特開 2024-85310 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024085310

(43)【公開日】2024-06-26

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/03 20060101AFI20240619BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240619BHJP

   H05K 3/38 20060101ALI20240619BHJP

【ＦＩ】

H05K1/03 630D

H05K3/46 T

H05K1/03 610R

H05K3/38 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022199776

(22)【出願日】2022-12-14

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】安藤 稜

(72)【発明者】

【氏名】黒田 展久

(72)【発明者】

【氏名】福井 省吾

(72)【発明者】

【氏名】市川 晃生

(72)【発明者】

【氏名】加藤 真琴

【テーマコード（参考）】

5E316

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA13

5E316AA32

5E316AA33

5E316AA43

5E316BB15

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD33

5E316DD47

5E316EE19

5E316FF07

5E316FF10

5E316FF14

5E316FF17

5E316GG27

5E316HH06

5E316HH11

5E343AA17

5E343BB24

5E343BB44

5E343DD25

5E343DD33

5E343DD43

5E343GG02

5E343GG13

(57)【要約】

【課題】配線基板の配線パターン間の絶縁性の向上。
【解決手段】実施形態の配線基板は、第１の無機フィラー５ａおよび第１の無機フィラー５ａを囲む第１の樹脂部４５ａを含む第１の層４ａと第２の無機フィラー５ｂおよび第２の無機フィラー５ｂを囲む第２の樹脂部４５ｂを含む第２の層４ｂであって、第１の層４ａにおける第１の無機フィラー５ａの含有率より小さな含有率で第２の無機フィラー５ｂを含んでいる第２の層４ｂとを含む絶縁層４ならびに第２の層４ｂの表面の上に形成されている金属膜３１を含んでいて所定の導体パターンを含む導体層を含み、第１の層４ａの厚みは、絶縁層の厚みの９０％以上であり、第２の層４ｂは、第２の無機フィラー５ｂと第２の樹脂部４５ｂとの間に入り込んだ金属膜３１の一部および第２の樹脂部４５ｂで構成される複合層４５ｄを含んでおり、複合層４５ｄは、０．１μｍ以上、０．３μｍ以下である厚みを有している。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の第１の無機フィラーおよび前記複数の第１の無機フィラーそれぞれを囲む第１の樹脂部を含む第１の層と、
複数の第２の無機フィラーおよび前記複数の第２の無機フィラーそれぞれを囲む第２の樹脂部を含む第２の層であって、前記第１の層における前記複数の第１の無機フィラーの含有率より小さな含有率で前記複数の第２の無機フィラーを含んでいる第２の層と
を含む絶縁層、ならびに
前記第２の層の表面の上に形成されている金属膜を含んでいて所定の導体パターンを含む導体層
を含む配線基板であって、
前記第１の層の厚みは、前記絶縁層の厚みの９０％以上であり、
前記第２の層は、前記第２の無機フィラーと前記第２の樹脂部との間に入り込んだ前記金属膜の一部および前記第２の樹脂部で構成される複合層を含んでおり、
前記複合層は、０．１μｍ以上、０．３μｍ以下である厚みを有している。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記複合層における前記金属膜の一部の占有率は、６０％以上である。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体層に含まれる配線パターンの最小配線間隔は、５μｍ以上、１２μｍ以下である。

