特開 2024-85062 リードフレーム及び半導体パッケージ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024085062

(43)【公開日】2024-06-26

(54)【発明の名称】リードフレーム及び半導体パッケージ

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/48 20060101AFI20240619BHJP

   H01L 21/52 20060101ALI20240619BHJP

【ＦＩ】

H01L23/48 T

H01L21/52 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022199387

(22)【出願日】2022-12-14

(71)【出願人】

【識別番号】000002037

【氏名又は名称】新電元工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002697

【氏名又は名称】めぶき弁理士法人

(74)【代理人】

【識別番号】100104709

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 誠剛

(72)【発明者】

【氏名】玉手 登志幸

【テーマコード（参考）】

5F047

【Ｆターム（参考）】

5F047AB02

(57)【要約】

【課題】想定外のはんだの流れ出しを抑制することができるとともに、樹脂封止を行って半導体パッケージとしたときには、ダイパッドと樹脂との剥離を抑制することができるリードフレームを提供する。
【解決手段】半導体チップ２０の一方の面が接続される半導体チップ接続部１１を有する板状のダイパッド１０を備えるリードフレーム１であって、ダイパッド１０は、半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａに沿って形成された凹溝１２を有し、凹溝１２における半導体チップ接続部１１の側の壁面を第１壁面１２ａとしたとき、凹溝１２の第１壁面１２ａと対向する側には、凹溝１２の開口側に突出した突壁１３が半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａに沿って形成され、当該突壁１３は、所定の傾斜角度で第１壁面１２ａの側に傾斜しているリードフレーム１。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体チップの一方の面が接続される半導体チップ接続部を有する板状のダイパッドを備えるリードフレームであって、
前記ダイパッドは、前記半導体チップ接続部の周縁部に沿って形成された凹溝を有し、
前記凹溝における前記半導体チップ接続部の側の壁面を第１壁面としたとき、
前記凹溝の前記第１壁面と対向する側には、前記凹溝の開口側に突出した突壁が前記半導体チップ接続部の周縁部に沿って形成され、当該突壁は、所定の傾斜角度で前記第１壁面の側に傾斜していることを特徴とするリードフレーム。

【請求項2】

前記半導体チップ接続部は、当該半導体チップ接続部を平面視したときの外形サイズが前記半導体チップを平面視したときの外形サイズより小サイズに設定されており、
前記半導体チップを前記半導体チップ接続部に接続したときに、前記半導体チップは当該半導体チップの周縁部が前記半導体チップ接続部の周縁部よりも外側に張り出すように前記半導体チップ接続部に接続され、
前記凹溝は、前記半導体チップを前記半導体チップ接続部に接続したときに、前記半導体チップの周縁部が前記第１壁面と前記突壁との間に位置するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。

【請求項3】

前記突壁の傾斜角度は、前記半導体チップが前記半導体チップ接続部にはんだによって接続されたときに、前記凹溝に形成されるはんだフィレットの表面と前記突壁の前記第１壁面の側を向く壁面との間に隙間が形成される角度に設定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。

【請求項4】

前記ダイパッドには、前記凹溝を横切る方向の断面形状がＶ字形状をなす溝が、前記突壁との間に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。

【請求項5】

前記第１壁面は、前記凹溝の開口側の角部から前記凹溝の底面に向かって下り傾斜となるテーパー面となっていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。

【請求項6】

前記凹溝及び前記突壁は、前記半導体チップ接続部の周縁部の全周に渡って連続的に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。

【請求項7】

前記凹溝及び前記突壁は、前記半導体チップ接続部の周縁部の全周に渡って断続的に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。

【請求項8】

リードフレームと、当該リードフレームが備えるダイパッドに実装されている半導体チップとが樹脂封止されてなる半導体パッケージであって、
前記リードフレームは、請求項１又は２に記載のリードフレームであることを特徴とする半導体パッケージ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、リードフレーム及び半導体パッケージに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体チップをダイパッド上に実装する際においては、想定外のはんだの流れ出しが問題となる。想定外のはんだの流れ出しが生じると、ダイパッドと半導体チップとの「はんだ厚」にばらつきが生じて、ダイパッドと半導体チップとの間の「はんだ厚」が適切なものとならなかったり、想定外の箇所にまではんだが流れてしまい、短絡など回路に悪影響を及ぼしたりするといった問題が生じる。また、想定外のはんだの流れ出しの問題に加えて、ダイパッド上に半導体チップを実装した後に樹脂封止を行って半導体パッケージを製造したときにダイパッドと樹脂との剥離が問題となる。

