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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024000850
(43)【公開日】2024-01-09
(54)【発明の名称】蒸着装置及び蒸着方法
(51)【国際特許分類】
C23C 14/56 20060101AFI20231226BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20231226BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20231226BHJP
C23C 14/24 20060101ALI20231226BHJP
【ＦＩ】
C23C14/56 G
H05B33/14 A
H05B33/10
C23C14/24 J
C23C14/24 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022099797
(22)【出願日】2022-06-21
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】武田 篤
【テーマコード（参考）】
3K107
4K029
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC45
3K107GG04
3K107GG32
3K107GG42
4K029AA09
4K029AA11
4K029AA24
4K029AA25
4K029BA04
4K029BA21
4K029BA42
4K029BA62
4K029BD01
4K029CA01
4K029DA10
4K029DB04
4K029DB05
4K029DB06
4K029DB12
4K029DB14
4K029DB17
4K029JA02
4K029JA05
4K029KA01
4K029KA09
(57)【要約】
【課題】コストを削減し、設置スペースを縮小する。
【解決手段】一実施形態によれば、蒸着装置は、第１搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第１チャンバー群と、第２搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第２チャンバー群と、第１搬送方向の最も上流に位置する第１蒸着チャンバー及び第２搬送方向の最も下流に位置する第２蒸着チャンバーに連結され処理基板を回転させる第１ローテーションチャンバーと、第１搬送方向の最も下流に位置する第３蒸着チャンバー及び第２搬送方向の最も上流に位置する第４蒸着チャンバーに連結され処理基板を回転させる第２ローテーションチャンバーと、を備える。
【選択図】図１２
【解決手段】一実施形態によれば、蒸着装置は、第１搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第１チャンバー群と、第２搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第２チャンバー群と、第１搬送方向の最も上流に位置する第１蒸着チャンバー及び第２搬送方向の最も下流に位置する第２蒸着チャンバーに連結され処理基板を回転させる第１ローテーションチャンバーと、第１搬送方向の最も下流に位置する第３蒸着チャンバー及び第２搬送方向の最も上流に位置する第４蒸着チャンバーに連結され処理基板を回転させる第２ローテーションチャンバーと、を備える。
【選択図】図１２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理基板が搬送される第１搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第１チャンバー群と、
前記第１搬送方向とは逆向きの第２搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第２チャンバー群と、
前記第１チャンバー群のうち前記第１搬送方向の最も上流に位置する第１蒸着チャンバー、及び、前記第２チャンバー群のうち前記第２搬送方向の最も下流に位置する第２蒸着チャンバーに連結され、前記第２蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を前記第１蒸着チャンバーに搬入するように前記処理基板を回転させる第１ローテーションチャンバーと、
前記第１チャンバー群のうち前記第１搬送方向の最も下流に位置する第３蒸着チャンバー、及び、前記第２チャンバー群のうち前記第２搬送方向の最も上流に位置する第４蒸着チャンバーに連結され、前記第３蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を前記第４蒸着チャンバーに搬入するように前記処理基板を回転させる第２ローテーションチャンバーと、
を備える、蒸着装置。
前記第１搬送方向とは逆向きの第２搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第２チャンバー群と、
前記第１チャンバー群のうち前記第１搬送方向の最も上流に位置する第１蒸着チャンバー、及び、前記第２チャンバー群のうち前記第２搬送方向の最も下流に位置する第２蒸着チャンバーに連結され、前記第２蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を前記第１蒸着チャンバーに搬入するように前記処理基板を回転させる第１ローテーションチャンバーと、
前記第１チャンバー群のうち前記第１搬送方向の最も下流に位置する第３蒸着チャンバー、及び、前記第２チャンバー群のうち前記第２搬送方向の最も上流に位置する第４蒸着チャンバーに連結され、前記第３蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を前記第４蒸着チャンバーに搬入するように前記処理基板を回転させる第２ローテーションチャンバーと、
を備える、蒸着装置。
【請求項2】
さらに、前記第１ローテーションチャンバーに連結された基板脱着チャンバーを備え、
前記基板脱着チャンバーは、搬入された前記処理基板をキャリアに装着し、前記キャリアを前記第１ローテーションチャンバーに搬出するとともに、前記第１ローテーションチャンバーから搬出された前記キャリアから前記処理基板を取り外すように構成されている、請求項１に記載の蒸着装置。
前記基板脱着チャンバーは、搬入された前記処理基板をキャリアに装着し、前記キャリアを前記第１ローテーションチャンバーに搬出するとともに、前記第１ローテーションチャンバーから搬出された前記キャリアから前記処理基板を取り外すように構成されている、請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項3】
さらに、
前記第１蒸着チャンバーから前記第３蒸着チャンバーに亘って延出し、前記キャリアを搬送するように構成された第１搬送レールと、
前記第２蒸着チャンバーから前記第４蒸着チャンバーに亘って延出し、前記キャリアを搬送するように構成された第２搬送レールと、を備える、請求項２に記載の蒸着装置。
前記第１蒸着チャンバーから前記第３蒸着チャンバーに亘って延出し、前記キャリアを搬送するように構成された第１搬送レールと、
前記第２蒸着チャンバーから前記第４蒸着チャンバーに亘って延出し、前記キャリアを搬送するように構成された第２搬送レールと、を備える、請求項２に記載の蒸着装置。
【請求項4】
前記複数の蒸着チャンバーの各々は、材料を放射するように構成された蒸着源と、前記蒸着源が収容される第１空間と前記処理基板が搬送される第２空間とを仕切る仕切り板と、を備え、
前記第１搬送レールは、前記第１蒸着チャンバーから前記第３蒸着チャンバーまでの各蒸着チャンバーの前記第２空間に設けられ、
前記第２搬送レールは、前記第２蒸着チャンバーから前記第４蒸着チャンバーまでの各蒸着チャンバーの前記第２空間に設けられ、
前記仕切り板は、前記蒸着源と対向する開口を有し、
前記蒸着源は、放射した材料を前記処理基板に蒸着しないモードでは前記第１空間に吐出口を向け、放射した材料を前記処理基板に蒸着するモードでは前記第２空間に吐出口を向けるように構成されている、請求項３に記載の蒸着装置。
前記第１搬送レールは、前記第１蒸着チャンバーから前記第３蒸着チャンバーまでの各蒸着チャンバーの前記第２空間に設けられ、
前記第２搬送レールは、前記第２蒸着チャンバーから前記第４蒸着チャンバーまでの各蒸着チャンバーの前記第２空間に設けられ、
前記仕切り板は、前記蒸着源と対向する開口を有し、
前記蒸着源は、放射した材料を前記処理基板に蒸着しないモードでは前記第１空間に吐出口を向け、放射した材料を前記処理基板に蒸着するモードでは前記第２空間に吐出口を向けるように構成されている、請求項３に記載の蒸着装置。
【請求項5】
前記複数の蒸着チャンバーの各々に設けられた前記蒸着源は、互いに異なる材料を放射するように構成されている、請求項４に記載の蒸着装置。
【請求項6】
前記第１蒸着チャンバーの前記蒸着源から放射される材料は、正孔注入層を形成するための材料である、請求項５に記載の蒸着装置。
【請求項7】
前記第２蒸着チャンバーの前記蒸着源から放射される材料は、マグネシウム及び銀の混合物である、請求項６に記載の蒸着装置。
【請求項8】
前記第２蒸着チャンバーの前記蒸着源から放射される材料は、フッ化リチウムである、請求項６に記載の蒸着装置。
【請求項9】
前記第１チャンバー群は、正孔注入層を形成するための前記第１蒸着チャンバーと、正孔輸送層を形成するための蒸着チャンバーと、電子ブロック層を形成するための蒸着チャンバーと、発光層を形成するための蒸着チャンバーと、正孔ブロック層を形成するための前記第３蒸着チャンバーと、を有し、
前記第２チャンバー群は、ｎ型電荷発生層を形成するための前記第４蒸着チャンバーと、ｐ型電荷発生層を形成するための蒸着チャンバーと、電子輸送層を形成するための蒸着チャンバーと、電子注入層を形成するための蒸着チャンバーと、上電極を形成するための前記第２蒸着チャンバーと、を有している、請求項１に記載の蒸着装置。
前記第２チャンバー群は、ｎ型電荷発生層を形成するための前記第４蒸着チャンバーと、ｐ型電荷発生層を形成するための蒸着チャンバーと、電子輸送層を形成するための蒸着チャンバーと、電子注入層を形成するための蒸着チャンバーと、上電極を形成するための前記第２蒸着チャンバーと、を有している、請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項10】
前記第１チャンバー群は、正孔注入層を形成するための前記第１蒸着チャンバーと、正孔輸送層を形成するための蒸着チャンバーと、電子ブロック層を形成するための蒸着チャンバーと、発光層を形成するための蒸着チャンバーと、正孔ブロック層を形成するための蒸着チャンバーと、ｎ型電荷発生層を形成するための前記第３蒸着チャンバーと、を有し、
前記第２チャンバー群は、ｐ型電荷発生層を形成するための前記第４蒸着チャンバーと、電子輸送層を形成するための蒸着チャンバーと、電子注入層を形成するための蒸着チャンバーと、上電極を形成するための蒸着チャンバーと、第１透明層を形成するための蒸着チャンバーと、第２透明層を形成するための前記第２蒸着チャンバーと、を有している、請求項１に記載の蒸着装置。
前記第２チャンバー群は、ｐ型電荷発生層を形成するための前記第４蒸着チャンバーと、電子輸送層を形成するための蒸着チャンバーと、電子注入層を形成するための蒸着チャンバーと、上電極を形成するための蒸着チャンバーと、第１透明層を形成するための蒸着チャンバーと、第２透明層を形成するための前記第２蒸着チャンバーと、を有している、請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項11】
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、
マスクを設置せずに前記処理基板を蒸着装置に搬入し、有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極を形成し、前記処理基板を前記蒸着装置から搬出し、
前記蒸着装置において、搬入された前記処理基板は、
第１ローテーションチャンバーを通過し、
第１搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第１チャンバー群を経由し、
第２ローテーションチャンバーにおいて１８０°回転され、
前記第１搬送方向とは逆向きの第２搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第２チャンバー群を経由し、
前記第１ローテーションチャンバーにおいて１８０°回転され、
前記第１チャンバー群を経由し、
第２ローテーションチャンバーにおいて１８０°回転され、
前記第２チャンバー群を経由し、
前記第１ローテーションチャンバーを通過して前記蒸着装置から搬出され、
前記蒸着装置から搬出された前記処理基板において、前記隔壁の上に形成された前記有機層及び前記上電極は、前記開口において前記下電極の上に形成された前記有機層及び前記上電極から離間している、蒸着方法。
マスクを設置せずに前記処理基板を蒸着装置に搬入し、有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極を形成し、前記処理基板を前記蒸着装置から搬出し、
前記蒸着装置において、搬入された前記処理基板は、
第１ローテーションチャンバーを通過し、
第１搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第１チャンバー群を経由し、
第２ローテーションチャンバーにおいて１８０°回転され、
前記第１搬送方向とは逆向きの第２搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第２チャンバー群を経由し、
前記第１ローテーションチャンバーにおいて１８０°回転され、
前記第１チャンバー群を経由し、
第２ローテーションチャンバーにおいて１８０°回転され、
前記第２チャンバー群を経由し、
前記第１ローテーションチャンバーを通過して前記蒸着装置から搬出され、
前記蒸着装置から搬出された前記処理基板において、前記隔壁の上に形成された前記有機層及び前記上電極は、前記開口において前記下電極の上に形成された前記有機層及び前記上電極から離間している、蒸着方法。
【請求項12】
前記第１チャンバー群及び前記第２チャンバー群を経由する際に、
前記下電極の上に正孔注入層を形成し、
前記正孔注入層の上に第１正孔輸送層を形成し、
前記第１正孔輸送層の上に第１電子ブロック層を形成し、
前記第１電子ブロック層の上に第１発光層を形成し、
前記第１発光層の上に第１正孔ブロック層を形成し、
前記第１正孔ブロック層の上にｎ型電荷発生層を形成し、
前記ｎ型電荷発生層の上にｐ型電荷発生層を形成し、
前記ｐ型電荷発生層の上に第２正孔輸送層を形成し、
前記第２正孔輸送層の上に第２電子ブロック層を形成し、
前記第２電子ブロック層の上に第２発光層を形成し、
前記第２発光層の上に第２正孔ブロック層を形成し、
前記第２正孔ブロック層の上に電子輸送層を形成し、
前記電子輸送層の上に電子注入層を形成し、
前記電子注入層の上に前記上電極を形成する、請求項１１に記載の蒸着方法。
前記下電極の上に正孔注入層を形成し、
前記正孔注入層の上に第１正孔輸送層を形成し、
前記第１正孔輸送層の上に第１電子ブロック層を形成し、
