特開 2024-85380 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024085380

(43)【公開日】2024-06-26

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240619BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201N

H01G4/30 201L

H01G4/30 201K

H01G4/30 515

H01G4/30 512

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023180183

(22)【出願日】2023-10-19

(31)【優先権主張番号】10-2022-0174741

(32)【優先日】2022-12-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】カン、シム チュン

(72)【発明者】

【氏名】リー、ジョン ホ

(72)【発明者】

【氏名】リー、エウン ジュン

(72)【発明者】

【氏名】チャエ、ヒュン シク

(72)【発明者】

【氏名】キム、スン ミ

(72)【発明者】

【氏名】シム、ダエ ジン

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC09

5E001AD02

5E001AE01

5E001AE02

5E001AE03

5E001AF06

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC19

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082GG10

5E082GG11

5E082GG28

5E082JJ03

5E082JJ12

5E082JJ23

(57)【要約】

【課題】ＢＤＶ特性、機械的特性、耐湿信頼性が向上した積層型電子部品を提供する。
【解決手段】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含み、上記第１方向に互いに向かい合う第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５及び第６面を含む本体と、上記第３及び第４面に配置されて上記内部電極と連結される外部電極と、上記第５及び第６面に配置されるサイドマージン部と、を含み、上記サイドマージン部に含まれたＳｎの平均含有量は０．１ｍｏｌ％以上４．０ｍｏｌ％以下であり、上記サイドマージン部のＢａ／Ｔｉ比率は１．０４０超過１．０７０未満であり、上記サイドマージン部に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさは、１００ｎｍ以上２９０ｎｍ以下を満たすことができる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層、及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含み、前記第１方向に互いに向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面及び第４面、前記第１面～前記第４面と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面及び第６面を含む本体と、
前記第３面及び前記第４面に配置されて前記内部電極と連結される外部電極と、
前記第５面及び前記第６面に配置されるサイドマージン部と、を含み、
前記サイドマージン部に含まれたＳｎの平均含有量は０．１ｍｏｌ％以上４．０ｍｏｌ％以下であり、
前記サイドマージン部のＢａ／Ｔｉ比率は１．０４０超過１．０７０未満であり、
前記サイドマージン部に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさは、１００ｎｍ以上２９０ｎｍ以下を満たす、積層型電子部品。

【請求項2】

前記誘電体結晶粒の径に対する最大偏差は、±５０ｎｍ以上±１５０ｎｍ以下を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記サイドマージン部は、前記本体に隣接した第１領域及び前記サイドマージン部の外側面に隣接した第２領域を含み、
前記サイドマージン部に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは、前記第１領域から前記第２領域に向かうにつれて徐々に変化する、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記第１領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは、前記第２領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさ以上である、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記第１領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは１９０ｎｍ以上２９０ｎｍ以下であり、前記第２領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは１９０ｎｍ以上２６０ｎｍ以下である、請求項４に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記第１領域に含まれた誘電体結晶粒径に対する最大偏差は±１００ｎｍ以上±１５０ｎｍ以下を満たし、前記第２領域に含まれた誘電体結晶粒径に対する最大偏差は±１００ｎｍ以上±１２０ｎｍ以下を満たす、請求項５に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記第２領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは、前記第１領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさ以上である、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記第１領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは１００ｎｍ以上２２０ｎｍ以下であり、前記第２領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは１７０ｎｍ以上２２０ｎｍ以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記第１領域に含まれた誘電体結晶粒径に対する最大偏差は±５０ｎｍ以上±１１０ｎｍ以下を満たし、前記第２領域に含まれた誘電体結晶粒径に対する最大偏差は±８０ｎｍ以上±１１０ｎｍ以下を満たす、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記第１領域に含まれたＳｎの平均含有量は０．１ｍｏｌ％以上０．５ｍｏｌ％未満であり、前記第２領域に含まれたＳｎの平均含有量は０．５ｍｏｌ％以上１．０ｍｏｌ％以下である、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記第１領域の前記第３方向の平均大きさは、前記第２領域の前記第３方向の平均大きさ以下である、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記サイドマージン部は、前記第５面に配置される第１サイドマージン部及び前記第６面に配置される第２サイドマージン部を含み、
前記第１サイドマージン部及び前記第２サイドマージン部の前記第３方向の平均大きさは２０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記本体は、前記誘電体層、及び前記内部電極を含んで容量を形成する容量形成部及び前記容量形成部の前記第１方向の両端面に配置されるカバー部を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記カバー部は、前記第２面に配置される上部カバー部及び前記第１面に配置される下部カバー部を含み、
前記上部カバー部及び下部カバー部の前記第１方向の平均大きさは２０μｍ以下である、請求項１３に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記誘電体層は複数の誘電体層を含み、前記複数の誘電体層の少なくとも１つの前記第１方向の平均大きさは０．４μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記内部電極は、複数の内部電極を含み、前記複数の内部電極の少なくとも１つの前記第１方向の平均大きさは０．４μｍ以下である、請求項１から１５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関するものである。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話などの様々な電子製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサである。

