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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024086012
(43)【公開日】2024-06-27
(54)【発明の名称】検査装置
(51)【国際特許分類】
G01N 27/82 20060101AFI20240620BHJP
G01N 21/88 20060101ALI20240620BHJP
G01R 33/032 20060101ALI20240620BHJP
G01R 33/02 20060101ALI20240620BHJP
【ＦＩ】
G01N27/82
G01N21/88 H
G01R33/032
G01R33/02 Q
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022200858
(22)【出願日】2022-12-16
(71)【出願人】
【識別番号】390019839
【氏名又は名称】三星電子株式会社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ－ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【弁理士】
【氏名又は名称】家入 健
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 健治
(72)【発明者】
【氏名】上山 真司
(72)【発明者】
【氏名】沼田 光徳
(72)【発明者】
【氏名】大西 芳紀
(72)【発明者】
【氏名】キム インギ
【テーマコード（参考）】
2G017
2G051
2G053
【Ｆターム（参考）】
2G017AA02
2G017AA08
2G017AD13
2G017AD15
2G017BA02
2G017CA14
2G017CB24
2G051AA51
2G051AB02
2G051AC21
2G051BA11
2G053AA11
2G053AB13
2G053BA02
2G053BA16
2G053BB05
2G053BB11
2G053BC14
2G053CA09
(57)【要約】
【課題】ＭＲＡＭ素子の特性の検出精度を向上させることができる検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１は、ステージ面１３上に磁気抵抗メモリ素子を固定させたステージ１０と、ステージ面１３に垂直な垂直方向の磁場成分の向きがステージ面１３上の位置によって第１向きから第２向きに変化する第１磁場、及び、ステージ面１３に平行な面内方向の磁場成分の向きがステージ面１３上の位置によって第３向きから第４向きに変化する第２磁場を発生させる複数の電磁石２０と、偏光を含む照明光で磁気抵抗メモリ素子を照明するとともに、照明光が磁気抵抗メモリ素子で反射した反射光を集光する光学系３０と、第１磁場内における磁気抵抗メモリ素子の位置を変化させた場合の反射光、及び、第２磁場内における磁気抵抗メモリ素子の位置を変化させた場合の反射光を検出する検出器４０と、を備える。
【選択図】図１
【解決手段】検査装置１は、ステージ面１３上に磁気抵抗メモリ素子を固定させたステージ１０と、ステージ面１３に垂直な垂直方向の磁場成分の向きがステージ面１３上の位置によって第１向きから第２向きに変化する第１磁場、及び、ステージ面１３に平行な面内方向の磁場成分の向きがステージ面１３上の位置によって第３向きから第４向きに変化する第２磁場を発生させる複数の電磁石２０と、偏光を含む照明光で磁気抵抗メモリ素子を照明するとともに、照明光が磁気抵抗メモリ素子で反射した反射光を集光する光学系３０と、第１磁場内における磁気抵抗メモリ素子の位置を変化させた場合の反射光、及び、第２磁場内における磁気抵抗メモリ素子の位置を変化させた場合の反射光を検出する検出器４０と、を備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ステージ面を有するステージであって、ステージ面上に磁気抵抗メモリ素子を固定させたステージと、
前記ステージ面に垂直な垂直方向の磁場成分の向きが前記ステージ面上の位置によって第１向きから前記第１向きの反対向きの第２向きに変化する第１磁場、及び、前記ステージ面に平行な面内方向の前記磁場成分の前記向きが前記ステージ面上の前記位置によって第３向きから前記第３向きの反対向きの第４向きに変化する第２磁場を発生させる複数の電磁石と、
偏光を含む照明光で前記磁気抵抗メモリ素子を照明するとともに、前記照明光が前記磁気抵抗メモリ素子で反射した反射光を集光する光学系と、
前記第１磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の前記反射光、及び、前記第２磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の前記反射光を検出する検出器と、
を備えた検査装置。
前記ステージ面に垂直な垂直方向の磁場成分の向きが前記ステージ面上の位置によって第１向きから前記第１向きの反対向きの第２向きに変化する第１磁場、及び、前記ステージ面に平行な面内方向の前記磁場成分の前記向きが前記ステージ面上の前記位置によって第３向きから前記第３向きの反対向きの第４向きに変化する第２磁場を発生させる複数の電磁石と、
偏光を含む照明光で前記磁気抵抗メモリ素子を照明するとともに、前記照明光が前記磁気抵抗メモリ素子で反射した反射光を集光する光学系と、
前記第１磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の前記反射光、及び、前記第２磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の前記反射光を検出する検出器と、
を備えた検査装置。
【請求項2】
前記第１磁場内において前記第１向きから前記第２向きに変化するように前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の第１スキャン方向と前記垂直方向とに垂直な前記磁場成分は、０である、
請求項１に記載の検査装置。
請求項１に記載の検査装置。
【請求項3】
前記第２磁場内において前記第３向きから前記第４向きに変化するように前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の第２スキャン方向の前記磁場成分及び前記垂直方向の前記磁場成分は、０である、
請求項１に記載の検査装置。
請求項１に記載の検査装置。
【請求項4】
前記複数の前記電磁石は、第１電磁石、第２電磁石、第３電磁石及び第４電磁石を含む少なくとも４つの前記電磁石を含み、
前記第１電磁石は、前記垂直方向に延びた第１垂直部分及び前記面内方向に延びた第１面内部分を有するＬ字状の第１ヨークの前記第１垂直部分に所定の方向に巻かれた第１コイルを含み、
前記第２電磁石は、前記垂直方向に延びた第２垂直部分及び前記面内方向に延びた第２面内部分を有するＬ字状の第２ヨークの前記第２垂直部分に前記所定の方向に巻かれた第２コイルを含み、
前記第３電磁石は、前記垂直方向に延びた第３垂直部分及び前記面内方向に延びた第３面内部分を有するＬ字状の第３ヨークの前記第３垂直部分に前記所定の方向に巻かれた第３コイルを含み、
前記第４電磁石は、前記垂直方向に延びた第４垂直部分及び前記面内方向に延びた第４面内部分を有するＬ字状の第４ヨークの前記第４垂直部分に前記所定の方向に巻かれた第４コイルを含み、
前記第１面内部分及び前記第２面内部分は、一方向に延び、前記第１面内部分の端部と前記第２面内部分の前記端部とは、前記一方向において、対向し、
前記第３面内部分及び前記第４面内部分は、前記一方向に直交する他方向に延び、前記第３面内部分の前記端部と前記第４面内部分の前記端部とは、前記他方向において、対向し、
前記第１磁場は、前記第１コイルに第５向きの電流を流し、前記第２コイルに前記第５向きの反対向きの第６向きの前記電流を流し、前記第３コイル及び前記第４コイルに流れる前記電流を０とすることにより発生し、
前記第２磁場は、前記第１コイル及び前記第２コイルに前記第５向きの前記電流を流すとともに、前記第３コイル及び前記第４コイルに前記第６向きの前記電流を流すことにより発生する、
請求項１に記載の検査装置。
前記第１電磁石は、前記垂直方向に延びた第１垂直部分及び前記面内方向に延びた第１面内部分を有するＬ字状の第１ヨークの前記第１垂直部分に所定の方向に巻かれた第１コイルを含み、
前記第２電磁石は、前記垂直方向に延びた第２垂直部分及び前記面内方向に延びた第２面内部分を有するＬ字状の第２ヨークの前記第２垂直部分に前記所定の方向に巻かれた第２コイルを含み、
前記第３電磁石は、前記垂直方向に延びた第３垂直部分及び前記面内方向に延びた第３面内部分を有するＬ字状の第３ヨークの前記第３垂直部分に前記所定の方向に巻かれた第３コイルを含み、
