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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024084354
(43)【公開日】2024-06-25
(54)【発明の名称】表示装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 50/824 20230101AFI20240618BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240618BHJP
H10K 59/173 20230101ALI20240618BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20240618BHJP
H10K 59/179 20230101ALI20240618BHJP
H10K 50/814 20230101ALI20240618BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20240618BHJP
H10K 71/60 20230101ALI20240618BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240618BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240618BHJP
【ＦＩ】
H10K50/824
H10K59/122
H10K59/173
H10K59/131
H10K59/179
H10K50/814
H10K50/844
H10K71/60
G09F9/30 365
G09F9/30 349Z
G09F9/00 342
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022198576
(22)【出願日】2022-12-13
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】河村 真一
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC12
3K107CC33
3K107DD21
3K107DD26
3K107DD37
3K107DD50
3K107DD89
3K107DD95
3K107EE46
3K107FF00
3K107FF15
3K107GG12
3K107GG37
5C094AA21
5C094AA24
5C094BA27
5C094DA13
5C094DA15
5C094EA04
5C094EA07
5C094EA10
5C094EC04
5G435AA16
5G435BB05
5G435KK05
(57)【要約】
【課題】 表示領域において適切な抵抗を実現可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係る製造方法は、下電極を形成し、リブを形成し、導電性のボトム部と、絶縁性の軸部と、軸部の側面よりも突出したトップ部とを含む隔壁をリブの上に形成することを含む。隔壁の形成は、導電性の第１材料からなる層を含む第１層を形成し、絶縁性の第２材料からなる層を含む第２層を形成し、第３材料からなる層を含む第３層を形成し、第１エッチング工程により第３層をパターニングしてトップ部を形成し、第２エッチング工程により第２層をパターニングして軸部を形成し、第３エッチング工程により第１層をパターニングしてボトム部を形成することを含む。第２エッチング工程における第３材料のエッチングレートは、第２エッチング工程における第２材料のエッチングレートよりも低い。
【選択図】 図４
【解決手段】 一実施形態に係る製造方法は、下電極を形成し、リブを形成し、導電性のボトム部と、絶縁性の軸部と、軸部の側面よりも突出したトップ部とを含む隔壁をリブの上に形成することを含む。隔壁の形成は、導電性の第１材料からなる層を含む第１層を形成し、絶縁性の第２材料からなる層を含む第２層を形成し、第３材料からなる層を含む第３層を形成し、第１エッチング工程により第３層をパターニングしてトップ部を形成し、第２エッチング工程により第２層をパターニングして軸部を形成し、第３エッチング工程により第１層をパターニングしてボトム部を形成することを含む。第２エッチング工程における第３材料のエッチングレートは、第２エッチング工程における第２材料のエッチングレートよりも低い。
【選択図】 図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下電極を形成し、
前記下電極の少なくとも一部を覆うリブを形成し、
導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に位置する絶縁性の軸部と、前記軸部の上に位置し前記軸部の側面よりも突出したトップ部と、を含む隔壁を前記リブの上に形成する、
ことを含み、
前記隔壁の形成は、
導電性の第１材料からなる層を含む第１層を形成し、
絶縁性の第２材料からなる層を含む第２層を前記第１層の上に形成し、
第３材料からなる層を含む第３層を前記第２層の上に形成し、
第１エッチング工程により前記第３層をパターニングして前記トップ部を形成し、
第２エッチング工程により前記第２層をパターニングして前記軸部を形成し、
第３エッチング工程により前記第１層をパターニングして前記ボトム部を形成する、
ことを含み、
前記第２エッチング工程における前記第３材料のエッチングレートは、前記第２エッチング工程における前記第２材料のエッチングレートよりも低い、
表示装置の製造方法。
前記下電極の少なくとも一部を覆うリブを形成し、
導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に位置する絶縁性の軸部と、前記軸部の上に位置し前記軸部の側面よりも突出したトップ部と、を含む隔壁を前記リブの上に形成する、
ことを含み、
前記隔壁の形成は、
導電性の第１材料からなる層を含む第１層を形成し、
絶縁性の第２材料からなる層を含む第２層を前記第１層の上に形成し、
第３材料からなる層を含む第３層を前記第２層の上に形成し、
第１エッチング工程により前記第３層をパターニングして前記トップ部を形成し、
第２エッチング工程により前記第２層をパターニングして前記軸部を形成し、
第３エッチング工程により前記第１層をパターニングして前記ボトム部を形成する、
ことを含み、
前記第２エッチング工程における前記第３材料のエッチングレートは、前記第２エッチング工程における前記第２材料のエッチングレートよりも低い、
表示装置の製造方法。
【請求項2】
下電極を形成し、
前記下電極の少なくとも一部を覆うリブを形成し、
導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に位置する絶縁性の軸部と、前記軸部の上に位置し前記軸部の側面よりも突出したトップ部と、を含む隔壁を前記リブの上に形成する、
ことを含み、
前記隔壁の形成は、
導電性の第１材料からなる層を含む第１層を形成し、
絶縁性の第２材料からなる層を含む第２層を前記第１層の上に形成し、
第３材料からなる層を含む第３層を前記第２層の上に形成し、
