特開 2024-85708 表示装置およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024085708

(43)【公開日】2024-06-27

(54)【発明の名称】表示装置およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/824 20230101AFI20240620BHJP

   H10K 50/844 20230101ALI20240620BHJP

   H10K 71/16 20230101ALI20240620BHJP

   H10K 71/60 20230101ALI20240620BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20240620BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240620BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240620BHJP

【ＦＩ】

H10K50/824

H10K50/844

H10K71/16

H10K71/60

H10K59/122

G09F9/30 365

G09F9/30 309

G09F9/30 338

G09F9/00 338

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022200380

(22)【出願日】2022-12-15

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】今井 信雄

(72)【発明者】

【氏名】小川 浩

(72)【発明者】

【氏名】山本 裕也

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC45

3K107DD37

3K107DD44Z

3K107DD89

3K107DD95

3K107EE46

3K107EE48

3K107FF15

3K107GG05

3K107GG12

3K107GG28

3K107GG37

5C094AA42

5C094BA27

5C094DA07

5C094EA04

5C094FA02

5C094JA08

5G435AA17

5G435BB05

5G435KK05

(57)【要約】

【課題】 歩留まりを向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された導電性のボトム部、前記ボトム部の上に配置された軸部、および、前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部を含む隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極と、前記有機層および前記上電極を含む薄膜と前記隔壁を連続的に覆う封止層と、を備えている。前記ボトム部は、モリブデン－タングステン合金で形成されている。前記ボトム部の下面から前記軸部の上面までの高さは、５００ｎｍ以下であり、前記封止層の厚さは、１．５μｍ以下であり、前記ボトム部の厚さは、５０ｎｍ以上である。
【選択図】 図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

下電極と、
前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に配置された軸部と、前記軸部の上に配置され、前記軸部の側面から突出したトップ部とを含む隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極と、
前記有機層および前記上電極を含む薄膜と前記隔壁を連続的に覆う封止層と、
を備え、
前記ボトム部は、モリブデン－タングステン合金で形成され、
前記ボトム部の下面から前記軸部の上面までの高さは、５００ｎｍ以下であり、
前記封止層の厚さは、１．５μｍ以下であり、
前記ボトム部の厚さは、５０ｎｍ以上である、
表示装置。

【請求項2】

前記軸部は、アルミニウムで形成されている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記ボトム部の幅と、前記軸部の幅とが同等である、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記リブは、シリコン酸窒化物で形成されている、
請求項１に記載の表示装置、

【請求項5】

前記封止層は、シリコン窒化物で形成されている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記ボトム部の厚さは、１００ｎｍ以下である、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項7】

下電極を形成し、
前記下電極の少なくとも一部を覆うリブを形成し、
導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に位置する軸部と、前記軸部の上に位置するトップ部とを含む隔壁を前記リブの上に形成し、
前記下電極を覆うとともに、電圧の印加に応じて発光する有機層を形成し、
前記有機層を覆うとともに、前記ボトム部に接触する上電極を形成し、
前記有機層および前記上電極を含む薄膜と、前記隔壁とを連続的に覆い、１．５μｍ以下の厚さを有する封止層を形成する、
ことを含み、
前記隔壁の形成は、
モリブデン－タングステン合金で形成され、５０ｎｍ以上の厚さを有する第１層を形成し、
前記第１層の上に、前記第１層の下面からの高さが５００ｎｍ以下である上面を有する第２層を形成し、
前記第２層の上に第３層を形成し、
前記第３層の上にレジストを形成し、
前記第３層のうち前記レジストから露出した部分を除去することにより前記トップ部を形成し、
前記第２層のうち前記トップ部から露出した部分を除去するとともに、前記トップ部の下方に残された前記第２層の幅を前記トップ部の幅よりも低減して前記軸部を形成し、
前記第１層のうち前記軸部から露出した部分を除去することにより前記ボトム部を形成する、
ことを含む、表示装置の製造方法。

【請求項8】

前記第１層は、１００℃以下の成膜条件でスパッタリングにより形成される、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。

【請求項9】

前記第２層は、アルミニウムで形成される、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。

【請求項10】

前記リブは、シリコン酸窒化物で形成される、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。

【請求項11】

前記封止層は、シリコン窒化物で形成される、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。

【請求項12】

前記第１層は、１００ｎｍ以下の厚さを有している、
請求項７乃至１１のうちいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

