特開 2024-86530 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024086530

(43)【公開日】2024-06-27

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240620BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201L

H01G4/30 201K

H01G4/30 201N

H01G4/30 512

H01G4/30 515

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023062356

(22)【出願日】2023-04-06

(31)【優先権主張番号】10-2022-0176012

(32)【優先日】2022-12-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】シン、ジン ボク

(72)【発明者】

【氏名】キム、ミン スー

(72)【発明者】

【氏名】ジェオン、チョーン セオプ

(72)【発明者】

【氏名】アン、ジュン ヒュン

(72)【発明者】

【氏名】リー、セウン ヨン

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AD02

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE01

5E082FF05

5E082FG26

5E082GG10

(57)【要約】      （修正有）

【課題】耐湿信頼性及び耐剛性を向上させた積層型電子部品を提供する。
【解決手段】積層型電子部品は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２とを含む。本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、本体１１０の表面と接する浸透層１４０を含む。浸透層１４０に含まれる副成分元素の平均含量は、誘電体層１１１に含まれる副成分元素の平均含量より高く、本体１１０の平均表面粗度は０．０１ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、浸透層１４０は、本体１１０の表面から内部方向に１００ｎｍ以内の領域である。副成分元素は、希土類元素又はマンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）及びジルコニウム（Ｚｒ）の中から選択された一つ以上を含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極とを含み、
前記本体は、前記本体の内部に配置され前記本体の表面と接する浸透層を含み、
前記浸透層に含まれた副成分元素の平均含量は、前記誘電体層に含まれた副成分元素の平均含量より高く、
前記本体の平均表面粗度は、０．０１ｎｍ以上４０ｎｍ以下である、積層型電子部品。

【請求項2】

前記浸透層は、前記本体の表面から内部方向に１００ｎｍ以内の領域である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記浸透層は、前記外部電極と接しない領域に配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記浸透層が配置された本体の表面において、希土類元素が存在する領域は９５％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記本体は、前記誘電体層及び前記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む容量形成部と、前記容量形成部の上部及び下部にそれぞれ配置されるカバー部とを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記本体は、第１方向に互いに向かい合う第１面及び第２面と、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面及び第４面と、前記第１面、前記第２面、前記第３面、及び前記第４面と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面及び第６面とを含み、
前記本体の前記第５面及び前記第６面に配置されるサイドマージン部を含み、
前記浸透層は、前記サイドマージン部の表面と接し、前記サイドマージン部の内部にさらに配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記サイドマージン部の平均表面粗度は、０．０１ｎｍ以上４０ｎｍ以下である、請求項６に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記サイドマージン部に含まれる浸透層は、前記サイドマージン部の表面から内部方向に１００ｎｍ以内の領域である、請求項６に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記浸透層に含まれた副成分元素は、前記誘電体層に含まれた副成分元素のうち一つ以上の副成分元素を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記副成分元素は、希土類元素を含み、
前記希土類元素は、ジスプロシウム（Ｄｙ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジミウム（Ｐｄ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、トリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテニウム（Ｌｕ）の中から選択された一つ以上を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記副成分元素は、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）及びジルコニウム（Ｚｒ）の中から選択された一つ以上を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記副成分元素は、前記本体の表面から内部方向に１００ｎｍ以内の領域に存在する気孔のうち少なくとも一つ以上を封孔している、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記浸透層の気孔率は、前記誘電体層の気孔率より小さい、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記浸透層の緻密度は、前記誘電体層の緻密度より高い、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記誘電体層の平均厚さをｔｄと、前記内部電極の平均厚さをｔｅと定義する場合、
２×ｔｅ＜ｔｄを満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記外部電極は、前記本体上に配置され前記内部電極と接続する第１導電性金属及びガラスを含む第１電極層と、前記第１電極層上に配置され、第２導電性金属及び樹脂を含む第２電極層とを含む、請求項１から１５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話など、様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電または放電させる役割を達成するチップ型のコンデンサである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという長所により、様々な電子装置の部品として用いられることができる。コンピュータ、モバイル機器など各種の電子機器が小型化、高出力化されることにより、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求も増大している。

【0004】

一方、積層型電子部品は、多様な悪条件の環境に晒される可能性があるが、この場合、外部からの水分浸透または衝撃により積層型電子部品に不良が発生するか予想寿命が短縮することがある。そこで、耐湿信頼性または耐剛性を向上させるために多様な研究が進行されている。

