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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024085656
(43)【公開日】2024-06-27
(54)【発明の名称】配線回路基板
(51)【国際特許分類】
H05K 1/05 20060101AFI20240620BHJP
H05K 1/11 20060101ALI20240620BHJP
【ＦＩ】
H05K1/05 Z
H05K1/11 H
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022200296
(22)【出願日】2022-12-15
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103517
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 寛之
(74)【代理人】
【識別番号】100149607
【弁理士】
【氏名又は名称】宇田 新一
(72)【発明者】
【氏名】池田 敬裕
(72)【発明者】
【氏名】新納 鉄平
【テーマコード（参考）】
5E315
5E317
【Ｆターム（参考）】
5E315AA01
5E315AA11
5E315BB01
5E315BB03
5E315BB04
5E315BB05
5E315CC01
5E315DD13
5E315GG13
5E317AA24
5E317BB03
5E317BB12
5E317BB15
5E317BB18
5E317CC31
5E317CC60
5E317GG20
(57)【要約】
【課題】金属支持層に対する第１導体層の密着力を向上できる配線回路基板を提供すること。
【解決手段】配線回路基板１は、金属支持層２と、密着層３と、第１導体層４と、絶縁層５と、第２導体層７と、を備える。密着層３は、厚み方向における金属支持層２の一方面に配置される。密着層３は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｎｂ、および、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む。第１導体層４は、厚み方向における密着層３の一方面に配置される。絶縁層５は、貫通孔５１を有する。厚み方向における第１導体層４の一方面に配置される。第２導体層７は、部分７１を含む。部分７１は、厚み方向に投影したときに貫通孔５１内に位置する密着層３を介して金属支持層２と電気的に接続される。第２導体層７は、貫通孔５１内における金属支持層２の一方側、および、厚み方向における絶縁層５の一方側に配置される。
【選択図】図１
【解決手段】配線回路基板１は、金属支持層２と、密着層３と、第１導体層４と、絶縁層５と、第２導体層７と、を備える。密着層３は、厚み方向における金属支持層２の一方面に配置される。密着層３は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｎｂ、および、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む。第１導体層４は、厚み方向における密着層３の一方面に配置される。絶縁層５は、貫通孔５１を有する。厚み方向における第１導体層４の一方面に配置される。第２導体層７は、部分７１を含む。部分７１は、厚み方向に投影したときに貫通孔５１内に位置する密着層３を介して金属支持層２と電気的に接続される。第２導体層７は、貫通孔５１内における金属支持層２の一方側、および、厚み方向における絶縁層５の一方側に配置される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属支持層と、
厚み方向における前記金属支持層の一方面に配置される密着層であり、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｎｂ、および、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む密着層と、
厚み方向における前記密着層の一方面に配置される第１導体層と、
貫通孔を有し、厚み方向における前記第１導体層の一方面に配置される絶縁層と、
厚み方向に投影したときに前記貫通孔内に位置する前記密着層を介して前記金属支持層と電気的に接続される部分を含み、前記貫通孔内における前記金属支持層の一方側、および、厚み方向における前記絶縁層の一方側に配置される第２導体層と、
を備える、配線回路基板。
厚み方向における前記金属支持層の一方面に配置される密着層であり、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｎｂ、および、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む密着層と、
厚み方向における前記密着層の一方面に配置される第１導体層と、
貫通孔を有し、厚み方向における前記第１導体層の一方面に配置される絶縁層と、