【0003】

上記のような表示装置を製造するにあたり、歩留まりを向上させる技術が必要とされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、歩留まりを向上させることが可能な表示装置およびその製造方法を提供することを目的の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極に重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された導電性のボトム部、前記ボトム部の上に配置された軸部、および、前記軸部の上に配置され前記軸部の側面から突出したトップ部を含む隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極と、前記有機層および前記上電極を含む薄膜と前記隔壁を連続的に覆う封止層と、を備えている。前記ボトム部は、モリブデン－タングステン合金で形成されている。前記ボトム部の下面から前記軸部の上面までの高さは、５００ｎｍ以下であり、前記封止層の厚さは、１．５μｍ以下であり、前記ボトム部の厚さは、５０ｎｍ以上である。

【0007】

一実施形態に係る表示装置の製造方法は、下電極を形成し、前記下電極の少なくとも一部を覆うリブを形成し、導電性のボトム部と、前記ボトム部の上に位置する軸部と、前記軸部の上に位置するトップ部とを含む隔壁を前記リブの上に形成し、前記下電極を覆うとともに、電圧の印加に応じて発光する有機層を形成し、前記有機層を覆うとともに、前記ボトム部に接触する上電極を形成し、前記有機層および前記上電極を含む薄膜と、前記隔壁とを連続的に覆い、１．５μｍ以下の厚さを有する封止層を形成する、ことを含む。前記隔壁の形成は、モリブデン－タングステン合金で形成され、５０ｎｍ以上の厚さを有する第１層を形成し、前記第１層の上に、前記第１層の下面からの高さが５００ｎｍ以下である上面を有する第２層を形成し、前記第２層の上に第３層を形成し、前記第３層の上にレジストを形成し、前記第３層のうち前記レジストから露出した部分を除去することにより前記トップ部を形成し、前記第２層のうち前記トップ部から露出した部分を除去するとともに、前記トップ部の下方に残された前記第２層の幅を前記トップ部の幅よりも低減して前記軸部を形成し、前記第１層のうち前記軸部から露出した部分を除去することにより前記ボトム部を形成する、ことを含む。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、一実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。

【図3】図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図4】図４は、隔壁に適用し得る構成の一例を示す概略的な断面図である。

【図5】図５は、表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。

【図6】図６は、リブおよび隔壁を形成するための工程の一例を示す概略的な断面図である。

【図7】図７は、図６に続く工程を示す概略的な断面図である。

【図8】図８は、図７に続く工程を示す概略的な断面図である。

【図9】図９は、図８に続く工程を示す概略的な断面図である。

【図10】図１０は、図９に続く工程を示す概略的な断面図である。

【図11】図１１は、図１０に続く工程を示す概略的な断面図である。

【図12】図１２は、表示素子を形成するための工程の一例を示す概略的な断面図である。

【図13】図１３は、図１２に続く工程を示す概略的な断面図である。

【図14】図１４は、図１３に続く工程を示す概略的な断面図である。

【図15】図１５は、図１４に続く工程を示す概略的な断面図である。

【図16】図１６は、図１５に続く工程を示す概略的な断面図である。

【図17】図１７は、図１６に続く工程を示す概略的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0010】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0011】

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。

【0012】

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0013】

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

【0014】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

【0015】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0016】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。

【0017】

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

【0018】

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。図２の例においては、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。

【0019】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。

【0020】

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。

【0021】

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ１の間、および、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

【0022】

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

【0023】

副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

【0024】

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５および隔壁６は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。

【0025】

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。図２の例においては、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３が全体的にリブ５および隔壁６と重なっているが、この例に限られない。

【0026】

図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。

【0027】

回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は絶縁層１２に設けられている。

【0028】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

【0029】

隔壁６は、リブ５の上に配置されたボトム部６１と、ボトム部６１の上に配置された軸部６２と、軸部６２の上に配置されたトップ部６３とを備えている。トップ部６３は、軸部６２よりも大きい幅を有している。これにより、図３においてはトップ部６３の両端部が軸部６２の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。

【0030】

有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。

【0031】

図３の例においては、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、上電極ＵＥ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、上電極ＵＥ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。

【0032】

以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む積層体を薄膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む積層体を薄膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む積層体を薄膜ＦＬ３と呼ぶ。

【0033】

薄膜ＦＬ１の一部は、トップ部６３の上に位置している。当該一部は、薄膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、薄膜ＦＬ２の一部はトップ部６３の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、薄膜ＦＬ３の一部はトップ部６３の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。

【0034】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、薄膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、薄膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、薄膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。