【0005】

特に、本体の表面は、微細な凹凸または気孔（ｐｏｒｅ）が存在し得るが、このような凹凸は、水分が浸透した後に残留する空間となり、乾燥が進行しない要因になるおそれがある。また、当該凹凸に外部衝撃が加えられる場合、クラック（ｃｒａｃｋ）が発生するなどの問題点に晒されている。そこで、本体の表面に存在する凹凸または気孔は、積層型電子部品の耐湿信頼性または耐剛性を悪化させる原因として作用するおそれがある。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］韓国公開特許公報第１０－２０１９－０１１６１８１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明が解決しようとする様々な課題の一つは、積層型電子部品の表面粗度を改善し、気孔の数を最小化して耐湿信頼性及び耐剛性を向上させることである。

【0007】

但し、本発明が解決しようとする様々な課題は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極とを含み、上記本体は、上記本体の内部に配置され上記本体の表面と接する浸透層を含み、上記浸透層に含まれた副成分元素の平均含量は、上記誘電体層に含まれた副成分元素の平均含量より高いことができる。

【発明の効果】

【0009】

本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品の耐湿信頼性及び耐剛性が向上することである。

【0010】

但し、本発明の多様かつ有益な長所と効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の一実施形態である積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものである。

【図2】図１の内部電極の積層構造を示した分離斜視図を概略的に示したものである。

【図3】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図4】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図5】図３のＰ領域を拡大した拡大図を概略的に示したものである。

【図6】比較例（ａ、ｂ）及び実施例（ｃ）の本体の表面粗度をＰＦＭ（Ｐｉｅｚｏｒｅｓｐｏｎｓｅ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）装備で分析した画像イメージである。

【図7】比較例（ａ、ｂ）及び実施例（ｃ）の本体の表面粗度をＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）装備で測定した表面粗度値である。

【図8】比較例（ａ）及び実施例（ｂ）の本体の表面をＴＥＭ－ＥＤＳを通じてＤｙ元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）した画像イメージである。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下では、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかしながら、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示若しくは簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。

【0013】

そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面で示された各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のため任意に示したため、本発明が必ずしも図示されたものに限定されるものではない。また、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というとき、これは特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0014】

図面において、第１方向は積層方向または厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義されることができる。

【0015】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態である積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、図１の内部電極の積層構造を示した分離斜視図を概略的に示したものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図５は、図３のＰ領域を拡大した拡大図を概略的に示したものである。

【0016】

以下、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品について詳しく説明する。但し、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は、誘電体組成物を用いる多様な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用されることができる。

【0017】

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２とを含み、上記本体１１０は、上記本体１１０の内部に配置され上記本体１１０の表面と接する浸透層１４０を含み、上記浸透層１４０に含まれた副成分元素の平均含量は、上記誘電体層１１１に含まれた副成分元素の平均含量より高く、上記本体の平均表面粗度は０．０１ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることができる。

【0018】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。

【0019】

より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに向かい合うように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含み容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

【0020】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体状またはこれと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではないが、実質的に六面体状を有することができる。

【0021】

本体１１０は、第１方向に互いに向かい合う第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３面３及び第４面４、第１面１、第２面２、第３面３、及び第４面４と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５面５及び第６面６を有することができる。

【0022】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は、焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いずには確認し難いほど一体化されることができる。

【0023】

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り、制限されない。一般的にペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料またはチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１等が挙げられる。

【0024】

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末に本発明の目的に応じて多様なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

【0025】

誘電体層１１１に含まれる主成分である誘電体の特性を多方面で向上させるために、焼成前に誘電体粒子に多様な添加剤を添加して誘電体組成物を製造することができる。

【0026】

以下では、誘電体組成物に含まれることができる添加剤について説明し、添加剤は、誘電体組成物において副成分として存在することができる。

【0027】

ここで、主成分とは、他の成分に比べて相対的に多くの重量割合を占める成分を意味することができ、全体組成物または全体誘電体層の重量を基準として５０重量％以上の成分を意味することができる。

【0028】

副成分とは、他の成分に比べて相対的に少ない重量割合を占める成分を意味することができ、全体組成物または全体誘電体層の重量を基準として５０重量％未満の成分を意味することができる。

【0029】

ａ）第１副成分
原子価可変アクセプター（ｖａｒｉａｂｌｅ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素の酸化物あるいは炭酸塩のうち一つ以上を含む第１副成分をさらに含み、上記原子価可変アクセプター元素は、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、コペルニシウム（Ｃｎ）及び亜鉛（Ｚｎ）の中から選択された一つ以上を含むことができる。

【0030】

第１副成分に含まれた原子価可変アクセプター元素は、誘電体組成物が適用された積層セラミックキャパシタの焼成温度の低下及び高温耐電圧特性を向上させる役割をすることができる。