厚み方向に投影したときに前記貫通孔内に位置する前記密着層を介して前記金属支持層と電気的に接続される部分を含み、前記貫通孔内における前記金属支持層の一方側、および、厚み方向における前記絶縁層の一方側に配置される第２導体層と、
を備える、配線回路基板。
【請求項2】
前記密着層における前記金属の含有割合は、０．８％以下である、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項3】
前記第１導体層は、Ｃｒおよび／またはＮｉを含む、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項4】
前記金属支持層は、Ｃｕを含む、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項5】
前記第１導体層および前記第２導体層を電気的に接続する第２密着層であり、厚み方向に投影したときに前記貫通孔内に位置する前記第１導体層と、前記第２導体層との間に配置される第２密着層をさらに備える、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項6】
前記第２密着層は、前記金属を含む、請求項５に記載の配線回路基板。
【請求項7】
前記第２導体層は、Ｃｕ、ＣｒおよびＮｉからなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項６に記載の配線回路基板。
【請求項8】
前記貫通孔内における前記金属支持層の一方面に配置される前記密着層は、前記貫通孔外における前記金属支持層の一方面に配置される前記密着層より、厚い、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項9】
厚み方向における前記第２導体層の一方面に配置される第３導体層をさらに備える、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線回路基板に関する。
【背景技術】
【0002】
金属支持層と、第１導体層と、絶縁層と、第２導体層とを、厚み方向の一方側に向かって順に備える配線回路基板が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【0003】
特許文献１に記載の配線回路基板では、絶縁層は、貫通孔を有する。第２導体層は、厚み方向に投影したときに貫通孔内に位置する第１導体層を介して金属支持層と電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１１－１９８８１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
配線回路基板において、金属支持層に対する第１導体層の密着力の向上が求められる。しかし、特許文献１に記載の配線回路基板では、上記した密着力が不十分である。
【0006】
本発明は、金属支持層に対する第１導体層の密着力を向上できる配線回路基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明［１］は、金属支持層と、厚み方向における前記金属支持層の一方面に配置される密着層であり、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｎｂ、および、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む密着層と、厚み方向における前記密着層の一方面に配置される第１導体層と、貫通孔を有し、厚み方向における前記第１導体層の一方面に配置される絶縁層と、厚み方向に投影したときに前記貫通孔内に位置する前記密着層を介して前記金属支持層と電気的に接続される部分を含み、前記貫通孔内における前記金属支持層の一方側、および、厚み方向における前記絶縁層の一方側に配置される第２導体層と、を備える、配線回路基板を含む。
【0008】
この配線回路基板は、厚み方向における金属支持層の一方面に配置される密着層であって、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｎｂ、および、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む密着層を備えるので、金属支持層に対する第１導体層の密着力を向上できる。
【0009】
本発明［２］は、前記密着層における前記金属の含有割合は、０．８％以下である、［１］に記載の配線回路基板を含む。
【0010】
この配線回路基板では、密着層における金属の含有割合が０．８％以下と低いので、金属支持層に対する密着層の密着力を確保しつつ、密着層および金属支持層の界面における抵抗の上昇、および、密着層および第１導体層の界面における抵抗の上昇を抑制できる。
【0011】
本発明［３］は、前記第１導体層は、Ｃｒおよび／またはＮｉを含む、［１］または［２］に記載の配線回路基板を含む。
【0012】