前記第４電磁石は、前記垂直方向に延びた第４垂直部分及び前記面内方向に延びた第４面内部分を有するＬ字状の第４ヨークの前記第４垂直部分に前記所定の方向に巻かれた第４コイルを含み、
前記第１面内部分及び前記第２面内部分は、一方向に延び、前記第１面内部分の端部と前記第２面内部分の前記端部とは、前記一方向において、対向し、
前記第３面内部分及び前記第４面内部分は、前記一方向に直交する他方向に延び、前記第３面内部分の前記端部と前記第４面内部分の前記端部とは、前記他方向において、対向し、
前記第１磁場は、前記第１コイルに第５向きの電流を流し、前記第２コイルに前記第５向きの反対向きの第６向きの前記電流を流し、前記第３コイル及び前記第４コイルに流れる前記電流を０とすることにより発生し、
前記第２磁場は、前記第１コイル及び前記第２コイルに前記第５向きの前記電流を流すとともに、前記第３コイル及び前記第４コイルに前記第６向きの前記電流を流すことにより発生する、
請求項１に記載の検査装置。
【請求項5】
前記検出器は、
前記第１磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を前記一方向にスキャンさせた場合の前記反射光を検出し、
前記第２磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を前記一方向及び前記他方向と４５°の方向にスキャンさせた場合の前記反射光を検出する、
請求項４に記載の検査装置。
前記第１磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を前記一方向にスキャンさせた場合の前記反射光を検出し、
前記第２磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を前記一方向及び前記他方向と４５°の方向にスキャンさせた場合の前記反射光を検出する、
請求項４に記載の検査装置。
【請求項6】
前記検出器が検出した前記反射光の画像を処理する情報処理部をさらに備え、
前記情報処理部は、
前記第１向きの前記磁場成分における前記画像と前記第２向きの前記磁場成分における前記画像との差分画像から、前記垂直方向の前記磁場成分による前記磁気抵抗メモリ素子の欠陥の検査を行う、
請求項１に記載の検査装置。
前記情報処理部は、
前記第１向きの前記磁場成分における前記画像と前記第２向きの前記磁場成分における前記画像との差分画像から、前記垂直方向の前記磁場成分による前記磁気抵抗メモリ素子の欠陥の検査を行う、
請求項１に記載の検査装置。
【請求項7】
前記検出器が検出した前記反射光の画像を処理する情報処理部をさらに備え、
前記情報処理部は、
前記第３向きの前記磁場成分における前記画像と前記第４向きの前記磁場成分における前記画像との差分画像から、前記面内方向の前記磁場成分による前記磁気抵抗メモリ素子の欠陥の検査を行う、
請求項１に記載の検査装置。
前記情報処理部は、
前記第３向きの前記磁場成分における前記画像と前記第４向きの前記磁場成分における前記画像との差分画像から、前記面内方向の前記磁場成分による前記磁気抵抗メモリ素子の欠陥の検査を行う、
請求項１に記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、検査装置に関し、例えば、磁気抵抗メモリ素子の磁気特性を検査する検査装置に関する。
【背景技術】
【0002】
磁気抵抗メモリ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎｄａｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）素子（以下、ＭＲＡＭ素子と呼ぶ。）と呼ばれる半導体メモリ素子は、磁気トンネル接合（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ、ＭＴＪ）を構成要素とする不揮発性メモリである。半導体生産ラインにおいては、磁気抵抗メモリデバイス（ＭＲＡＭ Ｄｅｖｉｃｅ、以下、ＭＲＡＭデバイスと呼ぶ。）の完成前に、ウエーハ上に形成されたＭＲＡＭ素子の異常を早期に検査することは、ＭＲＡＭデバイスの生産の歩留まり向上にとって重要である。ＭＲＡＭデバイスの完成前の検査のためには、光学的顕微鏡や電子ビームなどによる非破壊の外観検査だけでなく磁場特性を把握しておく必要がある。磁場測定の高速測定手段として、磁気光学カー効果（Ｍａｇｎｅｔｏ－Ｏｐｔｉｃａｌ Ｋｅｒｒ Ｅｆｆｅｃｔ、ＭＯＫＥ）と呼ばれる磁気光学効果を利用した光学測定が知られている。本手法によれば、ＭＲＡＭデバイスにおける各ＭＲＡＭ素子に外部磁場を印加し、その磁場強度を変化させながら、反射光における偏光の変化量により、測定点の磁気ヒステリシスループ（Ｌｏｏｐ）を得ることができる。
【0003】
特許文献１には、２個のコイルを有する電磁石のヨーク間に発生する傾斜磁場を利用して、ＭＲＡＭデバイスをステージ上でスキャンし、ＴＤＩ（ＴＤＩ Ｄｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）カメラでＭＲＡＭ素子の欠陥を検出する検査装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２２－０７２５９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１の検査装置において、垂直磁場（容易軸方向）の磁場反転前後では、水平方向の磁場は、ほぼ一定のため、垂直磁場の特性を検出することが可能である。しかしながら、特許文献１の検査装置は、水平方向の磁場の変化によるＭＲＡＭ素子の特性変化を検出することが困難であり、ＭＲＡＭ素子の磁気特性の検出精度を向上させることができない。
【0006】
本開示は、このような問題を解決するためになされたものであり、ＭＲＡＭ素子の磁気特性の検出精度を向上させることができる検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
一実施形態の検査装置は、
ステージ面を有するステージであって、ステージ面上に磁気抵抗メモリ素子を固定させたステージと、
前記ステージ面に垂直な垂直方向の磁場成分の向きが前記ステージ面上の位置によって第１向きから前記第１向きの反対向きの第２向きに変化する第１磁場、及び、前記ステージ面に平行な面内方向の前記磁場成分の前記向きが前記ステージ面上の前記位置によって第３向きから前記第３向きの反対向きの第４向きに変化する第２磁場を発生させる複数の電磁石と、
偏光を含む照明光で前記磁気抵抗メモリ素子を照明するとともに、前記照明光が前記磁気抵抗メモリ素子で反射した反射光を集光する光学系と、
前記第１磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の前記反射光、及び、前記第２磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の前記反射光を検出する検出器と、
を備える。
ステージ面を有するステージであって、ステージ面上に磁気抵抗メモリ素子を固定させたステージと、
前記ステージ面に垂直な垂直方向の磁場成分の向きが前記ステージ面上の位置によって第１向きから前記第１向きの反対向きの第２向きに変化する第１磁場、及び、前記ステージ面に平行な面内方向の前記磁場成分の前記向きが前記ステージ面上の前記位置によって第３向きから前記第３向きの反対向きの第４向きに変化する第２磁場を発生させる複数の電磁石と、
偏光を含む照明光で前記磁気抵抗メモリ素子を照明するとともに、前記照明光が前記磁気抵抗メモリ素子で反射した反射光を集光する光学系と、
前記第１磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の前記反射光、及び、前記第２磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の前記反射光を検出する検出器と、
を備える。
【0008】
上記検査装置において、
前記第１磁場内において前記第１向きから前記第２向きに変化するように前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の第１スキャン方向と前記垂直方向とに垂直な前記磁場成分は、０でもよい。
前記第１磁場内において前記第１向きから前記第２向きに変化するように前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の第１スキャン方向と前記垂直方向とに垂直な前記磁場成分は、０でもよい。
【0009】
上記検査装置において、
前記第２磁場内において前記第３向きから前記第４向きに変化するように前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の第２スキャン方向の前記磁場成分及び前記垂直方向の前記磁場成分は、０でもよい。
前記第２磁場内において前記第３向きから前記第４向きに変化するように前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を変化させた場合の第２スキャン方向の前記磁場成分及び前記垂直方向の前記磁場成分は、０でもよい。