【0003】

このような問題のうち、ダイパッドと樹脂との剥離を抑制する構造を有するものとしては、例えば、ダイパッドにおける半導体チップ接続部の外周部に凹部を設けたものが知られている（特許文献１参照）。

【0004】

図６は、特許文献１に記載されている半導体パッケージ９００を示す図である。図６（ａ）は特許文献１に記載されている半導体パッケージ９００を平面視した図である。また、図６（ｂ）及び図６（ｃ）は、図６（ａ）のａ－ａ矢視拡大断面図であり、半導体チップ９２０を囲むように形成されている凹部としての複数の係合穴９３０のうちの１つの係合穴９３０の構造を示している。ここで、図６（ｂ）は係合穴９３０の構造の第１例を示し、図６（ｃ）は係合穴９３０の構造の第２例を示している。

【0005】

特許文献１に記載されている従来の半導体パッケージ９００は、図６（ａ）に示すように、ダイパッド９１０上に搭載されている半導体チップ９２０を囲むように、係合穴９３０が複数配列されている。そして、係合穴９３０には、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示すように、当該係合穴９３０の内周面から径方向に突出する突起９３１が設けられている。図６（ｂ）示す第１例では、突起９３１が係合穴９３０の内周に沿って周方向全体に渡って形成されており、図６（ｃ）示す第２例では、突起９３１が周方向の一部のみの形成されている。

【0006】

特許文献１に記載の半導体パッケージ９００が、このような構造の係合穴９３０を有することによって、樹脂封止した際には、溶融した樹脂が係合穴９３０の底面９３２と突起９３１との間に入り込んで、その後、硬化した樹脂が突起９３１と係合することにより、ダイパッド９１０と樹脂とが剥離することを抑制できる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２０１１－１１４１９０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

特許文献１に記載の半導体パッケージ９００においては、ダイパッド９１０と樹脂との剥離を抑制することができるが、想定外のはんだの流れ出しを抑制することはできない。すなわち、特許文献１に記載の半導体パッケージ９００においては、半導体チップ９２０を囲むように配列されている複数の係合穴９３０は、隣接する係合穴９３０の間にそれぞれ隙間９４０(図６（ａ）参照。)を有している。このため、隣接する係合穴９３０の間の隙間９４０をはんだがすり抜けてしまう可能性があり、想定外のはんだの流れ出しを抑制する効果は期待できない。

【0009】

そこで、本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、想定外のはんだの流れ出しを抑制することができるとともに、樹脂封止を行って半導体パッケージとしたときには、ダイパッドと樹脂との剥離を抑制することができるリードフレームを提供することを目的とする。また、リードフレームとして本発明のリードフレームを用いた半導体パッケージを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明のリードフレームは、半導体チップの一方の面が接続される半導体チップ接続部を有する板状のダイパッドを備えるリードフレームであって、前記ダイパッドは、前記半導体チップ接続部の周縁部に沿って形成された凹溝を有し、前記凹溝における前記半導体チップ接続部の側の壁面を第１壁面としたとき、前記凹溝の前記第１壁面と対向する側には、前記凹溝の開口側に突出した突壁が前記半導体チップ接続部の周縁部に沿って形成され、当該突壁は、所定の傾斜角度で前記第１壁面の側に傾斜していることを特徴とする。

【0011】

本発明の半導体パッケージは、リードフレームと、当該リードフレームが備えるダイパッドに実装されている半導体チップとが樹脂封止されてなる半導体パッケージであって、前記リードフレームは、本発明のリードフレームであることを特徴とする。

【発明の効果】

【0012】

本発明のリードフレームは、ダイパッドにおける半導体チップ接続部の周縁部に沿って凹溝が形成されており、当該凹溝の第１壁面（半導体チップ接続部側の壁面）と対向する側には、凹溝の開口側に突出した突壁が半導体チップ接続部の周縁部に沿って形成されている。そして、当該突壁は、所定の傾斜角度で第１壁面の側に傾斜している。これにより、半導体チップを半導体チップ接続部にはんだにより接続する際においては、凹溝に流れ込んで行くはんだは、突壁により流れが確実に阻止されるため、想定外のはんだの流れ出しを抑制できる。また、樹脂封止を行って半導体パッケージとしたときには、硬化した樹脂が突壁に係合するため、突壁がモールド樹脂をロックするモールドロック機能を有するものとなり、ダイパッドと樹脂との剥離を抑制できる。