【0035】

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。

【0036】

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。

【0037】

偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスなどのカバー部材が樹脂層１５の上方にさらに配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。

【0038】

絶縁層１２は、有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）などの無機絶縁材料で形成することができる。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、いずれかの無機絶縁材料の単層構造を有してもよいし、２種類以上の無機絶縁材料の層が重ねられた積層構造を有してもよい。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３をそれぞれ形成する無機絶縁材料は、同一であってもよいし、異なってもよい。一例では、リブ５がシリコン酸窒化物で形成され、封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成されている。

【0039】

樹脂層１３，１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。

【0040】

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。

【0041】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。

【0042】

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の少なくとも１つは省略されてもよい。

【0043】

本実施形態において、ボトム部６１は、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）で形成されている。軸部６２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）で形成することができる。軸部６２は、アルミニウム合金で形成されてもよい。アルミニウム合金としては、例えばアルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）およびアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）などを用い得る。軸部６２は、アルミニウムやアルミニウム合金の単層構造を有してもよいし、異なる材料で形成された複数の層を含む積層構造を有してもよい。また、軸部６２は、シリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物のような絶縁性の材料で形成された層を含んでもよい。

【0044】

トップ部６３は、例えばチタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金、モリブデン－ニオブ合金、ＩＴＯおよびＩＺＯのような導電性の材料で形成することができる。トップ部６３は、これらのいずれかの材料の単層構造を有してもよいし、異なる材料で形成された複数の層を含む積層構造を有してもよい。また、トップ部６３は、例えばシリコン窒化物、シリコン酸化物およびシリコン酸窒化物のような絶縁性の材料で形成された層を含んでもよい。

【0045】

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ボトム部６１に接触している。ボトム部６１には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

【0046】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。

【0047】

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

【0048】

図４は、隔壁６に適用し得る構成の一例を示す概略的な断面図である。ここでは、隔壁６のうち副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間に位置する部分を例示する。隔壁６のうち副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間に位置する部分や、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間に位置する部分にも図４と同様の構造を適用し得る。

【0049】

図４の例において、ボトム部６１および軸部６２は、単層構造を有している。また、トップ部６３は、第１トップ層６３１と、第１トップ層６３１の上に配置された第２トップ層６３２とを有している。第１トップ層６３１および第２トップ層６３２の材料は、トップ部６３の材料として上述したものから適宜に選定し得る。ボトム部６１およびトップ部６３は、軸部６２よりも薄く形成されている。

【0050】

ボトム部６１は、副画素ＳＰ１側の側面Ｆ１１と、副画素ＳＰ２側の側面Ｆ１２とを有している。軸部６２は、副画素ＳＰ１側の側面Ｆ２１と、副画素ＳＰ２側の側面Ｆ２２とを有している。

【0051】

図４の例においては、側面Ｆ１１，Ｆ２１が揃っており、段差のない平面を形成している。同様に、側面Ｆ１２，Ｆ２２が揃っており、段差のない平面を形成している。他の観点からいうと、図４の例においては、ボトム部６１の幅と軸部６２の幅が同等である。

【0052】

他の例として、側面Ｆ１１が側面Ｆ２１に対して僅かに後退または突出してもよい。同様に、側面Ｆ１２が側面Ｆ２２に対して僅かに後退または突出してもよい。また、図４においては側面Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ２１，Ｆ２２が第３方向Ｚと平行であるが、この例に限られない。例えば、側面Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ２１，Ｆ２２は、ボトム部６１および軸部６２の幅がトップ部６３に近づくに連れて狭まるように傾斜してもよい。

【0053】

トップ部６３は、側面Ｆ２１，Ｆ２２から突出している。具体的には、トップ部６３は、側面Ｆ２１から突出する端部Ｅ１と、側面Ｆ２２から突出する端部Ｅ２とを有している。

【0054】

有機層ＯＲ１は、側面Ｆ１１，Ｆ２１と離間している。上電極ＵＥ１は、側面Ｆ１１の少なくとも一部に接触している。図４の例においては、上電極ＵＥ１が側面Ｆ１１の全体を覆うとともに、側面Ｆ２１の一部にも接触している。この例に限られず、上電極ＵＥ１が側面Ｆ２１に接触しなくてもよい。

【0055】

同様に、有機層ＯＲ２は、側面Ｆ１２，Ｆ２２と離間している。上電極ＵＥ２は、側面Ｆ１２の少なくとも一部に接触している。図４の例においては、上電極ＵＥ２が側面Ｆ１２の全体を覆うとともに、側面Ｆ２２の一部にも接触している。この例に限られず、上電極ＵＥ２が側面Ｆ２２に接触しなくてもよい。

