制御装置40の動作を示すフローチャートである。
【図11】 本発明の各メモリリフレッシュ制御装置を実現可能な情報処理装置900の構成を示すブロック図である。
【図12】 複数のメモリチャネルの間においてリフレッシュ動作のタイミングが同期していない場合における、メモリチャネルを跨るメモリアクセスの時間を例示する図である。
【図13】 複数のメモリチャネルの間においてリフレッシュ動作のタイミングが同期している場合における、メモリチャネルを跨るメモリアクセスの時間を例示する図である。
【図14】 あるメモリチャネルの温度が上昇することによってそのメモリチャネルのリフレッシュ動作の周期が変化することに伴う、メモリチャネルの間におけるリフレッシュ動作のタイミングの同期が崩れることを例示する図である。
【図15】 本発明の第1のメモリリフレッシュ制御装置10が、あるメモリチャネル21の温度が上昇することによってそのメモリチャネルのリフレッシュ動作の周期が変化した場合であっても、メモリチャネルの間におけるリフレッシュ動作のタイミングの同期を維持することを例示する図である。

選択図 図6出願人が指定した本件の代表的な図

1 情報処理装置 1A 情報処理装置 10 メモリリフレッシュ制御装置 10A メモリリフレッシュ制御装置 11 取得部 12 生成部 120 同期制御カウンタ 121 同期制御カウンタ 13 設定部 13A 設定部 130 リフレッシュ制御カウンタ 14 実行部 15A 特定部 150A 最も高い温度 20 記憶装置 21 メモリチャネル 22 メモリコントローラ 23 DRAM 24 温度センサ 30 中央処理装置 40 メモリリフレッシュ制御装置 41 取得部 42 生成部 420 同期制御情報 43 設定部 44 実行部 50 メモリチャネル 900 情報処理装置 901 CPU 902 ROM 903 RAM 904 ハードディスク(記憶装置) 905 通信インタフェース 906 バス 907 記録媒体 908 リーダライタ 909 入出力インタフェース

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