特開 2024-86518 搬送ユニットおよびそれを含む基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024086518

(43)【公開日】2024-06-27

(54)【発明の名称】搬送ユニットおよびそれを含む基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20240620BHJP

   B25J 15/06 20060101ALI20240620BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 B

B25J15/06 D

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023028345

(22)【出願日】2023-02-27

(31)【優先権主張番号】10-2022-0176184

(32)【優先日】2022-12-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．テフロン

２．ＴＥＦＬＯＮ

(71)【出願人】

【識別番号】598123150

【氏名又は名称】セメス株式会社

【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】７７，４ｓａｎｄａｎ ５－ｇｉｌ，Ｊｉｋｓａｎ－ｅｕｐ，Ｓｅｏｂｕｋ－ｇｕ，Ｃｈｅｏｎａｎ－ｓｉ，Ｃｈｕｎｇｃｈｅｏｎｇｎａｍ－ｄｏ，３３１－８１４ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110000671

【氏名又は名称】ＩＢＣ一番町弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ソン，ドク ヒュン

【テーマコード（参考）】

3C707

5F131

【Ｆターム（参考）】

3C707BS15

3C707FS01

3C707FT08

3C707FT11

3C707FU05

3C707NS13

5F131AA02

5F131AA03

5F131AA32

5F131AA33

5F131BA00

5F131CA17

5F131DA02

5F131DA22

5F131DA42

5F131DB22

5F131DB32

(57)【要約】      （修正有）

【課題】基板を安定的に真空吸着することができ、長期間使用できる搬送ユニットおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置において、搬送ユニットは、ロボットアームと、ロボットアームに連結されるエンドエフェクタ５１を含む。エンドエフェクタは、ボディ７７０と、ボディに形成された真空孔５１１と、ボディ上に真空孔を囲むように設けられ、順次積層された第１パッド層７１１及び第２パッド層７１２を含むパッド７１０と、を含み、第１パッド層は第２パッド層より弾性が大きく、第２パッド層は第１パッド層より硬度が大きい。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ロボットアームと、
前記ロボットアームに連結されるエンドエフェクタを含み、
前記エンドエフェクタは、
ボディと、
前記ボディに形成された真空孔と、
前記ボディ上に前記真空孔を囲むように設けられ、順次積層された第１パッド層と第２パッド層を含むパッドを含み、
前記第１パッド層は前記第２パッド層より弾性が大きく、
前記第２パッド層は前記第１パッド層より硬度が大きい、搬送ユニット。

