特開 2024-85371 有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024085371

(43)【公開日】2024-06-26

(54)【発明の名称】有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/80 20230101AFI20240619BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20240619BHJP

   H10K 59/124 20230101ALI20240619BHJP

   H10K 50/844 20230101ALI20240619BHJP

   H10K 59/35 20230101ALI20240619BHJP

   H10K 50/19 20230101ALI20240619BHJP

   H10K 71/00 20230101ALI20240619BHJP

   H10K 71/16 20230101ALI20240619BHJP

   H10K 59/80 20230101ALI20240619BHJP

   H10K 59/32 20230101ALI20240619BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240619BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240619BHJP

【ＦＩ】

H10K50/80

H10K59/122

H10K59/124

H10K50/844

H10K59/35

H10K50/19

H10K71/00

H10K71/16

H10K59/80

H10K59/32

G09F9/30 365

G09F9/30 348A

G09F9/30 348Z

G09F9/00 338

【審査請求】有

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023129686

(22)【出願日】2023-08-09

(31)【優先権主張番号】10-2022-0174808

(32)【優先日】2022-12-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094112

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 讓

(74)【代理人】

【識別番号】100106183

【弁理士】

【氏名又は名称】吉澤 弘司

(74)【代理人】

【識別番号】100114915

【弁理士】

【氏名又は名称】三村 治彦

(74)【代理人】

【識別番号】100125139

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 洋

(74)【代理人】

【識別番号】100209808

【弁理士】

【氏名又は名称】三宅 高志

(72)【発明者】

【氏名】キム ホジン

(72)【発明者】

【氏名】パク ジヨン

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC23

3K107CC29

3K107DD52

3K107DD89

3K107DD90

3K107DD95

3K107EE48

3K107EE50

3K107FF15

3K107GG02

3K107GG28

5C094AA42

5C094BA27

5C094CA22

5C094DA13

5C094DA15

5C094JA08

5G435AA17

5G435BB05

5G435KK05

(57)【要約】

【課題】側部漏洩電流を低減または防止可能な有機発光ダイオード表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は、第１および第２副画素を有する基板と；前記基板の上部に配置され、前記第１および第２副画素間のトレンチを有する層間絶縁層と；前記層間絶縁層の上部の前記第１および第２副画素それぞれに配置される第１電極と；前記第１電極の縁部を覆い、前記第１電極の中央部を露出するバンクと；前記バンクと前記バンクを通じて露出される第１電極の上部に順次配置され、前記トレンチの上部で前記第１および第２副画素別に分離される発光層および第２電極と；前記第２電極の上部に配置され、前記発光層および前記第２電極を囲むパッシベーション膜を含む有機発光ダイオード表示装置を提供する。
【選択図】 図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１および第２副画素を有する基板と、
前記基板の上部に配置され、前記第１および第２副画素間のトレンチを有する層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の上部の前記第１および第２副画素それぞれに配置される第１電極と、
前記第１電極の縁部を覆い、前記第１電極の中央部を露出するバンクと、
前記バンクと前記バンクを通じて露出される前記第１電極の上部に順次配置され、前記トレンチの上部で前記第１および第２副画素別に分離される発光層および第２電極と、
前記第２電極の上部に配置され、前記発光層および前記第２電極を囲むパッシベーション膜とを含む、有機発光ダイオード表示装置。

【請求項2】

前記パッシベーション膜は前記発光層および前記第２電極の上面および側面を覆うように延在しながら前記トレンチの側壁に接する、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。

【請求項3】

前記発光層は、前記第１電極の上部に配置される第１スタックと、前記第１スタックの上部に配置される電荷生成層と、前記電荷生成層の上部に配置される第２スタックとを含む、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。

【請求項4】

前記電荷生成層と前記第２電極は、前記トレンチにおいて互いに絶縁される、請求項３に記載の有機発光ダイオード表示装置。

【請求項5】

前記トレンチの上部の前記電荷生成層および前記第２電極が隣接する部分には絶縁特性を有する酸化部が配置される、請求項３に記載の有機発光ダイオード表示装置。

【請求項6】

前記トレンチにおける前記第１スタック、前記電荷生成層、前記第２スタック、前記第２電極のそれぞれの厚さは、前記トレンチを除いた他の部分における前記第１スタック、前記電荷生成層、前記第２スタック、前記第２電極のそれぞれの厚さより小さい、請求項３に記載の有機発光ダイオード表示装置。

【請求項7】

前記トレンチの幅は前記発光層の厚さの０．６倍以上である、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。

【請求項8】

前記トレンチの幅は、１．０μｍ以下である、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。

【請求項9】

前記基板と前記層間絶縁層の間の前記第１および第２副画素それぞれに配置され、前記第１電極に連結される薄膜トランジスタと、
前記パッシベーション膜の上部の前記基板の前面に順次配置される第１、第２、第３封止層とをさらに含む、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示装置。

【請求項10】

基板の上部に層間絶縁層を形成するステップと、
第１および第２副画素間の前記層間絶縁層にトレンチを形成するステップと、
前記層間絶縁層の上部の前記第１および第２副画素それぞれに第１電極を形成するステップと、
前記第１電極の上部の縁を覆い、前記第１電極の中央部を露出するバンクを形成するステップと、
前記バンクと前記バンクを通じて露出される前記第１電極の上部に前記層間絶縁層のトレンチの上部で前記第１および第２副画素別に分離される発光層および第２電極を順次形成するステップと、
前記第２電極の上部に前記発光層および前記第２電極を囲むパッシベーション膜を形成するステップとを含む、有機発光ダイオード表示装置の製造方法。

