(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024084700
(43)【公開日】2024-06-25
(54)【発明の名称】検査装置、接触状態判別装置および接触状態判別方法
(51)【国際特許分類】
G01R 31/66 20200101AFI20240618BHJP
【ＦＩ】
G01R31/66
【審査請求】未請求
【請求項の数】21
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023193570
(22)【出願日】2023-11-14
(31)【優先権主張番号】P 2022198445
(32)【優先日】2022-12-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000227180
【氏名又は名称】日置電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100104787
【弁理士】
【氏名又は名称】酒井 伸司
(72)【発明者】
【氏名】村上 貴浩
(72)【発明者】
【氏名】中村 洋一
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 雄亮
(72)【発明者】
【氏名】北澤 正美
【テーマコード（参考）】
2G014
【Ｆターム（参考）】
2G014AA14
2G014AA17
2G014AB27
2G014AB61
(57)【要約】
【課題】装置の製造コストの低減および装置の小型化を図る。
【解決手段】正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間に静電容量Ｃｄを有する二次電池ＤＵＴにおける正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触させられるプローブＰ１，Ｐ２の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部６と、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに非接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量Ｃ３の容量値並びに正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間の静電容量Ｃｄの容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部７と、接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）の容量値を測定する処理部６とを備え、処理部６は、測定した容量値から静電容量Ｃ３の容量値を差し引いた容量値がしきい値を超えているか否かに基づき、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する。
【選択図】図１
【解決手段】正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間に静電容量Ｃｄを有する二次電池ＤＵＴにおける正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触させられるプローブＰ１，Ｐ２の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部６と、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに非接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量Ｃ３の容量値並びに正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間の静電容量Ｃｄの容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部７と、接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）の容量値を測定する処理部６とを備え、処理部６は、測定した容量値から静電容量Ｃ３の容量値を差し引いた容量値がしきい値を超えているか否かに基づき、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
検査用電圧を生成する検査用電圧生成部と、
一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた状態において前記検査用電圧生成部によって生成された前記検査用電圧を当該一対の判別対象部位間に供給する一対のプローブと、
前記一対の判別対象部位間に前記検査用電圧が供給されている状態において当該一対の判別対象部位間を流れる電流の電流値を測定する電流測定部と、
前記電流測定部によって測定された前記一対の判別対象部位間を流れる前記電流の電流値に基づいて前記検査対象の良否を検査する検査処理、および前記一対の判別対象部位に接触させられた前記一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部とを備えている検査装置であって、
前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値、および前記一対の判別対象部位間の前記静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部と、
前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電させる放電処理を実行する放電部と、
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定する静電容量測定部とを備え、
前記処理部は、前記検査処理の後に前記判別処理を実行し、前記放電処理において前記電荷の放電時間に基づいて前記一対の判別対象部位に接触状態における当該一対のプローブ間の静電容量の容量値を前記静電容量測定部に対して測定させ、当該静電容量測定部によって測定された前記容量値から前記記憶部に記憶されている前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を差し引いた容量値が当該記憶部に記憶されている前記しきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する検査装置。
一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた状態において前記検査用電圧生成部によって生成された前記検査用電圧を当該一対の判別対象部位間に供給する一対のプローブと、
前記一対の判別対象部位間に前記検査用電圧が供給されている状態において当該一対の判別対象部位間を流れる電流の電流値を測定する電流測定部と、
前記電流測定部によって測定された前記一対の判別対象部位間を流れる前記電流の電流値に基づいて前記検査対象の良否を検査する検査処理、および前記一対の判別対象部位に接触させられた前記一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部とを備えている検査装置であって、
前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値、および前記一対の判別対象部位間の前記静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部と、
前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電させる放電処理を実行する放電部と、
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定する静電容量測定部とを備え、
前記処理部は、前記検査処理の後に前記判別処理を実行し、前記放電処理において前記電荷の放電時間に基づいて前記一対の判別対象部位に接触状態における当該一対のプローブ間の静電容量の容量値を前記静電容量測定部に対して測定させ、当該静電容量測定部によって測定された前記容量値から前記記憶部に記憶されている前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を差し引いた容量値が当該記憶部に記憶されている前記しきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する検査装置。
【請求項2】
検査用電圧を生成する検査用電圧生成部と、
一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた状態において前記検査用電圧生成部によって生成された前記検査用電圧を当該一対の判別対象部位間に供給する一対のプローブと、
前記一対の判別対象部位間に前記検査用電圧が供給されている状態において当該一対の判別対象部位間を流れる電流の電流値を測定する電流測定部と、
前記電流測定部によって測定された前記一対の判別対象部位間を流れる前記電流の電流値に基づいて前記検査対象の良否を検査する検査処理、および前記一対の判別対象部位に接触させられた前記一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部とを備えている検査装置であって、
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部と、
前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電させる放電処理を実行する放電部と、
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定する静電容量測定部とを備え、
前記処理部は、前記検査処理の後に前記判別処理を実行し、前記放電処理において前記電荷の放電時間に基づいて前記一対の判別対象部位に接触状態における当該一対のプローブ間の静電容量の容量値を前記静電容量測定部に対して測定させ、当該静電容量測定部によって測定された前記容量値が前記記憶部に記憶されている前記しきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する検査装置。
一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた状態において前記検査用電圧生成部によって生成された前記検査用電圧を当該一対の判別対象部位間に供給する一対のプローブと、
前記一対の判別対象部位間に前記検査用電圧が供給されている状態において当該一対の判別対象部位間を流れる電流の電流値を測定する電流測定部と、
前記電流測定部によって測定された前記一対の判別対象部位間を流れる前記電流の電流値に基づいて前記検査対象の良否を検査する検査処理、および前記一対の判別対象部位に接触させられた前記一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部とを備えている検査装置であって、
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部と、
前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電させる放電処理を実行する放電部と、
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定する静電容量測定部とを備え、
前記処理部は、前記検査処理の後に前記判別処理を実行し、前記放電処理において前記電荷の放電時間に基づいて前記一対の判別対象部位に接触状態における当該一対のプローブ間の静電容量の容量値を前記静電容量測定部に対して測定させ、当該静電容量測定部によって測定された前記容量値が前記記憶部に記憶されている前記しきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する検査装置。
【請求項3】
検査用電圧を生成する検査用電圧生成部と、
一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた状態において前記検査用電圧生成部によって生成された前記検査用電圧を当該一対の判別対象部位間に供給する一対のプローブと、
前記一対の判別対象部位間に前記検査用電圧が供給されている状態において当該一対の判別対象部位間を流れる電流の電流値を測定する電流測定部と、
前記電流測定部によって測定された前記一対の判別対象部位間を流れる前記電流の電流値に基づいて前記検査対象の良否を検査する検査処理、および前記一対の判別対象部位に接触させられた前記一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部とを備えている検査装置であって、
前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電させる放電処理を実行する放電部と、
前記一対の判別対象部位に接触状態における当該一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電する前記放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧を測定可能な電圧測定部と、
前記電圧測定部によって測定された前記一対のプローブ間の電圧の電圧値に基づいて特定される比較値との比較によって当該一対のプローブの接触状態の良否を判別する基準値を記憶する記憶部とを備え、
前記処理部は、前記検査処理の後に前記判別処理を実行し、前記放電部による前記放電処理中に前記電圧測定部によって測定された前記電圧の電圧値に基づいて前記比較値を特定すると共に、特定した当該比較値と前記記憶部に記憶されている前記基準値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する検査装置。
一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた状態において前記検査用電圧生成部によって生成された前記検査用電圧を当該一対の判別対象部位間に供給する一対のプローブと、
前記一対の判別対象部位間に前記検査用電圧が供給されている状態において当該一対の判別対象部位間を流れる電流の電流値を測定する電流測定部と、
前記電流測定部によって測定された前記一対の判別対象部位間を流れる前記電流の電流値に基づいて前記検査対象の良否を検査する検査処理、および前記一対の判別対象部位に接触させられた前記一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部とを備えている検査装置であって、
前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電させる放電処理を実行する放電部と、
前記一対の判別対象部位に接触状態における当該一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電する前記放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧を測定可能な電圧測定部と、
前記電圧測定部によって測定された前記一対のプローブ間の電圧の電圧値に基づいて特定される比較値との比較によって当該一対のプローブの接触状態の良否を判別する基準値を記憶する記憶部とを備え、
前記処理部は、前記検査処理の後に前記判別処理を実行し、前記放電部による前記放電処理中に前記電圧測定部によって測定された前記電圧の電圧値に基づいて前記比較値を特定すると共に、特定した当該比較値と前記記憶部に記憶されている前記基準値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する検査装置。
【請求項4】
前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときの放電時間である第１の時間、および当該一対の判別対象部位間に蓄積された電荷を当該放電処理と同様の放電条件下で放電したときの放電時間以下に規定された第２の時間を前記基準値として記憶し、