【請求項2】

前記第１パッド層はテフロンまたはシリコンを含む、請求項１に記載の搬送ユニット。

【請求項3】

前記第２パッド層はピーク（ＰＥＥＫ）またはカーボンピークを含む、請求項２に記載の搬送ユニット。

【請求項4】

前記第１パッド層および前記第２パッド層は伝導性物質を含み、静電気を前記第１パッド層および前記第２パッド層を介して除電する、請求項１に記載の搬送ユニット。

【請求項5】

前記パッドは楕円形状に設けられた、請求項１に記載の搬送ユニット。

【請求項6】

前記第１パッド層の幅は前記第２パッド層の幅より大きい、請求項１に記載の搬送ユニット。

【請求項7】

前記第２パッド層は前記第１パッド層上に前記第１パッド層の外側エッジに沿って形成された、請求項１に記載の搬送ユニット。

【請求項8】

前記第２パッド層は、前記第１パッド層上に楕円形状に形成された第１部分を含む、請求項１に記載の搬送ユニット。

【請求項9】

前記第２パッド層は前記第１部分と前記真空孔の間に配置された第２部分を含む、請求項８に記載の搬送ユニット。

【請求項10】

前記第２部分は前記第１部分と連結され、前記第１部分から前記真空孔に向かって形成された、請求項９に記載の搬送ユニット。

【請求項11】

前記第２部分は前記第１部分と離隔して、アイランド形状に形成された、請求項９に記載の搬送ユニット。

【請求項12】

ロボットアームと、
前記ロボットアームに連結されるエンドエフェクタを含み、
前記エンドエフェクタは、
ボディと、
前記ボディに形成された真空孔と、
前記ボディ上に前記真空孔を囲むように設けられ、第１パッド層と第２パッド層を含むパッドを含み、
前記第１パッド層は前記ボディ上に形成され、
前記第２パッド層の下面は前記第１パッド層と直接接触し、前記第２パッド層の上面は基板と直接接触し、
前記第１パッド層は前記第２パッド層より弾性が大きく、
前記第２パッド層は前記第１パッド層より硬度が大きく、
前記第１パッド層の幅は前記第２パッド層の幅より大きく、
前記第２パッド層は前記第１パッド層の外側エッジに沿って形成され、
前記第１パッド層および前記第２パッド層は楕円形状である、搬送ユニット。

【請求項13】

前記第１パッド層はテフロンまたはシリコンを含み、
前記第２パッド層はピーク（ＰＥＥＫ）またはカーボンピークを含む、請求項１２に記載の搬送ユニット。

【請求項14】

基板が収納された容器が置かれるロードポートと、前記基板を移送するためのインデックスロボットを含むインデックスモジュール、および
プロセスチャンバと、前記基板を前記プロセスチャンバに伝達するメイン搬送ロボットを含むプロセスモジュールを含み、
前記インデックスロボットまたはメイン搬送ロボットは、
ロボットアームと、前記ロボットアームに連結されるエンドエフェクタを含み、
前記エンドエフェクタは、
ボディと、
前記ボディに形成された真空孔と、
前記ボディ上に前記真空孔を囲むように設けられ、順次積層された第１パッド層と第２パッド層を含むパッドを含み、
前記第１パッド層は前記第２パッド層より弾性が大きく、
前記第２パッド層は前記第１パッド層より硬度が大きい、基板処理装置。

【請求項15】

前記第１パッド層はテフロンまたはシリコンを含む、請求項１４に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記第２パッド層はピーク（ＰＥＥＫ）またはカーボンピークを含む、請求項１５に記載の基板処理装置。

【請求項17】

前記第１パッド層および前記第２パッド層は伝導性物質を含み、静電気を前記第１パッド層および前記第２パッド層を介して除電する、請求項１４に記載の基板処理装置。

【請求項18】

前記パッドは楕円形状に設けられた、請求項１４に記載の基板処理装置。

【請求項19】

前記第２パッド層は前記第１パッド層上に前記第１パッド層の外側エッジに沿って形成された、請求項１４に記載の基板処理装置。

【請求項20】

前記第２パッド層は、
前記第１パッド層上に楕円形状に形成された第１部分と、
前記第２パッド層は前記第１部分と前記真空孔の間に配置された第２部分を含む、請求項１４に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は搬送ユニットおよびそれを含む基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置またはディスプレイ装置を製造する際、フォト、エッチング、アッシング、イオン注入、薄膜蒸着、洗浄等多様な工程が実施される。このような様々な段階の工程を行うために、搬送ユニットにより基板が搬送される。例えば、搬送ユニットは真空吸着方式により基板をピックアップして搬送させることができる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本発明が解決しようとする課題は、基板を安定的に真空吸着することができ、長期間使用できる搬送ユニットを提供することにある。

【0004】

本発明が解決しようとする他の課題は、前記搬送ユニットを備える基板処理装置を提供することにある。

【0005】

本発明の課題は以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるものである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

前記課題を達成するための本発明の搬送ユニットの一態様（ａｓｐｅｃｔ）は、ロボットアーム；前記ロボットアームに連結されるエンドエフェクタを含み、前記エンドエフェクタはボディと、前記ボディに形成された真空孔と、前記ボディ上に前記真空孔を囲むように設けられ、順次積層された第１パッド層と第２パッド層を含むパッドを含み、前記第１パッド層は前記第２パッド層より弾性が大きく、前記第２パッド層は前記第１パッド層より硬度が大きい。

【0007】

その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明のいくつかの実施形態による搬送ユニットを説明するための斜視図である。

