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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024084532
(43)【公開日】2024-06-25
(54)【発明の名称】表示パネル及び表示パネルの製造方法
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240618BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240618BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20240618BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20240618BHJP
H10K 50/84 20230101ALI20240618BHJP
H10K 59/123 20230101ALI20240618BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240618BHJP
H10K 71/12 20230101ALI20240618BHJP
H10K 71/00 20230101ALI20240618BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20240618BHJP
H01L 21/336 20060101ALI20240618BHJP
H01L 29/786 20060101ALI20240618BHJP
H01L 21/8234 20060101ALI20240618BHJP
H01L 27/088 20060101ALI20240618BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 338
G09F9/30 348A
G09F9/00 338
H05B33/22 Z
H05B33/02
H10K50/84
H10K59/123
H10K59/124
H10K71/12
H10K71/00
H10K71/20
H01L29/78 619A
H01L29/78 618B
H01L27/06 102A
H01L27/088 331E
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022198852
(22)【出願日】2022-12-13
(71)【出願人】
【識別番号】514188173
【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ
(71)【出願人】
【識別番号】515203228
【氏名又は名称】ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＴＣＬ Ｃｈｉｎａ Ｓｔａｒ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．９－２，Ｔａｎｇｍｉｎｇ Ｒｄ，Ｇｕａｎｇｍｉｎｇ Ｎｅｗ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｓｈｅｎｚｈｅｎ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ，Ｃｈｉｎａ ５１８１３２
(74)【代理人】
【識別番号】100189430
【弁理士】
【氏名又は名称】吉川 修一
(74)【代理人】
【識別番号】100190805
【弁理士】
【氏名又は名称】傍島 正朗
(72)【発明者】
【氏名】林 宏
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5F048
5F110
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107DD03
3K107DD39
3K107DD90
3K107DD95
3K107DD97
3K107EE04
3K107GG06
3K107GG13
3K107GG28
3K107HH05
5C094AA43
5C094BA03
5C094BA27
5C094DA13
5C094DA15
5C094DB01
5C094EA05
5C094FA02
5C094FB15
5F048AC10
5F048BA14
5F048BA16
5F048BB09
5F048BB11
5F048BB13
5F048BF02
5F048BF07
5F048BF16
5F110BB01
5F110CC01
5F110CC02
5F110DD01
5F110DD02
5F110DD03
5F110DD13
5F110DD14
5F110DD17
5F110EE02
5F110EE03
5F110EE04
5F110EE06
5F110EE07
5F110EE14
5F110EE15
5F110EE30
5F110EE44
5F110FF02
5F110FF03
5F110FF29
5F110FF30
5F110GG01
5F110GG25
5F110GG43
5F110GG58
5F110HJ01
5F110HJ18
5F110HL02
5F110HL03
5F110HL04
5F110HL06
5F110HL11
5F110HL12
5F110HL23
5F110NN03
5F110NN04
5F110NN22
5F110NN23
5F110NN24
5F110NN27
5F110NN35
5F110NN73
5G435AA17
5G435BB05
5G435KK05
(57)【要約】
【課題】自発光型の表示パネルにおいて、画素回路の段差を従来よりも抑制することができる表示パネル等を提供する。
【解決手段】表示パネル１０は、画素回路を備える自発光型の表示パネルであって、基板２０と、基板２０上に設けられ、画素回路を構成する透光性の第一導電膜（例えば、金属酸化物層５０）と、第一導電膜上に設けられ、画素回路を構成する非透光性の第二導電膜（例えば、第三金属層９０）と、第一導電膜上に設けられ、表面を平坦化する絶縁膜（例えば、第三層間絶縁膜１００）とを備え、第一導電膜の少なくとも一部は、表示パネル１０の平面視において、第二導電膜と重ならない領域に設けられ、絶縁膜は、重ならない領域において平坦である。
【選択図】図２
【解決手段】表示パネル１０は、画素回路を備える自発光型の表示パネルであって、基板２０と、基板２０上に設けられ、画素回路を構成する透光性の第一導電膜（例えば、金属酸化物層５０）と、第一導電膜上に設けられ、画素回路を構成する非透光性の第二導電膜（例えば、第三金属層９０）と、第一導電膜上に設けられ、表面を平坦化する絶縁膜（例えば、第三層間絶縁膜１００）とを備え、第一導電膜の少なくとも一部は、表示パネル１０の平面視において、第二導電膜と重ならない領域に設けられ、絶縁膜は、重ならない領域において平坦である。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
画素回路を備える自発光型の表示パネルであって、
基板と、
前記基板上に設けられ、前記画素回路を構成する透光性の第一導電膜と、
前記第一導電膜上に設けられ、前記画素回路を構成する非透光性の第二導電膜と、
前記第一導電膜上に設けられ、表面を平坦化する絶縁膜とを備え、
前記第一導電膜の少なくとも一部は、前記表示パネルの平面視において、前記第二導電膜と重ならない領域に設けられ、
前記絶縁膜は、前記重ならない領域において平坦である
表示パネル。
基板と、
前記基板上に設けられ、前記画素回路を構成する透光性の第一導電膜と、
前記第一導電膜上に設けられ、前記画素回路を構成する非透光性の第二導電膜と、
前記第一導電膜上に設けられ、表面を平坦化する絶縁膜とを備え、
前記第一導電膜の少なくとも一部は、前記表示パネルの平面視において、前記第二導電膜と重ならない領域に設けられ、
前記絶縁膜は、前記重ならない領域において平坦である
表示パネル。
【請求項2】
前記絶縁膜は、ネガ型の感光性樹脂膜である
請求項１に記載の表示パネル。
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項3】
前記絶縁膜は、無機絶縁膜である
請求項１に記載の表示パネル。
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項4】
前記画素回路は、薄膜トランジスタを有し、
前記第一導電膜は、前記薄膜トランジスタの半導体層を含む
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
前記第一導電膜は、前記薄膜トランジスタの半導体層を含む
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項5】
前記画素回路は、保持容量を有し、
前記保持容量は、下部電極と、上部電極と、前記下部電極及び前記上部電極の間の誘電膜とを有し、
前記第一導電膜は、さらに前記薄膜トランジスタの前記下部電極又は前記上部電極を含む
請求項４に記載の表示パネル。
前記保持容量は、下部電極と、上部電極と、前記下部電極及び前記上部電極の間の誘電膜とを有し、
前記第一導電膜は、さらに前記薄膜トランジスタの前記下部電極又は前記上部電極を含む
請求項４に記載の表示パネル。
【請求項6】
前記基板上に設けられ、前記画素回路を構成する透光性の第三導電膜をさらに備え、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極を有し、
前記第三導電膜は、前記ゲート電極、及び、前記上部電極を含む
請求項５に記載の表示パネル。
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極を有し、
前記第三導電膜は、前記ゲート電極、及び、前記上部電極を含む
請求項５に記載の表示パネル。
【請求項7】
前記基板上に設けられ、前記画素回路を構成する透光性の第四導電膜をさらに備え、
前記画素回路は、前記半導体層の下方に設けられるシールド電極をさらに有し、
前記第四導電膜は、前記シールド電極を含む
請求項５に記載の表示パネル。
前記画素回路は、前記半導体層の下方に設けられるシールド電極をさらに有し、
前記第四導電膜は、前記シールド電極を含む
請求項５に記載の表示パネル。
【請求項8】
前記第一導電膜と前記絶縁膜との間に、ポジ型の平坦化膜を備え、
前記画素回路は、前記半導体層に接続されたソース・ドレイン電極を有し、
前記ソース・ドレイン電極の一部は、前記ポジ型の平坦化膜の上方に位置する
請求項４に記載の表示パネル。
前記画素回路は、前記半導体層に接続されたソース・ドレイン電極を有し、
前記ソース・ドレイン電極の一部は、前記ポジ型の平坦化膜の上方に位置する
請求項４に記載の表示パネル。
【請求項9】
前記薄膜トランジスタは、トップゲート型の薄膜トランジスタである
請求項４に記載の表示パネル。
請求項４に記載の表示パネル。
【請求項10】
前記表示パネルは、前記平面視において発光する発光領域と、前記発光領域に隣接する非発光領域とを有し、
前記第一導電膜は、前記非発光領域において、金属配線と接続される
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
前記第一導電膜は、前記非発光領域において、金属配線と接続される
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項11】
前記絶縁膜上に形成される発光層をさらに備え、
前記発光層は、塗布膜である
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
前記発光層は、塗布膜である
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項12】
前記表示パネルは、トップエミッション型である
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項13】
画素回路を備える自発光型の表示パネルの製造方法であって、
基板上に、前記画素回路を構成する透光性の第一導電膜を形成する第一工程と、
前記第一導電膜上に、前記画素回路を構成する非透光性の第二導電膜を形成する第二工程と、
前記第一導電膜上に、表面を平坦化する絶縁膜を形成する第三工程とを含み、
前記第一導電膜の少なくとも一部は、前記表示パネルの平面視において、前記第二導電膜と重ならない領域に設けられ、
前記絶縁膜は、前記重ならない領域において平坦である
表示パネルの製造方法。
基板上に、前記画素回路を構成する透光性の第一導電膜を形成する第一工程と、
前記第一導電膜上に、前記画素回路を構成する非透光性の第二導電膜を形成する第二工程と、
前記第一導電膜上に、表面を平坦化する絶縁膜を形成する第三工程とを含み、
前記第一導電膜の少なくとも一部は、前記表示パネルの平面視において、前記第二導電膜と重ならない領域に設けられ、
前記絶縁膜は、前記重ならない領域において平坦である
表示パネルの製造方法。
【請求項14】
前記絶縁膜は、ネガ型の感光性樹脂膜であり、
前記第三工程では、
前記第二導電膜上にネガ型の感光性樹脂材料を塗布し、
前記基板側から前記ネガ型の感光性樹脂材料の膜を露光する
請求項１３に記載の表示パネルの製造方法。
前記第三工程では、
前記第二導電膜上にネガ型の感光性樹脂材料を塗布し、
前記基板側から前記ネガ型の感光性樹脂材料の膜を露光する
請求項１３に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項15】
前記絶縁膜は、無機絶縁膜であり、
さらに
前記絶縁膜上にネガ型のレジスト材料を塗布する第四工程と、
前記基板側から前記ネガ型のレジスト材料の膜を露光する第五工程と、
露光された前記ネガ型の感光性樹脂材料の膜を現像する第六工程と、
現像された前記ネガ型のレジスト材料をマスクとして前記絶縁膜をドライエッチングする第七工程と、
現像された前記ネガ型のレジスト材料の膜を剥離する第八工程とを含む
請求項１３に記載の表示パネルの製造方法。
さらに
前記絶縁膜上にネガ型のレジスト材料を塗布する第四工程と、
前記基板側から前記ネガ型のレジスト材料の膜を露光する第五工程と、
露光された前記ネガ型の感光性樹脂材料の膜を現像する第六工程と、
現像された前記ネガ型のレジスト材料をマスクとして前記絶縁膜をドライエッチングする第七工程と、
現像された前記ネガ型のレジスト材料の膜を剥離する第八工程とを含む
請求項１３に記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、表示パネル及び表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
表示装置に用いられる表示パネルとして、複数の画素がマトリクス状に配置された有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネルが知られている。例えばトップエミッション構造を有する有機ＥＬ表示パネルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などを有する回路基板と、回路基板上に設けられたＥＬデバイス層とを備える。薄膜トランジスタは、基板上に複数の絶縁膜、及び複数の配線層などが積層されることで形成される。
【0003】
このような有機ＥＬ表示パネルなどの自発光型の表示パネルでは、発光部を制御する画素回路の段差が、画素回路より上層に配置された発光部に転写されることで、発光部の断面構造が乱れ発光効率が劣化（低下）し、有機ＥＬ表示パネルの表示品位が低下することがある。そのため画素回路の段差を抑制することが求められる。特許文献１には、液晶ディスプレイにおいて、ネガ型の感光性樹脂からなる平坦化膜を設けることで画素回路の段差を抑制する技術が開示されている。また、特許文献２には、液晶ディスプレイにおいて、ネガ型のレジストを裏面露光し、レジストをマスクに絶縁膜をエッチングすることで画素回路の段差を抑制する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００１－１０９０１７号公報
【特許文献2】特開平５－３４１３２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献１及び特許文献２の技術を有機ＥＬ表示パネルに適用する場合、画素回路の段差を効果的に緩和することが困難である。
【0006】
そこで、本開示は、自発光型の表示パネルにおいて、画素回路の段差を従来よりも抑制することができる表示パネル及び表示パネルの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の一態様に係る表示パネルは、画素回路を備える自発光型の表示パネルであって、基板と、前記基板上に設けられ、前記画素回路を構成する透光性の第一導電膜と、前記第一導電膜上に設けられ、前記画素回路を構成する非透光性の第二導電膜と、前記第一導電膜上に設けられ、表面を平坦化する絶縁膜とを備え、前記第一導電膜の少なくとも一部は、前記表示パネルの平面視において、前記第二導電膜と重ならない領域に設けられ、前記絶縁膜は、前記重ならない領域において平坦である。
【0008】
本開示の一態様に係る表示パネルの製造方法は、画素回路を備える自発光型の表示パネルの製造方法であって、基板上に、前記画素回路を構成する透光性の第一導電膜を形成する第一工程と、前記第一導電膜上に、前記画素回路を構成する非透光性の第二導電膜を形成する第二工程と、前記第一導電膜上に、表面を平坦化する絶縁膜を形成する第三工程とを含み、前記第一導電膜の少なくとも一部は、前記表示パネルの平面視において、前記第二導電膜と重ならない領域に設けられ、前記絶縁膜は、前記重ならない領域において平坦である。
