特開 2024-86523 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024086523

(43)【公開日】2024-06-27

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240620BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201L

H01G4/30 515

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023050449

(22)【出願日】2023-03-27

(31)【優先権主張番号】10-2022-0176005

(32)【優先日】2022-12-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】チュン、ヒー スン

(72)【発明者】

【氏名】キム、ジン ウー

(72)【発明者】

【氏名】キム、テ ヒュン

(72)【発明者】

【氏名】リー、ヒョ ジュ

(72)【発明者】

【氏名】ヨーン、セオク ヒュン

(72)【発明者】

【氏名】キム、ジェオン リェオル

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AE00

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE01

5E082FF05

5E082FG26

5E082GG10

(57)【要約】      （修正有）

【課題】誘電率が向上した積層型電子部品を提供する。
【解決手段】積層型電子部品は、複数の誘電体結晶粒２０を含む誘電体層１１１及び誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む本体と、本体上に配置される外部電極とを含む。複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つ以上は、内側のコア２１とコアの少なくとも一部をカバーするシェル２２とを含むコア－シェル構造を有し、上記コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒の平均大きさに対する上記コアの平均大きさの割合は、０．４以上０．８以下であり、誘電体層に含まれたスズ（Ｓｎ）のモル数に対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数とテルビウム（Ｔｂ）のモル数の合計の割合（（Ｄｙ＋Ｔｂ）／Ｓｎ）は、０．７以上１．５以下を満たし、誘電体層のうち少なくとも一つ以上は、第１方向に４個以上の誘電体結晶粒が存在する。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の誘電体結晶粒を含む誘電体層及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極とを含み、
前記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つ以上は、内側のコアと前記コアの少なくとも一部をカバーするシェルとを含むコア－シェル構造を有し、
前記コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒の平均大きさに対する前記コアの平均大きさの割合は、０．４以上０．８以下であり、
前記誘電体層に含まれたスズ（Ｓｎ）のモル数に対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数とテルビウム（Ｔｂ）のモル数の合計の割合（（Ｄｙ＋Ｔｂ）／Ｓｎ）は、０．７以上１．５以下を満たし、
前記誘電体層のうち少なくとも一つ以上は、前記第１方向に４個以上の誘電体結晶粒が存在する、積層型電子部品。

【請求項2】

前記誘電体層において前記第１方向に直線Ｌを引いた時、前記直線Ｌ上に存在する前記誘電体結晶粒の数が４個以上７個以下の誘電体層を少なくとも一つ以上含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記誘電体結晶粒の平均大きさは、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記誘電体結晶粒の平均大きさに対する大きさの標準偏差は、±１００ｎｍ以下である、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記ジスプロシウム（Ｄｙ）の含量は、前記コアより前記シェルでより高い、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記コアの平均大きさは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記コアの平均大きさに対する大きさの標準偏差は、±７５ｎｍ以下である、請求項６に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する前記スズ（Ｓｎ）のモル数は、１．０モル以上２．０モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する前記ジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数は、０．７モル以上１．５モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する前記テルビウム（Ｔｂ）のモル数は、０．２モル以上１．５５モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する前記ジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数とテルビウム（Ｔｂ）のモル数の合計は、１．１モル以上２．２５モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記本体は、前記第１方向に互いに向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面及び第４面、前記第１面、前記第２面、前記第３面及び前記第４面と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面及び第６面を含み、前記誘電体層と前記内部電極を含む容量形成部及び前記容量形成部の前記第１方向の両端面に配置されるカバー部を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記容量形成部の前記第３方向の両端面に配置されるサイドマージン部を含む、
請求項１２に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記誘電体層の前記第１方向の平均大きさは、０．６μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記積層型電子部品のサイズは、１００５（長さ×幅：１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下である、請求項１から１４のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

複数の誘電体結晶粒を含む誘電体層及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極とを含み、
前記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つ以上は、内側のコアと前記コアの少なくとも一部をカバーするシェルとを含むコア－シェル構造を有し、
前記コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒の平均大きさに対する前記コアの平均大きさの割合は、０．４以上０．８以下であり、
前記誘電体層に含まれたスズ（Ｓｎ）のモル数に対する希土類元素（ＲＥ）モル数の割合（ＲＥ／Ｓｎ）は、０．７以上１．５以下を満たし、
前記誘電体層のうち少なくとも一つ以上は、前記第１方向に４個以上の誘電体結晶粒が存在する、積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話など、様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を達成するチップ型のコンデンサである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという長所により、様々な電子装置の部品として用いられることができる。コンピュータ、モバイル機器など各種の電子機器が小型化、高出力化されることにより、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求も増大している。

【0004】

最近開発された超小型製品の場合、薄層設計適用が限界に近づいており、基本的な製品の信頼性を確保するための最小設計厚さの条件下で製品のさらなる特性を極大化することが要求されている。そこで、材料的な観点における設計変更に対する研究が活発に進行されており、従来の場合、薄層設計機種で微粒母材を活用して製品の特性を安定化させようとしたが、粒成長速度の制御が難しく、高誘電率を出すために粒子を過粒成長させる工程が適用されていた。