【図2】図１の搬送ユニットを説明するための概念図である。

【図3】図１の領域Ａの断面図である。

【図4】図２および図３に示すパッドの構成を説明するための平面図である。

【図5】本発明のいくつかの実施形態による搬送ユニットに用いられるパッドの他の例を説明するための平面図である。

【図6】本発明のいくつかの実施形態による搬送ユニットに用いられるパッドの他の例を説明するための平面図である。

【図7】本発明のいくつかの実施形態による搬送ユニットに用いられるパッドの他の例を説明するための平面図である。

【図8】本発明の他の実施形態による搬送ユニットを説明するための斜視図である。

【図9】本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置を説明するための概念図である。

【図10】本発明のいくつかの実施形態による基板処理方法を説明するためのフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付する図面を参照して本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は以下に開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現することができ、本実施形態は単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を指すものとする。

【0010】

空間的に相対的な用語である「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」等は図面に示されているように一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使用される。空間的に相対的な用語は図面に示されている方向に加えて使用時または動作時の素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されなければならない。例えば、図面に示されている素子をひっくり返す場合、他の素子の「下（ｂｅｌｏｗ）」または「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」と記述された素子は他の素子の「上（ａｂｏｖｅ）」に置かれ得る。したがって、例示的な用語の「下」は下と上の方向をすべて含むことができる。素子は他の方向に配向されてもよく、そのため空間的に相対的な用語は配向によって解釈されることができる。

【0011】

第１、第２等が多様な素子、構成要素および／またはセクションを叙述するために使われるが、これらの素子、構成要素および／またはセクションはこれらの用語によって制限されないのはもちろんである。これらの用語は単に一つの素子、構成要素またはセクションを他の素子、構成要素またはセクションと区別するために使用する。したがって、以下で言及される第１素子、第１構成要素または第１セクションは本発明の技術的思想内で第２素子、第２構成要素または第２セクションであり得るのはもちろんである。

【0012】

以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明し、添付図面を参照して説明するにあたり図面符号に関係なく同一であるかまたは対応する構成要素は同じ参照番号を付与し、これに係る重複する説明は省略する。

【0013】

図１は本発明のいくつかの実施形態による搬送ユニットを説明するための斜視図である。図２は図１の搬送ユニットを説明するための概念図である。図３は図１の領域Ａの断面図である。図４は図２および図３に示すパッドの構成を説明するための平面図である。

【0014】

まず図１を参照すると、本発明のいくつかの実施形態による搬送ユニットは、ハウジング１０上に取り付けられたロボットアーム２０，３０と、ロボットアーム２０，３０に設けられたエンドエフェクタ（ｅｎｄ ｅｆｆｅｃｔｏｒ，５１）を含む。
ハウジング１０はロボットアーム２０，３０を支持するための部材である。ハウジング１０は固定されることもでき、移動機構（例えば、レール）により移動することもできる。

【0015】

ロボットアーム２０，３０はハウジング１０上に連結されたベースアーム２０と、ベースアーム２０の先端部に締結された先端アーム３０を含む。図面ではロボットアーム２０，３０の関節が２個ある場合を示しているが、これに限られない。例えば、関節が１個だけであってもよく、３個以上であってもよい。

【0016】

エンドエフェクタ５１は先端アーム３０の先端に回転可能に締結される。エンドエフェクタ５１はハンドとも呼ばれる。エンドエフェクタ５１は基板Ｗの下で、基板Ｗを真空方式で吸着して固定させることができる。

【0017】

このような搬送ユニットは第１位置（例えば、インデックスモジュール）から第２位置（例えば、ロードロックモジュール）に基板を移動させる。

【0018】

図２を参照すると、エンドエフェクタ５１はボディ７７０、真空孔５１１，５１２，５１３、パッド７１０，７２０，７３０を含む。

【0019】

ボディ７７０は実質的に平らな上面を有することができる。また、ボディ７７０は図示のように、２個のフィンガ７７０ａ，７７０ｂが互いに離隔した形態で示されているが、これに限られない。ボディ７７０は１個のフィンガで構成されることもでき、３個以上の離隔したフィンガで構成されることもできる。