【請求項11】

前記パッシベーション膜は原子層堆積法で形成される、請求項７に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。

【請求項12】

前記発光層を形成するステップは、
前記第１電極の上部に第１スタックを形成するステップと、
前記第１スタックの上部に電荷生成層を形成するステップと、
前記電荷生成層の上部に第２スタックを形成するステップとを含む、請求項７に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。

【請求項13】

前記電荷生成層と前記第２電極は、前記トレンチにおいて互いに絶縁される、請求項１２に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。

【請求項14】

前記トレンチの上部における前記電荷生成層と前記第２電極が隣接する部分には、絶縁性を持つ酸化部が配置される、請求項１２に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。

【請求項15】

前記トレンチにおける前記第１スタック、前記電荷生成層、前記第２スタック、前記第２電極のそれぞれの厚さは、前記トレンチを除いた他の部分における前記第１スタック、前記電荷生成層、前記第２スタック、前記第２電極のそれぞれの厚さより小さい、請求項１２に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。

【請求項16】

前記トレンチの幅は、前記発光層の厚さの０．６倍以上である、請求項１０に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。

【請求項17】

前記トレンチの幅は、１．０μｍ以下である、請求項１０に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。

【請求項18】

前記基板と前記層間絶縁層の間の前記第１および第２副画素それぞれに前記第１電極に連結される薄膜トランジスタを形成するステップと、
前記パッシベーション膜の上部の前記基板の前面に第１、第２、第３封止層を順次形成するステップとをさらに含む、請求項１０に記載の有機発光ダイオード表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は表示装置に関し、特に第１および第２スタック、電荷生成層、第２電極の側面を囲むパッシベーション膜を含む有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

最近社会が本格的な情報化時代に差し掛かることにつれて大量の情報を処理および表示する情報ディスプレイに関する関心が高まっており、また、携帯が可能な情報媒体を利用しようとする要求が高くなったことにより、これに呼応する多様な軽量および薄型の平板表示装置が開発されて脚光を浴びている。

【0003】

このような平板表示装置の中で有機発光ダイオード表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）は自発光型であって、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）に比べて視野角、コントラスト比などが優秀であり、別途のバックライトが不要であるため軽量薄型が可能であり、消費電力が有利な長所がある。また、有機発光ダイオード表示装置は直流低電圧駆動が可能であり、応答速度が速く、製造費用が安い長所がある。

【0004】

最近では有機発光ダイオード表示装置を含んだヘッド装着型ディスプレイ（ｈｅａｄ ｍｏｕｎｔｅｄ ｄｉｓｐｌａｙ）が開発されている。ヘッド装着型ディスプレイはメガネやヘルメット形態で着用して、使用者の目の前の近い距離に焦点が形成される仮想現実（ｖｉｒｔｕａｌ ｒｅａｌｉｔｙ：ＶＲ）または拡張現実（ａｕｇｍｅｎｔｅｄ ｒｅａｌｉｔｙ：ＡＲ）のメガネ型モニタ装置である。

【0005】

このようなヘッド装着型ディスプレイには高解像度の小型有機発光ダイオード表示装置が適用されるが、高解像度の小型有機発光ダイオード表示装置はウェハ基盤の半導体工程を利用して形成され得る。この場合、陽極（ａｎｏｄｅ）はウェハ上に形成された薄膜トランジスタを覆う絶縁膜上に形成され、陽極上に形成された発光層を通じて電流が流れて側部漏洩電流が発生する問題がある。

【0006】

また、陽極と絶縁膜間の段差によって陽極の縁で発光層が不均一に形成され、その結果、陽極、電荷生成層、陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）のうち二つ以上が互いに短絡する問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明は、このような問題点を解決するために提示されたもので、副画素間に相対的に広い幅のトレンチを形成して第１および第２スタック、電荷生成層、第２電極を副画素別に分離することによって、側部漏洩電流が防止される有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

【0008】

そして、本発明は、副画素別に分離された第１および第２スタック、電荷生成層、第２電極の側面を囲むパッシベーション膜を形成することによって、封止層の段差対応線を通じての水分および酸素の浸透が防止され信頼性が向上する、有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法を提供することを他の目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

前記のような課題を解決するために、本発明は、第１および第２副画素を有する基板と、前記基板の上部に配置され、前記第１および第２副画素間のトレンチを有する層間絶縁層と、前記層間絶縁層の上部の前記第１および第２副画素それぞれに配置される第１電極と、前記第１電極の縁部を覆い、前記第１電極の中央部を露出するバンクと、前記バンクと前記バンクを通じて露出される第１電極の上部に順次配置され、前記トレンチの上部で前記第１および第２副画素別に分離される発光層および第２電極と；前記第２電極の上部に配置され、前記発光層および前記第２電極を囲むパッシベーション膜とを含む有機発光ダイオード表示装置を提供する。

【0010】

そして、前記パッシベーション膜は前記発光層および前記第２電極の上面および側面を覆うように延びて前記トレンチの側壁に接触され得る。

【0011】

また、前記発光層は、前記第１電極の上部に配置される第１スタックと、前記第１スタックの上部に配置される電荷生成層と、前記電荷生成層の上部に配置される第２スタックを含むことができる。

【0012】

そして、前記トレンチの上部の前記電荷生成層と前記第２電極が隣接する部分には絶縁特性を有する酸化部が配置され得る。

【0013】

また、前記トレンチの幅は前記発光層の厚さの０．６倍以上であり得る。

【0014】

そして、前記有機発光ダイオード表示装置は、前記基板と前記層間絶縁層の間の前記第１および第２副画素それぞれに配置され、前記第１電極に連結される薄膜トランジスタと；前記パッシベーション膜の上部の前記基板の前面に順次配置される第１、第２、第３封止層をさらに含むことができる。