【0003】

かかる積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として用いられることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種電子機器が小型化、高出力化され、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化の要求が増大している。

【0004】

このとき、積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化を同時に達成するためには、内部電極及び誘電体層の厚さが薄く、積層数が多くなる必要があるが、積層数が多いほど内部電極の幅方向に段差が発生することがある。このような段差は、積層セラミックキャパシタの高温信頼性及び耐電圧特性を低下させるおそれがあるが、これを克服するために内部電極の幅方向にマージンシートを付着してサイドマージン部を形成してこれを解決している。マージンシートを構成する材料、バインダー、分散剤を含むこれらの種類及び含有量、材料的な制御により積層セラミックキャパシタの特性を向上させることができるため、サイドマージン部の最適設計が重要である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】韓国公開特許公報第１０－２０２１－００３０７５５号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明が解決しようとする様々な課題の一つは、ＢＤＶ特性、機械的特性、耐湿信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。

【0007】

但し、本発明が解決しようとする様々な課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含み、上記第１方向に互いに向かい合う第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面及び第４面、上記第１面～第４面と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面及び第６面を含む本体と、上記第３面及び第４面に配置されて上記内部電極と連結される外部電極と、上記第５面及び第６面に配置されるサイドマージン部と、を含み、上記サイドマージン部に含まれたＳｎの平均含有量は０．１ｍｏｌ％以上４．０ｍｏｌ％以下であり、上記サイドマージン部のＢａ／Ｔｉ比率は１．０４０超過１．０７０未満であり、上記サイドマージン部に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさは、１００ｎｍ以上２９０ｎｍ以下を満たすことができる。

【発明の効果】

【0009】

本発明の様々な効果の一つは、ＢＤＶ特性、機械的特性、耐湿信頼性が向上することである。

【0010】

但し、本発明の多様でありながらも有意義な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程で、より容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の一実施形態である積層型電子部品の斜視図を概略的に示した図面である。

【図2】図１のサイドマージン部及び本体の外観を概略的に示した図面である。

【図3】図２の本体の外観を概略的に示した図面である。

【図4】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示した図面である。

【図5】本発明の一実施形態における図４のＰ領域の拡大図を概略的に示した図面である。

【図6】本発明の一実施形態における図４のＰ領域の拡大図を概略的に示した図面である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上に同一符号で示される要素は同一要素である。

【0013】

尚、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、図示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したものであるため、本発明は必ずしも図示により限定されない。また、同一の思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を用いて説明することができる。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0014】

図面において、第１方向は積層方向または厚さ（Ｔ）方向、第２方向は長さ（Ｔ）方向、第３方向は幅（Ｗ）方向と定義することができる。

【0015】

（積層型電子部品）
図１は、本発明の一実施形態である積層型電子部品の斜視図を概略的に示した図面であり、図２は、図１のサイドマージン部及び本体の外観を概略的に示した図面であり、図３は、図２の本体の外観を概略的に示した図面であり、図４は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示した図面であり、図５は、本発明の一実施形態における図４のＰ領域の拡大図を概略的に示した図面であり、図６は、本発明の一実施形態における図４のＰ領域の拡大図を概略的に示した図面である。