【0020】

ボディ７７０には複数の真空孔５１１，５１２，５１３が形成されている。例えば、真空孔５１１，５１２，５１３は一側のフィンガ７７０ａに設けられた第１真空孔５１１、他側のフィンガ７７０ｂに設けられた第２真空孔５１２、一側のフィンガ７７０ａと他側のフィンガ７７０ｂを連結する連結部７７０ｃに設けられた第３真空孔５１３を含むことができる。真空孔５１１，５１２，５１３が設けられる位置は示されたものに限られない。

【0021】

コントローラ５５０はメインライン７５０および複数の分岐ライン７５１，７５２，７５３を介して複数の真空孔５１１，５１２，５１３に連結される。

【0022】

例えば、コントローラ５５０はメインライン７５０と連結され、メインライン７５０は特定の分岐点で第１分岐ライン７５１、第２分岐ライン７５２および第３分岐ライン７５３に分かれる。第１分岐ライン７５１は第１真空孔５１１に、第２分岐ライン７５２は第２真空孔５１２に、第３分岐ライン７５３は第３真空孔５１３に連結される。

【0023】

メインライン７５０に弁５３０が設けられることができ、弁５３０のオン／オフに応じて複数の真空孔５１１，５１２，５１３に提供される真空吸着が調整されることができる。図示とは異なり、複数の分岐ライン７５１，７５２，７５３それぞれに弁が設けられ、複数の真空孔５１１，５１２，５１３それぞれに提供される真空吸着が調整されることができる。

【0024】

コントローラ５５０が弁５３０のオン／オフで真空孔の圧力を調整できる場合を説明したが、これに限られない。弁を用いずとも他の構成要素で真空吸着を調整することもできる。

【0025】

図３および図４を参照すると、パッド７１０はボディ７７０の真空孔５１１を囲むように設けられ、順次積層された第１パッド層７１１および第２パッド層７１２を含む。

【0026】

第２パッド層７１２の上面は基板と直接接触し、長時間使用すると表面摩耗が発生し得る。したがって、第２パッド層７１２は硬度が高い物質を使用して表面摩耗を最小化することができる。

【0027】

前述したように、第２パッド層７１２は硬度が大きい物質を使用するが、硬度が大きい物質は弾性不足により真空吸着時に吸着力が劣り得る。したがって、第２パッド層７１２の下の第１パッド層７１１は相対的に弾性が大きい物質を使用して第２パッド層７１２の不足した弾性を補完する役割をする。

【0028】

結果的に、第１パッド層７１１は第２パッド層７１２より弾性が大きく、第２パッド層７１２は第１パッド層７１１より硬度が大きい。

【0029】

このような特徴を有する第１パッド層７１１と第２パッド層７１２の物質を例に挙げると、第１パッド層７１１はテフロン（ｔｅｆｌｏｎ）またはシリコンを含むことができる。第２パッド層７１２はピーク（ＰＥＥＫ（ＰｏｌｙＥｔｈｅｒ Ｅｔｈｅｒ Ｋｅｔｏｎｅ））またはカーボンピーク（ｃａｒｂｏｎ ＰＥＥＫ）を含むことができる。

【0030】

さらに、第１パッド層７１１と第２パッド層７１２は伝導性を有することができる。例えば、第１パッド層７１１と第２パッド層７１２は伝導性ペレット（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｐｅｌｌｅｔｓ）を含むことができる。第１パッド層７１１と第２パッド層７１２が伝導性ペレットを含むことによって、静電気が発生したとき第１パッド層７１１と第２パッド層７１２を介して静電気を除電することができる。

【0031】

また、図４に示すように、パッド７１０（特に、第２パッド層７１２）は楕円形状であり得る。楕円形状のパッド７１０が、円形状のパッドに比べて、真空破壊時に有利であるからである。

【0032】

また、図３に示すように、第１パッド層７１１の幅ｗ１は、第２パッド層７１２の幅ｗ２に比べて大きい。第１パッド層７１１の幅ｗ１を相対的に広げることによって、真空により吸着できる基板Ｗの面積を最大化することができる。第２パッド層７１２の幅ｗ２を相対的に小さくすることによって、基板Ｗと第２パッド層７１２の物理的接触面積を最小化することができる。