【0005】

そこで、上記問題点を解決するために、誘電体の誘電特性を向上させて一定の電圧印加条件下で実現可能な有効誘電率を増加（誘電率の減少率を低下）させることが必要であり、誘電体物質内の誘電率の向上に大きな寄与度を有する格子点欠陥のないコアの特性を向上させることが必要である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】韓国公開特許公報第１０－２０２２－００８８０９９号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明が解決しようとする様々な課題の一つは、誘電体結晶粒の大きさは小さく、誘電体結晶粒のコアの割合を向上させて誘電率が向上した積層型電子部品を提供することである。

【0008】

本発明が解決しようとする様々な課題の一つは、誘電体粉末製造工程の最適化及び多様な組成成分を限定し誘電体結晶粒のコア割合を向上させて、誘電体粒子の粒成長速度、大きさ及び散布を制御して積層型電子部品の特性を極大化させることである。

【0009】

但し、本発明が解決しようとする様々な課題は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、複数の誘電体結晶粒を含む誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極とを含み、上記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つ以上は、内側のコアと上記コアの少なくとも一部をカバーするシェルとを含むコア－シェル構造を有し、上記コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒の平均大きさに対する上記コアの平均大きさの割合は、０．４以上０．８以下であり、上記誘電体層に含まれたスズ（Ｓｎ）のモル数に対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数とテルビウム（Ｔｂ）のモル数の合計の割合（（Ｄｙ＋Ｔｂ）／Ｓｎ）は、０．７以上１．５以下を満たし、上記誘電体層のうち少なくとも一つ以上は、上記第１方向に４個以上の誘電体結晶粒が存在することができる。

【0011】

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、複数の誘電体結晶粒を含む誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極とを含み、上記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つ以上は、内側のコアと上記コアの少なくとも一部をカバーするシェルとを含むコア－シェル構造を有し、上記コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒の平均大きさに対する上記コアの平均大きさの割合は、０．４以上０．８以下であり、上記誘電体層に含まれたスズ（Ｓｎ）のモル数に対する希土類元素（ＲＥ）モル数の割合（ＲＥ／Ｓｎ）は、０．７以上１．５以下を満たし、上記誘電体層のうち少なくとも一つ以上は、上記第１方向に４個以上の誘電体結晶粒が存在することができる。

【発明の効果】

【0012】

本発明の様々な効果のうち一つは、誘電体結晶粒の大きさは小さく、誘電体結晶粒のコアの割合を向上させて誘電率が向上した積層型電子部品を提供することである。

【0013】

本発明の様々な効果のうち一つは、電圧印加時に発生し得る有効容量の減少率を最小化して積層型電子部品の電圧印加条件における有効誘電率を向上させることである。

【0014】

但し、本発明の多様かつ有益な長所と効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものである。

【図2】内部電極の積層構造を示した分離斜視図を概略的に示したものである。

【図3】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図4】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図5】図３のＰ領域の拡大図を概略的に示したものである。

【図6】本発明の一実施形態の容量形成部Ａｃを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した画像イメージである。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下では、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかしながら、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。

【0017】

そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面で示された各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のため任意に示したため、本発明が必ずしも図示されたものに限定されるものではない。また、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というとき、これは特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0018】

図面において、第１方向は積層方向または厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義されることができる。

【0019】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、内部電極の積層構造を示した分離斜視図を概略的に示したものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図５は、図３のＰ領域の拡大図を概略的に示したものである。

【0020】

以下、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品について詳しく説明する。但し、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は、誘電体組成物を用いる多様な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用されることができる。

【0021】

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、複数の誘電体結晶粒を含む誘電体層１１１及び上記誘電体層１１１と第１方向に交互に配置される内部電極１３１、１３２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２とを含み、上記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つ以上は、内側のコア２１と上記コア２１の少なくとも一部をカバーするシェル２２とを含むコア－シェル構造を有し、上記コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒の平均大きさに対する上記コア２１の平均大きさの割合は、０．４以上０．８以下であり、上記誘電体層に含まれたスズ（Ｓｎ）のモル数に対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数とテルビウム（Ｔｂ）のモル数の合計の割合（（Ｄｙ＋Ｔｂ）／Ｓｎ）は、０．７以上１．５以下を満たし、上記誘電体層１１１のうち少なくとも一つ以上は、上記第１方向に４個以上の誘電体結晶粒が存在することができる。

【0022】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。

【0023】

より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに向かい合うように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含み容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

【0024】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体状またはこれと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではないが、実質的に六面体状を有することができる。

【0025】

本体１１０は、第１方向に互いに向かい合う第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面３及び第４面４、第１面１、第２面２、第３面３及び第４面４と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面５及び第６面６を有することができる。

【0026】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は、焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いずには確認し難いほど一体化されることができる。

【0027】

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り、制限されない。一般的にペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料またはチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１等が挙げられる。

【0028】

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末に本発明の目的に応じて多様なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