【0031】

ｂ）第２副成分
誘電体組成物は、マグネシウム（Ｍｇ）の酸化物あるいは炭酸塩のうち一つ以上を含む第２副成分をさらに含むことができる。
第２副成分のＭｇは、ＲＣ値を高める役割を果たすことができる。

【0032】

ｃ）第３副成分
誘電体組成物は、希土類元素（ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔ）の酸化物及び炭酸塩のうち一つ以上を含む第３副成分をさらに含み、上記希土類元素は、ジスプロシウム（Ｄｙ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジミウム（Ｐｄ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、トリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテニウム（Ｌｕ）の中から選択された一つ以上を含むことができる。
第３副成分に含まれた希土類元素は、高温耐電圧特性を向上させる役割を果たすことができる。

【0033】

ｄ）第４副成分
誘電体組成物は、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、ハフニウム（Ｈｆ）及びジルコニウム（Ｚｒ）のうち一つ以上の元素の酸化物及び炭酸塩のうち一つ以上を含む第４副成分をさらに含むことができる。
第４副成分に含まれるＢａ及びＣａは、誘電率とＲＣ値を高める役割を果たすことができる。

【0034】

ｅ）第５副成分
誘電体組成物は、アルミニウム（Ａｌ）及び珪素（Ｓｉ）のうち一つ以上の酸化物及び炭酸塩及びＳｉを含むガラスのうち一つ以上を含む第５副成分をさらに含むことができる。
第５副成分は、焼結温度を低くする液相形成元素であり、液相焼結を通じて焼結性を制御することで、緻密度及び耐湿信頼性の向上に影響を与えることができる。

【0035】

誘電体層１１１の厚さｔｄは、特に限定する必要はない。

【0036】

但し、積層型電子部品の高容量化を目的とする場合、誘電体層１１１の厚さは３．０μｍ以下であることができるが、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下であることができ、好ましくは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

【0037】

ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

【0038】

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向のサイズを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向平均サイズを意味することができる。

【0039】

誘電体層１１１の第１方向平均サイズは、本体１１０の第１方向断面及び第２方向断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて一つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向のサイズを測定した平均値であることができる。上記等間隔の３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向平均サイズをさらに一般化することができる。

【0040】

一方、積層型電子部品は、多様な悪条件の環境に晒される可能性があるが、この場合、外部からの水分浸透または衝撃により積層型電子部品に不良が発生するか予想寿命が短縮し得る。そこで、耐湿信頼性または耐剛性を向上させるために多様な研究が進行されている。

【0041】

特に、本体の表面には、微細な凹凸または気孔（ｐｏｒｅ）が存在し得るが、このような凹凸は、水分が浸透した後に残留する空間となり、乾燥が進行しない要因になるおそれがある。また、当該凹凸に外部衝撃が加えられる場合、クラック（ｃｒａｃｋ）が発生するなどの問題点に晒されている。そこで、本体の表面に存在する凹凸または気孔は、積層型電子部品の耐湿信頼性または耐剛性を悪化させる原因として作用するおそれがある。

【0042】

そこで、本発明の一実施形態は、本体１１０の表面に浸透層１４０を形成及び配置することで、耐湿信頼性または耐剛性を向上させることができるという効果がある。

【0043】

例えば、焼成工程が終わった積層型電子部品の本体表面に液相で存在する副成分添加剤の塩（ｓａｌｔ）を多様な方法で塗布した後、熱処理を進行して凹凸及び／または気孔を封孔（ｓｅａｌｉｎｇ）することで、表面粗度及び耐湿信頼性を改善することができる。但し、特にこれに制限されるものではなく、外部電極を形成する前に本体の表面全体に液相添加剤を塗布することができる。

【0044】

好ましくは、焼成工程後に本体の表面に液相添加剤を塗布することが積層型電子部品の電気的特性に影響を与えず物理的に凹凸を埋めることで、水分の浸透経路を遮断し、添加剤が塗布された領域の剛性を増加させることができる。

【0045】

液相添加剤を塗布する方法としては、液相添加剤が盛られた貯水槽溶液の上層部に一定深さほど積層型電子部品が濡れるようにディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）してコーティングすることができる。または、積層型電子部品上に液相添加剤を水滴（ｄｒｏｐｌｅｔ）方式で塗布して濡れ性を付与した後、これを広がせて塗布することができる。また、積層型電子部品上にスプレイ方法で液相添加剤を吹き付けて塗布することができ、この場合、塗布しようとする領域上に塗布領域を除いてマスキング（ｍａｓｋｉｎｇ）を通じて塗布面積を制御することができる。但し、特にこれに制限されるものではない。