第１エッチング工程により前記第３層をパターニングして前記トップ部を形成し、
第２エッチング工程により前記第２層をパターニングして前記軸部を形成し、
第３エッチング工程により前記第１層をパターニングして前記ボトム部を形成する、
ことを含み、
前記第３エッチング工程における前記第３材料のエッチングレートは、前記第３エッチング工程における前記第１材料のエッチングレートよりも低い、
表示装置の製造方法。
前記下電極の少なくとも一部を覆うリブを形成し、
導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に位置する絶縁性の軸部と、前記軸部の上に位置し前記軸部の側面よりも突出したトップ部と、を含む隔壁を前記リブの上に形成する、
ことを含み、
前記隔壁の形成は、
導電性の第１材料からなる層を含む第１層を形成し、
絶縁性の第２材料からなる層を含む第２層を前記第１層の上に形成し、
第３材料からなる層を含む第３層を前記第２層の上に形成し、
第１エッチング工程により前記第３層をパターニングして前記トップ部を形成し、
第２エッチング工程により前記第２層をパターニングして前記軸部を形成し、
第３エッチング工程により前記第１層をパターニングして前記ボトム部を形成する、
ことを含み、
前記第３エッチング工程における前記第３材料のエッチングレートは、前記第３エッチング工程における前記第１材料のエッチングレートよりも低い、
表示装置の製造方法。
【請求項3】
下電極を形成し、
前記下電極の少なくとも一部を覆うリブを形成し、
導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に位置する絶縁性の軸部と、前記軸部の上に位置し前記軸部の側面よりも突出したトップ部と、を含む隔壁を前記リブの上に形成する、
ことを含み、
前記隔壁の形成は、
導電性の第１材料からなる層を含む第１層を形成し、
絶縁性の第２材料からなる層を含む第２層を前記第１層の上に形成し、
前記第１材料からなる層を含む第３層を前記第２層の上に形成し、
第１エッチング工程により前記第３層をパターニングして前記トップ部を形成し、
第２エッチング工程により前記第２層をパターニングして前記軸部を形成し、
第３エッチング工程により前記第１層をパターニングして前記ボトム部を形成する、
ことを含み、
前記第３層に含まれる前記第１材料からなる層は、前記第１層に含まれる前記第１材料からなる層よりも厚く形成されている、
表示装置の製造方法。
前記下電極の少なくとも一部を覆うリブを形成し、
導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に位置する絶縁性の軸部と、前記軸部の上に位置し前記軸部の側面よりも突出したトップ部と、を含む隔壁を前記リブの上に形成する、
ことを含み、
前記隔壁の形成は、
導電性の第１材料からなる層を含む第１層を形成し、
絶縁性の第２材料からなる層を含む第２層を前記第１層の上に形成し、
前記第１材料からなる層を含む第３層を前記第２層の上に形成し、
第１エッチング工程により前記第３層をパターニングして前記トップ部を形成し、
第２エッチング工程により前記第２層をパターニングして前記軸部を形成し、
第３エッチング工程により前記第１層をパターニングして前記ボトム部を形成する、
ことを含み、
前記第３層に含まれる前記第１材料からなる層は、前記第１層に含まれる前記第１材料からなる層よりも厚く形成されている、
表示装置の製造方法。
【請求項4】
前記第１層は、前記第１材料からなる第１ボトム層と、前記第１材料とは異なる導電性の材料からなり、前記第１ボトム層に重ねられた第２ボトム層とを含む、
請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項5】
前記第２ボトム層は、前記第１ボトム層よりも厚い、
請求項４に記載の表示装置の製造方法。
請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項6】
前記第３層は、前記第３材料からなる第１トップ層と、前記第３材料とは異なる材料からなり、前記第１トップ層に重ねられた第２トップ層とを含む、
請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項7】
前記第１トップ層および前記第２トップ層の一方が導電性を有し、他方が絶縁性を有している、
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項8】
前記第３層は、前記第１材料からなる第１トップ層と、前記第１材料とは異なる材料からなり、前記第１トップ層に重ねられた第２トップ層とを含む、
請求項４に記載の表示装置の製造方法。
請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項9】
前記下電極を覆うとともに、電圧の印加に応じて発光する有機層を形成し、
前記有機層を覆うとともに、前記ボトム部に接触する上電極を形成する、
ことをさらに含む請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
前記有機層を覆うとともに、前記ボトム部に接触する上電極を形成する、
ことをさらに含む請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項10】
前記有機層および前記上電極を含む薄膜と、前記隔壁とを連続的に覆う封止層を形成する、
ことをさらに含む請求項９に記載の表示装置の製造方法。
ことをさらに含む請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。
【0003】
複数の表示素子が配置された表示領域には、上電極に給電するための配線などの各種配線が形成される。これら配線による抵抗は適切な値に調整する必要があるが、表示素子やその周囲の構造上、必ずしもそのような調整が容易ではないケースもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、適切な抵抗を実現可能な表示装置の製造方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
一実施形態に係る表示装置の製造方法は、下電極を形成し、前記下電極の少なくとも一部を覆うリブを形成し、導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に位置する絶縁性の軸部と、前記軸部の上に位置し前記軸部の側面よりも突出したトップ部と、を含む隔壁を前記リブの上に形成する、ことを含む。
【0007】
実施形態の一つの観点によれば、前記隔壁の形成は、導電性の第１材料からなる層を含む第１層を形成し、絶縁性の第２材料からなる層を含む第２層を前記第１層の上に形成し、第３材料からなる層を含む第３層を前記第２層の上に形成し、第１エッチング工程により前記第３層をパターニングして前記トップ部を形成し、第２エッチング工程により前記第２層をパターニングして前記軸部を形成し、第３エッチング工程により前記第１層をパターニングして前記ボトム部を形成する、ことを含む。さらに、前記第２エッチング工程における前記第３材料のエッチングレートは、前記第２エッチング工程における前記第２材料のエッチングレートよりも低い。