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の放電時間である第３の時間を前記比較値として特定し、特定した当該第３の時間から前記第１の時間を差し引いた第４の時間と前記第２の時間との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項３記載の検査装置。
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の放電時間である第３の時間を前記比較値として特定し、特定した当該第３の時間から前記第１の時間を差し引いた第４の時間と前記第２の時間との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項３記載の検査装置。
【請求項5】
前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときの放電時間以下に規定された時間Ａを前記基準値として記憶し、
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の放電時間である時間Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該時間Ｂと前記前記時間Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項３記載の検査装置。
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の放電時間である時間Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該時間Ｂと前記前記時間Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項３記載の検査装置。
【請求項6】
前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときにおける当該一対のプローブ間の電圧の降下率である第１の降下率、および当該一対の判別対象部位間に蓄積された電荷を当該放電処理と同様の放電条件下で放電したときにおける当該一対の判別対象部位間の電圧の降下率以下に規定された第２の降下率を前記基準値として記憶し、
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧の降下率である第３の降下率を前記比較値として特定し、特定した当該第３の降下率から前記第１の降下率を差し引いた第４の降下率と前記第２の降下率との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項３記載の検査装置。
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧の降下率である第３の降下率を前記比較値として特定し、特定した当該第３の降下率から前記第１の降下率を差し引いた第４の降下率と前記第２の降下率との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項３記載の検査装置。
【請求項7】
前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときにおける当該一対のプローブ間の電圧の降下率以上に規定された降下率Ａを前記基準値として記憶し、
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧の降下率である降下率Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該降下率Ｂと前記降下率Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項３記載の検査装置。
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧の降下率である降下率Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該降下率Ｂと前記降下率Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項３記載の検査装置。
【請求項8】
前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときに放電開始から予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値である第１の電圧値、および当該一対の判別対象部位間に蓄積された電荷を当該放電処理と同様の放電条件下で放電したときに放電開始から当該予め規定された時間が経過した時点における当該一対の判別対象部位間の電圧の電圧値以下に規定された第２の電圧値を前記基準値として記憶し、
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理において当該放電処理の開始から前記予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値である第３の電圧値を前記比較値として特定し、特定した当該第３の電圧値から前記第１の電圧値を差し引いた第４の電圧値と前記第２の電圧値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項３記載の検査装置。
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理において当該放電処理の開始から前記予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値である第３の電圧値を前記比較値として特定し、特定した当該第３の電圧値から前記第１の電圧値を差し引いた第４の電圧値と前記第２の電圧値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項３記載の検査装置。
【請求項9】
前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときに放電開始から予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値以下に規定された電圧値Ａを前記基準値として記憶し、
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理において当該放電処理の開始から前記予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値である電圧値Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該電圧値Ｂと前記電圧値Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項３記載の検査装置。
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理において当該放電処理の開始から前記予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値である電圧値Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該電圧値Ｂと前記電圧値Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項３記載の検査装置。
【請求項10】
一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられる一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部を備えている接触状態判別装置であって、
前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値、および前記一対の判別対象部位間の前記静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部と、
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定する静電容量測定部とを備え、
前記処理部は、前記判別処理において、前記静電容量測定部によって測定された前記容量値から前記記憶部に記憶されている前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を差し引いた容量値が当該記憶部に記憶されている前記しきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する接触状態判別装置。
前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値、および前記一対の判別対象部位間の前記静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部と、
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定する静電容量測定部とを備え、
前記処理部は、前記判別処理において、前記静電容量測定部によって測定された前記容量値から前記記憶部に記憶されている前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を差し引いた容量値が当該記憶部に記憶されている前記しきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する接触状態判別装置。
【請求項11】
一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられる一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部を備えている接触状態判別装置であって、
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部と、
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定する静電容量測定部とを備え、
前記処理部は、前記判別処理において、前記静電容量測定部によって測定された前記容量値が前記記憶部に記憶されている前記しきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する接触状態判別装置。
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部と、
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定する静電容量測定部とを備え、
前記処理部は、前記判別処理において、前記静電容量測定部によって測定された前記容量値が前記記憶部に記憶されている前記しきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する接触状態判別装置。
【請求項12】
一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられる一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部を備えている接触状態判別装置であって、
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電する放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧を測定可能な電圧測定部と、
前記電圧測定部によって測定された前記一対のプローブ間の電圧の電圧値に基づいて特定される比較値との比較によって当該一対のプローブの接触状態の良否を判別する基準値を記憶する記憶部とを備え、
前記処理部は、前記判別処理において、前記放電処理中に前記電圧測定部によって測定された前記電圧の電圧値に基づいて前記比較値を特定すると共に、特定した当該比較値と前記記憶部に記憶されている前記基準値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する接触状態判別装置。
前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電する放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧を測定可能な電圧測定部と、
前記電圧測定部によって測定された前記一対のプローブ間の電圧の電圧値に基づいて特定される比較値との比較によって当該一対のプローブの接触状態の良否を判別する基準値を記憶する記憶部とを備え、
前記処理部は、前記判別処理において、前記放電処理中に前記電圧測定部によって測定された前記電圧の電圧値に基づいて前記比較値を特定すると共に、特定した当該比較値と前記記憶部に記憶されている前記基準値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する接触状態判別装置。
【請求項13】
前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときの放電時間である第１の時間、および当該一対の判別対象部位間に蓄積された電荷を当該放電処理と同様の放電条件下で放電したときの放電時間以下に規定された第２の時間を前記基準値として記憶し、
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の放電時間である第３の時間を前記比較値として特定し、特定した当該第３の時間から前記第１の時間を差し引いた第４の時間と前記第２の時間との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項１２記載の接触状態判別装置。
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の放電時間である第３の時間を前記比較値として特定し、特定した当該第３の時間から前記第１の時間を差し引いた第４の時間と前記第２の時間との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項１２記載の接触状態判別装置。
【請求項14】
前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときの放電時間以下に規定された時間Ａを前記基準値として記憶し、
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の放電時間である時間Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該時間Ｂと前記前記時間Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項１２記載の接触状態判別装置。
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の放電時間である時間Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該時間Ｂと前記前記時間Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項１２記載の接触状態判別装置。
【請求項15】
前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときにおける当該一対のプローブ間の電圧の降下率である第１の降下率、および当該一対の判別対象部位間に蓄積された電荷を当該放電処理と同様の放電条件下で放電したときにおける当該一対の判別対象部位間の電圧の降下率以下に規定された第２の降下率を前記基準値として記憶し、
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧の降下率である第３の降下率を前記比較値として特定し、特定した当該第３の降下率から前記第１の降下率を差し引いた第４の降下率と前記第２の降下率との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項１２記載の接触状態判別装置。