前記第１電子ブロック層の上に第１発光層を形成し、
前記第１発光層の上に第１正孔ブロック層を形成し、
前記第１正孔ブロック層の上にｎ型電荷発生層を形成し、
前記ｎ型電荷発生層の上にｐ型電荷発生層を形成し、
前記ｐ型電荷発生層の上に第２正孔輸送層を形成し、
前記第２正孔輸送層の上に第２電子ブロック層を形成し、
前記第２電子ブロック層の上に第２発光層を形成し、
前記第２発光層の上に第２正孔ブロック層を形成し、
前記第２正孔ブロック層の上に電子輸送層を形成し、
前記電子輸送層の上に電子注入層を形成し、
前記電子注入層の上に前記上電極を形成する、請求項１１に記載の蒸着方法。
【請求項13】
前記第１正孔輸送層及び前記第２正孔輸送層は、同一の蒸着チャンバーにおいて同一材料で形成し、
前記第１電子ブロック層及び前記第２電子ブロック層は、同一の蒸着チャンバーにおいて同一材料で形成し、
前記第１発光層及び前記第２発光層は、同一の蒸着チャンバーにおいて同一材料で形成し、
前記第１正孔ブロック層及び前記第２正孔ブロック層は、同一の蒸着チャンバーにおいて同一材料で形成する、請求項１２に記載の蒸着方法。
前記第１電子ブロック層及び前記第２電子ブロック層は、同一の蒸着チャンバーにおいて同一材料で形成し、
前記第１発光層及び前記第２発光層は、同一の蒸着チャンバーにおいて同一材料で形成し、
前記第１正孔ブロック層及び前記第２正孔ブロック層は、同一の蒸着チャンバーにおいて同一材料で形成する、請求項１２に記載の蒸着方法。
【請求項14】
前記第２チャンバー群を経由する際に、さらに、
前記上電極の上に第１透明層を形成し、
前記第１透明層の上に第２透明層を形成する、請求項１２に記載の蒸着方法。
前記上電極の上に第１透明層を形成し、
前記第１透明層の上に第２透明層を形成する、請求項１２に記載の蒸着方法。
【請求項15】
前記第１チャンバー群及び前記第２チャンバー群を経由する際の前記処理基板の搬送速度は、一定である、請求項１１に記載の蒸着方法。
【請求項16】
前記処理基板が前記第２チャンバー群を経由する際に、少なくとも１つの蒸着チャンバーでは、蒸着源から放射された材料が前記処理基板に蒸着されない、請求項１１に記載の蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、蒸着装置及び蒸着方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような複数の機能層を含む有機層を形成するための製造装置において、コストの削減、及び、設置スペースの縮小といった要求がある。
このような複数の機能層を含む有機層を形成するための製造装置において、コストの削減、及び、設置スペースの縮小といった要求がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、コストを削減し、設置スペースを縮小することが可能な蒸着装置及び蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、蒸着装置は、
処理基板が搬送される第１搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第１チャンバー群と、前記第１搬送方向とは逆向きの第２搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第２チャンバー群と、前記第１チャンバー群のうち前記第１搬送方向の最も上流に位置する第１蒸着チャンバー、及び、前記第２チャンバー群のうち前記第２搬送方向の最も下流に位置する第２蒸着チャンバーに連結され、前記第２蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を前記第１蒸着チャンバーに搬入するように前記処理基板を回転させる第１ローテーションチャンバーと、前記第１チャンバー群のうち前記第１搬送方向の最も下流に位置する第３蒸着チャンバー、及び、前記第２チャンバー群のうち前記第２搬送方向の最も上流に位置する第４蒸着チャンバーに連結され、前記第３蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を前記第４蒸着チャンバーに搬入するように前記処理基板を回転させる第２ローテーションチャンバーと、を備える。
処理基板が搬送される第１搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第１チャンバー群と、前記第１搬送方向とは逆向きの第２搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第２チャンバー群と、前記第１チャンバー群のうち前記第１搬送方向の最も上流に位置する第１蒸着チャンバー、及び、前記第２チャンバー群のうち前記第２搬送方向の最も下流に位置する第２蒸着チャンバーに連結され、前記第２蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を前記第１蒸着チャンバーに搬入するように前記処理基板を回転させる第１ローテーションチャンバーと、前記第１チャンバー群のうち前記第１搬送方向の最も下流に位置する第３蒸着チャンバー、及び、前記第２チャンバー群のうち前記第２搬送方向の最も上流に位置する第４蒸着チャンバーに連結され、前記第３蒸着チャンバーから搬出された前記処理基板を前記第４蒸着チャンバーに搬入するように前記処理基板を回転させる第２ローテーションチャンバーと、を備える。
【0006】
一実施形態によれば、蒸着方法は、
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、マスクを設置せずに前記処理基板を蒸着装置に搬入し、有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極を形成し、前記処理基板を前記蒸着装置から搬出し、前記蒸着装置において、搬入された前記処理基板は、第１ローテーションチャンバーを通過し、第１搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第１チャンバー群を経由し、第２ローテーションチャンバーにおいて１８０°回転され、前記第１搬送方向とは逆向きの第２搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第２チャンバー群を経由し、前記第１ローテーションチャンバーにおいて１８０°回転され、前記第１チャンバー群を経由し、第２ローテーションチャンバーにおいて１８０°回転され、前記第２チャンバー群を経由し、前記第１ローテーションチャンバーを通過して前記蒸着装置から搬出され、前記蒸着装置から搬出された処理基板において、前記隔壁の上に形成された前記有機層及び前記上電極は、前記開口において前記下電極の上に形成された前記有機層及び前記上電極から離間している。
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、マスクを設置せずに前記処理基板を蒸着装置に搬入し、有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極を形成し、前記処理基板を前記蒸着装置から搬出し、前記蒸着装置において、搬入された前記処理基板は、第１ローテーションチャンバーを通過し、第１搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第１チャンバー群を経由し、第２ローテーションチャンバーにおいて１８０°回転され、前記第１搬送方向とは逆向きの第２搬送方向に沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバーを有する第２チャンバー群を経由し、前記第１ローテーションチャンバーにおいて１８０°回転され、前記第１チャンバー群を経由し、第２ローテーションチャンバーにおいて１８０°回転され、前記第２チャンバー群を経由し、前記第１ローテーションチャンバーを通過して前記蒸着装置から搬出され、前記蒸着装置から搬出された処理基板において、前記隔壁の上に形成された前記有機層及び前記上電極は、前記開口において前記下電極の上に形成された前記有機層及び前記上電極から離間している。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0009】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0010】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0011】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0012】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0013】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0014】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0015】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。
【0016】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0017】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0018】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。
【0019】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0020】
なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0021】
表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。
【0022】
隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙと、を有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間、及び、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ１の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、及び、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。
【0023】
図２の例においては、第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0024】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１，２０２，２０３を備えている。
副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。
副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。
【0025】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0026】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を構成する。
【0027】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0028】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0029】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0030】
例えば、副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、青波長域の光を放つように構成される。また、副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、緑波長域の光を放つように構成され、また、副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、赤波長域の光を放つように構成される。
【0031】
図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、及び、電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、及び、電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
【0032】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。つまり、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、絶縁層１２とリブ５との間に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。
【0033】
隔壁６は、リブ５の上に配置された下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。上部６２のうち、下部６１よりも開口ＡＰ１に向かって突出した部分は突出部６２１と称し、下部６１よりも開口ＡＰ２に向かって突出した部分は突出部６２２と称し、下部６１よりも開口ＡＰ３に向かって突出した部分は突出部６２３と称する。
【0034】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１と対向するとともに、有機層ＯＲ１の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ１は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、上部６２よりも下方に位置している。
【0035】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ２は、下電極ＬＥ２と対向するとともに、有機層ＯＲ２の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ２は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、上部６２よりも下方に位置している。
【0036】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ３は、下電極ＬＥ３と対向するとともに、有機層ＯＲ３の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ３は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、上部６２よりも下方に位置している。
【0037】
図示した例では、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層（光学調整層）ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を含む。