【発明の効果】
【0009】
本開示の一態様によれば、自発光型の表示パネルにおいて、画素回路の段差を従来よりも抑制することができる表示パネル等を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
（本開示に至った経緯）
上記のように、画素回路の段差が発光部に転写されることにより発光部の断面構造が乱れ、断面構造の乱れにより発光部の発光効率が劣化（低下）するので、有機ＥＬ表示パネルの表示品位が損なわれてしまうことがある。そこで、画素回路の段差を抑制することが求められる。例えば、液晶ディスプレイにおいて、画素回路の段差を抑制する検討が行われている。しかしながら、液晶ディスプレイは画素回路が粗であるのに対し、有機ＥＬ表示パネルは画素回路が密であるので、液晶ディスプレイにおいて効果がある技術をそのまま有機ＥＬ表示パネルに適用するのは困難である。
上記のように、画素回路の段差が発光部に転写されることにより発光部の断面構造が乱れ、断面構造の乱れにより発光部の発光効率が劣化（低下）するので、有機ＥＬ表示パネルの表示品位が損なわれてしまうことがある。そこで、画素回路の段差を抑制することが求められる。例えば、液晶ディスプレイにおいて、画素回路の段差を抑制する検討が行われている。しかしながら、液晶ディスプレイは画素回路が粗であるのに対し、有機ＥＬ表示パネルは画素回路が密であるので、液晶ディスプレイにおいて効果がある技術をそのまま有機ＥＬ表示パネルに適用するのは困難である。
【0012】
例えば、液晶ディスプレイにおいて、ネガ型の感光性樹脂材料を用いて画素回路を平坦化する技術が検討されている。しかしながら、画素回路が密であり、ネガ型の感光性樹脂材料に対する裏面露光における遮蔽物が多い有機ＥＬ表示パネルにそのような技術を適用するのは困難である。
【0013】
【0014】
図１９の（ａ）は、ネガ型の感光性樹脂により形成される樹脂層４００ａを裏面露光する様子を示しており、図１９の（ｂ）は、現像後の樹脂層４００ａ（つまり、第三層間絶縁膜４００）の表面形状を示している。なお、本明細書において、透光性を有していない構成要素のうち主な構成要素をドットハッチングで図示している。また、本明細書において透光性を有するとは、例えば、透過率が２０％以上であることであってもよいし、透過率が３０％以上であることであってもよいし、透過率が４０％以上であることであってもよい。
【0015】
図１９の（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示パネルは、基板２０と、第一金属層４３０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁膜６１と、ゲート電極７１と、第二層間絶縁膜８０と、第三金属層９０と、樹脂層４００ａとを備える。第一金属層４３０は、シールド電極４３１と、下部電極４３２とを有し、金属酸化物層５０は、半導体層５１と、上部電極５２とを有し、第三金属層９０は、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂと、配線９２とを有する。また、基板２０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁膜６１と、第二層間絶縁膜８０と、樹脂層４００ａとは透光性を有する。また、第一金属層４３０と、ゲート電極７１と、第三金属層９０とは透光性を有していない。各構成部の機能等については、以下の本開示の実施の形態で説明する。
【0016】
樹脂層４００ａは、第三金属層９０により形成される段差（樹脂層４００ａが形成されていない状態において露出している第三金属層９０の部分（上部）により形成される段差）を抑制（緩和）するために配置される。樹脂層４００ａは、ネガ型の感光性樹脂材料を塗布することにより形成される。ネガ型の感光性樹脂材料は、露光されると硬化して現像液に対する溶解性が低くなる性質を有する。
【0017】
第一金属層４３０、ゲート電極７１及び第三金属層９０は、低抵抗化のため金属配線が用いられる。第一金属層４３０、ゲート電極７１及び第三金属層９０は、例えば、Ｔｉ膜、Ｃｕ膜、及びＣｕＭｎ膜からなる積層膜により形成される。金属配線は、透光性を有しておらず、裏面露光時の遮蔽物となる。
【0018】
樹脂層４００ａは、裏面側（基板２０側）から裏面露光される。裏面側から光（例えば、紫外線）が樹脂層４００ａに照射される。樹脂層４００ａの全域に光が照射されると、ソース・ドレイン電極９１ｂと配線９２との間など、第三金属層９０の電極間の樹脂層４００ａが現像液で除去されずに残る（つまり、第三層間絶縁膜４００が形成される）ので、画素回路の段差を抑制可能である。
【0019】
しかしながら、第一金属層４３０、ゲート電極７１及び第三金属層９０は、上記の通り裏面露光時には遮蔽物となるので、樹脂層４００ａの全域に光が照射されない。具体的には、樹脂層４００ａのうち、第一金属層４３０、ゲート電極７１及び第三金属層９０の上方を除く全域に当該光が照射される。
【0020】
次に、図１９の（ｂ）に示すように、現像液により未感光部を除去するが、樹脂層４００ａのうち第一金属層４３０、ゲート電極７１及び第三金属層９０の上方を除く全域が感光部であるので、第一金属層４３０、ゲート電極７１及び第三金属層９０の上方を除く領域の樹脂が除去されずに残る。言い換えると、樹脂層４００ａのうち第一金属層４３０、ゲート電極７１及び第三金属層９０の上方の領域の樹脂は、未感光部であり現像液により除去される。これにより、未形成部４００ｂが形成される。未形成部４００ｂは、画素回路の段差である。未形成部４００ｂが形成されるので、第三層間絶縁膜４００は、平面視において、金属酸化物層５０のうちソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂと重ならない領域、並びに、配線９２と重ならない領域において平坦ではない。言い換えると、第三層間絶縁膜４００は、平面視において、金属酸化物層５０のうちソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂと重ならない領域、並びに、配線９２と重ならない領域において段差を有する。
【0021】
液晶ディスプレイは、画素回路が粗であり遮蔽物が少ないので未形成部４００ｂのような段差が粗く形成されるので影響を受けにくいが、有機ＥＬ表示パネルは画素回路が密でありネガ型の感光性樹脂材料に対する裏面露光における遮蔽物が多いので未形成部４００ｂのような多数の段差が形成されるので、多数の段差が発光部に転写される。そのため、上記の方法では、有機ＥＬ表示パネルにおいて、画素回路の段差が抑制されにくく、発光効率の劣化を低減することは困難である。
【0022】
また、例えば、液晶ディスプレイにおいて、ネガ型のレジストを裏面露光し、レジストをマスクに絶縁膜をエッチングすることで画素回路の段差を抑制する技術が検討されている。しかしながら、上記と同様、画素回路が密であり遮蔽物が多い有機ＥＬ表示パネルに適用するのは困難である。
【0023】
ネガ型のレジストを用いて画素回路を平坦化する技術を有機ＥＬ表示パネルに適用する例について、図２０Ａ及び図２０Ｂを参照しながら説明する。図２０Ａ及び図２０Ｂは、比較例２に係る表示パネルの製造方法を説明するための各断面図である。また、表示パネルは、図２０Ａ及び図２０Ｂの順に製造される。
【0024】
図２０Ａの（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示パネルは、基板２０と、第一金属層４３０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁膜６１と、ゲート電極７１と、第二層間絶縁膜８０と、第三金属層９０と、無機層５００ａ（つまり、第六層間絶縁膜５００）と、レジスト層５１０ａ（つまり、レジスト層５１０）とを備える。第一金属層４３０は、シールド電極４３１と、下部電極４３２とを有し、金属酸化物層５０は、半導体層５１と、上部電極５２とを有し、第三金属層９０は、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂと、配線９２とを有する。また、基板２０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁膜６１と、第二層間絶縁膜８０と、無機層５００ａ（つまり、第六層間絶縁膜５００）と、レジスト層５１０ａ（つまり、レジスト層５１０）とは透光性を有する。また、第一金属層４３０と、ゲート電極７１と、第三金属層９０とは透光性を有していない。
【0025】
図２０Ａの（ａ）は、ネガ型のレジストを塗布して形成されるレジスト層５１０ａを裏面露光する様子を示しており、図２０Ａの（ｂ）は、レジスト層５１０ａの未感光部を現像液により除去する様子を示しており、図２０Ｂの（ａ）は、レジストをマスクに用いたドライエッチングにより無機層５００ａを一部除去する様子を示しており、図２０Ｂの（ｂ）は、レジスト剥離後の無機層５００ａ（つまり、第六層間絶縁膜５００）の表面形状を示す図である。
【0026】
図２０Ａの（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示パネルは、製造段階において、基板２０と、第一金属層４３０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁膜６１と、ゲート電極７１と、第二層間絶縁膜８０と、第三金属層９０と、無機層５００ａと、レジスト層５１０ａとを備える。無機層５００ａがドライエッチングされて第六層間絶縁膜５００が形成され、レジスト層５１０ａの未感光部を現像液により除去することでレジスト層５１０が形成される。各構成部の機能等については、以下の本開示の実施の形態で説明する。
【0027】
レジスト層５１０ａは、無機層５００ａに形成される段差（レジスト層５１０ａが形成されていない状態において凸部により形成される段差）を抑制（緩和）するために製造段階において配置される。レジスト層５１０ａは、ネガ型のレジスト材料を塗布することにより形成される。
【0028】
レジスト層５１０ａは、裏面側（基板２０側）から裏面露光される。裏面側から光（例えば、紫外線）がレジスト層５１０ａに照射される。レジスト層５１０ａのうち無機層５００ａの凸部の上方以外の全域に光が照射されると、未感光部を現像液により除去した後に凸部を露出させることができるので、レジスト層５１０ａ（つまりレジスト層５１０）を、当該凸部をドライエッチングするときのマスクとして利用することができる。
【0029】
しかしながら、第一金属層４３０、ゲート電極７１及び第三金属層９０は、上記の通り裏面露光時には遮蔽物となるので、レジスト層５１０ａのうち無機層５００ａの凸部以外の全域に光が照射されない。具体的には、レジスト層５１０ａのうち、第一金属層４３０、ゲート電極７１及び第三金属層９０の上方を除く全域に当該光が照射される。
【0030】
次に、図２０Ａの（ｂ）に示すように、現像液により未感光部を除去するが、レジスト層５１０ａのうち第一金属層４３０、ゲート電極７１及び第三金属層９０の上方を除く全域が感光部であるので、第一金属層４３０、ゲート電極７１及び第三金属層９０の上方を除く領域のレジストが除去されずに残る。言い換えると、レジスト層５１０ａのうち第一金属層４３０、ゲート電極７１及び第三金属層９０の上方の領域の樹脂は、未感光部であり除去される。これにより、レジスト層５１０が形成されていない未形成部５１０ｂができてしまう。つまり、ドライエッチングする必要のない無機層５００ａが露出してしまう。
【0031】
次に、図２０Ｂの（ａ）に示すように、図２０Ａの（ｂ）に示すレジスト層５１０をマスクとして用いてドライエッチングすると、無機層５００ａの突出している部分に加えて、未形成部５１０ｂに対応する部分もエッチングされてしまう。
【0032】
次に、図２０Ｂの（ｂ）に示すように、レジスト層５１０を剥離する。これにより形成される第六層間絶縁膜５００の表面には、ドライエッチングによる凹み５００ｂが形成される。凹み５００ｂは、画素回路の段差である。凹み５００ｂが形成されるので、第六層間絶縁膜５００は、平面視において、金属酸化物層５０のうちソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂと重ならない領域、並びに、配線９２と重ならない領域において平坦ではない。言い換えると、第六層間絶縁膜５００は、平面視において、金属酸化物層５０のうちソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂと重ならない領域、並びに、配線９２と重ならない領域において段差を有する。
【0033】
このように、比較例２の表示パネルでは、第六層間絶縁膜５００の表面の段差が抑制できない。有機ＥＬ表示パネルでは、凹み５００ｂのような段差が発光部に転写されるので、ネガ型のレジストを裏面露光し、レジストをマスクに絶縁膜をエッチングする場合も発光効率の劣化を低減することは困難である。
【0034】
ここで、発光部の断面構造について図２１を参照しながら説明する。図２１は、発光部の断面構造の乱れを説明するための図（断面ＳＥＭ像）である。図２１に示す薄膜トランジスタ領域には、第一金属層（シールド電極）、及び第二金属層（ゲート電極）が形成され、１０００ｎｍ程度の段差が存在する。また、上方に配置されたポジ型の感光性樹脂材料からなる平坦化膜（図２１に示す「平坦化膜（ポジ）」が段差を緩和している。さらに、平坦化膜の上方には、第四金属層（アノード電極）が形成されている。平坦化膜により段差は緩和されているが、一部が第四金属層（アノード電極）に転写されている。具体的には、第四金属層（アノード電極）は波打つように形成されており１６０ｎｍ程度の段差が存在する。発光部は、第四金属層（アノード電極）の上方に形成される。発光部は、発光層を含んで構成される。発光層は、発光材料を含むインクが塗布されることで形成される。したがって、発光層の断面構造には第四金属層（アノード電極）の段差が転写される。これにより、発光部から出射される光の明るさが発光部の位置により異なってしまい、明暗の明るさのムラが発生する。この明るさのムラが、発光部の断面構造の乱れによる発光効率の劣化に相当する。
【0035】
そこで、本願発明者は、有機ＥＬ表示パネルなどの自発光型の表示パネルにおいて、画素回路の段差を従来よりも抑制することができる表示パネル、及び、表示パネルの製造方法について鋭意検討を行い、以下に説明する表示パネル、及び、表示パネルの製造方法を創案した。
【0036】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示における一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、並びに、工程の順序などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示における最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【0037】
また、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺などは必ずしも一致していない。なお、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【0038】
また、本明細書において、「上方」及び「下方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）及び下方向（鉛直下方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に相対的な位置関係により規定される用語として用いる。また、「上方」及び「下方」という用語は、２つの構成要素が互いに間隔をあけて配置されて２つの構成要素の間に別の構成要素が存在する場合のみならず、２つの構成要素が互いに接する状態で配置される場合にも適用される。
【0039】
また、本明細書において、数値、及び、数値範囲は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度（例えば、１０％程度）の差異をも含むことを意味する表現である。
【0040】
また、本明細書において、「第一」、「第二」等の序数詞は、特に断りの無い限り、構成要素の数又は順序を意味するものではなく、同種の構成要素の混同を避け、区別する目的で用いられている。
【0041】
【0042】
【0043】
図１に示すように、表示パネル１０は、複数の画素１２を有する表示部１１を備える。本実施の形態では、表示パネル１０は、周縁領域１３と、引き出し配線１４と、走査配線１５と、信号配線１６とをさらに備える。
【0044】
表示部１１は、表示パネル１０において画像が表示される部分である。表示部１１には、複数の画素１２がマトリクス状に配置されている。
【0045】
複数の画素１２は、表示部１１に画像を表示するために用いられる。複数の画素１２の各々は、一つ以上の薄膜トランジスタを有する。一つ以上の薄膜トランジスタによって画素回路が形成される。薄膜トランジスタの構成については、後述する。
【0046】
走査配線１５は、走査線を順次選択する選択電圧を印加するための配線である。本実施の形態では、複数の走査配線１５が、表示部１１において、複数の画素１２の行方向（つまり、図１の横方向）に延在する。複数の走査配線１５の各々が、各行に配置される画素１２に選択電圧を供給する。なお、図面が煩雑となることを回避するために図示しないが、複数の走査配線１５は、表示部１１において、複数の画素１２の列方向（つまり、図１の縦方向）にも延在してもよい。走査配線１５は、金属により構成される金属配線である。
【0047】