【0016】

以下、図１～図６を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用することができる。

【0017】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層１１１と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含み、上記第１方向に互いに向かい合う第１面１及び第２面２、上記第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面３及び第４面４、上記第１面～第４面１、２、３、４と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面５及び第６面６を含む本体と、上記第３面３及び第４面４に配置されて上記内部電極１２１、１２２と連結される外部電極１３１、１３２と、上記第５面５及び第６面６に配置されるサイドマージン部１１４、１１５と、を含み、上記サイドマージン部１１４、１１５に含まれたＳｎの平均含有量は０．１ｍｏｌ％以上４．０ｍｏｌ％以下であり、上記サイドマージン部１１４、１１５のＢａ／Ｔｉ比率は１．０４０超過１．０７０未満であり、上記サイドマージン部１１４、１１５に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさは、１００ｎｍ以上２９０ｎｍ以下を満たすことができる。

【0018】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。

【0019】

より具体的には、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに向かい合うように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

【0020】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように本体１１０は六面体状やこれと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではなく、実質的に六面体状を有することができる。

【0021】

本体１１０は、第１方向に互いに向かい合う第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面３及び第４４、第１面～第４面１、２、３、４と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面５及び第６面６を有することができる。

【0022】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0023】

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り制限されない。一般的に、ペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を用いることができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料またはチタン酸ストロンチウム系材料などを用いることができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

【0024】

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末に本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

【0025】

誘電体層１１１の厚さｔｄは、特に限定する必要はない。

【0026】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために誘電体層１１１の厚さは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

【0027】

ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

【0028】

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向の大きさを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0029】

誘電体層１１１の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて１つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔の３０つの地点で第１方向の大きさを測定した平均値であることができる。このように測定した平均値は、一つの誘電体層１１１の第１方向の平均大きさを意味することができる。上記等間隔の３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均大きさをさらに一般化することができる。

【0030】

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されることができる。

【0031】

内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに向かい合うように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。

【0032】

より具体的には、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0033】

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。

【0034】

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートを交互に積層した後、焼成して形成されることができる。

【0035】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気導電性に優れた材料を用いることができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含むことができる。

【0036】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0037】

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。

【0038】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

【0039】

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向の大きさを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0040】

内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて１つの内部電極１２１、１２２を第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向の大きさを測定した平均値であることができる。このように測定した内部電極の平均値は、一つの内部電極の第１方向の平均大きさを意味することができる。上記等間隔の３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさをさらに一般化することができる。

【0041】

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されたカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0042】

より具体的には、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0043】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一誘電体層１１１または２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0044】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0045】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、特に限定する必要はない。

【0046】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品ではより好ましく２０μｍ以下であることができる。

【0047】

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向の大きさを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0048】

カバー部１１２、１１３の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて１つのカバー部を第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向の大きさを測定した平均値であることができる。上記等間隔の３０個の地点は、上部カバー部１１２で指定されることができる。

【0049】

一方、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上にはサイドマージン部１１４、１１５が配置されることができる。

【0050】

より具体的には、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４及び第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。すなわち、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されることができる。

【0051】

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第２方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の第３方向の両端部と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0052】

サイドマージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成されるところを除いて導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一誘電体層１１１または２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に第３方向に積層して形成することもできる。

【0053】

第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、単一誘電体層１１１または２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面にそれぞれ第３方向に積層して形成することができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0054】

第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５はセラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0055】

積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化を同時に達成するためには、内部電極及び誘電体層の厚さが薄く、積層数が多くなる必要があるが、積層数が多いほど内部電極の幅方向に段差が生じることがある。このような段差は、積層セラミックキャパシタの高温信頼性及び耐電圧特性を低下させることがあり、これを克服するために内部電極の幅方向にマージンシートを付着してサイドマージン部を形成してこれを解決している。マージンシートを構成する材料、バインダー、分散剤を含むこれらの種類及び含有量、材料の制御によって積層セラミックキャパシタの特性を向上させることができるため、これに対する最適な設計研究が進められている。

