特開 2024-85326 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024085326

(43)【公開日】2024-06-26

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240619BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H05K3/46 N

H05K3/46 T

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022199803

(22)【出願日】2022-12-14

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】伊西 拓弥

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC05

5E316CC08

5E316CC32

5E316DD17

5E316DD24

5E316EE01

5E316FF04

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH11

5E316JJ13

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、キャビティが形成されているベース基板と、前記キャビティに収容されている電子部品と、前記ベース基板上に形成されている第一導体層と、前記第一導体層上に形成されていて、樹脂と無機粒子とを含み、前記電子部品の電極に繋がるビア孔を有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層上に形成されている第二導体層と、前記ビア孔内に形成されていて、前記第二導体層と前記電極とを接続するビア導体と、を有するプリント配線板であって、前記樹脂絶縁層の前記ビア孔の内壁面は、前記樹脂と前記無機粒子とで形成され、前記無機粒子は、前記内壁面を形成する第一平滑面を有する第一無機粒子と、前記樹脂絶縁層内に埋まっている第二無機粒子とを含み、前記ビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

キャビティが形成されているベース基板と、
前記キャビティに収容されている電子部品と、
前記ベース基板上に形成されている第一導体層と、
前記第一導体層上に形成されていて、樹脂と無機粒子とを含み、前記電子部品の電極に繋がるビア孔を有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層上に形成されている第二導体層と、
前記ビア孔内に形成されていて、前記第二導体層と前記電極とを接続するビア導体と、
を有するプリント配線板であって、
前記樹脂絶縁層の前記ビア孔の内壁面は、前記樹脂と前記無機粒子とで形成され、
前記無機粒子は、前記内壁面を形成する第一平滑面を有する第一無機粒子と、前記樹脂絶縁層内に埋まっている第二無機粒子とを含み、
前記ビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されている。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、
前記第一平滑面は、前記無機粒子の切断面である。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、
前記内壁面を形成する前記樹脂の面と前記第一平滑面とが面一である。

【請求項4】

請求項１のプリント配線板であって、
前記内壁面を形成する前記樹脂の面と前記第一平滑面とによって、前記内壁面が平滑に形成されている。

【請求項5】

請求項１のプリント配線板であって、
前記シード層がスパッタ膜である。

【請求項6】

請求項５のプリント配線板であって、
前記スパッタ膜は、前記ビア孔の内壁面に接する第一層と前記第一層上の第二層で形成されており、
前記第一層は、銅合金によって形成されていて、
前記第二層は、銅によって形成されている。

【請求項7】

請求項１のプリント配線板であって、
前記シード層が形成されている前記樹脂絶縁層の表面は、前記樹脂のみで形成されている。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示する技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、キャビティが形成されたベース基板と、ベース基板のキャビティに収容される電子部品と、を有する配線板が開示されている。この配線板では、導体層と電子部品の電極が部品接続用のビア導体によって接続されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－３８８９０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示された技術では、絶縁層に設けたビア孔に部品接続用のビア導体が埋設されている。ビア孔の内壁面（内周面）に凹凸がある場合、部品接続用のビア導体の外壁面（外周面）の凹凸に対応する部位に応力が集中しやすくなる。部品接続用のビア導体に応力が集中した場合、このビア導体に亀裂が生じると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示のプリント配線板は、
キャビティが形成されているベース基板と、
前記キャビティに収容されている電子部品と、
前記ベース基板上に形成されている第一導体層と、
前記第一導体層上に形成されていて、樹脂と無機粒子とを含み、前記電子部品の電極に繋がるビア孔を有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層上に形成されている第二導体層と、
前記ビア孔内に形成されていて、前記第二導体層と前記電極とを接続するビア導体と、
を有するプリント配線板であって、
前記樹脂絶縁層の前記ビア孔の内壁面は、前記樹脂と前記無機粒子とで形成され、
前記無機粒子は、前記内壁面を形成する第一平滑面を有する第一無機粒子と、前記樹脂絶縁層内に埋まっている第二無機粒子とを含み、
前記ビア導体は、シード層と前記シード層上の電解めっき層で形成されている。