【0008】
実施形態の他の観点によれば、前記隔壁の形成は、導電性の第１材料からなる層を含む第１層を形成し、絶縁性の第２材料からなる層を含む第２層を前記第１層の上に形成し、第３材料からなる層を含む第３層を前記第２層の上に形成し、第１エッチング工程により前記第３層をパターニングして前記トップ部を形成し、第２エッチング工程により前記第２層をパターニングして前記軸部を形成し、第３エッチング工程により前記第１層をパターニングして前記ボトム部を形成する、ことを含む。さらに、前記第３エッチング工程における前記第３材料のエッチングレートは、前記第３エッチング工程における前記第１材料のエッチングレートよりも低い。
【0009】
実施形態のさらに他の観点によれば、前記隔壁の形成は、導電性の第１材料からなる層を含む第１層を形成し、絶縁性の第２材料からなる層を含む第２層を前記第１層の上に形成し、前記第１材料からなる層を含む第３層を前記第２層の上に形成し、第１エッチング工程により前記第３層をパターニングして前記トップ部を形成し、第２エッチング工程により前記第２層をパターニングして前記軸部を形成し、第３エッチング工程により前記第１層をパターニングして前記ボトム部を形成する、ことを含む。さらに、前記第３層に含まれる前記第１材料からなる層は、前記第１層に含まれる前記第１材料からなる層よりも厚く形成されている。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0012】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0013】
各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。
【0014】
図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0015】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0016】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0017】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0018】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。
【0019】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
【0020】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。図２の例においては、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。
【0021】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。
【0022】
表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。
【0023】
隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ１の間、および、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。
【0024】
図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0025】
副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。
【0026】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５および隔壁６は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。
【0027】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。図２の例においては、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３が全体的にリブ５および隔壁６と重なっているが、この例に限られない。
【0028】
図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。
【0029】
回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は絶縁層１２に設けられている。
【0030】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。
【0031】
隔壁６は、リブ５の上に配置されたボトム部６１と、ボトム部６１の上に配置された軸部６２と、軸部６２の上に配置されたトップ部６３とを備えている。トップ部６３は、ボトム部６１および軸部６２よりも大きい幅を有している。これにより、図３においてはトップ部６３の両端部がボトム部６１および軸部６２の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0032】
有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。
【0033】
図３の例においては、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、上電極ＵＥ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、上電極ＵＥ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0034】
以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む積層体を薄膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む積層体を薄膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む積層体を薄膜ＦＬ３と呼ぶ。
【0035】
薄膜ＦＬ１の一部は、トップ部６３の上に位置している。当該一部は、薄膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、薄膜ＦＬ２の一部はトップ部６３の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、薄膜ＦＬ３の一部はトップ部６３の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。
【0036】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、薄膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、薄膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、薄膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。