【請求項4】

請求項３記載の配線基板であって、前記導体層に含まれる配線パターンの最小配線幅は、５μｍ以上、９μｍ以下である。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記金属膜は無電解めっき膜である。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１の層における前記複数の第１の無機フィラーの含有率は、７０％以上、９５％以下であり、前記第２の層における前記複数の第２の無機フィラーの含有率は、４０％以上、６５％以下である。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２の層の前記表面は０．０５μｍ以上、０．１５μｍ以下の算術平均粗さ（Ｒａ）を有している。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板であって、前記複数の第１の無機フィラーが中空フィラーを含んでいる。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、一方の面の表層Ｘに存在する無機フィラーの含有量ｘ、および他方の面の表層Ｙに存在する無機フィラーの含有量ｙが、ｘ＜ｙの関係を満たす絶縁性接着シートが開示されている。表層Ｘを有する面上に、金属層が形成される。表層Ｘには、表面に無機フィラーが露出しない程度以下の無機フィラーが添加されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００６－４５３８８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の絶縁性接着シートでは、絶縁性接着シートと金属層との間の高い密着性と、絶縁性接着シートの低い誘電正接とが十分に両立しないことがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、複数の第１の無機フィラーおよび前記複数の第１の無機フィラーそれぞれを囲む第１の樹脂部を含む第１の層と、複数の第２の無機フィラーおよび前記複数の第２の無機フィラーそれぞれを囲む第２の樹脂部を含む第２の層であって、前記第１の層における前記複数の第１の無機フィラーの含有率より小さな含有率で前記複数の第２の無機フィラーを含んでいる第２の層とを含む絶縁層、ならびに前記第２の層の表面の上に形成されている金属膜を含んでいて所定の導体パターンを含む導体層を含んでいる。そして、前記第１の層の厚みは、前記絶縁層の厚みの９０％以上であり、前記第２の層は、前記第２の無機フィラーと前記第２の樹脂部との間に入り込んだ前記金属膜の一部および前記第２の樹脂部で構成される複合層を含んでおり、前記複合層は、０．１μｍ以上、０．３μｍ以下である厚みを有している。

【0006】

本発明の実施形態によれば、絶縁層との密着強度が向上されたファインピッチ配線を実現すること、および低誘電正接を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１のII部における絶縁層、および絶縁層と金属膜との界面付近の断面の一例を模式的に示す拡大図。

【図3】本発明の一実施例における絶縁層、および絶縁層と金属膜との界面付近の断面の撮影画像。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００の一部を示す断面図であり、図２には、配線基板１００における絶縁層４と導体層３（金属膜３１）との界面付近（例えば図１のII部）の断面の模式図が拡大して示されている。なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、ならびに、導体層および絶縁層それぞれの数などは、適宜選択され得る。

【0009】

図１に示されるように、配線基板１００は、絶縁層４と、絶縁層４の上に形成されている導体層３とを含んでいる。図１の実施形態において、導体層３は２層構造で形成されている。例えば、導体層３は、絶縁層４の表面上に形成されている金属膜３１からなる下層と金属膜３１上に形成されているめっき膜３２からなる上層とで構成されている。絶縁層４は、絶縁層４を貫通し、絶縁層４と導体層３の積層方向において絶縁層４を介して隣接する導体層３同士を接続するビア導体２を含んでいる。

【0010】

なお、本実施形態の配線基板１００の説明では、絶縁層４と導体層３との関係において絶縁層４の表面に導体層３が積層されている側すなわち紙面における上側が「上側」または単に「上」と称され、その反対側が「下側」または単に「下」と称される。

【0011】

導体層３は、所定の導体パターンを含んでいる。導体層３は、導電性金属で形成されていればよく、例えば銅またはニッケルなどで形成されている。上述したように、図１の例では、導体層３は、金属膜３１とめっき膜３２とで構成されている。例えば、金属膜３１は、無電解めっき膜またはスパッタリング膜である。めっき膜３２は、例えば電解めっき膜である。金属膜３１の厚みは、例えば、約０．１μｍ以上であって、０．５μｍ以下程度である。導体層３の厚みは、例えば、約３μｍ以上であって、２０μｍ以下程度である。

【0012】

ビア導体２は、導体層３と一体的に形成されている。従って、ビア導体２は、導体層３と同様に銅またはニッケルなどの任意の金属で形成されていて導体層３と同様に金属膜３１およびめっき膜３２を含む２層構造を有している。