【0010】
上記検査装置において、
前記複数の前記電磁石は、第１電磁石、第２電磁石、第３電磁石及び第４電磁石を含む少なくとも４つの前記電磁石を含み、
前記第１電磁石は、前記垂直方向に延びた第１垂直部分及び前記面内方向に延びた第１面内部分を有するＬ字状の第１ヨークの前記第１垂直部分に所定の方向に巻かれた第１コイルを含み、
前記第２電磁石は、前記垂直方向に延びた第２垂直部分及び前記面内方向に延びた第２面内部分を有するＬ字状の第２ヨークの前記第２垂直部分に前記所定の方向に巻かれた第２コイルを含み、
前記第３電磁石は、前記垂直方向に延びた第３垂直部分及び前記面内方向に延びた第３面内部分を有するＬ字状の第３ヨークの前記第３垂直部分に前記所定の方向に巻かれた第３コイルを含み、
前記第４電磁石は、前記垂直方向に延びた第４垂直部分及び前記面内方向に延びた第４面内部分を有するＬ字状の第４ヨークの前記第４垂直部分に前記所定の方向に巻かれた第４コイルを含み、
前記第１面内部分及び前記第２面内部分は、一方向に延び、前記第１面内部分の端部と前記第２面内部分の前記端部とは、前記一方向において、対向し、
前記第３面内部分及び前記第４面内部分は、前記一方向に直交する他方向に延び、前記第３面内部分の前記端部と前記第４面内部分の前記端部とは、前記他方向において、対向し、
前記第１磁場は、前記第１コイルに第５向きの電流を流し、前記第２コイルに前記第５向きの反対向きの第６向きの前記電流を流し、前記第３コイル及び前記第４コイルに流れる前記電流を０とすることにより発生し、
前記第２磁場は、前記第１コイル及び前記第２コイルに前記第５向きの前記電流を流すとともに、前記第３コイル及び前記第４コイルに前記第６向きの前記電流を流すことにより発生してもよい。
前記複数の前記電磁石は、第１電磁石、第２電磁石、第３電磁石及び第４電磁石を含む少なくとも４つの前記電磁石を含み、
前記第１電磁石は、前記垂直方向に延びた第１垂直部分及び前記面内方向に延びた第１面内部分を有するＬ字状の第１ヨークの前記第１垂直部分に所定の方向に巻かれた第１コイルを含み、
前記第２電磁石は、前記垂直方向に延びた第２垂直部分及び前記面内方向に延びた第２面内部分を有するＬ字状の第２ヨークの前記第２垂直部分に前記所定の方向に巻かれた第２コイルを含み、
前記第３電磁石は、前記垂直方向に延びた第３垂直部分及び前記面内方向に延びた第３面内部分を有するＬ字状の第３ヨークの前記第３垂直部分に前記所定の方向に巻かれた第３コイルを含み、
前記第４電磁石は、前記垂直方向に延びた第４垂直部分及び前記面内方向に延びた第４面内部分を有するＬ字状の第４ヨークの前記第４垂直部分に前記所定の方向に巻かれた第４コイルを含み、
前記第１面内部分及び前記第２面内部分は、一方向に延び、前記第１面内部分の端部と前記第２面内部分の前記端部とは、前記一方向において、対向し、
前記第３面内部分及び前記第４面内部分は、前記一方向に直交する他方向に延び、前記第３面内部分の前記端部と前記第４面内部分の前記端部とは、前記他方向において、対向し、
前記第１磁場は、前記第１コイルに第５向きの電流を流し、前記第２コイルに前記第５向きの反対向きの第６向きの前記電流を流し、前記第３コイル及び前記第４コイルに流れる前記電流を０とすることにより発生し、
前記第２磁場は、前記第１コイル及び前記第２コイルに前記第５向きの前記電流を流すとともに、前記第３コイル及び前記第４コイルに前記第６向きの前記電流を流すことにより発生してもよい。
【0011】
上記検査装置において、前記検出器は、
前記第１磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を前記一方向にスキャンさせた場合の前記反射光を検出し、
前記第２磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を前記一方向及び前記他方向と４５°の方向にスキャンさせた場合の前記反射光を検出してもよい。
前記第１磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を前記一方向にスキャンさせた場合の前記反射光を検出し、
前記第２磁場内における前記磁気抵抗メモリ素子の前記位置を前記一方向及び前記他方向と４５°の方向にスキャンさせた場合の前記反射光を検出してもよい。
【0012】
上記検査装置において、
前記検出器が検出した前記反射光の画像を処理する情報処理部をさらに備え、
前記情報処理部は、
前記第１向きの前記磁場成分における前記画像と前記第２向きの前記磁場成分における前記画像との差分画像から、前記垂直方向の前記磁場成分による前記磁気抵抗メモリ素子の欠陥の検査を行ってもよい。
前記検出器が検出した前記反射光の画像を処理する情報処理部をさらに備え、
前記情報処理部は、
前記第１向きの前記磁場成分における前記画像と前記第２向きの前記磁場成分における前記画像との差分画像から、前記垂直方向の前記磁場成分による前記磁気抵抗メモリ素子の欠陥の検査を行ってもよい。
【0013】
上記検査装置において、
前記検出器が検出した前記反射光の画像を処理する情報処理部をさらに備え、
前記情報処理部は、
前記第３向きの前記磁場成分における前記画像と前記第４向きの前記磁場成分における前記画像との差分画像から、前記面内方向の前記磁場成分による前記磁気抵抗メモリ素子の欠陥の検査を行ってもよい。
前記検出器が検出した前記反射光の画像を処理する情報処理部をさらに備え、
前記情報処理部は、
前記第３向きの前記磁場成分における前記画像と前記第４向きの前記磁場成分における前記画像との差分画像から、前記面内方向の前記磁場成分による前記磁気抵抗メモリ素子の欠陥の検査を行ってもよい。
【発明の効果】
【0014】
本開示の検査装置によれば、ＭＲＡＭの磁気特性の検出精度を向上させることができる検査装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】実施形態１に係る検査装置を例示した断面図である。
【図2】実施形態１に係る検査装置の電磁石を例示した斜視図である。
【図3】実施形態１に係るＶＳＭによるＭＲＡＭ素子の容易軸方向の磁気特性を例示したグラフであり、横軸は、外部磁場を示し、縦軸は、磁化を示す。
【図4】実施形態１に係るＶＳＭによるＭＲＡＭ素子の困難軸方向の磁気特性を例示したグラフであり、横軸は、外部磁場を示し、縦軸は、磁化を示す。
【図5】実施形態１に係るステージ面に垂直な方向の磁場成分を有する磁場をＭＲＡＭ素子に印加する場合のコイルの通電を例示した図である。
【図6】実施形態１に係る第１スキャン軸に沿ったα軸方向、第１スキャン軸に垂直なβ軸方向及びγ軸方向の磁束密度を例示したグラフであり、横軸は、α軸に沿った位置を示し、縦軸は、磁束密度を示す。
【図7】実施形態１に係るαγ平面内の磁束密度ベクトルを例示した図である。
【図8】実施形態１に係るステージ面に平行な方向の磁場成分を有する磁場をＭＲＡＭ素子に印加する場合のコイルの通電を例示した図である。
【図9】実施形態１に係る第２スキャン軸に沿ったα軸方向、第２スキャン軸に垂直なβ軸方向及びγ軸方向の磁束密度を例示したグラフであり、横軸は、α軸に沿った位置を示し、縦軸は、磁束密度を示す。
【図10】実施形態１に係るαβ平面内の磁束密度ベクトルを例示した図である。
【図11】ＭＲＡＭ素子の磁気特性を例示した図であり、横軸は、外部磁場を示し、縦軸は、カー回転角を示す。
【図12】ＭＲＡＭ素子の磁気特性を例示した図であり、横軸は、外部磁場を示し、縦軸は、カー回転角を示す。
【図13】実施形態１に係るウエーハを例示した平面図である。
【図14】実施形態１に係る検査装置の詳細を例示した構成図である。
【図15】実施形態１に係るＭＲＡＭ素子を含むウエーハの検査方法を例示したフローチャート図である。
【図16】実施形態１に係るＭＲＡＭ素子における垂直方向の磁気特性の検査方法を例示したフローチャート図である。
【図17】実施形態１に係るＭＲＡＭ素子における面内方向の磁気特性の検査方法を例示したフローチャート図である。
【図18】実施形態２に係るＭＲＡＭ素子における垂直方向の磁気特性の検査方法を例示したフローチャート図である。
【図19】実施形態２に係るＭＲＡＭ素子における面内方向の磁気特性の検査方法を例示したフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び、簡略化がなされている。また、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
【0017】
（実施形態１）