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧の降下率である第３の降下率を前記比較値として特定し、特定した当該第３の降下率から前記第１の降下率を差し引いた第４の降下率と前記第２の降下率との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項１２記載の接触状態判別装置。
【請求項16】
前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときにおける当該一対のプローブ間の電圧の降下率以上に規定された降下率Ａを前記基準値として記憶し、
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧の降下率である降下率Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該降下率Ｂと前記降下率Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項１２記載の接触状態判別装置。
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧の降下率である降下率Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該降下率Ｂと前記降下率Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項１２記載の接触状態判別装置。
【請求項17】
前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときに放電開始から予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値である第１の電圧値、および当該一対の判別対象部位間に蓄積された電荷を当該放電処理と同様の放電条件下で放電したときに放電開始から当該予め規定された時間が経過した時点における当該一対の判別対象部位間の電圧の電圧値以下に規定された第２の電圧値を前記基準値として記憶し、
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理において当該放電処理の開始から前記予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値である第３の電圧値を前記比較値として特定し、特定した当該第３の電圧値から前記第１の電圧値を差し引いた第４の電圧値と前記第２の電圧値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項１２記載の接触状態判別装置。
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理において当該放電処理の開始から前記予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値である第３の電圧値を前記比較値として特定し、特定した当該第３の電圧値から前記第１の電圧値を差し引いた第４の電圧値と前記第２の電圧値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項１２記載の接触状態判別装置。
【請求項18】
前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときに放電開始から予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値以下に規定された電圧値Ａを前記基準値として記憶し、
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理において当該放電処理の開始から前記予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値である電圧値Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該電圧値Ｂと前記電圧値Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項１２記載の接触状態判別装置。
前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理において当該放電処理の開始から前記予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値である電圧値Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該電圧値Ｂと前記電圧値Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する請求項１２記載の接触状態判別装置。
【請求項19】
一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する接触状態判別方法であって、
前記判別処理において、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定し、当該測定した容量値から前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を差し引いた容量値が当該一対の判別対象部位間の前記静電容量の容量値以下の値に規定したしきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する接触状態判別方法。
前記判別処理において、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定し、当該測定した容量値から前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を差し引いた容量値が当該一対の判別対象部位間の前記静電容量の容量値以下の値に規定したしきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する接触状態判別方法。
【請求項20】
一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する接触状態判別方法であって、
前記判別処理において、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定し、当該測定した容量値が前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値以下の値に規定したしきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する接触状態判別方法。
前記判別処理において、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定し、当該測定した容量値が前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値以下の値に規定したしきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する接触状態判別方法。
【請求項21】
一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する接触状態判別方法であって、
前記判別処理において、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電する放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧を測定し、測定した前記電圧の電圧値に基づいて比較値を特定すると共に、当該比較値との比較によって前記一対のプローブの接触状態の良否を判別する基準値と、特定した当該比較値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する接触状態判別方法。
前記判別処理において、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電する放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧を測定し、測定した前記電圧の電圧値に基づいて比較値を特定すると共に、当該比較値との比較によって前記一対のプローブの接触状態の良否を判別する基準値と、特定した当該比較値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する接触状態判別方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、検査対象についての電圧などの被測定量を測定する測定装置や検査装置において使用する一対のプローブと検査対象における一対の判別対象部位との接触状態を判別する接触状態判別装置、その接触状態判別装置を備えた検査装置および接触状態判別方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
この種の接触状態判別装置として、出願人は、下記の特許文献１に絶縁耐電圧試験装置を開示している。この絶縁耐電圧試験装置は、被試験体に試験電圧を印加する電源部（耐電圧試験用電源および絶縁抵抗試験用電源）と、電圧印加用プローブＰ１，Ｐ２および断線検出用プローブＰ３，Ｐ４の４本のプローブとを備え、被試験体についての耐圧試験や絶縁抵抗試験を行うことができるように構成されている。この場合、この絶縁耐電圧試験装置では、電圧印加用プローブＰ１が第１配線を介して電源部のＨｉ側電源端子に接続され、電圧印加用プローブＰ２が第２配線を介して電源部のＬｏ側電源端子に接続され、断線検出用プローブＰ３が第３配線を介して電源部のＬｏ側電源端子に接続され、かつ断線検出用プローブＰ４が第４配線を介して第２配線Ｌ２に接続されると共に、第３配線にＨｉ側断線電圧検出部１１２が配設され、かつ第４配線に断線検出用電源およびＬｏ側断線電流検出部が配設されており、これにより、Ｈｉ側断線電圧検出部とＬｏ側断線電流検出部の検出値に基づいて電圧印加用プローブＰ１，Ｐ２の接触状態（断線の有無）を判定することが可能になっている。
【0003】
また、出願人は、下記の特許文献２に接触状態判別装置を開示している。この接触状態判別装置は、電流供給部、電圧検出部、検波信号生成部、検波部、処理部、出力部および記憶部を備えて構成されて、二次電池の一対の電極と一対のプローブとの接触状態を判別する。
【0004】
この接触状態判別装置では、電流供給部が、二次電池への交流検査電流の供給を実行すると共に、交流検査電流と同一周波数で、かつ同一位相の基準信号を検波信号生成部に出力する。また、電圧検出部が、この交流検査電流の供給状態において一対のプローブ間に発生する交流電圧を検出して、検出電圧信号として検波部に出力する。また、検波信号生成部が、入力している基準信号と同一周波数であって、この基準信号に対して位相が０度を超え９０度未満の角度範囲内の任意の角度だけ遅れた検波用信号を生成して検波部に出力する。この場合、検波部は、検出電圧信号および検波用信号を入力して、検出電圧信号を検波用信号で同期検波することにより、直流検波電圧を生成して処理部に出力する。
【0005】
また、処理部は、直流検波電圧を電圧データに変換し、この電圧データと交流検査電流の既知の電流値とに基づいてインピーダンスを算出する。次いで、処理部は、記憶部に記憶されているしきい値データを読み出して、算出したインピーダンスと比較する。処理部は、この比較の結果、算出したインピーダンスがこのしきい値データで示されるしきい値を上回るときには、二次電池の一対の電極と一対のプローブとの間の接触抵抗が大きいために接触状態は不良であると判別し、算出されたインピーダンスがこのしきい値以下のときには、接触抵抗が小さいために接触状態は良好であると判別する。次いで、処理部は、この判別結果を出力部に出力する。これにより、使用者は、出力部に表示される判別結果に基づいて、二次電池の一対の電極と一対のプローブとの間の接触状態を正確に把握することが可能になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２００７－１７１０６９号公報（第６－８頁、第１－２図）
【特許文献2】特許６３５８９２０号公報（第７－１４頁、第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ところが、上記特許文献１に開示の絶縁耐電圧試験装置、および上記特許文献２に開示の接触状態判別装置には、以下のような改善すべき課題が存在している。すなわち、上記特許文献１開示の絶縁耐電圧試験装置では、電圧印加用プローブＰ１，Ｐ２と被試験体との接触状態を判定するために、電源部（耐電圧試験用電源および絶縁抵抗試験用電源）とは別に、断線検出用電源、Ｈｉ側断線電圧検出部およびＬｏ側断線電流検出部を備えて構成されている。また、上記特許文献２開示の接触状態判別装置では、一対のプローブと検査対象としての二次電池の判別対象部位（一対の電極）との間の接触状態を判別するために、検査装置とは別に、電圧検出部、検波信号生成部および検波部を備えて構成される専用の接触状態判別装置を必要とする。このため、上記特許文献１，２に開示の装置は、いずれも、その製造コストが上昇すると共に、回路規模が大きくなるために装置全体としての小型化が困難であり、これを改善すべきという課題が存在している。
【0008】
本発明は、かかる課題を改善するためになされたものであり、装置の製造コストの低減および装置の小型化を図り得る検査装置、接触状態判別装置および接触状態判別方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記目的を達成すべく、本発明に係る検査装置は、検査用電圧を生成する検査用電圧生成部と、一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた状態において前記検査用電圧生成部によって生成された前記検査用電圧を当該一対の判別対象部位間に供給する一対のプローブと、前記一対の判別対象部位間に前記検査用電圧が供給されている状態において当該一対の判別対象部位間を流れる電流の電流値を測定する電流測定部と、前記電流測定部によって測定された前記一対の判別対象部位間を流れる前記電流の電流値に基づいて前記検査対象の良否を検査する検査処理、および前記一対の判別対象部位に接触させられた前記一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部とを備えている検査装置であって、前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値、および前記一対の判別対象部位間の前記静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部と、前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電させる放電処理を実行する放電部と、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定する静電容量測定部とを備え、前記処理部は、前記検査処理の後に前記判別処理を実行し、前記放電処理において前記電荷の放電時間に基づいて前記一対の判別対象部位に接触状態における当該一対のプローブ間の静電容量の容量値を前記静電容量測定部に対して測定させ、当該静電容量測定部によって測定された前記容量値から前記記憶部に記憶されている前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を差し引いた容量値が当該記憶部に記憶されている前記しきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0010】
また、本発明に係る接触状態判別装置は、一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられる一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部を備えている接触状態判別装置であって、前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値、および前記一対の判別対象部位間の前記静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部と、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定する静電容量測定部とを備え、前記処理部は、前記判別処理において、前記静電容量測定部によって測定された前記容量値から前記記憶部に記憶されている前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を差し引いた容量値が当該記憶部に記憶されている前記しきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0011】