【0013】

また、本発明の半導体パッケージは、リードフレームとして本発明のリードフレームを用いていることにより、ダイパッドと樹脂とが剥離しにくいものとなり、さらに、半導体チップと半導体チップ接続部の間の「はんだ厚」が適切なものとなっているとともに、短絡など回路への悪影響が防止されたものとなっている。このように、本発明の半導体パッケージは、リードフレームとして本発明に係るリードフレームを用いていることにより、樹脂が剥離しにくく耐久性に優れ、信頼性の高い高品質な半導体パッケージとなる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】実施形態に係るリードフレーム１の構成要素であるダイパッド１０に半導体チップ２０が搭載された状態を示す図である。

【図2】図１の要部を拡大して示す図である。

【図3】突壁１３を形成する工程の一例を模式的に示す図である。

【図4】半導体チップ接続部１１と半導体チップ２０との関係を説明する図である。

【図5】実施形態に係るリードフレーム１を用いた半導体パッケージ２を示す断面図である。

【図6】特許文献１に記載されている半導体パッケージ９００を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、本発明のリードフレーム及び半導体パッケージについて説明する。まず、本発明のリードフレームの実施形態について説明する。

【0016】

図１は、実施形態に係るリードフレーム１のダイパッド１０に半導体チップ２０が実装された状態を示す図である。なお、図１において、図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ－Ａ矢視断面図である。

【0017】

図２は、図１の要部を拡大して示す断面図である。なお、図２は図１（ｂ）における破線枠Ｂ内を拡大して示す図であり、図１と同一箇所には同一符号が付されているが、図１においては示されていない符号も存在する。

【0018】

図１及び図２に示すように、ダイパッド１０は半導体チップ２０を接続するための半導体チップ接続部１１を有している。半導体チップ２０は一方の面に設けられている第１電極２１が半導体チップ接続部１１に接続され、他方の面に設けられている第２電極２２が接続子３０を介してリード端子４０に接続されている。なお、実施形態に係るリードフレーム１においては、半導体チップ２０及び半導体チップ接続部１１は平面視形状が矩形であるとして説明する。また、凹溝１２の半導体チップ接続部１１側の壁面を凹溝１２の第１壁面１２ａとして説明する。

【0019】

半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａには、当該周縁部１１ａに沿って凹溝１２が形成されている。なお、半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａというのは、半導体チップ接続部１１の外周を形成する縁部であり、これは凹溝１２の開口における第１壁面１２ａ側の角部１２ｂともいえる。

【0020】

凹溝１２の第１壁面１２ａは、半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａから凹溝１２の底面１２ｃに向かって下り傾斜のテーパー面となっている。上述したように、半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａは、凹溝１２の開口における第１壁面１２ａ側の角部１２ｂでもあるため、第１壁面１２ａは、凹溝１２の開口側の角部１２ｂから凹溝１２の底面１２ｃに向かって下り傾斜のテーパー面となっていると言い換えることもできる。

【0021】

凹溝１２は、半導体チップ接続部１１に半導体チップ２０をはんだによって接続する際に、溶融して流れ出たはんだを溜める「はんだ溜め」の機能を有している。図１及び図２においては、硬化した状態のはんだが示されており、硬化した状態のはんだを「はんだ６０」とする。これは、後述する図５においても同様である。なお、実施形態に係るリードフレーム１においては、凹溝１２は、半導体チップ接続部１１を囲むように半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａの全周に渡って連続的に形成されている。

【0022】

また、凹溝１２の第１壁面１２ａと対向する側には、凹溝１２の開口側に突出した突壁１３が形成されている。突壁１３は、凹溝１２の底面１２ｃに対して９０度未満（鋭角）の傾斜角度θ１を有して第１壁面１２ａの側に傾斜している。また、突壁１３は凹溝１２の周方向に沿って形成されている。具体的には、突壁１３は、半導体チップ接続部１１を囲むように半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａの全周に渡って連続的に形成されている。なお、突壁１３の機能については後述する。