【0015】

一方、本発明は、基板の上部に有する層間絶縁層を形成するステップと、第１および第２副画素間の前記層間絶縁層にトレンチを形成するステップと、前記層間絶縁層の上部の前記第１および第２副画素それぞれに第１電極を形成するステップと、前記第１電極の上部の縁を覆い、前記第１電極の中央部を露出するバンクを形成するステップと、前記バンクと前記バンクを通じて露出される前記第１電極の上部に前記層間絶縁層のトレンチの上部で前記第１および第２副画素別に分離される発光層および第２電極を順次形成するステップと、前記第２電極の上部に前記発光層および前記第２電極を囲むパッシベーション膜を形成するステップとを含む有機発光ダイオード表示装置の製造方法を提供する。

【0016】

そして、前記パッシベーション膜は原子層堆積法で形成され得る。

【0017】

また、前記発光層を形成するステップは、前記第１電極の上部に第１スタックを形成するステップと、前記第１スタックの上部に電荷生成層を形成するステップと、前記電荷生成層の上部に第２スタックを形成するステップとを含むことができる。

【0018】

そして、前記有機発光ダイオード表示装置の製造方法は、前記基板と前記層間絶縁層の間の前記第１および第２副画素それぞれに前記第１電極に連結される薄膜トランジスタを形成するステップと、前記パッシベーション膜の上部の前記基板の前面に第１、第２、第３封止層を順次形成するステップとをさらに含むことができる。

【発明の効果】

【0019】

本発明は、副画素間に相対的に広い幅のトレンチを形成して第１および第２スタック、電荷生成層、第２電極を副画素別に分離することによって、側部漏洩電流を低減または防止することが可能となる。

【0020】

そして、本発明は、副画素別に分離された第１および第２スタック、電荷生成層、第２電極の側面を囲むパッシベーション膜を形成することによって、封止層の段差対応線を通じての水分および酸素の浸透が防止され信頼性が向上する効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置を図示した図面である。

【図2】図１の切断線ＩＩ－ＩＩによる断面図である。

【図3a】本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための図面である。

【図3b】本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための図面である。

【図3c】本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための図面である。

【図3d】本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための図面である。

【図3e】本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための図面である。

【図3f】本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための図面である。

【図4a】比較例に係る有機発光ダイオード表示装置の発光スペクトルを図示した図面である。

【図4b】本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の発光スペクトルを図示した図面である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、添付した図面を参照して本発明に係る有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法を説明する。

【0023】

図１は、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置を図示した図面である。

【0024】

図１に図示した通り、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１１０は、タイミング制御部１２０、データ駆動部１２５、ゲート駆動部１３０および表示パネル１３５を含む。

【0025】

タイミング制御部１２０は、グラフィックカードまたはＴＶシステムのような外部システム（図示されず）から伝達される映像信号、データイネーブル信号、水平同期信号、垂直同期信号、クロックなどの多数のタイミング信号を利用して映像データ、データ制御信号およびゲート制御信号を生成する。垂直期間（またはフレーム期間）および水平期間は、データイネーブル信号をカウントすることで分かるので、垂直同期信号および水平同期信号を省略することができる。データイネーブル信号は、１水平期間（１Ｈ）の周期を持つ。そして、タイミング制御部１２０は、生成された映像データおよびデータ制御信号はデータ駆動部１２５に伝達し、生成されたゲート制御信号はゲート駆動部１３０に伝達する。

【0026】

データ駆動部１２５は、タイミング制御部１２０から伝達されるデータ制御信号および映像データを利用してデータ信号（データ電圧）を生成し、生成されたデータ信号を表示パネル１３５のデータ配線ＤＬに供給する。

【0027】

ゲート駆動部１３０は、タイミング制御部１２０から伝達されるゲート制御信号を利用してゲート信号（ゲート電圧）を生成し、生成されたゲート信号を表示パネル１３５のゲート配線ＧＬに供給する。そして、ゲート駆動部１３０は、各副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂの構造により発光信号を生成して表示パネル１３５に供給することができる。

【0028】

ここで、ゲート駆動部１３０は、表示パネル１３５の基板にゲート配線ＧＬ、データ配線ＤＬおよび画素Ｐとともに形成されて非表示領域ＮＤＡに配置されるゲート－イン－パネル（ｇａｔｅ ｉｎ ｐａｎｅｌ：ＧＩＰ）タイプであり得る。他の実施例では、ゲート駆動部１３０が、タブ方式（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｇｉｎｄ：ＴＡＢ）またはチップオンフィルム方式で表示パネル１３５に接続されてもよい。

【0029】

表示パネル１３５は、中央の表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡに隣接する、または表示領域ＤＡを囲む非表示領域ＮＤＡを含み、ゲート信号およびデータ信号を利用して映像を表示する。表示パネル１３５は、映像を表示するために、表示領域ＤＡに配置される多数の画素Ｐ、多数のゲート配線ＧＬ、多数のデータ配線ＤＬを含む。

【0030】

多数の画素Ｐそれぞれは赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂを含むことができる。他の実施例では、複数の画素Ｐのそれぞれが、赤、緑、青以外の副画素の発光素子を含んでもよい。ゲート配線ＧＬおよびデータ配線ＤＬは互いに交差して赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂを定義し、赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂはそれぞれゲート配線ＧＬおよびデータ配線ＤＬに連結される。