本発明［４］は、前記金属支持層は、Ｃｕを含む、［１］から［３］のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。
【0013】
本発明［５］は、前記第１導体層および前記第２導体層を電気的に接続する第２密着層であり、厚み方向に投影したときに前記貫通孔内に位置する前記第１導体層と、前記第２導体層との間に配置される第２密着層をさらに備える、［１］から［４］のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。
【0014】
本発明［６］は、前記第２密着層は、前記金属を含む、［５］に記載の配線回路基板を含む。
【0015】
本発明［７］は、前記第２導体層は、Ｃｕ、ＣｒおよびＮｉからなる群から選択される少なくとも１つを含む、［６］に記載の配線回路基板を含む。
【0016】
本発明［８］は、前記貫通孔内における前記金属支持層の一方面に配置される前記密着層は、前記貫通孔外における前記金属支持層の一方面に配置される前記密着層より、厚い、［１］から［４］のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。
【0017】
本発明［９］は、厚み方向における前記第２導体層の一方面に配置される第３導体層をさらに備える、［１］から［８］のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。
【発明の効果】
【0018】
本発明の配線回路基板は、金属支持層に対する第１導体層の密着力を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本発明の配線回路基板の一実施形態の一部の断面図である。
【図2】図２Ａから図２Ｆは、図１に示す配線回路基板の製造方法の工程図である。図２Ａは、金属支持層を準備する工程である。図２Ｂは、密着層を形成する工程である。図２Ｃは、第１導体層を形成する工程である。図２Ｄは、絶縁層を形成する工程である。図２Ｅは、第２密着層を形成する工程である。図２Ｆは、第２導体層を形成する工程である。
【図3】配線回路基板の第２変形例の一部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
１． 一実施形態
図１を参照して、本発明の配線回路基板の一実施形態を説明する。
図１を参照して、本発明の配線回路基板の一実施形態を説明する。
【0021】
図１に示すように、配線回路基板１は、厚みを有する。配線回路基板１は、面方向に延びる。面方向は、厚み方向に直交する。配線回路基板１は、シート形状またはフィルム形状を有する。シートおよびフィルムは、区別されない。配線回路基板１は、金属支持層２と、密着層３と、第１導体層４と、絶縁層５と、第２密着層６と、第２導体層７と、第３導体層８と、を備える。
【0022】
１．１ 金属支持層２
金属支持層２は、厚み方向において配線回路基板１の他端部に配置される。金属支持層２は、面方向に延びる。金属支持層２は、板形状を有する。
金属支持層２は、厚み方向において配線回路基板１の他端部に配置される。金属支持層２は、面方向に延びる。金属支持層２は、板形状を有する。
【0023】
金属支持層２は、面方向に延びる。金属支持層２の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、白金、金、および、合金が挙げられる。合金としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、および、銅合金が挙げられる。合金としては、好ましくは、銅合金が挙げられる。好ましくは、金属支持層２の材料としては、例えば、銅、および、銅合金が挙げられる。金属支持層２は、好ましくは、Ｃｕを含む。
【0024】
金属支持層２の厚みは、例えば、１５μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。
【0025】
１．２ 密着層３
密着層３は、厚み方向における金属支持層２の一方面に配置される。密着層３は、厚み方向における金属支持層２の一方面に接触する。密着層３は、面方向に延びる。密着層３は、第１導体層４を金属支持層２に密着させる。
密着層３は、厚み方向における金属支持層２の一方面に配置される。密着層３は、厚み方向における金属支持層２の一方面に接触する。密着層３は、面方向に延びる。密着層３は、第１導体層４を金属支持層２に密着させる。
【0026】
密着層３は、例えば、第１金属を含む金属材料から形成される。金属材料は、好ましくは、第１金属および次に説明する第１導体層４の材料からなる。
【0027】
第１金属としては、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｎｂ、および、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１つが挙げられる。つまり、密着層３は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｎｂ、および、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１つの第１金属を含む。第１金属として、好ましくは、ＺｒおよびＴｉが挙げられる。より好ましくは、Ｚｒが挙げられる。