【0037】
図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。
【0038】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。
【0039】
偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスなどのカバー部材が樹脂層１５の上方にさらに配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。
【0040】
絶縁層１２は、有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成することができる。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、いずれかの無機絶縁材料の単層構造を有してもよいし、２種類以上の無機絶縁材料の層が重ねられた積層構造を有してもよい。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３をそれぞれ形成する無機絶縁材料は、同一であってもよいし、異なってもよい。
【0041】
樹脂層１３，１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。
【0042】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。
【0043】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。
【0044】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は省略されてもよい。
【0045】
ボトム部６１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）、モリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）、ＩＴＯおよびＩＺＯのような導電性の材料によって形成することができる。ボトム部６１は、これらのいずれかの材料で形成された単層構造を有してもよいし、異なる材料で形成された複数の層を含む積層構造を有してもよい。
【0046】
軸部６２は、例えばシリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物のような絶縁性の材料によって形成することができる。軸部６２は、これらのいずれかの材料で形成された単層構造を有してもよいし、異なる材料で形成された複数の層を含む積層構造を有してもよい。
【0047】
トップ部６３は、例えばシリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物のような絶縁性の材料によって形成されてもよいし、アルミニウム、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金、モリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）、ＩＴＯおよびＩＺＯのような導電性の材料によって形成されてもよい。トップ部６３は、これらのいずれかの材料で形成された単層構造を有してもよいし、異なる材料で形成された複数の層を含む積層構造を有してもよい。積層構造を有する場合、トップ部６３は、導電性の材料で形成された導電層と絶縁性の材料で形成された絶縁層を含んでもよい。この場合において、導電層の上に絶縁層が配置されてもよいし、反対に、絶縁層の上に導電層が配置されてもよい。
【0048】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ボトム部６１の側面に接触している。ボトム部６１には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。
【0049】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。
【0050】
他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。
【0051】
図４は、隔壁６に適用し得る構成の一例を示す概略的な断面図である。この例において、ボトム部６１は、第１ボトム層６１１と、第１ボトム層６１１の上に配置された第２ボトム層６１２とを有している。また、トップ部６３は、第１トップ層６３１と、第１トップ層６３１の上に配置された第２トップ層６３２とを有している。なお、軸部６２は、単層構造を有している。
【0052】
第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２の材料は、ボトム部６１の材料として上述した導電性の材料の中から適宜に選定し得る。第１トップ層６３１および第２トップ層６３２の材料は、トップ部６３の材料として上述した絶縁性の材料および導電性の材料の中から適宜に選定し得る。
【0053】
なお、ボトム層６１１，６１２に付す「第１」および「第２」は、単にこれらボトム層６１１，６１２を区別するためのものにすぎない。すなわち、「第１ボトム層」と「第２ボトム層」の位置関係は、必ずしも図４の例のように「第１ボトム層」が下で「第２ボトム層」が上である必要はない。他の例として、ボトム部６１を構成する複数の層のうち、上方に位置するものを「第１ボトム層」と呼び、その下方に位置するものを「第２ボトム層」と呼んでもよい。
【0054】
同様に、トップ層６３１，６３２に付す「第１」および「第２」も単にこれらトップ層６３１，６３２を区別するためのものにすぎない。すなわち、「第１トップ層」と「第２トップ層」の位置関係は、必ずしも図４の例のように「第１トップ層」が下で「第２トップ層」が上である必要はない。他の例として、トップ部６３を構成する複数の層のうち、上方に位置するものを「第１トップ層」と呼び、その下方に位置するものを「第２トップ層」と呼んでもよい。
【0055】
図４に示すように、第１トップ層６３１および第２トップ層６３２の両端部は、第１ボトム層６１１、第２ボトム層６１２および軸部６２の各側面よりも隔壁６の幅方向に突出している。図４の例においては、第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２の幅が軸部６２の幅よりも僅かに大きい。他の例として、第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２の幅と軸部６２の幅が同等であってもよい。
【0056】
ボトム部６１は厚さＴ１を有し、軸部６２は厚さＴ２を有し、トップ部６３は厚さＴ３を有している。図４の例においては、厚さＴ２が厚さＴ１よりも大きく（Ｔ１＜Ｔ２）、厚さＴ３が厚さＴ２よりも小さい（Ｔ２＞Ｔ３）。厚さＴ１，Ｔ３は、例えば同等である。ただし、厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３の関係は、ここで例示したものに限られない。
【0057】