【0031】

図示してはいないが、赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂはそれぞれスイッチング薄膜トランジスタおよび駆動薄膜トランジスタのような多数の薄膜トランジスタと、ストレージキャパシタおよび発光ダイオードを含むことができる。

【0032】

他の実施例では、複数の画素Ｐのそれぞれが、赤、緑、青、白の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ、ＳＰｗを含むことができる。ゲート配線ＧＬとデータ配線ＤＬは互いに交差して赤、緑、青、白の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ、ＳＰｗを定義し、赤、緑、青、白の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ、ＳＰｗは、それぞれゲート配線ＧＬおよびデータ配線ＤＬに接続することができる。また、赤、緑、青、白の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ、ＳＰｗは、それぞれスイッチング薄膜トランジスタおよび駆動薄膜トランジスタのような複数の薄膜トランジスタ、そしてストレージキャパシタ、発光ダイオードを含むことができる。

【0033】

このような発光ダイオード表示装置１１０の副画素の断面構成を図面を参照して説明する。

【0034】

図２は図１の切断線ＩＩ－ＩＩによる断面図であり、図１を共に参照して説明する。

【0035】

図２に図示した通り、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１１０の赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂそれぞれは、薄膜トランジスタＴＦＴおよび発光ダイオードＬＥＤを含む。

【0036】

具体的には、基板１４０の上部の赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂそれぞれには薄膜トランジスタＴＦＴが配置される。

【0037】

基板１４０はガラス、プラスチック、半導体物質、またはフレキシブルポリマーフィルムからなり得るが、例えば、基板１４０は単結晶シリコンからなるウェハであり得る。フレキシブルポリマーフィルムは、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレンコポリマー（ＡＢＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）のうち、１つを含むことができる。

【0038】

有機発光ダイオード表示装置１１０が、光が上部から放出される上部発光方式（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）である場合、基板１４０は透明または不透明な物質からなり得、有機発光ダイオード表示装置１１０が、画素アレイ層の光が基板１４０の背面に照射され、映像が表示される下部発光方式（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）、または両面発光方式である場合、基板１４０は透明な物質からなり得る。例えば、透明な物質は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）を含むことができる。

【0039】

薄膜トランジスタＴＦＴは駆動薄膜トランジスタであり得るが、図示してはいないが、基板１４０の上部には駆動薄膜トランジスタに連結されるスイッチング薄膜トランジスタ、センシング薄膜トランジスタおよびストレージキャパシタと、スイッチング薄膜トランジスタに連結されるゲート配線（図１のＧＬ）およびデータ配線（図１のＤＬ）と、駆動薄膜トランジスタに連結される電源配線と、センシング薄膜トランジスタに連結されるセンシング配線および基準配線が配置され得る。

【0040】

駆動薄膜トランジスタは、酸化物半導体を用いて製造することができ、少なくとも１つのスイッチング薄膜トランジスタは、酸化物半導体を用いて製造することができる。

【0041】

酸化物半導体は、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）の金属酸化物、または亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）の金属とその金属酸化物の組み合わせからなり得る。特に、酸化物半導体は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化亜鉛スズ（ＺＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＺＩＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛スズ（ＩＺＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウムスズ（ＩＧＴＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）を含むことができる。

【0042】

また、多様な薄膜トランジスタは、多結晶半導体物質を用いて製造することができる。

【0043】

スイッチング薄膜トランジスタは、ゲート配線ＧＬのゲート信号によりスイッチングされてデータ配線ＤＬのデータ信号を駆動薄膜トランジスタに伝達することができる。

【0044】

駆動薄膜トランジスタは、スイッチング薄膜トランジスタを通じて伝達されるデータ信号によりスイッチングされて電源配線の高電位電圧による電流を発光ダイオードＬＥＤに伝達することができる。

【0045】

センシング薄膜トランジスタは、センシング配線のセンシング信号によりスイッチングされて基準電圧を駆動薄膜トランジスタに伝達したり駆動薄膜トランジスタの電圧を検出することができる。

【0046】

ストレージキャパシタは、スイッチング薄膜トランジスタを通じて伝達されるデータ信号を１フレームの間維持させる役割をすることができる。

【0047】

薄膜トランジスタＴＦＴの上部には層間絶縁層１４２が配置され、層間絶縁層１４２の上部の赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂそれぞれには第１電極１４４が配置される。

【0048】

例えば、層間絶縁層１４２はシリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質またはアクリル（ａｃｒｙｌ）樹脂、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂、フェノール（ｐｈｅｎｏｌ）樹脂、ポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）樹脂のような有機絶縁物質からなり得、単一層または多重層で形成され得る。

【0049】

第１電極１４４は層間絶縁層１４２のコンタクトホールを通じて薄膜トランジスタＴＦＴに連結される。

【0050】

例えば、第１電極１４４は透明導電性物質、半透過金属物質または反射率が高い金属物質からなり得る。

【0051】

有機発光ダイオード表示装置１１０が上部発光方式である場合、第１電極１４４はチタン、アルミニウム、チタンの３重層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、インジウム－ティン－オキサイド、アルミニウム、インジウム－ティン－オキサイドの３重層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、インジウム－ティン－オキサイド、銀合金、インジウム－ティン－オキサイドの３重層構造（ＩＴＯ／Ａｇ Ａｌｌｏｙ／ＩＴＯ）のように相対的に高い反射率を有する構造で形成され得る。銀合金は銀－パラジウム－銅の合金（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ：ＡＰＣ）であり得る。