【0028】
密着層３における第１金属の含有割合は、例えば、５．０％以下、好ましくは、１．２％以下、より好ましくは、０．８％以下、とりわけ好ましくは、０．６％以下である。密着層３における第１金属の含有割合が上記した上限以下であれば、金属支持層２に対する密着層３の密着力を確保しつつ、密着層３および金属支持層２の界面における抵抗の上昇、および、密着層３および第１導体層４の界面における抵抗の上昇を抑制できる。
【0029】
密着層３における第１金属の含有割合の下限は、限定されない。密着層３における第１金属の含有割合の下限は、例えば、０．１％である。
【0030】
密着層３における第１金属の含有割合は、ダイナミックＳＩＭＳによって測定される。
【0031】
密着層３の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、２ｎｍ以上であり、また、例えば、５０ｎｍ以下、好ましくは、３０ｎｍ以下である。密着層３の厚みは、第１金属のダイナミックＳＩＭＳのピーク強度（最大値）に対して９０％以上の強度を示す範囲として求められる。
【0032】
１．３ 第１導体層４
第１導体層４は、厚み方向における密着層３の一方面に配置される。第１導体層４は、厚み方向における密着層３の一方面に接触する。第１導体層４は、面方向に延びる。
第１導体層４は、厚み方向における密着層３の一方面に配置される。第１導体層４は、厚み方向における密着層３の一方面に接触する。第１導体層４は、面方向に延びる。
【0033】
第１導体層４の材料としては、例えば、クロム、ニッケル、チタン、および、それらの合金が挙げられる。第１導体層４の材料としては、好ましくは、クロム、ニッケル、および、ニクロムが挙げられる。つまり、第１導体層４は、好ましくは、クロムおよび／またはニッケルを含む。
【0034】
第１導体層４の厚みは、例えば、５ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上であり、また、例えば、１０００ｎｍ以下、好ましくは、５００ｎｍ以下である。
【0035】
１．４ 絶縁層５
絶縁層５は、厚み方向における第１導体層４の一方面に配置される。絶縁層５は、厚み方向における第１導体層４の一方面に接触する。絶縁層５は、面方向に延びる。本実施形態では、絶縁層５は、ベース絶縁層である。
絶縁層５は、厚み方向における第１導体層４の一方面に配置される。絶縁層５は、厚み方向における第１導体層４の一方面に接触する。絶縁層５は、面方向に延びる。本実施形態では、絶縁層５は、ベース絶縁層である。
【0036】
絶縁層５は、貫通孔５１を有する。貫通孔５１は、絶縁層５を厚み方向に貫通する。絶縁層５は、貫通孔５１によって仕切られる内側面５２を有する。内側面５２は、断面略テーパ形状を有する。内側面５２は、厚み方向の一方側に向かうに従って、外側に傾斜する。そのため、貫通孔５１は、厚み方向の一方側に向かうに従って、平断面の面積が次第に大きくなる。
【0037】
絶縁層５の材料としては、例えば、絶縁性樹脂が挙げられる。絶縁性樹脂としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。絶縁性樹脂は、可撓性を有する。
【0038】
絶縁層５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、３５μｍ以下である。
【0039】
１．５ 第２密着層６
第２密着層６は、厚み方向における絶縁層５の一方面に配置される。また、第２密着層６は、絶縁層５の内側面５２にも配置される。さらに、第２密着層６は、厚み方向に投影したときに貫通孔５１内に位置する第１導体層４の一方面にも配置される。第２密着層６は、絶縁層５の一方面と、絶縁層５の内側面５２と、貫通孔５１内に位置する第１導体層４の一方面とに接触する。第２密着層６は、面方向に延びる。第２密着層６は、第２導体層７を、絶縁層５と、厚み方向に投影したときに貫通孔５１内に位置する第１導体層４とに密着させる。さらに、第２密着層６は、絶縁層５への第２導体層７の密着性を向上させる。
第２密着層６は、厚み方向における絶縁層５の一方面に配置される。また、第２密着層６は、絶縁層５の内側面５２にも配置される。さらに、第２密着層６は、厚み方向に投影したときに貫通孔５１内に位置する第１導体層４の一方面にも配置される。第２密着層６は、絶縁層５の一方面と、絶縁層５の内側面５２と、貫通孔５１内に位置する第１導体層４の一方面とに接触する。第２密着層６は、面方向に延びる。第２密着層６は、第２導体層７を、絶縁層５と、厚み方向に投影したときに貫通孔５１内に位置する第１導体層４とに密着させる。さらに、第２密着層６は、絶縁層５への第２導体層７の密着性を向上させる。
【0040】