【0029】

一方、最近開発された超小型製品の場合、薄層設計の適用が限界に近づいており、基本的な製品の信頼性を確保するための最小設計厚さの条件下で製品の追加的な特性を極大化することが要求されている。そこで、材料的な観点からの設計変更に対する研究が活発に進行されており、従来の場合、薄層設計機種で微粒母材を活用して製品の特性を安定化させようとしたが、粒成長速度の制御が難しく、高誘電率を出すために粒子を過粒成長させる工程が適用されていた。

【0030】

そこで、上記問題点を解決するために、誘電体の誘電特性を向上させて一定の電圧印加条件下で実現可能な有効誘電率を増加（誘電率の減少率を低下）させることが必要であり、誘電体物質内の誘電率の向上に大きな寄与度を有する格子点欠陥のないコアの特性を向上させることが必要である。

【0031】

そこで、本発明の一実施形態は、誘電特性を極大化するために、誘電体物質のコア特性を向上させることができるように、焼成前の誘電体粒子を含む母材の大きさを微粒ではなく組立母材を利用し、多様な焼成条件または工程条件を制御するために最適な組成で設計した。

【0032】

より具体的に、ＢａＴｉＯ_３系誘電体は、一般的に常温で正方晶系構造（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有するが、添加剤などの一部元素が置換された領域、例えばシェル（ｓｈｅｌｌ）領域は、立方晶系構造（ｃｕｂｉｃ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）の格子構造に変形されることができ、このように格子構造を変形させることで双極子（ｄｉｐｏｌｅ）モーメントのある相（ｐｈａｓｅ）に転換することができる。

【0033】

一般的に、焼成後に誘電体結晶粒で観察されるコア（ｃｏｒｅ）領域の大きさは、焼成前の誘電体粒子母材の大きさにより決定され、誘電体粒子を焼結するか粒成長する段階ではコアの大きさに影響をほとんど及ぼさないため、焼成後の誘電体結晶粒のコアの大きさで焼成前の誘電体粒子母材の大きさ及び粒成長率を予測することができる。

【0034】

一方、誘電体の有効容量は、誘電体結晶粒内で、立方晶系構造（ｃｕｂｉｃ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する領域の大きさに対して正方晶系構造（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する領域の大きさが大きい場合に向上すると知られている。換言すると、同一の大きさを有する誘電体結晶粒中（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｓｉｚｅ／ｃｕｂｉｃ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｓｉｚｅ）の割合が大きい誘電体粒子であるほど、誘電率が向上することができる。

【0035】

また、添加剤などの一部元素が置換されたシェル領域は、格子（ｌａｔｔｉｃｅ）大きさの単位で酸素空孔（ｏｘｙｇｅｎ ｖａｃａｎｃｙ）や欠陥双極子（ｄｅｆｅｃｔ ｄｉｐｏｌｅ）などのイオン欠陥により格子内の欠陥が発生したドメインウォール（ｄｏｍａｉｎ ｗａｌｌ）が生成し得て、このような欠陥格子は、電界（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）印加時に、非可逆的なドメインウォールモーション（ｍｏｔｉｏｎ）を発生させるようになり、電圧印加時に実現可能な有効容量の減少を起こし得る。即ち、誘電体結晶粒の大きさに対してコアの大きさが増加する場合、ＤＣ－ｂｉａｓ電圧印加時に有効容量が向上することができる。

【0036】

そこで、本発明では、電圧印加時に有効容量を極大化するために誘電体結晶粒内のコアの大きさ割合を向上させられるように、組立母材を使用するものの、粒成長率を最小化することができるように制御可能な組成系の適用及び非可逆ドメインウォールモーションによる誘電率損失分を最小化するために格子欠陥濃度を最小化した組成の設計により、有効容量の確保及び誘電率の減少率の改善効果を実現することができる。

【0037】

本発明の一実施形態において、誘電体層１１１は、第１方向に４個以上の誘電体結晶粒が存在する誘電体層を少なくとも一つ以上含むことができ、誘電体層１１１に含まれたスズ（Ｓｎ）のモル数に対する希土類元素（ＲＥ）のモル数の割合（ＲＥ／Ｓｎ）は、０．７以上１．５以下を満たすことができ、ここで希土類元素（ＲＥ）は、好ましくジスプロシウム（Ｄｙ）及びテルビウム（Ｔｂ）を含むことができる。

【0038】

誘電体結晶粒は、複数の誘電体結晶粒を含むことができ、複数の誘電体結晶粒２０のうち少なくとも一つ以上は、内側のコア２１と上記コア２１の少なくとも一部をカバーするシェル２２とを含むコア－シェル構造を有することができる。

【0039】

コア２１とシェル２２を区分する基準は、走査電子顕微鏡－エネルギー分散分光法（ＳＥＭ－ＥＤＳ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）または透過電子顕微鏡－エネルギー分散分光法（ＴＥＭ－ＥＤＳ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ－ Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析を通じて進行することができ、コア－シェル構造の誘電体結晶粒に含まれた希土類元素の含量を基準として区分することができる。例えば、希土類元素の一種類であるジスプロシウム（Ｄｙ）の場合、コア内部への拡散が難しいため、誘電体結晶粒のＥＤＳ分析時にＤｙが拡散しない原型の領域をコアと定義し、コアをカバーするか取り囲んでいる領域をシェルと定義することができる。換言すると、コアから誘電体結晶粒までの領域をシェルと定義することができる。