【0052】

有機発光ダイオード表示装置１１０が下部発光方式である場合、第１電極１４４は光を透過させることができるインジウム－ティン－オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム－ジンク－オキサイド（ＩＺＯ）のような透明導電性オキサイド（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｏｘｉｄｅ：ＴＣＯ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム－銀の合金（ＭｇＡｇ）のような半透過金属物質（ｓｅｍｉ－ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）からなり得る。

【0053】

このような第１電極１４４は陽極（ａｎｏｄｅ）であり得る。

【0054】

第１電極１４４の上部にはバンク１４６が配置され、赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ間の境界部のバンク１４６および層間絶縁層１４２にはトレンチＴが形成される。

【0055】

バンク１４６は、各副画素の発光領域を定義する画素定義フィルム、または画素定義層と呼ぶことができ、発光領域は、各副画素の第１電極１４４を露出することができる。バンク１４６は、隣接する副画素間における光学的な干渉を防ぐよう、不透明な物質（例えば、ブラック物質）から構成することができる。この場合、バンク１４６は、カラー顔料、有機ブラック、ブラックインク、カーボンのうち、少なくとも１つからなる遮光物質を含むことができる。

【0056】

バンク１４６は第１電極１４４の縁部を覆い、第１電極１４４の中央部を露出する開口部を有し、バンク１４６を通じて第１電極１４４が露出される部分は発光領域と定義され、発光領域を除いた部分は非発光領域と定義される。

【0057】

図２の実施例ではバンク１４６がトレンチＴを露出するように形成されるものを例に挙げたが、他の実施例では隣接副画素間のバンク１４６が連結されてトレンチＴを覆うように形成されてもよい。

【0058】

例えば、バンク１４６はシリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質またはアクリル（ａｃｒｙｌ）樹脂、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂、フェノール（ｐｈｅｎｏｌ）樹脂、ポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）樹脂のような有機絶縁物質からなり得、単一層または多重層で形成され得る。

【0059】

トレンチＴは後続工程で隣接した副画素間の第１および第２スタック１４８、１５２、電荷生成層１５０、第２電極１５４を分離して側部漏洩電流（ｌａｔｅｒａｌ ｌｅａｋａｇｅ ｃｕｒｒｅｎｔ）を最小化または低減する機能を有する。

【0060】

すなわち、トレンチＴを形成しない場合、隣接副画素の第１および第２スタック１４８、１５２、電荷生成層１５０が互いに連結されて側部漏洩電流が発生し得、これに伴い望んでいない副画素が発光して色再現率が低下し得る。

【0061】

このような色再現率の低下は、同じ色の光を放出する副画素間で側部漏洩電流が発生した場合より異なる色の光を放出する副画素間で側部漏洩電流が発生した場合により大きく現れ得る。

【0062】

これに伴い、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１１０では、異なる色の光を放出する赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ間の側部漏洩電流を減少、または最小化または低減するために、トレンチＴが互いに異なる色の光を放出する赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ間に配置され得る。

【0063】

一方、トレンチＴは互いに同じ色の光を放出する副画素間には配置されなくてもよい。

【0064】

例えば、有機発光ダイオード表示装置１１０がストライプタイプ（ｓｔｒｉｐｅ ｔｙｐｅ）である場合、図１の横方向に沿って赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂが順次繰り返し配置され、図１の縦方向に沿って同じ色の赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂがそれぞれ配置されるが、トレンチＴは図１の縦方向に沿って異なる色の光を放出する隣接した赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ間にライン形態に配置され、図１の横方向に沿って同じ色の光を放出する副画素間には配置されなくてもよい。

【0065】

バンク１４６の開口部を通じて露出される第１電極１４４とバンク１４６の上部には第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４が順次配置されるが、第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２は発光層を構成し、第１電極１４４、第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４は発光ダイオードＬＥＤを構成する。

【0066】

第１スタック１４８は正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｔ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、発光物質層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌ ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）を含むことができ、第１スタック１４８の発光物質層は赤色光、緑色光、青色光、黄色光のうち一つを放出することができる。

【0067】

電荷生成層（ｃｈａｒｇｅ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）は第１スタック１４８に電子を供給するためのネガティブタイプ（Ｎ－ｔｙｐｅ）電荷生成層、第２スタック１５２に正孔を供給するためのポジティブタイプ（Ｐ－ｔｙｐｅ）電荷生成層を含むことができる。

【0068】

第２スタック１５２は正孔輸送層ＨＴＬ、発光物質層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬを含むことができ、第２スタック１５２の発光物質層は赤色光、緑色光、青色光、黄色光のうち一つを放出することができる。

【0069】

第２スタック１５２の発光物質層は第１スタック１４８の発光物質層と異なる色の光を放出できるが、例えば、第１スタック１４８の発光物質層は青色光を放出し第２スタック１５２の発光物質層は黄色光を放出したり、第１スタック１４８の発光物質層は青色光を放出し第２スタック１５２の発光物質層は赤色光および緑色光を放出したりすることができる。

【0070】

第２電極１５４は透明導電性物質、半透過金属物質または反射率が高い金属物質からなり得る。

【0071】

有機発光ダイオード表示装置１１０が上部発光方式である場合、第２電極１５４は光を透過させることができるインジウム－ティン－オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム－ジンク－オキサイド（ＩＺＯ）のような透明導電性オキサイド（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｏｘｉｄｅ：ＴＣＯ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム－銀の合金（ＭｇＡｇ）のような半透過金属物質（ｓｅｍｉ－ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）からなり得る。