【0006】

本開示の実施形態のプリント配線板は、樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂とを含む。樹脂絶縁層は電子部品の電極に繋がるビア孔を有する。ビア孔の内壁面はビア導体のシード層と接する。ビア孔の内壁面を樹脂と無機粒子とで形成する。ビア孔の内壁面を平滑とすることにより、内壁面上に形成されるシード層の表面が平滑となり、電解めっき層の充填性が向上する。これによりビア導体の内層を構成する電解めっき層に応力集中部位が形成されるのが抑制される。ビア導体の内層に亀裂が生じるのを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図3F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3G】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3H】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3I】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4】実施形態の別例２のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して本開示の実施形態の一例を詳細に説明する。
各図面において同一の符号を用いて示される構成要素は、同一又は同様の構成要素であることを意味する。なお、以下に説明する実施形態において重複する説明及び符号については、省略する場合がある。また、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

【0009】

図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図２は実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、ベース基板４と電子部品７０と第一導体層１０と第一樹脂絶縁層２０と第二導体層３０とビア導体４０とビア導体４２とビア導体１４０と第三導体層１１０と第二樹脂絶縁層１２０と第四導体層１３０とを有する。

【0010】

ベース基板４は樹脂を用いて形成される。ベース基板４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。ベース基板４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。ベース基板４は、第三面６（図中の上面）と第三面６と反対側の第四面８（図中の下面）を有する。ベース基板４には第一導体層１０と第三導体層１１０とを接続するスルーホール導体用の貫通孔が形成されてもよい。このベース基板４には、電子部品７０が収容されるキャビティ５が形成されている。

【0011】

電子部品７０はベース基板４のキャビティ５に収容されている。電子部品７０は、一対の電極７１を有する。電子部品７０は例えば、コンデンサである。

【0012】

第一導体層１０はベース基板４の第三面６上に形成されている。第一導体層１０は信号配線１２とパッド１４を含む。第一導体層１０は信号配線１２とパッド１４とは別の導体回路も含んでいてもよい。第一導体層１０は主に銅によって形成される。第一導体層１０は、ベース基板４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａは第三面６上の金属箔１１ａと金属箔１１ａ上の無電解めっき層１１ｂで形成されている。金属箔１１ａはベース基板４に接している。

【0013】

第一樹脂絶縁層２０はベース基板４の第三面６と第一導体層１０上に形成されている。第一樹脂絶縁層２０は第一面２２（図中の上面）と第一面２２と反対側の第二面２４（図中の下面）を有する。第一樹脂絶縁層２０の第二面２４は第一導体層１０と対向する。第一樹脂絶縁層２０は樹脂８０と多数の無機粒子９０を含む。第一樹脂絶縁層２０は厚み方向に貫通する貫通孔としてのビア孔２６とビア孔２８とを有している。ビア孔２８は、第一樹脂絶縁層２０に一対設けられている。一対のビア孔２８は電子部品７０の一対の電極７１にそれぞれ繋がる。各ビア孔２８の内壁面２９は樹脂８０と無機粒子９０とで形成されている。各内壁面２９はそれぞれ平滑に形成されている。

【0014】

樹脂８０は、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂を用いてもよい。樹脂８０は、一例としてエポキシ系樹脂を用いてもよい。

【0015】

多数の無機粒子９０は樹脂８０内に分散されている。無機粒子９０は、例えば、シリカ、アルミナを用いてもよい。無機粒子９０の粒子径は、例えば、平均粒子径０．５μｍ、粒子径範囲は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下である。

【0016】

図１と図２に示されるように、無機粒子９０は第一無機粒子９１と第二無機粒子９２とを含む。第一無機粒子９１はビア孔２８の内壁面２９を形成する第一平滑面９１ａを有する。第二無機粒子９２は樹脂８０内に埋まっている。第二無機粒子９２の形状は一例として球形である。第一無機粒子９１の形状は一例として球形を平面で切断した形状である。例えば、第一無機粒子９１の形状は第二無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第一無機粒子９１の形状と第二無機粒子９２の形状は異なる。第一平滑面９１ａは第一無機粒子９１の切断面である。

【0017】

図１に示されるように、第一樹脂絶縁層２０の第一面２２は樹脂８０のみで形成されている。第一面２２から無機粒子９０は露出しない。具体的には、第一面２２から第二無機粒子９２は露出しない。第一面２２は第二無機粒子９２の表面を含まない。第一樹脂絶縁層２０の第一面２２には凹凸が形成されていない。第一面２２は荒らされていない。第一面２２は平滑に形成されている。第一面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である。

【0018】

図２に示されるように、各ビア孔２８の内壁面２９は、樹脂８０の面８０ａと第一無機粒子９１の第一平滑面９１ａとで形成されている。面８０ａと第一平滑面９１ａは、ほぼ共通な面を形成する。言い換えると、面８０ａと第一平滑面９１ａは、面一とされている。このため、内壁面２９に凹凸が形成されない。すなわち、各内壁面２９は平滑である。各内壁面２９の算術平均粗さ（Ｒａ）は一例として１．０μｍ以下である。言い換えると、内壁面２７を形成する面８０ａと第一平滑面９１ａの各々の算術平均粗さ（Ｒａ）は、一例として１．０μｍ以下である。