なお、図４に示した隔壁６の構成は一例にすぎない。ボトム部６１およびトップ部６３は、単層構造を有してもよいし、３層以上の積層構造を有してもよい。また、軸部６２は、２層以上の積層構造を有してもよい。
【0058】
続いて、隔壁６が図４に示す構成を有する場合を例に、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図６乃至図１８は、それぞれ表示装置ＤＳＰの製造方法の一工程を示す概略的な断面図である。図６乃至図１２においては、基板１０、回路層１１および絶縁層１２を省略している。また、図１３乃至図１８においては、基板１０および回路層１１を省略している。
図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図６乃至図１８は、それぞれ表示装置ＤＳＰの製造方法の一工程を示す概略的な断面図である。図６乃至図１２においては、基板１０、回路層１１および絶縁層１２を省略している。また、図１３乃至図１８においては、基板１０および回路層１１を省略している。
【0059】
表示装置ＤＳＰの製造においては、先ず基板１０の上に回路層１１、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される（工程ＰＲ１）。さらに、リブ５および隔壁６が形成される（工程ＰＲ２）。
【0060】
工程ＰＲ２においては、図６に示すように、リブ５の基となる絶縁層５ａが形成され、絶縁層５ａの上にボトム部６１の基となる第１層Ｌ１が形成され、第１層Ｌ１の上に軸部６２の基となる第２層Ｌ２が形成され、第２層Ｌ２の上にトップ部６３の基となる第３層Ｌ３が形成される。さらに、隔壁６の平面形状にパターニングされたレジストＲ１が第３層Ｌ３の上に形成される。
【0061】
第１層Ｌ１は、第１ボトム層６１１ａと、第１ボトム層６１１ａを覆う第２ボトム層６１２ａとを含む。また、第３層Ｌ３は、第１トップ層６３１ａと、第１トップ層６３１ａを覆う第２トップ層６３２ａとを含む。
【0062】
続いて、図７に示す第１エッチング工程により第３層Ｌ３がパターニングされる。第１エッチング工程は、第２トップ層６３２ａのうちレジストＲ１から露出した部分を除去するエッチングと、第１トップ層６３１ａのうちレジストＲ１から露出した部分を除去するエッチングとを含む。これらのエッチングにより、第１トップ層６３１および第２トップ層６３２を含むトップ部６３が形成される。
【0063】
トップ部６３の形成の後、第２エッチング工程により第２層Ｌ２がパターニングされる。第２エッチング工程においては、先ず図８に示すように、異方性のエッチングによって第２層Ｌ２のうちレジストＲ１から露出した部分が除去される。さらに、図９に示すように、等方性のエッチングによって第２層Ｌ２の幅が低減される。これにより、トップ部６３よりも幅が小さい軸部６２が形成される。
【0064】
軸部６２の形成の後、図１０に示す第３エッチング工程により第１層Ｌ１がパターニングされる。第３エッチング工程は、第２ボトム層６１２ａのうち軸部６２から露出した部分を除去するエッチングと、第１ボトム層６１１ａのうち軸部６２から露出した部分を除去するエッチングとを含む。これらのエッチングにより、第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２を含むボトム部６１が形成される。
【0065】
このように、第１層Ｌ１、第２層Ｌ２および第３層Ｌ３が第１乃至第３エッチング工程によってパターニングされることにより隔壁６が形成される。隔壁６の形成の後、レジストＲ１が除去される。
【0066】
次に、図１１に示すようにリブ５の平面形状にパターニングされたレジストＲ２が配置される。さらに、図１２に示すように、絶縁層５ａのうちレジストＲ２から露出した部分がエッチングにより除去される。これにより、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有するリブ５が形成される。当該エッチングの後、レジストＲ２が除去される。
【0067】
なお、図６乃至図１２の例においては、隔壁６が形成された後にリブ５の開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成される場合を示した。他の例として、開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成された後に隔壁６が形成されてもよい。
【0068】
リブ５および隔壁６の形成の後、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が実施される。本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が次に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される場合を想定する。ただし、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。
【0069】
表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、先ず図１３に示すように、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆う有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ１を覆うとともにボトム部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１、上電極ＵＥ１を覆うキャップ層ＣＰ１が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ１や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ１がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される（工程ＰＲ３）。
【0070】
有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む薄膜ＦＬ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２，ＳＰ３や隔壁６の上にも配置されている。薄膜ＦＬ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ１は、表示領域ＤＡの全体に対して形成され、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ１および隔壁６を連続的に覆っている。
【0071】
工程ＰＲ３の後、薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程ＰＲ４）。このパターニングにおいては、図１４に示すように、封止層ＳＥ１の上にレジストＲ３が配置される。レジストＲ３は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。
【0072】
その後、レジストＲ３をマスクとしたエッチングにより、図１５に示すように薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のうちレジストＲ３から露出した部分が除去される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。