【0072】

有機発光ダイオード表示装置１１０が下部発光方式、または両面発光方式である場合、第２電極１５４はチタン、アルミニウム、チタンの３重層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、インジウム－ティン－オキサイド、アルミニウム、インジウム－ティン－オキサイドの３重層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、インジウム－ティン－オキサイド、銀合金、インジウム－ティン－オキサイドの３重層構造（ＩＴＯ／Ａｇ Ａｌｌｏｙ／ＩＴＯ）のように相対的に高い反射率を有する構造で形成され得る。銀合金は銀－パラジウム－銅の合金（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ：ＡＰＣ）であり得る。

【0073】

このような第２電極１５４は陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）であり得る。

【0074】

第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４は、それぞれトレンチＴの段差によってトレンチＴの上部で分離されて接触せずに赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ別に離隔されるが、トレンチＴの側壁でそれぞれ薄い厚さで形成される。

【0075】

例えば、第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４は基板１４０に近づくほど次第に薄くなりながらトレンチＴの側壁まで延在し得る。

【0076】

すなわち、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１１０では、トレンチＴの上部で赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂのうち隣接した２個間の第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４が互いに分離されて離隔し、これに伴い異なる色の光を放出する赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ間の側部漏洩電流を減少、または最小化または低減することができる。

【0077】

ここで、第１スタック１４８、電荷生成層１５０だけでなく第２スタック１５２、第２電極１５４を分離するためには、トレンチＴを相対的に広い幅で形成しなければならないが、トレンチＴの幅は発光層である第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２の厚さを考慮して決定することができる。

【0078】

例えば、トレンチＴの第１幅ｗ１は発光層である第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２の第１厚さｔ１の０．６倍以上に決定できる（ｗ１≧０．６×ｔ１）。また、トレンチＴの第１幅ｗ１は、第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２を含む発光層の第１厚さｔ１の０．８倍以上に決めることができる（ｗ１≧０．６×ｔ１）。トレンチＴの第１幅ｗ１が発光層である第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２の第１厚さｔ１の０．６倍未満である場合、隣接した赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂの発光層である第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４がトレンチＴの上部で分離されずに連結され得る。

【0079】

トレンチＴの幅が相対的に大きい場合、発光領域が減少し、開口率が減少する。

【0080】

例えば、トレンチＴの第１幅ｗ１は約１．０μｍ以下であり得るが（ｗ１≦１．０μｍ）。望ましくは、トレンチＴの第１幅ｗ１は、０．２μｍ以上、０．８μｍ以下であり得る（０．２μｍ≦ｗ１≦０．８μｍ）。トレンチＴの第１幅ｗ１が約１．０μｍを超過する場合、発光領域および開口率が過度に減少して輝度が低下し得る。

【0081】

電荷生成層１５０と第２電極１５４はトレンチＴの側壁に形成されながら互いに接触する可能性があるが、この場合、電荷生成層１５０と第２電極１５４が短絡（ｓｈｏｒｔａｇｅ）して第２スタック１５２に電圧が印加されず第２スタック１５２が発光しない場合がある。

【0082】

これを防止するために、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１１０では、トレンチＴの上部の電荷生成層１５０と第２電極１５４の近接部には絶縁特性を有する酸化部１５８が形成され、その結果、電荷生成層１５０と第２電極１５４の短絡が防止される。

【0083】

第２電極１５４の上部にはパッシベーション膜１５６が配置されるが、パッシベーション膜１５６は第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４の上面と側面の上部に形成され、第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４を完全に囲んで第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４の上面および側面が露出しないように配置され得る。

【0084】

例えば、パッシベーション膜１５６は第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４の上面と側面を覆うように延在してトレンチＴの側壁に接触し得る。

【0085】

このために、パッシベーション膜１５６は段差被覆性（ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）が優秀な蒸着方法で形成され得る。

【0086】

例えば、パッシベーション膜１５６は原子層堆積（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ）方法で形成され得、アルミニウムオキサイド（ＡｌＯｘ）、シリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯｘＮｙ）のような無機絶縁物質の単層、または多層からなり得る。

【0087】

すなわち、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１１０では、パッシベーション膜１５６が第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４を完全に囲むようにすることによって、外部の水分および酸素が第１および第２スタック１４８、１５２に浸透することを最小化または低減することができる。

【0088】

パッシベーション膜１５６の上部には第１、第２、第３封止層１６０、１６２、１６４が順次配置される。

【0089】

第１および第３封止層１６０、１６４はシリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなり、第２封止層１６２はアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ベンゾシクロブテンのような有機絶縁物質からなり得る。

【0090】

第１、第２、第３封止層１６０、１６２、１６４は外部の水分および酸素を遮断することができる。

【0091】

ここで、第１封止層１６０は下部のパッシベーション膜１５６の段差の形状に沿って形成され得るが、パッシベーション膜１５６が赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ間のトレンチＴの上部で分離されるので、第１封止層１６０はトレンチＴに対応する段差対応線ＳＭを有することができる。

【0092】

このような段差対応線ＳＭでは第１封止層１６０の水分および酸素遮断特性が弱化され得、その結果、外部の水分および酸素が第１封止層１６０の段差対応線を通じて浸透し得る。

【0093】

本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１１０では、パッシベーション膜１５６が第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４を完全に囲むようにすることによって、第１封止層１６０の段差対応線を通じて浸透した外部の水分および酸素を遮断して外部の水分および酸素が第１および第２スタック１４８、１５２に浸透することを減少、または最小化することができる。

【0094】

図示してはいないが、第３封止層１６４の上部には赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂにそれぞれ対応する赤、緑、青のカラーフィルタが配置され得る。