【0023】

続いて、図３を参照して突壁１３を形成する工程の一例について説明する。図３において、図３（ａ）は突壁１３が形成される前の凹溝１２の断面図であり、図３（ｂ）はパンチ５０によるプレス加工によって突壁１３が形成される様子を示す図であり、図３（ｃ）は突壁１３が形成された状態を示す図である。なお、図３においても、図１及び図２と同一箇所には同一符号が付されている。ここで、凹溝１２の第１壁面１２ａに対向する面を凹溝１２の第２壁面１２ｄとして説明する。なお、第２壁面１２ｄは、突壁１３が形成される前の段階（図２（ａ）参照。）においては、凹溝１２の底面１２ｃとのなす角度は９０度であるとする。

【0024】

図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、まず、ダイパッド１０の表面１０ａにおいて、凹溝１２の外側の所定位置（第２壁面１２ｄから凹溝１２の外方向の所定位置）をパンチ位置Ｐとし、当該パンチ位置Ｐにパンチ５０の先端部５０ａが当接するようにプレス加工する。これによって、ダイパッド１０の厚み方向に所定の深さｄ１まで、Ｖ字形状をなす溝１５（Ｖ字溝１５という。）を形成する。Ｖ字溝１５の深さｄ１は、図３の例では、凹溝１２の深さｄ２の例えば２／３程度としているが、これに限られるものではなく、もう少し深くてもよく、逆に、もう少し浅くてもよい。

【0025】

ここで、パンチ５０においては、図３におけるｘ軸に沿った断面（凹溝１２を横切る方向に沿った断面）がＶ字形状をなしている。なお、Ｖ字形状というのは、両面がテーパー面となっている形状に限られるものではなく、図３（ｂ）に示すように、一方の面５０ｂのみがテーパー面となっている形状もＶ字形状に含むものとする。

【0026】

そして、パンチ５０の一方の面５０ｂ（テーパー面５０ｂという。）が凹溝１２の側を向くようにしてプレス加工すると、ダイパッド１０上には、凹溝１２を横切る方向の断面形状がＶ字形状をなすＶ字溝１５が形成される。なお、「凹溝１２を横切る方向」というのは、凹溝１２の幅Ｗ方向（図３（ａ）参照。）である。このようにしてＶ字溝１５が形成される際には、パンチ５０のテーパー面５０ｂがパンチ位置Ｐと凹溝１２の第２壁面１２ｄとの間のダイパッド１０を凹溝１２側に押圧することとなるため、第１壁面１２ａ側に傾斜した突壁１３が形成される。

【0027】

ここで、凹溝１２の底面１２ｃに対する突壁１３の傾斜角度θ１は、パンチ５０のテーパー面５０ｂの傾斜角度θ２に依存する。これにより、例えば、パンチ５０のテーパー面５０ｂの傾斜角度θ２が仮に３０度であって、パンチ５０がｚ軸に沿った垂線に沿って下降した場合、突壁１３はｚ軸に沿った垂線に対してほぼ３０度で傾斜する。このため、突壁１３と凹溝１２の底面１２ｃとの間の傾斜角度θ１はほぼ６０度ということができる。

【0028】

このように、突壁１３は、凹溝１２の底面１２ｃに対して９０度未満の角度（鋭角）で傾斜することとなる。以下の説明においては、突壁１３と凹溝１２の底面１２ｃとの間の傾斜角度θ１は、「突壁１３の傾斜角度θ１」と略記する。なお、突壁１３の傾斜角度θ１は、所望とする角度となるように設定する必要であるが、これについては後述する。

【0029】

また、突壁１３の厚みｔ（図３（ｃ）参照。）は、パンチ５０によるダイパッド１０上のパンチ位置Ｐと突壁１３が形成される前の凹溝１２の第２壁面１２ｄ（図３（ａ）参照。）との間の間隔となる。なお、図３の例では、突壁１３の頂部は平坦である場合が示されているが尖っていてもよい。この場合、パンチ位置Ｐをダイパッド１０上において凹溝１２の第２壁面１２ｄに限りなく近い位置とすればよい。