また、本発明に係る接触状態判別方法は、一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する接触状態判別方法であって、前記判別処理において、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定し、当該測定した容量値から前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を差し引いた容量値が当該一対の判別対象部位間の前記静電容量の容量値以下の値に規定したしきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0012】
したがって、この検査装置、接触状態判別装置および接触状態判別方法によれば、一対の判別対象部位に接触状態における一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定可能な静電容量測定部と、測定した容量値から一対の判別対象部位に非接触状態における一対のプローブ間の静電容量の容量値を差し引いた容量値としきい値とを比較する処理部との簡易な構成を用いるだけで接触状態を判別できるため、装置の製造コストを低減できると共に装置の小型化を図ることができる。また、この検査装置によれば、検査装置による検査処理に本来用いられる構成を利用して一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定できる結果、装置の製造コストの上昇や装置の大型化を回避することができると共に、検査処理の後に元々必要な放電処理の実行時間内で一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定できる結果、検査時間の延長を回避することができる。
【0013】
また、上記目的を達成すべく、本発明に係る検査装置は、検査用電圧を生成する検査用電圧生成部と、一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた状態において前記検査用電圧生成部によって生成された前記検査用電圧を当該一対の判別対象部位間に供給する一対のプローブと、前記一対の判別対象部位間に前記検査用電圧が供給されている状態において当該一対の判別対象部位間を流れる電流の電流値を測定する電流測定部と、前記電流測定部によって測定された前記一対の判別対象部位間を流れる前記電流の電流値に基づいて前記検査対象の良否を検査する検査処理、および前記一対の判別対象部位に接触させられた前記一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部とを備えている検査装置であって、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部と、前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電させる放電処理を実行する放電部と、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定する静電容量測定部とを備え、前記処理部は、前記検査処理の後に前記判別処理を実行し、前記放電処理において前記電荷の放電時間に基づいて前記一対の判別対象部位に接触状態における当該一対のプローブ間の静電容量の容量値を前記静電容量測定部に対して測定させ、当該静電容量測定部によって測定された前記容量値が前記記憶部に記憶されている前記しきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0014】
また、本発明に係る接触状態判別装置は、一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられる一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部を備えている接触状態判別装置であって、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値を記憶する記憶部と、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定する静電容量測定部とを備え、前記処理部は、前記判別処理において、前記静電容量測定部によって測定された前記容量値が前記記憶部に記憶されている前記しきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0015】
また、本発明に係る接触状態判別方法は、一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する接触状態判別方法であって、前記判別処理において、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定し、当該測定した容量値が前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量の容量値以下の値に規定したしきい値を超えているか否かに基づき、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0016】
したがって、この検査装置、接触状態判別装置および接触状態判別方法によれば、一対の判別対象部位に接触状態における一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定可能な静電容量測定部と、測定した容量値としきい値とを比較する処理部との簡易な構成を用いるだけで接触状態を判別できるため、装置の製造コストを低減できると共に装置の小型化を図ることができる。また、この検査装置によれば、検査装置による検査処理に本来用いられる構成を利用して一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定できる結果、装置の製造コストの上昇や装置の大型化を回避することができると共に、検査処理の後に元々必要な放電処理の実行時間内で一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定できる結果、検査時間の延長を回避することができる。
【0017】
また、上記目的を達成すべく、本発明に係る検査装置は、検査用電圧を生成する検査用電圧生成部と、一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた状態において前記検査用電圧生成部によって生成された前記検査用電圧を当該一対の判別対象部位間に供給する一対のプローブと、前記一対の判別対象部位間に前記検査用電圧が供給されている状態において当該一対の判別対象部位間を流れる電流の電流値を測定する電流測定部と、前記電流測定部によって測定された前記一対の判別対象部位間を流れる前記電流の電流値に基づいて前記検査対象の良否を検査する検査処理、および前記一対の判別対象部位に接触させられた前記一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部とを備えている検査装置であって、前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電させる放電処理を実行する放電部と、前記一対の判別対象部位に接触状態における当該一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電する前記放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧を測定可能な電圧測定部と、前記電圧測定部によって測定された前記一対のプローブ間の電圧の電圧値に基づいて特定される比較値との比較によって当該一対のプローブの接触状態の良否を判別する基準値を記憶する記憶部とを備え、前記処理部は、前記検査処理の後に前記判別処理を実行し、前記放電部による前記放電処理中に前記電圧測定部によって測定された前記電圧の電圧値に基づいて前記比較値を特定すると共に、特定した当該比較値と前記記憶部に記憶されている前記基準値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0018】
また、本発明に係る接触状態判別装置は、一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられる一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する処理部を備えている接触状態判別装置であって、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電する放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧を測定可能な電圧測定部と、前記電圧測定部によって測定された前記一対のプローブ間の電圧の電圧値に基づいて特定される比較値との比較によって当該一対のプローブの接触状態の良否を判別する基準値を記憶する記憶部とを備え、前記処理部は、前記判別処理において、前記放電処理中に前記電圧測定部によって測定された前記電圧の電圧値に基づいて前記比較値を特定すると共に、特定した当該比較値と前記記憶部に記憶されている前記基準値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0019】
また、本発明に係る接触状態判別方法は、一対の判別対象部位間に静電容量を有する検査対象における当該一対の判別対象部位に接触させられた一対のプローブと当該一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する接触状態判別方法であって、前記判別処理において、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電する放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧を測定し、測定した前記電圧の電圧値に基づいて比較値を特定すると共に、当該比較値との比較によって前記一対のプローブの接触状態の良否を判別する基準値と、特定した当該比較値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0020】
具体的には、本発明に係る検査装置、および本発明に係る接触状態判別装置は、前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときの放電時間である第１の時間、および当該一対の判別対象部位間に蓄積された電荷を当該放電処理と同様の放電条件下で放電したときの放電時間以下に規定された第２の時間を前記基準値として記憶し、前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の放電時間である第３の時間を前記比較値として特定し、特定した当該第３の時間から前記第１の時間を差し引いた第４の時間と前記第２の時間との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0021】
また、本発明に係る検査装置、および本発明に係る接触状態判別装置は、前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときの放電時間以下に規定された時間Ａを前記基準値として記憶し、前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の放電時間である時間Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該時間Ｂと前記前記時間Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する
【0022】
また、本発明に係る検査装置、および本発明に係る接触状態判別装置は、前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときにおける当該一対のプローブ間の電圧の降下率である第１の降下率、および当該一対の判別対象部位間に蓄積された電荷を当該放電処理と同様の放電条件下で放電したときにおける当該一対の判別対象部位間の電圧の降下率以下に規定された第２の降下率を前記基準値として記憶し、前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧の降下率である第３の降下率を前記比較値として特定し、特定した当該第３の降下率から前記第１の降下率を差し引いた第４の降下率と前記第２の降下率との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0023】
また、本発明に係る検査装置、および本発明に係る接触状態判別装置は、前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときにおける当該一対のプローブ間の電圧の降下率以上に規定された降下率Ａを前記基準値として記憶し、前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理中における当該一対のプローブ間の電圧の降下率である降下率Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該降下率Ｂと前記降下率Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0024】
また、本発明に係る検査装置、および本発明に係る接触状態判別装置は、前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に非接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときに放電開始から予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値である第１の電圧値、および当該一対の判別対象部位間に蓄積された電荷を当該放電処理と同様の放電条件下で放電したときに放電開始から当該予め規定された時間が経過した時点における当該一対の判別対象部位間の電圧の電圧値以下に規定された第２の電圧値を前記基準値として記憶し、前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理において当該放電処理の開始から前記予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値である第３の電圧値を前記比較値として特定し、特定した当該第３の電圧値から前記第１の電圧値を差し引いた第４の電圧値と前記第２の電圧値との比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0025】
また、本発明に係る検査装置、および本発明に係る接触状態判別装置は、前記記憶部は、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷を前記放電処理と同様の放電条件下で放電したときに放電開始から予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値以下に規定された電圧値Ａを前記基準値として記憶し、前記処理部は、前記判別処理において、前記電圧測定部によって測定された電圧の電圧値に基づき、前記一対の判別対象部位に接触状態における前記一対のプローブ間に蓄積された電荷の前記放電処理において当該放電処理の開始から前記予め規定された時間が経過した時点における当該一対のプローブ間の電圧の電圧値である電圧値Ｂを前記比較値として特定し、特定した当該電圧値Ｂと前記電圧値Ａとの比較により、前記一対のプローブと前記一対の判別対象部位との間の接触状態の良否を判別する。