【0095】

以上のように、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１１０では、赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ間に相対的に広い幅のトレンチＴを配置することによって、トレンチＴの上部で第１スタック１４８、電荷生成層１５０を分離するだけでなく第２スタック１５２、第２電極１５４も分離することによって、側部漏洩電流を減少、または最小化または低減することができる。

【0096】

そして、第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４を囲むパッシベーション膜１５６を配置することによって、第１、第２、第３封止層１６０、１６２、１６４の段差対応線を通じて浸透した外部の水分および酸素が第１および第２スタック１４８、１５２に浸透することを減少、または最小化または低減し、信頼性を向上させることができる。

【0097】

また、第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４を囲むパッシベーション膜１５６が外部の水分および酸素を遮断するようにすることによって、第１、第２、第３封止層１６０、１６２、１６４の厚さを減少させ、製造費用を節減することができる。

【0098】

図２の実施例では、第１、第２、第３封止層１６０、１６２、１６４を含む封止部が示されているが、他の実施例では、封止部がｎ個の封止層（ｎは整数）を含んでもよい。また、封止部は、無機封止層と有機封止層との間において交互に積層されるｎ個の封止層を含むことができる。

【0099】

図２の実施例では発光層が第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２の２－スタック構造を有するものを例に挙げたが、他の実施例では発光層が３個以上のスタックと２個以上の電荷生成層の多重スタック構造を有してもよい。この場合にも、トレンチによって３個以上のスタック、２個以上の電荷生成層、第２電極が分離され、パッシベーション膜が３個以上のスタック、２個以上の電荷生成層、第２電極を囲むように配置され得る。

【0100】

このような有機発光ダイオード表示装置１１０の製造方法を図面を参照して説明する。

【0101】

図３ａ～図３ｆは本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための図面であり、図１、図２を参照しながら説明する。

【0102】

図３ａに示したように、基板１４０の上部の赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂそれぞれに薄膜トランジスタＴＦＴを形成し、薄膜トランジスタＴＦＴの上部の基板１４０の前面に層間絶縁層１４２を形成する。

【0103】

以後、層間絶縁層１４２に薄膜トランジスタＴＦＴを露出するコンタクトホールを形成し、層間絶縁層１４２の上部の赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂそれぞれに第１電極１４４を形成する。

【0104】

第１電極１４４は層間絶縁層１４２のコンタクトホールを通じて薄膜トランジスタＴＦＴに連結される。

【0105】

以後、第１電極１４４の上部の基板１４０の前面にバンク物質層１４５を形成する。

【0106】

図３ｂに示したように、バンク物質層１４５、層間絶縁層１４２を食刻して第１電極１４４の縁部を覆い、第１電極１４４の中央部を露出する開口部を有するバンク１４６を形成し、赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ間の層間絶縁層１４２にトレンチＴを形成する。

【0107】

図３ｂの実施例では第１電極１４４を形成した後にトレンチＴを形成するものを例に挙げたが、他の実施例では層間絶縁層１４２にトレンチＴを形成した後に第１電極１４４を形成してもよい。

【0108】

例えば、層間絶縁層１４２を形成した後に薄膜トランジスタＴＦＴを露出するコンタクトホールとともにトレンチＴを形成してもよい。

【0109】

図３ｂの実施例ではバンク物質層１４５を形成した後にトレンチＴを形成するものを例に挙げたが、他の実施例では層間絶縁層１４２にトレンチＴを形成した後にバンク物質層１４５を形成してもよい。

【0110】

図３ｃに図示した通り、バンク１４６の開口部を通じて露出される第１電極１４４とバンク１４６の上部に第１スタック１４８、電荷生成層１５０を順次形成する。

【0111】

第１スタック１４８、電荷生成層１５０は熱蒸発（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のような蒸着工程やインクジェット、塗布のような溶液工程で形成され得る。

【0112】

第１スタック１４８、電荷生成層１５０はそれぞれトレンチＴの段差によってトレンチＴの上部で分離されて接触せずに赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ別に離隔されるが、トレンチＴの側壁でそれぞれ薄い厚さで形成される。例えば、トレンチＴにおける第１スタック１４８および電荷生成層１５０のそれぞれの厚さは、トレンチＴを除いた残り部分における第１スタック１４８および電荷生成層１５０のそれぞれの厚さより小さくてもよい。

【0113】

例えば、第１スタック１４８、電荷生成層１５０は基板１４０に近づくほど次第に薄くなりながらトレンチＴの側壁まで延在する。

【0114】

図３ｄに図示した通り、電荷生成層１５０の上部に第２スタック１５２、第２電極１５４を順次形成する。

【0115】

第２スタック１５２は熱蒸発のような蒸着工程やインクジェット、塗布のような溶液工程で形成され得、第２電極１５４は熱蒸発のような蒸着工程で形成され得る。

【0116】

第２スタック１５２、第２電極１５４はそれぞれトレンチＴの段差によってトレンチＴの上部で分離されて接触せずに赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ別に離隔されるが、トレンチＴの側壁でそれぞれ薄い厚さで形成される。

【0117】

例えば、第２スタック１５２、第２電極１５４は基板１４０に近づくほど次第に薄くなりながらトレンチＴの側壁まで延在する。

【0118】

第１電極１４４、第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４は発光ダイオードＬＥＤを構成する。

【0119】

電荷生成層１５０と第２電極１５４はトレンチＴの側壁に形成されながら互いに隣接して近接部１５７を構成できるが、この場合、電荷生成層１５０と第２電極１５４が短絡（ｓｈｏｒｔａｇｅ）して第２スタック１５２に電圧が印加されず、第２スタック１５２が発光しない場合がある。