【0046】

浸透性、濡れ性及び広がり性に優れた液相添加剤を塗布する場合、本体表面に存在する気孔及び凹凸を埋めるのに非常に容易かつ塗布の均質性が高く耐湿信頼性をより向上させることができる。

【0047】

また、液相（ｌｉｑｕｉｄ－ｐｈａｓｅ）であるため、本体の表面に塗布した時、本体の外表面に層（ｌａｙｅｒ）形状で存在するものではなく本体の内部に染みこむことができるため、積層型電子部品の厚さを大きく変化させず超小型製品で体積当たり容量効率により優れることができる。

【0048】

この場合、塗布した液相添加剤は、後述する浸透層１４０になることができる。

【0049】

より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され本体１１０の表面と接する浸透層１４０を含むことができる。換言すると、浸透層１４０は、本体１１０の内表面に配置されることができる。

【0050】

浸透層１４０は、本体１１０の表面から内部方向に１００ｎｍ以内の領域を意味することができ、浸透層１４０は、誘電体層１１１に含まれる副成分元素と同一の副成分元素を少なくとも一つ以上含むことができる。

【0051】

この場合、浸透層１４０に含まれた副成分元素の平均含量は、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１に含まれた副成分元素の平均含量より高いことができる。

【0052】

即ち、本体１１０の表面から内部方向に１００ｎｍ以内の領域は、上記副成分元素の含量が高いことができる。これは、本体１１０の第１方向断面及び第２方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）をＳＥＭ－ＥＤＳまたはＴＥＭ－ＥＤＳで分析して、マッピングしようとする副成分元素をターゲティングして確認することができる。

【0053】

また、浸透層１４０に含まれた副成分元素は、本体１１０の表面から内部方向に１００ｎｍ以内の領域に存在する気孔のうち少なくとも一つ以上を封孔していてよい。これにより、浸透層１４０の気孔率は、誘電体層１１１の気孔率より小さくてよい。気孔は、本体の第１方向断面及び第２方向断面をＳＥＭを通じて観察及び測定することができる。

【0054】

また、浸透層１４０の緻密度は、誘電体層１１０の緻密度より高いことができる。

【0055】

これは、液相添加剤を本体表面に塗布して本体内部に浸透したことによる結果であり、表面粗度または気孔を副成分元素が埋めるため緻密度及び耐湿信頼性により優れることができる。

【0056】

本発明の一実施形態による積層型電子部品において、浸透層１４０は、本体１１０の中で、外部電極１３１、１３２と接しない領域に配置されることができる。

【0057】

例えば、本体１１０の第１面、第２面、第５面及び第６面の少なくとも一面に配置されることができる。

【0058】

これは、前述したように、焼成後の積層型電子部品において外部に露出した本体の表面に液相添加剤を塗布して浸透させたことによる製造工程上の差異であるだけで、特にこれに制限されるものではない。

【0059】

浸透層１４０に含まれる副成分元素は、前述した誘電体層１１１に含まれる副成分元素のうち少なくとも一つ以上を含むことができる。

【0060】

誘電体層１１１に含まれた副成分元素と同一または類似した成分を浸透層１４０に含ませることで、既存誘電体層の構成成分との相溶性及び結合性に優れることができ、異常反応による副効果を容易に制御することができるため、耐湿信頼性及び耐剛性をより容易に向上させることができる。

【0061】

本発明の一実施形態において、本体１１０の平均表面粗度Ｒａは、０．０１ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることができる。

【0062】

本体１１０の平均表面粗度Ｒａが０．０１ｎｍ以上４０ｎｍ以下を満たすことで、耐湿信頼性が向上することができ、耐剛性に優れクラック発生を抑制することができる。

【0063】

本体１１０の平均表面粗度Ｒａの下限値は特に制限されるものではなく、例えば、０．０１ｎｍ以上であれば十分である。但し、本体１１０の平均表面粗度Ｒａが４０ｎｍ超の場合、外部からの水分浸透が容易になり耐湿信頼性が劣る可能性があり、外部からの衝撃または環境などによってクラックが発生する恐れがある。

【0064】

表面粗度とは、対象物の表面に形成された微細な凹凸の程度を称するもので、表面粗さ（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）とも言う。

【0065】

表面粗度は、加工に使用される工具、加工法の適否、表面に掻いた傷、錆、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）などにより生じるもので、粗さの程度を表すにあたって表面をそれと直角である平面に切断し、その断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を見ると高低を有するが、最も低い所から最も高い所までの高さを最大表面粗度と定義することができる。

【0066】

例えば、図５を参照して説明すると、本体１１０の表面粗度は、本体１１０の第１方向断面及び第２方向断面をＳＥＭを通じて観察した時、中心線から高低が存在するが、これを表面粗度といえる。