絶縁層５の一方面および内側面５２に配置される第２密着層６は、密着層３で挙げた金属材料から形成され、好ましくは、第１金属を含む金属材料からなる。金属材料は、好ましくは、第１金属および次に説明する第２導体層７の材料からなる。第１金属は、第１密着層４で例示した第１金属と同様である。
【0041】
絶縁層５の一方面および内側面５２に配置される第２密着層６における第１金属の含有割合は、例えば、５．０％以下、好ましくは、１．２％以下、より好ましくは、０．８％以下、とりわけ好ましくは、０．６％以下であり、また、例えば、０．１％以上である。第２密着層６における第１金属の含有割合が上記した上限以下であれば、絶縁層５への第２導体層７の密着性を向上させる。
【0042】
第２密着層６の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、２ｎｍ以上であり、また、例えば、５０ｎｍ以下、好ましくは、３０ｎｍ以下である。第２密着層６の厚みは、絶縁層５上の第１金属のダイナミックＳＩＭＳでのピーク強度（最大値）に対して５０％以上の強度を示す範囲として求められる。
【0043】
１．６ 第２導体層７
第２導体層７は、貫通孔５１内における金属支持層２の一方側、および、厚み方向における絶縁層５の一方側に配置される。第２導体層７は、厚み方向における第２密着層６の一方面に配置される。第２導体層７は、第２密着層６の一方面に接触する。すると、第２密着層６は、厚み方向に投影したときに貫通孔５１内に位置する第１導体層４と、第２導体層７との間に配置される。そのため、第２密着層６は、第１導体層４および第２導体層７を電気的に接続する。従って、第２導体層７は、厚み方向に投影したときに貫通孔５１内に位置する第１導体層４および密着層３を介して金属支持層２と電気的に接続される部分７１を含む。部分７１は、貫通孔５１内における金属支持層２の一方側に配置される。部分７１は、貫通孔５１の内部に位置する。第２導体層７は、面方向に延びる。第２導体層７は、パターンニングされていてもよい。
第２導体層７は、貫通孔５１内における金属支持層２の一方側、および、厚み方向における絶縁層５の一方側に配置される。第２導体層７は、厚み方向における第２密着層６の一方面に配置される。第２導体層７は、第２密着層６の一方面に接触する。すると、第２密着層６は、厚み方向に投影したときに貫通孔５１内に位置する第１導体層４と、第２導体層７との間に配置される。そのため、第２密着層６は、第１導体層４および第２導体層７を電気的に接続する。従って、第２導体層７は、厚み方向に投影したときに貫通孔５１内に位置する第１導体層４および密着層３を介して金属支持層２と電気的に接続される部分７１を含む。部分７１は、貫通孔５１内における金属支持層２の一方側に配置される。部分７１は、貫通孔５１の内部に位置する。第２導体層７は、面方向に延びる。第２導体層７は、パターンニングされていてもよい。
【0044】
第２導体層７の材料としては、銅、クロム、ニッケル、チタン、および、それらの合金が挙げられる。第２導体層７の材料としては、銅、クロム、ニッケル、および、それらの合金が挙げられる。つまり、第２導体層７は、好ましくは、Ｃｕ、ＣｒおよびＮｉからなる群から選択される少なくとも１つを含む。
【0045】
第２導体層７の厚みは、例えば、５ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上であり、また、例えば、１０００ｎｍ以下、好ましくは、５００ｎｍ以下である。
【0046】
１．７ 第３導体層８
第３導体層８は、厚み方向における第２導体層７の一方面に配置される。第３導体層８は、厚み方向における第２導体層７の一方面に接触する。第３導体層８は、面方向に延びる。
第３導体層８は、厚み方向における第２導体層７の一方面に配置される。第３導体層８は、厚み方向における第２導体層７の一方面に接触する。第３導体層８は、面方向に延びる。
【0047】
第３導体層８の材料としては、例えば、銅が挙げられる。
【0048】
第３導体層８の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
【0049】
なお、配線回路基板１は、図示しないがカバー絶縁層をさらに備えてもよい。カバー絶縁層は、第３導体層８の一部を被覆する。
【0050】
【0051】
図２Ａに示すように、この製造方法では、まず、金属支持層２を準備する。
【0052】
図２Ｂに示すように、次いで、密着層３を、厚み方向における金属支持層２の一方面に形成する。密着層３を形成する方法は、限定されない。密着層３を形成するには、例えば、金属支持層２の一方面をボンバード処理する。
【0053】
ボンバード処理では、プラズマ処理装置が用いられる。図示しないプラズマ処理装置は、例えば、容器、ガス供給部、減圧部、電極部、および、ホルダ、を備える。容器は、ガス供給部、減圧部、電極部、および、ホルダを収容する。ガス供給部は、容器内にボンバードガスを供給可能である。ボンバードガスとしては、例えば、不活性ガスが挙げられる。不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、窒素、および、それらの混合ガスが挙げられる。減圧部は、容器内を減圧可能である。電極部は、上記した第１金属を含む。電極部は、第１金属に高周波電圧を印加可能である。ホルダは、金属支持層２を載置可能である。ホルダは、電極部と間隔を隔てて対向配置される。