【0019】

図２に示されるように、各ビア孔２８の内壁面２９は傾斜している。電極７１の上面と内壁面２９との間の角度（傾斜角度）θ１は例えば７０°以上８５°以下である。電極７１の上面は例えば第一導体層１０の上面と平行である。第一樹脂絶縁層２０の第一面（上面）２２と内壁面２９との間の角度（傾斜角度）θ２は例えば９５°以上１１０°以下である。

【0020】

ビア孔２６の内壁面２７もビア孔２８の内壁面２９と同様に、樹脂８０の面８０ａと第一無機粒子９１の第一平滑面９１ａとで形成されてもよい。また内壁面２７を形成する面８０ａと第一平滑面９１ａは、ほぼ共通な面を形成してもよい。この場合、内壁面２７は内壁面２９と同様に平滑である。

【0021】

図１に示されるように、第二導体層３０は第一樹脂絶縁層２０の第一面２２上に形成されている。第二導体層３０は第一信号配線３２と第二信号配線３４とランド３６とランド３８とランド３９を含む。第二導体層３０は第一信号配線３２と第二信号配線３４とランド３６とランド３８とランド３９とは別の導体回路を含んでいてもよい。第一信号配線３２と第二信号配線３４はペア配線を形成している。第二導体層３０は主に銅によって形成される。第二導体層３０は、第一面２２上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａは第一面２２上の第一層３１ａと第一層３１ａ上の第二層３１ｂで形成されている。第一層３１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む合金（銅合金）で形成されている。第二層３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層３０ｂは銅で形成されている。第一層３１ａは第一面２２に接している。第二層３１ｂは電解めっき層３０ｂと接着している。第二導体層３０のうち第一樹脂絶縁層２０の第一面２２と対向する面は第一面２２の表面形状に沿って形成されている。第二導体層３０は第一樹脂絶縁層２０の第一面２２の内側に入り込まない。

【0022】

ビア導体４０はビア孔２６内に形成されている。ビア導体４０は、第一導体層１０と第二導体層３０を接続する。図１ではビア導体４０はパッド１４とランド３６を接続する。ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。第一層３１ａはビア孔２６の内壁面２７に接している。

【0023】

ビア導体４２は各ビア孔２８内にそれぞれ形成されている。各ビア導体４２は、電子部品７０の電極７１と第二導体層３０とを接続する。図１ではビア導体４２の一つが一方の電極７１とランド３８を接続し、ビア導体４２のもう一つがもう一方の電極７１とランド３９を接続する。各ビア導体４２はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。ビア導体４０を形成するシード層３０ａと各ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第二導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。第一層３１ａは内壁面２９に接している。

【0024】

第三導体層１１０はベース基板４の第四面８上に形成されている。第三導体層１１０は信号配線１１２とパッド１１４を含む。第三導体層１１０は信号配線１１２とパッド１１４とは別の導体回路も含んでいてもよい。第三導体層１１０は主に銅によって形成される。第三導体層１１０は、ベース基板４上のシード層１１０ａとシード層１１０ａ上の電解めっき層１１０ｂで形成されている。シード層１１０ａは第四面８上の金属箔１１１ａと金属箔１１１ａ上の無電解めっき層１１１ｂで形成されている。金属箔１１１ａはベース基板４に接している。

【0025】

第二樹脂絶縁層１２０はベース基板４の第四面８と第三導体層１１０上に形成されている。第二樹脂絶縁層１２０は第一面１２２（図中の下面）と第一面１２２と反対側の第二面１２４（図中の上面）を有する。第二樹脂絶縁層１２０の第二面１２４は第三導体層１１０と対向する。第二樹脂絶縁層１２０は樹脂１８０と多数の無機粒子１９０を含む。樹脂１８０と無機粒子１９０は、第一樹脂絶縁層２０の樹脂８０と無機粒子９０と同様である。第二樹脂絶縁層１２０は厚み方向に貫通する貫通孔としてのビア孔１２６とを有している。

【0026】

ビア孔１２６の内壁面１２７もビア孔２８の内壁面２９と同様に、樹脂１８０の面と無機粒子１９０の第一平滑面とで形成されてもよい。また内壁面１２７を形成する面と第一平滑面は、ほぼ共通な面を形成してもよい。この場合、内壁面１２７は内壁面２９と同様に平滑である。