キャップ層ＣＰ１は、開口ＡＰ１に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ１の上に配置されている。キャップ層ＣＰ２は、開口ＡＰ２に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ２の上に配置されている。キャップ層ＣＰ３は、開口ＡＰ３に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ１は、開口ＡＰ１に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ１の上に配置されている。キャップ層ＣＰ２は、開口ＡＰ２に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ２の上に配置されている。キャップ層ＣＰ３は、開口ＡＰ３に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
【0038】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ１は、隔壁６の突出部６２１の下方に、空隙を有していない。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、隔壁６の突出部６２２の下方に、空隙を有していない。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、隔壁６の突出部６２３の下方に、空隙を有していない。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１３により覆われている。
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ１は、隔壁６の突出部６２１の下方に、空隙を有していない。
封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、隔壁６の突出部６２２の下方に、空隙を有していない。
封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、隔壁６の突出部６２３の下方に、空隙を有していない。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１３により覆われている。
【0039】
図示した例では、有機層ＯＲ１の一部、上電極ＵＥ１の一部、及び、キャップ層ＣＰ１の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ１との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ２の一部、上電極ＵＥ２の一部、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ２との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ３の一部、上電極ＵＥ３の一部、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ３との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ２の一部、上電極ＵＥ２の一部、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ２との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ３の一部、上電極ＵＥ３の一部、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ３との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
【0040】
絶縁層１２は、有機絶縁層である。リブ５、及び、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁層である。
【0041】
リブ５は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、リブ５は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、リブ５と同一材料で形成される場合があり得る。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、リブ５と同一材料で形成される場合があり得る。
【0042】
隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成され、各上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の下部６１及び上部６２がいずれも導電材料によって形成されてもよい。
【0043】
リブ５の厚さは、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さは、２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）は、リブ５の厚さより大きい。
封止層ＳＥ１の厚さ、封止層ＳＥ２の厚さ、及び、封止層ＳＥ３の厚さは、ほぼ同等であり、例えば、１μｍ程度である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）は、リブ５の厚さより大きい。
封止層ＳＥ１の厚さ、封止層ＳＥ２の厚さ、及び、封止層ＳＥ３の厚さは、ほぼ同等であり、例えば、１μｍ程度である。
【0044】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料との積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。
【0045】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。また、有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。発光層ＥＭ２は、発光層ＥＭ１とは異なる材料で形成されている。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ３は、発光層ＥＭ１及びＥＭ２とは異なる材料で形成されている。
【0046】
発光層ＥＭ１を形成する材料、発光層ＥＭ２を形成する材料、及び、発光層ＥＭ３を形成する材料は、互いに異なる波長域の光を放つ材料である。
一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
【0047】
キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいてもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、省略してもよい。
【0048】
保護層１３は、透明な薄膜の多層体によって形成され、例えば、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいる。
【0049】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した各上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。
【0050】
下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの発光層ＥＭ１が青波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの発光層ＥＭ２が緑波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの発光層ＥＭ３が青波長域の光を放つ。
【0051】
次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。
【0052】
図４は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３を有する処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を形成する工程（ステップＳＴ２）と、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を形成する工程（ステップＳＴ３）と、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３を有する処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を形成する工程（ステップＳＴ２）と、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を形成する工程（ステップＳＴ３）と、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。
【0053】
ステップＳＴ１においては、まず、基板１０の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３、リブ５、及び、隔壁６を形成した処理基板ＳＵＢを用意する。図３に示したように、基板１０と下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３との間には、回路層１１及び絶縁層１２も形成される。
【0054】
ステップＳＴ２においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ１を含む第１薄膜３１を形成する（ステップＳＴ２１）。第１薄膜３１は、図３に示した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１の積層体である。その後、第１薄膜３１の上に所定の形状にパターニングされた第１レジスト４１を形成する（ステップＳＴ２２）。その後、第１レジスト４１をマスクとしたエッチングにより第１薄膜３１の一部を除去する（ステップＳＴ２３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３に配置された第１薄膜３１が除去される。その後、第１レジスト４１を除去する（ステップＳＴ２４）。これにより、副画素ＳＰ１が形成される。副画素ＳＰ１は、所定の形状の第１薄膜３１を有する表示素子２０１を備える。
【0055】
ステップＳＴ３においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ２を含む第２薄膜３２を形成する（ステップＳＴ３１）。第２薄膜３２は、図３に示した有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２の積層体である。その後、第２薄膜３２の上に所定の形状にパターニングされた第２レジスト４２を形成する（ステップＳＴ３２）。その後、第２レジスト４２をマスクとしたエッチングにより第２薄膜３２の一部を除去する（ステップＳＴ３３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３に配置された第２薄膜３２が除去される。その後、第２レジスト４２を除去する（ステップＳＴ３４）。これにより、副画素ＳＰ２が形成される。副画素ＳＰ２は、所定の形状の第２薄膜３２を有する表示素子２０２を備える。
【0056】
ステップＳＴ４においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ３を含む第３薄膜３３を形成する（ステップＳＴ４１）。第３薄膜３３は、図３に示した有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３の積層体である。その後、第３薄膜３３の上に所定の形状にパターニングされた第３レジスト４３を形成する（ステップＳＴ４２）。その後、第３レジスト４３をマスクとしたエッチングにより第３薄膜３３の一部を除去する（ステップＳＴ４３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２に配置された第３薄膜３３が除去される。その後、第３レジスト４３を除去する（ステップＳＴ４４）。これにより、副画素ＳＰ３が形成される。副画素ＳＰ３は、所定の形状の第３薄膜３３を有する表示素子２０３を備える。
【0057】
なお、第２薄膜３２、第２レジスト４２、第３薄膜３３、及び、第３レジスト４３の詳細な図示は省略する。
【0058】
【0059】
まず、ステップＳＴ１においては、図５に示すように、処理基板ＳＵＢを用意する。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、基板１０の上に回路層１１を形成する工程と、回路層１１の上に絶縁層１２を形成する工程と、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する工程と、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々と重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５を形成する工程と、リブ５の上に配置された下部６１及び下部６１の上に配置され下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６を形成する工程と、を含む。リブ５は、例えばシリコン窒化物で形成される。隔壁６のうち、少なくとも下部６１は、導電材料で形成する。なお、図６乃至図９の各図においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。
【0060】
続いて、ステップＳＴ２１においては、図６に示すように、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、第１薄膜３１を形成する。第１薄膜３１を形成する工程は、処理基板ＳＵＢの上に、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１を形成する工程と、有機層ＯＲ１の上に上電極ＵＥ１を形成する工程と、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１を形成する工程と、キャップ層ＣＰ１の上に封止層ＳＥ１を形成する工程と、を含む。つまり、図示した例では、第１薄膜３１は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１を含む。
【0061】
有機層ＯＲ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の上にそれぞれ形成されるとともに、隔壁６の上にも形成されている。有機層ＯＲ１のうち、上部６２の上に形成された部分は、各下電極の上に形成された部分から離間している。有機層ＯＲ１の各種機能層及び発光層ＥＭ１は、蒸着法により形成される。
【0062】
上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、有機層ＯＲ１の上にそれぞれ形成され、リブ５を覆い、隔壁６の下部６１に接している。また、上電極ＵＥ１は、上部６２の直上において、有機層ＯＲ１の上にも形成されている。上電極ＵＥ１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分から離間している。上電極ＵＥ１は、蒸着法により形成される。