【0067】

平均表面粗度Ｒａとは、平均表面粗さともいい、粗度測定装置を通じて求めた粗度曲線において、その平均線の方向に基準長さだけ抽出した後、該抽出部分の平均線方向にＸ軸を、縦倍率方向にＹ軸を取り、粗度曲線対応式ｆ（ｘ）を求めた後、下記数式１により求めた値を意味することができ、単位はマイクロメートル（μｍ）またはナノメートル（ｎｍ）であることができる。

【0068】

【数1】

【0069】

本発明の一実施形態の本体１１０の表面を概略的に示した図５を参照して説明すると、表面粗度の仮想の中心線Ｒｃを基準として平均表面粗度を求める他の方法としては、表面粗度の仮想の中心線Ｒｃを基準としてそれぞれの距離（例えば、ｒ_１、ｒ_２、ｒ_３、…ｒ_ｎ）を測定した後、下記数式２のように各距離の平均値を求めて算出された値で平均表面粗度を算出することができる。

【0070】

【数2】

【0071】

また、本体１１０の平均表面粗度Ｒａは、ＰＦＭ（Ｐｉｅｚｏｒｅｓｐｏｎｓｅ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）またはＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）装置を利用して測定することができる。

【0072】

ＰＦＭは、強誘電体物質の表面粗度を測定する時に利用することができ、局部的な領域で表れる圧電（ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ）特性を利用して表面粗度を測定することができる分析方法である。

【0073】

より具体的に、探針（ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒ）と誘電体試料表面を接近させ、ＡＣ電場を加えると、誘電体の寸法（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）変化が引き起こされて振動が発生し得るが、このような振動を探知して表面粗度を測定することができる。ＰＦＭ技術は、ナノスケールで強誘電性を測定することができるため、微細構造に対する空間的な定性／定量分析が可能である。また、ＰＦＭ ｉｍａｇｉｎｇを利用して強誘電物質の分極状態及び分布を定性／定量的に分析することができる。

【0074】

ＡＦＭは、探針と誘電体試料表面の原子の間に作用するファンデルワールス力（ｖａｎ ｄｅｒ Ｗａａｌｓ ｆｏｒｃｅ）を利用して試料表面の粗さとそれによるイメージが得られる分析方法である。これは、表面粗度の定量的な測定が可能である。特に微細な探針で表面を走査してナノサイズの物質の表面を観察し粒子のサイズだけでなく表面の粗度（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が定量的に分かり、前述した応用モードであるＰＦＭを利用して表面形状の測定と物性の測定を同時に進行することができる。

【0075】

内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と交互に積層されることができる。

【0076】

内部電極１２１、１２２は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに向い合うように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。

【0077】

より具体的に、第１内部電極１２１は、第４面４と離隔し第３面３を通じて露出することができ、第２内部電極１２２は、第３面３と離隔し第４面４を通じて露出することができる。本体１１０の第３面３には、第１外部電極１３１が配置され第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には、第２外部電極１３２が配置され第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0078】

すなわち、第１内部電極１２１は、第２外部電極１３２とは連結されず第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は、第１外部電極１３１とは連結されず第２外部電極１３２と連結されることができる。この場合、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、その中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。

【0079】

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成されることができる。

【0080】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は、特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

【0081】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを使用することができ、本発明がこれに限定されるものではない。

【0082】

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、特に限定する必要はない。

【0083】

但し、積層型電子部品の高容量化を目的とする場合、１μｍ以下であることができるが、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは１．０μｍ以下であることができ、好ましくは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

【0084】

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向平均サイズを意味することができる。

【0085】

内部電極１２１、１２２の第１方向平均サイズは、本体１１０の第１方向断面及び第２方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極１２１、１２２を第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向のサイズを測定した平均値であることができる。上記等間隔の３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の第１方向平均サイズをさらに一般化することができる。

【0086】

一方、本発明の一実施形態において、誘電体層１１１の厚さｔｄと内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、ｔｄ＞２×ｔｅを満たすことができる。

【0087】

換言すると、誘電体層１１１の厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅの２倍よりさらに大きいことができる。

【0088】

一般的に高電圧電装用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧（ＢＤＶ：Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）の低下による信頼性問題が主要なイシューである。

【0089】

そこで、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防ぐために、誘電体層１１１の厚さｔｄを内部電極１２１、１２２の厚さｔｅの２倍よりさらに大きくすることで、内部電極間距離である誘電体層の厚さを増加させることができ、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。