【0027】

図１に示されるように、第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２は樹脂１８０のみで形成されている。第一面１２２から無機粒子１９０は露出しない。第一面１２２は無機粒子１９０の表面を含まない。第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２には凹凸が形成されていない。第一面１２２は荒らされていない。第一面１２２は平滑に形成されている。第一面１２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、第一面２２の算術平均粗さと同様である。

【0028】

図１に示されるように、第四導体層１３０は第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２上に形成されている。第四導体層１３０は第三信号配線１３２と第四信号配線１３４とランド１３６とを含む。第四導体層１３０は第三信号配線１３２と第四信号配線１３４とランド１３６とは別の導体回路を含んでいてもよい。第三信号配線１３２と第四信号配線１３４はペア配線を形成している。第四導体層１３０は主に銅によって形成される。第四導体層１３０は、第一面１２２上のシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。シード層１３０ａ、電解めっき層１３０ｂは第二導体層３０のシード層３０ａ、電解めっき層３０ｂと同様である。シード層１３０ａは第一面１２２上の第一層１３１ａと第一層１３１ａ上の第二層１３１ｂで形成されている。第一層１３１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む合金（銅合金）で形成されている。第二層１３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１３０ｂは銅で形成されている。第一層１３１ａは第一面１２２に接している。第二層１３１ｂは電解めっき層１３０ｂと接着している。第四導体層１３０のうち第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２と対向する面は第一面１２２の表面形状に沿って形成されている。第四導体層１３０は第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２の内側に入り込まない。

【0029】

ビア導体１４０はビア孔１２６内に形成されている。ビア導体１４０は、第三導体層１１０と第四導体層１３０を接続する。図１ではビア導体１４０はパッド１１４とランド１３６を接続する。ビア導体１４０はシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。第一層１３１ａはビア孔１２６の内壁面１２７に接している。

【0030】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図３Ａ～図３Ｉは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図３Ａ～図３Ｄ、図３Ｆ～図３Ｉは断面図である。図３Ｅは拡大断面図である。図３Ａはベース基板４とベース基板４の第三面６上に形成されている第一導体層１０を示す。また、ベース基板４とベース基板４の第四面８上に形成されている第三導体層１１０を示す。第一導体層１０はサブトラクティブ法によって形成される。第三面６上に形成されている金属箔１１ａ上に無電解めっき層１１ｂが無電解めっきで形成される。電解めっき層１０ｂは電解めっきで形成される。同様に、第三導体層１１０はサブトラクティブ法によって形成される。第四面８上に形成されている金属箔１１１ａ上に無電解めっき層１１１ｂが無電解めっきで形成される。電解めっき層１１０ｂは電解めっきで形成される。

【0031】

図３Ｂに示されるように、ベース基板４に電子部品７０を収めるためのキャビティ５が形成される。キャビティ５は、ベース基板４を厚み方向に貫通する貫通孔であり、ドリルによる機械加工あるいはレーザ光の照射等によって形成される。

【0032】

ベース基板４のキャビティ５には電子部品７０が収まる。そして、ベース基板４の第三面６にキャビティ５の開口を塞ぐように粘着テープ９が形成される。

【0033】

ベース基板４と第三導体層１１０上に第二樹脂絶縁層１２０が形成される。またキャビティ５の内壁と電子部品７０との隙間に第二樹脂絶縁層１２０の一部が充填される。第二樹脂絶縁層１２０とキャビティ内の充填樹脂１２１が仮硬化される。第二樹脂絶縁層１２０の第二面１２４がベース基板４の第四面８と対向している。第二樹脂絶縁層１２０は樹脂１８０と無機粒子１９０を有する。無機粒子１９０は樹脂１８０内に埋まっている。

【0034】

ベース基板４の第三面６から粘着テープ９を剥離する。

【0035】

図３Ｃに示されるように、ベース基板４と第一導体層１０上に第一樹脂絶縁層２０が形成される。第一樹脂絶縁層２０の第二面２４がベース基板４の第三面６と対向している。第一樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子９０（第二無機粒子９２）を有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。

【0036】

第一樹脂絶縁層２０の第一面２２上に保護膜５０が形成される。保護膜５０は第一樹脂絶縁層２０の第一面２２を完全に覆っている。保護膜５０は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜５０と第一樹脂絶縁層２０との間に離型剤による層が形成されている。

【0037】

第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２上に保護膜５２が形成される。保護膜５２は第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２を完全に覆っている。保護膜５２は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜５２と第二樹脂絶縁層１２０との間に離型剤による層が形成されている。