【0063】
キャップ層ＣＰ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、上電極ＵＥ１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、上電極ＵＥ１の上にも形成されている。キャップ層ＣＰ１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分から離間している。キャップ層ＣＰ１に含まれる第１透明層及び第２透明層は、蒸着法により形成される。
【0064】
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６を覆うように形成されている。つまり、封止層ＳＥ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、キャップ層ＣＰ１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、キャップ層ＣＰ１の上にも形成されている。封止層ＳＥ１において、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分と繋がっている。封止層ＳＥ１は、ＣＶＤ法により形成される。上電極ＵＥ１はリブ５と封止層ＳＥ１との間に介在し、封止層ＳＥ１はリブ５から離間している。
【0065】
続いて、ステップＳＴ２２においては、図７に示すように、封止層ＳＥ１の上のパターニングした第１レジスト４１を形成する。第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１の第１薄膜３１を覆い、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を露出する。つまり、第１レジスト４１は、下電極ＬＥ１の直上に位置する封止層ＳＥ１に重なっている。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１から隔壁６の上方に延出している。副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上において、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１側（図の左側）に配置され、副画素ＳＰ２側（図の右側）では封止層ＳＥ１を露出している。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３において、封止層ＳＥ１を露出している。
【0066】
その後、ステップＳＴ２３においては、図８に示すように、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を除去し、副画素ＳＰ１に第１薄膜３１が残留する。
【0067】
第１薄膜３１を除去する工程は、例えば、以下の通りである。
まず、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、封止層ＳＥ１から露出したキャップ層ＣＰ１の第２透明層を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第２透明層から露出したキャップ層ＣＰ１の第１透明層を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、第１透明層から露出した上電極ＵＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、上電極ＵＥ１から露出した有機層ＯＲ１を除去する。
これにより、副画素ＳＰ２において下電極ＬＥ２が露出し、また、下電極ＬＥ２を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ３において下電極ＬＥ３が露出し、また、下電極ＬＥ３を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６において、副画素ＳＰ２側が露出する。また、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６が露出する。
まず、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、封止層ＳＥ１から露出したキャップ層ＣＰ１の第２透明層を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第２透明層から露出したキャップ層ＣＰ１の第１透明層を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、第１透明層から露出した上電極ＵＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、上電極ＵＥ１から露出した有機層ＯＲ１を除去する。
これにより、副画素ＳＰ２において下電極ＬＥ２が露出し、また、下電極ＬＥ２を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ３において下電極ＬＥ３が露出し、また、下電極ＬＥ３を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６において、副画素ＳＰ２側が露出する。また、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６が露出する。
【0068】
その後、ステップＳＴ２４においては、図９に示すように、第１レジスト４１を除去する。これにより、副画素ＳＰ１の封止層ＳＥ１が露出する。これらのステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４を経て、副画素ＳＰ１において、表示素子２０１が形成される。表示素子２０１は、下電極ＬＥ１、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１によって構成される。また、表示素子２０１は、封止層ＳＥ１によって覆われている。
【0069】
副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６上には、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１の積層体が形成される。また、隔壁６のうち、副画素ＳＰ１の側の部分は、封止層ＳＥ１で覆われる。なお、図９に示した隔壁６上の積層体は、完全に除去される場合があり得る。
【0070】
図４に示したステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４は、上記のステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４と同様である。これらのステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４を経て、図３に示した副画素ＳＰ２において、表示素子２０２が形成される。表示素子２０２は、下電極ＬＥ２、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２によって構成される。また、表示素子２０２は、封止層ＳＥ２によって覆われている。
【0071】
また、図４に示したステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４も、上記のステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４と同様である。これらのステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４を経て、図３に示した副画素ＳＰ３において、表示素子２０３が形成される。表示素子２０３は、下電極ＬＥ３、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３によって構成される。また、表示素子２０３は、封止層ＳＥ３によって覆われている。
【0072】
図１０は、表示素子２０１乃至２０３の構成の一例を示す図である。
なお、ここでは、下電極がアノードに相当し、上電極がカソードに相当する場合を例について説明する。
なお、ここでは、下電極がアノードに相当し、上電極がカソードに相当する場合を例について説明する。
【0073】
表示素子２０１は、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に有機層ＯＲ１を含む。
有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１、電子ブロック層ＥＢＬ１、発光層ＥＭ１、正孔ブロック層ＨＢＬ１、電子輸送層ＥＴＬ１、及び、電子注入層ＥＩＬ１は、この順に積層されている。
キャップ層ＣＰ１は、第１透明層ＴＬ１１及び第２透明層ＴＬ１２を含む。第１透明層ＴＬ１１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。第２透明層ＴＬ１２は、第１透明層ＴＬ１１の上に配置されている。封止層ＳＥ１は、第２透明層ＴＬ１２の上に配置されている。
有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１、電子ブロック層ＥＢＬ１、発光層ＥＭ１、正孔ブロック層ＨＢＬ１、電子輸送層ＥＴＬ１、及び、電子注入層ＥＩＬ１は、この順に積層されている。
キャップ層ＣＰ１は、第１透明層ＴＬ１１及び第２透明層ＴＬ１２を含む。第１透明層ＴＬ１１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。第２透明層ＴＬ１２は、第１透明層ＴＬ１１の上に配置されている。封止層ＳＥ１は、第２透明層ＴＬ１２の上に配置されている。
【0074】
表示素子２０２は、下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に有機層ＯＲ２を含む。
有機層ＯＲ２において、正孔注入層ＨＩＬ２、正孔輸送層ＨＴＬ２、電子ブロック層ＥＢＬ２、発光層ＥＭ２、正孔ブロック層ＨＢＬ２、電子輸送層ＥＴＬ２、及び、電子注入層ＥＩＬ２は、この順に積層されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ２の厚さＴ２は、正孔輸送層ＨＴＬ１の厚さＴ１より大きい。
キャップ層ＣＰ２は、第１透明層ＴＬ２１及び第２透明層ＴＬ２２を含む。第１透明層ＴＬ２１は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。第２透明層ＴＬ２２は、第１透明層ＴＬ２１の上に配置されている。封止層ＳＥ２は、第２透明層ＴＬ２２の上に配置されている。
有機層ＯＲ２において、正孔注入層ＨＩＬ２、正孔輸送層ＨＴＬ２、電子ブロック層ＥＢＬ２、発光層ＥＭ２、正孔ブロック層ＨＢＬ２、電子輸送層ＥＴＬ２、及び、電子注入層ＥＩＬ２は、この順に積層されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ２の厚さＴ２は、正孔輸送層ＨＴＬ１の厚さＴ１より大きい。
キャップ層ＣＰ２は、第１透明層ＴＬ２１及び第２透明層ＴＬ２２を含む。第１透明層ＴＬ２１は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。第２透明層ＴＬ２２は、第１透明層ＴＬ２１の上に配置されている。封止層ＳＥ２は、第２透明層ＴＬ２２の上に配置されている。
【0075】
表示素子２０３は、下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に有機層ＯＲ３を含む。
有機層ＯＲ３において、正孔注入層ＨＩＬ３、正孔輸送層ＨＴＬ３、電子ブロック層ＥＢＬ３、発光層ＥＭ３、正孔ブロック層ＨＢＬ３、電子輸送層ＥＴＬ３、及び、電子注入層ＥＩＬ３は、この順に積層されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ３の厚さＴ３は、正孔輸送層ＨＴＬ２の厚さＴ２より大きい。
キャップ層ＣＰ３は、第１透明層ＴＬ３１及び第２透明層ＴＬ３２を含む。第１透明層ＴＬ３１は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。第２透明層ＴＬ３２は、第１透明層ＴＬ３１の上に配置されている。封止層ＳＥ３は、第２透明層ＴＬ３２の上に配置されている。
有機層ＯＲ３において、正孔注入層ＨＩＬ３、正孔輸送層ＨＴＬ３、電子ブロック層ＥＢＬ３、発光層ＥＭ３、正孔ブロック層ＨＢＬ３、電子輸送層ＥＴＬ３、及び、電子注入層ＥＩＬ３は、この順に積層されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ３の厚さＴ３は、正孔輸送層ＨＴＬ２の厚さＴ２より大きい。
キャップ層ＣＰ３は、第１透明層ＴＬ３１及び第２透明層ＴＬ３２を含む。第１透明層ＴＬ３１は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。第２透明層ＴＬ３２は、第１透明層ＴＬ３１の上に配置されている。封止層ＳＥ３は、第２透明層ＴＬ３２の上に配置されている。
【0076】
第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１は、例えば有機材料によって形成された有機層であり、また、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３よりも大きい屈折率を有する高屈折率層である。
第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２は、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）などの無機材料によって形成された無機層であり、第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１よりも小さい屈折率を有する低屈折率層である。
なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、３層以上の積層体であってもよい。
第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２は、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）などの無機材料によって形成された無機層であり、第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１よりも小さい屈折率を有する低屈折率層である。
なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、３層以上の積層体であってもよい。
【0077】
本明細書において、図１０に示す表示素子２０１乃至２０３の構成をシングル構成と称する。
【0078】
図１１は、表示素子２０１乃至２０３の構成の他の例を示す図である。
なお、ここでは、下電極がアノードに相当し、上電極がカソードに相当する場合を例について説明する。
なお、ここでは、下電極がアノードに相当し、上電極がカソードに相当する場合を例について説明する。