【0040】

より好ましくは、コア－シェル構造を有する一つの誘電体結晶粒において、ラインプロファイル（ｌｉｎｅ－ｐｒｏｆｉｌｅ）を利用して分析した時、Ｄｙの含量が急激に変化する地点を基準として、Ｄｙの含量が少ない領域をコアと定義し、Ｄｙの含量が高い領域をシェルと定義することができる。

【0041】

また、誘電体層１１１は、第１方向に４個以上の誘電体結晶粒を含むことができ、誘電体結晶粒の上限は特に限定する必要はないが、好ましくは７個以下の誘電体結晶粒を含むことができる。

【0042】

すなわち、第１方向に４個以上７個以下の誘電体結晶粒が存在する誘電体層１１１が少なくとも一つ以上存在することができる。

【0043】

ここで、第１方向に存在する４個以上の誘電体結晶粒は、コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒だけを意味するものではなく、コア－シェル構造を有しない誘電体結晶粒を含むことができる。

【0044】

より具体的に、図５を参照して説明すると、本発明の一実施形態において、誘電体層１１１は、複数の誘電体層１１１を含むことができ、複数の誘電体層１１１のうち誘電体結晶粒を含む任意の一誘電体層１１１で第１方向に直線Ｌを引いた時、直線Ｌ上に存在する誘電体結晶粒の数が４個以上存在する誘電体層１１１を少なくとも一つ以上含むことができ、より好ましく、直線Ｌ上に存在する誘電体結晶粒の数が４個以上７個以下で存在する誘電体層１１１を少なくとも一つ以上含むことができる。

【0045】

ここで、直線Ｌは、任意の一誘電体層１１１内で第１方向に引いた直線Ｌを意味することができ、より具体的に、第１内部電極１２１と隣接した第２内部電極１２２に実質的に垂直な方向に引いた直線Ｌを意味することができ、このような直線Ｌ上に存在する誘電体結晶粒の数が４個以上であることができる。

【0046】

直線Ｌ上に存在する誘電体結晶粒をカウントする方法は、直線Ｌが誘電体結晶粒を貫通する誘電体結晶粒をカウントするか、誘電体結晶粒を取り囲んでいる結晶粒界（ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｙ）を貫通する場合、誘電体結晶粒をカウントし、直線Ｌ上に存在する誘電体の数でカウントすることができるが、特にこれに制限されるものではない。

【0047】

誘電体層１１１に含まれたスズ（Ｓｎ）のモル数に対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数とテルビウム（Ｔｂ）のモル数の合計の割合（（Ｄｙ＋Ｔｂ）／Ｓｎ）は、０．７以上１．５以下を満たすことができる。

【0048】

誘電体層１１１に含まれたスズ（Ｓｎ）のモル数に対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数とテルビウム（Ｔｂ）のモル数の合計の割合（（Ｄｙ＋Ｔｂ）／Ｓｎ）が０．７以上１．５以下を満たす場合、有効容量が向上し、誘電体粒子の粒成長をより容易に制御して電圧印加時の有効容量減少率を改善することができる。

【0049】

誘電体層１１１に含まれたスズ（Ｓｎ）のモル数に対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数とテルビウム（Ｔｂ）のモル数の合計の割合（（Ｄｙ＋Ｔｂ）／Ｓｎ）が０．７未満であるか１．５超の場合、容量減少率の改善が足りないおそれがある。

【0050】

誘電体層１１１は、スズ（Ｓｎ）を含むことができ、誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数は、１．０モル以上２．０モル以下であることができる。

【0051】

誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数は、１．０モル以上２．０モル以下である場合に、誘電体粒子の粒成長をより容易に制御することができ、有効容量を向上させることができる。

【0052】

スズ（Ｓｎ）のモル数が１．０モル未満の場合、誘電体粒子の粒成長制御が容易でなく、誘電体結晶粒の大きさが大きくなり結晶粒界の数が少なくなり、格子点欠陥のないコアの特性を弱化させて電界集中現象により有効率が低下し得る。スズ（Ｓｎ）のモル数が２．０モル超の場合、誘電体粒子の粒成長制御は容易であるが、過度な粒成長抑制により高誘電率の実現に困難があるおそれがある。

【0053】

誘電体層１１１は、希土類元素（ＲＥ：ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）を含むことができ、誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する希土類元素（ＲＥ）のモル数は、１．１モル以上２．２５モル以下であることができる。

【0054】

稀土類元素（ＲＥ）は、イットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、テルビウム（Ｔｂ）、トリウム（Ｔｍ）、ランタン（Ｌａ）及びイッテルビウム（Ｙｂ）のうち一つ以上を含むことができる。