信号配線１６は、複数の画素１２の各々に表示映像に対応した信号電圧を供給するための配線である。本実施の形態では、複数の信号配線１６が、表示部１１において、複数の画素１２の列方向（つまり、図１の縦方向）に延在する。複数の信号配線１６の各々が、各列に配置される画素１２に信号電圧を供給する。なお、図面が煩雑となることを回避するために図示しないが、複数の信号配線１６は、表示部１１において、複数の画素１２の行方向（つまり、図１の横方向）にも延在してもよい。信号配線１６は、金属により構成される金属配線である。
【0048】
引き出し配線１４は、周縁領域１３に配置され、走査配線１５及び信号配線１６の各々に接続される配線である。複数の引き出し配線１４が、それぞれ、複数の走査配線１５に接続される。複数の引き出し配線１４が、それぞれ、複数の信号配線１６に接続される。
【0049】
【0050】
図２に示すように、表示パネル１０は、基板２０と、第一金属層３０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二金属層７０と、第二層間絶縁膜８０と、第三金属層９０と、第三層間絶縁膜１００と、第四層間絶縁膜１１０と、第四金属層１２０と、バンク１３０とを備える。画素回路は、第一金属層３０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二金属層７０と、第二層間絶縁膜８０と、第三金属層９０とを含んで構成される。
【0051】
本実施の形態では、基板２０と、第一金属層３０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二層間絶縁膜８０と、第三層間絶縁膜１００と、第四層間絶縁膜１１０と、バンク１３０とは透光性を有する。また、第二金属層７０と、第三金属層９０と、第四金属層１２０とは透光性を有していない。なお、第一金属層３０、金属酸化物層５０、第二金属層７０及び第三金属層９０の少なくとも１つが透光性を有し、かつ、第一金属層３０、金属酸化物層５０、第二金属層７０及び第三金属層９０の少なくとも他の１つが透光性を有していなければよく、第一金属層３０、及び金属酸化物層５０が透光性を有することに限定されない。
【0052】
また、図２では、薄膜トランジスタを構成する薄膜トランジスタ領域と、保持容量を構成する容量領域とを図示している。また、本実施の形態では、薄膜トランジスタ領域にトップゲート型の薄膜トランジスタが配置される。
【0053】
基板２０は、表示パネル１０の回路基板の基台となる絶縁性の板状部材である。例えば、基板２０は、石英ガラス、無アルカリガラス又は高耐熱性ガラス等のガラス材料で構成されるガラス基板である。また、基板２０は、リジッド基板ではなく、フレキシブルガラス基板又はフレキシブル樹脂基板等のシート状、又はフィルム状の可撓性を有するフレキシブル基板であってもよい。フレキシブル樹脂基板としては、例えば、ポリイミドやポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のフィルム材料の単層又は積層で構成された基板を用いることができる。なお、基板２０の表面に絶縁性材料からなるアンダーコート膜を形成してもよい。例えば、アンダーコート膜は、基板２０に近い位置から順にＳｉＮｘ膜、及びＳｉＯｘ膜が積層された積層膜であってもよい。これにより、基板２０の上方に、基板２０が含有する物質（例えばナトリウムイオン）が移動することを防ぐことができる。
【0054】
第一金属層３０は、基板２０の上方に配置される導電膜である。第一金属層３０として、透光性を有する導電膜を用いることができる。本実施の形態では、第一金属層３０として、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を用いる。第一金属層３０として、例えば、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）、ＩＴＺＯ（酸化インジウムスズ亜鉛）、ＺｎＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＩＧＯ（酸化インジウムガリウム）、ＩｎＯ等の透光性を有する金属酸化物を用いてもよい。
【0055】
第一金属層３０は、シールド電極３１及び下部電極３２を有する。シールド電極３１は、半導体層５１に対向する。より具体的には、シールド電極３１は、半導体層５１のチャネル領域に対向する。シールド電極３１には、例えば、固定電位（例えば接地電位）が供給されるが、これに限定されない。下部電極３２は、第一層間絶縁膜４０を介して上部電極５２と対向するように配置される。下部電極３２、第一層間絶縁膜４０及び上部電極５２により、画素回路の保持容量が形成される。第一金属層３０は、第四導電膜の一例である。
【0056】
第一層間絶縁膜４０は、第一金属層３０の上方に配置される絶縁膜である。第一層間絶縁膜４０は、第一金属層３０を覆う。本実施の形態では、第一層間絶縁膜４０として、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘ膜からなる積層膜を用いる。第一層間絶縁膜４０として、例えば、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＯＮ膜、又はこれらの中から選ばれる絶縁膜の積層膜を用いることができる。第一層間絶縁膜４０は、誘電膜として機能する。
【0057】
金属酸化物層５０は、第一層間絶縁膜４０の上方に配置される透光性を有する半導体膜である。本実施の形態では、金属酸化物層５０は、酸化物半導体を含む。金属酸化物層５０は、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、及びＮｂのうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む酸化物半導体から構成されている。本実施の形態では、金属酸化物層５０として、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）を用いる。金属酸化物層５０として、例えば、ＩＴＺＯ（酸化インジウムスズ亜鉛）、ＺｎＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＩＧＯ（酸化インジウムガリウム）、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩｎＯ等の透光性を有する金属酸化物を用いてもよい。金属酸化物層５０は、第一導電膜の一例である。
【0058】
金属酸化物層５０は、半導体層５１と、上部電極５２とを有する。半導体層５１は、ゲート電極７１の下方の高抵抗領域と、それ以外の低抵抗領域とを有する。低抵抗領域は、例えば、半導体層５１上に配置されるゲート絶縁層６０をドライエッチングによって除去する際に、プラズマダメージにより形成された領域であり、実質的に導体として機能する。上部電極５２は、画素回路の保持容量を形成するための電極であり、下部電極３２を覆う。
【0059】
金属酸化物層５０の少なくとも一部は、表示パネル１０の平面視において、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ（第二導電膜の一例）と重ならない領域に設けられる。半導体層５１は、例えば、平面視において、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂと重ならない領域を有する。また、上部電極５２は、平面視において、配線９２と重ならない領域を有する。
【0060】
ゲート絶縁層６０は、金属酸化物層５０の上方に配置される絶縁膜である。ゲート絶縁層６０として、例えば、ＳｉＯｘ膜を用いることができる。本実施の形態では、ゲート絶縁層６０は、第二金属層７０と同一の形状にパターニングされている。言い換えると、ゲート絶縁層６０の平面視における輪郭が、第二金属層７０の平面視における輪郭と同一となる。なお、ここで、同一の形状、又は、同一の輪郭との記載が意味する状態は、形状、又は輪郭が完全に一致する状態だけに限定されず、実質的に一致する状態も含む。同一の形状、又は、同一の輪郭との記載が意味する状態は、例えば、ゲート絶縁層６０の輪郭と、第二金属層７０の輪郭とのずれの大きさが、第二金属層７０の寸法の２０％以下である状態も含む。
【0061】
第二金属層７０は、ゲート絶縁層６０の上方に配置される導電膜である。第二金属層７０として、例えば、任意の金属膜を用いることができる。本実施の形態では、第二金属層７０として、Ｔｉ膜、Ｃｕ膜、及びＣｕＭｎ膜からなる積層膜（透光性を有していない（非透光性の）積層膜）を用いる。第二金属層７０として、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、インジウム（Ｉｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）等の金属、又は、これらの中から選ばれる金属の積層膜、又はこれらの中から選ばれる金属の合金を用いてもよい。
【0062】
第二金属層７０は、ゲート電極７１を有する。第二金属層７０は、第三導電膜の一例である。
【0063】
第二層間絶縁膜８０は、第二金属層７０の上方に配置される絶縁膜である。本実施の形態では、第二層間絶縁膜８０として、ＳｉＯｘ膜を用いる。第二層間絶縁膜８０として、例えば、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜などの無機絶縁膜、感光性を有するポリイミド、アクリル樹脂などの有機絶縁膜、又は、これらの積層膜を用いてもよい。
【0064】
第三金属層９０は、少なくとも一部が第二層間絶縁膜８０の上方に配置される導電膜である。第三金属層９０として、例えば、任意の金属膜を用いることができる。第三金属層９０として、第二金属層７０と同じ構成の金属膜を用いてもよい。本実施の形態では、第三金属層９０として、Ｔｉ膜、Ｃｕ膜、及びＣｕＭｎ膜からなる積層膜（透光性を有していない積層膜）を用いる。第三金属層９０として、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、インジウム（Ｉｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）等の金属、又は、これらの中から選ばれる金属の積層膜、又はこれらの中から選ばれる金属の合金を用いてもよい。
【0065】
第三金属層９０は、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂと、配線９２とを有する。ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂは、コンタクトホールを介して半導体層５１（例えば、半導体層５１の低抵抗領域）に接続される。配線９２は、コンタクトホールを介して上部電極５２に接続される。第三金属層９０は、第二導電膜の一例である。
【0066】
第三層間絶縁膜１００は、第二層間絶縁膜８０の上方に配置される絶縁膜（図２に示す「平坦化膜（ネガ）」）である。第三層間絶縁膜１００は、薄膜トランジスタ領域及び容量領域を一括して覆う。本実施の形態では、第三層間絶縁膜１００として、ネガ型の感光性樹脂膜を用いる。本実施の形態では、第三層間絶縁膜１００として、感光性を有するポリイミドを用いる。第三層間絶縁膜１００として、例えば、感光性を有するポリイミド、アクリル樹脂などの有機絶縁膜、又は、これらの積層膜を用いてもよい。第三層間絶縁膜１００は、絶縁膜の一例である。
【0067】
第三層間絶縁膜１００は、表示パネル１０の表面を平坦化する。図２の例では、第三層間絶縁膜１００は、第三金属層９０により形成された凹凸を緩和する。第三層間絶縁膜１００は、ソース・ドレイン電極９１ａと凸部８０ｗとの間、ソース・ドレイン電極９１ｂと凸部８０ｗとの間、及び、ソース・ドレイン電極９１ｂと配線９２との間に渡って配置され、かつ、配線９２からソース・ドレイン電極９１ｂと反対側の領域に渡って配置される。平面視において、第一金属層３０（具体的にはシールド電極３１及び下部電極３２）と重なる領域であって、第三金属層９０及び凸部８０ｗが配置されていない領域に、第三層間絶縁膜１００が配置される。第三層間絶縁膜１００は、凸部８０ｗを除く第二層間絶縁膜８０の部分が露出しないように配置されるとも言える。
【0068】
また、第三層間絶縁膜１００は、平面視において、金属酸化物層５０のうちソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂと重ならない領域、並びに、配線９２と重ならない領域において平坦である。第三層間絶縁膜１００は、ソース・ドレイン電極９１ａと凸部８０ｗとの間、ソース・ドレイン電極９１ｂと凸部８０ｗとの間、及び、ソース・ドレイン電極９１ｂと配線９２との間に渡って平坦に設けられる。言い換えると、第三層間絶縁膜１００は、平面視において、金属酸化物層５０のうちソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂと重ならない領域、並びに、配線９２と重ならない領域において段差を有していない。
【0069】
ここで言う平坦とは、完全に平坦であることに限定されず、実質的に平坦であることも含まれる。例えば、発光部の発光効率が実質的に劣化しない程度の凹凸、及び、発光部の発光効率の劣化が許容できる範囲である程度の凹凸が第三層間絶縁膜１００に形成されている場合も、第三層間絶縁膜１００が平坦であることに含まれる。また、第二層間絶縁膜８０が露出しない程度の厚みの変化（凹凸）が第三層間絶縁膜１００に形成されている場合も、第三層間絶縁膜１００が平坦であることに含まれる。
【0070】
第四層間絶縁膜１１０は、第三金属層９０及び第三層間絶縁膜１００の上方に配置される絶縁膜（図２に示す「平坦化膜（ポジ）」）である。本実施の形態では、第三層間絶縁膜１００として、ポジ型の感光性樹脂膜を用いる。本実施の形態では、第四層間絶縁膜１１０として、感光性を有するポリイミド樹脂を用いる。第四層間絶縁膜１１０として、例えば、感光性を有するポリイミド、アクリル樹脂などの有機絶縁膜、又は、これらの積層膜を用いてもよい。
【0071】
第四金属層１２０は、少なくとも一部が第四層間絶縁膜１１０の上方に配置される導電膜である。第四金属層１２０として、例えば、アルミニウム－ニッケル－銅－ランタン合金（Ａｌ－Ｎｉ－Ｃｕ－Ｌａ）、アルミニウム－ネオジム合金（Ａｌ－Ｎｄ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）等の金属を用いてもよい。また、第四金属層１２０は、それらの金属と酸化タングステン（ＷＯｘ）との積層構造であってもよい。本実施の形態では、第四金属層１２０として、アルミニウム－ニッケル－銅－ランタン合金と酸化タングステン（ＷＯｘ）との積層構造を用いる。
【0072】
第四金属層１２０は、コンタクトホールを介してソース・ドレイン電極９１ｂに接続される。第四金属層１２０は、アノード電極として機能する。
【0073】
バンク１３０は、電極（例えば、アノード電極）が形成された基板２０上を、発光層（有機発光層）を形成するために区画する。バンク１３０は、感光性の熱硬化性樹脂を用いてフォトリソグラフィ法でバンク形状にパターニングして、加熱焼成することによって形成される。
【0074】
バンク１３０が形成された後、発光材料を含むインクが塗布されることで発光層が形成される。発光層は、例えば、塗布膜である。例えば、発光材料を含むインクが印刷されることで発光層が形成される。なお、発光層は、蒸着により形成された蒸着膜であってもよい。
【0075】
このような表示パネル１０は、発光層上に形成された電極（カソード電極）をさらに備え、当該電極が形成された面の側から光を取り出すトップエミッション型の表示パネルである。
【0076】
続いて、透光性を有する導電膜と、金属配線との接続について、図３を参照しながら説明する。図３は、図１に示す破線枠Ｒを拡大して示す図である。図３は、表示パネル１０の単一の画素回路領域（サブピクセル領域）を示す平面図である。なお、図３では、走査配線１５及び信号配線１６に接続される配線のそれぞれが透光性を有する導電膜で形成されている場合を例示している。
【0077】
図３に示すように、画素回路領域は、平面視において、発光領域１２ａと非発光領域１２ｂとを有する。発光領域１２ａは、発光する領域であり、平面視において、発光層と重なる領域である。非発光領域１２ｂは、発光しない領域であり、平面視において、発光層と重ならない領域である。非発光領域１２ｂは、発光領域１２ａと隣接しており、例えば、発光領域１２ａを囲む領域である。
【0078】
画素回路におけるトランジスタを構成する透光性を有する導電膜は、非発光領域１２ｂにおいてコンタクトホールを介して金属配線に接続される。例えば、走査配線１５と透光性を有する導電膜３３とは、非発光領域１２ｂのコンタクトホール１５ｈを介して接続される。また、例えば、信号配線１６と透光性を有する導電膜３４とは、非発光領域１２ｂのコンタクトホール１６ｈを介して接続される。
【0079】
このように、段差が生じても良い非発光領域１２ｂ（上方に平坦性を確保すべき発光素子が存在しない領域）で金属配線と透光性を有する導電膜とが接続される。
【0080】
［１－２．表示パネルの製造方法］
続いて、上記のように構成される表示パネル１０の製造方法について、図４Ａ～図４Ｆを参照しながら説明する。図４Ａ～図４Ｆは、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法を説明するための各断面図である。図４Ａ～図４Ｆでは、表示パネル１０を製造する各工程を模式的に示す。また、表示パネル１０は、図４Ａ～図４Ｆの順に製造される。