【0079】
表示素子２０１は、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に有機層ＯＲ１を含む。
有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１１、電子ブロック層ＥＢＬ１１、発光層ＥＭ１１、正孔ブロック層ＨＢＬ１１、ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ１、ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１２、電子ブロック層ＥＢＬ１２、発光層ＥＭ１２、正孔ブロック層ＨＢＬ１２、電子輸送層ＥＴＬ１、及び、電子注入層ＥＩＬ１は、この順に積層されている。
正孔輸送層ＨＴＬ１１及びＨＴＬ１２は、同一材料によって形成されている。
電子ブロック層ＥＢＬ１１及びＥＢＬ１２は、同一材料によって形成されている。
発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２は、同一材料によって形成されている。
正孔ブロック層ＨＢＬ１１及びＨＢＬ１２は、同一材料によって形成されている。
ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ１は、発光層ＥＭ１１に電子を供給する機能層である。
ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１は、発光層ＥＭ１２に正孔を供給する機能層である。
第１透明層ＴＬ１１及び第２透明層ＴＬ１２を含むキャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。封止層ＳＥ１は、第２透明層ＴＬ１２の上に配置されている。
有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１１、電子ブロック層ＥＢＬ１１、発光層ＥＭ１１、正孔ブロック層ＨＢＬ１１、ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ１、ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１２、電子ブロック層ＥＢＬ１２、発光層ＥＭ１２、正孔ブロック層ＨＢＬ１２、電子輸送層ＥＴＬ１、及び、電子注入層ＥＩＬ１は、この順に積層されている。
正孔輸送層ＨＴＬ１１及びＨＴＬ１２は、同一材料によって形成されている。
電子ブロック層ＥＢＬ１１及びＥＢＬ１２は、同一材料によって形成されている。
発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２は、同一材料によって形成されている。
正孔ブロック層ＨＢＬ１１及びＨＢＬ１２は、同一材料によって形成されている。
ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ１は、発光層ＥＭ１１に電子を供給する機能層である。
ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１は、発光層ＥＭ１２に正孔を供給する機能層である。
第１透明層ＴＬ１１及び第２透明層ＴＬ１２を含むキャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。封止層ＳＥ１は、第２透明層ＴＬ１２の上に配置されている。
【0080】
表示素子２０２は、下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に有機層ＯＲ２を含む。
有機層ＯＲ２において、正孔注入層ＨＩＬ２、正孔輸送層ＨＴＬ２１、電子ブロック層ＥＢＬ２１、発光層ＥＭ２１、正孔ブロック層ＨＢＬ２１、ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ２、ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ２、正孔輸送層ＨＴＬ２２、電子ブロック層ＥＢＬ２２、発光層ＥＭ２２、正孔ブロック層ＨＢＬ２２、電子輸送層ＥＴＬ２、及び、電子注入層ＥＩＬ２は、この順に積層されている。
正孔輸送層ＨＴＬ２１及びＨＴＬ２２は、同一材料によって形成されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ２１の厚さＴ２１は正孔輸送層ＨＴＬ１１の厚さＴ１１より大きく、正孔輸送層ＨＴＬ２２の厚さＴ２２は正孔輸送層ＨＴＬ１２の厚さＴ１２より大きい。
電子ブロック層ＥＢＬ２１及びＥＢＬ２２は、同一材料によって形成されている。
発光層ＥＭ２１及びＥＭ２２は、同一材料によって形成されている。発光層ＥＭ２１及びＥＭ２２の材料は、発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２の材料とは異なる。
正孔ブロック層ＨＢＬ２１及びＨＢＬ２２は、同一材料によって形成されている。
ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ２は、発光層ＥＭ２１に電子を供給する機能層である。
ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ２は、発光層ＥＭ２２に正孔を供給する機能層である。
第１透明層ＴＬ２１及び第２透明層ＴＬ２２を含むキャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。封止層ＳＥ２は、第２透明層ＴＬ２２の上に配置されている。
有機層ＯＲ２において、正孔注入層ＨＩＬ２、正孔輸送層ＨＴＬ２１、電子ブロック層ＥＢＬ２１、発光層ＥＭ２１、正孔ブロック層ＨＢＬ２１、ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ２、ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ２、正孔輸送層ＨＴＬ２２、電子ブロック層ＥＢＬ２２、発光層ＥＭ２２、正孔ブロック層ＨＢＬ２２、電子輸送層ＥＴＬ２、及び、電子注入層ＥＩＬ２は、この順に積層されている。
正孔輸送層ＨＴＬ２１及びＨＴＬ２２は、同一材料によって形成されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ２１の厚さＴ２１は正孔輸送層ＨＴＬ１１の厚さＴ１１より大きく、正孔輸送層ＨＴＬ２２の厚さＴ２２は正孔輸送層ＨＴＬ１２の厚さＴ１２より大きい。
電子ブロック層ＥＢＬ２１及びＥＢＬ２２は、同一材料によって形成されている。
発光層ＥＭ２１及びＥＭ２２は、同一材料によって形成されている。発光層ＥＭ２１及びＥＭ２２の材料は、発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２の材料とは異なる。
正孔ブロック層ＨＢＬ２１及びＨＢＬ２２は、同一材料によって形成されている。
ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ２は、発光層ＥＭ２１に電子を供給する機能層である。
ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ２は、発光層ＥＭ２２に正孔を供給する機能層である。
第１透明層ＴＬ２１及び第２透明層ＴＬ２２を含むキャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。封止層ＳＥ２は、第２透明層ＴＬ２２の上に配置されている。
【0081】
表示素子２０３は、下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に有機層ＯＲ３を含む。
有機層ＯＲ３において、正孔注入層ＨＩＬ３、正孔輸送層ＨＴＬ３１、電子ブロック層ＥＢＬ３１、発光層ＥＭ３１、正孔ブロック層ＨＢＬ３１、ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ３、ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ３、正孔輸送層ＨＴＬ３２、電子ブロック層ＥＢＬ３２、発光層ＥＭ３２、正孔ブロック層ＨＢＬ３２、電子輸送層ＥＴＬ３、及び、電子注入層ＥＩＬ３は、この順に積層されている。
正孔輸送層ＨＴＬ３１及びＨＴＬ３２は、同一材料によって形成されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ３１の厚さＴ３１は正孔輸送層ＨＴＬ２１の厚さＴ２１より大きく、正孔輸送層ＨＴＬ３２の厚さＴ３２は正孔輸送層ＨＴＬ２２の厚さＴ２２より大きい。
電子ブロック層ＥＢＬ３１及びＥＢＬ３２は、同一材料によって形成されている。
発光層ＥＭ３１及びＥＭ３２は、同一材料によって形成されている。発光層ＥＭ３１及びＥＭ３２の材料は、発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２の材料とは異なり、発光層ＥＭ２１及びＥＭ２２の材料とは異なる。
正孔ブロック層ＨＢＬ３１及びＨＢＬ３２は、同一材料によって形成されている。
ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ３は、発光層ＥＭ３１に電子を供給する機能層である。
ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ３は、発光層ＥＭ３２に正孔を供給する機能層である。
第１透明層ＴＬ３１及び第２透明層ＴＬ３２を含むキャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。封止層ＳＥ３は、第２透明層ＴＬ３２の上に配置されている。
有機層ＯＲ３において、正孔注入層ＨＩＬ３、正孔輸送層ＨＴＬ３１、電子ブロック層ＥＢＬ３１、発光層ＥＭ３１、正孔ブロック層ＨＢＬ３１、ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ３、ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ３、正孔輸送層ＨＴＬ３２、電子ブロック層ＥＢＬ３２、発光層ＥＭ３２、正孔ブロック層ＨＢＬ３２、電子輸送層ＥＴＬ３、及び、電子注入層ＥＩＬ３は、この順に積層されている。
正孔輸送層ＨＴＬ３１及びＨＴＬ３２は、同一材料によって形成されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ３１の厚さＴ３１は正孔輸送層ＨＴＬ２１の厚さＴ２１より大きく、正孔輸送層ＨＴＬ３２の厚さＴ３２は正孔輸送層ＨＴＬ２２の厚さＴ２２より大きい。
電子ブロック層ＥＢＬ３１及びＥＢＬ３２は、同一材料によって形成されている。
発光層ＥＭ３１及びＥＭ３２は、同一材料によって形成されている。発光層ＥＭ３１及びＥＭ３２の材料は、発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２の材料とは異なり、発光層ＥＭ２１及びＥＭ２２の材料とは異なる。
正孔ブロック層ＨＢＬ３１及びＨＢＬ３２は、同一材料によって形成されている。
ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ３は、発光層ＥＭ３１に電子を供給する機能層である。
ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ３は、発光層ＥＭ３２に正孔を供給する機能層である。
第１透明層ＴＬ３１及び第２透明層ＴＬ３２を含むキャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。封止層ＳＥ３は、第２透明層ＴＬ３２の上に配置されている。
【0082】
本明細書において、図１１に示す表示素子２０１乃至２０３の構成をタンデム構成と称する。
【0083】
次に、表示素子の有機層及び上電極を形成するための蒸着装置について説明する。ここでは、一例として、表示素子２０１の有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１を形成するための蒸着装置１００について説明する。なお、表示素子２０２の有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２を形成するための蒸着装置、及び、表示素子２０３の有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３を形成するための蒸着装置についても、ここに説明する蒸着装置１００と同様に構成することができる。
【0084】
図１２は、蒸着装置１００の一構成例を説明するための図である。この蒸着装置１００は、図４及び図６を参照して説明した第１薄膜３１を形成する工程のうち、有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１を形成するのに適用される。
【0085】
蒸着装置１００は、ロードロックチャンバー１１０と、搬送チャンバー１２０と、基板脱着チャンバー１３０と、第１ローテーションチャンバー１４０と、蒸着部１５０と、第２ローテーションチャンバー１７０と、を備えている。
【0086】
ロードロックチャンバー１１０においては、例えば図５を参照して説明した処理基板ＳＵＢが投入された後に、真空ポンプを用いて減圧される。搬送チャンバー１２０、基板脱着チャンバー１３０、第１ローテーションチャンバー１４０、蒸着部１５０、及び、第２ローテーションチャンバー１７０においては、所定の減圧状態に維持されている。
【0087】
搬送チャンバー１２０は、ロードロックチャンバー１１０に連結されている。搬送チャンバー１２０は、後述するが、ロードロックチャンバー１１０に投入された処理基板ＳＵＢを基板脱着チャンバー１３０に搬送する基板搬送ロボットを備えている。
【0088】
基板脱着チャンバー１３０は、第１ローテーションチャンバー１４０に連結されている。基板脱着チャンバー１３０は、後述するが、搬入された処理基板ＳＵＢを専用のキャリアに装着してキャリアを第１ローテーションチャンバー１４０に搬出したり、第１ローテーションチャンバー１４０から搬出されたキャリアから処理基板ＳＵＢを取り外したりする機構を備えている。
【0089】
蒸着部１５０は、第１チャンバー群１５０Ａと、第２チャンバー群１５０Ｂと、を備えている。第１チャンバー群１５０Ａは、処理基板ＳＵＢが搬送される第１搬送方向ＴＡに沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバー１５１乃至１５５を有している。これらの蒸着チャンバー１５１乃至１５５は、互いに連結されている。第２チャンバー群１５０Ｂは、第１搬送方向ＴＡとは逆向きの第２搬送方向ＴＢに沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバー１５６乃至１６０を有している。これらの蒸着チャンバー１５６乃至１６０は、互いに連結されている。
【0090】
図示した例では、蒸着部１５０は、１０個の蒸着チャンバー１５１乃至１６０を備えている。これらの１０個の蒸着チャンバー１５１乃至１６０は、５＊２のマトリクス状に配列されている。
【0091】