【0054】
金属支持層２の一方面が電極部に向かうように、金属支持層２がホルダに載置される。減圧部によって容器内部が減圧される。ガス供給部からボンバードガスが容器内部に供給される。電極部において高周波電圧が第１金属に印加される。電極部の近傍において、プラズマが生成される。プラズマに金属支持層２の一方面が曝露される。この際、電極部の金属粒子が金属支持層２の一方面に付着して、密着層３が金属支持層２の一方面に形成される。
【0055】
図２Ｃに示すように、次いで、第１導体層４を、厚み方向における密着層３の一方面に形成する。第１導体層４の形成方法としては、例えば、ドライ法、および、ウエット法が挙げられえ、好ましくは、ドライ法、より好ましくは、真空成膜法、さらに好ましくは、スパッタリングが挙げられる。
【0056】
図２Ｄに示すように、次いで、絶縁層５を、厚み方向における第１導体層４の一方面に形成する。例えば、絶縁性樹脂を含む感光性のワニスを第１導体層４の一方面に塗布して、感光性塗膜を形成する。フォトリソグラフィーによって、感光性塗膜から、貫通孔５１を有する絶縁層５を形成する。
【0057】
図２Ｅに示すように、次いで、第２密着層６を、絶縁層５の一方面および内側面５２と、貫通孔５１内に位置する第１導体層４の一方面と、に形成する。第２密着層６の形成方法としては、例えば、密着層３と同様の方法が挙げられる。
【0058】
図２Ｆに示すように、次いで、第２導体層７を、厚み方向における第２密着層６の一方面に形成する。第２導体層７の形成方法としては、第１導体層４と同様の方法が挙げられる。
【0059】
図１に示すように、次いで、第３導体層８を、厚み方向における第２導体層７の一方面に形成する。第３導体層８は、例えば、アディティブ法などの配線形成方法によって、所定パターンに形成する。
【0060】
その後、第３導体層８の一部を被覆するように、カバー絶縁層を形成する。
【0061】
２． 作用効果
この配線回路基板１は、厚み方向における金属支持層２の一方面に配置される密着層３であって、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｎｂ、および、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１つの第１金属を含む密着層３を備える。そのため、金属支持層２に対する第１導体層４の密着力を向上できる。
この配線回路基板１は、厚み方向における金属支持層２の一方面に配置される密着層３であって、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｙ、Ｎｂ、および、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１つの第１金属を含む密着層３を備える。そのため、金属支持層２に対する第１導体層４の密着力を向上できる。
【0062】
密着層３における第１金属の含有割合が０．８％以下と低ければ、金属支持層２に対する密着層３の密着力を確保しつつ、密着層３および金属支持層２の界面における抵抗の上昇、および、密着層３および第１導体層４の界面における抵抗の上昇を抑制できる。
【0063】
この配線回路基板１は第２密着層６をさらに備えるので、第２導体層７を、絶縁層５、および、厚み方向に投影したときに貫通孔５１内に位置する第１導体層４に密着させることができる。
【0064】
４．変形例
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
【0065】
４．１． 第１変形例
金属支持層２は、複層であってもよい。具体的には、図１の仮想線で示すように、金属支持層２は、本体層２１と、表面層２２とを厚み方向の一方側に向かって順に備える。
金属支持層２は、複層であってもよい。具体的には、図１の仮想線で示すように、金属支持層２は、本体層２１と、表面層２２とを厚み方向の一方側に向かって順に備える。
【0066】
本体層２１は、厚み方向における金属支持層２の他端部に配置される。本体層２１の材料としては、例えば、銅合金が挙げられる。本体層２１の厚みは、例えば、１４μｍ以上であり、また、例えば、４９９μｍ以下、好ましくは、２４８μｍ以下である。
【0067】
表面層２２は、厚み方向における金属支持層２の一端部に配置される。表面層２２は、厚み方向における本体層２１の一方面に接触する。表面層２２の材料は、例えば、本体層２１の材料より、抵抗が低い。表面層２２の材料として、例えば、銅が挙げられる。表面層２２の厚みは、例えば、０．５μｍ以上、例えば、３．０μｍ以下である。
【0068】
４．２． 第２変形例
図３に示すように、第２変形例において、貫通孔５１内における金属支持層２の一方面に配置される密着層３は、貫通孔５１外における金属支持層２の一方面に配置される密着層３より、厚い。貫通孔５１内における金属支持層２の一方面に配置される部分は、厚肉部分３１であり、貫通孔５１外における金属支持層２の一方面に配置される部分は、薄肉部分３２である。厚肉部分３１および薄肉部分３２は、密着層３に備えられる。