続いて、上記のように構成される表示パネル１０の製造方法について、図４Ａ～図４Ｆを参照しながら説明する。図４Ａ～図４Ｆは、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法を説明するための各断面図である。図４Ａ～図４Ｆでは、表示パネル１０を製造する各工程を模式的に示す。また、表示パネル１０は、図４Ａ～図４Ｆの順に製造される。
【0081】
図４Ａの（ａ）に示すように、絶縁性の基板２０を準備する。
【0082】
次に、図４Ａの（ｂ）に示すように、金属膜３０ａを基板２０上に形成する。金属膜３０ａは、例えば、スパッタ法を用いて形成される。本実施の形態では、膜厚５０ｎｍのＩＴＯ（酸化インジウムスズ）膜をスパッタ法により成膜する。
【0083】
次に、図４Ａの（ｃ）に示すように、ウェットエッチングにより金属膜３０ａを所定形状に加工することで、第一金属層３０（シールド電極３１及び下部電極３２）が形成される。なお、シールド電極３１及び下部電極３２の製造方法はこれに限定されない。
【0084】
次に、図４Ａの（ｄ）に示すように、基板２０上及び第一金属層３０上に、第一層間絶縁膜４０を形成する。第一層間絶縁膜４０として、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、膜厚１００ｎｍのＳｉＮｘ膜及び膜厚２００ｎｍのＳｉＯｘ膜をこの順に成膜する。具体的には、ＳｉＮｘ膜を、例えば、シランガス（ＳｉＨ４）、アンモニアガス（ＮＨ３）及び窒素ガス（Ｎ２）を導入ガスに用いて、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。続けて、ＳｉＯｘ膜を、シランガス（ＳｉＨ４）及び亜酸化窒素ガス（Ｎ２Ｏ）を導入ガスに用いて、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。
【0085】
次に、図４Ａの（ｅ）に示すように、第一層間絶縁膜４０の上方に金属膜５０ａを形成する。本実施の形態では、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む膜厚３０ｎｍの酸化物半導体膜をスパッタ法により成膜する。具体的には、スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）を用いて、真空チャンバー内に不活性ガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスを流入するとともに反応性ガスとして酸素（Ｏ２）を含むガスを流入し、所定のパワー密度の電圧をターゲット材に印加しスパッタリングすることで酸化物半導体膜を成膜する。
【0086】
次に、図４Ａの（ｆ）に示すように、酸化物半導体膜を、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングにより、所定の形状にパターニングする。この時、酸化物半導体膜のキャリア濃度調整などの目的で、適宜酸素を含む雰囲気などでアニール処理を行ってもよい。これにより、透光性を有する金属酸化物層５０（半導体層５１及び上部電極５２）が形成される。
【0087】
図４Ａの（ｅ）及び（ｆ）に示す工程は、第一工程の一例である。
【0088】
次に、図４Ｂの（ａ）に示すように、金属酸化物層５０の上方に絶縁膜６０ａを形成する。本実施の形態では、第一層間絶縁膜４０上及び金属酸化物層５０上に、ＣＶＤ法により、膜厚２００ｎｍのＳｉＯｘ膜を成膜する。
【0089】
次に、図４Ｂの（ｂ）に示すように、絶縁膜６０ａ上に、スパッタ法により、金属膜７０ａとして、膜厚３０ｎｍのＴｉ膜、膜厚４００ｎｍのＣｕ膜、及び膜厚５０ｎｍのＣｕＭｎ膜をこの順に成膜する。
【0090】
次に、図４Ｂの（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ法、第二金属層７０を構成するＣｕ膜とＣｕＭｎ膜のウェットエッチング、及び、第二金属層７０を構成するＴｉ膜のドライエッチングにより、第二金属層７０を所定の形状にパターニングする。これにより、ゲート電極７１が形成される。
【0091】
次に、図４Ｂの（ｄ）に示すように、絶縁膜６０ａをパターニングする。本実施の形態では、第二金属層７０の上方に形成したレジストをマスクとして絶縁膜６０ａをドライエッチングによってパターニングする。ドライエッチングにおいては、例えば、ＣＦ系ガスを用いることができる。これにより、絶縁膜６０ａが第二金属層７０と同一の形状にパターニングされることで、ゲート絶縁層６０を所定の形状にパターニングする。これにより、ゲート絶縁膜６１が形成される。
【0092】
次に、図４Ｃの（ａ）に示すように、絶縁膜６０ａをドライエッチングによって除去して金属酸化物層５０を露出させることで、露出した領域の金属酸化物層５０を、プラズマ雰囲気下に晒すこと（プラズマ処理）により低抵抗化することができる。これにより、上記の低抵抗領域が形成される。なお、金属酸化物層５０のうちプラズマ処理されない領域（ゲート絶縁膜６１直下の領域）は、低抵抗化されない。また、プラズマ処理には、例えば、Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３などのガスが用いられる。
【0093】
次に、図４Ｃの（ｂ）に示すように、第二金属層７０の上方に第二層間絶縁膜８０を形成する。本実施の形態では、第二金属層７０上、金属酸化物層５０上及び第一層間絶縁膜４０上に、ＣＶＤ法により膜厚５００ｎｍのＳｉＯｘ膜を成膜する。
【0094】
次に、図４Ｃの（ｃ）に示すように、上部電極５２に配線９２を接続するため、及び、半導体層５１にソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂを接続するためのコンタクトホール８０ｈを形成する。本実施の形態では、フォトリソグラフィ法、及び、ＣＦ系のガスを用いたドライエッチングにより、第二層間絶縁膜８０を貫通するコンタクトホール８０ｈを形成する。
【0095】
次に、図４Ｃの（ｄ）に示すように、第二層間絶縁膜８０の上方に金属膜９０ａを形成する。本実施の形態では、第二層間絶縁膜８０に金属酸化物層５０の低抵抗領域まで到達するコンタクトホール８０ｈを形成した後、第二層間絶縁膜８０上及びコンタクトホール８０ｈの内部に、スパッタ法により、金属膜として、膜厚３０ｎｍのＴｉ膜、膜厚８００ｎｍのＣｕ膜、及び、膜厚５０ｎｍのＣｕＭｎ膜をこの順に成膜する。
【0096】
次に、図４Ｄの（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ法、金属膜９０ａを構成するＣｕ膜とＣｕＭｎ膜のウェットエッチング、及び、金属膜９０ａを構成するＴｉ膜のドライエッチングにより、金属膜９０ａを所定の形状にパターニングする。これにより、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ、並びに、配線９２が形成される。なお、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ、並びに、配線９２の露出している部分（上部）の厚みをｔとする。
【0097】
【0098】
次に、図４Ｄの（ｂ）に示すように、第二層間絶縁膜８０の上方にネガ型の樹脂層１００ａを形成する。本実施の形態では、第二層間絶縁膜８０上にソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ、並びに、配線９２の露出している部分の間を埋めるようにネガ型の樹脂材料を塗布することで、ネガ型の樹脂層１００ａを形成する。ネガ型の樹脂層１００ａの厚みは、平坦性を得たい段差に合わせて制御される。本実施の形態では、ネガ型の樹脂層１００ａの厚みは、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ、並びに、配線９２の露出している部分の厚みｔとなる。これにより、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ、並びに、配線９２の露出している部分により形成される段差を抑制することができる。
【0099】
また、ネガ型の樹脂層１００ａは、裏面側（基板２０側）から裏面露光される。裏面側から光（例えば、紫外線）がネガ型の樹脂層１００ａに照射される。このとき、第一金属層３０及び金属酸化物層５０とも透光性を有するので、塗布されたネガ型の樹脂層１００ａの全域に当該光が照射される。
【0100】
次に、図４Ｄの（ｃ）に示すように、現像液により未感光部を除去するが、図４Ｄの（ｂ）で説明したようにネガ型の樹脂層１００ａの全域が感光部であるので、樹脂が除去されずに残る。これにより、第三層間絶縁膜１００が形成される。このように形成された第三層間絶縁膜１００は、図１９に示す比較例のように、未形成部４００ｂが形成されることで、第二層間絶縁膜８０が露出することを抑制することができる。
【0101】
第三層間絶縁膜１００の表面は、例えば、第三金属層９０の表面と面一に形成される。また、塗布時に樹脂層１００ａが第三金属層９０上に形成されても、裏面露光の光が第三金属層９０により遮蔽されるので、現像液により除去することができる。第三層間絶縁膜１００は、段差を自己整合的に埋めることができるとも言える。
【0102】
図４Ｄの（ｂ）及び（ｃ）に示す工程は、第三工程の一例である。
【0103】
次に、図４Ｅの（ａ）に示すように、第三層間絶縁膜１００の上方に第四層間絶縁膜１１０を形成し、第四層間絶縁膜１１０に、ソース・ドレイン電極９１ｂに第四金属層１２０を接続するためのコンタクトホール１１０ｈを形成する。本実施の形態では、第四層間絶縁膜１１０として感光性を有するポリイミド樹脂を用い、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることで、第四層間絶縁膜１１０を貫通するコンタクトホール１１０ｈを形成する。第四層間絶縁膜１１０は、ポジ型の平坦化膜である。
【0104】
次に、図４Ｅの（ｂ）に示すように、アノード電極成膜用の金属膜１２０ａを第四層間絶縁膜１１０上に形成する。金属膜１２０ａは、例えば、スパッタ法を用いて形成される。例えば、第四層間絶縁膜１１０上及びコンタクトホール１１０ｈの内部に、スパッタ法により、金属膜として、膜厚２００ｎｍのアルミニウム－ニッケル－銅－ランタン合金を成膜する。さらに、スパッタ法により、金属膜として膜厚１０ｎｍのタングステンを成膜する。さらに、アニールすることで、タングステンを熱酸化し、酸化タングステン（ＷＯｘ）を形成する。このようにして、アルミニウム－ニッケル－銅－ランタン合金と酸化タングステン（ＷＯｘ）との積層膜からなるアノード電極成膜用の金属膜１２０ａが形成される。
【0105】
次に、図４Ｆの（ａ）に示すように、ドライエッチングによる酸化タングステン（ＷＯｘ）の除去、及びウェットエッチングによるアルミニウム－ニッケル－銅－ランタン合金の除去により金属膜１２０ａを所定形状に加工することで、第四金属層１２０（例えば、アノード電極）が形成される。
【0106】
次に、図４Ｆの（ｂ）に示すように、バンク１３０を第四金属層１２０（例えば、アノード電極）が形成された基板２０上に形成する。バンク１３０は、例えば、感光性の熱硬化性樹脂を用いてフォトリソグラフィ法でバンク形状にパターニングして、加熱焼成することによって形成される。
【0107】
［１－３．効果］
以上のように、本実施の形態に係る表示パネル１０は、画素回路を備える自発光型の表示パネルであって、基板２０と、基板２０上に設けられ、画素回路を構成する透光性の金属酸化物層５０（第一導電膜の一例）と、金属酸化物層５０上に設けられ、画素回路を構成する非透光性の第三金属層９０（第二導電膜の一例）と、金属酸化物層５０上に設けられ、表面を平坦化する第三層間絶縁膜１００（絶縁膜の一例）とを備える。そして、金属酸化物層５０の少なくとも一部は、表示パネル１０の平面視において、第三金属層９０と重ならない領域に設けられ、第三層間絶縁膜１００は、重ならない領域において平坦である。
以上のように、本実施の形態に係る表示パネル１０は、画素回路を備える自発光型の表示パネルであって、基板２０と、基板２０上に設けられ、画素回路を構成する透光性の金属酸化物層５０（第一導電膜の一例）と、金属酸化物層５０上に設けられ、画素回路を構成する非透光性の第三金属層９０（第二導電膜の一例）と、金属酸化物層５０上に設けられ、表面を平坦化する第三層間絶縁膜１００（絶縁膜の一例）とを備える。そして、金属酸化物層５０の少なくとも一部は、表示パネル１０の平面視において、第三金属層９０と重ならない領域に設けられ、第三層間絶縁膜１００は、重ならない領域において平坦である。
【0108】
これにより、第三層間絶縁膜１００が重ならない領域において平坦であるので、第三層間絶縁膜１００が当該重ならない領域で平坦ではない（例えば、段差がある）場合に比べて第三層間絶縁膜１００に形成される段差を抑制することができる。よって、表示パネル１０は、自発光型の表示パネルにおいて、画素回路の段差を従来よりも抑制することができる。
【0109】
また、第三層間絶縁膜１００は、ネガ型の感光性樹脂膜である。
【0110】
これにより、ネガ型の感光性樹脂膜を用いて、画素回路の段差を従来よりも抑制することができる。
【0111】
また、画素回路は、薄膜トランジスタを有し、金属酸化物層５０は、薄膜トランジスタの半導体層５１を含む。
【0112】
これにより、半導体層５１が透光性を有するので、第三層間絶縁膜１００を形成する際の露光時に半導体層５１が光を遮蔽しない。よって、半導体層５１が透光性を有していない場合に比べて、第三層間絶縁膜１００における半導体層５１上の領域において段差が発生することを抑制することができる。
【0113】
また、画素回路は、保持容量を有し、保持容量は、下部電極３２と、上部電極５２と、下部電極３２及び上部電極５２の間の第一層間絶縁膜４０（誘電膜）とを有し、金属酸化物層５０は、さらに薄膜トランジスタの下部電極３２又は上部電極５２を含む。
【0114】
これにより、下部電極３２又は上部電極５２が透光性を有するので、保持容量を構成する部分において第三層間絶縁膜１００に段差が発生することを抑制することができる。
【0115】
また、基板２０上に設けられ、画素回路を構成する透光性の第一金属層３０（第四導電膜の一例）をさらに備え、画素回路は、半導体層５１の下方に設けられるシールド電極３１をさらに有し、第一金属層３０は、シールド電極３１を含む。
【0116】
これにより、シールド電極３１が透光性を有するので、第三層間絶縁膜１００を形成する際の露光時にシールド電極３１が光を遮蔽しない。よって、シールド電極３１が透光性を有していない場合に比べて、第三層間絶縁膜１００におけるシールド電極３１上の領域において段差が発生することを抑制することができる。
【0117】
また、薄膜トランジスタは、トップゲート型の薄膜トランジスタである。
【0118】
これにより、画素回路の上方に配置される発光層に転写される段差を効果的に抑制することができる。
【0119】
また、表示パネル１０は、平面視において発光する発光領域１２ａと、発光領域１２ａに隣接する非発光領域１２ｂとを有し、第一導電膜は、非発光領域１２ｂにおいて、金属配線と接続される。
【0120】
これにより、コンタクトホールの段差を発光領域１２ａ外に配置することができるので、発光領域１２ａに段差ができることを抑制することができる。また、金属配線と接続されるので、配線の低抵抗化が可能である。
【0121】
また、第三層間絶縁膜１００上に形成される発光層をさらに備え、発光層は、塗布膜である。
【0122】
塗布膜は、平坦性が発光効率に顕著に影響しやすい性質がある。そのため、表示パネル１０において発光層が塗布膜である場合、発光効率の低下を効果的に抑制することができる。
【0123】
また、以上のように、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法は、画素回路を備える自発光型の表示パネルの製造方法であって、基板２０上に、画素回路を構成する透光性の金属酸化物層５０（第一導電膜の一例）を形成する第一工程と、金属酸化物層５０上に、画素回路を構成する非透光性の第三金属層９０（第二導電膜の一例）を形成する第二工程と、金属酸化物層５０上に、表面を平坦化する第三層間絶縁膜１００（絶縁膜の一例）を形成する第三工程とを含む。そして金属酸化物層５０の少なくとも一部は、表示パネル１０の平面視において、第三金属層９０と重ならない領域に設けられ、第三層間絶縁膜１００は、当該重ならない領域において平坦である。
【0124】
これにより、上記の表示パネル１０と同様の効果を奏する。第三層間絶縁膜１００に形成される段差が抑制された表示パネル１０を作製することができる。
【0125】
また、第三層間絶縁膜１００は、ネガ型の感光性樹脂膜であり、第三工程では、第三金属層９０上にネガ型の感光性樹脂材料を塗布し、基板２０側からネガ型の感光性樹脂材料の膜を露光する。
【0126】
これにより、ネガ型の感光性樹脂膜を用いて、画素回路の段差を従来よりも抑制することができる。
【0127】
（実施の形態１の変形例１）
以下では、本変形例に係る表示パネルについて、図５～図６Ｅを参照しながら説明する。なお、以下では、実施の形態１との相違点を中心に説明し、実施の形態１と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
以下では、本変形例に係る表示パネルについて、図５～図６Ｅを参照しながら説明する。なお、以下では、実施の形態１との相違点を中心に説明し、実施の形態１と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
【0128】
【0129】