【0026】
したがって、この検査装置、接触状態判別装置および接触状態判別方法によれば、一対の判別対象部位に接触状態における一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電させる放電処理中における一対のプローブ間の電圧を測定可能な電圧測定部と、測定した電圧値に基づいて比較値を特定し、特定した比較値と記憶部に記憶されている基準値とを比較する処理部との簡易な構成を用いるだけで接触状態を判別できるため、装置の製造コストを低減できると共に装置の小型化を図ることができる。また、この検査装置によれば、検査装置による検査処理に本来用いられる構成を利用して一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定できる結果、装置の製造コストの上昇や装置の大型化を回避することができると共に、検査処理の後に元々必要な放電処理の実行時間内で一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定できる結果、検査時間の延長を回避することができる。
【発明の効果】
【0027】
本発明に係る検査装置、接触状態判別装置および接触状態判別方法によれば、一対の判別対象部位に接触状態における一対のプローブ間の静電容量の容量値を測定可能な静電容量測定部と、測定した容量値としきい値とを比較する処理部との簡易な構成、または、一対の判別対象部位に接触状態における一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電させる放電処理中における一対のプローブ間の電圧を測定可能な電圧測定部と、測定した電圧値に基づいて比較値を特定し、特定した比較値と記憶部に記憶されている基準値とを比較する処理部との簡易な構成を用いるだけで接触状態を判別できるため、装置の製造コストを低減できると共に装置の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0028】
【図1】絶縁抵抗測定装置１（１Ａ，１Ｂ）および二次電池ＤＵＴの構成図である。
【図2】正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに非接触状態のときのプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量の容量値を測定する方法を説明する説明図である。
【図3】正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態のときのプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量の容量値を測定する方法を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0029】
以下、検査装置、接触状態判別装置および接触状態判別方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
【0030】
（第１の実施例）
図１に示す絶縁抵抗測定装置１は、接触状態判別装置を有する絶縁試験装置とも呼称される検査装置の一例であって、検査対象における一対の検査対象部位の間の絶縁抵抗を測定可能に構成されている。以下、例えば、二次電池ＤＵＴを検査対象とすると共に、二次電池ＤＵＴの正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍを一対の検査対象部位（判別対象部位）とする例について説明する。
図１に示す絶縁抵抗測定装置１は、接触状態判別装置を有する絶縁試験装置とも呼称される検査装置の一例であって、検査対象における一対の検査対象部位の間の絶縁抵抗を測定可能に構成されている。以下、例えば、二次電池ＤＵＴを検査対象とすると共に、二次電池ＤＵＴの正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍを一対の検査対象部位（判別対象部位）とする例について説明する。
【0031】
最初に、図１を参照して、絶縁抵抗測定装置１および二次電池ＤＵＴの構成について説明する。
【0032】
絶縁抵抗測定装置１は、検査用電圧生成回路２、分圧回路３、電圧電流検出回路４、Ａ／Ｄコンバーター５ａ，５ｂ（同図では、「ＡＤＣ」と表記する。）、処理部６、記憶部７、出力部８、放電回路９およびプローブＰ１，Ｐ２を備えて構成されている。
【0033】
検査用電圧生成回路２は、検査用電圧生成部として機能して、処理部６から出力される制御信号Ｓｓ１に従い、図示しない商用電源を入力して直流電圧に変換すると共にパルス電圧を生成し、そのパルス電圧を昇圧して高圧パルス電圧を生成した後に、高圧パルス電圧を整流して検査用直流電圧Ｖａを生成して出力する。分圧回路３は、検査用電圧生成回路２から出力された検査用直流電圧Ｖａを予め決められた分圧比で分圧した分圧電圧Ｖｐを出力する。
【0034】
電圧電流検出回路４は、分圧回路３から出力された分圧電圧Ｖｐを入力すると共に、分圧電圧Ｖｐを所定の利得で増幅して検査用直流電圧Ｖａの電圧値を示す電圧信号Ｓｖに変換して出力する。また、電圧電流検出回路４は、電流測定部として機能して、後述するように、検査用直流電圧Ｖａが二次電池ＤＵＴの正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍの間に印加されたときに、その正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍの間を流れる電流Ｉａを入力すると共にその電流Ｉａの電流値を示す電流信号Ｓｉに変換して出力する。
【0035】
Ａ／Ｄコンバーター５ａは、電圧電流検出回路４から出力された電圧信号Ｓｖを入力すると共にＡＣ／ＤＣ変換して電圧信号Ｓｖの電圧値を示す電圧値データＤｖを生成して出力する。また、Ａ／Ｄコンバーター５ｂは、電圧電流検出回路４から出力された電流信号Ｓｉを入力すると共にＡＣ／ＤＣ変換して電流信号Ｓｉの電流値を示す電流値データＤｉを生成して出力する。
【0036】
処理部６は、Ａ／Ｄコンバーター５ａから出力された電圧値データＤｖを入力して検査用直流電圧Ｖａの電圧値を算出すると共に、Ａ／Ｄコンバーター５ｂから出力された電流値データＤｉを入力して電流Ｉａの電流値を算出する。また、処理部６は、算出した直流電圧Ｖａの電圧値および電流Ｉａの電流値に基づいて、二次電池ＤＵＴの正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍの間の後述する絶縁抵抗Ｒｄの抵抗値を算出すると共に算出した抵抗値に基づいて二次電池ＤＵＴの正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍの間の絶縁性の良否を検査する検査処理（絶縁検査処理）を実行する。また、処理部６は、二次電池ＤＵＴにおける一対の判別対象部位である正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触させられた一対のプローブＰ１，Ｐ２と、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する判別処理を実行する。また、処理部６は、検査用電圧生成回路２による検査用直流電圧Ｖａの出力開始および出力停止を制御信号Ｓｓ１を出力して制御する。また、処理部６は、放電回路９による放電の開始および停止を制御信号Ｓｓ２を出力して制御する。また、処理部６は、静電容量測定部としても機能して、後述する静電容量Ｃ３や静電容量Ｃｄの容量値を測定する。
【0037】
また、処理部６は、出力部８に表示データＤｄを出力することにより、二次電池ＤＵＴの正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍの間の絶縁抵抗Ｒｄの抵抗値、二次電池ＤＵＴの正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍの間の絶縁性についての良否の検査結果、並びにプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態についての良否の判別結果を表示させる。
【0038】
記憶部７は、例えば半導体メモリやハードディスク装置などで構成されている。また、記憶部７は、処理部６のための動作プログラム、処理部６による検査処理に使用される絶縁抵抗値の基準値であるしきい値を示す第１データＤ１、処理部６による判別処理の際に使用される一対の判別対象部位（検査対象部位）である正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに非接触状態における一対のプローブＰ１，Ｐ２間の後述する静電容量Ｃ３の既知の容量値を示す第２データＤ２、並びに処理部６による判別処理の際に使用される正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間の後述する静電容量Ｃｄの既知の容量値以下の値に規定されたしきい値を示す第３データＤ３を記憶する。
【0039】
出力部８は、ディスプレイ装置などの表示装置で構成されて、処理部６からの表示データＤｄを入力すると共に、二次電池ＤＵＴの正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍの間の絶縁抵抗Ｒｄの測定値、二次電池ＤＵＴの絶縁性についての良否の検査結果、並びにプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態についての良否の判別結果などを表示する。なお、出力部８については、表示装置に代えて、外部インターフェース回路で構成することもできる。この構成では、出力部８は、上記の各処理での結果を外部インターフェース回路を介して外部装置に出力する。
【0040】
放電回路９は、「一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電させる放電処理を実行する放電部」の一例であって、放電用抵抗Ｒ１およびスイッチＳＷの直列回路で構成されて、後述する高電圧側端子Ｔｈおよび低電圧側端子Ｔｌ間に配設されている。この場合、放電回路９では、処理部６から制御信号Ｓｓ２が出力されて放電処理が実行される際に、スイッチＳＷがオン状態に制御されて、高電圧側端子Ｔｈおよび低電圧側端子Ｔｌの間に放電用抵抗Ｒ１が接続される。このため、放電処理の際には、放電回路９は、高電圧側端子Ｔｈおよび低電圧側端子Ｔｌの間（プローブＰ１，Ｐ２の間）の静電容量（後述する静電容量Ｃ３および二次電池ＤＵＴの静電容量Ｃｄ）に蓄積されている電荷を放電用抵抗Ｒ１を介して放電させる。
【0041】
プローブＰ１は、絶縁抵抗測定装置１の筐体に設けられた検査用の高電圧側端子Ｔｈに接続され、プローブＰ２は、絶縁抵抗測定装置１の筐体に設けられた検査用の低電圧側端子Ｔｌに接続されている。
【0042】
なお、図１に示すように、絶縁抵抗測定装置１の内部には、高電圧側端子Ｔｈおよび低電圧側端子Ｔｌの間に絶縁抵抗測定装置１の内部容量Ｃ１が等価的に存在する。また、一対の高電圧側端子Ｔｈおよび低電圧側端子Ｔｌに接続された状態の一対のプローブＰ１，Ｐ２の間には、配線容量Ｃ２が等価的に存在する。以下、内部容量Ｃ１と配線容量Ｃ２とを加算した静電容量を、上記した「静電容量Ｃ３」とする。
【0043】
また、上記の絶縁抵抗測定装置１の構成のうちの一部の構成（検査用電圧生成回路２、分圧回路３、電圧電流検出回路４、Ａ／Ｄコンバーター５ａ、処理部６、記憶部７および放電回路９）によって接触状態判別装置が構成される。
【0044】
次いで、検査対象の二次電池ＤＵＴの構成について説明する。図１は二次電池ＤＵＴの構成を簡易的に示している。この場合、二次電池ＤＵＴは、一例として、外装部材、電極群、電解質および一対の電極（同図に示す正極端子Ｔｐおよび図示しない負極端子）を備えている。この場合、外装部材は、金属層（シーラント）Ｌｍの両面に合成樹脂層（例えばポリエチレン）を貼り合わせたラミネートフィルムを袋状またはカップ状に成型して構成され、電極群および電解質は、外装部材内に収納されている。また、正極端子Ｔｐは、電極群のうちの正極に接続され、負極端子は、電極群のうちの負極に接続されている。なお、同図では、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間の絶縁抵抗を絶縁抵抗Ｒｄとして示している。
【0045】
次に、絶縁抵抗測定装置１の動作について、接触状態の判別方法と併せて説明する。
【0046】
最初に、記憶部７に記憶させる第１データＤ１、第２データＤ２および第３データＤ３の作成方法について説明する。第１データＤ１については、上記したように、処理部６による検査処理（絶縁検査）に使用される絶縁抵抗値の基準値であるしきい値であり、良品としての二次電池ＤＵＴに必要とされる絶縁抵抗Ｒｄの下限抵抗値を予め記憶部７に記憶させている。また、第２データＤ２については、上記したように、処理部６による判別処理の際に使用される正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに非接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量Ｃ３の容量値を示しており、後述するように予め測定したプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量Ｃ３の容量値を予め記憶部７に記憶させている。また、第３データＤ３については、処理部６による判別処理の際に使用されるしきい値であり、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間の静電容量Ｃｄの既知の容量値以下の値（例えば、静電容量Ｃｄの既知の容量値の８０％の値）に規定して予め記憶部７に記憶させている。
【0047】
次いで、図２を参照して、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに非接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量Ｃ３の容量値を測定する測定方法の一例について説明する。最初に、プローブＰ１，Ｐ２の各基端部を高電圧側端子Ｔｈおよび低電圧側端子Ｔｌに接続すると共にプローブＰ１，Ｐ２の各先端部を二次電池ＤＵＴに接続しないオープン状態に維持しておく。この状態において、図外の操作部を操作して、処理部６に対して、検査用電圧生成回路２に制御信号Ｓｓ１を出力させることにより、予め規定した電圧値Ｖ１（例えば、ＤＣ５００Ｖ）の検査用直流電圧Ｖａを検査用電圧生成回路２から出力させる。この場合、検査用直流電圧Ｖａが上記した静電容量Ｃ３を充電することにより、静電容量Ｃ３の両端電圧が予め規定した電圧値Ｖ１に向けて上昇する。この際に、電圧電流検出回路４が、分圧回路３から出力される分圧電圧Ｖｐに基づいて電圧信号ＳｖをＡ／Ｄコンバーター５ａに出力する。次いで、Ａ／Ｄコンバーター５ａは、電圧信号Ｓｖに基づいて電圧値データＤｖを生成して処理部６に出力する。
【0048】
次に、処理部６は、検査用直流電圧Ｖａが予め規定した電圧値Ｖ１に達した後の時間ｔ０において、放電処理を実行する。この際には、処理部６は、制御信号Ｓｓ１の検査用電圧生成回路２への出力を停止して検査用直流電圧Ｖａの出力を停止させ、かつ制御信号Ｓｓ２を放電回路９に出力すると共に内部タイマーで時間の計測を開始する。この際には、放電回路９では、スイッチＳＷが制御信号Ｓｓ２に従いオン状態に制御されるため、放電用抵抗Ｒ１が高電圧側端子Ｔｈおよび低電圧側端子Ｔｌ間に接続される。この結果、放電用抵抗Ｒ１が、プローブＰ１，Ｐ２間の静電容量Ｃ３に蓄積されている電荷を徐々に放電させる。次いで、処理部６は、電圧値データＤｖで示される静電容量Ｃ３の両端電圧（高電圧側端子Ｔｈおよび低電圧側端子Ｔｌ間の電圧：プローブＰ１，Ｐ２間の電圧でもある）の電圧値を監視して、静電容量Ｃ３に蓄積されている電荷の低下に伴って静電容量Ｃ３の両端電圧が徐々に低下して予め規定した電圧値Ｖ２（例えば、３０Ｖ）に達した時点ｔ１までの内部タイマーの計測値を求める。つまり、処理部６は、静電容量Ｃ３の両端を放電用抵抗Ｒ１で短絡することにより、静電容量Ｃ３の両端電圧が電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２まで低下するのに要する時間Ｔ１（時点ｔ０の時刻から時点ｔ１の時刻までの時間：単位ｓ）を計測する。次いで、処理部６は、下記の（１）式で示される計算式に従って静電容量Ｃ３の容量値ＶＣ３を測定する。続いて、処理部６は、測定した静電容量Ｃ３の容量値ＶＣ３を上記の第２データＤ２として記憶部７に記憶させる。なお、同式および後述する（２）式において、ＶＲ１は放電用抵抗Ｒ１の抵抗値を意味する。