蒸着チャンバー１５１は、正孔注入層ＨＩＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５２は、正孔輸送層ＨＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５３は、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５４は、発光層ＥＭ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５５は、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５２は、正孔輸送層ＨＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５３は、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５４は、発光層ＥＭ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５５は、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するように構成されている。
【0092】
蒸着チャンバー１５６は、ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５７は、ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５８は、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５９は、電子注入層ＥＩＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１６０は、上電極ＵＥ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５７は、ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５８は、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５９は、電子注入層ＥＩＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１６０は、上電極ＵＥ１を形成するように構成されている。
【0093】
第１ローテーションチャンバー１４０は、第１チャンバー群１５０Ａのうち第１搬送方向ＴＡの最も上流に位置する蒸着チャンバー１５１、及び、第２チャンバー群１５０Ｂのうち、第２搬送方向ＴＢの最も下流に位置する蒸着チャンバー１６０に連結されている。第１ローテーションチャンバー１４０は、蒸着チャンバー１６０から搬出された処理基板ＳＵＢを蒸着チャンバー１５１に搬入するように、処理基板ＳＵＢを回転させる機構を備えている。
【0094】
第２ローテーションチャンバー１７０は、第１チャンバー群１５０Ａのうち第１搬送方向ＴＡの最も下流に位置する蒸着チャンバー１５５、及び、第２チャンバー群１５０Ｂのうち、第２搬送方向ＴＢの最も上流に位置する蒸着チャンバー１５６に連結されている。第２ローテーションチャンバー１７０は、蒸着チャンバー１５５から搬出された処理基板ＳＵＢを蒸着チャンバー１５６に搬入するように、処理基板ＳＵＢを回転させる機構を備えている。
【0095】
図１２に示す構成例においては、例えば、蒸着チャンバー１５１は第１蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバー１６０は第２蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバー１５５は第３蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバー１５６は第４蒸着チャンバーに相当する。
【0096】
【0097】
搬送チャンバー１２０は、基板搬送ロボット１２１を備えている。基板搬送ロボット１２１は、回転軸ＡＸ１２０を中心に回転可能に構成されている。回転軸ＡＸ１２０は、例えば、水平面に対する法線に平行である。基板搬送ロボット１２１のアーム１２２は、伸縮自在であり、その先端部で処理基板ＳＵＢを支持するように構成されている。
【0098】
このような構成の基板搬送ロボット１２１は、まず、ロードロックチャンバー１１０にアーム１２２の先端部を挿入し、処理基板ＳＵＢを支持し、搬送チャンバー１２０に処理基板ＳＵＢを引き込む。そして、基板搬送ロボット１２１は、回転軸ＡＸ１２０を中心として水平面内で１８０°回転し、アーム１２２の先端部を基板脱着チャンバー１３０に挿入し、処理基板ＳＵＢをキャリアＣＲの上に配置し、アーム１２２を引き戻す。これにより、処理基板ＳＵＢがキャリアＣＲの上に載置される。処理基板ＳＵＢは、静電チャックによりキャリアＣＲに固定される。このとき、処理基板ＳＵＢ及びキャリアＣＲは、水平面に平行である。
【0099】
【0100】
搬送レールＲ０は、基板脱着チャンバー１３０及び第１ローテーションチャンバー１４０に亘って延出し、基板脱着チャンバー１３０と第１ローテーションチャンバー１４０との間でキャリアＣＲを搬送するように構成されている。
【0101】
基板脱着チャンバー１３０は、縦起こし機構１３１を備えている。縦起こし機構１３１は、回転軸ＡＸ１３０を中心に回転可能に構成されている。回転軸ＡＸ１３０は、水平面に平行である。
【0102】
縦起こし機構１３１は、回転軸ＡＸ１３０を中心として９０°回転し、キャリアＣＲに固定された処理基板ＳＵＢを垂直に立ち上げる。そして、縦起こし機構１３１は、搬送レールＲ０の上にキャリアＣＲを配置する。そして、キャリアＣＲ及び処理基板ＳＵＢは、搬送レールＲ０に沿って、第１ローテーションチャンバー１４０に搬送される。
【0103】
また、縦起こし機構１３１は、第１ローテーションチャンバー１４０から搬送されたキャリアＣＲを受け取り、回転軸ＡＸ１３０を中心として９０°回転し、キャリアＣＲに固定された処理基板ＳＵＢを水平面に平行とする。その後、処理基板ＳＵＢは、静電チャックによる固定が解除され、基板搬送ロボット１２１により基板脱着チャンバー１３０から搬出される。
【0104】
第１ローテーションチャンバー１４０は、回転機構１４１を備えている。回転機構１４１は、回転軸ＡＸ１４０を中心に回転可能に構成されている。回転軸ＡＸ１４０は、水平面に対する法線に平行である。
【0105】
回転機構１４１は、処理基板ＳＵＢ及びキャリアＣＲが蒸着チャンバー１６０から搬出されると、回転軸ＡＸ１４０を中心として水平面内で１８０°回転する。その後、処理基板ＳＵＢ及びキャリアＣＲは、蒸着チャンバー１５１に向けて搬出される。あるいは、処理基板ＳＵＢ及びキャリアＣＲは、基板脱着チャンバー１３０に向けて搬出される。
【0106】
なお、第２ローテーションチャンバー１７０も、第１ローテーションチャンバー１４０と同様の回転機構を備えている。
【0107】
【0108】
第１搬送レールＲ１は、蒸着チャンバー１５１から蒸着チャンバー１５５に亘って延出し、処理基板ＳＵＢが装着されたキャリアＣＲを搬送するように構成されている。
第２搬送レールＲ２は、蒸着チャンバー１５６から蒸着チャンバー１６０に亘って延出し、処理基板ＳＵＢが装着されたキャリアＣＲを搬送するように構成されている。
第２搬送レールＲ２は、蒸着チャンバー１５６から蒸着チャンバー１６０に亘って延出し、処理基板ＳＵＢが装着されたキャリアＣＲを搬送するように構成されている。
【0109】
蒸着チャンバー１５１乃至１６０の各々は、蒸着源と、仕切り板と、を備えている。
具体的には、蒸着チャンバー１５１は、蒸着源Ｓ１と、仕切り板Ｐ１と、を備えている。仕切り板Ｐ１は、蒸着チャンバー１５１の第１空間１５１Ａと第２空間１５１Ｂとを仕切っている。蒸着源Ｓ１は、第１空間１５１Ａに収容されている。第２空間１５１Ｂは、キャリアＣＲとともに処理基板ＳＵＢが搬送される空間であり、第１搬送レールＲ１が設けられている。蒸着源Ｓ１は、正孔注入層ＨＩＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
具体的には、蒸着チャンバー１５１は、蒸着源Ｓ１と、仕切り板Ｐ１と、を備えている。仕切り板Ｐ１は、蒸着チャンバー１５１の第１空間１５１Ａと第２空間１５１Ｂとを仕切っている。蒸着源Ｓ１は、第１空間１５１Ａに収容されている。第２空間１５１Ｂは、キャリアＣＲとともに処理基板ＳＵＢが搬送される空間であり、第１搬送レールＲ１が設けられている。蒸着源Ｓ１は、正孔注入層ＨＩＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0110】
蒸着チャンバー１５２は、蒸着源Ｓ２と、仕切り板Ｐ２と、を備えている。蒸着源Ｓ２は、第１空間１５２Ａに収容され、正孔輸送層ＨＴＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0111】
蒸着チャンバー１５３は、蒸着源Ｓ３と、仕切り板Ｐ３と、を備えている。蒸着源Ｓ３は、第１空間１５３Ａに収容され、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0112】
蒸着チャンバー１５４は、蒸着源Ｓ４と、仕切り板Ｐ４と、を備えている。蒸着源Ｓ４は、第１空間１５４Ａに収容され、発光層ＥＭ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0113】
蒸着チャンバー１５５は、蒸着源Ｓ５と、仕切り板Ｐ５と、を備えている。蒸着源Ｓ５は、第１空間１５５Ａに収容され、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0114】
第１搬送レールＲ１は、蒸着チャンバー１５１乃至１５５の各々の第２空間１５１Ｂ乃至１５５Ｂに設けられている。これにより、キャリアＣＲは、蒸着チャンバー１５１から蒸着チャンバー１５５まで連続的に搬送される。
【0115】
蒸着チャンバー１５６は、蒸着源Ｓ６と、仕切り板Ｐ６と、を備えている。蒸着源Ｓ６は、第１空間１５６Ａに収容され、ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0116】
蒸着チャンバー１５７は、蒸着源Ｓ７と、仕切り板Ｐ７と、を備えている。蒸着源Ｓ７は、第１空間１５７Ａに収容され、ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0117】
蒸着チャンバー１５８は、蒸着源Ｓ８と、仕切り板Ｐ８と、を備えている。蒸着源Ｓ８は、第１空間１５８Ａに収容され、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0118】
蒸着チャンバー１５９は、蒸着源Ｓ９と、仕切り板Ｐ９と、を備えている。蒸着源Ｓ９は、第１空間１５９Ａに収容され、電子注入層ＥＩＬ１を形成するための材料を放射するように構成されている。
【0119】
蒸着チャンバー１６０は、蒸着源Ｓ１０と、仕切り板Ｐ１０と、を備えている。蒸着源Ｓ１０は、第１空間１６０Ａに収容され、上電極ＵＥ１を形成するための材料（例えば、マグネシウム及び銀の混合物）を放射するように構成されている。
【0120】
第２搬送レールＲ２は、蒸着チャンバー１５６乃至１６０の各々の第２空間１５６Ｂ乃至１６０Ｂに設けられている。これにより、キャリアＣＲは、蒸着チャンバー１５６から蒸着チャンバー１６０まで連続的に搬送される。
【0121】
蒸着源Ｓ１乃至Ｓ１０の各々は、蒸着部１５０が稼働している間、材料を加熱し、気化させ、連続的に材料を放射するように構成されている。蒸着源Ｓ１乃至Ｓ１０の各々から放射される材料は、互いに異なるものである。蒸着源は、放射した材料を処理基板ＳＵＢに蒸着しないモードでは、吐出口を第１空間に向けている。また、蒸着源は、放射した材料を処理基板ＳＵＢに蒸着するモードでは、吐出口を第２空間に向けている。
【0122】
例えば、蒸着チャンバー１５１において、蒸着源Ｓ１は、回転軸ＡＸ１を中心に回転可能に構成されている。この蒸着源Ｓ１は、回転軸ＡＸ１に沿って延出している。仕切り板Ｐ１は、点線で示す開口ＯＰ１を有している。開口ＯＰ１は、蒸着源Ｓ１と対向している。
図示した例では、蒸着源Ｓ１は、放射した材料を処理基板ＳＵＢに蒸着するモードに設定されており、吐出口ＳＡ１が第２空間１５１Ｂを向いている。これにより、蒸着源Ｓ１から放射された材料は、キャリアＣＲとともに搬送された処理基板ＳＵＢに蒸着される。
図示した例では、蒸着源Ｓ１は、放射した材料を処理基板ＳＵＢに蒸着するモードに設定されており、吐出口ＳＡ１が第２空間１５１Ｂを向いている。これにより、蒸着源Ｓ１から放射された材料は、キャリアＣＲとともに搬送された処理基板ＳＵＢに蒸着される。
【0123】
例えば、蒸着チャンバー１６０において、蒸着源Ｓ１０は、回転軸ＡＸ１０を中心に回転可能に構成されている。この蒸着源Ｓ１０は、回転軸ＡＸ１０に沿って延出している。仕切り板Ｐ１０は、点線で示す開口ＯＰ１０を有している。開口ＯＰ１０は、蒸着源Ｓ１０と対向している。
図示した例では、蒸着源Ｓ１０は、放射した材料を処理基板ＳＵＢに蒸着しないモードに設定されており、吐出口ＳＡ１０が第１空間１６０Ａを向いている。これにより、蒸着源Ｓ１０から放射された材料は、キャリアＣＲとともに搬送された処理基板ＳＵＢには蒸着されない。
図示した例では、蒸着源Ｓ１０は、放射した材料を処理基板ＳＵＢに蒸着しないモードに設定されており、吐出口ＳＡ１０が第１空間１６０Ａを向いている。これにより、蒸着源Ｓ１０から放射された材料は、キャリアＣＲとともに搬送された処理基板ＳＵＢには蒸着されない。
【0124】
【0125】
まず、図５を参照して説明した処理基板ＳＵＢを用意した後、ファインマスクを設置することなく処理基板ＳＵＢを蒸着装置１００のロードロックチャンバー１１０に投入する。
【0126】
処理基板ＳＵＢは、搬送チャンバー１２０及び基板脱着チャンバー１３０を経て、第１ローテーションチャンバー１４０を通過する。その後、処理基板ＳＵＢは、第１チャンバー群１５０Ａを経由し、第２ローテーションチャンバー１７０において１８０°回転され、第２チャンバー群１５０Ｂを経由する。
【0127】
処理基板ＳＵＢが第１チャンバー群１５０Ａを経由する際、蒸着チャンバー１５１において下電極ＬＥ１の上に正孔注入層ＨＩＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５２において正孔注入層ＨＩＬ１の上に正孔輸送層ＨＴＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５３において正孔輸送層ＨＴＬ１の上に電子ブロック層ＥＢＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５４において電子ブロック層ＥＢＬ１の上に発光層ＥＭ１を形成し、蒸着チャンバー１５５において発光層ＥＭ１の上に正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成する。
【0128】
処理基板ＳＵＢが第２チャンバー群１５０Ｂを経由する際、蒸着チャンバー１５６及び１５７においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５６及び１５７を通過する。
そして、蒸着チャンバー１５８において正孔ブロック層ＨＢＬ１の上に電子輸送層ＥＴＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５９において電子輸送層ＥＴＬ１の上に電子注入層ＥＩＬ１を形成し、蒸着チャンバー１６０において電子注入層ＥＩＬ１の上に上電極ＵＥ１を形成する。