実施形態１に係る検査装置を説明する。図１は、実施形態１に係る検査装置を例示した断面図である。図２は、実施形態１に係る検査装置の電磁石を例示した斜視図である。図１では、図が煩雑にならないように、いくつかの部材のハッチングを省略するとともに、いくつかの符号を省略している。以下の図でも同様である。図１及び図２に示すように、検査装置１は、ステージ１０、複数の電磁石２０、光学系３０、検出器４０及び情報処理部５０を備えている。以下で、＜１．ステージ＞、＜２．複数の電磁石＞、＜３．光学系＞、＜４．検出器＞及び＜５．情報処理部＞を説明する。その後、＜６．検査装置の詳細＞及び＜７．検査方法＞を説明する。なお、＜２．複数の電磁石＞において、＜２－１．ＭＲＡＭ素子の磁気特性＞、＜２－２．ステージ面に垂直な方向の磁場印加＞及び＜２－３．ステージ面と平行な方向の磁場印加＞を説明する。
実施形態１に係る検査装置を説明する。図１は、実施形態１に係る検査装置を例示した断面図である。図２は、実施形態１に係る検査装置の電磁石を例示した斜視図である。図１では、図が煩雑にならないように、いくつかの部材のハッチングを省略するとともに、いくつかの符号を省略している。以下の図でも同様である。図１及び図２に示すように、検査装置１は、ステージ１０、複数の電磁石２０、光学系３０、検出器４０及び情報処理部５０を備えている。以下で、＜１．ステージ＞、＜２．複数の電磁石＞、＜３．光学系＞、＜４．検出器＞及び＜５．情報処理部＞を説明する。その後、＜６．検査装置の詳細＞及び＜７．検査方法＞を説明する。なお、＜２．複数の電磁石＞において、＜２－１．ＭＲＡＭ素子の磁気特性＞、＜２－２．ステージ面に垂直な方向の磁場印加＞及び＜２－３．ステージ面と平行な方向の磁場印加＞を説明する。
【0018】
＜１．ステージ＞
ステージ１０は、移動部１１及び本体部１２を含んでいる。移動部１１の上面をステージ面１３と呼ぶ。よって、ステージ１０は、ステージ面１３を有している。ステージ１０は、ステージ面１３上に磁気抵抗メモリ素子（以下、ＭＲＡＭ素子と呼ぶ。）を固定させる。例えば、ステージ１０は、ステージ面１３上に、ＭＲＡＭ素子を含むウエーハＷＦ等の試料を載置する。以下では、試料をウエーハＷＦとして説明する。なお、試料は、ＭＲＡＭ素子を含めば、ウエーハＷＦに限らず、半導体装置等でもよい。
ステージ１０は、移動部１１及び本体部１２を含んでいる。移動部１１の上面をステージ面１３と呼ぶ。よって、ステージ１０は、ステージ面１３を有している。ステージ１０は、ステージ面１３上に磁気抵抗メモリ素子（以下、ＭＲＡＭ素子と呼ぶ。）を固定させる。例えば、ステージ１０は、ステージ面１３上に、ＭＲＡＭ素子を含むウエーハＷＦ等の試料を載置する。以下では、試料をウエーハＷＦとして説明する。なお、試料は、ＭＲＡＭ素子を含めば、ウエーハＷＦに限らず、半導体装置等でもよい。
【0019】
ステージ１０における移動部１１は、ウエーハＷＦを固定するためのウエーハチャックを有してもよい。ウエーハＷＦは、ウエーハチャックによってバキュームあるいは静電気により、ステージ面１３上に固定される。ステージ１０は、ウエーハＷＦを移動させるために、リニアモータ、ボールねじ、ＶＣＭ、ピエゾ等によるアクチュエータを有するＸＹＺθ駆動軸を有してもよい。移動部１１は、ＸＹＺθ駆動軸に基づいて、本体部１２に対して移動する。ステージ面１３に平行な面として検査面Ｗ０を導入する。
【0020】
ここで、検査装置１の説明の便宜のために、ＸＹＺ直交座標軸系を導入する。例えば、検査面Ｗ０に垂直な方向をＺ軸方向とし、検査面Ｗ０に平行な面をＸＹ面とする。便宜上、Ｚ軸方向を鉛直方向または垂直方向と呼び、＋Ｚ軸方向を上方、－Ｚ軸方向を下方と呼ぶ。ＸＹ面を水平面と呼び、ＸＹ面に平行な方向を水平方向または面内方向と呼ぶ。なお、鉛直方向、垂直方向、上方、下方、水平面、水平方向及び面内方向は、便宜上のものであり、実際の検査装置１が配置される方向を示すものではない。ステージ１０は、ＸＹ面内における所定の方向にスキャンすることにより、ウエーハＷＦに含まれたＭＲＡＭ素子を検査する。
【0021】
例えば、ステージ１０は、検査面Ｗ０に平行な面内において、Ｘ軸方向及びＹ軸方向を含む所定の方向にウエーハＷＦを移動可能である。また、ステージ１０は、検査面Ｗ０に垂直な方向に延びた回転軸を中心にしてステージ面１３上のウエーハＷＦを回転可能である。さらに、ステージ１０は、検査面Ｗ０に垂直な方向にステージ面１３上のウエーハＷＦを移動可能である。
【0022】
＜２．複数の電磁石＞
複数の電磁石２０は、電磁石２０ａ～２０ｄを含む少なくとも４個の電磁石２０ａ～２０ｄを含んでもよい。少なくとも４個の電磁石２０ａ～２０ｄを総称して、電磁石２０と呼ぶ。電磁石２０ａと電磁石２０ｂとは、Ｘ軸方向に対向して配置されている。電磁石２０ｃと電磁石２０ｄとは、Ｙ軸方向に対向して配置されている。なお、電磁石２０は、少なくとも４個の電磁石２０ａ～２０ｄを含んでいれば、５個以上でもよい。その場合には、各電磁石２０は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対向する配置に限らない。
複数の電磁石２０は、電磁石２０ａ～２０ｄを含む少なくとも４個の電磁石２０ａ～２０ｄを含んでもよい。少なくとも４個の電磁石２０ａ～２０ｄを総称して、電磁石２０と呼ぶ。電磁石２０ａと電磁石２０ｂとは、Ｘ軸方向に対向して配置されている。電磁石２０ｃと電磁石２０ｄとは、Ｙ軸方向に対向して配置されている。なお、電磁石２０は、少なくとも４個の電磁石２０ａ～２０ｄを含んでいれば、５個以上でもよい。その場合には、各電磁石２０は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対向する配置に限らない。
【0023】
電磁石２０ａ～２０ｄは、それぞれ、コイル２１ａ～２１ｄを含んでもよい。コイル２１ａ～２１ｄを総称して、コイル２１と呼ぶ。コイル２１に流す電流の向きを制御することにより、電磁石２０が発生させる磁場の向きを制御することができる。
【0024】
電磁石２０ａ～２０ｄは、それぞれ、ヨーク２２ａ～２２ｄに固定されてもよい。ヨーク２２ａ～２２ｄを総称して、ヨーク２２と呼ぶ。ヨーク２２は、例えば、Ｌ字状の形状を有している。ヨーク２２は、ステージ面１３に垂直な方向に延びた垂直部分２３及びステージ面１３に平行な方向に延びた面内部分２４を有するＬ字状である。コイル２１は、垂直部分２３に所定の方向に巻かれている。
【0025】
具体的には、電磁石２０ａは、ステージ面１３に垂直な方向に延びた垂直部分２３ａ及びステージ面１３に平行な方向に延びた面内部分２４ａを有するＬ字状のヨーク２２ａの垂直部分２３ａに所定の方向に巻かれたコイル２１ａを含む。電磁石２０ｂは、ステージ面１３に垂直な方向に延びた垂直部分２３ｂ及びステージ面１３に平行な方向に延びた面内部分２４ｂを有するＬ字状のヨーク２２ｂの垂直部分２３ｂに所定の方向に巻かれたコイル２１ｂを含む。電磁石２０ｃは、ステージ面１３に垂直な方向に延びた垂直部分２３ｃ及びステージ面１３に平行な方向に延びた面内部分２４ｃを有するＬ字状のヨーク２２ｃの垂直部分２３ｃに所定の方向に巻かれたコイル２１ｃを含む。電磁石２０ｄは、ステージ面１３に垂直な方向に延びた垂直部分２３ｄ及びステージ面１３に平行な方向に延びた面内部分２４ｄを有するＬ字状のヨーク２２ｄの垂直部分２３ｄに所定の方向に巻かれたコイル２１ｄを含む。
【0026】
垂直部分２３ａ～２３ｄを総称して、垂直部分２３と呼び、面内部分２４ａ～２４ｄを総称して、面内部分２４と呼ぶ。コイル２１ａ～２１ｄは、それぞれ、垂直部分２３ａ～２３ｄに所定の同じ方向に巻かれている。垂直部分２３ａ～２３ｄは、Ｚ軸方向に延びている。垂直部分２３ａ～２３ｄは、それぞれ、電磁石２０ａ～２０ｄの中心軸を通る。各ヨーク２２ａ～２２ｄの上端、すなわち、垂直部分２３ａ～２３ｄの上端は、接続板２５に接続されている。垂直部分２３ａ～２３ｄの下端は、それぞれ、面内部分２４ａ～２４ｄの一端に接続されている。
【0027】
ヨーク２２ａの面内部分２４ａ及びヨーク２２ｂの面内部分２４ｂは、Ｘ軸方向に延びている。面内部分２４ａの一端は、電磁石２０ａの中心を通る垂直部分２３ａの下端に接続されている。よって、面内部分２４ａは、垂直部分２３ａの下端から＋Ｘ軸方向に延びている。面内部分２４ｂの一端は、電磁石２０ｂの中心を通る垂直部分２３ｂの下端に接続されている。よって、面内部分２４ｂは、垂直部分２３ｂの下端から－Ｘ軸方向に延びている。面内部分２４ａの端部と、面内部分２４ｂの端部とは、Ｘ軸方向において、対向する。
【0028】
ヨーク２２ｃの面内部分２４ｃ及びヨーク２２ｄの面内部分２４ｄは、Ｙ軸方向に延びている。面内部分２４ｃの一端は、電磁石２０ｃの中心を通る垂直部分２３ｃの下端に接続されている。よって、面内部分２４ｃは、垂直部分２３ｃの下端から＋Ｙ軸方向に延びている。面内部分２４ｄの一端は、電磁石２０ｄの中心を通る垂直部分２３ｄの下端に接続されている。よって、面内部分２４ｄは、垂直部分２３ｄの下端から－Ｙ軸方向に延びている。面内部分２４ｃの端部と、面内部分２４ｄの端部とは、Ｙ軸方向において対向する。
【0029】
＜２－１．ＭＲＡＭ素子の磁気特性＞