【0038】

図３Ｄに示されるように、保護膜５０の上からレーザ光Ｌ１が照射される。レーザ光Ｌ１は保護膜５０と第一樹脂絶縁層２０を貫通する。第一導体層１０のパッド１４に至るビア導体用のビア孔２６が形成される。また電子部品７０の一対の電極７１に至るビア導体用のビア孔２８がそれぞれ形成される。レーザ光Ｌ１は例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。ビア孔２６によりパッド１４が露出される。また各ビア孔２８により各電極７１が露出される。ビア孔２６及びビア孔２８が形成される時、第一面２２は保護膜５０で覆われている。そのため、ビア孔２６及びビア孔２８が形成される時、樹脂が飛散しても、第一面２２に樹脂が付着することが抑制される。

【0039】

保護膜５２の上からレーザ光Ｌ２が照射される。レーザ光Ｌ２は保護膜５２と第二樹脂絶縁層１２０を貫通する。第三導体層１１０のパッド１１４に至るビア導体用のビア孔１２６が形成される。レーザ光Ｌ２はレーザ光Ｌ１と同様のレーザ光である。ビア孔１２６によりパッド１１４が露出される。ビア孔１２６が形成される時、第一面１２２は保護膜５２で覆われている。そのため、ビア孔１２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第一面１２２に樹脂が付着することが抑制される。

【0040】

図３Ｅは、レーザ光照射後のビア孔２８の内壁面２９ｂを示す。内壁面２９ｂは樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。内壁面の形状を制御するため、レーザ光照射後の内壁面２９ｂは処理される。樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去することが好ましい。この除去により、無機粒子９０から第一無機粒子９１が形成される。例えば、レーザ光照射後の内壁面２９ｂを薬品で処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去してもよい。あるいは、レーザ光照射後の内壁面２９ｂをプラズマで処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去してもよい。無機粒子９０を選択的に除去することは、無機粒子９０のエッチング速度が樹脂８０のエッチング速度より大きいことを含む。例えば、両者のエッチング速度差は１０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は５０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は１００倍以上である。レーザ光照射後の内壁面２９ｂを処理することで、第一平滑面９１ａ（図２参照）を有する第一無機粒子９１が得られる。また、レーザ光照射後の内壁面２９ｂを処理するための条件を制御することで、内壁面２９ｂの形状を制御することができる。条件の例は、温度、濃度、時間、ガスの種類や圧力である。無機粒子９０のエッチング速度と樹脂のエッチング速度が制御される。

【0041】

第一樹脂絶縁層２０にレーザ光Ｌ１を照射することで、樹脂８０に埋まっている第二無機粒子９２の一部がレーザ光照射後の内壁面２９ｂを形成する。レーザ光照射後の内壁面２９ｂを形成する第二無機粒子９２は、樹脂８０から突出している突出部分Ｐと樹脂８０に埋まっている部分Ｅで形成される。レーザ光照射後の内壁面２９ｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで内壁面２９ｂが処理される。突出部分Ｐが選択的に除去され、実施形態の内壁面２９（図１及び図２参照）が形成される。第二無機粒子９２から第一無機粒子９１が形成される。突出部分Ｐを選択的に除去することで、第一平滑面９１ａを有する第一無機粒子９１が形成される。球の形を持つ第二無機粒子９２が平面で切断されると、第一無機粒子９１の形状が得られる。内壁面２９は樹脂８０の面８０ａと第一無機粒子９１の第一平滑面９１ａとで形成され、面８０ａと第一平滑面９１ａはほぼ同一平面上に位置する。例えば、スパッタで内壁面２９ｂ上にシード層３０ａが形成されると、突出部分Ｐはスパッタ膜の成長を阻害する。例えば、内壁面２９ｂ上に連続しているシード層３０ａが形成されない。あるいは、シード層３０ａの厚みを大きくしなければならない。微細な導体回路を形成することができない。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。スパッタで形成されるシード層３０ａの厚みを薄くできる。スパッタで形成されるシード層３０ａの厚みが薄くても、連続しているシード層３０ａが得られる。

【0042】

内壁面２９上に凹凸が形成されない。内壁面２９は平滑に形成される。レーザ光照射後の内壁面２９ｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさが制御される。

【0043】

なお、ビア孔２６の内壁面２７ｂはレーザ光照射後にビア孔２８の内壁面２９ｂと同様の処理が実施されてもよい。同様の処理が実施されることにより、内壁面２７は平滑に形成される。また、ビア孔１２６の内壁面１２７ｂはレーザ光照射後にビア孔２８の内壁面２９ｂと同様の処理が実施されてもよい。同様の処理が実施されることにより、内壁面１２７は平滑に形成される。