【0013】

図１に示されるように、実施形態の配線基板１００は、比較的小さい配線幅および間隔で配置された互いに隣接する複数の配線パターン３０を含む導体層３ａを備えている。例えば、複数の配線パターン３０は、最小配線幅Ｌと最小配線間隔Ｓとの組み合わせ（Ｌ／Ｓ）によって定義される配線ルールに関して、５μｍ／５μｍの配線ルールで配置され得る。従って導体層３ａは、５μｍ／５μｍの最小配線幅Ｌ／最小配線間隔Ｓを有する複数の配線パターン３０を含み得る。例えば、配線パターン３０に含まれる配線の配線幅の最小値は、約５μｍ以上、約９μｍ以下程度である。配線パターン３０に含まれる互いに隣接する配線における最小配線間隔は、例えば、約５μｍ以上、約１２μｍ以下程度である。

【0014】

配線基板１００が配線パターン３０を有することで、配線基板１００の小型化や配線基板１００への狭ピッチ多端子部品の実装が可能になる場合がある。また、配線の密度が向上し、配線設計の自由度が向上する場合があると考えられる。配線パターン３０は、配線基板１００の任意の導体層３に設けられ得る。

【0015】

絶縁層４は任意の絶縁性樹脂を含んでいる。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、またはフェノール樹脂などが例示される。各絶縁層は、ガラス繊維やアラミド繊維からなる芯材（補強材）を含んでいてもよい。各絶縁層は、さらに、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、またはムライトなどの微粒子からなる無機フィラー５（図示せず）を含み得る。絶縁層４の厚みは、例えば、約１０μｍ以上であって、４０μｍ以下程度である。好ましくは、絶縁層４の厚みは、約３０μｍ程度とされ得る。

【0016】

上述したように、実施形態の配線基板１００は、配線幅および間隔の小さい複数の配線パターン３０すなわち微細配線を含む導体層３ａを備えている。各絶縁層４のうち少なくとも、導体層３ａがその表面上に形成される絶縁層４１は、複数の無機フィラー５を含んでいる。絶縁層４１は、図１に示されるように、２層構造（第１の層４ａ、第２の層４ｂ）を有している。第１の層４ａは、下側の絶縁層４の表面上に形成されている導体層３の露出面と、導体層３に覆われていない下側の絶縁層４の表面とを覆っている。第２の層４ｂは第１の層４ａの上に形成されている。第２の層４ｂの上に、導体層３ａの下層を構成する金属膜３１が形成されている。

【0017】

例えば、第１の層４ａの厚みは、絶縁層４１全体の厚みの約９０％以上であって、９７％以下程度である。好ましくは、第１の層４ａの厚みは、絶縁層４１全体の厚みの約９０％以上とされ得る。第１の層４ａの厚みがこの程度であると、後述されるように、絶縁層４１全体の低誘電正接が達成されると考えられる。すなわち、絶縁層４１の約９０％を構成する第１の層４ａを低伝送損失材料で形成することにより、絶縁層４１の低誘電正接が実現され得ると考えられる。

【0018】

絶縁層４１は、複数の無機フィラー５（図３参照）および複数の無機フィラー５それぞれを取り囲む樹脂部４５（図３参照）を含んでいる。樹脂部４５は、絶縁層４を構成する樹脂として先に例示された、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、またはフェノール樹脂などを主成分として含んでいる。これらの樹脂に、シリカやアルミナなどからなる無機フィラー５を添加することによって、絶縁層４１の機械的強度、および／または、熱伝導率を高め得ることがある。また、無機フィラー５の添加量を調整することによって、絶縁層４１の熱膨張率を調整し得ることがある。

【0019】

本実施形態の配線基板１００では、複数の無機フィラー５は第１の無機フィラー５ａおよび第２の無機フィラー５ｂを含んでいる。第１の無機フィラー５ａは、絶縁層４１の第１の層４ａに含まれる無機フィラーである。第２の無機フィラー５ｂは、絶縁層４１の第２の層４ｂに含まれる無機フィラーである。すなわち、第１の層４ａは、複数の第１の無機フィラー５ａおよび複数の第１の無機フィラー５ａそれぞれを囲む樹脂部４５（第１の樹脂部４５ａ）を含んでいる。第２の層４ｂは、複数の第２の無機フィラー５ｂおよび複数の第２の無機フィラー５ｂそれぞれを囲む樹脂部４５（第２の樹脂部４５ｂ）を含んでいる。