次に、ＭＲＡＭの振動試料型磁力計（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ Ｓａｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ、以下、ＶＳＭと呼ぶ。）による磁気特性を説明する。図３は、実施形態１に係るＶＳＭによるＭＲＡＭ素子の容易軸方向の磁気特性を例示したグラフであり、横軸は、外部磁場を示し、縦軸は、磁化を示す。図４は、実施形態１に係るＶＳＭによるＭＲＡＭ素子の困難軸方向の磁気特性を例示したグラフであり、横軸は、外部磁場を示し、縦軸は、磁化を示す。
次に、ＭＲＡＭの振動試料型磁力計（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ Ｓａｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ、以下、ＶＳＭと呼ぶ。）による磁気特性を説明する。図３は、実施形態１に係るＶＳＭによるＭＲＡＭ素子の容易軸方向の磁気特性を例示したグラフであり、横軸は、外部磁場を示し、縦軸は、磁化を示す。図４は、実施形態１に係るＶＳＭによるＭＲＡＭ素子の困難軸方向の磁気特性を例示したグラフであり、横軸は、外部磁場を示し、縦軸は、磁化を示す。
【0030】
図３に示すように、ウエーハＷＦの上面に垂直な方向のＭＲＡＭ素子の磁化は、外部磁界を変化させることにより容易に磁化反転する。ウエーハＷＦの上面に垂直な方向、すなわち、ステージ面１３に垂直な方向を容易軸方向と呼ぶ。一方、図４に示すように、ウエーハＷＦの上面に平行な方向のＭＲＡＭ素子の磁化は、外部磁界を変化させることにより磁化反転しにくい。ウエーハＷＦの上面に平行な方向、すなわち、ステージ面１３に平行な方向を困難軸方向と呼ぶ。このように、ウエーハＷＦの上面に垂直な容易軸方向と、ウエーハＷＦの上面に平行な困難軸方向とでは、磁気特性が異なる。このため、ＭＲＡＭ素子の欠陥の検査には、容易軸方向及び困難軸方向の２方向の磁気特性を検査することが必要となる。
【0031】
＜２－２．ステージ面に垂直な垂直方向の磁場印加＞
図５は、実施形態１に係るステージ面１３に垂直な方向の磁場成分を有する磁場をＭＲＡＭ素子に印加する場合のコイル２１の通電を例示した図である。図５に示すように、ステージ面１３に垂直な方向の磁場成分を有する磁場をＭＲＡＭ素子に印加する場合には、Ｘ軸方向に対向する電磁石２０ａ及び２０ｂのコイル２１ａ及び２１ｂに、相互に反対向きの電流を印加する。一方、Ｙ軸方向に対向する電磁石２０ｃ及び２０ｄのコイル２１ｃ及び２１ｄには、電流を印加しない。
図５は、実施形態１に係るステージ面１３に垂直な方向の磁場成分を有する磁場をＭＲＡＭ素子に印加する場合のコイル２１の通電を例示した図である。図５に示すように、ステージ面１３に垂直な方向の磁場成分を有する磁場をＭＲＡＭ素子に印加する場合には、Ｘ軸方向に対向する電磁石２０ａ及び２０ｂのコイル２１ａ及び２１ｂに、相互に反対向きの電流を印加する。一方、Ｙ軸方向に対向する電磁石２０ｃ及び２０ｄのコイル２１ｃ及び２１ｄには、電流を印加しない。
【0032】
つまり、ステージ面１３に垂直な方向の磁場成分を有する磁場は、コイル２１ａに所定の向きの電流を流し、コイル２１ｂに所定の向きの反対向きの電流を流す一方、コイル２１ｃ及びコイル２１ｄに流れる電流を０とすることにより発生する。ステージ面１３に垂直な方向の磁場成分を有する磁場を第１磁場と呼ぶ。また、ステージ面１３に垂直な方向を垂直方向と呼ぶ。第１磁場の場合には、Ｘ軸方向に平行なα軸方向をスキャン軸とする。第１磁場の場合のスキャン軸を第１スキャン軸と呼ぶ。ＸＹ面内におけるα軸方向に直交する方向をβ軸方向とする。β軸は、Ｙ軸と同じ方向である。α軸方向及びβ軸方向に直交する方向をγ軸とする。γ軸は、Ｚ軸と同じ方向である。β軸及びγ軸は、第１スキャン軸に垂直である。
【0033】
図６は、実施形態１に係る第１スキャン軸に沿った位α軸方向、第１スキャン軸に垂直なβ軸方向及びγ軸方向の磁束密度を例示したグラフであり、横軸は、α軸に沿った位置を示し、縦軸は、磁束密度を示す。図７は、実施形態１に係るαγ平面内の磁束密度ベクトルを例示した図である。
【0034】
図６及び図７に示すように、第１磁場は、垂直方向の磁場成分の向きがステージ面１３上の位置によって一方の向きから反対向きに変化する。ステージ面１３に平行な方向の磁場成分は、一定である。つまり、ヨーク２２ａの面内部分２４ａの端部とヨーク２２ｂの面内部分２４ｂの端部との間において、γ軸方向の磁場成分は反転し、α軸方向の磁場成分は、所定の値で一定であり、β軸方向の磁場成分は０である。このように、第１磁場内においてγ軸方向の磁場成分の向きを一方の向きから反対の向きに変化するようにＭＲＡＭ素子の位置を変化させた場合のα軸方向及びγ軸方向に垂直な磁場成分は、０である。ここで、磁場成分が０とは、厳密な０だけでなく、不可避な測定誤差を含む範囲で０であることを意味する。
【0035】
第１スキャン軸に沿ってウエーハＷＦを移動させることにより、ウエーハＷＦに含まれたＭＲＡＭ素子に対して印加される垂直方向の磁場成分の符号を変えることができるとともに、β軸方向の磁場成分を０に保つことができる。
【0036】
このように、複数の電磁石２０は、容易軸方向の磁場成分を含む磁場を発生させる。容易軸方向は、例えば、ステージ面１３に垂直なＺ軸方向である。複数の電磁石２０は、垂直方向の磁場成分の向きがステージ面１３上の位置によって第１向きから第１向きの反対向きの第２向きに変化する第１磁場を発生させる。
【0037】
＜２－３．ステージ面に平行な面内方向の磁場印加＞
図８は、実施形態１に係るステージ面１３に平行な方向の磁場成分を有する磁場をＭＲＡＭ素子に印加する場合のコイル２１の通電を例示した図である。図８に示すように、ステージ面１３に平行な方向の磁場成分を有する磁場をＭＲＡＭ素子に印加する場合には、Ｘ軸方向に対向する電磁石２０ａ及び２０ｂのコイル２１ａ及び２１ｂに、同じ所定の向きの電流を印加する。一方、Ｙ軸方向に対向する電磁石２０ｃ及び２０ｄのコイル２１ｃ及び２１ｄには、コイル２１ａ及び２１ｂと反対向きの電流を印加する。
図８は、実施形態１に係るステージ面１３に平行な方向の磁場成分を有する磁場をＭＲＡＭ素子に印加する場合のコイル２１の通電を例示した図である。図８に示すように、ステージ面１３に平行な方向の磁場成分を有する磁場をＭＲＡＭ素子に印加する場合には、Ｘ軸方向に対向する電磁石２０ａ及び２０ｂのコイル２１ａ及び２１ｂに、同じ所定の向きの電流を印加する。一方、Ｙ軸方向に対向する電磁石２０ｃ及び２０ｄのコイル２１ｃ及び２１ｄには、コイル２１ａ及び２１ｂと反対向きの電流を印加する。
【0038】
つまり、ステージ面１３に平行な方向の磁場成分を有する磁場は、コイル２１ａ及びコイル２１ｂに所定の向きの電流を流すとともに、コイル２１ｃ及びコイル２１ｄに所定の向きと反対向きの電流を流すことにより発生する。ステージ面１３に平行な方向の磁場成分を有する磁場を第２磁場と呼ぶ。また、ステージ面１３に平行な方向を面内方向と呼ぶ。ＸＹＺ直交座標軸系を複数の電磁石２０に固定すると、第２磁場の場合には、Ｘ軸及びＹ軸に４５°の角度を有するα軸方向をスキャン軸とする。第２磁場の場合のスキャン軸を第２スキャン軸と呼ぶ。ＸＹ面内におけるα軸方向に直交する方向をβ軸方向とする。α軸方向及びβ軸方向に直交する方向をγ軸とする。γ軸は、Ｚ軸と同じ方向である。
【0039】
図９は、実施形態１に係る第２スキャン軸に沿ったα軸方向、第２スキャン軸に垂直なβ軸方向及びγ軸方向の磁束密度を例示したグラフであり、横軸は、α軸に沿った位置を示し、縦軸は、磁束密度を示す。図１０は、実施形態１に係るαβ平面内の磁束密度ベクトルを例示した図である。
【0040】
図９及び図１０に示すように、第２磁場は、面内方向の磁場成分の向きがステージ面１３上の位置によって一方の向きから反対向きに変化する。ステージ面１３に垂直な垂直方向の磁場成分は０である。つまり、ヨーク２２ａの面内部分２４ａの端部、ヨーク２２ｂの面内部分２４ｂの端部、ヨーク２２ｃの面内部分２４ｃの端部及びヨーク２２ｄの面内部分２４ｄの端部に囲まれた空間において、β軸方向の磁場成分は反転し、α軸方向及びγ軸方向の磁場成分は、０である。このように、第２磁場内においてβ軸方向の磁場成分の向きを一方の向きから反対の向きに変化するようにＭＲＡＭ素子の位置を変化させた場合のα軸方向の磁場成分及びγ軸方向の磁場成分は、０である。ここで、磁場成分が０とは、厳密な０だけでなく、不可避な測定誤差を含む範囲で０であることを意味する。
【0041】
第２スキャン軸に沿ってウエーハＷＦを移動させることにより、ウエーハＷＦに含まれたＭＲＡＭ素子に対して印加されるβ軸方向の磁場成分の符号を変えることができるとともに、α軸方向の磁場成分及びγ軸方向の磁場成分を０に保つことができる。
【0042】
このように、複数の電磁石２０は、困難軸方向の磁場成分を含む磁場を発生させる。困難軸方向は、例えば、容易軸方向と垂直な方向である。複数の電磁石２０は、ステージ面１３に平行な面内方向の磁場成分の向きがステージ面１３上の位置によって第３向きから第３向きの反対向きの第４向きに変化する第２磁場を発生させる。
【0043】
＜３．光学系＞