【0033】

パッド７１０がこのような構成を有することによって、安定した基板Ｗの吸着および固定が可能であり、基板Ｗと第２パッド層７１２がくっついてしまう現象を防止することができ、真空破壊時に基板Ｗが第２パッド層７１２から簡単に分離される。

【0034】

図示のように、第２パッド層７１２は第１パッド層７１１上に、第１パッド層７１１の外側エッジに沿って形成されるが、これに限られない。パッド７１０がこのような構成を有することによって、限定された領域で真空により吸着できる基板Ｗの面積を大きくを維持しながら、基板Ｗと第２パッド層７１２の物理的接触面積を調整することができる。

【0035】

一方、図３および図４では真空孔５１１とパッド７１０について説明したが、他の真空孔５１２，５１３とパッド７２０，７３０についても実質的に同一に適用することができる。

【0036】

また、パッド７１０が２個のパッド層７１１，７１２からなる場合を示しているが、これに限られない。例えば、パッド７１０が３個以上のパッド層で構成されることもできる。例えば、第１パッド層７１１と第２パッド層７１２の間に、第１パッド層７１１の弾性値と第２パッド層７１２の弾性値の間の弾性値を有する第３パッド層が配置されることもできる。

【0037】

図５ないし図７は本発明のいくつかの実施形態による搬送ユニットに用いられるパッドを説明するための平面図である。説明の便宜上図１ないし図４を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。

【0038】

図５ないし図７を参照すると、パッド７１０の第２パッド層７１２は、楕円形状に形成された第１部分７１２ａ、および第１部分７１２ａと真空孔５１１の間に配置された第２部分７１２ｂ，７１２ｃ，７１２ｄを含む。第１部分７１２ａと第２部分７１２ｂ，７１２ｃ，７１２ｄは基板Ｗと物理的に接触する。シミュレーション等により基板Ｗとの物理的接触面積が不足して真空効果が劣ると判断される場合、第２部分７１２ｂ，７１２ｃ，７１２ｄを用いることによって基板Ｗとの物理的接触面積を増加させることができる。第２部分７１２ｂ，７１２ｃ，７１２ｄの形状は図５ないし図７に示すように多様であるが、これに限られない。

【0039】

図５に示すように、第２部分７１２ｂは楕円形状であり得る。第２部分７１２ｂは第２部分７１２ｂの内側領域だけでなく、第１部分７１２ａと第２部分７１２ｂの間にも真空を形成できるように、第２部分７１２ｂには隙間（ａｐｅｒｔｕｒｅ，７１３）が形成されている。

【0040】

図６に示すように、パッド７１０の第２パッド層７１２は、楕円形状に形成された第１部分７１２ａと、第１部分７１２ａから真空孔５１１に向かって形成された第２部分７１２ｃを含む。

【0041】

図７に示すように、パッド７１０の第２パッド層７１２は、楕円形状に形成された第１部分７１２ａと、第１部分７１２ａと離隔してアイランド形状に形成された第２部分７１２ｄを含む。

【0042】

図８は本発明の他の実施形態による搬送ユニットを説明するための斜視図である。説明の便宜上図１ないし図４を用いて説明した内容と異なる点を中心に説明する。

【0043】

図８を参照すると、本発明のいくつかの実施形態による搬送ユニットは、ハウジング１０上に取り付けられたロボットアーム２０，３０と、ロボットアーム２０，３０に設けられた複数のエンドエフェクタ５１，５３を含む。下に配置されたエンドエフェクタ５１は基板Ｗ１を支持して、上に配置されたエンドエフェクタ５３は基板Ｗ２を支持する。

【0044】

前述したように、エンドエフェクタ５１には真空孔（図２の５１１，５１２，５１３を参照）およびパッド（図２の７１０，７２０，７３０を参照）が形成されることができる。エンドエフェクタ５３には真空孔５１１ａ，５１２ａ，５１３ａおよびパッド（図示せず）が形成されることができる。ロボットアーム２０，３０により、複数のエンドエフェクタ５１，５３それぞれが基板Ｗ１，Ｗ２をピックアップするか、基板Ｗ１，Ｗ２を安着させることができる。