【0020】

上述したように、第１の層４ａの厚みは、絶縁層４１全体の厚みの約９０％以上であり得る。従って、例えば、絶縁層４１の厚みが上述のように約３０μｍである場合、第１の層４ａの厚みは、２７μｍ以上程度であり得る。なお図２において、無機フィラー５（第２の無機フィラー５ｂ）は真球状の形体を有するように描かれているが、各無機フィラー５は任意の形状を有し得る。第１の層４ａに含まれる第１の無機フィラー５ａの粒径は、例えば、０．３μｍ～３μｍ程度である。好ましくは、第１の無機フィラー５ａの平均の粒径は、０．３μｍ程度であり得る。第１の層４ａにおける複数の第１の無機フィラー５ａの含有率は、例えば、７０％以上、９５％以下である。上述の粒径を有する第１の無機フィラー５ａがこのような含有率で第１の層４ａ内に存在すると、伝送損失および遅延速度の低減等の機能が適切に発揮されると考えられる。

【0021】

第２の層４ｂの厚みは、従って、絶縁層４１全体の厚みの約１０％以下程度であり得る。例えば、第２の層４ｂの厚みは、約１μｍ以上、約３μｍ以下程度であり得る。第２の層４ｂは、第２の無機フィラー５ｂを含んでいる。第２の無機フィラー５ｂの粒径は、例えば、０．１μｍ～１μｍ程度である。好ましくは、第２の無機フィラー５ｂの平均の粒径は、０．１μｍ程度であり得る。第２の層４ｂにおける複数の第２の無機フィラー５ｂの含有率は、第１の層４ａにおける複数の第１の無機フィラー５ａの含有率よりも小さい。第２の層４ｂにおける複数の第２の無機フィラー５ｂの含有率は、例えば、４０％以上、６５％以下である。

【0022】

図２には、図１に示されるII部に相当する、絶縁層４１の第２の層４ｂおよび絶縁層４１の上に形成されている導体層３ａの金属膜３１の実施形態の拡大図が示されている。第２の層４ｂは、複数の第２の無機フィラー５ｂおよび複数の第２の無機フィラー５ｂそれぞれを囲む第２の樹脂部４５ｂを含んでいる。

【0023】

図２に示されるように、絶縁層４１の表面４１ａ（第２の層４ｂの表面）は、細かな凹凸４ｕを有している。例えば、過マンガン酸アルカリ溶液などの処理液に晒すといった化学的方法で表面４１ａに粗化処理が施されることによって、所定の表面粗さを提供する凹凸４ｕが形成される。絶縁層４１の表面４１ａに露出する複数の無機フィラー５（第２の無機フィラー５ｂ）の一部を粗化処理で剥離することによって、凹凸４ｕが形成されてもよい。絶縁層４１の表面４１ａがこのような細かな凹凸４ｕを有することによって、絶縁層４１の表面４１ａ上に形成される金属膜３１が絶縁層４１上にアンカー効果によって係止され得る。金属膜３１と絶縁層４１との密着強度が向上すると考えられる。