光学系３０は、光学顕微鏡を含んでもよい。光学顕微鏡は、ウエーハＷＦの表面を結像する。光学系３０は、偏光を含む照明光でＭＲＡＭ素子を照明するとともに、照明光がＭＲＡＭ素子で反射した反射光を集光する。光学系３０は、光源３１、レンズＬ１～Ｌ３、偏光子３２、ミラーＭ１、対物レンズ３３、検光子３４を含む。光学系３０は、これ以外の光学素子を含んでもよい。
光学系３０は、光学顕微鏡を含んでもよい。光学顕微鏡は、ウエーハＷＦの表面を結像する。光学系３０は、偏光を含む照明光でＭＲＡＭ素子を照明するとともに、照明光がＭＲＡＭ素子で反射した反射光を集光する。光学系３０は、光源３１、レンズＬ１～Ｌ３、偏光子３２、ミラーＭ１、対物レンズ３３、検光子３４を含む。光学系３０は、これ以外の光学素子を含んでもよい。
【0044】
光源３１は照明光を出射する。照明光は、例えば、レーザ光である。光源３１から出射した照明光は、偏光子３２によって直線偏光を含むように変換される。直線偏光を含む照明光は、ミラーＭ１によって反射し、対物レンズ３３によってウエーハＷＦに集光される。なお、ミラーＭ１は、例えば、無偏光ビームスプリッタである。
【0045】
対物レンズ３３は、ウエーハＷＦ上のパターンを結像するためのもので、一般的に非磁性のものが選ばれる。ウエーハＷＦがＭＲＡＭ素子を含む場合には、磁気光学カー効果によって、直線偏光の偏光角が変化する。
【0046】
図１１は、ＭＲＡＭ素子の磁気特性を例示した図であり、横軸は、外部磁場を示し、縦軸は、カー（Ｋｅｒｒ）回転角を示す。図１１に示すように、外部磁場が０の場合から外部磁場を大きくすると、カー回転角は大きくなる。しかしながら、カー回転角は、ある一定値に達すると飽和し、外部磁場を大きくしても変化しなくなる。次に、飽和した状態から外部磁場を小さくすると、カー回転角は小さくなる。そして、外部磁場を０にしても、カー回転角が残留する。外部磁場をさらに小さくすると、カー回転角は、ある一定値に達し、飽和する。よって、外部磁場を小さくしても変化しなくなる。飽和した状態から外部磁場を大きくすると、カー回転角は大きくなる。外部磁場を大きくする場合と、外部磁場を小さくする場合とでは、カー回転角の値の経路に違いが生じる。このように、カー回転角は、外部磁場を大きくする場合と、外部磁場を小さくする場合とでは、別のルートをたどるヒステリシス曲線を形成する。
【0047】
図１２は、ＭＲＡＭ素子の磁気特性を例示した図であり、横軸は、外部磁場を示し、縦軸は、カー回転角を示す。図１２には、外部磁場Ｈが、Ｈ１、Ｈ２及びＨ３の場合のＭＲＡＭ素子の偏光状態を含む画像も模式的に示している。図１２に示すように、外部磁場を徐々に増加したときに撮像した画像は、外部磁場Ｈ＝Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３で異なるカー回転角による輝度を示す。カー回転角と、検出器４０で検出される輝度とは相関関係にある。よって、検出器４０で得られた画像から各ＭＲＡＭ素子の保磁力(上の例ではＨ２の画像の磁場)及びそのばらつきを取得することができる。ＭＲＡＭ素子の大きさがカメラ解像度あるいは光学分解能より小の場合は、観察領域の平均的な磁気特性を取得することとなる。
【0048】
ウエーハＷＦで反射した反射光は、対物レンズ３３及びミラーＭ１を透過し、検光子３４に入射する。検光子３４は、反射光に含まれる直線偏光の偏光角の変化を検出する。検光子３４を透過した反射光は、検出器４０に入射する。
【0049】
＜４．検出器＞
検出器４０は、反射光を検出することにより、ウエーハＷＦのパターンを取得する。検出器４０は、ラインセンサ４１を含んでもよい。ラインセンサ４１は、例えば、ＴＤＩ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）を含んでもよい。検出器４０は、第１磁場内におけるＭＲＡＭ素子の位置を変化させた場合の反射光、及び、第２磁場内におけるＭＲＡＭ素子の位置を変化させた場合の反射光を検出する。例えば、検出器４０は、第１磁場内におけるＭＲＡＭ素子の位置を第１スキャン軸方向にスキャンさせた場合の反射光を検出する。また、検出器４０は、第２磁場内におけるＭＲＡＭ素子の位置を第２スキャン軸方向にスキャンさせた場合の反射光を検出する。
検出器４０は、反射光を検出することにより、ウエーハＷＦのパターンを取得する。検出器４０は、ラインセンサ４１を含んでもよい。ラインセンサ４１は、例えば、ＴＤＩ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）を含んでもよい。検出器４０は、第１磁場内におけるＭＲＡＭ素子の位置を変化させた場合の反射光、及び、第２磁場内におけるＭＲＡＭ素子の位置を変化させた場合の反射光を検出する。例えば、検出器４０は、第１磁場内におけるＭＲＡＭ素子の位置を第１スキャン軸方向にスキャンさせた場合の反射光を検出する。また、検出器４０は、第２磁場内におけるＭＲＡＭ素子の位置を第２スキャン軸方向にスキャンさせた場合の反射光を検出する。
【0050】
検査装置１は、偏光子３２により直線偏光となった照明光をウエーハＷＦに照射し、その反射光を、検光子３４を通して検出器４０に入射させている。検光子３４により検出器４０に入射する光量が偏光角にしたがって変化するため、磁化分布が画像化される。ＭＲＡＭ素子に印加される磁場を変化させることにより、磁場に応じた偏光角の分布から、ウエーハＷＦ内のＭＲＡＭ素子の磁気特性を測定することができる。
【0051】
図１３は、実施形態１に係るウエーハＷＦを例示した平面図である。図１３に示すように、ウエーハＷＦは、複数のダイＤＩＥを含んでいる。ダイＤＩＥ形成前の垂直磁化膜のベタ膜のみを検査対象としてもよい。ダイＤＩＥは、例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に短辺及び長辺を有する長方形である。複数のダイＤＩＥは、ウエーハＷＦにおいて、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に空間的に繰り返し周期性を有するように配置されている。ダイＤＩＥは、複数のＭＲＡＭ素子を含んでいる。ＭＲＡＭ素子は、アレイ状に並んだ繰り返し周期性を持つ記憶領域を有している。ラインセンサ４１は、複数のダイＤＩＥを横切るように、例えば、Ｘ軸方向に移動しながら画像を順方向に取得する。Ｘ軸方向に沿った１列の画像の取得が終わると、Ｙ軸方向に移動し、再びＸ軸方向に沿った１列の画像を逆方向から取得する。ウエーハＷＦのダイＤＩＥを全て検査する場合には、逆方向と順方向を、フィルタ処理やスキャン補正用の数画素を含めて隙間なく画像取得すればよい。
【0052】
＜５．情報処理部＞
情報処理部５０は、検出器４０が検出した反射光の画像を処理する。例えば、情報処理部５０は、サーバ装置、パーソナルコンピュータ等の情報処理装置でもよい。情報処理部５０は、第１磁場内における垂直方向の一方の向きの磁場成分における画像と反対向きの磁場成分における画像との差分画像から、垂直方向の磁場成分によるＭＲＡＭ素子の欠陥の検査を行う。また、情報処理部５０は、第２磁場内における面内方向の一方の向きの磁場成分における画像と反対向きの磁場成分における画像との差分画像から、面内方向の磁場成分によるＭＲＡＭ素子の欠陥の検査を行う。
情報処理部５０は、検出器４０が検出した反射光の画像を処理する。例えば、情報処理部５０は、サーバ装置、パーソナルコンピュータ等の情報処理装置でもよい。情報処理部５０は、第１磁場内における垂直方向の一方の向きの磁場成分における画像と反対向きの磁場成分における画像との差分画像から、垂直方向の磁場成分によるＭＲＡＭ素子の欠陥の検査を行う。また、情報処理部５０は、第２磁場内における面内方向の一方の向きの磁場成分における画像と反対向きの磁場成分における画像との差分画像から、面内方向の磁場成分によるＭＲＡＭ素子の欠陥の検査を行う。
【0053】
＜６．検査装置の詳細＞
次に、実施形態１の検査装置の詳細を説明する。図１４は、実施形態１に係る検査装置の詳細を例示した構成図である。図１４に示すように、検査装置１は、ウエーハＷＦの搬送に関する装置Ｗ１～３、検査装置１の基台に関する部材Ｂ１～Ｂ４、電源及び制御部６０をさらに備えてもよい。
次に、実施形態１の検査装置の詳細を説明する。図１４は、実施形態１に係る検査装置の詳細を例示した構成図である。図１４に示すように、検査装置１は、ウエーハＷＦの搬送に関する装置Ｗ１～３、検査装置１の基台に関する部材Ｂ１～Ｂ４、電源及び制御部６０をさらに備えてもよい。
【0054】
ウエーハＷＦの搬送に関する装置Ｗ１～Ｗ３は、ウエーハ搬送ロボットＷ１、事前ウエーハアライメント装置Ｗ２及びウエーハ供給カセットＷ３を含んでいる。ウエーハ搬送ロボットＷ１は、検査するウエーハＷＦをウエーハ供給カセットＷ３から検査装置１の内部に搬送する。事前ウエーハアライメント装置Ｗ２は、ウエーハＷＦの回転角度やシフトを補正する。ウエーハＷＦは、事前ウエーハライメント装置ＰＷＡで調整後、検査装置１のステージ１０に搬送される。
【0055】