図５に示すように、表示パネル１０ａは、基板２０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二金属層７０と、第二層間絶縁膜８０と、第三金属層９０と、第三層間絶縁膜１０１と、第四層間絶縁膜１１０と、第四金属層１２０と、バンク１３０とを備える。表示パネル１０ａは、主に、第一金属層３０を備えておらず、かつ、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二金属層７０とにより、画素回路の保持容量が形成される点において、実施の形態１に係る表示パネル１０と相違する。
【0130】
本変形例では、基板２０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二層間絶縁膜８０と、第三層間絶縁膜１０１と、第四層間絶縁膜１１０と、バンク１３０とは透光性を有する。また、第二金属層７０と、第三金属層９０と、第四金属層１２０とは透光性を有していない。金属酸化物層５０は、第一層間絶縁膜４０の上方に配置される透光性を有する半導体膜である。本変形例では、金属酸化物層５０は、酸化物半導体を含む。
【0131】
金属酸化物層５０は、半導体層５１と、下部電極５２ｂとを有する。下部電極５２ｂは、画素回路の保持容量を形成するための電極である。また、下部電極５２ｂと第一層間絶縁膜４０との間に、下部電極５２ｂを低抵抗化させるための促進層５２ａが配置される。促進層５２ａは、透光性を有する層である。促進層５２ａは、薄膜の金属膜であり、例えば、アルミニウムを含んで構成されてもよい。促進層５２ａが金属膜である場合、厚みは、促進層５２ａが透光性を有する程度の厚みであり、例えば、１０ｎｍ以下である。また、促進層５２ａは、金属膜であることに限定されず、水素を含む窒化シリコン薄膜（ＳｉＮｘ：Ｈ）であってもよい。
【0132】
ゲート絶縁層６０は、半導体層５１の上方に、並びに、促進層５２ａ及び下部電極５２ｂを覆うように配置される。ゲート絶縁層６０は、第二金属層７０と同一の形状にパターニングされるゲート絶縁膜６１と、促進層５２ａ及び下部電極５２ｂを覆うようにパターニングされる容量絶縁膜６２とを有する。
【0133】
第二金属層７０は、ゲート絶縁層６０の上方に配置される導電膜である。第二金属層７０は、ゲート電極７１と、上部電極７２とを有する。上部電極７２は、容量絶縁膜６２を介して下部電極５２ｂと対向するように配置される。例えば、上部電極７２は、平面視において下部電極５２ｂより大きい。また、上部電極７２は、下部電極５２ｂより厚い。
【0134】
第二層間絶縁膜８０は、第二金属層７０の上方に配置される絶縁膜である。第二層間絶縁膜８０は、ゲート電極７１及び上部電極７２を一括して覆う。
【0135】
第三金属層９０の配線９２は、コンタクトホールを介して上部電極７２に接続される。
【0136】
第三層間絶縁膜１０１は、第二層間絶縁膜８０の凹み部分を埋めるように配置される絶縁膜（図５に示す「平坦化膜（ネガ）」）である。本変形例では、第三層間絶縁膜１０１として、ネガ型の感光性樹脂膜を用いる。本変形例では、第三層間絶縁膜１０１として、感光性を有するポリイミドを用いる。
【0137】
第三層間絶縁膜１０１は、表示パネル１０の表面を平坦化する。図５の例では、第三層間絶縁膜１０１は、第二層間絶縁膜８０に形成された凹凸を緩和する。第三層間絶縁膜１００は、ソース・ドレイン電極９１ａと凸部８０ｗとの間、ソース・ドレイン電極９１ｂと凸部８０ｗとの間、及び、ソース・ドレイン電極９１ｂと上部電極７２上の第二層間絶縁膜８０との間に渡って配置され、かつ、第二層間絶縁膜８０における他の凹部となっている部分に配置される。平面視において、第二層間絶縁膜８０の凹部であって、第三金属層９０が配置されていない領域に第三層間絶縁膜１０１が配置される。第三層間絶縁膜１０１は、第二層間絶縁膜８０の凹部が露出しないように配置されるとも言える。
【0138】
第三層間絶縁膜１０１は、第三層間絶縁膜１０１が配置されていない場合に比べて表示パネル１０の表面を平坦化できる厚みであればよい。第三層間絶縁膜１０１は、例えば、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂにより形成された凹凸を緩和する厚み等であってもよい。
【0139】
続いて、上記のように構成される表示パネル１０ａの製造方法について、図６Ａ～図６Ｅを参照しながら説明する。図６Ａ～図６Ｅは、本変形例に係る表示パネル１０ａの製造方法を説明するための各断面図である。なお、上記の実施の形態１で説明した工程と同一又は類似の工程については、図示を省略する。また、表示パネル１０ａは、図６Ａ～図６Ｅの順に製造される。
【0140】
図６Ａの（ａ）に示すように、第一層間絶縁膜４０が形成された基板２０上に、金属膜５２ａａを形成する。金属膜５２ａａは、例えば、アルミニウムを含み、厚みは、例えば、５ｎｍである。金属膜５２ａａは、例えば、スパッタ法を用いて形成される。
【0141】
次に、図６Ａの（ｂ）に示すように、ウェットエッチングにより金属膜５２ａａを所定形状にパターニングする。これにより、促進層５２ａが形成される。
【0142】
なお、促進層５２ａの材料及び製造方法はこれに限定されない。促進層５２ａは、ＣＶＤ方を用いて形成された水素を含む窒化シリコン薄膜（ＳｉＮｘ：Ｈ）により実現されてもよい。例えば、膜厚５０ｎｍの水素を含む窒化シリコン薄膜（ＳｉＮｘ：Ｈ）を、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングにより所定形状にパターニングする。これにより、促進層５２ａが形成される。
【0143】
次に、図６Ａの（ｃ）に示すように、第一層間絶縁膜４０及び促進層５２ａの上方に金属膜５０ａを形成する。
【0144】
次に、図６Ａの（ｄ）に示すように、酸化物半導体膜を、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングにより、所定の形状にパターニングする。これにより、透光性を有する金属酸化物層５０（半導体層５１及び下部電極５２ｂ）が形成される。
【0145】
次に、図６Ｂの（ａ）に示すように、第一層間絶縁膜４０及び金属酸化物層５０の上方に絶縁膜６０ａを形成する。
【0146】
次に、図６Ｂの（ｂ）に示すように、絶縁膜６０ａ上に、スパッタ法により、金属膜７０ａとして、膜厚３０ｎｍのＴｉ膜、膜厚４００ｎｍのＣｕ膜、及び膜厚５０ｎｍのＣｕＭｎ膜をこの順に成膜する。
【0147】
次に、図６Ｂの（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ法、第二金属層７０を構成するＣｕ膜とＣｕＭｎ膜のウェットエッチング、及び、第二金属層７０を構成するＴｉ膜のドライエッチングにより、第二金属層７０を所定の形状にパターニングする。これにより、ゲート電極７１及び上部電極７２が形成される。
【0148】
次に、図６Ｂの（ｄ）に示すように、絶縁膜６０ａをパターニングする。本変形例では、第二金属層７０の上方に形成したレジストをマスクとして絶縁膜６０ａをドライエッチングによってパターニングする。これにより、ゲート絶縁膜６１及び容量絶縁膜６２が形成される。
【0149】
次に、図６Ｃの（ａ）に示すように、絶縁膜６０ａをドライエッチングによって除去して金属酸化物層５０を露出させることで、露出した領域の金属酸化物層５０を、プラズマ雰囲気下に晒すこと（プラズマ処理）により低抵抗化することができる。これにより、上記の低抵抗領域が形成される。
【0150】
次に、図６Ｃの（ｂ）に示すように、第二金属層７０の上方に第二層間絶縁膜８０を形成する。本変形例では、第二金属層７０上、金属酸化物層５０上及び第一層間絶縁膜４０上に、ＣＶＤ法により膜厚５００ｎｍのＳｉＯｘ膜を成膜する。
【0151】
次に、図６Ｃの（ｃ）に示すように、上部電極７２に配線９２を接続するため、及び、半導体層５１にソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂを接続するためのコンタクトホール８０ｈを形成する。
【0152】
次に、図６Ｃの（ｄ）に示すように、第二層間絶縁膜８０の上方に金属膜９０ａを形成する。本変形例では、第二層間絶縁膜８０に金属酸化物層５０の低抵抗領域まで到達するコンタクトホール８０ｈを形成した後、第二層間絶縁膜８０上及びコンタクトホール８０ｈの内部に、スパッタ法により、金属膜として、膜厚３０ｎｍのＴｉ膜、膜厚８００ｎｍのＣｕ膜、及び、膜厚５０ｎｍのＣｕＭｎ膜をこの順に成膜する。
【0153】
次に、図６Ｄの（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ法、金属膜９０ａを構成するＣｕ膜とＣｕＭｎ膜のウェットエッチング、及び、金属膜９０ａを構成するＴｉ膜のドライエッチングにより、金属膜９０ａを所定の形状にパターニングする。これにより、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ、並びに、配線９２が形成される。なお、第二層間絶縁膜８０の凹部の表面と凸部の表面との積層方向の距離を厚みｔ１とする。厚みｔ１は、第二層間絶縁膜８０の段差の高さに相当する。
【0154】
次に、図６Ｄの（ｂ）に示すように、第二層間絶縁膜８０の上方にネガ型の樹脂層１０１ａを形成する。本変形例では、第二層間絶縁膜８０の凹部を埋めるように樹脂材料を塗布することで、ネガ型の樹脂層１００ａを形成する。樹脂層１００ａの厚みは、平坦性を得たい段差に合わせて制御される。本変形例では、樹脂層１００ａの厚みは、厚みｔ１となる。これにより、第二層間絶縁膜８０の凹凸により形成される段差を緩和することができる。このとき、ネガ型の樹脂層１０１ａは、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂを覆っている。
【0155】
また、樹脂層１００ａは、裏面側（基板２０側）から裏面露光される。裏面側から光（例えば、紫外線）が樹脂層１００ａに照射される。このとき、金属酸化物層５０は透光性を有するので、樹脂層１００ａのうち、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂの上方を除く全域に当該光が照射される。
【0156】
次に、図６Ｄの（ｃ）に示すように、現像液により未感光部を除去するが、図６Ｄの（ｂ）で説明したように樹脂層１００ａのうちソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂの上方を除く全域が感光部であるので、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂの上方を除く樹脂が除去されずに残る。これにより、第三層間絶縁膜１０１が形成される。このように形成された第三層間絶縁膜１００は、図１９に示す比較例のように、第三層間絶縁膜に段差ができることで、第二層間絶縁膜８０が露出することを抑制することができる。
【0157】
なお、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂの上方には第三層間絶縁膜１０１が形成されていない未形成部１０１ｂが形成されるが、未形成部１０１ｂの段差は図６Ｄの（ａ）に示す厚みｔ１より小さいので、表示パネル１０ａの表面を平坦化することができている。
【0158】
次に、図６Ｅに示すように、第三層間絶縁膜１０１の上方に第四層間絶縁膜１１０を形成し、第四層間絶縁膜１１０に、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂに第四金属層１２０を接続するためのコンタクトホール１１０ｈを形成する。本変形例では、第四層間絶縁膜１１０として感光性を有するポリイミド樹脂を用い、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることで、第四層間絶縁膜１１０を貫通するコンタクトホール１１０ｈを形成する。第四層間絶縁膜１１０は、ポジ型の平坦化膜である。
【0159】
このように形成された第四層間絶縁膜１１０上の凹凸は、比較例１に比べて小さくなるので、表示パネル１０ａによれば、発光部の断面構造が乱れることによる発光効率の劣化を抑制することができる。
【0160】
（実施の形態１の変形例２）
以下では、本変形例に係る表示パネルについて、図７～図８Ｃを参照しながら説明する。なお、以下では、主に実施の形態１の変形例１との相違点を中心に説明し、実施の形態１の変形例１と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
以下では、本変形例に係る表示パネルについて、図７～図８Ｃを参照しながら説明する。なお、以下では、主に実施の形態１の変形例１との相違点を中心に説明し、実施の形態１の変形例１と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
【0161】
【0162】
図７に示すように、表示パネル１０ｂは、基板２０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二金属層１７０と、第二層間絶縁膜８０と、第三金属層９０と、第三層間絶縁膜１０２と、第四層間絶縁膜１１０と、第四金属層１２０と、バンク１３０とを備える。表示パネル１０ｂは、主に、第二金属層１７０が透光性を有する金属酸化物により形成されている点において、実施の形態１の変形例１に係る表示パネル１０ａと相違する。
【0163】
本変形例では、基板２０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二金属層１７０と、第二層間絶縁膜８０と、第三層間絶縁膜１０２と、第四層間絶縁膜１１０と、バンク１３０とは透光性を有する。また、第三金属層９０と、第四金属層１２０とは透光性を有していない。金属酸化物層５０は、第一層間絶縁膜４０の上方に配置される透光性を有する半導体膜である。本変形例では、金属酸化物層５０は、酸化物半導体を含む。
【0164】
第二金属層１７０は、ゲート絶縁層６０の上方に配置される導電膜である。第二金属層１７０として、透光性を有する導電膜を用いることができる。本変形例では、第二金属層１７０として、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を用いる。第二金属層１７０として、例えば、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ）、ＩＴＺＯ（酸化インジウムスズ亜鉛）、ＺｎＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＩＧＯ（酸化インジウムガリウム）、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩｎＯ等の透光性を有する金属酸化物を用いてもよい。第二金属層１７０は、ゲート電極１７１と、上部電極１７２とを有する。
【0165】
第二層間絶縁膜８０は、第二金属層１７０の上方に配置される絶縁膜である。第二層間絶縁膜８０は、ゲート電極１７１及び上部電極１７２を一括して覆う。
【0166】
第三金属層９０の配線９２は、コンタクトホールを介して上部電極１７２に接続される。
【0167】
第三層間絶縁膜１０２は、第二層間絶縁膜８０上に配置される。第三層間絶縁膜１０２は、配線９２の上面と面一となるように配置されるが、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂの上面と面一となるように配置されてもよい。第三層間絶縁膜１０２は、ソース・ドレイン電極９１ａとソース・ドレイン電極９１ｂとの間、及び、ソース・ドレイン電極９１ｂと配線９２との間に渡って配置され、かつ、第二層間絶縁膜８０における他の表面を覆うように配置される。第三層間絶縁膜１０２は、平面視において、第二層間絶縁膜８０の表面を覆うように配置される。第三層間絶縁膜１０２は、第二層間絶縁膜８０が露出しないように配置されるとも言える。本変形例では、第三層間絶縁膜１０２として、ネガ型の感光性樹脂膜（図７に示す「平坦化膜（ネガ）」）を用いる。第三層間絶縁膜１０２として、例えば、感光性を有するポリイミド、アクリル樹脂などの有機絶縁膜、又は、これらの積層膜を用いてもよい。本変形例では、第三層間絶縁膜１０２として、感光性を有するポリイミドを用いる。
【0168】
続いて、上記のように構成される表示パネル１０ｂの製造方法について、図８Ａ～図８Ｃを参照しながら説明する。図８Ａ～図８Ｃは、本変形例に係る表示パネル１０ｂの製造方法を説明するための各断面図である。なお、上記の実施の形態１等で説明した工程と同一又は類似の工程については、図示を省略する。例えば、図６Ｂの（ａ）の工程の後に、図８Ａの（ａ）の工程が行われる。また、表示パネル１０ｂは、図８Ａ～図８Ｃの順に製造される。
【0169】
図８Ａの（ａ）に示すように、絶縁膜６０ａの上方に金属膜１７０ａを形成する。本変形例では、膜厚５０ｎｍのＩＴＯ（酸化インジウムスズ）膜をスパッタ法により成膜する。
【0170】
次に、図８Ａの（ｂ）に示すように、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）膜のウェットエッチングにより、第二金属層１７０を所定の形状にパターニングする。これにより、ゲート電極１７１及び上部電極１７２が形成される。
【0171】
次に、図８Ａの（ｃ）に示すように、絶縁膜６０ａをパターニングする。本変形例では、第二金属層１７０の上方に形成したレジストをマスクとして絶縁膜６０ａをドライエッチングによってパターニングする。これにより、ゲート絶縁膜６１及び容量絶縁膜６２が形成される。
【0172】
次に、図８Ａの（ｄ）に示すように、絶縁膜６０ａをドライエッチングによって除去して半導体層５１を露出させることで、露出した領域の半導体層５１を、プラズマ雰囲気下に晒すこと（プラズマ処理）により低抵抗化することができる。これにより、上記の低抵抗領域が形成される。
【0173】