【0055】

稀土類元素（ＲＥ）が二種類以上添加される場合、稀土類元素（ＲＥ）のモル数は、添加された希土類元素の合計のモル数を意味することができる。

【0056】

誘電体粒子の粒成長を制御することができる希土類元素であればいずれも使用することができ、好ましくは、ジスプロシウム（Ｄｙ）及びテルビウム（Ｔｂ）を使用することができる。

【0057】

換言すると、誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数とテルビウム（Ｔｂ）のモル数の合計は、１．１モル以上２．２５モル以下であることができる。

【0058】

誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数とテルビウム（Ｔｂ）のモル数の合計が１．１モル以上２．２５モル以下の場合、誘電体粒子の粒成長をより容易に制御することができ、有効容量を向上させることができる。

【0059】

誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数とテルビウム（Ｔｂ）のモル数の合計が１．１モル未満であるか、２．２５モル超の場合、誘電体粒子の粒成長制御が容易でなく、誘電体結晶粒の大きさが大きくなり結晶粒界の数が少なくなり、電界集中現象により有効率が低下するか、誘電体結晶粒が形成されないことがある。また、後述するコア－シェル構造の誘電体結晶粒内のシェル領域に含まれた希土類元素の固溶含量が減少することにより、酸素欠陥の制御が容易でなく、信頼性が大きく低下するという問題を引き起こし得る。

【0060】

この時、誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数は、０．７モル以上１．５モル以下であることができる。

【0061】

誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数は、０．７モル以上１．５モル以下の場合、誘電体粒子の粒成長をより容易に制御することができ、有効容量を向上させることができる。

【0062】

誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数が０．７モル未満の場合、酸素欠陥の制御に十分でなく、酸素空孔の発生による信頼性の低下が発生し得る。ジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数が１．５モル超の場合、信頼性の改善には効果的であるものの焼成温度が大きく増加するか誘電体結晶粒が形成されないことがある。

【0063】

また、誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するテルビウム（Ｔｂ）のモル数は、０．２モル以上１．５５モル以下であることができる。

【0064】

誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するテルビウム（Ｔｂ）のモル数は、０．２モル以上１．５５モル以下の場合、誘電体粒子の粒成長をより容易に制御することができ、有効容量を向上させることができる。

【0065】

誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するテルビウム（Ｔｂ）のモル数が０．２モル未満の場合、高温耐電圧特性が劣るおそれがある。テルビウム（Ｔｂ）のモル数が１．５５モル超の場合、有効率が低下する恐れがある。

【0066】

本発明の一実施形態において、誘電体層１１１に含まれた誘電体結晶粒の平均大きさは、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることができ、より好ましくは、１３０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下であることができる。

【0067】

誘電体結晶粒の大きさは、誘電体結晶粒の中心点を通る最小直線大きさ及び最大直線大きさを平均した値であることができ、誘電体結晶粒の平均大きさは、上記のような方法で計算した複数の誘電体結晶粒の大きさを平均した値であることができる。

【0068】

換言すると、誘電体結晶粒の大きさは、一つの誘電体結晶粒の平均大きさを意味することができ、誘電体結晶粒の平均大きさは、誘電体層に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均大きさを意味することができる。

【0069】

ここで、誘電体結晶粒の平均大きさは、誘電体層を含む容量形成部Ａｃにおいて、１μｍ×１μｍの範囲内で走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）または透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて撮影した画像イメージの中で、観察される誘電体結晶粒の大きさを測定して平均した値であることができる。但し、特にこれに制限されるものではなく、一つの誘電体層に含まれた複数の誘電体結晶粒の大きさを平均した値であることができ、容量形成部Ａｃに含まれた複数の誘電体結晶粒の大きさを平均した値であることができる。

【0070】

この時、誘電体結晶粒の平均大きさに対する誘電体結晶粒大きさの標準偏差は、±１００ｎｍ以下、より好ましくは±５０ｎｍ以下であることができる。

【0071】

例えば、大きさの標準偏差が±５０ｎｍ以下の場合、複数の誘電体結晶粒の平均大きさが１８０ｎｍであると、誘電体結晶粒の大きさは、最小大きさが１３０ｎｍであり、最大大きさは１８０ｎｍであり、誘電体結晶粒の大きさは最小・最大範囲内に存在することを意味することができる。

【0072】

誘電体結晶粒大きさの標準偏差が±１００ｎｍ以下を満たす場合、均一な大きさの誘電体結晶粒を形成することができ、信頼性の制御がより容易であることができる。

【0073】

一方、コア２１－シェル２２構造を有する誘電体結晶粒２０において、誘電体結晶粒の平均大きさに対するコアの平均大きさは、０．４以上０．８以下であることができ、百分率で表現する場合、４０％以上８０％以下であることができる。

【0074】

ここで、誘電体結晶粒の平均大きさは、コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒の大きさを平均した値であることができる。コアの大きさは、コアの中心点を通る最小直線大きさ及び最大直線大きさを平均した値を意味することができ、コアの平均大きさは、上記のような方法で計算した複数のコアの大きさを平均した値であることができる。