検査装置１の基台に関する部材Ｂ１～Ｂ４は、石定盤（Ｂａｓｅ）Ｂ１、アクティブ除振台（Ｉｓｏｌａｔｏｒ）Ｂ２、くさびＢ３、分散板Ｂ４を含んでいる。石定盤Ｂ１は、ステージ１０、光学系３０等の部材が配置される土台となる。アクティブ除振台Ｂ２は、石定盤Ｂ１上の部材の振動を抑制する。くさびＢ３は、石定盤Ｂ１及びアクティブ除振台Ｂ２の水平調整を行う。分散板Ｂ４は、床に対する装置荷重を分散させる。電源及び制御部６０は、検査装置１に電力を供給するとともに、検査装置１の各部を制御する。
【0056】
光学系３０は、さらに、レンズＬ４～Ｌ９、ミラーＭ２～Ｍ４、及び、フィルタ３５～３６を含んでもよい。光源３１から出射した照明光は、レンズＬ４を介して、フィルタ３５を透過することによって、所定の波長帯域を含むようになる。フィルタ３５を透過した照明光は、レンズＬ５を介してミラーＭ２で反射する。ミラーＭ２で反射した照明光は、レンズＬ１及びＬ２を介して偏光子３２を透過する。偏光子３２は、照明光が直線偏光を含むように変換する。直線偏光を含む照明光は、ミラーＭ１によって反射し、レンズＬ６を介して対物レンズ３３によってウエーハＷＦに集光される。なお、ミラーＭ２は、例えば、無偏光ビームスプリッタである。
【0057】
ウエーハＷＦで反射した反射光は、対物レンズ３３、レンズＬ６及びミラーＭ１を透過し、検光子３４に入射する。検光子３４は、反射光に含まれる直線偏光の偏光角の変化を検出するアナライザ（Ａｎａｌｙｚｅｒ）として機能する。検光子３４及びレンズＬ７を透過した反射光は、フィルタ３６で所定の波長帯域を含むようになる。フィルタ３６を透過した反射光は、レンズＬ８を介して、ミラーＭ３で反射する。ミラーＭ３で反射した反射光は、レンズＬ３を介してラインセンサ４１に入射する。ＡＦセンサ３７は、ウエーハＷＦ面の焦点を結ぶための部材である。ＡＦセンサ３７は、ミラーＭ４で光をウエーハＷＦに照射し、反射光を取り込んで焦点調整を行う。ＡＦセンサ３７は、光学系３０で用いられる照明光及び反射光の波長よりも長いあるいは短いレーザ光を使用する。
【0058】
検出器４０は、ウエーハＷＦのパターンを取得する。検出器４０は、複数のラインセンサＡ１及びＡ２、並びに、レビューモニタ４２を有してもよい。複数のラインセンサＡ１及びＡ２は、２個に限らず、３個以上でもよい。検出器４０は、例えば、ＴＤＩ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）センサを含んでもよい。レビューモニタ４２は、ミラーＭ３を透過した反射光をレンズＬ９を介して検出する。レビューモニタ４２は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）センサを含んでもよい。ＣＣＤセンサは、レビューに用いられてもよい。ミラーＭ３の挿入によって、ラインセンサＬ１及びＬ２とレビューモニタ４２との光路の切り替えを行う。
【0059】
＜７．検査方法＞
次に、検査方法を説明する。図１５は、実施形態１に係るＭＲＡＭ素子を含むウエーハＷＦの検査方法を例示したフローチャート図である。図１５のステップＳ１１に示すように、まず、ウエーハＷＦを検査装置１に載置させる。具体的には、ウエーハ搬送ロボットＷ１は、検査するウエーハＷＦをウエーハ供給カセットＷ３から検査装置１の内部に搬送する。
次に、検査方法を説明する。図１５は、実施形態１に係るＭＲＡＭ素子を含むウエーハＷＦの検査方法を例示したフローチャート図である。図１５のステップＳ１１に示すように、まず、ウエーハＷＦを検査装置１に載置させる。具体的には、ウエーハ搬送ロボットＷ１は、検査するウエーハＷＦをウエーハ供給カセットＷ３から検査装置１の内部に搬送する。
【0060】
次に、ステップＳ１２に示すように、事前ウエーハライメント装置Ｗ２は、ウエーハＷＦの回転角度やシフトを補正する。ウエーハＷＦは、事前ウエーハライメント装置Ｗ２で調整後、検査装置１のステージ１０に搬送される。次に、ステップＳ１３に示すように、ウエーハＷＦは、ステージ１０上で位置合わせが行われる。例えば、レーザ干渉計１４を用いてウエーハＷＦの位置合わせを行う。
【0061】
次に、ステップＳ１４に示すように、ＭＲＡＭ素子における垂直方向の磁気特性の検査を行う。また、ステップＳ１５に示すように、ＭＲＡＭ素子における面内方向の磁気特性の検査を行う。なお、ステップＳ１４及びステップＳ１５の順序は、これに限らない。ステップＳ１４において、ＭＲＡＭ素子における面内方向の磁気特性の検査を行った後に、ステップＳ１５において、ＭＲＡＭ素子における垂直方向の磁気特性の検査を行ってもよい。次に、ステップＳ１６に示すように、検査後、ウエーハＷＦを、ステージ１０から除去する。
【0062】
図１６は、実施形態１に係るＭＲＡＭ素子における垂直方向の磁気特性の検査方法を例示したフローチャート図である。図１６のステップＳ２１に示すように、垂直方向の磁場成分を有する第１磁場を形成する。例えば、Ｘ軸方向に対向する電磁石２０ａ及び２０ｂのコイル２１ａ及び２１ｂに、相互に反対向きの電流を印加する。一方、Ｙ軸方向に対向する電磁石２０ｃ及び２０ｄの２個のコイル２１ｃ及び２１ｄには、電流を印加しない。このようにして、複数の電磁石２０を用いて、ステージ面１３に垂直な方向の磁場成分を有する第１磁場を発生させる。
【0063】
次に、ステップＳ２２に示すように、ステージ１０上のウエーハＷＦを移動させる。具体的には、ウエーハＷＦを第１スキャン軸となるα軸に沿ってスキャンさせる。第１磁場内を移動させる際には、第１スキャン軸となるα軸方向は、Ｘ軸方向である。このようにして、ＭＲＡＭ素子を第１磁場内においてスキャンさせる。
【0064】
次に、ステップＳ２３に示すように、検出器４０によって、ウエーハＷＦのＭＲＡＭ素子における磁気光学効果のイメージを取得する。具体的には、ＭＲＡＭ素子の磁気光学効果による偏光角を測定する。そして、スキャン中の磁気極性変化前後の差分画像から、垂直方向の磁場成分を有する第１磁場による欠陥検査を行なう。このようにして、ＭＲＡＭ素子を検査する。
【0065】
次に、ステップＳ２４に示すように、終了するか判断する。検査すべきＭＲＡＭ素子がまだあるＮｏの場合には、ステップＳ２１に戻り、ステップＳ２１～Ｓ２４を繰り返す。一方、検査すべきＭＲＡＭ素子がないＹｅｓの場合には、終了する。
【0066】
図１７は、実施形態１に係るＭＲＡＭ素子における面内方向の磁気特性の検査方法を例示したフローチャート図である。図１７のステップＳ３１に示すように、面内方向の磁場成分を有する第２磁場を形成する。例えば、複数の電磁石２０にＸＹＺ直交座標軸系を固定すると、Ｘ軸方向に対向する電磁石２０ａ及び２０ｂのコイル２１ａ及び２１ｂには、同じ所定の向きの電流を印加する。一方、Ｙ軸方向に対向する電磁石２０ｃ及び２０ｄのコイル２１ｃ及び２１ｄには、コイル２１ａ及び２１ｂと反対向きの電流を印加する。このようにして、ステージ面１３に平行な面内方向の磁場成分を有する第２磁場を発生させる。なお、本実施形態では、複数の電磁石２０を水平面内で４５°回転させ、第２スキャン軸をステージ１０に固定させたＸＹＺ直交座標軸系のＸ軸に合わせる。
【0067】
次に、ステップＳ３２に示すように、ステージ１０上のウエーハＷＦを移動させる。具体的には、ウエーハＷＦを第２スキャン軸となるα軸に沿って移動させる。このようにして、ＭＲＡＭ素子を第２磁場内において移動させる。
【0068】
次に、ステップＳ３３に示すように、検出器４０によって、ウエーハＷＦのＭＲＡＭ素子における磁気光学効果のイメージを取得する。具体的には、ＭＲＡＭ素子の磁気光学効果による偏光角を測定する。このようにして、ＭＲＡＭ素子を検査する。
【0069】
次に、ステップＳ３４に示すように、終了するか判断する。検査すべきＭＲＡＭ素子がまだあるＮｏの場合には、ステップＳ３１に戻り、ステップＳ３１～Ｓ３４を繰り返す。一方、検査すべきＭＲＡＭ素子がないＹｅｓの場合には、終了する。
【0070】
次に、本実施形態の効果を説明する。本実施形態の検査装置１は、ＭＲＡＭ素子の欠陥の検査のために、垂直方向の磁場成分の向きがステージ面１３上の位置によって第１向きから第２向きに変化する第１磁場及び面内方向の磁場成分の向きがステージ面１３上の位置によって第３向きから第４向きに変化する第２磁場を形成することができる。よって、容易軸方向だけでなく困難軸方向の磁気特性を検出することができ、ＭＲＡＭの特性の検出精度を向上させることができる。
【0071】
特許文献１の検査装置は、２個のコイルを含む電磁石によって形成された傾斜磁場中において、ＭＲＡＭ素子をスキャンさせることによりＭＲＡＭ素子の欠陥を検出する。特許文献１の検査装置は、傾斜磁場の垂直方向の磁場成分である容易軸方向の磁場印加による飽和磁化特性を測定する。これにより、特許文献１の検査装置は、ウエーハの欠陥検査を実現している。しかし、ＭＲＡＭ素子の特性把握のためには、磁化しやすい方向の容易軸方向の特性だけでなく、困難軸方向の磁化特性も検査する必要がある。特に、困難軸方向の異方性磁場は、小さな磁場で特性が変化する容易軸方向の磁気特性を変化させずに検査する必要がある。特許文献１の検査装置は、困難軸方向の磁気特性を検出することができないので、ＭＲＡＭの特性の検出精度を向上させることができない。