【0030】

図３に示すような加工を行うことにより、凹溝１２の第１壁面１２ａと対向する側には、凹溝１２の開口側に突出した突壁１３が形成される。このように形成された突壁１３の第１壁面１２ａ側を向く壁面は、凹溝１２の第２壁面１２ｄということができる。このように、突壁１３は凹溝１２に一体的に形成されているといえる。換言すれば、凹溝１２と突壁１３とは一体的な構造として形成されているといえる。また、突壁１３は、半導体チップ接続部１１の周囲を囲むように形成されている凹溝１２の周方向に沿って全周に渡って形成される。

【0031】

なお、突壁１３を形成する際は、ダイパッド１０を平面視したときの横方向（ｘ軸に沿った方向）に延在する凹溝及び縦方向（ｙ軸に沿った方向）に延在する凹溝のうち、一方の凹溝を優先して突壁を形成することを例示できる。一例を挙げて説明すると、図１（ａ）に示すように、横方向に延在する凹溝１２の左端部から右端部までの間に突壁（突壁１３ａとする。）を形成し、そのあと、縦方向に延在する凹溝１２に突壁（突壁１３ｂとする。）を形成する。なお、ここでは、横方向に延在する凹溝１２を優先して突壁１３ａを形成し、そのあとで縦方向に延在する凹溝１２に突壁１３ｂを形成する場合を例示したが、その逆であってもよい。

【0032】

続いて、半導体チップ接続部１１と半導体チップ２０との関係について図４を参照して説明する。なお、図４は半導体チップ接続部１１に半導体チップ２０を接続した状態が示されており、半導体チップ接続部１１及び半導体チップ２０のみが示されている。このため、半導体チップ接続部１１及び半導体チップ２０以外の構成要素は図示が省略されている。

【0033】

半導体チップ接続部１１は、上述したように、平面視形状が半導体チップ２０と同様に矩形をなしているが、当該半導体チップ接続部１１を平面視したときの外形サイズは、半導体チップ２０を平面視したときの外形サイズよりも一回り小サイズとなっている。すなわち、図４に示すように、半導体チップ接続部１１のｘ軸に沿った長さＬｘ１は、半導体チップ２０のｘ軸に沿った長さＬｘ２よりもやや短く、半導体チップ接続部１１のｙ軸に沿った長さＬｙ１は、半導体チップ２０のｙ軸に沿った長さＬｙ２よりもやや短い。なお、図４においては、半導体チップ接続部１１と半導体チップ２０とのサイズの違いが明確となるように、サイズの違いが誇張して描かれている。

【0034】

このように、半導体チップ接続部１１を平面視したときの外形サイズは、半導体チップ２０を平面視したときの外形サイズよりも一回り小サイズとなっている。そして、半導体チップ接続部１１に半導体チップ２０を接続する際には、半導体チップ２０の周縁部２０ａが半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａから全周に渡って張り出した状態で接続されるものとする。

【0035】

このため、半導体チップ２０が半導体チップ接続部１１に接続された状態（図１、図２及び図４参照。）においては、半導体チップ２０は、周縁部２０ａが半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａから凹溝１２の開口に「ひさし」のごとく張り出している張り出し部２０ｂ（図２及び図４参照。）が全周に渡って存在するものとなる。これは換言すると、凹溝１２は、図１及び図２に示すように、半導体チップ２０が半導体チップ接続部１１に接続されたときに、半導体チップ２０の周縁部２０ａが第１壁面１２ａと突壁１３との間に位置するようにダイパッド１０上に形成されているということである。

【0036】

このように、半導体チップ２０が張り出し部２０ｂを有した状態で半導体チップ接続部１１に接続されることによって、半導体チップ２０と突壁１３との間には図２に示すようなはんだフィレット６１を形成することができるが、これについては後述する。

【0037】

なお、半導体チップ２０の張り出し部２０ｂの張り出し量は、張り出し部２０ｂが凹溝１２の開口全体を覆うことがなければ特に限定されるものではないが、半導体チップ２０を半導体チップ接続部１１にはんだによる接続を行ったときにおいては、半導体チップ２０と突壁１３との間には図１（ｂ）及び図２に示すようなはんだフィレット６１を形成することができ、かつ、樹脂封止する際においては、溶融した樹脂が凹溝１２内にスムーズに流入できるように設定されることが望ましい。