【0075】

誘電体結晶粒の大きさを計算するための直線と、コアの大きさを計算するための直線は異なることができる。

【0076】

誘電体結晶粒の平均大きさに対するコアの平均大きさが０．４以上０．８以下を満たすことで、有効容量が向上することができ、電圧印加時に有効容量の減少が改善することができる。

【0077】

本発明の一実施形態において、コア２１の平均大きさは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることができ、より好ましくは８０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であることができる。

【0078】

コア２１の平均大きさが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下を満たすことで、高誘電特性を表すことができ、特に誘電体結晶粒の平均大きさが３００ｎｍ以下の小さい大きさの場合に、高誘電特性をより容易に実現することができる。

【0079】

コア２１の平均大きさが５０ｎｍ未満の場合、目標とする誘電特性を達成し難く、コア２１の平均大きさが２００ｎｍ超の場合、誘電体結晶粒の大きさが大きくなりＤＣ－ｂｉａｓ特性や信頼性が低下する恐れがある。

【0080】

コア２１の平均大きさに対するコア大きさの標準偏差は±７５ｎｍ以下であることができ、より好ましくは±３０ｎｍ以下であることができる。

【0081】

例えば、大きさの標準偏差が±３０ｎｍ以下の場合、複数のコアの平均大きさが１１０ｎｍであると、コアの大きさは、最小大きさが８０ｎｍであり、最大大きさは１４０ｎｍであり、コアの大きさは最小・最大範囲内に存在することを意味することができる。

【0082】

コア２１の大きさの標準偏差が±７５ｎｍ以下を満たす場合、均一な大きさのコアを形成することができ、高誘電特性を確保しながら電圧印加時に容量減少率を改善することができる。また、均一な大きさの組立母材を適用したことを類推することができる。

【0083】

図６は、本発明の一実施形態の容量形成部Ａｃを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した画像イメージである。

【0084】

より具体的に、図６は、組立母材を適用して適正水準の粒成長と緻密度をなした状態であり、これを確認してみると、多様な大きさの結晶粒が観察されることが見出される。これは、微粒母材の使用時に発見される一つの誘電体層当たり一つの誘電体結晶粒を含む水準から、微粒母材を非粒成長する場合、発見される一つの誘電体層当たり４個以上の誘電体結晶粒を含む水準まで多様な大きさで存在することを確認することができる。

【0085】

誘電体層１１１の厚さｔｄは、特に限定する必要はない。

【0086】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、誘電体層１１１の厚さは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

【0087】

ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

【0088】

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向大きさを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0089】

誘電体層１１１の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向断面及び第２方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて一つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向大きさを測定した平均値であることができる。上記等間隔の３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均大きさをさらに一般化することができる。

【0090】

内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と交互に積層されることができる。

【0091】

内部電極１２１、１２２は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに向い合うように交互に配置され、本体１１０の第３面及び第４面４にそれぞれ露出することができる。

【0092】

より具体的に、第１内部電極１２１は、第４面４と離隔し第３面３を通じて露出することができ、第２内部電極１２２は、第３面３と離隔し第４面４を通じて露出することができる。本体１１０の第３面３には、第１外部電極１３１が配置され第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には、第２外部電極１３２が配置され第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0093】

すなわち、第１内部電極１２１は、第２外部電極１３２とは連結されず第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は、第１外部電極１３１とは連結されず第２外部電極１３２と連結されることができる。この時、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。

【0094】

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成されることができる。

【0095】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は、特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

【0096】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

【0097】

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

【0098】

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向大きさを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0099】

内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向断面及び第２方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極１２１、１２２を第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向大きさを測定した平均値であることができる。上記等間隔の３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさをさらに一般化することができる。

【0100】

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されたカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0101】

より具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向上部に配置される上部カバー部１１２及び容量形成部Ａｃの第１方向下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0102】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一誘電体層１１１又は２個以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0103】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同一の材料を含むことができる。即ち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、セラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0104】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、特に限定する必要はない。

【0105】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品ではより好ましく２０μｍ以下であることができる。

【0106】

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向大きさを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0107】

カバー部１１２、１１３の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向断面及び第２方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて一つのカバー部を第２方向に等間隔の３０個の地点で厚さを測定した平均値であることができる。上記等間隔の３０個の地点は、上部カバー部１１２で指定されることができる。また、このような平均値の測定を下部カバー部１１３に拡張して平均値を測定すると、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均大きさをさらに一般化することができる。

【0108】

一方、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上には、サイドマージン部１１４、１１５が配置されることができる。

【0109】

より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４及び第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。すなわち、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されることができる。

【0110】

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１方向断面及び第３方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の第３方向両末端と本体１１０の境界面間の領域を意味することができる。

【0111】

サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0112】

サイドマージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される所を除いて導電性ペーストを塗布し内部電極１２１、１２２を形成して、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一誘電体層１１１または２個以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に第３方向に積層して形成することもできる。

【0113】

第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同一の材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、セラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0114】

一方、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。

【0115】

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品ではより好ましく２０μｍ以下であることができる。

【0116】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向大きさを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向平均大きさを意味することができる。