そして、蒸着チャンバー１５８において正孔ブロック層ＨＢＬ１の上に電子輸送層ＥＴＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５９において電子輸送層ＥＴＬ１の上に電子注入層ＥＩＬ１を形成し、蒸着チャンバー１６０において電子注入層ＥＩＬ１の上に上電極ＵＥ１を形成する。
【0129】
その後、処理基板ＳＵＢは、第１ローテーションチャンバー１４０を通過し、基板脱着チャンバー１３０及び搬送チャンバー１２０を経て、ロードロックチャンバー１１０に戻され、蒸着装置１００から搬出される。
【0130】
蒸着装置１００から搬出された処理基板ＳＵＢにおいては、図６を参照して説明したように、隔壁６の上に形成された有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１において下電極ＬＥ１の上に形成された有機層ＯＲ１から離間している。隔壁６の上に形成された上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１の直上に形成された上電極ＵＥ１から離間している。
【0131】
【0132】
まず、図１７に示すように、ファインマスクを設置することなく処理基板ＳＵＢを蒸着装置１００のロードロックチャンバー１１０に投入する。
【0133】
処理基板ＳＵＢは、搬送チャンバー１２０及び基板脱着チャンバー１３０を経て、第１ローテーションチャンバー１４０を通過する。その後、処理基板ＳＵＢは、第１チャンバー群１５０Ａを経由し、第２ローテーションチャンバー１７０において１８０°回転され、第２チャンバー群１５０Ｂを経由する。
【0134】
処理基板ＳＵＢが第１チャンバー群１５０Ａを経由する際、蒸着チャンバー１５１において下電極ＬＥ１の上に正孔注入層ＨＩＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５２において正孔注入層ＨＩＬ１の上に正孔輸送層ＨＴＬ１１を形成し、蒸着チャンバー１５３において正孔輸送層ＨＴＬ１１の上に電子ブロック層ＥＢＬ１１を形成し、蒸着チャンバー１５４において電子ブロック層ＥＢＬ１１の上に発光層ＥＭ１１を形成し、蒸着チャンバー１５５において発光層ＥＭ１１の上に正孔ブロック層ＨＢＬ１１を形成する。
【0135】
処理基板ＳＵＢが第２チャンバー群１５０Ｂを経由する際、蒸着チャンバー１５６において正孔ブロック層ＨＢＬ１１の上にｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５７においてｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ１の上にｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１を形成する。
蒸着チャンバー１５８乃至１６０においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５８乃至１６０を通過する。
蒸着チャンバー１５８乃至１６０においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５８乃至１６０を通過する。
【0136】
その後、図１８に示すように、処理基板ＳＵＢは、第１ローテーションチャンバー１４０において１８０°回転され、第１チャンバー群１５０Ａを経由し、第２ローテーションチャンバー１７０において１８０°回転され、第２チャンバー群１５０Ｂを経由する。
【0137】
処理基板ＳＵＢが第１チャンバー群１５０Ａを経由する際、蒸着チャンバー１５１においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５１を通過する。
そして、蒸着チャンバー１５２においてｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１の上に正孔輸送層ＨＴＬ１２を形成し、蒸着チャンバー１５３において正孔輸送層ＨＴＬ１２の上に電子ブロック層ＥＢＬ１２を形成し、蒸着チャンバー１５４において電子ブロック層ＥＢＬ１２の上に発光層ＥＭ１２を形成し、蒸着チャンバー１５５において発光層ＥＭ１２の上に正孔ブロック層ＨＢＬ１２を形成する。
そして、蒸着チャンバー１５２においてｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１の上に正孔輸送層ＨＴＬ１２を形成し、蒸着チャンバー１５３において正孔輸送層ＨＴＬ１２の上に電子ブロック層ＥＢＬ１２を形成し、蒸着チャンバー１５４において電子ブロック層ＥＢＬ１２の上に発光層ＥＭ１２を形成し、蒸着チャンバー１５５において発光層ＥＭ１２の上に正孔ブロック層ＨＢＬ１２を形成する。
【0138】
処理基板ＳＵＢが第２チャンバー群１５０Ｂを経由する際、蒸着チャンバー１５６及び１５７においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５６及び１５７を通過する。
そして、蒸着チャンバー１５８において正孔ブロック層ＨＢＬ１２の上に電子輸送層ＥＴＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５９において電子輸送層ＥＴＬ１の上に電子注入層ＥＩＬ１を形成し、蒸着チャンバー１６０において電子注入層ＥＩＬ１の上に上電極ＵＥ１を形成する。
そして、蒸着チャンバー１５８において正孔ブロック層ＨＢＬ１２の上に電子輸送層ＥＴＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５９において電子輸送層ＥＴＬ１の上に電子注入層ＥＩＬ１を形成し、蒸着チャンバー１６０において電子注入層ＥＩＬ１の上に上電極ＵＥ１を形成する。
【0139】
その後、処理基板ＳＵＢは、第１ローテーションチャンバー１４０を通過し、基板脱着チャンバー１３０及び搬送チャンバー１２０を経て、ロードロックチャンバー１１０に戻され、蒸着装置１００から搬出される。
【0140】
蒸着装置１００から搬出された処理基板ＳＵＢにおいては、図６を参照して説明したように、隔壁６の上に形成された有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１において下電極ＬＥ１の上に形成された有機層ＯＲ１から離間している。また、隔壁６の上に形成された上電極ＵＥ１は、開口ＡＰ１において下電極ＬＥ１の直上に形成された上電極ＵＥ１から離間している。
【0141】
図示した例において、正孔輸送層ＨＴＬ１１は第１正孔輸送層に相当し、正孔輸送層ＨＴＬ１２は第２正孔輸送層に相当し、正孔輸送層ＨＴＬ１１及びＨＴＬ１２は同一の蒸着チャンバー１５２において同一材料で形成される。
電子ブロック層ＥＢＬ１１は第１電子ブロック層に相当し、電子ブロック層ＥＢＬ１２は第２電子ブロック層に相当し、電子ブロック層ＥＢＬ１１及びＥＢＬ１２は同一の蒸着チャンバー１５３において同一材料で形成される。
発光層ＥＭ１１は第１発光層に相当し、発光層ＥＭ１２は第２発光層に相当し、発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２は同一の蒸着チャンバー１５４において同一材料で形成される。
正孔ブロック層ＨＢＬ１１は第１正孔ブロック層に相当し、正孔ブロック層ＨＢＬ１２は第２正孔ブロック層に相当し、正孔ブロック層ＨＢＬ１１及びＨＢＬ１２は同一の蒸着チャンバー１５４において同一材料で形成される。
なお、図１６乃至図１８を参照して説明した有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１を形成する工程においては、第１チャンバー群１５０Ａ及び第２チャンバー群１５０Ｂを経由する際の処理基板ＳＵＢの搬送速度は、一定である。
電子ブロック層ＥＢＬ１１は第１電子ブロック層に相当し、電子ブロック層ＥＢＬ１２は第２電子ブロック層に相当し、電子ブロック層ＥＢＬ１１及びＥＢＬ１２は同一の蒸着チャンバー１５３において同一材料で形成される。
発光層ＥＭ１１は第１発光層に相当し、発光層ＥＭ１２は第２発光層に相当し、発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２は同一の蒸着チャンバー１５４において同一材料で形成される。
正孔ブロック層ＨＢＬ１１は第１正孔ブロック層に相当し、正孔ブロック層ＨＢＬ１２は第２正孔ブロック層に相当し、正孔ブロック層ＨＢＬ１１及びＨＢＬ１２は同一の蒸着チャンバー１５４において同一材料で形成される。
なお、図１６乃至図１８を参照して説明した有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１を形成する工程においては、第１チャンバー群１５０Ａ及び第２チャンバー群１５０Ｂを経由する際の処理基板ＳＵＢの搬送速度は、一定である。
【0142】
以上説明したように、本実施形態によれば、１つの蒸着装置１００において、シングル構成の表示素子、及び、タンデム構成の表示素子のいずれも容易に形成することができる。このため、タンデム構成の製品とシングル構成の製品との製造比率に大きな差が生じたとしても、蒸着装置１００の稼働率の低下が抑制される。
【0143】
また、蒸着装置１００において、蒸着部１５０を複数回周回させながら材料を蒸着する機能と、放射した材料の蒸着の有無を選択できるモード設定機能とを併せ持つことで、多様なタンデム構成を実現することができる。
【0144】
また、タンデム構成の表示素子を形成する場合に、１つの蒸着チャンバーで同一の機能層を複数形成することができる。このため、各層を形成するための蒸着チャンバーを備えた蒸着装置と比較して、蒸着チャンバーの台数が削減される。したがって、設備のコストが削減され、設置スペースあるいは設備の規模が縮小される。
【0145】
次に、表示素子の有機層及び上電極を形成するための他の蒸着装置について説明する。ここでは、一例として、表示素子２０１の有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１を形成するための蒸着装置１００について説明する。なお、表示素子２０２の有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２を形成するための蒸着装置、及び、表示素子２０３の有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３を形成するための蒸着装置についても、ここに説明する蒸着装置１００と同様に構成することができる。
【0146】
図１９は、蒸着装置１００の他の構成例を説明するための図である。この蒸着装置１００は、図４及び図６を参照して説明した第１薄膜３１を形成する工程のうち、有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１を形成するのに適用される。
【0147】
図１９に示す例は、図１２に示した例と比較して、蒸着部１５０がさらに第１透明層ＴＬ１を形成するための蒸着チャンバー１６１と、第２透明層ＴＬ２を形成するための蒸着チャンバー１６２とを備える点で相違している。蒸着装置１００のその他の構成については、図１２に示した例と同一であり、同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
【0148】
蒸着部１５０は、第１チャンバー群１５０Ａと、第２チャンバー群１５０Ｂと、を備えている。第１チャンバー群１５０Ａは、処理基板ＳＵＢが搬送される第１搬送方向ＴＡに沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバー１５１乃至１５６を有している。これらの蒸着チャンバー１５１乃至１５６は、互いに連結されている。第２チャンバー群１５０Ｂは、第１搬送方向ＴＡとは逆向きの第２搬送方向ＴＢに沿って一列に並んだ複数の蒸着チャンバー１５７乃至１６２を有している。これらの蒸着チャンバー１５７乃至１６２は、互いに連結されている。
【0149】
図示した例では、蒸着部１５０は、１２個の蒸着チャンバー１５１乃至１６２を備えている。これらの１２個の蒸着チャンバー１５１乃至１６２は、６＊２のマトリクス状に配列されている。
【0150】
蒸着チャンバー１５１は、正孔注入層ＨＩＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５２は、正孔輸送層ＨＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５３は、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５４は、発光層ＥＭ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５５は、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５２は、正孔輸送層ＨＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５３は、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５４は、発光層ＥＭ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５５は、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するように構成されている。
【0151】
蒸着チャンバー１５６は、ｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５７は、ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５８は、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５９は、電子注入層ＥＩＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１６０は、上電極ＵＥ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１６１は、第１透明層ＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１６２は、第２透明層ＴＬ２を形成するように構成されている。例えば、蒸着チャンバー１６２は、第２透明層ＴＬ２を形成するための材料としてフッ化リチウムを放射するように構成されている。
蒸着チャンバー１５７は、ｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５８は、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１５９は、電子注入層ＥＩＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１６０は、上電極ＵＥ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１６１は、第１透明層ＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着チャンバー１６２は、第２透明層ＴＬ２を形成するように構成されている。例えば、蒸着チャンバー１６２は、第２透明層ＴＬ２を形成するための材料としてフッ化リチウムを放射するように構成されている。
【0152】