【0044】

ビア孔２６内、ビア孔２８内及びビア孔１２６内が洗浄される。ビア孔２６内、ビア孔２８内及びビア孔１２６内を洗浄することによりビア孔２６内、ビア孔２８内及びビア孔１２６内の形成時に発生する樹脂残渣が除去される。ビア孔２６内、ビア孔２８内及びビア孔１２６内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。ドライプロセスのガス種は、ハロゲン系ガス（フッ素系ガス、塩素系ガス等）とＯ_２ガスの混合ガス、あるいはハロゲン系ガス（フッ素系ガス、塩素系ガス等）、Ｏ_２ガスの単独のガスである。洗浄はデスミア処理を含む。第一樹脂絶縁層２０の第一面２２は保護膜５０で覆われているためプラズマの影響を受けない。第一樹脂絶縁層２０の第一面２２には凹凸が形成されない。第一面２２は荒らされない。第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２は保護膜５２で覆われているためプラズマの影響を受けない。第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２には凹凸が形成されない。第一面１２２は荒らされない。

【0045】

レーザ光照射後の内壁面２９ｂを処理することがビア孔２８内を洗浄することを含む場合、ビア孔２８内の洗浄を削除してもよい。

【0046】

図３Ｆに示されるように、ビア孔２６内、ビア孔２８内及びビア孔１２６内を洗浄後に、第一樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去され、第二樹脂絶縁層１２０から保護膜５２が除去される。レーザ光照射後の内壁面２９ｂを処理することがビア孔２８内を洗浄することを含む場合、レーザ光照射後の内壁面２９ｂの処理後に、第一樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２９ｂが処理される時、保護膜５０は第一樹脂絶縁層２０の第一面２２を覆っている。保護膜５０の除去後、第一樹脂絶縁層２０の第一面２２を荒らすことは行われない。そのため、第一面２２は平滑に形成される。レーザ光照射後の内壁面１２７ｂが処理される時、保護膜５２は第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２を覆っている。保護膜５２の除去後、第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２を荒らすことは行われない。そのため、第一面１２２は平滑に形成される。第一面２２及び第一面１２２の算術平均粗さ（Ｒａ）のそれぞれは、例えば、０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である。

【0047】

図３Ｇに示されるように、第一樹脂絶縁層２０の第一面２２上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａはスパッタによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。第一層３１ａが第一面２２上にスパッタで形成される。同時に、ビア孔２６から露出する内壁面２７とパッド１４上に第一層３１ａがスパッタで形成される。その後、第一層３１ａ上に第二層３１ｂがスパッタで形成される。シード層３０ａはビア孔２６から露出するパッド１４の上面とビア孔２６の内壁面２７にも形成される。またシード層３０ａは一対のビア孔２８から露出する各電極７１の上面と各ビア孔２８の内壁面２９にもそれぞれ形成される。第一層３１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む合金で形成される。第二層３１ｂは銅で形成される。

【0048】

第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２上に、シード層３０ａと同様の方法でシード層１３０ａが形成される。シード層１３０ａはビア孔１２６から露出するパッド１１４の上面とビア孔１２６の内壁面１２７にも形成される。シード層１３０ａを構成する第一層１３１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む合金で形成される。シード層１３０ａを構成する第二層１３１ｂは銅で形成される。

【0049】

図３Ｈに示されるように、シード層３０ａ上にめっきレジスト６０が形成される。めっきレジスト６０は、第一信号配線３２と第二信号配線３４とランド３６とランド３８とランド３９（図１参照）を形成するための開口を有する。シード層１３０ａ上にめっきレジスト６２が形成される。めっきレジスト６２は、第三信号配線１３２と第四信号配線１３４とランド１３６（図１参照）を形成するための開口を有する。

【0050】

図３Ｉに示されるように、めっきレジスト６０から露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂは銅で形成される。電解めっき層３０ｂはビア孔２６及び一対のビア孔２８を充填する。第一面２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第一信号配線３２と第二信号配線３４とランド３６とランド３８とランド３９が形成される。第二導体層３０が形成される。ビア孔２６内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、ビア導体４０が形成される。ビア導体４０は、パッド１４とランド３６を接続する。第一信号配線３２と第二信号配線３４はペア配線を形成する。各ビア孔２８内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、各ビア導体４２が形成される。ビア導体４２の一つは、一方の電極７１とランド３８を接続する。ビア導体４２のもう一つは、もう一方の電極７１とランド３９を接続する。