【0117】

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向平均大きさは、本体１１０の第１方向断面及び第３方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて一つのサイドマージン部を第１方向に等間隔の３０個の地点で第３方向大きさを測定した平均値であることができる。上記等間隔の３０個の地点は、第１サイドマージン部１１４で指定されることができる。また、このような平均値の測定を第２サイドマージン部１１５に拡張して平均値を測定すると、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向平均大きさをさらに一般化することができる。

【0118】

本発明の一実施形態においては、セラミック電子部品１００が２個の外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変わることができる。

【0119】

外部電極１３１、１３２は、本体１１０上に配置されて内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

【0120】

より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体の第３面３に配置され、第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は、本体の第４面４に配置され、第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0121】

外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用しても形成されることができ、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができ、さらに多層構造を有することができる。

【0122】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ及び電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置されるめっき層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0123】

電極層１３１ａ、１３２ａについてより具体的に例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であるか、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であることができる。

【0124】

また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であることができる。

【0125】

また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであることができる。

【0126】

電極層１３１ａ、１３２ａに使用される導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結されることができる材質であれば特に制限されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群より選択された一つ以上を含むことができる。電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粉末にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することで形成されることができる。

【0127】

めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、実装特性を向上させる役割を果たす。

【0128】

めっき層１３１ｂ、１３２ｂの種類は特に限定せず、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｂ、１３２ｂであってよく、複数の層で形成されてよい。

【0129】

めっき層１３１ｂ、１３２ｂについてより具体的に例を挙げると、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、Ｎｉめっき層またはＳｎめっき層であってよく、電極層１３１ａ、１３２ａ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってよい。また、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含んでもよい。

【0130】

一方、積層型電子部品１００のサイズは、特に限定する必要はない。

【0131】

但し、超小型製品で本発明による効果がより良いことができ、例えば、１００５（長さ×幅、１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品の場合に、本発明による効果がより優れることができる。

【0132】

以上で本発明の実施形態について詳しく説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定しようとする。従って、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0133】

以下、試験例を通じて本発明をさらに詳しく説明するが、これは発明を具体的に理解するためのもので、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。

【0134】

（試験例）
下記の表１～表８のサンプルチップは、チップサイズを１００５（長さ×幅：１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）サイズで製作し、誘電体層の平均厚さは０．６μｍ以下で製作した。

【0135】

誘電体結晶粒数は、誘電体層において第１方向に直線Ｌを引いた時、直線Ｌ上に存在する誘電体結晶粒の数をカウントして記載した。

【0136】

コアの大きさは、ジスプロシウム（Ｄｙ）をＴＥＭ－ＥＤＳを通じてｍａｐｐｉｎｇした後、ジスプロシウム（Ｄｙ）がほぼ検出されない領域であるコアの大きさを測定した。前述したように、中心点を通る最小直線大きさ及び最大直線大きさを平均した値をコアの大きさとして記載した。

【0137】

誘電体層には、スズ（Ｓｎ）及び希土類元素ジスプロシウム（Ｄｙ）及びテルビウム（Ｔｂ）が含まれ、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数、ジスプロシウム（Ｄｙ）及びテルビウム（Ｔｂ）のモル数を測定して記載した。また、上記測定したスズ（Ｓｎ）のモル数に対するジスプロシウム（Ｄｙ）のモル数とテルビウム（Ｔｂ）のモル数の合計に対する割合（（Ｄｙ＋Ｔｂ）／Ｓｎ）を計算して表に反映した。

【0138】

また、各サンプルチップ別に電圧を印加した時の有効容量（μＦ）を測定して表に反映し、基準有効容量Ｃ_０に対して電圧を印加した時に測定した有効容量Ｃ値の割合である容量減少率（％）を計算して共に反映した。より具体的に、容量減少率（％）は、基準有効容量に対する電圧印加時の有効容量の差異値を意味するもので、｛（Ｃ_０－Ｃ）／Ｃ_０｝×１００％の値を意味することができる。

【0139】

０Ｖは、電圧を印加しなかった時の有効容量（μＦ）であり基準となる有効容量に該当し、電圧をそれぞれ１Ｖ及び３Ｖ印加した時に有効容量（μＦ）及び容量減少率（％）を測定及び計算して表に反映した。

【0140】

この時、基準有効容量に対して１Ｖの電圧を印加した時の容量減少率が３６％以内であり、３Ｖの電圧を印加した時に容量減少率が７０％以内の場合を容量減少率が改善したと評価し、下記の表において〇と記載した。一方、１Ｖ及び３Ｖ電圧印加時の容量減少率が二つのうち一つでも満していなかった場合、×と記載した。

【0141】

【表1】

【0142】

【表2】

【0143】

表１及び表２は、誘電体層内の誘電体結晶粒の数が１個～３個である場合に該当する。また、コアの大きさが３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下に該当する。これは、誘電体結晶粒の大きさが大きいもので、粒成長が制御できなかったことを意味し、シェルの大きさが大きくて電圧印加時に有効容量減少率が改善できなかったと評価することができる。