ＶＣ３＝－（１／ｌｏｇｅ（Ｖ２／Ｖ１））×Ｔ１／ＶＲ１・・・・（１）式
ＶＣ３＝－（１／ｌｏｇｅ（Ｖ２／Ｖ１））×Ｔ１／ＶＲ１・・・・（１）式
【0049】
次に、二次電池ＤＵＴについての検査処理の一例について説明する。
【0050】
この検査処理では、最初に、プローブＰ１の基端部を高電圧側端子Ｔｈに接続すると共にプローブＰ２の基端部を低電圧側端子Ｔｌに接続する。また、プローブＰ１の先端部を二次電池ＤＵＴの正極端子Ｔｐに接続すると共にプローブＰ２の先端部を二次電池ＤＵＴの金属層Ｌｍに接続する。この状態において、処理部６は、電圧電流検出回路４によって測定された一対の判別対象部位間（正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間）を流れる電流Ｉａの電流値に基づいて絶縁抵抗Ｒｄの抵抗値を測定すると共に測定した抵抗値に基づいて二次電池ＤＵＴの絶縁性の良否を検査する。
【0051】
具体的には、図外の操作部を操作して処理部６に対して検査処理の開始を指示する。この際に、処理部６は、検査用電圧生成回路２に制御信号Ｓｓ１を出力することにより、予め規定した電圧値Ｖ１の検査用直流電圧Ｖａを検査用電圧生成回路２から出力させる。この場合、検査用直流電圧Ｖａが静電容量Ｃ３および二次電池ＤＵＴの静電容量Ｃｄを充電することにより、高電圧側端子Ｔｈおよび低電圧側端子Ｔｌ間の電圧が予め規定した電圧値Ｖ１に向けて上昇する。この際に、電圧電流検出回路４が、分圧回路３から出力される分圧電圧Ｖｐに基づいて電圧信号ＳｖをＡ／Ｄコンバーター５ａに出力する。次いで、Ａ／Ｄコンバーター５ａは、電圧信号Ｓｖに基づいて電圧値データＤｖを生成して処理部６に出力する。また、電圧電流検出回路４が、検査用電圧生成回路２、高電圧側端子Ｔｈ、プローブＰ１、二次電池ＤＵＴの正極端子Ｔｐ、二次電池ＤＵＴの金属層Ｌｍ、プローブＰ２、低電圧側端子Ｔｌおよび電圧電流検出回路４からなる電流経路を流れる電流Ｉａの電流値を検出して電流信号ＳｉをＡ／Ｄコンバーター５ｂに出力する。次いで、Ａ／Ｄコンバーター５ｂは、電流信号Ｓｉに基づいて電流値データＤｉを生成して処理部６に出力する。
【0052】
次に、処理部６は、入力した電圧値データＤｖの電圧値が規定の電圧値Ｖ１に達した後の時刻ｔ２において、絶縁抵抗Ｒｄの抵抗値を測定する抵抗値測定処理を開始する。この抵抗値測定処理において、処理部６は、入力した電圧値データＤｖの電圧値、および入力した電流値データＤｉの電流値に基づいて、二次電池ＤＵＴの正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間の絶縁抵抗Ｒｄの抵抗値を測定する。次いで、処理部６は、測定した抵抗値と、記憶部７に記憶されている第１データＤ１で示されるしきい値とを比較して、測定した抵抗値がしきい値を超えるときには二次電池ＤＵＴの絶縁が良好と判定し、測定した抵抗値がしきい値以下のときには二次電池ＤＵＴの絶縁が不良と判定する。これにより、処理部６による検査処理が終了する。
【0053】
次いで、処理部６は、検査用直流電圧Ｖａが予め規定した電圧値Ｖ１に維持された状態で検査処理が終了した後の時刻ｔ３において、放電処理を実行する。この放電処理では、処理部６は、上記した放電処理と同様にして、放電回路９に制御信号Ｓｓ２を出力して、プローブＰ１，Ｐ２間の静電容量Ｃ３および静電容量Ｃｄに蓄積されている電荷を放電用抵抗Ｒ１を介して放電させる。また、処理部６は、この放電処理の実行中において、静電容量Ｃｄの容量値を測定する。
【0054】
具体的には、上記した静電容量Ｃ３の容量値の測定と同様にして、処理部６は、制御信号Ｓｓ１の検査用電圧生成回路２への出力を停止して検査用直流電圧Ｖａの出力を停止させ、かつ制御信号Ｓｓ２を放電回路９に出力すると共に内部タイマーで時間の計測を開始する。この際には、放電回路９では、スイッチＳＷが制御信号Ｓｓ２に従いオン状態に制御されるため、放電用抵抗Ｒ１が高電圧側端子Ｔｈおよび低電圧側端子Ｔｌ間に接続される。この結果、放電用抵抗Ｒ１が、プローブＰ１，Ｐ２間の静電容量Ｃ３および静電容量Ｃｄに蓄積されている電荷を徐々に放電させる。次いで、処理部６は、電圧値データＤｖで示される高電圧側端子Ｔｈおよび低電圧側端子Ｔｌ間の電圧（プローブＰ１，Ｐ２間の電圧でもある）の電圧値を監視して、静電容量Ｃ３および静電容量Ｃｄに蓄積されている電荷の低下に伴って高電圧側端子Ｔｈおよび低電圧側端子Ｔｌ間の電圧が徐々に低下して予め規定した電圧値Ｖ２（例えば、３０Ｖ）に達した時点ｔ４までの内部タイマーの計測値を求める。つまり、処理部６は、高電圧側端子Ｔｈおよび低電圧側端子Ｔｌ間を放電用抵抗Ｒ１で短絡することにより、静電容量Ｃ３（静電容量Ｃｄでもある）の両端電圧が検査用直流電圧Ｖａの電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２まで低下するのに要する時間Ｔ２（時点ｔ３の時刻から時点ｔ４の時刻までの時間：単位ｓ）を計測して下記の（２）式の右辺における最初の項で示される計算式に従い、静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量の容量値を測定する。次いで、処理部６は、（２）式に従い、測定した静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量の容量値から記憶部７に記憶されている静電容量Ｃ３の容量値ＶＣ３を差し引いて静電容量Ｃｄの容量値ＶＣｄを測定する。次いで、処理部６は、測定した静電容量Ｃｄの容量値ＶＣｄを記憶部７に記憶させる。
ＶＣｄ＝－（１／ｌｏｇｅ（Ｖ２／Ｖ１））×Ｔ２／ＶＲ１－ＶＣ３・・・・（２）式
ＶＣｄ＝－（１／ｌｏｇｅ（Ｖ２／Ｖ１））×Ｔ２／ＶＲ１－ＶＣ３・・・・（２）式
【0055】
次に、処理部６は、測定した静電容量Ｃｄの容量値ＶＣｄと、記憶部７に記憶されている第３データＤ３で示されるしきい値とを比較する。この場合、プローブＰ１と正極端子Ｔｐとの間の接触が不良で接触抵抗が大きいとき、およびプローブＰ２と金属層Ｌｍとの間の接触が不良で接触抵抗が大きいときの少なくとも一方のときには、静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量の容量値を測定する際に、静電容量Ｃｄの容量値ＶＣｄが小さく測定されるため、（２）式で測定される静電容量Ｃｄの容量値ＶＣｄが小さくなる。したがって、処理部６は、測定した容量値ＶＣｄがしきい値を超えるときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が良好と判別し、測定した容量値ＶＣｄがしきい値以下のときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が不良と判別する。
【0056】
次いで、処理部６は、出力処理を実行する。この際に、処理部６は、絶縁検査の結果が良好と判定したときであって、接触状態を良好と判別したときには、測定した絶縁抵抗Ｒｄの抵抗値、絶縁検査の結果、およびプローブＰ１，Ｐ２の接触状態についての判別結果を表示データＤｄに含めて出力部８に出力する。これにより、出力部８は、絶縁抵抗Ｒｄの抵抗値、絶縁検査の結果、およびプローブＰ１，Ｐ２の接触状態についての判別結果を表示する。一方、処理部６は、接触状態を不良と判別したときには、その判別結果を表示データＤｄに含めて出力部８に出力する。これにより、出力部８は、プローブＰ１，Ｐ２の接触状態が不良である旨、およびプローブＰ１，Ｐ２を接触し直すのが好ましい旨を表示する。以上により、絶縁抵抗測定装置１による絶縁検査が終了する。この結果、絶縁抵抗測定装置１の使用者は、出力部８に表示されている絶縁検査の結果に基づいて、二次電池ＤＵＴの良否を把握することが可能になっている。
【0057】
このように、この絶縁抵抗測定装置１、接触状態判別装置および接触状態判別方法では、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ（一対の判別対象部位）間に静電容量Ｃｄを有する二次電池ＤＵＴにおける正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触させられるプローブＰ１，Ｐ２（一対のプローブ）と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する判別処理において、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）の容量値を測定し、測定した容量値から正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに非接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量Ｃ３の容量値ＶＣ３を差し引いた容量値が正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間の静電容量Ｃｄの容量値ＶＣ３以下の値に規定したしきい値（第２データＤ２）を超えているときに、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態を良好と判別する。
【0058】
したがって、この絶縁抵抗測定装置１、接触状態判別装置および接触状態判別方法によれば、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）の容量値を測定可能な静電容量測定部（本例では処理部６）と、測定した容量値から正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに非接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量Ｃ３の容量値を差し引いた容量値としきい値とを比較する処理部（本例では処理部６）との簡易な構成を用いるだけで接触状態を判別できるため、装置の製造コストを低減できると共に装置の小型化を図ることができる。
【0059】
また、この絶縁抵抗測定装置１では、プローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３および静電容量Ｃｄ）に蓄積されている電荷を絶縁抵抗Ｒｄを介して放電させる放電処理をスイッチＳＷをオン状態に制御して実行すると共に放電処理においてその電荷の放電時間に基づいて正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量の容量値を測定する。
【0060】
したがって、この絶縁抵抗測定装置１によれば、絶縁抵抗測定装置１による検査処理に本来用いられる構成を利用してプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量の容量値を測定できる結果、装置の製造コストの上昇や装置の大型化を回避することができる。
【0061】
また、この絶縁抵抗測定装置１によれば、検査処理の後に放電処理を実行することにより、検査処理の後に元々必要な放電処理の実行時間内でプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量の容量値を測定できる結果、検査時間の延長を回避することができる。
【0062】
（第２の実施例）
次に、絶縁抵抗測定装置１Ａの構成について、図面を参照して説明する。
次に、絶縁抵抗測定装置１Ａの構成について、図面を参照して説明する。
【0063】
図１に示す絶縁抵抗測定装置１Ａは、接触状態判別装置を有する検査装置の他の一例であって、検査対象における一対の検査対象部位の間の絶縁抵抗を測定する。以下、例えば、二次電池ＤＵＴを検査対象とすると共に、二次電池ＤＵＴの正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍを一対の検査対象部位（判別対象部位）とする例について説明する。なお、絶縁抵抗測定装置１と同様の構成および機能については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【0064】
絶縁抵抗測定装置１Ａは、検査用電圧生成回路２、分圧回路３、電圧電流検出回路４、Ａ／Ｄコンバーター５ａ，５ｂ、処理部６Ａ、記憶部７Ａ、出力部８、放電回路９およびプローブＰ１，Ｐ２を備えて構成されている。また、上記の絶縁抵抗測定装置１Ａの構成のうちの一部の構成（検査用電圧生成回路２、分圧回路３、電圧電流検出回路４、Ａ／Ｄコンバーター５ａ、処理部６Ａ、記憶部７Ａおよび放電回路９）によって接触状態判別装置が構成される。
【0065】
この絶縁抵抗測定装置１Ａの処理部６Ａは、処理部６とは異なり、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ（一対の判別対象部位）間に静電容量Ｃｄを有する二次電池ＤＵＴにおける正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触させられるプローブＰ１，Ｐ２（一対のプローブ）と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する判別処理において、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）の容量値を測定し、測定した容量値が正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに良好に接触した状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量の容量値以下の値に規定したしきい値（後述する第４データＤｔ４）を超えているときに、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態を良好と判別する。
【0066】
この場合、上記の絶縁抵抗測定装置１の処理部６と同様にして、プローブＰ１と正極端子Ｔｐとの間の接触が不良で接触抵抗が大きいとき、およびプローブＰ２と金属層Ｌｍとの間の接触が不良で接触抵抗が大きいときの少なくとも一方のときには、静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量の容量値を測定する際に、静電容量Ｃｄの容量値ＶＣｄが小さく測定されるため、上記の（２）式で測定される静電容量Ｃｄの容量値ＶＣｄが小さくなる。したがって、処理部６Ａは、測定した容量値がしきい値を超えるときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が良好と判別し、測定した容量値がしきい値以下のときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が不良と判別する。
【0067】
記憶部７Ａは、上記した第１データＤ１を記憶すると共に、記憶部７とは異なり、処理部６Ａによる判別処理の際に使用される一対の検査対象部位（判別対象部位）である正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに良好に接触した状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）の既知の容量値以下の値（例えば、既知の容量値の８０％の値）に規定したしきい値を示す第４データＤ４を記憶する。なお、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに良好に接触した状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）については、絶縁抵抗測定装置１による上記した測定方法と同様にして測定されて、第４データＤ４として記憶部７Ａに記憶される。
【0068】
次に、絶縁抵抗測定装置１Ａの動作について、接触状態の判別方法と併せて説明する。なお、検査処理自体については絶縁抵抗測定装置１と同様にして実行されるため、その説明を省略して、絶縁抵抗測定装置１の判別処理とは異なる動作について説明する。