【0120】

これを防止するために、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１１０では、トレンチＴの上部の電荷生成層１５０と第２電極１５４の近接部１５７は後続されるパッシベーション膜１５６形成工程を通じて酸化して絶縁特性を有する酸化部１５８に変化され、その結果、電荷生成層１５０と第２電極１５４の短絡が防止される。

【0121】

図３ｅに図示した通り、第２電極１５４の上部にパッシベーション膜１５６を形成する。

【0122】

パッシベーション膜１５６は、第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４の上面と側面の上部に形成されるが、第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４を完全に囲んで第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４の上面および側面が露出しないように形成され得る。

【0123】

このために、パッシベーション膜１５６は段差被覆性（ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）が優秀な蒸着方法で形成され得る。

【0124】

例えば、パッシベーション膜１５６は原子層堆積（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ）方法で形成され得、アルミニウムオキサイド（ＡｌＯｘ）、シリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなり得る。

【0125】

ここで、パッシベーション膜１５６の蒸着に使われる酸素（Ｏ２）ガスの流量を調節して電荷生成層１５０と第２電極１５４の近接部１５７を酸化させることができ、その結果、電荷生成層１５０と第２電極１５４の近接部１５７は絶縁特性を有する酸化部１５８に変化されて電荷生成層１５０と第２電極１５４の短絡が防止される。

【0126】

図３ｆに図示した通り、パッシベーション膜１５６の上部に第１、第２、第３封止層１６０、１６２、１６４を順次形成する。

【0127】

第１および第３封止層１６０、１６４はシリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなり、第２封止層１６２はアクリル樹脂、エポキシ樹脂のような有機絶縁物質からなり得る。

【0128】

第１および第３封止層１６０、１６４は化学気相蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）方法または原子層堆積（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ）方法で形成され、第２封止層１６２は気相蒸着、プリンティング、スリットコート、インクジェット方法で形成され得る。

【0129】

本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１１０では、近接部１５７を酸化部１５８に変化させて電荷生成層１５０と第２電極１５４の短絡を防止できるが、これを図面を参照して説明する。

【0130】

図４ａは比較例に係る有機発光ダイオード表示装置の発光スペクトルを図示した図面であり、図４ｂは本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の発光スペクトルを図示した図面であり、図２を共に参照して説明する。

【0131】

図４ａに図示した通り、電荷生成層１５０と第２電極１５４が接触して近接部１５７を形成した後、近接部１５７を酸化部１５８に変化させる工程を遂行しない比較例に係る有機発光ダイオード表示装置では、電荷生成層１５０と第２電極１５４が短絡して第２スタック１５２に電圧が印加されないので、第２スタック１５２は発光せずに第１スタック１４８のみ発光して発光スペクトルは第１スタック１４８が放出する青色光に対応する第１ピークｐ１のみ有する。

【0132】

図４ｂに図示した通り、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１１０では、電荷生成層１５０と第２電極１５４が隣接して近接部１５７を形成した後、パッシベーション膜１５６形成段階で近接部１５７を絶縁特性を有する酸化部１５８に変化させるので、電荷生成層１５０と第２電極１５４が短絡せずに第２スタック１５２に電圧が印加される。

【0133】

これに伴い、第１スタック１４８だけでなく第２スタック１５２も発光して、発光スペクトルは第１スタック１４８が放出する青色光に対応する第１ピークｐ１と第２スタック１５２が放出する緑色光および赤色光に対応する第２および第３ピークｐ２、ｐ３を有し、その結果、第１および第２スタック１４８、１５２の発光ダイオードＬＥＤは白色光を放出することができる。

【0134】

以上のように、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１１０では、赤、緑、青の副画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂ間に相対的に広い幅のトレンチＴを配置することによって、トレンチＴの上部で第１スタック１４８、電荷生成層１５０を分離するだけでなく第２スタック１５２、第２電極１５４も分離することによって、側部漏洩電流を減少、または最小化または低減することができる。

【0135】

そして、第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４を完全に囲むパッシベーション膜１５６を配置することによって、第１、第２、第３封止層１６０、１６２、１６４の段差対応線を通じての外部の水分および酸素が第１および第２スタック１４８、１５２に浸透することを減少、または最小化または低減し、信頼性を向上させることができる。

【0136】

また、第１スタック１４８、電荷生成層１５０、第２スタック１５２、第２電極１５４を囲むパッシベーション膜１５６が外部の水分および酸素を遮断するようにすることによって、第１、第２、第３封止層１６０、１６２、１６４の厚さを減少させ、製造費用を節減することができる。

【0137】

そして、パッシベーション膜１５６形成段階で電荷生成層１５０と第２電極１５４の近接部１５７を絶縁特性を有する酸化部１５８に変化させることによって、電荷生成層１５０と第２電極１５４の短絡を防止して第１および第２スタック１４８、１５２の発光ダイオードＬＥＤが正常に動作するようにすることができる。

【0138】

前記では本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野の熟練した当業者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想および領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正および変更できることが理解できるであろう。

【符号の説明】

【0139】

１１０：有機発光ダイオード表示装置
ＴＦＴ：薄膜トランジスタ
ＬＥＤ：発光ダイオード
１４４：第１電極
１４８：第１スタック
１５０：電荷生成層
１５２：第２スタック
１５４：第２電極

【図1】

【図2】

【図3a】

【図3b】

【図3c】

【図3d】

【図3e】

【図3f】

【図4a】

【図4b】