【0144】

【表3】

【0145】

【表4】

【0146】

表３及び表４は、誘電体層内の誘電体結晶粒の数が４個である場合に該当する。一方、コアの大きさが３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下に該当するサンプルチップ４－１～４－５は、１Ｖまたは３Ｖの電圧印加時に有効容量減少率が改善できないことを確認することができる。これは、コアの大きさが小さくシェルの大きさが大きくて電圧印加時に電界集中現象による有効容量の減少が大きくなったと予測することができる。

【0147】

一方、コアの大きさが８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下に該当するサンプルチップ４－６～４－９及びサンプルチップ４－１１～４－２６は、容量減少率が改善したことを確認することができる。サンプルチップ４－１０の場合、コアの大きさが９０ｎｍに該当し十分なコアの大きさを有することが確認されるが、（Ｄｙ＋Ｔｂ）／Ｓｎの値が０．６５に該当する。これは、希土類元素が相対的に足りなく粒成長が充分に制御できないことでシェル領域が大きくなって電界集中現象が発生し、容量減少率が劣ったと評価することができる。

【0148】

【表5】

【0149】

【表6】

【0150】

表５及び表６は、誘電体層内の誘電体結晶粒の数が５個である場合に該当する。一方、コアの大きさが８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下に該当するサンプルチップ５－１～５－９及びサンプルチップ５－１１～５－１８は、１Ｖ及び３Ｖの電圧印加時に有効容量減少率が改善したことを確認することができる。

【0151】

一方、サンプルチップ５－１０の場合、コアの大きさが９０ｎｍに該当し十分なコア大きさを有すると確認されるが、（Ｄｙ＋Ｔｂ）／Ｓｎの値が１．６２に該当する。これは、希土類元素が相対的に多く添加され、これにより、粒成長が充分に制御できなかったことでシェル領域が大きくなり電界集中現象が発生し、容量減少率が劣ったと評価することができる。

【0152】

【表7】

【0153】

【表8】

【0154】

表７及び表８は、誘電体層内の誘電体結晶粒の数が６個及び７個である場合に該当する。一方、コアの大きさが９０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に該当するサンプルチップ６－１～６－３及びサンプルチップ７－１～７－２は、１Ｖ及び３Ｖの電圧印加時に有効容量減少率が改善したことを確認することができる。

【0155】

一方、サンプルチップ６－４の場合、コアの大きさが９０ｎｍに該当し十分なコア大きさを有すると確認されるが、（Ｄｙ＋Ｔｂ）／Ｓｎの値が１．６２に該当する。これは、希土類元素が相対的に多く添加され、これにより、粒成長が充分に制御できなかったことでシェル領域が大きくなり電界集中現象が発生し、容量減少率が劣ったと評価することができる。

【0156】

以下の表９は、コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒の大きさ及び測定した誘電体結晶粒のコア大きさを測定したデータである。

【0157】

より具体的に、積層型電子部品の第３方向の１／２地点における第１方向断面及び第２方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、容量形成部Ａｃ中に隣接した内部電極間の誘電体層を含んで（１μｍ×１μｍ）大きさの画像イメージ内に存在する誘電体結晶粒及びコアの大きさを測定した。

【0158】

この時、誘電体結晶粒の大きさを測定した誘電体結晶粒とコアの大きさを測定した誘電体結晶粒は同一である。

【0159】

誘電体結晶粒の大きさ測定は、誘電体結晶粒の中心点を通る最小直線大きさ及び最大直線大きさを測定し、最小直線大きさ及び最大直線大きさを平均した値を誘電体結晶粒の大きさとして記載し、単位はｎｍである。

【0160】

コアの大きさ測定は、コアの中心点を通る最小直線大きさ及び最大直線大きさを測定し、最小直線大きさ及び最大直線大きさを平均した値をコアの大きさとして記載し、単位はｎｍである。

【0161】

コア分率（％）は、誘電体結晶粒の大きさに対するコアの大きさを百分率で表記したものである。

【0162】

【表9】

【0163】

表９を参照すると、本発明の一実施形態の誘電体結晶粒の平均大きさは１７８．４ｎｍであり、標準偏差は４１．３ｎｍに該当し、コアの平均大きさは１１２．７ｎｍであり、標準偏差は２８．３ｎｍに該当する。この時、コア分率の平均は６４％に該当する。

【0164】

これは、誘電体結晶粒の大きさに対するコアの大きさ分率が平均的に６４％であることを意味するもので、相対的にコアの大きさが大きいことが分かる。これから、有効容量の値が大きくなりながら電界集中現象による有効容量減少率が改善されることが予測することができる。

【0165】

本明細書で使用された「一実施形態」という表現は互いに同一の実施形態を意味せず、それぞれ互いに異なる固有な特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態で説明されていなくとも、他の一実施形態でその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連した説明と理解されることができる。

【0166】

本明細書で使用された用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたもので、本発明を限定しようとする意図ではない。この時、単数の表現は、文脈上明らかに異なって意味しない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0167】

１００：積層型電子部品
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
２０：誘電体結晶粒
２１：コア
２２：シェル

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】