【0038】

実施形態に係るリードフレーム１におけるダイパッド１０が上述したような構成となっていることにより、半導体チップ接続部１１に半導体チップ２０を接続する際には、想定外のはんだの流れ出しを抑制できる。すなわち、半導体チップ２０が半導体チップ接続部１１に対して張り出し部２０ｂを有した状態として、当該半導体チップ接続部１１と半導体チップ２０との間に、はんだ部材として例えばクリームはんだを介在させて、リフロー炉を通すと、半導体チップ接続部１１と半導体チップ２０との間からは、溶融したはんだが凹溝１２内に流れ込むが、凹溝１２に流れ込んで行くはんだは、突壁１３により流れが確実に阻止される。これは、突壁１３は第１壁面１２ａ側に向かって傾斜しているために、突壁１３が「はんだの流れ返し」の機能を有することによるものである。これにより、想定外のはんだの流れ出しを抑制できる。

【0039】

想定外のはんだの流れ出しを抑制できることによって、ダイパッド１０（半導体チップ接続部１１）と半導体チップ２０との間のはんだ６０の厚み、すなわち、「はんだ厚」のばらつきをなくすことができるとともに、溶融したはんだが想定外の箇所にまで流れてしまうことを防止できる。「はんだ厚」のバラつきをなくすことによって、ダイパッド１０と半導体チップ２０との間の「はんだ厚」を適切なものとすることができ、また、はんだが想定外の箇所にまで流れてしまうこと抑制できることによって、短絡など回路に悪影響を及ぼすことを未然に防止できる。

【0040】

また、はんだが凹溝１２に流れ込むと、半導体チップ２０と突壁１３との間においては、図２に示すようなはんだフィレット６１が形成される。すなわち、前述したように、半導体チップ２０が半導体チップ接続部１１に対して張り出し部２０ｂを有しているため、凹溝１２に流れ込もうとするはんだは、半導体チップ２０の張り出し部２０ｂによって、上方向（凹溝１２の開口の外側に向かう方向）への流れが規制され、張り出し部２０ｂに沿って流れて行き、張り出し部２０ｂと凹溝１２の底面１２ｃとの間の空間にはんだが隙間なく充填される。これにより、半導体チップ２０と突壁１３との間、すなわち、半導体チップ２０の周縁部２０ａと突壁１３の根元部との間には、図１（ｂ）及び図２に示すようなはんだフィレット６１が形成される。ここで、突壁１３の根元部というのは、突壁１３の第１壁面１２ａ側を向く壁面（凹溝１２の第２壁面１２ｄ）と凹溝１２の底面１２ｃの境界部であるとする。

【0041】

なお、はんだフィレット６１は、凹溝１２の容積、半導体チップ接続部１１と半導体チップ２０との間に塗布されるクリームはんだの量、溶融したはんだの「濡れ性」の高さなどにもよるが、流れ方向の先端部が図１（ｂ）及び図２に示すように、突壁１３の根元部に達した状態となる。

【0042】

ところで、前述したように、凹溝１２の第１壁面１２ａは、凹溝１２の底面１２ｃに向かって下り傾斜のテーパー面となっているため、溶融したはんだが凹溝１２に流れ込んで行く際においては、はんだは下り傾斜のテーパー面となっている第１壁面１２ａに沿ってスムーズに凹溝１２に流れ込んで行く。また、凹溝１２の第１壁面１２ａがテーパー面となっていると、第１壁面１２ａと底面１２ｃとの間の角部は鈍角であるため、第１壁面１２ａと底面１２ｃとの境界部（鈍角の角部）にも隙間なくはんだが充填され易くなり、はんだフィレット６１内に空洞が形成されにくくなるといった効果も期待できる。

【0043】

このようにして、半導体チップ２０と突壁１３との間には、図１（ｂ）及び図２に示すようなはんだフィレット６１が形成されるが、形成されたはんだフィレット６１の表面６１ａ（図２参照。）と突壁１３の第１壁面１２ａ側を向く壁面との間には隙間Ｓ（図２参照。）が形成されることが必要となる。従って、はんだフィレット６１と突壁１３の第１壁面１２ａ側を向く壁面との間には隙間Ｓが形成されるように、突壁１３の傾斜角度を設定する必要がある。なお、「突壁１３の第１壁面１２ａ側を向く壁面」は、上述したように、凹溝１２の第２壁面１２ｄでもある。このため、「はんだフィレット６１の表面６１ａと突壁１３の第１壁面１２ａ側を向く壁面との間の隙間Ｓ」は、「はんだフィレット６１の表面６１ａと凹溝１２の第２壁面１２ｄとの間の隙間Ｓ」ということもできるが、ここでは、「はんだフィレット６１と突壁１３との間の隙間Ｓ」と略記して説明する。また、単に「隙間Ｓ」とさらに略記する場合もある。