【0073】
図１５に示した工程の後、レジストＲ３が除去される。これにより、図１６に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２，ＳＰ３に表示素子や封止層が形成されていない基板を得ることができる。
【0074】
表示素子ＤＥ２は、表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ４の後、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆う有機層ＯＲ２、有機層ＯＲ２を覆う上電極ＵＥ２、上電極ＵＥ２を覆うキャップ層ＣＰ２が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ２や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ２がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ５）。
【0075】
有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む薄膜ＦＬ２は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ２だけでなく副画素ＳＰ１，ＳＰ３や隔壁６の上にも配置される。薄膜ＦＬ２は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ２は、表示領域ＤＡの全体に対して形成され、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ２および隔壁６を連続的に覆う。
【0076】
工程ＰＲ５の後、薄膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２がウェットエッチングやドライエッチングによりパターニングされる（工程ＰＲ６）。このパターニングの流れは工程ＰＲ４と同様である。
【0077】
工程ＰＲ６を経ると、図１７に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子や封止層が形成されていない基板を得ることができる。
【0078】
表示素子ＤＥ３は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ６の後、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆う有機層ＯＲ３、有機層ＯＲ３を覆う上電極ＵＥ３、上電極ＵＥ３を覆うキャップ層ＣＰ３が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ３や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ３がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ７）。
【0079】
有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む薄膜ＦＬ３は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ３だけでなく副画素ＳＰ１，ＳＰ２や隔壁６の上にも配置される。薄膜ＦＬ３は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ３は、表示領域ＤＡの全体に対して形成され、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ３および隔壁６を連続的に覆う。
【0080】
工程ＰＲ７の後、薄膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３がウェットエッチングやドライエッチングによりパターニングされる（工程ＰＲ８）。このパターニングの流れは工程ＰＲ４と同様である。
【0081】
工程ＰＲ８を経ると、図１８に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３および封止層ＳＥ３が形成された基板を得ることができる。
【0082】
表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が形成された後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５が順に形成される（工程ＰＲ９）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。
【0083】
以上説明した本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの製造方法においては、蒸着により形成される薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３がオーバーハング状の隔壁６によって分断される。さらに、このように分断された薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３をそれぞれ封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３によって覆うことにより、個別に封止された表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を得ることができる。隔壁６は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に給電する配線としての役割も担う。
【0084】
薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を良好に分断するためには、隔壁６のボトム部６１および軸部６２の厚さや、軸部６２の側面からのトップ部６３の突出長さを大きくする必要がある。仮に、ボトム部６１および軸部６２の全体を導電性の材料で形成し、かつこれらを厚くした場合、隔壁６の抵抗が大幅に低下する。
【0085】
表示装置ＤＳＰの使用態様によっては、隔壁６の抵抗の大幅な低下が好ましくない場合がある。図１９は、その一例を示す模式図である。この図において、表示装置ＤＳＰは、電子機器１００に搭載されている。電子機器１００は、例えばスマートフォンなどのモバイル端末や、スマートウォッチなどのウェアラブル端末である。
【0086】
電子機器１００は、表示装置ＤＳＰの表示面側（図３に示した樹脂層１５の上面側）に配置されたカバー部材ＣＭと、表示装置ＤＳＰの裏面側（図３に示した基板１０の下面側）に配置されたアンテナＡＴとを備えている。カバー部材ＣＭは、例えばガラスによって形成されている。アンテナＡＴは、近距離無線通信（ＮＦＣ）のための電波を送受信する。
【0087】
このような構成の電子機器１００を読み取り機２００と近距離無線通信させる際、電子機器１００は、例えばカバー部材ＣＭが読み取り機２００と対向する姿勢で読み取り機２００にかざされる。このとき、アンテナＡＴと読み取り機２００の間に表示装置ＤＳＰが介在する。この場合、隔壁６の抵抗が低すぎると、隔壁６がアンテナＡＴと読み取り機２００の通信の感度に影響を及ぼす可能性がある。