【0024】

絶縁層４１の表面４１ａは、具体的には、本実施形態において、０．０５μｍ以上、０．１５μｍ以下の算術平均粗さ（Ｒａ）を有し得る。絶縁層４１の表面４１ａがこのような小さな表面粗さを有していると、導体層３ａの製造工程において表面４１ａ上に形成された金属膜３１の不要部分（導体層３ａの導体パターンを構成しない部分）が意図通りに除去され易い。すなわち、内部に形成された金属膜３１の除去が困難となるほどの深い凹みが表面４１ａに存在し難いため、金属膜３１の不要部分が、例えばエッチングによって短時間で適切に除去され得る。従って導体層３ａの導体パターン（例えば配線パターン３０など）間の絶縁性が低下し難く、短絡不良が生じ難い。また、エッチング時間が短いため、エッチング量が少なく、微細配線を含む導体層３ａが形成される場合でも、エッチングによる配線パターン３０の線細りが起こりにくいと考えられる。第１の層４ａによる絶縁層４１全体の低誘電正接の機能と微細配線形成のための絶縁層４１の表面４１ａの低粗度化の両方の効果が実現され得ると考えられる。

【0025】

第２の層４ｂに含まれる第２の無機フィラー５ｂは、絶縁層４１の表面４１ａ（第２の層４ｂの表面）に露出する部分を含んでいてもよく、略全体的に樹脂部４５（第２の樹脂部４５ｂ）に囲まれていて略全体的に絶縁層４１（第２の層４ｂ）内に埋まっていてもよい。絶縁層４１の表面４１ａに露出する第２の無機フィラー５ｂは、粗化処理の途中などで絶縁層４１の表面４１ａから剥離する可能性があるが、剥離した場合であっても、第２の無機フィラー５ｂが上述されるような０．１μｍ程度の粒径であるため、剥離による深い凹みが絶縁層４１の表面４１ａに形成される虞は少ないと考えられる。

【0026】

また、絶縁層４１の表面４１ａの表面粗さが小さいので、導体層３ａにおける絶縁層４１側の表面粗さも比較的小さいと考えられる。従って、例えば高周波信号の伝送において伝送信号が表皮効果の影響を受けても、実質的なインピーダンスの増加に伴う伝送特性の低下などが生じ難いと考えられる。

【0027】

第１の樹脂部４５ａ、および第２の樹脂部４５ｂを構成する樹脂材料は、同じであってもよく、また異なっていてもよい。第２の層４ｂの第２の樹脂部４５ｂは、第２の層４ｂに含まれている複数の第２の無機フィラー５ｂのそれぞれを囲むように形成されている。ただし、図２に示されるように、第２の層４ｂの金属膜３１がその上に形成されている部分では、第２の樹脂部４５ｂと第２の無機フィラー５ｂとの間に、第２の層４ｂの表面（絶縁層４１の表面４１ａ）から入り込んだ金属膜３１の一部が入り込んでいる。

【0028】

例えば、金属膜３１が無電解めっきによって形成される無電解めっき膜である場合、めっき液中で行われる無電解めっきにより、絶縁層４１の表面４１ａ上に導体層３ａを構成する金属膜３１が形成される。この際に、金属膜３１の一部が絶縁層４１の表面４１ａから第２の樹脂部４５ｂと第２の無機フィラー５ｂとの間に入り込むことにより、第２の樹脂部４５ｂと第２の無機フィラー５ｂとの隙間内へも金属膜３１の形成が起こり得る。すなわち、導体層３ａの一部（金属膜３１の一部）が、絶縁層４１の表面４１ａ上だけでなく、第２の樹脂部４５ｂと第２の無機フィラー５ｂとの間にまで形成されている。このように、第２の樹脂部４５ｂと第２の無機フィラー５ｂとの隙間内に金属膜３１が形成されると、金属膜３１（導体層３ａの一部）と絶縁層４１との実質的な接触面積が増大すると考えられる。金属膜３１すなわち導体層３ａと絶縁層４１との密着強度が向上すると考えられる。

【0029】

すなわち、実施形態の配線基板１００では、絶縁層４１の第２の層４ｂは、金属膜３１がその上に形成されている部分において、第２の無機フィラー５ｂおよび第２の樹脂部４５ｂの間に形成されている金属膜３１と第２の樹脂部４５ｂとで構成される複合層４５ｄを含んでいる。すなわち、第２の層４ｂの金属膜３１がその上に形成されている部分では、第２の層４ｂの金属膜３１側の表面近傍に位置する複数の第２の無機フィラー５ｂが複合層４５ｄによってそれぞれ囲まれている。