【0056】

封止層ＳＥ１は、薄膜ＦＬ１を覆うとともに、側面Ｆ２１のうち上電極ＵＥ１で覆われていない部分や端部Ｅ１の下面を覆っている。同様に、封止層ＳＥ２は、薄膜ＦＬ２を覆うとともに、側面Ｆ２２のうち上電極ＵＥ２で覆われていない部分や端部Ｅ２の下面を覆っている。

【0057】

ここで、ボトム部６１の厚さをＴ１、封止層ＳＥ１，ＳＥ２の厚さをＴ２、ボトム部６１の下面から軸部６２の上面までの高さをＨと定義する。厚さＴ２は、例えば封止層ＳＥ１，ＳＥ２の各位置における厚さの平均値である。図３に示した封止層ＳＥ３も厚さＴ２を有している。ただし、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の厚さが互いに異なってもよい。高さＨは、ボトム部６１と軸部６２の合計厚さ、あるいはリブ５の上面からトップ部６３の下面までの距離に相当する。

【0058】

厚さＴ２は、高さＨよりも大きい（Ｔ２＞Ｈ）。例えば、厚さＴ２は、高さＨの２倍以上である。本実施形態においては、高さＨが５００ｎｍ以下であり、厚さＴ１が５０ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下である。また、厚さＴ２が１．５μｍ以下であり、好ましくは１．０μｍ以下である。このような数値範囲により得られる効果については後述する。

【0059】

なお、図４に示した隔壁６の構成は一例にすぎない。ボトム部６１および軸部６２は、２層以上の積層構造を有してもよい。また、トップ部６３は、単層構造を有してもよいし、３層以上の積層構造を有してもよい。

【0060】

続いて、隔壁６が図４に示す構成を有する場合を例に、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。ここでは一例として、リブ５がシリコン酸窒化物で形成され、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成され、軸部６２がアルミニウムで形成され、第１トップ層６３１がチタンで形成され、第２トップ層６３２がＩＴＯで形成されている場合を想定する。上述の通り、ボトム部６１はモリブデン－タングステン合金で形成されている。

【0061】

図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。表示装置ＤＳＰの製造においては、先ず基板１０の上に回路層１１、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される（工程ＰＲ１）。さらに、リブ５および隔壁６が形成される（工程ＰＲ２）。

【0062】

図６乃至図１１は、リブ５および隔壁６を形成するための工程ＰＲ２の一例を示す概略的な断面図である。これらの図においては、基板１０、回路層１１および絶縁層１２を省略している。

【0063】

工程ＰＲ２においては、図６に示すように、リブ５に加工するための絶縁層５ａが形成され、ボトム部６１に加工するための第１層Ｌ１が絶縁層５ａの上に形成され、軸部６２に加工するための第２層Ｌ２が第１層Ｌ１の上に形成され、トップ部６３に加工するための第３層Ｌ３が第２層Ｌ２の上に形成される。さらに、隔壁６の平面形状にパターニングされたレジストＲ１が第３層Ｌ３の上に形成される。第３層Ｌ３は、第１トップ層６３１ａと、第１トップ層６３１ａを覆う第２トップ層６３２ａとを含む。

【0064】

本実施形態においては、絶縁層５ａがシリコン酸窒化物からなり、第１層Ｌ１がモリブデン－タングステン合金からなり、第２層Ｌ２がアルミニウムからなり、第１トップ層６３１ａがチタンからなり、第２トップ層６３２ａがＩＴＯからなる。モリブデン－タングステン合金からなる第１層Ｌ１は、例えば１００℃以下の低温の成膜条件で実施されるスパッタリングによって形成される。すなわち、当該スパッタリングを実施するにあたり、第１層Ｌ１を形成する対象の基板が配置されるチャンバ内の温度が１００℃以下に設定される。

【0065】

第１層Ｌ１は、５０ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下の厚さを有している。また、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２の合計厚さは、５００ｎｍ以下である。すなわち、第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１の下面からの高さが５００ｎｍ以下である上面を有している。

【0066】

続いて、図７に示すように、第２トップ層６３２ａのうちレジストＲ１から露出した部分がウェットエッチングにより除去される。さらに、第１トップ層６３１ａのうちレジストＲ１から露出した部分が異方性のドライエッチングにより除去される。これらのエッチングにより、第１トップ層６３１および第２トップ層６３２を含むトップ部６３が形成される。