【0090】

誘電体層１１１の厚さｔｄが内部電極１２１、１２２厚さｔｅの２倍以下である場合は、内部電極間距離である誘電体層の厚さが薄くて絶縁破壊電圧が低下し得る。

【0091】

高電圧電子部品において、内部電極の厚さｔｅは１．０μｍ以下であることができ、誘電体層の厚さｔｄは３．０μｍ以下であることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。

【0092】

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0093】

より具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向上部に配置される上部カバー部１１２及び容量形成部Ａｃの第１方向下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0094】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一誘電体層１１１または２個以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0095】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同一の材料を含むことができる。即ち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、セラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0096】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、特に限定する必要はない。

【0097】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品ではより好ましく２０μｍ以下であることができる。

【0098】

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向平均サイズを意味することができる。

【0099】

カバー部１１２、１１３の第１方向平均サイズは、本体１１０の第１方向断面及び第２方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいてカバー部の第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向のサイズを測定した平均値であることができる。

【0100】

一方、積層型電子部品１００は、本体１１０の第３方向両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるサイドマージン部１１４、１１５を含むことができる。

【0101】

より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４及び本体１１０の第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。

【0102】

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１方向断面及び第３方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の第３方向両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）と本体１１０の境界面間の領域を意味することができる。

【0103】

サイドマージン部１１４、１１５は、容量形成部Ａｃに適用されるセラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される所を除いて導電性ペーストを塗布し内部電極１２１、１２２を形成して、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一誘電体層１１１または２個以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に第３方向に積層して形成することもできる。

【0104】

サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0105】

第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同一の材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、セラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0106】

本発明の一実施形態において、サイドマージン部１１４、１１５は、サイドマージン部１１４、１１５の表面と接し、サイドマージン部１１４、１１５の内部にさらに配置される浸透層１４０を含むことができる。

【0107】

すなわち、本体１１０の内表面に配置される浸透層１４０とサイドマージン部１１４、１１５の内表面に配置される浸透層１４０は、同一であることができる。

【0108】

そこで、前述した本体１１０の浸透層１４０と同一の内容は重複するため、省略する。

【0109】

より具体的に、第１サイドマージン部１１４は、第１サイドマージン部１１４の表面から内部方向（第２方向）に１００ｎｍ以内の領域に浸透層１４０を含むことができ、この場合、浸透層１４０は、誘電体層１１１の副成分元素と同一の副成分元素を含むことができ、第１サイドマージン部１１４の浸透層１４０に含まれた副成分元素の平均含量は、誘電体層１１１に含まれた副成分元素の平均含量より高いことができる。また、第１サイドマージン部１１４の平均表面粗度Ｒａは、０．０１ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることができ、上記数値範囲を満たす場合、積層型電子部品の耐湿信頼性により優れることができる。

【0110】

そして、第２サイドマージン部１１５は、第２サイドマージン部１１５の表面から内部方向（第２方向）に１００ｎｍ以内の領域に浸透層１４０を含むことができ、この場合、浸透層１４０は、誘電体層１１１の副成分元素と同一の副成分元素を含むことができ、第２サイドマージン部１１４に含まれた浸透層１４０に含まれた副成分元素の平均含量は、誘電体層１１１に含まれた副成分元素の平均含量より高くてよい。また、第２サイドマージン部１１５の平均表面粗度Ｒａは、０．０１ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることができ、上記数値範囲を満たす場合、積層型電子部品の耐湿信頼性により優れることができる。

【0111】

一方、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは、特に限定する必要はない。

【0112】

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品ではより好ましく２０μｍ以下であることができる。

【0113】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向平均サイズを意味することができる。

【0114】

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向平均サイズは、本体１１０の第１方向断面及び第３方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、サイドマージン部の第１方向に等間隔の３０個の地点で第３方向のサイズを測定した平均値であることができる。

【0115】

本発明の一実施形態においては、セラミック電子部品１００が２個の外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数及び形状などは、内部電極１２１、１２２の形態またはその他の目的に応じて変わることができる。

【0116】

外部電極１３１、１３２は、本体１１０上に配置され内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

【0117】

より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体の第３面３に配置され第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は、本体の第４面４に配置され第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0118】

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用しても形成されることができ、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができ、さらに多層構造を有することができる。

【0119】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ及び電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上に配置されるめっき層１３１ｃ、１３２ｃを含むことができる。

【0120】

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂについてより具体的に例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であるか、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であることができる。

【0121】

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であることができる。

【0122】

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであることができる。

【0123】

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属として電気伝導性に優れる材料を使用することができ、例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群より選択された一つ以上を含むことができるが、特にこれに限定されない。

【0124】

本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層の構造を有することができ、これにより、外部電極１３１、１３２は、導電性金属及びガラスを含む第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され導電性金属及び樹脂を含む第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0125】