【0056】

本発明の一実施形態において、サイドマージン部１１４、１１５はスズ（Ｓｎ）を含むことができる。

【0057】

サイドマージン部１１４、１１５の平均Ｓｎ含有量は、０．１ｍｏｌ％以上４．０ｍｏｌ％以下であることができ、より好ましくは０．１ｍｏｌ％以上１．０ｍｏｌ％以下であることができる。

【0058】

サイドマージン部１１４、１１５に含まれたＳｎ含有量を測定する方法は、例えば以下のとおりである。

【0059】

非破壊工法の場合、ＴＥＭ－ＥＤＳを用いてサイドマージン部１１４、１１５の中央部で誘電体グレインの内部の成分を分析することができる。このとき、第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準としてサイドマージン部１１４、１１５の中央部の領域を観察してもよく、第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準としてサイドマージン部１１４、１１５の中央部の領域を観察してもよい。焼結が完了されたサイドマージン部１１４、１１５の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）のうち誘電体を含む領域で集束イオンビーム（ＦＩＢ）装備を用いて薄片化された分析試料を準備する。そして、薄片化された試料をＡｒイオンミリングを用いて表面のダメージ層を除去し、この後、ＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いて得られたイメージで各成分のマッピングと定量分析を進める。このとき、複数個のポイントに含まれた元素の含有量を測定してこれを平均することができ、ラインプロファイル（ｌｉｎｅ－ｐｒｏｆｉｌｅ）を進行してラインに含まれた元素の位置別の含有量を測定することもできる。この場合、各成分の定量分析グラフは、各元素の質量分率で得られることができ、これをモル分率に換算して表すことができる。

【0060】

また、破壊工法の場合、積層型キャパシタを粉砕してサイドマージン部１１４、１１５の領域を剥がした後に誘電体部分を選別し、このように選別された誘電体を誘導結合プラズマ分光分析器（ＩＣＰ－ＯＥＳ）、誘導結合プラズマ質量分析器（ＩＣＰ－ＭＳ）などの装置を用いて誘電体の成分を分析してＳｎ含有量を測定することができる。

【0061】

サイドマージン部１１４、１１５の平均Ｓｎ含有量が０．１ｍｏｌ％以上４．０ｍｏｌ％以下を満たすことで、誘電体結晶粒の平均大きさが小さいながら大きさの散布が狭くなることができ、サイドマージン部１１４、１１５によって積層型電子部品１００の耐湿信頼性が向上し、Ｓｎ含有量によって粒成長特性、靭性などが変わり、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性を含む電気的特性または耐衝撃性、耐クラック性を含む機械的特性などが向上することができる。

【0062】

サイドマージン部１１４、１１５の平均Ｓｎ含有量が０．１ｍｏｌ％未満の場合、誘電体結晶粒の平均大きさ及び大きさの散布が大きくなってＢＤＶ特性が低下することがあり、４．０ｍｏｌ％超過である場合、誘電体粉末の焼結が進行されないか、誘電体結晶粒径が小さくて耐湿信頼性及び機械的特性が低下する可能性がある。

【0063】

本発明の一実施形態において、サイドマージン部１１４、１１５はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができ、サイドマージン部１１４、１１５のＢａ／Ｔｉ比率は１．０４０超過１．０７０未満であることができる。

【0064】

サイドマージン部１１４、１１５のＢａ／Ｔｉ比率が増加するほど、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた誘電体結晶粒の粒成長を抑制して誘電体結晶粒の平均大きさを小さくすることができ、Ｂａ／Ｔｉ比率が１．０４０超過１．０７０未満を満たす場合、ＢＤＶ特性及び機械的特性が向上することができる。