次に、図８Ｂの（ａ）に示すように、第二金属層１７０の上方に第二層間絶縁膜８０を形成する。本変形例では、第二金属層１７０上、半導体層５１上及び第一層間絶縁膜４０上に、ＣＶＤ法により膜厚５００ｎｍのＳｉＯｘ膜を成膜する。
【0174】
次に、図８Ｂの（ｂ）に示すように、上部電極１７２に配線９２を接続するため、並びに、半導体層５１にソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂを接続するためのコンタクトホール８０ｈを形成する。
【0175】
次に、図８Ｂの（ｃ）に示すように、第二層間絶縁膜８０の上方に金属膜９０ａを形成する。本変形例では、第二層間絶縁膜８０に半導体層５１の低抵抗領域及び上部電極１７２まで到達するコンタクトホール８０ｈを形成した後、第二層間絶縁膜８０上及びコンタクトホール８０ｈの内部に、スパッタ法により、金属膜として、膜厚３０ｎｍのＴｉ膜、膜厚８００ｎｍのＣｕ膜、及び、膜厚５０ｎｍのＣｕＭｎ膜をこの順に成膜する。
【0176】
次に、図８Ｂの（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ法、金属膜９０ａを構成するＣｕ膜とＣｕＭｎ膜のウェットエッチング、及び、金属膜９０ａを構成するＴｉ膜のドライエッチングにより、金属膜９０ａを所定の形状にパターニングする。これにより、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ、並びに、配線９２が形成される。なお、第二層間絶縁膜８０の凹部の表面と配線９２の表面との積層方向の距離を厚みｔ２とする。
【0177】
次に、図８Ｃの（ａ）に示すように、第二層間絶縁膜８０の上方に樹脂層１０２ａを形成する。本変形例では、第二層間絶縁膜８０の上方にネガ型の感光性樹脂材料を塗布することで、樹脂層１０２ａを形成する。樹脂層１０２ａの厚みは、平坦性を得たい段差に合わせて制御される。本変形例では、樹脂層１０２ａの厚みは、厚みｔ２となる。これにより、第三金属層９０の凹凸により形成される段差を緩和することができる。このとき、ネガ型の樹脂層１０２ａは、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂを覆っている。
【0178】
また、ネガ型の樹脂層１０２ａは、裏面側（基板２０側）から裏面露光される。裏面側から光（例えば、紫外線）が樹脂層１０２ａに照射される。このとき、金属酸化物層５０は透光性を有するので、塗布された樹脂層１０２ａのうち、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂの上方を除く全域に当該光が照射される。
【0179】
次に、図８Ｃの（ｂ）に示すように、現像液により未感光部を除去するが、図８Ｃの（ａ）で説明したように樹脂層１０２ａのうちソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂの上方を除く全域が感光部であるので、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂの上方を除く樹脂が除去されずに残る。これにより、第三層間絶縁膜１０２が形成される。このように形成された第三層間絶縁膜１０２は、図１９に示す比較例１のように、第三層間絶縁膜４００に段差ができる、例えば、第二層間絶縁膜８０が露出することを抑制することができる。
【0180】
なお、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂの上方には第三層間絶縁膜１０２が形成されていない未形成部１０２ｂが形成されるが、未形成部１０２ｂの段差は図８Ｂの（ｄ）に示す厚みｔ２の段差より小さいので、表示パネル１０ｂの表面を平坦化することができている。
【0181】
次に、図８Ｃの（ｃ）に示すように、第三層間絶縁膜１０２の上方に第四層間絶縁膜１１０を形成し、第四層間絶縁膜１１０に、ソース・ドレイン電極９１ｂに第四金属層１２０を接続するためのコンタクトホール１１０ｈを形成する。本変形例では、第四層間絶縁膜１１０として感光性を有するポリイミド樹脂を用い、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることで、第四層間絶縁膜１１０を貫通するコンタクトホール１１０ｈを形成する。第四層間絶縁膜１１０は、ポジ型の平坦化膜である。
【0182】
このように形成された第四層間絶縁膜１１０上の凹凸は、比較例１に比べて小さくなるので、表示パネル１０ｂによれば、発光部の断面構造が乱れることによる発光効率の劣化を抑制することができる。
【0183】
以上のように、本変形例に係る表示パネル１０ｂは、基板２０上に設けられ、画素回路を構成する透光性の第二金属層１７０（第三導電膜の一例）をさらに備え、薄膜トランジスタは、ゲート電極１７１を有し、第二金属層１７０は、ゲート電極１７１、及び、上部電極１７２を含む。
【0184】
これにより、第二金属層１７０が透光性を有するので、第三層間絶縁膜１０２を形成する際の露光時に第二金属層１７０が光を遮蔽しない。よって、第二金属層１７０が透光性を有していない場合に比べて、第三層間絶縁膜１０２における第二金属層１７０上の領域において段差が発生することを抑制することができる。
【0185】
（実施の形態１の変形例３）
以下では、本変形例に係る表示パネルについて、図９～図１０Ｃを参照しながら説明する。なお、以下では、主に実施の形態１との相違点を中心に説明し、実施の形態１と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
以下では、本変形例に係る表示パネルについて、図９～図１０Ｃを参照しながら説明する。なお、以下では、主に実施の形態１との相違点を中心に説明し、実施の形態１と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
【0186】
【0187】
図９に示すように、表示パネル１０ｃは、基板２０と、第一金属層３０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二金属層７０と、第二層間絶縁膜８０と、第五層間絶縁膜１４０と、第三金属層９０と、第三層間絶縁膜１０３と、第四層間絶縁膜１１０と、第四金属層１２０と、バンク１３０とを備える。表示パネル１０ｃは、主に、第二層間絶縁膜８０と第三層間絶縁膜１０３との間に、第五層間絶縁膜１４０を備える点において、実施の形態１に係る表示パネル１０と相違する。
【0188】
本変形例では、基板２０と、第一金属層３０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二層間絶縁膜８０と、第五層間絶縁膜１４０と、第三層間絶縁膜１０３と、第四層間絶縁膜１１０と、バンク１３０とは透光性を有する。また、第二金属層７０と、第三金属層９０と、第四金属層１２０とは透光性を有していない。金属酸化物層５０は、第一層間絶縁膜４０の上方に配置される透光性を有する半導体膜である。本変形例では、金属酸化物層５０は、酸化物半導体を含む。
【0189】
第五層間絶縁膜１４０は、第二層間絶縁膜８０の上方に配置される絶縁膜（図９に示す「平坦化膜（ポジ）」）である。本変形例では、第五層間絶縁膜１４０として、ポジ型の感光性樹脂膜を用いる。本変形例では、第五層間絶縁膜１４０として、感光性を有するポリイミド樹脂を用いる。第五層間絶縁膜１４０として、例えば、感光性を有するポリイミド、アクリル樹脂などの有機絶縁膜、又は、これらの積層膜を用いてもよい。
【0190】
第三層間絶縁膜１０３は、第五層間絶縁膜１４０上に配置される。第三層間絶縁膜１０３は、第三金属層９０の上面と面一となるように配置される。第三層間絶縁膜１０３は、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂの間のうちゲート電極７１の上方以外の部分に配置される。例えば、第三層間絶縁膜１０３は、ソース・ドレイン電極９１ｂと配線９２との間に渡って配置され、かつ、第五層間絶縁膜１４０における他の表面を覆うように配置される。第三層間絶縁膜１０３は、平面視において、ゲート電極７１の上方の領域を除く第二層間絶縁膜８０の表面を覆うように配置される。第三層間絶縁膜１０３は、ゲート電極７１の上方の領域を除く第二層間絶縁膜８０が露出しないように配置されるとも言える。本変形例では、第三層間絶縁膜１０３として、ネガ型の感光性樹脂膜（図９に示す「平坦化膜（ネガ）」）を用いる。第三層間絶縁膜１０３として、例えば、感光性を有するポリイミド、アクリル樹脂などの有機絶縁膜、又は、これらの積層膜を用いてもよい。本変形例では、第三層間絶縁膜１０３として、感光性を有するポリイミドを用いる。
【0191】
ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂは、第二層間絶縁膜８０及び第五層間絶縁膜１４０を貫通して形成されたコンタクトホールを介して半導体層５１（例えば、半導体層５１の低抵抗領域）に接続される。配線９２は、第二層間絶縁膜８０及び第五層間絶縁膜１４０を貫通して形成されたコンタクトホールを介して上部電極５２に接続される。
【0192】
続いて、上記のように構成される表示パネル１０ｃの製造方法について、図１０Ａ～図１０Ｃを参照しながら説明する。図１０Ａ～図１０Ｃは、本変形例に係る表示パネル１０ｃの製造方法を説明するための断面図である。なお、上記の実施の形態１等で説明した工程と同一又は類似の工程については、図示を省略する。例えば、図４Ｃの（ｂ）の工程の後に、図１０Ａの（ａ）の工程が行われる。
【0193】
図１０Ａの（ａ）に示すように、第二層間絶縁膜８０の上方に、コンタクトホール１４０ｈを有する第五層間絶縁膜１４０を形成する。本実施の形態では、感光性を有するポリイミド樹脂を用い、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることで、第五層間絶縁膜１４０を貫通するコンタクトホール１４０ｈを形成する。第五層間絶縁膜１４０は、ポジ型の平坦化膜である。
【0194】
次に、図１０Ａの（ｂ）に示すように、第二層間絶縁膜８０に、上部電極７２に配線９２を接続するため、及び、半導体層５１にソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂを接続するためのコンタクトホール８０ｈを形成する。本変形例では、フォトリソグラフィ法、及び、ＣＦ系のガスを用いたドライエッチングにより、第二層間絶縁膜８０を貫通するコンタクトホール８０ｈを形成する。コンタクトホール８０ｈは、コンタクトホール１４０ｈと連通する。
【0195】
次に、図１０Ａの（ｃ）に示すように、第五層間絶縁膜１４０の上方に金属膜９０ａを形成する。本変形例では、第二層間絶縁膜８０にコンタクトホール８０ｈを形成した後、第五層間絶縁膜１４０上並びにコンタクトホール８０ｈ及び１４０ｈの内部に、スパッタ法により、金属膜として、膜厚３０ｎｍのＴｉ膜、膜厚８００ｎｍのＣｕ膜、及び、膜厚５０ｎｍのＣｕＭｎ膜をこの順に成膜する。
【0196】
次に、図１０Ｂの（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ法、金属膜９０ａを構成するＣｕ膜とＣｕＭｎ膜のウェットエッチング、及び、金属膜９０ａを構成するＴｉ膜のドライエッチングにより、金属膜９０ａを所定の形状にパターニングする。これにより、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ、並びに、配線９２が形成される。なお、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ、並びに、配線９２の露出している部分の厚みをｔ３とする。
【0197】
次に、図１０Ｂの（ｂ）に示すように、第五層間絶縁膜１４０の上方にネガ型の樹脂層１０３ａを形成する。本変形例では、第五層間絶縁膜１４０上にソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ、並びに、配線９２の露出している部分の間を埋めるようにネガ型の感光性樹脂材料を塗布することで、ネガ型の樹脂層１０３ａを形成する。樹脂層１０３ａの厚みは、平坦性を得たい段差に合わせて制御される。本変形例では、樹脂層１０３ａの厚みは、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ、並びに、配線９２の露出している部分の厚みｔ３となる。これにより、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ、並びに、配線９２の露出している部分により形成される段差を抑制することができる。
【0198】
また、樹脂層１０３ａは、裏面側（基板２０側）から裏面露光される。裏面側から光（例えば、紫外線）がネガ型の樹脂層１０３ａに照射される。このとき、第一金属層３０及び金属酸化物層５０が透光性を有するので、塗布された樹脂層１０３ａのうちゲート電極７１の上方以外の全域に当該光が照射される。
【0199】
次に、図１０Ｃの（ａ）に示すように、現像液により未感光部を除去するが、図１０Ｂの（ｂ）で説明したように樹脂層１０３ａのうちゲート電極７１の上方を除く全域が感光部であるので、ゲート電極７１の上方を除く樹脂が除去されずに残る。これにより、第三層間絶縁膜１０３が形成される。このように形成された第三層間絶縁膜１０３は、図１９に示す比較例１のように、第三層間絶縁膜に段差ができる、例えば、第五層間絶縁膜１４０が露出することを抑制することができる。
【0200】
なお、第五層間絶縁膜１４０の上方には第三層間絶縁膜１０３が形成されていない未形成部１０３ｂが形成されるが、比較例１に比べて未形成部の数を少なくできているので、表示パネル１０ｃの表面を平坦化することができている。
【0201】
次に、図１０Ｃの（ｂ）に示すように、第三層間絶縁膜１０３の上方に第四層間絶縁膜１１０を形成し、第四層間絶縁膜１１０に、ソース・ドレイン電極９１ｂに第四金属層１２０を接続するためのコンタクトホール１１０ｈを形成する。
【0202】
このように形成された表示パネル１０ｃは、第三金属層９０により段差が形成される場合に、当該段差を第三層間絶縁膜１０３で緩和することができる。つまり、表示パネル１０ｃは、第三金属層９０により形成される段差が発光部に影響を及ぼすことを抑制することができる。よって、表示パネル１０ｃは、画素回路の段差を従来よりも低減することができる。
【0203】
以上のように、本変形例に係る表示パネル１０ｃは、金属酸化物層５０（第一導電膜の一例）と、第三層間絶縁膜１０３（絶縁膜の一例）との間に、第五層間絶縁膜１４０（ポジ型の平坦化膜の一例）を備え、画素回路は、半導体層５１に接続されたソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂを有し、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂの一部は、第五層間絶縁膜１４０の上方に位置する。
【0204】
これにより、第五層間絶縁膜１４０の上方においてソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂの一部により形成される段差を、第三層間絶縁膜１０３により抑制することができる。
【0205】
（実施の形態２）
以下では、本実施の形態に係る表示パネルについて、図１１～図１２Ｄを参照しながら説明する。なお、以下では、主に実施の形態１との相違点を中心に説明し、実施の形態１と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
以下では、本実施の形態に係る表示パネルについて、図１１～図１２Ｄを参照しながら説明する。なお、以下では、主に実施の形態１との相違点を中心に説明し、実施の形態１と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
【0206】
【0207】
図１１に示すように、表示パネル２１０は、基板２０と、第一金属層３０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二金属層７０と、第二層間絶縁膜８０と、第六層間絶縁膜３００と、第三金属層９０と、第四層間絶縁膜１１０と、第四金属層１２０と、バンク１３０とを備える。表示パネル２１０は、主に、ネガ型の感光性樹脂層を備えておらず、かつ、第二層間絶縁膜８０と第四層間絶縁膜１１０との間に、第六層間絶縁膜３００を備える点において、実施の形態１に係る表示パネル１０と相違する。
【0208】
本実施の形態では、基板２０と、第一金属層３０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二層間絶縁膜８０と、第六層間絶縁膜３００と、第四層間絶縁膜１１０と、バンク１３０とは透光性を有する。また、第二金属層７０と、第三金属層９０と、第四金属層１２０とは透光性を有していない。金属酸化物層５０は、第一層間絶縁膜４０の上方に配置される透光性を有する半導体膜である。本変形例では、金属酸化物層５０は、酸化物半導体を含む。
【0209】
第六層間絶縁膜３００は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜、又はこれらの中から選ばれる絶縁膜の積層膜により構成される無機材料を含む絶縁膜（図１１に示す「無機絶縁膜」）である。第六層間絶縁膜３００は、表示パネル２１０の表面を平坦化するための層であり、図１１の例では、第三金属層９０による段差を緩和するために設けられている。
【0210】