【0044】

はんだフィレット６１と突壁１３との間の隙間Ｓは、半導体チップ接続部１１に半導体チップ２０を接続した後に行われる樹脂封止工程において、流し込んだ樹脂を当該隙間Ｓに流入させるためのものである。

【0045】

ここで、はんだフィレット６１は、前述したように、半導体チップ２０の張り出し部２０ｂの張り出し量だけでなく、凹溝１２の容積、半導体チップ接続部１１と半導体チップ２０との間に塗布されるはんだの量、溶融したはんだの「濡れ性」の高さなどに依存したものとなる。従って、半導体チップ２０の張り出し部２０ｂの張り出し量、凹溝１２の容積、塗布されるはんだの量、溶融したはんだの「濡れ性」の高さなどに基づいて、突壁１３の傾斜角度をどのような傾斜角度に設定すれば所望とする隙間Ｓが形成されるかをシミュレーションすることによって、突壁１３の傾斜角度を設定することができる。

【0046】

はんだフィレット６１と突壁１３との間に隙間Ｓが形成されていることにより、半導体チップ２０を半導体チップ接続部１１に接続した後に行われる樹脂封止工程において樹脂を流し込んだ際には、流し込んだ樹脂を当該隙間Ｓに流入させることができる。これにより、ダイパッド１０と樹脂との剥離を抑制することができる。すなわち、流し込んだ樹脂が当該隙間Ｓに流入して硬化することによって、硬化した樹脂が突壁１３に係合した状態となる。すなわち、突壁１３がモールドロック機能を有するものとなることにより、ダイパッド１０と樹脂との剥離を抑制できる。

【0047】

また、溶融した樹脂は、はんだフィレット６１と突壁１３との間の隙間Ｓだけではなく、ダイパッド１０のＶ字溝１５にも流入して硬化する。これにより、硬化した樹脂がＶ字溝１５に係合することとなり、Ｖ字溝１５もモールドロック機能を有するものとなる。この場合、ダイパッド１０の面に沿った方向（ｘｙ平面に沿った方向）の剥離の抑制に効果を有するものとなる。

【0048】

以上説明したように、実施形態に係るリードフレーム１は、想定外のはんだの流れ出しを抑制する機能と、ダイパッド１０と樹脂との剥離を抑制する機能とを有するものとなる。しかも、実施形態に係るリードフレーム１においては、これらの機能が、一体的な構造として形成されている凹溝１２と突壁１３とによって実現されている。これにより、ダイパッド１０は、想定外のはんだの流れ出しを抑制する機能と、ダイパッド１０と樹脂との剥離を抑制する機能とを有しながら、これらの機能を実現するための構造をシンプルなものとすることができるとともにダイパッドを小型化することができる。

【0049】

続いて、リードフレームとして実施形態に係るリードフレーム１を用いた半導体パッケージ２について説明する。

【0050】

図５は、実施形態に係るリードフレーム１を用いた半導体パッケージ２を示す断面図である。なお、図５に示す半導体パッケージ２は、実施形態に係るリードフレーム１を図示しない所定の金型内にセットし、溶融した樹脂を金型内に充填して硬化させることにより製造されたものである。このようにして製造された半導体パッケージ２においては、はんだフィレット６１と突壁１３との間の隙間Ｓには硬化した樹脂８０が存在し、硬化した樹脂８０が突壁１３に係合した状態となる。また、Ｖ字溝１５にも硬化した樹脂８０が存在し、硬化した樹脂８０がＶ字溝１５に係合した状態となる。

【0051】

これにより、半導体パッケージ２は、ダイパッド１０と樹脂８０とが剥離しにくいものとなる。例えば、半導体チップ２０が発熱と冷却とを繰り返したときに、ダイパッド１０と樹脂８０との間の熱伝導率や膨張係数などの違いにより、樹脂８０の剥離が生じる場合があるが、実施形態に係るリードフレーム１を用いた半導体パッケージ２においては、硬化した樹脂８０が突壁１３に係合するとともに、Ｖ字溝１５に係合することにより、ダイパッド１０と樹脂８０とが剥離しにくいものとなる。