【0067】

上記異方性のドライエッチングにおいては、第２層Ｌ２のうちレジストＲ１およびトップ部６３から露出した部分の厚さも低減される。この例に限られず、第２層Ｌ２のうちレジストＲ１から露出した部分が全て除去されてもよい。また、図７に示すような第１トップ層６３１ａおよび第２層Ｌ２の加工が異なるエッチングにより行われてもよい。

【0068】

図７の工程の後、図８に示すように、等方性のウェットエッチングにより第２層Ｌ２が加工される。このウェットエッチングにおいては、第２層Ｌ２のうち図７の工程で厚さが低減されていた部分が除去される。さらに、トップ部６３の下方に残された第２層Ｌ２の幅がトップ部６３の幅よりも低減される。これにより、軸部６２が形成される。

【0069】

図８の工程の後、図９に示すように、第１層Ｌ１のうち軸部６２から露出した部分がドライエッチングにより除去される。これにより、ボトム部６１が形成される。以上の図６乃至図９の工程にて隔壁６が形成された後、レジストＲ１が除去される。

【0070】

次に、図１０に示すように、リブ５の平面形状にパターニングされたレジストＲ２が配置される。さらに、図１１に示すように、絶縁層５ａのうちレジストＲ２から露出した部分がドライエッチングにより除去される。これにより、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有するリブ５が形成される。当該ドライエッチングの後、レジストＲ２が除去される。

【0071】

なお、図６乃至図１１の例においては、隔壁６が形成された後にリブ５の画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成される場合を示した。他の例として、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成された後に隔壁６が形成されてもよい。また、ここで例示したウェットエッチングやドライエッチングなどの第１層Ｌ１、第２層Ｌ２、第３層Ｌ３およびリブ５を加工するための工程は、これらを形成する材料に応じて適宜に変更し得る。

【0072】

リブ５および隔壁６の形成の後、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が実施される。本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が次に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される場合を想定する。ただし、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。

【0073】

図１２乃至図１７は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程の一例を示す概略的な断面図である。表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、先ず図１２に示すように、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆う有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ１を覆うとともにボトム部６１に接触する上電極ＵＥ１、上電極ＵＥ１を覆うキャップ層ＣＰ１が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ１や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ１がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される（工程ＰＲ３）。

【0074】

有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む薄膜ＦＬ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２，ＳＰ３や隔壁６の上にも配置されている。薄膜ＦＬ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ１は、表示領域ＤＡの全体に対して形成され、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ１および隔壁６を連続的に覆っている。

【0075】

工程ＰＲ３の後、薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程ＰＲ４）。このパターニングにおいては、図１３に示すように、封止層ＳＥ１の上にレジストＲ３が配置される。レジストＲ３は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部の上方に位置している。

【0076】

その後、レジストＲ３をマスクとしたエッチングにより、図１４に示すように薄膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のうちレジストＲ３から露出した部分が除去される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。

【0077】

図１４に示した工程の後、レジストＲ３が除去される。これにより、図１５に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２，ＳＰ３に表示素子や封止層が形成されていない基板を得ることができる。

【0078】

表示素子ＤＥ２は、表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ４の後、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆う有機層ＯＲ２、有機層ＯＲ２を覆う上電極ＵＥ２、上電極ＵＥ２を覆うキャップ層ＣＰ２が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ２や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ２がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ５）。

【0079】

有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む薄膜ＦＬ２は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ２だけでなく副画素ＳＰ１，ＳＰ３や隔壁６の上にも配置される。薄膜ＦＬ２は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ２は、表示領域ＤＡの全体に対して形成され、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ２および隔壁６を連続的に覆う。

【0080】

工程ＰＲ５の後、薄膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２がウェットエッチングやドライエッチングによりパターニングされる（工程ＰＲ６）。このパターニングの流れは工程ＰＲ４と同様である。

【0081】

工程ＰＲ６を経ると、図１６に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子や封止層が形成されていない基板を得ることができる。

【0082】

表示素子ＤＥ３は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ６の後、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆う有機層ＯＲ３、有機層ＯＲ３を覆う上電極ＵＥ３、上電極ＵＥ３を覆うキャップ層ＣＰ３が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ３や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ３がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ７）。

【0083】

有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む薄膜ＦＬ３は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ３だけでなく副画素ＳＰ１，ＳＰ２や隔壁６の上にも配置される。薄膜ＦＬ３は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。封止層ＳＥ３は、表示領域ＤＡの全体に対して形成され、隔壁６によって分断されることなく薄膜ＦＬ３および隔壁６を連続的に覆う。