第六層間絶縁膜３００は、ゲート電極７１の上方に凸部を有する。第六層間絶縁膜３００の凸部の厚み（段差）は、第二層間絶縁膜８０におけるゲート電極７１の上方の凸部の厚み（段差）より小さい。また、第六層間絶縁膜３００の凸部の厚み（段差）は、第三金属層９０における第二層間絶縁膜８０より上方に位置する部分（上部）の厚み（段差）より小さい。第六層間絶縁膜３００は、絶縁膜の一例である。
【0211】
［２－２．表示パネルの製造方法］
続いて、上記のように構成される表示パネル２１０の製造方法について、図１２Ａ～図１２Ｄを参照しながら説明する。図１２Ａ～図１２Ｄは、本実施の形態に係る表示パネル２１０の製造方法を説明するための各断面図である。なお、上記の実施の形態１等で説明した工程と同一又は類似の工程については、図示を省略する。例えば、図４Ｄの（ａ）の工程の後に、図１２Ａの（ａ）の工程が行われる。
続いて、上記のように構成される表示パネル２１０の製造方法について、図１２Ａ～図１２Ｄを参照しながら説明する。図１２Ａ～図１２Ｄは、本実施の形態に係る表示パネル２１０の製造方法を説明するための各断面図である。なお、上記の実施の形態１等で説明した工程と同一又は類似の工程については、図示を省略する。例えば、図４Ｄの（ａ）の工程の後に、図１２Ａの（ａ）の工程が行われる。
【0212】
図１２Ａの（ａ）に示すように、第二層間絶縁膜８０の上方に無機層３００ａを形成する。無機層３００ａの表面の段差は、無機層３００ａより下層の凹凸に応じた段差となる。本実施の形態では、第二層間絶縁膜８０上に、無機層３００ａが形成される前の表面段差の最大値である厚みｔ４より厚く無機材料を含む絶縁膜を成膜することで、無機層３００ａを形成する。つまり、第二層間絶縁膜８０及び第三金属層９０は、露出していない。なお、無機層３００ａは、例えば、第三金属層９０上及び第二層間絶縁膜８０上に、ＣＶＤ法により成膜される。
【0213】
次に、図１２Ａの（ｂ）に示すように、無機層３００ａの上方にネガ型のレジスト層３１０ａを塗布することで形成する。
【0214】
また、ネガ型のレジスト層３１０ａは、裏面側（基板２０側）から裏面露光される。裏面側から光（例えば、紫外線）がレジスト層３１０ａに照射される。第三金属層９０及びゲート電極７１は透光性を有していないので、塗布されたレジスト層３１０ａのうち第三金属層９０及びゲート電極７１の上方を除く全域に当該光が照射される。
【0215】
図１２Ａの（ｂ）に示す工程は、第四工程及び第五工程の一例である。
【0216】
次に、図１２Ｂの（ａ）に示すように、現像液により未感光部を除去するが、図１２Ａの（ｂ）で説明したようにレジスト層３１０ａのうち第三金属層９０及びゲート電極７１の上方を除く全域が感光部であるので、第三金属層９０及びゲート電極７１の上方を除く樹脂が除去されずに残る。これにより、レジスト層３１０が形成される。このように形成されたレジスト層３１０には、レジスト層３１０ａが除去されて無機層３００ａが露出する未形成部３１０ｂ（貫通孔）が形成される。レジスト層３１０は、無機層３００ａをドライエッチングする際のマスクとして用いられる。未形成部３１０ｂは、レジスト層３１０ａが除去された部分であり、無機層３００ａの凸部のみを露出させる。
【0217】
図１２Ｂの（ａ）に示す工程は、第六工程の一例である。
【0218】
次に、図１２Ｂの（ｂ）に示すように、レジスト層３１０をマスクに用いたドライエッチングにより、無機層３００ａを一部除去することで表面の凹凸が抑制された第六層間絶縁膜３００が形成される。ドライエッチング量は、平坦性を得たい段差に合わせて制御される。本実施の形態では、第三金属層９０により段差を抑制するので、第三金属層９０の上部の厚みｔ５だけ無機層３００ａをエッチングする。
【0219】
図１２Ｂの（ｂ）に示す工程は、第七工程の一例である。
【0220】
【0221】
図１２Ｃの（ａ）に示す工程は、第八工程の一例である。
【0222】
次に、図１２Ｃの（ｂ）に示すように、第六層間絶縁膜３００の上方に、コンタクトホール１１０ｈを有する第四層間絶縁膜１１０を形成する。本実施の形態では、感光性を有するポリイミド樹脂をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、第四層間絶縁膜１１０を貫通するコンタクトホール１１０ｈを形成する。これにより、第四層間絶縁膜１１０の表面の段差は、図１２Ａの（ａ）の状態の無機層３００ａの上方に第四層間絶縁膜１１０を形成した場合の当該第四層間絶縁膜１１０の表面の段差より小さくなる。第四層間絶縁膜１１０は、ポジ型の平坦化膜である。
【0223】
次に、図１２Ｄに示すように、第六層間絶縁膜３００に、ソース・ドレイン電極９１ｂに第四金属層１２０を接続するためのコンタクトホール３００ｈを形成する。本実施の形態では、フォトリソグラフィ法、及び、ＣＦ系のガスを用いたドライエッチングにより、第六層間絶縁膜３００を貫通するコンタクトホール３００ｈを形成する。コンタクトホール３００ｈは、コンタクトホール１１０ｈと連通する。
【0224】
このように、レジスト層３１０を用いて、第六層間絶縁膜３００の表面の凹凸を抑制することができるので、第六層間絶縁膜３００より下層により形成される段差（例えば、第三金属層９０による段差）が発光部に影響を及ぼすことを抑制することができる。よって、表示パネル２１０は、画素回路の段差を従来よりも低減することができる。
【0225】
以上のように、本実施の形態に係る表示パネル２１０の第六層間絶縁膜３００（絶縁膜の一例）は、無機絶縁膜である。
【0226】
これにより、無機絶縁膜を用いて、画素回路の段差を従来よりも抑制することができる。
【0227】
また、以上のように、本実施の形態に係る表示パネル２１０の製造方法において、第六層間絶縁膜３００は、無機絶縁膜であり、当該製造方法は、さらに第六層間絶縁膜３００上にネガ型のレジスト材料を塗布する第四工程と、基板２０側からネガ型のレジスト材料からなるレジスト層３１０ａを露光する第五工程と、露光されたネガ型の感光性樹脂材料の膜を現像する第六工程と、現像されたネガ型のレジスト層３１０をマスクとして第六層間絶縁膜３００をドライエッチングする第七工程と、現像されたネガ型の感光性樹脂材料の膜を剥離する第八工程とを含む。
【0228】
これにより、金属酸化物層５０（第一導電膜の一例）が透光性を有するので、基板２０側からネガ型のレジスト材料の膜を裏面露光する際に金属酸化物層５０が光を遮蔽しない。これにより形成されるレジスト層３１０を用いることで、金属酸化物層５０上の領域において第六層間絶縁膜３００の所望の領域のみをエッチングすることができるので、第六層間絶縁膜３００における金属酸化物層５０上の領域において段差が発生することを抑制することができる。
【0229】
（実施の形態２の変形例１）
以下では、本変形例に係る表示パネルについて、図１３～図１４Ｃを参照しながら説明する。なお、以下では、主に実施の形態１の変形例１との相違点を中心に説明し、実施の形態１の変形例１と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
以下では、本変形例に係る表示パネルについて、図１３～図１４Ｃを参照しながら説明する。なお、以下では、主に実施の形態１の変形例１との相違点を中心に説明し、実施の形態１の変形例１と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
【0230】
【0231】
図１３に示すように、表示パネル２１０ａは、基板２０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二金属層７０と、第二層間絶縁膜８０と、第三金属層９０と、第六層間絶縁膜３０１と、第四層間絶縁膜１１０と、第四金属層１２０と、バンク１３０とを備える。表示パネル２１０ａは、主に、ネガ型の感光性樹脂層を備えておらず、第二層間絶縁膜８０と第四層間絶縁膜１１０との間に、第六層間絶縁膜３０１を備える点において、実施の形態１の変形例１に係る表示パネル１０ａと相違する。
【0232】
本変形例では、基板２０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二層間絶縁膜８０と、第六層間絶縁膜３０１と、第四層間絶縁膜１１０と、バンク１３０とは透光性を有する。また、第二金属層７０と、第三金属層９０と、第四金属層１２０とは透光性を有していない。金属酸化物層５０は、第一層間絶縁膜４０の上方に配置される透光性を有する半導体膜である。本変形例では、金属酸化物層５０は、酸化物半導体を含む。
【0233】
第六層間絶縁膜３０１は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜、又はこれらの中から選ばれる絶縁膜の積層膜により構成される無機材料を含む絶縁膜（図１３に示す「無機絶縁膜」）である。第六層間絶縁膜３０１は、表示パネル２１０ａの表面を平坦化するための層であり、図１３の例では、第三金属層９０による段差を緩和するために設けられている。
【0234】
続いて、上記のように構成される表示パネル２１０ａの製造方法について、図１４Ａ～図１４Ｃを参照しながら説明する。図１４Ａ～図１４Ｃは、本変形例に係る表示パネル２１０ａの製造方法を説明するための各断面図である。なお、上記の実施の形態１等で説明した工程と同一又は類似の工程については、図示を省略する。例えば、図６Ｄの（ａ）の工程の後に、図１４Ａの（ａ）の工程が行われる。また、表示パネル２１０は、図１４Ａ～図１４Ｃの順に製造される。
【0235】
図１４Ａの（ａ）に示すように、第二層間絶縁膜８０の上方に無機層３０１ａを形成する。無機層３０１ａの表面の凹凸は、無機層３０１ａより下層の凹凸を反映した形状となる。
【0236】
次に、図１４Ａの（ｂ）に示すように、無機層３０１ａの上方にネガ型のレジスト層３１０ａを塗布することで形成する。
【0237】
また、レジスト層３１０ａは、裏面側（基板２０側）から裏面露光される。裏面側から光（例えば、紫外線）がレジスト層３１０ａに照射される。第二金属層７０及び第三金属層９０は透光性を有していないので、塗布されたレジスト層３１０ａのうち第二金属層７０及び第三金属層９０の上方を除く全域に当該光が照射される。
【0238】
次に、図１４Ｂの（ａ）に示すように、現像液により未感光部を除去するが、図１４Ａの（ｂ）で説明したようにレジスト層３１０ａのうち第三金属層９０及びゲート電極７１の上方を除く全域が感光部であるので、第三金属層９０及びゲート電極７１の上方を除く樹脂が除去されずに残る。これにより、レジスト層３１０が形成される。このように形成されたレジスト層３１０には、レジスト層３１０ａが除去されて無機層３０１ａが露出する未形成部３１０ｂ（貫通孔）が形成される。レジスト層３１０は、無機層３０１ａをドライエッチングする際のマスクとして用いられる。
【0239】
次に、図１４Ｂの（ｂ）に示すように、レジスト層３１０をマスクに用いたドライエッチングにより、無機層３０１ａを一部除去することで表面の凹凸が抑制された第六層間絶縁膜３０１が形成される。ドライエッチング量は、平坦性を得たい段差に合わせて制御される。本変形例では、第三金属層９０の上部の厚みｔ５だけ無機層３０１ａをエッチングする。
【0240】
【0241】
このように、ネガ型のレジスト層３１０を用いて、第六層間絶縁膜３０１の表面の凹凸を低減することができるので、第六層間絶縁膜３０１より下層により形成される段差（例えば、第三金属層９０による段差）が発光部に影響を及ぼすことを抑制することができる。よって、表示パネル２１０ａは、画素回路の段差を従来よりも低減することができる。
【0242】
（実施の形態２の変形例２）
以下では、本変形例に係る表示パネルについて、図１５～図１６Ｃを参照しながら説明する。なお、以下では、主に実施の形態１の変形例２との相違点を中心に説明し、実施の形態１の変形例２と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
以下では、本変形例に係る表示パネルについて、図１５～図１６Ｃを参照しながら説明する。なお、以下では、主に実施の形態１の変形例２との相違点を中心に説明し、実施の形態１の変形例２と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
【0243】
【0244】
図１５に示すように、表示パネル２１０ｂは、基板２０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二金属層１７０と、第二層間絶縁膜８０と、第三金属層９０と、第六層間絶縁膜３０２と、第四層間絶縁膜１１０と、第四金属層１２０と、バンク１３０とを備える。表示パネル２１０ｂは、主に、ネガ型の感光性樹脂層を備えておらず、第二層間絶縁膜８０と第四層間絶縁膜１１０との間に、第六層間絶縁膜３０２を備える点において、実施の形態１の変形例２に係る表示パネル１０ｂと相違する。
【0245】
本変形例では、基板２０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二金属層１７０と、第二層間絶縁膜８０と、第六層間絶縁膜３０２と、第四層間絶縁膜１１０と、バンク１３０とは透光性を有する。また、第三金属層９０と、第四金属層１２０とは透光性を有していない。金属酸化物層５０は、第一層間絶縁膜４０の上方に配置される透光性を有する半導体膜である。本変形例では、金属酸化物層５０は、酸化物半導体を含む。
【0246】
第六層間絶縁膜３０２は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜、又はこれらの中から選ばれる絶縁膜の積層膜により構成される無機材料を含む絶縁膜（図１５に示す「無機絶縁膜」）である。第六層間絶縁膜３０２は、表示パネル２１０ｂの表面を平坦化するための層であり、図１５の例では、第三金属層９０による段差を緩和するために設けられている。
【0247】
続いて、上記のように構成される表示パネル２１０ｂの製造方法について、図１６Ａ～図１６Ｃを参照しながら説明する。図１６Ａ～図１６Ｃは、本変形例に係る表示パネル２１０ｂの製造方法を説明するための断面図である。なお、上記の実施の形態１等で説明した工程と同一又は類似の工程については、図示を省略する。例えば、図８Ｂの（ｄ）の工程の後に、図１６Ａの（ａ）の工程が行われる。
【0248】
図１６Ａの（ａ）に示すように、第二層間絶縁膜８０の上方に無機層３０２ａを形成する。無機層３０２ａの表面の凹凸は、無機層３０２ａより下層の凹凸を反映した形状となる。
【0249】
次に、図１６Ａの（ｂ）に示すように、無機層３０２ａの上方にネガ型のレジスト層３１０ａを塗布することで形成する。
【0250】
また、レジスト層３１０ａは、裏面側（基板２０側）から裏面露光される。裏面側から光（例えば、紫外線）がレジスト層３１０ａに照射される。第三金属層９０は透光性を有していないので、塗布されたレジスト層３１０ａのうち第三金属層９０の上方を除く全域に当該光が照射される。
【0251】
次に、図１６Ｂの（ａ）に示すように、現像液により未感光部を除去するが、図１６Ａの（ｂ）で説明したようにネガ型のレジスト層３１０ａのうち第三金属層９０の上方を除く全域が感光部であるので、第三金属層９０の上方を除く樹脂が除去されずに残る。これにより、レジスト層３１０が形成される。このように形成されたレジスト層３１０には、レジスト層３１０ａが除去されて無機層３０２ａが露出する未形成部３１０ｂ（貫通孔）が形成される。レジスト層３１０は、第三金属層９０により形成された無機層３０２ａの凸部のみを露出させることができる。レジスト層３１０は、無機層３０２ａをドライエッチングする際のマスクとして用いられる。
【0252】
次に、図１６Ｂの（ｂ）に示すように、レジスト層３１０をマスクに用いたドライエッチングにより、無機層３０２ａを一部除去することで表面の凹凸が抑制された第六層間絶縁膜３０２が形成される。ドライエッチング量は、平坦性を得たい段差に合わせて制御される。本変形例では、第三金属層９０の上部の厚みだけ無機層３０２ａをエッチングする。
【0253】
【0254】
このように、ネガ型のレジスト層３１０を用いて、第六層間絶縁膜３０２の表面の凹凸を低減することができるので、第六層間絶縁膜３０２より下層により形成される段差（例えば、第三金属層９０による段差）が発光部に影響を及ぼすことを抑制することができる。よって、表示パネル２１０ｂは、画素回路の段差を従来よりも低減することができる。
【0255】
（実施の形態２の変形例３）
以下では、本変形例に係る表示パネルについて、図１７～図１８Ｃを参照しながら説明する。なお、以下では、主に実施の形態１の変形例３との相違点を中心に説明し、実施の形態１の変形例３と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
以下では、本変形例に係る表示パネルについて、図１７～図１８Ｃを参照しながら説明する。なお、以下では、主に実施の形態１の変形例３との相違点を中心に説明し、実施の形態１の変形例３と同一又は類似の内容については説明を省略又は簡略化する。
【0256】
【0257】
図１７に示すように、表示パネル２１０ｃは、基板２０と、第一金属層３０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二金属層７０と、第二層間絶縁膜８０と、第五層間絶縁膜１４０と、第三金属層９０と、第六層間絶縁膜３０３と、第四層間絶縁膜１１０と、第四金属層１２０と、バンク１３０とを備える。表示パネル２１０ｃは、主に、ネガ型の感光性樹脂層を備えておらず、第五層間絶縁膜１４０と第四層間絶縁膜１１０との間に、第六層間絶縁膜３０３を備える点において、実施の形態１の変形例３に係る表示パネル１０ｃと相違する。
【0258】