第１電極層１３１ａ、１３２ａは、ガラスを含むことにより本体１１０との接合性を向上させる役割を果たすことができ、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、樹脂を含むことにより曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。

【0126】

第１電極層１３１ａ、１３２ａに使用される導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結されることができる材質であれば特に制限されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群より選択された一つ以上を含むことができる。第１電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粉末にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することで形成されることができる。

【0127】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。

【0128】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されることができる材質であれば特に制限されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群より選択された一つ以上を含むことができる。

【0129】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１つ以上を含むことができる。すなわち、導電性金属は、フレーク状粒子のみからなるか、球状粒子のみからなることができ、フレーク状粒子と球状粒子が混合した形態であってもよい。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ割合（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子は、平たく長い形態を有する粒子を意味し、特に制限されるものではないが、例えば長軸と短軸の長さ割合（長軸／短軸）が１．９５以上であることができる。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、セラミック電子部品の第３方向の１／２地点で切断した第１方向断面及び第２方向断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得たイメージから測定することができる。

【0130】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性の確保及び衝撃吸収の役割を果たす。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性及び衝撃吸収性を有し、導電性金属粉末と混合してペーストを作ることができるものであれば特に制限されず、例えばエポキシ系樹脂を含むことができる。

【0131】

また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の金属粒子、金属間化合物及び樹脂を含むことができる。上記金属間化合物を含むことにより第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を取り囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。

【0132】

この場合、上記金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、上記金属間化合物が樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融され、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を取り囲むようになる。この場合、金属間化合物は、好ましく３００℃以下の低融点金属を含むことができる。

【0133】

例えば、２１３～２２０℃の融点を有するスズ（Ｓｎ）を含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融され、溶融されたＳｎがＡｇ、ＮｉまたはＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により濡らし、Ａｇ、ＮｉまたはＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に参加しないＡｇ、ＮｉまたはＣｕは、金属粒子形態として残る。

【0134】

したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５及びＣｕ_３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。

【0135】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させる役割を果たす。

【0136】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定せず、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃであることができ、複数の層で形成されることができる。

【0137】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃについてより具体的に例を挙げると、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、Ｎｉめっき層またはＳｎめっき層であることができ、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であることができ、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であることができる。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含んでもよい。

【0138】

以下、実施例を通じて本発明をさらに詳しく説明するが、これは発明を具体的に理解するためのもので、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。

【0139】

（試験例）
以下の表１は、比較例及び実施例のサンプルチップに対して耐湿信頼性の評価を進行したデータである。

【0140】

比較例１は、如何なる添加剤も本体の表面に形成していないサンプルチップに該当し、比較例２は、Ｄｙ酸化物浸透層を本体の表面に形成させたサンプルチップに該当し、実施例は、Ｄｙ液相添加剤を本体の表面に塗布して、浸透層を形成させたサンプルチップに該当する。

【0141】

比較例１、比較例２及び実施例のサンプルをそれぞれ４０個ずつ製造して、１１００℃、１１５０℃、１２００℃の温度に焼成してサンプルチップを製作した。

【0142】

耐湿信頼性の評価は、温度条件８５℃、相対湿度８５％、電圧条件１．５Ｖｒで１時間の間進行した。

【0143】

この場合、それぞれの４０個のサンプルチップの中で、初期絶縁抵抗（ＩＲ_０）に比べて絶縁抵抗（ＩＲ）の短絡が１つでも発生した場合、×と記載し、絶縁抵抗の短絡が発生しない（０個）場合、〇と記載した。

【0144】

【表1】

【0145】

本体の表面に如何なる添加剤も塗布していない比較例１－１～比較例１－３の場合、焼成温度と関係なく耐湿信頼性の評価で劣った結果を表し、本体の表面にＤｙ酸化物浸透層が形成された比較例２－１～比較例２－３の場合、焼成温度と関係なく耐湿信頼性の評価で劣った結果を表した。一方、本体の表面にＤｙ液相添加剤を塗布して浸透層を形成した実施例１－１～実施例１－３の場合、焼成温度と関係なく耐湿信頼性の評価時に絶縁抵抗の低下が発生しないことを確認することができ、これから耐湿信頼性が向上したことが分かる。

【0146】

以下では、比較例及び実施例に関する図６～図８を参照して説明する。

【0147】

図６は、積層型電子部品の比較例及び実施例を１１００℃の温度で焼成した本体の表面をＰＦＭ分析を通じて分析した画像イメージであり、より具体的に、図６の（ａ）は、本体の表面に添加剤を塗布していない比較例３であり、図６の（ｂ）は、本体の表面にＤｙの酸化物浸透層を塗布した比較例４であり、図６の（ｃ）は、本体の表面にＤｙ液相添加剤を塗布して浸透層が形成された実施例２である。