【0051】

めっきレジスト６２から露出するシード層１３０ａ上に電解めっき層１３０ｂが形成される。電解めっき層１３０ｂは銅で形成される。電解めっき層１３０ｂはビア孔１２６を充填する。第一面１２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第三信号配線１３２と第四信号配線１３４とランド１３６が形成される。第四導体層１３０が形成される。ビア孔１２６内のシード層１３０ａと電解めっき層１３０ｂによって、ビア導体１４０が形成される。ビア導体１４０は、パッド１１４とランド１３６を接続する。第三信号配線１３２と第四信号配線１３４はペア配線を形成する。

【0052】

めっきレジスト６０、６２が除去される。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａがエッチングで除去される。第二導体層３０とビア導体４０と各ビア導体４２が同時に形成される。電解めっき層１３０ｂから露出するシード層１３０ａがエッチングで除去される。第四導体層１３０とビア導体１４０が同時に形成される。これにより実施形態のプリント配線板２（図１参照）が得られる。

【0053】

実施形態のプリント配線板２（図１及び図２参照）では、第一樹脂絶縁層２０において、ビア孔２８の内壁面２９は樹脂８０の面８０ａと第一無機粒子９１の第一平滑面９１ａとによって形成される。面８０ａと第一平滑面９１ａがほぼ共通な面を形成する。これにより内壁面２９は平滑に形成される。そのため、シード層３０ａの表面が平滑となる。これにより電解めっき層３０ｂの充填性が向上する。ビア導体４２の内層を構成する電解めっき層３０ｂに応力集中部位（一例として凹凸部）が形成されるのが抑制される。これにより、ビア導体４２の内層である電解めっき層３０ｂに亀裂が生じるのを抑制できる。さらに、内壁面２９が平滑に形成されるため、内壁面２９とビア導体４２との間にボイドが発生するのが抑制される。これによりプリント配線板２の信頼性が向上する。すなわち、高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0054】

ビア孔２６の内壁面２７が樹脂８０の面８０ａと第一無機粒子９１の第一平滑面９１ａとによって平滑に形成されている場合、ビア導体４２と同様に、ビア導体４０の内層である電解めっき層３０ｂに亀裂が生じるのを抑制できる。またビア孔１２６の内壁面１２７が樹脂１８０の面と無機粒子１９０の第一平滑面とによって平滑に形成されている場合、ビア導体４２と同様に、ビア導体１４０の内層である電解めっき層３０ｂに亀裂が生じるのを抑制できる。ビア導体４０とビア導体１４０に亀裂が生じるのを抑制することで、プリント配線板２の信頼性が更に向上する。

【0055】

ビア孔２６の内壁面２７及びビア孔２８の内壁面２９がそれぞれ平滑に形成された場合、ビア孔２８の内壁面２９上及びビア孔２６の内壁面２７上に均一な厚みのシード層３０ａが形成される。シード層３０ａは薄く形成される（図３Ｇ参照）。そのため、シード層３０ａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため、電解めっき層３０ｂのエッチング量が少ない。第一信号配線３２と第二信号配線３４を有する第二導体層３０が設計値通りの幅を有する。またビア孔１２６の内壁面１２７が平滑に形成された場合、ビア孔１２６の内壁面１２７上に均一な厚みのシード層１３０ａが形成される。シード層１３０ａは薄く形成される（図３Ｇ参照）。そのため、シード層１３０ａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため、電解めっき層１３０ｂのエッチング量が少ない。第三信号配線１３２と第四信号配線１３４を有する第四導体層１３０が設計値通りの幅を有する。

【0056】

実施形態のプリント配線板２では第一樹脂絶縁層２０の第一面２２は樹脂８０のみで形成されている。第一面２２には無機粒子９０が露出しない。同様に第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２は樹脂１８０のみで形成されている。第一面１２２には無機粒子１９０が露出しない。第一面２２、第一面１２２にはそれぞれ凹凸が形成されない。第一樹脂絶縁層２０の第一面２２近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第二樹脂絶縁層１２０の第一面１２２近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第一面２２、第一面１２２のそれぞれの比誘電率は場所によって大きく変わらない。第一信号配線３２と第二信号配線３４が第一面２２に接していても、第一信号配線３２と第二信号配線３４間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。同様に、第三信号配線１３２と第四信号配線１３４が第一面１２２に接していても、第三信号配線１３２と第四信号配線１３４間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態のプリント配線板２ではノイズが抑制される。実施形態のプリント配線板２にロジックＩＣが実装されても、第一信号配線３２及び第三信号配線１３２で伝達されるデータと第二信号配線３４及び第四信号配線１３４で伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ遅延なく到達する。ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。例えば、第一信号配線３２及び第三信号配線１３２の長さと第二信号配線３４及び第四信号配線１３４の長さがそれぞれ５ｍｍ以上であっても、両者の伝搬速度の差を小さくすることができる。第一信号配線３２及び第三信号配線１３２の長さと第二信号配線３４及び第四信号配線１３４の長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0057】