【0088】
これに対し、本実施形態における隔壁６は、導電性のボトム部６１と、絶縁性の軸部６２とを備えている。このような構成においては、隔壁６の全体、あるいは隔壁６のうちトップ部６３を除く部分の全体を導電性の材料で形成する場合に比べ、隔壁６の抵抗を上げることができる。結果として、図１９に示す態様で表示装置ＤＳＰを用いる場合において、近距離無線通信の感度を良好に保つことが可能となる。
【0089】
なお、隔壁６の抵抗は、図４に示したボトム部６１の厚さＴ１によって適切な値に調整することができる。すなわち、隔壁６の抵抗を上げるべき場合には厚さＴ１を小さくすればよい。また、抵抗を下げるべき場合には厚さＴ１を大きくすればよい。厚さＴ１の調整により、表示装置ＤＳＰに求められる性能に応じた所望の隔壁６の抵抗を実現することが可能である。また、主に軸部６２の厚さＴ２で隔壁６の高さを調整すれば、抵抗とは独立して隔壁６の高さを制御することができる。
【0090】
本実施形態において開示した製造方法において、良好な形状の隔壁６を形成するためには、以下の条件が満たされることが好ましい。
［条件１］
第１層Ｌ１が導電性の第１材料からなる層を含み、第２層Ｌ２が絶縁性の第２材料からなる層を含み、第３層Ｌ３が第３材料からなる層を含む場合において、図９に示した第２エッチング工程における第３材料のエッチングレートが、当該第２エッチング工程における第２材料のエッチングレートよりも低い。
［条件１］
第１層Ｌ１が導電性の第１材料からなる層を含み、第２層Ｌ２が絶縁性の第２材料からなる層を含み、第３層Ｌ３が第３材料からなる層を含む場合において、図９に示した第２エッチング工程における第３材料のエッチングレートが、当該第２エッチング工程における第２材料のエッチングレートよりも低い。
【0091】
［条件２］
第１層Ｌ１が導電性の第１材料からなる層を含み、第２層Ｌ２が絶縁性の第２材料からなる層を含み、第３層Ｌ３が第３材料からなる層を含む場合において、図１０に示した第３エッチング工程における第３材料のエッチングレートが、当該第３エッチング工程における第１材料のエッチングレートよりも低い。
第１層Ｌ１が導電性の第１材料からなる層を含み、第２層Ｌ２が絶縁性の第２材料からなる層を含み、第３層Ｌ３が第３材料からなる層を含む場合において、図１０に示した第３エッチング工程における第３材料のエッチングレートが、当該第３エッチング工程における第１材料のエッチングレートよりも低い。
【0092】
［条件３］
第１層Ｌ１が導電性の第１材料からなる層を含み、第２層Ｌ２が絶縁性の第２材料からなる層を含み、第３層Ｌ３が第１材料からなる層を含む場合において、第３層Ｌ３に含まれる第１材料からなる層が、第１層Ｌ１に含まれる第１材料からなる層よりも厚く形成されている。
第１層Ｌ１が導電性の第１材料からなる層を含み、第２層Ｌ２が絶縁性の第２材料からなる層を含み、第３層Ｌ３が第１材料からなる層を含む場合において、第３層Ｌ３に含まれる第１材料からなる層が、第１層Ｌ１に含まれる第１材料からなる層よりも厚く形成されている。
【0093】
条件１を満たすことにより、第２エッチング工程におけるトップ部６３の侵食が抑制され、トップ部６３の幅を良好に保つことができる。同様に、条件２を満たすことにより、第３エッチング工程におけるトップ部６３の侵食が抑制され、トップ部６３の幅を良好に保つことができる。これにより、隔壁６のオーバーハング形状が安定する。
【0094】
また、条件３のように第１層Ｌ１および第３層Ｌ３が同じ第１材料の層を含む場合には、第１層Ｌ１を対象とした第３エッチング工程において第３層Ｌ３も侵食され得るところ、第３層Ｌ３に含まれる第１材料の層が厚く形成されていれば、この層の消失が抑制される。したがって、条件１，２の場合と同じく、隔壁６のオーバーハング形状が安定する。
【0095】
続いて、隔壁６のいくつかの実施例を示す。なお、これらの実施例においては、図４に示したようにボトム部６１が第１ボトム層６１１および第２ボトム層６１２を有し、トップ部６３が第１トップ層６３１および第２トップ層６３２を有し、軸部６２が単層構造を有する場合を想定する。隔壁６の構成はこれら実施例に限られず、例えば条件１乃至３の少なくとも１つを満たす種々の構成を適用し得る。
【0096】
［実施例１］
図２０は、実施例１に係る隔壁６を示す図である。実施例１においては、第１ボトム層６１１がモリブデン－タングステン合金によって形成され、第２ボトム層６１２がアルミニウムによって形成され、軸部６２がシリコン窒化物によって形成され、第１トップ層６３１がチタンによって形成され、第２トップ層６３２がＩＴＯによって形成されている。
図２０は、実施例１に係る隔壁６を示す図である。実施例１においては、第１ボトム層６１１がモリブデン－タングステン合金によって形成され、第２ボトム層６１２がアルミニウムによって形成され、軸部６２がシリコン窒化物によって形成され、第１トップ層６３１がチタンによって形成され、第２トップ層６３２がＩＴＯによって形成されている。
【0097】
例えば、第１ボトム層６１１の厚さは５０ｎｍであり、第２ボトム層６１２の厚さは第１ボトム層６１１よりも厚い１００ｎｍであり、軸部６２の厚さは８００ｎｍであり、第１トップ層６３１の厚さは１００ｎｍであり、第２トップ層６３２の厚さは第１トップ層６３１よりも薄い５０ｎｍである。
【0098】
なお、モリブデン－タングステン合金、アルミニウム、チタンおよびＩＴＯの成膜には、スパッタリングを用いることができる。また、シリコン窒化物の成膜には、ＣＶＤを用いることができる。
【0099】
ＩＴＯで形成された第２トップ層６３２は、例えばシュウ酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングによりパターニングされる。チタンで形成された第１トップ層６３１、シリコン窒化物で形成された軸部６２、モリブデン－タングステン合金で形成された第１ボトム層６１１は、例えばフッ素系のエッチングガスを用いたドライエッチングによりパターニングされる。アルミニウムで形成された第２ボトム層６１２は、例えばリン酸、硝酸および酢酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングによりパターニングされる。
【0100】
実施例１において、第１ボトム層６１１を形成するモリブデン－タングステン合金および第２ボトム層６１２を形成するアルミニウムはそれぞれ第１材料の一例であり、軸部６２を形成するシリコン窒化物は第２材料の一例であり、第１トップ層６３１を形成するチタンは第３材料の一例である。
【0101】
すなわち、シリコン窒化物（第２材料）からなる軸部６２を加工するためのドライエッチング（第２エッチング工程）におけるチタン（第３材料）のエッチングレートは、当該エッチングにおけるシリコン窒化物（第２材料）のエッチングレートよりも低い。そのため、実施例１は条件１を満たす。
【0102】