【0065】

サイドマージン部１１４、１１５のＢａ／Ｔｉ比率が１．０４０以下である場合、誘電体結晶粒径が大きくなってＢＤＶ特性が低下するという問題点が発生することがあり、Ｂａ／Ｔｉ比率が１．０７０以上である場合、誘電体結晶粒が形成されないか、焼結緻密度が低下して気孔（ｐｏｒｅ）が形成されるため、耐湿信頼性及び機械的特性が低下するという問題点が生じる可能性がある。

【0066】

本発明の一実施形態において、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは、１００ｎｍ以上２９０ｎｍ以下を満たすことができる。

【0067】

好ましくは、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち、平均大きさが１００ｎｍ以上２９０ｎｍ以下を満たす誘電体結晶粒は、９０％以上であることができる。

【0068】

例えば、積層型電子部品１００の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準としてサイドマージン部１１４、１１５に含まれた誘電体の任意の領域２μｍ×２μｍをＳＥＭを用いて観察したとき、観察される複数の誘電体結晶粒の平均大きさは１００ｎｍ以上２９０ｎｍ以下、より好ましくは複数の誘電体結晶粒のうち９０％以上の平均大きさが１００ｎｍ以上２９０ｎｍ以下を満たすことができる。ここで、９０％とは、累積分布を意味するＤ９０を意味することができる。

【0069】

本発明において、誘電体結晶粒径は直径を意味することができ、誘電体結晶粒の平均大きさは、誘電体結晶粒の中心点を通る最小直径大きさ及び最大直径大きさの平均値を意味することができる。また、誘電体結晶粒の平均大きさは、任意の領域で観察される全ての誘電体結晶粒の平均大きさを平均した値を意味することができる。

【0070】

サイドマージン部１１４、１１５に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさが１００ｎｍ以上２９０ｎｍ以下を満たすことで、ＢＤＶ特性を含む電気的特性及び耐クラック性などを含む機械的特性、耐湿信頼性などが向上することができる。

【0071】

サイドマージン部１１４、１１５に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさが１００ｎｍ未満の場合、誘電体結晶粒径が小さくて耐湿信頼性及び機械的特性が低下するという問題点が発生することがあり、誘電体結晶粒の平均大きさが２９０ｎｍ超過である場合、誘電体結晶粒径が大きくてＢＤＶ特性が低下するという問題点が発生する可能性がある。

【0072】

一方、誘電体結晶粒径に対する最大偏差は±５０ｎｍ～±１５０ｎｍを満たすことができる。

【0073】

本発明における偏差とは、観測値から平均値を引いたものであり、最大偏差は観測値から平均値を引いた大きさが最も大きい値を意味することができる。すなわち、大きさの偏差は、任意の１つの誘電体結晶粒径から任意の領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさを引いた値を意味することができる。

【0074】

例えば、積層型電子部品１００の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準としてサイドマージン部１１４、１１５に含まれた誘電体層１１１内の任意の領域２μｍ×２μｍをＳＥＭを用いて観察したとき、観察される全ての誘電体結晶粒の平均大きさを平均した値が１５１ｎｍであり、最大偏差が±８４ｎｍである場合、任意の領域で観察される誘電体結晶粒径は６７ｎｍ以上２３５ｎｍ以下の範囲を満たすことを意味することができる。

【0075】

また、第１サイドマージン部１１４は、容量形成部Ａｃに隣接した第１領域１１４ａ、１１４ａ'及びサイドマージン部の外側面に隣接した第２領域１１４ｂ、１１４ｂ'を含むことができ、第１サイドマージン部１１４に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは、第１領域１１４ａ、１１４ａ'から第２領域１１４ｂ、１１４ｂ'に向かうにつれて徐々に変化することができる。

【0076】

例えば、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の大きさの１／２基準で容量形成部Ａｃに近い領域を第１領域、外側部に近い領域を第２領域と定義するとき、第１領域のうち任意の２μｍ×２μｍ領域内に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは、第２領域のうち任意の２μｍ×２μｍ領域内に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさと異なることができる。