図３に示すように、第２変形例において、貫通孔５１内における金属支持層２の一方面に配置される密着層３は、貫通孔５１外における金属支持層２の一方面に配置される密着層３より、厚い。貫通孔５１内における金属支持層２の一方面に配置される部分は、厚肉部分３１であり、貫通孔５１外における金属支持層２の一方面に配置される部分は、薄肉部分３２である。厚肉部分３１および薄肉部分３２は、密着層３に備えられる。
【0069】
なお、第２変形例では、第１導体層４は、貫通孔４１を有する。貫通孔４１は、絶縁層５の貫通孔５１に通じる。第１導体層４は、貫通孔４１によって仕切られる内側面４２を含む。内側面４２は、絶縁層５の内側面５２に連続する。第２密着層６は、第１導体層４の内側面４２に形成される。
【0070】
第２変形例の配線回路基板１を製造するには、図４Ａに示すように、まず、金属支持層２を準備する。
【0071】
図４Ｂに示すように、次いで、密着層３の厚み方向における金属支持層２の一方面に形成する。この工程における密着層３は、面方向にわたって、厚みが同一（均一）である。密着層３は、上記した薄肉部分３２と、厚肉部分３１（図４Ｅ参照）の一部と、を含む。
【0072】
図４Ｃに示すように、次いで、貫通孔４１を有する第１導体層４を、厚み方向における密着層３（薄肉部分３２）の一方面に形成する。
【0073】
図４Ｄに示すように、次いで、貫通孔５１を有する絶縁層５を、厚み方向における第１導体層４の一方面に形成する。
【0074】
図４Ｅに示すように、次いで、密着層３における厚肉部分３１の残部を、貫通孔４１内に位置する薄肉部分３２の一方面に形成するとともに、第２密着層６を、絶縁層５の一方面および内側面５２と、第１導体層４の内側面４２と、に形成する。厚み方向における貫通孔４１の他端部には、上記した一部と残部とが層状になって重なり、厚肉部分３１を形成する。厚肉部分３１では、図４Ｅに示すように、厚肉部分３１における一部と残部との境界が観察されてもよく、図３に示すように、厚肉部分３１における一部と残部との境界が観察されなくてもよい。
【0075】
図４Ｆに示すように、その後、第２導体層７を第２密着層６の一方面に形成する。
【0076】
図３に示すように、その後、第３導体層８を、厚み方向における第２導体層７の一方面に形成する。
【0077】
図３の仮想線で示すように、金属支持層２は、本体層２１と、表面層２２とを厚み方向の一方側に向かって順に備えてもよい。
【0078】
４．３ 第３変形例
貫通孔５１の数は、複数でもよい。図５に示すように、貫通孔５１は、面方向において、間隔が隔てられる。
貫通孔５１の数は、複数でもよい。図５に示すように、貫通孔５１は、面方向において、間隔が隔てられる。
【0079】
４．４ 第４変形例
図示しないが、配線回路基板１は、第２密着層６を備えなくてもよい。
図示しないが、配線回路基板１は、第２密着層６を備えなくてもよい。
【実施例0080】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【0081】
実施例１
図２Ａに示すように、まず、厚み１００μｍの銅合金からなる金属支持層２を準備した。
図２Ａに示すように、まず、厚み１００μｍの銅合金からなる金属支持層２を準備した。
【0082】
図２Ｂに示すように、次いで、密着層３を、厚み方向における金属支持層２における一方面に形成した。上記したボンバード処理を用いて、密着層３を形成した。ボンバード処理における高周波電圧の出力は、３００Ｗであった。プラズマ処理装置における電極部の第１金属は、Ｚｒである。密着層３の厚みは、２０ｎｍであった。密着層３は、Ｚｒを含む。
【0083】
図２Ｃに示すように、次いで、厚み５０ｎｍのＣｒからなる第１導体層４を、厚み方向における密着層３の一方面に形成した。
【0084】
【0085】
図２Ｅに示すように、次いで、第２密着層６を、絶縁層５の一方面および内側面５２と、貫通孔５１内に位置する第１導体層４の一方面と、に形成した。第２密着層６は、密着層３と同様の方法によって形成した。第２密着層６の厚みは、２０ｎｍであった。第２密着層６は、Ｚｒを含む。
【0086】
図２Ｆに示すように、その後、厚み５０ｎｍのＣｒからなる第２導体層７を、厚み方向における第２密着層６の一方面に形成した。
【0087】
図１に示すように、その後、厚み５０μｍのＣｕからなる第３導体層８を、厚み方向における第２導体層７の一方面に形成した。
【0088】
これにより、配線回路基板１を製造した。
【0089】
実施例２
実施例１と同様にして、配線回路基板１を製造した。但し、密着層３の形成において、ボンバード処理における高周波電圧の出力を７００Ｗに変更した。
実施例１と同様にして、配線回路基板１を製造した。但し、密着層３の形成において、ボンバード処理における高周波電圧の出力を７００Ｗに変更した。
【0090】
実施例３