【0148】

基準となる中心線（０ｎｍ）から－１５０ｎｍ～＋１５０ｎｍ深さの表面粗度を表わすレファレンスイメージを参照した時、比較例３の図６の（ａ）及び比較例４の図６の（ｂ）が実施例２の図６の（ｃ）の表面粗度より相対的に大きいことを確認することができる。すなわち、図６の（ａ）及び図６の（ｂ）において、－１５０ｎｍまたは＋１５０ｎｍの明暗に近い領域が多いことを確認することができ、実施例の図６の（ｃ）は、中心線（０ｎｍ）の明暗に近い領域が多く分布していることを確認することができる。

【0149】

図７は、積層型電子部品の比較例及び実施例を１０５０℃、１１００℃、１１５０℃、１２００℃の温度で焼成した本体の表面をＡＦＭ分析を通じて定量的に測定した表面粗度をグラフで示したものである。棒グラフは平均表面粗度を意味し、「Ｉ」直線は表面粗度の散布を意味する。

【0150】

より具体的に、図７の（ａ）は、本体の表面に添加剤を塗布していない比較例５－１（１０５０℃）、比較例５－２（１１００℃）、比較例５－３（１１５０℃）及び比較例５－４（１２００℃）を示し、図７の（ｂ）は、本体の表面にＤｙの酸化物浸透層を塗布した比較例６－１～比較例６－４（比較例５－１～比較例５－４の温度と同一）であり、図７の（ｃ）は、本体の表面にＤｙ液相添加剤を塗布して浸透層を形成した実施例３－１～実施例３－４（比較例５－１～比較例５－４の温度と同一）である。

【0151】

比較例５－１～比較例５－４及び比較例６－１～比較例６－４の場合、焼成温度によって平均表面粗度及び表面粗度の散布において多少差異があり得るが、実施例３－１～実施例３－４に比べて表面粗度値が大きいことを確認することができる。

【0152】

図７の（ａ）及び図７の（ｂ）を確認してみると、本体の表面から内部方向に１００ｎｍ以内の領域の表面粗度のうち、平均表面粗度が４０ｎｍ超であることが確認可能なことに対し、図７の（ｃ）を確認してみると、本体の表面から内部方向に１００ｎｍ以内の領域の表面粗度のうち、平均表面粗度が４０ｎｍ以下であることを確認することができる。

【0153】

これから、液相添加剤の塗布によって形成された浸透層により表面粗度が改善されて微細凹凸がなだらかであるか深くないことが分かり、耐湿信頼性及び耐剛性が向上する効果があることを予測することができる。

【0154】

図８は、積層型電子部品の比較例及び実施例の本体の表面をＴＥＭ－ＥＤＳ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）を通じてＤｙ元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）した画像イメージである。

【0155】

より具体的に、図８の（ａ）は、添加剤が塗布されていない本体の表面をＤｙ元素でマッピングした比較例７であり、図８の（ａ）は、液相添加剤を塗布して浸透層が形成された本体の表面をＤｙ元素でマッピングした実施例４である。

【0156】

比較例７である図８の（ａ）を確認してみると、誘電体に添加された副成分であるＤｙ副成分によってマッピング時にＤｙが検出されるが、部分的にＤｙがマッピングされていない領域（黒色）が存在することを確認することができ、これからＤｙの緻密度が相対的に低いことを確認することができる。

【0157】

一方、実施例４である図８の（ｂ）を確認してみると、誘電体層に添加されたＤｙ副成分外に液相添加剤の塗布によって形成された浸透層の影響により、部分的にＤｙがマッピングされていない領域がほぼないかまたはないことで確認される。さらに詳しくは、８μｍ×８μｍの大きさのＴＥＭ－ＥＤＳ画像イメージにおいてＤｙがマッピングされる領域が９０％以上であることができ、好ましくは９５％以上、より好ましくは９９％以上であることが分かる。これから、Ｄｙ浸透層が形成され、耐湿信頼性が向上することを予測することができる。

【0158】

以上で本発明の実施形態について詳しく説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定しようとする。従って、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0159】

本明細書で使用された「一実施形態」という表現は互いに同一の実施形態を意味せず、それぞれ互いに異なる固有な特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態で説明されていなくとも、他の一実施形態でその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連した説明と理解されることができる。

【0160】

本明細書で使用された用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたもので、本発明を限定しようとする意図ではない。この場合、単数の表現は、文脈上明らかに異なって意味しない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0161】

１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１４０：浸透層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】