本変形例では、基板２０と、第一金属層３０と、第一層間絶縁膜４０と、金属酸化物層５０と、ゲート絶縁層６０と、第二層間絶縁膜８０と、第五層間絶縁膜１４０と、第六層間絶縁膜３０３と、第四層間絶縁膜１１０と、バンク１３０とは透光性を有する。また、第二金属層７０と、第三金属層９０と、第四金属層１２０とは透光性を有していない。金属酸化物層５０は、第一層間絶縁膜４０の上方に配置される透光性を有する半導体膜である。本変形例では、金属酸化物層５０は、酸化物半導体を含む。
【0259】
第六層間絶縁膜３０３は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜、又はこれらの中から選ばれる絶縁膜の積層膜により構成される無機材料を含む絶縁膜（図１７に示す「無機絶縁膜」）である。第六層間絶縁膜３０３は、表示パネル２１０ｃの表面を平坦化するための層であり、図１７の例では、第三金属層９０による段差を緩和するために設けられている。
【0260】
続いて、上記のように構成される表示パネル２１０ｃの製造方法について、図１８Ａ～図１８Ｃを参照しながら説明する。図１８Ａ～図１８Ｃは、本変形例に係る表示パネル２１０ｃの製造方法を説明するための各断面図である。なお、上記の実施の形態１等で説明した工程と同一又は類似の工程については、図示を省略する。例えば、図１０Ｂの（ａ）の工程の後に、図１８Ａの（ａ）の工程が行われる。
【0261】
図１８Ａの（ａ）に示すように、第五層間絶縁膜１４０の上方に無機層３０３ａを形成する。具体的には、第五層間絶縁膜１４０及び第三金属層９０を覆うように無機材料を含む絶縁膜を成膜することで、無機層３０３ａを形成する。無機層３０３ａの厚みは、平坦性を得たい段差に合わせて制御される。本変形例では、無機層３０３ａの厚みは、ソース・ドレイン電極９１ａ及び９１ｂ、並びに、配線９２の上部（無機層３０３ａが形成されてない状態で露出している部分）の厚みより厚い。無機層３０３ａの表面の凹凸は、第三金属層９０の凹凸を反映した形状となる。なお、無機層３０３ａは、例えば、第五層間絶縁膜１４０及び第三金属層９０上に、ＣＶＤ法により成膜される。
【0262】
次に、図１８Ａの（ｂ）に示すように、無機層３０３ａの上方にネガ型のレジスト層３１０ａを塗布することで形成する。
【0263】
また、レジスト層３１０ａは、裏面側（基板２０側）から裏面露光される。裏面側から光（例えば、紫外線）がレジスト層３１０ａに照射される。第三金属層９０及びゲート電極７１は透光性を有していないので、塗布されたレジスト層３１０ａのうち第三金属層９０及びゲート電極７１の上方を除く全域に当該光が照射される。
【0264】
次に、図１８Ｂの（ａ）に示すように、現像液により未感光部を除去するが、図１８Ａの（ｂ）で説明したようにレジスト層３１０ａのうち第三金属層９０及びゲート電極７１の上方を除く全域が感光部であるので、第三金属層９０及びゲート電極７１の上方を除く樹脂が除去されずに残る。これにより、レジスト層３１０が形成される。このように形成されたレジスト層３１０には、レジスト層３１０ａが除去されて無機層３０３ａが露出する未形成部３１０ｂ（貫通孔）が形成される。レジスト層３１０は、無機層３０３ａをドライエッチングする際のマスクとして用いられる。レジスト層３１０は、第三金属層９０により形成された無機層３０３ａの凸部のみを露出させることができる。
【0265】
次に、図１８Ｂの（ｂ）に示すように、レジスト層３１０をマスクに用いたドライエッチングにより、無機層３０３ａを一部除去することで表面の凹凸が抑制された第六層間絶縁膜３０３が形成される。ドライエッチング量は、平坦性を得たい段差に合わせて制御される。本変形例では、第三金属層９０の上部の厚みだけ無機層３０３ａの凸部をエッチングする。
【0266】
【0267】
なお、第五層間絶縁膜１４０の上方には第六層間絶縁膜３０３が形成されていない未形成部３０３ｂが形成されるが、図２０Ａ及び図２０Ｂに示す比較例２に比べて未形成部の数を少なくできているので、表示パネル２１０ｃの表面を平坦化することができている。
【0268】
このように、ネガ型のレジスト層３１０を用いて、第六層間絶縁膜３０３の表面の凹凸を低減することができるので、第六層間絶縁膜３０３より下層により形成される段差（例えば、第三金属層９０による段差）が発光部に影響を及ぼすことを抑制することができる。よって、表示パネル２１０ｃは、画素回路の段差を従来よりも低減することができる。
【0269】
（その他の実施の形態）
以上、本開示に係る表示パネル１０などについて、各実施の形態等に基づいて説明したが、本開示に係る表示パネル１０などは、上記各実施の形態等に限定されるものではない。各実施の形態等に対して本開示の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も本開示に含まれる。
以上、本開示に係る表示パネル１０などについて、各実施の形態等に基づいて説明したが、本開示に係る表示パネル１０などは、上記各実施の形態等に限定されるものではない。各実施の形態等に対して本開示の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も本開示に含まれる。
【0270】
例えば、上記各実施の形態等では、第三金属層９０は金属配線であり透光性を有していない例について説明したが、金属酸化物などにより構成され透光性を有していてもよい。また、上記各実施の形態等では、金属酸化物層５０は、透光性を有する例について説明したが、透光性を有していなくてもよい。
【0271】
また、上記各実施の形態等では、薄膜トランジスタ領域にトップゲート型の薄膜トランジスタが配置される例について説明したが、ボトムゲート型の薄膜トランジスタが配置されてもよい。
【0272】
また、上記各実施の形態等では、表示パネル１０等がトップエミッション型の表示パネルである例について説明したが、ボトムエミッション型の表示パネルであってもよい。
【0273】
（付記）
以上の各実施の形態等の記載により、下記の技術が開示される。
以上の各実施の形態等の記載により、下記の技術が開示される。
【0274】
（技術１）
画素回路を備える自発光型の表示パネルであって、
基板と、
前記基板上に設けられ、前記画素回路を構成する透光性の第一導電膜と、
前記第一導電膜上に設けられ、前記画素回路を構成する非透光性の第二導電膜と、
前記第一導電膜上に設けられ、表面を平坦化する絶縁膜とを備え、
前記第一導電膜の少なくとも一部は、前記表示パネルの平面視において、前記第二導電膜と重ならない領域に設けられ、
前記絶縁膜は、前記重ならない領域において平坦である
表示パネル。
画素回路を備える自発光型の表示パネルであって、
基板と、
前記基板上に設けられ、前記画素回路を構成する透光性の第一導電膜と、
前記第一導電膜上に設けられ、前記画素回路を構成する非透光性の第二導電膜と、
前記第一導電膜上に設けられ、表面を平坦化する絶縁膜とを備え、
前記第一導電膜の少なくとも一部は、前記表示パネルの平面視において、前記第二導電膜と重ならない領域に設けられ、
前記絶縁膜は、前記重ならない領域において平坦である
表示パネル。
【0275】
（技術２）
前記絶縁膜は、ネガ型の感光性樹脂膜である
技術１に記載の表示パネル。
前記絶縁膜は、ネガ型の感光性樹脂膜である
技術１に記載の表示パネル。
【0276】
（技術３）
前記絶縁膜は、無機絶縁膜である
技術１に記載の表示パネル。
前記絶縁膜は、無機絶縁膜である
技術１に記載の表示パネル。
【0277】
（技術４）
前記画素回路は、薄膜トランジスタを有し、
前記第一導電膜は、前記薄膜トランジスタの半導体層を含む
技術１～３のいずれかに記載の表示パネル。
前記画素回路は、薄膜トランジスタを有し、
前記第一導電膜は、前記薄膜トランジスタの半導体層を含む
技術１～３のいずれかに記載の表示パネル。
【0278】
（技術５）
前記画素回路は、保持容量を有し、
前記保持容量は、下部電極と、上部電極と、前記下部電極及び前記上部電極の間の誘電膜とを有し、
前記第一導電膜は、さらに前記薄膜トランジスタの前記下部電極又は前記上部電極を含む
技術４に記載の表示パネル。
前記画素回路は、保持容量を有し、
前記保持容量は、下部電極と、上部電極と、前記下部電極及び前記上部電極の間の誘電膜とを有し、
前記第一導電膜は、さらに前記薄膜トランジスタの前記下部電極又は前記上部電極を含む
技術４に記載の表示パネル。
【0279】
（技術６）
前記基板上に設けられ、前記画素回路を構成する透光性の第三導電膜をさらに備え、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極を有し、
前記第三導電膜は、前記ゲート電極、及び、前記上部電極を含む
技術５に記載の表示パネル。
前記基板上に設けられ、前記画素回路を構成する透光性の第三導電膜をさらに備え、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極を有し、
前記第三導電膜は、前記ゲート電極、及び、前記上部電極を含む
技術５に記載の表示パネル。
【0280】
（技術７）
前記基板上に設けられ、前記画素回路を構成する透光性の第四導電膜をさらに備え、
前記画素回路は、前記半導体層の下方に設けられるシールド電極をさらに有し、
前記第四導電膜は、前記シールド電極を含む
技術５に記載の表示パネル。
前記基板上に設けられ、前記画素回路を構成する透光性の第四導電膜をさらに備え、
前記画素回路は、前記半導体層の下方に設けられるシールド電極をさらに有し、
前記第四導電膜は、前記シールド電極を含む
技術５に記載の表示パネル。
【0281】
（技術８）
前記第一導電膜と前記絶縁膜との間に、ポジ型の平坦化膜を備え、
前記画素回路は、前記半導体層に接続されたソース・ドレイン電極を有し、
前記ソース・ドレイン電極の一部は、前記ポジ型の平坦化膜の上方に位置する
技術４に記載の表示パネル。
前記第一導電膜と前記絶縁膜との間に、ポジ型の平坦化膜を備え、
前記画素回路は、前記半導体層に接続されたソース・ドレイン電極を有し、
前記ソース・ドレイン電極の一部は、前記ポジ型の平坦化膜の上方に位置する
技術４に記載の表示パネル。
【0282】
（技術９）
前記薄膜トランジスタは、トップゲート型の薄膜トランジスタである
技術４～８のいずれかに記載の表示パネル。
前記薄膜トランジスタは、トップゲート型の薄膜トランジスタである
技術４～８のいずれかに記載の表示パネル。
【0283】
（技術１０）
前記表示パネルは、前記平面視において発光する発光領域と、前記発光領域に隣接する非発光領域とを有し、
前記第一導電膜は、前記非発光領域において、金属配線と接続される
技術１～９のいずれかに記載の表示パネル。
前記表示パネルは、前記平面視において発光する発光領域と、前記発光領域に隣接する非発光領域とを有し、
前記第一導電膜は、前記非発光領域において、金属配線と接続される
技術１～９のいずれかに記載の表示パネル。
【0284】
（技術１１）
前記絶縁膜上に形成される発光層をさらに備え、
前記発光層は、塗布膜である
技術１～１０のいずれかに記載の表示パネル。
前記絶縁膜上に形成される発光層をさらに備え、
前記発光層は、塗布膜である
技術１～１０のいずれかに記載の表示パネル。
【0285】
（技術１２）
前記表示パネルは、トップエミッション型である
技術１～１１のいずれかに記載の表示パネル。
前記表示パネルは、トップエミッション型である
技術１～１１のいずれかに記載の表示パネル。
【0286】
（技術１３）
画素回路を備える自発光型の表示パネルの製造方法であって、
基板上に、前記画素回路を構成する透光性の第一導電膜を形成する第一工程と、
前記第一導電膜上に、前記画素回路を構成する非透光性の第二導電膜を形成する第二工程と、
前記第一導電膜上に、表面を平坦化する絶縁膜を形成する第三工程とを含み、
前記第一導電膜の少なくとも一部は、前記表示パネルの平面視において、前記第二導電膜と重ならない領域に設けられ、
前記絶縁膜は、前記重ならない領域において平坦である
表示パネルの製造方法。
画素回路を備える自発光型の表示パネルの製造方法であって、
基板上に、前記画素回路を構成する透光性の第一導電膜を形成する第一工程と、
前記第一導電膜上に、前記画素回路を構成する非透光性の第二導電膜を形成する第二工程と、
前記第一導電膜上に、表面を平坦化する絶縁膜を形成する第三工程とを含み、
前記第一導電膜の少なくとも一部は、前記表示パネルの平面視において、前記第二導電膜と重ならない領域に設けられ、
前記絶縁膜は、前記重ならない領域において平坦である
表示パネルの製造方法。
【0287】
（技術１４）
前記絶縁膜は、ネガ型の感光性樹脂膜であり、
前記第三工程では、
前記第二導電膜上にネガ型の感光性樹脂材料を塗布し、
前記第一導電膜側から前記ネガ型の感光性樹脂材料の膜を露光する
技術１３に記載の表示パネルの製造方法。
前記絶縁膜は、ネガ型の感光性樹脂膜であり、
前記第三工程では、
前記第二導電膜上にネガ型の感光性樹脂材料を塗布し、
前記第一導電膜側から前記ネガ型の感光性樹脂材料の膜を露光する
技術１３に記載の表示パネルの製造方法。
【0288】
（技術１５）
前記絶縁膜は、無機絶縁膜であり、
さらに
前記絶縁膜上にネガ型のレジスト材料を塗布する第四工程と、
前記第一導電膜側から前記ネガ型のレジスト材料の膜を露光する第五工程と、
露光された前記ネガ型の感光性樹脂材料の膜を現像する第六工程と、
現像された前記ネガ型のレジスト材料をマスクとして前記絶縁膜をドライエッチングする第七工程と、
現像された前記ネガ型のレジスト材料の膜を剥離する第八工程とを含む
技術１３に記載の表示パネルの製造方法。
前記絶縁膜は、無機絶縁膜であり、
さらに
前記絶縁膜上にネガ型のレジスト材料を塗布する第四工程と、
前記第一導電膜側から前記ネガ型のレジスト材料の膜を露光する第五工程と、
露光された前記ネガ型の感光性樹脂材料の膜を現像する第六工程と、
現像された前記ネガ型のレジスト材料をマスクとして前記絶縁膜をドライエッチングする第七工程と、
現像された前記ネガ型のレジスト材料の膜を剥離する第八工程とを含む
技術１３に記載の表示パネルの製造方法。
【産業上の利用可能性】
【0289】
本開示は、特に自発光型の表示パネルを備える表示装置などに有用である。
【符号の説明】
【0290】
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、２１０、２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ 表示パネル
１１ 表示部
１２ 画素
１２ａ 発光領域
１２ｂ 非発光領域
１３ 周縁領域
１４ 引き出し配線
１５ 走査配線
１５ｈ、１６ｈ、８０ｈ、１１０ｈ、１４０ｈ、３００ｈ コンタクトホール
１６ 信号配線
２０ 基板
３０、４３０ 第一金属層（第四導電膜）
３０ａ、５０ａ、５２ａａ、７０ａ、９０ａ、１２０ａ、１７０ａ 金属膜
３１、４３１ シールド電極
３２、４３２、５２ｂ 下部電極
３３、３４ 導電膜
４０ 第一層間絶縁膜(誘電膜)
５０ 金属酸化物層（第一導電膜）
５１ 半導体層
５２、７２、１７２ 上部電極
５２ａ 促進層
６０ ゲート絶縁層
６０ａ 絶縁膜
６１ ゲート絶縁膜
６２ 容量絶縁膜
７０、１７０ 第二金属層（第三導電膜）
７１、１７１ ゲート電極
８０ 第二層間絶縁膜
８０ｗ 凸部
９０ 第三金属層（第二導電膜）
９１ａ、９１ｂ ソース・ドレイン電極
９２ 配線
１００、１０１、１０２、１０３、４００ 第三層間絶縁膜（絶縁膜）
１０１ｂ、１０２ｂ、１０３ｂ、３０３ｂ、３１０ｂ、４００ｂ、５１０ｂ 未形成部
１００ａ、１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、４００ａ 樹脂層
１１０ 第四層間絶縁膜
１２０ 第四金属層
１３０ バンク
１４０ 第五層間絶縁膜
３００、３０１、３０２、３０３、５００ 第六層間絶縁膜（絶縁膜）
３００ａ、３０１ａ、３０２ａ、３０３ａ、５００ａ 無機層
５００ｂ 凹み
３１０、３１０ａ、５１０、５１０ａ レジスト層
Ｒ 破線枠
１１ 表示部
１２ 画素
１２ａ 発光領域
１２ｂ 非発光領域
１３ 周縁領域
１４ 引き出し配線
１５ 走査配線
１５ｈ、１６ｈ、８０ｈ、１１０ｈ、１４０ｈ、３００ｈ コンタクトホール
１６ 信号配線
２０ 基板
３０、４３０ 第一金属層（第四導電膜）
３０ａ、５０ａ、５２ａａ、７０ａ、９０ａ、１２０ａ、１７０ａ 金属膜
３１、４３１ シールド電極
３２、４３２、５２ｂ 下部電極
３３、３４ 導電膜
４０ 第一層間絶縁膜(誘電膜)
５０ 金属酸化物層（第一導電膜）
５１ 半導体層
５２、７２、１７２ 上部電極
５２ａ 促進層
６０ ゲート絶縁層
６０ａ 絶縁膜
６１ ゲート絶縁膜
６２ 容量絶縁膜
７０、１７０ 第二金属層（第三導電膜）
７１、１７１ ゲート電極
８０ 第二層間絶縁膜
８０ｗ 凸部
９０ 第三金属層（第二導電膜）
９１ａ、９１ｂ ソース・ドレイン電極
９２ 配線
１００、１０１、１０２、１０３、４００ 第三層間絶縁膜（絶縁膜）
１０１ｂ、１０２ｂ、１０３ｂ、３０３ｂ、３１０ｂ、４００ｂ、５１０ｂ 未形成部
１００ａ、１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、４００ａ 樹脂層
１１０ 第四層間絶縁膜
１２０ 第四金属層
１３０ バンク
１４０ 第五層間絶縁膜
３００、３０１、３０２、３０３、５００ 第六層間絶縁膜（絶縁膜）
３００ａ、３０１ａ、３０２ａ、３０３ａ、５００ａ 無機層
５００ｂ 凹み
３１０、３１０ａ、５１０、５１０ａ レジスト層
Ｒ 破線枠
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図6E】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図12D】
【図13】
【図14A】
【図14B】
【図14C】
【図15】
【図16A】
【図16B】
【図16C】
【図17】
【図18A】
【図18B】
【図18C】
【図19】
【図20A】
【図20B】
【図21】