【0052】

また、実施形態に係るリードフレーム１を用いた半導体パッケージ２は、樹脂の剥離を抑制できるといった効果に加えて、半導体チップ２０と半導体チップ接続部１１との間の「はんだ厚」が適切なものとなっているとともに、短絡など回路への悪影響が防止されたものとなっている。

【0053】

このように、半導体パッケージ２は、リードフレームとして実施形態に係るリードフレーム１を用いていることにより、樹脂が剥離しにくく耐久性に優れ、信頼性の高い高品質な半導体パッケージとなる。

【0054】

なお、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、下記に示すような変形実施も可能である。

【0055】

（１）前述の実施形態においては、凹溝１２は半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａの全周に渡って連続的に形成されている場合を例示したが、必ずしも、連続的に形成されていなくてもよく、凹溝１２は半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａの全周に渡って断続的に形成されていてもよい。凹溝１２が半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａの全周に渡って断続的に形成されている例としては、例えば、半導体チップ接続部の周縁部１１ａの殆どが凹溝によって囲まれていて、ところどころに凹溝１２が途切れる箇所が存在するというように形成されている場合を例示できる。この場合、凹溝１２が途切れる箇所の数は、できるだけ少なくし、かつ、隣接する凹溝１２の間隔（凹溝１２が存在しない箇所の長さ）はできるだけ短くすることが好ましい。なお、突壁１３は断続的に形成されている各凹溝１２の端から端まで形成されていることが好ましい。これにより、突壁１３も半導体チップ接続部１１の周縁部１１ａの全周に渡って続的に形成されていることとなる。

【0056】

このように、凹溝１２及び突壁１３は半導体チップ接続部１１の外周の全周に渡って断続的に形成されている場合であっても、凹溝１２及び突壁１３が形成されていない箇所の数を少なくし、かつ、隣接する凹溝１２及び突壁１３の間隔をできるだけ短くすれば、想定外のはんだの流れ出しを抑制する効果を有するとともに、ダイパッドと樹脂との剥離を抑制できる効果も有する。また、このようなリードフレームを用いて製造した半導体パッケージは、樹脂が剥離しにくく耐久性に優れ、信頼性の高い高品質な半導体パッケージとなる。

【0057】

（２）前述の実施形態においては、ダイパッド１０に実装されている半導体チップ２０は、一方の面及び他方の面にそれぞれ１個の電極を有する半導体チップを例示したが、このような半導体チップに限られるものではなく、例えば、それぞれの面に複数の電極を有する半導体チップであってもよく、また、一方の面には１つの電極を有し、他方の面には複数の電極を有する半導体チップであってもよい。

【0058】

（３）前述の実施形態においては、突壁１３は直線をなす形状である場合を例示したが、はんだフィレット６１と突壁１３との間に所望とする隙間Ｓが形成されれば、突壁１３は必ずしも直線である必要はなく湾曲していてもよい。

【符号の説明】

【0059】

１・・・リードフレーム、２・・・半導体パッケージ、１０・・・ダイパッド、１０ａ・・・ダイパッド１０の表面、１１・・・半導体チップ接続部、１１ａ・・・半導体チップ接続部１１の周縁部、１２・・・凹溝、１２ａ・・・凹溝１２の第１壁面、１２ｂ・・・凹溝１２の開口側の角部、１２ｃ・・・凹溝１２の底面、１２ｄ・・・凹溝１２の第２壁面、１３・・・突壁、１５・・・Ｖ字溝、２０・・・半導体チップ、２０ａ・・・半導体チップ２０の周縁部、２０ｂ・・・張り出し部、２１・・半導体チップ２０の第１電極、２２・・半導体チップ２０の第２電極、３０・・・接続子、４０・・・リード端子、５０・・・パンチ、５０ａ・・・パンチ５０の先端部、５０ｂ・・・パンチ５０のテーパー面、６０・・・はんだ、６１・・・はんだフィレット、６１ａ・・・はんだフィレット６１の表面、８０・・・樹脂、Ｓ・・・はんだフィレット６１と突壁１３との間の隙間

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】