【0069】
処理部６Ａは、判別処理において、処理部６による静電容量Ｃ３の静電容量の測定と同様にして、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）の容量値を測定する。
【0070】
次いで、処理部６Ａは、測定したプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）の容量値（容量値ＶＣ３と容量値ＶＣｄとの加算値）と、記憶部７Ａに記憶されている第４データＤ４で示されるしきい値とを比較する。この場合、プローブＰ１と正極端子Ｔｐとの間の接触が不良で接触抵抗が大きいとき、およびプローブＰ２と金属層Ｌｍとの間の接触が不良で接触抵抗が大きいときの少なくとも一方のときには、静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量の容量値を測定する際に、静電容量Ｃｄの容量値ＶＣｄが小さく測定されるため、測定されるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）の容量値（容量値ＶＣ３と容量値ＶＣｄとの加算値）が小さくなる。したがって、処理部６Ａは、測定した容量値（容量値ＶＣ３と容量値ＶＣｄとの加算値）がしきい値を超えるときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が良好と判別し、測定した容量値（容量値ＶＣ３と容量値ＶＣｄとの加算値）がしきい値以下のときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が不良と判別する。
【0071】
このように、この絶縁抵抗測定装置１Ａ、接触状態判別装置および接触状態判別方法では、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ（一対の判別対象部位）間に静電容量Ｃｄを有する二次電池ＤＵＴにおける正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触させられるプローブＰ１，Ｐ２（一対のプローブ）と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する判別処理において、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）の容量値を測定し、測定した容量値が正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量の容量値以下の値に規定したしきい値（第４データＤｔ４）を超えているときに、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態を良好と判別する。
【0072】
したがって、この絶縁抵抗測定装置１Ａ、接触状態判別装置および接触状態判別方法によれば、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）の容量値を測定可能な静電容量測定部（本例では処理部６Ａ）と、測定した容量値としきい値とを比較する処理部（本例では処理部６Ａ）との簡易な構成を用いるだけで接触状態を判別できるため、装置の製造コストを低減できると共に装置の小型化を図ることができる。
【0073】
また、この絶縁抵抗測定装置１Ａでは、絶縁抵抗測定装置１と同様にして、絶縁抵抗測定装置１Ａによる検査処理に本来用いられる構成を利用してプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量の容量値を測定できる結果、装置の製造コストの上昇や装置の大型化を回避することができる。
【0074】
また、この絶縁抵抗測定装置１Ａでは、絶縁抵抗測定装置１と同様にして、検査処理の後に放電処理を実行することにより、検査処理の後に元々必要な放電処理の実行時間内でプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量の容量値を測定できる結果、検査時間の延長を回避することができる。
【0075】
（第３の実施例）
次に、絶縁抵抗測定装置１Ｂの構成について、図面を参照して説明する。
次に、絶縁抵抗測定装置１Ｂの構成について、図面を参照して説明する。
【0076】
前述したように、上記の絶縁抵抗測定装置１では、「一対の判別対象部位に接触状態における一対のプローブ間の静電容量の容量値」を「静電容量測定部」によって測定し、測定した「容量値」と、予め「記憶部」に記憶させた「一対の判別対象部位に非接触状態における一対のプローブ間の静電容量の容量値」および「一対の判別対象部位間の静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値」とに基づいて「一対のプローブと一対の判別対象部位との間の接触状態の良否」を判別する構成が採用されている。また、上記の絶縁抵抗測定装置１Ａでは、「一対の判別対象部位に接触状態における一対のプローブ間の静電容量の容量値」を「静電容量測定部」によって測定し、測定した「容量値」と、予め「記憶部」に記憶させた「一対の判別対象部位に接触状態における一対のプローブ間の静電容量の容量値以下の値に規定されたしきい値」とに基づいて「一対のプローブと一対の判別対象部位との間の接触状態の良否」を判別する構成が採用されている。
【0077】
これら絶縁抵抗測定装置１，１Ａのように「静電容量の容量値」に基づいて接触状態の良否を判別する構成・方法に代えて、「一対のプローブ間の静電容量に蓄積されている電荷を放電させる放電処理中における一対のプローブ間の電圧の電圧値」を「電圧測定部」によって測定し、測定した「電圧値」と、予め「記憶部」に記憶させた「電圧測定部によって測定された一対のプローブ間の電圧の電圧値に基づいて特定される比較値との比較によって一対のプローブの接触状態の良否を判別する基準値」とに基づいて「一対のプローブと一対の判別対象部位との間の接触状態の良否」を判別する構成・方法を採用することができる。
【0078】
一例として、図１に示す絶縁抵抗測定装置１Ｂは、接触状態判別装置を有する検査装置のさらに他の一例であって、検査対象における一対の検査対象部位の間の絶縁抵抗を測定する。以下、例えば、二次電池ＤＵＴを検査対象とすると共に、二次電池ＤＵＴの正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍを一対の検査対象部位（判別対象部位）とする例について説明する。なお、絶縁抵抗測定装置１，１Ａと同様の構成および機能については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。また、検査処理自体については絶縁抵抗測定装置１，１Ａと同様にして実行されるため、その説明を省略して、絶縁抵抗測定装置１，１Ａの判別処理とは異なる動作について説明する。
【0079】
この絶縁抵抗測定装置１Ｂは、前述の絶縁抵抗測定装置１，１Ａにおける処理部６，６Ａおよび記憶部７，７Ａに代えて処理部６Ｂおよび記憶部７Ｂを備えて構成されている。この場合、この絶縁抵抗測定装置１Ｂでは、検査用電圧生成回路２、分圧回路３、電圧電流検出回路４、Ａ／Ｄコンバーター５ａ、処理部６Ｂ、記憶部７Ｂおよび放電回路９によって接触状態判別装置が構成されている。また、この絶縁抵抗測定装置１Ｂでは、検査用電圧生成回路２、分圧回路３、電圧電流検出回路４、Ａ／Ｄコンバーター５ａおよび処理部６Ｂによって電圧測定部が構成されている。
【0080】
この絶縁抵抗測定装置１Ｂの処理部６Ｂは、処理部６，６Ａとは異なり、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ（一対の判別対象部位）間に静電容量Ｃｄを有する二次電池ＤＵＴにおける正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触させられるプローブＰ１，Ｐ２（一対のプローブ）と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する判別処理において、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）に蓄積されている電荷を放電する放電処理中におけるプローブＰ１，Ｐ２間の電圧の電圧値に基づいて「比較値」を特定すると共に、特定した「比較値」と、記憶部７Ｂに記憶されている「基準値」との比較によって、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する。具体的には、この絶縁抵抗測定装置１Ｂでは、以下の６つの処理手順のうちの予め指定されたいずれかの手順に従って接触状態の良否を判別する。
【0081】
第１の処理手順としては、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに非接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷を、放電部による放電処理と同様の放電条件下で放電したときの放電時間である「第１の時間」（静電容量Ｃ３の両端電圧が電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２まで低下するのに要する時間）と、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間に蓄積された電荷を、放電部による放電処理と同様の放電条件下で放電したときの放電時間（放電部による放電処理と同様の放電条件下で静電容量Ｃｄに蓄積された電荷を放電したときに静電容量Ｃｄの両端電圧が電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２まで低下するのに要する時間）以下に規定された「第２の時間」とを「基準値」とし、この「第１の時間」の時間データＤｔ１、および「第２の時間」の時間データＤｔ２を記憶部７Ｂに予め記憶させておく。
【0082】
また、処理部６Ｂは、判別処理において、電圧測定部として測定した電圧の電圧値に基づき、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷の放電時間である「第３の時間」（プローブＰ１，Ｐ２間の電圧が電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２まで低下するのに要する時間）を「比較値」として特定し、特定した「第３の時間」から、時間データＤｔ１に基づいて特定した「第１の時間」を差し引いた「第４の時間」と、時間データＤｔ２に基づいて特定した「第２の時間」との比較により、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する。
【0083】
この場合、プローブＰ１と正極端子Ｔｐとの間の接触が不良で接触抵抗が大きいとき、およびプローブＰ２と金属層Ｌｍとの間の接触が不良で接触抵抗が大きいときの少なくとも一方のとき（以下、「プローブＰ１，Ｐ２のいずれかが接触不良のとき」ともいう）には、静電容量Ｃｄに蓄積されている電荷を放電部によって好適に放電することができず、プローブＰ１，Ｐ２が正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに対してそれぞれ良好に接触している状態と比較して放電処理によって放電される電荷が少量となり、特定される「第３の時間（放電時間）」が短時間となる。したがって、処理部６Ｂは、特定した「第３の時間」から「第１の時間」を差し引いた「第４の時間」が「第２の時間」を超えるときには、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が良好と判別し、「第４の時間」が「第２の時間」以下のときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が不良と判別する。
【0084】
また、第２の処理手順としては、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷を、放電部による放電処理と同様の放電条件下で放電したときの放電時間（放電部による放電処理と同様の放電条件下で静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量に蓄積された電荷を放電したときに、その静電容量の両端電圧が電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２まで低下するのに要する時間）以下に規定された「時間Ａ」を「基準値」とし、この「時間Ａ」の時間データＤｔａを記憶部７Ｂに予め記憶させておく。
【0085】
また、処理部６Ｂは、判別処理において、電圧測定部として測定した電圧の電圧値に基づき、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷の放電時間である「時間Ｂ」（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量に蓄積された電荷を放電したときに、その静電容量の両端電圧が電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２まで低下するのに要する時間）を「比較値」として特定し、特定した「時間Ｂ」と、時間データＤｔａに基づいて特定した「時間Ａ」との比較により、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する。
【0086】
この場合、プローブＰ１，Ｐ２のいずれかが接触不良のときには、静電容量Ｃｄに蓄積されている電荷を放電部によって好適に放電することができず、プローブＰ１，Ｐ２が正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに対してそれぞれ良好に接触している状態と比較して放電処理によって放電される電荷が少量となり、特定される「時間Ｂ（放電時間）」が短時間となる。したがって、処理部６Ｂは、「時間Ｂ」が「時間Ａ」を超えるときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が良好と判別し、「時間Ｂ」が「時間Ａ」以下のときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が不良と判別する。
【0087】
また、第３の処理手順としては、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに非接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷を、放電部による放電処理と同様の放電条件下で放電したときにおけるプローブＰ１，Ｐ２間の電圧の降下率である「第１の降下率」（静電容量Ｃ３の両端電圧が電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２まで低下するのに要する時間と、電圧値Ｖ１および電圧値Ｖ２の差との比率）と、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間に蓄積された電荷を、放電部による放電処理と同様の放電条件下で放電したときにおける正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間の電圧の降下率（放電部による放電処理と同様の放電条件下で静電容量Ｃｄに蓄積された電荷を放電したときに静電容量Ｃｄの両端電圧が電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２まで低下するのに要する時間と、電圧値Ｖ１および電圧値Ｖ２の差との比率）以下に規定された「第２の降下率」とを「基準値」とし、この「第１の降下率」の降下率データＤｒ１、および「第２の降下率」の降下率データＤｒ２を記憶部７Ｂに予め記憶させておく。
【0088】