【0077】

ここで、徐々に変化するという意味は、第３方向を基準として２μｍ領域毎に誘電体結晶粒の平均大きさを平均した値が増加または減少する傾向にあることを意味することができる。

【0078】

本発明において特に断りのない限り、第１サイドマージン部１１４に対する説明は、第２サイドマージン部１１５に対する説明と同様であることができ、また、サイドマージン部１１４、１１５に対する説明は、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５に対する説明を含むことができる。

【0079】

第２サイドマージン部１１５の第１領域及び第２領域に対する図面は、別途図示していないが、第１サイドマージン部１１４の第１領域１１４ａ、１１４ａ'及び第２領域１１５ａ、１１５ａ'の図面に対する説明と同一であることができ、説明の便宜のために、第２サイドマージン部１１５の第１領域１１５ａ、１１５ａ'及び第２領域１１５ｂ、１１５ｂ'の図面符号を併記して説明することができる。

【0080】

本発明の一実施形態を図５を参照して説明すると、第１領域１１４ａ、１１５ａに含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは、第２領域１１４ｂ、１１５ｂに含まれた誘電体結晶粒の平均大きさ以上であることができる。

【0081】

これは、誘電体結晶粒の平均大きさが第１領域１１４ａ、１１５ａから第２領域１１４ｂ、１１５ｂに向かうにつれて徐々に小さくなることを意味することができる。

【0082】

このとき、第１領域１１４ａ、１１５ａに含まれた誘電体結晶粒の平均大きさｄａの平均値は、１９０ｎｍ以上２９０ｎｍ以下であることができ、第２領域１１４ｂ、１１５ｂに含まれた誘電体結晶粒の平均大きさｄｂの平均値は、１９０ｎｍ以上２６０ｎｍ以下であることができる。

【0083】

そして、第１領域１１４ａ、１１５ａに含まれた誘電体結晶粒径ｄａに対する最大偏差は、±１００ｎｍ以上±１５０ｎｍ以下を満たすことができ、第２領域１１４ｂ、１１５ｂに含まれた誘電体結晶粒径ｄｂに対する最大偏差は、±１００ｎｍ以上±１２０ｎｍ以下を満たすことができる。

【0084】

第１領域１１４ａ、１１５ａに含まれた誘電体結晶粒の平均大きさｄａの平均した値が第２領域１１４ｂ、１１５ｂの誘電体結晶粒の平均大きさｄｂの平均した値より大きい場合、容量形成部Ａｃの隣接した領域にクラック（ｃｒａｃｋ）が発生することをより効果的に抑制することができ、容量形成部Ａｃに水分が浸透することを妨害することができて、耐湿信頼性がより効果的である。

【0085】

本発明の他の一実施形態を図６を参照して説明すると、第２領域１１４ｂ'、１１５ｂ'に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさｄｂ'の平均した値は第１領域１１４ａ'、１１５ａ'に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさｄａ'の平均した値以上であることができる。

【0086】

これは、誘電体結晶粒の平均大きさが第１領域１１４ａ'、１１５ａ'から第２領域１１４ｂ'、１１５ｂ'に向かうにつれて徐々に大きくなることを意味することができる。

【0087】

このとき、第１領域１１４ａ'、１１５ａ'に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさｄａ'の平均した値は、１００ｎｍ以上２２０ｎｍ以下であることができ、第２領域１１４ｂ'、１１５ｂ'に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさｄｂ'の平均した値は、１７０ｎｍ以上２２０ｎｍ以下であることができる。

【0088】

そして、第１領域１１４ａ'、１１５ａ'に含まれた誘電体結晶粒径ｄａ'に対する最大偏差は±５０ｎｍ以上±１１０ｎｍ以下であり、第２領域１１４ｂ'、１１５ｂ'に含まれた誘電体結晶粒径ｄｂ'に対する最大偏差は、±８０ｎｍ以上±１１０ｎｍ以下であることができる。