【0084】

工程ＰＲ７の後、薄膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３がウェットエッチングやドライエッチングによりパターニングされる（工程ＰＲ８）。このパターニングの流れは工程ＰＲ４と同様である。

【0085】

工程ＰＲ８を経ると、図１７に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３および封止層ＳＥ３が形成された基板を得ることができる。

【0086】

表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が形成された後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５が順に形成される（工程ＰＲ９）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。

【0087】

以上説明した本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの製造方法においては、蒸着により形成される薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３がオーバーハング状の隔壁６によって分断される。さらに、このように分断された薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３をそれぞれ封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３によって覆うことにより、個別に封止された表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を得ることができる。隔壁６は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に給電する配線としての役割も担う。

【0088】

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３を厚くすると、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が発する光の光学的なロスが増加し得る。そのため、上述したように封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の厚さＴ２は１．５μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以下であると一層好ましい。

【0089】

一方で、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３を薄くすると、軸部６２から突出したトップ部６３の下方の空間（図４における端部Ｅ１，Ｅ２の下方の空間）に封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３で満たされていないボイドが生じる可能性がある。

【0090】

例えば図１３に示したレジストＲ３はポジ型であり、表示領域ＤＡの全体に形成された後に露光および現像される。露光および現像前のレジストＲ３の一部が副画素ＳＰ２，ＳＰ３に隣接する上記ボイドに入り込んでいると、当該一部が十分に露光されずに現像後も残渣として残り得る。このような残渣が存在すると、図１４のエッチングの工程において封止層ＳＥ１のうち当該残渣で覆われた部分が除去されずに、副画素ＳＰ２，ＳＰ３に封止層ＳＥ１の一部やその下方の薄膜ＦＬ１が残ってしまう可能性がある。この場合には、後に形成される上電極ＵＥ２，ＵＥ３とボトム部６１の導通が、不所望に残された封止層ＳＥ１や薄膜ＦＬ１で阻害されかねない。なお、表示素子ＤＥ２を形成する工程においても同様に、封止層ＳＥ２および薄膜ＦＬ２をパターニングするためのレジストの残渣が生じ得る。これにより、後に形成される上電極ＵＥ３とボトム部６１の導通不良が生じ得る。

【0091】

上記ボイドは、隔壁６を低くすることで抑制可能である。すなわち、隔壁６を低くすれば、軸部６２から突出したトップ部６３の下方の空間が小さくなるから、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３を薄くした場合であっても上記ボイドが生じにくい。このような観点から、図４に示した高さＨは５００ｎｍ以下であることが好ましい。

【0092】

なお、高さＨを５００ｎｍ以下に低減する場合、図８に示した形成途中の隔壁６において、トップ部６３と第１層Ｌ１の間隔が狭くなる。そうすると、第１層Ｌ１を形成する材料によっては、図９に示すドライエッチングにおいて第１層Ｌ１を十分に除去できず、軸部６２から両端部が突出したボトム部６１が形成される可能性がある。この場合、その後に形成される有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３がボトム部６１と接触し、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３とボトム部６１の間に不所望なリーク電流が流れる可能性がある。例えば、ボトム部６１（第１層Ｌ１）の材料が窒化チタン（ＴｉＮ）である場合には、ドライエッチングにおけるエッチングレートが比較的遅いため、このような問題が生じやすい。

【0093】

これに対し、本実施形態に係るボトム部６１（第１層Ｌ１）の材料であるモリブデン－タングステン合金は、図９に示すドライエッチングによる加工性に優れている。そのため、隔壁６の高さＨが５００ｎｍ以下に低減された場合でも、第１層Ｌ１のうち軸部６２から露出した部分を良好に除去することが可能である。

【0094】

なお、ボトム部６１が軸部６２から突出していない場合、ボトム部６１と上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の接触面積が小さくなる。これに対し、ボトム部６１の厚さＴ１が上述のように５０ｎｍ以上であれば、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３とボトム部６１の接触面積を大きく確保することができる。これにより、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３とボトム部６１が良好に導通する。

【0095】

このように、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰとその製造方法によれば、オーバーハング状の隔壁６を精度良く形成するとともに、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と隔壁６の導通不良を抑制することができる。これにより、表示装置ＤＳＰの歩留まりを向上させることが可能となる。

【0096】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

【0097】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0098】

また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0099】

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、５…リブ、６…隔壁、６１…ボトム部、６２…軸部、６３…トップ部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】