また、処理部６Ｂは、判別処理において、電圧測定部として測定した電圧の電圧値に基づき、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷の放電処理中におけるプローブＰ１，Ｐ２間の電圧の降下率である「第３の降下率」（プローブＰ１，Ｐ２間の電圧が電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２まで低下するのに要する時間と、電圧値Ｖ１および電圧値Ｖ２の差との比率）を「比較値」として特定し、特定した「第３の降下率」から、降下率データＤｒ１に基づいて特定した「第１の降下率」を差し引いた「第４の降下率」と、降下率データＤｒ２に基づいて特定した「第２の降下率」との比較により、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する。
【0089】
この場合、プローブＰ１，Ｐ２のいずれかが接触不良のときには、静電容量Ｃｄに蓄積されている電荷を放電部によって好適に放電することができず、プローブＰ１，Ｐ２が正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに対してそれぞれ良好に接触している状態と比較して放電処理によって放電される電荷が少量となり、放電時間が短時間となる結果、特定される電圧の降下率が高くなる。したがって、処理部６Ｂは、特定した「第３の降下率」から「第１の降下率」を差し引いた「第４の降下率」が「第２の降下率」を超えるときには、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が良好と判別し、「第４の降下率」が「第２の降下率」以下のときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が不良と判別する。
【0090】
また、第４の処理手順としては、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷を、放電部による放電処理と同様の放電条件下で放電したときにおけるプローブＰ１，Ｐ２間の電圧の降下率以上に規定された「降下率Ａ」（放電部による放電処理と同様の放電条件下で静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量に蓄積された電荷を放電したときに、その静電容量の両端電圧が電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２まで低下するのに要する時間と、電圧値Ｖ１および電圧値Ｖ２の差との比率）を「基準値」とし、この「降下率Ａ」の降下率データＤｒａを記憶部７Ｂに予め記憶させておく。
【0091】
また、処理部６Ｂは、判別処理において、電圧測定部として測定した電圧の電圧値に基づき、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷の放電処理中におけるプローブＰ１，Ｐ２間の電圧の降下率である「降下率Ｂ」（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量に蓄積された電荷を放電したときに、その静電容量の両端電圧が電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２まで低下するのに要する時間と、電圧値Ｖ１および電圧値Ｖ２の差との比率）を「比較値」として特定し、特定した「降下率Ｂ」と、降下率データＤｒａに基づいて特定した「降下率Ａ」との比較により、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する。
【0092】
この場合、プローブＰ１，Ｐ２のいずれかが接触不良のときには、静電容量Ｃｄに蓄積されている電荷を放電部によって好適に放電することができず、プローブＰ１，Ｐ２が正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに対してそれぞれ良好に接触している状態と比較して放電処理によって放電される電荷が少量となり、特定される「時間Ｂ（放電時間）」が短時間となる結果、特定される電圧の降下率が高くなる。したがって、処理部６Ｂは、「降下率Ｂ」が「降下率Ａ」を超えるときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が良好と判別し、「降下率Ｂ」が「降下率Ａ」以下のときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が不良と判別する。
【0093】
また、第５の処理手順としては、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに非接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷（静電容量Ｃ３に蓄積された電荷）を、放電部によぶ放電処理と同様の放電条件下で放電したときに放電開始から予め規定された時間が経過した時点におけるプローブＰ１，Ｐ２間の電圧の電圧値である「第１の電圧値」と、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間に蓄積された電荷（静電容量Ｃｄに蓄積された電荷）を、放電部による放電処理と同様の放電条件下で放電したときに放電開始から予め規定された時間が経過した時点における正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ間の電圧の電圧値以下に規定された「第２の電圧値」とを「基準値」とし、この「第１の電圧値」の電圧値データＤｖ１、および「第２の電圧値」の電圧値データＤｖ２を記憶部７Ｂに予め記憶させておく。この場合、上記の「予め規定された時間」については、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに非接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷の放電時間よりも短い時間（一例として、放電時間の１／２程度の時間）に規定する。
【0094】
また、処理部６Ｂは、判別処理において、電圧測定部として測定した電圧の電圧値に基づき、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷の放電処理において放電処理の開始から予め規定された時間が経過した時点におけるプローブＰ１，Ｐ２間の電圧の電圧値である「第３の電圧値」を「比較値」として特定し、特定した「第３の電圧値」から、電圧値データＤｖ１に基づいて特定した「第１の電圧値」を差し引いた「第４の電圧値」と、電圧値データＤｖ２に基づいて特定した「第２の電圧値」との比較により、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する。
【0095】
この場合、プローブＰ１，Ｐ２のいずれかが接触不良のときには、静電容量Ｃｄに蓄積されている電荷を放電部によって好適に放電することができず、プローブＰ１，Ｐ２が正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに対してそれぞれ良好に接触している状態と比較して放電処理によって放電される電荷が少量となる結果、プローブＰ１，Ｐ２間の電圧の電圧値が短時間で低下する。このため、プローブＰ１，Ｐ２のいずれかが接触不良のときには、プローブＰ１，Ｐ２が正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに対してそれぞれ良好に接触している状態と比較して、放電処理の開始から「予め規定された時間」が経過した時点におけるプローブＰ１，Ｐ２間の電圧の電圧値が低くなる。したがって、処理部６Ｂは、特定した「第３の電圧値」から「第１の電圧値」を差し引いた「第４の電圧値」が「第２の電圧値」を超えるときには、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が良好と判別し、「第４の電圧値」が「第２の電圧値」以下のときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が不良と判別する。
【0096】
また、第６の処理手順としては、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量に蓄積された電荷）を、放電部による放電処理と同様の放電条件下で放電したときに放電開始から予め規定された時間が経過した時点におけるプローブＰ１，Ｐ２間の電圧の電圧値以下に規定された「電圧値Ａ」を「基準値」とし、この「電圧値Ａ」の電圧値データＤｖａを記憶部７Ｂに予め記憶させておく。この場合、上記の「予め規定された時間」については、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷の放電時間よりも短い時間（一例として、放電時間の１／２程度の時間）に規定する。
【0097】
また、処理部６Ｂは、判別処理において、電圧測定部として測定した電圧の電圧値に基づき、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間に蓄積された電荷（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量に蓄積された電荷）の放電処理において放電処理の開始から予め規定された時間が経過した時点におけるプローブＰ１，Ｐ２間の電圧の電圧値である「電圧値Ｂ」を「比較値」として特定し、特定した「電圧値Ｂ」と、電圧値データＤｖａに基づいて特定した「電圧値Ａ」との比較により、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する。
【0098】
この場合、プローブＰ１，Ｐ２のいずれかが接触不良のときには、静電容量Ｃｄに蓄積されている電荷を放電部によって好適に放電することができず、プローブＰ１，Ｐ２が正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに対してそれぞれ良好に接触している状態と比較して放電処理によって放電される電荷が少量となる結果、プローブＰ１，Ｐ２間の電圧の電圧値が短時間で低下する。このため、プローブＰ１，Ｐ２のいずれかが接触不良のときには、プローブＰ１，Ｐ２が正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに対してそれぞれ良好に接触している状態と比較して、放電処理の開始から「予め規定された時間」が経過した時点におけるプローブＰ１，Ｐ２間の電圧の電圧値が低くなる。したがって、処理部６Ｂは、処理部６Ｂは、「電圧値Ｂ」が「電圧値Ａ」を超えるときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が良好と判別し、「電圧値Ｂ」が「電圧値Ａ」以下のときにはプローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの接触が不良と判別する。
【0099】
このように、この絶縁抵抗測定装置１Ｂ、接触状態判別装置および接触状態判別方法では、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍ（一対の判別対象部位）間に静電容量Ｃｄを有する二次電池ＤＵＴにおける正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触させられるプローブＰ１，Ｐ２（一対のプローブ）と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する判別処理において、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）に蓄積されている電荷を放電する放電処理中におけるプローブＰ１，Ｐ２間の電圧を測定し、測定した電圧の電圧値に基づいて比較値を特定すると共に、特定した比較値と記憶部に記憶されている基準値との比較により、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触状態の良否を判別する。
【0100】
したがって、この絶縁抵抗測定装置１Ｂ、接触状態判別装置および接触状態判別方法によれば、正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍに接触状態におけるプローブＰ１，Ｐ２間の静電容量（静電容量Ｃ３と静電容量Ｃｄとを加算した静電容量）に蓄積されている電荷を放電させる放電処理中におけるプローブＰ１，Ｐ２間の電圧を測定可能な電圧測定部（本例では、処理部６Ｂ）と、測定した電圧値に基づいて比較値を特定し、特定した比較値と記憶部７Ｂに記憶されている基準値とを比較する処理部（本例では、処理部６Ｂ）との簡易な構成を用いるだけで接触状態を判別できるため、装置の製造コストを低減できると共に装置の小型化を図ることができる。また、この絶縁抵抗測定装置１Ｂによれば、検査処理に本来用いられる構成を利用して放電処理中におけるＰ１，Ｐ２間の電圧の電圧値を測定できる結果、装置の製造コストの上昇や装置の大型化を回避することができると共に、検査処理の後に元々必要な放電処理の実行時間内でプローブＰ１，Ｐ２間の電圧の電圧値を測定できる結果、検査時間の延長を回避することができる。
【0101】
なお、上記の構成および方法に限らず、適宜変更することができる。例えば、記憶部７に記憶させる第２データＤ２および記憶部７Ａに記憶させる第４データＤ４などについては、絶縁抵抗測定装置１（１Ａ）による検査処理の実行以前に記憶部７（７Ａ）に記憶させる例について説明したが、検査処理の一部として第２データＤ２（第４データＤ４）を生成して、その都度、記憶部７（記憶部７Ａ）に記憶させることもできる。
【0102】
また、絶縁抵抗測定装置１，１Ａでは、処理部６，６Ａが静電容量測定部の機能を兼用するように構成されているが、処理部と静電容量測定部とを別体で構成することもできる。同様にして、絶縁抵抗測定装置１Ｂでは、処理部６Ｂが電圧測定部の機能を兼用するように構成されているが、処理部と電圧測定部とを別体で構成することもできる。また、静電容量測定部（処理部６，６Ａ）による静電容量の測定方法については、上記した方法に限らず、例えば、定電流放電法などの公知の任意の測定方法を採用することができる。
【0103】
さらに、プローブＰ１，Ｐ２と正極端子Ｔｐおよび金属層Ｌｍとの間の接触を判別する判別処理を検査処理後の放電処理内で実行する例について説明したが、検査処理後の放電処理とは別個に、検査処理前や検査処理中において判別処理を実行することでもできる。また、絶縁抵抗測定装置に適用した例について説明したが、直流耐電圧試験装置にも適用することができる。さらに、電圧、電流、電力値などを測定する際に一対のプローブを一対の判別対象部位（接触対象部位）に接触させる測定装置に広く適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【0104】
本願発明によれば、静電容量測定部と処理部との簡易な構成、または、電圧測定部と処理部との簡易な構成を用いるだけで接触状態を判別できるため、装置の製造コストを低減できると共に装置の小型化を図ることができる。これにより、本願発明は、このような一対のプローブと一対の判別対象部位との間の接触状態を判別する検査装置や接触状態判別装置、および接触状態判別方法に広く適用することができる。
【符号の説明】
【0105】
１，１Ａ，１Ｂ 絶縁抵抗測定装置
２ 検査用電圧生成回路
３ 分圧回路
４ 電圧電流検出回路
５ａ，５ｂ Ａ／Ｄコンバーター
６，６Ａ，６Ｂ 処理部
７，７Ａ，７Ｂ 記憶部
９ 放電回路
Ｃ１ 内部容量
Ｃ２ 配線容量
Ｃ３ 静電容量
Ｃｄ 静電容量
Ｄ１ 第１データ
Ｄ２ 第２データ
Ｄ３ 第３データ
Ｄ４ 第４データ
Ｄｒ１，Ｄｒ２，Ｄｒａ 降下率データ
Ｄｔ１，Ｄｔ２，Ｄｔａ 時間データ
Ｄｖ１，Ｄｖ２，Ｄｖａ 電圧値データ
ＤＵＴ 二次電池
Ｌｍ 金属層
Ｐ１，Ｐ２ プローブ
Ｒ１ 放電用抵抗
Ｒｄ 絶縁抵抗
ＳＷ スイッチ
Ｔｐ 正極端子
Ｖａ 検査用直流電圧
２ 検査用電圧生成回路
３ 分圧回路
４ 電圧電流検出回路
５ａ，５ｂ Ａ／Ｄコンバーター
６，６Ａ，６Ｂ 処理部
７，７Ａ，７Ｂ 記憶部
９ 放電回路
Ｃ１ 内部容量
Ｃ２ 配線容量
Ｃ３ 静電容量
Ｃｄ 静電容量
Ｄ１ 第１データ
Ｄ２ 第２データ
Ｄ３ 第３データ
Ｄ４ 第４データ
Ｄｒ１，Ｄｒ２，Ｄｒａ 降下率データ
Ｄｔ１，Ｄｔ２，Ｄｔａ 時間データ
Ｄｖ１，Ｄｖ２，Ｄｖａ 電圧値データ
ＤＵＴ 二次電池
Ｌｍ 金属層
Ｐ１，Ｐ２ プローブ
Ｒ１ 放電用抵抗
Ｒｄ 絶縁抵抗
ＳＷ スイッチ
Ｔｐ 正極端子
Ｖａ 検査用直流電圧
【図1】
【図2】
【図3】