【0030】

複合層４５ｄにおける、絶縁層４１の表面４１ａから入り込んだ金属膜３１の一部の占有率、すなわち複合層４５ｄ中の第２の樹脂部４５ｂおよび金属膜３１の一部の合計に対する金属膜３１の一部の割合は、約５０％以上、約７５％以下程度である。好ましくは、金属膜３１の一部の占有率は、約６０％以上であり得る。金属膜３１と絶縁層４１との良好な密着強度が得られ得ると考えられる。

【0031】

複合層４５ｄの厚みは、絶縁層４１の表面４１ａから入り込んだ金属膜３１の最深部の絶縁層４１の表面４１ａからの距離Ｄである。なお、「最深部」とは、入り込んだ金属膜３１において、絶縁層４１の表面４１ａから配線基板１００の厚さ方向（積層方向）で最も表面４１ａから離れている個所を意味している。金属膜３１が絶縁層４１の表面４１ａから過剰に入り込み過ぎていると、金属膜３１の不要部分が除去される導体層３ａのパターニングにおいて、図１に示される配線パターン３０のような導体パターンが形成されない領域で金属膜３１が除去され難いことがある。例えば、第２の樹脂部４５ｂと第２の無機フィラー５ｂとの間の隙間が深すぎると金属膜３１を溶解するエッチング液が隙間の奥まで流入できず、第２の樹脂部４５ｂと第２の無機フィラー５ｂとの間に金属膜３１が残存することがある。そのように金属膜３１が残存すると、導体層３ａの導体パターン同士の間、例えば隣接する配線パターン３０同士の間の絶縁性が低下して、例えば短絡不良などが生じる虞があると考えられる。

【0032】

例えば、本実施形態において、複合層４５ｄの厚みは、約０．１μｍ以上、約０．３μｍ以下程度である。この厚みは、絶縁層４１の表面４１ａから入り込む金属膜３１の絶縁層４１の表面４１ａからの距離Ｄを、例えば金属膜３１の形成のためのめっき条件を適宜選択することなどにより調整することによって得られ得る。この程度の複合層４５ｄの厚みであれば、エッチング処理工程における金属膜３１の残存が起こり難いと考えられる。本実施形態によれば、導体パターン間の絶縁性の低下を抑制しながら、絶縁層と導体層との密着強度を向上させ得ると考えられる。

【0033】

本実施形態の配線基板における絶縁層４の他の例として、絶縁層４１の第１の層４ａに含まれる第１の無機フィラー５ａとして、シリカやアルミナなどからなる無機フィラー５の代わりに、または、シリカやアルミナなどからなる無機フィラー５に加えて、中空フィラーが使用されてもよい。第１の層４ａが中空フィラーのような多孔質材料を含むことにより、絶縁層４１のさらなる低誘電率化が達成され得ることがある。第２の層４ｂに含まれる第２の無機フィラー５ｂとしては、絶縁層との密着がより強固であると考えられるため、シリカやアルミナなどからなる無機フィラー５を用いることが好ましい場合がある。

【0034】

図３には、実施形態の配線基板の一実施例における絶縁層４１、および、導体層３ａを構成する金属膜３１と絶縁層４１の界面付近の断面の撮影画像が示されている。

【0035】

図３に示されるように、絶縁層４１は、より大きな粒径を有する第１の無機フィラー５ａを含む第１の層４ａと、より小さな粒径を有する第２の無機フィラー５ｂを含む第２の層４ｂを有している。