【0089】

第１領域１１４ａ'、１１５ａ'の誘電体結晶粒の平均大きさｄａ'の平均した値が第２領域１１４ｂ'、１１５ｂ'の誘電体結晶粒の平均大きさｄｂ'の平均した値よりも小さい場合、積層型電子部品１００のＢＤＶ特性が向上することができる。

【0090】

本発明の一実施形態は、マージン部１１４、１１５に含まれた誘電体結晶粒のＢａ／Ｔｉ比率が高いほど誘電体結晶粒径が小さいことができる。これは、Ｓｎ含有量が増加するにつれてＢａ／Ｔｉ比率が増加した結果であることができるが、特にこれに制限されるものではなく、Ｓｎ含有量が同一であってもＢａ／Ｔｉ比率を制御することで実現することができる。

【0091】

このとき、Ｂａ／Ｔｉモル比が１．０４である場合には、第１領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは、第２領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさより大きいことができ、Ｂａ／Ｔｉモル比が１．５である場合には、第１領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさと第２領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさとは、実質的に差異がない場合があり、Ｂａ／Ｔｉモル比が１．０６である場合には、第１領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは、第２領域に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさより小さいことができる。

【0092】

このような場合にも、Ｂａ／Ｔｉモル比が１．０６であるサイドマージン部１１４、１１５の第１領域及び第２領域に含まれた各領域の誘電体結晶粒の平均大きさは、Ｂａ／Ｔｉモル比が１．０４であるサイドマージン部１１４、１１５の第１領域及び第２領域に含まれた各領域の誘電体結晶粒の平均大きさより小さいことができる。

【0093】

一方、本発明の一実施形態は、マージン部１１４、１１５の第１領域１１４ａ、１１５ａ、１１４ａ'、１１５ａ'に含まれたＳｎの平均含有量は、０．１ｍｏｌ％以上０．５ｍｏｌ％未満であることができ、マージン部１１４、１１５の第２領域１１４ｂ、１１５ｂ、１１４ｂ'、１１５ｂ'に含まれたＳｎの平均含有量は、０．５ｍｏｌ％以上１．０ｍｏｌ％以下であることができる。

【0094】

また、第１領域１１４ａ、１１５ａ、１１４ａ'、１１５ａ'の第３方向の平均大きさｗｍａ、ｗｍａ'は、第２領域１１４ｂ、１１５ｂ、１１４ｂ'、１１５ｂ'の第３方向の平均大きさｗｍｂ、ｗｍｂ'と実質的に同一または小さいことができる。

【0095】

第１領域１１４ａ、１１５ａ、１１４ａ'、１１５ａ'の第３方向の平均大きさを制御することで、必要に応じて目標とする特性を異ならせることができるという利点がある。

【0096】

一方、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは、特に限定する必要はない。

【0097】

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品ではより好ましくは２０μｍ以下であることができる。

【0098】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の大きさを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均大きさを意味することができる。

【0099】

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて、１つのサイドマージン部を第１方向に等間隔の３０個の地点で第３方向の大きさを測定した平均値であることができる。上記等間隔の３０個の地点は、第１サイドマージン部１１４で指定されることができる。

【0100】

本発明の一実施形態では、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0101】

外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置されて内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

【0102】

より具体的には、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0103】

外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気導電性を有するものであれば、どのような物質を用いても形成されることができ、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができ、さらに多層構造を有することができる。

【0104】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層及び電極層上に配置されるめっき層を含むことができる。

【0105】

電極層に対するより具体的な例を挙げると、電極層は導電性金属及びガラスを含む焼成電極であるか、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であることができる。

【0106】

また、電極層は、本体１１０上に焼成電極及び樹脂系電極が順次形成された形態であることができる。

【0107】

また、電極層は、本体１１０上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであることができる。

【0108】

電極層に用いられる導電性金属は、静電容量形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結されることができる材質であれば、特に制限されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金からなる群から選択された１つ以上を含むことができる。電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粉末にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後に焼成することで形成されることができる。