【0045】

図９は本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置を説明するための概念図である。

【0046】

図９を参照すると、本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置１は、インデックスモジュール１００、ロードロックモジュール３００、およびプロセスモジュール２００を含む。インデックスモジュール１００、ロードロックモジュール３００、およびプロセスモジュール２００が配列された方向が第１方向Ｘであり、上部から見るとき第１方向Ｘと垂直な方向が第２方向Ｙであり、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に垂直な方向が第３方向Ｚである。

【0047】

インデックスモジュール１００はロードポート１２０、移送フレーム１４０を含む。
ロードポート１２０には複数の基板Ｗが収納された容器１０９が安着する。ロードポート１２０は複数が提供され、これらは第２方向Ｙに沿って一列に配置される。図９では３個のロードポート１２０が提供された場合を示しているが、これに限られない。ロードポート１２０の個数はプロセスモジュール２００の工程効率およびフットプリント等の条件によって増加または減少し得る。容器１０９は前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）であり得るが、これに限られない。

【0048】

移送フレーム１４０はロードポート１２０に安着した容器１０９、ロードロックモジュール３００の間に基板Ｗを搬送する。移送フレーム１４０はインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４を含む。インデックスレール１４２はその長手方向が第２方向Ｙと平行に提供されることができる。インデックスロボット１４４はインデックスレール１４２上に設けられ、インデックスレール１４２に沿って第２方向Ｙに直線移動することができる。インデックスロボット１４４はハウジング１４４ａ、ロボットアーム１４４ｂ，１４４ｃ、そしてエンドエフェクタ１４４ｄ等を含む。ハウジング１４４ａはインデックスレール１４２に沿って移動可能なように設けられる。ロボットアーム１４４ｂ，１４４ｃはハウジング１４４ａで回転可能であり、ハウジング１４４ａに対して前進／後進移動が可能なように提供される。エンドエフェクタ１４４ｄは基板Ｗを真空方式で吸着して移動させることができる。

【0049】

ロードロックモジュール３００は移送フレーム１４０と搬送ユニット２４０の間に配置される。ロードロックモジュール３００はプロセスモジュール２００に搬入される基板Ｗに対してインデックスモジュール１００の常圧雰囲気をプロセスモジュール２００の真空雰囲気に置換するか、インデックスモジュール１００に搬出される基板Ｗに対してプロセスモジュール２００の真空雰囲気をインデックスモジュール１００の常圧雰囲気に置換する。ロードロックモジュール３００は搬送ユニット２４０と移送フレーム１４０の間に基板Ｗが搬送される前に基板Ｗが滞留する空間を提供する。このようなロードロックモジュール３００はロードロックチャンバ３２０およびアンロードロックチャンバ３４０を含む。

【0050】

ロードロックチャンバ３２０はインデックスモジュール１００からプロセスモジュール２００に搬送される基板Ｗが一時的に滞留する。ロードロックチャンバ３２０は待機状態で常圧雰囲気を維持し、プロセスモジュール２００に対して遮断されるが、インデックスモジュール１００に対して開放された状態を維持する。ロードロックチャンバ３２０に基板Ｗが搬入されると、内部空間をインデックスモジュール１００とプロセスモジュール２００それぞれに対して密閉する。その後、ロードロックチャンバ３２０の内部空間を常圧雰囲気から真空雰囲気に置換し、インデックスモジュール１００に対して遮断された状態でプロセスモジュール２００に対して開放される。

【0051】

アンロードロックチャンバ３４０はプロセスモジュール２００からインデックスモジュール１００に搬送される基板Ｗが一時的に滞留する。アンロードロックチャンバ３４０は待機状態で真空雰囲気を維持し、インデックスモジュール１００に対して遮断されるが、プロセスモジュール２００に対して開放された状態を維持する。アンロードロックチャンバ３４０に基板Ｗが搬入されると、内部空間をインデックスモジュール１００とプロセスモジュール２００それぞれに対して密閉する。その後、アンロードロックチャンバ３４０の内部空間を真空雰囲気から常圧雰囲気に置換し、プロセスモジュール２００に対して遮断された状態でインデックスモジュール１００に対して開放される。