［実施形態の別例１］
実施形態の別例１では、シード層３０ａ、１３０ａの第一層３１ａ、１３１ａは、銅と第２元素で形成されている。第２元素は、ケイ素、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、炭素、酸素、スズ、カルシウム、マグネシウム、鉄、モリブデン、銀、の中から選ばれる。第一層３１ａ、１３１ａは銅を含む合金で形成される。第二層３１ｂ、１３１ｂは銅で形成される。第二層３１ｂ、１３１ｂを形成している銅の量（原子量％）は９９．９％以上である。９９．９５％以上が好ましい。

【0058】

なお、シード層３０ａ、１３０ａの第一層３１ａ、１３１ａは、ケイ素、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、炭素、酸素、スズ、カルシウム、マグネシウム、鉄、モリブデン、銀、のうちのいずれか１つの金属で形成されてもよい。

【0059】

［実施形態の別例２］
実施形態の別例２ではレーザ光照射後の内壁面２９ｂ、２９を処理するための条件が制御される。そのため、図４に示されるように、内壁面２９を形成する樹脂８０の面８０ａと第一無機粒子９１の第一平滑面９１ａとは実質的に同一平面を形成する。図４は処理後の内壁面２９を示す拡大断面図である。第一平滑面９１ａと樹脂８０の面８０ａとの間の距離はそれぞれ５μｍ以下である。そのため、第一無機粒子９１と第一無機粒子９１の周りに形成されている樹脂８０間に隙間１００があっても、隙間１００内にシード層３０ａを形成することができる。この場合、シード層３０ａは内壁面２９上と隙間１００の内部に形成される。第一平滑面９１ａと隙間１００の底との間の距離は５μｍ以下であると、スパッタで形成されるシード層３０ａが内壁面２９から剥がれ難い。第一平滑面９１ａと隙間１００の底との間の距離は３μｍ以下であることが好ましい。内壁面２９上のシード層３０ａの厚みのバラツキを小さくすることができる。同様の理由により、スパッタで形成されるシード層１３０ａを内壁面２９から剥がれ難くなる。なお、内壁面２７及び内壁面１２７についても同様に、隙間内にシード層を形成することが可能である。

【0060】

本開示の技術のプリント配線板２では、第一樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子９０を含むが、繊維補強材を含んでいてもよい。第二樹脂絶縁層１２０は樹脂１８０と無機粒子１９０を含むが、繊維補強材を含んでいてもよい。繊維補強材としては、例えば、ガラスクロス、ガラス不織布、アラミド不織布を用いてもよい。繊維補強材は、第一樹脂絶縁層２０と第二樹脂絶縁層１２０の双方に含まれてもよいし、片方のみに含まれてもよい。

【0061】

本開示の技術のプリント配線板２では、ベース基板の両面に樹脂絶縁層が一層積層されたが、樹脂絶縁層が二層以上で積層されてもよい。

【0062】

本開示の技術のプリント配線板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。

【0063】

本開示の技術のプリント配線板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、各導体層はフルアディティブ法によって形成されてもよい。また、各絶縁層は、フィルム状の樹脂に限らず、任意の形態の樹脂を用いて形成され得る。実施形態のプリント配線板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

【符号の説明】

【0064】

２ ：プリント配線板
４ ：ベース基板
５ ：キャビティ
１０ ：第一導体層
２０ ：第一樹脂絶縁層（樹脂絶縁層の一例）
２２ ：第一面（表面の一例）
２８ ：ビア孔
２９ ：内壁面
３０ ：第二導体層
３０ａ ：シード層
３０ｂ ：電解めっき層
３１ａ ：第一層
３１ｂ ：第二層
４２ ：ビア導体
８０ ：樹脂
７０ ：電子部品
７１ ：電極
９０ ：無機粒子
９１ ：第一無機粒子
９１ａ ：第一平滑面
９２ ：第二無機粒子

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図3H】

【図3I】

【図4】