また、モリブデン－タングステン合金（第１材料）からなる第１ボトム層６１１を加工するためのドライエッチング（第３エッチング工程）におけるチタン（第３材料）のエッチングレートは、当該ドライエッチングにおけるモリブデン－タングステン合金（第１材料）のエッチングレートよりも低い。同様に、アルミニウム（第１材料）からなる第２ボトム層６１２を加工するためのウェットエッチング（第３エッチング工程）におけるチタン（第３材料）のエッチングレートは、当該エッチングにおけるアルミニウム（第１材料）のエッチングレートよりも低い。これらのことから、実施例１は条件２を満たす。
【0103】
［実施例２］
図２１は、実施例２に係る隔壁６を示す図である。実施例２においては、第１トップ層６３１がシリコン酸化物によって形成されている。なお、第１トップ層６３１以外の構成は、実施例１と同様である。
図２１は、実施例２に係る隔壁６を示す図である。実施例２においては、第１トップ層６３１がシリコン酸化物によって形成されている。なお、第１トップ層６３１以外の構成は、実施例１と同様である。
【0104】
第１トップ層６３１の厚さは、例えば１００ｎｍである。シリコン酸化物の成膜には、ＣＶＤを用いることができる。また、シリコン酸化物で形成された第１トップ層６３１は、例えばフッ素系のエッチングガスを用いたドライエッチングによりパターニングされる。
【0105】
実施例２において、第１ボトム層６１１を形成するモリブデン－タングステン合金および第２ボトム層６１２を形成するアルミニウムはそれぞれ第１材料の一例であり、軸部６２を形成するシリコン窒化物は第２材料の一例であり、第１トップ層６３１を形成するシリコン酸化物は第３材料の一例である。
【0106】
すなわち、シリコン窒化物（第２材料）からなる軸部６２を加工するためのドライエッチング（第２エッチング工程）におけるシリコン酸化物（第３材料）のエッチングレートは、当該エッチングにおけるシリコン窒化物（第２材料）のエッチングレートよりも低い。そのため、実施例２は条件１を満たす。
【0107】
また、モリブデン－タングステン合金（第１材料）からなる第１ボトム層６１１を加工するためのドライエッチング（第３エッチング工程）におけるシリコン酸化物（第３材料）のエッチングレートは、当該ドライエッチングにおけるモリブデン－タングステン合金（第１材料）のエッチングレートよりも低い。同様に、アルミニウム（第１材料）からなる第２ボトム層６１２を加工するためのウェットエッチング（第３エッチング工程）におけるシリコン酸化物（第３材料）のエッチングレートは、当該エッチングにおけるアルミニウム（第１材料）のエッチングレートよりも低い。これらのことから、実施例２は条件２を満たす。
【0108】
［実施例３］
図２２は、実施例３に係る隔壁６を示す図である。実施例３においては、第１ボトム層６１１および第１トップ層６３１が窒化チタンによって形成されている。なお、第１ボトム層６１１および第１トップ層６３１以外の構成は、実施例１と同様である。
図２２は、実施例３に係る隔壁６を示す図である。実施例３においては、第１ボトム層６１１および第１トップ層６３１が窒化チタンによって形成されている。なお、第１ボトム層６１１および第１トップ層６３１以外の構成は、実施例１と同様である。
【0109】
例えば、第１ボトム層６１１の厚さは２０ｎｍであり、第１トップ層６３１の厚さは１００ｎｍである。窒化チタンの成膜には、スパッタリングを用いることができる。また、窒化チタンで形成された第１ボトム層６１１および第１トップ層６３１は、例えばフッ素系のエッチングガスを用いたドライエッチングによりパターニングされる。
【0110】
実施例３において、第２ボトム層６１２を形成するアルミニウムは第１材料の一例であり、軸部６２を形成するシリコン窒化物は第２材料の一例であり、第１トップ層６３１を形成する窒化チタンは第３材料の一例である。
【0111】
この場合において、シリコン窒化物（第２材料）からなる軸部６２を加工するためのドライエッチング（第２エッチング工程）における窒化チタン（第３材料）のエッチングレートは、当該エッチングにおけるシリコン窒化物（第２材料）のエッチングレートよりも低い。そのため、実施例３は条件１を満たす。
【0112】
また、アルミニウム（第１材料）からなる第２ボトム層６１２を加工するためのウェットエッチング（第３エッチング工程）における窒化チタン（第３材料）のエッチングレートは、当該エッチングにおけるアルミニウム（第１材料）のエッチングレートよりも低い。そのため、実施例３は条件２を満たす。
【0113】
さらに、実施例３においては、第１ボトム層６１１および第１トップ層６３１を形成する窒化チタンを第１材料とみなすこともできる。この場合においては、第１ボトム層６１１の厚さが２０ｎｍであり、第１トップ層６３１の厚さが１００ｎｍであるため、実施例３は条件３を満たす。
【0114】
なお、図２１に示した実施例２において、シリコン酸化物で形成された第１トップ層６３１は絶縁性であり、ＩＴＯで形成された第２トップ層６３２は導電性である。すなわち、トップ部６３は、導電層と絶縁層の積層構造を有している。
【0115】
このような積層構造としては、実施例２の他にも種々の態様が想定される。例えば、トップ部６３の導電層は、アルミニウム、チタン、窒化チタン、モリブデン、モリブデン－タングステン合金、タングステンおよびＩＺＯのいずれかによって形成されてもよい。また、トップ部６３の絶縁層は、シリコン窒化物およびシリコン酸窒化物のいずれかによって形成されてもよい。
【0116】
仮にトップ部６３が絶縁性の材料のみで形成されている場合、同じく絶縁性の材料で形成された軸部６２のエッチングにおいて両者のエッチングレートが近くなる可能性がある。この場合、軸部６２のエッチングに際してトップ部６３も侵食され、オーバーハング形状を保てなくなる可能性がある。
【0117】
これに対し、トップ部６３が導電層と絶縁層の積層構造を有し、この導電層に、軸部６２のエッチングに対してエッチング速度の遅い材料を用いれば、軸部６２のエッチングに際して絶縁層が侵食されたとしても、導電層によってオーバーハング形状を良好に保つことができる。
【0118】
また、仮にトップ部６３が導電性の材料のみで形成されている場合、同じく導電性の材料で形成されたボトム部６１のエッチングにおいて両者のエッチングレートが近くなる可能性がある。この場合にも、ボトム部６１のエッチングに際してトップ部６３も侵食され、オーバーハング形状を保てなくなる可能性がある。
【0119】
これに対し、トップ部６３が導電層と絶縁層の積層構造を有し、この絶縁層にボトム部６１のエッチングに対してエッチング速度の遅い材料を用いれば、ボトム部６１のエッチングに際して導電層が侵食されたとしても、絶縁層によってオーバーハング形状を良好に保つことができる。
【0120】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0121】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0122】
また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0123】
ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、１…画素回路、５…リブ、６…隔壁、６１…ボトム部、６２…軸部、６３…トップ部。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】