【0052】

プロセスモジュール２００は搬送ユニット２４０および複数のプロセスチャンバ２６０を含む。

【0053】

搬送ユニット２４０はロードロックチャンバ３２０、アンロードロックチャンバ３４０、そして複数のプロセスチャンバ２６０の間に基板Ｗを搬送する。搬送ユニット２４０は搬送チャンバ２４２およびメイン搬送ロボット２５０を含む。搬送チャンバ２４２は六角形の形状で提供されるが、これに限られない。選択的に搬送チャンバ２４２は正方形、長方形または五角形形状であり得る。搬送チャンバ２４２の周囲にはロードロックチャンバ３２０、アンロードロックチャンバ３４０、そして複数のプロセスチャンバ２６０が位置する。搬送チャンバ２４２の内部には基板Ｗを搬送するための搬送空間２４４に提供される。

【0054】

メイン搬送ロボット２５０は搬送空間２４４で基板Ｗを搬送する。メイン搬送ロボット２５０は搬送チャンバ２４２の中央部に位置できるが、これに限られない。メイン搬送ロボット２５０は少なくとも一つのロボットアーム２５３およびハンド（すなわち、エンドエフェクタ，２５２）を含む。少なくとも一つのハンド２５２は水平方向、垂直方向に移動することができ、水平面上で前進、後進または回転が可能である。各ハンド２５２は独立駆動が可能であり、基板Ｗはハンド２５２に水平状態で安着することができる。

【0055】

プロセスチャンバ２６０では、例えば、プラズマ基板処理が行われることができる。例えば、エッチング工程、アッシング工程、乾燥工程等が行われることができる。これとは異なり、プロセスチャンバ２６０で行われる工程は、プラズマ基板処理工程でない、ガスを用いて基板を処理する工程であり得る。

【0056】

メイン搬送ロボット２５０またはインデックスロボット１４４として、図１ないし図８を用いて説明した搬送ユニットが用いられる。

【0057】

図１０は本発明のいくつかの実施形態による基板処理方法を説明するためのフローチャートである。

【0058】

図１０を参照すると、先に搬送ユニットが提供される（Ｓ８１０）。

【0059】

具体的には、搬送ユニットは図１ないし図８を用いたものであり得る。例えば、搬送ユニットはボディと、ボディに形成された真空孔と、ボディ上に真空孔を囲むように設けられ、順次積層された第１パッド層と第２パッド層を含むパッドを含む。ここで、第１パッド層は第２パッド層より弾性が大きく、第２パッド層は第１パッド層より硬度が大きい。例えば、第１パッド層はテフロンまたはシリコンを含むことができ、第２パッド層はピーク（ＰＥＥＫ）またはカーボンピークを含むことができる。第１パッド層の幅は第２パッド層の幅より大きくてもよく、第２パッド層は前記第１パッド層上に、前記第１パッド層の外側エッジに沿って形成されることができる。

【0060】

第１パッド層および前記第２パッド層は楕円形状であり得る。

【0061】

次に、搬送ユニットは第１位置で基板をピックアップする（Ｓ８２０）。搬送ユニットは第２位置で基板を安着させる（Ｓ８３０）。

【0062】

具体的には、搬送ユニットは第１位置（例えば、ロードポート（図９の１２０））で基板をピックアップして第２位置（例えば、図９のロードロックチャンバ３２０）で基板を安着させる。

【0063】

または、搬送ユニットは第１位置（例えば、図９のロードロックチャンバ３２０）で基板をピックアップして第２位置（例えば、図９のプロセスチャンバ２６０）で基板を安着させる。

【0064】

または、搬送ユニットは第１位置（例えば、図９のプロセスチャンバ２６０）で基板をピックアップして第２位置（例えば、図９のアンロードロックチャンバ３４０）で基板を安着させる。

【0065】

以上と添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】