実施例１と同様にして、配線回路基板１を製造した。但し、第２密着層６の形成において、ボンバード処理における高周波電圧の出力を７００Ｗに変更した。
実施例１と同様にして、配線回路基板１を製造した。但し、第２密着層６の形成において、ボンバード処理における高周波電圧の出力を７００Ｗに変更した。
【0091】
比較例１
実施例１と同様にして、配線回路基板１を製造した。但し、密着層３を形成しなかった。
実施例１と同様にして、配線回路基板１を製造した。但し、密着層３を形成しなかった。
【0092】
１．評価
１．１ 密着層３の厚み
密着層３の厚みを、ダイナミックＳＩＭＳにより求めた。
１．１ 密着層３の厚み
密着層３の厚みを、ダイナミックＳＩＭＳにより求めた。
【0093】
１．２ 密着層３におけるＺｒの含有割合
密着層３におけるＺｒの含有割合を、ダイナミックＳＩＭＳを用いて測定した。
密着層３におけるＺｒの含有割合を、ダイナミックＳＩＭＳを用いて測定した。
【0094】
結果を表１に記載する。
【0095】
１．３ 密着性
１．３．１ 第１の密着性
第１の密着性として、密着層３を評価した。
１．３．１ 第１の密着性
第１の密着性として、密着層３を評価した。
【0096】
図６Ａおよび図６Ｂに示すように、金属支持層２、密着層３、第１導体層４、および、絶縁層５を備える製造途中の配線回路基板１Ａを準備した。密着層３、第１導体層４、および、絶縁層５は、同一のパターンを有する。パターンは、円形状を有する。
【0097】
次いで、治具１３を側方に、速度５０μｍ／秒で移動させて、第１導体層４、および、絶縁層５の側面に当て、第１導体層４および絶縁層５が金属支持層２から剥離するまでの荷重を耐荷重として測定した。耐荷重に基づいて、以下の通り、密着層３を評価した。
○：耐荷重が２０ｇ以上であった。
×：耐荷重が２０ｇ未満であった。
○：耐荷重が２０ｇ以上であった。
×：耐荷重が２０ｇ未満であった。
【0098】
結果を表１に記載する。
【0099】
１．３．２ 第２の密着性
第２の密着性として、第２密着層６を評価した。
第２の密着性として、第２密着層６を評価した。
【0100】
図７Ａに示すように、金属支持層２、密着層３、第１導体層４、絶縁層５、第２密着層６、第２導体層７、および、第３導体層８を厚み方向において順に備える配線回路基板１を、長さ３０ｍｍ、幅が２ｍｍ、の大きさに外形加工して、試験基板１Ｓを準備した。なお、試験基板１Ｓでは、絶縁層５は、貫通孔５１を有さない。
【0101】
図６Ｂに示すように、第２導体層７および第３導体層８の一端部を、治具１２を用いて把持し、厚み方向一方側に向かって上記した一端部を、速度１０ｍｍ／ｍｉｎで、厚み方向の一方側に向かって引き上げた（９０°剥離）。この際の耐荷重を測定した。以下の基準に従って、第２密着層６の密着性を評価した。
【0102】
○：耐荷重が、３０ｇ以上であった。
×：耐荷重が、３０ｇ未満であった。
×：耐荷重が、３０ｇ未満であった。
【0103】
結果を表１に記載する。
【0104】
１．４ 抵抗測定（電気的な接続信頼性）
図５に示すように、実施例１の配線回路基板１において、厚み方向に投影したときに２つの貫通孔５１のそれぞれを含むパターンで、２つの導通部（第４導体層）１０のそれぞれを２つの第３導体層８のそれぞれの一方面に形成した。続いて、２つの導通部１０のそれぞれにプローブ９Ａ，９Ｂを接触させて、プローブ９Ａ，９Ｂ間の抵抗を測定した。これにより、配線回路基板１の電気的な接続信頼性を評価した。基準は、上記パターンを１００か所測定し、以下に従った。
図５に示すように、実施例１の配線回路基板１において、厚み方向に投影したときに２つの貫通孔５１のそれぞれを含むパターンで、２つの導通部（第４導体層）１０のそれぞれを２つの第３導体層８のそれぞれの一方面に形成した。続いて、２つの導通部１０のそれぞれにプローブ９Ａ，９Ｂを接触させて、プローブ９Ａ，９Ｂ間の抵抗を測定した。これにより、配線回路基板１の電気的な接続信頼性を評価した。基準は、上記パターンを１００か所測定し、以下に従った。
【0105】
○：抵抗が、０．０１５Ω以上であるパターンは、１０か所以下であった。
△：抵抗が、０．０１５Ω以上であるパターンは、１１か所以上、８０か所以下であった。
×：抵抗が、０．０１５Ω以上であるパターンは、８１か所以以上であった。
△：抵抗が、０．０１５Ω以上であるパターンは、１１か所以上、８０か所以下であった。
×：抵抗が、０．０１５Ω以上であるパターンは、８１か所以以上であった。
【0106】
実施例２、実施例３、および、比較例１の配線回路基板１についても、実施例１と同様にして評価した。
【0107】
結果を表１に記載する。
【0108】
【表1】
【符号の説明】
【0109】
１，１Ａ 配線回路基板
２ 金属支持層
３ 密着層
４ 第１導体層
５ 絶縁層
６ 第２密着層
７ 第２導体層
８ 第３導体層
５１ 貫通孔
７１ 部分
２ 金属支持層
３ 密着層
４ 第１導体層
５ 絶縁層
６ 第２密着層
７ 第２導体層
８ 第３導体層
５１ 貫通孔
７１ 部分
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