【0072】
これに対して、本実施形態の検査装置１は、困難軸方向の磁化特性を変化させずに容易軸方向の磁化特性を検出することができるとともに、容易軸方向の磁化特性を変化させずに困難軸方向の磁化特性を検出することができる。よって、ＭＲＡＭの特性の検出精度を向上させることができる。
【0073】
また、本実施形態の検査装置１は、第１磁場及び第２磁場内において、ＭＲＡＭ素子を移動させることにより検査を行う。これに対して、ステージ１０を固定し、電磁石に流す電流を変更させることにより、磁場を変化させる方法は、電流の変更に時間を要する。また、高感度な検出のためには、カメラの露光時間を長くする必要がある。特に、ウエーハＷＦの全面を検査する際には、ウエーハＷＦにおける各ＭＲＡＭ素子を検査位置に移動させた上で、電磁石に流す電流を変更するという測定を繰り返す必要がある。よって、検査時間の増大が問題となる。
【0074】
本実施形態では、電磁石２０のコイル２１に流す電流を検査中に変化させる必要はないので、電流を変更する時間を削減することができる。また、ＭＲＡＭ素子の移動によって磁気特性を検出することができ、検出器４０の露光時間を短縮することができる。
【0075】
（実施形態２）
次に、実施形態２に係る検査装置を説明する。前述の実施形態１の検査装置１は、垂直方向の磁気特性の検査後に、複数の電磁石２０を４５°回転させて、ＭＲＡＭ素子をスキャンさせる。一方、本実施形態の検査装置は、垂直方向の磁気特性の検査後に、ステージ１０を４５°回転させて、ＭＲＡＭ素子をスキャンさせる。
次に、実施形態２に係る検査装置を説明する。前述の実施形態１の検査装置１は、垂直方向の磁気特性の検査後に、複数の電磁石２０を４５°回転させて、ＭＲＡＭ素子をスキャンさせる。一方、本実施形態の検査装置は、垂直方向の磁気特性の検査後に、ステージ１０を４５°回転させて、ＭＲＡＭ素子をスキャンさせる。
【0076】
図１８は、実施形態２に係るＭＲＡＭ素子における垂直方向の磁気特性の検査方法を例示したフローチャート図である。図１８のステップＳ４１に示すように、垂直方向の磁場成分を有する第１磁場を形成する。例えば、Ｘ軸方向に対向する電磁石２０ａ及び２０ｂのコイル２１ａ及び２１ｂに、相互に反対向きの電流を印加する。一方、Ｙ軸方向に対向する電磁石２０ｃ及び２０ｄの２個のコイル２１ｃ及び２１ｄには、電流を印加しない。このようにして、複数の電磁石２０を用いて、ステージ面１３に垂直な方向の磁場成分を有する第１磁場を発生させる。
【0077】
次に、ステップＳ４２に示すように、ステージ１０上のウエーハＷＦを移動させる。具体的には、ウエーハＷＦを第１スキャン軸となるα軸に沿ってスキャンさせる。第１磁場内を移動させる際には、第１スキャン軸となるα軸方向は、Ｘ軸方向である。このようにして、ＭＲＡＭ素子を第１磁場内においてスキャンさせる。
【0078】
次に、ステップＳ４３に示すように、検出器４０によって、ウエーハＷＦのＭＲＡＭ素子における磁気光学効果のイメージを取得する。具体的には、ＭＲＡＭ素子の磁気光学効果による偏光角を測定する。そして、スキャン中の磁場極性変化前後の差分画像から、垂直方向の磁場成分を有する第１磁場による欠陥検査を行なう。このようにして、ＭＲＡＭ素子を検査する。
【0079】
次に、ステップＳ４４に示すように、終了するか判断する。検査すべきＭＲＡＭ素子がまだあるＮｏの場合には、ステップＳ４１に戻り、ステップＳ４１～Ｓ４４を繰り返す。一方、検査すべきＭＲＡＭ素子がないＹｅｓの場合には、終了する。
【0080】
図１９は、実施形態２に係るＭＲＡＭ素子における面内方向の磁気特性の検査方法を例示したフローチャート図である。図１９のステップＳ５１に示すように、面内方向の磁場成分を有する第２磁場を形成する。例えば、複数の電磁石２０にＸＹＺ直交座標軸系を固定すると、Ｘ軸方向に対向する電磁石２０ａ及び２０ｂのコイル２１ａ及び２１ｂに、同じ所定の向きの電流を印加する。一方、Ｙ軸方向に対向する電磁石２０ｃ及び２０ｄのコイル２１ｃ及び２１ｄには、コイル２１ａ及び２１ｂと反対向きの電流を印加する。このようにして、ステージ面１３に平行な面内方向の磁場成分を有する第２磁場を発生させる。なお、本実施形態では、ステージ１０を水平面内で４５°回転させ、第２スキャン軸をステージ１０に固定させたＸＹＺ直交座標軸系のＸ軸に合わせる。
【0081】
次に、ステップＳ５２に示すように、ステージ１０上のウエーハＷＦを移動させる。具体的には、ウエーハＷＦを第２スキャン軸となるα軸に沿って移動させる。このようにして、ＭＲＡＭ素子を磁場内において移動させる。
【0082】
次に、ステップＳ５３に示すように、検出器４０によって、ウエーハＷＦのＭＲＡＭ素子における磁気光学効果のイメージを取得する。具体的には、ＭＲＡＭ素子の磁気光学効果による偏光角を測定する。このようにして、ＭＲＡＭ素子を検査する。
【0083】
次に、ステップＳ５４に示すように、終了するか判断する。検査すべきＭＲＡＭ素子がまだあるＮｏの場合には、ステップＳ５１に戻り、ステップＳ５１～Ｓ５４を繰り返す。一方、検査すべきＭＲＡＭ素子がないＹｅｓの場合には、終了する。
【0084】
本実施形態によれば、複数の電磁石２０の代わりに、ステージ１０の移動部１１を回転させる。これにより、面内方向の磁場を印可した場合のＭＲＡＭ素子の磁化特性を検出することができる。よって、複数の電磁石２０及び光学系３０の移動による位置ずれを抑制することができる。
【0085】
なお、本発明は、上記実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、実施形態１～４の各構成を組み合わせたものも本発明の技術思想の範囲内である。
【符号の説明】
【0086】
１ 検査装置
１０ ステージ
１１ 移動部
１２ 本体部
１３ ステージ面
１４ レーザ干渉計
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ 電磁石
２１、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ コイル
２２、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ ヨーク
２３、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ 垂直部分
２４、２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ 面内部分
２５ 接続板
３０ 光学系
３１ 光源
３２ 偏光子
３３ 対物レンズ
３４ 検光子
３５、３６ フィルタ
３７ ＡＦセンサ
４０ 検出器
４１ ラインセンサ
４２ レビューモニタ
５０ 情報処理部
６０ 電源及び制御部
Ａ１、Ａ２ ラインセンサ
Ｂ１ 石定盤
Ｂ２ アクティブ除振台
Ｂ３ クサビ
Ｂ４ 分散板
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７、Ｌ８、Ｌ９ レンズ
Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４ ミラー
Ｗ０ 検査面
Ｗ１ ウエーハ搬送ロボット
Ｗ２ 事前ウエーハアライメント装置
Ｗ３ ウエーハ供給カセット
ＷＦ ウエーハ
１０ ステージ
１１ 移動部
１２ 本体部
１３ ステージ面
１４ レーザ干渉計
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ 電磁石
２１、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ コイル
２２、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ ヨーク
２３、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ 垂直部分
２４、２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ 面内部分
２５ 接続板
３０ 光学系
３１ 光源
３２ 偏光子
３３ 対物レンズ
３４ 検光子
３５、３６ フィルタ
３７ ＡＦセンサ
４０ 検出器
４１ ラインセンサ
４２ レビューモニタ
５０ 情報処理部
６０ 電源及び制御部
Ａ１、Ａ２ ラインセンサ
Ｂ１ 石定盤
Ｂ２ アクティブ除振台
Ｂ３ クサビ
Ｂ４ 分散板
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７、Ｌ８、Ｌ９ レンズ
Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４ ミラー
Ｗ０ 検査面
Ｗ１ ウエーハ搬送ロボット
Ｗ２ 事前ウエーハアライメント装置
Ｗ３ ウエーハ供給カセット
ＷＦ ウエーハ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】