【0109】

めっき層は、実装特性を向上させる役割を果たす。

【0110】

めっき層の種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含む単一層のめっき層であることができ、複数層で形成されることができる。

【0111】

めっき層に対するより具体的な例を挙げると、めっき層は、Ｎｉめっき層またはＳｎめっき層であることができ、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができ、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができる。また、めっき層は、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

【0112】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付された図面によって限定されるものではなく、添付された特許請求の範囲によって限定する。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野の通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた本発明の範囲に属するといえる。

【0113】

以下、実験例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、これは発明の具体的な理解を助けるためのものであり、本発明の範囲が実験例によって限定されるものではない。

【0114】

（実験例）
以下で説明する各サンプルは、サイドマージン部に含まれる平均Ｓｎ含有量０．１ｍｏｌ％以上４．０ｍｏｌ％以下、サイドマージン部の厚さは１５μｍを満足し、０６０３（長さ×幅、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）サイズの積層型電子部品で製作した。

【0115】

各サンプル当たり製作したサンプルチップは４０個であり、マージン部の第１領域の結晶粒径のうち平均大きさ、標準偏差、変動係数（ＣＶ）を測定し、ＢＤＶ（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）評価及び耐湿信頼性の評価を行った。

【0116】

ＢＤＶ特性において、破壊電圧（Ｖ）は過酷条件で絶縁破壊が発生した電圧（Ｖ）を意味し、形状パラメータは絶縁破壊が遅く発生したサンプルチップの分布を示す値であり、大きさが大きいほど絶縁破壊が遅く発生したサンプルチップが多いことを意味する。

【0117】

耐湿信頼性の評価は総３段階に区分して進められ、１段階は温度条件４０℃、相対湿度８５％、電圧条件１．２Ｖｒの条件で１時間進行し、２段階は温度条件８５℃、相対湿度８５％、電圧条件１．２Ｖｒの条件で１時間進行し、３段階は８５℃、相対湿度６０％、電圧条件０．７Ｖｒの条件で２時間進行した。サンプルチップ４０個のうち、３段階の過程を経る間、初期絶縁抵抗（ＩＲ）である１０^９Ωに対して１０^１Ω以上減少したサンプルチップの個数を不良とカウントし、不良が発生したサンプルチップの数が３個以下である場合、耐湿信頼性に優れていると評価した。

【0118】

【表1】

【0119】

サンプル１～５を参照したとき、Ｂａ／Ｔｉ比率が１．０４０超過１．０７０未満の場合に、第１領域の結晶粒の平均大きさが小さくて標準偏差が小さいことが確認でき、ＢＤＶ特性及び耐湿信頼性に優れていると評価された。

【0120】

サンプル６を参照したとき、Ｂａ／Ｔｉ比率が１．０７０の場合、焼結が進行せず、誘電体結晶粒が正常に形成されていないため、ＢＤＶ特性及び耐湿信頼性が確認できなかった。

【0121】

【表2】

【0122】

サンプル７～サンプル９を確認したとき、Ｂａ／Ｔｉ比率が高くなるほど誘電体結晶粒の平均大きさ及び標準偏差が小さくなることが確認でき、ＢＤＶ特性も向上することが確認できる。これは、誘電体結晶粒径が小さくなるにつれて電界の移動を妨害して絶縁破壊が発生することを抑制したものと予測される。

【0123】

また、Ｂａ／Ｔｉ比率が１．０４０の場合、誘電体結晶粒径は第１領域が第２領域よりも大きいが、Ｂａ／Ｔｉ比率が１．０５０の場合、誘電体結晶粒径は第１領域と第２領域で類似し、Ｂａ／Ｔｉ比率が１．０６０の場合、誘電体結晶粒径は第１領域よりも第２領域で大きいことが確認できる。

【0124】

また、本明細書で用いられた「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。

【0125】

本明細書で用いられた用語は、単に一実施形態を説明するために用いられたものであり、本開示を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0126】

１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ サイドマージン部
１１４ａ、１１４ａ' 第１領域
１１４ｂ、１１４ｂ' 第２領域
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】