第１ローテーションチャンバー１４０は、第１チャンバー群１５０Ａのうち第１搬送方向ＴＡの最も上流に位置する蒸着チャンバー１５１、及び、第２チャンバー群１５０Ｂのうち、第２搬送方向ＴＢの最も下流に位置する蒸着チャンバー１６２に連結されている。第１ローテーションチャンバー１４０は、蒸着チャンバー１６２から搬出された処理基板ＳＵＢを蒸着チャンバー１５１に搬入するように、処理基板ＳＵＢを回転させる機構を備えている。
【0153】
第２ローテーションチャンバー１７０は、第１チャンバー群１５０Ａのうち第１搬送方向ＴＡの最も下流に位置する蒸着チャンバー１５６、及び、第２チャンバー群１５０Ｂのうち、第２搬送方向ＴＢの最も上流に位置する蒸着チャンバー１５７に連結されている。第２ローテーションチャンバー１７０は、蒸着チャンバー１５６から搬出された処理基板ＳＵＢを蒸着チャンバー１５７に搬入するように、処理基板ＳＵＢを回転させる機構を備えている。
【0154】
図１９に示す構成例においては、例えば、蒸着チャンバー１５１は第１蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバー１６２は第２蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバー１５６は第３蒸着チャンバーに相当し、蒸着チャンバー１５７は第４蒸着チャンバーに相当する。
【0155】
【0156】
まず、図５を参照して説明した処理基板ＳＵＢを用意した後、ファインマスクを設置することなく処理基板ＳＵＢを蒸着装置１００のロードロックチャンバー１１０に投入する。
【0157】
処理基板ＳＵＢは、搬送チャンバー１２０及び基板脱着チャンバー１３０を経て、第１ローテーションチャンバー１４０を通過する。その後、処理基板ＳＵＢは、第１チャンバー群１５０Ａを経由し、第２ローテーションチャンバー１７０において１８０°回転され、第２チャンバー群１５０Ｂを経由する。
【0158】
処理基板ＳＵＢが第１チャンバー群１５０Ａを経由する際、蒸着チャンバー１５１において下電極ＬＥ１の上に正孔注入層ＨＩＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５２において正孔注入層ＨＩＬ１の上に正孔輸送層ＨＴＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５３において正孔輸送層ＨＴＬ１の上に電子ブロック層ＥＢＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５４において電子ブロック層ＥＢＬ１の上に発光層ＥＭ１を形成し、蒸着チャンバー１５５において発光層ＥＭ１の上に正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成する。
蒸着チャンバー１５６においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５６を通過する。
蒸着チャンバー１５６においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５６を通過する。
【0159】
処理基板ＳＵＢが第２チャンバー群１５０Ｂを経由する際、蒸着チャンバー１５７においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５７を通過する。
そして、蒸着チャンバー１５８において正孔ブロック層ＨＢＬ１の上に電子輸送層ＥＴＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５９において電子輸送層ＥＴＬ１の上に電子注入層ＥＩＬ１を形成し、蒸着チャンバー１６０において電子注入層ＥＩＬ１の上に上電極ＵＥ１を形成し、蒸着チャンバー１６１において上電極ＵＥ１の上に第１透明層ＴＬ１を形成し、蒸着チャンバー１６２において第１透明層ＴＬ１の上に第２透明層ＴＬ２を形成する。
そして、蒸着チャンバー１５８において正孔ブロック層ＨＢＬ１の上に電子輸送層ＥＴＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５９において電子輸送層ＥＴＬ１の上に電子注入層ＥＩＬ１を形成し、蒸着チャンバー１６０において電子注入層ＥＩＬ１の上に上電極ＵＥ１を形成し、蒸着チャンバー１６１において上電極ＵＥ１の上に第１透明層ＴＬ１を形成し、蒸着チャンバー１６２において第１透明層ＴＬ１の上に第２透明層ＴＬ２を形成する。
【0160】
その後、処理基板ＳＵＢは、第１ローテーションチャンバー１４０を通過し、基板脱着チャンバー１３０及び搬送チャンバー１２０を経て、ロードロックチャンバー１１０に戻され、蒸着装置１００から搬出される。
【0161】
蒸着装置１００から搬出された処理基板ＳＵＢにおいては、図６を参照して説明したように、隔壁６の上に形成された有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１において下電極ＬＥ１の上に形成された有機層ＯＲ１から離間している。隔壁６の上に形成された上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１の直上に形成された上電極ＵＥ１から離間している。隔壁６の上に形成された第１透明層ＴＬ１及び第２透明層ＴＬ２は、下電極ＬＥ１の直上に形成された第１透明層ＴＬ１及び第２透明層ＴＬ２から離間している。
【0162】
【0163】
まず、図２１に示すように、ファインマスクを設置することなく処理基板ＳＵＢを蒸着装置１００のロードロックチャンバー１１０に投入する。
【0164】
処理基板ＳＵＢは、搬送チャンバー１２０及び基板脱着チャンバー１３０を経て、第１ローテーションチャンバー１４０を通過する。その後、処理基板ＳＵＢは、第１チャンバー群１５０Ａを経由し、第２ローテーションチャンバー１７０において１８０°回転され、第２チャンバー群１５０Ｂを経由する。
【0165】
処理基板ＳＵＢが第１チャンバー群１５０Ａを経由する際、蒸着チャンバー１５１において下電極ＬＥ１の上に正孔注入層ＨＩＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５２において正孔注入層ＨＩＬ１の上に正孔輸送層ＨＴＬ１１を形成し、蒸着チャンバー１５３において正孔輸送層ＨＴＬ１１の上に電子ブロック層ＥＢＬ１１を形成し、蒸着チャンバー１５４において電子ブロック層ＥＢＬ１１の上に発光層ＥＭ１１を形成し、蒸着チャンバー１５５において発光層ＥＭ１１の上に正孔ブロック層ＨＢＬ１１を形成し、蒸着チャンバー１５６において正孔ブロック層ＨＢＬ１１の上にｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ１を形成する。
【0166】
処理基板ＳＵＢが第２チャンバー群１５０Ｂを経由する際、蒸着チャンバー１５７においてｎ型電荷発生層ｎＣＧＬ１の上にｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１を形成する。
蒸着チャンバー１５８乃至１６２においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５８乃至１６２を通過する。
蒸着チャンバー１５８乃至１６２においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５８乃至１６２を通過する。
【0167】
その後、図２２に示すように、処理基板ＳＵＢは、第１ローテーションチャンバー１４０において１８０°回転され、第１チャンバー群１５０Ａを経由し、第２ローテーションチャンバー１７０において１８０°回転され、第２チャンバー群１５０Ｂを経由する。
【0168】
処理基板ＳＵＢが第１チャンバー群１５０Ａを経由する際、蒸着チャンバー１５１においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５１を通過する。
【0169】
そして、蒸着チャンバー１５２においてｐ型電荷発生層ｐＣＧＬ１の上に正孔輸送層ＨＴＬ１２を形成し、蒸着チャンバー１５３において正孔輸送層ＨＴＬ１２の上に電子ブロック層ＥＢＬ１２を形成し、蒸着チャンバー１５４において電子ブロック層ＥＢＬ１２の上に発光層ＥＭ１２を形成し、蒸着チャンバー１５５において発光層ＥＭ１２の上に正孔ブロック層ＨＢＬ１２を形成する。
蒸着チャンバー１５６においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５６を通過する。
蒸着チャンバー１５６においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５６を通過する。
【0170】
処理基板ＳＵＢが第２チャンバー群１５０Ｂを経由する際、蒸着チャンバー１５７においては蒸着源から放射された材料が処理基板ＳＵＢに蒸着されないモードに設定されている。このため、処理基板ＳＵＢは、材料が蒸着されることなく蒸着チャンバー１５７を通過する。
【0171】
そして、蒸着チャンバー１５８において正孔ブロック層ＨＢＬ１２の上に電子輸送層ＥＴＬ１を形成し、蒸着チャンバー１５９において電子輸送層ＥＴＬ１の上に電子注入層ＥＩＬ１を形成し、蒸着チャンバー１６０において電子注入層ＥＩＬ１の上に上電極ＵＥ１を形成し、蒸着チャンバー１６１において上電極ＵＥ１の上に第１透明層ＴＬ１を形成し、蒸着チャンバー１６２において第１透明層ＴＬ１の上に第２透明層ＴＬ２を形成する。
【0172】
その後、処理基板ＳＵＢは、第１ローテーションチャンバー１４０を通過し、基板脱着チャンバー１３０及び搬送チャンバー１２０を経て、ロードロックチャンバー１１０に戻され、蒸着装置１００から搬出される。
【0173】
蒸着装置１００から搬出された処理基板ＳＵＢにおいては、図６を参照して説明したように、隔壁６の上に形成された有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１において下電極ＬＥ１の上に形成された有機層ＯＲ１から離間している。隔壁６の上に形成された上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１の直上に形成された上電極ＵＥ１から離間している。隔壁６の上に形成された第１透明層ＴＬ１及び第２透明層ＴＬ２は、下電極ＬＥ１の直上に形成された第１透明層ＴＬ１及び第２透明層ＴＬ２から離間している。
【0174】
図示した例において、正孔輸送層ＨＴＬ１１は第１正孔輸送層に相当し、正孔輸送層ＨＴＬ１２は第２正孔輸送層に相当し、正孔輸送層ＨＴＬ１１及びＨＴＬ１２は同一の蒸着チャンバー１５２において同一材料で形成される。
電子ブロック層ＥＢＬ１１は第１電子ブロック層に相当し、電子ブロック層ＥＢＬ１２は第２電子ブロック層に相当し、電子ブロック層ＥＢＬ１１及びＥＢＬ１２は同一の蒸着チャンバー１５３において同一材料で形成される。
発光層ＥＭ１１は第１発光層に相当し、発光層ＥＭ１２は第２発光層に相当し、発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２は同一の蒸着チャンバー１５４において同一材料で形成される。
正孔ブロック層ＨＢＬ１１は第１正孔ブロック層に相当し、正孔ブロック層ＨＢＬ１２は第２正孔ブロック層に相当し、正孔ブロック層ＨＢＬ１１及びＨＢＬ１２は同一の蒸着チャンバー１５４において同一材料で形成される。
なお、図２０乃至図２２を参照して説明した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を形成する工程においては、第１チャンバー群１５０Ａ及び第２チャンバー群１５０Ｂを経由する際の処理基板ＳＵＢの搬送速度は、一定である。
電子ブロック層ＥＢＬ１１は第１電子ブロック層に相当し、電子ブロック層ＥＢＬ１２は第２電子ブロック層に相当し、電子ブロック層ＥＢＬ１１及びＥＢＬ１２は同一の蒸着チャンバー１５３において同一材料で形成される。
発光層ＥＭ１１は第１発光層に相当し、発光層ＥＭ１２は第２発光層に相当し、発光層ＥＭ１１及びＥＭ１２は同一の蒸着チャンバー１５４において同一材料で形成される。
正孔ブロック層ＨＢＬ１１は第１正孔ブロック層に相当し、正孔ブロック層ＨＢＬ１２は第２正孔ブロック層に相当し、正孔ブロック層ＨＢＬ１１及びＨＢＬ１２は同一の蒸着チャンバー１５４において同一材料で形成される。
なお、図２０乃至図２２を参照して説明した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を形成する工程においては、第１チャンバー群１５０Ａ及び第２チャンバー群１５０Ｂを経由する際の処理基板ＳＵＢの搬送速度は、一定である。
【0175】
このような蒸着装置によれば、上記した蒸着装置と同様の効果が得られる。加えて、有機層、上電極、及び、キャップ層を連続して蒸着することができる。
【0176】
以上説明したように、本実施形態によれば、コストを削減し、設置スペースを縮小することが可能な蒸着装置及び蒸着方法を提供することができる。
【0177】
以上、本発明の実施形態として説明した蒸着装置及び蒸着方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての蒸着装置及び蒸着方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0178】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0179】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0180】
ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 ＳＵＢ…処理基板
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極（アノード）
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極（カソード）
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
１００…蒸着装置 １１０…ロードロックチャンバー １２０…搬送チャンバー １３０…基板脱着チャンバー １４０…第１ローテーションチャンバー １５０…蒸着部 １７０…第２ローテーションチャンバー
１５１～１６２…蒸着チャンバー
Ｒ１…第１搬送レール Ｒ２…第２搬送レール
ＳＵＢ…処理基板 ＣＲ…キャリア Ｓ１…蒸着源 Ｐ１…仕切り板 ＯＰ１…開口
１０…基板 ＳＵＢ…処理基板
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極（アノード）
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極（カソード）
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
１００…蒸着装置 １１０…ロードロックチャンバー １２０…搬送チャンバー １３０…基板脱着チャンバー １４０…第１ローテーションチャンバー １５０…蒸着部 １７０…第２ローテーションチャンバー
１５１～１６２…蒸着チャンバー
Ｒ１…第１搬送レール Ｒ２…第２搬送レール
ＳＵＢ…処理基板 ＣＲ…キャリア Ｓ１…蒸着源 Ｐ１…仕切り板 ＯＰ１…開口
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】