【0036】

金属膜３１は、第２の無機フィラー５ｂと第２の樹脂部４５ｂとの間にも形成されている。図３の実施例に示されるように、本実施形態では、第２の無機フィラー５ｂと絶縁層４１の第２の樹脂部４５ｂとの間に金属膜３１の一部が入り込んでいる。本実施形態では、第２の層４ｂは、第２の無機フィラー５ｂと第２の樹脂部４５ｂの間に入り込んでいる金属膜３１および第２の樹脂部４５ｂから構成される複合層４５ｄを含んでいる。複合層４５ｄの厚みは、第２の無機フィラー５ｂと第２の樹脂部４５ｂの間に入り込んでいる金属膜３１の最深部と絶縁層４１の表面４１ａとの距離Ｄであり、０．１μｍ以上、０．３μｍ以下程度である。そのため、導体層３ａ（金属膜３１）と絶縁層４１との良好な密着強度と共に、導体層３ａに含まれる導体パターン間の良好な絶縁性を得ることができる。

【0037】

実施形態の配線基板は、一般的な配線基板の製造方法によって製造され得る。絶縁層４および絶縁層４上の導体層３は、例えば一般的なビルドアップ基板の製造方法によって、それぞれ形成される。例えば各絶縁層および絶縁層４を構成する各層は、フィルム状の樹脂材料を、先に形成されている各導体層上や各絶縁層上に熱圧着することによって形成され得る。また、各導体層は、例えば、めっきレジストの形成およびパターンめっきなどを含むセミアディティブ法やフルアディティブ法などの導体パターンの任意の形成方法を用いて形成される。

【0038】

絶縁層４１の表面４１ａの粗化処理は一般的な手順および条件で行われ得るが、例えば過マンガン酸アルカリ溶液処理による粗化処理では、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による酸化処理（実質的な粗化処理）、および、中和液による中和処理が行われ得る。膨潤液としては、例えば、水酸化ナトリウム溶液、または水酸化カリウム溶液などが用いられ、所定の温度の膨潤液に絶縁層４１が所定の時間だけ晒される。酸化剤としては、例えば、所定の濃度で過マンガン酸塩を含むアルカリ性過マンガン酸溶液が用いられ、所定の温度の同溶液に、絶縁層４１が所定の時間だけ晒される。中和液としては、酸性の水溶液が用いられ、酸化処理によって粗化された絶縁層４１の表面４１ａが、所定の温度の中和液に所定の時間だけ晒される。例えば、これら一連の粗化処理中の各処理における処理時間、処理液の温度、および／または処理液中の主成分の濃度などの条件が適宜選択される。その結果、絶縁層４１の表面４１ａが前述した所望の算術平均粗さ（Ｒａ）を有するように表面４１ａが粗化され得る。

【0039】

絶縁層４１の表面４１ａの粗化後、洗浄が行われてもよい。例えば、超音波洗浄によって製造途上の配線基板が洗浄される。超音波洗浄によって、絶縁層４１の表面４１ａの状態が、さらに所望の状態に近づけられてもよい。例えば、表面４１ａに過剰に存在する第２の無機フィラー５ｂが、超音波洗浄によって除去され、代わりに凹凸４ｕが形成されてもよい。

【0040】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示される構造、形状、および材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。実施形態の配線基板は任意の数の導体層および絶縁層を有し得る。導体層３は、電解めっき膜からなるめっき膜３２を含まなくてもよく、例えば無電解めっき膜からなる金属膜３１だけを含んでいてもよい。導体層３ａがその表面上に形成されていない絶縁層４が２層構造を有していてもよいし、絶縁層４１が第１および第２の層以外の層を含んでいてもよい。

【符号の説明】

【0041】

１００ 配線基板
３、３ａ 導体層
３０ 配線パターン
３１ 金属膜
３２ めっき膜
４、４１ 絶縁層
４ａ 第１の層
４ｂ 第２の層
４１ａ 表面
４５ 樹脂部
４５ａ 第１の樹脂部
４５ｂ 第２の樹脂部
４５ｄ 複合層
５ 無機フィラー
５ａ 第１の無機フィラー
５ｂ 第２の無機フィラー
Ｄ 金属膜の最深部と絶縁層の表面との距離

【図1】

【図2】

【図3】